JPH06289593A - マスクの製造方法 - Google Patents
マスクの製造方法Info
- Publication number
- JPH06289593A JPH06289593A JP10030393A JP10030393A JPH06289593A JP H06289593 A JPH06289593 A JP H06289593A JP 10030393 A JP10030393 A JP 10030393A JP 10030393 A JP10030393 A JP 10030393A JP H06289593 A JPH06289593 A JP H06289593A
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- JP
- Japan
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- light
- shielding film
- substrate
- film
- phase shifter
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 膜厚の均一な位相シフタ膜を形成することが
できて、レジストパターンに寸法変動を生じさせないマ
スクを製造する。 【構成】 レチクル基板１１に遮光膜１３のパターンの
凹部２２を形成し、遮光膜１３を全面に堆積させる。そ
して、研磨で遮光膜１３を凹部２２内にのみ残してレチ
クル基板１１の表面を平坦化してから、レチクル基板１
１上に位相シフタ膜１５を形成する。この様にレチクル
基板１１の表面を平坦化してから、レチクル基板１１上
に位相シフタ膜１５を形成しているので、遮光膜１３の
パターンに拘らず膜厚の均一な位相シフタ膜１５を形成
することができる。
できて、レジストパターンに寸法変動を生じさせないマ
スクを製造する。 【構成】 レチクル基板１１に遮光膜１３のパターンの
凹部２２を形成し、遮光膜１３を全面に堆積させる。そ
して、研磨で遮光膜１３を凹部２２内にのみ残してレチ
クル基板１１の表面を平坦化してから、レチクル基板１
１上に位相シフタ膜１５を形成する。この様にレチクル
基板１１の表面を平坦化してから、レチクル基板１１上
に位相シフタ膜１５を形成しているので、遮光膜１３の
パターンに拘らず膜厚の均一な位相シフタ膜１５を形成
することができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体ウエハ上に半導
体装置のパターンを形成するためのマスク、特に位相シ
フトマスクの製造方法に関するものである。
体装置のパターンを形成するためのマスク、特に位相シ
フトマスクの製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】位相シフトマスクは、隣接するパターン
に対する露光の位相を主として反転させて解像力を高め
るためのマスクであり、微細なパターンの半導体装置を
製造する際のリソグラフィ工程で使用することが考えら
れている。
に対する露光の位相を主として反転させて解像力を高め
るためのマスクであり、微細なパターンの半導体装置を
製造する際のリソグラフィ工程で使用することが考えら
れている。
【０００３】図３及び図４は、このような位相シフトマ
スクの一種である位相シフトレチクルの製造方法の従来
例を示している。この従来例では、図３（ａ）に示すよ
うに、レチクル基板１１上にエッチングストッパ膜１２
と遮光膜１３とを順次に全面に堆積させ、遮光膜１３上
にレジスト１４を塗布する。
スクの一種である位相シフトレチクルの製造方法の従来
例を示している。この従来例では、図３（ａ）に示すよ
うに、レチクル基板１１上にエッチングストッパ膜１２
と遮光膜１３とを順次に全面に堆積させ、遮光膜１３上
にレジスト１４を塗布する。
【０００４】次に、図３（ｂ）に示すように、位相シフ
トレチクルのうちで透光領域のレジスト１４を除去する
パターニングを行ってから、このレジスト１４をマスク
にして遮光膜１３を選択的にエッチングする。その後、
図３（ｃ）に示すように、残っていたレジスト１４を除
去する。
トレチクルのうちで透光領域のレジスト１４を除去する
パターニングを行ってから、このレジスト１４をマスク
にして遮光膜１３を選択的にエッチングする。その後、
図３（ｃ）に示すように、残っていたレジスト１４を除
去する。
【０００５】次に、図４（ａ）に示すように、位相シフ
タ膜１５を全面に堆積させ、位相シフタ膜１５上にレジ
スト１６を塗布する。そして、図４（ｂ）に示すよう
に、形成すべき位相シフタ膜１５のパターンにレジスト
１６をパターニングし、このレジスト１６をマスクにし
て位相シフタ膜１５を選択的にエッチングする。その
後、図４（ｃ）に示すように、残っていたレジスト１６
を除去して、位相シフトレチクルを完成させる。
タ膜１５を全面に堆積させ、位相シフタ膜１５上にレジ
スト１６を塗布する。そして、図４（ｂ）に示すよう
に、形成すべき位相シフタ膜１５のパターンにレジスト
１６をパターニングし、このレジスト１６をマスクにし
て位相シフタ膜１５を選択的にエッチングする。その
後、図４（ｃ）に示すように、残っていたレジスト１６
を除去して、位相シフトレチクルを完成させる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところで、リソグラフ
ィ工程で位相シフトマスクのパターンを転写するレジス
トに寸法変動を生じさせないためには、位相シフタ膜１
５の膜厚を均一にして、位相シフト角のずれを少なくす
る必要がある（例えば、１９９２年春季第３９回応用物
理学関係連合講演会講演予稿集Ｎｏ．２ ３０ｐ−ＮＡ
−１０）。
ィ工程で位相シフトマスクのパターンを転写するレジス
トに寸法変動を生じさせないためには、位相シフタ膜１
５の膜厚を均一にして、位相シフト角のずれを少なくす
る必要がある（例えば、１９９２年春季第３９回応用物
理学関係連合講演会講演予稿集Ｎｏ．２ ３０ｐ−ＮＡ
−１０）。
【０００７】しかし、上述の従来例では、図４（ｃ）に
示したように、パターニング済の遮光膜１３のために、
位相シフタ膜１５のうちで遮光部と透光部との境界部１
７における膜厚が厚くなるので、位相シフタ膜１５の膜
厚を均一にすることが非常に困難であるという問題があ
った。
示したように、パターニング済の遮光膜１３のために、
位相シフタ膜１５のうちで遮光部と透光部との境界部１
７における膜厚が厚くなるので、位相シフタ膜１５の膜
厚を均一にすることが非常に困難であるという問題があ
った。
【０００８】そこで、本発明の目的は、膜厚の均一な位
相シフタ膜を形成することができて、レジストパターン
に寸法変動を生じさせないマスクを製造することができ
る方法を提供することである。
相シフタ膜を形成することができて、レジストパターン
に寸法変動を生じさせないマスクを製造することができ
る方法を提供することである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上述した課題を解決する
ために、本発明のマスクの製造方法は、透光性の基板に
遮光膜のパターンの凹部を形成する工程と、前記凹部内
にのみ前記遮光膜を埋め込んで、前記基板の表面を平坦
化する工程と、前記表面を平坦化した前記基板上に位相
シフタ膜を形成する工程とを有している。
ために、本発明のマスクの製造方法は、透光性の基板に
遮光膜のパターンの凹部を形成する工程と、前記凹部内
にのみ前記遮光膜を埋め込んで、前記基板の表面を平坦
化する工程と、前記表面を平坦化した前記基板上に位相
シフタ膜を形成する工程とを有している。
【００１０】なお、前記平坦化は、前記凹部を形成した
後、前記基板上の全面に前記遮光膜を堆積させ、この遮
光膜を機械的に研磨して行うのが好ましい。
後、前記基板上の全面に前記遮光膜を堆積させ、この遮
光膜を機械的に研磨して行うのが好ましい。
【００１１】また、前記平坦化は、前記凹部を形成した
後、前記基板上の全面に前記遮光膜を堆積させ、この遮
光膜上の全面にレジストを塗布し、前記遮光膜と前記レ
ジストとのエッチング速度が互いに等しい条件でこれら
の遮光膜とレジストとをエッチングして行ってもよい。
後、前記基板上の全面に前記遮光膜を堆積させ、この遮
光膜上の全面にレジストを塗布し、前記遮光膜と前記レ
ジストとのエッチング速度が互いに等しい条件でこれら
の遮光膜とレジストとをエッチングして行ってもよい。
【００１２】
【作用】本発明によるマスクの製造方法では、基板の凹
部内にのみ遮光膜を埋め込んで、基板の表面を平坦化し
てから、基板上に位相シフタ膜を形成しているので、遮
光膜のパターンに拘らず膜厚の均一な位相シフタ膜を形
成することができる。
部内にのみ遮光膜を埋め込んで、基板の表面を平坦化し
てから、基板上に位相シフタ膜を形成しているので、遮
光膜のパターンに拘らず膜厚の均一な位相シフタ膜を形
成することができる。
【００１３】
【実施例】以下、ｉ線用の位相シフトレチクルの製造に
適用した本発明の一実施例を、図１及び図２を参照しな
がら説明する。なお、図１及び図２の実施例において、
図３及び図４に示した従来例と対応する構成部分には、
同一の符号を付した。
適用した本発明の一実施例を、図１及び図２を参照しな
がら説明する。なお、図１及び図２の実施例において、
図３及び図４に示した従来例と対応する構成部分には、
同一の符号を付した。
【００１４】本実施例では、図１（ａ）に示すように、
ガラス基板等であるレチクル基板１１上にレジスト２１
を塗布し、図１（ｂ）に示すように、位相シフトレチク
ルのうちで遮光領域のレジスト２１を除去するパターニ
ングを行う。その後、このレジスト２１をマスクにして
レチクル基板１１を選択的にエッチングして、深さが１
００ｎｍ程度の凹部２２をレチクル基板１１に形成す
る。
ガラス基板等であるレチクル基板１１上にレジスト２１
を塗布し、図１（ｂ）に示すように、位相シフトレチク
ルのうちで遮光領域のレジスト２１を除去するパターニ
ングを行う。その後、このレジスト２１をマスクにして
レチクル基板１１を選択的にエッチングして、深さが１
００ｎｍ程度の凹部２２をレチクル基板１１に形成す
る。
【００１５】次に、図１（ｃ）に示すように、レジスト
２１を除去した後、膜厚が１００ｎｍ程度のＣｒ膜であ
る遮光膜１３を全面に堆積させる。そして、凹部２２外
の遮光膜１３がなくなるまでこの遮光膜１３を機械的に
研磨することによって、図１（ｄ）に示すように、凹部
２２内にのみ遮光膜１３を残して、レチクル基板１１の
表面を平坦化する。
２１を除去した後、膜厚が１００ｎｍ程度のＣｒ膜であ
る遮光膜１３を全面に堆積させる。そして、凹部２２外
の遮光膜１３がなくなるまでこの遮光膜１３を機械的に
研磨することによって、図１（ｄ）に示すように、凹部
２２内にのみ遮光膜１３を残して、レチクル基板１１の
表面を平坦化する。
【００１６】次に、図２（ａ）に示すように、ＩＴＯ膜
であるエッチングストッパ膜１２と膜厚が３８８ｎｍの
ＣＶＤ−ＳｉＯ2 膜であるｉ線用の位相シフタ膜１５と
を順次に全面に堆積させ、この位相シフタ膜１５上にレ
ジスト１６を塗布する。
であるエッチングストッパ膜１２と膜厚が３８８ｎｍの
ＣＶＤ−ＳｉＯ2 膜であるｉ線用の位相シフタ膜１５と
を順次に全面に堆積させ、この位相シフタ膜１５上にレ
ジスト１６を塗布する。
【００１７】次に、図２（ｂ）に示すように、形成すべ
き位相シフタ膜１５のパターンにレジスト１６をパター
ニングし、このレジスト１６をマスクにして位相シフタ
膜１５を選択的にエッチングする。その後、図２（ｃ）
に示すように、残っていたレジスト１６を除去して、ｉ
線用の位相シフトレチクルを完成させる。
き位相シフタ膜１５のパターンにレジスト１６をパター
ニングし、このレジスト１６をマスクにして位相シフタ
膜１５を選択的にエッチングする。その後、図２（ｃ）
に示すように、残っていたレジスト１６を除去して、ｉ
線用の位相シフトレチクルを完成させる。
【００１８】なお、遮光膜１３、エッチングストッパ膜
１２及び位相シフタ膜１５として本実施例以外の材料を
用いることもでき、レチクル基板１１の表面を平坦化す
るために機械的研磨以外のレジストエッチバック等を用
いることもできる。また、本実施例はｉ線用の位相シフ
トレチクルの製造に本発明を適用したものであるが、本
発明は他の光源用のマスクの製造にも適用することがで
きる。
１２及び位相シフタ膜１５として本実施例以外の材料を
用いることもでき、レチクル基板１１の表面を平坦化す
るために機械的研磨以外のレジストエッチバック等を用
いることもできる。また、本実施例はｉ線用の位相シフ
トレチクルの製造に本発明を適用したものであるが、本
発明は他の光源用のマスクの製造にも適用することがで
きる。
【００１９】
【発明の効果】本発明のマスクの製造方法によれば、遮
光膜のパターンに拘らず膜厚の均一な位相シフタ膜を形
成することができるので、位相シフト角のずれが少なく
てレジストパターンに寸法変動を生じさせないマスクを
製造することができる。
光膜のパターンに拘らず膜厚の均一な位相シフタ膜を形
成することができるので、位相シフト角のずれが少なく
てレジストパターンに寸法変動を生じさせないマスクを
製造することができる。
【図１】本発明の一実施例によるマスクの製造方法の前
半の工程を順次に示す側断面図である。
半の工程を順次に示す側断面図である。
【図２】本発明の一実施例によるマスクの製造方法の後
半の工程を順次に示す側断面図である。
半の工程を順次に示す側断面図である。
【図３】従来のマスクの製造方法の前半の工程を順次に
示す側断面図である。
示す側断面図である。
【図４】従来のマスクの製造方法の後半の工程を順次に
示す側断面図である。
示す側断面図である。
１１ レチクル基板 １３ 遮光膜 １５ 位相シフタ膜 ２２ 凹部
Claims (3)
- 【請求項１】 透光性の基板に遮光膜のパターンの凹部
を形成する工程と、 前記凹部内にのみ前記遮光膜を埋め込んで、前記基板の
表面を平坦化する工程と、 前記表面を平坦化した前記基板上に位相シフタ膜を形成
する工程とを有することを特徴とするマスクの製造方
法。 - 【請求項２】 前記凹部を形成した後、前記基板上の全
面に前記遮光膜を堆積させ、 この遮光膜を機械的に研磨して、前記平坦化を行うこと
を特徴とする請求項１記載のマスクの製造方法。 - 【請求項３】 前記凹部を形成した後、前記基板上の全
面に前記遮光膜を堆積させ、 この遮光膜上の全面にレジストを塗布し、 前記遮光膜と前記レジストとのエッチング速度が互いに
等しい条件でこれらの遮光膜とレジストとをエッチング
して、前記平坦化を行うことを特徴とする請求項１記載
のマスクの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10030393A JPH06289593A (ja) | 1993-04-02 | 1993-04-02 | マスクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10030393A JPH06289593A (ja) | 1993-04-02 | 1993-04-02 | マスクの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06289593A true JPH06289593A (ja) | 1994-10-18 |
Family
ID=14270406
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10030393A Pending JPH06289593A (ja) | 1993-04-02 | 1993-04-02 | マスクの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06289593A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000206671A (ja) * | 1999-01-13 | 2000-07-28 | Mitsubishi Electric Corp | フォトマスク、フォトマスクの製造方法、および半導体集積回路装置の製造方法 |
| JP2005099655A (ja) * | 2003-08-21 | 2005-04-14 | Toppan Printing Co Ltd | フォトマスクの製造方法及びそのフォトマスク及びその露光方法 |
| JP2012517620A (ja) * | 2009-09-02 | 2012-08-02 | ダブリュアイ−エー・コーポレーション | レーザ反射型マスク及びその製造方法 |
-
1993
- 1993-04-02 JP JP10030393A patent/JPH06289593A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000206671A (ja) * | 1999-01-13 | 2000-07-28 | Mitsubishi Electric Corp | フォトマスク、フォトマスクの製造方法、および半導体集積回路装置の製造方法 |
| JP2005099655A (ja) * | 2003-08-21 | 2005-04-14 | Toppan Printing Co Ltd | フォトマスクの製造方法及びそのフォトマスク及びその露光方法 |
| JP2012517620A (ja) * | 2009-09-02 | 2012-08-02 | ダブリュアイ−エー・コーポレーション | レーザ反射型マスク及びその製造方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20020115 |