JP2012517620A - レーザ反射型マスク及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 レーザビームの反射領域に所定の深さの反射膜埋め込み溝が形成されているベース基板の上部に、反射率差を有する反射膜を順次繰返して積層し、化学機械研磨工程や、レーザビームの照射またはエッチング液によるリフトオフ工程を通じて、反射膜埋め込み溝に埋め込まれた部分を除いた残りの領域に積層された反射膜を除去し、溝に埋め込まれた形態の反射膜パターンを形成することにより、マスクの製造工程を容易にすると共に、正確なパターンを形成することができるレーザ反射型マスク及びその製造方法に関する。また、ベース基板の上部に犠牲膜を形成するステップと、ベース基板におけるレーザビームの反射領域と予定された領域に対するエッチング工程を通じて、犠牲膜及びベース基板をリセスして犠牲膜パターン及び所定の深さの反射膜埋め込み溝を形成するステップと、犠牲膜パターン及び反射膜埋め込み溝が形成されたベース基板の上部に、反射率の異なる第1の反射膜と第2の反射膜を、反射膜埋め込み溝が完全に埋め込まれるまで交互に繰返して積層するステップと、ベース基板の底面方向からベース基板にレーザビームを照射し、犠牲膜パターンと犠牲膜パターンの上部に積層された第1及び第2の反射膜を除去するレーザリフトオフ工程を通じて、反射膜埋め込み溝に埋め込まれた形態の反射膜パターンを形成するステップと、ベース基板の上部に残留する犠牲膜パターンを除去するステップと、を含んで構成されることを特徴とする。
【選択図】図4
Description
図1を参照すると、レーザ反射型マスクは、レーザビームを透過させる基板110の上部に反射率の低い第1の反射膜122aと、第1の反射膜122aに比べて反射率の高い第2の反射膜124aを順次繰返して積層して反射膜120aを形成し、反射膜120aの上部にフォトレジスト130aを塗布してから、所望のパターンが形成されたマスク140を用いてフォトレジスト上に紫外線を照射し(ステップa)、フォトレジスト130aを現像してフォトレジストパターン130bを形成し(ステップb)、フォトレジストパターン130bをエッチングマスクとして反射膜120aをエッチングして反射膜パターン120bを形成し(ステップc)、フォトレジストパターン130bを除去して(ステップd)形成されている。
図2は、本発明によるレーザ反射型マスクの構成を示す断面図である。
図2を参照すると、本発明によるレーザ反射型マスク200’は、レーザビームの反射領域に所定の深さの反射膜埋め込み溝202が形成されたベース基板200と、ベース基板200の反射膜埋め込み溝202に埋め込まれた反射膜パターン220bとを含んで構成される。
図3は、本発明の第1の実施例によるレーザ反射型マスクの製造過程を順次的に示す断面図である。
図6を参照すると、基板310を装着するためのステージ300と、ステージ300の上部の一側に位置し、所定の波長のレーザビームを発生させるレーザ発振器400と、レーザ発振器400から発生するレーザビームをステージ300の方向に反射させる反射鏡500と、を備えて構成されるレーザパターニングシステムに、被食刻層320が形成されている基板310と、反射膜パターン220bが形成されている反射型マスク200’がそれぞれ装着されている。
Claims (14)
- レーザビームの反射領域に所定の深さの反射膜埋め込み溝が形成されているベース基板と、前記反射膜埋め込み溝に埋め込まれた反射膜パターンとを備え、
前記反射膜パターンは、SiO2膜で形成される第1の反射膜と、前記第1の反射膜よりも反射率の高い第2の反射膜とを交互に繰返して積層して構成されたことを特徴とするレーザ反射型マスク。 - 前記ベース基板は、ガラス基板、溶融シリカ基板、石英基板、合成石英基板、及びCaF2基板からなる群より選ばれることを特徴とする請求項1に記載のレーザ反射型マスク。
- 前記ベース基板の底面には、反射防止膜が形成されていることを特徴とする請求項1に記載のレーザ反射型マスク。
- 前記第2の反射膜は、MgF2膜、TiO2膜、Al2O3膜、Ta2O5膜、フッ化セリウム膜、硫化亜鉛膜、AlF3膜、酸化ハフニウム膜、及び酸化ジルコニウム膜からなる群より選ばれることを特徴とする請求項1に記載のレーザ反射型マスク。
- 前記ベース基板及び前記反射膜パターンの上部には、前記レーザ反射型マスクを用いてパターニング工程を行う間に、エッチング液によるレーザ反射型マスクの損傷を防止するための保護膜がさらに形成されることを特徴とする請求項1に記載のレーザ反射型マスク。
- ベース基板の上部に犠牲膜を形成するステップと、
前記ベース基板におけるレーザビームの反射領域と予定された領域に対するエッチング工程を通じて、前記犠牲膜及び前記ベース基板をリセスして犠牲膜パターン及び所定の深さの反射膜埋め込み溝を形成するステップと、
前記犠牲膜パターン及び反射膜埋め込み溝が形成されたベース基板の上部に、反射率の異なる第1の反射膜と第2の反射膜を、前記反射膜埋め込み溝が完全に埋め込まれるまで交互に繰返して積層するステップと、
前記ベース基板の底面方向から前記ベース基板にレーザビームを照射し、前記犠牲膜パターンと前記犠牲膜パターンの上部に積層された前記第1及び第2の反射膜を除去するレーザリフトオフ工程を通じて、前記反射膜埋め込み溝に埋め込まれた形態の反射膜パターンを形成するステップと、
前記ベース基板の上部に残留する前記犠牲膜パターンを除去するステップと、
を含むことを特徴とするレーザ反射型マスクの製造方法。 - ベース基板の上部に犠牲膜を形成するステップと、
前記ベース基板におけるレーザビームの反射領域と予定された領域に対するエッチング工程を通じて、前記犠牲膜及び前記ベース基板をリセスして犠牲膜パターン及び所定の深さの反射膜埋め込み溝を形成するステップと、
前記犠牲膜パターン及び反射膜埋め込み溝が形成されたベース基板の上部に、反射率の異なる第1の反射膜と第2の反射膜を交互に繰返して積層するステップと、
エッチング工程を通じて前記犠牲膜パターンを除去することにより、前記犠牲膜パターンの上部に積層された前記第1及び第2の反射膜を除去する化学的リフトオフ工程を通じて、前記反射膜埋め込み溝に埋め込まれた形態の反射膜パターンを形成するステップと、
前記ベース基板の上部に残留する前記犠牲膜パターンを除去するステップと、
を含むことを特徴とするレーザ反射型マスクの製造方法。 - 前記犠牲膜は、クロム(Cr)、モリブデン(Mо)、アルミニウム(Al)、銅(Cu)、及び金(Au)からなる群より選ばれるいずれか一つの材質の金属層または二つ以上の異なる金属層の積層構造で形成されることを特徴とする請求項6または7に記載のレーザ反射型マスクの製造方法。
- 前記犠牲膜が二つ以上の異なる金属層の積層構造で形成される場合、前記ベース基板の表面の上部に直接接触する最下層の金属層は、クロムまたはモリブデンで形成することを特徴とする請求項8に記載のレーザ反射型マスクの製造方法。
- 前記第1の反射膜は、SiO2膜であることを特徴とする請求項6または7に記載のレーザ反射型マスクの製造方法。
- 前記第2の反射膜は、MgF2膜、TiO2膜、Al2O3膜、Ta2O5膜、フッ化セリウム膜、硫化亜鉛膜、AlF3膜、酸化ハフニウム膜、及び酸化ジルコニウム膜からなる群より選ばれることを特徴とする請求項10に記載のレーザ反射型マスクの製造方法。
- 前記ベース基板の上部に残留する前記犠牲膜パターンを除去するステップ以降に、
前記ベース基板及び前記反射膜パターンの上部に、前記レーザ反射型マスクーを用いてパターニング工程を行う間に、エッチング液によるレーザ反射型マスクの損傷を防止するための保護膜をさらに形成することを特徴とする請求項6または7に記載のレーザ反射型マスクの製造方法。 - 前記第1の反射膜と第2の反射膜を交互に繰返して積層するステップでは、
前記反射膜埋め込み溝に交互に繰返して積層された第1の反射膜及び第2の反射膜からなる反射膜層の上面が、前記ベース基板の上面と所定の高さの段差を形成するように積層され、前記犠牲膜パターンと前記ベース基板との間の界面が露出するように形成されることを特徴とする請求項7に記載のレーザ反射型マスクの製造方法。 - 前記反射膜層の上面と前記ベース基板の上面との間に形成される段差は、0.5μm〜2μmの範囲であることを特徴とする請求項13に記載のレーザ反射型マスクの製造方法。
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