CN218831234U - 显示设备 - Google Patents

显示设备 Download PDF

Info

Publication number
CN218831234U
CN218831234U CN202222390290.8U CN202222390290U CN218831234U CN 218831234 U CN218831234 U CN 218831234U CN 202222390290 U CN202222390290 U CN 202222390290U CN 218831234 U CN218831234 U CN 218831234U
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
display device
light
substrate
color filter
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202222390290.8U
Other languages
English (en)
Inventor
李启旭
李安洙
金善光
李根虎
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Display Co Ltd
Original Assignee
Samsung Display Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Display Co Ltd filed Critical Samsung Display Co Ltd
Application granted granted Critical
Publication of CN218831234U publication Critical patent/CN218831234U/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K50/858—Arrangements for extracting light from the devices comprising refractive means, e.g. lenses
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/38—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising colour filters or colour changing media [CCM]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/875—Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K59/879—Arrangements for extracting light from the devices comprising refractive means, e.g. lenses
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/331—Nanoparticles used in non-emissive layers, e.g. in packaging layer

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)

Abstract

一种显示设备包括第一基底、第二基底、第一发光元件、折射层、第一滤色器层和第一量子点层。所述第一基底和所述第二基底彼此重叠。所述第一发光元件布置在所述第一基底和所述第二基底之间，并且包括用于发射第一光的第一发射区域。所述折射层布置在所述第一发光元件和所述第二基底之间，包括用于聚集所述第一光的第一结构。所述第一滤色器层布置在所述第一发射区域和所述第二基底之间。所述第一量子点层与所述第一发射区域重叠。

Description

显示设备
相关申请的交叉引用
本申请要求于2021年9月8日向韩国知识产权局提交的第10-2021-0119853号韩国专利申请的优先权；此韩国专利申请通过引用合并于此。
技术领域
本申请涉及一种显示设备。
背景技术
显示设备通常包括用于响应于输入信号显示图像的像素。所述像素可以发射具有不同颜色的光。来自相邻像素的不同颜色的光的混合可能不利地影响显示图像的质量。
实用新型内容
实施例可以涉及一种以令人满意的质量和令人满意的光效率显示图像的显示设备。
根据一个或多个实施例，一种显示设备包括：下基底；第一发光元件，布置在所述下基底上并且包括第一发射区域；上基底，布置在所述下基底上方使得所述第一发光元件在所述下基底和所述上基底之间；折射层，在所述第一发光元件和所述上基底之间；平坦化层，在所述折射层和所述上基底之间；第一滤色器层，在朝向所述下基底的方向上布置在所述上基底的下表面上；不透明材料构件，包括与所述第一发射区域相对应的第一开口；以及第一量子点层，填充所述第一开口，其中所述折射层的上表面具有聚集从所述第一发光元件发射的光的形状。
所述折射层的所述上表面可以包括在朝向所述下基底的下表面的方向上凹入的凹入部分。
所述凹入部分可以提供为一个或多个凹入部分。
所述凹入部分可以与所述第一发射区域重叠。
所述平坦化层可以直接布置在所述折射层上。
所述平坦化层可以具有大于所述折射层的折射率的折射率。
根据本实施例，所述第一滤色器层和所述第一量子点层中的每一者可以与所述第一发射区域重叠。
所述显示设备还可以包括：第二发光元件，布置在所述下基底上并且包括第二发射区域；第二滤色器层，至少部分地与所述第二发射区域重叠，布置在所述上基底的所述下表面上，并且包括与所述第一开口重叠的第四开口；以及在所述第二发光元件和所述第二滤色器层之间的第二量子点层。
所述显示设备还可以包括：第三发光元件，布置在所述下基底上并且包括第三发射区域；第三滤色器层，至少部分地与所述第三发射区域重叠，布置在所述上基底的所述下表面上，并且包括与所述第一开口重叠的第五开口；以及在所述第三发光元件和所述第三滤色器层之间的透光层。
所述不透明材料构件还可以包括与所述第二发射区域相对应的第二开口和与所述第三发射区域相对应的第三开口，并且所述第二量子点层可以填充所述第二开口，并且所述透光层可以填充所述第三开口。
所述第一发光元件、所述第二发光元件和所述第三发光元件可以发射相同波段的光。
所述显示设备还可以包括在所述第一发光元件和所述折射层之间的薄膜封装层，其中所述薄膜封装层可以包括顺序堆叠的第一无机层、有机层和第二无机层。
所述折射层可以直接布置在所述第二无机层上。
所述折射层和所述第二无机层可以一体地提供。
所述显示设备还可以包括在所述下基底和所述上基底之间的填充物。
所述填充物可以在所述折射层和所述平坦化层之间。
所述填充物可以在所述平坦化层和所述第一量子点层之间。
所述填充物可以在所述薄膜封装层和所述折射层之间。
所述显示设备还可以包括在所述平坦化层和所述第一量子点层之间的保护层。
所述显示设备还可以包括在所述折射层和所述不透明材料构件之间的柱形间隔件。
根据一个或多个实施例，一种显示设备可以包括：下基底；布置在所述下基底上的第一发光元件、第二发光元件和第三发光元件，所述第一发光元件包括第一发射区域，所述第二发光元件包括第二发射区域，并且所述第三发光元件包括第三发射区域；上基底，布置在所述下基底上方使得所述第一发光元件至所述第三发光元件在所述下基底和所述上基底之间；折射层，在所述第一发光元件至所述第三发光元件和所述上基底之间；第一滤色器层、第二滤色器层和第三滤色器层，在朝向所述下基底的方向上布置在所述上基底的下表面上；以及第一量子点层、第二量子点层和透光层，分别与所述第一滤色器层、所述第二滤色器层和所述第三滤色器层重叠，其中所述折射层的上表面具有聚集从所述第一发光元件、所述第二发光元件和所述第三发光元件发射的光的形状。
所述折射层的所述上表面可以包括在朝向所述下基底的下表面的方向上凹入的凹入部分。
所述凹入部分可以提供为对应于所述第一发光元件、所述第二发光元件和所述第三发光元件中的每一者。
所述显示设备还可以包括在所述折射层和所述上基底之间的平坦化层。
所述平坦化层可以直接布置在所述折射层上。
所述平坦化层可以具有大于所述折射层的折射率的折射率。
所述第一发光元件、所述第二发光元件和所述第三发光元件可以发射相同波段的光。
所述显示设备还可以包括在所述第一发光元件和所述折射层之间的薄膜封装层，其中所述薄膜封装层可以包括顺序堆叠的第一无机层、有机层和第二无机层。
所述折射层可以直接布置在所述第二无机层上。
所述折射层和所述第二无机层可以一体地提供。
实施例可以涉及一种显示设备。所述显示设备可以包括第一基底、第二基底、第一发光元件、折射层、第一滤色器层和第一量子点层。所述第一基底和所述第二基底可以彼此重叠。所述第一发光元件可以布置在所述第一基底和所述第二基底之间，并且可以包括用于发射第一光的第一发射区域。所述折射层可以布置在所述第一发光元件和所述第二基底之间，可以包括用于聚集所述第一光的第一结构，并且可以包括位于所述第一基底和所述第一结构之间的(平坦)面。所述第一滤色器层可以布置在所述第一发射区域和所述第二基底之间。所述第一量子点层可以与所述第一发射区域重叠。
所述显示设备可以包括不透明材料构件。所述不透明材料构件可以包括与所述第一发射区域相对应的第一开口。所述第一量子点层可以填充所述第一开口。
所述第一结构可以是凹槽并且可以朝向所述面并且朝向所述第一发射区域凹入(用于上覆构件以形成凸透镜)。
所述第一结构可以包括一个或多个凹入部分。
所述显示设备可以包括布置在所述折射层和所述第二基底之间的平坦化层。
所述平坦化层可以直接接触所述折射层。
所述平坦化层的折射率可以大于所述折射层的折射率。
所述平坦化层的所述材料的所述折射率可以大于所述折射层的所述材料的所述折射率。
所述平坦化层可以部分地位于所述第一结构内部。
所述显示设备可以包括以下元件：第二发光元件，布置在所述第一基底和所述第二基底之间，并且可以包括第二发射区域；第二滤色器层，与所述第二发射区域重叠，布置在所述第二发射区域和所述第二基底之间，并且可以包括与所述第一开口相对应的第二滤色器开口；以及第二量子点层，布置在所述第二发射区域和所述第二滤色器层之间。
所述显示设备可以包括以下元件：第三发光元件，布置在所述第一基底和所述第二基底之间，并且可以包括第三发射区域；第三滤色器层，与所述第三发射区域重叠，布置在所述第三发射区域和所述第二基底之间，并且可以包括与所述第一开口相对应的第三滤色器开口；以及透光层，布置在所述第三发射区域和所述第三滤色器层之间。
所述不透明材料构件可以包括与所述第二发射区域相对应的第二开口，并且可以包括与所述第三发射区域相对应的第三开口。所述第二量子点层可以填充所述第二开口。所述透光层可以填充所述第三开口。
所述第一发光元件、所述第二发光元件和所述第三发光元件可以发射相同波段的光。
所述显示设备可以包括以下元件：第一无机层；以及有机层，布置在所述第一无机层和所述折射层之间。
所述显示设备可以包括第二无机层。所述折射层可以直接布置在所述第二无机层上。
所述折射层可以直接接触所述有机层。
所述显示设备可以包括在所述第一基底和所述第二基底之间的填充物。
所述填充物可以部分地位于所述折射层的所述第一结构内部。
所述填充物可以在所述折射层和所述第一量子点层之间。
所述填充物可以在所述有机层和所述折射层之间。
所述显示设备可以包括在所述折射层和所述第一量子点层之间的保护层。
所述显示设备可以包括在所述折射层和所述不透明材料构件之间的柱形间隔件。
实施例可以涉及一种显示设备。所述显示设备可以包括：彼此重叠的第一基底和第二基底；第一发光元件，布置在所述第一基底和所述第二基底之间，并且包括用于发射第一光的第一发射区域；折射层，布置在所述第一发光元件和所述第二基底之间，包括用于聚集所述第一光的第一结构；第一滤色器层，布置在所述第一发射区域和所述第二基底之间；以及第一量子点层，与所述第一发射区域重叠。
所述第一结构可以朝向所述第一发射区域凹入。
所述第一结构可以包括一个或多个凹入部分。
所述显示设备还可以包括布置在所述折射层和所述第二基底之间的平坦化层。
所述平坦化层可以直接接触所述折射层。
所述平坦化层的折射率可以大于所述折射层的折射率。
所述平坦化层可以部分地位于所述第一结构内部。
所述显示设备还可以包括：第二发光元件，布置在所述第一基底和所述第二基底之间，并且包括第二发射区域；第二滤色器层，与所述第二发射区域重叠，布置在所述第二发射区域和所述第二基底之间，并且包括与所述第一发射区域相对应的第二滤色器开口；以及第二量子点层，布置在所述第二发射区域和所述第二滤色器层之间。
所述显示设备还可以包括：第三发光元件，布置在所述第一基底和所述第二基底之间，并且包括第三发射区域；第三滤色器层，与所述第三发射区域重叠，布置在所述第三发射区域和所述第二基底之间，并且包括与所述第一发射区域相对应的第三滤色器开口；以及透光层，布置在所述第三发射区域和所述第三滤色器层之间。
所述显示设备还可以包括不透明材料构件，其中，所述不透明材料构件包括与所述第一发射区域相对应的第一开口，包括与所述第二发射区域相对应的第二开口，并且包括与所述第三发射区域相对应的第三开口，所述第一量子点层填充所述第一开口，所述第二量子点层填充所述第二开口，并且所述透光层填充所述第三开口。
所述第一发光元件、所述第二发光元件和所述第三发光元件可以发射相同波段的光。
所述显示设备还可以包括：第一无机层；以及有机层，布置在所述第一无机层和所述折射层之间。
所述显示设备还可以包括第二无机层，其中，所述折射层直接布置在所述第二无机层上。
所述折射层可以直接接触所述有机层。
所述显示设备还可以包括在所述第一基底和所述第二基底之间的填充物。
所述填充物可以部分地位于所述折射层的所述第一结构内部。
所述填充物可以在所述折射层和所述第一量子点层之间。
所述填充物可以在所述有机层和所述折射层之间。
所述显示设备还可以包括在所述折射层和所述第一量子点层之间的保护层。
所述显示设备还可以包括：不透明材料构件，包括第一开口，其中所述第一量子点层位于所述第一开口中；以及柱形间隔件，在所述折射层和所述不透明材料构件之间。
附图说明
图1是根据实施例的显示设备的示意性透视图。
图2是根据实施例的显示设备的示意性截面图。
图3是用于描述被包括在根据实施例的显示设备中的第一量子点层、第二量子点层和透光层的图。
图4是根据实施例的显示设备的示意性截面图。
图5是根据实施例的显示设备的示意性截面图。
图6是根据实施例的显示设备的示意性截面图。
图7是根据实施例的显示设备的示意性截面图。
图8是根据实施例的显示设备的示意性截面图。
图9是根据实施例的显示设备的示意性截面图。
图10是根据实施例的显示设备的示意性截面图。
具体实施方式
参照附图描述实施例的示例。相似的附图标记可以指代相似的元件。实际实施例可以具有不同的形式并且不应解释为限于所描述的示例。
尽管在本文中可以使用术语“第一”、“第二”等来描述各种元件，但是这些元件不应受到这些术语的限制。这些元件可以用于将一个元件与另一元件区分开来。在不背离一个或多个实施例的教导的情况下，第一元件可以称为第二元件。将元件描述为“第一”元件可能不需要或不暗示第二元件或其他元件的存在。术语“第一”、“第二”等可以用于区分元件的不同类别或组。为了简洁起见，术语“第一”、“第二”等可以分别表示“第一类别(或第一组)”、“第二类别(或第二组)”等。
除非上下文另有明确指示，否则单数形式可以指示复数形式。
术语“包括”和/或“包含”可以指定所陈述的特征或元件的存在，但是不排除一个或多个其他特征或元件的存在或添加。
当第一元件被称为“在”第二元件“上”时，第一元件可以直接或间接地在第二元件上。一个或多个居间元件可以存在于第一元件和第二元件之间。
为了便于说明，可能夸大或缩小附图中所示的尺寸。实施例不限于所示尺寸。
术语“连接”可以表示“直接连接”或“间接连接”。术语“连接(connect)”可以意味着“机械连接”和/或“电连接”。术语“连接(connected)”可以表示“电连接”或“通过无居间晶体管的方式电连接”。术语“绝缘”可以意味着“电绝缘”或“电隔离”。术语“传导的(conductive)”可以表示“电传导的(导电的)”。术语“驱动”可以表示“操作”或“控制”。术语“包含”可以表示“由……组成”。术语“相邻”可以表示“紧邻”。元件在特定方向上延伸的表述可以表示元件在特定方向上纵向延伸和/或元件的纵向方向在特定方向上。空间或开口与对象重叠或对应于对象的表述可以表示空间或开口(的位置)与对象(的位置)重叠和/或使对象暴露。术语“重叠”可以等同于“与……重叠”。术语“形状”可以表示“结构”。
图1是根据实施例的显示设备的示意性透视图。图2是根据实施例的显示设备的示意性截面图。图3是用于描述被包括在根据实施例的显示设备中的第一量子点层、第二量子点层和透光层的图。图2可以是沿图1的线I-I’截取的显示设备的截面图。
参照图1、图2和图3，显示设备1可以包括显示区域DA并且可以包括非显示区域NDA，在该显示区域DA中图像可以响应于输入信号而显示，在该非显示区域NDA中没有图像可以响应于输入信号而显示。显示设备1可以通过二维地布置在显示区域DA中的像素的阵列来提供图像。
非显示区域NDA可以完全或基本上围绕显示区域DA。向像素电路提供电信号或电力的驱动器和/或主电源线可以布置在非显示区域NDA中。非显示区域NDA可以包括焊盘，电子元件或印刷电路板等可以电连接至该焊盘。
显示区域DA可以具有多边形形状，诸如图1中所示的四边形形状。显示区域DA可以具有一种或多种形状，诸如正方形、矩形、椭圆形和/或圆形。
显示设备1可以包括下基底100、发光元件、薄膜封装层TFE、折射层340、第一量子点层370a、第二量子点层370b、透光层370c、第一滤色器层380a、第二滤色器层380b、第三滤色器层380c和上基底400。
下基底100可以包括玻璃、金属或聚合物树脂。下基底100可以是柔性的和/或可弯曲的并且可以包括一种或多种柔性的和/或可弯曲的材料，例如聚合物树脂，诸如聚醚砜、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚苯硫醚、聚芳酯、聚酰亚胺、聚碳酸酯或醋酸丙酸纤维素。下基底100可以具有多层结构，多层结构包括两个聚合物层并且包括在两个聚合物层之间的阻挡层，两个聚合物层各自包括聚合物树脂。阻挡层可以包括无机材料(诸如氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅)。
包括第一像素电极311的第一发光元件、包括第二像素电极321的第二发光元件和包括第三像素电极331的第三发光元件可以布置在下基底100之上。电连接到第一发光元件的第一薄膜晶体管210、电连接到第二发光元件的第二薄膜晶体管220、以及电连接到第三发光元件的第三薄膜晶体管230也可以布置在下基底100之上。
参照图2，第一发光元件的第一像素电极311电连接到第一薄膜晶体管210。第二发光元件的第二像素电极321电连接到第二薄膜晶体管220。第三发光元件的第三像素电极331电连接到第三薄膜晶体管230。
下文将描述第一薄膜晶体管210和第一像素电极311。第二薄膜晶体管220和第三薄膜晶体管230可以各自具有与第一薄膜晶体管210的结构相同或相似的结构，并因此省略对第二薄膜晶体管220和第三薄膜晶体管230的重复描述。
第一薄膜晶体管210可以包括第一半导体层211、第一栅电极213、第一源电极215a和第一漏电极215b。第一半导体层211可以包括非晶硅、多晶硅、有机半导体材料或氧化物半导体材料。第一栅电极213可以包括一种或多种导电材料并且具有单层或多层结构。第一栅电极213可以包括钼(Mo)层和铝(Al)层。第一栅电极213可以具有Mo-Al-Mo的多层结构。第一栅电极213可以包括氮化钛(TiNx)层、Al层和/或Ti层。第一源电极215a和第一漏电极215b可以包括一种或多种导电材料并且具有单层或多层结构。第一源电极215a和第一漏电极215b可以包括钛(Ti)层、Al层和/或铜(Cu)层。第一源电极215a和第一漏电极215b可以各自具有Ti-Al-Ti的多层结构。
为了在第一半导体层211和第一栅电极213之间提供绝缘，栅极绝缘层121可以在第一半导体层211和第一栅电极213之间。栅极绝缘层121可以包括诸如氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅的无机材料。层间绝缘层131可以布置在第一栅电极213上。层间绝缘层131可以包括诸如氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅的无机材料。第一源电极215a和第一漏电极215b可以布置在层间绝缘层131上。栅极绝缘层121和/或层间绝缘层131可以通过化学气相沉积(CVD)或原子层沉积(ALD)形成。
缓冲层110可以在第一薄膜晶体管210和下基底100之间。缓冲层110可以包括诸如氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅的无机材料。缓冲层110可以增加下基底100的上表面的平坦度和/或可以防止或显著减少杂质从下基底100渗透到第一薄膜晶体管210的第一半导体层211中。
有机绝缘层140可以布置在第一薄膜晶体管210上。有机绝缘层140可以在第一薄膜晶体管210之上提供大致平坦的表面。有机绝缘层140可以包括有机材料，例如，丙烯、苯并环丁烯(BCB)或六甲基二硅氧烷(HMDSO)。有机绝缘层140可以是单层或者可以具有多层。
第一发光元件、第二发光元件和第三发光元件可以布置在有机绝缘层140上。第一发光元件可以布置在第一像素PX1中，第二发光元件可以布置在第二像素PX2中，并且第三发光元件可以布置在第三像素PX3中。
布置在第一像素PX1中的第一发光元件可以是包括第一像素电极311、对电极305的一部分以及电极311和305之间的中间层303的一部分的有机发光元件。中间层303可以包括发射层。布置在第二像素PX2中的第二发光元件可以是包括第二像素电极321、对电极305的一部分以及电极321和305之间的中间层303的一部分的有机发光元件。布置在第三像素PX3中的第三发光元件可以是包括第三像素电极331、对电极305的一部分以及电极331和305之间的中间层303的一部分的有机发光元件。
参照图2，第一像素电极311可以通过经由形成在有机绝缘层140中的开口接触第一源电极215a和第一漏电极215b中的一者而电连接到第一薄膜晶体管210。第二像素电极321可以通过形成在有机绝缘层140中的开口电连接到第二薄膜晶体管220。第三像素电极331可以通过形成在有机绝缘层140中的开口电连接到第三薄膜晶体管230。
第一像素电极311可以包括透光导电层和反射层。透光导电层可以包括透光导电氧化物，诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟(In2O3)或氧化铟锌(IZO)。反射层可以包括诸如Al或银(Ag)的金属。第一像素电极311可以具有ITO-Ag-ITO的三层结构。第二像素电极321和第三像素电极331可以与第一像素电极311包括相同的(多种)材料。
包括发射层的中间层303可以具有对应于第一像素电极311的形状。参照图2，中间层303可以在第一像素电极311至第三像素电极331之上一体地形成。对电极305也可以在第一像素电极311至第三像素电极331之上一体地形成。对电极305可以包括透光导电层和半透射层。透光导电层可以包括ITO、In2O3或IZO。半透射层可以包括诸如Al或Ag的金属。对电极305可以包括包含镁(Mg)和银(Ag)的半透射层。
像素限定层150可以布置在有机绝缘层140上。像素限定层150可以通过包括对应于每个像素的开口来限定像素。像素限定层150可以包括使第一像素电极311的中心部分暴露的开口。第一发光元件可以包括第一发射区域EA1，并且第一发光元件的第一发射区域EA1可以通过像素限定层150中的开口限定(并且暴露)。第一光可以从第一发光元件的第一发射区域EA1发射。
像素限定层150可以包括使第二像素电极321的第二发射区域EA2暴露的开口。第二光可以从第二发光元件的第二发射区域EA2发射。
像素限定层150可以包括使第三像素电极331的第三发射区域EA3暴露的开口。第三光可以从第三发光元件的第三发射区域EA3发射。
像素限定层150可以通过增加第一像素电极311的边缘和对电极305之间的距离、第二像素电极321的边缘和对电极305之间的距离、以及第三像素电极331的边缘和对电极305之间的距离来防止在第一像素电极311至第三像素电极331的边缘处出现电弧。
像素限定层150可以包括有机绝缘材料。像素限定层150可以包括诸如氮化硅、氧氮化硅或氧化硅的无机绝缘材料。像素限定层150可以包括有机绝缘材料和无机绝缘材料。像素限定层150可以包括阻光材料，并且可以是黑色的。阻光材料可以包括炭黑、碳纳米管、树脂或者包含黑色染料的浆料、金属颗粒(例如，镍、铝、钼和/或合金颗粒)、金属氧化物颗粒(例如，氧化铬颗粒)、或金属氮化物颗粒(例如，氮化铬颗粒)。当像素限定层150包括阻光材料时，可以减少通过布置在像素限定层150下方的金属结构产生的对外部光的反射。
尽管未示出，但是可以在像素限定层150上布置间隔件。间隔件可以包括诸如聚酰亚胺的有机绝缘材料。间隔件可以包括诸如氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)的无机绝缘材料。间隔件可以包括有机绝缘材料和无机绝缘材料。
间隔件和像素限定层150可以包括相同的材料。像素限定层150和间隔件可以在使用半色调掩模的掩模工艺中一起形成。间隔件和像素限定层150可以包括不同的材料。
包括发射层的中间层303可以布置在第一像素电极311至第三像素电极331上。中间层303可以包括低分子量材料或聚合物材料。如果中间层303包括低分子量材料，则中间层303可以包括以单层或多层堆叠并且通过真空沉积形成的空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、发射层(EML)、电子传输层(ETL)、电子注入层(EIL)等。如果中间层303包括聚合物材料，则中间层303可以包括HTL和EML。HTL可以包括聚(3,4)-亚乙二氧基噻吩(PEDOT)，并且EML可以包括聚合物材料，诸如聚苯乙烯(PPV)基材料和聚芴基材料。中间层303可以通过丝网印刷、喷墨印刷、沉积、激光诱导热成像(LITI)等中的一种或多种形成。
中间层303可以被图案化以包括分别对应于第一像素电极311至第三像素电极331的单独层。
发射层可以发射第三/蓝色波段中的光。发射层可以发射范围从大约450nm到大约495nm的波段中的(蓝)光。发射层可以在第一像素电极311至第三像素电极331之上一体地提供，或者可以被图案化以包括分别对应于第一像素电极311至第三像素电极331的单独层。
对电极305可以布置在中间层303上并且可以与第一像素电极311至第三像素电极331重叠。对电极305可以在多个有机发光元件中一体地形成。
对电极305可以包括具有低功函数的导电材料。对电极305可以包括(半)透明层，包括Ag、Mg、Al、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)或上述某些金属的合金。对电极305还可以包括在(半)透明层之上的诸如ITO、IZO、ZnO或In2O3的层。
尽管未示出，但是可以在对电极305上布置覆盖层。覆盖层可以包括氟化锂(LiF)、无机材料和/或有机材料。
因为有机发光元件可能被外部湿气、或氧气等损坏，所以可以提供封装层来覆盖和保护有机发光元件。封装层可以是包括至少一层无机层和至少一层有机层的薄膜封装层TFE。薄膜封装层TFE可以包括顺序堆叠的第一无机层335、有机层337和第二无机层339。
第一无机层335可以直接布置在对电极305上。第一无机层335可以防止或显著减少外部湿气或氧气渗透到第一发光元件至第三发光元件中。
有机层337可以直接布置在第一无机层335上。有机层337可以在第一无机层335之上提供平坦表面。形成在第一无机层335的上表面上的曲状部或颗粒可以由有机层337覆盖，并且因此，可以使第一无机层335的上表面的不平坦对形成在有机层337之上的元件的影响最小化。
第二无机层339可以直接布置在有机层337上。第二无机层339可以阻挡湿气等。
第一无机层335和第二无机层339可以各自包括氧化铝、氧化钛、氧化钽、氧化铪、氧化锌、氧化硅、氮化硅和氧氮化硅中的一种或多种。第一无机层335和第二无机层339可以包括单层或多层。有机层337可以包括聚合物基材料。聚合物基材料可以包括丙烯基树脂、环氧基树脂、聚酰亚胺、或聚乙烯等。有机层337可以包括丙烯酸酯。
上基底400可以与下基底100重叠。包括第一像素电极311的第一发光元件、包括第二像素电极321的第二发光元件、以及包括第三像素电极331的第三发光元件在上基底400和下基底100之间。上基底400可以包括聚合物树脂。聚合物树脂可以是聚醚砜、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚苯硫醚、聚芳酯、聚酰亚胺、聚碳酸酯或醋酸丙酸纤维素。上基底400可以具有包括两个聚合物层(各自包括聚合物树脂)和聚合物层之间的阻挡层的多层结构。阻挡层可以包括无机材料(诸如氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅)。上基底400可以是柔性的或可弯曲的。
下基底100可以包括上表面100a和下表面100b。下基底100的上表面100a可以指比下基底100的下表面100b更靠近上基底400的表面。上基底400可以包括上表面400a和下表面400b。上基底400的下表面400b可以指比上基底400的上表面400a更靠近下基底100的表面。
折射层340可以在下基底100和上基底400之间。折射层340可以布置在薄膜封装层TFE上。折射层340可以直接布置在第二无机层339上。
平坦化层350可以在下基底100和上基底400之间。平坦化层350可以布置在折射层340上。
不透明材料构件360可以在下基底100和上基底400之间。不透明材料构件360可以包括一种或多种可以吸收光的材料。不透明材料构件360和像素限定层150可以包括相同的材料或不同的材料。不透明材料构件360可以包括诸如氧化铬或氧化钼的不透明的无机绝缘材料，或者可以包括诸如黑色树脂的不透明的有机绝缘材料。
不透明材料构件360可以包括对应于(并且暴露)每个发光元件的发射区域的开口。不透明材料构件360可以包括对应于第一发光元件的第一发射区域EA1的第一开口OP1、对应于第二发光元件的第二发射区域EA2的第二开口OP2和对应于第三发光元件的第三发射区域EA3的第三开口OP3。
第一开口OP1、第二开口OP2和第三开口OP3可以各自对应于像素限定层150的开口。不透明材料构件360的第一开口OP1可以对应于像素限定层150的限定第一发射区域EA1的开口，不透明材料构件360的第二开口OP2可以对应于像素限定层150的限定第二发射区域EA2的开口，并且不透明材料构件360的第三开口OP3可以对应于像素限定层150的限定第三发射区域EA3的开口。
不透明材料构件360的第一开口OP1的面积可以大于像素限定层150的限定第一发射区域EA1的开口的面积。在垂直于上基底400的上表面400a的方向(Z方向)上观察的平面图中，不透明材料构件360的第一开口OP1(的边缘/周边)的形状与第一发射区域EA1(的边缘/周边)的形状相同或相似。Z方向可以垂直于由X方向和Y方向限定的平面，并且可以包括+Z方向和-Z方向。
不透明材料构件360的第二开口OP2的面积可以大于像素限定层150的限定第二发射区域EA2的开口的面积。在垂直于上基底400的上表面400a的方向(Z方向)观察的平面图中，不透明材料构件360的第二开口OP2(的边缘/周边)的形状与第二发射区域EA2(的边缘/周边)的形状相同或相似。
不透明材料构件360的第三开口OP3的面积可以大于像素限定层150的限定第三发射区域EA3的开口的面积。在垂直于上基底400的上表面400a的方向(Z方向)观察的平面图中，不透明材料构件360的第三开口OP3(的边缘/周边)的形状与第三发射区域EA3(的边缘/周边)的形状相同或相似。
第一量子点层370a可以布置在不透明材料构件360的第一开口OP1中，第二量子点层370b可以布置在不透明材料构件360的第二开口OP2中，并且透光层370c可以布置在不透明材料构件360的第三开口OP3中。
第一量子点层370a、第二量子点层370b和透光层370c可以布置在平坦化层350上。第一量子点层370a、第二量子点层370b和透光层370c可以直接布置在平坦化层350上。
参照图2和图3，第一量子点层370a可以填充不透明材料构件360的第一开口OP1。第一量子点层370a可以将从布置在第一像素电极311上的中间层303产生的第三波段中的光转换成第一波段中的光。例如，可以从中间层303产生范围从大约450nm到大约495nm的波段中的光，并且第一量子点层370a可以将这种光转换成范围从大约495nm到大约570nm的波段中的光。因此，在第一像素PX1中，范围从大约495nm到大约570nm的波段中的光Lg可以通过上基底400发射到外部。
第一量子点层370a可以包括第一光敏聚合物1151，第一量子点1152和第一散射颗粒1153分散在第一光敏聚合物1151中。第一量子点1152可以被蓝光Lb激发以各向同性地发射具有比蓝光Lb的波长更长的波长的绿光Lg。第一光敏聚合物1151可以包括透光有机材料。第一散射颗粒1153对未被第一量子点1152吸收的蓝光Lb进行散射，从而激发更多的第一量子点1152，由此提高颜色转换效率。第一散射颗粒1153可以是/包括例如氧化钛(TiO2)或金属颗粒。第一量子点1152可以包括II-VI族化合物、III-V族化合物、IV-VI族化合物、IV族元素和IV族化合物中的至少一种。
第二量子点层370b可以填充不透明材料构件360的第二开口OP2。第二量子点层370b可以将从布置在第二像素电极321上的中间层303产生的第三波段中的光转换成第二波段中的光。例如，可以从中间层303产生范围从大约450nm到大约495nm的波段中的光，并且第二量子点层370b可以将这种光转换为范围从大约630nm到大约780nm的波段中的光。因此，在第二像素PX2中，范围从大约630nm到大约780nm的波段中的光可以通过上基底400发射到外部。
第二量子点层370b可以包括第二光敏聚合物1161，第二量子点1162和第二散射颗粒1163分散在第二光敏聚合物1161中。第二量子点1162可以被蓝光Lb激发以各向同性地发射具有比蓝光Lb的波长更长的波长的红光Lr。第二光敏聚合物1161可以包括透光有机材料。第二散射颗粒1163对未被第二量子点1162吸收的蓝光Lb进行散射，从而激发更多的第二量子点1162，由此提高颜色转换效率。第二散射颗粒1163可以是/包括例如TiO2或金属颗粒。第二量子点1162可以包括II-VI族化合物、III-V族化合物、IV-VI族化合物、IV族元素和IV族化合物中的至少一种。第二量子点1162和第一量子点1152可以包括相同的材料。第二量子点1162的尺寸可以大于第一量子点1152的尺寸。
透光层370c可以透射蓝光Lb。透光层370c可以包括第三光敏聚合物1171，第三散射颗粒1173分散在第三光敏聚合物1171中。第三光敏聚合物1171可以包括诸如硅树脂或环氧树脂的透光有机材料，并且可以与第一光敏聚合物1151和第二光敏聚合物1161包括相同的材料。第三散射颗粒1173可以散射和发射蓝光Lb，并且可以与第一散射颗粒1153和第二散射颗粒1163包括相同的材料。
第一量子点层370a、第二量子点层370b和透光层370c通过喷墨印刷分别形成在不透明材料构件360的第一开口OP1、第二开口OP2和第三开口OP3中。
第一滤色器层380a、第二滤色器层380b和第三滤色器层380c可以布置在上基底400的下表面400b上。第一滤色器层380a可以直接布置在第一量子点层370a上，第二滤色器层380b可以直接布置在第二量子点层370b上，并且第三滤色器层380c可以直接布置在透光层370c上。因此，由第一量子点层370a转换的光可以直接入射到第一滤色器层380a上，由第二量子点层370b转换的光可以直接入射到第二滤色器层380b上，并且穿过透光层370c的光可以直接入射到第三滤色器层380c上。
第一滤色器层380a、第二滤色器层380b和第三滤色器层380c可以透射具有属于不同波段的波长的光。第一滤色器层380a可以仅透射具有属于第一波段的波长的光，第二滤色器层380b可以仅透射具有属于第二波段的波长的光，并且第三滤色器层380c可以仅透射具有属于第三波段的波长的光。第一波段可以是大约495nm到大约570nm，第二波段可以是大约630nm到大约780nm，并且第三波段可以是大约450nm到大约495nm。
第一滤色器层380a可以与包括第一像素电极311的第一发光元件重叠。第一滤色器层380a可以与第一发光元件的第一发射区域EA1重叠。因此，从第一发光元件发射的光可以穿过第一滤色器层380a。
第二滤色器层380b可以与包括第二像素电极321的第二发光元件重叠。第二滤色器层380b可以与第二发光元件的第二发射区域EA2重叠。因此，从第二发光元件发射的光可以穿过第二滤色器层380b。
第三滤色器层380c可以与包括第三像素电极331的第三发光元件重叠。第三滤色器层380c可以与第三发光元件的第三发射区域EA3重叠。因此，从第三发光元件发射的光可以穿过第三滤色器层380c。
第六开口OP6和第八开口OP8可以形成在第一滤色器层380a中。第一滤色器层380a的第六开口OP6可以与第二滤色器层380b重叠，并且第一滤色器层380a的第八开口OP8可以与第三滤色器层380c重叠。
第四开口OP4和第九开口OP9可以形成在第二滤色器层380b中。第二滤色器层380b的第四开口OP4可以与第一滤色器层380a重叠，并且第二滤色器层380b的第九开口OP9可以与第三滤色器层380c重叠。第二滤色器层380b的第四开口OP4可以称为与第一开口OP1对应(即，与第一发射区域EA1对应)的第二滤色器开口。
第五开口OP5和第七开口OP7可以形成在第三滤色器层380c中。第三滤色器层380c的第五开口OP5可以与第一滤色器层380a重叠，并且第三滤色器层380c的第七开口OP7可以与第二滤色器层380b重叠。第三滤色器层380c的第五开口OP5可以称为与第一开口OP1对应(即，与第一发射区域EA1对应)的第三滤色器开口。
第一滤色器层380a的至少一部分可以通过第二滤色器层380b的第四开口OP4和第三滤色器层380c的第五开口OP5暴露。第一滤色器层380a可以通过第四开口OP4和第五开口OP5与上基底400的下表面400b直接接触。无机层可以在第一滤色器层380a和上基底400之间。第一滤色器层380a可以在朝向下基底100的下表面100b的方向(例如，-Z方向)上与第一量子点层370a重叠，并且第一滤色器层380a可以在朝向上基底400的上表面400a的方向(例如，+Z方向)上与上基底400的下表面400b重叠。在与第一发射区域EA1重叠的部分中，第二滤色器层380b和第三滤色器层380c可以不显著地存在于第一滤色器层380a和第一量子点层370a之间以及第一滤色器层380a和上基底400之间。
因此，在第一像素PX1中，具有属于第一波段的波长的光可以通过上基底400发射到外部。从第一发光元件发射的第三波段中的光在穿过第一量子点层370a时被转换为第一波段中的光，并且在穿过第一滤色器层380a时被过滤；因此，在第一像素PX1中，具有属于第一波段的波长的光可以通过上基底400发射到外部。从第一发光元件发射的光穿过第一量子点层370a和第一滤色器层380a，从而可以改善通过上基底400发射的光的色纯度。
第二滤色器层380b的至少一部分可以通过第一滤色器层380a的第六开口OP6和第三滤色器层380c的第七开口OP7暴露。第二滤色器层380b可以通过第六开口OP6与第二量子点层370b直接接触，并且第二滤色器层380b可以通过第七开口OP7与上基底400的下表面400b接触。无机层可以在第二滤色器层380b和上基底400之间。第二滤色器层380b可以在朝向下基底100的下表面100b的方向(例如，-Z方向)上与第二量子点层370b重叠，并且第二滤色器层380b可以在朝向上基底400的上表面400a的方向(例如，+Z方向)上与上基底400的下表面400b重叠。在与第二发射区域EA2重叠的部分中，第一滤色器层380a和第三滤色器层380c可以不显著地存在于第二滤色器层380b和第二量子点层370b之间以及第二滤色器层380b和上基底400之间。
因此，在第二像素PX2中，具有属于第二波段的波长的光可以通过上基底400发射到外部。从第二发光元件发射的第三波段中的光在穿过第二量子点层370b时被转换为第二波段中的光并且在穿过第二滤色器层380b时被过滤；因此，在第二像素PX2中，具有属于第二波段的波长的光可以通过上基底400发射到外部。从第二发光元件发射的光穿过第二量子点层370b和第二滤色器层380b，从而可以改善通过上基底400发射的光的色纯度。
第三滤色器层380c的至少一部分可以通过第一滤色器层380a的第八开口OP8和第二滤色器层380b的第九开口OP9暴露。第三滤色器层380c可以通过第八开口OP8和第九开口OP9与透光层370c直接接触。无机层可以在第三滤色器层380c和上基底400之间。第三滤色器层380c可以在朝向下基底100的下表面100b的方向(例如，-Z方向)上与透光层370c重叠，并且第三滤色器层380c可以在朝向上基底400的上表面400a的方向(例如，+Z方向)上与上基底400的下表面400b重叠。在与第三发射区域EA3重叠的部分中，第一滤色器层380a和第二滤色器层380b可以不显著地存在于第三滤色器层380c和透光层370c之间以及第三滤色器层380c和上基底400之间。
因此，在第三像素PX3中，具有属于第三波段的波长的光可以通过上基底400发射到外部。从第三发光元件发射的第三波段中的光穿过透光层370c，并且在穿过第三滤色器层380c时被过滤；因此，在第三像素PX3中，具有属于第三波段的波长的光可以通过上基底400发射到外部。从第三发光元件发射的光穿过透光层370c和第三滤色器层380c，从而可以改善通过上基底400发射的光的色纯度。
至少两个滤色器层的部分可以在第一像素PX1、第二像素PX2和第三像素PX3的每两者之间彼此重叠。图2示出第一滤色器层380a的部分、第二滤色器层380b的部分和第三滤色器层380c的部分在第一像素PX1、第二像素PX2和第三像素PX3的每两者之间。滤色器层的这些重叠的部分可以用作阻光构件。基本上没有可见光可以穿过这些重叠的部分。
第一滤色器层380a的部分、第二滤色器层380b的部分和第三滤色器层380c的部分可以在上基底400和不透明材料构件360之间彼此重叠。上基底400和不透明材料构件360之间的距离可以保持恒定。
如果折射层340的上表面340a是平坦的，则从第一像素PX1的第一发光元件发射的光可能显著地入射到第二量子点层370b或者透光层370c上，可能导致显著的混色缺陷。如果折射层340的上表面340a是平坦的，则外部光可能显著地入射到发光元件的第一像素电极311、第二像素电极321和第三像素电极331上，并且可能不希望地产生显著的反射颜色。
折射层340的上表面340a可以具有配置为聚集从第一发光元件至第三发光元件发射的光的结构。折射层340的上表面340a可以在朝向下基底100的下表面100b的方向(例如，-Z方向)上具有凹入形状。只要可以聚集从第一发光元件至第三发光元件发射的光，折射层340的上表面340a可以具有一种或多种其他结构。折射层340的下表面可以位于下基底100和(多个)聚光结构之间。
(多个)聚光结构可以包括在折射层340的上表面340a中形成的、在朝向下基底100的下表面100b的方向(例如，-Z方向)上凹入的第一凹入部分345a、第二凹入部分345b和第三凹入部分345c。第一凹入部分345a可以对应于第一发光元件。第二凹入部分345b可以对应于第二发光元件。第三凹入部分345c可以对应于第三发光元件。上覆的平坦化层350可以包括分别填充第一凹入部分345a、第二凹入部分345b和第三凹入部分345c的凸透镜结构。
折射层340的上表面340a的第一凹入部分345a可以与第一发光元件的第一发射区域EA1重叠。第一凹入部分345a可以聚集从第一发光元件发射的光。第一凹入部分345a可以将从第一发光元件发射的光引导朝向第一量子点层370a。因此，可以基本上防止从第一发光元件发射的光入射到第二量子点层370b或透光层370c上。有利地，可以获得显示设备的令人满意的光效率和图像显示质量。
图2示出了一个第一凹入部分345a对应于第一发光元件的第一发射区域EA1。第一凹入部分345a可以是/包括一个或多个凹入部分。第一凹入部分345a可以包括两个凹入部分。图2示出了第一凹入部分345a的两个凹入部分分别对应于第一发射区域EA1的两个边缘。多个第一凹入部分345a可以形成在折射层340的上表面340a中并且可以与第一发光元件的第一发射区域EA1重叠。
折射层340的上表面340a的第二凹入部分345b可以与第二发光元件的第二发射区域EA2重叠。第二凹入部分345b可以聚集从布置在其下方的第二发光元件发射的光。第二凹入部分345b可以将从第二发光元件发射的光引导朝向第二量子点层370b。因此，可以基本上防止从第二发光元件发射的光入射到第一量子点层370a或透光层370c上。有利地，可以获得显示设备的令人满意的图像显示质量和光效率。
图2示出了一个第二凹入部分345b对应于第二发光元件的第二发射区域EA2。第二凹入部分345b可以是/包括一个或多个第二凹入部分345b。第二凹入部分345b可以包括两个凹入部分。图2示出了第二凹入部分345b的两个凹入部分分别对应于第二发射区域EA2的两个边缘。多个第二凹入部分345b可以形成在折射层340的上表面340a中并且可以与第二发光元件的第二发射区域EA2重叠。
折射层340的上表面340a的第三凹入部分345c可以与第三发光元件的第三发射区域EA3重叠。第三凹入部分345c可以聚集从第三发光元件发射的光。第三凹入部分345c可以将从第三发光元件发射的光引导朝向透光层370c。因此，可以基本上防止从第三发光元件发射的光入射到第一量子点层370a或第二量子点层370b上。有利地，可以获得显示设备的令人满意的图像显示质量和光效率。
图2示出了一个第三凹入部分345c对应于第三发光元件的第三发射区域EA3。第三凹入部分345c可以是一个或多个第三凹入部分345c。第三凹入部分345c可以是/包括两个凹入部分345c。图2示出了第三凹入部分345c的两个凹入部分分别对应于第三发射区域EA3的两个边缘。多个第三凹入部分345c可以形成在折射层340的上表面340a中并且可以与第三发光元件的第三发射区域EA3重叠。
折射层340可以包括无机材料和/或金属，并且平坦化层350可以包括有机材料。折射层340可以包括诸如氧化铝、氧化钛、氧化钽、氧化铪、氧化锌、氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅的一种或多种无机材料，和/或可以包括诸如Mo、Al、Cu、和/或Ti等的金属。
当光从一种介质传播到另一种介质时，光可以在介质之间的界面处折射。垂直于两种介质的界面的线和入射光之间的夹角是入射角。垂直于两种介质的界面的线和折射光之间的夹角是折射角。当光从具有相对较低的折射率的介质传播到具有相对较高的折射率的介质时，入射角大于折射角。
折射层340和平坦化层350可以具有不同的折射率。平坦化层350可以具有大于折射层340的折射率的折射率。因此，可以将在折射层340和平坦化层350之间的界面处折射的光聚集。
从第一发光元件发射的光可以在折射层340和平坦化层350之间的界面处折射。由于平坦化层350的折射率大于折射层340的折射率，在折射层340和平坦化层350之间的界面处折射的光可以被引导到第一量子点层370a并且可以基本上防止此光入射在第二量子点层370b或透光层370c上。有利地，可以获得显示设备的令人满意的图像显示质量和光效率。
从第二发光元件发射的光可以在折射层340和平坦化层350之间的界面处折射。由于平坦化层350的折射率大于折射层340的折射率，因此在折射层340和平坦化层350之间的界面处折射的光可以被引导到第二量子点层370b并且可以基本上防止此光入射在第一量子点层370a或透光层370c上。有利地，可以获得显示设备的令人满意的图像显示质量和光效率。
从第三发光元件发射的光可以在折射层340和平坦化层350之间的界面处折射。由于平坦化层350的折射率大于折射层340的折射率，因此在折射层340和平坦化层350之间的界面处折射的光可以被引导到透光层370c并且可以基本上防止此光入射在第一量子点层370a或第二量子点层370b上。有利地，可以获得显示设备的令人满意的图像显示质量和光效率。
图4是根据实施例的显示设备的示意性截面图。图4所示的结构与图2所示的结构的不同之处在于，在平坦化层350和第一量子点层370a之间存在保护层410。在图4中，与图2的附图标记相同的附图标记表示相同的元件或相似的元件。
参照图4，保护层410可以在平坦化层350和第一量子点层370a之间。保护层410可以完全布置在平坦化层350上。保护层410可以在平坦化层350和第一量子点层370a之间、在平坦化层350和第二量子点层370b之间以及在平坦化层350和透光层370c之间。
保护层410可以保护第一量子点层370a、第二量子点层370b和透光层370c。
保护层410可以包括有机材料和/或无机材料并且可以是/包括单层或多层。保护层410可以包括通用的商业聚合物(诸如BCB、聚酰亚胺(PI)、HMDSO、聚(2-甲基丙烯酸甲酯)(PMMA)或聚苯乙烯(PS))、具有苯酚基基团的聚合物衍生物、丙烯基聚合物、酰亚胺基聚合物、芳醚基聚合物、酰胺基聚合物、氟基聚合物、对二甲苯基聚合物和/或乙烯醇基聚合物。保护层410可以包括SiOX、SiNX、氮氧化硅(SiOXNY)、氧化铝(Al2O3)、TiO2、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)或氧化锌(ZnO)。
图5、图6和图7中的每一者是根据实施例的显示设备的示意性截面图。图5、图6和图7中所示的结构与图2所示的结构的不同之处在于，在下基底100和上基底400之间提供填充物420。在图5、图6和图7中，与图2中的附图标记相同的附图标记表示相同的元件或相似的元件。
参照图5，填充物420可以在折射层340和平坦化层350之间。参照图6，填充物420可以在平坦化层350和第一量子点层370a之间。填充物420可以在平坦化层350和第一量子点层370a之间、在平坦化层350和第二量子点层370b之间、以及在平坦化层350和透光层370c之间。参照图7，填充物420可以在薄膜封装层TFE和折射层340之间。填充物420可以在第二无机层339和折射层340之间。
填充物420可以缓冲外部压力。填充物420可以包括有机材料，诸如聚甲基硅氧烷、苯基硅或聚酰亚胺。填充物420可以包括聚氨酯基树脂、环氧基树脂和/或丙烯基树脂(即，一种或多种有机密封剂)，和/或可以包括硅树脂(其是无机密封剂)。
图8是根据实施例的显示设备的示意性截面图。图8所示的结构与图2所示的结构的不同之处在于第二无机层339(见图2)和折射层340是一体的。在图8中，与图2的附图标记相同的附图标记表示相同的元件或相似的元件。
参照图8，因为有机发光元件可能被外部湿气、或氧气等损坏，所以可以提供封装层来覆盖和保护有机发光元件。封装层可以包括第一无机层335和堆叠在第一无机层335上的有机层337。
第一无机层335可以直接布置在对电极305上。第一无机层335可以防止或显著地减少外部湿气或氧气渗透到第一发光元件至第三发光元件中。
有机层337可以直接布置在第一无机层335上。有机层337可以在第一无机层335之上提供平坦表面。形成在第一无机层335的上表面上的曲状部或颗粒可以由有机层337覆盖；因此，可以使第一无机层335的上表面的不平坦对形成在有机层337之上的元件的影响最小化。
折射层340可以在下基底100和上基底400之间。折射层340可以直接布置在有机层337上。折射层340可以阻挡湿气。
图9是根据实施例的显示设备的示意性截面图。图9所示的结构与图2所示的结构的不同之处在于，在平坦化层350中布置柱形间隔件365。在图9中，与图2的附图标记相同的附图标记表示相同的元件或相似的元件。
参照图9，柱形间隔件365可以提供在下基底100和上基底400之间，使得下基底100和上基底400之间的间隙可以保持恒定。
柱形间隔件365可以布置在平坦化层350中。柱形间隔件365可以直接布置在折射层340上。不透明材料构件360可以布置在柱形间隔件365上。不透明材料构件360可以直接布置在柱形间隔件365上。不透明材料构件360和柱形间隔件365可以彼此重叠。
柱形间隔件365可以与像素限定层150重叠。柱形间隔件365可以不与发光元件的第一发射区域EA1、第二发射区域EA2和第三发射区域EA3重叠。
柱形间隔件365和不透明材料构件360可以包括相同的材料。柱形间隔件365和不透明材料构件360可以包括不同的材料。
图10是根据实施例的显示设备的示意性截面图。图10所示的结构与图2所示的结构的不同之处在于，布置在折射层340上的平坦化层350是可选的。在图10中，与图2的附图标记相同的附图标记表示相同的元件或相似的元件。
参照图10，折射层340可以在下基底100和上基底400之间。折射层340可以布置在薄膜封装层TFE上。折射层340可以直接布置在第二无机层339上。
第一量子点层370a、第二量子点层370b和透光层370c可以布置在折射层340上。第一量子点层370a、第二量子点层370b和透光层370c可以直接布置在折射层340上并且可以填充折射层340的对应的凹入部分(或对应的凹槽)。因此，穿过折射层340的光可以直接入射到第一量子点层370a、第二量子点层370b和透光层370c上。
根据实施例，可以实现具有令人满意的光效率和/或令人满意的图像显示质量的显示设备。
所描述的实施例是说明性的并且不是为了限制性的目的。每个实施例内的特征或方面的描述通常应被认为是能够用于其他实施例中的其他类似特征或方面的。在不脱离所附权利要求限定的范围的情况下，可以对所描述的实施例进行各种改变。

Claims (20)

1.一种显示设备，其特征在于，所述显示设备包括：
彼此重叠的第一基底和第二基底；
第一发光元件，布置在所述第一基底和所述第二基底之间，并且包括用于发射第一光的第一发射区域；
折射层，布置在所述第一发光元件和所述第二基底之间，包括用于聚集所述第一光的第一结构；
第一滤色器层，布置在所述第一发射区域和所述第二基底之间；以及
第一量子点层，与所述第一发射区域重叠。
2.根据权利要求1所述的显示设备，其特征在于，所述第一结构朝向所述第一发射区域凹入。
3.根据权利要求1所述的显示设备，其特征在于，所述第一结构包括一个或多个凹入部分。
4.根据权利要求1所述的显示设备，其特征在于，所述显示设备还包括布置在所述折射层和所述第二基底之间的平坦化层。
5.根据权利要求4所述的显示设备，其特征在于，所述平坦化层直接接触所述折射层。
6.根据权利要求4所述的显示设备，其特征在于，所述平坦化层的折射率大于所述折射层的折射率。
7.根据权利要求4所述的显示设备，其特征在于，所述平坦化层部分地位于所述第一结构内部。
8.根据权利要求1所述的显示设备，其特征在于，所述显示设备还包括：
第二发光元件，布置在所述第一基底和所述第二基底之间，并且包括第二发射区域；
第二滤色器层，与所述第二发射区域重叠，布置在所述第二发射区域和所述第二基底之间，并且包括与所述第一发射区域相对应的第二滤色器开口；以及
第二量子点层，布置在所述第二发射区域和所述第二滤色器层之间。
9.根据权利要求8所述的显示设备，其特征在于，所述显示设备还包括：
第三发光元件，布置在所述第一基底和所述第二基底之间，并且包括第三发射区域；
第三滤色器层，与所述第三发射区域重叠，布置在所述第三发射区域和所述第二基底之间，并且包括与所述第一发射区域相对应的第三滤色器开口；以及
透光层，布置在所述第三发射区域和所述第三滤色器层之间。
10.根据权利要求9所述的显示设备，其特征在于，所述显示设备还包括不透明材料构件，其中，所述不透明材料构件包括与所述第一发射区域相对应的第一开口，包括与所述第二发射区域相对应的第二开口，并且包括与所述第三发射区域相对应的第三开口，所述第一量子点层填充所述第一开口，所述第二量子点层填充所述第二开口，并且所述透光层填充所述第三开口。
11.根据权利要求9所述的显示设备，其特征在于，所述第一发光元件、所述第二发光元件和所述第三发光元件发射相同波段的光。
12.根据权利要求1所述的显示设备，其特征在于，所述显示设备还包括：
第一无机层；以及
有机层，布置在所述第一无机层和所述折射层之间。
13.根据权利要求12所述的显示设备，其特征在于，所述显示设备还包括第二无机层，其中，所述折射层直接布置在所述第二无机层上。
14.根据权利要求12所述的显示设备，其特征在于，所述折射层直接接触所述有机层。
15.根据权利要求12所述的显示设备，其特征在于，所述显示设备还包括在所述第一基底和所述第二基底之间的填充物。
16.根据权利要求15所述的显示设备，其特征在于，所述填充物部分地位于所述折射层的所述第一结构内部。
17.根据权利要求15所述的显示设备，其特征在于，所述填充物在所述折射层和所述第一量子点层之间。
18.根据权利要求15所述的显示设备，其特征在于，所述填充物在所述有机层和所述折射层之间。
19.根据权利要求1所述的显示设备，其特征在于，所述显示设备还包括在所述折射层和所述第一量子点层之间的保护层。
20.根据权利要求1所述的显示设备，其特征在于，所述显示设备还包括：
不透明材料构件，包括第一开口，其中所述第一量子点层位于所述第一开口中；以及
柱形间隔件，在所述折射层和所述不透明材料构件之间。
CN202222390290.8U 2021-09-08 2022-09-08 显示设备 Active CN218831234U (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2021-0119853 2021-09-08
KR1020210119853A KR20230037106A (ko) 2021-09-08 2021-09-08 표시 장치

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN218831234U true CN218831234U (zh) 2023-04-07

Family

ID=83232573

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202222390290.8U Active CN218831234U (zh) 2021-09-08 2022-09-08 显示设备
CN202211100857.1A Pending CN115802841A (zh) 2021-09-08 2022-09-08 显示设备

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202211100857.1A Pending CN115802841A (zh) 2021-09-08 2022-09-08 显示设备

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20230071107A1 (zh)
EP (1) EP4149233A1 (zh)
KR (1) KR20230037106A (zh)
CN (2) CN218831234U (zh)

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015128027A (ja) * 2013-12-27 2015-07-09 シャープ株式会社 有機ｅｌ装置、表示装置
KR102627322B1 (ko) * 2018-05-29 2024-01-19 삼성전자주식회사 표시 장치
KR20200058665A (ko) * 2018-11-19 2020-05-28 삼성디스플레이 주식회사 표시장치
KR20200127103A (ko) * 2019-04-30 2020-11-10 삼성디스플레이 주식회사 표시장치

Also Published As

Publication number Publication date
CN115802841A (zh) 2023-03-14
US20230071107A1 (en) 2023-03-09
KR20230037106A (ko) 2023-03-16
EP4149233A1 (en) 2023-03-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102503642B1 (ko) 유기 발광 표시 장치
JP6807178B2 (ja) 表示装置、表示装置の製造方法
KR102572128B1 (ko) 유기 발광 표시 장치
US11239290B2 (en) Display apparatus
KR20160117728A (ko) 투명 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
JP4858054B2 (ja) 発光装置および電子機器
KR102496913B1 (ko) 유기 발광 표시 장치
CN113439349A (zh) 显示面板
US20180040851A1 (en) Display device and method for manufacturing the same
KR20190143559A (ko) 표시 장치
CN218831234U (zh) 显示设备
US11616215B2 (en) Display apparatus
US20220208866A1 (en) Display panel and display apparatus including the same
KR20230049816A (ko) 표시 장치
CN114093915A (zh) 显示面板和显示设备
KR20220077308A (ko) 마스크
US20230052275A1 (en) Display apparatus
CN219812424U (zh) 用于制造显示装置的设备
US20230119532A1 (en) Display apparatus
US20240065045A1 (en) Display panel and method of manufacturing the same
KR20220085108A (ko) 표시 패널 및 이를 구비하는 표시 장치
KR20230131352A (ko) 표시 패널, 이의 제조 방법 및 표시 패널을 포함하는 전자 장치
KR20240013970A (ko) 표시 장치와 그의 제조 방법
KR20210130608A (ko) 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
CN116782685A (zh) 显示装置

Legal Events

Date Code Title Description
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant