CN113013196A - 显示面板和包括该显示面板的显示设备 - Google Patents

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Abstract

提供了一种显示面板和包括该显示面板的显示设备。显示面板包括：基底，包括第一区域和第二区域，第二区域包括透射部分；主像素，定位于第一区域中，包括第一主像素、第二主像素和第三主像素且以RGBG pentile矩阵结构布置；以及辅助像素，定位于第二区域中，包括第一辅助像素、第二辅助像素和第三辅助像素，并且以与主像素的RGBG pentile矩阵结构不同的RBGB pentile矩阵结构布置。

Description

显示面板和包括该显示面板的显示设备
技术领域
一个或更多个实施例的方面涉及一种显示面板和包括该显示面板的显示设备。
背景技术
近来，显示设备的使用已经多样化。此外，随着显示设备的厚度和重量已经减小，显示设备的应用的范围已经增加。
由于显示设备的广泛的各种用途，显示设备的形状可以以各种方式设计，并且关联到显示设备或与显示设备相关的各种功能已经增加。
发明内容
根据本公开的实施例的方面，提供了显示面板和包括该显示面板的显示设备，在显示面板中，显示区域扩大为使得即使在定位有组件的区域中也可以显示图像。根据本公开的一个或更多个实施例的另一方面，为了增加关联到显示设备或与显示设备相关的功能，显示设备包括其中诸如传感器或相机的组件可以定位于显示区域内部的区域。然而，以上方面作为示例提供，并且不限制本公开的范围。
附加方面将在以下描述中部分地阐述，并且部分地通过描述将是明显的，或者可以通过公开的呈现的实施例的实践而获知。
根据一个或更多个实施例，显示面板包括：基底，包括第一区域和第二区域，第二区域包括透射部分；主像素，定位于第一区域中，包括第一主像素、第二主像素和第三主像素且以RGBG pentile矩阵结构布置；以及辅助像素，定位于第二区域中，包括第一辅助像素、第二辅助像素和第三辅助像素，并且以与主像素的RGBG pentile矩阵结构不同的RBGBpentile矩阵结构布置，其中，第一辅助像素包括第一辅助发射区域，并且第一主像素包括第一主发射区域，第一主像素发射与第一辅助像素发射的光具有相同波长的光，并且第一辅助发射区域具有第一面积，并且第一主发射区域具有小于第一面积的第二面积。
第一面积可以是第二面积的1.4至1.8倍。
第二辅助像素可以包括第二辅助发射区域，并且第二主像素可以包括第二主发射区域，第二主像素发射与第二辅助像素发射的光具有相同波长的光，并且第二辅助发射区域可以具有第三面积，并且第二主发射区域可以具有小于第三面积的第四面积。
第三面积可以是第四面积的1.4至1.8倍。
第三辅助像素可以包括第三辅助发射区域，并且第三主像素可以包括第三主发射区域，第三主像素发射与第三辅助像素发射的光具有相同波长的光，并且第三辅助发射区域可以具有第五面积，并且第三主发射区域可以具有小于第五面积的第六面积。
第五面积可以是第六面积的1.4至1.8倍。
第一辅助像素和第一主像素可以发射具有蓝色波长的光，第二辅助像素和第二主像素可以发射具有红色波长的光，并且第三辅助像素和第三主像素可以发射具有绿色波长的光。
RGBG pentile矩阵结构可以包括一个第一主像素、一个第二主像素和两个第三主像素。
RBGB pentile矩阵结构可以包括两个第一辅助像素、一个第二辅助像素和一个第三辅助像素。
包括辅助像素和透射部分的基本单元可以重复地布置在第二区域中。
显示面板还可以包括定位于基底上的无机绝缘层，其中，无机绝缘层包括与透射部分对应的开口。
显示面板还可以包括定位于基底上的有机绝缘层，其中，有机绝缘层包括与透射部分对应的开口。
显示面板还可以包括相对于主像素和辅助像素一体地形成的对电极，对电极定位于第一区域和第二区域中并且包括与透射部分对应的开口。
第二区域的至少一部分可以被第一区域围绕。
根据一个或更多个实施例，显示设备包括：显示面板，包括基底，基底包括第一区域和第二区域，第二区域包括透射部分；以及定位为与显示面板的第二区域对应的组件，其中，显示面板还包括：主像素，定位于第一区域中，包括第一主像素、第二主像素和第三主像素，并且以RGBG pentile矩阵结构布置；以及辅助像素，定位于第二区域中，包括第一辅助像素、第二辅助像素和第三辅助像素，并且以与主像素的RGBG pentile矩阵结构不同的RBGB pentile矩阵结构布置，并且第一辅助像素包括第一辅助发射区域，并且第一主像素包括第一主发射区域，第一主像素发射与第一辅助像素发射的光具有相同波长的光，并且第一辅助发射区域具有第一面积，并且第一主发射区域具有等于或小于第一面积的第二面积。
第一面积可以是第二面积的1至1.8倍。
第一辅助像素和第一主像素可以发射具有蓝色波长的光，第二辅助像素和第二主像素可以发射具有红色波长的光，并且第三辅助像素和第三主像素可以发射具有绿色波长的光。
RGBG pentile矩阵结构可以包括一个第一主像素、一个第二主像素和两个第三主像素。
RBGB pentile矩阵结构可以包括两个第一辅助像素、一个第二辅助像素和一个第三辅助像素。
组件可以包括成像装置。
其它方面、特征和优点通过一些实施例的以下描述、权利要求和附图将变得明显和更容易理解。
附图说明
通过结合附图的以下描述，公开的某些实施例的以上和其它方面、特征及优点将更加明显，在附图中：
图1是根据本公开的实施例的显示设备的透视图；
图2是图1的显示设备的沿着线I-I'截取的剖视图；
图3A和图3B是根据本公开的一些实施例的显示面板的平面图；
图4和图5是可以包括在根据本公开的一些实施例的显示面板中的主像素和/或辅助像素的等效电路图；
图6和图7是示出根据本公开的一些实施例的定位于显示设备中的第一区域和第二区域中的像素和透射部分的布置的平面图；
图8是根据本公开的实施例的显示设备的沿着图6的线II-II'和线III-III'截取的剖视图；
图9和图10是根据本公开的一些实施例的显示设备的沿着与图6的线II-II'和线III-III'对应的线截取的剖视图；
图11A和图11B是示出根据本公开的一些实施例的定位于第一区域和第二区域中的像素和透射部分的布置的平面图；以及
图12A和图12B是示出根据本公开的一些实施例的定位于第一区域和第二区域中的像素和透射部分的布置的平面图。
具体实施方式
现在将更详细地对实施例做出参考，实施例的一些示例在附图中示出，其中，同样的附图标记始终指同样的元件。在这点上，本实施例可以具有不同的形式，并且不应该被解释为限于在此阐述的描述。因此，下面仅通过参照附图来描述实施例，以解释本描述的方面。如在此所使用的，术语“和/或”包括相关所列项中的一个或更多个的任何组合和所有组合。贯穿公开，表述“a，b和c中的至少一个(种/者)”指仅a、仅b、仅c、a和b两者、a和c两者、b和c两者、a、b和c中的全部或其变型。
现在将更详细地对实施例做出参考，实施例的一些示例在附图中示出，并且在附图中，相同的元件由相同的附图标记表示，并且可以不给出其重复描述。
将理解的是，尽管术语“第一”、“第二”等在此可以用于描述各种元件，但是这些元件不应该受这些术语限制，而是用于将一个元件与另一元件区分开。如在此所使用的，除非上下文另外清楚地指出，否则单数形式“一个(种/者)”和“该(所述)”也旨在包括复数形式。
还将理解的是，在此所使用的术语“包含”和/或其变型说明存在所陈述的特征或组件，但不排除存在或添加一个或更多个其它特征或组件。将理解的是，当层、区域或元件被称为“形成在”另一层、区域或元件“上”或“连接到”另一层、区域或元件时，该层、区域或元件可以直接形成在所述另一层、区域或元件上或直接连接到所述另一层、区域或元件，或者可以在它们之间存在一个或更多个中间层、区域或元件。
为了便于说明，可以夸大或缩小元件的尺寸。例如，因为为了便于说明，附图中的元件的尺寸和厚度可以被任意地示出，所以本公开的以下实施例不限于此。
在以下示例中，x轴、y轴和z轴不限于直角坐标系的三个轴，并且可以以更广泛的含义来解释。例如，x轴、y轴和z轴可以彼此垂直，或者可以表示彼此不垂直的不同方向。
当可以不同地实现本公开的某个实施例时，具体的工艺顺序可以不同于所描述的顺序。例如，两个连续描述的工艺可以基本上同时执行或以与所描述的顺序相反的顺序执行。
除非另外定义，否则在此所使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与发明构思的示例实施例所属领域的普通技术人员通常理解的含义相同的含义。还将理解的是，术语(诸如在常用词典中定义的术语)应该被解释为具有与它们在相关领域的上下文中的含义一致的含义，并且将不以理想化或过于形式化的含义来解释，除非在此明确地如此定义。
图1是根据本公开的实施例的显示设备的透视图。
参照图1，显示设备1包括其中形成图像的显示区域DA和其中不形成图像的非显示区域NDA。显示区域DA包括第一区域1A和第二区域2A，第二区域2A包括透射部分TA。显示设备1可以通过使用由定位于第一区域1A中的多个主像素Pm发射的光来提供主图像，并且可以通过使用由定位于第二区域2A中的多个辅助像素Pa发射的光来提供辅助图像。
如下面参照图2描述的，第二区域2A可以是包括成像装置等的组件定位于其之下的区域。第二区域2A可以包括透射部分TA，从组件输出到外部或从外部朝向组件行进的光和/或声音可以透射穿过透射部分TA。根据本公开的实施例，当红外线透射穿过第二区域2A时，透光率可以等于或大于约30％，在实施例中，等于或大于50％、75％、80％、85％或90％。
在本实施例中，多个辅助像素Pa可以定位于第二区域2A中，并且特定图像可以通过使用由多个辅助像素Pa发射的光来提供。设置在第二区域2A中的图像可以是辅助图像，并且可以具有比设置在第一区域1A中的图像的分辨率低的分辨率。也就是说，因为第二区域2A包括光和/或声音可以透射穿过其的透射部分TA，所以每单位面积可以定位的辅助像素Pa的数量可以少于第一区域1A中每单位面积定位的主像素Pm的数量。
尽管有机发光显示设备将被描述为根据本公开的实施例的显示设备1，但是本公开的显示设备1不限于此。在实施例中，本公开的显示设备1可以是各种显示设备(诸如无机电致发光(EL)显示器或量子点发光显示器)中的任何显示设备。
尽管在图1中第二区域2A被示出为定位于具有四边形形状的显示区域DA的上部中，但是本公开不限于此。例如，显示区域DA的形状可以是圆形形状、椭圆形形状或多边形形状(诸如三角形形状)，并且第二区域2A的位置和数量可以以各种方式改变。
图2是显示设备的沿着图1的线I-I'截取的剖视图。
参照图2，显示设备1可以包括包含显示元件的显示面板10以及定位于显示面板10之下并对应于第二区域2A的组件20。
显示面板10可以包括基底100、定位于基底100上的显示元件层200以及作为用于密封显示元件层200的密封构件的薄膜封装层300。在实施例中，显示面板10还可以包括定位于基底100之下的下保护膜175。
基底100可以包括玻璃或聚合物树脂。在实施例中，聚合物树脂可以包括聚醚砜、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚苯硫醚、聚芳酯、聚酰亚胺、聚碳酸酯或乙酸丙酸纤维素。包括聚合物树脂的基底100可以是柔性的、可卷曲的或可弯曲的。在实施例中，基底100可以具有包括包含聚合物树脂的层和无机层(未示出)的多层结构。
显示元件层200可以包括包含主薄膜晶体管TFT和辅助薄膜晶体管TFT'的电路层、作为显示元件的主有机发光二极管OLED和辅助有机发光二极管OLED'以及在电路层与主有机发光二极管OLED和辅助有机发光二极管OLED'之间的绝缘层IL。包括主薄膜晶体管TFT和连接到主薄膜晶体管TFT的主有机发光二极管OLED的主像素Pm可以定位于第一区域1A中，包括辅助薄膜晶体管TFT'和连接到辅助薄膜晶体管TFT'的辅助有机发光二极管OLED'的辅助像素Pa可以定位于第二区域2A中。
另外，辅助薄膜晶体管TFT'和其中未定位有显示元件的透射部分TA可以定位于第二区域2A中。透射部分TA可以是从组件20发射的光/信号或入射在组件20上的光/信号透射穿过其的部分。
参照图2，显示元件层200可以被薄膜封装层300覆盖。在实施例中，薄膜封装层300可以包括至少一个无机封装层和至少一个有机封装层。在实施例中，图2示出了第一无机封装层310和第二无机封装层330以及定位于第一无机封装层310与第二无机封装层330之间的有机封装层320。
在实施例中，第一无机封装层310和第二无机封装层330中的每个可以包括氧化铝、氧化钛、氧化钽、氧化铪、氧化锌、氧化硅、氮化硅和氮氧化硅之中的至少一种无机绝缘材料。有机封装层320可以包括聚合物类材料。在实施例中，聚合物类材料可以包括丙烯酸树脂、环氧树脂、聚酰亚胺和聚乙烯中的任何材料。
在实施例中，下保护膜175可以附着到基底100的底部，并且可以支撑和保护基底100。下保护膜175可以具有对应于第二区域2A的开口175OP。在实施例中，因为开口175OP形成在下保护膜175中，所以可以提高第二区域2A的透光率。在实施例中，下保护膜175可以包括聚对苯二甲酸乙二醇酯或聚酰亚胺。
第二区域2A的面积可以大于定位有组件20的区域的面积。因此，下保护膜175的开口175OP的面积可以与第二区域2A的面积不相同。例如，开口175OP的面积可以小于第二区域2A的面积。
另外，多个组件20可以定位于第二区域2A中。多个组件20可以具有不同的功能。
图3A和图3B是根据本公开的一些实施例的显示面板的平面图。
参照图3A，显示面板10的各种元件定位于基底100上。基底100包括显示区域DA和在显示区域DA周围(例如，围绕显示区域DA)的非显示区域NDA。显示区域DA包括第一区域1A和第二区域2A，第二区域2A包括透射部分TA。显示区域DA可以被参照图2描述的封装构件覆盖，以被保护免受外部空气或湿气影响。
显示面板10包括定位于第一区域1A中的主像素Pm。主像素Pm中的每个可以包括诸如有机发光二极管的显示元件。每个主像素Pm可以从有机发光二极管发射光(例如，红光、绿光、蓝光或白光)。在此使用的主像素Pm可以指发射如上面描述的红光、绿光、蓝光和白光之中的一种颜色的光的像素。
第二区域2A可以定位于第一区域1A的一侧处，并且多个辅助像素Pa定位于第二区域2A中。辅助像素Pa中的每个可以包括诸如有机发光二极管的显示元件。每个辅助像素Pa可以从有机发光二极管发射光(例如，红光、绿光、蓝光或白光)。在此使用的辅助像素Pa可以指发射如上面描述的红光、绿光、蓝光和白光之中的一种颜色的光的像素。定位于辅助像素Pa之间的透射部分TA可以设置在第二区域2A中。定位于显示设备1的第二区域2A之下的至少一个组件20可以对应于第二区域2A。
在实施例中，一个主像素Pm和一个辅助像素Pa可以包括相同的像素电路。然而，本公开不限于此。在另一实施例中，包括在主像素Pm中的像素电路和包括在辅助像素Pa中的像素电路可以彼此不同。
主像素Pm和辅助像素Pa可以电连接到定位于非显示区域NDA中的外部电路。在实施例中，第一扫描驱动电路110、第一发射驱动电路115、第二扫描驱动电路120、端子140、数据驱动电路150、第一电源布线160和第二电源布线170可以定位于非显示区域NDA中。
第一扫描驱动电路110可以通过扫描线SL将扫描信号施加到主像素Pm和辅助像素Pa中的每个。第一发射驱动电路115可以通过发射控制线EL将发射控制信号施加到每个像素。第二扫描驱动电路120可以与第一扫描驱动电路110平行且显示区域DA在第一扫描驱动电路110与第二扫描驱动电路120之间。定位于显示区域DA中的主像素Pm和辅助像素Pa中的一些可以电连接到第一扫描驱动电路110，并且其它像素可以连接到第二扫描驱动电路120。在实施例中，第二发射驱动电路(未示出)可以定位为与第一发射驱动电路115平行且显示区域DA在第一发射驱动电路115与第二发射驱动电路之间。
第一发射驱动电路115可以定位于非显示区域NDA中，以在x方向上与第一扫描驱动电路110间隔开。在实施例中，第一发射驱动电路115和第一扫描驱动电路110可以在y方向上交替地定位。
端子140可以定位于基底100的一侧处。端子140可以因不被绝缘层覆盖而暴露，并且可以电连接到印刷电路板PCB。印刷电路板PCB的端子PCB-P可以电连接到显示面板10的端子140。印刷电路板PCB将控制器(未示出)的信号或电力传输到显示设备1。由控制器产生的控制信号可以通过印刷电路板PCB传输到第一扫描驱动电路110和第二扫描驱动电路120以及第一发射驱动电路115。控制器可以通过第一连接布线161和第二连接布线171将第一电源电压ELVDD(见图4)和第二电源电压ELVSS(见图4)分别供应到第一电源布线160和第二电源布线170。第一电源电压ELVDD可以通过连接到第一电源布线160的驱动电压线PL供应到主像素Pm和辅助像素Pa中的每个，并且第二电源电压ELVSS可以供应到主像素Pm和辅助像素Pa中的每个的连接到第二电源布线170的对电极。
数据驱动电路150电连接到数据线DL。数据驱动电路150的数据信号可以通过连接到端子140的连接布线151和连接到连接布线151的数据线DL施加到主像素Pm和辅助像素Pa中的每个。尽管在图3A中数据驱动电路150被示出为定位于印刷电路板PCB上，但是在另一实施例中，数据驱动电路150可以定位于基底100上。例如，数据驱动电路150可以定位于端子140与第一电源布线160之间。
在实施例中，第一电源布线160可以包括第一子布线162和第二子布线163，第一子布线162和第二子布线163在x方向上延伸以彼此平行且显示区域DA在第一子布线162与第二子布线163之间。在实施例中，第二电源布线170可以以具有一个开口侧的环形形状而部分地围绕显示区域DA。
参照图3A，包括透射部分TA的第二区域2A可以定位于第一区域1A内部并且可以被第一区域1A围绕，参照图3B，第二区域2A可以定位于第一区域1A的一侧处。然而，本公开不限于此。
图4和图5是可以包括在根据本公开的一些实施例的显示面板中的主像素和/或辅助像素的等效电路图。
参照图4，在实施例中，主像素Pm和辅助像素Pa中的每个包括连接到扫描线SL和数据线DL的像素电路PC以及连接到像素电路PC的有机发光二极管OLED。有机发光二极管OLED可以是如图2中所示的主有机发光二极管OLED或辅助有机发光二极管OLED'。
像素电路PC包括驱动薄膜晶体管T1、开关薄膜晶体管T2和存储电容器Cst。开关薄膜晶体管T2连接到扫描线SL和数据线DL，并且根据通过扫描线SL输入的扫描信号Sn将通过数据线DL输入的数据信号Dm传输到驱动薄膜晶体管T1。存储电容器Cst可以是如图8中所示的主存储电容器Cst或辅助存储电容器Cst'。
存储电容器Cst连接到开关薄膜晶体管T2和驱动电压线PL，并且存储与从开关薄膜晶体管T2接收的电压与供应到驱动电压线PL的第一电源电压ELVDD(或驱动电压)之间的差对应的电压。
驱动薄膜晶体管T1可以连接到驱动电压线PL和存储电容器Cst，并且可以响应于存储在存储电容器Cst中的电压的值来控制从驱动电压线PL流过有机发光二极管OLED的驱动电流。有机发光二极管OLED可以根据驱动电流发射具有一定亮度的光。
尽管在图4中像素电路PC包括两个薄膜晶体管和一个存储电容器，但是本公开不限于此。例如，如图5中所示，像素电路PC可以包括七个薄膜晶体管和一个存储电容器。
参照图5，主像素Pm和辅助像素Pa中的每个包括像素电路PC和连接到像素电路PC的有机发光二极管OLED。像素电路PC可以包括多个薄膜晶体管和存储电容器。薄膜晶体管和存储电容器可以连接到信号线(例如，扫描线SL、前一扫描线SL-1、发射控制线EL和数据线DL)、初始化电压线VL和驱动电压线PL。
尽管在图5中主像素Pm和辅助像素Pa连接到信号线(例如，扫描线SL、前一扫描线SL-1、发射控制线EL和数据线DL)、初始化电压线VL和驱动电压线PL，但是本公开不限于此。在实施例中，信号线(例如，扫描线SL、前一扫描线SL-1、发射控制线EL和数据线DL)、初始化电压线VL和驱动电压线PL中的至少一条可以由相邻像素共用。
多个薄膜晶体管可以包括驱动薄膜晶体管T1、开关薄膜晶体管T2、补偿薄膜晶体管T3、第一初始化薄膜晶体管T4、操作控制薄膜晶体管T5、发射控制薄膜晶体管T6和第二初始化薄膜晶体管T7。
信号线包括传输扫描信号Sn的扫描线SL、将前一扫描信号Sn-1传输到第一初始化薄膜晶体管T4和第二初始化薄膜晶体管T7的前一扫描线SL-1、将发射控制信号En传输到操作控制薄膜晶体管T5和发射控制薄膜晶体管T6的发射控制线EL以及与扫描线SL交叉并传输数据信号Dm的数据线DL。驱动电压线PL将驱动电压ELVDD传输到驱动薄膜晶体管T1，并且初始化电压线VL传输使像素电极和驱动薄膜晶体管T1初始化的初始化电压Vint。
驱动薄膜晶体管T1的驱动栅电极G1连接到存储电容器Cst的第一存储电容器板Cst1，驱动薄膜晶体管T1的驱动源电极S1经由操作控制薄膜晶体管T5连接到驱动电压线PL，并且驱动薄膜晶体管T1的驱动漏电极D1经由发射控制薄膜晶体管T6电连接到有机发光二极管OLED的像素电极。驱动薄膜晶体管T1根据开关薄膜晶体管T2的开关操作接收数据信号Dm，并将驱动电流IOLED供应到有机发光二极管OLED。
开关薄膜晶体管T2的开关栅电极G2连接到扫描线SL，开关薄膜晶体管T2的开关源电极S2连接到数据线DL，开关薄膜晶体管T2的开关漏电极D2连接到驱动薄膜晶体管T1的驱动源电极S1，并且经由操作控制薄膜晶体管T5连接到驱动电压线PL。开关薄膜晶体管T2根据通过扫描线SL接收的扫描信号Sn而导通，并且执行将通过数据线DL的数据信号Dm传输到驱动薄膜晶体管T1的驱动源电极S1的开关操作。
补偿薄膜晶体管T3的补偿栅电极G3连接到扫描线SL，补偿薄膜晶体管T3的补偿源电极S3连接到驱动薄膜晶体管T1的驱动漏电极D1并且经由发射控制薄膜晶体管T6连接到有机发光二极管OLED的像素电极，补偿薄膜晶体管T3的补偿漏电极D3连接到存储电容器Cst的第一存储电容器板Cst1、第一初始化薄膜晶体管T4的第一初始化漏电极D4和驱动薄膜晶体管T1的驱动栅电极G1。补偿薄膜晶体管T3根据通过扫描线SL接收的扫描信号Sn而导通，并且通过将驱动栅电极G1电连接到驱动薄膜晶体管T1的驱动漏电极D1来使驱动薄膜晶体管T1二极管连接。
第一初始化薄膜晶体管T4的第一初始化栅电极G4连接到前一扫描线SL-1，第一初始化薄膜晶体管T4的第一初始化源电极S4连接到第二初始化薄膜晶体管T7的第二初始化漏电极D7和初始化电压线VL，并且第一初始化薄膜晶体管T4的第一初始化漏电极D4连接到存储电容器Cst的第一存储电容器板Cst1、补偿薄膜晶体管T3的补偿漏电极D3和驱动薄膜晶体管T1的驱动栅电极G1。第一初始化薄膜晶体管T4根据通过前一扫描线SL-1接收的前一扫描信号Sn-1而导通，并且通过将初始化电压Vint传输到驱动薄膜晶体管T1的驱动栅电极G1来执行使驱动薄膜晶体管T1的驱动栅电极G1的电压初始化的初始化操作。
操作控制薄膜晶体管T5的操作控制栅电极G5连接到发射控制线EL，操作控制薄膜晶体管T5的操作控制源电极S5连接到驱动电压线PL，并且操作控制薄膜晶体管T5的操作控制漏电极D5连接到驱动薄膜晶体管T1的驱动源电极S1和开关薄膜晶体管T2的开关漏电极D2。
发射控制薄膜晶体管T6的发射控制栅电极G6连接到发射控制线EL，发射控制薄膜晶体管T6的发射控制源电极S6连接到驱动薄膜晶体管T1的驱动漏电极D1和补偿薄膜晶体管T3的补偿源电极S3，并且发射控制薄膜晶体管T6的发射控制漏电极D6电连接到第二初始化薄膜晶体管T7的第二初始化源电极S7和有机发光二极管OLED的像素电极。
操作控制薄膜晶体管T5和发射控制薄膜晶体管T6根据通过发射控制线EL接收的发射控制信号En而并发地(例如，同时地)导通，使驱动电压ELVDD传输到有机发光二极管OLED并且使驱动电流IOLED流过有机发光二极管OLED。
第二初始化薄膜晶体管T7的第二初始化栅电极G7连接到前一扫描线SL-1，第二初始化薄膜晶体管T7的第二初始化源电极S7连接到发射控制薄膜晶体管T6的发射控制漏电极D6和有机发光二极管OLED的像素电极，并且第二初始化薄膜晶体管T7的第二初始化漏电极D7连接到第一初始化薄膜晶体管T4的第一初始化源电极S4和初始化电压线VL。第二初始化薄膜晶体管T7根据通过前一扫描线SL-1接收的前一扫描信号Sn-1而导通，并使有机发光二极管OLED的像素电极初始化。
尽管在图5中第一初始化薄膜晶体管T4和第二初始化薄膜晶体管T7被示出为连接到前一扫描线SL-1，但是本公开不限于此。在实施例中，第一初始化薄膜晶体管T4可以连接到前一扫描线SL-1并且可以根据前一扫描信号Sn-1操作，第二初始化薄膜晶体管T7可以连接到单独的信号线(例如，后一扫描线)并且可以根据通过该信号线传输的信号操作。
存储电容器Cst的第二存储电容器板Cst2连接到驱动电压线PL，并且有机发光二极管OLED的对电极连接到第二电源电压ELVSS(或共电压)。因此，有机发光二极管OLED可以从驱动薄膜晶体管T1接收驱动电流IOLED以发射光并显示图像。
尽管在图5中补偿薄膜晶体管T3和第一初始化薄膜晶体管T4被示出为具有双栅电极，但是补偿薄膜晶体管T3和第一初始化薄膜晶体管T4可以包括一个栅电极。
在本实施例中，主像素Pm和辅助像素Pa可以包括相同的像素电路PC。然而，本公开不限于此。在实施例中，主像素Pm和辅助像素Pa可以具有含有不同的结构的像素电路PC，并且可以进行各种修改。例如，主像素Pm可以包括图5的像素电路，辅助像素Pa可以包括图4的像素电路。
图6和图7是示出根据本公开的一些实施例的定位于显示设备中的第一区域和第二区域中的像素和透射部分的布置的平面图。
参照图6，根据本公开的实施例，第一主像素Pm1、第二主像素Pm2和第三主像素Pm3定位于显示设备的第一区域1A中，第一辅助像素Pa1、第二辅助像素Pa2和第三辅助像素Pa3定位于包括透射部分TA的第二区域2A中。
在本实施例中，定位于第一区域1A中的第一主像素Pm1、第二主像素Pm2和第三主像素Pm3以及定位于第二区域2A中的第一辅助像素Pa1、第二辅助像素Pa2和第三辅助像素Pa3可以具有不同的像素布置结构。将基于每个像素的发射区域来描述在此使用的像素布置结构。在这种情况下，像素的发射区域可以由像素限定膜的开口限定，这将在下面描述。
如图6中所示，定位于第一区域1A中的主像素可以以pentile(或称为“五瓦片”)结构布置。定位于第一区域1A中的主像素可以包括第一主像素Pm1、第二主像素Pm2和第三主像素Pm3。第一主像素Pm1、第二主像素Pm2和第三主像素Pm3可以表现不同的颜色。例如，第一主像素Pm1可以发射具有蓝色波长的光，第二主像素Pm2可以发射具有红色波长的光，第三主像素Pm3可以发射具有绿色波长的光。
多个第三主像素Pm3以一定间隔定位于第一行1N中，第二主像素Pm2和第一主像素Pm1交替地定位于与第一行1N相邻的第二行2N中，多个第三主像素Pm3以一定间隔定位于与第二行2N相邻的第三行3N中，第一主像素Pm1和第二主像素Pm2交替地定位于与第三行3N相邻的第四行4N中，这样的像素布置重复到第N行。在这种情况下，第一主像素Pm1和第二主像素Pm2可以大于第三主像素Pm3。
在这种情况下，定位于第一行1N中的多个第三主像素Pm3和定位于第二行2N中的第二主像素Pm2和第一主像素Pm1交替地定位。因此，第二主像素Pm2和第一主像素Pm1交替地定位于第一列1M中，多个第三主像素Pm3以一定间隔定位于与第一列1M相邻的第二列2M中，第一主像素Pm1和第二主像素Pm2交替地定位于与第二列2M相邻的第三列3M中，多个第三主像素Pm3以一定间隔定位于第四列4M中，这样的像素布置重复到第M列。
换句话说，在假想四边形形状VS(假想四边形形状VS将第三主像素Pm3的中心点作为假想四边形形状VS的中心点)的顶点之中，第二主像素Pm2可以定位于彼此面对的第一顶点和第三顶点处，并且第一主像素Pm1可以定位于作为剩余顶点的第二顶点和第四顶点处。在这种情况下，假想四边形形状VS可以改变为各种形状(诸如矩形形状、菱形形状或正方形形状)中的任何形状。
这样的像素布置结构可以被称为pentile矩阵结构，在这种情况下，可以使用通过共用相邻的像素来表示颜色的绘制驱动方法，从而用少量像素来显示具有高分辨率的图像。
定位于第二区域2A中的辅助像素可以以pentile结构布置。定位于第二区域2A中的辅助像素可以包括第一辅助像素Pa1、第二辅助像素Pa2和第三辅助像素Pa3。第一辅助像素Pa1、第二辅助像素Pa2和第三辅助像素Pa3可以表现不同的颜色。例如，第一辅助像素Pa1可以发射具有蓝色波长的光，第二辅助像素Pa2可以发射具有红色波长的光，第三辅助像素Pa3可以发射具有绿色波长的光。在实施例中，第一主像素Pm1和第一辅助像素Pa1可以发射具有相同波长的光，第二主像素Pm2和第二辅助像素Pa2可以发射具有相同波长的光，第三主像素Pm3和第三辅助像素Pa3可以发射具有相同波长的光。
多个第一辅助像素Pa1以一定间隔定位于第一行1N中，第二辅助像素Pa2和第三辅助像素Pa3交替地定位于与第一行1N相邻的第二行2N中，多个第一辅助像素Pa1以一定间隔定位于与第二行2N相邻的第三行3N中，第三辅助像素Pa3和第二辅助像素Pa2交替地定位于与第三行3N相邻的第四行4N中，这样的像素布置重复到第N行。在这种情况下，第一辅助像素Pa1可以大于第二辅助像素Pa2和第三辅助像素Pa3。
在这种情况下，定位于第一行1N中的多个第一辅助像素Pa1和定位于第二行2N中的第二辅助像素Pa2和第三辅助像素Pa3交替地定位。因此，第二辅助像素Pa2和第三辅助像素Pa3交替地定位于第一列1I中，多个第一辅助像素Pa1以一定间隔定位于与第一列1I相邻的第二列2I中，第三辅助像素Pa3和第二辅助像素Pa2交替地定位于与第二列2I相邻的第三列3I中，多个第一辅助像素Pa1以一定间隔定位于与第三列3I相邻的第四列4I中，这样的像素布置重复到第I列。
在实施例中，主像素Pm可以在第一区域1A中以RGBG pentile矩阵结构布置，并且辅助像素Pa可以在第二区域2A中以与主像素Pm的RGBG pentile矩阵布置结构不同的RBGBpentile矩阵结构布置。例如，主像素Pm可以以其中第二主像素Pm2、第三主像素Pm3、第一主像素Pm1和第三主像素Pm3以pentile矩阵结构布置的RGBG pentile矩阵结构布置在第一区域1A中，辅助像素Pa可以以其中第二辅助像素Pa2、第一辅助像素Pa1、第三辅助像素Pa3和第一辅助像素Pa1以pentile矩阵结构布置的RBGB pentile矩阵结构布置在第二区域2A中。在实施例中，主像素Pm可以在第一区域1A中以RGBG/BGRG pentile矩阵结构或RGBG/RGBGpentile矩阵结构布置，并且辅助像素Pa可以在第二区域2A中以RBGB/GBRB pentile矩阵结构或RBGB/RBGB pentile矩阵结构布置。
其中未定位有显示元件且透光率高的多个透射部分TA可以设置在第二区域2A中。在实施例中，透射部分TA可以在x方向和/或y方向上交替地定位。在另一实施例中，透射部分TA中的每个可以在多个辅助像素Pa周围(例如，围绕多个辅助像素Pa)。
在第二区域2A中，其中多个辅助像素Pa和透射部分TA成组的基本单元U可以在x方向和y方向上重复地定位。
基本单元U可以具有其中多个辅助像素Pa和定位于多个辅助像素Pa周围的透射部分TA成组的四边形形状。基本单元U是重复的形状并且不意味着元件的分离。例如，包括在一个基本单元U中的透射部分TA可以与包括在另一相邻的基本单元U中的透射部分TA一体地形成。
在基本单元U中，由多个辅助像素Pa占据的面积可以小于由透射部分TA占据的面积。例如，由多个辅助像素Pa占据的面积可以是透射部分TA的面积的约1/3。换句话说，在实施例中，由多个辅助像素Pa占据的面积可以是基本单元U的面积的约1/4，并且由透射部分TA占据的面积可以是基本单元U的面积的约3/4。
第一辅助像素Pa1、第二辅助像素Pa2和第三辅助像素Pa3可以具有与第一主像素Pm1、第二主像素Pm2和第三主像素Pm3的像素布置结构不同的像素布置结构，并且第一辅助像素Pa1、第二辅助像素Pa2和第三辅助像素Pa3的发射区域可以大于发射具有相同颜色波长的光的第一主像素Pm1、第二主像素Pm2和第三主像素Pm3的发射区域。
假设第一辅助像素Pa1、第二辅助像素Pa2和第三辅助像素Pa3以及第一主像素Pm1、第二主像素Pm2和第三主像素Pm3具有相同的像素布置结构，当相同的电流施加到第一辅助像素Pa1、第二辅助像素Pa2和第三辅助像素Pa3以及第一主像素Pm1、第二主像素Pm2和第三主像素Pm3时，第二区域2A的亮度会总体上减小。当为了补偿第二区域2A的亮度而将更多电流施加到第一辅助像素Pa1、第二辅助像素Pa2和第三辅助像素Pa3时，第一辅助像素Pa1、第二辅助像素Pa2和第三辅助像素Pa3可能会容易劣化。在这种情况下，具体地，发射具有蓝色波长的光的有机发光二极管可能会比发射不同颜色的光的有机发光二极管更容易劣化。
在本实施例中，因为主像素在第一区域中以RGBG pentile矩阵结构布置，并且辅助像素在包括透射部分的第二区域中以RBGB pentile矩阵结构布置，所以可以增加发射具有其劣化速度高的蓝色波长的光的辅助像素的数量，从而增加显示面板的寿命。另外，因为定位于第二区域中的辅助像素的发射区域大于定位于第一区域中的主像素的发射区域，所以可以提高第二区域的分辨率。
具有与基本单元U的面积相同的面积的对应单元U'可以设定到第一区域1A。在这种情况下，包括在对应单元U'中的第一主像素Pm1、第二主像素Pm2和第三主像素Pm3的数量可以大于包括在基本单元U中的第一辅助像素Pa1、第二辅助像素Pa2和第三辅助像素Pa3的数量。
定位于第一区域1A中的第一主像素Pm1可以包括第一主发射区域EA1，并且定位于第二区域2A中的第一辅助像素Pa1可以包括第一辅助发射区域EA1'。第一辅助发射区域EA1'可以具有第一面积11，并且第一主发射区域EA1可以具有第二面积12。在这种情况下，第一辅助发射区域EA1'的第一面积11可以大于第一主发射区域EA1的第二面积12。例如，第一面积11可以是第二面积12的1.4至1.8倍。
定位于第一区域1A中的第二主像素Pm2可以包括第二主发射区域EA2，定位于第二区域2A中的第二辅助像素Pa2可以包括第二辅助发射区域EA2'。第二辅助发射区域EA2'可以具有第三面积13，并且第二主发射区域EA2可以具有第四面积14。在这种情况下，第二辅助发射区域EA2'的第三面积13可以大于第二主发射区域EA2的第四面积14。例如，第三面积13可以是第四面积14的1.4至1.8倍。
定位于第一区域1A中的第三主像素Pm3可以包括第三主发射区域EA3，定位于第二区域2A中的第三辅助像素Pa3可以包括第三辅助发射区域EA3'。第三辅助发射区域EA3'可以具有第五面积15，并且第三主发射区域EA3可以具有第六面积16。在这种情况下，第三辅助发射区域EA3'的第五面积15和第三主发射区域EA3的第六面积16可以是相同的，或者第三辅助发射区域EA3'的第五面积15可以大于第三主发射区域EA3的第六面积16。例如，第五面积15可以是第六面积16的1.4至1.8倍。
图7的实施例与图6的实施例的不同之处在于：定位于第二区域中的辅助像素的发射区域的面积与定位于第一区域中的主像素的发射区域的面积相同。将不描述图7的与图6的元件相同的元件，并且以下将集中于差异。
参照图7，根据本公开的实施例，在显示设备中，第一主像素Pm1、第二主像素Pm2和第三主像素Pm3定位于第一区域1A中，第一辅助像素Pa1、第二辅助像素Pa2和第三辅助像素Pa3定位于包括透射部分TA的第二区域2A中。定位于第一区域1A中的第一主像素Pm1、第二主像素Pm2和第三主像素Pm3以及定位于第二区域2A中的第一辅助像素Pa1、第二辅助像素Pa2和第三辅助像素Pa3可以具有不同的像素布置结构。定位于第一区域1A中的第一主像素Pm1、第二主像素Pm2和第三主像素Pm3可以以RGBG pentile矩阵结构布置，并且定位于第二区域2A中的第一辅助像素Pa1、第二辅助像素Pa2和第三辅助像素Pa3可以以RBGB pentile矩阵结构布置。在实施例中，主像素可以在第一区域1A中以RGBG/BGRG pentile矩阵结构或RGBG/RGBG pentile矩阵结构布置，并且辅助像素可以在第二区域2A中以RBGB/GBRBpentile矩阵结构或RBGB/RBGB pentile矩阵结构布置。
定位于第一区域1A中的第一主像素Pm1可以包括第一主发射区域EA1，定位于第二区域2A中的第一辅助像素Pa1可以包括第一辅助发射区域EA1'。第一辅助发射区域EA1'可以具有第一面积11，并且第一主发射区域EA1可以具有第二面积12。在这种情况下，第一辅助发射区域EA1'的第一面积11可以等于或大于第一主发射区域EA1的第二面积12。
定位于第一区域1A中的第二主像素Pm2可以包括第二主发射区域EA2，定位于第二区域2A中的第二辅助像素Pa2可以包括第二辅助发射区域EA2'。第二辅助发射区域EA2'可以具有第三面积13，并且第二主发射区域EA2可以具有第四面积14。在这种情况下，第二辅助发射区域EA2'的第三面积13可以等于或大于第二主发射区域EA2的第四面积14。
定位于第一区域1A中的第三主像素Pm3可以包括第三主发射区域EA3，定位于第二区域2A中的第三辅助像素Pa3可以包括第三辅助发射区域EA3'。第三辅助发射区域EA3'可以具有第五面积15，并且第三主发射区域EA3可以具有第六面积16。在这种情况下，第三辅助发射区域EA3'的第五面积15可以等于或大于第三主发射区域EA3的第六面积16。
在显示面板中，当定位于包括透射部分TA的第二区域2A中的第一辅助像素Pa1、第二辅助像素Pa2和第三辅助像素Pa3的发射区域增大时，第二区域2A的透射率可能会降低。因此，因为第一主像素Pm1、第二主像素Pm2和第三主像素Pm3在第一区域1A中以RGBGpentile矩阵结构布置，并且第一辅助像素Pa1、第二辅助像素Pa2和第三辅助像素Pa3在第二区域2A中以RBGB pentile矩阵结构布置，所以可以增加发射具有其劣化速度高的蓝色波长的光的辅助像素的数量，从而增加显示面板的寿命。
图8是根据本公开的实施例的显示设备的沿着图6的线II-II'和线III-III'截取的剖视图。
主像素Pm可以包括主薄膜晶体管TFT、主存储电容器Cst和主有机发光二极管OLED。辅助像素Pa可以包括辅助薄膜晶体管TFT'、辅助存储电容器Cst'和辅助有机发光二极管OLED'。可以设置与透射部分TA对应的开口部分TAH。
组件20可以定位于第二区域2A之下。组件20可以是捕获图像的相机或发送/接收红外(IR)线的红外传感器。因为第二区域2A包括透射部分TA，所以从组件20发送/接收的光可以透射穿过透射部分TA。例如，由组件20发射的光可以在z方向上行进穿过透射部分TA，并且在显示设备外部产生并入射在组件20上的光可以在-z方向上行进穿过透射部分TA。在一些实施例中，组件20可以包括多个图像传感器，并且一个图像传感器可以被定位为对应于一个透射部分TA。
现在将描述根据本公开的实施例的其中堆叠包括在显示设备中的元件的结构。
参照图8，显示设备1可以包括定位于基底100上的主薄膜晶体管TFT和辅助薄膜晶体管TFT'以及主有机发光二极管OLED和辅助有机发光二极管OLED'。在实施例中，基底100可以包括具有SiO2作为主要组分的玻璃材料或聚合物树脂。在实施例中，聚合物树脂可以包括聚醚砜、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚苯硫醚、聚芳酯、聚酰亚胺、聚碳酸酯或乙酸丙酸纤维素。包括聚合物树脂的基底100可以是柔性的、可卷曲的或可弯曲的。在实施例中，基底100可以具有包括包含聚合物树脂的层和无机层(未示出)的多层结构。
缓冲层101可以定位于基底100上，并且可以减少或防止外来物质、湿气或外部空气从基底100的底部的渗透，并且可以使基底100平坦化。缓冲层101可以包括无机材料(诸如氧化物或氮化物)、有机材料或有机材料和无机材料的组合，并且可以具有包括无机材料和/或有机材料的单层结构或多层结构。在实施例中，可以在基底100与缓冲层101之间进一步设置用于减少或防止外部空气的渗透的阻挡层(未示出)。
主薄膜晶体管TFT和辅助薄膜晶体管TFT'可以定位于缓冲层101上。主薄膜晶体管TFT包括主半导体层134、主栅电极136、主源电极137和主漏电极138，并且辅助薄膜晶体管TFT'包括辅助半导体层134'、辅助栅电极136'、辅助源电极137'和辅助漏电极138'。主薄膜晶体管TFT可以连接到第一区域1A的主有机发光二极管OLED并且可以驱动主有机发光二极管OLED。辅助薄膜晶体管TFT'可以连接到第二区域2A的辅助有机发光二极管OLED'，并且可以驱动辅助有机发光二极管OLED'。
第一绝缘层103可以定位于缓冲层101上。在实施例中，第一绝缘层103可以包括从由氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)和氧化锌(ZnO2)组成的组中选择的至少一种无机绝缘材料。第一绝缘层103可以具有包括以上无机绝缘材料的单层结构或多层结构。
下电极层BSM可以定位于第二区域2A的缓冲层101上。下电极层BSM可以定位于辅助薄膜晶体管TFT'之下以对应于辅助薄膜晶体管TFT'。下电极层BSM可以阻挡外部光到达包括辅助薄膜晶体管TFT'的辅助像素Pa。例如，下电极层BSM可以阻挡从组件20发射的光到达辅助像素Pa。在一些实施例中，恒定电压或信号可以施加到下电极层BSM，从而防止或基本上防止由于静电放电而对像素电路的损坏。
主半导体层134可以定位于第一区域1A的第一绝缘层103上，并且可以包括与主栅电极136叠置的主沟道区以及定位于主沟道区的两侧上并且具有比主沟道区的杂质浓度高的杂质浓度的主源区和主漏区。杂质可以包括N型杂质或P型杂质。主源区和主漏区可以电连接到主薄膜晶体管TFT的主源电极137和主漏电极138。
辅助半导体层134'可以定位于第二区域2A的第一绝缘层103上，并且可以包括与辅助栅电极136'叠置的辅助沟道区以及定位于辅助沟道区的两侧上并且具有比辅助沟道区的杂质浓度高的杂质浓度的辅助源区和辅助漏区。杂质可以包括N型杂质或P型杂质。辅助源区和辅助漏区可以电连接到辅助薄膜晶体管TFT'的辅助源电极137'和辅助漏电极138'。
在实施例中，主半导体层134和辅助半导体层134'中的每个可以包括氧化物半导体和/或硅半导体。当主半导体层134和辅助半导体层134'中的每个由氧化物半导体形成时，主半导体层134和辅助半导体层134'中的每个可以包括从由例如铟(In)、镓(Ga)、锡(Sn)、锆(Zr)、钒(V)、铪(Hf)、镉(Cd)、锗(Ge)、铬(Cr)、钛(Ti)和锌(Zn)组成的组中选择的至少一种材料的氧化物。例如，主半导体层134和辅助半导体层134'中的每个可以包括InSnZnO(ITZO)或InGaZnO(IGZO)。在实施例中，当主半导体层134和辅助半导体层134'中的每个由硅半导体形成时，主半导体层134和辅助半导体层134'中的每个可以包括非晶硅(a-Si)或通过非晶硅(a-Si)的结晶形成的低温多晶硅(LTPS)。
第二绝缘层105可以定位于主半导体层134和辅助半导体层134'上。在实施例中，第二绝缘层105可以包括从由氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)和氧化锌(ZnO2)组成的组中选择的至少一种无机绝缘材料。第二绝缘层105可以具有包括以上无机绝缘材料的单层结构或多层结构。
主栅电极136和辅助栅电极136'可以定位于第二绝缘层105上。在实施例中，主栅电极136和辅助栅电极136'中的每个可以具有由从铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)和铜(Cu)之中选择的至少一种金属形成的单层结构或多层结构。主栅电极136和辅助栅电极136'可以连接到将电信号施加到主栅电极136和辅助栅电极136'的栅极线。
第三绝缘层107可以定位于主栅电极136和辅助栅电极136'上。在实施例中，第三绝缘层107可以包括从由氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)和氧化锌(ZnO2)组成的组中选择的至少一种无机绝缘材料。第三绝缘层107可以具有包括以上无机绝缘材料的单层结构或多层结构。
主存储电容器Cst和辅助存储电容器Cst'可以定位于第二绝缘层105上。主存储电容器Cst可以包括主下电极144和主上电极146，主存储电容器Cst可以与主薄膜晶体管TFT叠置，并且主存储电容器Cst的主下电极144可以与主薄膜晶体管TFT的主栅电极136一体地形成。在实施例中，主存储电容器Cst可以不与主薄膜晶体管TFT叠置，并且主存储电容器Cst的主下电极144可以是与主薄膜晶体管TFT的主栅电极136分离的独立元件。
辅助存储电容器Cst'可以包括辅助下电极144'和辅助上电极146'，辅助存储电容器Cst'可以与辅助薄膜晶体管TFT'叠置，并且辅助存储电容器Cst'的辅助下电极144'可以与辅助薄膜晶体管TFT'的辅助栅电极136'一体地形成。在实施例中，辅助存储电容器Cst'可以不与辅助薄膜晶体管TFT'叠置，并且辅助下电极144'可以是与辅助薄膜晶体管TFT'的辅助栅电极136'分离的独立元件。
在实施例中，主上电极146和辅助上电极146'中的每个可以包括铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)和/或铜(Cu)，并且可以具有包括以上材料的单层结构或多层结构。
第四绝缘层109可以形成为覆盖主上电极146和辅助上电极146'。在实施例中，第四绝缘层109可以包括氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)或氧化锌(ZnO2)。
主源电极137和主漏电极138可以定位于第一区域1A的第四绝缘层109上。在实施例中，主源电极137和主漏电极138中的每个可以包括导电材料，该导电材料包括钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)和钛(Ti)中的任何材料，并且可以具有包括以上材料的单层结构或多层结构。例如，主源电极137和主漏电极138中的每个可以具有由Ti/Al/Ti形成的多层结构。
辅助源电极137'和辅助漏电极138'可以定位于第二区域2A的第四绝缘层109上。在实施例中，辅助源电极137'和辅助漏电极138'中的每个可以包括导电材料，该导电材料包括钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)和钛(Ti)中的任何材料，并且可以具有包括以上材料的单层结构或多层结构。例如，辅助源电极137'和辅助漏电极138'中的每个可以具有由Ti/Al/Ti形成的多层结构。
平坦化层113可以定位于第一区域1A的主源电极137和主漏电极138以及第二区域2A的辅助源电极137'和辅助漏电极138'上。平坦化层113可以具有平坦的顶表面，使得定位于平坦化层113之上的像素电极是平坦的。
在实施例中，当第一绝缘层103、第二绝缘层105、第三绝缘层107和第四绝缘层109统称为无机绝缘层时，基底100上的无机绝缘层的堆叠结构对于红外波长可以具有约90％或更高的透射率。例如，穿过基底100和无机绝缘层的具有从约900nm至约1100nm的波长的光可以具有约90％的透射率。
平坦化层113可以具有由有机材料或无机材料形成的单层结构或多层结构。平坦化层113可以包括苯并环丁烯(BCB)、聚酰亚胺(PI)、六甲基二硅氧烷(HMDSO)、通用聚合物(诸如聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)或聚苯乙烯(PS))、具有酚基基团的聚合物衍生物、丙烯酸聚合物、酰亚胺类聚合物、芳基醚类聚合物、酰胺类聚合物、氟化聚合物、对二甲苯类聚合物、乙烯基醇类聚合物或其共混物。在实施例中，平坦化层113可以包括氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)或氧化锌(ZnO2)。在实施例中，当形成平坦化层113时，可以执行化学机械抛光。
平坦化层113可以包括主薄膜晶体管TFT的主源电极137和主漏电极138中的一个通过其暴露的开口部分，并且主像素电极210可以通过该开口部分接触主源电极137或主漏电极138，并且可以电连接到主薄膜晶体管TFT。
另外，平坦化层113可以包括辅助薄膜晶体管TFT'的辅助源电极137'和辅助漏电极138'中的一个通过其暴露的开口部分，并且辅助像素电极210'可以通过该开口部分接触辅助源电极137'或辅助漏电极138'，并且可以电连接到辅助薄膜晶体管TFT'。
在基底100的第一区域1A中，包括主像素电极210、主中间层220和主对电极230的主有机发光二极管OLED可以定位于平坦化层113上，主对电极230面对主像素电极210，且主中间层220在主对电极230与主像素电极210之间。
在基底100的第二区域2A中，包括辅助像素电极210'、辅助中间层220'和辅助对电极230'的辅助有机发光二极管OLED'可以定位于平坦化层113上，辅助对电极230'面对辅助像素电极210'且辅助中间层220'在辅助对电极230'与辅助像素电极210'之间。
主像素电极210和辅助像素电极210'可以定位于平坦化层113上。主像素电极210和辅助像素电极210'中的每个可以是(半)透光电极或反射电极。在实施例中，主像素电极210和辅助像素电极210'中的每个可以包括由铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)、铜(Cu)或其化合物形成的反射膜以及形成在反射膜上的透明或半透明电极层。透明或半透明电极层可以包括从由氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、氧化铟镓(IGO)和氧化铝锌(AZO)组成的组中选择的至少一种。在实施例中，主像素电极210和辅助像素电极210'中的每个可以具有包括ITO/Ag/ITO的堆叠结构。
像素限定膜180可以定位于平坦化层113上，并且像素限定膜180可以具有第一开口OP1和第二开口OP2，主像素电极210的至少一部分通过第一开口OP1而暴露，辅助像素电极210'的至少一部分通过第二开口OP2而暴露。像素限定膜180可以增大主像素电极210的边缘与定位于主像素电极210之上的主对电极230之间的距离，从而防止或基本上防止在主像素电极210的边缘上发生电弧等，并且可以增大辅助像素电极210'的边缘与定位于辅助像素电极210'之上的辅助对电极230'之间的距离，从而防止或基本上防止在辅助像素电极210'的边缘上发生电弧等。在实施例中，像素限定膜180可以通过使用旋涂等由有机绝缘材料(诸如聚酰亚胺、聚酰胺、丙烯酸树脂、苯并环丁烯、六甲基二硅氧烷(HMDSO)或酚醛树脂)形成。
主像素的发射区域可以由包括在像素限定膜180中的第一开口OP1限定。例如，第一主像素Pm1的第一主发射区域EA1可以由第一区域1A的第一开口OP1限定。辅助像素的发射区域可以由包括在像素限定膜180中的第二开口OP2限定。例如，第一辅助像素Pa1的第一辅助发射区域EA1'可以由第二区域2A的第二开口OP2限定。
在实施例中，当平坦化层113和像素限定膜180被称为有机绝缘层时，有机绝缘层对于红外波长可以具有约90％或更高的透射率。例如，穿过有机绝缘层的具有从约900nm至约1100nm的波长的光可以具有约90％的透射率。
主中间层220和辅助中间层220'可以定位于像素限定膜180的第一开口OP1和第二开口OP2中，以分别对应于主像素电极210和辅助像素电极210'。主中间层220和辅助中间层220'中的每个可以包括发射层(EML)，并且可以进一步选择性地包括功能层，诸如定位于发射层之下和之上的空穴传输层(HTL)、空穴注入层(HIL)、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)。
发射层可以包括有机材料，该有机材料包括发射红光、绿光、蓝光或白光的荧光或磷光材料。发射层可以由低分子量有机材料或高分子量有机材料形成。
在实施例中，当发射层包括低分子量有机材料时，主中间层220和辅助中间层220'中的每个可以具有单层结构或其中堆叠有空穴注入层、空穴传输层、发射层、电子传输层和电子注入层的堆叠结构，并且低分子量有机材料的示例可以包括各种有机材料，诸如铜酞菁(CuPc)、N,N'-二(萘-1-基)-N,N'-二苯基-联苯胺(NPB)和三-8-羟基喹啉铝(Alq3)。在实施例中，可以通过使用真空沉积来形成以上层。
在实施例中，当发射层包括高分子量材料时，主中间层220和辅助中间层220'中的每个可以具有包括空穴传输层和发射层的结构。在这种情况下，空穴传输层可以包括聚(3,4-亚乙基二氧噻吩)(PEDOT)，并且发射层可以包括高分子量材料，诸如聚苯撑乙烯撑(PPV，poly-phenylenevinylene)类材料或聚芴类材料。发射层可以通过使用诸如丝网印刷、喷墨印刷或激光诱导热成像(LITI)的各种方法中的任何方法来形成。
主对电极230可以定位于主中间层220上。在实施例中，主对电极230可以定位于主中间层220上以完全覆盖主中间层220。在实施例中，主对电极230可以定位于第一区域1A中以完全覆盖第一区域1A。也就是说，主对电极230可以一体地形成为覆盖定位于第一区域1A中的多个主像素Pm。
辅助对电极230'可以定位于辅助中间层220'上。在实施例中，辅助对电极230'可以定位于辅助中间层220'上以完全覆盖辅助中间层220'。
辅助对电极230'可以包括对应于透射部分TA的开口部分TAH。也就是说，辅助对电极230'可以具有对应于透射部分TA的开口。在实施例中，辅助对电极230'的开口可以通过使用直接发射激光的方法或使用牺牲层的激光剥离方法来形成。
当开口部分TAH对应于透射部分TA时，其可以意味着开口部分TAH与透射部分TA叠置。在实施例中，开口部分TAH的面积可以小于形成在无机绝缘层中的第一孔H1的面积。为此，在图8中，开口部分TAH的宽度Wt小于第一孔H1的宽度W1。开口部分TAH的面积和第一孔H1的面积可以被限定为最窄开口的面积。
形成在无机绝缘层中的第一孔H1的宽度W1可以小于形成在平坦化层113中的第二孔H2的宽度W2，并且形成在平坦化层113中的第二孔H2的宽度W2可以小于形成在像素限定膜180中的第三孔H3的宽度W3。
在一些实施例中，辅助对电极230'和第一无机封装层310可以定位于第一孔H1、第二孔H2和第三孔H3的侧表面处。第一孔H1、第二孔H2和第三孔H3的侧表面相对于基底100的顶表面的梯度可以比开口部分TAH的侧表面相对于基底100的顶表面的梯度平缓。
当形成开口部分TAH时，其意味着从透射部分TA去除诸如无机绝缘层和有机绝缘层的构件，因此，透射部分TA的透光率可以显著提高。
在另一实施例中，辅助对电极230'可以定位于第二区域2A中以完全覆盖第二区域2A。也就是说，辅助对电极230'可以一体地形成为覆盖定位于第二区域2A中的多个辅助像素Pa，并且还可以定位于设置在第二区域2A中的透射部分TA上。
在实施例中，主对电极230和辅助对电极230'可以彼此一体地形成。例如，定位于第一区域1A中的主对电极230可以延伸到第二区域2A，从而也定位于第二区域2A中。
主对电极230和辅助对电极230'中的每个可以包括具有低功函数的导电材料。例如，主对电极230和辅助对电极230'中的每个可以包括半透明层，该半透明层包括银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)或其合金。在实施例中，主对电极230和辅助对电极230'中的每个还可以包括在包括以上材料的半透明层上的由ITO、IZO、ZnO或In2O3形成的层。
第一区域1A的主有机发光二极管OLED和第二区域2A的辅助有机发光二极管OLED'可以被薄膜封装层300覆盖。在实施例中，薄膜封装层300可以包括至少一个无机封装层和至少一个有机封装层。在实施例中，薄膜封装层300可以包括第一无机封装层310、第二无机封装层330以及定位于第一无机封装层310与第二无机封装层330之间的有机封装层320。
第一无机封装层310和第二无机封装层330中的每个可以包括至少一种无机绝缘材料。在实施例中，无机绝缘材料可以包括氧化铝、氧化钛、氧化钽、氧化铪、氧化锌、氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅。有机封装层320可以包括聚合物类材料。在实施例中，聚合物类材料可以包括丙烯酸树脂、环氧树脂、聚酰亚胺和聚乙烯中的任何材料。例如，有机封装层320可以包括丙烯酸树脂，诸如聚甲基丙烯酸甲酯或聚丙烯酸。
在实施例中，限定第一辅助像素Pa1的第一辅助发射区域EA1'的第二开口OP2的尺寸大于限定第一主像素Pm1的第一主发射区域EA1的第一开口OP1的尺寸。因此，当接收相同的电流时，第一辅助像素Pa1的亮度可以高于第一主像素Pm1的亮度。
因为第二区域2A中每基本单元U的辅助像素的数量小于每对应单元U'的主像素的数量，所以第一区域1A的对应单元U'的亮度和第二区域2A的基本单元U的亮度可以是相同的。
图9和图10是根据本公开的一些实施例的显示设备的沿着与图6的线II-II'和线III-III'对应的线截取的剖视图。图9的实施例与图8的实施例的不同之处在于：无机绝缘层和平坦化层定位于设置在第二区域2A中的透射部分TA上。图10的实施例与图8的实施例的不同之处在于：无机绝缘层定位于设置在第二区域2A中的透射部分TA上。将不描述图9和图10的与图8的元件相同的元件，并且以下描述将集中于差异。
参照图9，包括第一绝缘层103、第二绝缘层105、第三绝缘层107和第四绝缘层109的无机绝缘层以及平坦化层113可以定位于设置在第二区域2A中的透射部分TA上。参照图10，包括第一绝缘层103、第二绝缘层105、第三绝缘层107和第四绝缘层109的无机绝缘层可以定位于设置在第二区域2A中的透射部分TA上。
图11A和图11B是示出根据本公开的一些实施例的定位于第一区域和第二区域中的像素和透射部分的布置的平面图。图11A和图11B的实施例与图6和图7的实施例的不同之处在于：更多的辅助像素Pa定位于第二区域2A中。将不进一步描述图11A和图11B的与图6和图7的元件相同的元件，并且以下描述将集中于差异。
参照图11A，主像素Pm可以在第一区域1A中以RGBG pentile矩阵结构布置，并且大于定位于第一区域1A中的主像素Pm的辅助像素Pa可以在第二区域2A中以与主像素Pm的RGBG pentile矩阵布置结构不同的RBGB pentile矩阵结构布置。例如，主像素Pm可以以其中第二主像素Pm2、第三主像素Pm3、第一主像素Pm1和第三主像素Pm3以pentile矩阵结构布置的RGBG pentile矩阵结构布置在第一区域1A中，辅助像素Pa可以以其中第二辅助像素Pa2、第一辅助像素Pa1、第三辅助像素Pa3和第一辅助像素Pa1以pentile矩阵结构布置的RBGB pentile矩阵结构布置在第二区域2A中。在实施例中，主像素Pm可以在第一区域1A中以RGBG/BGRG pentile矩阵结构或RGBG/RGBG pentile矩阵结构布置，辅助像素Pa可以在第二区域2A中以RBGB/GBRB pentile矩阵结构或RBGB/RBGB pentile矩阵结构布置。
在实施例中，在基本单元U中，由多个辅助像素Pa占据的面积可以大于由透射部分TA占据的面积。在实施例中，由多个辅助像素Pa占据的面积可以略大于基本单元U的一半。
在基本单元U中，因为增大了由多个辅助像素Pa占据的面积，所以可以增加显示面板的寿命，并且可以提高第二区域2A的分辨率。
参照图11B，主像素Pm可以在第一区域1A中以RGBG pentile矩阵结构布置，并且辅助像素Pa可以在第二区域2A中以与主像素Pm的RGBG pentile矩阵布置结构不同的RBGBpentile矩阵结构布置。例如，主像素Pm可以以其中第二主像素Pm2、第三主像素Pm3、第一主像素Pm1和第三主像素Pm3以pentile矩阵结构布置的RGBG pentile矩阵布置在第一区域1A中，辅助像素Pa可以以其中第二辅助像素Pa2、第一辅助像素Pa1、第三辅助像素Pa3和第一辅助像素Pa1以pentile矩阵结构布置的RBGB pentile矩阵结构布置在第二区域2A中。在实施例中，主像素Pm可以在第一区域1A中以RGBG/BGRG pentile矩阵结构或RGBG/RGBGpentile矩阵结构布置，辅助像素Pa可以在第二区域2A中以RBGB/GBRB pentile矩阵结构或RBGB/RBGB pentile矩阵结构布置。
在实施例中，在基本单元U中，由多个辅助像素Pa占据的面积可以与由透射部分TA占据的面积相同。换句话说，由多个辅助像素Pa占据的面积可以是基本单元U的面积的约1/2，并且由透射部分TA占据的面积可以是基本单元U的面积的约1/2。
在基本单元U中，因为增大了由多个辅助像素Pa占据的面积，所以可以增加显示面板的寿命并且可以提高第二区域2A的分辨率。
图12A和图12B是示出根据本公开的一些实施例的定位于第一区域和第二区域中的像素和透射部分的布置的平面图。图12A和图12B的实施例与图6和图7的实施例的不同之处在于：更多的辅助像素Pa定位于第二区域2A中。将不进一步描述图12A和图12B的与图6和图7的元件相同的元件，并且以下描述将集中于差异。
参照图12A，在实施例中，主像素Pm可以在第一区域1A中以RGBG pentile矩阵结构布置，并且大于定位于第一区域1A中的主像素Pm的辅助像素Pa可以在第二区域2A中以与主像素Pm的RGBG pentile矩阵布置结构不同的RBG pentile矩阵结构布置。例如，主像素Pm可以以其中第二主像素Pm2、第三主像素Pm3、第一主像素Pm1和第三主像素Pm3以pentile矩阵结构布置的RGBG pentile矩阵结构布置在第一区域1A中，辅助像素Pa可以以其中第二辅助像素Pa2、第一辅助像素Pa1和第三辅助像素Pa3以pentile矩阵结构布置的RBG pentile矩阵结构布置在第二区域2A中。在实施例中，主像素Pm可以在第一区域1A中以RGBG/BGRGpentile矩阵结构或RGBG/RGBG pentile矩阵结构布置。
在实施例中，在基本单元U中，由多个辅助像素Pa占据的面积可以小于由透射部分TA占据的面积。例如，由多个辅助像素Pa占据的面积可以小于基本单元U的面积的1/2且大于基本单元U的面积的3/8。
在基本单元U中，因为增大了由多个辅助像素Pa占据的面积，所以可以增加显示面板的寿命并且可以提高第二区域2A的分辨率。
参照图12B，在实施例中，主像素Pm可以在第一区域1A中以RGBG pentile矩阵结构布置，并且辅助像素Pa可以在第二区域2A中以与主像素Pm的RGBG pentile矩阵布置结构不同的RBG pentile矩阵结构布置。例如，主像素Pm可以以其中第二主像素Pm2、第三主像素Pm3、第一主像素Pm1和第三主像素Pm3以pentile矩阵结构布置的RGBG pentile矩阵结构布置在第一区域1A中，辅助像素Pa可以以其中第二辅助像素Pa2、第一辅助像素Pa1和第三辅助像素Pa3以pentile矩阵结构布置的RBG pentile矩阵结构布置在第二区域2A中。在实施例中，主像素Pm可以在第一区域1A中以RGBG/BGRG pentile矩阵结构或RGBG/RGBG pentile矩阵结构布置。
在实施例中，在基本单元U中，由多个辅助像素Pa占据的面积可以小于由透射部分TA占据的面积。例如，由多个辅助像素Pa占据的面积可以是基本单元U的面积的约3/8，并且由透射部分TA占据的面积可以是基本单元U的面积的约5/8。
在基本单元U中，因为增大了由多个辅助像素Pa占据的面积，所以可以增加显示面板的寿命并且可以提高第二区域2A的分辨率。
根据本公开的一个或更多个实施例，为了避免传统显示设备的问题(诸如包括透射部分的第二区域的有机发光二极管的劣化)，包括在第一区域中的主像素的布置结构可以不同于包括在第二区域中的辅助像素的布置结构，从而提供具有改善的可靠性的显示设备。
尽管仅已经主要描述了显示设备，但是本公开不限于此。例如，制造这样的显示设备的方法也在本公开的范围内。
根据本公开的一个或更多个实施例，因为包括在第一区域中的主像素的布置结构不同于包括在第二区域中的辅助像素的布置结构，所以可以提供具有改善的可靠性的显示设备。然而，本公开的范围不限于以上方面或效果。
将理解的是，在此描述的实施例应该以描述性含义考虑，而不是出于限制的目的。每个实施例内的特征或方面的描述通常应该被认为可用于其它实施例中的其它相似特征或方面。尽管已经参照附图描述了一个或更多个实施例，但是本领域普通技术人员将理解的是，在不脱离如由权利要求阐述的精神和范围的情况下，可以在其中进行形式和细节上的各种改变。

Claims (20)

1.一种显示面板，所述显示面板包括：
基底，包括第一区域和第二区域，所述第二区域包括透射部分；
主像素，定位于所述第一区域中，包括第一主像素、第二主像素和第三主像素且以RGBGpentile矩阵结构布置；以及
辅助像素，定位于所述第二区域中，包括第一辅助像素、第二辅助像素和第三辅助像素，并且以与所述主像素的所述RGBG pentile矩阵结构不同的RBGB pentile矩阵结构布置，
其中，所述第一辅助像素包括第一辅助发射区域，并且所述第一主像素包括第一主发射区域，所述第一主像素发射与所述第一辅助像素发射的光具有相同波长的光，并且
所述第一辅助发射区域具有第一面积，并且所述第一主发射区域具有小于所述第一面积的第二面积。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其中，所述第一面积是所述第二面积的1.4至1.8倍。
3.根据权利要求1所述的显示面板，其中，所述第二辅助像素包括第二辅助发射区域，并且所述第二主像素包括第二主发射区域，所述第二主像素发射与所述第二辅助像素发射的光具有相同波长的光，并且
所述第二辅助发射区域具有第三面积，并且所述第二主发射区域具有小于所述第三面积的第四面积。
4.根据权利要求3所述的显示面板，其中，所述第三面积是所述第四面积的1.4至1.8倍。
5.根据权利要求3所述的显示面板，其中，所述第三辅助像素包括第三辅助发射区域，并且所述第三主像素包括第三主发射区域，所述第三主像素发射与所述第三辅助像素发射的光具有相同波长的光，并且
所述第三辅助发射区域具有第五面积，并且所述第三主发射区域具有小于所述第五面积的第六面积。
6.根据权利要求5所述的显示面板，其中，所述第五面积是所述第六面积的1.4至1.8倍。
7.根据权利要求5所述的显示面板，其中，所述第一辅助像素和所述第一主像素发射具有蓝色波长的光，所述第二辅助像素和所述第二主像素发射具有红色波长的光，并且所述第三辅助像素和所述第三主像素发射具有绿色波长的光。
8.根据权利要求7所述的显示面板，其中，所述RGBG pentile矩阵结构包括一个第一主像素、一个第二主像素和两个第三主像素。
9.根据权利要求7所述的显示面板，其中，所述RBGB pentile矩阵结构包括两个第一辅助像素、一个第二辅助像素和一个第三辅助像素。
10.根据权利要求1所述的显示面板，其中，包括所述辅助像素和所述透射部分的基本单元重复地布置在所述第二区域中。
11.根据权利要求1所述的显示面板，所述显示面板还包括定位于所述基底上的无机绝缘层，
其中，所述无机绝缘层包括与所述透射部分对应的开口。
12.根据权利要求1所述的显示面板，所述显示面板还包括定位于所述基底上的有机绝缘层，
其中，所述有机绝缘层包括与所述透射部分对应的开口。
13.根据权利要求1所述的显示面板，所述显示面板还包括相对于所述主像素和所述辅助像素一体地形成的对电极，所述对电极定位于所述第一区域和所述第二区域中，并且包括与所述透射部分对应的开口。
14.根据权利要求1所述的显示面板，其中，所述第二区域的至少一部分被所述第一区域围绕。
15.一种显示设备，所述显示设备包括：
显示面板，包括基底，所述基底包括第一区域和第二区域，所述第二区域包括透射部分；以及
组件，定位为与所述显示面板的所述第二区域对应，
其中，所述显示面板还包括：
主像素，定位于所述第一区域中，包括第一主像素、第二主像素和第三主像素且以RGBGpentile矩阵结构布置；以及
辅助像素，定位于所述第二区域中，包括第一辅助像素、第二辅助像素和第三辅助像素，并且以与所述主像素的所述RGBG pentile矩阵结构不同的RBGB pentile矩阵结构布置，并且
所述第一辅助像素包括第一辅助发射区域，并且所述第一主像素包括第一主发射区域，所述第一主像素发射与所述第一辅助像素发射的光具有相同波长的光，并且
所述第一辅助发射区域具有第一面积，并且所述第一主发射区域具有等于或小于所述第一面积的第二面积。
16.根据权利要求15所述的显示设备，其中，所述第一面积是所述第二面积的1至1.8倍。
17.根据权利要求15所述的显示设备，其中，所述第一辅助像素和所述第一主像素发射具有蓝色波长的光，所述第二辅助像素和所述第二主像素发射具有红色波长的光，并且所述第三辅助像素和所述第三主像素发射具有绿色波长的光。
18.根据权利要求17所述的显示设备，其中，所述RGBG pentile矩阵结构包括一个第一主像素、一个第二主像素和两个第三主像素。
19.根据权利要求17所述的显示设备，其中，所述RBGB pentile矩阵结构包括两个第一辅助像素、一个第二辅助像素和一个第三辅助像素。
20.根据权利要求15所述的显示设备，其中，所述组件包括成像装置。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2024029683A1 (ko) * 2022-08-01 2024-02-08 삼성전자 주식회사 디스플레이 아래에 카메라가 배치된 구조를 갖는 전자 장치

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20130057521A1 (en) * 2011-09-05 2013-03-07 Gun-Shik Kim Organic light emitting diode display
US20160104413A1 (en) * 2014-10-09 2016-04-14 Nlt Technologies, Ltd. Pixel array, electro optical device, electric apparatus and pixel rendering method
CN107221547A (zh) * 2016-03-22 2017-09-29 群创光电股份有限公司 显示设备
KR101792236B1 (ko) * 2016-07-22 2017-10-31 주식회사 리딩유아이 터치-표시패널
CN110459563A (zh) * 2019-07-31 2019-11-15 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及电子设备
CN110570774A (zh) * 2019-08-09 2019-12-13 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及显示装置

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9716134B2 (en) * 2014-01-21 2017-07-25 Apple Inc. Organic light-emitting diode display with bottom shields
KR102448611B1 (ko) * 2015-10-30 2022-09-27 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102485707B1 (ko) * 2016-01-29 2023-01-09 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102515963B1 (ko) * 2016-03-04 2023-03-30 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
CN208607570U (zh) * 2018-12-25 2019-03-15 北京小米移动软件有限公司 终端屏幕及终端
CN110444125B (zh) * 2019-06-25 2022-03-08 荣耀终端有限公司 显示屏、终端

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20130057521A1 (en) * 2011-09-05 2013-03-07 Gun-Shik Kim Organic light emitting diode display
US20160104413A1 (en) * 2014-10-09 2016-04-14 Nlt Technologies, Ltd. Pixel array, electro optical device, electric apparatus and pixel rendering method
CN107221547A (zh) * 2016-03-22 2017-09-29 群创光电股份有限公司 显示设备
KR101792236B1 (ko) * 2016-07-22 2017-10-31 주식회사 리딩유아이 터치-표시패널
CN110459563A (zh) * 2019-07-31 2019-11-15 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及电子设备
CN110570774A (zh) * 2019-08-09 2019-12-13 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及显示装置

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