JP7333390B2 - 有機発光表示装置 - Google Patents
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Description
本発明は、有機発光表示装置に関する。より詳しくは、本発明は、光学モジュールを含む有機発光表示装置に関する。
平板表示装置は、軽量及び薄型などの特性により、陰極線管表示装置を代替する表示装置として使われている。このような平板表示装置の代表例として、液晶表示装置と有機発光表示装置がある。
有機発光表示装置は、画像を表示する表示領域と非表示領域を含み、前記非表示領域に光学モジュールが配置される。例えば、前記光学モジュールは、有機発光表示装置の前面(S1)上に位置する物（客体）のイメージを撮影するカメラモジュール、ユーザの顔を感知するための顔認識センサモジュール、ユーザの瞳を感知するための瞳孔認識センサモジュール、有機発光表示装置の動きを判断する加速度センサモジュール及び地磁気センサモジュール、有機発光表示装置に前側から近接したか否かを感知するための近接センサモジュール及び赤外線センサモジュール、ポケットあるいはかばんに放置された際に明るさの程度を測定するための照度センサモジュールなどを含む。前記光学モジュールが有機発光表示装置の非表示領域に配置されるので、前記光学モジュールが配置される部分は、画像が表示されないのでありうる。
本発明の目的は、光学モジュールを含む有機発光表示装置を提供することである。
しかし、本発明が上述した目的により限定されるものではなく、本発明の思想及び領域から逸脱しない範囲で様々に拡張可能である。
前述した本発明の目的を達成するために、本発明の例示的な実施例による有機発光表示装置は、第１のサブ画素領域を含み、第１の解像度を有する第１の表示領域、第２のサブ画素領域および第１の透過領域を含み、前記第１の解像度よりも低い第２の解像度を有する第２の表示領域を含み、第１の面でもって画像を表示する表示パネルと、前記表示パネルの、前記第１の面とは反対側にある第２の面上の前記第２の表示領域と重ね合わされて配置される第１の光学モジュールとを含むのでありうる。
例示的な複数の実施例において、前記表示パネルは、更に、前記第１の表示領域に配置される第１のサブ画素回路と、前記第２の表示領域に配置され、前記第１のサブ画素回路と異なる第２のサブ画素回路とを含むのでありうる。
例示的な複数の実施例において、前記第１のサブ画素回路を構成するトランジスタの数は、前記第２のサブ画素回路を構成するトランジスタの数よりも多いのでありうる。
例示的な複数の実施例において、前記表示パネルは、更に、前記第１のサブ画素回路上の前記第１のサブ画素領域に配置され、前記第１のサブ画素回路と電気的に連結される第１のサブ画素構造物と、前記第２のサブ画素回路上の前記第２のサブ画素領域に配置され、前記第２のサブ画素回路と電気的に連結される第２のサブ画素構造物と、前記第２のサブ画素領域と隣接する前記第１の透過領域に配置される第１の透過窓とを含むのでありうる。
例示的な複数の実施例において、前記第１の光学モジュールは、カメラモジュールを含み、前記第１の光学モジュールは、前記第１の透過窓を通して、前記表示パネルの前記第１の面上に位置する物を認識するのでありうる。
例示的な複数の実施例において、前記第２のサブ画素回路は、前記第１の透過領域に配置されないのでありうる。
例示的な複数の実施例において、前記表示パネルは、更に、前記第２の表示領域と隣接して位置し、第３のサブ画素領域及び第２の透過領域を含み、前記第１の解像度と前記第２の解像度との間の第３の解像度を有する第３の表示領域と、前記第３の表示領域に配置され、前記第１及び第２のサブ画素回路とは異なる第３のサブ画素回路とを含むのでありうる。
例示的な複数の実施例において、前記第３のサブ画素回路を構成するトランジスタの数は、前記第１のサブ画素回路を構成するトランジスタの数よりも少なく、前記第２のサブ画素回路を構成するトランジスタの数よりも多いのでありうる。
例示的な複数の実施例において、前記表示パネルの前記第２の面上の前記第３の表示領域と重ね合わせて配置される第２の光学モジュールを含むのでありうる。
例示的な複数の実施例において、前記表示パネルは、前記第３のサブ画素回路上の前記第３のサブ画素領域に配置され、前記第３のサブ画素回路と電気的に連結される第３のサブ画素構造物と、前記第３のサブ画素領域と隣接する前記第２の透過領域に配置される第２の透過窓とを含むのでありうる。
例示的な複数の実施例において、前記第３のサブ画素回路は、前記第２の透過領域に配置されないのでありうる。
例示的な複数の実施例において、前記第２の光学モジュールは、顔認識センサモジュール、瞳孔認識センサモジュール、加速度センサモジュール、近接センサモジュール、赤外線センサモジュール、照度センサモジュールなどを含むのでありうる。
例示的な複数の実施例において、前記第１の光学モジュールのサイズは、前記第２の表示領域のサイズと同一であり、前記第２の光学モジュールのサイズは、前記第３の表示領域のサイズと同一でありうる。
例示的な複数の実施例において、前記第１の表示領域の面積が、前記第２の表示領域の面積よりも大きいのでありうる。
例示的な複数の実施例において、前記第２の表示領域は、前記表示パネルの前記第２の面上の一方の側に位置し、前記第１の表示領域は、前記第２の表示領域を取り囲むのでありうる。
例示的な複数の実施例において、前記表示パネルは、更に、前記第１の表示領域に配置される第１のサブ画素回路と、前記第２の表示領域に配置される第２のサブ画素回路とを含み、前記第１及び第２のサブ画素回路は、同一の構成を有するのでありうる。
前述した本発明の目的を達成するために、本発明の例示的な実施例による有機発光表示装置は、第１のサブ画素領域を含み、第１の解像度で画像が表示される第１の表示領域と、第２のサブ画素領域及び第１の透過領域を含み、前記第１の解像度よりも低い第２の解像度で画像が表示される第２の表示領域とを有する基板と、前記基板上の第１の表示領域に配置される第１のサブ画素回路と、前記基板上の第２の表示領域に配置され、前記第１の透過領域を露出させる第２のサブ画素回路と、前記基板上の前記第１のサブ画素領域及び第２のサブ画素領域に配置されるサブ画素構造物と、前記基板上の前記第１の透過領域に形成された第１の透過窓を含み、第１の面でもって画像を表示する表示パネルと、前記表示パネルの、第１の面とは反対側にある第２の面に前記第２の表示領域と重ね合わされて配置される第１の光学モジュールとを含むのでありうる。
例示的な複数の実施例において、前記基板は、前記第２の面のうち、前記第２の表示領域と重なる部分に形成された第１の穴を含み、前記第１の穴に前記第１の光学モジュールが埋め込まれる。
例示的な複数の実施例において、前記基板上に配置される絶縁層構造物と、前記絶縁層構造物上に配置される平坦化層と、前記平坦化層上に配置される画素区画膜とを含みうる。
例示的な複数の実施例において、前記第１の透過領域において、前記絶縁層構造物、前記平坦化層、及び前記画素区画膜は、基板を露出させる第１の開口を含み、前記第１の開口が、前記第１の透過窓であると定義されうる。
例示的な複数の実施例において、前記画素区画膜上に配置されるキャップ層を含み、前記キャップ層は、前記第１及び第２のサブ画素領域において、第１の厚さを有し、前記第１の透過領域において、前記第１の厚さよりも小さい第２の厚さを有しうる。
例示的な複数の実施例において、前記基板は、前記第２の表示領域と隣接して位置し、第３のサブ画素領域及び第２の透過領域を含み、前記第２の解像度で画像が表示される第３の表示領域と、前記第３の表示領域に配置され、前記第２のサブ画素回路と同一の構成を有する第３のサブ画素回路とを含むのでありうる。
例示的な複数の実施例において、前記第３のサブ画素回路を構成するトランジスタの数は、前記第２のサブ画素回路を構成するトランジスタの数と同一でありうる。
例示的な複数の実施例において、前記表示パネルの前記第２の面に、前記第３の表示領域と重ね合わされて配置される第２の光学モジュールを含みうる。
例示的な複数の実施例において、前記基板は、前記第２の面のうち、前記第３の表示領域と重なる部分に形成された第２の穴を含み、前記第２の穴に前記第２の光学モジュールが埋め込まれうる。
例示的な複数の実施例において、前記基板は、更に、前記第３のサブ画素回路上の前記第３のサブ画素領域に配置され、前記第３のサブ画素回路と電気的に連結される第３のサブ画素構造物と、前記第３のサブ画素領域と隣接する前記第２の透過領域に配置される第２の透過窓とを含むのでありうる。
例示的な複数の実施例において、前記第３のサブ画素回路は、前記第２の透過領域に配置されないのでありうる。
例示的な複数の実施例において、前記第２の透過領域にて、前記絶縁層構造物、前記平坦化層、及び前記画素区画膜は、基板を露出させる第２の開口を含み、前記第２の開口が、前記第２の透過窓であると定義されるのでありうる。
例示的な複数の実施例において、前記第１のサブ画素回路の構成は、前記第２及び第３のサブ画素回路のそれぞれの構成と同一であり、前記第１の透過窓のサイズは、前記第２の透過窓のサイズと同一でありうる。
例示的な複数の実施例において、前記第２のサブ画素回路の構成は、前記第３のサブ画素回路の構成と異なり、前記第１の透過窓のサイズと前記第２の透過窓のサイズとは、異なるのでありうる。
例示的な複数の実施例において、前記第３のサブ画素回路を構成するトランジスタの数は、前記第２のサブ画素回路を構成するトランジスタの数よりも多いのでありうる。
例示的な複数の実施例において、前記第２の透過窓のサイズは、前記第１の透過窓のサイズよりも小さいのでありうる。
例示的な複数の実施例において、前記第１及び第２のサブ画素回路のそれぞれは、少なくとも１つの半導体素子と、少なくとも１つのキャパシタとを含むのでありうる。
例示的な複数の実施例において、前記サブ画素構造物のそれぞれは、前記第１及び第２のサブ画素回路上に配置される下部電極と、前記下部電極上に配置される発光層と、前記発光層上に配置される上部電極とを含むのでありうる。
例示的な複数の実施例において、前記上部電極が、前記第１の透過領域に配置されないのでありうる。
前述した本発明の目的を達成するために、本発明の例示的な実施例による有機発光表示装置は、第１のサブ画素領域を含み、第１の解像度を有する第１の表示領域と、第２のサブ画素領域及び第１の透過領域を含み、前記第１の解像度よりも低い第２の解像度を有する第２の表示領域と、第２の透過領域を含み、画像を表示しない非表示領域とを含み、第１の面で画像を表示する表示パネルと、前記表示パネルの、前記第１の面とは反対側にある第２の面上の前記非表示領域と重ね合わされて配置される第１の光学モジュールと、前記表示パネルの、前記第２の面上の前記第２のサブ画素領域と重ね合わされて配置される第２の光学モジュールとを含むのでありうる。
例示的な複数の実施例において、前記第１の光学モジュールは、カメラモジュールを含み、前記第１の光学モジュールは、前記第２の透過領域を通して、前記表示パネルの前記第１の面上に位置する物（客体）を認識するのでありうる。
例示的な複数の実施例において、前記第２の光学モジュールは、顔認識センサモジュール、瞳孔認識センサモジュール、加速度センサモジュール、近接センサモジュール、赤外線センサモジュール、照度センサモジュール等を含むのでありうる。
本発明の例示的な実施例による有機発光表示装置は、第１の解像度を有する第１の表示領域と、第１の解像度よりも低い第２の解像度を有する第２及び第３の表示領域とを含むことで、第１の光学モジュール及び第２の光学モジュールが配置される部分においても、画像が表示されうる。また、有機発光表示装置が第１の透過窓及び第２の透過窓を含むことで、第１の光学モジュール及び第２の光学モジュールが第１の透過窓及び第２の透過窓を通して、表示パネルの第１の面に位置する周辺状況を感知し、又は物（客体）のイメージを撮影することができる。
但し、本発明の効果が前記効果に限定されるものではなく、本発明の思想及び領域から逸脱しない範囲で様々に拡張されうる。
以下、添付の図面を参照して、本発明の例示的な実施例による有機発光表示装置について詳細に説明する。添付の図面において、同一又は類似した構成要素に対しては、同一又は類似した参照符号をつけることにする。
図１は、本発明の例示的な実施例による有機発光表示装置を示す斜視図であり、図２は、図１の有機発光表示装置の背面に配置された光学モジュールを示す斜視図であり、図３は、図１の有機発光表示装置の第１の表示領域、第２の表示領域、及び第３の表示領域を説明するための平面図である。
図１乃至図３を参照するならば、有機発光表示装置１００は、表示パネル２００、第１の光学モジュール４１０、第２の光学モジュール４２０などを含みうる。表示パネル２００は、画像を表示する第１の面(S1)と、第１の面(S1)とは反対側の第２の面(S2)とを有しうる。第１の光学モジュール４１０及び第２の光学モジュール４２０は、表示パネル２００の第２の面(S2)上における一方の側に配置され、第１の光学モジュール４１０と第２の光学モジュール４２０は、互いに隣接して配置されうる。
表示パネル２００は、第１の表示領域１０と、第２の表示領域２０と、第３の表示領域３０を含みうる。ここで、第２及び第３の表示領域２０、３０のそれぞれは、表示パネル２００の第１の面(S1)の上における一方の側に位置し、第２の表示領域２０と第３の表示領域３０は、互いに隣接して位置するのでありうる。また、第１の表示領域１０は、第２の表示領域２０及び第３の表示領域３０を取り囲み、第１の表示領域１０の面積は、第２及び第３の表示領域２０、３０のそれぞれの面積よりも大きいのでありうる。
第１の表示領域１０は、複数の第１のサブ画素領域(例えば、図４の第１のサブ画素領域１１に対応)を含み、第２の表示領域２０は、複数の第２のサブ画素領域及び複数の第１の透過領域(例えば、図７の第２のサブ画素領域１２及び第１の透過領域２１に対応)を含み、第３の表示領域３０は、複数の第３のサブ画素領域及び第２の透過領域(例えば、図１１の第３のサブ画素領域１３及び第２の透過領域２２に対応)を含むのでありうる。例示的な実施例において、表示パネル２００は、第１の表示領域１０と、第２及び第３の表示領域２０、３０とで、互いに異なる解像度にて前記画像を表示することができる。例えば、第１の表示領域１０において、第１の解像度で画像が表示され、第２及び第３の表示領域２０、３０において、前記第１の解像度よりも低い第２の解像度で画像が表示されうる。言い換えると、第１の表示領域１０は、前記第１の解像度を有し、第２及び第３の表示領域２０、３０のそれぞれは、前記第２の解像度を有するのでありうる。
第１の光学モジュール４１０は、表示パネル２００の第２の面(S2)の上にある第２の表示領域２０と重ね合わせて配置されうる。言い換えると、第２の表示領域２０のサイズは、第１の光学モジュール４１０のサイズと実質的に同一でありうる。すなわち、第２の表示領域２０の形状は、第１の光学モジュール４１０の形状にしたがって決められうる。第１の光学モジュール４１０は、表示パネル２００の第１の面(S1)の上に位置する物のイメージを撮影(又は、認識)するカメラモジュールを含みうる。
第２の光学モジュール４２０は、表示パネル２００の第２の面(S2)の上にある第３の表示領域３０と重ね合わせて配置されうる。言い換えると、第３の表示領域３０のサイズは、第２の光学モジュール４２０のサイズと実質的に同一でありうる。すなわち、第３の表示領域３０の形状は、第２の光学モジュール４２０の形状にしたがって決められうる。第２の光学モジュール４２０は、ユーザの顔を感知するための顔認識センサモジュール、ユーザの瞳を感知するための瞳孔認識センサモジュール、有機発光表示装置１００の動きを判断する加速度センサモジュール及び地磁気センサモジュール、有機発光表示装置１００に前側から近接したか否かを感知するための近接センサモジュール及び赤外線センサモジュール、ポケットあるいはかばんに放置された際に明るさの程度を測定するための照度センサモジュールなどを含みうる。
図４は、図３の第１の表示領域の一部を拡大して示す部分拡大平面図であり、図５は、図４の第１の表示領域に配置される第１のサブ画素回路及び第１の有機発光ダイオードを示す回路図である。
図３、図４及び図５を参照すると、表示パネル２００は、第１のサブ画素回路(SPC1)、及び第１の有機発光ダイオード(OLED1)を更に含みうる。また、表示パネル２００は、第１の表示領域１０を有し、第１の表示領域１０は、複数の第１のサブ画素領域１１を含むのでありうる。例えば、第１のサブ画素領域１１は、第１の表示領域１０内において、表示パネル２００の第１の面(S1)と平行な第１の方向(D1)、及び、第１の方向(D1)と直交する第２の方向(D2)に配列されうる。すなわち、第１のサブ画素領域１１は、第１の表示領域１０内の全体にわたって配列されうる。
第１のサブ画素回路(SPC1)のそれぞれは、第１のサブ画素領域１１と重ね合わされて配置されうるのであり、第１のサブ画素回路(SPC1)(例えば、図１１の第１の半導体素子２５０及び第２の半導体素子２５５に対応)上に、第１の有機発光ダイオード(OLED1)(例えば、図１１の第１のサブ画素構造物３００に対応)が配置されうる。第１のサブ画素回路(SPC1)及び第１の有機発光ダイオード(OLED1)を通じて、第１のサブ画素領域１１に画像が表示されうる。任意選択的に、第１のサブ画素回路(SPC1)が、第１のサブ画素領域１１の一部、及び前記第１のサブ画素領域１１と異なる第１のサブ画素領域１１の一部(例えば、第１のサブ画素領域１１と隣接して位置する第１のサブ画素領域１１の一部)と重ね合わされて配置されうる。また、第１の有機発光ダイオード(OLED1)は、同じサイズの矩形が順に配列されるＲＧＢストライプ方式、相対的に広い面積を有する青色有機発光ダイオードを含むＳストライプ方式、白色有機発光ダイオードを更に含むＷＲＧＢ方式、ＲＧ－ＧＢの繰返しパターンで並んでいるペンタイル方式などを用いて配列されこともありうる。
但し、本発明の第１の表示領域１０及び第１のサブ画素領域１１のそれぞれの形状が四角形の平面形状を有するものと説明したが、これに限定されるのではない。例えば、第１の表示領域１０及び第１のサブ画素領域１１のそれぞれの形状は、三角形の平面形状、菱形の平面形状、多角形の平面形状、円形の平面形状、レーストラック形の平面形状、又は楕円形の平面形状を有することもできる。
図５に示しているように、第１のサブ画素回路(SPC1)は、第１～第７のトランジスタ(TR1、TR2、TR3、TR4、TR5、TR6、TR7)及びストレージキャパシタ(CST)、高電源電圧(ELVDD)配線、低電源電圧(ELVSS)配線、初期化電圧(VINT)配線、データ信号(DATA)配線、ゲート信号(GW)配線、ゲート初期化信号(GI)配線、発光制御信号(EM)配線、ダイオード初期化信号(GB)配線などを含みうる。また、第１のサブ画素回路(SPC1)と第１の有機発光ダイオード(OLED1)が電気的に連結されうる。
第１の有機発光ダイオード(OLED1)(例えば、図１１の第１のサブ画素構造物３００に対応)は、駆動電流(ID)に基づいて、光を出力しうる。第１の有機発光ダイオード(OLED1)は、第１の端子及び第２の端子を含みうる。第１の有機発光ダイオード(OLED1)の第２の端子は、低電源電圧(ELVSS)を供給されうる。例えば、第１の有機発光ダイオード(OLED1)の第１の端子は、アノード端子であり、第１の有機発光ダイオード(OLED1)の第２の端子は、カソード端子であり得る。任意選択的に、第１の有機発光ダイオード(OLED1)の第１の端子は、カソード端子であり、第１の有機発光ダイオード(OLED1)の第２の端子は、アノード端子であることもありうる。例示的な実施例において、第１の有機発光ダイオード(OLED1)の前記アノード端子は、図１１の第１の下部電極２９０に該当し、第１の有機発光ダイオード(OLED1)の前記カソード端子は、図１１の第１の上部電極３４０に該当するのでありうる。
第１のトランジスタ(TR1)(例えば、図１１の第１の半導体素子２５０に対応)は、ゲート端子、第１の端子、及び第２の端子を含みうる。例示的な実施例において、第１のトランジスタ(TR1)の第１の端子は、ソース端子であり、第１のトランジスタ(TR1)の第２の端子は、ドレイン端子であり得る。任意選択的に、第１のトランジスタ(TR1)の第１の端子は、ドレイン端子であり、第１のトランジスタ(TR1)の第２の端子は、ソース端子でありうる。
第１のトランジスタ(TR1)は、駆動電流(ID)を生成する。例示的な実施例において、第１のトランジスタ(TR1)は、飽和領域で動作しうる。このような場合、第１のトランジスタ(TR1)は、ゲート端子とソース端子との間の電圧差に基づいて、駆動電流(ID)を生成することができる。また、第１の有機発光ダイオード(OLED1)に供給される駆動電流(ID)の大きさに基づいて、階調が表現されうる。任意選択的に、第１のトランジスタ(TR1)は、線形領域で動作することもできる。このような場合、１フレーム内で有機発光ダイオードに駆動電流が供給される時間の和に基づいて、階調が表現されうる。
第２のトランジスタ(TR2)は、ゲート端子、第１の端子、及び第２の端子を含む。第２のトランジスタ(TR2)のゲート端子は、ゲート信号(GW)の供給を受ける。第２のトランジスタ(TR2)の第１の端子は、データ信号(DATA)を供給される。第２のトランジスタ(TR2)の第２の端子は、第１のトランジスタ(TR1)の第１の端子に連結されうる。例示的な実施例において、第２のトランジスタ(TR2)の第１の端子は、ソース端子であり、第２のトランジスタ(TR2)の第２の端子は、ドレイン端子であり得る。任意選択的に、第２のトランジスタ(TR2)の第１の端子は、ドレイン端子であり、第２のトランジスタ(TR2)の第２の端子は、ソース端子でありうる。
第２のトランジスタ(TR2)は、ゲート信号(GW)のアクティブ区間の間、データ信号(DATA)を第１のトランジスタ(TR1)の第１の端子に供給することができる。この場合、第２のトランジスタ(TR2)は、線形領域で動作することができる。
第３のトランジスタ(TR3)は、ゲート端子、第１の端子、及び第２の端子を含む。第３のトランジスタ(TR3)のゲート端子は、ゲート信号(GW)を供給されうる。第３のトランジスタ(TR3)の第１の端子は、第１のトランジスタ(TR1)のゲート端子に連結されうる。第３のトランジスタ(TR3)の第２の端子は、第１のトランジスタ(TR1)の第２の端子に連結されうる。例示的な実施例において、第３のトランジスタ(TR3)の第１の端子は、ソース端子であり、第３のトランジスタ(TR3)の第２の端子は、ドレイン端子であり得る。任意選択的に、第３のトランジスタ(TR3)の第１の端子は、ドレイン端子であり、第３のトランジスタ(TR3)の第２の端子は、ソース端子でありうる。
第３のトランジスタ(TR3)は、ゲート信号(GW)のアクティブ区間の間、第１のトランジスタ(TR1)のゲート端子と、第１のトランジスタ(TR1)の第２の端子を連結しうる。この場合、第３のトランジスタ(TR3)は、線形領域で動作することができる。すなわち、第３のトランジスタ(TR3)は、ゲート信号(GW)のアクティブ区間の間、第１のトランジスタ(TR1)をダイオード連結させうる。第１のトランジスタ(TR1)がダイオード連結されるので、第１のトランジスタ(TR1)の第１の端子と第１のトランジスタ(TR1)のゲート端子との間に、第１のトランジスタ(TR1)のしきい電圧分の電圧差が生じうる。その結果、ゲート信号(GW)のアクティブ区間の間、第１のトランジスタ(TR1)の第１の端子に供給されたデータ信号(DATA)の電圧に、前記電圧差(すなわち、しきい電圧)の分だけ加えられた電圧が、第１のトランジスタ(TR1)のゲート端子に供給されうる。すなわち、データ信号(DATA)は、第１のトランジスタ(TR1)のしきい電圧分だけ補償することができ、補償されたデータ信号(DATA)が、第１のトランジスタ(TR1)のゲート端子に供給されうる。前記しきい電圧補償を行うことにより、第１のトランジスタ(TR1)のしきい電圧のバラつきで発生する駆動電流バラつきの問題を解決することができる。
初期化電圧(VINT)が提供される初期化電圧配線の入力端は、第４のトランジスタ(TR4)の第１の端子、及び第７のトランジスタ(TR7)の第１の端子と連結され、前記初期化電圧配線の出力端は、第４のトランジスタ(TR4)の第２の端子、及びストレージキャパシタ(CST)の第１の端子と連結されうる。
第４のトランジスタ(TR4)は、ゲート端子、第１の端子、及び第２の端子を含む。第４のトランジスタ(TR4)のゲート端子は、ゲート初期化信号(GI)を供給されうる。第４のトランジスタ(TR4)の第１の端子は、初期化電圧(VINT)を供給されうる。第４のトランジスタ(TR4)の第２の端子は、第１のトランジスタ(TR1)のゲート端子に連結されうる。例示的な実施例において、第４のトランジスタ(TR4)の第１の端子は、ソース端子であり、第４のトランジスタ(TR4)の第２の端子は、ドレイン端子であり得る。選択的に、第４のトランジスタ(TR4)の第１の端子は、ドレイン端子であり、第４のトランジスタ(TR4)の第２の端子は、ソース端子でありうる。
第４のトランジスタ(TR4)は、ゲート初期化信号(GI)のアクティブ区間の間、初期化電圧(VINT)を、第１のトランジスタ(TR1)のゲート端子に供給しうる。このような場合、第４のトランジスタ(TR4)は、線形領域で動作しうる。すなわち、第４のトランジスタ(TR4)は、ゲート初期化信号(GI)のアクティブ区間の間、第１のトランジスタ(TR1)のゲート端子を、初期化電圧(VINT)に初期化することができる。例示的な実施例において、初期化電圧(VINT)の電圧レベルは、前フレームでストレージキャパシタ(CST)により保持されたデータ信号(DATA)の電圧レベルよりも十分低い電圧レベルを有することができ、前記初期化電圧(VINT)がＰＭＯＳトランジスタである第１のトランジスタ(TR1)のゲート端子に供給されうる。他の例示的な実施例において、初期化電圧の電圧レベルは、前フレームでストレージキャパシタにより保持されたデータ信号の電圧レベルよりも十分高い電圧レベルを有することができ、前記初期化電圧がＮＭＯＳトランジスタである第１のトランジスタのゲート端子に供給されうる。
例示的な実施例において、ゲート初期化信号(GI)は、１水平時間前のゲート信号(GW)と実質的に同一の信号でありうる。例えば、有機発光表示装置１００が含む複数のサブ画素回路のうち、第ｎ(但し、ｎは２以上の整数)行のサブ画素回路に供給されるゲート初期化信号(GI)は、前記サブ画素回路のうち、(ｎ－１)行のサブ画素回路に供給されるゲート信号(GW)と実質的に同一の信号でありうる。すなわち、第１のサブ画素回路(SPC1)のうち、(ｎ－１)行の第１のサブ画素回路に活性化したゲート信号(GW)を供給することで、第１のサブ画素回路(SPC1)のうち、ｎ行の第１のサブ画素回路に活性化したゲート初期化信号(GI)を供給することができる。その結果、サブ画素回路のうち、(ｎ－１)行のサブ画素回路にデータ信号(DATA)を供給すると共に、第１のサブ画素回路(SPC1)のうち、ｎ行のサブ画素回路が含む第１のトランジスタ(TR1)のゲート端子を、初期化電圧(VINT)に初期化することができる。
第５のトランジスタ(TR5)は、ゲート端子、第１の端子、及び第２の端子を含む。ゲート端子には、発光制御信号(EM)が供給されうる。第１の端子は、高電源電圧(ELVDD)配線に連結されうる。第２の端子は、第１のトランジスタ(TR1)の第１の端子に連結されうる。例示的な実施例において、第５のトランジスタ(TR5)の第１の端子は、ソース端子であり、第５のトランジスタ(TR5)の第２の端子は、ドレイン端子であり得る。任意選択的に、第５のトランジスタ(TR5)の第１の端子は、ドレイン端子であり、第５のトランジスタ(TR5)の第２の端子は、ソース端子でありうる。
第５のトランジスタ(TR5)は、発光制御信号(EM)のアクティブ区間の間、第１のトランジスタ(TR1)の第１の端子に高電源電圧(ELVDD)を供給しうる。これに対して、第５のトランジスタ(TR5)は、発光制御信号(EM)の非アクティブ区間の間、高電源電圧(ELVDD)の供給を遮断することができる。このような場合、第５のトランジスタ(TR5)は、線形領域で動作しうる。第５のトランジスタ(TR5)が発光制御信号(EM)のアクティブ区間の間、第１のトランジスタ(TR1)の第１の端子に高電源電圧(ELVDD)を供給することで、第１のトランジスタ(TR1)は、駆動電流(ID)を生成することができる。また、第５のトランジスタ(TR5)が発光制御信号(EM)の非アクティブ区間の間、高電源電圧(ELVDD)の供給を遮断することで、第１のトランジスタ(TR1)の第１の端子に供給されたデータ信号(DATA)が、第１のトランジスタ(TR1)のゲート端子に供給されうる。
第６のトランジスタ(TR6)(例えば、図１１の第２の半導体素子２５５に対応)は、ゲート端子、第１の端子、及び第２の端子を含みうる。ゲート端子は、発光制御信号(EM)を供給されうる。第１の端子は、第１のトランジスタ(TR1)の第２の端子に連結されうる。第２の端子は、第１の有機発光ダイオード(OLED1)の第１の端子に連結されうる。例示的な実施例において、第６のトランジスタ(TR6)の第１の端子は、ソース端子であり、第６のトランジスタ(TR6)の第２の端子は、ドレイン端子であり得る。任意選択的に、第６のトランジスタ(TR6)の第１の端子は、ドレイン端子であり、第６のトランジスタ(TR6)の第２の端子は、ソース端子でありうる。
第６のトランジスタ(TR6)は、発光制御信号(EM)のアクティブ区間の間、第１のトランジスタ(TR1)が生成した駆動電流(ID)を、第１の有機発光ダイオード(OLED1)に供給しうる。このような場合、第６のトランジスタ(TR6)は、線形領域で動作することができる。すなわち、第６のトランジスタ(TR6)が発光制御信号(EM)のアクティブ区間の間、第１のトランジスタ(TR1)が生成した駆動電流(ID)を、第１の有機発光ダイオード(OLED1)に供給することで、第１の有機発光ダイオード(OLED1)は、光を出力することができる。また、第６のトランジスタ(TR6)が、発光制御信号(EM)の非アクティブ区間の間、第１のトランジスタ(TR1)と第１の有機発光ダイオード(OLED1)を電気的に互いに分離させることで、第１のトランジスタ(TR1)の第２の端子に供給されたデータ信号(DATA)(正確に言うと、しきい電圧補償が行われたデータ信号)が、第１のトランジスタ(TR1)のゲート端子に供給されうる。
第７のトランジスタ(TR7)は、ゲート端子、第１の端子、及び第２の端子を含みうる。ゲート端子は、ダイオード初期化信号(GB)の供給を受けうる。第１の端子は、初期化電圧(VINT)の供給を受けうる。第２の端子は、第１の有機発光ダイオード(OLED1)の第１の端子に連結されうる。例示的な実施例において、第７のトランジスタ(TR7)の第１の端子は、ソース端子であり、第７のトランジスタ(TR7)の第２の端子は、ドレイン端子であり得る。任意選択的に、第７のトランジスタ(TR7)の第１の端子は、ドレイン端子であり、第７のトランジスタ(TR7)の第２の端子は、ソース端子でありうる。
第７のトランジスタ(TR7)は、ダイオード初期化信号(GB)のアクティブ区間の間、初期化電圧(VINT)を、第１の有機発光ダイオード(OLED1)の第１の端子に供給しうる。このような場合、第７のトランジスタ(TR7)は、線形領域で動作することができる。すなわち、第７のトランジスタ(TR7)は、ダイオード初期化信号(GB)のアクティブ区間の間、第１の有機発光ダイオード(OLED1)の第１の端子を、初期化電圧(VINT)に初期化することができる。
任意選択的に、ゲート初期化信号(GI)とダイオード初期化信号(GB)は、実質的に同一の信号であり得る。第１のトランジスタ(TR1)のゲート端子を初期化する動作と、第１の有機発光ダイオード(OLED1)の第１の端子を初期化する動作とは、互いに影響しないのでありうる。すなわち、第１のトランジスタ(TR1)のゲート端子を初期化する動作と、第１の有機発光ダイオード(OLED1)の第１の端子を初期化する動作とは、互いに独立でありうる。これにより、ダイオード初期化信号(GB)を別途に生成しないことで、工程の経済性を向上することができる。
ストレージキャパシタ(CST)は、第１の端子及び第２の端子を含みうる。ストレージキャパシタ(CST)は、高電源電圧(ELVDD)配線と第１のトランジスタ(TR1)のゲート端子の間に連結されうる。例えば、ストレージキャパシタ(CST)の第１の端子は、第１のトランジスタ(TR1)のゲート端子に連結され、ストレージキャパシタ(CST)の第２の端子は、高電源電圧(ELVDD)配線に連結されるのでありうる。ストレージキャパシタ(CST)は、スキャン信号(GW)の非アクティブ区間の間、第１のトランジスタ(TR1)のゲート端子の電圧レベルを保持することができる。スキャン信号(GW)の非アクティブ区間は、発光制御信号(EM)のアクティブ区間を含むことができ、発光制御信号(EM)のアクティブ区間の間、第１のトランジスタ(TR1)が生成した駆動電流(ID)は、第１の有機発光ダイオード(OLED1)に供給されうる。そこで、ストレージキャパシタ(CST)が保持する電圧レベルに基づいて、第１のトランジスタ(TR1)が生成した駆動電流(ID)が、第１の有機発光ダイオード(OLED1)に供給されうる。
但し、本発明の第１のサブ画素回路(SPC1)が７つのトランジスタ、及び１つのストレージキャパシタを含むことと説明したが、これに限定されるものではない。例えば、第１のサブ画素回路(SPC1)は、少なくとも１つのトランジスタ、及び少なくとも１つのストレージキャパシタを含む構成を有することもできる。
図６は、図３の第２の表示領域の一部を拡大して示す部分拡大平面図であり、図７は、図３の第２の表示領域の一例を示す部分拡大平面図であり、図８は、図６の第２の表示領域に配置される第２のサブ画素回路及び第２の有機発光ダイオードを示す回路図である。図８に示している第２のサブ画素回路(SPC2)及び第２の有機発光ダイオード(OLED2)は、図５において説明した第１のサブ画素回路(SPC1)及び第１の有機発光ダイオード(OLED1)と実質的に同一または類似の構成を有することができる。図８において、図５において説明した構成要素と実質的に同一または類似の構成要素については、重複する説明を省略する。
図３、図６、及び図８を参照すると、表示パネル２００は、第２のサブ画素回路(SPC2)、及び第２の有機発光ダイオード(OLED2)とを更に含みうる。また、表示パネル２００は、第２の表示領域２０を有し、第２の表示領域２０は、複数の第２のサブ画素領域１２、及び複数の第１の透過領域２１を含みうる。例えば、第２のサブ画素領域１２は、第２の表示領域２０内において、第１の方向(D1)に配列され、第１の透過領域２１は、第２のサブ画素領域１２が配列された行と異なる行において、第１の方向(D1)に配列されるのでありうる。すなわち、第２のサブ画素領域１２及び第１の透過領域２１は、第２の表示領域２０内の全体にわたって配列されうる。例示的な実施例において、図４の第１の表示領域１０に配置された第１のサブ画素領域１１と比較すると、第２の表示領域２０には、第１の透過領域２１のために、単位面積当たりに相対的に少ない数のサブ画素領域を含むことができる。言い換えると、第２の表示領域２０の第２の解像度は、第１の表示領域１０の第１の解像度よりも低いのでありうる。
第２のサブ画素回路(SPC2)のそれぞれは、第２のサブ画素領域１２と重ね合わされて配置され、第２のサブ画素回路(SPC2)(例えば、図１２の第３の半導体素子５５０及び第４の半導体素子５５５に対応)の上に、第２の有機発光ダイオード(OLED2)(例えば、図１２の第２のサブ画素構造物６００に対応)が配置されうる。第２のサブ画素回路(SPC2)及び第２の有機発光ダイオード(OLED2)を通じて、第２のサブ画素領域１２に画像が表示されうる。
任意選択的に、第２のサブ画素回路(SPC2)が、第２のサブ画素領域１２の一部、及び前記第２のサブ画素領域１２と異なる第２のサブ画素領域１２の一部(例えば、第２のサブ画素領域１２と隣接して位置する第２のサブ画素領域１２の一部)と重ね合わせて配置されうる。また、第２の有機発光ダイオード(OLED2)は、同じサイズの矩形が順に配列されるＲＧＢストライプ方式、相対的に広い面積を有する青色有機発光ダイオードを含むＳストライプ方式、白色有機発光ダイオードを更に含むＷＲＧＢ方式、ＲＧ－ＧＢ繰返しパターンで並んでいるペンタイル方式などを用いて配列されうる。
また、第１の透過領域２１を通して、表示パネル２００の第２の面(S2)上に配置された第１の光学モジュール４１０が、表示パネル２００の第１の面(S1)の上に位置する物のイメージを撮影することができる。言い換えると、第１の透過領域２１は、実質的に透明であり得る。
他の例示的な実施例において、図７に示しているように、第２の表示領域２０は、相対的に広い面積を有する第１の透過領域３１を含むこともできる。言い換えると、第２の表示領域２０には、相対的に広い面積を有する第１の透過領域３１のために、単位面積当たりに相対的に少ない数のサブ画素領域を含むことができる。このような場合、相対的に第２の表示領域２０の解像度が低くなっても、相対的に広い面積を有する第１の透過領域３１のために、第１の光学モジュール４１０が、表示パネル２００の第１の面(S1)上に位置する物のイメージを相対的に容易に認識することができる。
但し、本発明の第２の表示領域２０、第２のサブ画素領域１２、及び第１の透過領域２１のそれぞれの形状が四角形の平面形状を有するものと説明したが、これに限定されるものではない。例えば、第２の表示領域２０、第２のサブ画素領域１２、及び第１の透過領域２１のそれぞれの形状は、三角形の平面形状、菱形の平面形状、多角形の平面形状、円形平面形状、トラック形の平面形状、又は楕円形の平面形状を有することもできる。
図８に示しているように、第２のサブ画素回路(SPC2)は、第１～第７のトランジスタ(TR1、TR2、TR3、TR4、TR5、TR6、TR7)及びストレージキャパシタ(CST)、高電源電圧(ELVDD)配線、低電源電圧(ELVSS)配線、初期化電圧(VINT)配線、データ信号(DATA)配線、ゲート信号(GW)配線、ゲート初期化信号(GI)配線、発光制御信号(EM)配線、ダイオード初期化信号(GB)配線などを含みうる。また、第２のサブ画素回路(SPC2)と第２の有機発光ダイオード(OLED2)が電気的に連結されうる。ここで、第２のサブ画素回路(SPC2)の第１のトランジスタ(TR1)は、図１２の第３の半導体素子５５０に該当し、第２のサブ画素回路(SPC2)の第６のトランジスタ(TR6)は、図１２の第４の半導体素子５５５に該当するのでありうる。また、第２の有機発光ダイオード(OLED2)は、図１２の第２のサブ画素構造物６００に対応し、第２の有機発光ダイオード(OLED2)のアノード端子は、図１２の第２の下部電極５９０に対応し、第２の有機発光ダイオード(OLED2)のカソード端子は、図１２の第２の上部電極６４０に対応するのでありうる。
例示的な実施例において、第２のサブ画素回路(SPC2)は、第１の透過領域２１に配置されないのでありうる。言い換えると、第２のサブ画素回路(SPC2)は、第１の透過領域２１を露出させうる。
また、第１の表示領域１０における、第１のサブ画素回路(SPC1)及び第１の有機発光ダイオード(OLED1)の構成と、第２の表示領域２０における、第２のサブ画素回路(SPC2)及び第２の有機発光ダイオード(OLED2)の構成とは、実質的に同一でありうる。言い換えると、第１のサブ画素領域１１における、第１のサブ画素回路(SPC1)に含まれたトランジスタの数は、第２のサブ画素領域１２における、第２のサブ画素回路(SPC2)に含まれたトランジスタの数と同一でありうる。
図９は、図３の第３の表示領域の一部を拡大して示す部分拡大平面図であり、図１０は、図９の第３の表示領域に配置される第３のサブ画素回路及び第３の有機発光ダイオードを示す回路図である。図１０に示している第３のサブ画素回路(SPC3)及び第３の有機発光ダイオード(OLED3)は、図５において説明した第１のサブ画素回路(SPC1)及び第１の有機発光ダイオード(OLED1)と実質的に同一または類似のの構成を有することができる。図１０において、図５で説明した構成要素と実質的に同一または類似の構成要素については、重複する説明を省略する。
図３、図９、及び図１０を参照するならば、表示パネル２００は、第３のサブ画素回路(SPC3)、及び第３の有機発光ダイオード(OLED2)を更に含みうる。また、表示パネル２００は、第３の表示領域３０を有し、第３の表示領域３０は、複数の第３のサブ画素領域１３、及び複数の第２の透過領域２２を含むのでありうる。例えば、第３のサブ画素領域１３は、第３の表示領域３０内において、第１の方向(D1)に配列され、第２の透過領域２２は、第３のサブ画素領域１３が配列された行と異なる行で第１の方向(D1)に配列されるのでありうる。すなわち、第３のサブ画素領域１３及び第２の透過領域２２は、第３の表示領域３０内の全体にわたって配列されうる。例示的な実施例において、図４の第１の表示領域１０に配置された第１のサブ画素領域１１と比較すると、第３の表示領域３０には、第２の透過領域２２のために、単位面積当たり相対的に少ない数のサブ画素領域を含むことができる。言い換えると、第３の表示領域３０の第２の解像度は、第１の表示領域１０の第１の解像度よりも低いのでありうる。
第３のサブ画素回路(SPC3)のそれぞれは、第３のサブ画素領域１３と重ね合わされて配置され、第３のサブ画素回路(SPC3)(例えば、図１３の第５の半導体素子８５０及び第６の半導体素子８５５に対応)上に、第３の有機発光ダイオード(OLED3)(例えば、図１３の第３のサブ画素構造物９００に対応)が配置されるのでありうる。第３のサブ画素回路(SPC3)及び第３の有機発光ダイオード(OLED3)を介して、第３のサブ画素領域１３に画像が表示されうる。
任意選択的に、第３のサブ画素回路(SPC3)が、第３のサブ画素領域１３の一部、及び前記第３のサブ画素領域１３と異なる第３のサブ画素領域１３の一部(例えば、第３のサブ画素領域１３と隣接して位置する第３のサブ画素領域１３の一部)と重ね合わされて配置されることもありうる。また、第３の有機発光ダイオード(OLED3)は、同じサイズの矩形が順に配列されるＲＧＢストライプ方式、相対的に広い面積を有する青色有機発光ダイオードを含むＳストライプ方式、白色有機発光ダイオードを更に含むＷＲＧＢ方式、ＲＧ－ＧＢ繰返しパターンで並んでいるペンタイル方式などを用いて配列されうる。
また、第２の透過領域２２を介して、表示パネル２００の第２の面(S2)上の第３の表示領域３０に配置された第２の光学モジュール４２０が、表示パネル２００の第１の面(S1)の上の周辺状況を感知するか又は物のイメージを撮影しうる。言い換えると、第１の透過領域２１は、実質的に透明でありうる。
但し、本発明の第３の表示領域３０、第３のサブ画素領域１３、及び第２の透過領域２２のそれぞれの形状が四角形の平面形状を有するものと説明したが、これに限定されるものではない。例えば、第３の表示領域３０、第３のサブ画素領域１３、及び第２の透過領域２２のそれぞれの形状は、三角形の平面形状、菱形の平面形状、多角形の平面形状、円形平面形状、レーストラック形の平面形状、又は楕円形の平面形状を有することもできる。
図１０に示しているように、第３のサブ画素回路(SPC3)は、第１～第７のトランジスタ(TR1、TR2、TR3、TR4、TR5、TR6、TR7)及びストレージキャパシタ(CST)、高電源電圧(ELVDD)配線、低電源電圧(ELVSS)配線、初期化電圧(VINT)配線、データ信号(DATA)配線、ゲート信号(GW)配線、ゲート初期化信号(GI)配線、発光制御信号(EM)配線、ダイオード初期化信号(GB)配線などを含みうる。また、第３のサブ画素回路(SPC3)と第３の有機発光ダイオード(OLED3)が電気的に連結されうる。ここで、第３のサブ画素回路(SPC3)の第１のトランジスタ(TR1)は、図１３の第５の半導体素子８５０に該当し、第３のサブ画素回路(SPC3)の第６のトランジスタ(TR6)は、図１３の第６の半導体素子８５５に該当しうる。また、第３の有機発光ダイオード(OLED3)は、図１３の第３のサブ画素構造物９００に対応し、第３の有機発光ダイオード(OLED3)のアノード端子は、図１３の第３の下部電極８９０に対応し、第３の有機発光ダイオード(OLED3)のカソード端子は、図１３の第３の上部電極９４０に対応するのでありうる。
例示的な複数の実施例において、第３のサブ画素回路(SPC3)は、第２の透過領域２２に配置されないのでありうる。言い換えると、第３のサブ画素回路(SPC3)は、第２の透過領域２２を露出させうる。
また、第１の表示領域１０における、第１のサブ画素回路(SPC1)及び第１の有機発光ダイオード(OLED1)の構成と、第３の表示領域３０における、第３のサブ画素回路(SPC3)及び第３の有機発光ダイオード(OLED3)の構成とは、実質的に同一でありうる。言い換えると、第１のサブ画素領域１１における、第１のサブ画素回路(SPC1)に含まれたトランジスタの数は、第３のサブ画素領域１３における、第３のサブ画素回路(SPC3)に含まれたトランジスタの数と同一でありうる。
図１１は、図４の有機発光表示装置のI－I’線に沿う断面図であり、図１２は、図６の有機発光表示装置のII－II'線に沿う断面図であり、図１３は、図９の有機発光表示装置のIII-III'線に沿う断面図である。
図１１、図１２、及び１３を参照するならば、有機発光表示装置１００は、表示パネル２００、第１の光学モジュール４１０、及び第２の光学モジュール４２０などを含みうる。ここで、表示パネル２００は、基板１１０、第１の半導体素子２５０、第２の半導体素子２５５、第３の半導体素子５５０、第４の半導体素子５５５、第５の半導体素子８５０、第６の半導体素子８５５、絶縁層構造物２６０、平坦化層２７０、画素区画膜３１０、第１のサブ画素構造物３００、第２のサブ画素構造物６００、第３のサブ画素構造物９００、キャップ層３４５、封止基板４５０などを含みうる。
また、第１の半導体素子２５０は、第１のアクティブ層１３０、第１のゲート電極１７０、第１のソース電極２１０、及び第１のドレイン電極２３０を含み、第２の半導体素子２５５は、第２のアクティブ層１３５、第２のゲート電極１７５、第２のソース電極２１５、及び第２のドレイン電極２３５を含むのでありうる。第３の半導体素子５５０、第３のアクティブ層４３０、第３のゲート電極４７０、第３のソース電極５１０、及び第３のドレイン電極５３０を含み、第４の半導体素子５５５は、第４のアクティブ層４３５、第４のゲート電極４７５、第４のソース電極５１５、及び第４のドレイン電極５３５を含む。第５の半導体素子８５０は、第５のアクティブ層７３０、第５のゲート電極７７０、第５のソース電極８１０、及び第５のドレイン電極８３０を含み、第６の半導体素子８５５は、第６のアクティブ層７３５、第６のゲート電極７７５、第６のソース電極８１５、及び第６のドレイン電極８３５を含むのでありうる。絶縁層構造物２６０は、ゲート絶縁層１５０、及び層間絶縁層１９０を含みうる。
更に、第１のサブ画素構造物３００は、第１の下部電極２９０、第１の発光層３３０、及び第１の上部電極３４０を含み、第２のサブ画素構造物６００は、第２の下部電極５９０、第２の発光層６３０、及び第２の上部電極６４０を含み、第３のサブ画素構造物９００は、第３の下部電極８９０、第３の発光層９３０、及び第３の上部電極９４０を含むのでありうる。表示パネル２００が、第１のサブ画素領域１１を含む第１の表示領域１０と、第２のサブ画素領域１２及び第１の透過領域２１を含む第２の表示領域２０と、第３のサブ画素領域１３及び第２の透過領域２２を含む第３の表示領域３０とを有するのに伴い、基板１１０も、第１のサブ画素領域１１を含む第１の表示領域１０と、第２のサブ画素領域１２及び第１の透過領域２１を含む第２の表示領域２０と、第３のサブ画素領域１３及び第２の透過領域２２を含む第３の表示領域３０とに区分することができる。
透明又は不透明な材料からなる基板１１０が提供される。基板１１０は、石英基板、合成石英基板、弗化カルシウム基板、フッ素がドープされた石英基板、ソーダライムガラス基板、無アルカリガラス基板などを含むのでありうる。
任意選択的に、基板１１０は、軟性を有する透明樹脂基板からなりうる。基板１１０として用いられる透明樹脂基板の例としては、ポリイミド基板が挙げられる。このような場合、前記ポリイミド基板は、第１のポリイミド層、バリアーフィルム層、第２のポリイミド層などで構成されうる。例えば、前記ポリイミド基板は、硬質のガラス基板上に、第１のポリイミド層、バリアーフィルム層、及び第２のポリイミド層が順に積層された構成を有しうる。有機発光表示装置１００の製造方法において、前記ポリイミド基板の第２のポリイミド層の上に、絶縁層(例えば、バッファ層１１５)を配置した後、前記絶縁層上に、上部構造物(例えば、第１～第６の半導体素子２５０、２５５、５５０、５５５、８５０、８５５、第１～第３のサブ画素構造物３００、６００、９００など)が配置されうる。このような上部構造物の形成後、前記硬質のガラス基板を除去することができる。すなわち、前記ポリイミド基板は、薄くてフレキシブルであるため、前記ポリイミド基板上に前記上部構造物を直接形成し難い。このようなことを考えて、前記硬質のガラス基板を用いて上部構造物を形成した後、前記ガラス基板を除去することで、前記ポリイミド基板を基板１１０として利用することができる。
基板１１０上に、バッファ層(図示せず)が配置されうる。前記バッファ層は、基板１１０上の全体にわたって配置されうる。前記バッファ層は、基板１１０から金属原子や不純物が前記上部構造物へ拡散することを防止することができる。また、前記バッファ層は、基板１１０の表面にムラがある場合、基板１１０の表面の平坦度を向上させる役割を果たしうる。基板１１０のタイプによって、基板１１０上に２つ以上のバッファ層が提供されるか、バッファ層が配置されないのでありうる。例えば、前記バッファ層は、有機物質又は無機物質を含みうる。
第１のアクティブ層１３０、第２のアクティブ層１３５、第３のアクティブ層４３０、第４のアクティブ層４３５、第５のアクティブ層７３０、及び第６のアクティブ層７３５が、基板１１０上に配置されうる。例えば、第１のアクティブ層１３０及び第２のアクティブ層１３５は、基板１１０上の第１の表示領域１０において、互いに離隔して配置され、第３のアクティブ層４３０及び第４のアクティブ層４３５は、基板１１０上の第１の透過領域２１を除く第２の表示領域２０において、互いに離隔して配置されうる。第５の半導体素子８５０及び第６の半導体素子８５５は、基板１１０上の第２の透過領域２２を除く第３の表示領域３０において、互いに離隔して配置されうる。第１～第６のアクティブパターン１３０、１３５、４３０、４３５、７３０、７３５のそれぞれは、酸化物半導体、無機物半導体(例えば、アモルファスシリコン、ポリシリコン)、又は有機物半導体などを含むのでありうる。
第１～第６のアクティブパターン１３０、１３５、４３０、４３５、７３０、７３５、及び基板１１０上には、ゲート絶縁層１５０が配置されうる。例示的な実施例において、ゲート絶縁層１５０は、第１の透過領域２１及び第２の透過領域２２に配置されないのでありうる。言い換えると、ゲート絶縁層１５０は、第１の透過領域２１及び第２の透過領域２２に位置する基板１１０の上面を露出させる開口を有するのでありうる。例えば、ゲート絶縁層１５０は、基板１１０上において、第１～第６のアクティブパターン１３０、１３５、４３０、４３５、７３０、７３５を十分覆うことができ、第１～第６のアクティブパターン１３０、１３５、４３０、４３５、７３０、７３５の周囲に段差を生成せず、実質的に平坦な上面を有することができる。選択的に、ゲート絶縁層１５０は、基板１１０上において、第１～第６のアクティブパターン１３０、１３５、４３０、４３５、７３０、７３５を覆い、均一な厚さで、第１～第６のアクティブパターン１３０、１３５、４３０、４３５、７３０、７３５の輪郭（プロファイル）にしたがって配置されうる。ゲート絶縁層１５０は、シリコン化合物、金属酸化物などを含みうる。例えば、ゲート絶縁層１５０は、シリコン酸化物(SiOx)、シリコン窒化物(SiNx)、シリコン酸窒化物(SiOxNy)、シリコン酸炭化物(SiOxCy)、シリコン炭窒化物(SiCxNy)、アルミニウム酸化物(AlOx)、アルミニウム窒化物(AlNx)、タンタル酸化物(TaOx)、ハフニウム酸化物(HfOx)、ジルコニウム酸化物(ZrOx)、チタン酸化物(TiOx)などを含みうる。
第１のゲート電極１７０、第２のゲート電極１７５、第３のゲート電極４７０、第４のゲート電極４７５、第５のゲート電極７７０、及び第６のゲート電極７７５は、ゲート絶縁層１５０上において、互いに離隔して配置されうる。例えば、第１のゲート電極１７０は、ゲート絶縁層１５０のうち、下部に第１のアクティブ層１３０が位置する部分上に配置され、第２のゲート電極１７５は、ゲート絶縁層１５０のうち、第２のアクティブ層１３５が位置する部分上に配置され、第３のゲート電極４７０は、ゲート絶縁層１５０のうち、下部に第３のアクティブ層４３０が位置する部分上に配置され、第４のゲート電極４７５は、ゲート絶縁層１５０のうち、第４のアクティブ層４３５が位置する部分上に配置され、第５のゲート電極７７０は、ゲート絶縁層１５０のうち、下部に第５のアクティブ層７３０が位置する部分上に配置され、第６のゲート電極７７５は、ゲート絶縁層１５０のうち、第６のアクティブ層７３５が位置する部分上に配置されるのでありうる。
第１～第６のゲート電極１７０、１７５、４７０、４７５、７７０、７７５のそれぞれは、金属、合金、金属窒化物、導電性金属酸化物、透明導電性物質などを含みうる。例えば、第１～第６のゲート電極１７０、１７５、４７０、４７５、７７０、７７５のそれぞれは、金(Au)、銀(Ag)、アルミニウム(Al)、タングステン(W)、白金(Pt)、ニッケル(Ni)、チタン(Ti)、パラジウム(Pd)、マグネシウム(Mg)、カルシウム(Ca)、リチウム(Li)、クロム(Cr)、タンタル(Ta)、モリブデン(Mo)、スカンジウム(Sc)、ネオジム(Nd)、イリジウム(Ir)、アルミニウムを含む合金、アルミニウム窒化物(AlNx)、銀を含む合金、タングステン窒化物(WNx)、銅を含む合金、モリブデンを含む合金、チタン窒化物(TiNx)、タンタル窒化物(TaNx)、ストロンチウムルテニウム酸化物(SrRuxOy)、亜鉛酸化物(ZnOx)、インジウムスズ酸化物(ITO)、スズ酸化物(SnOx)、インジウム酸化物(InOx)、ガリウム酸化物(GaOx)、インジウム亜鉛酸化物(IZO)などを含みうる。これらは、単独で又は互いに組み合わせて使用可能である。任意選択的に、第１～第６のゲート電極１７０、１７５、４７０、４７５、７７０、７７５のそれぞれは、複数の層を含む積層構造を含みうる。
第１～第６のゲート電極１７０、１７５、４７０、４７５、７７０、７７５、及びゲート絶縁層１５０上には、層間絶縁層１９０が配置されうる。例示的な複数の実施例において、層間絶縁層１９０は、第１の透過領域２１及び第２の透過領域２２に配置されないのでありうる。言い換えると、層間絶縁層１９０は、第１の透過領域２１及び第２の透過領域２２に位置する基板１１０の上面を露出させる開口を有することができる。層間絶縁層１９０の前記開口は、ゲート絶縁層１５０の前記開口と重ね合わさりうる。
例えば、層間絶縁層１９０は、ゲート絶縁層１５０上において、第１～第６のゲート電極１７０、１７５、４７０、４７５、７７０、７７５を十分覆うことができ、第１～第６のゲート電極１７０、１７５、４７０、４７５、７７０、７７５の周囲に段差を生成せず、実質的に平坦な上面を有することができる。任意選択的に、層間絶縁層１９０は、ゲート絶縁層１５０上において、第１～第６のゲート電極１７０、１７５、４７０、４７５、７７０、７７５を覆い、均一な厚さで、第１～第６のゲート電極１７０、１７５、４７０、４７５、７７０、７７５の輪郭（プロファイル）にしたがって配置されるのでありうる。層間絶縁層１９０は、シリコン化合物、金属酸化物などを含みうる。これに伴い、ゲート絶縁層１５０及び層間絶縁層１９０を含む絶縁層構造物２６０が構成されうる。
層間絶縁層１９０上には、第１のソース電極２１０、第１のドレイン電極２３０、第２のソース電極２１５、第２のドレイン電極２３５、第３のソース電極５１０、第３のドレイン電極５３０、第４のソース電極５１５、第４のドレイン電極５３５、第５のソース電極８１０、第５のドレイン電極８３０、第６のソース電極８１５、及び第６のドレイン電極８３５が配置されうる。第１のソース電極２１０は、ゲート絶縁層１５０及び層間絶縁層１９０の第１の部分を除去して形成されたコンタクトホールを介して、第１のアクティブ層１３０のソース領域に接続され、第１のドレイン電極２３０は、ゲート絶縁層１５０及び層間絶縁層１９０の第２の部分を除去して形成されたコンタクトホールを介して、第１のアクティブ層１３０のドレイン領域に接続されうる。また、第２のソース電極２１５は、ゲート絶縁層１５０及び層間絶縁層１９０の第３の部分を除去して形成されたコンタクトホールを介して、第２のアクティブ層１３５のソース領域に接続され、第２のドレイン電極２３５は、ゲート絶縁層１５０及び層間絶縁層１９０の第４の部分を除去して形成されたコンタクトホールを介して、第２のアクティブ層１３５のドレイン領域に接続されるのでありうる。
第３のソース電極５１０は、ゲート絶縁層１５０及び層間絶縁層１９０の第５の部分を除去して形成されたコンタクトホールを介して、第３のアクティブ層４３０のソース領域に接続され、第３のドレイン電極５３０は、ゲート絶縁層１５０及び層間絶縁層１９０の第６の部分を除去して形成されたコンタクトホールを介して、第３のアクティブ層４３０のドレイン領域に接続されるのでありうる。また、第４のソース電極５１５は、ゲート絶縁層１５０及び層間絶縁層１９０の第７部分を除去して形成されたコンタクトホールを介して、第４のアクティブ層４３５のソース領域に接続され、第４のドレイン電極５３５は、ゲート絶縁層１５０及び層間絶縁層１９０の第８の部分を除去して形成されたコンタクトホールを介して、第４のアクティブ層４３５のドレイン領域に接続されるのでありうる。
第５のソース電極８１０は、ゲート絶縁層１５０及び層間絶縁層１９０の第９の部分を除去して形成されたコンタクトホールを介して、第５のアクティブ層７３０のソース領域に接続され、第５のドレイン電極８３０は、ゲート絶縁層１５０及び層間絶縁層１９０の第１０の部分を除去して形成されたコンタクトホールを介して、第５のアクティブ層７３０のドレイン領域に接続されるのでありうる。また、第６のソース電極８１５は、ゲート絶縁層１５０及び層間絶縁層１９０の第１１の部分を除去して形成されたコンタクトホールを介して、第６のアクティブ層７３５のソース領域に接続され、第６のドレイン電極８３５は、ゲート絶縁層１５０及び層間絶縁層１９０の第１２の部分を除去して形成されたコンタクトホールを介して、第６のアクティブ層７３５のドレイン領域に接続されるのでありうる。
第１～第４のソース電極２１０、２１５、５１０、５１５、８１０、８１５、及び第１～第４のドレイン電極２３０、２３５、５３０、５３５、８３０、８３５はそれぞれ、金属、合金、金属窒化物、導電性金属酸化物、透明導電性物質などを含みうる。これらは、単独で又は互いに組み合わせて使用可能である。任意選択的に、第１～第４のソース電極２１０、２１５、５１０、５１５、８１０、８１５、及び第１～第４のドレイン電極２３０、２３５、５３０、５３５、８３０、８３５のそれぞれは、複数の層を含む積層構造を有しうる。
これに伴い、第１のアクティブ層１３０、第１のゲート電極１７０、第１のソース電極２１０、及び第１のドレイン電極２３０を含む第１の半導体素子２５０が構成され、第２のアクティブ層１３５、第２のゲート電極１７５、第２のソース電極２１５、及び第２のドレイン電極２３５を含む第２の半導体素子２５５が構成されうる。但し、図１１には、第１の半導体素子２５０(図５の第１のトランジスタ(TR1)に該当)、及び第２の半導体素子２５５(図５の第６のトランジスタ(TR6)に該当)だけが示されているが、図４の第１のサブ画素領域１１の他の断面図において、図５の第２～第５、及び第７のトランジスタ(TR2、TR3、TR4、TR5、TR7)及びストレージキャパシタ(CST)が示されることもありうる。
また、第３のアクティブ層４３０、第３のゲート電極４７０、第３のソース電極５１０、及び第３のドレイン電極５３０を含む第３の半導体素子５５０が構成され、第４のアクティブ層４３５、第４のゲート電極４７５、第４のソース電極５１５、及び第４のドレイン電極５３５を含む第４の半導体素子５５５が構成されるのでありうる。但し、図１２には、第３の半導体素子５５０(図８の第１のトランジスタ(TR1)に該当)、及び第４の半導体素子５５５(図８の第６のトランジスタ(TR6)に該当)だけが示されているが、図６の第２のサブ画素領域１２の他の断面図において、図８の第２～第５、及び第７のトランジスタ(TR2、TR3、TR4、TR5、TR7)及びストレージキャパシタ(CST)が示されることもありうる。
更に、第５のアクティブ層７３０、第５のゲート電極７７０、第５のソース電極８１０、及び第５のドレイン電極８３０を含む第５の半導体素子８５０が構成され、第６のアクティブ層７３５、第６のゲート電極７７５、第６のソース電極８１５、及び第６のドレイン電極８３５を含む第６の半導体素子８５５が構成されうる。但し、図１３には、第５の半導体素子８５０(図１０の第１のトランジスタ(TR1)に該当)、及び第６の半導体素子８５５(図１０の第６のトランジスタ(TR6)に該当)だけが示されているが、図９の第３のサブ画素領域１３の他の断面図において、図１０の第２～第５、及び第７のトランジスタ(TR2、TR3、TR4、TR5、TR7)及びストレージキャパシタ(CST)が示されることもありうる。
例示的な実施例において、第１～第６の半導体素子２５０、２５５、５５０、５５５、８５０、８５５のそれぞれが、上部ゲート構造を有するものと説明したが、これに限定されるものではない。例えば、第１～第６の半導体素子２５０、２５５、５５０、５５５、８５０、８５５のそれぞれは、下部ゲート構造及び/又はダブルゲート構造を有することもできる。
層間絶縁層１９０、及び第１～第６の半導体素子２５０、２５５、５５０、５５５、８５０、８５５上に、平坦化層２７０が配置され、平坦化層２７０には、第２のドレイン電極２３５の一部、第４のドレイン電極５３５の一部、及び第６のドレイン電極８３５の一部のそれぞれを露出させるコンタクトホールが形成されうる。例示的な実施例において、平坦化層２７０は、第１の透過領域２１及び第２の透過領域２２に位置する基板１１０の上面を露出させる開口を有し、平坦化層２７０の前記開口は、ゲート絶縁層１５０の前記開口、及び層間絶縁層１９０の前記開口と重なるのでありうる。
平坦化層２７０は、第１～第６の半導体素子２５０、２５５、５５０、５５５、８５０、８５５を十に覆うように、相対的に厚い厚さで配置され、このような場合、平坦化層２７０は、実質的に平坦な上面を有することができ、このような平坦化層２７０の平坦な上面を具現するために、平坦化層２７０に対して、平坦化工程が追加される。平坦化層２７０は、有機物質又は無機物質などを含みうる。例示的な実施例において、平坦化層２７０は、有機物質を含みうる。例えば、平坦化層２７０は、フォトレジスト、ポリアクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、ポリアミド系樹脂、シロキサン系樹脂、アクリル系樹脂、エポキシ樹脂などを含みうる。
第１の下部電極２９０、第２の下部電極５９０、及び第３の下部電極８９０が、平坦化層２７０上に配置されうる。例えば、第１の下部電極２９０は、平坦化層２７０上の第１のサブ画素領域１１に配置され、平坦化層２７０の前記コンタクトホールを介して、第２のドレイン電極２３５と直接接触し、第１の下部電極２９０は、第２の半導体素子２５５と電気的に連結されうる。また、第２の下部電極５９０は、平坦化層２７０上の第２のサブ画素領域１２に配置され、平坦化層２７０の前記コンタクトホールを介して、第４のドレイン電極５３５と直接接触し、第２の下部電極５９０は、第４の半導体素子５５５と電気的に連結されうる。更に、第３の下部電極８９０は、平坦化層２７０上の第３のサブ画素領域１３に配置され、平坦化層２７０の前記コンタクトホールを介して、第６のドレイン電極８３５と直接接触し、第３の下部電極８９０は、第６の半導体素子８５５と電気的に連結されうる。
第１、第２、及び第３の下部電極２９０、５９０、８９０のそれぞれは、金属、合金、金属窒化物、導電性金属酸化物、透明導電性物質などを含みうる。これらは、単独で又は互いに組み合わせて使用可能である。任意選択的に、第１、第２、及び第３の下部電極２９０、５９０、８９０のそれぞれは、複数の層を含む積層構造を有することもできる。
画素区画膜３１０は、第１、第２及び第３の下部電極２９０、５９０、８９０のそれぞれの一部、及び平坦化層２７０上に配置されうる。画素区画膜３１０は、第１、第２、及び第３の下部電極２９０、５９０、８９０のそれぞれの両側部を覆い、第１、第２、及び第３の下部電極２９０、５９０、８９０のそれぞれの上面の一部を露出させる開口を有しうる。
例示的な実施例において、画素区画膜３１０は、第１の透過領域２１及び第２の透過領域２２に位置する基板１１０の上面を露出させる開口を有し、画素区画膜３１０の前記開口は、平坦化層２７０の前記開口、層間絶縁層１９０の前記開口、及びゲート絶縁層１５０の前記開口と重ね合わせるのでありうる。ここで、第１の透過領域２１に位置する前記開口(例えば、第１の開口)を第１の透過窓３８５と定義し、第２の透過領域２２に位置する前記開口(例えば、第２の開口)を第２の透過窓３９５と定義しうる。第１の透過領域２１及び第２の透過領域２２において、絶縁層構造物２６０が配置されないことに伴い、第１の透過窓３８５及び第２の透過窓３９５のそれぞれの透過率が相対的に増加しうる。画素区画膜３１０は、有機物質又は無機物質からなりうる。例示的な実施例において、画素区画膜３１０は、有機物質を含みうる。
第１の発光層３３０は、画素区画膜３１０により露出した第１の下部電極２９０上に配置され、第２の発光層６３０は、画素区画膜３１０によって露出した第２の下部電極５９０上に配置され、第３の発光層９３０は、画素区画膜３１０によって露出した第３の下部電極８９０上に配置されるのでありうる。第１、第２、及び第３の発光層３３０、６３０、９３０のそれぞれは、サブ画素により異なる色光(すなわち、赤色光、緑色光、青色光など)を放出させる発光物質の少なくとも１つを用いて形成されうる。これとは異なり、第１、第２、及び第３の発光層３３０、６３０、９３０のそれぞれは、赤色光、緑色光、青色光などの他の色光を発生させる複数の発光物質を積層して、全体として白色光を放出することができる。このような場合、発光層３３０上にカラーフィルタが配置(例えば、封止基板４５０の上面に、第１、第２、及び第３の発光層３３０、６３０、９３０のそれぞれと重なるように配置)されることもありうる。前記カラーフィルタは、赤色カラーフィルタ、緑色カラーフィルタ、青色カラーフィルタのうち、少なくとも１つを含みうる。任意選択的に、前記カラーフィルタは、黄色カラーフィルタ、シアンカラーフィルタ、及びマゼンタカラーフィルタを含むこともできる。前記カラーフィルタは、感光性樹脂又はカラーフォトレジストを含むことができる。
第１の上部電極３４０、第２の上部電極６４０、及び第３の上部電極９４０は、画素区画膜３１０、及び第１、第２及び第３の発光層３３０、６３０、９３０上に配置されうる。例示的な実施例において、第２及び第３の上部電極６４０、９４０は、第１の透過領域２１及び第２の透過領域２２に位置する基板１１０の上面を露出させうる。但し、図１１、１２、及び１３において、第１、第２、及び第３の上部電極３４０、６４０、９４０が互いに分離していることと示しているが、第１、第２、及び第３の上部電極３４０、６４０、９４０は、互いに電気的に連結され、実質的に１つの層から形成されうる。例えば、第１、第２、及び第３の上部電極３４０、６４０、９４０は、第１の透過領域２１及び第２の透過領域２２を除く第１の表示領域１０、第２の表示領域２０、及び第３の表示領域３０において、一体に形成されうる。任意選択的に、第１、第２、及び第３の上部電極３４０、６４０、９４０は、第１の表示領域１０、第２の表示領域２０、及び第３の表示領域３０に全体として形成されることもありうる。
第１、第２、及び第３の上部電極３４０、６４０、９４０のそれぞれは、金属、合金、金属窒化物、導電性金属酸化物、透明導電性物質などを含みうる。これらは、単独で又は互いに組み合わせて使用可能である。任意選択的に、第１、第２、及び第３の上部電極３４０、６４０、９４０のそれぞれは、複数の層を含む積層構造を有することもできる。これにより、第１の下部電極２９０、第１の発光層３３０、及び第１の上部電極３４０を含む第１のサブ画素構造物３００と、第２の下部電極５９０、第２の発光層６３０、及び第２の上部電極６４０を含む第２のサブ画素構造物６００と、第３の下部電極８９０、第３の発光層９３０、及び第３の上部電極９４０を含む第３のサブ画素構造物９００とが構成されうる。
第１、第２、及び第３の上部電極３４０、６４０、９４０上に、キャップ層３４５が配置されうる。例示的な実施例において、キャップ層３４５は、基板１１０上に全体として配置されうる。また、キャップ層３４５は、第１の表示領域１０において、第１の厚さ(T1)で配置され、第２の表示領域２０及び第３の表示領域３０において、第１の厚さ(T1)よりも小さい第２の厚さ(T2)で配置されうる。例えば、キャップ層３４５は、第１の透過領域２１及び第２の透過領域２２において、相対的に薄い厚さ(例えば、第２の厚さ(T2))で配置され、第１の透過窓３８５及び第２の透過窓３９５の透過率を相対的に少なく減少させるのでありうる。任意選択的に、キャップ層３４５が、第１の透過領域２１及び第２の透過領域２２に配置されないのでありうる。
キャップ層３４５は、第１、第２、及び第３のサブ画素構造物３００、６００、９００を保護することができ、有機物質又は無機物質を含む。例えば、キャップ層３４５は、トリアミン誘導体、アリーレンジアミン(arylenediamine)誘導体、CBP(4、4’-ビス(N-カルバゾリル)-1,1’-ビフェニル)、Alq3(トリス(8-ヒドロキシキノリン)アルミニウム)などを含みうる。
キャップ層３４５上に、封止基板４５０が配置されうる。封止基板４５０は、実質的に基板１１０と同一の材料を含みうる。例えば、封止基板４５０は、石英基板、合成石英基板、弗化カルシウム基板、フッ素がドープされた石英基板、ソーダライムガラス基板、無アルカリガラス基板などを含みうる。他の例示的な実施例において、封止基板４５０は、透明無機物質、又はフレキシブルなプラスチックを含むこともできる。例えば、封止基板４５０は、軟性を有する透明樹脂基板を含みうる。このような場合、有機発光表示装置１００の可撓性を向上させるために、少なくとも１つの無機層及び少なくとも１つの有機層が交互に積層される構造を有し、キャップ層３４５が配置されないのでありうる。前記積層構造は、第１の無機層、有機層、及び第２の無機層から構成されうる。例えば、上部電極３４０の輪郭（プロファイル）にしたがって、可撓性を有する第１の無機層が配置され、前記第１の無機層上に可撓性を有する有機層が配置され、前記有機層上に可撓性を有する第２の無機層が配置されるのでありうる。すなわち、前記積層構造は、前記上部電極３４０と直接接触する薄膜封止構造物に該当しうる。これにより、基板１１０、第１の半導体素子２５０、第２の半導体素子２５５、第３の半導体素子５５０、第４の半導体素子５５５、第５の半導体素子８５０、第６の半導体素子８５５、絶縁層構造物２６０、平坦化層２７０、画素区画膜３１０、第１のサブ画素構造物３００、第２のサブ画素構造物６００、第３のサブ画素構造物９００、キャップ層３４５、封止基板４５０を含む表示パネル２００が構成されうる。
第１の光学モジュール４１０が、基板１１０の下面(例えば、表示パネル２００の第２の面(S2))上の第２の表示領域２０と重ね合わされて配置されうる。第１の光学モジュール４１０は、第１の透過領域２１を介して、表示パネル２００の第１の面(S1)上に位置する物のイメージを撮影することができる。例示的な実施例において、第１の光学モジュール４１０は、カメラモジュールを含みうる。
第２の光学モジュール４２０が、基板１１０の下面上の第３の表示領域３０と重ね合わされて配置されうる。第１の光学モジュール４１０は、第２の透過領域２２を通して、表示パネル２００の第１の面(S1)上の周辺状況を感知するか、又は物のイメージを感知することができる。例示的な実施例において、第２の光学モジュール４２０は、顔認識センサモジュール、瞳孔認識センサモジュール、加速度センサモジュール、地磁気センサモジュール、近接センサモジュール、赤外線センサモジュール、照度センサモジュールなどを含みうる。これにともない、表示パネル２００、第１の光学モジュール４１０及び第２の光学モジュール４２０を含む有機発光表示装置１００が構成されうる。
本発明の例示的な実施例による有機発光表示装置１００は、第１の解像度を有する第１の表示領域１０、及び前記第１の解像度よりも低い第２の解像度を有する第２及び第３の表示領域２０、３０を含むことで、第１の光学モジュール４１０及び第２の光学モジュール４２０が配置される部分においても、画像が表示されうる。また、有機発光表示装置１００が、第１の透過窓３８５及び第２の透過窓３９５を含むことで、第１の光学モジュール４１０及び第２の光学モジュール４２０が、第１の透過窓３８５及び第２の透過窓３９５を通して、表示パネル２００の第１の面(S1)に位置する周辺状況を感知するか、又は物のイメージを撮影することができる。
図１４は、本発明の例示的な実施例による有機発光表示装置を示す平面図であり、図１５は、図１４の第２の表示領域の一部を拡大して示す部分拡大平面図であり、図１６は、図１５の第２の表示領域に配置される第２のサブ画素回路及び第２の有機発光ダイオードを示す回路図であり、図１７は、図１４の第３の表示領域の一部を拡大して示す部分拡大平面図であり、図１８は、図１５の第３の表示領域に配置される第３のサブ画素回路及び第３の有機発光ダイオードを示す回路図である。図１４乃至図１８に示している有機発光表示装置１０００は、図１乃至図１３において説明した有機発光表示装置１００と実質的に同一または類似の構成を有しうる。図１４乃至図１８において、図１乃至図１３で説明した構成要素と実質的に同一または類似の構成要素については、重複する説明を省略する。
図１、図２及び図１４を参照すると、有機発光表示装置１０００は、表示パネル２００、第１の光学モジュール４１０、第２の光学モジュール４２０などを含みうる。表示パネル２００は、画像を表示する第１の面(S1)、及び第１の面(S1)とは反対側にある第２の面(S2)を有しうる。第１の光学モジュール４１０及び第２の光学モジュール４２０は、表示パネル２００の第２の面(S2)上の一方の側に配置され、第１の光学モジュール４１０と第２の光学モジュール４２０は、互いに隣接して配置されうる。
第１の表示領域１０は、複数の第１のサブ画素領域(例えば、図４の第１のサブ画素領域１１に対応)を含み、第２の表示領域２０は、複数の第２のサブ画素領域及び複数の第１の透過領域(例えば、図１５の第２のサブ画素領域１２及び第１の透過領域２１に対応)を含み、第３の表示領域３０は、複数の第３のサブ画素領域及び第２の透過領域(例えば、図１７の第３のサブ画素領域１３及び第２の透過領域２２に対応)を含むのでありうる。例示的な実施例において、表示パネル２００は、第１の表示領域１０と第２及び第３の表示領域２０、３０において、互いに異なる解像度にて前記画像を表示することができる。例えば、第１の表示領域１０において、第１の解像度で画像が表示され、第２及び第３の表示領域２０、３０において、前記第１の解像度よりも低い第２の解像度で画像が表示されるのでありうる。言い換えると、第１の表示領域１０は、前記第１の解像度を有し、第２及び第３の表示領域２０、３０のそれぞれは、前記第２の解像度を有するのでありうる。
図４及び図５を参照すると、表示パネル２００は、第１のサブ画素回路(SPC1)、及び第１の有機発光ダイオード(OLED1)を更に含みうる。また、表示パネル２００は、第１の表示領域１０を有し、第１の表示領域１０は、複数の第１のサブ画素領域１１を含むのでありうる。
第１のサブ画素回路(SPC1)のそれぞれは、第１のサブ画素領域１１と重ね合わせて配置され、第１のサブ画素回路(SPC1)上に、第１の有機発光ダイオード(OLED1)が配置されうる。第１のサブ画素回路(SPC1)及び第１の有機発光ダイオード(OLED1)を介して、第１のサブ画素領域１１に画像が表示されうる。
図５に示しているように、第１のサブ画素回路(SPC1)は、第１～第７のトランジスタ(TR1、TR2、TR3、TR4、TR5、TR6、TR7)及びストレージキャパシタ(CST)、高電源電圧(ELVDD)配線、低電源電圧(ELVSS)配線、初期化電圧(VINT)配線、データ信号(DATA)配線、ゲート信号(GW)配線、ゲート初期化信号(GI)配線、発光制御信号(EM)配線、ダイオード初期化信号(GB)配線などを含みうる。また、第１のサブ画素回路(SPC1)と第１の有機発光ダイオード(OLED1)とが電気的に連結されうる。
図１５及び図１６を参照すると、表示パネル２００は、第２のサブ画素回路(SPC2)、及び第２の有機発光ダイオード(OLED2)を更に含みうる。また、表示パネル２００は、第２の表示領域２０を有し、第２の表示領域２０は、複数の第２のサブ画素領域１２、及び複数の第１の透過領域２１を含むのでありうる。例示的な実施例において、図４の第１の表示領域１０に配置された第１のサブ画素領域１１と比較すると、第２の表示領域２０には、第１の透過領域２１のために、単位面積当たりで相対的に少ない数のサブ画素領域を含むのでありうる。言い換えると、第２の表示領域２０の第２の解像度は、第１の表示領域１０の第１の解像度よりも低いのでありうる。
第２のサブ画素回路(SPC2)のそれぞれは、第２のサブ画素領域１２と重ね合わされて配置され、第２のサブ画素回路(SPC2)上に、第２の有機発光ダイオード(OLED2)が配置されるのでありうる。第２のサブ画素回路(SPC2)及び第２の有機発光ダイオード(OLED2)を介して、第２のサブ画素領域１２に画像が表示されるのでありうる。また、第１の透過領域２１を介して、表示パネル２００の第２の面(S2)上に配置された第１の光学モジュール４１０が、表示パネル２００の第１の面(S1)上に位置する物のイメージを撮影することができる。言い換えると、第１の透過領域２１は、実質的に透明であり得る。
図１６に示しているように、第２のサブ画素回路(SPC2)は、第１及び第２のトランジスタ(TR1、TR2)及びストレージキャパシタ(CST)、高電源電圧(ELVDD)配線、低電源電圧(ELVSS)配線、データ信号(DATA)配線、ゲート信号(GW)配線などを含みうる。また、第２のサブ画素回路(SPC2)と第２の有機発光ダイオード(OLED2)とが電気的に連結されうる。
例示的な実施例において、第２のサブ画素回路(SPC2)は、第１の透過領域２１に配置されないのでありうる。言い換えると、第２のサブ画素回路(SPC2)は、第１の透過領域２１を露出させうる。
また、第１の表示領域１０における、第１のサブ画素回路(SPC1)及び第１の有機発光ダイオード(OLED1)の構成と、第２の表示領域２０における、第２のサブ画素回路(SPC2)及び第２の有機発光ダイオード(OLED2)の構成とは、異なる。言い換えると、第１のサブ画素領域１１における、第１のサブ画素回路(SPC1)に含まれたトランジスタの数は、第２のサブ画素領域１２における、第２のサブ画素回路(SPC2)に含まれたトランジスタの数よりも多い。
更に、図６の第１の透過領域２１と比較すると、図１６の第２のサブ画素回路(SPC2)は、第３、第４、第５、第６、及び第７のトランジスタ(TR3、TR4、TR5、TR6、TR7)、初期化電圧(VINT)配線、ゲート初期化信号(GI)配線、発光制御信号(EM)配線、ダイオード初期化信号(GB)配線などを含まないため、図１５の第１の透過領域２１が相対的に広く形成されうる。このような場合、相対的に広い面積を有する第１の透過領域２１のために、第１の光学モジュール４１０が表示パネル２００の第１の面(S1)上に位置する物のイメージを相対的に容易に撮影することができる。
図１７及び図１８を参照すると、表示パネル２００は、第３のサブ画素回路(SPC3)、及び第３の有機発光ダイオード(OLED3)を更に含みうる。また、表示パネル２００は、第３の表示領域３０を有し、第３の表示領域３０は、複数の第３のサブ画素領域１３、及び複数の第２の透過領域２２を含むのでありうる。例示的な実施例において、図４の第１の表示領域１０に配置された第１のサブ画素領域１１と比較すると、第３の表示領域３０には、第２の透過領域２２のために、単位面積当たり相対的に少ない数のサブ画素領域を含みうる。言い換えると、第３の表示領域３０の第２の解像度は、第１の表示領域１０の第１の解像度よりも低いのでありうる。
第３のサブ画素回路(SPC3)のそれぞれは、第３のサブ画素領域１３と重ね合わせて配置され、第３のサブ画素回路(SPC3)上に、第３の有機発光ダイオード(OLED3)が配置されうる。第３のサブ画素回路(SPC3)及び第３の有機発光ダイオード(OLED3)を介して、第３のサブ画素領域１３に画像が表示されうる。また、第２の透過領域２２を介して、表示パネル２００の第２の面(S2)上に配置された第２の光学モジュール４２０が、表示パネル２００の第１の面(S1)上の周辺状況を感知するか、又は物のイメージを撮影することができる。言い換えると、第１の透過領域２１は、実質的に透明であり得る。
図１８に示しているように、第３のサブ画素回路(SPC3)は、第１及び第２のトランジスタ(TR1、TR2)及びストレージキャパシタ(CST)、高電源電圧(ELVDD)配線、低電源電圧(ELVSS)配線、データ信号(DATA)配線、ゲート信号(GW)配線などを含みうる。また、第３のサブ画素回路(SPC3)と第３の有機発光ダイオード(OLED3)とが電気的に連結されうる。
例示的な実施例において、第３のサブ画素回路(SPC3)は、第２の透過領域２２に配置されないのでありうる。言い換えると、第３のサブ画素回路(SPC3)は、第２の透過領域２２を露出させうる。
また、第１の表示領域１０における、第１のサブ画素回路(SPC1)及び第１の有機発光ダイオード(OLED1)の構成と、第３の表示領域３０における、第３のサブ画素回路(SPC3)及び第３の有機発光ダイオード(OLED3)の構成とは、異なりうる。言い換えると、第１のサブ画素領域１１における、第１のサブ画素回路(SPC1)に含まれたトランジスタの数は、第３のサブ画素領域１３における、第３のサブ画素回路(SPC3)に含まれたトランジスタの数よりも多いのでありうる。一方、第２のサブ画素回路(SPC2)及び第２の有機発光ダイオード(OLED2)の構成と、第３のサブ画素回路(SPC3)及び第３の有機発光ダイオード(OLED3)の構成とは、同一でありうるのであり、第２のサブ画素領域１２における、第２のサブ画素回路(SPC2)に含まれたトランジスタの数は、第３のサブ画素領域１３における、第３のサブ画素回路(SPC3)に含まれたトランジスタの数と同一でありうる。
更に、図９の第２の透過領域２２と比較すると、図１７の第３のサブ画素回路(SPC3)は、第３、第４、第５、第６及び第７のトランジスタ(TR3、TR4、TR5、TR6、TR7)、初期化電圧(VINT)配線、ゲート初期化信号(GI)配線、発光制御信号(EM)配線、ダイオード初期化信号(GB)配線などを含まないため、図１７の第２の透過領域２２が相対的に広く形成されうる。このような場合、相対的に広い面積を有する第２の透過領域２２のために、第２の光学モジュール４２０が、表示パネル２００の第１の面(S1)上の周辺状況を容易に感知し、又は物のイメージを容易に撮影することができる。
図１９は、本発明の例示的な実施例による有機発光表示装置を示す平面図であり、図２０は、図１９の第３の表示領域の一部を拡大して示す部分拡大平面図であり、図２１は、図２０の第３の表示領域に配置される第３のサブ画素回路及び第３の有機発光ダイオードを示す回路図である。図１９乃至図２１に示している有機発光表示装置１１００は、図１４乃至図１８において説明した有機発光表示装置１０００と実質的に同一または類似の構成を有しうる。図１９乃至図２１において、図１４乃至図１８で説明した構成要素と実質的に同一または類似の構成要素については、重複する説明を省略する。
図４、図５、図１５、図１６、図１９、図２０及び図２１に示しているように、有機発光表示装置１１００は、表示パネル２００、第１の光学モジュール４１０、第２の光学モジュール４２０などを含みうる。ここで、表示パネル２００は、第１のサブ画素回路(SPC1)、第１の有機発光ダイオード(OLED1)、第２のサブ画素回路(SPC2)、第２の有機発光ダイオード(OLED2)、第３のサブ画素回路(SPC3)、第３の有機発光ダイオード(OLED3)などを含みうる。
例示的な実施例において、表示パネル２００は、第１の表示領域１０、第２の表示領域２０、及び第３の表示領域３０にて、互いに異なる解像度で画像を表示する。例えば、第１の表示領域１０にて第１の解像度で画像が表示され、第２の表示領域２０にて、前記第１の解像度よりも低い第２の解像度で画像が表示され、第３の表示領域３０にいて、前記第１の解像度と前記第２の解像度との間の第３の解像度で画像が表示されうる。言い換えると、第１の表示領域１０は、前記第１の解像度を有し、第２の表示領域２０は、前記第２の解像度を有し、第３の表示領域３０は、前記第３の解像度を有するのでありうる。
図４及び図５に示しているように、第１のサブ画素回路(SPC1)は、第１の表示領域１０の第１のサブ画素領域１１と重ね合わされて配置され、第１のサブ画素回路(SPC1)は、第１～第７のトランジスタ(TR1、TR2、TR3、TR4、TR5、TR6、TR7)及びストレージキャパシタ(CST)、高電源電圧(ELVDD)配線、低電源電圧(ELVSS)配線、初期化電圧(VINT)配線、データ信号(DATA)配線、ゲート信号(GW)配線、ゲート初期化信号(GI)配線、発光制御信号(EM)配線、ダイオード初期化信号(GB)配線などを含みうる。
図１５及び図１６に示しているように、第２のサブ画素回路(SPC2)は、第２の表示領域２０の第２のサブ画素領域１２と重ね合わされて配置され、第２のサブ画素回路(SPC2)は、第１及び第２のトランジスタ(TR1、TR2)及びストレージキャパシタ(CST)、高電源電圧(ELVDD)配線、低電源電圧(ELVSS)配線、データ信号(DATA)配線、ゲート信号(GW)配線などを含むのでありうる。
例示的な実施例において、図４の第１の表示領域１０に配置された第１のサブ画素領域１１と比較すると、第２の表示領域２０には、第１の透過領域２１のために、単位面積当たりに相対的に少ない数のサブ画素領域を含まれうる。言い換えると、第２の表示領域２０の第２の解像度は、第１の表示領域１０の第１の解像度よりも低いのでありうる。
例示的な実施例において、第２のサブ画素回路(SPC2)は、第１の透過領域２１に配置されないのでありうる。言い換えると、第２のサブ画素回路(SPC2)は、第１の透過領域２１を露出させうる。
また、第１の表示領域１０において、第１のサブ画素回路(SPC1)及び第１の有機発光ダイオード(OLED1)の構成と、第２の表示領域２０において、第２のサブ画素回路(SPC2)及び第２の有機発光ダイオード(OLED2)の構成とは、異なりうる。言い換えると、第１のサブ画素領域１１における、第１のサブ画素回路(SPC1)に含まれたトランジスタの数は、第２のサブ画素領域１２における、第２のサブ画素回路(SPC2)に含まれたトランジスタの数よりも多いのでありうる。
更に、図６の第１の透過領域２１と比較すると、図１６の第２のサブ画素回路(SPC2)は、第３、第４、第５、第６及び第７のトランジスタ(TR3、TR4、TR5、TR6、TR7)、初期化電圧(VINT)配線、ゲート初期化信号(GI)配線、発光制御信号(EM)配線、ダイオード初期化信号(GB)配線などを含まないため、図１５の第１の透過領域２１が相対的に広く形成されうる。このような場合、相対的に広い面積を有する第１の透過領域２１のために、第１の光学モジュール４１０が、表示パネル２００の第１の面(S1)上に位置する物のイメージを相対的に容易に撮影しうる。
図２０及び図２１に示しているように、第３のサブ画素回路(SPC3)は、第３の表示領域３０の第３のサブ画素領域１３と重ね合わせて配置され、第３のサブ画素回路(SPC3)は、第１～第６のトランジスタ(TR1、TR2、TR3、TR4、TR5、TR6)及びストレージキャパシタ(CST)、高電源電圧(ELVDD)配線、低電源電圧(ELVSS)配線、初期化電圧(VINT)配線、データ信号(DATA)配線、ゲート信号(GW)配線、ゲート初期化信号(GI)配線、発光制御信号(EM)配線などを含みうる。選択的に、第３のサブ画素回路(SPC3)に含まれたトランジスタの数が、第２のサブ画素回路(SPC2)に含まれたトランジスタの数よりも大きく、第１のサブ画素回路(SPC1)に含まれたトランジスタの数よりも小さいのでありうる。
例示的な実施例において、第３のサブ画素回路(SPC3)は、第２の透過領域２２に配置されないのでありうる。言い換えると、第３のサブ画素回路(SPC3)は、第２の透過領域２２を露出させうる。
また、第１の表示領域１０における、第１のサブ画素回路(SPC1)及び第１の有機発光ダイオード(OLED1)の構成と、第２の表示領域２０における、第２のサブ画素回路(SPC2)及び第２の有機発光ダイオード(OLED2)の構成と、第３の表示領域３０における、第３のサブ画素回路(SPC3)及び第３の有機発光ダイオード(OLED3)の構成とは、異なりうる。言い換えると、第３のサブ画素領域１３に含まれたトランジスタの数は、第１のサブ画素領域１１における、第１のサブ画素回路(SPC1)に含まれたトランジスタの数より少なく、第２のサブ画素領域１２における、第２のサブ画素回路(SPC2)に含まれたトランジスタの数よりも多いのでありうる。
更に、図１５の第１の透過領域２１と比較すると、図２０の第３のサブ画素回路(SPC3)は、第３、第４、第５の及び第６のトランジスタ(TR3、TR4、TR5、TR6)、初期化電圧(VINT)配線、ゲート初期化信号(GI)配線、発光制御信号(EM)配線などを含むため、図２０の第２の透過領域２２が相対的に小さく形成されうる。
言い換えると、図１５の第２の表示領域２０に配置された第２のサブ画素領域１２と比較すると、第３の表示領域３０には、相対的に小さい面積を有する第２の透過領域２２のために、単位面積当たり相対的に多い数のサブ画素領域を含みうる。すなわち、第３の表示領域３０の第３の解像度は、第１の表示領域１０の第１の解像度よりも低く、第２の表示領域２０の第２の解像度よりも高いのでありうる。
図２２は、本発明の例示的な実施例による有機発光表示装置を示す斜視図であり、図２３は、図２２の有機発光表示装置に埋め込まれた光学モジュールを示す斜視図であり、図２４は、図２３の有機発光表示装置に形成された穴を説明するための斜視図である。図２２乃至図２４に示している有機発光表示装置１２００は、図１乃至図１３において説明した有機発光表示装置１００と実質的に同一または類似の構成を有する。図２２乃至図２４において、図１乃至図１３で説明した構成要素と実質的に同一または類似の構成要素については、重複する説明を省略する。
図３、図２２、図２３、及び図２４にを参照すると、有機発光表示装置１２００は、表示パネル２００、第１の光学モジュール４１０、第２の光学モジュール４２０などを含むのでありうる。表示パネル２００は、画像を表示する第１の面(S1)、及び第１の面(S1)とは反対側の第２の面(S2)を有しうる。表示パネル２００は、第１の表示領域１０、第２の表示領域２０、及び第３の表示領域３０を含みうる。また、表示パネル２００(又は、基板１１０)の第２の面(S2)のうち、第２の表示領域２０と重なる部分に、第１の穴９１０が形成され、表示パネル２００の第２の面(S2)のうち、第３の表示領域３０と重なる部分に、第２の穴９２０が形成されうる。これにより、第１の光学モジュール４１０は、第１の穴９１０に埋め込まれ、第２の光学モジュール４２０は、第２の穴９２０に埋め込まれる。このような場合、表示パネル２００と、第１の光学モジュール４１０及び第２の光学モジュール４２０が一体型に製造可能である。
図２５は、本発明の例示的な実施例による有機発光表示装置を示す平面図であり、図２６は、図２５の非表示領域を拡大して示す拡大平面図であり、図２７は、図２６のII－II'線に沿う断面図である。図２５乃至図２７に示している有機発光表示装置１３００は、図１乃至図１３において説明した有機発光表示装置１００と実質的に同一または類似の構成を有する。図２５乃至図２７において、図１乃至図１３で説明した構成要素と実質的に同一または類似の構成要素については、重複する説明を省略する。
図２５、図２６、及び図２７に示しているように、有機発光表示装置１３００は、表示パネル２００、第１の光学モジュール４１０、第２の光学モジュール４２０などを含みうる。表示パネル２００は、第１の表示領域１０、第２の表示領域３０、及び非表示領域４０を含みうる。
第１の表示領域１０は、複数の第１のサブ画素領域(例えば、図４の第１のサブ画素領域１１に対応)を含み、第２の表示領域３０は、複数の第２のサブ画素領域及び複数の第１の透過領域(例えば、図１１の第３のサブ画素領域１３及び第２の透過領域２２に対応)を含み、非表示領域４０は、第２の透過領域(例えば、図２６の第２の透過領域４１に対応)を含むのでありうる。例示的な実施例において、表示パネル２００は、第１の表示領域１０と第２の表示領域３０とにおいて、互いに異なる解像度で画像を表示することができる。例えば、第１の表示領域１０において、第１の解像度で画像が表示され、第２の表示領域３０において、前記第１の解像度よりも低い第２の解像度で画像が表示されうる。言い換えると、第１の表示領域１０は、前記第１の解像度を有し、第２の表示領域３０は、前記第２の解像度を有しうる。また、非表示領域４０は、画像が表示されないのでありうる。言い換えると、非表示領域４０には、第２の透過窓３８５だけが形成されうる。
第１の光学モジュール４１０は、表示パネル２００の第２の面(S2)上の非表示領域４０と重ね合わせて配置されうる。第１の光学モジュール４１０は、表示パネル２００の第１の面(S1)上に位置する物のイメージを撮影するカメラモジュールを含みうる。
このような場合、相対的に広い面積を有する第２の透過領域４１のために、第１の光学モジュール４１０が、表示パネル２００の第１の面(S1)上に位置する物のイメージを相対的に容易に撮影することができる。
上述したところでは、本発明の例示的な実施例を参照して説明したが、該当技術分野における通常の知識を有する者であれば、下記の特許請求の範囲に記載された本発明の思想及び領域から逸脱しない範囲内で、本発明を多様に修正及び変更できることを理解するだろう。
本発明は、有機発光表示装置を具備する様々なディスプレイ機器に適用可能である。例えば、本発明は、車両用、船舶用、及び航空機用ディスプレイ装置、携帯用通信装置、展示用又は情報伝達用ディスプレイ装置、医療用ディスプレイ装置などといった数多くのディスプレイ機器に適用可能である。
１０:第１の表示領域
１１:第１のサブ画素領域
１２:第２のサブ画素領域
１３:第３のサブ画素領域
２０:第２の表示領域
２１:第１の透過領域
２２:第２の透過領域
３０:第３の表示領域
４０:非表示領域
１００、１１００、１２００、１３００:有機発光表示装置
１１０:基板
１３０:第１のアクティブ層
１３５:第２のアクティブ層
１５０:ゲート絶縁層
１７０:第１のゲート電極
１７５:第２のゲート電極
１９０:層間絶縁層
２００:表示パネル
２１０:第１のソース電極
２１５:第２のソース電極
２３０:第１のドレイン電極
２３５:第２のドレイン電極
２５０:第１の半導体素子
２５５:第２の半導体素子
２６０:絶縁層構造物
２７０:平坦化層
２９０:第１の下部電極
３００:第１のサブ画素構造物
３１０:画素区画膜
３３０:第１の発光層
３４０:第１の上部電極
３４５:キャップ層
３８５:第１の透過窓
３９５:第２の透過窓
４１０:第１の光学モジュール
４２０:第２の光学モジュール
４３０:第３のアクティブ層
４３５:第４のアクティブ層
４５０:封止基板
４７０:第３のゲート電極
４７５:第４のゲート電極
５１０:第３のソース電極
５１５:第４のソース電極
５３０:第３のドレイン電極
５３５:第４のドレイン電極
５５０:第３の半導体素子
６３０:第２の発光層
６４０:第２の上部電極
７３０:第５のアクティブ層
７３５:第６のアクティブ層
７７０:第５のゲート電極
７７５:第６のゲート電極
８１０:第５のソース電極
８１５:第６のソース電極
８３０:第５のドレイン電極
８３５:第６のドレイン電極
８５０:第５の半導体素子
８５５:第６の半導体素子
８９０:第３の下部電極
９００:第３のサブ画素構造物
９１０:第１の穴
９２０:第２の穴
９３０:第３の発光層
９４０:第３の上部電極
１１:第１のサブ画素領域
１２:第２のサブ画素領域
１３:第３のサブ画素領域
２０:第２の表示領域
２１:第１の透過領域
２２:第２の透過領域
３０:第３の表示領域
４０:非表示領域
１００、１１００、１２００、１３００:有機発光表示装置
１１０:基板
１３０:第１のアクティブ層
１３５:第２のアクティブ層
１５０:ゲート絶縁層
１７０:第１のゲート電極
１７５:第２のゲート電極
１９０:層間絶縁層
２００:表示パネル
２１０:第１のソース電極
２１５:第２のソース電極
２３０:第１のドレイン電極
２３５:第２のドレイン電極
２５０:第１の半導体素子
２５５:第２の半導体素子
２６０:絶縁層構造物
２７０:平坦化層
２９０:第１の下部電極
３００:第１のサブ画素構造物
３１０:画素区画膜
３３０:第１の発光層
３４０:第１の上部電極
３４５:キャップ層
３８５:第１の透過窓
３９５:第２の透過窓
４１０:第１の光学モジュール
４２０:第２の光学モジュール
４３０:第３のアクティブ層
４３５:第４のアクティブ層
４５０:封止基板
４７０:第３のゲート電極
４７５:第４のゲート電極
５１０:第３のソース電極
５１５:第４のソース電極
５３０:第３のドレイン電極
５３５:第４のドレイン電極
５５０:第３の半導体素子
６３０:第２の発光層
６４０:第２の上部電極
７３０:第５のアクティブ層
７３５:第６のアクティブ層
７７０:第５のゲート電極
７７５:第６のゲート電極
８１０:第５のソース電極
８１５:第６のソース電極
８３０:第５のドレイン電極
８３５:第６のドレイン電極
８５０:第５の半導体素子
８５５:第６の半導体素子
８９０:第３の下部電極
９００:第３のサブ画素構造物
９１０:第１の穴
９２０:第２の穴
９３０:第３の発光層
９４０:第３の上部電極
Claims (13)
- 第１のサブ画素領域を含み、第１の解像度を有する第１の表示領域と、第２のサブ画素領域および第１の透過領域を含み、前記第１の解像度よりも低い第２の解像度を有する第２の表示領域とを含み、第１の面でもって画像を表示する表示パネルと、
前記表示パネルにおける前記第１の面とは反対側にある第２の面上にて前記第２の表示領域と重ね合わされて配置される第１の光学モジュールとを含み、
前記表示パネルは、更に、
前記第１の表示領域に配置される第１のサブ画素回路と、
前記第２の表示領域に配置される第２のサブ画素回路とを含み、
前記第１のサブ画素回路を構成するトランジスタの数は、前記第２のサブ画素回路を構成するトランジスタの数よりも多く
前記表示パネルは、更に、
前記第１のサブ画素回路上の前記第１のサブ画素領域に配置され、前記第１のサブ画素回路と電気的に連結される第１のサブ画素構造物と、
前記第２のサブ画素回路上の前記第２のサブ画素領域に配置され、前記第２のサブ画素回路と電気的に連結される第２のサブ画素構造物と、
前記第２のサブ画素領域と隣接する前記第１の透過領域に配置される第１の透過窓とを含み、
前記第１の光学モジュールは、カメラモジュールを含み、前記第１の光学モジュールは、前記第１の透過窓を通して、前記表示パネルの前記第１の面上に位置する物を認識し、
前記第２のサブ画素回路は、前記第１の透過領域に配置されないのであり、
前記表示パネルは、更に、
前記第２の表示領域と隣接して位置し、第３のサブ画素領域及び第２の透過領域を含み、前記第１の解像度と前記第２の解像度との間の第３の解像度を有する第３の表示領域と、
前記第３の表示領域に配置される第３のサブ画素回路とを含み、
前記第３のサブ画素回路を構成するトランジスタの数は、前記第１のサブ画素回路を構成するトランジスタの数よりも少なく、前記第２のサブ画素回路を構成するトランジスタの数よりも多いのであり、
更に、前記表示パネルの前記第２の面上の前記第３の表示領域と重ね合わせて配置される第２の光学モジュールを含み、
前記表示パネルは、更に、
前記第３のサブ画素回路上の前記第３のサブ画素領域に配置され、前記第３のサブ画素回路と電気的に連結される第３のサブ画素構造物と、
前記第３のサブ画素領域と隣接する前記第２の透過領域に配置される第２の透過窓とを含み、
前記第３のサブ画素回路は、前記第２の透過領域に配置されないのであり、
前記第２の光学モジュールは、顔認識センサモジュール、瞳孔認識センサモジュール、加速度センサモジュール、近接センサモジュール、赤外線センサモジュール、または照度センサモジュールを含み、
前記第１の表示領域は、前記第２の表示領域及び前記第３の表示領域を取り囲み、
前記第２の表示領域及び前記第３の表示領域は、いずれも円形の領域であり、表示パネルの一端部に、互いに隔離して配置され、
前記第３の表示領域は、前記第２の表示領域に比べて寸法が小さいことを特徴とする有機発光表示装置。 - 前記第２の表示領域中にあって、前記第１の透過領域は、前記第２のサブ画素領域よりも、表示パネルにおける長さ方向及び幅方向の寸法が大きく、
前記第３の表示領域中にあって、第２の透過領域は、前記第３のサブ画素領域よりも、表示パネルにおける長さ方向及び幅方向の寸法が大きいことを特徴とする請求項１に記載の有機発光表示装置。 - 前記第１の光学モジュールのサイズは、前記第２の表示領域のサイズと同一であり、前記第２の光学モジュールのサイズは、前記第３の表示領域のサイズと同一であることを特徴とする請求項１または２に記載の有機発光表示装置。
- 前記第１の表示領域の面積が、前記第２の表示領域の面積よりも大きいことを特徴とする請求項１または２に記載の有機発光表示装置。
- 前記表示パネルは、更に、
前記第１の表示領域に配置される第１のサブ画素回路と、
前記第２の表示領域に配置される第２のサブ画素回路とを含み、
前記第１及び第２のサブ画素回路は、互いに同一の構成を有することを特徴とする請求項１または２に記載の有機発光表示装置。 - 第１のサブ画素領域を含み、第１の解像度で画像が表示される第１の表示領域と、第２のサブ画素領域及び第１の透過領域を含み、前記第１の解像度よりも低い第２の解像度で画像が表示される第２の表示領域とを有する基板と、
前記基板上の第１の表示領域に配置される第１のサブ画素回路と、
前記基板上の第２の表示領域に配置され、前記第１の透過領域を露出させる第２のサブ画素回路と、
前記基板上の前記第１のサブ画素領域及び第２のサブ画素領域に配置されるサブ画素構造物と、
前記基板上の前記第１の透過領域に形成された第１の透過窓とを含み、第１の面でもって画像を表示する表示パネル、及び、
前記表示パネルにおける第１の面と反対側にある第２の面に、前記第２の表示領域と重ね合わされて配置される第１の光学モジュールを含み、
前記基板は、前記第２の面のうち、前記第２の表示領域と重なる部分に形成された第１の穴を含み、前記第１の穴に前記第１の光学モジュールが埋め込まれ、
更に、前記基板上に配置される絶縁層構造物と、
前記絶縁層構造物上に配置される平坦化層と、
前記平坦化層上に配置される画素区画膜とを含み、
前記第１の透過領域において、前記絶縁層構造物、前記平坦化層、及び前記画素区画膜は、基板を露出させる第１の開口を含み、
前記第１の開口が、前記第１の透過窓であると定義され、
更に、前記画素区画膜上に配置されるキャップ層を含み、
前記キャップ層は、前記第１及び第２のサブ画素領域において、第１の厚さを有し、前記第１の透過領域において、前記第１の厚さよりも小さい第２の厚さを有し、
前記基板は、更に、
前記第２の表示領域と隣接して位置し、第３のサブ画素領域及び第２の透過領域を含み、前記第２の解像度で画像が表示される第３の表示領域と、
前記第３の表示領域に配置される第３のサブ画素回路とを含み、
前記第３のサブ画素回路を構成するトランジスタの数は、前記第２のサブ画素回路を構成するトランジスタの数と同一であり、
更に、前記表示パネルの前記第２の面に、前記第３の表示領域と重ね合わされて配置される第２の光学モジュールを含み、
前記基板は、前記第２の面のうち、前記第３の表示領域と重なる部分に形成された第２の穴を含み、前記第２の穴に前記第２の光学モジュールが埋め込まれ、
前記基板は、更に、
前記第３のサブ画素回路上の前記第３のサブ画素領域に配置され、前記第３のサブ画素回路と電気的に連結される第３のサブ画素構造物と、
前記第３のサブ画素領域と隣接する前記第２の透過領域に配置される第２の透過窓とを含み、
前記第３のサブ画素回路は、前記第２の透過領域に配置されないのであり、
前記第２の透過領域において、前記絶縁層構造物、前記平坦化層、及び前記画素区画膜は、基板を露出させる第２の開口を含み、
前記第２の開口が、前記第２の透過窓と定義され、
前記第１の表示領域は、前記第２の表示領域及び前記第３の表示領域を取り囲み、
前記第２の表示領域及び前記第３の表示領域は、いずれも円形の領域であり、表示パネルの一端部に、互いに隔離して配置され、
前記第３の表示領域は、前記第２の表示領域に比べて寸法が小さいことを特徴とする有機発光表示装置。 - 前記第２の表示領域中にあって、前記第１の透過領域は、前記第２のサブ画素領域よりも、表示パネルにおける長さ方向及び幅方向の寸法が大きく、
前記第３の表示領域中にあって、第２の透過領域は、前記第３のサブ画素領域よりも、表示パネルにおける長さ方向及び幅方向の寸法が大きいことを特徴とする請求項６に記載の有機発光表示装置。 - 前記第１のサブ画素回路の構成は、前記第２及び第３のサブ画素回路のそれぞれの構成と同一であり、
前記第１の透過窓のサイズは、前記第２の透過窓のサイズと同一であることを特徴とする請求項６または７に記載の有機発光表示装置。 - 前記第３のサブ画素回路を構成するトランジスタの数は、前記第２のサブ画素回路を構成するトランジスタの数よりも多いことを特徴とする請求項６または７に記載の有機発光表示装置。
- 前記第２の透過窓のサイズは、前記第１の透過窓のサイズよりも小さいことを特徴とする請求項９に記載の有機発光表示装置。
- 前記第１及び第２のサブ画素回路のそれぞれは、少なくとも１つの半導体素子と、少なくとも１つのキャパシタとを含むことを特徴とする請求項６または７に記載の有機発光表示装置。
- 前記サブ画素構造物のそれぞれは、
前記第１及び第２のサブ画素回路上に配置される下部電極と、
前記下部電極上に配置される発光層と、
前記発光層上に配置される上部電極とを含むことを特徴とする請求項６または７に記載の有機発光表示装置。 - 前記上部電極が、前記第１の透過領域に配置されないことを特徴とする請求項１２に記載の有機発光表示装置。
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