KR20240013970A - 표시 장치와 그의 제조 방법 - Google Patents

표시 장치와 그의 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20240013970A
KR20240013970A KR1020220090917A KR20220090917A KR20240013970A KR 20240013970 A KR20240013970 A KR 20240013970A KR 1020220090917 A KR1020220090917 A KR 1020220090917A KR 20220090917 A KR20220090917 A KR 20220090917A KR 20240013970 A KR20240013970 A KR 20240013970A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
layer
refractive index
display device
etch stop
light emitting
Prior art date
Application number
KR1020220090917A
Other languages
English (en)
Inventor
김웅식
변진수
김시광
배동환
Original Assignee
삼성디스플레이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성디스플레이 주식회사 filed Critical 삼성디스플레이 주식회사
Priority to KR1020220090917A priority Critical patent/KR20240013970A/ko
Priority to US18/314,869 priority patent/US20240032404A1/en
Priority to CN202310877103.5A priority patent/CN117440730A/zh
Publication of KR20240013970A publication Critical patent/KR20240013970A/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/875—Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K59/879—Arrangements for extracting light from the devices comprising refractive means, e.g. lenses
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K50/858—Arrangements for extracting light from the devices comprising refractive means, e.g. lenses
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/844—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/1201—Manufacture or treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/875—Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K59/878—Arrangements for extracting light from the devices comprising reflective means
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치는, 기판, 상기 기판 상에 배치되고, 화소 전극, 발광층, 및 공통 전극을 포함하는 화소와, 상기 화소를 정의하는 화소 정의막을 포함하는 발광 소자층, 상기 발광 소자층 상에 배치되는 박막봉지층, 상기 화소 정의막과 중첩되며, 상기 박막봉지층 상에 배치된 저굴절 패턴, 상기 저굴절 패턴 상에 배치되고 무기물로 형성되는 식각저지층 및 상기 식각저지층 상에 형성되는 고굴절 평탄화층을 포함하고, 상기 고굴절 평탄화층은 상기 저굴절 패턴과 중첩하게 배치되는 오목부를 가진다.

Description

표시 장치와 그의 제조 방법{DISPLAY DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME}
본 발명은 표시 장치와 그의 제조 방법에 관한 것이다.
표시 장치는 멀티미디어의 발달과 함께 그 중요성이 증대되고 있다. 이에 부응하여 액정 표시 장치(Liquid Crystal Display, LCD), 유기 발광 표시 장치(Organic Light Emitting Display, OLED) 등과 같은 여러 종류의 표시 장치가 사용되고 있다.
표시 장치 중 유기 발광 표시 장치는 전자와 정공의 재결합에 의하여 빛을 발생하는 유기 발광 소자를 이용하여 영상을 표시한다. 표시 장치는 빠른 응답 속도를 가지며, 휘도 및 시야각이 크고, 동시에 낮은 소비 전력으로 구동되는 장점이 있다.
헤드 마운트 표시 장치는 사용자의 머리에 장착될 수 있으며, 안경 또는 헬맷 등의 형태를 가질 수 있다. 헤드 마운트 표시 장치는 사용자의 눈 전방에서 화상을 표시함으로써 사용자가 이미지를 인식할 수 있도록 한다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 시인성을 개선된 표시장치를 제공한다.
본 발명의 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치는, 기판, 상기 기판 상에 배치되고, 화소 전극, 발광층, 및 공통 전극을 포함하는 화소와, 상기 화소를 정의하는 화소 정의막을 포함하는 발광 소자층, 상기 발광 소자층 상에 배치되는 박막봉지층, 상기 화소 정의막과 중첩되며, 상기 박막봉지층 상에 배치된 저굴절 패턴, 상기 저굴절 패턴 상에 배치되고 무기물로 형성되는 식각저지층 및 상기 식각저지층 상에 형성되는 고굴절 평탄화층을 포함하고, 상기 고굴절 평탄화층은 상기 저굴절 패턴과 중첩하게 배치되는 오목부를 갖는다.
상기 오목부는 상기 고굴절 평탄화층 상부에서 저굴절 패턴 측으로 갈수록 폭이 좁아지도록 형성될 수 있다.
상기 오목부는 상기 저굴절 패턴의 두께보다 더 깊은 깊이를 가질 수 있다.
상기 오목부는 상기 식각저지층을 노출시키는 개구부를 가질 수 있다.
상기 오목부는 평면 상에서 상기 발광층을 둘러싸도록 형성될 수 있다.
상기 저굴절 패턴은 평면 상에서 상기 발광층을 둘러싸도록 형성될 수 있다.
상기 고굴절 평탄화층은 상기 저굴절 패턴의 굴절률 보다 0.05 내지 0.3 더 큰 굴절률을 가질 수 있다.
상기 식각저지층은 상기 고굴절 평탄화층의 굴절률 보다 작고 상기 저굴절 패턴의 굴절률보다 큰 굴절률을 가질 수 있다.
상기 기판은 상기 발광층과 중첩하는 표시 영역과, 상기 표시 영역 주변의 비표시 영역을 포함하고, 상기 식각저지층은 상기 표시 영역과 상기 비표시 영역을 전면적으로 덮도록 형성될 수 있다.
상기 기판은 상기 비표시 영역에 배치되는 금속패드를 더 포함하고, 상기 식각저지층은 상기 금속패드를 노출시키는 개구부를 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 표시장치는, 기판, 상기 기판 상에 배치되고, 화소 전극, 발광층, 및 공통 전극을 포함하는 화소와, 상기 화소를 정의하는 화소 정의막을 포함하는 발광 소자층, 상기 발광 소자층 상에 배치되는 박막봉지층, 상기 박막봉지층 상에 배치되고 무기물로 형성되는 식각저지층 및 상기 식각저지층 상에 형성되는 고굴절 평탄화층을 포함하고, 상기 고굴절 평탄화층은 상기 화소 정의막과 중첩하게 배치되는 오목부를 가질 수 있다.
상기 오목부는 상기 고굴절 평탄화층 상부에서 상기 식각저지층 측으로 갈수록 폭이 좁아지도록 형성될 수 있다.
상기 오목부는 상기 고굴절 평탄화층의 굴절률 보다 작은 굴절률을 갖는 충진재에 의해 충진될 수 있다.
상기 기판은 상기 발광층과 중첩하는 표시 영역과, 상기 표시 영역 주변의 비표시 영역을 포함하고, 상기 식각저지층은 상기 표시 영역과 상기 비표시 영역을 전면적으로 덮도록 형성될 수 있다.
상기 기판은 상기 비표시 영역에 배치되는 금속패드를 더 포함하고, 상기 식각저지층은 상기 금속패드를 노출시키는 개구부를 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 표시장치의 제조방법은 기판, 화소 정의막과 화소를 포함하는 발광 소자층 및 상기 발광 소자층을 보호하는 박막봉지층이 차례로 적층되어 형성된 표시 패널을 준비하는 단계, 상기 박막봉지층 상에 상기 화소 정의막과 중첩하는 저굴절 패턴을 형성하는 단계, 상기 저굴절 패턴을 덮도록 상기 표시 패널에 전면적으로 식각저지층을 형성하는 단계, 상기 식각저지층 상에 고굴절 평탄화물질을 도포하는 단계, 상기 고굴절 평탄화물질을 에칭하여 상기 저굴절 패턴과 중첩하는 오목부를 형성하는 단계 및 상기 고굴절 평탄화물질을 경화시켜 고굴절 평탄화층을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 식각저지층을 형성하는 단계는, 상기 식각저지층을 상기 표시 패널의 표시영역 및 비표시영역에 전면적으로 형성할 수 있다.
표시장치의 제조방법은 식각저지층을 에칭하여 상기 비표시영역에 마련된 금속패드를 노출시키는 개구부를 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 자 굴절 패턴은 포토(photo-lithography) 공정에 의해 형성되고, 상기 고굴절 평탄화물질은 잉크젯(ink-jet) 공정에 의해 상기 식각저지층 상에 도포될 수 있다.
상기 오목부는 하드마스크를 이용한 에칭을 통해 형성될 수 있다.
기타 실시예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.
본 발명의 실시예들에 의하면, 표시 장치의 발광 면적을 확대시키고 외부 발광 효율을 향상시킬 수 있다.
본 발명에 따른 효과는 이상에서 예시된 내용에 의해 제한되지 않으며, 더욱 다양한 효과들이 본 명세서 내에 포함되어 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 나타낸 사시도이다.
도 2는 도 1의 Xa-Xa'을 따라 절단한 표시 장치의 단면도이다.
도 3은 일 실시예에 따른 표시 장치의 하나의 화소를 나타내는 평면도이다.
도 4는 도 3의 A영역의 확대도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치의 평면도이다.
도 6은 다른 실시예에 따른 표시 장치의 하나의 화소를 나타내는 평면도이다.
도 7은 도 6의 B영역의 확대도이다.
도 8은 도 1의 I-I'의 단면도이다.
도 9는 또 다른 실시예에 따른 표시 장치의 하나의 화소를 나타내는 평면도이다.
도 10 내지 도 18은 일 실시예에 따른 표시장치의 제조방법을 설명하기 위해 표시장치의 일부분을 도시한 단면도이다.
도 19 내지 도 25는 다른 실시예에 따른 표시장치의 제조방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 26은 일 실시예에 따른 헤드 마운트 표시 장치의 구성을 나타내는 도면이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
소자(elements) 또는 층이 다른 소자 또는 층의 "위(on)" 또는 "상(on)"으로 지칭되는 것은 다른 소자 또는 층의 바로 위뿐만 아니라 중간에 다른 층 또는 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다. 반면, 소자가 "직접 위(directly on)" 또는 "바로 위"로 지칭되는 것은 중간에 다른 소자 또는 층을 개재하지 않은 것을 나타낸다.
공간적으로 상대적인 용어인 "아래(below)", "아래(beneath)", "하부(lower)", "위(above)", "위(on)", "상(on)", "상부(upper)" 등은 도면에 도시되어 있는 바와 같이 하나의 소자 또는 구성 요소들과 다른 소자 또는 구성 요소들과의 상관관계를 용이하게 기술하기 위해 사용될 수 있다. 공간적으로 상대적인 용어는 도면에 도시되어 있는 방향에 더하여 사용시 또는 동작시 소자의 서로 다른 방향을 포함하는 용어로 이해되어야 한다. 예를 들면, 도면에 도시되어 있는 소자를 뒤집을 경우, 다른 소자의 "아래"로 기술된 소자는 다른 소자의 "위"에 놓여질 수 있다. 또한 도면을 기준으로 다른 소자의 "좌측"에 위치하는 것으로 기술된 소자는 시점에 따라 다른 소자의 "우측"에 위치할 수도 있다. 따라서, 예시적인 용어인 "아래"는 아래와 위의 방향을 모두 포함할 수 있다. 소자는 다른 방향으로도 배향될 수 있으며, 이 경우 공간적으로 상대적인 용어들은 배향에 따라 해석될 수 있다.
비록 제1, 제2 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않음은 물론이다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 구성요소는 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 구성요소일 수도 있음은 물론이다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 또한 "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는다.
명세서 전체를 통하여 동일하거나 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 사용한다.
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들에 대하여 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 나타낸 사시도이고, 도 2는 도 1의 Xa-Xa'을 따라 절단한 표시 장치의 단면도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 표시장치(1)는 표시패널(DP) 및 전반사층(TRL)을 포함한다.
표시패널(DP)은 리지드(rigid) 표시패널 또는 플렉서블(flexible) 표시패널일 수 있다. 플렉서블 표시패널의 경우, 표시패널(DP)은 벤딩, 폴딩, 롤딩 등의 동작에 의해 형상 변형이 가능할 수 있다. 본 발명의 일 예로, 표시패널(DP)은 유기발광 소자를 포함하는 표시패널일 수 있다.
표시패널(DP)에는 표시 영역(DA) 및 비표시 영역(NDA)이 정의될 수 있다. 표시 영역(DA)은 영상이 표시되는 영역이고, 비표시 영역(NDA)은 표시 영역(DA)에 인접한 영역으로, 영상이 표시되지 않는 영역이다. 비표시 영역(NDA)은 표시 영역(DA)을 에워쌀 수 있다. 다만, 이는 예시적으로 도시한 것이고, 비표시 영역(NDA)은 표시 영역(DA)의 가장자리 중 일부에만 인접할 수도 있으며 어느 하나의 실시예로 한정되지 않는다.
또한, 표시장치(1)는 패드영역(PADA)을 포함할 수 있다. 패드영역(PADA)에는 패드부가 배치될 수 있다. 패드부는 표시 패널(DP)의 상측에 배치될 수 있다. 패드부는 외부의 회로 보드와 연결되는 패드들을 포함할 수 있다.
표시패널(DP)은 기판(SUB), 기판(SUB) 상에 배치된 박막 트랜지스터층(TFTL), 발광 소자층(EML), 및 박막봉지층(TFEL)을 포함한다.
기판(SUB)은 유리, 석영, 고분자 수지 등의 절연 물질로 이루어질 수 있다. 고분자 물질의 예로는 폴리에테르술폰(polyethersulphone: PES), 폴리아크릴레이트(polyacrylate: PA), 폴리아릴레이트(polyarylate: PAR), 폴리에테르이미드(polyetherimide: PEI), 폴리에틸렌 나프탈레이트(polyethylene napthalate: PEN), 폴리에틸렌 테레프탈레이드(polyethylene terepthalate: PET), 폴리페닐렌 설파이드(polyphenylene sulfide: PPS), 폴리알릴레이트(polyallylate), 폴리이미드(polyimide: PI), 폴리카보네이트(polycarbonate: PC), 셀룰로오스 트리 아세테이트(cellulose triacetate: CAT), 셀룰로오스 아세테이트 프로피오네이트(cellulose acetate propionate: CAP) 또는 이들의 조합을 들 수 있다. 또는, 기판(SUB)은 금속 재질의 물질을 포함할 수도 있다.
기판(SUB)은 리지드(rigid) 기판이거나 벤딩(bending), 폴딩(folding), 롤링(rolling) 등이 가능한 플렉서블(flexible) 기판일 수 있다. 기판(SUB)이 플렉서블 기판인 경우, 폴리이미드(PI)로 형성될 수 있지만, 이에 한정되는 것은 아니다.
박막 트랜지스터층(TFTL)은 기판(SUB) 상에 배치될 수 있다. 박막 트랜지스터층(TFTL)에는 화소들 각각의 박막 트랜지스터들뿐만 아니라, 스캔 라인들, 데이터 라인들, 전원 라인들, 스캔 제어 라인들, 및 패드들과 데이터 라인들을 연결하는 라우팅 라인들 등이 형성될 수 있다. 박막 트랜지스터들 각각은 게이트 전극, 반도체층, 소스 전극, 및 드레인 전극을 포함할 수 있다.
박막 트랜지스터층(TFTL)은 표시 영역(DA)과 비표시 영역(NDA)에 배치될 수 있다. 구체적으로, 박막 트랜지스터층(TFTL)의 화소들 각각의 박막 트랜지스터들, 스캔 라인들, 데이터 라인들, 및 전원 라인들은 표시 영역(DA)에 배치될 수 있다. 박막 트랜지스터층(TFTL)의 스캔 제어 라인들과 링크 라인들은 비표시 영역(NDA)에 배치될 수 있다.
박막 트랜지스터층(TFTL) 상에는 발광 소자층(EML)이 배치될 수 있다. 발광 소자층(EML)은 유기 발광 소자층, 퀀텀닷 소자층, 나노 엘이디 소자층, 또는 마이크로 엘이디 소자층일 수 있다. 상기 유기 발광 소자층은 유기 발광 물질을 포함할 수 있다. 상기 퀀텀닷 소자층은 퀀텀닷 및 퀀텀 로드 등을 포함할 수 있다. 상기 나노 엘이디 소자층 및 상기 마이크로 엘이디 소자층은 수백 마이크로미터 이하의 소형 엘이디 소자를 포함할 수 있다. 이하, 발광 소자층(EML)은 유기 발광 표시층으로 설명된다.
일 실시예에 따른 발광 소자층(EML)은 제1 전극, 발광층, 및 제2 전극을 포함하는 화소들과 화소들을 정의하는 화소 정의막을 포함할 수 있다. 발광층은 유기 물질을 포함하는 유기 발광층일 수 있다. 이 경우, 발광층은 정공 수송층(hole transporting layer), 유기 발광층(organic light emitting layer), 및 전자 수송층(electron transporting layer)을 포함할 수 있다. 박막 트랜지스터층(TFTL)의 박막 트랜지스터를 통해 제1 전극에 소정의 전압이 인가되고, 제2 전극에 캐소드 전압이 인가되면 정공과 전자가 각각 정공 수송층과 전자 수송층을 통해 유기 발광층으로 이동되며, 유기 발광층에서 서로 결합하여 발광하게 된다. 발광 소자층(EML)의 화소들은 표시 영역(DA)에 배치될 수 있다.
발광 소자층(EML) 상에는 박막봉지층(TFEL)이 배치될 수 있다. 박막봉지층(TFEL)은 발광 소자층(EML)에 산소 또는 수분이 침투되는 것을 방지하는 역할을 한다. 이를 위해, 박막봉지층(TFEL)은 적어도 하나의 무기막을 포함할 수 있다. 무기막은 실리콘 나이트라이드층, 실리콘 옥시 나이트라이드층, 실리콘 옥사이드층, 티타늄옥사이드층, 또는 알루미늄옥사이드층일 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. 또한, 박막봉지층(TFEL)은 먼지와 같은 이물질로부터 발광 소자층(EML)을 보호하는 역할을 한다. 이를 위해, 박막봉지층(TFEL)은 적어도 하나의 유기막을 포함할 수 있다. 유기막은 아크릴 수지(acryl resin), 에폭시 수지(epoxy resin), 페놀 수지(phenolic resin), 폴리아미드 수지(polyamide resin), 또는 폴리이미드 수지(polyimide resin)일 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.
박막봉지층(TFEL)은 표시 영역(DA)과 비표시 영역(NDA) 모두에 배치될 수 있다. 구체적으로, 박막봉지층(TFEL)은 표시 영역(DA)과 비표시 영역(NDA)의 발광 소자층(EML)을 덮으며, 비표시 영역(NDA)의 박막 트랜지스터층(TFTL)을 덮도록 배치될 수 있다.
전반사층(TRL)은 표시패널(DP) 상에 배치될 수 있다. 전반사층(TRL)은 광 경로를 변경시키는 광 경로 제어층 또는 외부로부터 입사되는 외부광의 반사율을 감소시키는 반사 방지층 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
도시하지는 않았지만, 전반사층(TRL) 상에 광학적으로 투명한 윈도우가 배치될 수 있다. 이에 따라, 표시패널(DP)에서 생성된 영상은 윈도우를 통과할 수 있다. 윈도우는 OCA(optically clear adhesive) 필름과 같은 투명 접착 부재에 의해 전반사층(TRL)에 부착될 수 있다.
도 3은 일 실시예에 따른 표시 장치의 하나의 화소를 나타내는 평면도이고, 도 4는 도 3의 A영역의 확대도이다.
도 3 및 도 4를 참조하면, 기판(SUB) 상에는 박막 트랜지스터층(TFTL)이 형성된다. 박막 트랜지스터층(TFTL)은 박막 트랜지스터(TFT)들, 게이트 절연막(130), 층간 절연막(140), 보호막(150) 및 평탄화막(160)을 포함한다.
기판(SUB1)의 일면 상에는 버퍼막(BF1)이 형성될 수 있다. 버퍼막(BF1)은 투습에 취약한 기판(SUB1)을 통해 침투하는 수분으로부터 박막 트랜지스터(TFT)들과 발광 소자층(EML)의 발광층(172)을 보호하기 위해 기판(SUB1)의 일면 상에 형성될 수 있다. 버퍼막(BF1)은 교번하여 적층된 복수의 무기막들로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 버퍼막(BF1)은 실리콘 나이트라이드층, 실리콘 옥시 나이트라이드층, 실리콘 옥사이드층, 티타늄옥사이드층, 및 알루미늄옥사이드층 중 하나 이상의 무기막이 교번하여 적층된 다중막으로 형성될 수 있다. 버퍼막(BF1)은 생략될 수 있다.
버퍼막(BF1) 상에는 박막 트랜지스터(TFT)가 형성된다. 박막 트랜지스터(TFT)는 액티브층(ACT), 게이트 전극(G), 소스 전극(S) 및 드레인 전극(D)을 포함한다. 도 3에서는 박막 트랜지스터(TFT)가 게이트 전극(G)이 액티브층(ACT)의 상부에 위치하는 상부 게이트(탑 게이트, top gate) 방식으로 형성된 것을 예시하였으나, 이에 한정되지 않음에 주의하여야 한다. 즉, 박막 트랜지스터(TFT)들은 게이트 전극(G)이 액티브층(ACT)의 하부에 위치하는 하부 게이트(보텀 게이트, bottom gate) 방식 또는 게이트 전극(G)이 액티브층(ACT)의 상부와 하부에 모두 위치하는 더블 게이트(double gate) 방식으로 형성될 수 있다.
버퍼막(BF1) 상에는 액티브층(ACT)이 형성된다. 액티브층(ACT)은 다결정 실리콘, 단결정 실리콘, 저온 다결정 실리콘, 비정질 실리콘, 또는 산화물 반도체를 포함할 수 있다. 예를 들어, 산화물 반도체는 인듐, 아연, 갈륨, 주석, 티타늄, 알루미늄, 하프늄(Hf), 지르코늄(Zr), 마그네슘(Mg) 등을 함유하는 이성분계 화합물(ABx), 삼성분계 화합물(ABxCy), 사성분계 화합물(ABxCyDz)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 액티브층(ACT)은 ITZO(인듐, 주석, 티타늄을 포함하는 산화물)나 IGZO(인듐, 갈륨, 주석을 포함하는 산화물)를 포함할 수 있다. 버퍼막과 액티브층(ACT) 사이에는 액티브층(ACT)으로 입사되는 외부광을 차단하기 위한 차광층이 형성될 수 있다.
액티브층(ACT) 상에는 게이트 절연막(130)이 형성될 수 있다. 게이트 절연막(130)은 무기막, 예를 들어 실리콘 나이트라이드층, 실리콘 옥시 나이트라이드층, 실리콘 옥사이드층, 티타늄옥사이드층, 또는 알루미늄옥사이드층으로 형성될 수 있다.
게이트 절연막(130) 상에는 게이트 전극(G)과 게이트 라인이 형성될 수 있다. 게이트 전극(G)과 게이트 라인은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd) 및 구리(Cu) 중 어느 하나 또는 이들의 합금으로 이루어진 단일층 또는 다중층으로 형성될 수 있다.
게이트 전극(G)과 게이트 라인 상에는 층간 절연막(140)이 형성될 수 있다. 층간 절연막(140)은 무기막, 예를 들어 실리콘 나이트라이드층, 실리콘 옥시 나이트라이드층, 실리콘 옥사이드층, 티타늄옥사이드층, 또는 알루미늄옥사이드층으로 형성될 수 있다.
층간 절연막(140) 상에는 소스 전극(S)과 드레인 전극(D)이 형성될 수 있다. 소스 전극(S)과 드레인 전극(D) 각각은 게이트 절연막(130)과 층간 절연막(140)을 관통하는 콘택홀을 통해 액티브층(ACT)에 접속될 수 있다. 소스 전극(S)과 드레인 전극(D)은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd) 및 구리(Cu) 중 어느 하나 또는 이들의 합금으로 이루어진 단일층 또는 다중층으로 형성될 수 있다.
소스 전극(S)과 드레인 전극(D) 상에는 박막 트랜지스터(TFT)를 절연하기 위한 보호막(150)이 형성될 수 있다. 보호막(150)은 무기막, 예를 들어 실리콘 나이트라이드층, 실리콘 옥시 나이트라이드층, 실리콘 옥사이드층, 티타늄옥사이드층, 또는 알루미늄옥사이드층으로 형성될 수 있다.
보호막(150) 상에는 박막 트랜지스터(TFT)로 인한 단차를 평탄하게 하기 위한 평탄화막(160)이 형성될 수 있다. 평탄화막(160)은 아크릴 수지(acryl resin), 에폭시 수지(epoxy resin), 페놀 수지(phenolic resin), 폴리아미드 수지(polyamide resin), 폴리이미드 수지(polyimide resin) 등의 유기막으로 형성될 수 있다.
평탄화막(160) 상에는 발광 소자층(EML)이 배치될 수 있다. 발광 소자층(도2의 EML)은 발광 소자(LEL)들과 화소 정의막(180)을 포함할 수 있다. 발광 소자(LEL)들 각각은 화소 전극(171), 발광층(172) 및 공통 전극(173)을 포함한다. 공통 전극(173)은 복수의 발광 소자(LEL)들에 공통적으로 연결될 수 있다.
화소 전극(171)은 평탄화막(160) 상에 형성될 수 있다. 일 실시예로 애노드(anode) 전극일 수 있다. 화소 전극(171)이 애노드 전극인 경우, 화소 전극(171)은 반사성 재료를 포함할 수 있다. 반사성 재료는 일 실시예로, 은(Ag), 마그네슘(Mg), 크롬(Cr), 금(Au), 백금(Pt), 니켈(Ni), 구리(Cu), 텅스텐(W) 및 알루미늄(Al)로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 반사막과 반사막 상에 형성된 투명 또는 반투명 전극을 포함할 수 있다.
여기서, 투명 또는 반투명 전극은 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), ZnO(Zinc Oxide), In2O3(Indiu, Oxide), IGO(Indium Gallium Oxide) 및 AZO(Aluminum Zinc Oxide)로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상을 포함하여 이루어질 수 있다.
평탄화막(160)에는 콘택홀(CH)이 형성될 수 있다. 콘택홀(CH)은 박막 트랜지스터(TFT)의 드레인 전극(D)을 노출시키도록 형성될 수 있다. 화소 전극(171)은 콘택홀(CH)을 통해 박막 트랜지스터(TFT)의 드레인 전극(D)에 연결될 수 있다.
화소 정의막(180)은 기판(SUB) 상에 형성된 각각의 발광 소자(LEL)를 구분지을 수 있어, 발광 영역을 정의할 수 있다.
화소 정의막(180)은 평탄화막(160) 상에 형성될 수 있다. 화소 정의막(180)은 평탄화막(160)의 전면에 형성되는 것이 아니며 개구부(OP1)를 포함하여 화소 전극(171)의 적어도 일부를 노출시킬 수 있다. 화소 정의막(180)은 화소 전극(171)의 가장자리를 덮도록 형성될 수 있다.
화소 정의막(180)은 평탄화막(160)상에 형성된 상호 인접한 복수개의 화소 전극(171) 사이의 이격된 영역에 형성된 것일 수 있다.
화소 정의막(180)은 아크릴 수지(acryl resin), 에폭시 수지(epoxy resin), 페놀 수지(phenolic resin), 폴리아미드 수지(polyamide resin), 폴리이미드 수지(polyimide resin) 등의 유기막으로 형성될 수 있다.
화소 정의막(180) 상에는 발광층(172)이 형성된다. 발광층(172)은 화소 전극(171)의 개구부(OP1)를 통해 노출되는 영역 상에 배치될 수 있다. 발광층(172)은 일 실시예로, 화소 정의막(180)의 개구부(OP1)의 적어도 일부를 덮을 수 있다.
발광층(172)은 일 실시예로 적색(red) 광, 녹색(green) 광 및 청색(blue) 광 중 하나를 발광할 수 있다. 적색 광의 파장은 약 620nm 내지 750nm일 수 있으며, 녹색 광의 파장은 약 495nm 내지 570nm일 수 있다. 또한, 청색 광의 파장은 약 450nm 내지 495nm일 수 있다.
다른 실시예로, 발광층(172)은 백색(white)을 발광할 수 있다. 발광층(172)이 백색을 발광하는 경우, 발광층(172)은 일 실시예로, 적색 발광층, 녹색 발광층 및 청색 발광층이 적층된 형태를 가질 수 있다. 또한, 적색, 녹색 및 청색을 표시하기 위한 별도의 컬러 필터(Color Filter)를 더 포함할 수 있다.
도면에는 도시하지 않았으나, 발광층(172)은 정공 수송층(hole transporting layer), 유기 발광층(organic light emitting layer), 및 전자 수송층(electron transporting layer) 등을 포함하는 다층 구조일 수도 있다.
화소 정의막(180)과 공통 전극(173) 사이에 스페이서(SPC)가 더 배치될 수 있다. 스페이서(SPC)의 일면은 화소 정의막(180)과 접촉하고, 스페이서(SPC)의 타면은 공통 전극(173)에 접촉할 수 있다. 스페이서(SPC)는 화소 정의막(180)과 공통 전극(173) 사이의 간격을 유지할 수 있다. 스페이서(SPC)는 유기 물질, 또는 무기 물질 등으로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 스페이서(SPC)는 포토레지스트, 폴리아크릴계 수지, 폴리이미드계 수지, 아크릴계 수지 등의 유기물질로 이루어질 수 있다. 다른 변형예에서, 스페이서(SPC)는 포함되지 않을 수 있다.
공통 전극(173)은 발광층(172) 화소 정의막(180) 상에 배치될 수 있다. 공통 전극(173)은 일 실시예로 발광층(172) 및 화소 정의막(180) 상에 전면적으로 형성될 수 있다. 공통 전극(173)은 모든 발광 소자(LEL)에 공통적으로 형성되는 공통층일 수 있다. 공통 전극(173)은 일 실시예로 캐소드(cathode) 전극일 수 있다. 공통 전극(173)은 일 실시예로 Li. Ca, Lif/Ca, LiF/Al, Al, Ag, Mg로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상을 포함할 수 있다. 또한, 공통 전극(173)은 일함수가 낮은 금속 박막으로 이루어질 수 있다. 공통 전극(173)은 일 실시예로 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), ZnO(Zinc Oxide), In2O3(Indiu, Oxide), (IGO, Indium Gallium Oxide) 및 AZO(Aluminum Zinc Oxide)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상을 포함하는 투명 또는 반투명 전극일 수 있다.
상부 발광 구조에서 공통 전극(173)은 광을 투과시킬 수 있는 ITO(Induim Tin Oxide) 및 IZO(Induim Zinc Oxide)와 같은 투명한 도전성 산화물(TCO, Transparent Conductive Oxide), 또는 마그네슘(Mg), 은(Ag), 또는 마그네슘(Mg)과 은(Ag)의 합금과 같은 반투과 금속물질(Semi-transmissive Conductive Material)로 형성될 수 있다. 공통 전극(173)이 반투과 금속물질로 형성되는 경우, 마이크로 캐비티(micro cavity)에 의해 출광 효율이 높아질 수 있다.
공통 전극(173) 상에는 박막봉지층(TFEL)이 배치될 수 있다. 박막봉지층(TFEL)은 공통 전극(173) 상에 배치된다. 박막봉지층(TFEL)은 발광층(172)과 공통 전극(173)에 산소 또는 수분이 침투되는 것을 방지하기 위해 적어도 하나의 무기막을 포함할 수 있다. 또한, 박막봉지층(TFEL)은 먼지와 같은 이물질로부터 발광 소자층(EML)을 보호하기 위해 적어도 하나의 유기막을 포함할 수 있다. 예를 들어, 박막봉지층(TFEL)은 공통 전극(173) 상에 배치된 제1 무기막, 제1 무기막 상에 배치된 유기막, 유기막 상에 배치된 제2 무기막을 포함할 수 있다. 제1 무기막과 제2 무기막은 실리콘 나이트라이드층, 실리콘 옥시 나이트라이드층, 실리콘 옥사이드층, 티타늄옥사이드층, 또는 알루미늄옥사이드층으로 형성될 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. 유기막은 아크릴 수지(acryl resin), 에폭시 수지(epoxy resin), 페놀 수지(phenolic resin), 폴리아미드 수지(polyamide resin), 폴리이미드 수지(polyimide resin) 등으로 형성될 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.
도시하지는 않았으나, 박막봉지층(TFEL) 상에는 제2 버퍼막이 형성될 수 있다. 제2 버퍼막은 교번하여 적층된 복수의 무기막들로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 제2 버퍼막은 실리콘 나이트라이드층, 실리콘 옥시 나이트라이드층, 실리콘 옥사이드층, 티타늄옥사이드층, 및 알루미늄옥사이드층 중 하나 이상의 무기막이 교번하여 적층된 다중막으로 형성될 수 있다. 제2 버퍼막은 생략될 수 있다.
박막봉지층(TFEL) 상에는 전반사층(TRL)이 형성된다.
전반사층(TRL)은 발광층(172)에서 방출되는 빛 중 제3방향(예를 들어, z 방향 또는 -z 방향)과 교차하는 방향으로 진행하는 빛의 경로를 대략적으로 제3방향(예를 들어, z 방향 또는 -z 방향)으로 방출되게 할 수 있다. 따라서, 전반사층(TRL)은 집광 역할을 할 수 있다.
전반사층(TRL)은 저굴절 패턴(210), 식각저지층(220), 오목부(230) 및 고굴절 평탄화층(240)을 포함할 수 있다.
저굴절 패턴(210)은 박막봉지층(TFEL) 상에 배치될 수 있다. 저굴절 패턴(210)은 화소 정의막(180)과 중첩하며, 발광 영역(PXA)과 중첩하지 않는다. 저굴절 패턴(210)은 평면상에서 발광 영역(PXA)을 둘러 싸도록 배치될 수 있다. 저굴절 패턴(210)은 포토 공정(photo-lithography)으로 형성될 수 있고, 고분자(polymer) 계열의 소재로 형성될 수 있다. 상기 고분자 계열의 소재는 아크릴계 수지, 에폭시계 수지, 폴리이미드, 및 폴리에틸렌으로 이루어진 그룹 중에서 선택된 하나를 포함할 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.
저굴절 패턴(210)은 발광층(172)으로부터 발광되는 광 중에서 상부 방향(Z축 방향)이 아닌 측면 방향으로 진행하는 광을 상부 방향(Z축 방향)으로 진행하도록 전반사시키는 층이다. 저굴절 패턴(210)에 대하여는 도 4를 참조하여 후술하기로 한다.
식각저지층(220)은 저굴절 패턴(210) 상에 배치되고 후술되는 오목부(230)를 형성하기 위한 에칭 공정에서, 하부층을 보호하기 위해 배치된다. 식각저지층(220)은 예를 들어 실리콘질화막과 같은 무기물로 형성될 수 있다.
식각저지층(220)은 고굴절 평탄화층(240)의 굴절률 보다 작고 상기 저굴절 패턴(210)의 굴절률보다 큰 굴절률을 갖는다.
고굴절 평탄화층(240)은 식각저지층(220) 상에 배치된다. 또한, 고굴절 평탄화층(240)은 평탄한 상면을 제공할 수 있다. 고굴절 평탄화층(240)은 잉크젯 프린팅법이나 스크린 프린팅법 등으로 형성될 수 있다. 고굴절 평탄화층(240)은 지르코늄 옥사이드 입자, 알루미늄 옥사이드 입자, 및 티타늄 옥사이드 입자 중 적어도 어느 하나와 실록산을 포함할 수 있다. 다만, 이는 예시적인 것으로 본 발명의 일 실시예에 따른 고굴절 평탄화층(240)의 물질은 이에 제한되지 않는다.
고굴절 평탄화층(240)의 제1 굴절률은 저굴절 패턴(210)의 제2 굴절률보다 높을 수 있다. 고굴절 평탄화층(240)의 상기 제1 굴절률은 1.65 내지 1.75일 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 굴절률은 1.7일 수 있다. 저굴절 패턴(210)의 상기 제2 굴절률은 1.45 내지 1.55일 수 있다. 예를 들어, 상기 제2 굴절률은 1.53일 수 있다. 고굴절 평탄화층(240)과 저굴절 패턴(210)의 굴절률의 차이는 0.1 내지 0.25일 수 있다. 저굴절 패턴(210)의 측면, 오목부(230)와, 고굴절 평탄화층(240) 사이의 굴절률 차이에 의해 굴절 또는 전반사될 수 있다. 따라서, 발광층(172)에서 출광된 광은 제3 방향(DR3) 또는 제3 방향(DR3)에 가까운 방향으로 광 경로가 변경될 수 있다. 그 결과, 표시 장치(1, 도 1 참조)의 광 효율이 향상될 수 있다.
고굴절 평탄화층(240)은 저굴절 패턴(210)과 중첩하게 배치되는 오목부(230)를 가질 수 있다. 오목부(230)는 U자형으로 형성될 수 있다. 오목부(230)는 식각저지층(230)을 노출시키는 개구부(미도시)를 가질 수 있다. 오목부(230)는 저굴절 패턴(210)과 유사하게 측면광을 상면부로 진행하게 하는 기능을 할 수 있다.
도 4를 참조하면, 저굴절 패턴(210)은 화소 영역(PA)의 비발광 영역(NPXA)에 중첩하도록 배치될 수 있다. 저굴절 패턴(210)은 발광층(172)으로부터 발광되는 광 중에서 상부 방향(Z축 방향)이 아닌 측면 방향으로 진행하는 광을 상부 방향(Z축 방향)으로 진행하도록 전반사시키는 층이다. 저굴절 패턴(210)은 화소 정의막(180)과 중첩하며, 발광 영역(PXA)과 중첩하지 않는다. 발광 영역(PXA) 내에 발광층(172)이 포함될 수 있다. 즉, 저굴절 패턴(210)은 발광층(172)과 중첩하지 않는다.
저굴절 패턴(210)은 박막봉지층(TFEL)과 면에 소정의 경사각을 갖는 경사면을 포함할 수 있다. 경사면의 테이퍼 각도(θ1) 즉 경사각은 70도 이상 90도 이하로 형성될 수 있다. 테이퍼 각도(θ1)는 저굴절 패턴(210)의 경사면의 경사 각도로, 박막봉지층(TFEL)과 저굴절 패턴(210)의 경사면이 이루는 각도를 가리킨다.
저굴절 패턴(210)의 두께(h1)가 두꺼울수록 발광층(172)의 광 중에서 저굴절 패턴(210)의 경사면에서 전반사되어 상부 방향(Z축 방향)으로 진행하는 광의 비율이 높아질 수 있다. 그러므로, 화소(PX)의 광의 출광 효율을 높이기 위해서 저굴절 패턴(210)의 두께(h1)는 1.5㎛ 이상 2.5㎛ 이하로 형성될 수 있다. 저굴절 패턴(210)의 두께(h1)는 도 4를 기준으로, 저굴절 패턴(210)의 하부 면에서 상부 면까지의 거리를 의미한다.
고굴절 평탄화층(240)의 두께(h2)는 고굴절 평탄화층(240)의 하부 면에서 상부 면까지의 거리를 의미하고, 3.5㎛ 내지 6㎛ 이하일 수 있다. 고굴절 평탄화층(240)에 마련된 오목부(230)는 U자형으로 형성될 수 있으며, 오목부(230)의 깊이는 2.0㎛ 내지 3.5㎛ 일 수 있다.
오목부(230)는 개구된 일단부(230-a)의 폭(w1)이 식각저지층(220)을 노출시키는 타단부(230-b)로 가면서 점차 줄어들게 마련되며, 일단부에서 타단부(230-b)를 연결하는 내면이 경사지게 마련되는 웨지구조로 형성될 수 있다. 또한, 오목부(230)는 U자형으로 형성되고, 타단부(230-b)는 중심에 라운드형으로 굴곡지게 형성될 수 있다.
전반사층(TRL)에 마련된 저굴절 패턴(210) 및 오목부(230)는 복수의 발광 소자층(EML)에서 출사되는 광 중 상부 방향이 아닌 측면 방향으로 진행하는 광을 발광층(172) 상부로 진행시켜 발광 면적을 확대시킬 수 있다.
일 예로, 발광층(172)으로부터 출광되는 광은 전반사층(TRL)의 저굴절 패턴(210) 또는 오목부(230)측으로 진행하는 제2 광(L2) 및 제3 광(L3)을 포함할 수 있다. 설명의 편의상 발광층(172)으로부터 출광되어 상부로 진행하지 않고, 저굴절 패턴(230) 또는 오목부(230) 측으로 진행하는 측면광이라고 할 수 있다. 도 4에서 제2 광(L2) 및 제3 광(L3)은 측면광이라 할 수 있다.
제1 광(L1)은 발광층(172) 상부로 진행하여 전반사층(TRL)을 통과하여 표시 장치(1)의 상면으로 출광한다.
제2 광(L2)은 발광층(172) 측면으로 진행하여 저굴절 패턴(210)의 경사면(S1)에서 반사되어 고굴절 평탄화층(240)을 통과하여 출광한다.
제3 광(Le)은 발광층(172) 측면으로 진행하여 오목부(230)에서 반사되어 고굴절 평탄화층(240)을 통과하여 출광한다. 도시하지는 않았지만 오목부(230)에는 공기 또는 충진재가 채워질 수 있다. 오목부(230)에 충진되는 공기 또는 충진재의 굴절률은 고굴절 평탄화층(240)의 굴절률보다 저굴절률을 갖는다. 예를 들어, 1 내지 1.55 일 수 있다.
여기서, 저굴절 패턴(210)과 고굴절 평탄화층(240)의 사이의 굴절률 차이는 0.05 이상 0.3 이하일 수 있다. 일 실시예에서, 저굴절 패턴(210)의 경사각은 70°이며, 저굴절 패턴(210)의 굴절률은 1.53이며, 저굴절 패턴(210)과 렌즈(LA) 사이의 굴절률 차이는 0.14일 수 있다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치의 평면도이다.
도 5를 참조하면, 표시장치는 복수개의 화소 그룹들을 포함할 수 있다. 예를 들어, 복수개의 화소 그룹들은 제1 화소 그룹들(PG1) 및 제2 화소 그룹들(PG2)을 포함할 수 있다. 제1 화소 그룹들(PG1)과 제2 화소 그룹들(PG2)은 제1 방향(Y 방향)을 따라 서로 교대로 반복하여 배열될 수 있다.
제1 화소 그룹들(PG1)은 복수의 제1 화소들(PX1)을 포함할 수 있다. 복수의 제1 화소들(PX1)은 제2 방향(X 방향)을 따라 배열될 수 있다. 제2 화소 그룹들(PG2)은 복수의 제2 화소들(PX2) 및 복수의 제3 화소들(PX3)을 포함할 수 있다. 제2 화소들(PX2) 및 제3 화소들(PX3)은 서로 교대로 반복되며 제2 방향(X 방향)을 따라 배열될 수 있다. 제1 내지 제3 화소들(PX1, PX2, PX3) 사이에는 비화소 영역(NPA)이 정의될 수 있다.
도 5에 도시한 제1 내지 제3 화소들(PX1, PX2, PX3)의 배열 구조는 하나의 예시로 도시한 것일 뿐, 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니다. 예컨대, 본 발명의 다른 실시예로 제1 화소(PX1), 제2 화소(PX2), 및 제3 화소(PX3)가 제2 방향(X 방향)을 따라 번갈아 배치되는 스트라이프 형태로 배열될 수도 있다. 또한, 제1 내지 제3 화소들(PX1, PX2, PX3) 각각이 사각 형상을 갖는 것을 예시적으로 도시하였으나, 이에 제한되는 것은 아니고, 제1 내지 제3 화소들(PX1, PX2, PX3) 각각의 형상은 다각형, 원형, 타원형 등으로 다양하게 변형될 수 있다. 다른 일 예로, 제1 내지 제3 화소(PX1, PX2, PX3)의 형상은 서로 상이할 수 있다. 즉, 제1 화소(PX1)는 원 형상을 갖고, 제2 및 제3 화소(PX2, PX3)는 사각 형상을 가질 수 있다.
또한, 도 5에서는 제1 화소들(PX1)의 사이즈가 제2 화소들(PX2) 및 제3 화소들(PX3)의 사이즈보다 작은 것을 예시적으로 도시하였으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 예컨대, 본 발명의 다른 실시예에서 제1 내지 제3 화소들(PX1, PX2, PX3)은 서로 동일한 사이즈를 가질 수도 있다.
본 발명의 일 예로, 제1 화소들(PX1)은 녹색의 화소이고, 제2 화소들(PX2)은 청색의 화소이고, 제3 화소들(PX3)은 적색의 화소일 수 있다. 하지만, 이에 제한되는 것은 아니다.
도 5의 평면상에서, 비발광 영역(NPXA)은 발광 영역(PXA)을 둘러싸도록 배치되어 있다. 이와 유사하게 저굴절 패턴(도 3의 210)은 비발광 영역(NPXA)에 배치되어 발광 영역(PXA)을 둘러싸도록 배치된다. 또한, 오목부(도 3의 210)은 저굴절 패턴(도 3의 210)과 중첩하게 비발광 영역(NPXA)에 배치되어 발광 영역(PXA)인 발광 영역을 둘러싸도록 배치된다.
한편 고굴절 평탄화층(도 3의 240)은 비화소 영역(NPA), 비발광 영역(NPXA) 및 발광 영역(PXA) 전면에 형성될 수 있다.
도 6은 다른 실시예에 따른 표시 장치의 하나의 화소를 나타내는 평면도이고, 도 7은 도 6의 B영역의 확대도이다. 도 8은 도 1의 I-I'의 단면도이다.
도 6 및 도 7을 참조하면 저굴절 패턴(도 4의 221)을 생략하고 식각저지층(221)을 봉지층(TFTL) 상에 배치한다는 점에서 상술한 도 4 내지 도 5의 실시예와 차이가 있다. 이하, 동일한 구성에 대해 설명은 간략히 하거나 생략하고 차이점에 대해 자세히 설명하기로 한다.
박막봉지층(TFEL) 상에는 전반사층(TRL)이 형성된다.
전반사층(TRL)은 발광층(172)에서 방출되는 빛 중 제3방향(예를 들어, z 방향 또는 -z 방향)과 교차하는 방향으로 진행하는 빛의 경로를 대략적으로 제3방향(예를 들어, z 방향 또는 -z 방향)으로 방출되게 할 수 있다. 따라서, 전반사층(TRL)은 집광 역할을 할 수 있다.
도 6 내지 도 8을 참조하면 전반사층(TRL)은 식각저지층(221), 오목부(231) 및 고굴절 평탄화층(241)을 포함할 수 있다.
식각저지층(221)은 박막봉지층(TFEL) 상에 배치되고 후술되는 오목부(231)를 형성하기 위한 에칭 공정에서, 하부층을 보호하기 위해 배치된다. 식각저지층(221)은 예를 들어 실리콘질화막과 같은 무기물로 형성될 수 있다.
식각저지층(221)은 고굴절 평탄화층(241)의 굴절률 보다 작은 굴절률을 가질 수 있다.
도 8에 도시한 바와 같이, 식각저지층(221)은 표시 영역 뿐만 아니라, 표시 영역(DA) 및 비표시 영역(NDA)에도 배치될 수 있다.
식각저지층(221)은 비표시 영역(NDA)에 배치된 금속패드(PAD)를 노출시키는 개구부(OPN)를 포함할 수 있다.
고굴절 평탄화층(241)은 식각저지층(221) 상에 배치된다. 또한, 고굴절 평탄화층(241)은 평탄한 상면을 제공할 수 있다. 고굴절 평탄화층(241)은 잉크젯 프린팅법이나 스크린 프린팅법 등으로 형성될 수 있다. 고굴절 평탄화층(241)은 지르코늄 옥사이드 입자, 알루미늄 옥사이드 입자, 및 티타늄 옥사이드 입자 중 적어도 어느 하나와 실록산을 포함할 수 있다. 다만, 이는 예시적인 것으로 본 발명의 일 실시예에 따른 고굴절 평탄화층(241)의 물질은 이에 제한되지 않는다.
고굴절 평탄화층(241)은 화소 정의막(180)과 중첩하게 배치되는 오목부(231)를 가질 수 있다. 오목부(231)는 U자형으로 형성될 수 있다. 오목부(231)는 도 4를 참조하여 후술된다. 오목부(231)는 고굴절 평탄화층(241)의 두께(ht)와 동일하거나 작은 깊이(hh)를 가질 수 있다. 오목부(231)의 깊이가 평탄화층(241)의 두께(ht)와 동일한 경우, 오목부(231)는 식각저지층(221)을 노출시키는 개구부(미도시)를 가질 수 있다. 오목부(231)에는 고굴절 평탄화층(241)의 굴절률보다 낮은 굴절률을 갖는 충진재가 충진될 수 있다.
고굴절 평탄화층(241)의 굴절률은 1.65 내지 1.75일 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 굴절률은 1.7일 수 있다. 오목부(231)와, 고굴절 평탄화층(241) 사이의 굴절률 차이에 의해 굴절 또는 전반사될 수 있다. 따라서, 발광층(172)에서 출광된 광은 제3 방향(DR3) 또는 제3 방향(DR3)에 가까운 방향으로 광 경로가 변경될 수 있다. 그 결과, 표시 장치(1, 도 1 참조)의 광 효율이 향상될 수 있다.
도 9는 또 다른 실시예에 따른 표시 장치의 하나의 화소를 나타내는 평면도이다.
도 9를 참조하면 화소 전극(171-1, 171-2)과 화소 정의막(181, 182)이 다층으로 형성된다는 점에서 상술한 도 4의 실시예와 차이가 있다. 이하, 동일한 구성에 대해 설명은 간략히 하거나 생략하고 차이점에 대해 자세히 설명하기로 한다.
도 9를 참조하면, 화소 전극(171)은 제1 화소 전극(171-1)과 제2 화소 전극(171-2)을 포함한다.
제1 화소 전극(171-1)은 콘택홀을 통해 박막 트랜지스터(TFT)의 드레인 전극(D)에 연결될 수 있다.
제2 화소 전극(171-2)은 제1 화소 전극(171-1) 및 후술되는 제1 화소 정의막(181) 상에 형성될 수 있다. 제2 화소 전극(171-2)은 제1 화소 정의막(181)의 경사면 및 제1 화소 정의막(181)의 상부에 배치될 수 있다. 제2 화소 전극(171-2)은 후술되는 저굴절 패턴(210)과 중첩하여 형성될 수 있다.
발광층(172)에서 발생되는 광의 일부(L)는 제2 화소 전극(171-2)의 상부로 진행하지 않고 제1 화소 정의막(181)을 향해서 제2 화소 전극(171-2)의 측면으로 진행할 수 있다.
제2 화소 전극(171-2)은 제2 화소 전극(171-2)의 상부로 진행하지 않고 제2 화소 전극(171-2)의 측면을 향해서 진행하는 광을 반사시킬 수 있다. 즉, 발광층(172)의 측면광이 손실되지 않고 상부로 진행하도록 측면광을 가이드할 수 있으므로 광 추출 효율(light extraction efficiency)을 향상시키고, 높은 발광 효율을 제공할 수 있다.
화소 정의막(180)은 기판(SUB) 상에 형성된 각각의 발광 소자(LEL)를 구분지을 수 있어, 발광 영역을 정의할 수 있다. 또한, 화소 정의막(180)은 제1 화소 정의막(181) 및 제2 화소 정의막(182)을 포함할 수 있다.
제1 화소 정의막(181)은 평탄화막(160) 상에 형성될 수 있다. 제1 화소 정의막(181)은 평탄화막(160)의 전면에 형성되는 것이 아니며 개구부를 포함하여 제1 화소 전극(171-1)의 적어도 일부를 노출시킬 수 있다. 즉, 제1 화소 정의막(181)은 평탄화막(160)상에 형성된 상호 인접한 복수개의 제1 화소 전극(171-1) 사이의 이격된 영역에 형성된 것일 수 있다.
제1 화소 정의막(181)은 제1 화소 전극(171-1)의 가장자리를 덮도록 형성될 수 있다.
제1 화소 정의막(181)과 제2 화소 정의막(182)은 아크릴 수지(acryl resin), 에폭시 수지(epoxy resin), 페놀 수지(phenolic resin), 폴리아미드 수지(polyamide resin), 폴리이미드 수지(polyimide resin) 등의 유기막으로 형성될 수 있다. 제1 화소 정의막(181)은 제2 화소 정의막(182)과 동일한 재료로 형성될 수 있다.
제1 화소 정의막(181)은 제1 경사각(θ11)을 가지도록 형성될 수 있다.　제1 경사각(θ11)은 20° 내지 70°일 수 있으며, 바람직하게는 30° 내지 40°일 수 있다. 제1 화소 정의막(181)의 제1 경사각(θ11)에 의해 제2 화소 전극(171-2)의 경사면의 경사각이 정해진다. 즉, 제2 화소 전극(171-2)의 경사면의 경사각은 제1 화소 정의막(181)의 제1 경사각(θ11)과 같다.
제1 화소 정의막(181)은 제1 높이(h1)를 가지도록 형성될 수 있다.　여기서, 제1 높이(h1)는 1~2㎛일 수 있으나, 이에 한정하는 것은 아니다.
제2 화소 정의막(182)은 제1 화소 정의막(181)과 제2 화소 전극(171-2) 상에 배치된다. 제2 화소 정의막(182)은 제2 화소 전극(171-2)의 전면에 형성되는 것이 아니며 개구부를 포함하여 제2 화소 전극(171-2)의 적어도 일부를 노출시킬 수 있다.
제2 화소 정의막(182)에 의해 생성된 개구부는 제1 화소 정의막(181)에 의해 생성된 개구부 보다 작을 수 있다.
제2 화소 정의막(182)은 제2 높이(h2)를 가지도록 형성될 수 있다.　여기서, 제2 높이(h2)는 1~2㎛일 수 있으나, 이에 한정하는 것은 아니다.
제2 화소 정의막(182)은 제2 높이(h2)에 의해 제2 화소 전극(171-2)의 가장자리와 공통 전극(173) 사이의 간격을 확보할 수 있다. 제2 화소 정의막(182)은 제2 화소 전극(171-2)의 가장자리와 공통 전극(173) 사이의 간격을 넓혀, 제2 화소 전극(171-2)의 가장자리 부분에서 전계가 집중되는 현상을 방지할 수 있다. 즉, 제2 화소 정의막(182)은 제2 화소 전극(171-2)과 공통 전극(173)의 단락을 방지하는 기능을 제공할 수 있다.
도 10 내지 도 18은 일 실시예에 따른 표시장치의 제조방법을 설명하기 위해 표시장치의 일부분을 도시한 단면도이다.
도 10을 참조하면, 기판(SUB) 상에, 박막 트랜지스터층(TFTL), 발광 소자층(EML), 박막봉지층(TFEL)이 차례로 적층되어 형성되는 표시 패널(DP)을 준비한다. 상기 구성들에 대해서는 도 2 내지 도 4를 참조하여 설명하였으므로, 중복된 설명은 생략한다.
도 11을 참조하면, 박막봉지층(TFEL) 상에 화소 정의막과 중첩하는 저굴절 패턴(210)을 형성할 수 있다.
저굴절 패턴(210)은 포토(photo-lithography) 공정에 의해 형성될 수 잇다. 예를 들어 저굴절 패턴을 형성하기 위한 물질을 박막봉지층(TFEL) 상에 도포한 후, 패턴을 형성하기 위한 마스크를 이용하여 저굴절 패턴을 형성하기 위한 물질을 선택적으로 식각하여 화소 정의막(180)과 중첩하게 저굴절 패턴(210)을 형성할 수 있다. 마스크를 위한 포토 공정의 경우, 패턴의 크기와 위치를 용이하게 조정할 수 있으나, 상대적으로 패턴의 두께를 조정하기는 용이하지 않다.
도 12 및 도 13을 참조하면 저굴절 패턴(210)이 형성된 박막봉지층(TFEL) 상에 식각저지층(220)을 배치한다. 식각저지층(220)은 실리콘질화물과 같은 무기물일 수 있다. 식각저지층(220)은 표시 영역(DA) 뿐만 아니라 비표시 영역(NDA)에도 배치될 수 있다.
도 14를 참조하면, 식각저지층(220)이 형성된 화소 영역에 고굴절 평탄화물질(240L)을 도포한다. 고굴절 평탄화물질(240L)은 잉크젯 공정으로 유기 조성물(INK)을 식각저지층(220) 상에 도포하는 것일 수 있다. 잉크젯 공정은 분사 기기에서 분사 양과 분사 시간을 조절하여 도포할 물질의 두께 조절이 용이하다. 즉 잉크젯 공정에 의해 고굴절 평탄화층(240)의 두께를 용이하게 조절할 수 있다. 고굴절 평탄화물질(240L)은 광경화성 수지일 수 있다.
도 15 및 도 16을 참조하여 고굴절 평탄화층(240)에 오목부(230)를 형성한다. 먼저 고굴절 평탄화층(240)에 포토레지스트 패턴(PRP)을 형성한다. 포토레지스트 패턴(PRP)이 형성되지 않은 영역을 식각하여 V자형 오목부(230)를 형성한다. 오목부(230)가 형성되면 다음 리프트-오프(lift-off) 공정을 수행하여 포토레지스트 패턴(PRP)을 제거한다.
다음 도 17을 참조하여 오목부(230)가 형성된 고굴절 평탄화층(240)을 경화한다. 예를 들어 고굴절 평탄화층(240)에 UV를 쪼여 고굴절 평탄화층(240)을 광경화할 수 있다. 이러한 경우 V자형 오목부(230)에 리플로우(reflow) 현상이 나타나 U자형으로 경화될 수 있다.
다음 도 18을 참조하여, 비표시 영역(NDA)의 금속패드(PAD) 상에 배치된 식각저지층(220)을 식각하여 개구부(OPN)를 형성함으로써, 금속패드(PAD)를 노출시킬 수 있다.
도 19 내지 도 25는 다른 실시예에 따른 표시장치의 제조방법을 설명하기 위한 도면이다.
먼저 도 10 내지 도 14와 같이, 표시 패널(DP) 상에 저굴절 패턴(210)과 식각저지층(220)을 형성하고, 다음 고굴절 평탄화물질(240L)을 잉크젯 공정으로 도포한다.
다음, 도 19와 같이, 고굴절 평탄화물질(240L) 상에 하드마스크(M260)를 배치한다. 하드마스크(M260)는 금속막으로 형성될 수 있다.
다음 도 20과 같이 하드마스크(M260) 상에 포토레지스트 패턴(PRP)을 패터닝한다. 이때 포토레지스트 패턴(PRP)은 건식식각 공정으로 패터닝할 수 있으나, 이에 한정하는 것은 아니다.
다음 도 21과 같이, 포토레지스트 패턴(PRP)을 마스크 삼아 하부의 하드마스크(M260)를 패터닝한다. 하드마스크(M260)는 건식식각 공정으로 패터닝할 수 있으나, 이에 한정하는 것은 아니다.
다음 도 22와 같이 포토레지스트 패턴(PRP)을 리프트 오프 공정으로 제거하고, 도 23과 같이 패턴화된 하드마스크(M260)를 이용하여 오목부(230)를 V자형태로 에칭한다. 다음 도 24와 같이 패턴화된 하드마스크(M260)를 제거한다.
다음 도 25를 참조하여 오목부(230)가 형성된 고굴절 평탄화층(240)을 경화한다. 예를 들어 고굴절 평탄화층(240)에 UV를 쪼여 고굴절 평탄화층(240)을 광경화할 수 있다. 이러한 경우 V자형 오목부(230)에 리플로우(reflow) 현상이 나타나 U자형으로 경화될 수 있다.
다음 도 18에서와 같이, 비표시 영역(NDA)의 금속패드(PAD) 상에 배치된 식각저지층(220)을 식각하여 개구부(OPN)를 형성함으로써, 금속패드(PAD)를 노출시킬 수 있다.
도 26은 일 실시예에 따른 헤드 마운트 표시 장치의 구성을 나타내는 도면이다.
도 26을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 헤드 마운트 표시 장치(800)는 헤드 마운트 장치(810) 및 표시 장치(820)를 포함할 수 있다.
헤드 마운트 장치(810)는 표시 장치(820)와 결합할 수 있다. 여기서, 표시 장치(820)는 화상을 표시하는 표시 패널을 포함할 수 있다. 즉, 표시 장치(820)는 본 명세서에서 설명한 전반사층(TRL)을 갖는 표시 장치가 포함될 수 있다.
헤드 마운트 장치(810)는 상기 표시 장치(820)와의 전기적인 연결을 위한 커넥터(connector) 및 물리적 연결을 위한 프레임을 포함할 수 있다. 또한, 외부로부터의 충격을 방지하고, 표시 장치(820)의 이탈을 방지하기 위한 커버를 포함할 수 있다.
즉, 헤드 마운트 장치(810)는 표시 장치(820)와 결합될 수 있으며, 상기 표시 장치(820)가 화소 정의막과 중첩되는 홈을 갖는 고굴절 평탄화층을 포함함으로써 측면광을 상부로 진행하게 할 수 있다. 이로써, 표시 장치(820)는 시인성을 개선할 수 있다.
이상에서 본 발명의 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 본 발명의 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
171: 화소 전극;
171-1: 제1 화소 전극;
171-2: 제2 화소 전극;
172 : 발광층
173 : 공통 전극
180 : 화소 정의막
181 : 제1 화소 정의막
182 : 제2 화소 정의막

Claims (23)

  1. 기판;
    상기 기판 상에 배치되고, 화소 전극, 발광층, 및 공통 전극을 포함하는 화소와, 상기 화소를 정의하는 화소 정의막을 포함하는 발광 소자층;
    상기 발광 소자층 상에 배치되는 박막봉지층;
    상기 화소 정의막과 중첩되며, 상기 박막봉지층 상에 배치된 저굴절 패턴;
    상기 저굴절 패턴 상에 배치되고 무기물로 형성되는 식각저지층; 및
    상기 식각저지층 상에 형성되는 고굴절 평탄화층을 포함하고,
    상기 고굴절 평탄화층은 상기 저굴절 패턴과 중첩하게 배치되는 오목부를 가지는 표시장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 오목부는 상기 고굴절 평탄화층 상부에서 저굴절 패턴 측으로 갈수록 폭이 좁아지도록 형성되는 표시장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 오목부는 상기 저굴절 패턴의 두께보다 더 깊은 깊이를 갖는 표시장치.
  4. 제2항에 있어서,
    상기 오목부는 상기 식각저지층을 노출시키는 개구부를 갖는 표시장치.
  5. 제1항에 있어서, 상기 오목부는 평면 상에서 상기 발광층을 둘러싸는 표시장치.
  6. 제1항에 있어서, 상기 저굴절 패턴은 평면 상에서 상기 발광층을 둘러싸는 표시장치.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 고굴절 평탄화층은 상기 저굴절 패턴의 굴절률 보다 0.05 내지 0.3 더 큰 굴절률을 갖는 표시장치.
  8. 제7항에 있어서, 상기 식각저지층은 상기 고굴절 평탄화층의 굴절률 보다 작고 상기 저굴절 패턴의 굴절률보다 큰 굴절률을 갖는 표시장치.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 기판은 상기 발광층과 중첩하는 표시 영역과, 상기 표시 영역 주변의 비표시 영역을 포함하고,
    상기 식각저지층은 상기 표시 영역과 상기 비표시 영역을 전면적으로 덮도록 형성되는 표시장치.
  10. 제9항에 있어서, 상기 기판은 상기 비표시 영역에 배치되는 금속패드를 더 포함하고,
    상기 식각저지층은 상기 금속패드를 노출시키는 개구부를 포함하는 표시장치.
  11. 기판;
    상기 기판 상에 배치되고, 화소 전극, 발광층, 및 공통 전극을 포함하는 화소와, 상기 화소를 정의하는 화소 정의막을 포함하는 발광 소자층;
    상기 발광 소자층 상에 배치되는 박막봉지층;
    상기 박막봉지층 상에 배치되고 무기물로 형성되는 식각저지층; 및
    상기 식각저지층 상에 형성되는 고굴절 평탄화층을 포함하고,
    상기 고굴절 평탄화층은 상기 화소 정의막과 중첩하게 배치되는 오목부를 가지는 표시장치.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 오목부는 상기 고굴절 평탄화층 상부에서 상기 식각저지층 측으로 갈수록 폭이 좁아지도록 형성되는 표시장치.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 오목부는 상기 식각저지층을 노출시키는 개구부를 갖는 표시장치.
  14. 제11항에 있어서, 상기 오목부는 평면 상에서 상기 발광층을 둘러싸는 표시장치.
  15. 제11항에 있어서, 상기 고굴절 평탄화층은 상기 식각저지층 보다 큰 굴절률을 갖는 표시장치.
  16. 제11항에 있어서,
    상기 오목부는 상기 고굴절 평탄화층의 굴절률 보다 작은 굴절률을 갖는 충진재에 의해 충진되는 표시장치.
  17. 제11항에 있어서,
    상기 기판은 상기 발광층과 중첩하는 표시 영역과, 상기 표시 영역 주변의 비표시 영역을 포함하고,
    상기 식각저지층은 상기 표시 영역과 상기 비표시 영역을 전면적으로 덮도록 형성되는 표시장치.
  18. 제17항에 있어서, 상기 기판은 상기 비표시 영역에 배치되는 금속패드를 더 포함하고,
    상기 식각저지층은 상기 금속패드를 노출시키는 개구부를 포함하는 표시장치.
  19. 기판, 화소 정의막과 화소를 포함하는 발광 소자층 및 상기 발광 소자층을 보호하는 박막봉지층이 차례로 적층되어 형성된 표시 패널을 준비하는 단계;
    상기 박막봉지층 상에 상기 화소 정의막과 중첩하는 저굴절 패턴을 형성하는 단계;
    상기 저굴절 패턴을 덮도록 상기 표시 패널에 전면적으로 식각저지층을 형성하는 단계;
    상기 식각저지층 상에 고굴절 평탄화물질을 도포하는 단계;
    상기 고굴절 평탄화물질을 에칭하여 상기 저굴절 패턴과 중첩하는 오목부를 형성하는 단계; 및
    상기 고굴절 평탄화물질을 경화시켜 고굴절 평탄화층을 형성하는 단계
    를 포함하는 표시장치의 제조방법.
  20. 제19항에 있어서,
    상기 식각저지층을 형성하는 단계는,
    상기 식각저지층을 상기 표시 패널의 표시영역 및 비표시영역에 전면적으로 형성하는 표시장치의 제조방법.
  21. 제20항에 있어서,
    상기 식각저지층을 에칭하여 상기 비표시영역에 마련된 금속패드를 노출시키는 개구부를 형성하는 단계를 더 포함하는 표시장치의 제조방법.
  22. 제20항에 있어서,
    상기 저굴절 패턴은 포토(photo-lithography) 공정에 의해 형성되고,
    상기 고굴절 평탄화물질은 잉크젯(ink-jet) 공정에 의해 상기 식각저지층 상에 도포되는 표시장치의 제조방법.
  23. 제20항에 있어서,
    상기 오목부는 하드마스크를 이용한 에칭을 통해 형성되는 표시장치의 제조방법.

KR1020220090917A 2022-07-22 2022-07-22 표시 장치와 그의 제조 방법 KR20240013970A (ko)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020220090917A KR20240013970A (ko) 2022-07-22 2022-07-22 표시 장치와 그의 제조 방법
US18/314,869 US20240032404A1 (en) 2022-07-22 2023-05-10 Display device and method of fabricating the same
CN202310877103.5A CN117440730A (zh) 2022-07-22 2023-07-17 显示装置和制造该显示装置的方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020220090917A KR20240013970A (ko) 2022-07-22 2022-07-22 표시 장치와 그의 제조 방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20240013970A true KR20240013970A (ko) 2024-01-31

Family

ID=89557198

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020220090917A KR20240013970A (ko) 2022-07-22 2022-07-22 표시 장치와 그의 제조 방법

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20240032404A1 (ko)
KR (1) KR20240013970A (ko)
CN (1) CN117440730A (ko)

Also Published As

Publication number Publication date
CN117440730A (zh) 2024-01-23
US20240032404A1 (en) 2024-01-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102606347B1 (ko) 유기 발광 표시 장치
KR102508342B1 (ko) 유기 발광 표시 장치
KR102393319B1 (ko) 유기 발광 표시 장치
KR102572128B1 (ko) 유기 발광 표시 장치
KR102491882B1 (ko) 유기발광표시장치 및 이의 제조방법
KR20200047943A (ko) 광학필터 기판 및 이를 포함하는 디스플레이 장치
US11871601B2 (en) Display apparatus
US11844248B2 (en) Display panel and display apparatus including the same
TWI672546B (zh) 一種顯示裝置
KR20220047460A (ko) 표시 패널 및 이를 구비하는 표시 장치
KR20210016233A (ko) 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법
KR20190143559A (ko) 표시 장치
KR20200128287A (ko) 표시 장치
US11329119B2 (en) Display apparatus and method of manufacturing the same
KR20220077235A (ko) 디스플레이 장치
KR20220056929A (ko) 표시 장치
KR20210142808A (ko) 표시 장치 및 표시 장치의 제조방법
US20220399429A1 (en) Display panel and display apparatus including the same
US11974455B2 (en) Display device and method of manufacturing the same
US20220208866A1 (en) Display panel and display apparatus including the same
KR20240013970A (ko) 표시 장치와 그의 제조 방법
KR20230094244A (ko) 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법
CN219780847U (zh) 显示装置
CN218831234U (zh) 显示设备
WO2023095662A1 (ja) 表示装置およびその製造方法、ならびに電子機器