CN113921571A - 显示设备及其制造方法 - Google Patents

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朴熙敏
沈龙燮
李娟和
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Abstract

公开了一种显示设备及其制造方法。所述显示设备包括：基底，包括显示区域和与显示区域相邻的外围区域，显示区域包括透射区域和像素区域；显示元件，与像素区域对应地设置，显示元件包括像素电极、在像素电极上的中间层和在中间层上的对电极；疏水层，与透射区域对应地设置；以及多个细颗粒，设置在疏水层上，所述多个细颗粒和对电极包括相同的材料。

Description

显示设备及其制造方法
本申请要求于2020年7月10日在韩国知识产权局(KIPO)提交的第10-2020-0085677号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请的全部内容通过引用包含于此。
技术领域
公开涉及一种显示设备和制造该显示设备的方法，更具体地，涉及一种包括扩展显示区域的显示设备以及制造该显示设备的方法，该扩展显示区域即使在其中布置有组件的区域中也能够显示图像。
背景技术
近来，显示设备的使用已经多样化。此外，显示设备已经变得又薄又轻，因此，显示设备的使用已经扩大。
由于显示设备以各种方式使用，因此可以使用各种方法来设计显示设备的形状。另外，可以添加或链接到显示设备的功能的数量正在增加。
发明内容
为了增加可以添加或链接到显示设备的功能的数量，一个或更多个实施例包括包含显示区域的显示设备，该显示区域包括其中可以布置有诸如传感器或相机的组件的第一区域。然而，这仅仅是示例，并且公开的范围不由此限制。
另外的方面将在下面的描述中被部分地阐述，并且部分地通过该描述将是明显的，或者可以通过给出的公开的实施例的实践而获知。
根据一个或更多个实施例，显示设备可以包括：基底，包括包含透射区域和像素区域的显示区域以及与显示区域相邻的外围区域；显示元件，与像素区域对应地设置，显示元件包括像素电极、像素电极上的中间层和中间层上的对电极；疏水层，与透射区域对应地设置；以及多个细颗粒，设置在疏水层上，多个细颗粒和对电极包括相同的材料。
在实施例中，疏水层可以包括在末端处包含至少一个-CF3基团的氟类分子。
在实施例中，中间层可以包括：发射层，在像素电极上；以及电子传输层和电子注入层，电子传输层和电子注入层设置在发射层与对电极之间，并且疏水层可以直接设置在电子传输层上。
在实施例中，电子注入层可以包括金属材料。
在实施例中，中间层可以包括：发射层，在像素电极上；以及电子传输层和电子注入层，电子传输层和电子注入层设置在发射层与对电极之间，并且疏水层可以直接设置在电子注入层上。
在实施例中，多个细颗粒中的每个细颗粒可以具有在大约1nm至大约10nm的范围内的直径。
在实施例中，在相同的区域中，多个细颗粒的体积比可以是对电极的体积比的大约30％或更小。
在实施例中，显示设备还可以包括与显示区域对应地设置在对电极上的盖层。
在实施例中，盖层可以包括与透射区域对应的开口。
在实施例中，显示设备还可以包括设置在盖层上的薄膜封装层，薄膜封装层包括至少一个无机封装层和至少一个有机封装层，其中，所述至少一个无机封装层可以直接接触多个细颗粒并且与透射区域对应。
在实施例中，盖层可以具有在大约1.7至大约1.99的范围内的折射率。
在实施例中，显示设备还可以包括与透射区域对应地设置在疏水层上方的光学功能层，其中，光学功能层可以具有在大约1.3至大约1.6的范围内的折射率。
在实施例中，光学功能层可以直接接触多个细颗粒。
在实施例中，盖层可以与透射区域对应地设置在光学功能层上。
在实施例中，对电极可以包括与透射区域对应的开口。
在实施例中，多个细颗粒可以具有亲水性。
根据一个或更多个实施例，一种制造显示设备的方法可以包括以下步骤：准备包括显示区域和与显示区域相邻的外围区域的基底，显示区域包括透射区域和像素区域；与像素区域对应地形成像素电极；与像素区域和透射区域对应地在像素电极上形成中间层；与透射区域对应地形成疏水层；以及在像素区域和透射区域中，将电极材料施加到中间层和疏水层上。
在实施例中，施加电极材料的步骤可以包括：与像素区域对应地在中间层上形成对电极；以及与透射区域对应地在疏水层上形成多个细颗粒。
在实施例中，可以同时执行形成对电极的步骤和形成多个细颗粒的步骤。
在实施例中，电极材料可以具有亲水性，并且形成对电极的步骤可以包括通过疏水层而仅在像素区域中形成对电极。
通过附图、权利要求和具体实施方式，将更好地理解公开的其它方面、特征和优点。
这些一般和特定方面可以通过使用系统、方法、计算机程序或它们的任何组合来实现。
附图说明
通过以下结合附图的描述，公开的某些实施例的上述和其它方面、特征和优点将更加明显，在附图中：
图1是示意性地示出根据实施例的显示设备的平面图；
图2是沿线A-A'截取并且示意性地示出根据实施例的显示设备的一部分的剖视图；
图3是根据实施例的显示设备中的像素的示意性等效电路图；
图4是示意性地示出根据实施例的显示设备中的第一区域的一部分的剖视图；
图5是图4的部分B的示意性放大剖视图；
图6A至图6C示出了对电极和细颗粒的透射电子显微镜(TEM)图像；
图7和图8是示意性地示出图4的变型的剖视图；
图9和图10是示意性地示出根据实施例的显示设备的一部分的剖视图；
图11和图12是示意性地示出根据实施例的显示设备的一部分的剖视图；
图13和图14是示意性地示出根据实施例的显示设备的一部分的剖视图；
图15是示出根据疏水层的存在或不存在，透射区域的透射率的变化的实验图；以及
图16A至图16D是示意性地示出根据实施例的制造显示设备的工艺的一部分的剖视图。
具体实施方式
现在将详细参照其示例在附图中示出的实施例，其中，同样的附图标记始终表示同样的元件。在这方面，实施例可以具有不同的形式，而不应被解释为限于在此所阐述的描述。因此，下面仅通过参照附图来描述一些实施例，以解释描述的多个方面。如在此使用的，术语“和/或”包括相关所列项中的一个或更多个的任何组合和所有组合。在说明书和权利要求书中，出于其含义和解释的目的，短语“……中的至少一个(种/者)”旨在包括“从……的组中选择的至少一个(种/者)”的含义。例如，“A和B中的至少一个(种/者)”可以被理解为表示“A、B、或A和B”。
因为公开可以具有各种变型实施例，所以一些实施例在附图中示出并且在具体实施方式中描述。当参考参照附图描述的实施例时，公开的效果和特性以及实现这些效果和特性的方法将是明显的。然而，公开可以以许多不同的形式实施，而不应被解释为限于在此阐述的实施例。
下面将参照附图更详细地描述公开的一个或更多个实施例。无论附图编号如何，相同的组件都被赋予相同的附图标记，并且可以省略冗余的说明。
将理解的是，尽管在此可以使用术语“第一”、“第二”等来描述各种元件，但这些元件不应受这些术语限制。这些术语仅用于将一个元件与另一元件区分开。
除非以单数形式使用的表达在上下文中明确具有不同的含义，否则它涵盖复数形式的表达。
还将理解的是，在此使用的术语“包括”、“包含(include)”及其变型说明存在所陈述的特征或元件，但不排除存在或添加一个或更多个其它特征或元件。
将理解的是，当层、区域或元件被称为“形成在”另一层、区域或元件“上”时，该层、区域或元件可以直接或间接地形成在所述另一层、区域或元件上。例如，可以存在中间层、中间区域或中间元件。
将理解的是，当层、区域或组件被称为连接到另一层、区域或组件时，该层、区域或组件可以直接或间接地连接到所述另一层、区域或组件。例如，可以存在中间层、中间区域或中间组件。在以下实施例中，将理解的是，当层、区域或元件被称为“电连接到”或“电结合到”另一层、区域和元件时，该层、区域或元件可以直接或间接地电连接或电结合到所述另一层、区域或元件。例如，可以存在中间层、中间区域或中间元件。
x轴、y轴和z轴不限于直角坐标系的三个轴，而可以以更宽泛的含义进行解释。例如，x轴、y轴和z轴可以彼此垂直，或者可以表示彼此不垂直的不同方向。
当可以不同地实施某个实施例时，可以与所描述的顺序不同地执行特定的工艺顺序。例如，可以基本同时执行或者以与所描述的顺序相反的顺序执行两个连续描述的工艺。
为了便于说明，可以夸大附图中的元件的尺寸。换言之，因为为了便于说明而任意地示出附图中的组件的尺寸和厚度，所以以下实施例不限于此。
除非在此另有定义或暗示，否则在此使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开所属领域的技术人员通常理解的含义相同的含义。还将理解的是，除非在说明书中清楚地定义，否则术语(诸如在通用词典中定义的术语)应被解释为具有与它们在相关领域和公开的上下文中的含义一致的含义，而不应以理想化或过于形式化的含义进行解释。
在下文中，尽管将有机发光显示设备描述为根据实施例的显示设备1的示例，但根据公开的显示设备1不限于此。在另一实施例中，根据公开的显示设备1可以包括无机发光显示设备、无机电致发光(EL)显示设备或量子点发光显示设备。例如，设置在显示设备1中的显示元件的发射层可以包括有机材料、无机材料、量子点、有机材料和量子点、或者无机材料和量子点。
图1是示意性地示出根据实施例的显示设备1的平面图。
参照图1，显示设备1可以包括显示区域DA和在显示区域DA外部的外围区域NDA。显示区域DA可以包括被定义为辅助显示区域或组件区域的第一区域DA1以及被定义为至少部分地围绕第一区域DA1的主显示区域的第二区域DA2。例如，第一区域DA1和第二区域DA2可以单独或一起显示图像。
外围区域NDA可以是其中不布置显示元件的非显示区域。显示区域DA可以完全被外围区域NDA围绕。
图1示出了一个第一区域DA1位于第二区域DA2中。在另一实施例中，显示设备1可以包括至少两个第一区域DA1，并且所述至少两个第一区域DA1可以具有不同的形状和尺寸。当在基本垂直于显示设备1的上表面的方向上(或在平面图中)观看时，第一区域DA1可以具有各种形状。例如，第一区域DA1可以具有多边形形状(诸如四边形、六边形或八边形)、圆形形状、椭圆形形状、星形形状或菱形形状。当在基本垂直于显示设备1的上表面的方向上观看时，图1示出了第一区域DA1布置在显示区域DA的(+y方向的)上部中央中，显示区域DA包括均具有大致圆角矩形形状的角，但第一区域DA1也可以布置在显示区域DA的一侧(例如，显示区域DA的右上侧或左上侧)处。
第一区域DA1可以包括像素区域PA和透射区域TA。可以设置像素区域PA和透射区域TA。像素区域PA和透射区域TA可以交替布置。像素可以布置在像素区域PA中，并且像素不布置在透射区域TA中。透射区域TA可以是其中构成显示层DSL(见图2)的元件的布置被最小化的区域。透射区域TA可以使光透射穿过基底100(见图2)。
第一像素P1可以布置在第一区域DA1的像素区域PA中。每个第一像素P1表示一子像素，并且可以由诸如有机发光二极管(OLED)的显示元件来实现。第一像素P1可以发射例如红光、绿光、蓝光或白光。
透射区域TA可以围绕第一像素P1。作为另一示例，透射区域TA可以与第一像素P1交替地布置。
第一区域DA1可以包括透射区域TA，因此第一区域DA1的分辨率会低于第二区域DA2的分辨率。例如，第一区域DA1的分辨率可以是第二区域DA2的分辨率的大约1/2、3/8、1/3、1/4、2/9、1/8、1/9或1/16。例如，第一区域DA1的分辨率可以是大约200ppi或大约100ppi，第二区域DA2的分辨率可以是大约400ppi或更大。
第二像素P2可以布置在第二区域DA2中。每个第二像素P2表示一子像素，并且可以由诸如有机发光二极管(OLED)的显示元件来实现。第二像素P2可以发射例如红光、绿光、蓝光或白光。
显示设备1可以通过第一区域DA1和第二区域DA2提供图像。
如下面参照图2所描述的，作为电子元件的组件20可以与第一区域DA1对应地布置在显示面板10下方。
在光透射穿过第一区域DA1的情况下，根据实施例的显示设备1可以具有大约10％或更大的透光率。具体地，透光率可以为大约40％或更大、大约25％或更大、大约50％或更大、大约85％或更大或者大约90％或更大。
图2是示意性地示出根据实施例的显示设备1的一部分的剖视图。
参照图2，显示设备1可以包括显示面板10和与显示面板10叠置的组件20。覆盖窗(未示出)可以进一步布置在显示面板10上方以保护显示面板10。
显示面板10可以包括基底100、显示层DSL、薄膜封装层300和布置在基底100下方的面板保护层PPL。尽管未示出，但触摸感测层和/或偏振层可以进一步定位在薄膜封装层300上。
基底100可以包括诸如玻璃、石英和聚合物树脂的绝缘材料。基底100可以是可弯曲、可折叠或可卷曲的刚性或柔性基底。在实施例中，基底100可以具有多层结构，并且可以包括至少一个有机层和至少一个无机层。
显示层DSL可以包括：像素电路层PCL，包括薄膜晶体管TFT；以及显示元件层DEL，包括有机发光二极管OLED作为显示元件。包括薄膜晶体管TFT以及与其电连接的有机发光二极管OLED的第一像素P1和第二像素P2可以与显示区域DA对应地布置在显示层DSL中。
包括薄膜晶体管TFT以及与其电连接的有机发光二极管OLED的第一像素P1可以布置在第一区域DA1中。尽管图2示出了像素区域PA中包括单个第一像素P1，但每个像素区域PA中可以包括多个第一像素P1。
不包括显示元件的透射区域TA可以位于第一区域DA1的像素区域PA之间。透射区域TA可以是从组件20发射的光或信号或者入射到组件20上的光或信号透射穿过的区域。无机绝缘层IL的与透射区域TA对应的至少一部分可以被去除，而其其它部分可以布置在透射区域TA上。如上所述，透射区域TA的透光率可以通过去除无机绝缘层IL的与透射区域TA对应的一部分来改善。
组件20可以与第一区域DA1对应地定位。组件20可以是使用光或声音的电子元件。例如，组件20可以包括被构造为接收和使用光的传感器(例如，红外传感器)、被构造为输出和检测光或声音以测量距离的传感器、被构造为识别指纹的传感器、被构造为输出光的小灯、被构造为输出声音的扬声器、包括成像器件的相机等。在组件20是使用光的电子元件的情况下，组件20可以使用各种波段的光，诸如可见光、红外光和紫外光。例如，组件20可以包括太阳能电池、闪光灯、照度传感器、接近传感器、虹膜传感器或相机。为了减少对组件20的功能的限制，透射区域TA可以布置在第一区域DA1中。透射区域TA可以将从组件20输出的光和/或声音透射到外部或者透射从外部朝向组件20行进的光和/或声音。
在实施例中，组件20可以布置在第一区域DA1中。组件20可以具有不同的功能。例如，组件20可以包括从相机(或成像器件)、太阳能电池、闪光灯、接近传感器、照度传感器和虹膜传感器中选择的至少两种组件。
背金属层BML可以布置在第一区域DA1中。背金属层BML可以与像素区域PA对应地布置。背金属层BML可以防止外部光(例如，从组件20发射的光)到达第一像素P1。背金属层BML可以防止在外部光穿过线CL之间时光被反射或衍射。因此，可以防止第一区域DA1中的图像失真(例如，耀斑、混浊等)。
在实施例中，可以向背金属层BML施加恒定电压或信号，以防止由于静电放电而损坏像素电路PC(见图3)。在另一实施例中，可以向与不同像素区域PA对应地布置的背金属层BML施加不同的电压。
薄膜封装层300可以包括至少一个无机封装层和至少一个有机封装层。薄膜封装层300可以布置在透射区域TA上。在实施例中，薄膜封装层300可以用作用于密封显示元件层DEL的封装构件，但公开不限于此。例如，可以使用通过密封剂或玻璃料结合到基底100的密封基底作为用于密封显示元件层DEL的构件。
面板保护层PPL可以附着到基底100的下部以支撑和保护基底100。面板保护层PPL可以包括与第一区域DA1对应的开口PPL-OP。面板保护层PPL可以包括开口PPL-OP，因此可以改善第一区域DA1的透光率。面板保护层PPL可以包括聚对苯二甲酸乙二醇酯或聚酰亚胺。例如，开口PPL-OP的面积可以小于第一区域DA1的面积。
覆盖窗(未示出)可以布置在显示面板10上方以保护显示面板10。
图3是根据实施例的显示设备1中的第一像素P1的等效电路图。
参照图3，第一像素P1可以包括：像素电路PC，连接到驱动电压线PL、扫描线SL和数据线DL；以及有机发光二极管OLED，连接到像素电路PC。
像素电路PC可以包括驱动薄膜晶体管Td、开关薄膜晶体管Ts和存储电容器Cst。开关薄膜晶体管Ts可以电连接到扫描线SL和数据线DL，并且可以被构造为根据通过扫描线SL输入的扫描信号Sn将通过数据线DL输入的数据信号Dm传输到驱动薄膜晶体管Td。
存储电容器Cst可以电连接到开关薄膜晶体管Ts和驱动电压线PL，并且可以被构造为存储与从开关薄膜晶体管Ts接收的电压和供应到驱动电压线PL的第一电源电压(例如，驱动电压)ELVDD之间的差对应的电压。
驱动薄膜晶体管Td可以电连接到驱动电压线PL和存储电容器Cst，并且可以被构造为根据存储在存储电容器Cst中的电压值来控制从驱动电压线PL流到有机发光二极管OLED的驱动电流。有机发光二极管OLED可以根据第二电源电压(例如，共电压)ELVSS和驱动电流发射具有预定亮度的光。
图3示出了其中像素电路PC包括两个薄膜晶体管和一个存储电容器的情况，但公开不限于此。在另一实施例中，像素电路PC可以包括七个薄膜晶体管和一个存储电容器。在另一实施例中，像素电路PC可以包括两个或更多个存储电容器。
在实施例中，第二像素P2和第一像素P1可以具有相同或不同的像素电路结构。例如，第一像素P1可以包括包含两个薄膜晶体管和一个存储电容器的像素电路PC，第二像素P2可以包括包含七个薄膜晶体管和一个存储电容器的像素电路PC。
图4是示意性地示出根据实施例的显示设备1中的第一区域DA1的一部分的示意性剖视图，图5是图4的部分B的示意性放大剖视图。图7和图8是图4的变型的示意性剖视图。
参照图4，基底100可以包括聚合物树脂。聚合物树脂的示例可以包括聚醚砜、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚苯硫醚、聚芳酯、聚酰亚胺、聚碳酸酯和乙酸丙酸纤维素。在实施例中，基底100可以包括至少一个包含有机材料的有机基体层和至少一个无机基体层。
阻挡层111a可以布置在基底100上。在实施例中，如图4中所示，阻挡层111a可以遍及像素区域PA和透射区域TA布置在第一区域DA1的整个表面上。在另一实施例中，阻挡层111a可以不布置在透射区域TA中。阻挡层111a可以减少或阻挡异物、湿气或外部空气从基底100的底部渗透，并且可以在基底100上提供平坦表面。阻挡层111a可以包括诸如氧化物或氮化物的无机材料或者有机和无机复合材料，并且可以具有单层结构或多层结构。例如，阻挡层111a可以包括氮化硅(SiNX)、氧化硅(SiOX)和/或氮氧化硅(SiON)。
第一像素P1可以对应于像素区域PA。尽管图4仅示出了第一区域DA1中的第一像素P1的堆叠结构，但第二区域DA2中的第二像素P2的堆叠结构也可以与图4中所示的堆叠结构基本相同。然而，在实施例中，在第二区域DA2中，背金属层BML可以不布置在第二像素P2下方。
像素区域PA可以包括绝缘层、薄膜晶体管TFT、存储电容器Cst和有机发光二极管OLED。透射区域TA可以包括透射孔HT，透射孔HT是通过去除一些绝缘层以确保透射率而形成的开口。
背金属层BML可以布置在第一像素P1的薄膜晶体管TFT下方或下面，并且可以与薄膜晶体管TFT叠置。如图4中所示，在阻挡层111a形成在基底100上之后，背金属层BML可以布置在阻挡层111a上，或者可以直接布置在基底100上。
在另一实施例中，可以省略与薄膜晶体管TFT叠置的背金属层BML。在另一实施例中，多个背金属层BML可以设置在第一区域DA1中，并且一些背金属层BML可以布置在不同的层上。背金属层BML可以布置在第一像素P1下方，以防止布置在第一像素P1中的薄膜晶体管TFT由于组件20而损坏或劣化。
背金属层BML可以通过接触孔连接到布置在另一层上的导电层ML。背金属层BML可以从导电层ML接收恒定电压或信号。例如，背金属层BML可以接收驱动电压ELVDD、初始化电压或扫描信号。因为背金属层BML接收恒定电压或信号，所以可以显著降低静电放电发生的概率。在另一实施例中，所有背金属层BML都可以不接收电信号。在另一实施例中，在设置背金属层BML的情况下，可以进行各种修改。例如，背金属层BML中的至少一个背金属层BML可以是电隔离的，而其它的背金属层BML可以接收电信号。
背金属层BML可以包括铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)和/或铜(Cu)。背金属层BML可以包括包含上述材料的单层或多层。
缓冲层111b可以布置在背金属层BML上。薄膜晶体管TFT可以布置在缓冲层111b上方。薄膜晶体管TFT可以包括作为电极层的半导体层AL、栅电极GE以及源电极SE和漏电极DE。薄膜晶体管TFT可以电连接到有机发光二极管OLED并且可以驱动有机发光二极管OLED。
半导体层AL可以布置在缓冲层111b上，并且可以包括多晶硅。在另一实施例中，半导体层AL可以包括非晶硅。在另一实施例中，半导体层AL可以包括从由铟(In)、镓(Ga)、锡(Sn)、锆(Zr)、钒(V)、铪(Hf)、镉(Cd)、锗(Ge)、铬(Cr)、钛(Ti)和锌(Zn)组成的组中选择的至少一种的氧化物。半导体层AL可以包括沟道区以及掺杂有杂质的源区和漏区。
半导体层AL可以与背金属层BML叠置且其间具有缓冲层111b。在实施例中，半导体层AL的宽度可以小于背金属层BML的宽度。因此，当在垂直于基底100的方向上(或在平面图中)投影时，整个半导体层AL可以与背金属层BML叠置。在另一实施例中，背金属层BML可以与像素区域PA对应。在这种情况下，多个半导体层AL可以与背金属层BML叠置。
第一栅极绝缘层112可以覆盖半导体层AL或与半导体层AL叠置。第一栅极绝缘层112可以包括无机绝缘材料，诸如氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)或氧化锌(ZnOx)，氧化锌(ZnOx)可以是ZnO和/或ZnO2。第一栅极绝缘层112可以是包括上述无机绝缘材料的单层或多层。
栅电极GE可以布置在第一栅极绝缘层112上并且与半导体层AL叠置。栅电极GE可以包括钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)、钛(Ti)等，并且可以包括单层或多层。例如，栅电极GE可以是单个Mo层。
第二栅极绝缘层113可以覆盖栅电极GE或与栅电极GE叠置。第二栅极绝缘层113可以包括无机绝缘材料，诸如氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)或氧化锌(ZnOx)，氧化锌(ZnOx)可以是ZnO和/或ZnO2。第二栅极绝缘层113可以是包括上述无机绝缘材料的单层或多层。
存储电容器Cst的第二电极CE2可以布置在第二栅极绝缘层113上方或上。在根据实施例的像素电路PC中，第二电极CE2可以与布置在其下方的栅电极GE叠置。彼此叠置且其间具有第二栅极绝缘层113的栅电极GE和第二电极CE2可以形成(或构成)存储电容器Cst。栅电极GE可以是存储电容器Cst的第一电极CE1。
第二电极CE2可以包括铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)和/或铜(Cu)，并且可以包括包含上述材料的单层或多层。
层间绝缘层115可以覆盖第二电极CE2或与第二电极CE2叠置。层间绝缘层115可以包括氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)或氧化锌(ZnOx)，氧化锌(ZnOx)可以是ZnO和/或ZnO2。
在实施例中，布置在阻挡层111a上的缓冲层111b、第一栅极绝缘层112、第二栅极绝缘层113和层间绝缘层115可以统一定义为无机绝缘层IL。
源电极SE和漏电极DE可以布置在层间绝缘层115上。源电极SE和漏电极DE可以各自包括包含钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)、钛(Ti)等的导电材料，并且可以各自包括包含上述材料的单层或多层。例如，源电极SE和漏电极DE可以各自具有Ti/Al/Ti的多层结构。
第一有机绝缘层117可以覆盖源电极SE和漏电极DE或与源电极SE和漏电极DE叠置。第一有机绝缘层117可以包括平坦的上表面，使得布置在其上方的像素电极210可以是平坦的。
第二有机绝缘层118可以布置在第一有机绝缘层117上。接触金属CM可以在第一有机绝缘层117与第二有机绝缘层118之间。接触金属CM可以通过形成在第一有机绝缘层117和第二有机绝缘层118中的接触孔使漏电极DE电连接到像素电极210。
第一有机绝缘层117和第二有机绝缘层118可以包括包含有机材料或无机材料的单层或多层。第一有机绝缘层117和第二有机绝缘层118可以各自包括通用聚合物(例如，苯并环丁烯(BCB)、聚酰亚胺、六甲基二硅氧烷(HMDSO)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)或聚苯乙烯(PS))、包括酚类基团的聚合物衍生物、丙烯酰类聚合物、酰亚胺类聚合物、芳基醚类聚合物、酰胺类聚合物、氟类聚合物、对二甲苯类聚合物、乙烯醇类聚合物和它们的任何共混物。第一有机绝缘层117和第二有机绝缘层118可以各自包括氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)或氧化锌(ZnOx)，氧化锌(ZnOx)可以是ZnO和/或ZnO2。
有机发光二极管OLED可以布置在第二有机绝缘层118上。有机发光二极管OLED可以包括像素电极210、包括发射层222的中间层220和对电极230。
像素电极210可以包括导电氧化物，诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、氧化铟镓(IGO)或氧化铝锌(AZO)。在另一实施例中，像素电极210可以包括反射层，该反射层包括银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)或它们的任何混合物。在另一实施例中，像素电极210还可以在反射层上方和/或下方包括包含ITO、IZO、ZnO或In2O3的层。例如，像素电极210可以具有ITO/Ag/ITO的堆叠结构。
与像素限定层对应的第三有机绝缘层119可以覆盖像素电极210的每个边缘或与像素电极210的每个边缘叠置。第三有机绝缘层119可以包括与像素电极210叠置并限定像素(例如，第一像素P1)的发射区域的开口OP。开口OP可以被限定为第一像素P1中的发射区域。第三有机绝缘层119可以增加像素电极210的边缘与设置在像素电极210上方的对电极230之间的距离，从而防止在像素电极210的边缘处产生电弧等。第三有机绝缘层119可以包括诸如聚酰亚胺、聚酰胺、丙烯酸树脂、苯并环丁烯、六甲基二硅氧烷(HMDSO)和酚醛树脂的有机绝缘材料，并且可以通过旋涂等形成。
第三有机绝缘层119可以包括与透射区域TA对应的第三孔H3。第三孔H3可以与透射孔HT的至少一部分叠置。第一孔H1、第二孔H2和第三孔H3可以与透射区域TA对应，因此可以改善透射区域TA的透光率。下面将描述的中间层220和对电极230可以布置在第一孔H1、第二孔H2和第三孔H3的内壁上。
第一公共层221可以与第三有机绝缘层119叠置。第一公共层221可以是单层或多层。第一公共层221可以包括具有单层结构的空穴传输层(在下文中，称为“HTL”)。例如，第一公共层221可以包括空穴注入层(在下文中，称为“HIL”)和HTL。
与像素电极210对应地形成的发射层222可以布置在第一公共层221上。发射层222可以包括高分子量材料或低分子量材料，并且可以发射红光、绿光、蓝光或白光。
第二公共层223可以布置在发射层222上。第二公共层223可以是单层或多层。第二公共层223可以包括电子传输层(在下文中，称为“ETL”)和/或电子注入层(在下文中，称为“EIL”)。在实施例中，ETL可以布置在发射层222上，EIL可以布置在ETL上。
第一公共层221和第二公共层223可以彼此成一体，以共同对应于包括在第一区域DA1和第二区域DA2中的第一像素P1和第二像素P2(见图2)。在另一实施例中，可以省略第一公共层221和/或第二公共层223。
对电极230可以布置在第二公共层223上方。对电极230可以包括具有低逸出功的导电材料。例如，对电极230可以包括透明(或半透明)层，该透明(或半透明)层包括银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)或它们的任何合金。作为另一示例，对电极230还可以在包括上述材料的透明层或半透明层上包括诸如ITO层、IZO层、ZnO层或In2O3层的层。对电极230可以在显示区域DA中一体地形成。
在实施例中，对电极230不设置在透射区域TA中。下面将详细描述对电极230。
盖层240可以形成在对电极230上，以改善从有机发光二极管OLED发射的光的光提取率。在实施例中，盖层240可以具有大约1.7至大约1.99的折射率，并且可以具有大约
Figure BDA0003156554750000141
至大约
Figure BDA0003156554750000142
的厚度。盖层240可以包括例如氟化锂(LiF)的金属材料。例如，盖层240可以包括无机绝缘材料(诸如氮化硅)和/或有机绝缘材料。在实施例中，可以省略盖层240。
有机发光二极管OLED可以由薄膜封装层300密封。薄膜封装层300可以布置在对电极230上。在盖层240形成在对电极230上的情况下，薄膜封装层300可以布置在盖层240上。薄膜封装层300可以防止外部湿气或异物渗透到有机发光二极管OLED中。
薄膜封装层300可以包括至少一个无机封装层和至少一个有机封装层。在这方面，图4示出了具有其中堆叠有第一无机封装层310、有机封装层320和第二无机封装层330的结构的薄膜封装层300。在另一实施例中，可以改变有机封装层的数量、无机封装层的数量和堆叠顺序。
第一无机封装层310、有机封装层320和第二无机封装层330可以布置在整个显示区域DA中，并且可以彼此成一体以覆盖第一区域DA1和第二区域DA2或与第一区域DA1和第二区域DA2叠置。因此，第一无机封装层310、有机封装层320和第二无机封装层330也可以布置在透射区域TA中。
在另一实施例中，有机封装层320可以一体地形成以覆盖第一区域DA1和第二区域DA2或与第一区域DA1和第二区域DA2叠置，但可以不存在于透射区域TA中。例如，有机封装层320可以包括与透射区域TA对应的开口。第一无机封装层310和第二无机封装层330可以在透射孔HT中彼此接触。
在另一实施例中，如图7中所示，根据实施例的显示设备1可以不包括薄膜封装层，而是替代地可以包括封装基底400作为封装构件。封装基底400可以包括诸如玻璃、石英或聚合物树脂的绝缘材料。尽管未示出，但封装基底400可以通过布置在外围区域NDA中的密封剂(例如，玻璃料等)结合到基底100。这样的结构可以防止外部湿气或异物渗透到有机发光二极管OLED中。
透射窗TW可以设置在透射区域TA中。透射窗TW可以将从组件20输出的光和/或声音透射到外部或者透射朝向组件20行进的光和/或声音。透射窗TW可以通过形成在无机绝缘层IL以及第一有机绝缘层117、第二有机绝缘层118和第三有机绝缘层119中的透射孔HT以及第一孔H1、第二孔H2和第三孔H3来实施或形成。
阻挡层111a的至少一部分可以布置在透射区域TA中。布置在透射区域TA中的阻挡层111a可以防止在制造包括有机材料的基底100的工艺期间产生的释气渗透到显示层DSL中。在另一实施例中，阻挡层111a可以不布置在透射区域TA中。在这种情况下，下面将描述的透射孔HT可以延伸到阻挡层111a，并且基底100可以通过透射孔HT被暴露。
无机绝缘层IL可以包括作为与透射区域TA对应的开口的透射孔HT。在图4中，透射孔HT可以暴露阻挡层111a。透射孔HT可以通过使缓冲层111b、第一栅极绝缘层112、第二栅极绝缘层113和层间绝缘层115的与透射区域TA对应的开口叠置而形成。开口可以通过单独的工艺单独形成，或者可以通过同一工艺同时形成。在通过单独的工艺形成开口的情况下，可以在透射孔HT的内表面上形成阶梯形台阶表面。
第一有机绝缘层117和第二有机绝缘层118可以分别包括与透射区域TA对应的第一孔H1和第二孔H2。第一孔H1和第二孔H2可以与透射孔HT的至少一部分叠置。第三有机绝缘层119可以包括与透射区域TA对应的第三孔H3。第三孔H3可以与透射孔HT对应。
在一方向(例如，x方向)上，第三孔H3的宽度可以大于第二孔H2的宽度，第二孔H2的宽度可以大于第一孔H1的宽度，第一孔H1的宽度可以大于透射孔HT的宽度。然而，公开不限于此，并且第一有机绝缘层117、第二有机绝缘层118和第三有机绝缘层119中的至少一个可以覆盖透射孔HT的内表面或与透射孔HT的内表面叠置。第一孔H1、第二孔H2和第三孔H3中的至少一个的宽度可以小于透射孔HT的宽度。
中间层220的发射层222可以仅形成在与每个像素(例如，第一像素P1)对应的像素区域PA中，但第一公共层221和第二公共层223可以布置在透射区域TA中。第一公共层221和第二公共层223可以遍及整个显示区域DA彼此成一体。
疏水层250可以布置在透射区域TA的第二公共层223上。在实施例中，疏水层250可以布置在第二公共层223的EIL(见图9的EIL 223b)上。在另一实施例中，如图9或图10中所示，疏水层250可以布置在ETL(见图9的ETL 223a)上，这将在下面描述。
疏水层250可以包括氟类有机材料。例如，疏水层250可以包括诸如全氟辛基三氯硅烷(perfluorooctyl-trichlorosilane)或全氟癸基三氯硅烷(perfluorodecyltrichlorosilane，FDTS)的全氟类材料、高度氟化的单体或低聚物材料、以及诸如聚四氟乙烯(PTFE)的聚合物材料。
在实施例中，疏水层250可以包括在其末端处包括至少一个-CF3基团的氟类分子。在其中两个氟原子结合到碳原子的-CF2官能团的情况下，表面能为大约18mJ/m2，这相对低于包括金属的大多数无机材料的表面能。此外，在其中三个氟原子结合到碳原子的-CF3官能团的情况下，表面能非常低(例如，大约6mJ/m2)。因此，包括包含-CF3基团的氟类分子的疏水层250可以防止在透射区域TA中形成金属层(例如，对电极)。
对电极230可以包括与透射区域TA对应的开口。如上所述，由于表面能的差异，对电极230无法形成在疏水层250上。例如，在制造工艺中，对电极230可以沉积在显示区域DA的整个表面上或施加到显示区域DA的整个表面上，但是选择性地可以不形成在其中布置有疏水层250的透射区域TA中。
细颗粒230P可以布置在透射区域TA的疏水层250上。细颗粒230P和对电极230可以包括相同的材料。沉积在透射区域TA上或施加到透射区域TA上的用于形成对电极230的材料在疏水层250上可以具有非常低的铺展性，因此不会具有像素区域PA一样的层形状，而是可以在疏水层250上以颗粒的形式团聚以形成细颗粒230P。
参照图5，细颗粒230P可以在疏水层250上彼此间隔开，并且一些细颗粒230P可以彼此接触。细颗粒230P可以不设置在疏水层250的整个表面上。细颗粒230P可以选择性地存在于疏水层250的一部分中。利用该结构，对电极230不存在于透射区域TA上，从而可以改善透射区域TA的透射率。
图6A至图6C示出了对电极230和细颗粒230P的透射电子显微镜(TEM)图像。
参照图5和图6A至图6C，每个细颗粒230P的直径D可以在大约1nm至大约10nm的范围内。像素区域PA中的对电极230的厚度H可以在大约7nm至大约10nm的范围内。因此，每个细颗粒230P的直径D可以为10nm或更小且大约1nm或更大。
如图6A中所示，对电极230可以布置在像素区域PA或除透射区域TA之外的显示区域DA中，并且EIL(见图9的EIL 223b)可以布置在对电极230下方。在图6A中，EIL 223b可以具有大约2.23nm的厚度，对电极230可以具有大约7.09nm的厚度。
图6B和图6C示出了细颗粒230P形成在透射区域TA中。如上所述，由于疏水层250，细颗粒230P可以不形成如图6A中所示的层，而可以形成为颗粒的形式。图6B和图6C示出了形成为具有小于对电极230的厚度的直径的细颗粒230P。
在实施例中，在相同的区域中，细颗粒230P的体积比可以是对电极230的体积比的大约30％或更小。这意味着，随着细颗粒230P的体积比降低，透射区域TA的透射率提高。因此，细颗粒230P的体积比可以是对电极230的体积比的大约30％或更小，但是随着细颗粒230P的体积比降低，可以有利地确保透射区域TA的透射率。
盖层240可以布置在透射区域TA的细颗粒230P上。图4示出了盖层240也布置在透射区域TA中，因此盖层240可以设置在显示区域DA的整个表面上，但公开不限于此。在盖层240布置在透射区域TA中的情况下，盖层240的至少一部分可以接触疏水层250。细颗粒230P可以在一些区域中彼此间隔开，并且盖层240可以在彼此间隔开的细颗粒230P之间的区域中接触疏水层250。
在另一实施例中，如图8中所示，盖层240可以被图案化以包括与透射区域TA对应的开口240OP。类似于对电极230，在盖层240布置在透射区域TA中的情况下，盖层240会作为削弱透射区域TA的透射率的因素。因此，盖层240可以被图案化以包括与透射区域TA对应的开口240OP，从而改善透射区域TA的透射率。在实施例中，盖层240的开口240OP可以通过使用阴影掩模来形成。
图8示出了盖层240的形成开口240OP的端部位于第三有机绝缘层119上方，但公开不限于此。在一方向(例如，x方向)上，盖层240的开口240OP的宽度可以等于或大于透射区域TA的宽度。
薄膜封装层300可以布置在盖层240上。如上所述，薄膜封装层300也可以布置在透射区域TA中。
图9和图10是示意性地示出根据实施例的显示设备的一部分的剖视图。
图9和图10的实施例类似于上述图4的实施例，但与图4的实施例的差异至少在于第二公共层223可以包括ETL 223a和EIL 223b，并且疏水层250可以直接布置在ETL 223a上。在下文中，将主要描述差异。
第二公共层223可以遍及显示区域DA的整个表面设置，并且可以包括ETL 223a和EIL 223b。如图9中所示，ETL 223a和EIL 223b可以与像素区域PA对应地顺序地堆叠在发射层222上，并且对电极230可以布置在EIL 223b上。
在透射区域TA中，疏水层250可以直接布置在ETL 223a上。换言之，在制造工艺中，在形成ETL 223a之后且在形成EIL 223b之前形成疏水层250。在疏水层250上不设置EIL223b，而可以部分地设置上述细颗粒230P。盖层240和薄膜封装层300可以布置在细颗粒230P上。
在实施例中，EIL 223b可以包括例如镱(Yb)的金属材料。EIL 223b可以包括金属材料，并且类似于对电极230，EIL 223b会作为削弱透射区域TA的透射率的因素。因此，在实施例中，可以在形成EIL 223b之前布置疏水层250。例如，疏水层250直接布置在ETL 223a上，使得EIL 223b由于疏水层250而不形成在透射区域TA中。
在另一实施例中，如图10中所示，盖层240可以被图案化以包括与透射区域TA对应的开口240OP。类似于对电极230，在盖层240布置在透射区域TA中的情况下，盖层240会作为削弱透射区域TA的透射率的因素。因此，盖层240可以被图案化以包括与透射区域TA对应的开口240OP，从而改善透射区域TA的透射率。
图11和图12是示意性地示出根据实施例的显示设备的一部分的剖视图。
图11和图12的实施例类似于上述图4的实施例，但与图4的实施例的差异至少在于在疏水层250上进一步设置了光学功能层260。在下文中，将主要描述差异。
光学功能层260可以与透射区域TA对应地布置在疏水层250上。光学功能层260可以具有小于盖层240的折射率的折射率。光学功能层260可以在透射区域TA中将光聚集，以改善发光效率。在实施例中，光学功能层260可以具有大约1.3至大约1.6的折射率，并且可以具有大约
Figure BDA0003156554750000193
至大约
Figure BDA0003156554750000194
的厚度。光学功能层260可以包括满足上述折射率的有机材料和/或无机材料。
盖层240可以布置在光学功能层260上。例如，在实施例中，盖层240也可以与显示区域DA的整个表面对应地布置在透射区域TA中。
在另一实施例中，如图12中所示，盖层240可以不布置在光学功能层260上。盖层240可以被图案化以包括与透射区域TA对应的开口240OP。类似于对电极230，在盖层240布置在透射区域TA中的情况下，盖层240会作为降低透射区域TA的透射率的因素。因此，盖层240可以被图案化以包括与透射区域TA对应的开口240OP，从而改善透射区域TA的透射率。在这种情况下，第一无机封装层310可以在透射区域TA中直接布置在光学功能层260上。图13和图14是示意性地示出根据实施例的显示设备的一部分的剖视图。
图13和图14的实施例类似于上述图4的实施例，但与图4的实施例的差异至少在于第二公共层223包括ETL 223a和EIL 223b，并且光学功能层260布置在疏水层250上。在下文中，将主要描述差异。
参照图13，第二公共层223可以包括ETL 223a和EIL 223b。ETL 223a和EIL 223b可以与像素区域PA对应地顺序地堆叠在发射层222上，并且对电极230可以布置在EIL 223b上。在实施例中，EIL 223b可以包括例如镱(Yb)的金属材料。因为EIL 223b包括金属材料，所以类似于对电极230，EIL 223b会作为降低透射区域TA的透射率的因素。
因此，在实施例中，疏水层250可以直接布置在ETL 223a上，使得EIL 223b由于疏水层250而不形成在透射区域TA中。
在透射区域TA中，光学功能层260可以布置在疏水层250上。光学功能层260可以具有小于盖层240的折射率的折射率。光学功能层260可以在透射区域TA中将光聚集，以改善发光效率。在实施例中，光学功能层260可以具有大约1.3至大约1.6的折射率，并且可以具有大约
Figure BDA0003156554750000191
至大约
Figure BDA0003156554750000192
的厚度。光学功能层260可以包括满足上述折射率的有机材料和/或无机材料。
盖层240可以布置在光学功能层260上。例如，在实施例中，盖层240也可以与显示区域DA的整个表面对应地布置在透射区域TA中。
在另一实施例中，如图14中所示，盖层240可以不布置在光学功能层260上。盖层240可以被图案化以包括与透射区域TA对应的开口240OP。类似于对电极230，在盖层240布置在透射区域TA中的情况下，盖层240会作为降低透射区域TA的透射率的因素。因此，盖层240可以被图案化以包括与透射区域TA对应的开口240OP，从而改善透射区域TA的透射率。在这种情况下，第一无机封装层310可以在透射区域TA中直接布置在光学功能层260上。
图15是示出根据疏水层250的存在或不存在，透射区域TA的透射率的变化的实验图。
参照图15以及上述实施例，为了形成与上述透射区域TA的条件相同的条件，在示例A的情况下，在玻璃基底上沉积第一公共层221和第二公共层223(例如，包括具有大约
Figure BDA0003156554750000201
的厚度的HIL/HTL/ETL结构)，在第一公共层221和第二公共层223上形成疏水层250，并且在其上形成对电极230(例如，具有大约
Figure BDA0003156554750000202
的厚度的AgMg层)。在对比示例B的情况下，在玻璃基底上沉积第一公共层221和第二公共层223(例如，包括具有大约
Figure BDA0003156554750000203
的厚度的HIL/HTL/ETL结构)，并且在第一公共层221和第二公共层223上直接形成对电极230(例如，具有大约
Figure BDA0003156554750000204
的厚度的AgMg层)。
如图15中所示，可以看出，根据疏水层250的存在或不存在，在大约450nm或更大的波长范围内，透射率的变化为10％或更大。例如，发现包括疏水层250的示例A的透射率比对比示例B的透射率高10％或更大。在示例A的情况下，在形成对电极230时，可以通过疏水层250容易地确保透射区域TA的透射率，而无需对应于透射区域TA的单独的图案化工艺。
尽管已经描述了显示设备，但公开不限于此。例如，制造显示设备的方法也将落入公开的范围内。
图16A至图16D是示意性地示出根据实施例的制造显示设备的工艺的一部分的剖视图。
参照图16A，在像素区域PA上形成像素电极210之后，可以形成第三有机绝缘层119以包括与像素电极210的边缘叠置并暴露像素电极210的中心部分的开口OP。像素电极210和第三有机绝缘层119可以不形成在透射区域TA上。为了便于描述，图16A至图16D示出了在基底100上直接形成像素电极210。然而，实际上，可以理解的是，如图4中所示，在基底100上形成包括薄膜晶体管、布线和绝缘层的各种元件之后，在其上形成像素电极210。
随后，如图16B中所示，可以在像素电极210上形成中间层220。更具体地，可以在像素电极210上形成第一公共层221，可以在第一公共层221上形成发射层222，并且可以在发射层222上形成第二公共层223。发射层222可以针对每个像素进行图案化且仅形成在像素电极210上，而第一公共层221和第二公共层223形成在像素区域PA和透射区域TA两者上。
接下来，如图16C中所示，可以在透射区域TA上形成疏水层250。疏水层250可以包括氟类有机材料，并且可以具有疏液性。疏水层250的基本特性可以与上面所描述的相同。可以通过使用诸如干膜形成、湿涂、丝网印刷、喷墨印刷等的沉积方法的工艺来形成疏水层250。
根据该实施例的疏水层250可以包括在其末端处包括至少一个-CF3基团的氟类分子，因此与包括金属的大多数无机材料的表面能相比，疏水层250的表面能可以非常低。在具有非常低的表面能的层上形成具有相对高的表面能的层的情况下，由于差的铺展性而通常无法形成上层。
接下来，如图16D中所示，可以将电极材料施加到像素区域PA和透射区域TA的整个表面上。施加到像素区域PA上的电极材料可以形成对电极230。施加到透射区域TA上的电极材料可以形成细颗粒230P。例如，像素区域PA上的电极材料可以在第二公共层223上形成为具有与对电极230的厚度相等的厚度的层，并且透射区域TA上的电极材料可以不在疏水层250上形成为层，而是可以形成为包括与对电极230的材料相同的材料的细颗粒230P。
如上所述，这意味着，由于疏水层250的表面能，电极材料无法像在像素区域PA中那样形成层，而是在疏水层250上以颗粒的形式聚集以形成细颗粒230P。在实施例中，在相同的区域中，细颗粒230P的体积比可以是对电极230的体积比的大约30％或更小。
如上所述，在根据实施例的显示设备1中，疏水层250可以设置在透射区域TA中，使得对电极230选择性地仅形成在像素区域PA中。因此，显示设备1可以防止在透射区域TA中形成对电极230而无需对对电极230进行图案化的工艺，从而改善透射区域TA的透射率。
根据一个或更多个实施例，提供了一种包括扩展显示区域的显示设备以及制造该显示设备的方法，该扩展显示区域即使在其中布置有组件的区域中也能够显示图像。公开的范围不受这些效果限制。
应理解的是，在此描述的实施例应仅以描述性含义而不是出于限制的目的进行考虑。每个实施例内的特征或方面的描述通常应被认为可适用于其它实施例中的其它类似特征或方面。虽然已经参照附图描述了一个或更多个实施例，但本领域普通技术人员将理解的是，在不脱离由权利要求限定的精神和范围的情况下，可以在其中进行形式和细节上的各种改变。

Claims (20)

1.一种显示设备，所述显示设备包括：
基底，包括：
显示区域，包括透射区域和像素区域；以及
外围区域，与所述显示区域相邻；
显示元件，与所述像素区域对应地设置，所述显示元件包括：
像素电极；
中间层，在所述像素电极上；以及
对电极，在所述中间层上；
疏水层，与所述透射区域对应地设置；以及
多个细颗粒，设置在所述疏水层上，所述多个细颗粒和所述对电极包括相同的材料。
2.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述疏水层包括在末端处包括至少一个-CF3基团的氟类分子。
3.根据权利要求1所述的显示设备，其中，
所述中间层包括：
发射层，在所述像素电极上；以及
电子传输层和电子注入层，所述电子传输层和所述电子注入层设置在所述发射层与所述对电极之间，并且
所述疏水层直接设置在所述电子传输层上。
4.根据权利要求3所述的显示设备，其中，所述电子注入层包括金属材料。
5.根据权利要求1所述的显示设备，其中，
所述中间层包括：
发射层，在所述像素电极上；以及
电子传输层和电子注入层，所述电子传输层和所述电子注入层设置在所述发射层与所述对电极之间，并且
所述疏水层直接设置在所述电子注入层上。
6.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述多个细颗粒中的每个细颗粒具有在1nm至10nm的范围内的直径。
7.根据权利要求1所述的显示设备，其中，在相同区域中，所述多个细颗粒的体积比为所述对电极的体积比的30％或更小。
8.根据权利要求1所述的显示设备，所述显示设备还包括与所述显示区域对应地设置在所述对电极上的盖层。
9.根据权利要求8所述的显示设备，其中，所述盖层包括与所述透射区域对应的开口。
10.根据权利要求9所述的显示设备，所述显示设备还包括设置在所述盖层上的薄膜封装层，所述薄膜封装层包括至少一个无机封装层和至少一个有机封装层，
其中，所述至少一个无机封装层直接接触所述多个细颗粒并且与所述透射区域对应。
11.根据权利要求8所述的显示设备，其中，所述盖层具有在1.7至1.99的范围内的折射率。
12.根据权利要求8所述的显示设备，所述显示设备还包括光学功能层，所述光学功能层与所述透射区域对应地设置在所述疏水层上方，
其中，所述光学功能层具有在1.3至1.6的范围内的折射率。
13.根据权利要求12所述的显示设备，其中，所述光学功能层直接接触所述多个细颗粒。
14.根据权利要求12所述的显示设备，其中，所述盖层与所述透射区域对应地设置在所述光学功能层上。
15.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述对电极包括与所述透射区域对应的开口。
16.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述多个细颗粒具有亲水性。
17.一种制造显示设备的方法，所述方法包括以下步骤：
准备基底，所述基底包括显示区域和与所述显示区域相邻的外围区域，所述显示区域包括透射区域和像素区域；
与所述像素区域对应地形成像素电极；
与所述像素区域和所述透射区域对应地在所述像素电极上形成中间层；
与所述透射区域对应地形成疏水层；以及
在所述像素区域和所述透射区域中，将电极材料施加到所述中间层和所述疏水层上。
18.根据权利要求17所述的方法，其中，施加所述电极材料的步骤包括以下步骤：
与所述像素区域对应地在所述中间层上形成对电极；以及
与所述透射区域对应地在所述疏水层上形成多个细颗粒。
19.根据权利要求18所述的方法，其中，同时执行形成所述对电极的步骤和形成所述多个细颗粒的步骤。
20.根据权利要求18所述的方法，其中，
所述电极材料具有亲水性，并且
形成所述对电极的步骤包括通过所述疏水层而仅在所述像素区域中形成所述对电极。
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