CN112635519A - 显示装置 - Google Patents

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CN112635519A
CN112635519A CN202010660518.3A CN202010660518A CN112635519A CN 112635519 A CN112635519 A CN 112635519A CN 202010660518 A CN202010660518 A CN 202010660518A CN 112635519 A CN112635519 A CN 112635519A
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curved
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崔埈源
郭源奎
卞昌洙
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Samsung Display Co Ltd
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Abstract

具有提高的可靠性的显示装置包括：基板，该基板包括显示区和在显示区外部的外围区。显示区包括：中心显示区；第一弯曲显示区，该第一弯曲显示区接触中心显示区并且围绕第一弯曲轴弯曲；和第二弯曲显示区，该第二弯曲围绕与第一弯曲轴相交的第二弯曲轴弯曲。外围区包括角区，该角区是圆的并且邻近于第一弯曲显示区和第二弯曲显示区。该显示装置包括：设置在显示区和外围区处的无机层；形成在无机层中并且对应于角区的开口图案；和覆盖开口图案的第一有机材料层。

Description

显示装置
相关申请的交叉引用
本申请要求于2019年9月24日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2019-0117569号的优先权和权益，其全部内容通过引用并入本文。
技术领域
一个或多个实施方式涉及具有提高的可靠性的显示装置。
背景技术
在显示装置中，有机发光显示装置由于其宽视角、高对比度和快响应速度而已经重点作为下一代显示装置。
一般而言，有机发光显示装置可利用布置在基板上的薄膜晶体管和有机发光二极管而形成，并且可通过可自身发射光的有机发光二极管来操作。有机发光显示装置可用作从小尺寸产品(比如移动电话)到大尺寸产品(比如电视)的范围内的各种产品中的显示器。
显示装置(比如有机发光显示装置)可包括基板上的显示器。通过使显示装置的至少部分弯曲，可提高从各种角度的可见性和/或可减少非显示区的面积。
应理解，本背景技术部分，部分地旨在为理解技术提供有用的背景。但是，本背景技术部分也可包括这样的思想、构思或认知，该思想、构思或认知不是在本文公开的主题的对应有效提交日期之前相关领域的技术人员已知或领会的部分。
发明内容
一个或多个实施方式可包括通过防止裂缝的扩展而具有提高的可靠性的显示装置。但是，以上方面是示例性的，并且本公开的范围不限于此。
另外的方面将部分地在随后的描述中阐述，并且部分地将从描述中显而易见，或可通过本公开呈现的实施方式的实践而获知。
根据一个或多个实施方式，显示装置可包括基板，该基板包括显示区和在显示区外部的外围区。显示区可包括：中心显示区；第一弯曲显示区，该第一弯曲显示区接触中心显示区并且围绕第一弯曲轴弯曲；和第二弯曲显示区，该第二弯曲显示区围绕与第一弯曲轴相交的第二弯曲轴弯曲。外围区可包括角区，该角区是圆的并且邻近于第一弯曲显示区和第二弯曲显示区。该显示装置可包括：设置在显示区和外围区处的无机层；形成在无机层中并且对应于角区的开口图案；和覆盖开口图案的第一有机材料层。
可去除无机层的部分以形成开口图案。
开口图案可具有对应于角区的狭缝结构。
开口图案可具有对应于角区的格栅结构。
第一有机材料层可直接在从其去除无机层的该部分的基板的部分上。
显示装置可进一步包括绝缘层，该绝缘层设置在无机层上并且对应于角区。
显示装置可进一步包括：薄膜晶体管，该薄膜晶体管在中心显示区、第一弯曲显示区和第二弯曲显示区处的无机层上；和电连接至薄膜晶体管的显示元件。
显示装置可进一步包括：设置在薄膜晶体管上的第一平坦化层；和设置在第一平坦化层上的第二平坦化层。
第一有机材料层和第二平坦化层可包括相同的材料。
显示装置可进一步包括设置在显示元件上的薄膜封装层，该薄膜封装层包括无机封装层和有机封装层。
显示装置可进一步包括在薄膜封装层上的触摸部件，其中该触摸部件可包括：第一触摸绝缘层；在第一触摸绝缘层上的第一导电层；在第一导电层上的第二导电层；在第一导电层和第二导电层之间的第二触摸绝缘层；和在第二导电层上的第二有机材料层。
第二有机材料层可延伸至角区并且可覆盖第一有机材料层。
显示装置可进一步包括对应于角区的第一挡板部分，该第一挡板部分围绕开口图案。
基板可进一步包括第三弯曲显示区，该第三弯曲显示区接触中心显示区并且围绕第三弯曲轴弯曲。
基板可进一步包括第四弯曲显示区，该第四弯曲显示区接触中心显示区并且围绕第四弯曲轴弯曲。
根据一个或多个实施方式，显示装置可包括柔性基板，该柔性基板包括显示区和在显示区外部的外围区。显示装置可包括：在柔性基板上的无机层；形成在无机层中并且对应于外围区的开口图案；设置在无机层上并且对应于外围区的绝缘层；和设置在柔性基板上并且覆盖开口图案的第一有机材料层。
可去除无机层的部分以形成开口图案。
开口图案可具有对应于外围区的狭缝结构。
开口图案可具有对应于外围区的格栅结构。
第一有机材料层可直接在可从其去除无机层的该部分的柔性基板的部分上。
显示装置可进一步包括：在柔性基板上方的薄膜晶体管；设置在薄膜晶体管上的第一平坦化层；和在第一平坦化层上的第二平坦化层。
第一有机材料层和第二平坦化层可包括相同的材料。
根据一个或多个实施方式，显示装置可包括基板，该基板包括：显示区；第一弯曲区，该第一弯曲区接触显示区并且围绕第一弯曲轴弯曲；第二弯曲区，该第二弯曲区围绕与第一弯曲轴相交的第二弯曲轴弯曲；和外围区，该外围区在显示区外部并且包括角区，该角区是圆的并且邻近于第一弯曲区和第二弯曲区。显示装置可包括：设置在显示区和外围区处的无机层；形成在无机层中并且对应于角区的开口图案；和覆盖开口图案的第一有机材料层。
可去除无机层的部分以形成开口图案。
开口图案可具有对应于角区的狭缝结构。
开口图案可具有对应于角区的格栅结构。
第一有机材料层可直接在可从其去除无机层的该部分的基板的部分上。
本公开的其他方面、特征和优点将通过附图、权利要求和具体描述变得更好理解。
附图说明
本公开的某些实施方式的以上和其他方面、特征和优点将从结合附图的下述描述中更显而易见，其中：
图1和图2是根据实施方式的显示装置的示意性平面图；
图3和图4是可包括在根据实施方式的显示装置中的像素的等效电路图；
图5A至图5D是示出根据实施方式的显示装置的部分的示意图；
图6A和图6B是示出根据实施方式的显示装置的部分的示意图；
图7A和图7B是示出根据实施方式的显示装置的部分的示意图；
图8A至图8C是示出根据实施方式的显示装置的示意图；
图9是根据实施方式的显示装置的示意性透视图；
图10A至图10C是根据实施方式的显示装置的示意性平面图；并且
图11A至图11C是可应用根据实施方式的显示装置的电子装置的示意图。
具体实施方式
现在将详细地参考实施方式，在附图中示出实施方式的示例，其中遍及说明书相同的附图标记指代相同的元件。为了简洁起见，可省略相同的元件的多余解释。实施方式可具有与所显示的那些实施方式不同的形式，并且不应解释为限于本文阐述的描述。因此，下面仅通过参考附图描述实施方式，以解释描述的方面。如本文所使用，术语“和/或”包括相关列举项目中的一个或多个的任何组合和所有组合。术语“和”和“或”可以以合取意义或析取意义使用并且可被理解为等同于“和/或”。遍及本公开，表述“a、b和c中的至少一个”指示仅a；仅b；仅c；a和b两者；a和c两者；b和c两者；a、b和c的全部，或其变型。
虽然如“第一”、“第二”等的这种术语，可用于描述各种组件，但这种组件不限于以上术语。而是，这些术语仅用于区分一个组件与另一组件。以单数使用的表述涵盖复数的表述，除非它在上下文中具有明显不同的含义。
将进一步理解，本文中使用的术语“包括(comprises)”、“包括(comprising)”、“包含(includes)”、“包含(including)”、“具有(has)”、“具有(have)”、“具有(having)”等指定存在叙述的特征或组件，但是不排除存在或添加一个或多个其他特征或组件。将理解，当层、区域或组件被称为在另一层、区域或组件“上”、“上方”、“下方”等“形成”时，它可直接或间接形成在另一层、区域或组件上。例如，可存在中间层、区域或组件。
为了便于描述，可在本文中使用空间相对术语，比如“之下”、“下面”、“下”、“上面”和“上”来描述如图中示出的一个元件或特征与另一个元件(多个元件)或另一个特征(多个特征)的关系。应理解，空间相对术语旨在涵盖除了图中描绘的定向之外的使用或操作时的装置的不同定向。
为了便于解释，可放大附图中的组件的尺寸。换句话说，因为为了便于解释，随意示出了附图中的组件的尺寸和厚度，所以下述实施方式不限于此。
x轴、y轴和z轴不限于直角坐标系的三个轴，并且可在更广泛的意义上解释。例如，x轴、y轴和z轴可彼此垂直，或可表示彼此不垂直的不同方向。
术语“重叠”或“重叠的”意指第一对象可在第二对象上面或下面或一侧，并且反之亦然。另外，术语“重叠”可包括层、堆叠、面向(face)或面向(facing)、在上方延伸、覆盖或部分地覆盖，或如本领域普通技术人员将领会和理解的任何其他适当的术语。术语“面向(face)”和“面向(facing)”意指第一元件可与第二元件直接或间接相对。
表述“不重叠”可包括“远离”或“偏离”或“偏移”以及如本领域普通技术人员将领会和理解的任何其他适当的等效物。
当某个实施方式可不同地实施时，特定工艺顺序可以以不同于所描述的顺序进行。例如，两个连续描述的工艺可基本上同时进行或以与所描述的顺序相反的顺序进行。
除非以其他方式限定，否则本文使用的所有术语(包括技术和科技术语)具有与本公开所属领域的技术人员通常理解的相同含义。将进一步理解，术语，比如常用词典中限定的那些术语，应解释为具有与它们在相关领域的语境下的含义一致的含义，并且不应以理想化或过于正式的意义解释，除非在本说明书中清楚限定。
图1和图2是根据实施方式的显示装置1的示意性平面图。
参考图1，显示装置1可包括可显示图像的显示区DA，和在显示区DA外部的外围区PA，其中外围区PA可不显示图像。显示装置1可通过使用从显示区DA中的像素P(参见，例如，图2)发射的光来提供图像。外围区PA可不显示图像。
显示区DA可包括：中心显示区CDA；第一弯曲显示区BA1，该第一弯曲显示区BA1可与中心显示区CDA接触并且可围绕在第一方向DR1上延伸的第一弯曲轴BAX1弯曲；第二弯曲显示区BA2，该第二弯曲显示区BA2可与中心显示区CDA接触并且可围绕在与第一方向DR1相交的第二方向DR2上延伸的第二弯曲轴BAX2弯曲；第三弯曲显示区BA3，该第三弯曲显示区BA3可与中心显示区CDA接触并且可围绕在第一方向DR1上延伸的第三弯曲轴BAX3弯曲；和第四弯曲显示区BA4，该第四弯曲显示区BA4可与中心显示区CDA接触并且可围绕在第二方向DR2上延伸的第四弯曲轴BAX4弯曲。外围区PA可包括分别邻近于第一弯曲显示区BA1和第二弯曲显示区BA2、邻近于第二弯曲显示区BA2和第三弯曲显示区BA3、邻近于第三弯曲显示区BA3和第四弯曲显示区BA4以及邻近于第四弯曲显示区BA4和第一弯曲显示区BA1的角区CA。
第一弯曲显示区BA1、第二弯曲显示区BA2、第三弯曲显示区BA3和第四弯曲显示区BA4可相对于中心显示区CDA弯曲以向彼此不同的方向显示图像。
在实施方式中，显示装置1可包括对应于第一弯曲显示区BA1的第一弯曲区、对应于第二弯曲显示区BA2的第二弯曲区、对应于第三弯曲显示区BA3的第三弯曲区和对应于第四弯曲显示区BA4的第四弯曲区。如同在外围区PA中，像素P可不在第一弯曲区、第二弯曲区、第三弯曲区和第四弯曲区中。第一弯曲区、第二弯曲区、第三弯曲区和第四弯曲区可不显示图像。
根据实施方式显示了包括弯曲型显示表面的显示装置1，但是实施方式不限于此。例如，如下面参考图9描述，显示装置2可包括平坦的显示表面。
根据实施方式的显示装置1可以是柔性的。但是，实施方式不限于此。例如，显示装置1可以是刚性的。在实施方式中，显示装置1可应用于如所显示的移动终端。尽管在图1中未显示，但可通过将安装在主板上的电子部件、照相机、电源等连同显示装置1布置在支架/壳体中，来配置移动终端。根据实施方式的显示装置1可应用于从大尺寸电子设备(比如电视、监视器等)到中小尺寸电子设备(比如平板终端、汽车导航系统、游戏控制台、智能手表等)的范围内的各种产品。
参考图2，显示装置1可包括在中心显示区CDA中的像素P。像素P中的每个可包括显示元件，比如有机发光二极管(OLED)。像素P中的每个可从有机发光二极管发射光，例如，红光、绿光、蓝光或白光。
显示装置1可包括在第一弯曲显示区BA1、第二弯曲显示区BA2、第三弯曲显示区BA3和第四弯曲显示区BA4中的像素P。在第一弯曲显示区BA1、第二弯曲显示区BA2、第三弯曲显示区BA3和第四弯曲显示区BA4中的像素P可从有机发光二极管OLED发射光，例如，红光、绿光、蓝光或白光。
中心显示区CDA、第一弯曲显示区BA1、第二弯曲显示区BA2、第三弯曲显示区BA3和第四弯曲显示区BA4可被薄膜封装层TFE(参见图5B)覆盖以免受外部空气和水分影响。
在实施方式中，像素P可不在对应于第一弯曲显示区BA1的第一弯曲区、对应于第二弯曲显示区BA2的第二弯曲区、对应于第三弯曲显示区BA3的第三弯曲区和对应于第四弯曲显示区BA4的第四弯曲区中。
像素P可电连接至外围区PA中的外部电路。外围区PA可包括第一扫描驱动电路110、第一发射驱动电路115、第二扫描驱动电路120、第二发射驱动电路125、焊盘部分140、数据驱动电路150、第一供电线160和第二供电线170。
第一扫描驱动电路110可经由扫描线SL为每个像素P提供扫描信号。第一发射驱动电路115可经由发射控制线EL为像素P中的每个提供发射控制信号。第二扫描驱动电路120可与第一扫描驱动电路110平行。中心显示区CDA、第二弯曲显示区BA2和第四弯曲显示区BA4可在第二扫描驱动电路120和第一扫描驱动电路110之间。第二发射驱动电路125可与第一发射驱动电路115平行。中心显示区CDA、第二弯曲显示区BA2和第四弯曲显示区BA4可在第二发射驱动电路125和第一发射驱动电路115之间。在中心显示区CDA、第一弯曲显示区BA1、第二弯曲显示区BA2、第三弯曲显示区BA3和第四弯曲显示区BA4中的像素P中的一些可电连接至第一扫描驱动电路110，并且其他像素P可连接至第二扫描驱动电路120。在中心显示区CDA、第一弯曲显示区BA1、第二弯曲显示区BA2、第三弯曲显示区BA3和第四弯曲显示区BA4中的像素P中的一些可电连接至第一发射驱动电路115，并且其他像素P可连接至第二发射驱动电路125。
图2显示第一扫描驱动电路110和第一发射驱动电路115可在第二方向DR2上彼此交替地布置，但实施方式不限于此。例如，第一发射驱动电路115可在第一方向DR1上远离第一扫描驱动电路110。
焊盘部分140可在基板100的一侧处。焊盘部分140可不被绝缘层覆盖而是可被暴露，并且可电连接至印刷电路板PCB。印刷电路板PCB的焊盘部分PCB-P可电连接至显示装置1的焊盘部分140。印刷电路板PCB可将信号和/或电力从控制器(未显示)传送至显示装置1。
由控制器产生的控制信号可经由印刷电路板PCB分别传送至第一扫描驱动电路110和第二扫描驱动电路120。控制器可经由第一连接线161和第二连接线171分别为第一供电线160和第二供电线170提供第一电力电压ELVDD和第二电力电压ELVSS(参见图4)。第一电力电压ELVDD可经由连接至第一供电线160的下驱动电压线PL供应至每个像素P，并且第二电力电压ELVSS可提供至与第二供电线170连接的每个像素P的相对电极。
数据驱动电路150可电连接至数据线DL。可经由连接至焊盘部分140的连接线151和连接至连接线151的数据线DL将数据驱动电路150的数据信号提供至像素P中的每个。尽管图2显示数据驱动电路150可在印刷电路板PCB上，但实施方式不限于此。例如，在另一实施方式中，数据驱动电路150可在基板100上。数据驱动电路150可在焊盘部分140和第一供电线160之间。
第一供电线160可包括在第一方向DR1上彼此平行延伸的第一子线162和第二子线163。中心显示区CDA、第一弯曲显示区BA1和第三弯曲显示区BA3可在第一子线162和第二子线163之间。第二供电线170可具有含有敞开侧的环形形状，并且可围绕(例如，部分地围绕)中心显示区CDA。
图3和图4是可包括在根据实施方式的显示装置中的像素P的等效电路图。
参考图3，每个像素P可包括连接至扫描线SL和数据线DL的像素电路PC，和连接至像素电路PC的有机发光二极管OLED。像素电路PC可包括驱动薄膜晶体管Td、开关薄膜晶体管Ts和存储电容器Cst。开关薄膜晶体管Ts可连接至扫描线SL和数据线DL，并且可根据通过扫描线SL输入的扫描信号Sn，将通过数据线DL输入的数据信号Dm传送至驱动薄膜晶体管Td。
存储电容器Cst可连接至开关薄膜晶体管Ts和下驱动电压线PL，并且可存储对应于从开关薄膜晶体管Ts传送的电压和供应至下驱动电压线PL的第一电力电压ELVDD(或驱动电压)之间的差的电压。
驱动薄膜晶体管Td可连接至下驱动电压线PL和存储电容器Cst，并且可响应于存储在存储电容器Cst中的电压值，来控制从下驱动电压线PL流至有机发光二极管OLED的驱动电流。有机发光二极管OLED可根据驱动电流发射具有一定亮度的光。
图3显示其中像素电路PC包括两个薄膜晶体管和一个存储电容器的示例，但实施方式不限于此。例如，如图4中所显示，像素电路PC可包括七个薄膜晶体管和一个存储电容器。在图4中，像素电路PC包括一个存储电容器，但像素电路PC可包括两个或更多个存储电容器。
参考图4，像素P可包括像素电路PC和连接至像素电路PC的有机发光二极管OLED。像素电路PC可包括薄膜晶体管和存储电容器。薄膜晶体管和存储电容器可连接至信号线SL、信号线SL-1、信号线EL和信号线DL、初始化电压线VL以及下驱动电压线PL。
在图4中，每个像素P可连接至信号线SL、信号线SL-1、信号线EL和信号线DL、初始化电压线VL以及下驱动电压线PL，但实施方式不限于此。例如，信号线SL、信号线SL-1、信号线EL和信号线DL、初始化电压线VL以及下驱动电压线PL中的至少一个可由相邻像素共享。
信号线可包括：传送扫描信号Sn的扫描线SL、将前扫描信号Sn-1传送至第一初始化薄膜晶体管T4和第二初始化薄膜晶体管T7的前扫描线SL-1、将发射控制信号En传送至操作控制薄膜晶体管T5和发射控制薄膜晶体管T6的发射控制线EL，以及与扫描线SL相交并且传送数据信号Dm的数据线DL。下驱动电压线PL可将第一电力电压ELVDD传送至驱动薄膜晶体管T1，并且初始化电压线VL可传送用于初始化驱动薄膜晶体管T1和像素电极的初始化电压Vint。
驱动薄膜晶体管T1的驱动栅电极G1可连接至存储电容器Cst的下电极Cst1，驱动薄膜晶体管T1的驱动源电极S1可经由操作控制薄膜晶体管T5连接至下驱动电压线PL，并且驱动薄膜晶体管T1的驱动漏电极D1可经由发射控制薄膜晶体管T6电连接至有机发光二极管OLED的像素电极。驱动薄膜晶体管T1根据开关薄膜晶体管T2的开关操作接收数据信号Dm，以将驱动电流IOLED供应至有机发光二极管OLED。
开关薄膜晶体管T2的开关栅电极G2可连接至扫描线SL，开关薄膜晶体管T2的开关源电极S2可连接至数据线DL，开关薄膜晶体管T2的开关漏电极D2可连接至驱动薄膜晶体管T1的驱动源电极S1，并且也可经由操作控制薄膜晶体管T5连接至下驱动电压线PL。开关薄膜晶体管T2可根据通过扫描线SL接收的扫描信号Sn而开启，并且可进行将通过数据线DL传送的数据信号Dm传送至驱动薄膜晶体管T1的驱动源电极S1的开关操作。
补偿薄膜晶体管T3的补偿栅电极G3可连接至扫描线SL，补偿薄膜晶体管T3的补偿源电极S3可连接至驱动薄膜晶体管T1的驱动漏电极D1，并且也可经由发射控制薄膜晶体管T6连接至有机发光二极管OLED的像素电极，并且补偿薄膜晶体管T3的补偿漏电极D3可连接至存储电容器Cst的下电极Cst1、第一初始化薄膜晶体管T4的第一初始化漏电极D4和驱动薄膜晶体管T1的驱动栅电极G1。补偿薄膜晶体管T3可根据通过扫描线SL接收的扫描信号Sn而开启，以将驱动薄膜晶体管T1的驱动栅电极G1和驱动漏电极D1彼此电连接，并且二极管连接驱动薄膜晶体管T1。
第一初始化薄膜晶体管T4的第一初始化栅电极G4可连接至前扫描线SL-1，第一初始化薄膜晶体管T4的第一初始化源电极S4可连接至第二初始化薄膜晶体管T7的第二初始化漏电极D7和初始化电压线VL，并且第一初始化薄膜晶体管T4的第一初始化漏电极D4可连接至存储电容器Cst的下电极Cst1、补偿薄膜晶体管T3的补偿漏电极D3和驱动薄膜晶体管T1的驱动栅电极G1。第一初始化薄膜晶体管T4可根据通过前扫描线SL-1传送的前扫描信号Sn-1而开启，以将初始化电压Vint传送至驱动薄膜晶体管T1的驱动栅电极G1，并且进行初始化操作，用于初始化驱动薄膜晶体管T1的驱动栅电极G1处的电压。
操作控制薄膜晶体管T5的操作控制栅电极G5可连接至发射控制线EL，操作控制薄膜晶体管T5的操作控制源电极S5可连接至下驱动电压线PL，并且操作控制薄膜晶体管T5的操作控制漏电极D5可连接至驱动薄膜晶体管T1的驱动源电极S1和开关薄膜晶体管T2的开关漏电极D2。
发射控制薄膜晶体管T6的发射控制栅电极G6可连接至发射控制线EL，发射控制薄膜晶体管T6的发射控制源电极S6可连接至驱动薄膜晶体管T1的驱动漏电极D1和补偿薄膜晶体管T3的补偿源电极S3，并且发射控制薄膜晶体管T6的发射控制漏电极D6可电连接至第二初始化薄膜晶体管T7的第二初始化源电极S7和有机发光二极管OLED的像素电极。
操作控制薄膜晶体管T5和发射控制薄膜晶体管T6可根据通过发射控制线EL传送的发射控制信号En而开启(例如，同时开启)，以将第一电力电压ELVDD传送至有机发光二极管OLED，并且允许驱动电流IOLED在有机发光二极管OLED中流动。
第二初始化薄膜晶体管T7的第二初始化栅电极G7可连接至前扫描线SL-1，第二初始化薄膜晶体管T7的第二初始化源电极S7可连接至发射控制薄膜晶体管T6的发射控制漏电极D6和有机发光二极管OLED的像素电极，并且第二初始化薄膜晶体管T7的第二初始化漏电极D7可连接至第一初始化薄膜晶体管T4的第一初始化源电极S4和初始化电压线VL。第二初始化薄膜晶体管T7可根据通过前扫描线SL-1传送的前扫描信号Sn-1而开启，以初始化有机发光二极管OLED的像素电极。
图4显示其中第一初始化薄膜晶体管T4和第二初始化薄膜晶体管T7可连接至前扫描线SL-1的情况，但实施方式不限于此。例如，第一初始化薄膜晶体管T4可连接至前扫描线SL-1以根据前扫描信号Sn-1操作，并且第二初始化薄膜晶体管T7可连接至单独的信号线(例如，后扫描线)以根据传送至单独的信号线的信号操作。
存储电容器Cst的上电极Cst2可连接至下驱动电压线PL，并且有机发光二极管OLED的相对电极可连接至第二电力电压ELVSS。因此，有机发光二极管OLED通过接收来自驱动薄膜晶体管T1的驱动电流IOLED来发射光以显示图像。
在图4中，补偿薄膜晶体管T3和第一初始化薄膜晶体管T4可具有双栅电极，但补偿薄膜晶体管T3和第一初始化薄膜晶体管T4可各自具有一个栅电极。
图5A至图5D是示出根据实施方式的显示装置1的部分的示意图。更详细地，图5A是显示装置1的角区CA的示意性放大图，图5B是沿着图5A的线I-I'截取的显示装置1的示意性截面图，图5C是沿着图5A的线II-II'截取的显示装置1的示意性截面图，并且图5D是沿着图5A的线III-III'截取的显示装置1的示意性截面图。
参考图5A和图5B，根据实施方式的显示装置1的基板100可包括显示区DA和在显示区DA外部的外围区PA。显示区DA可包括中心显示区CDA。显示区DA可包括第一弯曲显示区BA1，该第一弯曲显示区BA1可与中心显示区CDA接触并且可围绕第一弯曲轴BAX1弯曲。显示区DA可包括第二弯曲显示区BA2，该第二弯曲显示区BA2围绕与第一弯曲轴BAX1相交的第二弯曲轴BAX2弯曲。外围区PA可包括角区CA，该角区CA可以是圆的并且可邻近于第一弯曲显示区BA1和第二弯曲显示区BA2。
基板100可包括玻璃或聚合物树脂。聚合物树脂可包括，例如，聚醚砜、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚苯硫醚、聚芳酯、聚酰亚胺、聚碳酸酯、乙酸丙酸纤维素或其组合。包括聚合物树脂的基板100可以是柔性的、可卷曲的或可弯曲的。基板100可具有包括包含聚合物树脂的层和无机层的多层结构(未显示)。在实施方式中，基板100可包括柔性基板。
无机层101可在基板100上以减少或阻挡来自基板100的下部分的杂质、水分或外部空气的渗透，并在基板100上提供平坦的表面。无机层101可包括无机材料，比如氧化物材料或氮化物材料。在基板100和无机层101之间可进一步提供用于防止外部空气的渗透的屏障层(未显示)。显示装置1可包括形成在无机层101中的开口图案OP。例如，可遍及显示区DA和外围区PA提供的无机层101可包括开口图案OP。开口图案可对应于角区CA。可对应于角区CA去除无机层101的至少部分。
对应于显示区DA的薄膜晶体管TFT、存储电容器Cst以及电连接至薄膜晶体管TFT和存储电容器Cst的显示元件可在基板100上方。图5B的薄膜晶体管TFT可包括上面参考图4描述的像素电路PC中包括的薄膜晶体管中的一个，例如，驱动薄膜晶体管T1。
薄膜晶体管TFT可包括半导体层134和栅电极136。半导体层134可包括，例如，多晶硅。半导体层134可包括与栅电极136重叠的沟道区域131。半导体层134可包括在沟道区域131的相对侧处的源区域132和漏区域133。源区域132和漏区域133可包括浓度高于沟道区域131的浓度的杂质。这里，杂质可包括N型杂质或P型杂质。源区域132和漏区域133可被理解为薄膜晶体管TFT的源电极和漏电极。
半导体层134可包括氧化物半导体和/或硅半导体。在半导体层134包括氧化物半导体的情况下，半导体层134可包括选自由下述组成的组中的至少一种的氧化物材料：例如，铟(In)、镓(Ga)、锡(Sn)、锆(Zr)、钒(V)、铪(Hf)、镉(Cd)、锗(Ge)、铬(Cr)、钛(Ti)和锌(Zn)。例如，半导体层134可包括ITZO(InSnZnO)、IGZO(InGaZnO)等。在半导体层134包括硅半导体的情况下，半导体层134可包括，例如，非晶硅(a-Si)或通过使a-Si结晶而获得的低温多晶硅(LPTS)。
栅电极136可具有包括选自下述中的一种或多种金属的单层结构或多层结构：铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)和铜(Cu)。栅电极136可连接至栅线，该栅线可施加电信号至栅电极136。
栅绝缘层103可在半导体层134和栅电极136之间。栅绝缘层103可包括选自由下述组成的组中的至少一种无机绝缘材料：氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、氧氮化硅(SiOxNy)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)和氧化锌(ZnO2)。栅绝缘层103可具有包括无机绝缘材料的单层结构或多层结构。
存储电容器Cst可包括彼此重叠的下电极144和上电极146。第一层间绝缘层105可在下电极144和上电极146之间。第一层间绝缘层105可具有一定介电常数，并且可具有包括无机绝缘材料(比如SiOxNy、SiOx和/或SiNx)的单层结构或多层结构。
图5B显示了其中存储电容器Cst与薄膜晶体管TFT重叠并且下电极144可与薄膜晶体管TFT的栅电极136是一体的情况。在实施方式中，存储电容器Cst可与薄膜晶体管TFT不重叠，并且下电极144可以是与薄膜晶体管TFT的栅电极136分离的独立元件。
第二层间绝缘层107可在存储电容器Cst上。第二层间绝缘层107可包括氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、氧氮化硅(SiOxNy)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)、氧化锌(ZnO2)或其组合，并且可具有单层结构或多层结构。
第一平坦化层111和第二平坦化层113可在第二层间绝缘层107上。第一平坦化层111和第二平坦化层113可使像素电路PC的上表面平坦化，以便使其上将要放置有机发光二极管OLED的表面平坦化。
第一平坦化层111和第二平坦化层113可包括一般的通用聚合物(苯并环丁烯(BCB)、聚酰亚胺、六甲基二硅醚(HMDSO)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)或聚苯乙烯(PS))、具有酚基的聚合物衍生物、丙烯酸类聚合物、酰亚胺类聚合物、芳基醚类聚合物、酰胺类聚合物、氟化物类聚合物、对二甲苯类聚合物、乙烯醇类聚合物或其共混物。第一平坦化层111和第二平坦化层113可包括无机材料。第一平坦化层111和第二平坦化层113可包括无机绝缘材料，比如氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、氧氮化硅(SiOxNy)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)或氧化锌(ZnO2)或其组合。在第一平坦化层111和第二平坦化层113包括无机材料的情况下，如有必要，可进行化学平坦化抛光。另一方面，第一平坦化层111和第二平坦化层113可包括有机材料和无机材料两者。
下驱动电压线PL可在第一平坦化层111上。下驱动电压线PL可包括铝(Al)、铜(Cu)、钛(Ti)等，并且可具有单层结构或多层结构。在实施方式中，下驱动电压线PL可具有包括Ti/Al/Ti的多层结构。
在图5B中，在第一平坦化层111下方可进一步提供下驱动电压线PL1。下驱动电压线PL1可经由穿透第一平坦化层111的接触孔电连接至下驱动电压线PL，并且可防止通过下驱动电压线PL提供的第一电力电压ELVDD的电压降。
下驱动电压线PL1可包括可与数据线DL中包括的材料相同的材料。例如，下驱动电压线PL1和数据线DL可包括铝(Al)、铜(Cu)、钛(Ti)等，并且可具有单层结构或多层结构。在实施方式中，下驱动电压线PL1和数据线DL可具有包括Ti/Al/Ti或TiN/Al/Ti的多层结构。
在实施方式中，下驱动电压线PL1和数据线DL可被保护层109覆盖。保护层109可防止包括金属(比如铝)的布线(其可被蚀刻剂损坏)在制造显示装置1的工艺期间暴露于蚀刻环境。保护层109可延伸至外围区PA。在一些情况下，可省略保护层109。
在基板100的显示区DA中，显示元件(例如，有机发光二极管OLED)可在第二平坦化层113上，其中有机发光二极管OLED包括像素电极210、中间层220，和面向像素电极210的相对电极230，其中中间层220在像素电极210和相对电极230之间。
像素电极210可在第二平坦化层113上。像素电极210可包括(半)透射电极或反射电极。在一些实施方式中，像素电极210可包括：包括Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr或其化合物的反射层，以及在反射层上的透明电极层或半透明电极层。透明电极层或半透明电极层可包括选自由下述组成的组中的至少一种电极材料：氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、氧化铟镓和氧化铝锌(AZO)。在一些实施方式中，像素电极210可包括包含ITO/Ag/ITO的堆叠结构。
像素限定层180可在第二平坦化层113上，并且像素限定层180可包括暴露像素电极210的至少部分的开口以限定像素的发光区域。而且，像素限定层180可增加像素电极210的边缘和像素电极210上的相对电极230之间的距离以防止在像素电极210的边缘处产生电弧。像素限定层180可包括，例如，有机绝缘材料，比如聚酰亚胺、聚酰胺、丙烯酸树脂、苯并环丁烯、六甲基二硅醚(HMDSO)、酚醛树脂，或其组合，并且可通过旋涂等获得。
间隔件190可在像素限定层180上。在其中可使用掩模的制造工艺中，间隔件190可防止由于掩模的下垂而对有机发光二极管OLED的损坏。间隔件190可包括，例如，有机绝缘材料，比如聚酰亚胺、聚酰胺、丙烯酸树脂、苯并环丁烯、六甲基二硅醚(HMDSO)、酚醛树脂，或其组合，并且可通过旋涂等获得。间隔件190可具有单层结构或多层结构。
中间层220可在可经由像素限定层180暴露的像素电极210上。中间层220可包括发射层，并且功能层(比如空穴传输层(HTL)、空穴注入层(HIL)、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL))可选择性地布置在发射层下方和发射层上。
发射层可包括有机材料，该有机材料包括发射红光、绿光、蓝光或白光的荧光材料或磷光材料。发射层可包括低分子量有机材料或聚合物有机材料。
在发射层包括低分子量有机材料的情况下，中间层220可具有包括HIL、HTL、发射层(EML)、ETL和EIL中的至少一个的单层结构或多层结构。低分子量有机材料的示例可包括铜酞菁(CuPc)、N,N'-二(萘-1-基)-N,N'-二苯基-联苯胺(NPB)和三-8-羟基喹啉铝(Alq3)。以上层可例如通过真空沉积方法来制造。
在发射层包括聚合物有机材料的情况下，中间层220可包括HTL和EML。这里，HTL可包括PEDOT(聚(3,4-乙撑二氧噻吩))，并且EML可包括聚苯撑乙烯(PPV)类或聚芴类聚合物材料。发射层可通过使用丝网印刷方法、喷墨印刷方法、激光诱导热成像(LITI)方法等布置。
像素电极210可布置在中间层220下方。中间层220可对应于像素电极210中的每个。但是，实施方式不限于此。中间层220可不同地修改。例如，中间层220可包括遍及像素电极210整体提供的层。在实施方式中，中间层220可对应于像素电极210中的每个，并且可遍及像素电极210整体提供除了发射层之外的功能层(多个功能层)。
相对电极230可在中间层220上。相对电极230可在中间层220上，并且相对电极230可完整地覆盖中间层220。
相对电极230可布置在整个显示区DA中。例如，可整体地提供相对电极230以覆盖多个像素。相对电极230可电接触外围区PA中的导电层75。在实施方式中，如图5B中显示，相对电极230可延伸至邻近于第一屏障壁PW1的区域。
相对电极230可包括透射电极或反射电极。在一些实施方式中，相对电极230可以是透射电极或半透射电极，并且可提供为金属薄膜，该金属薄膜包括具有小功函的Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Ag、Mg或其化合物。可在金属薄膜上方进一步提供透明导电氧化物(TCO)层，比如ITO、IZO、ZnO或In2O3。
在像素电极210包括反射电极并且相对电极230包括透射电极的情况下，来自中间层220的光可朝相对电极230发射，并且显示装置1可以是顶发射型。
在实施方式中，在像素电极210包括透射电极或半透射电极并且相对电极230包括反射电极的情况下，从中间层220发射的光可朝基板100发出，并且显示装置1可以是底发射型。但是，实施方式不限于此。例如，根据实施方式的显示装置1可以是朝前表面和后表面都发射光的双发射型。
薄膜封装层TFE可在相对电极230上以保护有机发光二极管OLED免受外部水分和氧气影响。薄膜封装层TFE可包括至少一个有机封装层和至少一个无机封装层。
薄膜封装层TFE可覆盖(例如，完整地覆盖)显示区DA，并且朝外围区PA延伸以部分地覆盖外围区PA。薄膜封装层TFE可延伸至第二屏障壁PW2的外侧。
薄膜封装层TFE可包括第一无机封装层310、在第一无机封装层上面的第二无机封装层330以及在第一无机封装层310和第二无机封装层330之间的有机封装层320。
薄膜封装层TFE中的第一无机封装层310和第二无机封装层330可延伸至第二屏障壁PW2的外侧，并且薄膜封装层TFE中的有机封装层320可不延伸至第二屏障壁PW2的外侧。第一无机封装层310和第二无机封装层330可在第一屏障壁PW1上彼此接触。
第一无机封装层310和第二无机封装层330可包括来自氧化铝、氧化钛、氧化钽、氧化铪、氧化锌、氧化硅、氮化硅和氧氮化硅中的一种或多种无机材料。第一无机封装层310和第二无机封装层330可各自具有包括上面提到的材料的单层结构或多层结构。第一无机封装层310和第二无机封装层330可包括彼此相同的材料或彼此不同的材料。
第一无机封装层310和第二无机封装层330可具有不同的厚度或相同的厚度。例如，第一无机封装层310的厚度可大于第二无机封装层330的厚度。作为另一示例，第二无机封装层330的厚度可大于第一无机封装层310的厚度。作为另一示例，第一无机封装层310和第二无机封装层330可具有相同的厚度。
有机封装层320可包括单体类材料或聚合物类材料。有机封装层320可包括聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚酰亚胺、聚乙烯磺酸酯、聚甲醛、聚芳酯、六甲基二硅氧烷、丙烯酸类树脂(例如，聚甲基丙烯酸甲酯、聚丙烯酸等)，或其组合。
触摸部件TU可在薄膜封装层TFE上。触摸部件TU可包括第一触摸绝缘层510、在第一触摸绝缘层510上的第一导电层520、在第一导电层520上方的第二导电层540、在第一导电层520和第二导电层540之间的第二触摸绝缘层530，以及在第二导电层540上的第二有机材料层550。
第一导电层520可包括第一感测电极，并且第二导电层540可包括第二感测电极。在实施方式中，第一导电层520和第二导电层540可各自具有网状形状以便对用户是不可见的，并且可各自具有包括钛/铝/钛的三层结构。
第一导电层520和第二导电层540可各自具有单层结构或多层结构。单层结构的导电层可包括金属层或透明导电层。金属层可包括钼、银、钛、铜、铝或其合金。透明导电层可包括透明导电氧化物材料，比如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟锡锌(ITZO)等。透明导电层可包括导电聚合物，比如PEDOT、金属纳米线、石墨烯等。多层结构的导电层可包括多个金属层。多个金属层可具有，例如，Ti/Al/Ti的三层结构。多层结构的导电层可包括至少一个金属层和至少一个透明导电层。
第一触摸绝缘层510和第二触摸绝缘层530中的每个可具有单层结构或多层结构。第一触摸绝缘层510和第二触摸绝缘层530中的每个可包括无机材料、有机材料或复合材料。在另一实施方式中，第一触摸绝缘层510和第二触摸绝缘层530中的至少一个可包括无机层。无机层可包括选自氧化铝、氧化钛、氧化硅、氧氮化硅、氧化锆和氧化铪中的至少一种。
在另一实施方式中，第一触摸绝缘层510和第二触摸绝缘层530中的至少一个可包括有机层。有机层可包括选自丙烯酸类树脂、甲基丙烯酸类树脂、聚异戊二烯、乙烯基类树脂、环氧类树脂、氨基甲酸乙酯类树脂、纤维素类树脂、硅氧烷类树脂、聚酰亚胺类树脂、聚酰胺类树脂和苝类树脂中的至少一种。
第二有机材料层550可在第二导电层540上。第二有机材料层550可延伸至角区CA以便覆盖稍后将描述的第一有机材料层114。第二有机材料层550可包括选自丙烯酸类树脂、甲基丙烯酸类树脂、聚异戊二烯、乙烯基类树脂、环氧类树脂、氨基甲酸乙酯类树脂、纤维素类树脂、硅氧烷类树脂、聚酰亚胺类树脂、聚酰胺类树脂和苝类树脂中的至少一种。
触摸部件TU可例如，以电容的方式感测外部输入。但是，触摸部件TU的操作方式不限于以上示例，并且实施方式的触摸部件TU可通过例如电磁诱导方法或压力感测方法来感测外部输入。
参考图5B，虚设像素DPX可提供为与有机发光二极管OLED相邻。虚设像素DPX可实际上不发射光，并且可包括，例如，图案化的中间层。虚设像素DPX可在显示区DA和驱动电路区DPC-A之间。
驱动电路区DPC-A可在外围区PA中。例如，第二扫描驱动电路120可在驱动电路区DPC-A中。第二扫描驱动电路120可包括薄膜晶体管TFT-P和连接至薄膜晶体管TFT-P的布线(未显示)。薄膜晶体管TFT-P可通过与像素电路PC的薄膜晶体管TFT相同的制造工艺来制造。无机层101、栅绝缘层103、第一层间绝缘层105、第二层间绝缘层107和保护层109可延伸至外围区PA。无机层101、栅绝缘层103、第一层间绝缘层105、第二层间绝缘层107和保护层109可包括无机绝缘材料。
第二扫描驱动电路120可用保护层109覆盖。保护层109可防止包括金属(比如铝)的布线(其可被蚀刻剂损坏)在制造显示装置1的工艺期间暴露于蚀刻环境。
保护层109可包括无机材料，比如氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)和/或氧氮化硅(SiOxNy)，并且可具有单层结构或多层结构。在实施方式中，保护层109可包括氮化硅(SiNx)。保护层109可具有约
Figure BDA0002578318050000161
至约
Figure BDA0002578318050000162
的厚度。从显示区DA延伸的第一平坦化层111、第二平坦化层113和像素限定层180可在保护层109上。
第一屏障壁PW1和第二屏障壁PW2可在外围区PA中的基板100上方。第一屏障壁PW1可围绕显示区DA，并且第二屏障壁PW2可围绕第一屏障壁PW1。
第二供电线170可在外围区PA中的基板100上方。第二供电线170可向每个像素P的相对电极230提供第二电力电压ELVSS。第二连接线171可在第二供电线170上。第二供电线170可经由第二连接线171连接至导电层75，以为相对电极230提供第二电力电压ELVSS。导电层75可在第二连接线171上方。导电层75可经由其端部分与第二连接线171接触，以向相对电极230提供第二电力电压ELVSS。
第一屏障壁PW1可在第二供电线170上方，并且第二连接线171可在第二供电线170上。第二屏障壁PW2可在第二供电线170的外侧上。第一屏障壁PW1和第二屏障壁PW2可防止形成有机封装层320的有机材料溢流至基板100的外侧。
布线147可在基板100的区域上，其中该区域对应于第二屏障壁PW2。布线147可包括与上电极146的材料相同的材料。布线147可通过相同的工艺与上电极146同时布置。
参考图5A，在根据实施方式的显示装置1中，基板100可包括可以是圆的并且邻近于第一弯曲显示区BA1和第二弯曲显示区BA2的角区CA，并且基板100上的无机层101可包括通过对应于角区CA去除无机层101的至少部分而形成的开口图案OP。开口图案OP可具有对应于角区CA的狭缝形状。
参考图5B，第一有机材料层114可在基板100上，在该基板100上可对应于角区CA去除无机层101的至少部分。在实施方式中，第一有机材料层114可在(例如，直接在)基板100上，在该基板100上可对应于角区CA去除无机层101的至少部分。第一有机材料层114可包括与以上第二平坦化层113的材料相同的材料。第一有机材料层114和第二平坦化层113可包括相同的材料。
第一有机材料层114可在通过对应于角区CA去除无机层101的至少部分而形成的开口图案OP上，并且防止角区CA中产生的裂缝扩展到显示装置1中。
第二有机材料层550可在第一有机材料层114上。第二有机材料层550可在显示区DA中，并且可延伸至角区CA，以至少部分地覆盖第一有机材料层114。
根据实施方式的显示装置可进一步包括对应于角区CA并且围绕开口图案OP的外部分的第一挡板部分DM1。第一挡板部分DM1可包括第一层104、第二层106和第三层108。第一挡板部分DM1的第一层104可在无机层101上，第二层106可在第一层104上，并且第三层108可在第二层106上。
第一挡板部分DM1的第一层104可包括与显示区DA中的栅绝缘层103的材料相同的材料，第一挡板部分DM1的第二层106可包括与显示区DA中的第一层间绝缘层105的材料相同的材料，并且第一挡板部分DM1的第三层108可包括与显示区DA中的第二层间绝缘层107的材料相同的材料。在另一实施方式中，第一挡板部分DM1的第一层104、第二层106和第三层108可包括无机材料，并且，除了无机层101之外，第一挡板部分DM1的外部分可不包括无机材料。
第一挡板部分DM1可进一步包括第一有机材料层114。第一有机材料层114可覆盖可顺序地在无机层101上的第一层104、第二层106和第三层108。在实施方式中，覆盖开口图案OP的至少部分的第一有机材料层114可延伸以覆盖第一挡板部分DM1的第一层104、第二层106和第三层108。在实施方式中，开口图案OP和第一挡板部分DM1可彼此隔开，并且因此覆盖开口图案OP的至少部分的第一有机材料层114和第一挡板部分DM1的第一有机材料层114可彼此隔开。
参考图5C，一个或多个绝缘层ILL可在无机层101上，对应于角区CA。绝缘层ILL可包括第一绝缘层ILL1、第二绝缘层ILL2和第三绝缘层ILL3。第一绝缘层ILL1可对应于角区CA在无机层101上，第二绝缘层ILL2可在第一绝缘层ILL1上，并且第三绝缘层ILL3可在第二绝缘层ILL2上。
第一绝缘层ILL1可包括与显示区DA中的栅绝缘层103的材料相同的材料，第二绝缘层ILL2可包括与显示区DA中的第一层间绝缘层105的材料相同的材料，并且第三绝缘层ILL3可包括与显示区DA中的第二层间绝缘层107的材料相同的材料。
参考图5D，根据实施方式的通过对应于角区CA去除无机层101的至少部分而形成的开口图案OP可与对应于角区CA在无机层101上的至少一个绝缘层ILL重复地布置为狭缝结构。
图6A和图6B是示出根据实施方式的显示装置1'的部分的示意图。详细地，图6A是显示装置1'中的角区CA的放大示意图，并且图6B是沿着图6A的线IV-IV'截取的显示装置1'的示意性截面图。
参考图6A和图6B，根据实施方式的显示装置1'可包括基板100、无机层101和第一有机材料层114。基板100可包括显示区DA和在显示区DA外部的外围区PA。显示区DA可包括：中心显示区CDA；第一弯曲显示区BA1，该第一弯曲显示区BA1可与中心显示区CDA接触并且围绕第一弯曲轴BAX1弯曲；和第二弯曲显示区BA2，该第二弯曲显示区BA2围绕与第一弯曲轴BAX1相交的第二弯曲轴BAX2弯曲。外围区PA可包括邻近于第一弯曲显示区BA1和第二弯曲显示区BA2的可具有圆的形状的角区CA。无机层101可遍及显示区DA和外围区PA提供，并且可包括开口图案OP。可对应于角区CA去除无机层101的至少部分。第一有机材料层114至少部分地覆盖开口图案OP。通过去除无机层101的至少部分而形成的开口图案OP可具有对应于角区CA的格栅结构。
图7A和图7B是示出根据实施方式的显示装置1”的示意图。详细地，图7A是显示装置1”中的角区CA的放大视图，并且图7B是沿着图7A的线V-V'截取的显示装置1”的截面图。
参考图7A和图7B，根据实施方式的显示装置1”可包括可遍及显示区DA和外围区PA提供的包含开口图案OP的无机层101，并且可对应于角区CA去除无机层101的至少部分。通过去除无机层101的至少部分而形成的开口图案OP可对应于角区CA沿着角区CA的圆周布置为带结构。
在实施方式中，基板100可包括角区CA，角区CA可以是圆的并且邻近于对应于第一弯曲显示区BA1的第一弯曲区和对应于第二弯曲显示区BA2的第二弯曲区。基板100上的无机层101可具有通过对应于角区CA去除无机层101的至少部分的开口图案OP。开口图案OP可具有选自对应于角区CA的狭缝结构、格栅结构和带结构中的至少一种。
图8A至图8C是用于示出根据实施方式的显示装置1、显示装置1'和显示装置1”的示意图。详细地，图8A显示开口图案OP可具有对应于外围区PA的狭缝结构。图8B显示开口图案OP可具有对应于外围区PA的格栅结构。图8C显示开口图案OP可具有对应于外围区PA的带结构。
参考图8A至图8C，在根据实施方式的显示装置中，开口图案OP可对应于外围区PA在第一方向DR1和第二方向DR2上延伸。在实施方式中，如图8A中显示，开口图案OP可具有对应于外围区PA的狭缝结构。如图8B中显示，开口图案OP可具有对应于外围区PA的格栅结构。如图8C中显示，开口图案OP可具有对应于外围区PA的带结构。
在图8A至图8C中，开口图案OP可形成为仅对应于外围区PA的部分。但是，开口图案OP可在围绕显示区DA的同时完整地对应于外围区PA。
在根据相关技术的显示装置中，外围区PA中产生的裂缝可扩展至显示区DA，并且因此，可损坏有机发光二极管OLED、触摸部件TU等。
所以，为了解决以上问题，可提供通过对应于角区CA去除无机层101的至少部分而形成的开口图案OP以防止裂缝的扩展，并且因此可提供具有提高的可靠性的显示装置。
图9是根据实施方式的显示装置2的示意性透视图。
参考图9，显示装置2可包括显示区DA和外围区PA，其中显示区DA显示图像，并且外围区PA不显示图像。显示装置2可通过使用从显示区DA发射的光来提供图像。
在图9中，显示装置2可包括具有正方形形状的显示区DA，但是实施方式不限于此。显示区DA可具有圆形形状、椭圆形形状或多边形形状，比如三角形、五边形等。而且，图9的显示装置2可包括平板显示装置，但显示装置2可实施为各种类型，例如，柔性显示装置、可折叠显示装置、可卷曲显示装置等。
图10A至图10C是根据另外的实施方式的显示装置2、显示装置2'和显示装置2”的示意性平面图。详细地，图10A显示了可具有对应于外围区PA的狭缝结构的开口图案OP。图10B显示了可具有对应于外围区PA的格栅结构的开口图案OP。图10C显示了可具有对应于外围区PA的带结构的开口图案OP。
图10A至图10C是根据实施方式的显示装置2、显示装置2'和显示装置2”的示意性平面图。尽管图10A显示了具有与图5A的形状不同的形状的显示区DA和外围区PA，但图5B中的元件也可包括在图10A中的基板100上。图10A中的基板100可以是柔性的。除了显示区DA和外围区PA的形状与图6A相比不同之外，图10B可包括与图5B中的元件相同的元件。除了显示区DA和外围区PA的形状与图7A相比不同之外，图10C可包括与图5B中的元件相同的元件。
根据实施方式的显示装置2可包括柔性基板100，柔性基板100包括显示区DA和在显示区DA外部的外围区PA。显示装置2可包括在柔性基板100上的无机层，其中无机层可包括开口图案OP，其中可对应于外围区PA去除无机层的至少部分。显示装置可包括对应于外围区PA的在无机层上的至少一个绝缘层，以及在柔性基板100上的第一有机材料层。第一有机材料层可至少部分地覆盖开口图案OP。在另一实施方式中，第一有机材料层可在(例如，直接在)柔性基板100上。
根据实施方式的显示装置2可进一步包括：在柔性基板100上的薄膜晶体管；在薄膜晶体管上的第一平坦化层以覆盖薄膜晶体管；和在第一平坦化层上的第二平坦化层。第二平坦化层可包括与第一有机材料层的材料相同的材料。
如图10A中显示，开口图案OP可提供为具有对应于外围区PA围绕显示区DA的狭缝结构。如图10B中显示，开口图案OP可具有对应于外围区PA围绕显示区DA的格栅结构。如图10C中显示，开口图案OP可具有对应于外围区PA围绕显示区DA的带结构。
图11A至图11C是可应用根据实施方式的显示装置的电子装置的示意图。
具有上述结构的显示装置2可应用于如图11A中显示的电视2A、如图11B中显示的膝上型计算机或可折叠平板个人计算机(PC)2B，或便携式显示装置2C，比如如图11C中显示的移动电话。作为另一示例，根据实施方式的显示装置可以是任何种类的电子装置，前提是电子装置可提供图像，例如，包括在人工智能扬声器中的显示部分。
根据实施方式，为了解决由于根据相关领域的显示装置中的外围区中产生的裂缝的扩展而对显示装置造成的损坏，可在外围区上提供开口图案以防止裂缝的扩展并且以提供具有提高的可靠性的显示装置。
已经描述了显示装置，但本公开不限于此。例如，制造显示装置的方法也可包括在本公开的范围内。
根据实施方式，可在外围区中提供开口图案，并且因此可防止裂缝的扩展并且可实施具有提高的可靠性的显示装置。但是，本公开的范围不限于以上效果。
应理解，本文描述的实施方式应仅在描述性意义上考虑，而不是为了限制的目的。每个实施方式内的特征或方面的描述应通常被认为可用于其他实施方式中的其他类似特征或方面。虽然已经参考图描述了一个或多个实施方式，但本领域技术人员将理解，在不背离如由所附权利要求限定的精神和范围的情况下，可在其中作出形式和细节上的各种改变。

Claims (27)

1.一种显示装置，包括：
基板，所述基板包括：
显示区，所述显示区包括：
中心显示区；
第一弯曲显示区，所述第一弯曲显示区接触所述中心显示区并且围绕第一弯曲轴弯曲；和
第二弯曲显示区，所述第二弯曲显示区围绕与所述第一弯曲轴相交的第二弯曲轴弯曲；和
在所述显示区外部的外围区，所述外围区包括：
角区，所述角区是圆的并且邻近于所述第一弯曲显示区和所述第二弯曲显示区；
设置在所述显示区和所述外围区处的无机层；
形成在所述无机层中并且对应于所述角区的开口图案；和
覆盖所述开口图案的第一有机材料层。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中去除所述无机层的部分以形成所述开口图案。
3.根据权利要求1所述的显示装置，其中所述开口图案具有对应于所述角区的狭缝结构。
4.根据权利要求1所述的显示装置，其中所述开口图案具有对应于所述角区的格栅结构。
5.根据权利要求2所述的显示装置，其中所述第一有机材料层直接在从其去除所述无机层的所述部分的所述基板的部分上。
6.根据权利要求1所述的显示装置，进一步包括绝缘层，所述绝缘层设置在所述无机层上并且对应于所述角区。
7.根据权利要求1所述的显示装置，进一步包括：
薄膜晶体管，所述薄膜晶体管在所述中心显示区、所述第一弯曲显示区和所述第二弯曲显示区处的所述无机层上；和
电连接至所述薄膜晶体管的显示元件。
8.根据权利要求7所述的显示装置，进一步包括：
设置在所述薄膜晶体管上的第一平坦化层；和
设置在所述第一平坦化层上的第二平坦化层。
9.根据权利要求8所述的显示装置，其中所述第一有机材料层和所述第二平坦化层包括相同的材料。
10.根据权利要求7所述的显示装置，进一步包括设置在所述显示元件上的薄膜封装层，所述薄膜封装层包括无机封装层和有机封装层。
11.根据权利要求10所述的显示装置，进一步包括在所述薄膜封装层上的触摸部件，所述触摸部件包括：
第一触摸绝缘层；
在所述第一触摸绝缘层上的第一导电层；
在所述第一导电层上的第二导电层；
在所述第一导电层和所述第二导电层之间的第二触摸绝缘层；和
在所述第二导电层上的第二有机材料层。
12.根据权利要求11所述的显示装置，其中所述第二有机材料层延伸至所述角区并且覆盖所述第一有机材料层。
13.根据权利要求1所述的显示装置，进一步包括对应于所述角区的第一挡板部分，所述第一挡板部分围绕所述开口图案。
14.根据权利要求1所述的显示装置，其中所述基板进一步包括第三弯曲显示区，所述第三弯曲显示区接触所述中心显示区并且围绕第三弯曲轴弯曲。
15.根据权利要求14所述的显示装置，其中所述基板进一步包括第四弯曲显示区，所述第四弯曲显示区接触所述中心显示区并且围绕第四弯曲轴弯曲。
16.一种显示装置，包括：
柔性基板，所述柔性基板包括：
显示区；和
在所述显示区外部的外围区；
在所述柔性基板上的无机层；
形成在所述无机层中并且对应于所述外围区的开口图案；
设置在所述无机层上并且对应于所述外围区的绝缘层；和
设置在所述柔性基板上并且覆盖所述开口图案的第一有机材料层。
17.根据权利要求16所述的显示装置，其中去除所述无机层的部分以形成所述开口图案。
18.根据权利要求16所述的显示装置，其中所述开口图案具有对应于所述外围区的狭缝结构。
19.根据权利要求16所述的显示装置，其中所述开口图案具有对应于所述外围区的格栅结构。
20.根据权利要求17所述的显示装置，其中所述第一有机材料层直接在从其去除所述无机层的所述部分的所述柔性基板的部分上。
21.根据权利要求16所述的显示装置，进一步包括：
在所述柔性基板上方的薄膜晶体管；
设置在所述薄膜晶体管上的第一平坦化层；和
在所述第一平坦化层上的第二平坦化层。
22.根据权利要求21所述的显示装置，其中所述第一有机材料层和所述第二平坦化层包括相同的材料。
23.一种显示装置，包括：
基板，所述基板包括：
显示区；
第一弯曲区，所述第一弯曲区接触所述显示区并且围绕第一弯曲轴弯曲；
第二弯曲区，所述第二弯曲区围绕与所述第一弯曲轴相交的第二弯曲轴弯曲；和
在所述显示区外部的外围区，所述外围区包括角区，所述角区是圆的并且邻近于所述第一弯曲区和所述第二弯曲区；
设置在所述显示区和所述外围区处的无机层；
形成在所述无机层中并且对应于所述角区的开口图案；和
覆盖所述开口图案的第一有机材料层。
24.根据权利要求23所述的显示装置，其中去除所述无机层的部分以形成所述开口图案。
25.根据权利要求23所述的显示装置，其中所述开口图案具有对应于所述角区的狭缝结构。
26.根据权利要求23所述的显示装置，其中所述开口图案具有对应于所述角区的格栅结构。
27.根据权利要求24所述的显示装置，其中所述第一有机材料层直接在从其去除所述无机层的所述部分的所述基板的部分上。
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