CN112510063A - 显示设备 - Google Patents
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Abstract
提供了一种显示设备。所述显示设备包括显示区域和传感器区域，显示区域包括主像素，并且传感器区域包括辅助像素和透射区域，其中，所述显示设备包括：基底；多个显示元件，包括在主像素中的每个和辅助像素中的每个中；第一堆叠结构，与所述多个显示元件叠置；第二堆叠结构，与透射区域叠置；以及薄膜封装层，覆盖第一堆叠结构和第二堆叠结构，其中，第一堆叠结构具有与第二堆叠结构的厚度不同的厚度。
Description
本申请要求于2019年9月16日在韩国知识产权局提交的第10-2019-0113523号韩国专利申请的权益，该韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。
技术领域
一个或更多个实施例涉及一种显示设备。
背景技术
显示设备可以通过使用像素来显示图像。显示设备可以包括在其前表面(例如，显示图像的表面)上的边框(或边界)中的红外线传感器，并且可以通过使用红外线传感器来识别对象。
另外，随着显示设备中的边框的宽度减小，用户的眼睛可以被固定或聚焦在图像(或显示设备的屏幕)上。近来，已经进行了对正面显示技术的研究，以从显示设备的前表面去除边框，对位于前表面(或边框)中的红外线传感器进行重新定位，并在显示设备的整个前表面上显示图像。
发明内容
一个或更多个实施例提供了一种在显示区域中具有透光部分的显示设备。
附加方面将在下面的描述中部分地阐述，并且部分地将通过该描述而明显，或者可以通过实践公开的提出的实施例来获知。
根据实施例，一种显示设备包括显示区域和传感器区域，显示区域包括主像素，并且传感器区域包括辅助像素和透射区域，该显示设备包括：基底；多个显示元件，包括在主像素中的每个和辅助像素中的每个中；第一堆叠结构，与所述多个显示元件叠置；第二堆叠结构，与透射区域叠置；以及薄膜封装层，覆盖第一堆叠结构和第二堆叠结构，其中，第一堆叠结构具有与第二堆叠结构的厚度不同的厚度。
第一堆叠结构和第二堆叠结构中的每个可以包括盖层和设置在盖层上的光提取层，薄膜封装层设置在光提取层上并且包括第一无机封装层，并且光提取层的折射率小于盖层的折射率和第一无机封装层的折射率。
盖层可以包括：第一盖区域，设置在透射区域中；以及第二盖区域，设置在所述多个显示元件之上，并且第一盖区域可以具有比第二盖区域的厚度大的厚度。
第一盖区域的厚度可以大于或等于第二盖区域的厚度的1.1倍且小于或等于第二盖区域的厚度的10倍。
光提取层可以包括：第一光提取区域，设置在透射区域中；以及第二光提取区域，设置在所述多个显示元件之上，并且第一光提取区域可以具有比第二光提取区域的厚度大的厚度。
光提取层可以包括：第一光提取区域，设置在透射区域中；以及第二光提取区域，设置在所述多个显示元件之上，并且第一光提取区域可以具有比第二光提取区域的厚度大的厚度。
第一光提取区域的厚度可以是第二光提取区域的厚度的约2倍至约10倍。
盖层的折射率与光提取层的折射率之间的差可以大于或等于约0.5，并且第一无机封装层的折射率与光提取层的折射率之间的差可以大于或等于约0.46。
光提取层可以包括：第一光提取区域，设置在透射区域中；以及第二光提取区域，设置在所述多个显示元件之上，第一盖区域的厚度可以大于或等于约90nm且小于或等于约150nm，第二盖区域的厚度可以大于或等于约60nm且小于或等于约85nm，第一光提取区域的厚度可以大于或等于约50nm且小于或等于约220nm，并且第二光提取区域的厚度可以大于或等于约10nm且小于或等于约40nm。
盖层可以包括：第一盖区域，设置在透射区域中；以及第二盖区域，设置在所述多个显示元件之上，光提取层可以包括：第一光提取区域，设置在第一盖区域之上；以及第二光提取区域，设置在第二盖区域之上，并且盖层的折射率可以大于或等于约1.79且小于或等于2.2。
所述多个显示元件可以包括形成为单片以覆盖所述多个显示元件的对电极，并且对电极可以包括对应于透射区域设置的开口。
所述多个显示元件可以包括形成为单片以覆盖所述多个显示元件的对电极，并且对电极可以包括：第一区域，对应于所述多个显示元件设置；以及第二区域，对应于透射区域设置，第二区域具有比第一区域的厚度小的厚度。
无机绝缘层和有机绝缘层可以设置在基底与所述多个显示元件之间，无机绝缘层和有机绝缘层中的至少一者可以包括对应于透射区域设置的开口或凹槽，并且第二堆叠结构可以位于开口或凹槽中。
显示设备还可以包括：红外线传感器，位于基底的下表面上，红外线传感器对应于传感器区域设置。
显示设备还可以包括：下电极层，位于辅助像素下方，下电极层对应于辅助像素设置。
根据另一实施例，一种显示设备包括透射区域和围绕透射区域的至少一部分的显示区域，其中，该显示设备包括：基底；多个显示元件，位于显示区域中；薄膜封装层，与透射区域叠置并且覆盖所述多个显示元件；盖层，设置在所述多个显示元件与薄膜封装层之间并且与透射区域叠置；以及光提取层，设置在盖层与薄膜封装层之间，其中，与对应于所述多个显示元件设置的区域相比，设置在与透射区域对应的区域中的盖层和光提取层中的至少一者具有更大的厚度。
光提取层的折射率可以小于盖层的折射率和第一无机封装层的折射率。
盖层可以包括：第一盖区域，设置在透射区域中；以及第二盖区域，设置在所述多个显示元件之上，并且第一盖区域可以具有比第二盖区域的厚度大的厚度。
光提取层可以包括：第一光提取区域，设置在透射区域中；以及第二光提取区域，设置在所述多个显示元件之上，并且第一光提取区域可以具有比第二光提取区域的厚度大的厚度。
所述多个显示元件可以包括形成为单片以覆盖所述多个显示元件的对电极，并且对电极可以包括：第一区域，对应于所述多个显示元件设置；以及第二区域，对应于透射区域设置，第二区域具有比第一区域的厚度小的厚度。
附图说明
通过结合附图的以下描述，公开的某些实施例的以上和其他方面、特征和优点将更加明显，在附图中：
图1A是根据实施例的显示设备的透视图；
图1B是根据另一实施例的显示设备的透视图；
图2是根据实施例的显示设备的剖视图；
图3是根据实施例的显示面板的平面图；
图4是部分地示出图3的传感器区域的平面图；
图5是根据实施例的显示设备的剖视图；
图6是根据另一实施例的显示设备的剖视图；
图7A是根据另一实施例的显示设备的剖视图；
图7B是根据另一实施例的显示设备的剖视图；
图8是根据另一实施例的显示设备的剖视图；
图9是用于制造图5的堆叠结构的第一掩模和第二掩模的透视图；
图10A是示出根据实施例的制造显示设备的方法中的工艺的剖视图；
图10B是示出根据实施例的制造显示设备的方法中的工艺的剖视图；
图11A是根据用于与实施例比较的比较示例的剖视图；
图11B是示出包括在图5的显示设备中的透射部分的红外线透射率的示例的图；
图11C是示出包括在图6的显示设备中的透射部分的红外线透射率的示例的图；以及
图11D是示出图5的显示设备中的透射部分的红外线透射率和显示区域的可见光线透射率的示例的图。
具体实施方式
现在将对实施例做出详细地参照，附图中示出了实施例的示例，其中，同样的附图标记始终表示同样的元件。就这点而言，本实施例可以具有不同的形式，而不应被解释为局限于在此所阐述的描述。因此，下文通过参照图来仅描述实施例，以解释本描述的多个方面。如在此所使用的，术语“和/或”包括相关所列项中的一个或更多个的任何组合和全部组合。在整个公开中，表述“a、b和c中的至少一个(种/者)”表示仅a、仅b、仅c、a和b两者、a和c两者、b和c两者、所有a、b和c或其变型。
下文将参照附图更详细地描述示例实施例。与图号无关地赋予相同或对应的那些组件相同的附图标记，并省略冗余的说明。
虽然可以使用如“第一”、“第二”等的这样的术语来描述各种组件，但是这样的组件不限于以上术语。以上术语仅用于区分一个组件与另一个组件。
除非在上下文中具有明显不同的含义，否则以单数使用的表述包括复数的表述。
在本说明书中，将理解的是，术语“包括”、“具有”和“包含”旨在表明说明书中所公开的特征、数量、步骤、动作、组件、部件或它们的组合的存在，而并非意图排除可以存在或可以添加一个或更多个其他特征、数量、步骤、动作、组件、部件或它们的组合的可能性。
将理解的是，当层、区域或组件被称为“形成在”另一层、区域或组件“上”时，该层、区域或组件可以直接或间接地形成在所述另一层、区域或组件上。即，例如，可以存在中间层、区域或组件。
为了便于说明，可以夸大附图中的组件的尺寸。换言之，由于为了便于说明而任意地示出了附图中的组件的尺寸和厚度，所以下面的实施例不限于此。
当可以不同地实现某一实施例时，可以与所描述的顺序不同地执行具体的工艺顺序。例如，可以基本同时执行或以与所描述的顺序相反的顺序执行两个连续描述的工艺。
在以下的实施例中，当多个层、多个区域或多个元件等被称为被“连接”时，将理解的是，该多个层、多个区域或多个元件可以被直接连接或者在该多个层、多个区域或多个元件之间存在中间部分。例如，当多个层、多个区域或多个元件等被称为被“电连接”时，该多个层、多个区域或多个元件可以直接被电连接或者该多个层、多个区域或多个元件可以间接电连接并且可以存在中间部分。
图1A是根据实施例的显示设备1的透视图。图1B是根据另一实施例的显示设备1的透视图。
参照图1A，显示设备1包括显示区域DA和非显示区域NDA，其中，显示区域DA显示图像，而非显示区域NDA不显示图像。显示设备1可以经由从布置在显示区域DA中的多个主像素Pm发射的光来提供主图像。
显示设备1包括传感器区域SA。传感器区域SA可以是在其下方布置有诸如使用红外线、可见光线或声音的传感器的组件的区域。传感器区域SA可以包括透射区域TA，通过透射区域TA，来自组件的光和/或声音被输出到外部，或者接收来自外部的光和/或声音。在实施例中，当红外线穿过传感器区域SA时，根据透射区域TA的结构，整个传感器区域SA的红外线透射率可以大于或等于约15％且小于或等于约90％。
在实施例中，可以在传感器区域SA中设置多个辅助像素Pa，并且可以通过使用从多个辅助像素Pa发射的光来提供预定图像。从传感器区域SA提供的图像是具有比由显示区域DA提供的图像的分辨率小的分辨率的辅助图像。即，传感器区域SA包括光和/或声音可以穿过的透射区域TA，因此，每单位面积的辅助像素Pa的数量可以小于在显示区域DA中的每单位面积的主像素Pm的数量。
传感器区域SA可以被显示区域DA至少部分地围绕，并且在实施例中，图1A示出了被显示区域DA完全地围绕的传感器区域SA。
在图1B中，与图1A的附图标记同样的附图标记表示相同的元件，并且省略其详细描述。
参照图1B，传感器区域SA可以设置在显示区域DA的一侧处。然而，如图1B中所示的传感器区域SA在y方向上的长度不限于图1B中所示的特征。即，y方向上的长度可以根据需要被各种地修改。
在下文中，有机发光显示设备将被描述为根据实施例的显示设备1的示例。然而，在另一实施例中，诸如无机发光(EL)显示设备、量子点发光显示设备等的各种类型的显示设备可以被用作显示设备1。
图1A示出了传感器区域SA设置在具有方形形状的显示区域DA的一侧(右上侧)处。然而，在另一实施例中，显示区域DA可以具有圆形形状、椭圆形形状或诸如三角形形状、五边形形状等的多边形形状，并且传感器区域SA的位置和传感器区域SA的数量可以被各种地修改。
图2是沿图1A的线A-A'截取的根据实施例的显示设备1的剖视图。
参照图2，显示设备1可以包括：显示面板10，包括显示元件；以及组件20，对应于传感器区域SA设置。
显示面板10可以包括基底100、位于基底100上的显示元件层200以及覆盖显示元件层200的薄膜封装层300。另外，显示面板10还可以包括设置在基底100下面的下保护膜175。
基底100可以包括玻璃或聚合物树脂。包括聚合物树脂的基底100可以是柔性的、可卷曲的或可弯曲的。基底100可以具有包括包含聚合物树脂的层和无机层的多层结构(未示出)。
显示元件层200可以包括：电路层，包括设置在显示区域DA中的主薄膜晶体管TFT以及设置在传感器区域SA中的辅助薄膜晶体管TFT'；主有机发光二极管OLED和辅助有机发光二极管OLED'，作为显示元件；绝缘层IL'，设置在基底100与薄膜晶体管TFT和TFT'之间；以及无机绝缘层IL，设置在薄膜晶体管TFT和TFT'与有机发光二极管OLED和OLED'之间。
另外，透射区域TA可以定位于其中未布置辅助薄膜晶体管TFT'和显示元件的传感器区域SA中。透射区域TA可以是从组件20发射的光/信号或入射到组件20的光/信号穿过的区域。
组件20可以设置为在平面图中与传感器区域SA叠置。组件20可以包括发射或接收光或声音的电子元件。例如，组件20可以包括接收光的传感器(例如，红外线传感器)、输出并感测光或声音以测量距离或感测指纹等的传感器、发射光的小型灯或输出声音的扬声器。响应于光的电子元件可以使用诸如可见光、红外线、紫外线等的各种波长段的光。多个组件20可以位于传感器区域SA中。例如，光发射装置和光接收装置可以设置在单个传感器区域SA中作为组件20。可选地，一个组件20可以包括光发射部分和光接收部分。
下电极层BSM可以位于传感器区域SA中，并且下电极层BSM可以在平面图中与辅助像素Pa叠置。即，下电极层BSM可以对应于辅助薄膜晶体管TFT'的下部设置以与辅助薄膜晶体管TFT'叠置。即，下电极层BSM可以防止外部的光到达包括辅助薄膜晶体管TFT'等的辅助像素Pa。例如，下电极层BSM可以防止从组件20发射的光到达辅助像素Pa。另外，恒定的电压或信号被施加到下电极层BSM，以防止由于静电放电而损坏像素电路。下电极层BSM可以由反射导电材料(例如，金属)形成。
薄膜封装层300可以包括至少一个无机封装层和至少一个有机封装层。就这点而言，参照图2，薄膜封装层300可以分别包括第一无机封装层310和第二无机封装层330，以及设置在第一无机封装层310和第二无机封装层330之间的有机封装层320。
有机封装层320可以包括聚合物类材料。例如，有机封装层320可以包括聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚酰亚胺、聚乙烯磺酸盐、聚甲醛、聚芳酯、六甲基二硅氧烷、丙烯酸类树脂(例如，聚甲基丙烯酸甲酯、聚丙烯酸等)或它们的组合。
第一无机封装层310和第二无机封装层330可以包括选自由氧化铝、氧化钛、氧化钽、氧化铪、氧化锌、氧化硅、氮化硅和氮氧化硅组成的组中的一种或更多种无机绝缘材料。第二无机封装层330可以覆盖有机封装层320。第二无机封装层330沉积在显示设备1的边缘区域处，以与第一无机封装层310直接接触，从而不将有机封装层320暴露于显示设备1的外部。
下保护膜175附着到基底100的下部以保护并支撑基底100。下保护膜175可以包括对应于传感器区域SA的开口175OP。由于下保护膜175包括开口175OP，因此可以改善传感器区域SA的光透射率。下保护膜175可以包括聚对苯二甲酸乙二醇酯或聚酰亚胺。另外，当基底100包括玻璃时，可以省略下保护膜175。
传感器区域SA的面积可以大于布置组件20的区域的面积。因此，包括在下保护膜175中的开口175OP的面积可以不等于传感器区域SA的面积。例如，开口175OP的面积可以小于传感器区域SA的面积。
虽然未在附图中示出，但是诸如用于感测触摸输入的输入传感器、包括偏振器和延迟器或者滤色器和黑矩阵的防反射层、透明窗等的组件可以进一步布置在显示面板10上。
另外，在实施例中，薄膜封装层300用于保护显示元件层200，但是在另一实施例中，可以使用经由密封剂或玻璃料而结合到基底100的密封基底作为用于显示元件层200的封装基底。
图3是根据实施例的显示面板10的平面图。
参照图3，显示面板10包括设置在显示区域DA中的多个主像素Pm。主像素Pm中的每个可以包括诸如有机发光二极管的显示元件。主像素Pm中的每个可以经由有机发光二极管发射光，例如，红光、绿光、蓝光或白光。在说明书中，如上所述，主像素Pm可以被理解为发射红光、绿光、蓝光或白光的像素。显示区域DA被以上参照图2描述的薄膜封装层300覆盖，从而保护显示区域DA免受外部空气或湿气影响。
传感器区域SA可以位于显示区域DA中，并且多个辅助像素Pa设置在传感器区域SA中。辅助像素Pa中的每个可以包括诸如有机发光二极管的显示元件。辅助像素Pa中的每个可以经由有机发光二极管发射光，例如，红光、绿光、蓝光或白光。在说明书中，如上所述，辅助像素Pa可以被理解为发射红光、绿光、蓝光或白光的像素。另外，传感器区域SA包括设置在辅助像素Pa之间的透射区域TA。
在实施例中，一个主像素Pm和一个辅助像素Pa可以包括相同的像素电路。然而，一个或更多个实施例不限于此。即，包括在主像素Pm中的像素电路和包括在辅助像素Pa中的像素电路可以彼此不同。
传感器区域SA包括透射区域TA，因此，传感器区域SA的分辨率可以小于显示区域DA的分辨率。例如，传感器区域SA的分辨率可以是显示区域DA的分辨率的一半。在一些实施例中，显示区域DA的分辨率可以是400ppi或更高，并且传感器区域SA的分辨率可以是约200ppi或更高。
主像素Pm和辅助像素Pa中的每个可以电连接到非显示区域NDA中的外部电路。在非显示区域NDA中，可以布置第一扫描驱动电路110、第二扫描驱动电路120、端子140、数据驱动电路150、第一电源线160和第二电源线170。
第一扫描驱动电路110可以经由扫描线SL向主像素Pm和辅助像素Pa中的每个提供扫描信号。第一扫描驱动电路110可以经由发射控制线EL向每个像素提供发射控制信号。第二扫描驱动电路120可以与第一扫描驱动电路110平行并使显示区域DA设置在它们之间。显示区域DA中的主像素Pm和辅助像素Pa中的一些可以电连接到第一扫描驱动电路110，而其他像素Pm和Pa可以连接到第二扫描驱动电路120。在另一实施例中，可以省略第二扫描驱动电路120。
端子140可以设置在基底100的一侧处。端子140可以不被绝缘层覆盖而是被暴露，并且可以电连接到印刷电路板PCB。
印刷电路板PCB的端子PCB-P可以电连接到显示面板10的端子140。印刷电路板PCB可以将控制信号或电力从控制器(未示出)传输到显示面板10。由控制器产生的控制信号可以经由印刷电路板PCB分别传输到第一扫描驱动电路110和第二扫描驱动电路120。控制器可以分别通过第一电源线160和第二电源线170将第一电力和第二电力提供给显示面板10。具有第一电力电压的第一电力和具有第二电力电压的第二电力经由第一连接线161和第二连接线171被提供给显示面板10。第一电力电压经由连接到第一电源线160的驱动电压线PL被供应到主像素Pm和辅助像素Pa中的每个，并且第二电力电压可以被提供给主像素Pm和辅助像素Pa中的每个的连接到第二电源线170的对电极。
数据驱动电路150电连接到数据线DL。数据驱动电路150的数据信号可以经由连接到端子140的连接线151和连接到连接线151的数据线DL被提供给主像素Pm和辅助像素Pa中的每个。虽然图3示出了数据驱动电路150设置在印刷电路板PCB上，但是在另一实施例中，数据驱动电路150可以设置在基底100上。例如，数据驱动电路150可以设置在端子140与第一电源线160之间，或者设置在基底100的一侧与端子140之间。
第一电源线160可以包括在x方向上彼此平行地延伸的第一子线162和第二子线163，显示区域DA设置在第一子线162和第二子线163之间。第二电源线170呈具有开口的环形形状，以部分地围绕显示区域DA。
图4是部分地示出图3的传感器区域SA的平面图，并且图5是沿图3的线I-I'和图4的线II-II'截取的剖视图。
参照图4，根据实施例，辅助像素Pa和透射区域TA位于显示设备1的传感器区域SA中。预定数量的辅助像素Pa可以连续地布置以形成一个像素组Pg。
像素组Pg可以包括至少一个辅助像素Pa。在实施例中，如图4中所示，一个像素组Pg可以包括布置成两列和两行的四个辅助像素Pa。然而，在另一实施例中，包括在一个像素组Pg中的辅助像素Pa的数量和辅助像素Pa的布置可以被各种地修改。例如，一个像素组Pg可以包括布置成一行的三个辅助像素Pa。
因为显示元件未布置在透射区域TA中，所以透射区域TA具有比辅助像素Pa高的光透射率，并且在传感器区域SA中可以包括多个透射区域TA。透射区域TA可以沿第一方向(x方向)和/或第二方向(y方向)与像素组Pg交替地布置。可选地，透射区域TA可以被布置为围绕像素组Pg。可选地，像素组Pg可以被布置为围绕透射区域TA。
参照图5，根据实施例的显示设备1包括显示区域DA和传感器区域SA。主像素Pm设置在显示区域DA中，辅助像素Pa和透射区域TA设置在传感器区域SA中。
主像素Pm中的每个可以包括主薄膜晶体管TFT、主存储电容器Cst和主有机发光二极管OLED。辅助像素Pa中的每个可以包括辅助薄膜晶体管TFT'、辅助存储电容器Cst'和辅助有机发光二极管OLED'。
组件20可以设置在传感器区域SA下面以与传感器区域SA叠置。组件20可以包括用于发射/接收红外线(IR)的红外线传感器。由于透射区域TA位于传感器区域SA中，所以从组件20发射/入射到组件20上的IR信号可以穿过传感器区域SA。例如，从组件20发射的光可以在z方向上行进通过透射区域TA，并且从显示设备1的外部入射到组件20上的光可以在-z方向上行进通过透射区域TA。
在下文中，将在下面描述元件包括在根据实施例的显示设备1中的结构。
基底100可以包括玻璃或聚合物树脂。聚合物树脂可以包括聚醚砜、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚苯硫醚、聚芳酯、聚酰亚胺、聚碳酸酯、乙酸丙酸纤维素等。包括聚合物树脂的基底100可以是柔性的、可卷曲的或可弯曲的。基底100可以具有包括包含聚合物树脂的层和无机层的多层结构(未示出)。
缓冲层111设置在基底100上，以减少或阻挡杂质、湿气或外部空气从基底100的下部的渗透，并且在基底100上提供平坦的表面。缓冲层111可以包括诸如氧化物或氮化物的无机材料、有机材料或无机-有机复合材料，并且可以具有包括无机材料和/或有机材料的单层或多层结构。用于防止外部空气的渗透的阻挡层(未示出)可以进一步设置在基底100和缓冲层111之间。在一些实施例中，缓冲层111可以包括氧化硅(SiO2)或氮化硅(SiNx)。缓冲层111可以包括第一缓冲层111a和层叠在第一缓冲层111a上的第二缓冲层111b。
在传感器区域SA中，下电极层BSM可以设置在第一缓冲层111a和第二缓冲层111b之间。在另一实施例中，下电极层BSM可以设置在基底100和第一缓冲层111a之间。下电极层BSM位于辅助薄膜晶体管TFT'下面以在平面图中与辅助薄膜晶体管TFT'完全地叠置，并且可以防止辅助薄膜晶体管TFT'由于从组件20发射的光而劣化。
此外，下电极层BSM可以经由接触孔连接到位于另一层中的布线GCL。下电极层BSM可以接收从布线GCL供应的恒定的电压或信号。例如，下电极层BSM可以接收驱动电压(第一电力电压)或扫描信号。由于下电极层BSM被提供有恒定的电压或信号，所以产生静电放电的可能性可以被显著地降低。下电极层BSM可以包括铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、镍(Ni)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)和/或铜(Cu)。下电极层BSM可以具有包括上述材料的单层或多层结构。
主薄膜晶体管TFT和辅助薄膜晶体管TFT'可以设置在缓冲层111上。主薄膜晶体管TFT包括第一半导体层A1、第一栅电极G1、第一源电极S1和第一漏电极D1，并且辅助薄膜晶体管TFT'包括第二半导体层A2、第二栅电极G2、第二源电极S2和第二漏电极D2。主薄膜晶体管TFT连接到显示区域DA的主有机发光二极管OLED，以驱动主有机发光二极管OLED。辅助薄膜晶体管TFT'连接到传感器区域SA的辅助有机发光二极管OLED'，以驱动辅助有机发光二极管OLED'。
第一半导体层A1和第二半导体层A2位于缓冲层111上，并且可以包括多晶硅。在另一实施例中，第一半导体层A1和第二半导体层A2可以包括非晶硅。在另一实施例中，第一半导体层A1和第二半导体层A2均可以包括选自由铟(In)、镓(Ga)、锡(Sn)、锆(Zr)、钒(V)、铪(Hf)、镉(Cd)、锗(Ge)、铬(Cr)、钛(Ti)和锌(Zn)组成的组中的至少一者的氧化物。第一半导体层A1和第二半导体层A2均可以包括沟道区以及掺杂有杂质的源区和漏区。
第二半导体层A2可以与下电极层BSM叠置，第二缓冲层111b设置在它们之间。在实施例中，第二半导体层A2的宽度和长度可以小于下电极层BSM的宽度和长度，因此，当从垂直于基底100的方向投影时，第二半导体层A2可以与下电极层BSM完全地叠置。
第一栅极绝缘层112可以覆盖第一半导体层A1和第二半导体层A2。第一栅极绝缘层112可以包括诸如氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)和氧化锌(ZnO2)的无机绝缘材料。第一栅极绝缘层112可以具有包括无机绝缘材料的单层或多层结构。
第一栅电极G1和第二栅电极G2可以设置在第一栅极绝缘层112上，从而分别与第一半导体层A1和第二半导体层A2叠置。第一栅电极G1和第二栅电极G2包括钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)、钛(Ti)等，并且均可以具有单层或多层结构。例如，第一栅电极G1和第二栅电极G2均可以具有包括Mo的单层结构。
第二栅极绝缘层113可以覆盖第一栅电极G1和第二栅电极G2。第二栅极绝缘层113可以包括诸如氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)和氧化锌(ZnO2)的无机绝缘材料。第二栅极绝缘层113可以具有包括无机绝缘材料的单层或多层结构。
主存储电容器Cst的第一上电极CE2和辅助存储电容器Cst'的第二上电极CE2'可以设置在第二栅极绝缘层113上。
在显示区域DA中，第一上电极CE2可以与布置在其下面的第一栅电极G1叠置。彼此叠置并且第二栅极绝缘层113置于它们之间的第一栅电极G1和第一上电极CE2可以形成主存储电容器Cst。第一栅电极G1可以是主存储电容器Cst的第一下电极CE1。
在传感器区域SA中，第二上电极CE2'可以与布置在其下面的第二栅电极G2叠置。彼此叠置并且第二栅极绝缘层113置于它们之间的第二栅电极G2和第二上电极CE2'可以构造辅助存储电容器Cst'。第二栅电极G2可以是辅助存储电容器Cst'的第二下电极CE1'。
第一上电极CE2和第二上电极CE2'均可以包括例如Al、Pt、Pd、Ag、Mg、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Ca、Mo、Ti、W和/或Cu，并且可以具有单层或多层结构。
第一层间绝缘层115可以覆盖第一上电极CE2和第二上电极CE2'。第一层间绝缘层115可以包括诸如氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)和氧化锌(ZnO2)的绝缘材料。
第一源电极S1和第二源电极S2以及第一漏电极D1和第二漏电极D2设置在第一层间绝缘层115上。源电极S1和S2以及漏电极D1和D2均可以包括包含Mo、Al、Cu、Ti等的导电材料，并且可以具有包括上述材料的单层或多层结构。例如，源电极S1和S2以及漏电极D1和D2均可以具有包括Ti/Al/Ti的多层结构。
第二层间绝缘层117可以覆盖源电极S1和S2以及漏电极D1和D2。第二层间绝缘层117可以包括诸如氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)和氧化锌(ZnO2)的绝缘材料。
主连接金属CM和辅助连接金属CM'可以设置在第二层间绝缘层117上。主连接金属CM和辅助连接金属CM'可以通过经由形成在第二层间绝缘层117中的开口分别接触主薄膜晶体管TFT的第一漏电极D1和辅助薄膜晶体管TFT'的第二漏电极D2而电连接到主薄膜晶体管TFT和辅助薄膜晶体管TFT'。
包括与主连接金属CM和辅助连接金属CM'的材料相同的材料并且与主连接金属CM和辅助连接金属CM'分开的布线(未示出)可以设置在第二层间绝缘层117上。
平坦化层119可以设置在主连接金属CM和辅助连接金属CM'上。平坦化层119可以具有平坦的上表面，使得将形成在其上的第一像素电极221和第二像素电极221'可以具有平坦化的上表面。
平坦化层119可以包括包含有机材料和/或无机材料的单层或多层结构。平坦化层119可以包括通用聚合物(苯并环丁烯(BCB)、聚酰亚胺、六甲基二硅氧烷(HMDSO)、聚甲基丙烯酸甲酯或聚苯乙烯)、具有酚基的聚合物衍生物、丙烯酸类聚合物、酰亚胺类聚合物、芳基醚类聚合物、酰胺类聚合物、氟化物类聚合物、对二甲苯类聚合物、乙烯醇类聚合物和它们的共混物。平坦化层119可以包括氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)、氧化锌(ZnO2)等。在布置平坦化层119之后，当上表面具有不平坦表面时，可以执行化学抛光和机械抛光以提供平坦的上表面。
用于暴露主连接金属CM的开口位于平坦化层119中，并且第一像素电极221可以通过经由该开口接触主连接金属CM而电连接到主薄膜晶体管TFT。
此外，平坦化层119包括暴露辅助连接金属CM'的开口，因此第二像素电极221'可以通过经由该开口接触辅助连接金属CM'而电连接到辅助薄膜晶体管TFT'。
第一像素电极221和第二像素电极221'均可以包括诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、氧化铟镓(IGO)或氧化铝锌(AZO)的导电氧化物。在另一实施例中，第一像素电极221和第二像素电极221'均可以包括反射层，该反射层包括Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr或它们的混合物。在另一实施例中，第一像素电极221和第二像素电极221'还可以包括设置在反射层上/下面的包括ITO、IZO、ZnO或In2O3的层。在一些实施例中，第一像素电极221和第二像素电极221'可以具有包括ITO/Ag/ITO的层叠结构。
像素限定层121可以覆盖第一像素电极221和第二像素电极221'中的每个的边界。像素限定层121与第一像素电极221和第二像素电极221'中的每个叠置，并且包括限定像素的发光区域的第一开口OP1和第二开口OP2。像素限定层121增加了第一像素电极221和第二像素电极221'的边缘与设置在第一像素电极221和第二像素电极221'上的对电极223之间的距离，以防止在第一像素电极221和第二像素电极221'的边缘处产生电弧。像素限定层121可以包括诸如聚酰亚胺、聚酰胺、丙烯酸树脂、苯并环丁烯、六甲基二硅氧烷(HMDSO)和酚醛树脂的有机绝缘材料，并且可以通过旋涂等获得。
第一功能层222a覆盖第一像素电极221和第二像素电极221'的暴露的表面以及像素限定层121。第一功能层222a可以具有单层或多层结构。第一功能层222a可以包括具有单层结构的空穴传输层(HTL)。可选地，第一功能层222a可以包括空穴注入层(HIL)和HTL。第一功能层222a可以一体地形成以与包括在显示区域DA中的主像素Pm和包括在传感器区域SA中的辅助像素Pa对应。
第一发射层222b和第二发射层222b'设置在第一功能层222a上，以分别对应于第一像素电极221和第二像素电极221'。第一发射层222b和第二发射层222b'可以分别包括聚合物材料或低分子材料，并且可以发射红光、绿光、蓝光或白光。
第二功能层222c可以位于第一发射层222b和第二发射层222b'上。第二功能层222c可以具有单层或多层结构。第二功能层222c可以包括电子传输层(ETL)和/或电子注入层(EIL)。第二功能层222c可以一体地形成为与包括在显示区域DA中的主像素Pm和包括在传感器区域SA中的辅助像素Pa对应。可以省略第一功能层222a和/或第二功能层222c。
对电极223设置在第二功能层222c上。对电极223可以包括具有低逸出功的导电材料。例如，对电极223可以包括(半)透明层，该(半)透明层包括Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca或其合金。可选地，对电极223还可以包括设置在包括上述材料的(半)透明层上的包括ITO、IZO、ZnO或In2O3的层。对电极223可以一体地形成为与分别包括在显示区域DA和传感器区域SA中的主像素Pm和辅助像素Pa对应。
在显示区域DA中的从第一像素电极221到对电极223的层可以构造主有机发光二极管OLED。在传感器区域SA中的从第二像素电极221'到对电极223的层可以构造辅助有机发光二极管OLED'。
在实施例中，堆叠结构250可以设置在对电极223之上，用于改善光提取效率。堆叠结构250可以包括盖层251和光提取层253。堆叠结构250可以包括：第一堆叠结构250b，与包括在主像素Pm和辅助像素Pa中的多个显示元件对应；以及第二堆叠结构250a，与透射区域TA对应。在实施例中，第一堆叠结构250b具有与第二堆叠结构250a的厚度不同的厚度。
由于显示设备1包括多个层，所以从发射层222b和222b'或组件20发射的光必须穿过发射层222b和222b'之上或组件20之上的多个层以发射到显示设备1外部。在这种情况下，当由发射层222b和222b'产生的光穿过发射层222b和222b'之上的多个层时，大量的光会消灭。
这里，消光的重要因素中的一种可能是在多个层之中的相邻层之间的界面处的全反射。为了防止由于全反射而引起的消光，可以应用防止在相邻层之间的界面处发生全反射的方法。为此，可以调节每个层的折射率和厚度。
例如，可以考虑以下等式来设计每层的折射率和厚度。
n*d＝λ/4
这里，n表示折射率，d表示厚度，并且λ表示发射或透射波长段的中值。
在实施例中，可以将对电极223之上的堆叠结构250的折射率和/或厚度设计为相对于主像素Pm和辅助像素Pa增加可见光线的光提取，并且设计为相对于透射区域TA增加红外线的光提取。
参照图5，盖层251可以设置在对电极223上。盖层251可以覆盖主像素Pm、辅助像素Pa和透射区域TA。此外，在盖层251中，透射区域TA中的第一盖区域251a的厚度t1可以与传感器区域SA和显示区域DA中的显示元件(即，主有机发光二极管OLED和辅助有机发光二极管OLED')之上的第二盖区域251b的厚度t2不同。穿过主像素Pm和辅助像素Pa的光可以主要包括可见光线，而穿过透射区域TA的光可以主要包括红外线。
因此，在实施例中，能够改善可见光线的透射率的堆叠结构设置在布置有主像素Pm和辅助像素Pa的区域中，并且能够改善红外线的透射率的堆叠结构设置在布置有透射区域TA的区域中。
因此，在实施例中，盖层251的厚度在整个显示区域DA和传感器区域SA中可以不一致。
在实施例中，厚度表示从层的下表面到上表面的垂直距离。
在实施例中，位于透射区域TA中的第一盖区域251a的厚度t1可以大于位于主有机发光二极管OLED和辅助有机发光二极管OLED'之上的第二盖区域251b的厚度t2。第一盖区域251a的厚度t1可以被设定为第二盖区域251b的厚度t2的约1.1倍至约10倍。
红外线的波长大于可见光线的波长。因此，当第一盖区域251a的厚度t1大于第二盖区域251b的厚度t2时，可以改善红外线的共振效应并且可以增加红外线透射率。
另外，盖层251的折射率可以设定在1.79至2.2的范围内，以便改善透射区域TA的红外线透射率。
盖层251可以包括选自例如由三(8-羟基喹啉)铝(Alq3)、ZnSe、2,5-二(6'-(2',2”-联吡啶基))-1,1-二甲基-3,4-二苯基噻咯、4'-二[N-(1-萘基)-N-苯基-氨基]联苯(a-NPD)、N,N'-二苯基-N,N'-二(3-甲基苯基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺(TPD)和1,1'-二(二-4-甲苯基氨基苯基)环己烷(TAPC)组成的组中的至少一种。
为了改善共振结构中的光提取，必须发生适当程度的光反射。另外，当盖层251和薄膜封装层300之间的折射率的差不大时，光会在界面处不充分地反射，并且会不适当地发生共振。因此，具有低折射率的光提取层253可以设置在盖层251和薄膜封装层300之间，以增大折射率的差。
光提取层253可以包括透光材料。此外，光提取层253的折射率可以与盖层251的折射率或薄膜封装层300的折射率不同。例如，在实施例中，第一无机封装层310与光提取层253之间的折射率的差可以被设定为大于或等于约0.46。
此外，光提取层253可以包括选自由CaF2、NaF、Na3AlF6、SiOx、AlF3、LiF、MgF2和IF3组成的组中的至少一者。
光提取层253可以满足以上等式的条件，即，n*d＝λ/4，以便形成共振结构。在实施例中，光提取层253包括设置在透射区域TA中的第一光提取区域253a和设置在主有机发光二极管OLED和辅助有机发光二极管OLED'之上的第二光提取区域253b，并且如图6中所公开的，第一光提取区域253a的厚度t3可以大于第二光提取区域253b的厚度t4。
从组件20发射的红外线具有比从发射层222b和222b'发射的可见光线的波长长的波长。因此，为了在透射区域TA中形成共振结构，第一光提取区域253a的厚度可以被设定为大于第二光提取区域253b的厚度。在实施例中，第一光提取区域253a的厚度可以被设定为第二光提取区域253b的厚度的约两倍至约十倍。
在根据实施例的显示设备1中，薄膜封装层300设置在光提取层253上。薄膜封装层300可以包括至少一个无机封装层和至少一个有机封装层，对此，图5示出了薄膜封装层300的第一无机封装层310、有机封装层320和第二无机封装层330堆叠在其中的结构。在另一实施例中，堆叠顺序以及有机封装层和无机封装层的数量可以变化。
第一无机封装层310和第二无机封装层330可以包括诸如氧化铝、氧化钛、氧化钽、氧化铪、氧化锌、氧化硅、氮化硅和氮氧化硅的一种或更多种无机绝缘材料，并且可以通过化学气相沉积(CVD)法等制造。有机封装层320可以包括聚合物类材料。聚合物类材料可以包括硅类树脂、丙烯酸类树脂、环氧类树脂、聚酰亚胺、聚乙烯等。
第一无机封装层310、有机封装层320和第二无机封装层330中的每个可以一体地形成以覆盖显示区域DA和传感器区域SA。
第一无机封装层310可以包括用于引起共振效应的具有高折射率的材料。此外，为了增加透射区域TA的透射率，必须增大盖层251和光提取层253之间的折射率的差。另外，必须增大第一无机封装层310和光提取层253之间的折射率的差。盖层251和光提取层253之间的折射率的差可以大于或等于约0.5。另外，第一无机封装层310和光提取层253之间的折射率的差可以大于或等于约0.46。
此外，光提取层253可以包括设置在透射区域TA中的第一光提取区域253a以及设置在主有机发光二极管OLED和辅助有机发光二极管OLED'之上的第二光提取区域253b。
如上所述，第一盖区域251a和第一光提取区域253a可以被称为第二堆叠结构250a。此外，第二盖区域251b和第二光提取区域253b可以被称为第一堆叠结构250b。
从透射区域TA中的组件20发射的红外线具有比从发射层222b和222b'发射的可见光线的波长长的波长。因此，为了通过利用共振效应改善在透射区域TA中的红外线的透射率，第二堆叠结构250a的厚度可以大于第一堆叠结构250b的厚度。
图6是根据另一实施例的显示设备1的剖视图。在图6中，与图5的附图标记同样的附图标记表示相同的元件，并且省略其详细描述。
参照图6，根据实施例的显示设备1包括显示区域DA和包括透射区域TA的传感器区域SA，显示设备1包括基底100、设置在多个显示元件之上的第一堆叠结构250b以及与透射区域TA叠置的第二堆叠结构250a。
第一光提取区域253a的厚度t3可以被设定为改善从透射区域TA的组件20发射的红外线的透射率。此外，第二光提取区域253b的厚度t4可以被设定为改善从第一发射层222b和第二发射层222b'发射的可见光线的透射率。因此，第一光提取区域253a的厚度t3可以与第二光提取区域253b的厚度t4不同。
第一光提取区域253a的厚度t3可以大于或等于约50nm且小于或等于约220nm。例如，第一光提取区域253a的厚度t3可以大于或等于约170nm且小于或等于约220nm。
第一盖区域251a的厚度t1可以与第二盖区域251b的厚度t2不同，并且同时，第一光提取区域253a的厚度t3可以与第二光提取区域253b的厚度t4不同。第一盖区域251a的厚度t1和第一光提取区域253a的厚度t3可以被设定为增强透射穿过透射区域TA的红外线的共振效应。
在这种情况下，第一盖区域251a的厚度t1可以大于或等于约50nm且小于或等于约150nm，并且第一光提取区域253a的厚度t3可以大于或等于约20nm且小于或等于约220nm。优选地，第一盖区域251a的厚度t1可以大于或等于约90nm且小于或等于约150nm，第二盖区域251b的厚度t2可以大于或等于约60nm且小于或等于约85nm，第一光提取区域253a的厚度t3可以大于或等于约50nm且小于或等于约220nm，并且第二光提取区域253b的厚度t4可以大于或等于约10nm且小于或等于约40nm。
盖层251和光提取层253的折射率可以根据需要而改变。当盖层251的折射率改变时，从显示区域DA中的主像素Pm和传感器区域SA中的辅助像素Pa发射的可见光线的透射率可以改变。
假如盖层251的折射率在1.79至2.2的范围内，即使当盖层251的折射率改变时，从显示区域DA中的主像素Pm和传感器区域SA中的辅助像素Pa发射的可见光线的透射率的改变程度也可以是可忽略的。因此，当盖层251的折射率在1.79至2.2的范围内时，在保持可见光线的透射率的同时可以改善穿过透射区域TA的红外线的透射率。
图7A和图7B是根据其他实施例的显示设备1的剖视图。在图7A和图7B中，与图5的附图标记同样的附图标记表示相同的元件，并且省略其详细描述。
参照图7A，根据实施例的显示设备1包括显示区域DA和包括透射区域TA的传感器区域SA，显示设备1包括基底100、位于多个显示元件之上的第一堆叠结构250b以及与透射区域TA叠置的第二堆叠结构250a。
显示元件层200可以包括遍及显示元件层200一体地设置且形成为单片的对电极223。另外，对电极223可以包括对应于透射区域TA设置的开口224。
当开口224设置在透射区域TA中以与透射区域TA叠置时，可以改善从组件20发射的红外线的透射率。此外，来自组件20的信号可以被充分地且精确地处理。
参照图7B，根据实施例的显示设备1包括显示区域DA和包括透射区域TA的传感器区域SA，显示设备1包括基底100、位于多个显示元件之上的第一堆叠结构250b以及与透射区域TA叠置的第二堆叠结构250a。
显示元件层200可以包括一体地包括在显示元件层200中的对电极223。对电极223可以包括对应于显示元件层200设置的第一区域223a以及对应于透射区域TA设置的第二区域223b。此外，第二区域223b的厚度t6可以小于第一区域223a的厚度t5。
当透射区域TA中的对电极223的厚度增加时，透射率会下降。当第二区域223b的厚度t6小于第一区域223a的厚度t5时，可以改善从组件20发射的红外线的透射率。此外，来自组件20的信号可以被充分地且精确地处理。
图8是根据另一实施例的显示设备1的剖视图。在图8中，与图5的附图标记同样的附图标记表示相同的元件，并省略其详细描述。
参照图8，根据实施例的显示设备1包括包括显示区域DA和包括透射区域TA的传感器区域SA，显示设备1包括基底100、位于多个显示元件之上的第一堆叠结构250b以及与透射区域TA叠置的第二堆叠结构250a。
无机绝缘层IL、平坦化层119和像素限定层121可以位于基底100和显示元件层200之间。无机绝缘层IL、平坦化层119和像素限定层121中的至少一者可以包括对应于透射区域TA的开口或凹槽。
参照图8，无机绝缘层IL可以包括无机绝缘层开口OP3。无机绝缘层开口OP3可以暴露缓冲层111的上表面或基底100的上表面。无机绝缘层开口OP3可以与第一栅极绝缘层112的第一开口、第二栅极绝缘层113的第二开口、第一层间绝缘层115的第三开口和第二层间绝缘层117的第四开口叠置，其中，第一开口至第四开口对应于透射区域TA设置。第一开口至第四开口可以通过分开的工艺分开地形成，或者可以通过一个工艺同时地形成。可选地，可以同时地形成第一开口至第三开口，并且可以单独地形成第四开口。当通过分开的工艺获得第一开口至第四开口时，可以在无机绝缘层开口OP3的侧表面上产生台阶。
可选地，无机绝缘层IL可以包括不暴露缓冲层111的凹槽。例如，无机绝缘层IL中的第一栅极绝缘层112和第二栅极绝缘层113可以连续地布置在对应于透射区域TA的区域中，并且第一层间绝缘层115和第二层间绝缘层117可以分别包括对应于透射区域TA设置的第三开口和第四开口。
可选地，第一栅极绝缘层112可以设置在对应于透射区域TA的区域中，并且第二栅极绝缘层113、第一层间绝缘层115和第二层间绝缘层117可以包括对应于透射区域TA设置的第二开口至第四开口。
在另一实施例中，无机绝缘层IL可以不包括对应于透射区域TA的无机绝缘层开口OP3。因为无机绝缘层IL可以具有可以从组件20发射/由组件20接收的光的透射率，而可以不包括对应于透射区域TA的开口(无机绝缘层开口OP3)。
此外，平坦化层119和像素限定层121可以包括有机绝缘层开口OP4。有机绝缘层开口OP4可以与无机绝缘层开口OP3叠置。
第二堆叠结构250a可以位于无机绝缘层开口OP3或有机绝缘层开口OP4中。
因为去除了透射区域TA中的基底100上的有机和无机堆叠结构，所以可以精确地处理来自组件20的信号。
图9示出了用于制造包括在显示设备1中的第一堆叠结构250b和第二堆叠结构250a的第一掩模410和第二掩模420。
第一掩模410包括与整个显示区域DA对应的开口区域411。
第二掩模420包括形成在与透射区域TA对应的区域中的图案孔421。因此，第二堆叠结构250a仅形成在透射区域TA中。然而，一个或更多个实施例不限于此。第二掩模420中的图案孔421可以被各种地修改。
图10A和图10B是示出根据实施例的以处理顺序制造显示设备1的方法的剖视图。
参照图10A，可以通过使用图9的第一掩模410来获得第二盖区域251b和第一辅助盖层251c。第一辅助盖层251c可以具有与第二盖区域251b的厚度相等的厚度。
参照图10B，可以通过使用图9的第二掩模420来获得第二辅助盖层251d。第一盖区域251a可以包括第一辅助盖层251c和第二辅助盖层251d。因为第二掩模420中的图案孔421被布置为与第二辅助盖层251d对应，因此第二辅助盖层251d可以仅形成在透射区域TA中。因此，第一盖区域251a和第二盖区域251b可以形成为具有不同的厚度，第一盖区域251a具有厚度t1，第二盖区域251b具有厚度t2。
以与以上相同的方式，可以通过使用第二掩模420来获得具有不同厚度的区域的光提取层253和具有不同厚度的区域的第一无机封装层310。
在下文中，将基于模拟结果详细描述红外线透射率的变化。
图11A示出了常规的显示设备的剖视图，其中透射区域TA中的堆叠结构与显示区域DA中的堆叠结构和辅助像素区域中的堆叠结构相同。
在常规的显示设备中，盖层251具有1.79的折射率和83nm的厚度。此外，光提取层253具有1.29的折射率和20nm的厚度。光提取层253可以包括LiF。第一无机封装层310具有1025nm的厚度和1.75的折射率。
[实例1]
图11B是示出当将第一盖区域251a的厚度t1改变为83nm、90nm、100nm和110nm中的一者并且改变第一光提取区域253a的厚度t3时测量的红外线透射率的图。
当第一盖区域251a的厚度t1和第一光提取区域253a的厚度t3改变时，当第一盖区域251a的厚度t1为100nm并且第一光提取区域253a的厚度t3为160nm时，与以上公开的常规显示设备相比，红外线透射率提高了多达12.21％。
[实例2]
图11C是示出当第一盖区域251a的厚度t1为83nm并且盖层251的折射率为1.79时，根据第一光提取区域253a的厚度t3的红外线透射率的图。
当第一光提取区域253a的厚度t3为200nm时，与以上公开的常规显示设备相比，红外线透射率提高了多达11.68％。
[实例3]
图11D是示出当光提取层253的折射率为1.29并且第一光提取区域253a的厚度t3为20nm时，在将盖层251的折射率改变为1.79、1.84、1.9、2.0和2.1时测量的可见光线透射率和红外线透射率的图。
在盖层251的折射率从1.79增加到2.1时，透射区域TA的红外线透射率提高了多达7.57％，而显示区域DA的可见光线透射率恒定地保持在约16％。
根据实施例的显示设备，像素部分和具有改善的光透射率的透射区域布置在与诸如传感器等的组件对应的传感器区域中，因此，图像可以实现在与组件叠置的区域中，同时提供其中可以操作组件的环境。
因此，可以提供具有各种功能和改善的质量的显示设备。
应理解的是，这里描述的实施例应仅以描述性意义来考虑，而不是出于限制的目的。每个实施例内的特征或方面的描述通常应被认为可用于其他实施例中的其他类似特征或方面。虽然已经参照图描述了一个或更多个实施例，但是本领域的普通技术人员将理解的是，在不脱离如权利要求限定的精神和范围的情况下，可以在其中作出形式和细节上的各种改变。
Claims (10)
1.一种显示设备，所述显示设备包括显示区域和传感器区域，所述显示区域包括主像素，并且所述传感器区域包括辅助像素和透射区域，
其中，所述显示设备包括：
基底；
多个显示元件，包括在所述主像素中的每个和所述辅助像素中的每个中；
第一堆叠结构，与所述多个显示元件叠置；
第二堆叠结构，与所述透射区域叠置；以及
薄膜封装层，覆盖所述第一堆叠结构和所述第二堆叠结构，
其中，所述第一堆叠结构具有与所述第二堆叠结构的厚度不同的厚度。
2.根据权利要求1所述的显示设备，其中，
所述第一堆叠结构和所述第二堆叠结构中的每个包括盖层和设置在所述盖层上的光提取层，
所述薄膜封装层设置在所述光提取层上并且包括第一无机封装层，并且
所述光提取层的折射率小于所述盖层的折射率和所述第一无机封装层的折射率。
3.根据权利要求2所述的显示设备，其中，
所述盖层包括：第一盖区域，设置在所述透射区域中；以及第二盖区域，设置在所述多个显示元件之上，并且
所述第一盖区域具有比所述第二盖区域的厚度大的厚度。
4.根据权利要求3所述的显示设备，其中，
所述光提取层包括：第一光提取区域，设置在所述透射区域中；以及第二光提取区域，设置在所述多个显示元件之上，并且
所述第一光提取区域具有比所述第二光提取区域的厚度大的厚度。
5.根据权利要求2所述的显示设备，其中，
所述光提取层包括：第一光提取区域，设置在所述透射区域中；以及第二光提取区域，设置在所述多个显示元件之上，并且
所述第一光提取区域具有比所述第二光提取区域的厚度大的厚度。
6.根据权利要求2所述的显示设备，其中，
所述盖层的所述折射率与所述光提取层的所述折射率之间的差大于或等于0.5，并且
所述第一无机封装层的所述折射率与所述光提取层的所述折射率之间的差大于或等于0.46。
7.根据权利要求2所述的显示设备，其中，
所述盖层包括：第一盖区域，设置在所述透射区域中；以及第二盖区域，设置在所述多个显示元件之上，
所述光提取层包括：第一光提取区域，设置在所述第一盖区域之上；以及第二光提取区域，设置在所述第二盖区域之上，并且
所述盖层的所述折射率大于或等于1.79且小于或等于2.2。
8.根据权利要求1所述的显示设备，其中，
所述多个显示元件包括形成为单片以覆盖所述多个显示元件的对电极，并且所述对电极包括对应于所述透射区域设置的开口。
9.根据权利要求1所述的显示设备，其中，
所述多个显示元件包括形成为单片以覆盖所述多个显示元件的对电极，并且
所述对电极包括：第一区域，对应于所述多个显示元件设置；以及第二区域，对应于所述透射区域设置，所述第二区域具有比所述第一区域的厚度小的厚度。
10.根据权利要求1所述的显示设备，所述显示设备还包括：
红外线传感器，位于所述基底的下表面上，所述红外线传感器对应于所述传感器区域设置。
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