KR20200106580A - 유기 발광 표시 장치 - Google Patents

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Abstract

유기 발광 표시 장치는 서브 화소 영역들 및 투과 영역들을 포함하는 제1 모듈 영역 및 제1 모듈 영역을 둘러싸며 서브 화소 영역들을 포함하는 표시 영역을 갖는 하부 기판, 하부 기판 상의 제1 모듈 영역에 포함된 서브 화소 영역들에 각기 배치되는 복수의 하부 전극들, 하부 전극들 상에 배치되고, 하부 전극들 중 인접한 2개의 하부 전극들 사이에서 제1 개구를 갖는 발광층, 발광층 상에 배치되고, 제1 개구와 중첩하는 제2 개구를 갖는 상부 전극 및 하부 기판의 저면 상의 제1 모듈 영역에 배치되는 제1 기능성 모듈을 포함할 수 있다. 이에 따라, 유기 발광 표시 장치에 개구를 형성하지 않고 제1 기능성 모듈 및 제2 기능성 모듈을 유기 발광 표시 장치에 포함시킬 수 있다.

Description

유기 발광 표시 장치{ORGANIC LIGHT EMITTING DISPLAY DEVICE}
본 발명은 유기 발광 표시 장치에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 본 발명은 기능성 모듈을 포함하는 유기 발광 표시 장치에 관한 것이다.
평판 표시 장치는 경량 및 박형 등의 특성으로 인하여, 음극선관 표시 장치를 대체하는 표시 장치로써 사용되고 있다. 이러한 평판 표시 장치의 대표적인 예로서 액정 표시 장치와 유기 발광 표시 장치가 있다.
최근 유기 발광 표시 장치의 전면에서 모두 영상을 표시할 수 있는 유기 발광 표시 장치가 개발되고 있다. 여기서, 상기 유기 발광 표시 장치는 기능성 모듈을 더 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 기능성 모듈은 유기 발광 표시 장치의 전면 상에 위치하는 사물의 이미지를 촬영할 수 있는 카메라 모듈, 사용자의 얼굴을 감지하기 위한 얼굴 인식 센서 모듈, 사용자의 눈동자를 감지하기 위한 동공 인식 센서 모듈, 유기 발광 표시 장치의 움직임을 판단하는 가속도 센서 모듈 및 지자기 센서 모듈, 유기 발광 표시 장치 앞의 근접 여부를 감지하기 위한 근접 센서 모듈 및 적외선 센서 모듈, 주머니 혹은 가방에 방치될 때 밝기의 정도를 측정하기 위한 조도 센서 모듈 등을 포함할 수 있다.
상기 기능성 모듈들이 상기 유기 발광 표시 장치에 포함되기 위해 상기 유기 발광 표시 장치의 일부에 개구가 형성될 수 있고, 상기 개구에 기능성 모듈이 배치될 수 있다. 이러한 경우, 상기 개구가 형성된 부분에는 영상이 표시되지 않을 수 있고, 상기 개구를 형성하는 과정에서 유기 발광 표시 장치가 손상되는 문제점이 발생될 수 있다.
본 발명의 목적은 기능성 모듈을 포함하는 유기 발광 표시 장치를 제공하는 것이다.
그러나, 본 발명이 상술한 목적에 의해 한정되는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위에서 다양하게 확장될 수 있을 것이다.
전술한 본 발명의 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치는 서브 화소 영역들 및 투과 영역들을 포함하는 제1 모듈 영역 및 상기 제1 모듈 영역을 둘러싸며 상기 서브 화소 영역들을 포함하는 표시 영역을 갖는 하부 기판, 상기 하부 기판 상의 상기 제1 모듈 영역에 포함된 상기 서브 화소 영역들에 각기 배치되는 복수의 하부 전극들, 상기 하부 전극들 상에 배치되고, 상기 하부 전극들 중 인접한 2개의 하부 전극들 사이에서 제1 개구를 갖는 발광층, 상기 발광층 상에 배치되고, 상기 제1 개구와 중첩하는 제2 개구를 갖는 상부 전극 및 상기 하부 기판의 저면 상의 상기 제1 모듈 영역에 배치되는 제1 기능성 모듈을 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제1 모듈 영역에 포함된 상기 투과 영역들 각각은 제1 및 제2 개구들이 위치하는 부분과 대응할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 하부 기판 상에 배치되는 평탄화층 및 상기 평탄화층 상의 상기 제1 모듈 영역에서 상기 하부 전극들 각각의 양측부를 덮도록 배치되고, 상기 제1 모듈 영역에 포함된 상기 투과 영역들 각각에서 상기 평탄화층의 상면을 노출시키는 개구를 갖는 화소 정의막을 더 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제1 및 제2 개구들은 상기 제1 모듈 영역에 포함된 상기 투과 영역들 각각에서 상기 평탄화층의 상기 상면을 노출시킬 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 하부 기판 상의 상기 제1 모듈 영역에 포함된 상기 투과 영역들 각각에 배치되는 하부 스페이서를 더 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제1 및 제2 개구들은 상기 하부 스페이서의 상면을 노출시키고, 상기 하부 스페이서의 상면은 상기 화소 정의막의 상면과 동일한 레벨에 위치하며, 상기 발광층 및 상기 상부 전극은 상기 하부 스페이서의 측면의 적어도 일부에 배치될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 하부 스페이서 상에 배치되는 상부 스페이서를 더 포함하고, 상기 제1 및 제2 개구들은 상기 상부 스페이서의 상면을 노출시키며, 상기 상부 스페이서의 상면은 상기 화소 정의막의 상면보다 높은 레벨에 위치하며, 상기 발광층 및 상기 상부 전극은 상기 하부 및 상부 스페이서들 각각의 측면의 적어도 일부에 배치될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 하부 기판은 상기 제1 모듈 영역과 이격하여 위치하고, 상기 투과 영역을 포함하는 제2 모듈 영역을 더 포함하고, 상기 표시 영역은 상기 제2 모듈 영역을 둘러쌀 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 하부 기판의 저면 상의 상기 제2 모듈 영역에 배치되는 제2 기능성 모듈을 더 포함하고, 상기 제2 모듈 영역의 상기 투과 영역은 상기 제2 기능성 모듈과 대응할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제1 기능성 모듈은 얼굴 인식 센서 모듈, 동공 인식 센서 모듈, 가속도 센서 모듈, 근접 센서 모듈, 적외선 센서 모듈, 조도 센서 모듈 등을 포함하고, 상기 제2 기능성 모듈은 카메라 모듈을 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 발광층은 상기 제2 모듈 영역에서 제3 개구를 갖고, 상기 상부 전극은 상기 제2 모듈 영역에서 상기 제3 개구와 중첩하는 제4 개구를 가질 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 하부 기판 상에 배치되는 평탄화층 및 상기 평탄화층 상의 상기 제2 모듈 영역과 인접한 상기 표시 영역에 배치되는 화소 정의막을 더 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제3 및 제4 개구들은 상기 제2 모듈 영역에 위치한 상기 평탄화층의 상면을 노출시킬 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 하부 기판 상의 상기 제2 모듈 영역에 배치되는 하부 구조물을 더 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제3 및 제4 개구들은 상기 하부 구조물의 상면을 노출시키고, 상기 하부 구조물의 상면은 상기 화소 정의막의 상면과 동일한 레벨에 위치하며, 상기 발광층 및 상기 상부 전극은 상기 하부 구조물의 측면의 적어도 일부에 배치될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 하부 구조물 상에 배치되는 상부 구조물을 더 포함하고, 상기 제1 및 제2 개구들은 상기 상부 구조물의 상면을 노출시키고, 상기 상부 구조물의 상면은 상기 화소 정의막의 상면보다 높은 레벨에 위치하며, 상기 발광층 및 상기 상부 전극은 상기 하부 및 상부 구조물들 각각의 측면의 적어도 일부에 배치될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제1 모듈 영역 및 상기 표시 영역에서는 영상이 표시되고, 상기 제2 모듈 영역에서는 영상이 표시되지 않을 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 하부 기판과 상기 발광층 사이에 배치되는 복수의 반도체 소자들을 더 포함하고, 상기 반도체 소자들은 상기 투과 영역들 및 상기 제2 모듈 영역에 배치되지 않을 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 하부 기판 상에 배치되는 게이트 절연층, 상기 게이트 절연층 상에 배치되는 층간 절연층, 상기 층간 절연층 상에 배치되는 평탄화층 및 상기 평탄화층 상에 배치되고, 상기 하부 기판과 대향하는 상부 기판을 더 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제1 모듈 영역에서 외부 광이 상기 상부 기판, 상기 제1 및 제2 개구들, 상기 평탄화층, 상기 층간 절연층, 상기 게이트 절연층 및 상기 하부 기판을 투과하여 상기 제1 기능성 모듈에 입사할 수 있다.
본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치는 서브 화소 영역들 및 투과 영역들을 포함하는 제1 모듈 영역 및 투과 영역을 포함하는 제2 모듈 영역을 포함함으로써 유기 발광 표시 장치에 개구를 형성하지 않고 제1 기능성 모듈 및 제2 기능성 모듈을 유기 발광 표시 장치에 포함시킬 수 있다.
또한, 제1 모듈 영역에 서브 화소 영역들이 포함됨으로써, 제1 모듈 영역에서 영상이 표시될 수 있다. 더욱이, 제1 모듈 영역에 포함된 투과 영역들 및 제2 모듈 영역에 포함된 투과 영역에서 발광층 및 상부 전극이 배치되지 않음으로써 외광이 용이하게 제1 기능성 모듈 및 제2 기능성 모듈에 제공될 수 있다. 이에 따라, 제1 기능성 모듈 및 제2 기능성 모듈은 유기 발광 표시 장치의 제1 면에 위치하는 주변 상황을 감지 또는 사물의 이미지를 촬영할 수 있다.
다만, 본 발명의 효과가 상술한 효과들로 한정되는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위에서 다양하게 확장될 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치를 나타내는 사시도이다.
도 2는 도 1의 유기 발광 표시 장치의 배면에 배치된 기능성 모듈들을 나타내는 사시도이다.
도 3 및 4는 도 1의 유기 발광 표시 장치의 표시 영역, 제1 모듈 영역 및 제2 모듈 영역을 설명하기 위한 평면도들이다.
도 5는 도 4의 표시 영역의 'A'부분을 확대 도시한 부분 확대 평면도이다.
도 6은 도 4의 제1 모듈 영역의 'B'부분을 확대 도시한 부분 확대 평면도이다.
도 7은 도 6의 제1 모듈 영역의 일 예를 나타내는 부분 확대 평면도이다.
도 8은 도 4의 제2 모듈 영역의 'C'부분을 확대 도시한 부분 확대 평면도이다.
도 9는 도 5의 I-I'라인을 따라 절단한 단면도이다.
도 10은 도 6의 II-II'라인을 따라 절단한 단면도이다.
도 11은 도 4의 III-III'라인을 따라 절단한 단면도이다.
도 12 및 13은 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치를 나타내는 단면도이다.
도 14 및 15는 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치를 나타내는 단면도이다.
도 16 내지 도 31은 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조 방법을 나타내는 단면도들이다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여, 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치들 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법에 대하여 상세하게 설명한다. 첨부한 도면들에 있어서, 동일하거나 유사한 구성 요소들에 대해서는 동일하거나 유사한 참조 부호들을 사용한다.
도 1은 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치를 나타내는 사시도이고, 도 2는 도 1의 유기 발광 표시 장치의 배면에 배치된 기능성 모듈들을 나타내는 사시도이며, 도 3 및 4는 도 1의 유기 발광 표시 장치의 표시 영역, 제1 모듈 영역 및 제2 모듈 영역을 설명하기 위한 평면도들이다.
도 1 내지 4를 참조하면, 유기 발광 표시 장치(100)는 아래에 설명될 하부 기판(예를 들어, 도 9, 10 및 11에 도시된 하부 기판(110)), 아래에 설명될 상부 기판(예를 들어, 도 9, 10 및 11에 도시된 상부 기판(450)), 제1 기능성 모듈(410), 제2 기능성 모듈(420) 등을 포함할 수 있다. 유기 발광 표시 장치(100)는 영상을 표시하는 제1 면(S1) 및 제1 면(S1)과 반대되는 제2 면(S2)을 가질 수 있다. 예를 들면, 상기 상부 기판의 상면이 제1 면(S1)에 해당될 수 있고, 상기 하부 기판의 저면이 제2 면(S2)에 해당될 수 있다. 제1 기능성 모듈(410) 및 제2 기능성 모듈(420)은 유기 발광 표시 장치(100)의 제2 면(S2) 상의 일측에 배치될 수 있고, 제1 기능성 모듈(410) 및 제2 기능성 모듈(420)은 소정의 간격으로 이격하여 배치될 수 있다.
도 3 및 4에 도시된 바와 같이, 유기 발광 표시 장치(100)(예를 들어, 하부 기판)는 표시 영역(10), 제1 모듈 영역(20) 및 제2 모듈 영역(30)을 포함할 수 있다. 여기서, 제1 및 제2 모듈 영역들(20, 30)은 유기 발광 표시 장치(100)의 제1 면(S1) 상의 일측에 위치할 수 있고, 제1 모듈 영역(20) 및 제2 모듈 영역(30)은 소정의 간격으로 이격하여 위치할 수 있다. 또한, 표시 영역(10)은 제1 모듈 영역(20) 및 제2 모듈 영역(30)을 둘러쌀 수 있고, 표시 영역(10)의 면적은 제2 및 제3 모듈 영역들(20, 30) 각각의 면적보다 클 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 제1 기능성 모듈(410)이 제1 모듈 영역(20)에 대응되도록 유기 발광 표시 장치(100)의 저면 상에 제1 기능성 모듈(410)이 배치될 수 있고, 제2 기능성 모듈(420)이 제2 모듈 영역(30)에 대응되도록 유기 발광 표시 장치(100)의 저면 상에 제2 기능성 모듈(420)이 배치될 수 있다.
다시 도 1 내지 4를 참조하면, 표시 영역(10)은 복수의 서브 화소 영역들(예를 들어, 도 5의 서브 화소 영역(11)에 대응)을 포함할 수 있고, 제1 모듈 영역(20)은 복수의 서브 화소 영역들 및 복수의 투과 영역들(예를 들어, 도 6의 서브 화소 영역(11) 및 투과 영역(21)에 대응)을 포함할 수 있으며, 제2 모듈 영역(30)은 투과 영역(예를 들어, 도 8의 투과 영역(21)에 대응)을 포함할 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 유기 발광 표시 장치(100)는 표시 영역(10) 및 제1 모듈 영역(20)에서 영상을 표시할 수 있고, 제2 모듈 영역(30)에서는 영상을 표시하지 않을 수 있다.
제1 기능성 모듈(410)은 유기 발광 표시 장치(100)의 제2 면(S2) 상의 제1 모듈 영역(20)과 중첩하여 배치될 수 있다. 다시 말하면, 제1 모듈 영역(20)의 크기는 제1 기능성 모듈(410)의 크기와 실질적으로 동일할 수 있다. 즉, 제1 모듈 영역(20)의 형상은 제1 기능성 모듈(410)의 형상에 따라 정의될 수 있다. 제1 기능성 모듈(410)은 사용자의 얼굴을 감지하기 위한 얼굴 인식 센서 모듈, 사용자의 눈동자를 감지하기 위한 동공 인식 센서 모듈, 유기 발광 표시 장치(100)의 움직임을 판단하는 가속도 센서 모듈 및 지자기 센서 모듈, 유기 발광 표시 장치(100) 앞의 근접 여부를 감지하기 위한 근접 센서 모듈 및 적외선 센서 모듈, 주머니 혹은 가방에 방치될 때 밝기의 정도를 측정하기 위한 조도 센서 모듈 등을 포함할 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 제1 기능성 모듈(410)은 제2 기능성 모듈(420)보다 상대적으로 적은 양의 외부 광을 이용하여 동작할 수 있다. 예를 들면, 제1 모듈 영역(20)에서 유기 발광 표시 장치(100)의 제1 면(S1)으로 입사하여 유기 발광 표시 장치(100)를 투과하는 상기 외부 광의 투과율이 대략 35% 이상일 경우, 제1 기능성 모듈(410)은 동작할 수 있다.
제2 기능성 모듈(420)은 유기 발광 표시 장치(100)의 제2 면(S2) 상의 제2 모듈 영역(30)과 중첩하여 배치될 수 있다. 다시 말하면, 제2 모듈 영역(30)의 크기는 제2 기능성 모듈(420)의 크기와 실질적으로 동일할 수 있다. 즉, 제2 모듈 영역(30)의 형상은 제2 기능성 모듈(420)의 형상에 따라 정의될 수 있다. 제2 기능성 모듈(420)은 유기 발광 표시 장치(100)의 제1 면(S1) 상에 위치하는 사물의 이미지를 촬영(또는 인식)할 수 있는 카메라 모듈을 포함할 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 제2 기능성 모듈(420)은 높은 해상도로 상기 사물의 이미지를 촬영하기 위해 제2 기능성 모듈(420)은 제1 기능성 모듈(410)보다 상대적으로 많은 양의 외부 광을 이용하여 동작할 수 있다.
다만, 본 발명의 제1 모듈 영역(20) 및 제2 모듈 영역(30) 각각의 형상이 원형의 평면 형상을 갖는 것으로 설명하였지만, 상기 형상들이 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 제1 모듈 영역(20) 및 제2 모듈 영역(30) 각각의 형상은 삼각형의 평면 형상, 마름모의 평면 형상, 다각형의 평면 형상, 직사각형의 평면 형상, 트랙형의 평면 형상 또는 타원형의 평면 형상을 가질 수도 있다.
도 5는 도 4의 표시 영역의 'A'부분을 확대 도시한 부분 확대 평면도이고, 도 6은 도 4의 제1 모듈 영역의 'B'부분을 확대 도시한 부분 확대 평면도이며, 도 7은 도 6의 제1 모듈 영역의 일 예를 나타내는 부분 확대 평면도이고, 도 8은 도 4의 제2 모듈 영역의 'C'부분을 확대 도시한 부분 확대 평면도이다.
도 3, 5, 6 및 8을 참조하면, 유기 발광 표시 장치(100)는 표시 영역(10), 제1 모듈 영역(20) 및 제2 모듈 영역(30)을 가질 수 있다.
도 5에 도시된 바와 같이, 표시 영역(10)은 복수의 서브 화소 영역들(11)을 포함할 수 있다. 표시 영역(10) 내에서 서브 화소 영역들(11)은 유기 발광 표시 장치(100)의 제1 면(S1)과 평행한 제1 방향(D1) 및 제1 방향(D1)과 직교하는 제2 방향(D2)으로 배열될 수 있다. 즉, 서브 화소 영역들(11)은 표시 영역(10) 내에 전체적으로 배열될 수 있다. 예를 들면, 표시 영역(10)에 배열된 서브 화소 영역들(11)은 같은 크기의 직사각형이 차례로 배열되는 RGB 스트라이프(RGB stripe) 방식, 상대적으로 넓은 면적을 갖는 청색 서브 화소 영역을 포함하는 S-스트라이프(s-stripe) 방식, 백색 서브 화소 영역을 더 포함하는 WRGB 방식, RG-GB 반복 형태로 나열된 펜타일 방식 등을 이용하여 배열될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 표시 영역(10)의 서브 화소 영역들(11) 각각에는 도 9의 반도체 소자(250), 서브 화소 구조물(200) 등이 배치될 수 있고, 반도체 소자(250) 및 서브 화소 구조물(200)을 통해 표시 영역(10)에서 제1 면(S1)으로 영상을 표시할 수 있다.
다만, 본 발명의 표시 영역(10) 및 표시 영역(10)에 포함된 서브 화소 영역들(11) 각각의 형상이 사각형의 평면 형상을 갖는 것으로 설명하였지만, 상기 형상들이 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 표시 영역(10) 및 표시 영역(10)에 포함된 서브 화소 영역들(11) 각각의 형상은 삼각형의 평면 형상, 마름모의 평면 형상, 다각형의 평면 형상, 원형의 평면 형상, 트랙형의 평면 형상 또는 타원형의 평면 형상을 가질 수도 있다.
도 6에 도시된 바와 같이, 제1 모듈 영역(20)은 복수의 서브 화소 영역들(11) 및 복수의 투과 영역들(21)을 포함할 수 있다. 여기서, 투과 영역(21)을 통해 외광이 투과될 수 있다. 제1 모듈 영역(20) 내에서 서브 화소 영역들(11)은 제1 방향(D1)으로 배열될 수 있고, 투과 영역들(21)은 서브 화소 영역들(11)이 배열된 행과 다른 행에서 제1 방향(D1)으로 배열될 수 있다. 즉, 서브 화소 영역들(11) 및 투과 영역들(21)은 제1 모듈 영역(20) 내에 전체적으로 배열될 수 있다. 예를 들면, 제1 모듈 영역(20)에 배열된 서브 화소 영역들(11)은 같은 크기의 직사각형이 차례로 배열되는 RGB 스트라이프 방식, 상대적으로 넓은 면적을 갖는 청색 서브 화소 영역을 포함하는 S-스트라이프 방식, 백색 서브 화소 영역을 더 포함하는 WRGB 방식, RG-GB 반복 형태로 나열된 펜타일 방식 등을 이용하여 배열될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 제1 모듈 영역(20)의 서브 화소 영역들(11) 각각에는 도 10의 반도체 소자(250), 서브 화소 구조물(200) 등이 배치될 수 있고, 반도체 소자(250) 및 서브 화소 구조물(200)을 통해 제1 모듈 영역(20)에서 제1 면(S1)으로 영상을 표시할 수 있다. 또한, 제1 모듈 영역(20)에 포함된 투과 영역들(21)을 통해 외부로부터 입사하는 광(예를 들어, 외광)이 유기 발광 표시 장치(100)를 투과할 수 있고, 상기 광이 제1 모듈 영역(20)에 배치된 제1 기능성 모듈(410)에 제공될 수 있다. 더욱이, 제1 모듈 영역(20)에 포함된 투과 영역들(21)을 통해 유기 발광 표시 장치(100)의 제2 면(S2) 상의 제1 모듈 영역(20)에 배치된 제1 기능성 모듈(410)이 동작할 수 있다. 다시 말하면, 제1 모듈 영역(20)에 포함된 투과 영역들(21) 각각의 크기가 제2 모듈 영역(30)에 포함된 투과 영역(21)의 크기보다 상대적으로 작더라도 제1 기능성 모듈(410)은 제2 기능성 모듈(420)보다 상대적으로 적은 양의 외광을 이용하여 동작하기 때문에 제1 모듈 영역(20)에서 제1 기능성 모듈(410)이 용이하게 작동되면서, 동시에 제1 모듈 영역(20)에서는 영상이 표시될 수 있다.
도 5의 표시 영역(10)에 포함된 서브 화소 영역들(11) 각각의 크기와 제1 모듈 영역(20)에 포함된 서브 화소 영역들(11) 각각의 크기는 실질적으로 동일할 수 있다. 다만, 제1 모듈 영역(20)은 투과 영역들(21) 때문에 단위 면적 당 상대적으로 적은 개수의 서브 화소 영역을 포함할 수 있다. 다시 말하면, 제1 모듈 영역(20)의 해상도는 표시 영역(10)의 해상도보다 낮을 수 있다.
다만, 본 발명의 제1 모듈 영역(20)에 포함된 서브 화소 영역들(11) 각각의 형상이 사각형의 평면 형상을 갖는 것으로 설명하였지만, 상기 형상들이 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 제1 모듈 영역(20)에 포함된 서브 화소 영역들(11) 각각의 형상은 삼각형의 평면 형상, 마름모의 평면 형상, 다각형의 평면 형상, 원형의 평면 형상, 트랙형의 평면 형상 또는 타원형의 평면 형상을 가질 수도 있다.
다른 예시적인 실시예들에 있어서, 도 7에 도시된 바와 같이, 제1 모듈 영역(20)은 상대적으로 넓은 면적을 갖는 투과 영역(21)을 포함할 수도 있다. 다시 말하면, 도 7의 제1 모듈 영역(20)에는 상대적으로 넓은 면적을 갖는 투과 영역(21) 때문에 단위 면적 당 상대적으로 더 적은 개수의 서브 화소 영역을 포함할 수 있다. 이러한 경우, 상대적으로 제1 모듈 영역(20)의 해상도가 낮아지더라도 상대적으로 넓은 면적을 갖는 투과 영역(21)때문에 제1 기능성 모듈(410)로 제공되는 상기 외광이 상대적으로 더 많아질 수 있다. 다시 말하면, 유기 발광 표시 장치(100)는 제1 모듈 영역(20)에 포함된 투과 영역들(21) 각각의 크기를 조절하여 제1 모듈 영역(20)에서 유기 발광 표시 장치(100)의 제1 면(S1)으로 입사하여 유기 발광 표시 장치(100)를 투과하는 상기 외부 광의 투과율을 조절할 수 있다.
도 8에 도시된 바와 같이, 제2 모듈 영역(30)은 투과 영역(21)을 포함할 수 있다. 여기서, 도 6의 제1 모듈 영역(20)에 포함된 투과 영역들(21) 각각의 크기보다 도 8의 제2 모듈 영역(30)에 포함된 투과 영역(21)의 크기가 더 클 수 있다. 다시 말하면, 제2 모듈 영역(30)의 크기와 제2 모듈 영역(30)에 포함된 투과 영역(21)의 크기는 실질적으로 동일할 수 있다. 또한, 제2 모듈 영역(30)에 포함된 투과 영역(21)에는 외광이 투과될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 제2 모듈 영역(30) 제1 모듈 영역(20)에 포함된 투과 영역들(21) 각각에는, 도 11에 도시된 바와 같이, 반도체 소자 및 서브 화소 구조물이 배치되지 않을 수 있다. 즉, 상기 반도체 소자 및 상기 서브 화소 구조물이 제2 모듈 영역(30)에는 배치되지 않기 때문에 제2 모듈 영역(30)에는 영상이 표시되지 않을 수 있다. 또한, 제2 모듈 영역(30)에 포함된 투과 영역(21)을 통해 외광이 유기 발광 표시 장치(100)를 투과할 수 있고, 상기 광이 제2 모듈 영역(30)에 배치된 제2 기능성 모듈(420)에 제공될 수 있다. 더욱이, 제2 모듈 영역(30)에 포함된 투과 영역(21)을 통해 유기 발광 표시 장치(100)의 제2 면(S2) 상의 제2 모듈 영역(30)에 배치된 제2 기능성 모듈(420)이 유기 발광 표시 장치(100)의 제1 면(S1) 상에 위치하는 사물의 이미지를 촬영할 수 있다. 다시 말하면, 제2 모듈 영역(30)에 포함된 투과 영역(21)의 크기가 제1 모듈 영역(20)에 포함된 투과 영역들(21) 각각의 크기보다 상대적으로 크기 때문에 상기 외광이 제2 기능성 모듈(420)에 상대적으로 많이 제공될 수 있고, 제2 기능성 모듈(420)은 유기 발광 표시 장치(100)의 제1 면(S1) 상에 위치하는 사물의 이미지를 상대적으로 용이하게 인식할 수 있다.
다만, 본 발명의 제2 모듈 영역(30)에 포함된 투과 영역(21)이 원형의 평면 형상을 갖는 것으로 설명하였지만, 상기 형상이 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 제2 모듈 영역(30)에 포함된 투과 영역(21)의 형상은 삼각형의 평면 형상, 마름모의 평면 형상, 다각형의 평면 형상, 사각형의 평면 형상, 트랙형의 평면 형상 또는 타원형의 평면 형상을 가질 수도 있다.
도 9는 도 5의 I-I'라인을 따라 절단한 단면도이고, 도 10은 도 6의 II-II'라인을 따라 절단한 단면도이며, 도 11은 도 4의 III-III'라인을 따라 절단한 단면도이다.
도 9, 10 및 11을 참조하면, 유기 발광 표시 장치(100)는 하부 기판(110), 반도체 소자들(250), 게이트 절연층(150), 층간 절연층(190), 평탄화층(270), 화소 정의막(310), 서브 화소 구조물들(200), 상부 기판(450), 제1 기능성 모듈(410), 제2 기능성 모듈(420) 등을 포함할 수 있다. 여기서, 반도체 소자(250)들 각각은 액티브층(130), 게이트 전극(170), 소스 전극(210) 및 드레인 전극(230)을 포함할 수 있고, 서브 화소 구조물들(200) 각각은 하부 전극(290), 발광층(330) 및 상부 전극(340)을 포함할 수 있다.
설명의 편의를 위해 도 9의 반도체 소자(250) 및 서브 화소 구조물(200)과 도 10의 반도체 소자(250) 및 서브 화소 구조물(200)이 동일한 참조 번호를 갖는 것으로 가정하였지만, 도 9의 반도체 소자(250) 및 서브 화소 구조물(200)과 도 10의 반도체 소자(250) 및 서브 화소 구조물(200)은 서로 다른 반도체 소자 및 서로 다른 서브 화소 구조물일 수 있다. 다시 말하면, 도 9의 반도체 소자(250) 및 서브 화소 구조물(200)은 표시 영역(10)에 포함된 서브 화소 영역들(11) 각각에 배치된 반도체 소자 및 서브 화소 구조물일 수 있고, 도 10의 반도체 소자(250) 및 서브 화소 구조물(200)은 제1 모듈 영역(20)에 포함된 서브 화소 영역들(11) 각각에 배치된 반도체 소자 및 서브 화소 구조물일 수 있다.
유기 발광 표시 장치(100)가 서브 화소 영역들(11)을 포함하는 표시 영역(10), 서브 화소 영역들(11) 및 투과 영역들(21)을 포함하는 제1 모듈 영역(20) 및 투과 영역(21)을 포함하는 제2 모듈 영역(30)을 포함함으로써, 하부 기판(110)도 서브 화소 영역들(11)을 포함하는 표시 영역(10), 서브 화소 영역들(11) 및 투과 영역들(21)을 포함하는 제1 모듈 영역(20) 및 투과 영역(21)을 포함하는 제2 모듈 영역(30)으로 구분될 수 있다.
투명한 또는 불투명한 재료를 포함하는 하부 기판(110)이 제공될 수 있다. 하부 기판(110)은 석영(quartz) 기판, 합성 석영(synthetic quartz) 기판, 불화칼슘(calcium fluoride) 기판, 불소가 도핑된 석영(F-doped quartz) 기판, 소다라임(soda-lime) 유리 기판, 무알칼리(non-alkali) 유리 기판 등을 포함할 수 있다.
선택적으로, 하부 기판(110)은 연성을 갖는 투명 수지 기판으로 이루어질 수도 있다. 하부 기판(110)으로 이용될 수 있는 투명 수지 기판의 예로는 폴리이미드 기판을 들 수 있다. 이러한 경우, 상기 폴리이미드 기판은 제1 폴리이미드층, 배리어 필름층, 제2 폴리이미드층 등으로 구성될 수 있다. 예를 들면, 상기 폴리이미드 기판은 경질의 유리 기판 상에 제1 폴리이미드층, 배리어 필름층 및 제2 폴리이미드층이 순서대로 적층된 구성을 가질 수 있다. 이러한 경우, 유기 발광 표시 장치의 제조 방법에 있어서, 상기 폴리이미드 기판의 제2 폴리이미드층 상에 절연층을 배치한 후, 상기 절연층 상에 상부 구조물(예를 들어, 반도체 소자들(250), 서브 화소 구조물들(200) 등)이 배치될 수 있다. 이러한 상부 구조물의 형성 후, 상기 경질의 유리 기판이 제거될 수 있다. 즉, 상기 폴리이미드 기판은 얇고 플렉서블하기 때문에, 상기 폴리이미드 기판 상에 상기 상부 구조물을 직접 형성하기 어려울 수 있다. 이러한 점을 고려하여, 상기 경질의 유리 기판을 이용하여 상기 상부 구조물을 형성한 다음, 상기 유리 기판을 제거함으로써, 상기 폴리이미드 기판이 하부 기판(110)으로 이용될 수 있다.
하부 기판(110) 상에 버퍼층(미도시)이 배치될 수도 있다. 상기 버퍼층은 하부 기판(110) 상에 전체적으로 배치될 수 있다. 상기 버퍼층은 하부 기판(110)으로부터 금속 원자들이나 불순물들이 상기 상부 구조물로 확산되는 현상을 방지할 수 있으며, 액티브층(130)을 형성하기 위한 결정화 공정 동안 열의 전달 속도를 조절하여 실질적으로 균일한 액티브층(130)을 수득하게 할 수 있다. 또한, 상기 버퍼층은 하부 기판(110)의 표면이 균일하지 않을 경우, 하부 기판(110)의 표면의 평탄도를 향상시키는 역할을 수행할 수 있다. 하부 기판(110)의 유형에 따라 하부 기판(110) 상에 두 개 이상의 버퍼층이 제공될 수 있거나 버퍼층이 배치되지 않을 수 있다. 예를 들면, 상기 버퍼층은 유기 물질 또는 무기 물질을 포함할 수 있다.
액티브층들(130)이 하부 기판(110) 상의 표시 영역(10)에 포함된 서브 화소 영역들(11) 및 제1 모듈 영역(20)에 포함된 서브 화소 영역들(11)에 배치될 수 있다. 다시 말하면, 액티브층(130)이 제2 모듈 영역(30)에 배치되지 않을 수 있다. 액티브층들(130)은 산화물 반도체, 무기물 반도체(예를 들면, 아몰퍼스 실리콘(amorphous silicon), 폴리 실리콘(poly silicon)) 또는 유기물 반도체 등을 포함할 수 있다. 액티브층들(130) 각각은 채널 영역, 소스 영역 및 드레인 영역을 가질 수 있다.
액티브층들(130) 및 하부 기판(110) 상의 표시 영역(10), 제1 모듈 영역(20) 및 제2 모듈 영역(30)에 게이트 절연층(150)이 배치될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 게이트 절연층(150)은 하부 기판(110) 상에 전체적으로 배치될 수 있다. 예를 들면, 게이트 절연층(150)은 하부 기판(110) 상에서 액티브층들(130)을 충분히 덮을 수 있으며, 액티브층들(130)의 주위에 단차를 생성시키지 않고 실질적으로 평탄한 상면을 가질 수 있다. 선택적으로, 게이트 절연층(150)은 하부 기판(110) 상에서 액티브층들(130)을 덮으며, 균일한 두께로 액티브층들(130)의 프로파일을 따라 배치될 수도 있다. 게이트 절연층(150)은 실리콘 화합물, 금속 산화물 등을 포함할 수 있다. 예를 들면, 게이트 절연층(150)은 실리콘 산화물(SiOx), 실리콘 질화물(SiNx), 실리콘 산질화물(SiOxNy), 실리콘 산탄화물(SiOxCy), 실리콘 탄질화물(SiCxNy), 알루미늄 산화물(AlOx), 알루미늄 질화물(AlNx), 탄탈륨 산화물(TaOx), 하프늄 산화물(HfOx), 지르코늄 산화물(ZrOx), 티타늄 산화물(TiOx) 등을 포함할 수 있다. 다른 예시적인 실시예들에 있어서, 게이트 절연층(150)은 서로 상이한 물질들로 이루어진 복수의 절연층들을 포함하는 다층 구조를 가질 수도 있다.
게이트 전극들(170)이 게이트 절연층(150) 상의 표시 영역(10)에 포함된 서브 화소 영역들(11) 및 제1 모듈 영역(20)에 포함된 서브 화소 영역들(11)에 배치될 수 있다. 다시 말하면, 게이트 전극들(170)이 제2 모듈 영역(30)에 배치되지 않을 수 있다. 예를 들면, 게이트 전극들(170) 각각은 게이트 절연층(150) 중에서 하부에 액티브층들(130) 각각이 위치하는 부분 상에 배치(예를 들어, 액티브층(130)의 상기 채널 영역과 중첩하여 배치)될 수 있다. 게이트 전극들(170) 각각은 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 포함할 수 있다. 예를 들면, 게이트 전극들(170) 각각은 금(Au), 은(Ag), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 니켈(Ni), 티타늄(Ti), 팔라듐(Pd), 마그네슘(Mg), 칼슘(Ca), 리튬(Li), 크롬(Cr), 탄탈륨(Ta), 텅스텐(W), 구리(Cu), 몰리브데늄(Mo), 스칸듐(Sc), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 금을 함유하는 합금, 은을 함유하는 합금, 알루미늄을 함유하는 합금, 백금을 함유하는 합금, 크롬을 함유하는 합금, 구리를 함유하는 합금, 몰리브데늄을 함유하는 합금, 알루미늄 질화물(AlNx), 티타늄 질화물(TiNx), 크롬 질화물(CrNx), 탄탈륨 질화물(TaNx), 텅스텐 질화물(WNx), 스트론튬 루테늄 산화물(SrRuxOy), 아연 산화물(ZnOx), 주석 산화물(SnOx), 인듐 산화물(InOx), 갈륨 산화물(GaOx), 인듐 주석 산화물(ITO), 인듐 아연 산화물(IZO) 등을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다. 선택적으로, 게이트 전극들(170) 각각은 복수의 층들을 포함하는 다층 구조를 가질 수도 있다.
게이트 전극들(170) 및 게이트 절연층(150) 상의 표시 영역(10), 제1 모듈 영역(20) 및 제2 모듈 영역(30)에는 층간 절연층(190)이 배치될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 층간 절연층(190)은 게이트 절연층(150) 상에 전체적으로 배치될 수 있다. 예를 들면, 층간 절연층(190)은 게이트 절연층(150) 상에서 게이트 전극들(170)을 충분히 덮을 수 있으며, 게이트 전극들(170)의 주위에 단차를 생성시키지 않고 실질적으로 평탄한 상면을 가질 수 있다. 선택적으로, 층간 절연층(190)은 게이트 절연층(150) 상에서 게이트 전극들(170)을 덮으며, 균일한 두께로 게이트 전극들(170)의 프로파일을 따라 배치될 수도 있다. 층간 절연층(190)은 실리콘 화합물, 금속 산화물 등을 포함할 수 있다. 다른 예시적인 실시예들에 있어서, 층간 절연층(190)은 서로 상이한 물질들로 이루어진 복수의 절연층들을 포함하는 다층 구조를 가질 수도 있다.
소스 전극들(210) 및 드레인 전극들(230)이 층간 절연층(190) 상의 표시 영역(10)에 포함된 서브 화소 영역들(11) 및 제1 모듈 영역(20)에 포함된 서브 화소 영역들(11)에 배치될 수 있다. 소스 전극(210)들 각각은 게이트 절연층(150) 및 층간 절연층(190)의 제1 부분을 제거하여 형성된 콘택홀을 통해 액티브층들(130) 각각의 상기 소스 영역에 접속될 수 있고, 드레인 전극들(230) 각각은 게이트 절연층(150) 및 층간 절연층(190)의 제2 부분을 제거하여 형성된 콘택홀을 통해 액티브층들(130) 각각의 상기 드레인 영역에 접속될 수 있다. 소스 전극들(210) 및 드레인 전극들(230) 각각은 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다. 선택적으로, 소스 전극들(210) 및 드레인 전극들(230) 각각은 복수의 층들을 포함하는 다층 구조를 가질 수도 있다.
이에 따라, 표시 영역(10)에 포함된 서브 화소 영역들(11) 각각에서 액티브층(130), 게이트 전극(170), 소스 전극(210) 및 드레인 전극(230)을 포함하는 반도체 소자(250)가 배치될 수 있고, 제1 모듈 영역(20)에 포함된 서브 화소 영역들(11) 각각에서 액티브층(130), 게이트 전극(170), 소스 전극(210) 및 드레인 전극(230)을 포함하는 반도체 소자(250)가 배치될 수 있다.
다만, 반도체 소자들(250) 각각이 상부 게이트 구조를 갖는 것으로 설명하였으나, 본 발명의 구성이 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 반도체 소자들(250) 각각은 하부 게이트 구조, 더블 게이트 구조 등을 가질 수도 있다.
또한, 유기 발광 표시 장치(100)가 표시 영역(10)에 포함된 서브 화소 영역들(11) 및 제1 모듈 영역(20)에 포함된 서브 화소 영역들(11) 각각에서 하나의 반도체 소자를 포함하는 것으로 설명하였으나, 본 발명의 구성이 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 유기 발광 표시 장치(100)는 표시 영역(10)에 포함된 서브 화소 영역들(11) 및 제1 모듈 영역(20)에 포함된 서브 화소 영역들(11) 각각에서 적어도 하나의 반도체 소자, 적어도 하나의 스토리지 커패시터 등을 포함할 수도 있다.
층간 절연층(190) 및 반도체 소자들(250) 상의 표시 영역(10), 제1 모듈 영역(20) 및 제2 모듈 영역(30)에 평탄화층(270)이 배치될 수 있고, 평탄화층(270)에는 표시 영역(10)에 포함된 서브 화소 영역들(11) 각각에 배치된 드레인 전극(235)의 일부 및 제1 모듈 영역(20)에 포함된 서브 화소 영역들(11) 각각에 배치된 드레인 전극(230)의 일부를 노출시키는 콘택홀들이 형성될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 평탄화층(270)은 층간 절연층(190) 상에 전체적으로 배치될 수 있다. 평탄화층(270)은 반도체 소자들(250)을 충분히 덮도록 상대적으로 두꺼운 두께로 배치될 수 있고, 이러한 경우, 평탄화층(270)은 실질적으로 평탄한 상면을 가질 수 있으며, 이와 같은 평탄화층(270)의 평탄한 상면을 구현하기 위하여 평탄화층(270)에 대해 평탄화 공정이 추가될 수 있다. 평탄화층(270)은 유기 물질 또는 무기 물질 등을 포함할 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 평탄화층(270)은 유기 물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 평탄화층(270)은 포토레지스트, 폴리아크릴계 수지, 폴리이미드계 수지, 폴리아미드계 수지, 실롯산계 수지, 아크릴계 수지, 에폭시계 수지 등을 포함할 수 있다.
하부 전극들(290)이 평탄화층(270) 상의 표시 영역(10)에 포함된 서브 화소 영역들(11) 및 제1 모듈 영역(20)에 포함된 서브 화소 영역들(11)에 배치될 수 있다. 예를 들면, 표시 영역(10)에 포함된 서브 화소 영역들(11) 각각에 배치된 하부 전극(290)은 평탄화층(270)의 상기 콘택홀을 통해 표시 영역(10)에 포함된 서브 화소 영역들(11) 각각에 배치된 드레인 전극(230)과 직접적으로 접촉할 수 있고, 표시 영역(10)에 포함된 서브 화소 영역들(11) 각각에 배치된 하부 전극(290)은 표시 영역(10)에 포함된 서브 화소 영역들(11) 각각에 배치된 반도체 소자(250)와 전기적으로 연결될 수 있다. 또한, 제1 모듈 영역(20)에 포함된 서브 화소 영역들(11) 각각에 배치된 하부 전극(290)은 상기 콘택홀을 통해 제1 모듈 영역(20)에 포함된 서브 화소 영역들(11) 각각에 배치된 드레인 전극(230)과 직접적으로 접촉할 수 있고, 제1 모듈 영역(20)에 포함된 서브 화소 영역들(11) 각각에 배치된 하부 전극(290)은 제1 모듈 영역(20)에 포함된 서브 화소 영역들(11) 각각에 배치된 반도체 소자(250)와 전기적으로 연결될 수 있다. 하부 전극들(290) 각각은 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다. 다른 예시적인 실시예들에 있어서, 하부 전극들(290) 각각은 복수의 층들을 포함하는 다층 구조를 가질 수도 있다.
화소 정의막(310)은 평탄화층(270) 상의 표시 영역(10), 제1 모듈 영역(20) 및 제2 모듈 영역(30)에 배치될 수 있다. 다시 말하면, 화소 정의막(310)은 제2 모듈 영역(30)에 배치되지 않을 수 있다. 예를 들면, 화소 정의막(310)은 하부 전극들(290) 각각의 양측부를 덮을 수 있고, 하부 전극들(290) 각각의 상면의 일부를 노출시키는 개구를 가질 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 화소 정의막(310)은 제1 모듈 영역(20)에서 제1 모듈 영역(20)에 포함된 투과 영역들(21) 및 상기 투과 영역들(21) 각각과 인접한 제1 모듈 영역(20)에 위치하는 평탄화층(270)의 상면을 노출시키는 개구(301)를 가질 수 있고, 표시 영역(10)에서 제2 모듈 영역(30)에 위치하는 평탄화층(270)의 상면을 노출시키는 개구(302)를 가질 수 있다. 화소 정의막(310)은 유기 물질 또는 무기 물질로 이루어질 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 화소 정의막(310)은 유기 물질을 포함할 수 있다. 선택적으로, 제2 모듈 영역(30)에 포함된 투과 영역(21)에 화소 정의막(310)이 배치될 수도 있다. 이러한 경우, 화소 정의막(310)은 투명한 물질을 포함할 수 있다.
발광층(330)이 화소 정의막(310), 하부 전극(290) 및 평탄화층(270)의 일부 상의 표시 영역(10), 제1 모듈 영역(20)의 일부에 배치될 수 있고, 제2 모듈 영역(30)에는 배치되지 않을 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 발광층(330)은 표시 영역(10)에서 화소 정의막(310) 및 하부 전극(290) 상에 전체적으로 배치될 수 있다. 또한, 발광층(330)은 제1 모듈 영역(20)에서 서브 화소 영역들(11) 각각에 배치된 하부 전극(290) 및 제1 모듈 영역(20)에 배치된 화소 정의막(310) 상에는 배치되지만 투과 영역(21)에는 배치되지 않을 수 있다. 다시 말하면, 발광층(330)은 제1 모듈 영역(20)에 포함된 투과 영역들(21) 각각에서 평탄화층(270)의 상면을 노출시키는 제1 개구(331)를 가질 수 있다. 더욱이, 발광층(330)은 제2 모듈 영역(30)에 포함된 투과 영역(21)에서 평탄화층(270)의 상면을 노출시키는 제3 개구(332)를 가질 수 있다. 이에 따라, 발광층(330)이 제1 모듈 영역(20)에 형성된 제1 개구들(331) 및 제2 모듈 영역(30)에 형성된 제3 개구(332)를 가짐으로써, 외부로부터 입사하는 광이 제1 모듈 영역(20)에 포함된 투과 영역들(21) 및 제2 모듈 영역(30)에 포함된 투과 영역(21)에서 용이하게 투과될 수 있다.
발광층(330)은 유기 발광층(organic light emission layer: EML), 정공 주입층(hole injection layer: HIL), 정공 수송층(hole transport layer: HTL), 전자 수송층(electron transport layer: ETL), 전자 주입층(electron injection layer: EIL) 등을 포함하는 다층 구조를 가질 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 유기 발광층(EML), 정공 주입층(HIL), 정공 수송층(HTL), 전자 수송층(ETL) 및 전자 주입층(EIL)이 표시 영역(10) 및 제1 모듈 영역(20)에 포함된 서브 화소 영역들(11) 그리고 표시 영역(10) 및 제1 모듈 영역(20)에 배치된 화소 정의막(310) 상에 모두 배치될 수 있다. 다른 예시적인 실시예들에 있어서, 유기 발광층(EML)은 표시 영역(10) 및 제1 모듈 영역(20)에 포함된 서브 화소 영역들(11)에만 배치되고, 유기 발광층(EML)을 제외한 정공 주입층(HIL), 정공 수송층(HTL), 전자 수송층(ETL) 및 전자 주입층(EIL)이 표시 영역(10) 및 제1 모듈 영역(20)에 배치된 화소 정의막(310) 상에 배치될 수도 있다.
발광층(330)의 유기 발광층(EML)은 서브 화소들에 따라 상이한 색광들(즉, 적색광, 녹색광, 청색광 등)을 방출시킬 수 있는 발광 물질들 중 적어도 하나를 사용하여 형성될 수 있다. 이와는 달리, 발광층(330)의 유기 발광층(EML)은 적색광, 녹색광, 청색광 등의 다른 색광들을 발생시킬 수 있는 복수의 발광 물질들을 적층하여 전체적으로 백색광을 방출할 수도 있다. 이러한 경우, 하부 전극(290) 상에 배치된 발광층(330) 상에 컬러 필터가 배치될 수 있다. 상기 컬러 필터는 적색 컬러 필터, 녹색 컬러 필터, 청색 컬러 필터 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 선택적으로, 상기 컬러 필터는 황색(Yellow) 컬러 필터, 청남색(Cyan) 컬러 필터 및 자주색(Magenta) 컬러 필터를 포함할 수도 있다. 상기 컬러 필터는 감광성 수지 또는 컬러 포토레지스트를 포함할 수 있다.
상부 전극(340)이 발광층(330) 상의 표시 영역(10) 및 제1 모듈 영역(20)의 일부에 배치될 수 있고, 제2 모듈 영역(30)에는 배치되지 않을 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 상부 전극(340)은 표시 영역(10)에서 발광층(330) 상에 전체적으로 배치될 수 있다. 또한, 상부 전극(340)은 제1 모듈 영역(20)에서 발광층(330)과 중첩하여 배치될 수 있다. 다시 말하면, 상부 전극(340)은 제1 모듈 영역(20)에 포함된 투과 영역들(21) 각각에서 평탄화층(270)의 상면을 노출시키는 제1 개구(331)와 중첩하는 제2 개구(341)를 가질 수 있다. 더욱이, 상부 전극(340)은 제2 모듈 영역(30)에 포함된 투과 영역(21)에서 평탄화층(270)의 상면을 노출시키는 제3 개구(332)와 중첩하는 제4 개구(342)를 가질 수 있다. 이에 따라, 상부 전극(340)이 제1 모듈 영역(20)에 형성된 제2 개구들(341) 및 제2 모듈 영역(30)에 형성된 제4 개구(342)를 가짐으로써, 외부로부터 입사하는 광이 제1 모듈 영역(20)에 포함된 투과 영역들(21) 및 제2 모듈 영역(30)에 포함된 투과 영역(21)에서 용이하게 투과될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 제1 개구(331) 및 제2 개구(341)가 위치하는 부분이 제1 모듈 영역(20)에 포함된 투과 영역들(21) 각각과 대응될 수 있고, 제3 개구(332) 및 제4 개구(342)가 위치하는 부분이 제2 모듈 영역(30)에 포함된 투과 영역(21)과 대응될 수 있다.
상부 전극(340)은 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다. 선택적으로, 상부 전극(340)은 복수의 층들을 포함하는 다층 구조를 가질 수도 있다.
이에 따라, 표시 영역(10)에 포함된 서브 화소 영역들(11) 각각에 하부 전극(290), 발광층(330) 및 상부 전극(340)을 포함하는 서브 화소 구조물(200)이 배치될 수 있고, 제1 모듈 영역(20)에 포함된 서브 화소 영역들(11) 각각에 하부 전극(290), 발광층(330) 및 상부 전극(340)을 포함하는 서브 화소 구조물(200)이 배치될 수 있다. 여기서, 표시 영역(10)에 위치하는 발광층(330)과 제1 모듈 영역(20)에 위치하는 발광층(330)은 일체로 형성될 수 있고, 표시 영역(10)에 위치하는 상부 전극(340)과 제1 모듈 영역(20)에 위치하는 상부 전극(340)도 일체로 형성될 수 있다.
다른 예시적인 실시예들에 있어서, 유기 발광 표시 장치(100) 캡핑층을 더 포함할 수 있고, 상기 캡핑층이 상부 전극(340) 상의 표시 영역(10) 및 제1 모듈 영역(20)의 일부에 배치될 수 있고, 제2 모듈 영역(30)에는 배치되지 않을 수 있다. 상기 캡핑층은 표시 영역(10)에서 상부 전극(340) 상에 전체적으로 배치될 수 있다. 또한, 상기 캡핑층은 제1 모듈 영역(20)에서 상부 전극(340)과 중첩하여 배치될 수 있다. 다시 말하면, 상기 캡핑층은 제1 모듈 영역(20)에 포함된 투과 영역들(21) 각각에서 평탄화층(270)의 상면을 노출시키는 제1 개구(331) 및 제2 개구(341)와 중첩하는 개구를 가질 수 있다. 더욱이, 상기 캡핑층은 제2 모듈 영역(30)에 포함된 투과 영역(21)에서 평탄화층(270)의 상면을 노출시키는 개구를 가질 수 있다. 상기 캡핑층은 서브 화소 구조물(200)을 보호할 수 있고, 유기 물질 또는 무기 물질을 포함할 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 상기 캡핑층은 트리아민(triamine) 유도체, 아릴렌디아민(arylenediamine) 유도체, 4,4'-N,N'-디카바졸-비페닐(4,4'-bis(N-carbazolyl)-1,1'-biphenyl: CBP), 트리스-8-히드록시퀴놀린 알루미늄(tris-8-hydroxyquinoline aluminum: Alq3) 등과 같은 유기 물질을 포함할 수 있다.
상부 전극(340) 상에 상부 기판(450)이 배치될 수 있고, 상부 기판(450)은 하부 기판(110)과 대향할 수 있다. 상부 기판(450)은 실질적으로 하부 기판(110)과 동일한 재료를 포함할 수 있다. 예를 들면, 상부 기판(450)은 석영 기판, 합성 석영 기판, 불화칼슘 기판, 불소가 도핑된 석영 기판, 소다 라임 유리 기판, 무알칼리 유리 기판 등을 포함할 수 있다. 다른 예시적인 실시예들에 있어서, 상부 기판(450)은 투명 무기 물질 또는 플렉서블 플라스틱을 포함할 수도 있다. 예를 들면, 상부 기판(450)은 연성을 갖는 투명 수지 기판을 포함할 수 있다. 이러한 경우, 유기 발광 표시 장치(100)의 가요성을 향상시키기 위하여 적어도 하나의 무기층 및 적어도 하나의 유기층이 교대로 적층되는 구조를 가질 수 있다. 상기 적층 구조는 제1 무기층, 유기층 및 제2 무기층으로 구성될 수 있다. 예를 들면, 상부 전극(340)의 프로파일을 따라 가요성을 갖는 제1 무기층이 배치될 수 있고, 상기 제1 무기층 상에 가요성을 갖는 유기층이 배치될 수 있으며, 상기 유기층 상에 가요성을 갖는 제2 무기층이 배치될 수 있다. 즉, 상기 적층 구조는 상기 상부 전극(340)과 직접적으로 접촉하는 박막 봉지 구조물에 해당될 수 있다.
제1 기능성 모듈(410)이 하부 기판(110)의 저면(예를 들어, 유기 발광 표시 장치(100)의 제2 면(S2)) 상의 제1 모듈 영역(20)과 중첩하여 배치될 수 있다. 제1 기능성 모듈(410)은 제1 모듈 영역(20)에 포함된 투과 영역들(21)을 통해 유기 발광 표시 장치(100)의 제1 면(S1) 상의 주변 상황을 감지 또는 사물의 이미지를 감지할 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 제1 기능성 모듈(410)은 얼굴 인식 센서 모듈, 동공 인식 센서 모듈, 가속도 센서 모듈, 지자기 센서 모듈, 근접 센서 모듈, 적외선 센서 모듈, 조도 센서 모듈 등을 포함할 수 있다.
제2 기능성 모듈(420)이 하부 기판(110)의 저면 상의 제2 모듈 영역(30)과 중첩하여 배치될 수 있다. 제2 기능성 모듈(420)은 제2 모듈 영역(30)에 포함된 투과 영역(21)을 통해 유기 발광 표시 장치(100)의 제1 면(S1) 상에 위치하는 사물의 이미지를 촬영할 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 제2 기능성 모듈(420)은 카메라 모듈을 포함할 수 있다.
이에 따라, 하부 기판(110), 반도체 소자들(250), 게이트 절연층(150), 층간 절연층(190), 평탄화층(270), 화소 정의막(310), 서브 화소 구조물들(200), 상부 기판(450), 제1 기능성 모듈(410), 제2 기능성 모듈(420)을 포함하는 유기 발광 표시 장치(100)가 배치될 수 있다.
본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치(100)는 서브 화소 영역들(11) 및 투과 영역들(21)을 포함하는 제1 모듈 영역(20) 및 투과 영역(21)을 포함하는 제2 모듈 영역(30)을 포함함으로써 유기 발광 표시 장치(100)에 개구를 형성하지 않고 제1 기능성 모듈(410) 및 제2 기능성 모듈(420)을 유기 발광 표시 장치(100)에 포함시킬 수 있다.
또한, 제1 모듈 영역(20)에 서브 화소 영역들(11)이 포함됨으로써, 제1 모듈 영역(20)에서 영상이 표시될 수 있다. 더욱이, 제1 모듈 영역(20)에 포함된 투과 영역들(21) 및 제2 모듈 영역(30)에 포함된 투과 영역(21)에서 발광층(330) 및 상부 전극(340)이 배치되지 않음으로써 외광이 용이하게 제1 기능성 모듈(410) 및 제2 기능성 모듈(420)에 제공될 수 있다. 이에 따라, 제1 기능성 모듈(410) 및 제2 기능성 모듈(420)은 유기 발광 표시 장치(100)의 제1 면(S1)에 위치하는 주변 상황을 감지 또는 사물의 이미지를 촬영할 수 있다.
도 12 및 13은 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치를 나타내는 단면도이다. 예를 들면, 도 12는 도 6의 II-II'라인을 따라 절단한 단면도이고, 도 13은 도 4의 III-III'라인을 따라 절단한 단면도이다. 도 12 및 13에 예시한 유기 발광 표시 장치(500)는 하부 스페이서(510) 및 하부 구조물(610)을 제외하면 도 1 내지 11을 참조하여 설명한 유기 발광 표시 장치(100)와 실질적으로 동일하거나 유사한 구성을 가질 수 있다. 도 12 및 13에 있어서, 도 1 내지 1을 참조하여 설명한 구성 요소들과 실질적으로 동일하거나 유사한 구성 요소들에 대해 중복되는 설명은 생략한다.
도 9, 12 및 13을 참조하면, 유기 발광 표시 장치(500)는 하부 기판(110), 반도체 소자들(250), 게이트 절연층(150), 층간 절연층(190), 평탄화층(270), 화소 정의막(310), 하부 스페이서들(510), 하부 구조물(610), 서브 화소 구조물들(200), 상부 기판(450), 제1 기능성 모듈(410), 제2 기능성 모듈(420) 등을 포함할 수 있다. 여기서, 서브 화소 구조물들(200) 각각은 하부 전극(290), 발광층(330) 및 상부 전극(340)을 포함할 수 있다.
화소 정의막(310)은 평탄화층(270) 상의 표시 영역(10) 및 제1 모듈 영역(20)에 배치될 수 있다. 다시 말하면, 화소 정의막(310)은 제2 모듈 영역(30)에 배치되지 않을 수 있다. 예를 들면, 화소 정의막(310)은 하부 전극들(290) 각각의 양측부를 덮을 수 있고, 하부 전극들(290) 각각의 상면의 일부를 노출시키는 개구를 가질 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 화소 정의막(310)은 제1 모듈 영역(20)에서 제1 모듈 영역(20)에 포함된 투과 영역들(21) 및 상기 투과 영역들(21) 각각과 인접한 제1 모듈 영역(20)에 위치하는 평탄화층(270)의 상면을 노출시키는 개구(301)를 가질 수 있고, 표시 영역(10)에서 제2 모듈 영역(30)에 위치하는 평탄화층(270)의 상면을 노출시키는 개구(302)를 가질 수 있다. 화소 정의막(310)은 유기 물질로 이루어질 수 있다.
하부 스페이서들(510)은 평탄화층(270) 상의 제1 모듈 영역(20)에 배치될 수 있다. 예를 들면, 하부 스페이서들(510) 각각은 제1 모듈 영역(20)에서 화소 정의막(310)의 개구(301)에 배치될 수 있고, 화소 정의막(310)과 이격될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 하부 스페이서들(510) 각각의 상면은 화소 정의막(310)의 상면과 동일한 레벨에 위치할 수 있다. 하부 스페이서들(510) 각각은 유기 물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 하부 스페이서들(510) 각각은 포토레지스트, 폴리아크릴계 수지, 폴리이미드계 수지, 폴리아미드계 수지, 실롯산계 수지, 아크릴계 수지, 에폭시계 수지 등을 포함할 수 있다.
하부 구조물(610)은 평탄화층(270) 상의 제2 모듈 영역(30)에 배치될 수 있다. 예를 들면, 하부 구조물(610)은 제2 모듈 영역(30)에서 화소 정의막(310)의 개구(302)에 배치될 수 있고, 화소 정의막(310)과 이격될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 하부 구조물(610)의 상면은 화소 정의막(310)의 상면 및 하부 스페이서(510)의 상면과 동일한 레벨에 위치할 수 있다. 하부 구조물(610)은 유기 물질을 포함할 수 있다.
발광층(330)이 화소 정의막(310), 하부 전극(290), 하부 스페이서(510)의 일부, 하부 구조물(610)의 일부 및 평탄화층(270)의 일부 상의 표시 영역(10), 제1 모듈 영역(20)의 일부에 배치될 수 있고, 제2 모듈 영역(30)에는 배치되지 않을 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 발광층(330)은 표시 영역(10)에서 화소 정의막(310) 및 하부 전극(290) 상에 전체적으로 배치될 수 있다. 또한, 발광층(330)은 제1 모듈 영역(20)에서 서브 화소 영역들(11) 각각에 배치된 하부 전극(290) 및 제1 모듈 영역(20)에 배치된 화소 정의막(310) 상에는 배치되지만 투과 영역(21)에는 배치되지 않을 수 있다. 다시 말하면, 발광층(330)은 제1 모듈 영역(20)에 포함된 투과 영역들(21) 각각에서 하부 스페이서(510)의 상면을 노출시키는 제1 개구(331)를 가질 수 있다. 이러한 경우, 발광층(330)은 하부 스페이서(510)의 측면의 적어도 일부에 배치될 수 있다. 더욱이, 발광층(330)은 제2 모듈 영역(30)에 포함된 투과 영역(21)에서 하부 구조물(610)의 상면을 노출시키는 제3 개구(332)를 가질 수 있다. 이러한 경우, 발광층(330)은 하부 구조물(610)의 측면의 적어도 일부에 배치될 수 있다. 이에 따라, 발광층(330)이 제1 모듈 영역(20)에 형성된 제1 개구(331) 및 제2 모듈 영역(30)에 형성된 제3 개구(332)를 가짐으로써, 외부로부터 입사하는 광이 제1 모듈 영역(20)에 포함된 투과 영역들(21) 및 제2 모듈 영역(30)에 포함된 투과 영역(21)에서 용이하게 투과될 수 있다.
발광층(330)의 유기 발광층(EML)은 서브 화소들에 따라 상이한 색광들을 방출시킬 수 있는 발광 물질들 중 적어도 하나를 사용하여 형성될 수 있다. 이와는 달리, 발광층(330)의 유기 발광층(EML)은 적색광, 녹색광, 청색광 등의 다른 색광들을 발생시킬 수 있는 복수의 발광 물질들을 적층하여 전체적으로 백색광을 방출할 수도 있다.
상부 전극(340)이 발광층(330) 상의 표시 영역(10) 및 제1 모듈 영역(20)의 일부에 배치될 수 있고, 제2 모듈 영역(30)에는 배치되지 않을 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 상부 전극(340)은 표시 영역(10)에서 발광층(330) 상에 전체적으로 배치될 수 있다. 또한, 상부 전극(340)은 제1 모듈 영역(20)에서 발광층(330)과 중첩하여 배치될 수 있다. 다시 말하면, 상부 전극(340)은 제1 모듈 영역(20)에 포함된 투과 영역들(21) 각각에서 하부 스페이서(510)의 상면을 노출시키는 제1 개구(331)와 중첩하는 제2 개구(341)를 가질 수 있다. 이러한 경우, 상부 전극(340)은 하부 스페이서(510)의 측면의 적어도 일부와 중첩하여 배치될 수 있다. 더욱이, 상부 전극(340)은 제2 모듈 영역(30)에 포함된 투과 영역(21)에서 하부 구조물(610)의 상면을 노출시키는 제3 개구(332)와 중첩하는 제4 개구(342)를 가질 수 있다. 이러한 경우, 상부 전극(340)은 하부 구조물(610)의 측면의 적어도 일부와 중첩하여 배치될 수 있다. 이에 따라, 상부 전극(340)이 제1 모듈 영역(20)에 형성된 제2 개구(341) 및 제2 모듈 영역(30)에 형성된 제4 개구(342)를 가짐으로써, 외부로부터 입사하는 광이 제1 모듈 영역(20)에 포함된 투과 영역들(21) 및 제2 모듈 영역(30)에 포함된 투과 영역(21)에서 용이하게 투과될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 제1 개구(331) 및 제2 개구(341)가 위치하는 부분이 제1 모듈 영역(20)에 포함된 투과 영역들(21) 각각과 대응될 수 있고, 제3 개구(332) 및 제4 개구(342)가 위치하는 부분이 제2 모듈 영역(30)에 포함된 투과 영역(21)과 대응될 수 있다.
상부 전극(340)은 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다. 선택적으로, 상부 전극(340)은 복수의 층들을 포함하는 다층 구조를 가질 수도 있다.
본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치(500)는 하부 스페이서(510)들 및 하부 구조물(610)을 포함할 수 있다. 유기 발광 표시 장치(500)의 제조 방법에 있어서, 제1 모듈 영역(20) 및 제2 모듈 영역(30)에서 발광층(330) 및 상부 전극(340)에 제1 개구들(331), 제2 개구들(341), 제3 개구(332) 및 제4 개구(342)를 형성하기 위해 연마 테이프가 사용될 수 있다. 상기 연마 테이프를 이용하여 제1 모듈 영역(20) 및 제2 모듈 영역(30)에서 발광층(330) 및 상부 전극(340)의 일부가 제거될 수 있다. 유기 발광 표시 장치(500)가 하부 스페이서들(510) 및 하부 구조물(610)을 포함함으로써, 상기 연마 테이프에 의해 제거될 발광층(330) 및 상부 전극(340)의 레벨이 상대적으로 높아 질 수 있다. 이에 따라, 상기 연마 테이프의 연마 공정이 상대적으로 용이하게 수행될 수 있다. 예를 들면, 유기 발광 표시 장치(500)가 하부 스페이서들(510) 및 하부 구조물(610)을 포함하지 않는 경우, 상기 연마 테이프가 화소 정의막(310)의 개구(301) 및 개구(302)의 내부에 배치된 발광층(330) 및 상부 전극(340)을 제거해야 되기 때문에 상대적으로 상기 연마 공정이 더 어려울 수 있다.
도 14 및 15는 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치를 나타내는 단면도이다. 예를 들면, 도 14는 도 6의 II-II'라인을 따라 절단한 단면도이고, 도 15는 도 4의 III-III'라인을 따라 절단한 단면도이다. 도 14 및 15에 예시한 유기 발광 표시 장치(600)는 상부 스페이서(520) 및 상부 구조물(620)을 제외하면 도 12 및 13을 참조하여 설명한 유기 발광 표시 장치(500)와 실질적으로 동일하거나 유사한 구성을 가질 수 있다. 도 14 및 15에 있어서, 도 12 및 13을 참조하여 설명한 구성 요소들과 실질적으로 동일하거나 유사한 구성 요소들에 대해 중복되는 설명은 생략한다.
도 9, 14 및 15를 참조하면, 유기 발광 표시 장치(600)는 하부 기판(110), 반도체 소자들(250), 게이트 절연층(150), 층간 절연층(190), 평탄화층(270), 화소 정의막(310), 하부 스페이서들(510), 상부 스페이서들(520), 하부 구조물(610), 상부 구조물(620), 서브 화소 구조물들(200), 상부 기판(450), 제1 기능성 모듈(410), 제2 기능성 모듈(420) 등을 포함할 수 있다. 여기서, 서브 화소 구조물들(200) 각각은 하부 전극(290), 발광층(330) 및 상부 전극(340)을 포함할 수 있다.
상부 스페이서들(520)은 하부 스페이서들(510) 상에 각기 배치될 수 있다. 예를 들면, 상부 스페이서들(520) 각각은 제1 모듈 영역(20)에서 화소 정의막(310)의 개구(301)에 배치될 수 있고, 화소 정의막(310)과 이격될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 상부 스페이서들(520) 각각은 상면은 화소 정의막(310)의 상면보다 높은 레벨에 위치할 수 있다. 상부 스페이서들(520) 각각은 유기 물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 상부 스페이서들(520) 각각은 포토레지스트, 폴리아크릴계 수지, 폴리이미드계 수지, 폴리아미드계 수지, 실롯산계 수지, 아크릴계 수지, 에폭시계 수지 등을 포함할 수 있다.
상부 구조물(620)은 하부 구조물(610) 상에 배치될 수 있다. 예를 들면, 상부 구조물(620)은 제2 모듈 영역(30)에서 화소 정의막(310)의 개구(302)에 배치될 수 있고, 화소 정의막(310)과 이격될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 상부 구조물(620)의 상면은 화소 정의막(310)의 상면 및 하부 스페이서(510)의 상면보다 높은 레벨에 위치할 수 있다. 상부 구조물(610)은 유기 물질을 포함할 수 있다.
발광층(330)이 화소 정의막(310), 하부 전극(290), 하부 스페이서(510), 상부 스페이서(520)의 일부, 하부 구조물(610), 상부 구조물(620)의 일부 및 평탄화층(270)의 일부 상의 표시 영역(10), 제1 모듈 영역(20)의 일부에 배치될 수 있고, 제2 모듈 영역(30)에는 배치되지 않을 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 발광층(330)은 표시 영역(10)에서 화소 정의막(310) 및 하부 전극(290) 상에 전체적으로 배치될 수 있다. 또한, 발광층(330)은 제1 모듈 영역(20)에서 서브 화소 영역들(11) 각각에 배치된 하부 전극(290) 및 제1 모듈 영역(20)에 배치된 화소 정의막(310) 상에는 배치되지만 투과 영역(21)에는 배치되지 않을 수 있다. 다시 말하면, 발광층(330)은 제1 모듈 영역(20)에 포함된 투과 영역들(21) 각각에서 상부 스페이서(520)의 상면을 노출시키는 제1 개구(331)를 가질 수 있다. 이러한 경우, 발광층(330)은 상부 스페이서(520)의 측면의 적어도 일부에 배치될 수 있다. 더욱이, 발광층(330)은 제2 모듈 영역(30)에 포함된 투과 영역(21)에서 상부 구조물(620)의 상면을 노출시키는 제3 개구(332)를 가질 수 있다. 이러한 경우, 발광층(330)은 상부 구조물(610)의 측면의 적어도 일부에 배치될 수 있다. 이에 따라, 발광층(330)이 제1 모듈 영역(20)에 형성된 제1 개구들(331) 및 제2 모듈 영역(30)에 형성된 제3 개구(332)를 가짐으로써, 외부로부터 입사하는 광이 제1 모듈 영역(20)에 포함된 투과 영역들(21) 및 제2 모듈 영역(30)에 포함된 투과 영역(21)에서 용이하게 투과될 수 있다.
발광층(330)의 유기 발광층(EML)은 서브 화소들에 따라 상이한 색광들을 방출시킬 수 있는 발광 물질들 중 적어도 하나를 사용하여 형성될 수 있다. 이와는 달리, 발광층(330)의 유기 발광층(EML)은 적색광, 녹색광, 청색광 등의 다른 색광들을 발생시킬 수 있는 복수의 발광 물질들을 적층하여 전체적으로 백색광을 방출할 수도 있다.
상부 전극(340)이 발광층(330) 상의 표시 영역(10) 및 제1 모듈 영역(20)의 일부에 배치될 수 있고, 제2 모듈 영역(30)에는 배치되지 않을 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 상부 전극(340)은 표시 영역(10)에서 발광층(330) 상에 전체적으로 배치될 수 있다. 또한, 상부 전극(340)은 제1 모듈 영역(20)에서 발광층(330)과 중첩하여 배치될 수 있다. 다시 말하면, 상부 전극(340)은 제1 모듈 영역(20)에 포함된 투과 영역들(21) 각각에서 상부 스페이서(520)의 상면을 노출시키는 제1 개구(331)와 중첩하는 제2 개구(341)를 가질 수 있다. 이러한 경우, 상부 전극(340)은 상부 스페이서(520)의 측면의 적어도 일부와 중첩하여 배치될 수 있다. 더욱이, 상부 전극(340)은 제2 모듈 영역(30)에 포함된 투과 영역(21)에서 상부 구조물(610)의 상면을 노출시키는 제3 개구(332)와 중첩하는 제4 개구(342)를 가질 수 있다. 이러한 경우, 상부 전극(340)은 상부 구조물(620)의 측면의 적어도 일부와 중첩하여 배치될 수 있다. 이에 따라, 상부 전극(340)이 제1 모듈 영역(20)에 형성된 제2 개구들(341) 및 제2 모듈 영역(30)에 형성된 제4 개구(342)를 가짐으로써, 외부로부터 입사하는 광이 제1 모듈 영역(20)에 포함된 투과 영역들(21) 및 제2 모듈 영역(30)에 포함된 투과 영역(21)에서 용이하게 투과될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 제1 개구(331) 및 제2 개구(341)가 위치하는 부분이 제1 모듈 영역(20)에 포함된 투과 영역들(21) 각각과 대응될 수 있고, 제3 개구(332) 및 제4 개구(342)가 위치하는 부분이 제2 모듈 영역(30)에 포함된 투과 영역(21)과 대응될 수 있다.
상부 전극(340)은 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다. 선택적으로, 상부 전극(340)은 복수의 층들을 포함하는 다층 구조를 가질 수도 있다.
본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치(600)는 하부 스페이서들(510), 상부 스페이서들(520), 하부 구조물(610) 및 상부 구조물(620)을 포함할 수 있다. 유기 발광 표시 장치(600)의 제조 방법에 있어서, 제1 모듈 영역(20) 및 제2 모듈 영역(30)에서 발광층(330) 및 상부 전극(340)에 제1 개구들(331), 제2 개구들(341), 제3 개구(332) 및 제4 개구(342)를 형성하기 위해 연마 테이프가 사용될 수 있다. 상기 연마 테이프를 이용하여 제1 모듈 영역(20) 및 제2 모듈 영역(30)에서 발광층(330) 및 상부 전극(340)의 일부가 제거될 수 있다. 유기 발광 표시 장치(600)가 하부 스페이서들(510), 상부 스페이서들(520), 하부 구조물(610) 및 상부 구조물(620)을 포함함으로써, 상기 연마 테이프에 의해 제거될 발광층(330) 및 상부 전극(340)의 레벨이 상대적으로 높아 질 수 있다. 이에 따라, 상기 연마 테이프의 연마 공정이 상대적으로 용이하게 수행될 수 있다. 예를 들면, 제1 모듈 영역(20)에 포함된 투과 영역들(21) 및 제2 모듈 영역(30)에 포함된 투과 영역(21)에 배치된 발광층(330) 및 상부 전극(340)이 상대적으로 돌출되어 위치하기 때문에 연마 테이프가 동일한 위치에 고정되어 상기 발광층(330) 및 상기 상부 전극(340)을 제거할 수 있다. 또는, 제1 모듈 영역(20)에 포함된 투과 영역들(21) 및 제2 모듈 영역(30)에 포함된 투과 영역(21)에 배치된 발광층(330) 및 상부 전극(340)이 상대적으로 돌출되어 위치하기 때문에 상대적으로 큰 연마 테이프를 이용하여 상대적으로 많은 개수의 상부 스페이서들(520)에 위치한 발광층(330) 및 상부 전극(340)을 한번에 제거할 수 있다.
도 16 내지 도 31은 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조 방법을 나타내는 단면도들이다.
도 16, 17 및 18을 참조하면, 투명한 또는 불투명한 재료를 포함하는 하부 기판(110)이 제공될 수 있다. 하부 기판(110)은 석영 기판, 합성 석영 기판, 불화칼슘 기판, 불소가 도핑된 석영 기판, 소다라임 유리 기판, 무알칼리 유리 기판 등을 사용하여 형성될 수 있다.
하부 기판(110) 상에 버퍼층이 형성될 수도 있다. 상기 버퍼층은 하부 기판(110) 상에 전체적으로 형성될 수 있다. 상기 버퍼층은 하부 기판(110)으로부터 금속 원자들이나 불순물들이 상기 상부 구조물로 확산되는 현상을 방지할 수 있으며, 액티브층을 형성하기 위한 결정화 공정 동안 열의 전달 속도를 조절하여 실질적으로 균일한 액티브층을 수득하게 할 수 있다. 또한, 상기 버퍼층은 하부 기판(110)의 표면이 균일하지 않을 경우, 하부 기판(110)의 표면의 평탄도를 향상시키는 역할을 수행할 수 있다. 하부 기판(110)의 유형에 따라 하부 기판(110) 상에 두 개 이상의 버퍼층이 제공될 수 있거나 버퍼층이 형성되지 않을 수 있다. 예를 들면, 상기 버퍼층은 유기 물질 또는 무기 물질을 사용하여 형성될 수 있다.
액티브층들(130)이 하부 기판(110) 상의 표시 영역(10)에 포함된 서브 화소 영역들(11) 및 제1 모듈 영역(20)에 포함된 서브 화소 영역들(11)에 형성될 수 있다. 다시 말하면, 액티브층(130)이 제2 모듈 영역(30)에 형성되지 않을 수 있다. 액티브층들(130)은 산화물 반도체, 무기물 반도체 또는 유기물 반도체 등을 포함할 수 있다. 액티브층들(130) 각각은 채널 영역, 소스 영역 및 드레인 영역을 가질 수 있다.
액티브층들(130) 및 하부 기판(110) 상의 표시 영역(10), 제1 모듈 영역(20) 및 제2 모듈 영역(30)에 게이트 절연층(150)이 형성될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 게이트 절연층(150)은 하부 기판(110) 상에 전체적으로 형성될 수 있다. 예를 들면, 게이트 절연층(150)은 하부 기판(110) 상에서 액티브층들(130)을 충분히 덮을 수 있으며, 액티브층들(130)의 주위에 단차를 생성시키지 않고 실질적으로 평탄한 상면을 가질 수 있다. 선택적으로, 게이트 절연층(150)은 하부 기판(110) 상에서 액티브층들(130)을 덮으며, 균일한 두께로 액티브층들(130)의 프로파일을 따라 형성될 수도 있다. 게이트 절연층(150)은 실리콘 화합물, 금속 산화물 등을 사용하여 형성될 수 있다. 예를 들면, 게이트 절연층(150)은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산질화물, 실리콘 산탄화물, 실리콘 탄질화물, 알루미늄 산화물, 알루미늄 질화물, 탄탈륨 산화물, 하프늄 산화물, 지르코늄 산화물, 티타늄 산화물 등을 포함할 수 있다. 다른 예시적인 실시예들에 있어서, 게이트 절연층(150)은 서로 상이한 물질들로 이루어진 복수의 절연층들을 포함하는 다층 구조를 가질 수도 있다.
게이트 전극들(170)이 게이트 절연층(150) 상의 표시 영역(10)에 포함된 서브 화소 영역들(11) 및 제1 모듈 영역(20)에 포함된 서브 화소 영역들(11)에 형성될 수 있다. 다시 말하면, 게이트 전극들(170)이 제2 모듈 영역(30)에 형성되지 않을 수 있다. 예를 들면, 게이트 전극들(170) 각각은 게이트 절연층(150) 중에서 하부에 액티브층들(130) 각각이 위치하는 부분 상에 형성(예를 들어, 액티브층(130)의 상기 채널 영역과 중첩하여 형성)될 수 있다. 게이트 전극들(170) 각각은 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 사용하여 형성될 수 있다. 예를 들면, 게이트 전극들(170) 각각은 금, 은, 알루미늄, 백금, 니켈, 티타늄, 팔라듐, 마그네슘, 칼슘, 리튬, 크롬, 탄탈륨, 텅스텐, 구리, 몰리브데늄, 스칸듐, 네오디뮴, 이리듐, 금을 함유하는 합금, 은을 함유하는 합금, 알루미늄을 함유하는 합금, 백금을 함유하는 합금, 크롬을 함유하는 합금, 구리를 함유하는 합금, 몰리브데늄을 함유하는 합금, 알루미늄 질화물, 티타늄 질화물, 크롬 질화물, 탄탈륨 질화물, 텅스텐 질화물, 스트론튬 루테늄 산화물, 아연 산화물, 주석 산화물, 인듐 산화물, 갈륨 산화물, 인듐 주석 산화물, 인듐 아연 산화물 등을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다. 선택적으로, 게이트 전극들(170) 각각은 복수의 층들을 포함하는 다층 구조를 가질 수도 있다.
게이트 전극들(170) 및 게이트 절연층(150) 상의 표시 영역(10), 제1 모듈 영역(20) 및 제2 모듈 영역(30)에는 층간 절연층(190)이 형성될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 층간 절연층(190)은 게이트 절연층(150) 상에 전체적으로 형성될 수 있다. 예를 들면, 층간 절연층(190)은 게이트 절연층(150) 상에서 게이트 전극들(170)을 충분히 덮을 수 있으며, 게이트 전극들(170)의 주위에 단차를 생성시키지 않고 실질적으로 평탄한 상면을 가질 수 있다. 선택적으로, 층간 절연층(190)은 게이트 절연층(150) 상에서 게이트 전극들(170)을 덮으며, 균일한 두께로 게이트 전극들(170)의 프로파일을 따라 형성될 수도 있다. 층간 절연층(190)은 실리콘 화합물, 금속 산화물 등을 사용하여 형성될 수 있다. 다른 예시적인 실시예들에 있어서, 층간 절연층(190)은 서로 상이한 물질들로 이루어진 복수의 절연층들을 포함하는 다층 구조를 가질 수도 있다.
도 19, 20 및 21을 참조하면, 소스 전극들(210) 및 드레인 전극들(230)이 층간 절연층(190) 상의 표시 영역(10)에 포함된 서브 화소 영역들(11) 및 제1 모듈 영역(20)에 포함된 서브 화소 영역들(11)에 형성될 수 있다. 소스 전극(210)들 각각은 게이트 절연층(150) 및 층간 절연층(190)의 제1 부분을 제거하여 형성된 콘택홀을 통해 액티브층들(130) 각각의 상기 소스 영역에 접속될 수 있고, 드레인 전극들(230) 각각은 게이트 절연층(150) 및 층간 절연층(190)의 제2 부분을 제거하여 형성된 콘택홀을 통해 액티브층들(130) 각각의 상기 드레인 영역에 접속될 수 있다. 소스 전극들(210) 및 드레인 전극들(230) 각각은 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 사용하여 형성될 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다. 선택적으로, 소스 전극들(210) 및 드레인 전극들(230) 각각은 복수의 층들을 포함하는 다층 구조를 가질 수도 있다.
이에 따라, 표시 영역(10)에 포함된 서브 화소 영역들(11) 각각에서 액티브층(130), 게이트 전극(170), 소스 전극(210) 및 드레인 전극(230)을 포함하는 반도체 소자(250)가 형성될 수 있고, 제1 모듈 영역(20)에 포함된 서브 화소 영역들(11) 각각에서 액티브층(130), 게이트 전극(170), 소스 전극(210) 및 드레인 전극(230)을 포함하는 반도체 소자(250)가 형성될 수 있다. 다시 말하면, 반도체 소자(250)는 제2 모듈 영역(30)에 형성되지 않을 수 있다.
층간 절연층(190) 및 반도체 소자들(250) 상의 표시 영역(10), 제1 모듈 영역(20) 및 제2 모듈 영역(30)에 평탄화층(270)이 형성될 수 있고, 평탄화층(270)에는 표시 영역(10)에 포함된 서브 화소 영역들(11) 각각에 형성된 드레인 전극(235)의 일부 및 제1 모듈 영역(20)에 포함된 서브 화소 영역들(11) 각각에 형성된 드레인 전극(230)의 일부를 노출시키는 콘택홀들이 형성될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 평탄화층(270)은 층간 절연층(190) 상에 전체적으로 형성될 수 있다. 평탄화층(270)은 반도체 소자들(250)을 충분히 덮도록 상대적으로 두꺼운 두께로 형성될 수 있고, 이러한 경우, 평탄화층(270)은 실질적으로 평탄한 상면을 가질 수 있으며, 이와 같은 평탄화층(270)의 평탄한 상면을 구현하기 위하여 평탄화층(270)에 대해 평탄화 공정이 추가될 수 있다. 평탄화층(270)은 유기 물질을 사용하여 형성될 수 있다.
하부 전극들(290)이 평탄화층(270) 상의 표시 영역(10)에 포함된 서브 화소 영역들(11) 및 제1 모듈 영역(20)에 포함된 서브 화소 영역들(11)에 형성될 수 있다. 예를 들면, 표시 영역(10)에 포함된 서브 화소 영역들(11) 각각에 형성된 하부 전극(290)은 평탄화층(270)의 상기 콘택홀을 통해 표시 영역(10)에 포함된 서브 화소 영역들(11) 각각에 형성된 드레인 전극(230)과 직접적으로 접촉할 수 있고, 표시 영역(10)에 포함된 서브 화소 영역들(11) 각각에 형성된 하부 전극(290)은 표시 영역(10)에 포함된 서브 화소 영역들(11) 각각에 형성된 반도체 소자(250)와 전기적으로 연결될 수 있다. 또한, 제1 모듈 영역(20)에 포함된 서브 화소 영역들(11) 각각에 형성된 하부 전극(290)은 상기 콘택홀을 통해 제1 모듈 영역(20)에 포함된 서브 화소 영역들(11) 각각에 형성된 드레인 전극(230)과 직접적으로 접촉할 수 있고, 제1 모듈 영역(20)에 포함된 서브 화소 영역들(11) 각각에 형성된 하부 전극(290)은 제1 모듈 영역(20)에 포함된 서브 화소 영역들(11) 각각에 형성된 반도체 소자(250)와 전기적으로 연결될 수 있다. 하부 전극들(290) 각각은 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 사용하여 형성될 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다. 다른 예시적인 실시예들에 있어서, 하부 전극들(290) 각각은 복수의 층들을 포함하는 다층 구조를 가질 수도 있다.
도 22, 23 및 24를 참조하면, 화소 정의막(310)은 평탄화층(270) 상의 표시 영역(10), 제1 모듈 영역(20) 및 제2 모듈 영역(30)에 형성될 수 있다. 다시 말하면, 화소 정의막(310)은 제2 모듈 영역(30)에 형성되지 않을 수 있다. 예를 들면, 화소 정의막(310)은 하부 전극들(290) 각각의 양측부를 덮을 수 있고, 하부 전극들(290) 각각의 상면의 일부를 노출시키는 개구를 가질 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 화소 정의막(310)은 제1 모듈 영역(20)에서 제1 모듈 영역(20)에 포함된 투과 영역들(21) 및 상기 투과 영역들(21) 각각과 인접한 제1 모듈 영역(20)에 위치하는 평탄화층(270)의 상면을 노출시키는 개구(301)를 가질 수 있고, 표시 영역(10)에서 제2 모듈 영역(30)에 위치하는 평탄화층(270)의 상면을 노출시키는 개구(302)를 가질 수 있다. 화소 정의막(310)은 유기 물질을 사용하여 형성될 수 있다. 선택적으로, 제2 모듈 영역(30)에 포함된 투과 영역(21)에 화소 정의막(310)이 형성될 수도 있다. 이러한 경우, 화소 정의막(310)은 투명한 물질을 사용하여 형성될 수 있다.
하부 스페이서들(510)은 평탄화층(270) 상의 제1 모듈 영역(20)에 형성될 수 있다. 예를 들면, 하부 스페이서들(510) 각각은 제1 모듈 영역(20)에서 화소 정의막(310)의 개구(301)에 형성될 수 있고, 화소 정의막(310)과 이격될 수 있다. 하부 스페이서들(510) 각각은 유기 물질을 사용하여 형성될 수 있다. 예를 들면, 하부 스페이서들(510) 각각은 포토레지스트, 폴리아크릴계 수지, 폴리이미드계 수지, 폴리아미드계 수지, 실롯산계 수지, 아크릴계 수지, 에폭시계 수지 등을 포함할 수 있다.
하부 구조물(610)은 평탄화층(270) 상의 제2 모듈 영역(30)에 형성될 수 있다. 예를 들면, 하부 구조물(610)은 제2 모듈 영역(30)에서 화소 정의막(310)의 개구(302)에 형성될 수 있고, 화소 정의막(310)과 이격될 수 있다. 하부 구조물(610)은 유기 물질을 사용하여 형성될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 하부 구조물(610), 화소 정의막(310) 및 하부 스페이서(510)는 동일한 층에서 동일한 물질을 사용하여 동시에 형성될 수 있다.
상부 스페이서들(520)은 하부 스페이서들(510) 상에 각기 형성될 수 있다. 예를 들면, 상부 스페이서들(520) 각각은 제1 모듈 영역(20)에서 화소 정의막(310)의 개구(301)에 형성될 수 있고, 화소 정의막(310)과 이격될 수 있다. 상부 스페이서들(520) 각각은 유기 물질을 사용하여 형성될 수 있다.
상부 구조물(620)은 하부 구조물(610) 상에 형성될 수 있다. 예를 들면, 상부 구조물(620)은 제2 모듈 영역(30)에서 화소 정의막(310)의 개구(302)에 형성될 수 있고, 화소 정의막(310)과 이격될 수 있다. 상부 구조물(610)은 유기 물질을 사용하여 형성될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 상부 스페이서(520) 및 상부 구조물(620)은 동일한 물질을 사용하여 동시에 형성될 수 있다.
도 25, 26 및 27을 참조하면, 발광층(330)이 화소 정의막(310), 하부 전극(290), 하부 스페이서(510), 상부 스페이서(520), 하부 구조물(610), 상부 구조물(620) 및 평탄화층(270) 상의 표시 영역(10), 제1 모듈 영역(20) 및 제2 모듈 영역(30) 상에 형성될 수 있다. 다시 말하면, 발광층(330)이 하부 기판(110) 상에 전체적으로 형성될 수 있다. 발광층(330)은 유기 발광층(EML), 정공 주입층(HIL), 정공 수송층(HTL), 전자 수송층(ETL), 전자 주입층(EIL) 등을 포함하는 다층 구조를 가질 수 있다. 발광층(330)의 유기 발광층(EML)은 서브 화소들에 따라 상이한 색광들을 방출시킬 수 있는 발광 물질들 중 적어도 하나를 사용하여 형성될 수 있다. 이와는 달리, 발광층(330)의 유기 발광층(EML)은 적색광, 녹색광, 청색광 등의 다른 색광들을 발생시킬 수 있는 복수의 발광 물질들을 적층하여 전체적으로 백색광을 방출할 수도 있다.
상부 전극(340)이 발광층(330) 상의 표시 영역(10), 제1 모듈 영역(20) 및 제2 모듈 영역(30) 상에 형성될 수 있다. 다시 말하면, 상부 전극(340)이 발광층(330) 상에 전체적으로 형성될 수 있다. 상부 전극(340)은 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 사용하여 형성될 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다. 선택적으로, 상부 전극(340)은 복수의 층들을 포함하는 다층 구조를 가질 수도 있다.
이에 따라, 표시 영역(10)에 포함된 서브 화소 영역들(11) 각각에 하부 전극(290), 발광층(330) 및 상부 전극(340)을 포함하는 서브 화소 구조물(200)이 형성될 수 있고, 제1 모듈 영역(20)에 포함된 서브 화소 영역들(11) 각각에 하부 전극(290), 발광층(330) 및 상부 전극(340)을 포함하는 서브 화소 구조물(200)이 형성될 수 있다.
도 28 및 29를 참조하면, 팁(710) 및 연마 테이프(720)를 이용하여 연마 공정이 수행될 수 있다. 상부 스페이서(520) 상에 형성된 발광층(330) 및 상부 전극(340) 및 상부 구조물(620) 상에 형성된 발광층(330) 및 상부 전극(340)이 상기 연마 공정을 통해 제거될 수 있다. 선택적으로, 제1 모듈 영역(20)에 포함된 투과 영역들(21) 및 제2 모듈 영역(30)에 포함된 투과 영역(21)에 형성된 발광층(330) 및 상부 전극(340)이 상대적으로 돌출되어 위치하기 때문에 상대적으로 팁(710) 및 연마 테이프(720)를 이용하여 상대적으로 많은 개수의 상부 스페이서들(520)에 위치한 발광층(330) 및 상부 전극(340)을 한번에 제거할 수도 있다.
예를 들면, 종래의 유기 발광 표시 장치의 제조 방법에 있어서, 제1 기능성 모듈(410) 및 제2 기능성 모듈(420)이 상기 종래의 유기 발광 표시 장치에 포함되기 위해 상기 종래의 유기 발광 표시 장치의 일부에 개구가 형성될 수 있다. 이러한 경우, 상기 개구가 형성된 부분에는 영상이 표시될 수 없고, 상기 개구를 형상하는 과정에서 상기 종래의 유기 발광 표시 장치가 손상될 수 있다. 또한, 상기 연마 공정을 대신하여 마스크 공정을 통해 투과 영역(21)에 위치하는 발광층(330) 및 상부 전극(340)을 제거하는 경우, 상기 마스크에는 동일한 패턴의 개구부(또는 좌우 대칭적인 개구부)가 형성되지 않고, 투과 영역(21)에 위치하는 발광층(330) 및 상부 전극(340)을 제거하기 위해 상이한 패턴의 개구(또는 좌우 대칭적이지 않는 개구부)가 형성될 수 있다. 이러한 경우, 상기 마스크가 균일한 인장을 얻을 수 없어 발광층(330) 및 상부 전극(340)의 불량을 야기시킬 수 있다. 더욱이, 식각 공정을 통해 투과 영역(21)에 위치하는 발광층(330) 및 상부 전극(340)을 제거하는 경우, 파티클과 퓸(fume)이 발생하여 인접한 발광층(330)을 오염시킬 수 있다. 즉, 투과 영역(21)에 위치하는 발광층(330) 및 상부 전극(340)을 제거하기 위해 상기 연마 공정을 사용해야만 한다.
도 30 및 31을 참조하면, 상기 연마 공정 후, 제1 모듈 영역(20)에 포함된 투과 영역들(21) 각각에서 상부 스페이서(520)의 상면을 노출시키는 제1 개구(331) 및 제2 모듈 영역(30)에 포함된 투과 영역(21)에서 상부 구조물(620)의 상면을 노출시키는 제3 개구(332)가 발광층(330)에 형성될 수 있다. 이에 따라, 발광층(330)이 제1 모듈 영역(20)에 형성된 제1 개구(331) 및 제2 모듈 영역(30)에 형성된 제3 개구(332)를 가짐으로써, 외부로부터 입사하는 광이 제1 모듈 영역(20)에 포함된 투과 영역들(21) 및 제2 모듈 영역(30)에 포함된 투과 영역(21)에서 용이하게 투과될 수 있다.
또한, 제1 모듈 영역(20)에 포함된 투과 영역들(21) 각각에서 상부 스페이서(520)의 상면을 노출시키는 제1 개구(331)와 중첩하는 제2 개구(341) 및 제2 모듈 영역(30)에 포함된 투과 영역(21)에서 상부 구조물(610)의 상면을 노출시키는 제3 개구(332)와 중첩하는 제4 개구(342)가 상부 전극(340)에 형성될 수 있다. 이에 따라, 상부 전극(340)이 제1 모듈 영역(20)에 형성된 제2 개구들(341) 및 제2 모듈 영역(30)에 형성된 제4 개구(342)를 가짐으로써, 외부로부터 입사하는 광이 제1 모듈 영역(20)에 포함된 투과 영역들(21) 및 제2 모듈 영역(30)에 포함된 투과 영역(21)에서 용이하게 투과될 수 있다.
도 9, 14 및 15를 참조하면, 상부 전극(340) 상에 상부 기판(450)이 형성될 수 있고, 상부 기판(450)은 하부 기판(110)과 대향할 수 있다. 상부 기판(450)은 실질적으로 하부 기판(110)과 동일한 재료를 사용하여 형성될 수 있다. 예를 들면, 상부 기판(450)은 석영 기판, 합성 석영 기판, 불화칼슘 기판, 불소가 도핑된 석영 기판, 소다 라임 유리 기판, 무알칼리 유리 기판 등을 포함할 수 있다.
제1 기능성 모듈(410)이 하부 기판(110)의 저면 상의 제1 모듈 영역(20)과 중첩하여 형성될 수 있다. 제1 기능성 모듈(410)은 제1 모듈 영역(20)에 포함된 투과 영역들(21)을 통해 상부 기판(450)의 상면상의 주변 상황을 감지 또는 사물의 이미지를 감지할 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 제1 기능성 모듈(410)은 얼굴 인식 센서 모듈, 동공 인식 센서 모듈, 가속도 센서 모듈, 지자기 센서 모듈, 근접 센서 모듈, 적외선 센서 모듈, 조도 센서 모듈 등을 사용하여 형성될 수 있다.
제2 기능성 모듈(420)이 하부 기판(110)의 저면 상의 제2 모듈 영역(30)과 중첩하여 형성될 수 있다. 제2 기능성 모듈(420)은 제2 모듈 영역(30)에 포함된 투과 영역(21)을 통해 상부 기판(450)의 상면 상에 위치하는 사물의 이미지를 촬영할 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 제2 기능성 모듈(420)은 카메라 모듈을 사용하여 형성될 수 있다.
이에 따라, 도 14 및 15에 도시된 유기 발광 표시 장치(600)가 제조될 수 있다. 전술한 바와 같이, 상기 연마 공정 방법을 이용하여 도 10 및 11에 도시된 유기 발광 표시 장치(100) 및 도 12 및 13에 도시된 유기 발광 표시 장치(500)도 용이하게 제조될 수 있다.
본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조 방법에 있어서, 발광층(330) 및 상부 전극(340)이 제1 모듈 영역(20)에 포함된 투과 영역들(21) 및 제2 모듈 영역(30)에 포함된 투과 영역(21)에서 제거됨으로써, 외부로부터 입사하는 광이 제1 모듈 영역(20)에 포함된 투과 영역들(21) 및 제2 모듈 영역(30)에 포함된 투과 영역(21)에서 용이하게 투과될 수 있다.
상술한 바에서는, 본 발명의 예시적인 실시예들을 참조하여 설명하였지만, 해당 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 하기의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 것이다.
본 발명은 유기 발광 표시 장치를 구비할 수 있는 다양한 디스플레이 기기들에 적용될 수 있다. 예를 들면, 본 발명은 차량용, 선박용 및 항공기용 디스플레이 장치들, 휴대용 통신 장치들, 전시용 또는 정보 전달용 디스플레이 장치들, 의료용 디스플레이 장치들 등과 같은 수많은 디스플레이 기기들에 적용 가능하다.
10: 표시 영역 11: 서브 화소 영역
20: 제1 모듈 영역 21: 투과 영역
30: 제2 모듈 영역
100, 500, 600: 유기 발광 표시 장치
110: 하부 기판 130: 액티브층
150: 게이트 절연층 170: 게이트 전극
190: 층간 절연층 200: 서브 화소 구조물
210: 소스 전극 230: 드레인 전극
250: 반도체 소자 270: 평탄화층
290: 하부 전극 310: 화소 정의막
330: 발광층 340: 상부 전극
410: 제1 기능성 모듈 420: 제2 기능성 모듈
450: 상부 기판 510: 하부 스페이서
520: 상부 스페이서 610: 하부 구조물
620: 상부 구조물 710: 팁
720: 연마 테이프

Claims (20)

  1. 서브 화소 영역들 및 투과 영역들을 포함하는 제1 모듈 영역 및 상기 제1 모듈 영역을 둘러싸며 상기 서브 화소 영역들을 포함하는 표시 영역을 갖는 하부 기판;
    상기 하부 기판 상의 상기 제1 모듈 영역에 포함된 상기 서브 화소 영역들에 각기 배치되는 복수의 하부 전극들;
    상기 하부 전극들 상에 배치되고, 상기 하부 전극들 중 인접한 2개의 하부 전극들 사이에서 제1 개구를 갖는 발광층;
    상기 발광층 상에 배치되고, 상기 제1 개구와 중첩하는 제2 개구를 갖는 상부 전극; 및
    상기 하부 기판의 저면 상의 상기 제1 모듈 영역에 배치되는 제1 기능성 모듈을 포함하는 유기 발광 표시 장치.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 제1 모듈 영역에 포함된 상기 투과 영역들 각각은 제1 및 제2 개구들이 위치하는 부분과 대응하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 하부 기판 상에 배치되는 평탄화층; 및
    상기 평탄화층 상의 상기 제1 모듈 영역에서 상기 하부 전극들 각각의 양측부를 덮도록 배치되고, 상기 제1 모듈 영역에 포함된 상기 투과 영역들 각각에서 상기 평탄화층의 상면을 노출시키는 개구를 갖는 화소 정의막을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
  4. 제 3 항에 있어서, 상기 제1 및 제2 개구들은 상기 제1 모듈 영역에 포함된 상기 투과 영역들 각각에서 상기 평탄화층의 상기 상면을 노출시키는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
  5. 제 3 항에 있어서,
    상기 하부 기판 상의 상기 제1 모듈 영역에 포함된 상기 투과 영역들 각각에 배치되는 하부 스페이서를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
  6. 제 5 항에 있어서, 상기 제1 및 제2 개구들은 상기 하부 스페이서의 상면을 노출시키고, 상기 하부 스페이서의 상면은 상기 화소 정의막의 상면과 동일한 레벨에 위치하며, 상기 발광층 및 상기 상부 전극은 상기 하부 스페이서의 측면의 적어도 일부에 배치되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
  7. 제 5 항에 있어서,
    상기 하부 스페이서 상에 배치되는 상부 스페이서를 더 포함하고,
    상기 제1 및 제2 개구들은 상기 상부 스페이서의 상면을 노출시키며, 상기 상부 스페이서의 상면은 상기 화소 정의막의 상면보다 높은 레벨에 위치하며, 상기 발광층 및 상기 상부 전극은 상기 하부 및 상부 스페이서들 각각의 측면의 적어도 일부에 배치되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
  8. 제 1 항에 있어서, 상기 하부 기판은,
    상기 제1 모듈 영역과 이격하여 위치하고, 상기 투과 영역을 포함하는 제2 모듈 영역을 더 포함하고,
    상기 표시 영역은 상기 제2 모듈 영역을 둘러싸는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 하부 기판의 저면 상의 상기 제2 모듈 영역에 배치되는 제2 기능성 모듈을 더 포함하고,
    상기 제2 모듈 영역의 상기 투과 영역은 상기 제2 기능성 모듈과 대응하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
  10. 제 9 항에 있어서, 상기 제1 기능성 모듈은 얼굴 인식 센서 모듈, 동공 인식 센서 모듈, 가속도 센서 모듈, 근접 센서 모듈, 적외선 센서 모듈, 조도 센서 모듈 등을 포함하고, 상기 제2 기능성 모듈은 카메라 모듈을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
  11. 제 9 항에 있어서, 상기 발광층은 상기 제2 모듈 영역에서 제3 개구를 갖고, 상기 상부 전극은 상기 제2 모듈 영역에서 상기 제3 개구와 중첩하는 제4 개구를 갖는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 하부 기판 상에 배치되는 평탄화층; 및
    상기 평탄화층 상의 상기 제2 모듈 영역과 인접한 상기 표시 영역에 배치되는 화소 정의막을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
  13. 제 12 항에 있어서, 상기 제3 및 제4 개구들은 상기 제2 모듈 영역에 위치한 상기 평탄화층의 상면을 노출시키는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
  14. 제 12 항에 있어서,
    상기 하부 기판 상의 상기 제2 모듈 영역에 배치되는 하부 구조물을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
  15. 제 14 항에 있어서, 상기 제3 및 제4 개구들은 상기 하부 구조물의 상면을 노출시키고, 상기 하부 구조물의 상면은 상기 화소 정의막의 상면과 동일한 레벨에 위치하며, 상기 발광층 및 상기 상부 전극은 상기 하부 구조물의 측면의 적어도 일부에 배치되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
  16. 제 14 항에 있어서,
    상기 하부 구조물 상에 배치되는 상부 구조물을 더 포함하고,
    상기 제1 및 제2 개구들은 상기 상부 구조물의 상면을 노출시키고, 상기 상부 구조물의 상면은 상기 화소 정의막의 상면보다 높은 레벨에 위치하며, 상기 발광층 및 상기 상부 전극은 상기 하부 및 상부 구조물들 각각의 측면의 적어도 일부에 배치되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
  17. 제 8 항에 있어서, 상기 제1 모듈 영역 및 상기 표시 영역에서는 영상이 표시되고, 상기 제2 모듈 영역에서는 영상이 표시되지 않는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
  18. 제 1 항에 있어서,
    상기 하부 기판과 상기 발광층 사이에 배치되는 복수의 반도체 소자들을 더 포함하고,
    상기 반도체 소자들은 상기 투과 영역들 및 상기 제2 모듈 영역에 배치되지 않는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
  19. 제 1 항에 있어서,
    상기 하부 기판 상에 배치되는 게이트 절연층;
    상기 게이트 절연층 상에 배치되는 층간 절연층;
    상기 층간 절연층 상에 배치되는 평탄화층; 및
    상기 평탄화층 상에 배치되고, 상기 하부 기판과 대향하는 상부 기판을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
  20. 제 19 항에 있어서, 상기 제1 모듈 영역에서 외부 광이 상기 상부 기판, 상기 제1 및 제2 개구들, 상기 평탄화층, 상기 층간 절연층, 상기 게이트 절연층 및 상기 하부 기판을 투과하여 상기 제1 기능성 모듈에 입사하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
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