KR20090114033A

KR20090114033A - 전사 기판, 이의 제조방법 및 유기 전계 발광소자의제조방법

Info

Publication number: KR20090114033A
Application number: KR1020080039785A
Authority: KR
Inventors: 정진구; 추창웅; 이주현
Original assignee: 삼성전자주식회사
Priority date: 2008-04-29
Filing date: 2008-04-29
Publication date: 2009-11-03
Also published as: US20090266479A1; US8039192B2; KR101579872B1

Abstract

전사 기판, 이의 제조방법 및 유기 전계 발광소자의 제조방법에서, 전사 기판의 베이스층의 제1 면에 광열 변환층 및 전사층이 적층된다. 광 반사층 패턴은 제1 면 또는 제1 면과 대향하는 제2면에 배치될 수 있다. 광 반사층 패턴에는 광 투과영역들에 대응하는 개구들이 형성될 수 있다. 광열 변환층은 개구들에 배치되거나 광 투과영역에 대응하는 패턴으로 형성될 수 있다. 광 반사층 패턴에 라인 빔 레이저를 1 회 임의의 방향으로 스캔하여 어레이 기판의 제1 전극들 상에 유기 발광층을 포함하는 전사층을 전사시킨다. 따라서 공정시간이 단축되며, 효율적으로 유기 전계 발광소자를 대면적 기판에 형성시킬 수 있다.

유기, 발광, 전사, 패턴, 광열 변환

Description

전사 기판, 이의 제조방법 및 유기 전계 발광소자의 제조방법{TRANSFER SUBSTRATE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND METHOD OF MANUFACTURING ORGANIC ELECTRIC FILED EMITTING ELEMENT}

본 발명은 전사 기판, 이의 제조방법 및 유기 전계 발광소자의 제조방법에 관한 것이다. 보다 상세하게는 평판 표시장치의 패턴 형성에 사용되는 전사 기판, 이의 제조방법 및 전사 기판을 이용한 유기 전계 발광소자의 제조방법에 관한 것이다.

일반적으로, 유기 전계 발광소자 패널의 제작에서 대면적 및 고해상도 구현을 위해 유기 발광층을 신속 및 정확하게 패터닝하는 기술 개발이 중요한 이슈가 되고 있다.

유기 발광층을 어레이 기판 상에 패터닝하는 방법에는 섀도우 마스크(shadow mask)를 사용하는 방법이 있으나, 대면적 기판에 패터닝하는 방법으로는 한계가 있다. 또한, 잉크-젯 프린팅(ink-jet printing) 또는 레이저 열전사법(laser induced thermal imaging; 이하 LITI라 한다)이 있다.

상기 LITI 방법에서는 어레이 기판에 상기 유기 발광층을 전사시킬 전사 기 판이 사용된다. 상기 전사 기판은 글라스 또는 수지 재질의 베이스층, 베이스층 상에 형성되며 레이저광을 열에너지로 변환시키는 광열 변환층(light-to-heat conversion; LTHC) 및 광열 변환층 상에 형성된 유기물 전사층을 포함한다.

레이저광으로는 상이 동그란 스팟 빔(spot beam) 레이저가 주로 사용된다. 스팟 레이저를 어레이 기판의 전사 대상 영역에 정확히 정렬시켜 가면서 유기 발광층을 전사시킨다. 따라서 어레이 기판과 레이저광 조사지점을 정확히 정렬시키는 것이 중요하다. 그러나 대면적 어레이 기판 상에서 스팟 레이저를 움직여 가면서 전사 기판을 스캔하는 공정은 공정시간이 길고, 정렬오차가 크게 발생되며, 레이저광을 조사하는 방식으로 인해 설비가 차지하는 면적이 증가하는 문제점이 있다.

이에 본 발명의 기술적 과제는 이러한 종래의 문제점을 해결하는 것으로, 본 발명은 정렬이 용이하고, 스캔시간이 짧아 대면적 평판 표시장치의 제조에 적합한 전사 기판을 제공한다.

또한, 본 발명은 상기 전사 기판의 제조방법을 제공한다.

또한, 본 발명은 상기 전사 기판을 사용한 유기 전계 발광소자의 제조방법을 제공한다.

상기한 본 발명의 기술적 과제를 해결하기 위하여, 일 실시예에 따른 전사 기판은 베이스층, 광 반사층 패턴, 광열 변환층 및 전사층을 포함한다.

광 반사층 패턴은 베이스층의 제1 면에 배치된다. 광 반사층 패턴은 복수의 광 투과영역들 및 광 투과영역들을 정의하는 광 반사영역을 갖는다. 광열 변환층은 제1 면 상에 광 투과영역에 대응하게 배치된다. 전사층은 광열 변환층 상에 형성된다.

광 반사층 패턴에는 광 투과영역들에 대응하는 개구들이 형성될 수 있다. 광열 변환층은 개구들에 배치될 수 있다. 광열 변환층은 광 반사영역으로 연장되어 광 반사층 패턴 상에 형성될 수 있다. 전사 기판은 평탄화층을 더 포함할 수 있다. 평탄화층은 광열 변환층 및 광 반사층 패턴 상에 형성되며, 전사층은 평탄화층 상에 배치될 수 있다.

이와 다르게, 평탄화층은 광 반사층 패턴에 형성된 개구를 매우며 광 반사층 패턴 상에 형성될 수 있고, 광열 변환층은 평탄화층 상에 형성될 수 있다.

광 반사층 패턴은 복수의 광학 간섭층들을 포함하고, 각 광학 간섭층은 제1 박막층 및 제2 박막층을 포함할 수 있다. 제1 박막층은 제1 면과 마주보며 제1 광굴절률을 갖는다. 제2 박막층은 제1 박막층 상에 배치되며 제1 광굴절률 미만의 제2 광굴절률을 갖는다.

상기한 본 발명의 기술적 과제를 해결하기 위하여, 다른 실시예에 따른 전사 기판은 베이스층, 광 반사층 패턴, 광열 변환층 및 전사층을 포함한다.

광열 변환층은 베이스층의 제1 면에 배치된다. 전사층은 광열 변환층 상에 형성된다. 광 반사층 패턴은 제1 면과 대향하는 베이스층의 제2 면에 배치된다. 광 반사층 패턴은 복수의 광 투과영역들 및 광 투과영역들을 정의하는 광 반사영역을 갖는다.

광열 변환층은 광 투과영역들에 대응하는 패턴 형상을 가질 수 있다. 이와 다르게, 광열 변환층은 광 투과영역 및 광 반사영역에 모두 대응하게 배치될 수 있다.

광 반사층 패턴은 제2 면에 적층된 복수의 광학 간섭층들을 포함할 수 있다. 각 광학 간섭층은 제2 면과 마주보는 제1 박막층 및 제1 박막층 상에 배치된 제2 박막층을 포함할 수 있다. 제1 박막층은 제1 광굴절률을 갖고, 제2 박막층은 제1 광굴절률 미만의 제2 광굴절률을 갖는다. 광학 간섭층들에는 광 투과영역들에 대응하는 개구들이 형성될 수 있다.

상기한 본 발명의 기술적 과제를 해결하기 위하여, 일 실시예에 따른 전사 기판의 제조방법에서, 베이스층의 제1 면에 복수의 광 투과영역들 및 광 투과영역들을 정의하는 광 반사영역을 갖는 광 반사층 패턴을 형성한다. 제1 면 상에 광 투과영역에 대응하게 배치되는 광열 변환층을 형성한다. 광열 변환층 및 광 반사층 패턴 상에 전사층을 형성하여 전사 기판을 제조한다.

광 반사층 패턴을 형성하기 위해 제1 면에 광 반사층을 형성하고, 광 반사층에 광 투과영역들에 대응하는 개구들을 형성할 수 있다.

광 반사층을 형성하기 위해, 베이스층의 제1 면과 마주보며 제1 광굴절률을 갖는 제1 박막층을 형성하고, 제1 박막층 상에 제1 광굴절률 미만의 제2 광굴절률을 갖는 제2 박막층을 형성할 수 있다.

개구들에 광열 변환 물질을 형성하여 광열 변환층을 형성할 수 있다. 전사층 을 형성하기 전에 광열 변환층 및 광 반사층 패턴 상에 평탄화층을 더 형성할 수 있다.

이와 다르게, 평탄화층은 광열 변환층을 형성하기 전에 광 반사층 패턴에 형성된 개구를 매우며 광 반사층 패턴 상에 배치되도록 형성될 수 있다. 광열 변환층은 이러한 평탄화층 상에 형성될 수 있다.

상기한 본 발명의 기술적 과제를 해결하기 위하여, 다른 실시예에 따른 전사 기판의 제조방법에서, 베이스층의 제1 면에 광열 변환층을 형성한다. 광열 변환층 상에 전사층을 형성한다. 제1 면과 대향하는 베이스층의 제2 면에 복수의 광 투과영역들 및 광 투과영역들을 정의하는 광 반사영역을 갖는 광 반사층 패턴을 형성하여 전사 기판을 제조한다.

광 반사영역에 대응하는 광열 변환층을 제거하여, 광열 변환층을 광 투과영역들에 대응하는 패턴으로 형성할 수 있다.

광 반사층 패턴을 형성하기 위해 제2 면과 마주보며 제1 광굴절률을 갖는 제1 박막층을 형성하고, 제1 박막층 상에 제1 광굴절률 미만의 제2 광굴절률을 갖는 제2 박막층을 형성할 수 있다. 제1 박막층 및 제2 박막층에 광 투과영역에 대응하는 개구를 형성할 수 있다.

상기한 본 발명의 기술적 과제를 해결하기 위하여, 일 실시예에 따른 유기 전계 발광소자의 제조방법에서, 복수의 제1 전극들이 노출된 어레이 기판을 제공한다.

복수의 광 투과영역들 및 광 투과영역들을 정의하는 광 반사영역을 갖는 광 반사층 패턴과, 광 투과영역에 대응하게 배치된 광열 변환층과, 광열 변환층 상에 형성된 유기 발광층을 포함하는 전사 기판을 광 투과영역들이 제1 전극들에 대응하도록 어레이 기판과 이격시켜 배치한다.

전사 기판에 광을 조사하여 광 투과영역에 입사된 광에 의해 유기 발광층을 제1 전극 상에 전사시킨다.

광이 조사된 전사 기판을 어레이 기판으로부터 제거한다. 제1 전극 상에 전사된 유기 발광층 상에 제2 전극을 형성하여 유기 전계 발광소자를 제조한다.

유기 발광층을 전사시키기 위해 제1 방향으로 연장된 라인 빔 레이저를 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 광 반사층 패턴에 스캔할 수 있다. 유기 발광층의 색이 서로 다른 복수의 전사 기판들을 사용하여 제1 전극들의 서로 다른 어레이들에 각기 다른 색의 유기 발광층을 전사시킬 수 있다.

다른 전사 기판을 어레이 기판의 다른 영역에 배치하고, 어레이 기판을 벗어나지 않도록 라인 빔 레이저를 조사하는 조사장치를 다른 전사 기판 상으로 이동시킨 후, 다른 전사 기판에 라인 빔 레이저를 조사하여 유기 발광층을 제1 전극에 전사시킬 수 있다.

상기한 전사 기판에 의하면, 설비들의 정렬 및 레이저 스캔이 간편하여 공정시간을 단축시킬 수 있고, 유기 전계 발광소자를 갖는 대면적 평판 표시장치를 효율적으로 제조할 수 있다.

이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 예시적인 실시예들을 상세히 설명한다.

본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.

각 도면을 설명하면서 유사한 참조부호를 유사한 구성요소에 대해 사용하였다. 첨부된 도면에 있어서, 구조물들의 치수는 본 고안의 명확성을 기하기 위하여 실제보다 확대하여 도시한 것이다.

제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.

본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않 는 것으로 이해되어야 한다.

또한, 다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.

실시예 1

도 1은 실시예 1에 따른 전사 기판의 평면도이다. 도 2는 도 1에 도시된 전사 기판을 I-I' 선을 따라 절단한 단면도이다.

전사 기판은 대상 기판 상에 패턴을 전사시키는 레이저 열전사법에 사용될 수 있다. 전사 기판은 도너(doner) 기판으로도 불린다.

도 1 및 도 2를 참조하면, 전사 기판(100)은 베이스층(10), 광 반사층 패턴(30), 광열 변환층(50) 및 전사층(70)을 포함한다.

베이스층(10)은 제1 면(11) 및 제1 면(11)과 대향하며 광이 입사되는 제2 면(13)을 포함한다. 베이스층(10)은 유리 기판 또는 수지 필름일 수 있다. 베이스층(10)은 수십 내지 수백 마이크로미터의 두께를 가질 수 있다.

베이스층(10)으로 사용될 수 있는 수지는 폴리에틸렌 테레프탈레이트, 폴리에스테르, 폴리아크릴, 폴리에폭시, 폴리에틸렌, 폴리스티렌 등이 있으며, 폴리에 틸렌 테레프탈레이트 필름이 주로 사용된다. 베이스층(10)은 광 투과성이 우수하고, 충분한 기계적 및 화학적 안정성을 갖는 것이 바람직하다.

광 반사층 패턴(30)은 제1 면(11)에 배치된다. 제1 면(11)에는 대략 매트릭스 형태로 배열된 광 투과영역(12)들 및 광 투과영역들을 포위하는 광 반사영역(14)이 정의될 수 있다. 광 투과영역(12)은 전사 기판(100)에 의해 전사층(70)이 전사될 대상물의 전사영역에 대응한다. 광 반사영역(14)은 비전사영역에 대응한다.

광 반사층 패턴(30)은 광 반사영역(14)에 배치되며, 수십 내지 수백 마이크로미터의 두께를 가질 수 있다. 광 반사층 패턴(30)에는 광 투과영역(12)들에 대응하는 개구들이 형성될 수 있다.

광 반사층 패턴(30)은 구리 및 알루미늄과 같은 반사효율이 우수한 금속층 패턴을 포함할 수 있다. 따라서 베이스층(10)의 제2 면(13)으로 입사하는 광 중 광 투과영역(12)으로 입사하는 광은 통과되며, 광 반사영역(14)으로 입사하는 광은 광 반사층 패턴(30)에 의해 반사된다.

광열 변환층(50)은 제1 면(11)에 배치된다. 본 실시예에서, 광열 변환층(50)은 광 반사층 패턴(30)에 형성된 개구들에 배치되며, 광 반사층 패턴(30)과 동일한 층으로 형성되어 있다. 따라서 광열 변환층(50)은, 도 1에 도시된 바와 같이, 개구들의 패턴을 따르는 광열 변환층 패턴을 형성한다. 따라서 광열 변환층(50)은 대략 광 반사층 패턴(30)과 비슷한 두께로 형성될 수 있다.

광열 변환층(50)은 광 투과영역(12)에 대응하여 베이스층(10)의 제2 면(13)으로 입사하는 적외선, 가시광선 또는 자외선 등의 빛을 흡수하여 빛의 일부를 열 로 변환시킨다. 따라서 광열 변환층(50)은 적당한 광학 밀도(optical density)를 가지는 것이 바람직하며, 광흡수성 물질을 포함한다.

광열변환층은 금속막일 수 있다. 이 경우, 광열변환층은 상기 광흡수성 물질로, 예를 들어, 알루미늄 산화물, 알루미늄 황화물, 크롬규화물 등을 포함할 수 있다.

이와 다르게 광열변환층은 고분자 유기막일 수 있다. 이 경우, 광열 변환층(50)은 상기 광흡수성 물질로, 예를 들어, 카본 블랙(carbon black), 흑연 또는 적외선 염료 등을 포함할 수 있다.

전사층(70)은 광열 변환층(50) 상에 배치된다. 전사층(70)은, 도 2에 도시된 바와 같이, 광 투과영역(12) 및 광 반사영역(14) 모두에 형성된다. 즉 전사층(70)은 광열 변환층(50) 및 광 반사층 패턴(30) 상에 형성된다. 이와 다르게 전사층(70)은 광 투과영역(12)에만 대응되도록 패터닝될 수도 있다.

전사층(70)은 전계 발광성 유기막, 정공 주입성 유기막, 전공 전달성 유기막, 정공 차단성 유기막, 전자 전달성 유기막 및 전자 주입성 유기막으로 이루어진 군에서 선택되는 하나의 단층막 또는 둘 이상의 다층막으로 이루어질 수 있다. 상기 유기막들은 저분자 물질 또는 고분자 물질을 포함할 수 있다.

전사 기판(100)은 전사층(70)과 광열 변환층(50) 및 광 반사층 패턴(30)의 사이에 개재되는 평탄화층(60)을 더 포함할 수 있다. 평탄화층(60)은 광열 변환층(50)을 구성하는 물질들이 전사층(70)으로 확산되는 것을 방지한다.

이와 같은 전사 기판(100)은 전사 영역에 대응하는 광열 변환층(50)에만 광 이 입사된다. 따라서 제2 면(13)에 스팟 빔(spot beam) 레이저를 일일이 전사영역에 대응하도록 정렬하면서 스캔할 필요가 없이, 라인 빔(line beam) 레이저를 제2 면(13)에 일괄적으로 스캔하면 필요한 부분만 전사시킬 수 있다.

도 3은 도 2에 도시된 전사 기판의 제조 방법의 순서도이다. 도 4a 내지 도 4c는 도 3에 도시된 순서도에 따른 전사 기판의 제조방법의 공정도들이다.

도 3 내지 도 4c를 참조하면, 전사 기판(100)을 제조하기 위해, 먼저 글라스 또는 수지 재질의 베이스층(10)의 제1 면(11)에 광반사층을 형성한 후, 상기 광반사층을 패터닝하여 광 반사층 패턴(30)을 형성한다(단계 S10).

이를 위하여, 진공증착법, 전자빔증착법 또는 스퍼터링법 등으로 제1 면(11)에 알루미늄막 또는 구리막 등의 금속막을 수십 내지 수백 마이크로미터로 형성시켜 상기 광반사층을 증착할 수 있다.

이후, 포토리소그래피법으로 광반사층을 식각하여, 도 4a에 도시된 바와 같이, 광 투과영역(12)들에 대응하는 개구들이 형성된 광 반사층 패턴(30)을 형성할 수 있다.

이후, 광 반사층 패턴(30)이 형성된 베이스층(10)의 제1 면(11)에 광열 변환층(50)을 형성한다(단계 S20).

이를 위해, 알루미늄 산화물, 알루미늄 황화물, 크롬규화물 등의 광흡수 물질을 포함하는 금속막 또는 카본 블랙(carbon black), 흑연 또는 적외선 염료 등의 광흡수 물질을 포함하는 유기막을, 도 4b에 도시된 것과 같이, 상기 개구 및 광 반사층 패턴(30)을 덮도록 증착한다.

이후, 포토리소그래피법으로 상기 금속막 또는 유기막을 패터닝하여, 도 4c에 도시된 바와 같이, 패터닝된 광열 변환층(50)을 형성한다.

광열 변환층(50)의 상단은 광 반사층 패턴(30)으로부터 돌출될 수 있다. 표면을 평탄화하기 위해 광열 변환층(50) 및 광 반사층 패턴(30)을 덮는 평탄화층(60)을 더 형성할 수 있다.

마지막으로, 도 4c에 도시된 바와 같이, 평탄화층(60) 상에 전사층(70)을 형성하여 전사 기판(100)을 제조한다(단계 S30).

전사층(70)은 전계 발광성 유기막, 정공 주입성 유기막, 전공 전달성 유기막, 정공 차단성 유기막, 전자 전달성 유기막 및 전자 주입성 유기막으로 이루어진 군에서 선택되는 하나의 단층막 또는 둘 이상의 다층막으로 형성될 수 있다.

도 5는 도 2에 도시된 전사 기판을 사용하여 유기 전계 발광소자를 제조하는 방법을 설명하는 순서도이다. 도 6a 내지 도 6d는 도 5에 도시된 순서도에 따른 유기 전계 발광소자의 제조방법을 설명하는 공정도들이다.

도 5 내지 도 6d를 참조하면, 유기 전계 발광소자를 제조하기 위해, 도 6a에 도시된 바와 같이, 먼저 어레이 기판(200)을 준비한다(단계 S310).

어레이 기판(200)은 기판(210) 및 기판(210) 상에 형성된 제1 전극(230)들의 어레이를 포함한다. 어레이 기판(200)은 스위칭 소자(250) 및 광차단 격벽 패턴(270)을 더 포함할 수 있다. 스위칭 소자(250)는 제1 전극(230)과 기판(210)의 사이에 배치되어 제1 전극(230)에 전기적으로 연결될 수 있다. 광차단 격벽 패턴(270)은 제1 전극(230)의 가장자리를 커버하며 제1 전극(230)을 노출시킨다.

이후, 도 6a에 도시된 것과 같이, 어레이 기판(200) 상에 전사 기판(100)을 배치한다(단계 S320).

전사층(70)이 어레이 기판(200)과 마주보게 배치되며, 전사 기판(100)의 광 투과영역(12)에 대응하는 광열 변환층(50)이 제1 전극(230)들의 어레이에 대응하도록 전사 기판(100)이 정렬된다.

계속해서, 전사 기판(100)의 베이스층(10)의 제2 면(13)에, 도 6b 및 도 6c에 도시된 바와 같이, 광을 조사하여 전사층(70)을 제1 전극(230) 상에 전사한다(단계 S330).

상기 광으로는 레이저광이 사용될 수 있다. 레이저광은 대략 800 나노미터의 파장을 가질 수 있다. 레이저광은 라인 빔 레이저(205)가 사용된다. 라인 빔 레이저(205)의 경우 빔의 상이 도 6c에 도시된 바와 같이 제1 방향(x)으로 길게 뻗은 띠 형상을 갖는다. 제1 방향(x)은 라인 빔 레이저(205)가 스캔되는 방향인 제2 방향(y)과 실질적으로 직교할 수 있다.

제2 면(13)에 입사하는 라인 빔 레이저(205) 중 광 반사층 패턴(30)에 입사하는 라인 빔 레이저(205)는 반사된다. 광열 변환층(50)은 광 투과영역(12)으로 입사하는 라인 빔 레이저(205)를 흡수하며, 일부를 열에너지로 변환시킨다. 이렇게 발생된 열로 인해 전사층(70)과 광열 변환층(50) 사이의 접착력이 감소되어 전사층(70)이 광열 변환층(50)으로부터 떨어져서 제1 전극(230) 상에 전사된다.

본 발명에 의하면 어레이 기판(200)과 전사 기판(100)이 상호 정렬되기 때문에 레이저 조사장치(201)를 특별히 어레이 기판(200)에 대하여 정렬할 필요가 없 다. 따라서 유기 전계 발광소자를 제조하는 공정 시간이 단축되고 용이하게 된다.

또한 제2 면(13)에 특정한 영역의 구분 없이 광을 스캔하기만 하면 어레이 기판(200)의 제1 전극(230) 상에 전사층(70)이 전사된다. 따라서 상이 원형 또는 타원형인 스팟 빔 레이저 대신 전술된 라인 빔 레이저(205)를 사용할 수 있다. 라인 빔 레이저(205)를 사용하면 제1 방향(x)과 교차하는 제2 방향(y)으로 레이저 조사장치를 1회의 스캔시키는 동작만으로 제1 전극(230)들의 특정 어레이에 전사층(70)을 전사시킬 수 있다.

도 6c는 도 6b에서 설명된 레이저 조사장치(201)의 스캔 동작을 설명하는 평면도이다. 도 6d는 전사층(70)이 전사된 어레이 기판(200)의 단면도이다.

도 6c 및 도 6d를 참조하면, 대면적의 어레이 기판(200)의 제1 영역에 대해 복수의 전사 기판(100)들, 예를 들어, 제1 전사 기판(101), 제2 전사 기판(103) 및 제3 전사 기판(105)을 사용하여 전사층(70)을 전사시킨다.

제1 전사 기판(101)은 적색의 유기 발광층(71)을 갖는 전사층(70)을 가질 수 있고, 제1 전사 기판(101)을 상기 제1 영역 상에 배치하여 라인 빔 레이저(205)를 1회 스캔하여 제1 전극(230)들 중 제1 어레이(231)에 적색 유기 발광층(71)을 전사시킬 수 있다.

이후, 상기 제1 영역 상에 녹색의 유기 발광층(73)을 갖는 제2 전사 기판(103)을 배치하여 라인 빔 레이저(205)를 1회 스캔하여 제1 전극(230)들 중 제2 어레이(233)에 녹색 유기 발광층(73)을 전사시킬 수 있다.

이후, 제1 영역 상에 청색 유기 발광층(75)을 갖는 제3 전사 기판(105)을 배 치하여 라인 빔 레이저(205)를 1회 스캔하여 제1 전극(230)들 중 제3 어레이(235)에 청색 유기 발광층(75)을 전사시킬 수 있다.

상기 제1 영역에 대한 공정이 완료되면 이웃한 제2 영역에 대해 동일한 공정을 수행할 수 있다. 이와 다르게, 복수의 제1 전사 기판(101)들을 어레이 기판(200) 상의 서로 다른 영역들에 배치하여 순차적으로 또는 동시에 적색 유기 발광층(71)을 전사한 후, 제2 전사 기판(103)들 및 제3 기판(105)들을 동일한 방식으로 어레이 기판(200) 상의 서로 다른 영역들에 배치하여 순차적으로 또는 동시에 녹색 유기 발광층(73) 및 청색 유기 발광층(75)을 전사시킬 수 있다.

레이저 조사장치(201)는 복수 개가 어레이 기판(200) 상에 배치되거나, 하나의 레이저 조사장치(201)를 사용할 수 있다. 본 발명에 의하면 레이저광이 스캔되는 방향과 무관하게 라인 빔 레이저(205)를 전사 기판(100) 전체적으로 스캔하면 필요한 유기 발광층이 전사된다. 따라서 레이저 조사장치(201)를 라인 빔 레이저(205)가 조사되는 도중에 어레이 기판(200)을 벗어나지 않도록 임의로 움직일 수 있다.

계속해서, 6d에 도시된 바와 같이, 라인 빔 레이저(205)가 조사된 전사 기판(100)을 어레이 기판(200)의 상부로부터 제거한다(단계 S340).

예를 들어, 제1 전극(230)들의 제1 어레이(231)에 적색 유기 발광층(71), 제1 전극(230)들의 제2 어레이(233)에 녹색 유기 발광층(73), 제1 전극(230)들의 제3 어레이(235)에 청색 유기 발광층(75)을 전사시키고, 어레이 기판(200) 상에 배치된 전사 기판(100)을 제거한다.

마지막으로, 전사된 적색, 녹색 및 청색 유기 발광층들(71, 73, 75) 상에 제2 전극(290)을 형성하여 유기 전계 발광소자를 형성한다(단계 S350).

본 발명에 따른 유기 전계 발광소자의 제조방법에 의하면, 라인 빔 레이저(205)를 전사 기판(100) 상에서 특별한 정렬이 필요 없이 1회 스캔하는 동작으로 유기 발광층을 제1 전극(230) 상에 전사시킬 수 있다. 따라서 공정시간이 단축된다.

또한, 스팟 타입의 레이저 조사장치를 제1 전극(230)들 사이에서 이동시킬 때 발생하는 제1 전극(230)과 레이저 조사지점 사이의 정렬오차보다 어레이 기판(200)과 전사 기판(100) 사이의 정렬오차를 한계치 이하로 유지시키는 것이 더 용이하다.

따라서 본 발명에 따른 유기 전계 발광소자의 제조방법에 의하면, 대면적의 어레이 기판(200)에 신속 및 정확하게 유기 발광층을 전사시킬 수 있는 장점이 있다.

실시예 2

도 7은 실시예 2에 따른 전사 기판의 단면도이다.

도 7을 참조하면, 본 실시예에 따른 전사 기판(500)은 실시예 1의 광열 변환층(50) 대신에 광 투과영역 및 광 반사영역 모두에 대응하는 광열 변환층(550)이 형성되어 있고, 평탄화층이 형성되지 않은 것을 제외하고는 도 1 및 도 2에서 설명된 전사 기판(100)과 실질적으로 동일하다. 따라서, 동일한 부재에 대하여는 대응 하는 참조 번호를 사용하고, 중복된 설명은 생략한다.

본 실시예에서 광열 변환층(550)은 광 반사층 패턴(530)에 형성된 개구 및 광 반사층 패턴(530)을 덮는다. 광열 변환층(550)의 상면은 평탄하게 형성될 수 있다. 따라서 평탄화층이 생략된다. 전사층(570)은 광열 변환층(550)의 상면에 형성된다.

본 실시예에 따른 전사 기판의 제조방법에서, 베이스층(510)의 제1 면(511)에 광 반사층 패턴(530)을 형성하는 것은 도 4a에서 설명된 광 반사층 패턴(30)을 형성하는 것과 실질적으로 동일하다.

이후, 광 반사층 패턴(530)이 형성된 베이스층(510)의 제1 면(511)에 광열 변환층(550)을 형성한다. 이를 위해, 알루미늄 산화물, 알루미늄 황화물, 크롬규화물 등의 광흡수 물질을 포함하는 금속막 또는 카본 블랙(carbon black), 흑연 또는 적외선 염료 등의 광흡수 물질을 포함하는 유기막을, 도 7에 도시된 것과 같이, 광 반사층 패턴(530)이 형성된 베이스층(510)을 덮도록 증착하여 광열 변환층(550)을 형성한다.

본 실시예에서 광열 변환층(550)의 형성방법은, 도 4c에서 설명된 광열 변환층(50)의 형성방법과는 다르게, 상기 금속막 또는 유기막을 별도의 포토리소그래피법으로 패터닝하지 않는다. 따라서 광열 변환층(550)의 상면은, 도 7에 도시된 바와 같이, 평탄하게 형성될 수 있다. 따라서 본 실시예에서는 실시예 1과 다르게 평탄화층을 형성하는 공정이 생략된다.

계속해서, 광열 변환층(550)의 상면에 전사층(570)을 형성한다. 전사층(570) 의 형성방법은 광열 변환층(550) 상에 직접 전사층(570)을 형성시키는 것을 제외하고는 도 4c에서 설명된 전사층(70)의 형성방법과 실질적으로 동일하다. 따라서 중복된 설명은 생략한다.

본 실시예에 따른 유기 전계 발광소자의 제조방법은 도 7에 도시된 전사 기판(500)을 사용하는 것을 제외하고는 도 5 내지 도 6d에서 설명된 유기 전계 발광소자의 제조방법과 실질적으로 동일하다. 따라서 중복된 설명은 생략한다.

실시예 3

도 8은 실시예 3에 따른 전사 기판의 단면도이다.

도 8을 참조하면, 전사 기판(600)은 실시예 1의 전사 기판(100)과 다르게 광 반사층 패턴(630)이 베이스층(610)의 제2 면(613)에 형성되며, 광 반사층 패턴(630)을 덮는 보호막(640)을 더 포함하는 것을 제외하고는 도 1 및 도 2에서 설명된 전사 기판(100)과 실질적으로 동일하다. 따라서 동일한 부재에 대하여는 대응하는 참조 번호를 사용하고, 중복된 설명은 생략한다.

본 실시예에서 광 반사층 패턴(630)은 베이스층(610)의 제2 면(613)에 배치된다. 광 반사층 패턴(630)에는 광 투과영역들에 대응하는 개구들이 형성된다. 광 반사층 패턴(630)의 재질 및 기능 등 나머지 사항들은 도 1 및 도 2에서 설명된 광 반사층 패턴(30)과 실질적으로 동일하다. 따라서 중복된 설명은 생략한다.

보호막(640)은 광 반사층 패턴(630)을 덮어 보호한다. 보호막(640)은 광투과성이 우수한 투명한 수지를 포함할 수 있다.

본 실시예에 따른 전사 기판의 제조방법에서는, 실시예 1의 전사 기판의 제조방법과 다르게, 베이스층(610)의 제2 면(613)에 광 반사층을 형성한 후, 상기 광 반사층을 포토리소그래피법으로 식각하여 광 반사층 패턴(630)을 형성한다. 광 반사층 패턴(630)의 재질 등 나머지 사항들은 도 4a 내지 도 4c에서 설명된 것과 실질적으로 동일하다. 따라서 중복된 설명은 생략한다.

베이스층(610)의 제1 면(611)에 광열 변환층(650), 평탄화층(660) 및 전사층(670)을 형성하는 방법 등 나머지 사항은 도 4a 내지 도 4c에서 설명된 것과 실질적으로 동일하다. 따라서 중복된 설명은 생략한다.

광 반사층 패턴(630)과 광열 변환층(650)의 형성 순서는 어떤 것을 먼저 형성하여도 무방하다.

본 실시예에 따른 유기 전계 발광소자의 제조방법은 도 8에 도시된 전사 기판(600)을 사용하는 것을 제외하고는 도 5 내지 도 6d에서 설명된 유기 전계 발광소자의 제조방법과 실질적으로 동일하다. 따라서 중복된 설명은 생략한다.

실시예 4

도 9는 실시예 4에 따른 전사 기판의 단면도이다.

도 9를 참조하면, 전사 기판(700)은 광 반사층 패턴(730)이 베이스층(710)의 제2 면(713)에 형성되는 것, 광 반사층 패턴(730)을 덮는 보호막(740)을 더 포함하는 것, 광 반사층 패턴(730)이 제1 및 제2 광학 간섭층들(731, 735)을 포함하는 것, 광열 변환층(750)이 베이스층(710)의 제1 면(711)에 평탄하게 형성되어 평탄화 층이 생략된 것을 제외하고는 도 1 및 도 2에서 설명된 전사 기판과 실질적으로 동일하다. 따라서 동일한 부재에 대하여는 대응하는 참조 번호를 사용하고, 중복된 설명은 생략한다.

본 실시예에서 광 반사층 패턴(730)은 베이스층(710)의 제2 면(713)에 배치된다. 광 반사층 패턴(730)은 제2 면(713)에 순차 적층된 복수의 광학 간섭층들, 예를 들어, 제1 및 제2 광학 간섭층들(731, 735)을 포함한다. 제1 및 제2 광학 간섭층들(731, 735)은 광굴절률이 서로 다른 복수의 박막층들을 포함할 수 있다. 본 실시예에서 제1 및 제2 광학 간섭층들(731, 735)은 각기 2개의 박막층들을 포함한다.

제1 광학 간섭층(731)은 제2 면(713)에 배치된 제1 박막층(732) 및 제1 박막층(732) 상에 적층된 제2 박막층(734)을 포함한다. 제1 박막층(732)은 제1 광굴절률을 갖고, 제2 박막층(734)은 상기 제1 광굴절률 미만의 제2 광굴절률을 갖는다. 광간섭에 의한 광반사 효과를 얻기 위해서 상기 제1 광굴절률과 제2 광굴절률의 차이는 대략 0.8 이상인 것이 바람직하다.

제2 광학 간섭층(735)은 제2 박막층(734) 상에 배치된 제3 박막층(736) 및 제3 박막층(736) 상에 적층된 제4 박막층(738)을 포함한다. 제3 박막층(736)은 제3 광굴절률을 갖고, 제4 박막층(738)은 상기 제3 광굴절률 미만의 제4 광굴절률을 갖는다. 광간섭에 의한 광반사 효과를 얻기 위해서 상기 제3 광굴절률과 제4 광굴절률의 차이는 대략 0.8 이상인 것이 바람직하다.

제1 내지 제4 박막층들(732, 734, 736, 738)은 각기 대략 100내지 170 나노 미터의 두께를 가질 수 있다.

제1 내지 제4 박막층들(732, 734, 736, 738)이 전술한 바와 같이 배치됨에 따라 광 반사층 패턴(730)은 광학적으로 밀하고 소한 구조가 반복되는 구조를 갖는다. 제1 내지 제4 박막층들(732, 734, 736, 738)의 경계면들에서 광은 반사 및 굴절을 반복하며, 입사광의 일부는 광 반사층 패턴(730)을 투과하고 나머지는 반사된다.

제1 내지 제4 박막층들(732, 734, 736, 738)의 이러한 구조적인 광 간섭 작용으로 인해 광 반사층 패턴(730)은 특정 파장 대역의 광을 선택적으로 반사시킬 수 있다. 전사 기판(700)에 조사되는 레이저광의 파장이 대략 800 나노미터인 경우, 제1 내지 제4 박막층들(732, 734, 736, 738)의 광굴절률들을 적절히 선택하고 광학 간섭층들의 개수를 조절하면 상기 레이저광을 거의 95 퍼센트 이상 반사시킬 수 있다.

광굴절률이 상대적으로 큰 제1 박막층 및 제3 박막층(732, 736)은, 예를 들어, 대략 2.4의 광굴절률을 갖는 이산화티타늄(TiO2), 대략 2.1의 광굴절률을 갖는 산화지르코늄(ZrO2), 대략 2.1의 광굴절률을 갖는 인듐틴옥사이드(ITO) 및 대략 2.1의 광굴절률을 갖는 질화규소(SiNx)로 이루어진 군에서 선택된 하나를 포함할 수 있다.

광굴절률이 상대적으로 작은 제2 박막층 및 제4 박막층(734, 738)은, 예를 들어, 대략 1.4의 광굴절률을 갖는 플루오르화리튬(LiF) 및 대략 1.45의 광굴절률을 갖는 이산화규소(SiO2) 중에서 선택된 하나를 포함할 수 있다.

도 10a 내지 도 10c는 도 9에 도시된 전사 기판의 제조방법을 설명하는 공정도들이다.

전사 기판(700)을 제조하기 위해, 도 10a에 도시된 바와 같이, 제2 면(713) 상에 도 9에서 설명된 제1 및 제2 광학 간섭층들(731, 735)을 형성한다. 이후, 도 10b에 도시된 바와 같이, 광 투과영역(712) 에 대응하게 제1 및 제2 광학 간섭층들(731, 735)에 개구를 형성하여 광 반사층 패턴(730)을 형성한다. 이후, 광 반사층 패턴(730)을 덮는 보호막(740)을 형성한다.

이후, 도 10c에 도시된 바와 같이, 기판의 제1 면(711)에 광열 변환층(750)을 평탄하게 형성하고, 광열 변환층(750)의 상면에 전사층(770)을 형성하여 전사 기판(700)을 제조한다.

본 실시예에서 광 반사층 패턴(730)과 광열 변환층(750)의 형성 순서는 어떤 것을 먼저 형성하여도 무방하다.

본 실시예에 따른 유기 전계 발광소자의 제조방법은 도 9에 도시된 전사 기판(700)을 사용하는 것을 제외하고는 도 5 내지 도 6d에서 설명된 유기 전계 발광소자의 제조방법과 실질적으로 동일하다. 따라서 중복된 설명은 생략한다.

실시예 5

도 11은 실시예 5에 따른 전사 기판의 단면도이다.

도 11을 참조하면, 전사 기판(800)은 광 반사층 패턴(830) 및 이를 덮는 보호막(840)이 베이스층(810)의 제1 면(811)에 형성된 것 및 광열 변환층(850)이 보 호막(840) 상에 형성된 것을 제외하고는 도 9에서 설명된 전사 기판(700)과 실질적으로 동일하다. 따라서 동일한 부재에 대하여는 대응하는 참조 번호를 사용하고, 중복된 설명은 생략한다.

본 실시예에 따른 전사 기판의 제조방법은 베이스층(810)의 제1 면(811)에 광 반사층 패턴(830) 및 보호막(840)을 형성한 후에, 보호막(840) 상에 광열 변환층(850)을 형성하는 것을 제외하고는 도 10a 내지 도 10c에서 설명된 전사 기판의 제조방법과 실질적으로 동일하다. 따라서 중복된 설명은 생략한다.

본 실시예에 따른 유기 전계 발광소자의 제조방법은 도 11에 도시된 전사 기판(800)을 사용하는 것을 제외하고는 도 5 내지 도 6d에서 설명된 유기 전계 발광소자의 제조방법과 실질적으로 동일하다. 따라서 중복된 설명은 생략한다.

상기한 전사 기판에 의하면, 레이저 조사장치와 어레이 기판과 전사기판 사이의 정렬이 용이하게 되어 공정시간을 감소시킬 수 있고, 레이저광 스캔이 단순하고 용이하여 대면적 평판 표시장치를 효율적으로 제조할 수 있다.

따라서 본 발명의 전사 기판, 이의 제조방법 및 유기 전계 발광소자의 제조방법은 유기 전계 발광 표시장치 등의 평판 표시장치의 패턴 형성에 적용될 수 있다.

앞서 설명한 본 발명의 상세한 설명에서는 본 발명의 바람직한 실시예들을 참조하여 설명하였지만, 해당 기술분야의 숙련된 당업자 또는 해당 기술분야에 통상의 지식을 갖는 자라면 후술될 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 기술 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.

도 1은 실시예 1에 따른 전사 기판의 평면도이다.

도 2는 도 1에 도시된 전사 기판을 I-I' 선을 따라 절단한 단면도이다.

도 3은 도 2에 도시된 전사 기판의 제조 방법의 순서도이다.

도 4a 내지 도 4d는 도 3에 도시된 순서도에 따른 전사 기판의 제조방법의 공정도들이다.

도 5는 도 2에 도시된 전사 기판을 사용하여 유기 전계 발광소자를 제조하는 방법을 설명하는 순서도이다.

도 6a 내지 도 6d는 도 5에 도시된 순서도에 따른 유기 전계 발광소자의 제조방법을 설명하는 공정도들이다.

도 7은 실시예 2에 따른 전사 기판의 단면도이다.

도 8은 실시예 3에 따른 전사 기판의 단면도이다.

도 9는 실시예 4에 따른 전사 기판의 단면도이다.

도 11은 실시예 5에 따른 전사 기판의 단면도이다.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>

10 : 베이스층 11 : 제1 면

12 : 광 투과영역 13 : 제2 면

14 : 광 반사영역 30 : 광 반사층 패턴

50 : 광열 변환층 60 : 평탄화층

70 : 전사층 100 : 전사 기판

200 : 어레이 기판 230 : 제1 전극

201 : 레이저 조사장치 205 : 라인 빔 레이저

Claims

베이스층;

상기 베이스층의 제1 면에 배치되며 복수의 광 투과영역들 및 상기 광 투과영역들을 정의하는 광 반사영역을 갖는 광 반사층 패턴;

상기 제1 면 상에 상기 광 투과영역에 대응하게 배치된 광열 변환층; 및

상기 광열 변환층 상에 형성된 전사층을 포함하는 전사 기판.
제1항에 있어서, 상기 광 반사층 패턴에는 상기 광 투과영역들에 대응하는 개구들이 형성된 것을 특징으로 하는 전사 기판.
제2항에 있어서, 상기 광열 변환층은 상기 개구들에 배치된 것을 특징으로 하는 전사 기판.
제3항에 있어서, 상기 광열 변환층은 상기 광 반사영역으로 연장되어 상기 광 반사층 패턴 상에 형성된 것을 특징으로 하는 전사 기판.
제3항에 있어서, 상기 광 반사층 및 상기 광열 변환층 상에 형성된 평탄화층을 더 포함하며, 상기 전사층은 상기 평탄화층 상에 형성된 것을 특징으로 하는 전사 기판.
제2항에 있어서, 상기 광 반사층 패턴에 형성된 상기 개구를 매우며 상기 광 반사층 패턴 상에 형성된 평탄화층을 더 포함하며, 상기 광열 변환층은 상기 평탄화층 상에 형성된 것을 특징으로 하는 전사기판.
제6항에 있어서, 상기 광 반사층 패턴은 복수의 광학 간섭층들을 포함하고, 각 상기 광학 간섭층은

상기 제1 면과 마주보며 제1 광굴절률을 갖는 제1 박막층; 및

상기 제1 박막층 상에 배치되며 상기 제1 광굴절률 미만의 제2 광굴절률을 갖는 제2 박막층을 포함하는 것을 특징으로 하는 전사 기판.
베이스층;

상기 베이스층의 제1 면에 배치된 광열 변환층;

상기 광열 변환층 상에 형성된 전사층; 및

상기 제1 면과 대향하는 상기 베이스층의 제2 면에 배치되며, 복수의 광 투과영역들 및 상기 광 투과영역들을 정의하는 광 반사영역을 갖는 광 반사층 패턴을 포함하는 전사 기판.
제8항에 있어서, 상기 광열 변환층은 상기 광 투과영역들에 대응하는 패턴 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 전사 기판.
제8항에 있어서, 상기 광열 변환층은 상기 광 투과영역 및 광 반사영역에 모두 대응하게 배치된 것을 특징으로 하는 전사 기판.
제8항에 있어서, 상기 광 반사층 패턴은 복수의 광학 간섭층들을 포함하고, 각 상기 광학 간섭층은

상기 제2 면과 마주보며 제1 광굴절률을 갖는 제1 박막층; 및

상기 제1 박막층 상에 배치되며 상기 제1 광굴절률 미만의 제2 광굴절률을 갖는 제2 박막층을 포함하는 것을 특징으로 하는 전사 기판.
제11항에 있어서, 상기 광학 간섭층들에는 상기 광 투과영역들에 대응하는 개구들이 형성된 것을 특징으로 하는 전사 기판.
베이스층의 제1 면에 복수의 광 투과영역들 및 상기 광 투과영역들을 정의하는 광 반사영역을 갖는 광 반사층 패턴을 형성하는 단계;

상기 제1 면 상에 상기 광 투과영역에 대응하게 배치되는 광열 변환층을 형성하는 단계; 및

상기 광열 변환층 상에 전사층을 형성하는 단계를 포함하는 전사 기판의 제조방법.
제13항에 있어서, 상기 광 반사층 패턴을 형성하는 단계는

상기 제1 면에 광 반사층을 형성하는 단계; 및

상기 광 반사층에 상기 광 투과영역들에 대응하는 개구들을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 전사 기판의 제조방법.
제14항에 있어서, 상기 개구들에 광열 변환 물질을 형성하여 상기 광열 변환층을 형성하며, 상기 전사층을 형성하기 전에 상기 광열 변환층 상에 평탄화층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전사 기판의 제조방법.
제14항에 있어서, 상기 광열 변환층을 형성하기 전에 상기 광 반사층 패턴에 형성된 상기 개구를 매우며 상기 광 반사층 패턴 상에 배치되는 평탄화층을 형성하는 단계를 더 포함하며, 상기 광열 변환층은 상기 평탄화층 상에 형성하는 것을 특징으로 하는 전사 기판의 제조방법.
제14항에 있어서, 상기 광 반사층을 형성하는 단계는

상기 제1 면과 마주보며 제1 광굴절률을 갖는 제1 박막층을 형성하는 단계; 및

상기 제1 박막층 상에 상기 제1 광굴절률 미만의 제2 광굴절률을 갖는 제2 박막층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 전사 기판의 제조방법.
베이스층의 제1 면에 광열 변환층을 형성하는 단계;

상기 광열 변환층 상에 전사층을 형성하는 단계; 및

상기 제1 면과 대향하는 상기 베이스층의 제2 면에 복수의 광 투과영역들 및 상기 광 투과영역들을 정의하는 광 반사영역을 갖는 광 반사층 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 전사 기판의 제조방법.
제18항에 있어서, 상기 광 반사영역에 대응하는 광열 변환층을 제거하여, 상기 광열 변환층을 상기 광 투과영역들에 대응하는 패턴으로 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전사 기판의 제조방법.
제18항에 있어서, 상기 광 반사층 패턴을 형성하는 단계는

상기 제2 면과 마주보며 제1 광굴절률을 갖는 제1 박막층을 형성하는 단계; 및

상기 제1 박막층 상에 상기 제1 광굴절률 미만의 제2 광굴절률을 갖는 제2 박막층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 전사 기판의 제조방법.
제20항에 있어서, 상기 제1 박막층 및 제2 박막층에 상기 광 투과영역에 대응하는 개구를 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전사 기판의 제조방법.
복수의 제1 전극들이 노출된 어레이 기판을 제공하는 단계;

복수의 광 투과영역들 및 상기 광 투과영역들을 정의하는 광 반사영역을 갖는 광 반사층 패턴과, 상기 광 투과영역에 대응하게 배치된 광열 변환층과, 상기 광열 변환층 상에 형성된 유기 발광층을 포함하는 전사 기판을 상기 광 투과영역들이 상기 제1 전극들에 대응하도록 상기 어레이 기판과 이격시켜 배치하는 단계;

상기 전사 기판에 광을 조사하여 상기 광 투과영역에 입사된 광에 의해 상기 유기 발광층을 상기 제1 전극 상에 전사시키는 단계;

상기 광이 조사된 전사 기판을 상기 어레이 기판으로부터 제거하는 단계; 및

상기 제1 전극 상에 전사된 유기 발광층 상에 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하는 유기 전계 발광소자의 제조방법.
제22항에 있어서, 상기 유기 발광층을 상기 제1 전극 상에 전사시키는 단계는 제1 방향으로 연장된 라인 빔 레이저를 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 상기 광 반사층 패턴에 스캔하여 수행하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광소자의 제조방법.
제23항에 있어서, 상기 전사시키는 단계는 상기 유기 발광층의 색이 서로 다른 복수의 전사 기판들을 사용하여 상기 제1 전극들의 서로 다른 어레이들에 각기 다른 색의 유기 발광층을 전사시켜 수행하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광소 자의 제조방법.
제23항에 있어서, 다른 전사 기판을 어레이 기판의 다른 영역에 배치하는 단계;

상기 어레이 기판을 벗어나지 않도록 상기 라인 빔 레이저를 조사하는 조사장치를 상기 다른 전사 기판 상으로 이동시키는 단계; 및

상기 다른 전사 기판에 상기 라인 빔 레이저를 조사하여 유기 발광층을 상기 제1 전극에 전사시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광소자의 제조방법.