CN112805836A - 有机发光显示装置 - Google Patents
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Abstract
有机发光显示装置可以包括：显示面板，显示面板包括第一显示区域和第二显示区域，并且在显示面板的第一表面上显示图像，第一显示区域包括第一子像素区域并且具有第一分辨率，第二显示区域包括第二子像素区域和第一透射区域，并且具有低于第一分辨率的第二分辨率；以及第一光学模块，被布置在显示面板的与显示面板的第一表面相对的第二表面上以与第二显示区域重叠。因此，即使在布置有光学模块的部分处也可以显示图像。
Description
技术领域
实施例总体上涉及一种有机发光显示装置。更具体地，本发明构思的实施例涉及一种包括光学模块的有机发光显示装置。
背景技术
平板显示装置由于其重量轻且薄的特性而被用作用于代替阴极射线管显示装置的显示装置。作为这种平板显示装置的代表性示例，存在液晶显示装置和有机发光显示装置。
有机发光显示装置可以包括非显示区域和用于显示图像的显示区域，并且光学模块可以被布置在非显示区域中。例如，光学模块可以包括用于捕获位于有机发光显示装置的前表面S1之上的对象的图像的相机模块；用于检测用户的面部的面部识别传感器模块；用于检测用户的瞳孔的瞳孔识别传感器模块；用于确定有机发光显示装置的移动的加速度传感器模块和地磁传感器模块；用于检测相对于有机发光显示装置的前侧的接近度的接近度传感器模块和红外传感器模块；以及用于测量被放在口袋或袋子中时的亮度的照度传感器模块等。由于光学模块被布置在有机发光显示装置的非显示区域中，因此图像可能不会在光学模块被布置的部分中显示。
发明内容
【要解决的问题】
一些实施例提供了一种包括光学模块的有机发光显示装置。
然而，本发明构思的目的不限于此。因此，可以在不脱离本发明构思的精神和范围的情况下扩展本发明构思的目的。
【用于解决问题的手段】
根据一些实施例，有机发光显示装置包括显示面板以及第一光学模块。显示面板包括第一显示区域和第二显示区域。第一显示区域包括第一子像素区域并且具有第一分辨率。第二显示区域包括第二子像素区域和第一透射区域，并且具有低于第一分辨率的第二分辨率。显示面板被配置成在显示面板的第一表面上显示图像。第一光学模块被布置在显示面板的与第一表面相对的第二表面上以与第二显示区域重叠。
在实施例中，显示面板可以进一步包括第一子像素电路以及第二子像素电路。第一子像素电路可以被布置在第一显示区域中。第二子像素电路可以被布置在第二显示区域中并且可以不同于第一子像素电路。
在实施例中，构成第一子像素电路的晶体管的数量可以大于构成第二子像素电路的晶体管的数量。
在实施例中，显示面板可以进一步包括：第一子像素结构、第二子像素结构以及第一透射窗口。第一子像素结构可以被布置在第一子像素区域中第一子像素电路上并且可以电连接到第一子像素电路。第二子像素结构可以被布置在第二子像素区域中第二子像素电路上并且可以电连接到第二子像素电路。第一透射窗口可以被布置在与第二子像素区域邻近的第一透射区域中。
在实施例中，第一光学模块可以包括相机模块，并且第一光学模块可以被配置成通过第一透射窗口识别位于显示面板的第一表面之上的对象。
在实施例中，第二子像素电路可以不被布置在第一透射区域中。
在实施例中，显示面板可以进一步包括：第三显示区域以及第三子像素电路。第三显示区域可以与第二显示区域邻近，并且可以包括第三子像素区域和第二透射区域。第三显示区域可以具有在第一分辨率与第二分辨率之间的第三分辨率。第三子像素电路可以被布置在第三显示区域中并且可以不同于第一子像素电路和第二子像素电路。
在实施例中，构成第三子像素电路的晶体管的数量可以小于构成第一子像素电路的晶体管的数量，并且可以大于构成第二子像素电路的晶体管的数量。
在实施例中，有机发光显示装置可以进一步包括：第二光学模块，被布置在显示面板的第二表面上以与第三显示区域重叠。
在实施例中，显示面板可以进一步包括：第三子像素结构以及第二透射窗口。第三子像素结构可以被布置在第三子像素区域中第三子像素电路上并且可以电连接到第三子像素电路。第二透射窗口可以被布置在与第三子像素区域邻近的第二透射区域中。
在实施例中，第三子像素电路可以不被布置在第二透射区域中。
在实施例中，第二光学模块可以包括面部识别传感器模块、瞳孔识别传感器模块、加速度传感器模块、接近度传感器模块、红外传感器模块以及照度传感器模块。
在实施例中，第一光学模块的尺寸可以等于第二显示区域的尺寸，并且第二光学模块的尺寸可以等于第三显示区域的尺寸。
在实施例中，第一显示区域的面积可以大于第二显示区域的面积。
在实施例中，第二显示区域可以位于显示面板的第一表面的一侧，并且第一显示区域可以围绕第二显示区域。
在实施例中，显示面板可以进一步包括：第一子像素电路，被布置在第一显示区域中；以及第二子像素电路，被布置在第二显示区域中，并且第一子像素电路和第二子像素电路可以具有相同的配置。
根据一些实施例，有机发光显示装置包括：基板、第一子像素电路、第二子像素电路、子像素结构、显示面板以及第一光学模块。基板包括第一显示区域和第二显示区域。第一显示区域包括第一子像素区域并且被配置成以第一分辨率显示图像。第二显示区域包括第二子像素区域和第一透射区域，并且被配置成以低于第一分辨率的第二分辨率显示图像。第一子像素电路被布置在第一显示区域中基板上。第二子像素电路被布置第二显示区域中基板上并且被配置成暴露第一透射区域。子像素结构被布置在第一子像素区域和第二子像素区域中基板上。显示面板包括形成在第一透射区域中基板上的第一透射窗口，并且被配置成在显示面板的第一表面上显示图像。第一光学模块被布置在显示面板的与第一表面相对的第二表面上以与第二显示区域重叠。
在实施例中，基板可以包括形成在第二表面的与第二显示区域重叠的一部分中的第一凹槽，并且第一光学模块可以被嵌入在第一凹槽中。
在实施例中，有机发光显示装置可以进一步包括：被布置在基板上的绝缘层结构；被布置在绝缘层结构上的平坦化层；以及被布置在平坦化层上的像素限定层。
在实施例中，在第一透射区域中，绝缘层结构、平坦化层和像素限定层可以包括暴露基板的第一开口，并且第一开口可以被定义为第一透射窗口。
在实施例中，有机发光显示装置可以进一步包括：被布置在像素限定层上的封盖层。封盖层在第一子像素区域和第二子像素区域中可以具有第一厚度，并且在第一透射区域中可以具有小于第一厚度的第二厚度。
在实施例中，基板可以进一步包括：第三显示区域以及第三子像素电路。第三显示区域可以与第二显示区域邻近，并且可以包括第三子像素区域和第二透射区域。第三显示区域可以被配置成以第二分辨率显示图像。第三子像素电路可以被布置在第三显示区域中并且可以具有与第二子像素电路相同的配置。
在实施例中，构成第三子像素电路的晶体管的数量可以等于构成第二子像素电路的晶体管的数量。
在实施例中，有机发光显示装置可以进一步包括：第二光学模块，被布置在显示面板的第二表面上以与第三显示区域重叠。
在实施例中，基板可以包括形成在第二表面的与第三显示区域重叠的一部分中的第二凹槽，并且第二光学模块可以被嵌入在第二凹槽中。
在实施例中，基板可以进一步包括：第三子像素结构以及第二透射窗口。第三子像素结构可以被布置在第三子像素区域中第三子像素电路上并且可以电连接到第三子像素电路。第二透射窗口可以被布置在与第三子像素区域邻近的第二透射区域中。
在实施例中，第三子像素电路可以不被布置在第二透射区域中。
在实施例中，在第二透射区域中，绝缘层结构、平坦化层和像素限定层可以包括暴露基板的第二开口，并且第二开口可以被限定为第二透射窗口。
在实施例中，第一子像素电路可以具有与第二子像素电路和第三子像素电路中的每一个相同的配置，并且第一透射窗口的尺寸可以等于第二透射窗口的尺寸。
在实施例中，第二子像素电路的配置可以不同于第三子像素电路的配置，并且第一透射窗口的尺寸可以不同于第二透射窗口的尺寸。
在实施例中，构成第三子像素电路的晶体管的数量可以大于构成第二子像素电路的晶体管的数量。
在实施例中，第二透射窗口的尺寸可以小于第一透射窗口的尺寸。
在实施例中，第一子像素电路和第二子像素电路中的每一个可以包括至少一个半导体元件和至少一个电容器。
在实施例中，子像素结构中的每一个可以包括：被布置在第一子像素电路和第二子像素电路上的下电极；被布置在下电极上的发光层；以及被布置在发光层上的上电极。
在实施例中，上电极可以不被布置在第一透射区域中。
根据一些实施例，有机发光显示装置包括显示面板、第一光学模块以及第二光学模块。显示面板包括第一显示区域、第二显示区域和非显示区域。第一显示区域包括第一子像素区域并且具有第一分辨率。第二显示区域包括第二子像素区域和第一透射区域，并且具有低于第一分辨率的第二分辨率。非显示区域包括第二透射区域并且不显示图像。显示面板被配置成在显示面板的第一表面上显示图像。第一光学模块被布置在显示面板的与第一表面相对的第二表面上以与非显示区域重叠。第二光学模块被布置在显示面板的第二表面上以与第二子像素区域重叠。
在实施例中，第一光学模块可以包括相机模块，并且第一光学模块可以被配置成通过第二透射区域识别位于显示面板的第一表面之上的对象。
在实施例中，第二光学模块可以包括面部识别传感器模块、瞳孔识别传感器模块、加速度传感器模块、接近度传感器模块、红外传感器模块以及照度传感器模块。
【发明的效果】
由于根据本发明的实施例的有机发光显示装置包括具有第一分辨率的第一显示区域和具有低于第一分辨率的第二分辨率的第二显示区域和第三显示区域，因此图像也可以显示在布置有第一光学模块和第二光学模块的部分中。另外，由于有机发光显示装置包括第一透射窗口和第二透射窗口，因此第一光学模块和第二光学模块可以通过第一透射窗口和第二透射窗口检测周围环境或捕获位于显示面板的第一表面之上的对象的图像。
然而，本发明的效果不限于此。因此，可以在不脱离本发明的精神和范围的情况下扩展本发明的效果。
附图说明
图1是示出根据本发明的实施例的有机发光显示装置的透视图。
图2是示出被布置在图1的有机发光显示装置的后表面上的光学模块的透视图。
图3是示出图1的有机发光显示装置的第一显示区域、第二显示区域和第三显示区域的平面图。
图4是示出图3的第一显示区域的一部分的部分放大平面图。
图5是示出被布置在图4的第一显示区域中的第一子像素电路和第一有机发光二极管的电路图。
图6是示出图3的第二显示区域的一部分的部分放大平面图。
图7是示出图3的第二显示区域的一个示例的部分放大平面图。
图8是示出被布置在图6的第二显示区域中的第二子像素电路和第二有机发光二极管的电路图。
图9是示出图3的第三显示区域的一部分的部分放大平面图。
图10是示出被布置在图9的第三显示区域中的第三子像素电路和第三有机发光二极管的电路图。
图11是沿着图4的有机发光显示装置的线I-I’截取的截面图。
图12是沿着图6的有机发光显示装置的线II-II’截取的截面图。
图13是沿着图9的有机发光显示装置的线III-III’截取的截面图。
图14是示出根据本发明的实施例的有机发光显示装置的平面图。
图15是示出图14的第二显示区域的一部分的部分放大平面图。
图16是示出被布置在图15的第二显示区域中的第二子像素电路和第二有机发光二极管的电路图。
图17是示出图14的第三显示区域的一部分的部分放大平面图。
图18是示出被布置在图15的第三显示区域中的第三子像素电路和第三有机发光二极管的电路图。
图19是示出根据本发明的实施例的有机发光显示装置的平面图。
图20是示出图19的第三显示区域的一部分的部分放大平面图。
图21是示出被布置在图20的第三显示区域中的第三子像素电路和第三有机发光二极管的电路图。
图22是示出根据本发明的实施例的有机发光显示装置的透视图。
图23是示出被嵌入在图22的有机发光显示装置中的光学模块的透视图。
图24是示出形成在图23的有机发光显示装置中的凹槽的透视图。
图25是示出根据本发明的实施例的有机发光显示装置的平面图。
图26是示出图25的非显示区域的放大平面图。
图27是沿着图26的线IV-IV’截取的截面图。
具体实施方式
在下文中，将参照附图详细说明根据本发明的实施例的有机发光显示装置。在附图中，相同或相似的附图标记用于相同或相似的部件。
图1是示出根据本发明的实施例的有机发光显示装置的透视图，图2是示出被布置在图1的有机发光显示装置的后表面上的光学模块的透视图，并且图3是示出图1的有机发光显示装置的第一显示区域、第二显示区域和第三显示区域的平面图。
参照图1至图3，有机发光显示装置100可以包括显示面板200、第一光学模块410和第二光学模块420等。显示面板200可以具有用于显示图像的第一表面S1和与第一表面S1相对的第二表面S2。第一光学模块410和第二光学模块420可以被布置在显示面板200的第二表面S2的一侧，并且第一光学模块410和第二光学模块420可以彼此邻近。
显示面板200可以包括第一显示区域10、第二显示区域20和第三显示区域30。在此情况下，第二显示区域20和第三显示区域30中的每一个可以位于显示面板200的第一表面S1的一侧，并且第二显示区域20和第三显示区域30可以彼此邻近。另外，第一显示区域10可以围绕第二显示区域20和第三显示区域30，并且第一显示区域10的面积可以大于第二显示区域20和第三显示区域30中的每一个的面积。
第一显示区域10可以包括多个第一子像素区域(例如，与图4的第一子像素区域11相对应)，第二显示区域20可以包括多个第二子像素区域和多个第一透射区域(例如，与图6的第二子像素区域12和第一透射区域21相对应)，并且第三显示区域30可以包括多个第三子像素区域和多个第二透射区域(例如，与图9的第三子像素区域13和第二透射区域22相对应)。在实施例中，显示面板200可以在第一显示区域10以及第二显示区域20和第三显示区域30中以不同的分辨率显示图像。例如，可以在第一显示区域10中以第一分辨率显示图像，并且可以在第二显示区域20和第三显示区域30中以低于第一分辨率的第二分辨率显示图像。换句话说，第一显示区域10可以具有第一分辨率，并且第二显示区域20和第三显示区域30中的每一个可以具有第二分辨率。
第一光学模块410可以被布置在显示面板200的第二表面S2上以与第二显示区域20重叠。换句话说，第二显示区域20的尺寸可以基本等于第一光学模块410的尺寸。也就是说，第二显示区域20的形状可以根据第一光学模块410的形状来限定。第一光学模块410可以包括用于捕获(或识别)位于显示面板200的第一表面S1之上的对象的图像的相机模块。
第二光学模块420可以被布置在显示面板200的第二表面S2上以与第三显示区域30重叠。换句话说，第三显示区域30的尺寸可以基本等于第二光学模块420的尺寸。也就是说，第三显示区域30的形状可以根据第二光学模块420的形状来限定。第二光学模块420可以包括用于检测用户的面部的面部识别传感器模块；用于检测用户的瞳孔的瞳孔识别传感器模块；用于确定有机发光显示装置100的移动的加速度传感器模块和地磁传感器模块；用于检测相对于有机发光显示装置100的前侧的接近度的接近度传感器模块和红外传感器模块；以及用于测量被放在口袋或袋子中时的亮度的照度传感器模块等。
图4是示出图3的第一显示区域的一部分的部分放大平面图，并且图5是示出被布置在图4的第一显示区域中的第一子像素电路和第一有机发光二极管的电路图。
参照图3、图4和图5，显示面板200可以进一步包括第一子像素电路SPC1和第一有机发光二极管OLED1。另外，显示面板200可以具有第一显示区域10，并且第一显示区域10可以包括多个第一子像素区域11。例如，第一子像素区域11可以在第一显示区域10内在与显示面板200的第一表面S1平行的第一方向D1上和与第一方向D1正交的第二方向D2上排列。换句话说，第一子像素区域11可以遍及整个第一显示区域10排列。
第一子像素电路SPC1中的每一个可以与第一子像素区域11重叠，并且第一有机发光二极管OLED1(例如，与图11的第一子像素结构300相对应)可以被布置在第一子像素电路SPC1(例如，与图11的第一半导体元件250和第二半导体元件255相对应)上。可以通过第一子像素电路SPC1和第一有机发光二极管OLED1在第一子像素区域11中显示图像。在一些实施例中，第一子像素电路SPC1可以与第一子像素区域11的一部分以及与第一子像素区域11不同的另一第一子像素区域11的一部分(例如，与第一子像素区域11邻近的第一子像素区域11的一部分)重叠。另外，第一有机发光二极管OLED1可以通过使用其中具有相同尺寸的矩形被顺序地排列的RGB条带方案、包括具有相对大的面积的蓝色有机发光二极管的S条带方案、进一步包括白色有机发光二极管的WRGB方案或其中RG-GB图案被重复地排列的蜂窝状方案等来排列。
然而，尽管当在平面图中观看时，根据本发明的第一显示区域10和第一子像素区域11中的每一个已经被描述为具有矩形形状，但是形状不限于此。例如，当在平面图中观看时，第一显示区域10和第一子像素区域11中的每一个可以具有三角形形状、菱形形状、多边形形状、圆形形状、轨道形状或椭圆形形状。
如图5中所示，第一子像素电路SPC1可以包括第一晶体管至第七晶体管TR1、TR2、TR3、TR4、TR5、TR6和TR7、存储电容器CST、高电源电压(ELVDD)布线、低电源电压(ELVSS)布线、初始化电压(VINT)布线、数据信号(DATA)布线、栅信号(GW)布线、栅初始化信号(GI)布线、发射控制信号(EM)布线以及二极管初始化信号(GB)布线等。另外，第一子像素电路SPC1和第一有机发光二极管OLED1可以彼此电连接。
第一有机发光二极管OLED1(例如，与图11的第一子像素结构300相对应)可以基于驱动电流ID来输出光。第一有机发光二极管OLED1可以包括第一端子和第二端子。第一有机发光二极管OLED1的第二端子可以接收低电源电压ELVSS。例如，第一有机发光二极管OLED1的第一端子可以是阳极端子，并且第一有机发光二极管OLED1的第二端子可以是阴极端子。在一些实施例中，第一有机发光二极管OLED1的第一端子可以是阴极端子，并且第一有机发光二极管OLED1的第二端子可以是阳极端子。在实施例中，第一有机发光二极管OLED1的阳极端子可以与图11的第一下电极290相对应，并且第一有机发光二极管OLED1的阴极端子可以与图11的第一上电极340相对应。
第一晶体管TR1(例如，与图11的第一半导体元件250相对应)可以包括栅端子、第一端子和第二端子。在实施例中，第一晶体管TR1的第一端子可以是源端子，并且第一晶体管TR1的第二端子可以是漏端子。在一些实施例中，第一晶体管TR1的第一端子可以是漏端子，并且第一晶体管TR1的第二端子可以是源端子。
第一晶体管TR1可以生成驱动电流ID。在实施例中，第一晶体管TR1可以在饱和区中操作。在此情况下，第一晶体管TR1可以基于栅端子与源端子之间的电压差来生成驱动电流ID。另外，灰度级可以基于被供应到第一有机发光二极管OLED1的驱动电流ID的幅度来表示。在一些实施例中，第一晶体管TR1可以在线性区中操作。在此情况下，灰度级可以基于在一个帧内驱动电流被供应到有机发光二极管的时间的总和来表示。
第二晶体管TR2可以包括栅端子、第一端子和第二端子。第二晶体管TR2的栅端子可以接收栅信号GW。第二晶体管TR2的第一端子可以接收数据信号DATA。第二晶体管TR2的第二端子可以连接到第一晶体管TR1的第一端子。在实施例中，第二晶体管TR2的第一端子可以是源端子，并且第二晶体管TR2的第二端子可以是漏端子。在一些实施例中，第二晶体管TR2的第一端子可以是漏端子，并且第二晶体管TR2的第二端子可以是源端子。
第二晶体管TR2可以在栅信号GW的激活时段期间将数据信号DATA供应到第一晶体管TR1的第一端子。在此情况下，第二晶体管TR2可以在线性区中操作。
第三晶体管TR3可以包括栅端子、第一端子和第二端子。第三晶体管TR3的栅端子可以接收栅信号GW。第三晶体管TR3的第一端子可以连接到第一晶体管TR1的栅端子。第三晶体管TR3的第二端子可以连接到第一晶体管TR1的第二端子。在实施例中，第三晶体管TR3的第一端子可以是源端子，并且第三晶体管TR3的第二端子可以是漏端子。在一些实施例中，第三晶体管TR3的第一端子可以是漏端子，并且第三晶体管TR3的第二端子可以是源端子。
第三晶体管TR3可以在栅信号GW的激活时段期间将第一晶体管TR1的栅端子连接到第一晶体管TR1的第二端子。在此情况下，第三晶体管TR3可以在线性区中操作。换句话说，第三晶体管TR3可以在栅信号GW的激活时段期间将第一晶体管TR1二极管连接。由于第一晶体管TR1被二极管连接，因此可以在第一晶体管TR1的第一端子与第一晶体管TR1的栅端子之间生成与第一晶体管TR1的阈值电压相对应的电压差。结果，在栅信号GW的激活时段期间，通过将电压差(即，阈值电压)与被供应到第一晶体管TR1的第一端子的数据信号DATA的电压相加而获得的电压可以被供应到第一晶体管TR1的栅端子。换句话说，数据信号DATA可以由第一晶体管TR1的阈值电压补偿，并且所补偿的数据信号DATA可以被供应到第一晶体管TR1的栅端子。由于执行了阈值电压补偿，因此可以解决由第一晶体管TR1的阈值电压的偏差引起的驱动电流不均匀问题。
提供有初始化电压VINT的初始化电压布线的输入端子可以连接到第四晶体管TR4的第一端子和第七晶体管TR7的第一端子，并且初始化电压布线的输出端子可以连接到第四晶体管TR4的第二端子和存储电容器CST的第一端子。
第四晶体管TR4可以包括栅端子、第一端子和第二端子。第四晶体管TR4的栅端子可以接收栅初始化信号GI。第四晶体管TR4的第一端子可以接收初始化电压VINT。第四晶体管TR4的第二端子可以连接到第一晶体管TR1的栅端子。在实施例中，第四晶体管TR4的第一端子可以是源端子，并且第四晶体管TR4的第二端子可以是漏端子。在一些实施例中，第四晶体管TR4的第一端子可以是漏端子，并且第四晶体管TR4的第二端子可以是源端子。
第四晶体管TR4可以在栅初始化信号GI的激活时段期间将初始化电压VINT供应到第一晶体管TR1的栅端子。在此情况下，第四晶体管TR4可以在线性区中操作。换句话说，第四晶体管TR4可以在栅初始化信号GI的激活时段期间将第一晶体管TR1的栅端子初始化成初始化电压VINT。在实施例中，初始化电压VINT可以具有比先前帧中由存储电容器CST维持的数据信号DATA的电压电平充分低的电压电平，并且初始化电压VINT可以被供应到作为P沟道金属氧化物半导体(PMOS)晶体管的第一晶体管TR1的栅端子。在其他实施例中，初始化电压可以具有比先前帧中由存储电容器维持的数据信号的电压电平充分高的电压电平，并且初始化电压可以被供应到作为N沟道金属氧化物半导体(NMOS)晶体管的第一晶体管的栅端子。
在实施例中，栅初始化信号GI可以是与一个水平时间之前的栅信号GW基本相同的信号。例如，被供应到包括在有机发光显示装置100中的多个子像素电路当中的第n行(其中，n是大于或等于2的整数)中的子像素电路的栅初始化信号GI可以是与被供应到子像素电路当中的第n-1行中的子像素电路的栅信号GW基本相同的信号。换句话说，通过将激活的栅信号GW供应到第一子像素电路SPC1当中的第n-1行中的第一子像素电路，激活的栅初始化信号GI可以被供应到第一子像素电路SPC1当中的第n行中的第一子像素电路。结果，当数据信号DATA被供应到子像素电路当中的第n-1行中的子像素电路时，包括在第一子像素电路SPC1当中的第n行中的子像素电路中的第一晶体管TR1的栅端子可以被初始化成初始化电压VINT。
第五晶体管TR5可以包括栅端子、第一端子和第二端子。栅端子可以接收发射控制信号EM。第一端子可以连接到高电源电压(ELVDD)布线。第二端子可以连接到第一晶体管TR1的第一端子。在实施例中，第五晶体管TR5的第一端子可以是源端子，并且第五晶体管TR5的第二端子可以是漏端子。在一些实施例中，第五晶体管TR5的第一端子可以是漏端子，并且第五晶体管TR5的第二端子可以是源端子。
第五晶体管TR5可以在发射控制信号EM的激活时段期间将高电源电压ELVDD供应到第一晶体管TR1的第一端子。相反，第五晶体管TR5可以在发射控制信号EM的非激活时段期间切断高电源电压ELVDD的供应。在此情况下，第五晶体管TR5可以在线性区中操作。由于第五晶体管TR5在发射控制信号EM的激活时段期间将高电源电压ELVDD供应到第一晶体管TR1的第一端子，因此第一晶体管TR1可以生成驱动电流ID。另外，由于第五晶体管TR5在发射控制信号EM的非激活时段期间切断高电源电压ELVDD的供应，因此被供应到第一晶体管TR1的第一端子的数据信号DATA可以被供应到第一晶体管TR1的栅端子。
第六晶体管TR6(例如，与图11的第二半导体元件255相对应)可以包括栅端子、第一端子和第二端子。栅端子可以接收发射控制信号EM。第一端子可以连接到第一晶体管TR1的第二端子。第二端子可以连接到第一有机发光二极管OLED1的第一端子。在实施例中，第六晶体管TR6的第一端子可以是源端子，并且第六晶体管TR6的第二端子可以是漏端子。在一些实施例中，第六晶体管TR6的第一端子可以是漏端子，并且第六晶体管TR6的第二端子可以是源端子。
第六晶体管TR6可以在发射控制信号EM的激活时段期间将由第一晶体管TR1生成的驱动电流ID供应到第一有机发光二极管OLED1。在此情况下，第六晶体管TR6可以在线性区中操作。换句话说，由于第六晶体管TR6在发射控制信号EM的激活时段期间将由第一晶体管TR1生成的驱动电流ID供应到第一有机发光二极管OLED1，因此第一有机发光二极管OLED1可以输出光。另外，由于第六晶体管TR6在发射控制信号EM的非激活时段期间将第一晶体管TR1与第一有机发光二极管OLED1电隔离，因此被供应到第一晶体管TR1的第二端子的数据信号DATA(准确地说，已经经过阈值电压补偿的数据信号)可以被供应到第一晶体管TR1的栅端子。
第七晶体管TR7可以包括栅端子、第一端子和第二端子。栅端子可以接收二极管初始化信号GB。第一端子可以接收初始化电压VINT。第二端子可以连接到第一有机发光二极管OLED1的第一端子。在实施例中，第七晶体管TR7的第一端子可以是源端子，并且第七晶体管TR7的第二端子可以是漏端子。在一些实施例中，第七晶体管TR7的第一端子可以是漏端子，并且第七晶体管TR7的第二端子可以是源端子。
第七晶体管TR7可以在二极管初始化信号GB的激活时段期间将初始化电压VINT供应到第一有机发光二极管OLED1的第一端子。在此情况下，第七晶体管TR7可以在线性区中操作。换句话说，第七晶体管TR7可以在二极管初始化信号GB的激活时段期间将第一有机发光二极管OLED1的第一端子初始化成初始化电压VINT。
在一些实施例中，栅初始化信号GI和二极管初始化信号GB可以是基本相同的信号。初始化第一晶体管TR1的栅端子的操作和初始化第一有机发光二极管OLED1的第一端子的操作可以彼此不影响。换句话说，初始化第一晶体管TR1的栅端子的操作和初始化第一有机发光二极管OLED1的第一端子的操作可以彼此独立。因此，二极管初始化信号GB可以不单独生成，以使可以提高处理的经济效率。
存储电容器CST可以包括第一端子和第二端子。存储电容器CST可以连接在高电源电压(ELVDD)布线与第一晶体管TR1的栅端子之间。例如，存储电容器CST的第一端子可以连接到第一晶体管TR1的栅端子，并且存储电容器CST的第二端子可以连接到高电源电压(ELVDD)布线。存储电容器CST可以在栅信号GW的非激活时段期间维持第一晶体管TR1的栅端子的电压电平。栅信号GW的非激活时段可以包括发射控制信号EM的激活时段，并且在发射控制信号EM的激活时段期间，由第一晶体管TR1生成的驱动电流ID可以被供应到第一有机发光二极管OLED1。因此，基于由存储电容器CST维持的电压电平来由第一晶体管TR1生成的驱动电流ID可以被供应到第一有机发光二极管OLED1。
然而，尽管根据本发明的第一子像素电路SPC1被描述为包括七个晶体管和一个存储电容器，但是本发明的配置不限于此。例如，第一子像素电路SPC1可以具有包括至少一个晶体管和至少一个存储电容器的配置。
图6是示出图3的第二显示区域的一部分的部分放大平面图，图7是示出图3的第二显示区域的一个示例的部分放大平面图，并且图8是示出被布置在图6的第二显示区域中的第二子像素电路和第二有机发光二极管的电路图。图8中所图示的第二子像素电路SPC2和第二有机发光二极管OLED2可以具有与参照图5描述的第一子像素电路SPC1和第一有机发光二极管OLED1的配置基本相同或相似的配置。在图8中，将省略与参照图5描述的部件基本相同或相似的部件的冗余描述。
参照图3、图6和图8，显示面板200可以进一步包括第二子像素电路SPC2和第二有机发光二极管OLED2。另外，显示面板200可以具有第二显示区域20，并且第二显示区域20可以包括多个第二子像素区域12和多个第一透射区域21。例如，第二子像素区域12可以在第二显示区域20内在第一方向D1上排列，并且第一透射区域21可以在与其中第二子像素区域12排列的行不同的行中在第一方向D1上排列。换句话说，第二子像素区域12和第一透射区域21可以遍及整个第二显示区域20排列。在实施例中，当与被布置在图4的第一显示区域10中的第一子像素区域11相比时，第二显示区域20可以由于第一透射区域21而每单位面积包括相对小的数量的子像素区域。换句话说，第二显示区域20的第二分辨率可以低于第一显示区域10的第一分辨率。
第二子像素电路SPC2中的每一个可以与第二子像素区域12重叠，并且第二有机发光二极管OLED2(例如，与图12的第二子像素结构600相对应)可以被布置在第二子像素电路SPC2(例如，与图12的第三半导体元件550和第四半导体元件555相对应)上。可以通过第二子像素电路SPC2和第二有机发光二极管OLED2在第二子像素区域12中显示图像。
在一些实施例中，第二子像素电路SPC2可以与第二子像素区域12的一部分以及与第二子像素区域12不同的另一第二子像素区域12的一部分(例如，与第二子像素区域12邻近的第二子像素区域12的一部分)重叠。另外，第二有机发光二极管OLED2可以通过使用其中具有相同尺寸的矩形被顺序地排列的RGB条带方案、包括具有相对大的面积的蓝色有机发光二极管的S条带方案、进一步包括白色有机发光二极管的WRGB方案或其中RG-GB图案被重复地排列的蜂窝状方案等来排列。
另外，被布置在显示面板200的第二表面S2上的第一光学模块410可以通过第一透射区域21捕获位于显示面板200的第一表面S1之上的对象的图像。换句话说，第一透射区域21可以是基本透明的。
在其他实施例中，如图7中所示，第二显示区域20可以包括具有相对大的面积的第一透射区域31。换句话说，第二显示区域20可以由于具有相对大的面积的第一透射区域31而每单位面积包括相对小的数量的子像素区域。在此情况下，即使当第二显示区域20的分辨率变得相对低时，第一光学模块410也可以由于具有相对大的面积的第一透射区域31而相对容易地识别位于显示面板200的第一表面S1之上的对象的图像。
然而，尽管当在平面图中观看时，根据本发明的第二显示区域20、第二子像素区域12和第一透射区域21中的每一个被描述为具有矩形形状，但是形状不限于此。例如，当在平面图中观看时，第二显示区域20、第二子像素区域12和第一透射区域21中的每一个可以具有三角形形状、菱形形状、多边形形状、圆形形状、轨道形状或椭圆形形状。
如图8中所示，第二子像素电路SPC2可以包括第一晶体管至第七晶体管TR1、TR2、TR3、TR4、TR5、TR6和TR7、存储电容器CST、高电源电压(ELVDD)布线、低电源电压(ELVSS)布线、初始化电压(VINT)布线、数据信号(DATA)布线、栅信号(GW)布线、栅初始化信号(GI)布线、发射控制信号(EM)布线以及二极管初始化信号(GB)布线等。另外，第二子像素电路SPC2和第二有机发光二极管OLED2可以彼此电连接。在此情况下，第二子像素电路SPC2的第一晶体管TR1可以与图12的第三半导体元件550相对应，并且第二子像素电路SPC2的第六晶体管TR6可以与图12的第四半导体元件555相对应。另外，第二有机发光二极管OLED2可以与图12的第二子像素结构600相对应，第二有机发光二极管OLED2的阳极端子可以与图12的第二下电极690相对应，并且第二有机发光二极管OLED2的阴极端子可以与图12的第二上电极640相对应。
在实施例中，第二子像素电路SPC2可以不被布置在第一透射区域21中。换句话说，第二子像素电路SPC2可以暴露第一透射区域21。
另外，第一显示区域10中的第一子像素电路SPC1和第一有机发光二极管OLED1的配置可以与第二显示区域20中的第二子像素电路SPC2和第二有机发光二极管OLED2的配置基本相同。换句话说，包括在第一子像素区域11中的第一子像素电路SPC1中的晶体管的数量可以等于包括在第二子像素区域12中的第二子像素电路SPC2中的晶体管的数量。
图9是示出图3的第三显示区域的一部分的部分放大平面图，并且图10是示出被布置在图9的第三显示区域中的第三子像素电路和第三有机发光二极管的电路图。图10中所图示的第三子像素电路SPC3和第三有机发光二极管OLED3可以具有与参照图5描述的第一子像素电路SPC1和第一有机发光二极管OLED1的配置基本相同或相似的配置。在图10中，将省略与参照图5描述的部件基本相同或相似的部件的冗余描述。
参照图3、图9和图10，显示面板300可以进一步包括第三子像素电路SPC3和第三有机发光二极管OLED3。另外，显示面板300可以具有第三显示区域30，并且第三显示区域30可以包括多个第三子像素区域13和多个第二透射区域22。例如，第三子像素区域13可以在第三显示区域30内在第一方向D1上排列，并且第二透射区域22可以在与其中第三子像素区域13排列的行不同的行中在第一方向D1上排列。换句话说，第三子像素区域13和第二透射区域22可以遍及整个第三显示区域30排列。在实施例中，当与被布置在图4的第一显示区域10中的第一子像素区域11相比时，第三显示区域30可以由于第二透射区域22而每单位面积包括相对小的数量的子像素区域。换句话说，第三显示区域30的第二分辨率可以低于第一显示区域10的第一分辨率。
第三子像素电路SPC3中的每一个可以与第三子像素区域13重叠，并且第三有机发光二极管OLED3(例如，与图13的第三子像素结构900相对应)可以被布置在第三子像素电路SPC3(例如，与图13的第五半导体元件850和第六半导体元件855相对应)上。可以通过第三子像素电路SPC3和第三有机发光二极管OLED3在第三子像素区域13中显示图像。
在一些实施例中，第三子像素电路SPC3可以与第三子像素区域13的一部分以及与第三子像素区域13不同的另一第三子像素区域13的一部分(例如，与第三子像素区域13邻近的第三子像素区域13的一部分)重叠。另外，第三有机发光二极管OLED3可以通过使用其中具有相同尺寸的矩形被顺序地排列的RGB条带方案、包括具有相对大的面积的蓝色有机发光二极管的S条带方案、进一步包括白色有机发光二极管的WRGB方案或其中RG-GB图案被重复地排列的蜂窝状方案等来排列。
另外，被布置在显示面板200的第二表面S2上的第三显示区域30中的第二光学模块420可以通过第二透射区域22检测周围环境或捕获位于显示面板200的第一表面S1之上的对象的图像。换句话说，第二透射区域22可以是基本透明的。
然而，尽管当在平面图中观看时，根据本发明的第三显示区域30、第三子像素区域13和第二透射区域22中的每一个被描述为具有矩形形状，但是形状不限于此。例如，当在平面图中观看时，第三显示区域30、第三子像素区域13和第二透射区域22中的每一个可以具有三角形形状、菱形形状、多边形形状、圆形形状、轨道形状或椭圆形形状。
如图10中所示，第三子像素电路SPC3可以包括第一晶体管至第七晶体管TR1、TR2、TR3、TR4、TR5、TR6和TR7、存储电容器CST、高电源电压(ELVDD)布线、低电源电压(ELVSS)布线、初始化电压(VINT)布线、数据信号(DATA)布线、栅信号(GW)布线、栅初始化信号(GI)布线、发射控制信号(EM)布线以及二极管初始化信号(GB)布线等。另外，第三子像素电路SPC3和第三有机发光二极管OLED3可以彼此电连接。在此情况下，第三子像素电路SPC3的第一晶体管TR1可以与图13的第五半导体元件850相对应，并且第三子像素电路SPC3的第六晶体管TR6可以与图13的第六半导体元件855相对应。另外，第三有机发光二极管OLED3可以与图13的第三子像素结构900相对应，第三有机发光二极管OLED3的阳极端子可以与图13的第三下电极890相对应，并且第三有机发光二极管OLED3的阴极端子可以与图13的第三上电极940相对应。
在实施例中，第三子像素电路SPC3可以不被布置在第二透射区域22中。换句话说，第三子像素电路SPC3可以暴露第二透射区域22。
另外，第一显示区域10中的第一子像素电路SPC1和第一有机发光二极管OLED1的配置可以与第三显示区域30中的第三子像素电路SPC3和第三有机发光二极管OLED3的配置基本相同。换句话说，包括在第一子像素区域11中的第一子像素电路SPC1中的晶体管的数量可以等于包括在第三子像素区域13中的第三子像素电路SPC3中的晶体管的数量。
图11是沿着图4的有机发光显示装置的线I-I’截取的截面图，图12是沿着图6的有机发光显示装置的线II-II’截取的截面图，并且图13是沿着图9的有机发光显示装置的线III-III’截取的截面图。
参照图11、图12和图13，有机发光显示装置100可以包括显示面板200、第一光学模块410和第二光学模块420等。在此情况下，显示面板200可以包括基板110、第一半导体元件250、第二半导体元件255、第三半导体元件550、第四半导体元件555、第五半导体元件850、第六半导体元件855、绝缘层结构260、平坦化层270、像素限定层310、第一子像素结构300、第二子像素结构600、第三子像素结构900、封盖层345以及封装基板450等。
另外，第一半导体元件250可以包括第一有源层130、第一栅电极170、第一源电极210和第一漏电极230，并且第二半导体元件255可以包括第二有源层135、第二栅电极175、第二源电极215和第二漏电极235。第三半导体元件550可以包括第三有源层430、第三栅电极470、第三源电极510和第三漏电极530，并且第四半导体元件555可以包括第四有源层435、第四栅电极475、第四源电极515和第四漏电极535。第五半导体元件850可以包括第五有源层730、第五栅电极770、第五源电极810和第五漏电极830，并且第六半导体元件855可以包括第六有源层735、第六栅电极775、第六源电极815和第六漏电极835。绝缘层结构260可以包括栅绝缘层150和层间绝缘层190。
此外，第一子像素结构300可以包括第一下电极290、第一发光层330和第一上电极340，第二子像素结构600可以包括第二下电极690、第二发光层630和第二上电极640，并且第三子像素结构900可以包括第三下电极890、第三发光层930和第三上电极940。由于显示面板200包括包含第一子像素区域11的第一显示区域10、包含第二子像素区域12和第一透射区域21的第二显示区域20以及包含第三子像素区域13和第二透射区域22的第三显示区域30，因此基板110可以被划分成包括第一子像素区域11的第一显示区域10、包括第二子像素区域12和第一透射区域21的第二显示区域20以及包括第三子像素区域13和第二透射区域22的第三显示区域30。
可以提供包括透明或不透明材料的基板110。基板100可以包括石英基板、合成石英基板、氟化钙基板、掺杂氟的石英(掺杂F的石英)基板、钠钙玻璃基板以及非碱玻璃基板等。
在一些实施例中，基板110可以是具有柔性的透明树脂基板。可以被用作基板110的透明树脂基板的示例包括聚酰亚胺基板。在此情况下，聚酰亚胺基板可以包括第一聚酰亚胺层、阻挡膜层和第二聚酰亚胺层等。例如，聚酰亚胺基板可以具有其中第一聚酰亚胺层、阻挡膜层和第二聚酰亚胺层被顺序地堆叠在刚性玻璃基板上的配置。在制造有机发光显示装置100的方法中，在将绝缘层(例如，缓冲层(未示出))排列在聚酰亚胺基板的第二聚酰亚胺层上之后，上部结构(例如，第一半导体元件至第六半导体元件250、255、550、555、850和855、第一子像素结构至第三子像素结构300、600和900等)可以形成在绝缘层上。在形成上部结构之后，可以移除刚性玻璃基板。换句话说，由于聚酰亚胺基板是薄的且是柔性的，因此可能难以直接在聚酰亚胺基板上形成上部结构。考虑到以上事实，通过使用刚性玻璃基板形成上部结构，并且然后移除玻璃基板，以使聚酰亚胺基板可以被用作基板110。
缓冲层(未示出)可以被布置在基板110上。缓冲层可以遍及整个基板110被布置。缓冲层可以防止金属原子或杂质从基板110扩散到上部结构。另外，当基板110的表面不均匀时，缓冲层可以用于提高基板110的表面的平坦度。取决于基板110的类型，可以在基板110上提供至少两个缓冲层，或者可以不提供缓冲层。例如，缓冲层可以包括有机材料或无机材料。
第一有源层130、第二有源层135、第三有源层430、第四有源层435、第五有源层730和第六有源层735可以被布置在基板110上。例如，第一有源层130和第二有源层135可以在基板110上在第一显示区域10中彼此间隔开，并且第三有源层430和第四有源层435可以在基板110上在除了第一透射区域21之外的第二显示区域20中彼此间隔开。第五有源层730和第六有源层735可以在基板110上在除了第二透射区域22之外的第三显示区域30中彼此间隔开。第一有源层至第六有源层130、135、430、435、730和735中的每一个可以包括氧化物半导体、无机半导体(例如，非晶硅或多晶硅)和有机半导体等。
栅绝缘层150可以被布置在第一有源层至第六有源层130、135、430、435、730和735以及基板110上。在实施例中，栅绝缘层150可以不被布置在第一透射区域21和第二透射区域22中。换句话说，栅绝缘层150可以具有暴露基板110的位于第一透射区域21和第二透射区域22中的顶表面的开口。例如，栅绝缘层150可以充分覆盖基板110上的第一有源层至第六有源层130、135、430、435、730和735，并且可以具有基本平坦的顶表面，而不会产生围绕第一有源层至第六有源层130、135、430、435、730和735的台阶。在一些实施例中，栅绝缘层150可以沿着第一有源层至第六有源层130、135、430、435、730和735的轮廓被以均匀的厚度布置，以覆盖基板110上的第一有源层至第六有源层130、135、430、435、730和735。栅绝缘层150可以包括硅化合物和金属氧化物等。例如，栅绝缘层150可以包括氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiOxNy)、碳氧化硅(SiOxCy)、碳氮化硅(SiCxNy)、氧化铝(AlOx)、氮化铝(AlNx)、氧化钽(TaOx)、氧化铪(HfOx)、氧化锆(ZrOx)以及氧化钛(TiOx)等。
第一栅电极170、第二栅电极175、第三栅电极470、第四栅电极475、第五栅电极770和第六栅电极775可以在栅绝缘层150上彼此间隔开。例如，第一栅电极170可以被布置在栅绝缘层150的第一有源层130位于其下方的部分上，第二栅电极175可以被布置在栅绝缘层150的第二有源层135位于其下方的部分上，第三栅电极470可以被布置在栅绝缘层150的第三有源层430位于其下方的部分上，第四栅电极475可以被布置在栅绝缘层150的第四有源层435位于其下方的部分上，第五栅电极770可以被布置在栅绝缘层150的第五有源层730位于其下方的部分上，并且第六栅电极775可以被布置在栅绝缘层150的第六有源层735位于其下方的部分上。
第一栅电极至第六栅电极170、175、470、475、770和775中的每一个可以包括金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物和透明导电材料等。例如，第一栅电极至第六栅电极170、175、470、475、770和775中的每一个可以包括金(Au)、银(Ag)、铝(Al)、钨(W)、铂(Pt)、镍(Ni)、钛(Ti)、钯(Pd)、镁(Mg)、钙(Ca)、锂(Li)、铬(Cr)、钽(Ta)、钼(Mo)、钪(Sc)、钕(Nd)、铱(Ir)、含铝合金、氮化铝(AlNx)、含银合金、氮化钨(WNx)、含铜合金、含钼合金、氮化钛(TiNx)、氮化钽(TaNx)、氧化锶钌(SrRuxOy)、氧化锌(ZnOx)、氧化铟锡(ITO)、氧化锡(SnOx)、氧化铟(InOx)、氧化镓(GaOx)以及氧化铟锌(IZO)等。这些可以单独使用或彼此组合使用。在一些实施例中，第一栅电极至第六栅电极170、175、470、475、770和775中的每一个可以包括包含多个层的多层结构。
层间绝缘层190可以被布置在第一栅电极至第六栅电极170、175、470、475、770和775以及栅绝缘层150上。在实施例中，层间绝缘层190可以不被布置在第一透射区域21和第二透射区域22中。换句话说，层间绝缘层190可以具有暴露基板110的位于第一透射区域21和第二透射区域22中的顶表面的开口。层间绝缘层190的开口可以与栅绝缘层150的开口重叠。
例如，层间绝缘层190可以充分覆盖栅极绝缘层150上的第一栅电极至第六栅电极170、175、470、475、770和775，并且可以具有基本平坦的顶表面，而不会产生围绕第一栅电极至第六栅电极170、175、470、475、770和775的台阶。在一些实施例中，层间绝缘层190可以沿着第一栅电极至第六栅电极170、175、470、475、770和775的轮廓被以均匀的厚度布置，以覆盖栅绝缘层150上的第一栅电极至第六栅电极170、175、470、475、770和775。层间绝缘层190可以包括硅化合物和金属氧化物等。因此，可以形成包括栅绝缘层150和层间绝缘层190的绝缘层结构260。
第一源电极210、第一漏电极230、第二源电极215、第二漏电极235、第三源电极510、第三漏电极530、第四源电极515、第四漏电极535、第五源电极810、第五漏电极830、第六源电极815以及第六漏电极835可以被布置在层间绝缘层190上。第一源电极210可以通过移除栅绝缘层150和层间绝缘层190的第一部分而形成的接触孔连接到第一有源层130的源区，并且第一漏电极230可以通过移除栅绝缘层150和层间绝缘层190的第二部分而形成的接触孔连接到第一有源层130的漏区。另外，第二源电极215可以通过移除栅绝缘层150和层间绝缘层190的第三部分而形成的接触孔连接到第二有源层135的源区，并且第二漏电极235可以通过移除栅绝缘层150和层间绝缘层190的第四部分而形成的接触孔连接到第二有源层135的漏区。
第三源电极510可以通过移除栅绝缘层150和层间绝缘层190的第五部分而形成的接触孔连接到第三有源层430的源区，并且第三漏电极530可以通过移除栅绝缘层150和层间绝缘层190的第六部分而形成的接触孔连接到第三有源层430的漏区。另外，第四源电极515可以通过移除栅绝缘层150和层间绝缘层190的第七部分而形成的接触孔连接到第四有源层435的源区，并且第四漏电极535可以通过移除栅绝缘层150和层间绝缘层190的第八部分而形成的接触孔连接到第四有源层435的漏区。
第五源电极810可以通过移除栅绝缘层150和层间绝缘层190的第九部分而形成的接触孔连接到第五有源层730的源区，并且第五漏电极830可以通过移除栅绝缘层150和层间绝缘层190的第十部分而形成的接触孔连接到第五有源层730的漏区。另外，第六源电极815可以通过移除栅绝缘层150和层间绝缘层190的第十一部分而形成的接触孔连接到第六有源层735的源区，并且第六漏电极835可以通过移除栅绝缘层150和层间绝缘层190的第十二部分而形成的接触孔连接到第六有源层735的漏区。
第一源电极至第六源电极210、215、510、515、810和815以及第一漏电极至第六漏电极230、235、530、535、830和835中的每一个可以包括金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物和透明导电材料等。这些可以单独使用或彼此组合使用。在一些实施例中，第一源电极至第六源电极210、215、510、515、810和815以及第一漏电极至第六漏电极230、235、530、535、830和835中的每一个可以具有包括多个层的多层结构。
因此，可以形成包括第一有源层130、第一栅电极170、第一源电极210和第一漏电极230的第一半导体元件250，并且可以形成包括第二有源层135、第二栅电极175、第二源电极215和第二漏电极235的第二半导体元件255。然而，尽管在图11中已经示出仅第一半导体元件250(与图5的第一晶体管TR1相对应)和第二半导体元件255(与图5的第六晶体管TR6相对应)，但是图5的第二晶体管至第五晶体管和第七晶体管TR2、TR3、TR4、TR5和TR7以及存储电容器CST可以在图4的第一子像素区域11的另一截面图中示出。
另外，可以形成包括第三有源层430、第三栅电极470、第三源电极510和第三漏电极530的第三半导体元件550，并且可以形成包括第四有源层435、第四栅电极475、第四源电极515和第四漏电极535的第四半导体元件555。然而，尽管在图12中已经示出仅第三半导体元件550(与图8的第一晶体管TR1相对应)和第四半导体元件555(与图8的第六晶体管TR6相对应)，但是图8的第二晶体管至第五晶体管和第七晶体管TR2、TR3、TR4、TR5和TR7以及存储电容器CST可以在图6的第二子像素区域12的另一截面图中示出。
此外，可以形成包括第五有源层730、第五栅电极770、第五源电极810和第五漏电极830的第五半导体元件850，并且可以形成包括第六有源层735、第六栅电极775、第六源电极815和第六漏电极835的第六半导体元件855。然而，尽管在图13中已经示出仅第五半导体元件850(与图10的第一晶体管TR1相对应)和第六半导体元件855(与图10的第六晶体管TR6相对应)，但是图10的第二晶体管至第五晶体管和第七晶体管TR2、TR3、TR4、TR5和TR7以及存储电容器CST可以在图9的第三子像素区域13的另一截面图中示出。
在实施例中，尽管第一半导体元件至第六半导体元件250、255、550、555、850和855中的每一个被描述为具有顶栅结构，但是本发明的配置不限于此。例如，第一半导体元件至第六半导体元件250、255、550、555、850和855中的每一个可以具有底栅结构和/或双栅结构。
平坦化层270可以被布置在层间绝缘层190和第一半导体元件至第六半导体元件250、255、550、555、850和855上，并且平坦化层270可以具有分别暴露第二漏电极235的一部分、第四漏电极535的一部分和第六漏电极835的一部分的接触孔。在实施例中，平坦化层270可以具有暴露基板110的位于第一透射区域21和第二透射区域22中的顶表面的开口，并且平坦化层270的开口可以与栅绝缘层150的开口和层间绝缘层190的开口重叠。
平坦化层270可以具有相对厚的厚度以充分覆盖第一半导体元件至第六半导体元件250、255、550、555、850和855。在此情况下，平坦化层270可以具有基本平坦的顶表面。为了实现平坦化层270的这种平坦的顶表面，可以在平坦化层270上附加地执行平坦化工艺。平坦化层270可以包括有机材料或无机材料。在实施例中，平坦化层270可以包括有机材料。例如，平坦化层270可以包括光致抗蚀剂、聚丙烯类树脂、聚酰亚胺类树脂、聚酰胺类树脂、硅氧烷类树脂、丙烯酸类树脂以及环氧类树脂等
第一下电极290、第二下电极690和第三下电极890可以被布置在平坦化层270上。例如，第一下电极290可以在平坦化层270上被布置在第一子像素区域11中且可以通过平坦化层270的接触孔与第二漏电极235直接接触，并且第一下电极290可以电连接到第二半导体元件255。另外，第二下电极690可以在平坦化层270上被布置在第二子像素区域12中且可以通过平坦化层270的接触孔与第四漏电极535直接接触，并且第二下电极690可以电连接到第四半导体元件555。此外，第三下电极890可以在平坦化层270上被布置在第三子像素区域13中且可以通过平坦化层270的接触孔与第六漏电极835直接接触，并且第三下电极890可以电连接到第六半导体元件855。
第一下电极290、第二下电极690和第三下电极890中的每一个可以包括金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物和透明导电材料等。这些可以单独使用或彼此组合使用。在一些实施例中，第一下电极290、第二下电极690和第三下电极890中的每一个可以具有包括多个层的多层结构。
像素限定层310可以被布置在第一下电极290、第二下电极690和第三下电极890中的每一个的一部分以及平坦化层270上。像素限定层310可以覆盖第一下电极290、第二下电极690和第三下电极890中的每一个的两侧部分，并且可以具有暴露第一下电极290、第二下电极690和第三下电极890中的每一个的顶表面的一部分的开口。
在实施例中，像素限定层310可以具有暴露基板110的位于第一透射区域21和第二透射区域22中的顶表面的开口，并且像素限定层310的开口可以与平坦化层270的开口、层间绝缘层190的开口以及栅绝缘层150的开口重叠。在此情况下，位于第一透射区域21中的开口(例如，第一开口)可以被限定为第一透射窗口385，并且位于第二透射区域22中的开口(例如，第二开口)可以被限定为第二透射窗口395。由于绝缘层结构260未被布置在第一透射区域21和第二透射区域22中，因此可以相对增大第一透射窗口385和第二透射窗口395中的每一个的透射率。像素限定层310可以由有机材料或无机材料形成。在实施例中，像素限定层310可以包括有机材料。
第一发光层330可以被布置在由像素限定层310暴露的第一下电极290上，第二发光层630可以被布置在由像素限定层310暴露的第二下电极690上，并且第三发光层930可以被布置在由像素限定层310暴露的第三下电极890上。第一发光层330、第二发光层630和第三发光层930中的每一个可以通过使用用于根据子像素发射不同颜色的光(即，红光、绿光、蓝光等)的发光材料中的至少一种来形成。可替代地，第一发光层330、第二发光层630和第三发光层930中的每一个可以通过堆叠用于生成诸如红光、绿光和蓝光的不同颜色的光的多种发光材料来形成，以整体上发射白光。在此情况下，滤色器可以被布置在第一发光层、第二发光层和第三发光层330中的每一个上(例如，以在封装基板450的顶表面上与第一发光层330、第二发光层630和第三发光层930中的每一个重叠)。滤色器可以包括红色滤色器、绿色滤色器和蓝色滤色器中的至少一种。在一些实施例中，滤色器可以包括黄色滤色器、青色滤色器和品红色滤色器。滤色器可以包括光敏树脂或彩色光致抗蚀剂。
第一上电极340、第二上电极640和第三上电极940可以被布置在像素限定层310以及第一发光层330、第二发光层630和第三发光层930上。在实施例中，第二上电极640和第三上电极940可以暴露基板110的位于第一透射区域21和第二透射区域22中的顶表面。然而，尽管第一上电极340、第二上电极640和第三上电极940在图11、图12和图13中已经示出为彼此分离，但是第一上电极340、第二上电极640和第三上电极940可以彼此电连接，并且可以基本形成为单层。例如，第一上电极340、第二上电极640和第三上电极940可以一体形成在除了第一透射区域21和第二透射区域22之外的第一显示区域10、第二显示区域20和第三显示区域30中。在一些实施例中，第一上电极340、第二上电极640和第三上电极940可以遍及整个第一显示区域10、第二显示区域20和第三显示区域30形成。
第一上电极340、第二上电极640和第三上电极940中的每一个可以包括金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物和透明导电材料等。这些可以单独使用或彼此组合使用。在一些实施例中，第一上电极340、第二上电极640和第三上电极940中的每一个可以具有包括多个层的多层结构。因此，可以形成包括第一下电极290、第一发光层330和第一上电极340的第一子像素结构300、包括第二下电极690、第二发光层630和第二上电极640的第二子像素结构600以及包括第三下电极890、第三发光层930和第三上电极940的第三子像素结构900。
封盖层345可以被布置在第一上电极340、第二上电极640和第三上电极940上。在实施例中，封盖层345可以被布置在整个基板110之上。另外，封盖层345可以在第一显示区域10中具有第一厚度T1，并且可以在第二显示区域20和第三显示区域30中具有小于第一厚度T1的第二厚度T2。例如，封盖层345可以在第一透射区域21和第二透射区域22中具有相对薄的厚度(例如，第二厚度T2)，以使第一透射窗口385和第二透射窗口395中的每一个的透射率可以相对小地降低。在一些实施例中，封盖层345可以不被布置在第一透射区域21和第二透射区域22中。
封盖层345可以保护第一子像素结构300、第二子像素结构300和第三子像素结构900，并且可以包括有机材料或无机材料。例如，封盖层345可以包括三胺衍生物、亚芳基二胺衍生物、4,4'-双(N-咔唑基)-1,1'-联苯(CBP)以及三-8-羟基喹啉铝(Alq3)等。
封装基板450可以被布置在封盖层345上。封装基板450可以包括与基板110基本相同的材料。例如，封装基板450可以包括石英基板、合成石英基板、氟化钙基板、掺杂氟的石英基板、钠钙玻璃基板以及非碱玻璃基板等。在其他实施例中，封装基板450可以包括透明的无机材料或柔性塑料。例如，封装基板450可以包括具有柔性的透明树脂基板。在此情况下，为了提高有机发光显示装置100的柔性，封装基板450可以具有其中至少一层无机层和至少一层有机层被交替地堆叠的结构，并且可以不提供封盖层345。堆叠结构可以包括第一无机层、有机层和第二无机层。例如，具有柔性的第一无机层可以沿着上电极340的轮廓被布置，具有柔性的有机层可以被布置在第一无机层上，并且具有柔性的第二无机层可以被布置在有机层上。换句话说，堆叠结构可以对应于与上电极340直接接触的薄膜封装结构。因此，可以形成包括基板110、第一半导体元件250、第二半导体元件255、第三半导体元件550、第四半导体元件555、第五半导体元件850、第六半导体元件855、绝缘层结构260、平坦化层270、像素限定层310、第一子像素结构300、第二子像素结构600、第三子像素结构900、封盖层345以及封装基板450的显示面板200。
第一光学模块410可以被布置在基板110的底表面(例如，显示面板200的第二表面S2)上以与第二显示区域20重叠。第一光学模块410可以通过第一透射区域21捕获位于显示面板200的第一表面S1之上的对象的图像。在实施例中，第一光学模块410可以包括相机模块。
第二光学模块420可以被布置在基板110的底表面上以与第三显示区域30重叠。第二光学模块420可以通过第二透射区域22检测周围环境或位于显示面板200的第一表面S1之上的对象的图像。在实施例中，第二光学模块420可以包括面部识别传感器模块、瞳孔识别传感器模块、加速度传感器模块、地磁传感器模块、接近度传感器模块、红外传感器模块以及照度传感器模块等。因此，可以形成包括显示面板200、第一光学模块410和第二光学模块420的有机发光显示装置100。
由于根据本发明的实施例的有机发光显示装置100包括具有第一分辨率的第一显示区域10和具有低于第一分辨率的第二分辨率的第二显示区域20和第三显示区域30，因此图像也可以显示在布置有第一光学模块410和第二光学模块420的部分中。另外，由于有机发光显示装置100包括第一透射窗口385和第二透射窗口395，因此第一光学模块410和第二光学模块420可以通过第一透射窗口385和第二透射窗口395检测周围环境或捕获位于显示面板200的第一表面S1之上的对象的图像。
图14是示出根据本发明的实施例的有机发光显示装置的平面图，图15是示出图14的第二显示区域的一部分的部分放大平面图，图16是示出被布置在图15的第二显示区域中的第二子像素电路和第二有机发光二极管的电路图，图17是示出图14的第三显示区域的一部分的部分放大平面图，并且图18是示出被布置在图15的第三显示区域中的第三子像素电路和第三有机发光二极管的电路图。图14至图18中所图示的有机发光显示装置1000可以具有与参照图1至图13描述的有机发光显示装置100的配置基本相同或相似的配置。在图14至图18中，将省略与参照图1至图13描述的部件基本相同或相似的部件的冗余描述。
参照图1、图2和图14，有机发光显示装置1000可以包括显示面板200、第一光学模块410和第二光学模块420等。显示面板200可以具有用于显示图像的第一表面S1和与第一表面S1相对的第二表面S2。第一光学模块410和第二光学模块420可以被布置在显示面板200的第二表面S2的一侧，并且第一光学模块410和第二光学模块420可以彼此邻近。
第一显示区域10可以包括多个第一子像素区域(例如，与图4的第一子像素区域11相对应)，第二显示区域20可以包括多个第二子像素区域和多个第一透射区域(例如，与图15的第二子像素区域12和第一透射区域21相对应)，并且第三显示区域30可以包括多个第三子像素区域和多个第二透射区域(例如，与图17的第三子像素区域13和第二透射区域22相对应)。在实施例中，显示面板200可以在第一显示区域10以及第二显示区域20和第三显示区域30中以不同的分辨率显示图像。例如，可以在第一显示区域10中以第一分辨率显示图像，并且可以在第二显示区域20和第三显示区域30中以低于第一分辨率的第二分辨率显示图像。换句话说，第一显示区域10可以具有第一分辨率，并且第二显示区域20和第三显示区域30中的每一个可以具有第二分辨率。
参照图4和图5，显示面板200可以进一步包括第一子像素电路SPC1和第一有机发光二极管OLED1。另外，显示面板200可以具有第一显示区域10，并且第一显示区域10可以包括多个第一子像素区域11。
第一子像素电路SPC1中的每一个可以与第一子像素区域11重叠，并且第一有机发光二极管OLED1可以被布置在第一子像素电路SPC1上。可以通过第一子像素电路SPC1和第一有机发光二极管OLED1在第一子像素区域11中显示图像。
如图5中所示，第一子像素电路SPC1可以包括第一晶体管至第七晶体管TR1、TR2、TR3、TR4、TR5、TR6和TR7、存储电容器CST、高电源电压(ELVDD)布线、低电源电压(ELVSS)布线、初始化电压(VINT)布线、数据信号(DATA)布线、栅信号(GW)布线、栅初始化信号(GI)布线、发射控制信号(EM)布线以及二极管初始化信号(GB)布线等。另外，第一子像素电路SPC1和第一有机发光二极管OLED1可以彼此电连接。
参照图15和图16，显示面板200可以进一步包括第二子像素电路SPC2和第二有机发光二极管OLED2。另外，显示面板200可以具有第二显示区域20，并且第二显示区域20可以包括多个第二子像素区域12和多个第一透射区域21。在实施例中，当与被布置在图4的第一显示区域10中的第一子像素区域11相比时，第二显示区域20可以由于第一透射区域21而每单位面积包括相对小的数量的子像素区域。换句话说，第二显示区域20的第二分辨率可以低于第一显示区域10的第一分辨率。
第二子像素电路SPC2中的每一个可以与第二子像素区域12重叠，并且第二有机发光二极管OLED2可以被布置在第二子像素电路SPC2上。可以通过第二子像素电路SPC2和第二有机发光二极管OLED2在第二子像素区域12中显示图像。另外，被布置在显示面板200的第二表面S2上的第一光学模块410可以通过第一透射区域21捕获位于显示面板200的第一表面S1之上的对象的图像。换句话说，第一透射区域21可以是基本透明的。
如图16中所示，第二子像素电路SPC2可以包括第一晶体管TR1和第二晶体管TR2、存储电容器CST、高电源电压(ELVDD)布线、低电源电压(ELVSS)布线、数据信号(DATA)布线以及栅信号(GW)布线等。另外，第二子像素电路SPC2和第二有机发光二极管OLED2可以彼此电连接。
在实施例中，第二子像素电路SPC2可以不被布置在第一透射区域21中。换句话说，第二子像素电路SPC2可以暴露第一透射区域21。
另外，第一显示区域10中的第一子像素电路SPC1和第一有机发光二极管OLED1的配置可以不同于第二显示区域20中的第二子像素电路SPC2和第二有机发光二极管OLED2的配置。换句话说，包括在第一子像素区域11中的第一子像素电路SPC1中的晶体管的数量可以大于包括在第二子像素区域12中的第二子像素电路SPC2中的晶体管的数量。
此外，当与图6的第一透射区域21相比时，因为图16的第二子像素电路SPC2不包括第三晶体管TR3、第四晶体管TR4、第五晶体管TR5、第六晶体管TR6和第七晶体管TR7、初始化电压(VINT)布线、栅初始化信号(GI)布线、发射控制信号(EM)布线以及二极管初始化信号(GB)布线等，所以图15的第一透射区域21可以具有相对大的面积。在此情况下，第一光学模块410可以由于具有相对大的面积的第一透射区域21而相对容易地捕获位于显示面板200的第一表面S1之上的对象的图像。
参照图17和图18，显示面板300可以进一步包括第三子像素电路SPC3和第三有机发光二极管OLED3。另外，显示面板300可以具有第三显示区域30，并且第三显示区域30可以包括多个第三子像素区域13和多个第二透射区域22。在实施例中，当与被布置在图4的第一显示区域10中的第一子像素区域11相比时，第三显示区域30可以由于第二透射区域22而每单位面积包括相对小的数量的子像素区域。换句话说，第三显示区域30的第二分辨率可以低于第一显示区域10的第一分辨率。
第三子像素电路SPC3中的每一个可以与第三子像素区域13重叠，并且第三有机发光二极管OLED3可以被布置在第三子像素电路SPC3上。可以通过第三子像素电路SPC3和第三有机发光二极管OLED3在第三子像素区域13中显示图像。另外，被布置在显示面板200的第二表面S2上的第二光学模块420可以通过第二透射区域22检测周围环境或捕获位于显示面板200的第一表面S1之上的对象的图像。换句话说，第二透射区域22可以是基本透明的。
如图18中所示，第三子像素电路SPC3可以包括第一晶体管TR1和第二晶体管TR2、存储电容器CST、高电源电压(ELVDD)布线、低电源电压(ELVSS)布线、数据信号(DATA)布线以及栅信号(GW)布线等。另外，第三子像素电路SPC3和第三有机发光二极管OLED3可以彼此电连接。
在实施例中，第三子像素电路SPC3可以不被布置在第二透射区域22中。换句话说，第三子像素电路SPC3可以暴露第二透射区域22。
另外，第一显示区域10中的第一子像素电路SPC1和第一有机发光二极管OLED1的配置可以不同于第三显示区域30中的第三子像素电路SPC3和第三有机发光二极管OLED3的配置。换句话说，包括在第一子像素区域11中的第一子像素电路SPC1中的晶体管的数量可以大于包括在第三子像素区域13中的第三子像素电路SPC3中的晶体管的数量。同时，第二子像素电路SPC2和第二有机发光二极管OLED2的配置可以与第三子像素电路SPC3和第三有机发光二极管OLED3的配置相同，并且包括在第二子像素区域12中的第二子像素电路SPC2中的晶体管的数量可以等于包括在第三子像素区域13中的第三子像素电路SPC3中的晶体管的数量。
此外，当与图9的第二透射区域22相比时，因为图18的第三子像素电路SPC3不包括第三晶体管TR3、第四晶体管TR4、第五晶体管TR5、第六晶体管TR6和第七晶体管TR7、初始化电压(VINT)布线、栅初始化信号(GI)布线、发射控制信号(EM)布线以及二极管初始化信号(GB)布线等，所以图17的第二透射区域22可以具有相对大的面积。在此情况下，第二光学模块420可以由于具有相对大的面积的第二透射区域22而容易地检测周围环境或容易地捕获位于显示面板200的第一表面S1之上的对象的图像。
图19是示出根据本发明的实施例的有机发光显示装置的平面图，图20是示出图19的第三显示区域的一部分的部分放大平面图，并且图21是示出被布置在图20的第三显示区域中的第三子像素电路和第三有机发光二极管的电路图。图19至图21中所图示的有机发光显示装置1100可以具有与参照图14至图18描述的有机发光显示装置1000的配置基本相同或相似的配置。在图19至图21中，将省略与参照图14至图18描述的部件基本相同或相似的部件的冗余描述。
参照图4、图5、图15、图16、图19、图20和图21，有机发光显示装置1100可以包括显示面板200、第一光学模块410和第二光学模块420等。在此情况下，显示面板200可以包括第一子像素电路SPC1、第一有机发光二极管OLED1、第二子像素电路SPC2、第二有机发光二极管OLED2、第三子像素电路SPC3和第三有机发光二极管OLED3等。
在实施例中，显示面板200可以在第一显示区域10、第二显示区域20和第三显示区域30中以不同的分辨率显示图像。例如，可以在第一显示区域10中以第一分辨率显示图像，可以在第二显示区域20中以低于第一分辨率的第二分辨率显示图像，并且可以在第三显示区域30中以第一分辨率与第二分辨率之间的第三分辨率显示图像。换句话说，第一显示区域10可以具有第一分辨率，第二显示区域20可以具有第二分辨率，并且第三显示区域30可以具有第三分辨率。
如图4和图5中所示，第一子像素电路SPC1可以与第一显示区域10的第一子像素区域11重叠，并且第一子像素电路SPC1可以包括第一晶体管至第七晶体管TR1、TR2、TR3、TR4、TR5、TR6和TR7、存储电容器CST、高电源电压(ELVDD)布线、低电源电压(ELVSS)布线、初始化电压(VINT)布线、数据信号(DATA)布线、栅信号(GW)布线、栅初始化信号(GI)布线、发射控制信号(EM)布线以及二极管初始化信号(GB)布线等。
如图15和图16中所示，第二子像素电路SPC2可以与第二显示区域20的第二子像素区域12重叠，并且第二子像素电路SPC2可以包括第一晶体管TR1和第二晶体管TR2、存储电容器CST、高电源电压(ELVDD)布线、低电源电压(ELVSS)布线、数据信号(DATA)布线以及栅信号(GW)布线等。
在实施例中，当与被布置在图4的第一显示区域10中的第一子像素区域11相比时，第二显示区域20可以由于第一透射区域21而每单位面积包括相对小的数量的子像素区域。换句话说，第二显示区域20的第二分辨率可以低于第一显示区域10的第一分辨率。
在实施例中，第二子像素电路SPC2可以不被布置在第一透射区域21中。换句话说，第二子像素电路SPC2可以暴露第一透射区域21。
另外，第一显示区域10中的第一子像素电路SPC1和第一有机发光二极管OLED1的配置可以不同于第二显示区域20中的第二子像素电路SPC2和第二有机发光二极管OLED2的配置。换句话说，包括在第一子像素区域11中的第一子像素电路SPC1中的晶体管的数量可以大于包括在第二子像素区域12中的第二子像素电路SPC2中的晶体管的数量。
此外，当与图6的第一透射区域21相比时，因为图16的第二子像素电路SPC2不包括第三晶体管TR3、第四晶体管TR4、第五晶体管TR5、第六晶体管TR6和第七晶体管TR7、初始化电压(VINT)布线、栅初始化信号(GI)布线、发射控制信号(EM)布线以及二极管初始化信号(GB)布线等，所以图15的第一透射区域21可以具有相对大的面积。在此情况下，第一光学模块410可以由于具有相对大的面积的第一透射区域21而相对容易地捕获位于显示面板200的第一表面S1之上的对象的图像。
如图20和图21中所示，第三子像素电路SPC3可以与第三显示区域30的第三子像素区域13重叠，并且第三子像素电路SPC3可以包括第一晶体管至第六晶体管TR1、TR2、TR3、TR4、TR5和TR6、存储电容器CST、高电源电压(ELVDD)布线、低电源电压(ELVSS)布线、初始化电压(VINT)布线、数据信号(DATA)布线、栅信号(GW)布线、栅初始化信号(GI)布线以及发射控制信号(EM)布线等。在一些实施例中，包括在第三子像素电路SPC3中的晶体管的数量可以大于包括在第二子像素电路SPC2中的晶体管的数量，并且小于包括在第一子像素电路SPC1中的晶体管的数量。
在实施例中，第三子像素电路SPC3可以不被布置在第二透射区域22中。换句话说，第三子像素电路SPC3可以暴露第二透射区域22。
另外，第一显示区域10中的第一子像素电路SPC1和第一有机发光二极管OLED1的配置以及第二显示区域20中的第二子像素电路SPC2和第二有机发光二极管OLED2的配置可以不同于第三显示区域30中的第三子像素电路SPC3和第三有机发光二极管OLED3的配置。换句话说，包括在第三子像素区域13中的晶体管的数量可以小于包括在第一子像素区域11中的第一子像素电路SPC1中的晶体管的数量，并且可以大于包括在第二子像素区域12中的第二子像素电路SPC2中的晶体管的数量。
此外，当与图15的第一透射区域21相比时，因为图21的第三子像素电路SPC3包括第三晶体管TR3、第四晶体管TR4、第五晶体管TR5和第六晶体管TR6、初始化电压(VINT)布线、栅初始化信号(GI)布线以及发射控制信号(EM)布线等，所以图20的第二透射区域22可以具有相对小的面积。
换句话说，当与被布置在图15的第二显示区域20中的第二子像素区域12相比时，第三显示区域30可以由于具有相对小的面积的第二透射区域22而每单位面积包括相对大的数量的子像素区域。也就是说，第三显示区域30的第三分辨率可以低于第一显示区域10的第一分辨率，并且可以高于第二显示区域20的第二分辨率。
图22是示出根据本发明的实施例的有机发光显示装置的透视图，图23是示出被嵌入在图22的有机发光显示装置中的光学模块的透视图，并且图24是示出形成在图23的有机发光显示装置中的凹槽的透视图。图22至图24中所图示的有机发光显示装置1200可以具有与参照图1至图13描述的有机发光显示装置100的配置基本相同或相似的配置。在图22至图24中，将省略与参照图1至图13描述的部件基本相同或相似的部件的冗余描述。
参照图3、图22、图23和图24，有机发光显示装置1200可以包括显示面板200、第一光学模块410和第二光学模块420等。显示面板200可以具有用于显示图像的第一表面S1和与第一表面S1相对的第二表面S2。显示面板200可以包括第一显示区域10、第二显示区域20和第三显示区域30。另外，第一凹槽910可以形成在显示面板200(或基板110)的第二表面S2的与第二显示区域20重叠的部分中，并且第二凹槽920可以形成在显示面板200的第二表面S2的与第三显示区域30重叠的部分中。因此，第一光学模块410可以被嵌入在第一凹槽910中，并且第二光学模块420可以被嵌入在第二凹槽920中。在此情况下，显示面板200、第一光学模块410和第二光学模块420可以被一体制造。
图25是示出根据本发明的实施例的有机发光显示装置的平面图，图26是示出图25的非显示区域的放大平面图，并且图27是沿着图26的线IV-IV’截取的截面图。图25至图27中所图示的有机发光显示装置1300可以具有与参照图1至图13描述的有机发光显示装置100的配置基本相同或相似的配置。在图25至图27中，将省略与参照图1至图13描述的部件基本相同或相似的部件的冗余描述。
参照图25、图26和图27，有机发光显示装置1300可以包括显示面板200、第一光学模块410和第二光学模块420等。显示面板200可以包括第一显示区域10、第二显示区域30和非显示区域40。
第一显示区域10可以包括多个第一子像素区域(例如，与图4的第一子像素区域11相对应)，第二显示区域30可以包括多个第二子像素区域和多个第一透射区域(例如，与图9的第三子像素区域13和第二透射区域22相对应)，并且非显示区域40可以包括第二透射区域(例如，与图26的第二透射区域41相对应)。在实施例中，显示面板200可以在第一显示区域10和第二显示区域30中以不同的分辨率显示图像。例如，可以在第一显示区域10中以第一分辨率显示图像，并且可以在第二显示区域30中以低于第一分辨率的第二分辨率显示图像。换句话说，第一显示区域10可以具有第一分辨率，并且第二显示区域30可以具有第二分辨率。另外，可以不在非显示区域40中显示图像。换句话说，仅第一透射窗口385可以形成在非显示区域40中。
第一光学模块410可以被布置在显示面板200的第二表面S2上以与非显示区域40重叠。第一光学模块410可以包括用于捕获位于显示面板200的第一表面S1之上的对象的图像的相机模块。
在此情况下，第一光学模块410可以由于具有相对大的面积的第二透射区域41而相对容易地捕获位于显示面板200的第一表面S1之上的对象的图像。
前述内容是实施例的说明，并且不应解释为对其的限制。尽管已经描述了一些实施例，但是本领域技术人员将容易知晓，在实质上不脱离本发明构思的新颖性教导和优点的情况下，在实施例中许多修改是可能的。因此，所有这种修改旨在要包括在如权利要求中所限定的本发明构思的范围内。因此，要理解，前述内容是各个实施例的说明，并且不应解释为限于所公开的特定实施例，并且对所公开的实施例以及其他实施例的修改旨在要包括在所附权利要求的范围内。
【工业实用性】
本发明可以应用于包括有机发光显示装置的各种电子装置。例如，本发明可以应用于诸如车辆显示装置、轮船显示装置、飞机显示装置、便携式通信装置、用于显示或用于信息传输的显示装置、医疗显示装置等的多种电子装置。
【附图标记的描述】
10：第一显示区域
11：第一子显示区域
12：第二子显示区域
13：第三子显示区域
20：第二显示区域
21：第一透射区域
22：第二透射区域
30：第三显示区域
40：非显示区域
100、1100、1200、1300：有机发光显示装置
110：基板
130：第一有源层
135：第二有源层
150：栅绝缘层
170：第一栅电极
175：第二栅电极
190：层间绝缘层
200：显示面板
210：第一源电极
215：第二源电极
230：第一漏电极
235：第二漏电极
250：第一半导体元件
255：第二半导体元件
260：绝缘层结构
270：平坦化层
290：第一下电极
300：第一子像素结构
310：像素限定层
330：第一发光层
340：第一上电极
345：封盖层
385：第一透射窗口
395：第二透射窗口
410：第一光学模块
420：第二光学模块
430：第三有源层
435：第四有源层
450：封装基板
470：第三栅电极
475：第四栅电极
510：第三源电极
515：第四源电极
530：第三漏电极
535：第四漏电极
550：第三半导体元件
555：第四半导体元件
600：第二子像素结构
630：第二发光层
640：第二上电极
690：第二下电极
730：第五有源层
735：第六有源层
770：第五栅电极
775：第六栅电极
810：第五源电极
815：第六源电极
830：第五漏电极
835：第六漏电极
850：第五半导体元件
855：第六半导体元件
890：第三下电极
900：第三子像素结构
910：第一凹槽
920：第二凹槽
930：第三发光层
940：第三上电极
Claims (38)
1.一种有机发光显示装置，包括：
显示面板，包括第一显示区域和第二显示区域，并且被配置成在所述显示面板的第一表面上显示图像，所述第一显示区域包括第一子像素区域并且具有第一分辨率，所述第二显示区域包括第二子像素区域和第一透射区域，并且具有低于所述第一分辨率的第二分辨率；以及
第一光学模块，被布置在所述显示面板的与所述第一表面相对的第二表面上以与所述第二显示区域重叠。
2.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中，所述显示面板进一步包括：
第一子像素电路，被布置在所述第一显示区域中；以及
第二子像素电路，被布置在所述第二显示区域中并且不同于所述第一子像素电路。
3.根据权利要求2所述的有机发光显示装置，其中，构成所述第一子像素电路的晶体管的数量大于构成所述第二子像素电路的晶体管的数量。
4.根据权利要求2所述的有机发光显示装置，其中，所述显示面板进一步包括：
第一子像素结构，被布置在所述第一子像素区域中所述第一子像素电路上并且电连接到所述第一子像素电路；
第二子像素结构，被布置在所述第二子像素区域中所述第二子像素电路上并且电连接到所述第二子像素电路；以及
第一透射窗口，被布置在与所述第二子像素区域邻近的所述第一透射区域中。
5.根据权利要求4所述的有机发光显示装置，其中，所述第一光学模块包括相机模块，并且
所述第一光学模块被配置成通过所述第一透射窗口识别位于所述显示面板的所述第一表面之上的对象。
6.根据权利要求4所述的有机发光显示装置，其中，所述第二子像素电路不被布置在所述第一透射区域中。
7.根据权利要求2所述的有机发光显示装置，其中，所述显示面板进一步包括：
与所述第二显示区域邻近的第三显示区域，所述第三显示区域包括第三子像素区域和第二透射区域，并且具有在所述第一分辨率与所述第二分辨率之间的第三分辨率；以及
第三子像素电路，被布置在所述第三显示区域中并且不同于所述第一子像素电路和所述第二子像素电路。
8.根据权利要求7所述的有机发光显示装置，其中，构成所述第三子像素电路的晶体管的数量小于构成所述第一子像素电路的晶体管的数量，并且大于构成所述第二子像素电路的晶体管的数量。
9.根据权利要求7所述的有机发光显示装置，进一步包括：
第二光学模块，被布置在所述显示面板的所述第二表面上以与所述第三显示区域重叠。
10.根据权利要求9所述的有机发光显示装置，其中，所述显示面板进一步包括：
第三子像素结构，被布置在所述第三子像素区域中所述第三子像素电路上并且电连接到所述第三子像素电路；以及
第二透射窗口，被布置在与所述第三子像素区域邻近的所述第二透射区域中。
11.根据权利要求10所述的有机发光显示装置，其中，所述第三子像素电路不被布置在所述第二透射区域中。
12.根据权利要求10所述的有机发光显示装置，其中，所述第二光学模块包括面部识别传感器模块、瞳孔识别传感器模块、加速度传感器模块、接近度传感器模块、红外传感器模块以及照度传感器模块。
13.根据权利要求9所述的有机发光显示装置，其中，所述第一光学模块的尺寸等于所述第二显示区域的尺寸，并且
所述第二光学模块的尺寸等于所述第三显示区域的尺寸。
14.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中，所述第一显示区域的面积大于所述第二显示区域的面积。
15.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中，所述第二显示区域位于所述显示面板的所述第一表面的一侧，并且
所述第一显示区域围绕所述第二显示区域。
16.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中，所述显示面板进一步包括：
第一子像素电路，被布置在所述第一显示区域中；以及
第二子像素电路，被布置在所述第二显示区域中，并且
所述第一子像素电路和所述第二子像素电路具有相同的配置。
17.一种有机发光显示装置，包括：
基板，包括第一显示区域和第二显示区域，所述第一显示区域包括第一子像素区域并且被配置成以第一分辨率显示图像，所述第二显示区域包括第二子像素区域和第一透射区域，并且被配置成以低于所述第一分辨率的第二分辨率显示图像；
第一子像素电路，被布置在所述第一显示区域中所述基板上；
第二子像素电路，被布置在所述第二显示区域中所述基板上并且被配置成暴露所述第一透射区域；
子像素结构，被布置在所述第一子像素区域和所述第二子像素区域中所述基板上；
显示面板，包括形成在所述第一透射区域中所述基板上的第一透射窗口，并且被配置成在所述显示面板的第一表面上显示图像；以及
第一光学模块，被布置在所述显示面板的与所述第一表面相对的第二表面上以与所述第二显示区域重叠。
18.根据权利要求17所述的有机发光显示装置，其中，所述基板包括形成在所述第二表面的与所述第二显示区域重叠的一部分中的第一凹槽，并且
所述第一光学模块被嵌入在所述第一凹槽中。
19.根据权利要求17所述的有机发光显示装置，进一步包括：
被布置在所述基板上的绝缘层结构；
被布置在所述绝缘层结构上的平坦化层；以及
被布置在所述平坦化层上的像素限定层。
20.根据权利要求19所述的有机发光显示装置，其中，在所述第一透射区域中，所述绝缘层结构、所述平坦化层和所述像素限定层包括暴露所述基板的第一开口，并且
所述第一开口被定义为所述第一透射窗口。
21.根据权利要求19所述的有机发光显示装置，进一步包括：被布置在所述像素限定层上的封盖层，
其中，所述封盖层在所述第一子像素区域和所述第二子像素区域中具有第一厚度，并且在所述第一透射区域中具有小于所述第一厚度的第二厚度。
22.根据权利要求19所述的有机发光显示装置，其中，所述基板进一步包括：
与所述第二显示区域邻近的第三显示区域，所述第三显示区域包括第三子像素区域和第二透射区域并且被配置成以所述第二分辨率显示图像；以及
第三子像素电路，被布置在所述第三显示区域中并且具有与所述第二子像素电路相同的配置。
23.根据权利要求22所述的有机发光显示装置，其中，构成所述第三子像素电路的晶体管的数量等于构成所述第二子像素电路的晶体管的数量。
24.根据权利要求22所述的有机发光显示装置，进一步包括：
第二光学模块，被布置在所述显示面板的所述第二表面上以与所述第三显示区域重叠。
25.根据权利要求24所述的有机发光显示装置，其中，所述基板包括形成在所述第二表面的与所述第三显示区域重叠的一部分中的第二凹槽，并且
所述第二光学模块被嵌入在所述第二凹槽中。
26.根据权利要求24所述的有机发光显示装置，其中，所述基板进一步包括：
第三子像素结构，被布置在所述第三子像素区域中所述第三子像素电路上并且电连接到所述第三子像素电路；以及
第二透射窗口，被布置在与所述第三子像素区域邻近的所述第二透射区域中。
27.根据权利要求26所述的有机发光显示装置，其中，所述第三子像素电路不被布置在所述第二透射区域中。
28.根据权利要求26所述的有机发光显示装置，其中，在所述第二透射区域中，所述绝缘层结构、所述平坦化层和所述像素限定层包括暴露所述基板的第二开口，并且
所述第二开口被定义为所述第二透射窗口。
29.根据权利要求28所述的有机发光显示装置，其中，所述第一子像素电路具有与所述第二子像素电路和所述第三子像素电路中的每一个相同的配置，并且
所述第一透射窗口的尺寸等于所述第二透射窗口的尺寸。
30.根据权利要求28所述的有机发光显示装置，其中，所述第二子像素电路的配置不同于所述第三子像素电路的配置，并且
所述第一透射窗口的尺寸不同于所述第二透射窗口的尺寸。
31.根据权利要求30所述的有机发光显示装置，其中，构成所述第三子像素电路的晶体管的数量大于构成所述第二子像素电路的晶体管的数量。
32.根据权利要求31所述的有机发光显示装置，其中，所述第二透射窗口的所述尺寸小于所述第一透射窗口的所述尺寸。
33.根据权利要求17所述的有机发光显示装置，其中，所述第一子像素电路和所述第二子像素电路中的每一个包括至少一个半导体元件和至少一个电容器。
34.根据权利要求17所述的有机发光显示装置，其中，所述子像素结构中的每一个包括：
被布置在所述第一子像素电路和所述第二子像素电路上的下电极；
被布置在所述下电极上的发光层；以及
被布置在所述发光层上的上电极。
35.根据权利要求34所述的有机发光显示装置，其中，所述上电极不被布置在所述第一透射区域中。
36.一种有机发光显示装置，包括：
显示面板，包括第一显示区域、第二显示区域和非显示区域，并且被配置成在所述显示面板的第一表面上显示图像，所述第一显示区域包括第一子像素区域并且具有第一分辨率，所述第二显示区域包括第二子像素区域和第一透射区域，并且具有低于所述第一分辨率的第二分辨率，所述非显示区域包括第二透射区域并且不显示图像；
第一光学模块，被布置在所述显示面板的与所述第一表面相对的第二表面上以与所述非显示区域重叠，以及
第二光学模块，被布置在所述显示面板的所述第二表面上以与所述第二子像素区域重叠。
37.根据权利要求36所述的有机发光显示装置，其中，所述第一光学模块包括相机模块，并且
所述第一光学模块被配置成通过所述第二透射区域识别位于所述显示面板的所述第一表面之上的对象。
38.根据权利要求36所述的有机发光显示装置，其中，所述第二光学模块包括面部识别传感器模块、瞳孔识别传感器模块、加速度传感器模块、接近度传感器模块、红外传感器模块以及照度传感器模块。
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