JP7333390B2 - 有機発光表示装置 - Google Patents
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- H10K59/65—OLEDs integrated with inorganic image sensors
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Description
11:第1のサブ画素領域
12:第2のサブ画素領域
13:第3のサブ画素領域
20:第2の表示領域
21:第1の透過領域
22:第2の透過領域
30:第3の表示領域
40:非表示領域
100、1100、1200、1300:有機発光表示装置
110:基板
130:第1のアクティブ層
135:第2のアクティブ層
150:ゲート絶縁層
170:第1のゲート電極
175:第2のゲート電極
190:層間絶縁層
200:表示パネル
210:第1のソース電極
215:第2のソース電極
230:第1のドレイン電極
235:第2のドレイン電極
250:第1の半導体素子
255:第2の半導体素子
260:絶縁層構造物
270:平坦化層
290:第1の下部電極
300:第1のサブ画素構造物
310:画素区画膜
330:第1の発光層
340:第1の上部電極
345:キャップ層
385:第1の透過窓
395:第2の透過窓
410:第1の光学モジュール
420:第2の光学モジュール
430:第3のアクティブ層
435:第4のアクティブ層
450:封止基板
470:第3のゲート電極
475:第4のゲート電極
510:第3のソース電極
515:第4のソース電極
530:第3のドレイン電極
535:第4のドレイン電極
550:第3の半導体素子
630:第2の発光層
640:第2の上部電極
730:第5のアクティブ層
735:第6のアクティブ層
770:第5のゲート電極
775:第6のゲート電極
810:第5のソース電極
815:第6のソース電極
830:第5のドレイン電極
835:第6のドレイン電極
850:第5の半導体素子
855:第6の半導体素子
890:第3の下部電極
900:第3のサブ画素構造物
910:第1の穴
920:第2の穴
930:第3の発光層
940:第3の上部電極
Claims (13)
- 第1のサブ画素領域を含み、第1の解像度を有する第1の表示領域と、第2のサブ画素領域および第1の透過領域を含み、前記第1の解像度よりも低い第2の解像度を有する第2の表示領域とを含み、第1の面でもって画像を表示する表示パネルと、
前記表示パネルにおける前記第1の面とは反対側にある第2の面上にて前記第2の表示領域と重ね合わされて配置される第1の光学モジュールとを含み、
前記表示パネルは、更に、
前記第1の表示領域に配置される第1のサブ画素回路と、
前記第2の表示領域に配置される第2のサブ画素回路とを含み、
前記第1のサブ画素回路を構成するトランジスタの数は、前記第2のサブ画素回路を構成するトランジスタの数よりも多く
前記表示パネルは、更に、
前記第1のサブ画素回路上の前記第1のサブ画素領域に配置され、前記第1のサブ画素回路と電気的に連結される第1のサブ画素構造物と、
前記第2のサブ画素回路上の前記第2のサブ画素領域に配置され、前記第2のサブ画素回路と電気的に連結される第2のサブ画素構造物と、
前記第2のサブ画素領域と隣接する前記第1の透過領域に配置される第1の透過窓とを含み、
前記第1の光学モジュールは、カメラモジュールを含み、前記第1の光学モジュールは、前記第1の透過窓を通して、前記表示パネルの前記第1の面上に位置する物を認識し、
前記第2のサブ画素回路は、前記第1の透過領域に配置されないのであり、
前記表示パネルは、更に、
前記第2の表示領域と隣接して位置し、第3のサブ画素領域及び第2の透過領域を含み、前記第1の解像度と前記第2の解像度との間の第3の解像度を有する第3の表示領域と、
前記第3の表示領域に配置される第3のサブ画素回路とを含み、
前記第3のサブ画素回路を構成するトランジスタの数は、前記第1のサブ画素回路を構成するトランジスタの数よりも少なく、前記第2のサブ画素回路を構成するトランジスタの数よりも多いのであり、
更に、前記表示パネルの前記第2の面上の前記第3の表示領域と重ね合わせて配置される第2の光学モジュールを含み、
前記表示パネルは、更に、
前記第3のサブ画素回路上の前記第3のサブ画素領域に配置され、前記第3のサブ画素回路と電気的に連結される第3のサブ画素構造物と、
前記第3のサブ画素領域と隣接する前記第2の透過領域に配置される第2の透過窓とを含み、
前記第3のサブ画素回路は、前記第2の透過領域に配置されないのであり、
前記第2の光学モジュールは、顔認識センサモジュール、瞳孔認識センサモジュール、加速度センサモジュール、近接センサモジュール、赤外線センサモジュール、または照度センサモジュールを含み、
前記第1の表示領域は、前記第2の表示領域及び前記第3の表示領域を取り囲み、
前記第2の表示領域及び前記第3の表示領域は、いずれも円形の領域であり、表示パネルの一端部に、互いに隔離して配置され、
前記第3の表示領域は、前記第2の表示領域に比べて寸法が小さいことを特徴とする有機発光表示装置。 - 前記第2の表示領域中にあって、前記第1の透過領域は、前記第2のサブ画素領域よりも、表示パネルにおける長さ方向及び幅方向の寸法が大きく、
前記第3の表示領域中にあって、第2の透過領域は、前記第3のサブ画素領域よりも、表示パネルにおける長さ方向及び幅方向の寸法が大きいことを特徴とする請求項1に記載の有機発光表示装置。 - 前記第1の光学モジュールのサイズは、前記第2の表示領域のサイズと同一であり、前記第2の光学モジュールのサイズは、前記第3の表示領域のサイズと同一であることを特徴とする請求項1または2に記載の有機発光表示装置。
- 前記第1の表示領域の面積が、前記第2の表示領域の面積よりも大きいことを特徴とする請求項1または2に記載の有機発光表示装置。
- 前記表示パネルは、更に、
前記第1の表示領域に配置される第1のサブ画素回路と、
前記第2の表示領域に配置される第2のサブ画素回路とを含み、
前記第1及び第2のサブ画素回路は、互いに同一の構成を有することを特徴とする請求項1または2に記載の有機発光表示装置。 - 第1のサブ画素領域を含み、第1の解像度で画像が表示される第1の表示領域と、第2のサブ画素領域及び第1の透過領域を含み、前記第1の解像度よりも低い第2の解像度で画像が表示される第2の表示領域とを有する基板と、
前記基板上の第1の表示領域に配置される第1のサブ画素回路と、
前記基板上の第2の表示領域に配置され、前記第1の透過領域を露出させる第2のサブ画素回路と、
前記基板上の前記第1のサブ画素領域及び第2のサブ画素領域に配置されるサブ画素構造物と、
前記基板上の前記第1の透過領域に形成された第1の透過窓とを含み、第1の面でもって画像を表示する表示パネル、及び、
前記表示パネルにおける第1の面と反対側にある第2の面に、前記第2の表示領域と重ね合わされて配置される第1の光学モジュールを含み、
前記基板は、前記第2の面のうち、前記第2の表示領域と重なる部分に形成された第1の穴を含み、前記第1の穴に前記第1の光学モジュールが埋め込まれ、
更に、前記基板上に配置される絶縁層構造物と、
前記絶縁層構造物上に配置される平坦化層と、
前記平坦化層上に配置される画素区画膜とを含み、
前記第1の透過領域において、前記絶縁層構造物、前記平坦化層、及び前記画素区画膜は、基板を露出させる第1の開口を含み、
前記第1の開口が、前記第1の透過窓であると定義され、
更に、前記画素区画膜上に配置されるキャップ層を含み、
前記キャップ層は、前記第1及び第2のサブ画素領域において、第1の厚さを有し、前記第1の透過領域において、前記第1の厚さよりも小さい第2の厚さを有し、
前記基板は、更に、
前記第2の表示領域と隣接して位置し、第3のサブ画素領域及び第2の透過領域を含み、前記第2の解像度で画像が表示される第3の表示領域と、
前記第3の表示領域に配置される第3のサブ画素回路とを含み、
前記第3のサブ画素回路を構成するトランジスタの数は、前記第2のサブ画素回路を構成するトランジスタの数と同一であり、
更に、前記表示パネルの前記第2の面に、前記第3の表示領域と重ね合わされて配置される第2の光学モジュールを含み、
前記基板は、前記第2の面のうち、前記第3の表示領域と重なる部分に形成された第2の穴を含み、前記第2の穴に前記第2の光学モジュールが埋め込まれ、
前記基板は、更に、
前記第3のサブ画素回路上の前記第3のサブ画素領域に配置され、前記第3のサブ画素回路と電気的に連結される第3のサブ画素構造物と、
前記第3のサブ画素領域と隣接する前記第2の透過領域に配置される第2の透過窓とを含み、
前記第3のサブ画素回路は、前記第2の透過領域に配置されないのであり、
前記第2の透過領域において、前記絶縁層構造物、前記平坦化層、及び前記画素区画膜は、基板を露出させる第2の開口を含み、
前記第2の開口が、前記第2の透過窓と定義され、
前記第1の表示領域は、前記第2の表示領域及び前記第3の表示領域を取り囲み、
前記第2の表示領域及び前記第3の表示領域は、いずれも円形の領域であり、表示パネルの一端部に、互いに隔離して配置され、
前記第3の表示領域は、前記第2の表示領域に比べて寸法が小さいことを特徴とする有機発光表示装置。 - 前記第2の表示領域中にあって、前記第1の透過領域は、前記第2のサブ画素領域よりも、表示パネルにおける長さ方向及び幅方向の寸法が大きく、
前記第3の表示領域中にあって、第2の透過領域は、前記第3のサブ画素領域よりも、表示パネルにおける長さ方向及び幅方向の寸法が大きいことを特徴とする請求項6に記載の有機発光表示装置。 - 前記第1のサブ画素回路の構成は、前記第2及び第3のサブ画素回路のそれぞれの構成と同一であり、
前記第1の透過窓のサイズは、前記第2の透過窓のサイズと同一であることを特徴とする請求項6または7に記載の有機発光表示装置。 - 前記第3のサブ画素回路を構成するトランジスタの数は、前記第2のサブ画素回路を構成するトランジスタの数よりも多いことを特徴とする請求項6または7に記載の有機発光表示装置。
- 前記第2の透過窓のサイズは、前記第1の透過窓のサイズよりも小さいことを特徴とする請求項9に記載の有機発光表示装置。
- 前記第1及び第2のサブ画素回路のそれぞれは、少なくとも1つの半導体素子と、少なくとも1つのキャパシタとを含むことを特徴とする請求項6または7に記載の有機発光表示装置。
- 前記サブ画素構造物のそれぞれは、
前記第1及び第2のサブ画素回路上に配置される下部電極と、
前記下部電極上に配置される発光層と、
前記発光層上に配置される上部電極とを含むことを特徴とする請求項6または7に記載の有機発光表示装置。 - 前記上部電極が、前記第1の透過領域に配置されないことを特徴とする請求項12に記載の有機発光表示装置。
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