KR20230124155A - 표시 장치 및 그 제조 방법 - Google Patents

표시 장치 및 그 제조 방법 Download PDF

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KR20230124155A
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방기호
최원석
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정은애
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삼성디스플레이 주식회사
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Abstract

본 발명은 표시영역 및 상기 표시영역의 외측에 위치하고 접합영역을 포함하는 주변영역을 포함하는 기판; 상기 접합영역 상에 배치되는 도전패턴; 상기 도전패턴의 상면의 적어도 일부 및 측면을 덮는 커버층; 및 상기 표시영역 및 상기 주변영역 상에 배치되고 제1 무기봉지층, 유기봉지층 및 제2 무기봉지층을 포함하는 봉지층;을 구비하고, 상기 접합영역에서 상기 제1 무기봉지층은 상기 커버층 및 상기 제2 무기봉지층과 직접 접하는 표시 장치가 개시된다.

Description

표시 장치 및 그 제조 방법{Display apparatus and method of manufacturing the same}
본 발명은 표시 장치 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
정보화 사회가 발전함에 따라 화상을 표시하기 위한 표시 장치에 대한 요구가 다양한 형태로 증가하고 있다. 또한, 표시 장치의 두께가 얇아지고 무게가 가벼워 그 사용의 범위가 광범위해지고 있는 추세이다.
표시 장치에서 표시영역의 크기를 넓히기 위해 주변영역, 일명, 데드 스페이스(Dead Space)가 점점 작아지는 방향으로 기술개발이 이루어지고 있다.
상기한 바와 같이 이루어진 본 발명의 일 실시예에 따르면, 데드 스페이스의 면적을 줄이면서도 고품질의 이미지를 디스플레이 할 수 있는 표시 장치를 구현할 수 있다. 물론 이러한 효과에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.
본 발명의 일 관점에 따르면, 표시영역 및 상기 표시영역의 외측에 위치하고 접합영역을 포함하는 주변영역을 포함하는 기판; 상기 접합영역 상에 배치되는 도전패턴; 상기 도전패턴의 상면의 적어도 일부 및 측면을 덮는 커버층; 및 상기 표시영역 및 상기 주변영역 상에 배치되고 제1 무기봉지층, 유기봉지층 및 제2 무기봉지층을 포함하는 봉지층;을 구비하고, 상기 접합영역에서 상기 제1 무기봉지층은 상기 커버층 및 상기 제2 무기봉지층과 직접 접하는, 표시 장치가 제공된다.
본 실시예에 있어서, 상기 도전패턴은 제1 방향으로 연장되고, 상기 도전패턴은 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 돌출된 돌기패턴들을 포함할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 주변영역에 위치하는 댐부 및 뱅크를 더 포함하고, 상기 접합영역은 상기 댐부와 상기 뱅크 사이에 위치할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 표시영역 상에 배치되는 제1 연결패턴; 상기 제1 연결패턴 상에 배치되는 제1 유기절연층; 상기 제1 유기절연층 상에 배치되는 제2 연결패턴; 상기 제2 연결패턴 상에 배치되는 제2 유기절연층; 상기 제2 유기절연층 상에 배치되는 제3 연결패턴; 및 상기 제3 연결패턴 상에 배치되는 제3 유기절연층;을 더 포함할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 도전패턴은 상기 제1 연결패턴, 상기 제2 연결패턴, 및 상기 제3 연결패턴 중 하나와 동일한 층에 배치될 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 도전패턴은 상기 제1 연결패턴과 동일한 층에 배치될 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 도전패턴은 순차적으로 적층된 제1 도전층, 제2 도전층 및 제3 도전층을 포함하고, 상기 제1 연결패턴은 순차적으로 적층된 제1 층, 제2 층, 및 제3 층을 포함하며, 상기 제1 도전층, 상기 제2 도전층, 상기 제3 도전층은 각각 상기 제1 층 상기 제2 층 및 상기 제3 층과 동일한 층에 동일한 물질로 구비될 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 커버층은 상기 제1 도전층의 측면, 상기 제2 도전층의 측면, 상기 제3 도전층의 측면 및 상기 제3 도전층의 상면의 적어도 일부를 덮을 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 제3 도전층과 상기 커버층은 동일한 물질을 포함할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 제2 연결패턴은 순차적으로 적층된 제4 층, 제5 층 및 제6 층을 포함하고, 상기 커버층은 상기 제4 층과 동일한 물질을 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 관점에 따르면, 표시영역과 상기 표시영역의 외측에 위치하고 접합영역을 포함하는 주변영역을 포함하는 표시 장치의 제조 방법에 있어서, 상기 표시영역 및 상기 접합영역 상에 제1 패턴용 물질을 형성하는 동작; 상기 표시영역 상의 상기 제1 패턴용 물질을 식각하여 제1 연결패턴 및 상기 접합영역 상의 상기 제1 패턴용 물질을 식각하여 도전패턴을 형성하는 동작; 상기 제1 연결패턴 상에 제1 유기절연층을 형성하는 동작; 상기 제1 유기절연층 및 상기 도전패턴 상에 제2 패턴용 물질을 형성하는 동작; 상기 제1 유기절연층 상의 상기 제2 패턴용 물질을 식각하여 제2 연결패턴 및 상기 도전패턴 상의 상기 제2 패턴용 물질을 식각하여 보호층을 형성하는 동작; 및 상기 보호층의 일부를 제거하는 동작;을 포함하는, 표시 장치의 제조 방법이 제공된다.
본 실시예에 있어서, 상기 보호층은 기판의 두께 방향으로 순차적으로 적층된 커버층, 제1 보호층, 및 제2 보호층을 포함할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 보호층의 일부를 제거하는 동작은, 상기 제2 연결패턴 상에 제2 유기절연층을 형성하는 동작; 상기 제2 유기절연층 및 상기 보호층 상에 제3 패턴용 물질을 형성하는 동작; 상기 제2 유기절연층 상의 상기 제3 패턴용 물질을 식각하여 제3 연결패턴을 형성하고, 상기 보호층 상의 상기 제3 패턴용 물질, 상기 보호층의 상기 제2 보호층 및 상기 보호층의 상기 제1 보호층의 일부분을 제거하는 동작; 상기 제3 연결패턴 상에 제3 유기절연층을 형성하는 동작; 상기 제3 유기절연층 및 상기 제1 보호층 상에 제4 패턴용 물질을 형성하는 동작; 및 상기 제3 유기절연층 상의 상기 제4 패턴용 물질을 식각하여 화소전극을 형성하고, 상기 제1 보호층 상의 상기 제4 패턴용 물질 및 상기 제1 보호층의 나머지 부분을 제거하는 동작;을 포함할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 커버층과 상기 제2 보호층은 동일한 물질로 구비되고, 상기 커버층과 상기 제1 보호층은 상이한 물질로 구비할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 보호층의 일부를 제거하는 동작 이후에, 상기 커버층 상에 제1 무기봉지층 및 제2 무기봉지층을 형성하는 동작을 더 포함할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 접합영역에서 상기 제1 무기봉지층은, 상기 커버층 및 상기 제2 무기봉지층과 직접 접할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 도전패턴은 제1 방향으로 연장되고, 상기 도전패턴은 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 돌출된 돌기패턴들을 포함할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 도전패턴은 순차적으로 적층된 제1 도전층, 제2 도전층 및 제3 도전층을 포함하고, 상기 커버층은 상기 제1 도전층의 측면, 상기 제2 도전층의 측면, 상기 제3 도전층의 측면 및 상기 제3 도전층의 상면의 적어도 일부를 덮을 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 커버층과 상기 제3 도전층은 동일한 물질로 구비될 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 주변영역에 위치하는 댐부 및 뱅크를 더 포함하고, 상기 접합영역은 상기 댐부와 상기 뱅크 사이에 위치할 수 있다.
전술한 것 외의 다른 측면, 특징, 이점은 이하의 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용, 청구범위 및 도면으로부터 명확해질 것이다.
상기한 바와 같이 이루어진 본 발명의 일 실시예에 따르면, 표시 장치의 하단부의 주변영역을 최소화할 수 있는 표시 장치를 구현할 수 있다. 물론 이러한 효과에 의해 본 발명의 범위가 한정된 것은 아니다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 일부분을 개략적으로 도시하는 평면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 일부분을 개략적으로 도시하는 평면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 일 화소에 대응하는 발광다이오드와 전기적으로 연결된 화소회로를 개략적으로 나타낸 등가회로도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 발광다이오드 및 이에 전기적으로 연결된 화소회로를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 5a, 도 5b, 및 도 5c는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 일부분을 개략적으로 도시하는 단면도들이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 일부분을 개략적으로 도시하는 평면도이다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 일부분을 개략적으로 도시하는 단면도이다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 일부분을 개략적으로 도시하는 평면도이다.
도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 일부분을 개략적으로 도시하는 단면도이다.
도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 일부분을 개략적으로 도시하는 평면도이다.
도 11은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 일부분을 개략적으로 도시하는 단면도이다.
도 12 내지 도 22는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법을 개략적으로 도시한 단면도들이다.
본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 본 발명의 효과 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 다양한 형태로 구현될 수 있다.
이하의 실시예에서, 제1, 제2 등의 용어는 한정적인 의미가 아니라 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하는 목적으로 사용되었다.
이하의 실시예에서, 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.
이하의 실시예에서, 포함하다 또는 가지다 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 또는 구성요소가 존재함을 의미하는 것이고, 하나 이상의 다른 특징들 또는 구성요소가 부가될 가능성을 미리 배제하는 것은 아니다.
이하의 실시예에서, 막, 영역, 구성 요소 등의 부분이 다른 부분 위에 또는 상에 있다고 할 때, 다른 부분의 바로 위에 있는 경우뿐만 아니라, 그 중간에 다른 막, 영역, 구성 요소 등이 개재되어 있는 경우도 포함한다.
도면에서는 설명의 편의를 위하여 구성 요소들이 그 크기가 과장 또는 축소될 수 있다. 예를 들어, 도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 본 발명이 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다.
본 명세서에서 "A 및/또는 B"는 A이거나, B이거나, A와 B인 경우를 나타낸다. 또한, 본 명세서에서 "A 및 B 중 적어도 어느 하나"는 A이거나, B이거나, A와 B인 경우를 나타낸다.
이하의 실시예에서, 배선이 "제1 방향 또는 제2 방향으로 연장된다"는 의미는 직선 형상으로 연장되는 것뿐 아니라, 제1 방향 또는 제2 방향을 따라 지그재그 또는 곡선으로 연장되는 것도 포함한다.
이하의 실시예들에서, "평면상"이라 할 때, 이는 대상 부분을 위에서 보았을 때를 의미하며, "단면상"이라 할 때, 이는 대상 부분을 수직으로 자른 단면을 옆에서 보았을 때를 의미한다. 이하의 실시예들에서, "중첩"이라 할 때, 이는 "평면상" 및 "단면상" 중첩을 포함한다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하기로 하며, 도면을 참조하여 설명할 때 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 도면부호를 부여하기로 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 개략적으로 도시한 평면도이다.
도 1을 참조하면, 표시 장치는 표시 패널(1)을 포함할 수 있다. 표시 장치는 후술할 표시 패널(1)을 포함하는 것이라면 어떤 것이든 가능하다. 예컨대 표시 장치는 스마트폰, 태블릿, 랩탑, 텔레비전 또는 광고판 등과 같은 다양한 제품일 수 있다.
표시 패널(1)은 표시영역(DA)과 표시영역(DA) 외측의 주변영역(PA)을 포함할 수 있다. 표시영역(DA)은 이미지를 표시하는 부분으로, 복수의 화소(P)들이 표시영역(DA)에 배치될 수 있다. 표시 패널(1)에서 대략 수직인 방향에서 바라볼 때, 표시영역(DA)은 예컨대, 원형, 타원형, 다각형, 특정 도형의 형상 등 다양한 형상을 가질 수 있다. 도 1에서는 표시영역(DA)이 대략 사각형의 형상을 갖는 것을 도시하지만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 예컨대, 표시영역(DA)은 모서리가 둥근 대략 사각형의 형상을 가질 수 있다.
주변영역(PA)은 표시영역(DA)의 외측에 배치될 수 있다. 주변영역(PA)은 표시영역(DA)을 전체적으로 둘러쌀 수 있다. 주변영역(PA)은 이미지를 표시하지 않는 부분으로서, 표시영역(DA) 상에 배치된 화소(P)들을 구동하는 구동회로들, 배선들 등이 배치될 수 있다.
일 실시예에서, 표시영역(DA)의 하단부에 위치한 주변영역(PA)의 적어도 일부는 벤딩될 수 있다. 표시 패널(1)이 벤딩되는 경우, 표시 장치를 바라볼 때 비표시영역인 주변영역(PA)이 시인되지 않도록 하거나 시인되더라도 그 시인되는 면적이 최소화되도록 할 수 있다.
전술한 표시 패널(1)의 형상은 기판(100)의 형상과 실질적으로 동일할 수 있다. 예컨대, 기판(100)이 표시영역(DA)과 주변영역(PA)을 포함한다고 할 수 있다. 이하에서는, 편의상 기판(100)이 표시영역(DA) 및 주변영역(PA)을 포함하는 것으로 설명하기로 한다.
화소(P)는 표시영역(DA)에 배치되며, 적색, 녹색, 청색의 광을 방출할 수 있다. 예컨대, 화소(P)는 빛을 방출하는 발광다이오드를 이용하여 소정의 색을 갖는 빛을 방출할 수 있다. 발광다이오드는 유기발광다이오드이거나, 무기발광다이오드이거나, 양자점발광다이오드일 수 있다. 이하에서는, 설명의 편의상 발광다이오드가 유기발광다이오드인 경우로 설명한다.
발광다이오드는 발광다이오드의 온/오프 및 휘도 등을 제어하기 위한 신호선 또는 전압선에 연결된 트랜지스터들에 연결될 수 있다. 이와 관련하여, 도 1은 트랜지스터들에 연결된 신호선으로서 스캔선(SL), 발광제어선(EL), 데이터선(DL)을 도시하며, 전압선으로서 구동전압선(PL)을 도시한다. 주변영역(PA)에는 공통전압공급선(10), 구동전압공급선(30), 제1 구동회로(41), 제2 구동회로(43), 및 데이터 구동회로(50)가 배치될 수 있다.
공통전압공급선(10)은 주변영역(PA)에 배치될 수 있다. 공통전압공급선(10)은 제1 공통전압공급선(11), 제2 공통전압공급선(13) 및 바디부(15)를 포함할 수 있다. 제1 공통전압공급선(11) 및 제2 공통전압공급선(13)은 표시영역(DA)의 제1 에지(E1)에 인접한 곳에 배치될 수 있다. 제1 공통전압공급선(11) 및 제2 공통전압공급선(13)은 제1 방향(예컨대, y 방향)으로 연장될 수 있다. 또한, 제1 공통전압공급선(11) 및 제2 공통전압공급선(13)은 제1 방향(예컨대, y 방향)과 교차하는 제2 방향(예컨대, x 방향)으로 상호 이격되어 배치될 수 있다. 제1 공통전압공급선(11)과 제2 공통전압공급선(13)은 표시영역(DA)의 제1 에지(E1)의 양측에 각각 배치될 수 있다. 다만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 공통전압공급선(10)은 제1 공통전압공급선(11) 및 제2 공통전압공급선(13) 사이에 배치된 제3 공통전압공급선을 더 포함할 수 있다. 공통전압공급선(10)이 제1 공통전압공급선(11) 및 제2 공통전압공급선(13) 사이에 배치된 제3 공통전압공급선을 포함하는 경우, 제1 공통전압공급선(11) 및 제2 공통전압공급선(13)만 구비하는 경우에 비하여 전류 인가 시 전류 밀도를 낮출 수 있고 발열을 억제할 수 있다.
제1 공통전압공급선(11) 및 제2 공통전압공급선(13)은 표시영역(DA)의 제2 에지(E2), 제3 에지(E3), 및 제4 에지(E4)를 따라 연장된 바디부(15)에 의해 연결될 수 있다. 일 실시예에서, 제1 공통전압공급선(11), 제2 공통전압공급선(13), 및 바디부(15)는 일체로 형성될 수 있다.
일 실시예에서, 구동전압공급선(30)은 제1 구동전압공급선(31), 제2 구동전압공급선(33), 및 제3 구동전압공급선(35)을 포함할 수 있다. 제1 구동전압공급선(31) 및 제2 구동전압공급선(33)은 제1 방향(예컨대, y 방향)으로 연장될 수 있고, 제3 구동전압공급선(35)은 제2 방향(예컨대, x 방향)으로 연장될 수 있다. 예컨대, 제3 구동전압공급선(35)은 표시영역(DA)의 제1 에지(E1)를 따라 배치될 수 있다. 일 실시예에서, 제1 구동전압공급선(31), 제2 구동전압공급선(33), 및 제3 구동전압공급선(35)은 일체로 구비될 수 있다. 다만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.
구동전압공급선(30)은 주변영역(PA)에 배치되며 제1 방향(예컨대, y 방향)을 따라 표시영역(DA)을 가로지르는 구동전압선(PL)에 전기적으로 연결될 수 있다. 예컨대, 제3 구동전압공급선(35)은 제1 방향(예컨대, y 방향)을 따라 표시영역(DA)을 가로지르는 구동전압선(PL)에 전기적으로 연결될 수 있다.
제1 구동회로(41) 및 제2 구동회로(43)는 주변영역(PA)에 배치되며, 스캔선(SL) 및/또는 발광제어선(EL)과 전기적으로 연결될 수 있다. 일 실시예에서, 스캔선(SL)들 중 일부는 제1 구동회로(41)에 전기적으로 연결되고, 나머지는 제2 구동회로(43)에 연결될 수 있다. 제1 구동회로(41) 및 제2 구동회로(43)는 스캔 신호를 생성하며, 생성된 스캔 신호는 스캔선(SL)을 통해 발광다이오드에 전기적으로 연결된 트랜지스터에 전달될 수 있다. 일 실시예에서, 제1 구동회로(41) 및 제2 구동회로(43) 중 어느 하나는 발광제어 구동회로를 포함할 수 있다. 예컨대, 도 1에 도시된 바와 같이 제1 구동회로(41)는 발광제어 구동회로를 포함하여, 발광제어선(EL)을 통해 발광다이오드에 전기적으로 연결된 트랜지스터에 발광제어신호를 전달할 수 있다. 도 1에서는 발광제어 구동회로가 표시영역(DA)의 일 측에만 배치된 것을 도시하나, 표시영역(DA)을 사이에 두고 양 측에 배치될 수도 있다.
데이터 구동회로(50)는 표시영역(DA)의 하측에 위치하는 주변영역(PA)에 배치될 수 있다. 데이터 구동회로(50)는 데이터선(DL)을 통해 데이터신호를 발광다이오드에 전기적으로 연결된 트랜지스터에 전달할 수 있다.
기판(100)의 일측, 예컨대 주변영역(PA)의 일 단부에는 제1 단자부(TD1)가 위치할 수 있다. 제1 단자부(TD1) 상에는 인쇄회로기판(60)이 부착될 수 있다. 인쇄회로기판(60)은 제1 단자부(TD1)와 전기적으로 연결되는 제2 단자부(TD2)를 포함할 수 있다. 제어부(70)는 인쇄회로기판(60) 상에 배치될 수 있다. 제어부(70)의 제어신호들은 제1 및 제2 단자부(TD1, TD2)를 통해 제1 및 제2 구동회로(41, 42), 데이터 구동회로(50), 구동전압공급선(30), 및 공통전압공급선(10)에 각각 제공될 수 있다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 일부분을 개략적으로 도시하는 평면도이다. 도 2의 실시예는 표시 패널(1)이 표시영역(DA)과 표시영역(DA) 외측의 주변영역(PA) 뿐만 아니라, 개구영역(OA) 및 중간영역(MA)을 포함한다는 점에서 도 1의 실시예와 차이가 있다. 도 2에 있어서 도 1과 동일한 참조부호는 동일한 부재를 일컫는 바 이들의 중복된 설명은 생략하기로 한다.
도 2를 참조하면, 표시 패널(1)은 표시영역(DA)과 표시영역(DA) 외측의 주변영역(PA)을 포함할 수 있다. 또한, 표시 패널(1)은 개구영역(OA)과 중간영역(MA)을 더 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 표시영역(DA)은 개구영역(OA)의 적어도 일부 둘러쌀 수 있다. 중간영역(MA)은 표시영역(DA)과 개구영역(OA) 사이에 위치할 수 있다. 중간영역(MA)은 평면 상에서 개구영역(OA)을 전체적으로 둘러싸는 폐루프 형상을 가질 수 있다.
개구영역(OA)은 표시영역(DA)의 내측에 위치할 수 있다. 일 실시예에서, 개구영역(OA)은 도 2에 도시된 바와 같이 표시영역(DA)의 우상측에 배치될 수 있다. 또는, 개구영역(OA)은 표시영역(DA)의 좌상측에 배치되거나, 표시영역(DA)의 상측 가운데에 배치되는 것과 같이 다양하게 배치될 수 있다. 도 2에서는 하나의 개구영역(OA)이 구비된 것으로 도시되어 있으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 예컨대, 복수 개의 개구영역(OA)이 구비될 수 있다.
또한, 도시되지는 않았으나, 개구영역(OA)의 하부에는 컴포넌트가 배치될 수 있다. 컴포넌트는 전자요소를 포함할 수 있다. 예컨대, 컴포넌트는 빛이나 음향을 이용하는 전자요소일 수 있다. 예컨대, 전자요소는 적외선 센서와 같이 빛을 이용하는 센서, 빛을 수광하여 이미지를 촬상하는 카메라, 빛이나 음향을 출력하고 감지하여 거리를 측정하거나 지문 등을 인식하는 센서, 빛을 출력하는 소형 램프이거나, 소리를 출력하는 스피커 등을 포함할 수 있다. 빛을 이용하는 전자요소는, 가시광, 적외선광, 자외선광 등과 같이 다양한 파장 대역의 빛을 이용할 수 있다. 개구영역(OA)은 컴포넌트로부터 외부로 출력되거나 외부로부터 전자요소를 향해 진행하는 빛 또는/및 음향이 투과할 수 있는 영역에 해당할 수 있다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 일 화소에 대응하는 발광다이오드와 전기적으로 연결된 화소회로를 개략적으로 나타낸 등가회로도이다.
화소회로(PC)는 도 3에 도시된 것과 같이 복수의 박막트랜지스터들(T1 내지 T7) 및 스토리지 커패시터(Cst)를 포함할 수 있다. 복수의 박막트랜지스터들(T1 내지 T7) 및 스토리지 커패시터(Cst)는 신호선들(SL1, SL2, SLp, SLn, EL, DL), 제1 초기화전압선(VL1), 제2 초기화전압선(VL2) 및 구동전압선(PL)에 연결될 수 있다. 이러한 배선들 중 적어도 어느 하나, 예컨대, 구동전압선(PL)은 이웃하는 화소회로(PC)들에서 공유될 수 있다.
일 실시예에서, 복수의 박막트랜지스터들(T1 내지 T7)은 구동 트랜지스터(T1), 스위칭 트랜지스터(T2), 보상 트랜지스터(T3), 제1 초기화 트랜지스터(T4), 동작제어 트랜지스터(T5), 발광제어 트랜지스터(T6) 및 제2 초기화 트랜지스터(T7)를 포함할 수 있다. 다만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.
유기발광다이오드(OLED)는 화소전극 및 대향전극을 포함할 수 있으며, 유기발광다이오드(OLED)의 화소전극은 발광제어 트랜지스터(T6)를 매개로 구동 트랜지스터(T1)에 연결되어 구동 전류를 제공받을 수 있고, 대향전극은 공통전압(ELVSS)을 제공받을 수 있다. 유기발광다이오드(OLED)는 구동 전류에 상응하는 휘도의 광을 생성할 수 있다.
복수의 박막트랜지스터들(T1 내지 T7) 중 일부는 NMOS(n-channel MOSFET)이고 나머지는 PMOS(p-channel MOSFET)일 수 있다. 예컨대, 복수의 박막트랜지스터들(T1 내지 T7) 중 보상 트랜지스터(T3)와 제1 초기화 트랜지스터(T4)는 NMOS(n-channel MOSFET)이고, 나머지는 PMOS(p-channel MOSFET)일 수 있다. 또는, 복수의 박막트랜지스터들(T1 내지 T7) 중 보상 트랜지스터(T3), 제1 초기화 트랜지스터(T4) 및 제2 초기화 트랜지스터(T7)는 NMOS이고, 나머지는 PMOS일 수 있다. 또는, 복수의 박막트랜지스터들(T1 내지 T7) 모두 NMOS이거나 모두 PMOS일 수 있다. 복수의 박막트랜지스터들(T1 내지 T7)는 비정질실리콘 또는 폴리실리콘을 포함할 수 있다. 필요에 따라, NMOS인 박막트랜지스터는 산화물 반도체를 포함할 수 있다. 이하에서는 편의상 보상 트랜지스터(T3)와 제1 초기화 트랜지스터(T4)는 산화물 반도체를 포함하는 NMOS(n-channel MOSFET)이고, 나머지는 PMOS(p-channel MOSFET)인 경우에 대해 설명한다.
신호선은 제1 스캔선(SL1), 제2 스캔선(SL2), 이전 스캔선(SLp), 이후 스캔선(SLn), 발광제어선(EL), 및 데이터선(DL)을 포함할 수 있다. 다만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 또한, 제1 스캔선(SL1)은 제1 스캔신호(Sn)를 전달할 수 있다. 제2 스캔선(SL2)은 제2 스캔신호(Sn')를 전달할 수 있다. 이전 스캔선(SLp)은 제1 초기화 트랜지스터(T4)에 이전 스캔신호(Sn-1)를 전달할 수 있다. 이후 스캔선(SLn)은 제2 초기화 트랜지스터(T7)에 이후 스캔신호(Sn+1)를 전달할 수 있다. 발광제어선(EL)은 동작제어 트랜지스터(T5) 및 발광제어 트랜지스터(T6)에 발광제어신호(En)를 전달할 수 있다. 데이터선(DL)은 데이터신호(Dm)를 전달할 수 있다.
구동전압선(PL)은 구동 트랜지스터(T1)에 구동전압(ELVDD)을 전달할 수 있고, 제1 초기화전압선(VL1)은 구동 트랜지스터(T1)를 초기화하는 제1 초기화전압(Vint1)을 전달할 수 있으며, 제2 초기화전압선(VL2)은 유기발광다이오드(OLED)의 화소전극을 초기화하는 제2 초기화전압(Vint2)을 전달할 수 있다.
구동 트랜지스터(T1)의 구동 게이트전극은 제2 노드(N2)를 통해 스토리지 커패시터(Cst)와 연결되어 있고, 구동 트랜지스터(T1)의 소스영역과 드레인영역 중 어느 하나는 제1 노드(N1)를 통해 동작제어 트랜지스터(T5)를 경유하여 구동전압선(PL)에 연결되어 있으며, 구동 트랜지스터(T1)의 소스영역과 드레인영역 중 다른 하나는 제3 노드(N3)를 통해 발광제어 트랜지스터(T6)를 경유하여 유기발광다이오드(OLED)의 화소전극과 전기적으로 연결될 수 있다. 구동 트랜지스터(T1)는 스위칭 트랜지스터(T2)의 스위칭 동작에 따라 데이터신호(Dm)를 전달받아 유기발광다이오드(OLED)에 구동 전류를 공급할 수 있다. 즉, 구동 트랜지스터(T1)는 데이터신호(Dm)에 의해 달라지는 제2 노드(N2)에 인가된 전압에 대응하여, 구동전압선(PL)과 전기적으로 접속된 제1 노드(N1)로부터 유기발광다이오드(OLED)로 흐르는 전류량을 제어할 수 있다.
스위칭 트랜지스터(T2)의 스위칭 게이트전극은 제1 스캔신호(Sn)를 전달하는 제1 스캔선(SL1)에 연결되어 있고, 스위칭 트랜지스터(T2)의 소스영역과 드레인영역 중 하나는 데이터선(DL)에 연결되어 있으며, 스위칭 트랜지스터(T2)의 소스영역과 드레인영역 중 다른 하나는 제1 노드(N1)를 통해 구동 트랜지스터(T1)에 연결되면서 동작제어 트랜지스터(T5)를 경유하여 구동전압선(PL)에 연결될 수 있다. 스위칭 트랜지스터(T2)는 제1 스캔선(SL1)에 인가된 전압에 대응하여, 데이터선(DL)으로부터의 데이터신호(Dm)를 제1 노드(N1)로 전달할 수 있다. 즉, 스위칭 트랜지스터(T2)는 제1 스캔선(SL1)을 통해 전달받은 제1 스캔신호(Sn)에 따라 턴-온되어 데이터선(DL)으로 전달된 데이터신호(Dm)를 제1 노드(N1)를 통해 구동 트랜지스터(T1)로 전달하는 스위칭 동작을 수행할 수 있다.
보상 트랜지스터(T3)의 보상 게이트전극은 제2 스캔선(SL2)에 연결되어 있다. 보상 트랜지스터(T3)의 소스영역과 드레인영역 중 하나는 제3 노드(N3)를 통해 발광제어 트랜지스터(T6)를 경유하여 유기발광다이오드(OLED)의 화소전극에 연결될 수 있다. 보상 트랜지스터(T3)의 소스영역과 드레인영역 중 다른 하나는 제2 노드(N2)를 통해 스토리지 커패시터(Cst)의 제1 커패시터 전극(CE1) 및 구동 트랜지스터(T1)의 구동 게이트전극에 연결될 수 있다. 이러한 보상 트랜지스터(T3)는 제2 스캔선(SL2)을 통해 전달받은 제2 스캔신호(Sn')에 따라 턴-온되어 구동 트랜지스터(T1)를 다이오드 연결시킬 수 있다.
제1 초기화 트랜지스터(T4)의 제1 초기화 게이트전극은 이전 스캔선(SLp)에 연결될 수 있다. 제1 초기화 트랜지스터(T4)의 소스영역과 드레인영역 중 하나는 제1 초기화전압선(VL1)에 연결될 수 있다. 제1 초기화 트랜지스터(T4)의 소스영역과 드레인영역 중 다른 하나는 제2 노드(N2)를 통해 스토리지 커패시터(Cst)의 제1 커패시터 전극(CE1)과 구동 트랜지스터(T1)의 구동 게이트전극 등에 연결될 수 있다. 제1 초기화 트랜지스터(T4)는 이전 스캔선(SLp)에 인가된 전압에 대응하여, 제1 초기화전압선(VL1)으로부터의 제1 초기화전압(Vint1)을 제2 노드(N2)에 인가할 수 있다. 즉, 제1 초기화 트랜지스터(T4)는 이전 스캔선(SLp)을 통해 전달받은 이전 스캔신호(Sn-1)에 따라 턴-온되어 제1 초기화전압(Vint1)을 구동 트랜지스터(T1)의 구동 게이트전극에 전달하여 구동 트랜지스터(T1)의 구동 게이트전극의 전압을 초기화시키는 초기화동작을 수행할 수 있다.
동작제어 트랜지스터(T5)의 동작제어 게이트전극은 발광제어선(EL)에 연결되어 있으며, 동작제어 트랜지스터(T5)의 소스영역과 드레인영역 중 하나는 구동전압선(PL)과 연결되어 있고 다른 하나는 제1 노드(N1)를 통해 구동 트랜지스터(T1) 및 스위칭 트랜지스터(T2)에 연결될 수 있다.
발광제어 트랜지스터(T6)의 발광제어 게이트전극은 발광제어선(EL)에 연결되어 있고, 발광제어 트랜지스터(T6)의 소스영역과 드레인영역 중 하나는 제3 노드(N3)를 통해 구동 트랜지스터(T1) 및 보상 트랜지스터(T3)에 연결되어 있으며, 발광제어 트랜지스터(T6)의 소스영역과 드레인영역 중 다른 하나는 유기발광다이오드(OLED)의 화소전극에 전기적으로 연결될 수 있다.
동작제어 트랜지스터(T5) 및 발광제어 트랜지스터(T6)는 발광제어선(EL)을 통해 전달받은 발광제어신호(En)에 따라 동시에 턴-온되어, 구동전압(ELVDD)이 유기발광다이오드(OLED)에 전달되어 유기발광다이오드(OLED)에 구동전류가 흐르도록 할 수 있다.
제2 초기화 트랜지스터(T7)의 제2 초기화 게이트전극은 이후 스캔선(SLn)에 연결되어 있고, 제2 초기화 트랜지스터(T7)의 소스영역과 드레인영역 중 하나는 유기발광다이오드(OLED)의 화소전극에 연결되어 있으며, 제2 초기화 트랜지스터(T7)의 소스영역과 드레인영역 중 다른 하나는 제2 초기화전압선(VL2)에 연결되어, 제2 초기화전압(Vint2)을 제공받을 수 있다. 제2 초기화 트랜지스터(T7)는 이후 스캔선(SLn)을 통해 전달받은 이후 스캔신호(Sn+1)에 따라 턴-온되어 유기발광다이오드(OLED)의 화소전극을 초기화시킬 수 있다. 이후 스캔선(SLn)은 제1 스캔선(SL1)과 동일할 수 있다. 이 경우 해당 스캔선은 동일한 전기적 신호를 시간차를 두고 전달하여, 제1 스캔선(SL1)으로 기능하기도 하고 이후 스캔선(SLn)으로 기능할 수도 있다. 즉, 이후 스캔선(SLn)은 도 3에 도시된 화소회로(PC)에 인접하되 동일한 데이터선(DL)에 전기적으로 연결된 다른 화소회로의 제1 스캔선(SL1)일 수 있다.
스토리지 커패시터(Cst)는 제1 커패시터 전극(CE1)과 제2 커패시터 전극(CE2)을 포함할 수 있다. 스토리지 커패시터(Cst)의 제1 커패시터 전극(CE1)은 제2 노드(N2)를 통해 구동 트랜지스터(T1)의 구동 게이트전극과 연결되며, 스토리지 커패시터(Cst)의 제2 커패시터 전극(CE2)은 구동전압선(PL)과 연결될 수 있다. 스토리지 커패시터(Cst)는 구동 트랜지스터(T1)의 구동 게이트전극 전압과 구동전압(ELVDD) 차에 대응하는 전하가 저장될 수 있다.
일 실시예에 따른 화소회로(PC) 및 유기발광다이오드(OLED)의 구체적 동작은 다음과 같다.
초기화 기간 동안, 이전 스캔선(SLp)을 통해 이전 스캔신호(Sn-1)가 공급되면, 이전 스캔신호(Sn-1)에 대응하여 제1 초기화 트랜지스터(T4)가 턴-온(Turn on)되며, 제1 초기화전압선(VL1)으로부터 공급되는 제1 초기화전압(Vint1)에 의해 구동 트랜지스터(T1)가 초기화될 수 있다.
데이터 프로그래밍 기간 동안, 제1 스캔선(SL1) 및 제2 스캔선(SL2)을 통해 제1 스캔신호(Sn) 및 제2 스캔신호(Sn')가 공급되면, 제1 스캔신호(Sn) 및 제2 스캔신호(Sn')에 대응하여 스위칭 트랜지스터(T2) 및 보상 트랜지스터(T3)가 턴-온될 수 있다. 이때, 구동 트랜지스터(T1)는 턴-온된 보상 트랜지스터(T3)에 의해 다이오드 연결되고, 순방향으로 바이어스 될 수 있다. 그러면, 데이터선(DL)으로부터 공급된 데이터신호(Dm)에서 구동 트랜지스터(T1)의 문턱 전압(Threshold voltage, Vth)만큼 감소한 보상 전압(Dm+Vth, Vth는 (-)의 값)이 구동 트랜지스터(T1)의 구동 게이트전극에 인가될 수 있다. 스토리지 커패시터(Cst)의 양단에는 구동전압(ELVDD)과 보상 전압(Dm+Vth)이 인가되고, 스토리지 커패시터(Cst)에는 양단 전압 차에 대응하는 전하가 저장될 수 있다.
발광 기간 동안, 발광제어선(EL)으로부터 공급되는 발광제어신호(En)에 의해 동작제어 트랜지스터(T5) 및 발광제어 트랜지스터(T6)가 턴-온될 수 있다. 구동 트랜지스터(T1)의 구동 게이트전극의 전압과 구동전압(ELVDD) 간의 전압차에 따르는 구동 전류가 발생하고, 발광제어 트랜지스터(T6)를 통해 구동 전류가 유기발광다이오드(OLED)에 공급될 수 있다.
전술한 것과 같이 복수의 박막트랜지스터들(T1 내지 T7) 중 일부는 산화물 반도체를 포함할 수 있다. 예컨대 보상 트랜지스터(T3)와 제1 초기화 트랜지스터(T4)는 산화물 반도체를 포함할 수 있다. 다만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.
폴리실리콘의 경우 높은 신뢰성을 갖기에, 정확하게 의도된 전류가 흐르도록 제어할 수 있다. 따라서 표시 장치의 밝기에 직접적으로 영향을 미치는 구동 트랜지스터(T1)의 경우 높은 신뢰성을 갖는 폴리실리콘으로 구성된 반도체층을 포함하도록 하여, 이를 통해 고해상도의 표시 장치를 구현할 수 있다. 한편 산화물 반도체는 높은 캐리어 이동도(high carrier mobility) 및 낮은 누설 전류를 가지므로, 구동 시간이 길더라도 전압 강하가 크지 않다. 즉, 산화물 반도체의 경우 저주파 구동 시에도 전압 강하에 따른 화상의 색상 변화가 크지 않으므로, 저주파 구동이 가능하다. 따라서 보상 트랜지스터(T3)와 제1 초기화 트랜지스터(T4)는 산화물 반도체를 포함하도록 하여, 누설전류의 발생을 방지하는 동시에 소비전력이 줄어든 표시 장치를 구현할 수 있다.
한편, 이러한 산화물 반도체는 광에 민감하여, 외부로부터의 광에 의해 전류량 등에 변동이 발생할 수 있다. 따라서 산화물 반도체 하부에 금속층을 위치시켜 외부로부터의 광을 흡수 또는 반사시킬 수 있다. 이에 따라 도 3에 도시된 것과 같이, 산화물 반도체를 포함하는 보상 트랜지스터(T3)와 제1 초기화 트랜지스터(T4) 각각은 산화물 반도체층 상부와 하부 각각에 게이트전극이 위치할 수 있다. 즉, 기판(100)의 상면에 수직인 방향(예컨대, z축 방향)에서 바라볼 때, 산화물 반도체 하부에 위치하는 금속층은 산화물 반도체와 중첩될 수 있다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 발광다이오드 및 이에 전기적으로 연결된 화소회로를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 4를 참조하면, 표시영역(DA)에 유기발광다이오드(OLED)가 배치되되, 유기발광다이오드(OLED)는 기판(100)에 수직한 방향(예컨대, z 방향)을 따라 기판(100)과 유기발광다이오드(OLED) 사이에 개재된 화소회로(PC)에 전기적으로 연결될 수 있다.
기판(100)은 글래스재 또는 고분자 수지를 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 기판(100)은 고분자 수지를 포함하는 베이스층과 실리콘옥사이드나 실리콘나이트라이드와 같은 무기절연물을 포함하는 배리어층의 교번 적층 구조를 가질 수 있다. 예컨대, 기판(100)은 순차적으로 적층된 제1 베이스층(100a), 제1 배리어층(100b), 제2 베이스층(100c), 및 제2 배리어층(100d)을 포함할 수 있다. 제1 베이스층(100a)과 제2 베이스층(100c)은 고분자 수지를 포함할 수 있고, 제1 배리어층(100b)과 제2 배리어층(100d)은 무기절연물을 포함할 수 있다. 고분자 수지는 폴리에테르술폰, 폴리아릴레이트, 폴리에테르 이미드, 폴리에틸렌 나프탈레이트, 폴리에틸렌 테레프탈레이트, 폴리페닐렌 설파이드, 폴리이미드, 폴리카보네이트, 셀룰로오스 트리 아세테이트, 셀룰로오스 아세테이트 프로피오네이트 등일 수 있다.
기판(100) 상에는 버퍼층(201)이 배치될 수 있다. 버퍼층(201)은 기판(100)의 하부로부터 이물, 습기 또는 외기의 침투를 감소 또는 차단시킬 수 있다. 버퍼층(201)은 실리콘옥사이드, 실리콘옥시나이트라이드, 실리콘나이트라이드와 같은 무기물을 포함할 수 있고, 전술한 물질을 포함하는 단층 또는 다층으로 구비될 수 있다.
화소회로(PC)는 앞서 도 3에서 설명한 바와 같이 복수의 트랜지스터들 및 스토리지 커패시터를 포함할 수 있으며, 이와 관련하여 도 4는 구동 트랜지스터(T1), 보상 트랜지스터(T3), 및 스토리지 커패시터(Cst)를 도시한다.
구동 트랜지스터(T1)는 버퍼층(201) 상의 반도체층(이하, 구동 반도체층이라 함, A1) 및 구동 반도체층(A1)의 채널영역(C1)과 중첩하는 구동 게이트전극(GE1)을 포함할 수 있다. 구동 반도체층(A1)은 실리콘계 반도체물질, 예컨대 폴리 실리콘을 포함할 수 있다. 구동 반도체층(A1)은 채널영역(C1)과 채널영역(C1)의 양측에 배치된 제1 영역(B1) 및 제2 영역(D1)을 포함할 수 있다. 제1 영역(B1) 및 제2 영역(D1)은 채널영역(C1) 보다 고농도의 불순물을 포함하는 영역으로, 제1 영역(B1) 및 제2 영역(D1) 중 하나는 소스영역이고 다른 하나는 드레인영역에 해당할 수 있다.
구동 반도체층(A1)과 구동 게이트전극(GE1) 사이에는 제1 게이트절연층(203)이 배치될 수 있다. 제1 게이트절연층(203)은 실리콘옥사이드(SiOX), 실리콘나이트라이드(SiNX), 실리콘옥시나이트라이드(SiON)와 같은 무기절연물을 포함할 수 있으며, 전술한 무기절연물을 포함하는 단일층 또는 다층 구조를 포함할 수 있다.
구동 게이트전극(GE1)은 몰리브데넘(Mo), 알루미늄(Al), 구리(Cu), 티타늄(Ti) 등을 포함하는 도전 물질을 포함할 수 있고, 전술한 물질을 포함하는 단일층 또는 다층 구조를 포함할 수 있다.
스토리지 커패시터(Cst)는 서로 중첩하는 제1 커패시터 전극(CE1) 및 제2 커패시터 전극(CE2)을 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 스토리지 커패시터(Cst)의 제1 커패시터 전극(CE1)은 구동 게이트전극(GE1)을 포함할 수 있다. 달리 말하면, 구동 게이트전극(GE1)은 스토리지 커패시터(Cst)의 제1 커패시터 전극(CE1)을 포함할 수 있다. 예컨대, 구동 게이트전극(GE1)과 제1 커패시터 전극(CE1)은 일체로 형성될 수 있다.
스토리지 커패시터(Cst)의 제1 커패시터 전극(CE1)과 제2 커패시터 전극(CE2) 사이에는 제1 층간절연층(205)이 배치될 수 있다. 제1 층간절연층(205)은 실리콘옥사이드(SiOX), 실리콘나이트라이드(SiNX), 실리콘옥시나이트라이드(SiON)와 같은 무기절연물을 포함할 수 있으며, 전술한 무기절연물을 포함하는 단일층 또는 다층 구조를 포함할 수 있다.
스토리지 커패시터(Cst)의 제2 커패시터 전극(CE2)은 몰리브데넘(Mo), 알루미늄(Al), 구리(Cu) 및/또는 티타늄(Ti)과 같은 저저항의 도전 물질을 포함할 수 있으며, 전술한 물질로 이루어진 단일층 또는 다층 구조를 포함할 수 있다.
스토리지 커패시터(Cst) 상에는 제2 층간절연층(207)이 배치될 수 있다. 제2 층간절연층(207)은 실리콘옥사이드(SiOX), 실리콘나이트라이드(SiNX), 실리콘옥시나이트라이드(SiON)와 같은 무기절연물을 포함할 수 있으며, 전술한 무기절연물을 포함하는 단일층 또는 다층 구조를 포함할 수 있다.
보상 트랜지스터(T3)의 반도체층(이하, 보상 반도체층이라 함, A3)은 제2 층간절연층(207) 상에 배치될 수 있다. 보상 반도체층(A3)은 산화물계 반도체 물질을 포함할 수 있다. 예컨대, 보상 반도체층(A3)은 Zn 산화물계 물질, 예컨대 Zn 산화물, In-Zn 산화물, Ga-In-Zn 산화물 등으로 형성될 수 있다. 또는, 보상 반도체층(A3)은 ZnO에 인듐(In)과 갈륨(Ga), 주석(Sn)과 같은 금속이 함유된 IGZO(In-Ga-Zn-O), ITZO(In-Sn-Zn-O), 또는 IGTZO(In-Ga-Sn-Zn-O) 반도체일 수 있다.
보상 반도체층(A3)은 채널영역(C3) 및 채널영역(C3)의 양측에 배치된 제3 영역(B3) 및 제4 영역(D3)을 포함할 수 있다. 제3 영역(B3) 및 제4 영역(D3) 중 하나는 소스영역이고 다른 하나는 드레인영역에 해당할 수 있다.
보상 트랜지스터(T3)는 보상 반도체층(A3)의 채널영역(C3)에 중첩하는 보상 게이트전극(GE3)을 포함할 수 있다. 보상 게이트전극(GE3)은 보상 반도체층(A3)의 아래에 배치된 하부 게이트전극(G3A) 및 채널영역(C3)의 위에 배치된 상부 게이트전극(G3B)을 포함하는 이중 게이트 구조를 가질 수 있다.
하부 게이트전극(G3A)은 스토리지 커패시터(Cst)의 제2 커패시터 전극(CE2)과 동일한 층(예컨대, 제1 층간절연층(205)) 상에 배치될 수 있다. 하부 게이트전극(G3A)은 스토리지 커패시터(Cst)의 제2 커패시터 전극(CE2)과 동일한 물질을 포함할 수 있다.
상부 게이트전극(G3B)은 제2 게이트절연층(209)을 사이에 두고 보상 반도체층(A3) 위에 배치될 수 있다. 제2 게이트절연층(209)은 실리콘옥사이드(SiOX), 실리콘나이트라이드(SiNX), 실리콘옥시나이트라이드(SiON)와 같은 무기절연물을 포함할 수 있으며, 전술한 무기절연물을 포함하는 단일층 또는 다층 구조를 포함할 수 있다.
제3 층간절연층(210)은 상부 게이트전극(G3B) 상에 배치될 수 있다. 제3 층간절연층(210)은 실리콘옥사이드(SiOX), 실리콘나이트라이드(SiNX), 실리콘옥시나이트라이드(SiON)와 같은 무기절연물을 포함할 수 있으며, 전술한 무기절연물을 포함하는 단일층 또는 다층 구조를 포함할 수 있다.
구동 트랜지스터(T1)와 보상 트랜지스터(T3)는 제1 연결패턴(160)을 통해 전기적으로 연결될 수 있다. 제1 연결패턴(160)은 제3 층간절연층(210) 상에 배치될 수 있다. 제1 연결패턴(160)의 일측은 구동 트랜지스터(T1)의 구동 게이트전극(GE1)에 접속될 수 있고, 제1 연결패턴(160)의 타측은 보상 트랜지스터(T3)의 보상 반도체층(A3)에 접속될 수 있다. 다만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 제1 연결패턴(160)은 제3 층간절연층(210) 상에 배치된 배선 또는 도전층을 의미하는 것일 수 있다.
제1 연결패턴(160)은 알루미늄(Al), 구리(Cu), 및/또는 티타늄(Ti)을 포함할 수 있으며, 전술한 물질을 포함하는 단층 또는 다층으로 이루어질 수 있다. 예컨대, 제1 연결패턴(160)은 티타늄층/알루미늄층/티타늄층의 3층 구조를 가질 수 있다. 이에 대해서는 도 5a에서 보다 자세히 설명하기로 한다.
제1 유기절연층(211)은 제1 연결패턴(160) 상에 배치될 수 있다. 제1 유기절연층(211)은 유기절연물을 포함할 수 있다. 유기절연물은 아크릴, BCB(Benzocyclobutene), 폴리이미드(polyimide) 및/또는 HMDSO(Hexamethyldisiloxane) 등을 포함할 수 있다.
제1 유기절연층(211) 상에는 제2 연결패턴(170)이 배치될 수 있다. 제2 연결패턴(170)은 알루미늄(Al), 구리(Cu), 및/또는 티타늄(Ti)을 포함할 수 있으며, 전술한 물질을 포함하는 단층 또는 다층으로 이루어질 수 있다. 예컨대, 제2 연결패턴(170)은 각각 티타늄층/알루미늄층/티타늄층의 3층 구조를 가질 수 있다. 이에 대해서는 도 5b에서 보다 자세히 설명하기로 한다.
제2 연결패턴(170) 상에는 제2 유기절연층(212)이 배치될 수 있다. 제2 유기절연층(212)은 아크릴, BCB, 폴리이미드 및/또는 HMDSO와 같은 유기절연물을 포함할 수 있다.
제2 유기절연층(212) 상에는 제3 연결패턴(180) 및 데이터선(DL)이 배치될 수 있다. 다만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 데이터선(DL)은 제3 층간절연층(210) 또는 제1 유기절연층(211) 상에 배치될 수도 있다. 제3 연결패턴(180) 및 데이터선(DL)은 알루미늄(Al), 구리(Cu), 및/또는 티타늄(Ti)을 포함할 수 있으며, 전술한 물질을 포함하는 단층 또는 다층으로 이루어질 수 있다. 예컨대, 제3 연결패턴(180) 및 데이터선(DL)은 티타늄층/알루미늄층/티타늄층의 3층 구조를 가질 수 있다. 이에 대해서는 도 5c에서 보다 자세히 설명하기로 한다.
제3 연결패턴(180) 및 데이터선(DL) 상에는 제3 유기절연층(213)이 배치될 수 있다. 제3 유기절연층(213)은 아크릴, BCB, 폴리이미드 및/또는 HMDSO와 같은 유기절연물을 포함할 수 있다.
도 4에서는 제1 유기절연층(211), 제2 유기절연층(212), 및 제3 유기절연층(213)이 구비된 것으로 도시되어 있으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 예컨대, 제1 유기절연층(211), 제2 유기절연층(212), 및 제3 유기절연층(213) 중 적어도 하나는 생략될 수도 있다.
유기발광다이오드(OLED)는 제3 유기절연층(213) 상에 배치될 수 있다. 유기발광다이오드(OLED)는 화소전극(221), 중간층(222), 및 대향전극(223)을 포함할 수 있다.
제3 유기절연층(213) 상에는 화소전극(221)이 배치될 수 있다. 화소전극(221)은 은(Ag), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크로뮴(Cr) 또는 이들의 화합물을 포함하는 반사막을 포함할 수 있다. 또는, 화소전극(221)은 전술한 반사막의 위 및/또는 아래에 도전성 산화물층을 더 포함할 수 있다. 도전성 산화물층은 인듐틴옥사이드(ITO; indium tin oxide), 인듐징크옥사이드(IZO; indium zinc oxide), 징크옥사이드(ZnO; zinc oxide), 인듐옥사이드(In2O3: indium oxide), 인듐갈륨옥사이드(IGO; indium gallium oxide) 및/또는 알루미늄징크옥사이드(AZO; aluminum zinc oxide)를 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 화소전극(221)은 ITO층/Ag층/ITO층의 3층 구조를 가질 수 있다.
화소전극(221) 상에는 화소정의막(215)이 배치될 수 있다. 화소정의막(215)에는 화소전극(221)의 적어도 일부를 노출시키는 개구가 정의될 수 있다. 화소정의막(215)에 정의된 개구를 통해 화소전극(221)의 중앙부가 노출될 수 있다.
이러한 화소정의막(215)은 유기절연물을 포함할 수 있다. 또는, 화소정의막(215)은 실리콘나이트라이드나 실리콘옥시나이트라이드, 또는 실리콘옥사이드와 같은 무기절연물을 포함할 수 있다. 또는, 화소정의막(215)은 유기절연물 및 무기절연물을 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 화소정의막(215)은 광차단 물질을 포함하며, 블랙으로 구비될 수 있다. 광차단 물질은 카본 블랙, 탄소나노튜브, 블랙 염료를 포함하는 수지 또는 페이스트, 금속 입자, 예컨대, 니켈, 알루미늄, 몰리브덴, 및 그의 합금, 금속 산화물 입자(예컨대, 크롬 산화물) 또는 금속 질화물 입자(예컨대, 크롬 질화물) 등을 포함할 수 있다. 화소정의막(215)이 광차단 물질을 포함하는 경우, 화소정의막(215)의 하부에 배치된 금속 구조물들에 의한 외광 반사를 줄일 수 있다.
화소정의막(215) 상에는 스페이서(217)가 배치될 수 있다. 스페이서(217)는 폴리이미드와 같은 유기 절연물을 포함할 수 있다. 또는, 스페이서(217)는 실리콘옥사이드, 실리콘나이트라이드, 실리콘옥시나이트라이드 등과 같은 무기절연물을 포함하거나, 유기절연물 및 무기절연물을 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 스페이서(217)는 화소정의막(215)과 동일한 물질을 포함할 수 있다. 이 경우, 화소정의막(215)과 스페이서(217)는 하프 톤 마스크 등을 이용한 마스크 공정에서 함께 형성될 수 있다. 일 실시예에서, 스페이서(217)와 화소정의막(215)은 다른 물질을 포함할 수 있다.
화소전극(221) 상에는 중간층(222)이 배치될 수 있다. 중간층(222)은 순차적으로 적층된 제1 기능층(222a), 발광층(222b), 및 제2 기능층(222c)을 포함할 수 있다. 제1 기능층(222a)과 제2 기능층(222c)을 통틀어 기능층이라고 할 수 있다.
발광층(222b)은 화소정의막(215)에 정의된 개구 내에 배치될 수 있다. 발광층(222b)은 소정의 색상의 빛을 방출하는 고분자 유기물 또는 저분자 유기물을 포함할 수 있다.
제1 기능층(222a)은 화소전극(221)과 발광층(222b) 사이에 개재될 수 있고, 제2 기능층(222c)은 발광층(222b)과 대향전극(223) 사이에 개재될 수 있다. 다만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 제1 기능층(222a) 및 제2 기능층 중 적어도 하나는 생략될 수도 있다.
제1 기능층(222a)은 예컨대, 홀 수송층(HTL: Hole Transport Layer)을 포함하거나, 홀 수송층과 홀 주입층(HIL: Hole Injection Layer)을 포함할 수 있다. 제2 기능층(222c)은 전자 수송층(ETL: Electron Transport Layer) 및/또는 전자 주입층(EIL: Electron Injection Layer)을 포함할 수 있다. 제1 기능층(222a) 및/또는 제2 기능층(222c)은 기판(100)을 전체적으로 커버하도록 형성되는 공통층일 수 있다.
대향전극(223)은 일함수가 낮은 도전성 물질로 이루어질 수 있다. 예컨대, 대향전극(223)은 은(Ag), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크로뮴(Cr), 리튬(Li), 칼슘(Ca) 또는 이들의 합금 등을 포함하는 (반)투명층을 포함할 수 있다. 또는, 대향전극(223)은 전술한 물질을 포함하는 (반)투명층 상에 ITO, IZO, ZnO 또는 In2O3과 같은 층을 더 포함할 수 있다.
유기발광다이오드(OLED)는 봉지층(300)으로 커버될 수 있다. 봉지층(300)은 적어도 하나의 유기봉지층 및 적어도 하나의 무기봉지층을 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 봉지층(300)은 제1 무기봉지층(310), 제2 무기봉지층(330) 및 유기봉지층(320)을 포함할 수 있다. 유기봉지층(320)은 제1 무기봉지층(310)과 제2 무기봉지층(330) 사이에 개재될 수 있다.
제1 무기봉지층(310) 및 제2 무기봉지층(330)은 알루미늄옥사이드, 티타늄옥사이드, 탄탈륨옥사이드, 하프늄옥사이드, 징크옥사이드, 실리콘옥사이드, 실리콘나이트라이드, 실리콘옥시나이트라이드 중 하나 이상의 무기물을 포함할 수 있다. 제1 무기봉지층(310) 및 제2 무기봉지층(330)은 전술한 물질을 포함하는 단일 층 또는 다층일 수 있다. 유기봉지층(320)은 폴리머(polymer)계열의 물질을 포함할 수 있다. 폴리머 계열의 소재로는 아크릴계 수지, 에폭시계 수지, 폴리이미드 및 폴리에틸렌 등을 포함할 수 있다. 일 실시예로, 유기봉지층(320)은 아크릴레이트(acrylate)를 포함할 수 있다.
도 5a, 도 5b, 및 도 5c는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 일부분을 개략적으로 도시하는 단면도들이다. 구체적으로, 도 5a, 도 5b, 및 도 5c는 각각 도 4의 C 부분, D 부분 및 E 부분을 확대한 도면들에 해당한다. 도 5a, 도 5b, 및 도 5c에서 도 4와 동일한 참조부호는 동일한 부재를 일컫는 바 이들의 중복된 설명은 생략하기로 한다.
도 5a를 참조하면, 제3 층간절연층(210) 상에는 제1 연결패턴(160)이 배치될 수 있다. 제1 연결패턴(160)은 순차적으로 적층된 제1 층(161), 제2 층(163), 및 제3 층(165)을 포함할 수 있다. 제1 층(161), 제2 층(163), 및 제3 층(165)은 각각 알루미늄(Al), 구리(Cu), 및 티타늄(Ti) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 예컨대, 제1 층(161)과 제3 층(165)은 티타늄(Ti)을 포함할 수 있고, 제2 층(163)은 알루미늄(Al)을 포함할 수 있다. 다만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.
도 5b를 참조하면, 제1 유기절연층(211) 상에는 제2 연결패턴(170)이 배치될 수 있다. 제2 연결패턴(170)은 순차적으로 적층된 제4 층(171), 제5 층(173), 및 제6 층(175)을 포함할 수 있다. 제4 층(171), 제5 층(173), 및 제6 층(175)은 각각 알루미늄(Al), 구리(Cu), 및 티타늄(Ti) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 예컨대, 제4 층(171)과 제6 층(175)은 티타늄(Ti)을 포함할 수 있고, 제5 층(173)은 알루미늄(Al)을 포함할 수 있다. 다만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.
도 5c를 참조하면, 제2 유기절연층(212) 상에는 제3 연결패턴(180)이 배치될 수 있다. 제3 연결패턴(180)은 순차적으로 적층된 제7 층(181), 제8 층(183), 및 제9 층(185)을 포함할 수 있다. 제7 층(181), 제8 층(183), 및 제9 층(185)은 각각 알루미늄(Al), 구리(Cu), 및 티타늄(Ti) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 예컨대, 제7 층(181)과 제9 층(185)은 티타늄(Ti)을 포함할 수 있고, 제8 층(183)은 알루미늄(Al)을 포함할 수 있다. 다만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 일부분을 개략적으로 도시하는 평면도이다. 구체적으로, 도 6은 도 1의 A 부분을 확대한 도면에 해당한다. 도 6에 있어서 도 1과 동일한 참조부호는 동일한 부재를 일컫는 바 이들의 중복된 설명은 생략하기로 한다.
도 6을 참조하면, 표시 패널(1)의 주변영역(PA)에는 구동전압공급선(30)이 배치될 수 있다. 또한, 표시 패널(1)의 주변영역(PA)에는 제1 댐부(610), 제2 댐부(620), 및 뱅크(630)가 배치될 수 있다.
도 1에서 전술한 바와 같이, 구동전압공급선(30)은 제1 구동전압공급선(31), 제2 구동전압공급선(33, 도 1 참조), 및 제3 구동전압공급선(35)을 포함할 수 있다.
봉지층(300, 도 4 참조)을 형성할 때, 구체적으로 유기봉지층(320, 도 4 참조)을 형성할 때, 유기봉지층 형성용 물질이 사전 설정된 영역 내에 도포되도록 하는 것이 필요하다. 이를 위해, 도 6에 도시된 바와 같이, 제1 댐부(610)가 주변영역(PA)에 위치하도록 할 수 있다. 제1 댐부(610)는 표시영역(DA, 도 1 참조)을 둘러싸도록 배치될 수 있다. 즉, 제1 댐부(610)는 표시영역(DA)의 둘레를 따라 배치될 수 있다.
제1 댐부(610)의 외측에는 제2 댐부(620)가 더 위치할 수 있다. 제2 댐부(620)는 제1 댐부(610)를 둘러싸도록 배치될 수 있다. 즉, 제2 댐부(620)는 제1 댐부(610)의 둘레를 따라 배치될 수 있다. 또한, 제1 댐부(610)가 표시영역(DA)의 둘레를 따라 배치되므로, 제2 댐부(620) 역시 표시영역(DA)의 둘레를 따라 배치되는 것으로 이해될 수도 있다.
표시영역(DA)의 둘레를 따라 제1 댐부(610) 및/또는 제2 댐부(620)가 배치됨으로써, 유기봉지층 형성용 물질이 기판(100, 도 4 참조)의 가장자리 쪽으로 확산되는 것이 방지될 수 있고, 유기봉지층(320)의 형성 위치를 제한할 수 있으며 유기봉지층(320)의 에지 테일이 형성되는 것을 방지할 수 있다.
제2 댐부(620)의 외측에는 뱅크(630)가 더 위치할 수 있다. 뱅크(630)는 제2 댐부(620)를 적어도 일부 둘러쌀 수 있다. 뱅크(630)는 표시 패널(1)의 제조과정에서 유기발광다이오드(OLED, 도 4 참조)의 중간층(222, 도 4 참조) 및/또는 대향전극(223, 도 4 참조) 등을 형성할 시 사용되는 마스크들을 지지하는 역할을 하며, 이 과정에서 그 전에 형성된 구성요소들이 마스크에 의해 손상되는 것을 방지 또는 최소화할 수 있다.
일 실시예에서, 유기봉지층(320)의 단부는 표시영역(DA)과 제1 댐부(610) 사이에 위치할 수 있다. 또는, 유기봉지층(320)의 단부는 제1 댐부(610) 상에 위치할 수 있다.
일 실시예에서, 봉지층(300)의 제1 무기봉지층(310, 도 7 참조) 및 제2 무기봉지층(330, 도 7 참조)은 뱅크(630)를 향해 연장될 수 있다. 제1 무기봉지층(310)과 제2 무기봉지층(330)의 단부는 제2 댐부(620)와 뱅크(630) 사이에 위치할 수 있다. 또는, 제1 무기봉지층(310)과 제2 무기봉지층(330)의 단부는 뱅크(630) 상에 위치할 수 있다.
일 실시예에서, 주변영역(PA)은 접합영역(AA)을 포함할 수 있다. 접합영역(AA)은 제2 댐부(620)와 뱅크(630) 사이에 위치할 수 있다. 예컨대, 제2 댐부(620)와 뱅크(630) 사이에는 무기절연물들만 존재하는 접합영역(AA)이 정의될 수 있다. 이때, 무기절연물들만 존재한다는 의미는 접합영역(AA)에 유기절연물이 배치되지 않는다는 것을 의미할 수 있다. 즉, 접합영역(AA)에는 무기절연층 및/또는 도전패턴이 배치될 수 있다. 접합영역(AA)에서 제1 무기봉지층(310)은 제2 무기봉지층(330) 및 하부의 다른 무기층, 예를 들어, 제3 층간절연층(210, 도 7 참조)과 직접 접하게 되므로, 봉지층(300)의 접합력이 향상되어 외부의 수분 및 산소의 침투를 더욱 효과적으로 방지 또는 최소화할 수 있다.
일 실시예에서, 접합영역(AA) 상에는 도전패턴(110)이 배치될 수 있다. 이때, 도전패턴(110)은 제1 구동전압공급선(31)의 일부분일 수 있다. 예컨대, 제1 구동전압공급선(31)의 적어도 일부가 접합영역(AA)과 중첩될 수 있고, 접합영역(AA)과 중첩된 제1 구동전압공급선(31)이 도전패턴(110)에 해당할 수 있다.
일 실시예에서, 도전패턴(110)은 제1 방향(예컨대, y 방향)으로 연장될 수 있다. 또한, 도전패턴(110)은 제1 방향(예컨대, y 방향)과 교차하는 제2 방향(예컨대, x 방향)으로 돌출된 돌기패턴(PP)들을 포함할 수 있다. 즉, 제1 구동전압공급선(31)은 접합영역(AA)과 중첩되는 부분에 제2 방향(예컨대, x 방향)으로 돌출된 돌기패턴(PP)들을 포함할 수 있다. 돌기패턴(PP)들은 도전패턴(110)(예컨대, 제1 구동전압공급선(31))의 가장자리에 형성되며, x-y 평면 상에서 외측으로 돌출된 형태일 수 있다.
도전패턴(110)(예컨대, 제1 구동전압공급선(31))의 가장자리는 외부의 수분 및 산소가 이동하는 경로가 될 수 있다. 도전패턴(110)(예컨대, 제1 구동전압공급선(31))의 가장자리의 길이가 증가하는 경우, 외부의 수분 및 산소가 이동하는 경로가 증가할 수 있다. 따라서, 외부의 수분 및 산소로부터 표시영역(DA) 상에 배치된 유기발광다이오드(OLED, 도 4)를 보호할 수 있다.
일 실시예에서, 도전패턴(110)(예컨대, 제1 구동전압공급선(31))의 가장자리에 돌기패턴(PP)들이 구비됨으로써, 도전패턴(110)(예컨대, 제1 구동전압공급선(31))의 가장자리의 길이가 증가하여 외부의 수분 및 산소가 표시영역(DA)으로 전파되는 것이 방지 또는 최소화될 수 있고, 이를 통해 유기발광다이오드(OLED)가 손상(또는, 오염)되는 것이 방지 또는 최소화될 수 있다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 일부분을 개략적으로 도시하는 단면도이다. 구체적으로, 도 7은 도 6의 I-I' 선을 따라 취한 단면도에 해당한다. 도 7에 있어서, 도 4 및 도 6과 동일한 참조부호는 동일한 부재를 일컫는 바 이들의 중복된 설명은 생략하기로 한다.
도 7을 참조하면, 접합영역(AA) 상에는 기판(100)이 배치될 수 있다. 전술한 바와 같이, 기판(100)은 제1 베이스층(100a), 제1 배리어층(100b), 제2 베이스층(100c), 및 제2 배리어층(100d)을 포함할 수 있다.
기판(100) 상에는 순차적으로 버퍼층(201), 제1 게이트절연층(203), 제1 층간절연층(205), 제2 층간절연층(207), 제2 게이트절연층(209), 및 제3 층간절연층(210)이 배치될 수 있다. 버퍼층(201), 제1 게이트절연층(203), 제1 층간절연층(205), 제2 층간절연층(207), 제2 게이트절연층(209), 및 제3 층간절연층(210)은 모두 무기절연물을 포함할 수 있다.
제3 층간절연층(210) 상에는 도전패턴(110)이 배치될 수 있다. 전술한 바와 같이, 도전패턴(110)은 제1 구동전압공급선(31) 중 일부분일 수 있다. 도전패턴(110)은 순차적으로 적층된 제1 도전층(111), 제2 도전층(113) 및 제3 도전층(115)을 포함할 수 있다. 제1 도전층(111), 제2 도전층(113), 및 제3 도전층(115)은 각각 알루미늄(Al), 구리(Cu), 및 티타늄(Ti) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 예컨대, 제1 도전층(111)과 제3 도전층(115)은 티타늄(Ti)을 포함할 수 있고, 제2 도전층(113)은 알루미늄(Al)을 포함할 수 있다. 다만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.
일 실시예에서, 도전패턴(110)은 도 5a 내지 도 5c에서 전술한 제1 연결패턴(160, 도 5a 참조), 제2 연결패턴(170, 도 5b 참조), 및 제3 연결패턴(180, 도 5c 참조) 중 적어도 하나와 동일한 층에 배치될 수 있다. 예컨대, 도전패턴(110)은 제1 연결패턴(160)과 동일한 층에 배치될 수 있다. 도전패턴(110)의 제1 도전층(111), 제2 도전층(113), 및 제3 도전층(115)은 각각 제1 연결패턴(160)의 제1 층(161), 제2 층(163), 및 제3 층(165)과 동일한 층에 동일한 물질로 구비될 수 있다.
일 실시예에서, 도전패턴(110) 상에는 커버층(121)이 배치될 수 있다. 커버층(121)은 알루미늄(Al), 구리(Cu), 및 티타늄(Ti) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 예컨대, 커버층(121)은 티타늄(Ti)으로 구비될 수 있다. 커버층(121)은 도전패턴(110)의 제1 도전층(111) 또는 제3 도전층(115)과 동일한 물질로 구비될 수 있다. 또는, 커버층(121)은 도 5b에서 전술한 제2 연결패턴(170)의 제4 층(171)과 동일한 물질로 구비될 수 있다.
일 실시예에서, 커버층(121)은 도전패턴(110)의 측면(110s) 및 도전패턴(110)의 상면(110u)의 적어도 일부를 덮을 수 있다. 구체적으로, 커버층(121)은 제1 도전층(111)의 측면(111s), 제2 도전층(113)의 측면(113s), 제3 도전층(115)의 측면(115s) 및 제3 도전층(115)의 상면(115u)의 적어도 일부를 덮을 수 있다.
표시 장치의 제조 공정 시 제2 도전층(113)의 측면(113s)이 노출되는 경우, 제2 도전층(113)의 측면(113s)에 언더컷(Undercut)이 발생할 수 있고, 이로 인해 공극이 발생할 수 있으며, 공극은 외부의 수분 및 산소의 이동 경로가 될 수 있다.
커버층(121)이 제1 도전층(111)의 측면(111s), 제2 도전층(113)의 측면(113s), 제3 도전층(115)의 측면(115s) 및 제3 도전층(115)의 상면(115u)의 적어도 일부를 덮음으로써, 제2 도전층(113)의 측면(113s)이 노출되어 제2 도전층(113)의 측면(113s)에 언더컷이 발생되는 것이 방지 또는 최소화될 수 있다. 따라서, 외부의 수분 및 산소로 인해 표시영역(DA) 상에 배치된 유기발광다이오드(OLED, 도 4)가 손상(또는, 오염)되는 것이 방지 또는 최소화될 수 있다.
일 실시예에서, 커버층(121) 및 제3 층간절연층(210) 상에는 봉지층(300)이 배치될 수 있다. 구체적으로, 커버층(121) 및 제3 층간절연층(210) 상에는 제1 무기봉지층(310)이 배치될 수 있다. 제1 무기봉지층(310)은 커버층(121) 및 제3 층간절연층(210) 상에 직접 배치될 수 있다.
일 실시예에서, 제1 무기봉지층(310) 상에는 제2 무기봉지층(330)이 배치될 수 있다. 제2 무기봉지층(330)은 제1 무기봉지층(310) 상에 직접 배치될 수 있다. 커버층(121) 및 제3 층간절연층(210) 상에 제1 무기봉지층(310)이 직접 배치되고, 제1 무기봉지층(310) 상에 제2 무기봉지층(330)이 직접 배치됨으로써, 봉지층(300)의 접합력이 향상되어 외부의 수분 및 산소의 침투를 더욱 효과적으로 방지 또는 최소화할 수 있다.
도 6 및 도 7에서는 제1 구동전압공급선(31)에 대해서 설명하였으나, 제2 구동전압공급선(33), 제1 공통전압공급선(11), 및 제2 공통전압공급선(13)도 동일 또는 유사한 구조로 구비될 수 있다. 예컨대, 접합영역(AA)과 중첩되는 제2 구동전압공급선(33), 제1 공통전압공급선(11), 및 제2 공통전압공급선(13)에도 각각 돌기패턴(PP)이 구비될 수 있고, 접합영역(AA)과 중첩되는 제2 구동전압공급선(33), 제1 공통전압공급선(11), 및 제2 공통전압공급선(13)에도 각각 커버층(121)이 배치될 수 있다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 일부분을 개략적으로 도시하는 평면도이다. 구체적으로, 도 8은 도 2의 B 부분을 확대한 도면에 해당한다. 도 8에 있어서, 도 2와 동일한 참조부호는 동일한 부재를 일컫는 바 이들의 중복된 설명은 생략하기로 한다.
도 8을 참조하면, 표시 패널(1)은 표시영역(DA), 개구영역(OA), 및 중간영역(MA)을 포함할 수 있다. 이때, 표시영역(DA)은 개구영역(OA)의 적어도 일부 둘러쌀 수 있다. 중간영역(MA)은 표시영역(DA)과 개구영역(OA) 사이에 위치할 수 있다.
일 실시예에서, 중간영역(MA) 상에는 그루브(GV)들이 배치(또는, 정의)될 수 있다. 그루브(GV)는 제1 그루브(GV1), 제2 그루브(GV2), 및 제3 그루브(GV3)를 포함할 수 있다. 이때, 제1 그루브(GV1), 제2 그루브(GV2), 및 제3 그루브(GV3)는 각각 개구영역(OA)의 둘레를 따라 배치(또는, 정의)될 수 있다.
도 8에서는 중간영역(MA) 상에 3개의 그루브(GV)가 배치(또는, 정의)된 것으로 도시되어 있으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 중간영역(MA) 상에는 1개의 그루브(GV)만 배치(또는, 정의)되거나, 2개의 그루브(GV)가 배치(또는, 정의)되거나, 4개 이상의 그루브(GV)가 배치(또는, 정의)되는 등 다양한 개수의 그루브(GV)가 중간영역(MA) 상에 배치될 수 있다.
도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 일부분을 개략적으로 도시하는 단면도이다. 구체적으로, 도 9는 도 8의 II-II' 선을 따라 취한 단면도에 해당한다. 도 9에 있어서, 도 8과 동일한 참조부호는 동일한 부재를 일컫는 바 이들의 중복된 설명은 생략하기로 한다.
도 9를 참조하면, 중간영역(MA) 상에는 기판(100)이 배치될 수 있다. 전술한 바와 같이, 기판(100)은 제1 베이스층(100a), 제1 배리어층(100b), 제2 베이스층(100c), 및 제2 배리어층(100d)을 포함할 수 있다.
기판(100) 상에는 순차적으로 버퍼층(201), 제1 게이트절연층(203), 제1 층간절연층(205), 제2 층간절연층(207), 제2 게이트절연층(209), 및 제3 층간절연층(210)이 배치될 수 있다. 제1 게이트절연층(203), 제1 층간절연층(205), 제2 층간절연층(207), 제2 게이트절연층(209), 및 제3 층간절연층(210)에는 개구영역(OA)에 대응되는 개구가 정의될 수 있다.
또한, 제3 층간절연층(210) 상에는 제1 유기절연층(211)이 배치될 수 있고, 제1 유기절연층(211) 상에는 제2 유기절연층(212)이 배치될 수 있으며, 제2 유기절연층(212) 상에는 제3 유기절연층(213)이 배치될 수 있다. 제3 유기절연층(213) 상에는 화소정의막(215)이 배치될 수 있다. 화소정의막(215) 상에는 중간층(222), 및 대향전극(223) 이 배치될 수 있다. 예컨대, 화소정의막(215) 상에는 제1 기능층(222a), 제2 기능층(222c), 및 대향전극(223)이 배치될 수 있다.
일 실시예에서, 중간영역(MA) 상에는 그루브(GV) 및 제3 댐부(640)가 배치될 수 있다. 그루브(GV)는 제1 그루브(GV1), 제2 그루브(GV2), 및 제3 그루브(GV3)를 포함할 수 있다. 도 9에서는 중간영역(MA) 상에 3개의 그루브(GV)가 배치된 것으로 도시되어 있으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 중간영역(MA) 상에는 1개의 그루브(GV)만 배치될 수도 있다. 또는, 중간영역(MA) 상에는 2개 또는 4개 이상의 그루브(GV)가 배치될 수 있는 등 다양한 변형이 가능하다.
일 실시예에서, 제1 그루브(GV1)는 표시영역(DA, 도 8 참조)과 제3 댐부(640) 사이에 배치(또는, 정의)될 수 있다. 다만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 예컨대, 제1 그루브(GV1)는 제3 댐부(640)와 개구영역(OA) 사이에 배치(또는, 정의)될 수도 있다. 제2 그루브(GV2) 및 제3 그루브(GV3)는 제3 댐부(640)와 개구영역(OA) 사이에 배치(또는, 정의)될 수 있다.
중간층(222)에 포함된 유기물층, 예컨대 제1 기능층(222a) 및/또는 제2 기능층(222c)은 그루브(GV)에 의해 단절(또는, 분리)될 수 있다. 중간영역(MA)은 그루브영역 또는 유기물층의 단절영역(또는, 분리영역)으로 이해될 수 있다.
그루브(GV)는 기판(100)에 형성될 수 있다. 예컨대, 그루브(GV)는 제2 베이스층(100c)의 적어도 일부, 제2 배리어층(100d), 및 버퍼층(201)이 제거되어 형성될 수 있다. 따라서, 그루브(GV)의 바닥면은 제2 베이스층(100c)의 상면과 동일한 면 상에 위치할 수 있다. 다만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 예컨대, 그루브(GV)는 기판(100)과 화소전극(221, 도 4 참조) 사이에 개재되는 다층막에 형성될 수도 있다. 이때, 다층막은 제1 서브층, 제2 서브층을 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 그루브(GV)는 언더컷 구조(또는, 언더컷 단면)를 가질 수 있다. 그루브(GV)가 형성된 후 중간층(222)이 형성되므로, 중간층(222) 중 적어도 하나의 유기물층은 그루브(GV)에 의해 단절되거나 분리될 수 있다. 예컨대, 제1 기능층(222a) 및/또는 제2 기능층(222c)이 그루브(GV)에 의해 단절되거나 분리될 수 있다. 또한, 대향전극(223)도 그루브(GV)에 의해 단절되거나 분리될 수 있다. 제1 기능층(222a), 제2 기능층(222c) 및/또는 대향전극(223)의 적어도 일부는 그루브(GV) 내에 배치될 수도 있다. 즉, 제1 기능층(222a), 제2 기능층(222c) 및/또는 대향전극(223)의 적어도 일부는 그루브(GV)의 바닥면에 위치할 수도 있다.
일 실시예에서, 제3 댐부(640)는 버퍼층(201) 상에 적층된 복수의 서브층(211a, 212a, 215a, 217a)들을 포함할 수 있다. 복수의 서브층(211a, 212a, 215a, 217a)은 각각 제1 유기절연층(211)의 일부, 제2 유기절연층(212)의 일부, 화소정의막(215)의 일부, 및 스페이서(217, 도 4 참조)의 일부에 해당할 수 있다. 이 경우, 기판(100)으로부터 제3 댐부(640)의 상면까지의 높이는, 표시영역(DA, 도 4 참조)에서 기판(100)으로부터 스페이서(217, 도 4 참조)의 상면까지의 높이보다 작을 수 있다. 다만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 기판(100)으로부터 제3 댐부(640)의 상면까지의 높이는, 표시영역(DA, 도 4 참조)에서 기판(100)으로부터 스페이서(217, 도 4 참조)의 상면까지의 높이와 같거나 클 수 있다.
도 9에는 하나의 댐부(예컨대, 제3 댐부(640)가 중간영역(MA)에 위치한 것으로 도시되어 있으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 중간영역(MA)에는 2개 이상의 댐부가 위치할 수도 있다.
일 실시예에서, 대향전극(223) 상에는 봉지층(300)이 배치될 수 있다. 봉지층(300)은 제1 무기봉지층(310), 유기봉지층(320), 및 제2 무기봉지층(330)을 포함할 수 있다. 제1 무기봉지층(310)은 상대적으로 스텝 커버리지가 우수하므로, 그루브(GV)의 내부 표면(inner surface)을 커버하도록 연속적으로 형성될 수 있다. 제1 무기봉지층(310)은 그루브(GV)의 바닥면에 위치하는 분리된 제1 기능층(222a), 제2 기능층(222c) 및/또는 대향전극(223)들을 커버할 수 있다.
유기봉지층(320)은 제1 무기봉지층(310)과 제2 무기봉지층(330) 사이에 개재될 수 있으며, 유기봉지층(320)의 끝단은 제3 댐부(640)의 일측에 인접하게 배치될 수 있다. 그루브(GV)들 중 표시영역(DA)에 인접한 그루브(GV)의 내측 공간에는 유기봉지층(320)이 배치될 수 있다. 즉, 제1 그루브(GV1)는 유기봉지층(320)으로 채워질 수 있다.
제2 무기봉지층(330)은 제1 무기봉지층(310)과 유사하게 상대적으로 스텝 커버리지가 우수하다. 따라서, 그루브(GV)들 중 유기봉지층(320)으로 커버되지 않은 그루브(GV)의 내부 표면을 따라 연속적으로 형성될 수 있다.
도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 일부분을 개략적으로 도시하는 평면도이다. 도 10의 실시예는 중간영역(MA)에 개구(OP)들이 정의된다는 점에서 도 8의 실시예와 차이가 있다. 도 10에 있어서, 도 8과 동일한 참조부호는 동일한 부재를 일컫는 바 이들의 중복된 설명은 생략하기로 한다.
도 10을 참조하면, 표시 패널(1)은 표시영역(DA), 개구영역(OA), 및 중간영역(MA)을 포함할 수 있다. 이때, 표시영역(DA)은 개구영역(OA)의 적어도 일부 둘러쌀 수 있다. 중간영역(MA)은 표시영역(DA)과 개구영역(OA) 사이에 위치할 수 있다.
일 실시예에서, 중간영역(MA) 상에는 개구(OP)들이 배치(또는, 정의)될 수 있다. 개구(OP)는 제1 개구(OP1) 및 제2 개구(OP2)를 포함할 수 있다. 이때, 제1 개구(OP1) 및 제2 개구(OP2)는 각각 개구영역(OA)의 둘레를 따라 배치될 수 있다.
도 10에서는 중간영역(MA) 상에 2개의 개구(OP)가 배치(또는, 정의)된 것으로 도시되어 있으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 중간영역(MA) 상에는 1개의 개구(OP)만 배치(또는, 정의)되거나, 3개 이상의 개구(OP)가 배치(또는, 정의)될 수 있는 등 다양한 개수의 개구(OP)가 중간영역(MA) 상에 배치(또는, 정의)될 수 있다.
도 11은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 일부분을 개략적으로 도시하는 단면도이다. 구체적으로, 도 11은 도 10의 III-III' 선을 따라 취한 단면도에 해당한다. 도 11에 있어서, 도 9와 동일한 참조부호는 동일한 부재를 일컫는 바 이들의 중복된 설명은 생략하기로 한다.
도 11을 참조하면, 일 실시예에서, 중간영역(MA) 상에는 중간층(222)이 배치될 수 있다. 중간층(222)은 표시영역(DA, 도 10 참조)) 상에 배치되되, 중간층(222)의 적어도 일부는 표시영역(DA)으로부터 중간영역(MA)으로 연장될 수 있다. 중간층(222)은 제1 기능층(222a) 및 제2 기능층(222c)을 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 중간층(222)은 중간영역(MA)에서 단절(또는, 분리)될 수 있다. 구체적으로, 제1 기능층(222a) 및 제2 기능층(222c)은 중간영역(MA)에서 단절(또는, 분리)될 수 있다. 중간영역(MA) 상에 배치된 제1 기능층(222a) 및 제2 기능층(222c)에는 개구(OP)가 정의될 수 있다.
일 실시예에서, 중간영역(MA) 상에는 개구(OP) 및 제4 댐부(650)가 정의(또는, 배치)될 수 있다. 개구(OP)는 제1 개구(OP1) 및 제2 개구(OP2)를 포함할 수 있다. 도 1에서는 중간영역(MA) 상에 2개의 개구(OP)가 정의(또는, 배치)된 것으로 도시되어 있으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 중간영역(MA) 상에는 1개의 개구(OP)만 정의(또는, 배치)될 수도 있다. 또는, 중간영역(MA) 상에는 3개 이상의 개구(OP)가 정의(또는, 배치)될 수 있는 등 다양한 변형이 가능하다.
일 실시예에서, 제1 개구(OP1)는 표시영역(DA, 도 10 참조)과 제4 댐부(650) 사이에 정의(또는, 배치)될 수 있다. 다만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 예컨대, 제1 개구(OP1)는 제4 댐부(650)와 개구영역(OA) 사이에 정의(또는, 배치)될 수도 있다. 제2 개구(OP2)는 제4 댐부(650)와 개구영역(OA) 사이에 정의(또는, 배치)될 수 있다.
일 실시예에서, 제4 댐부(650)는 복수의 서브층(211a, 212a, 215a, 217a)들을 포함할 수 있다. 복수의 서브층(211a, 212a, 215a, 217a)은 각각 제1 유기절연층(211)의 일부, 제2 유기절연층(212)의 일부, 화소정의막(215)의 일부, 및 스페이서(217, 도 4 참조)의 일부에 해당할 수 있다. 도 11에는 하나의 댐부(예컨대, 제4 댐부(650))가 중간영역(MA)에 위치한 것으로 도시되어 있으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 중간영역(MA)에는 2개 이상의 댐부가 위치할 수도 있다.
일 실시예에서, 제1 기능층(222a) 및 제2 기능층(222c)에 적어도 하나의 개구(OP)가 정의됨으로써, 개구영역(OA) 부근의 산소 또는 수분이 표시영역(DA)의 유기발광다이오드(OLED)로 침투(또는, 확산)되는 것을 방지 또는 최소화할 수 있다.
일 실시예에서, 대향전극(223)은 중간영역(MA) 상에 배치될 수 있다. 대향전극(223)은 표시영역(DA, 도 10) 상에 배치되되, 대향전극(223)의 적어도 일부는 표시영역(DA)으로부터 중간영역(MA)으로 연장될 수 있다.
일 실시예에서, 대향전극(223)은 중간영역(MA)에서 단절될 수 있다. 중간영역(MA) 상에 배치된 대향전극(223)은 개구영역(OA)에 대응되는 홀(223H)을 포함할 수 있다. 대향전극(223)에 정의된 홀(223H)은 중간영역(MA)에 위치할 수 있다.
대향전극(223)에 정의된 홀(223H)의 면적은 개구영역(OA)의 면적보다 클 수 있다. 대향전극(223)에 정의된 홀(223H)이 개구영역(OA)의 면적보다 크게 구비됨으로써, 개구영역(OA) 부근의 산소 또는 수분이 표시영역(DA)의 유기발광다이오드(OLED, 도 4 참조)로 침투(또는, 확산)되는 것을 방지 또는 최소화할 수 있다.
봉지층(300)은 중간영역(MA) 상에 배치될 수 있다. 봉지층(300)은 표시영역(DA) 상에 배치되되, 봉지층(300)의 적어도 일부는 표시영역(DA)으로부터 중간영역(MA)으로 연장될 수 있다. 일 실시예에서, 봉지층(300)은 순차적으로 적층된 제1 무기봉지층(310), 유기봉지층(320), 및 제2 무기봉지층(330)을 포함할 수 있다. 제1 무기봉지층(310), 유기봉지층(320), 및 제2 무기봉지층(330) 각각은 표시영역(DA)으로부터 중간영역(MA)으로 연장될 수 있다.
유기봉지층(320)은 모노머를 도포한 후 이를 경화하여 형성하는 바, 유기봉지층(320)을 형성하는 모노머의 흐름은 제4 댐부(650)에 의해 제어될 수 있다. 즉, 중간영역(MA)에 제4 댐부(650)가 배치됨으로써, 유기봉지층(320)을 형성하는 모노머가 개구영역(OA) 측으로 흐르는 것을 방지 또는 최소화할 수 있다. 예컨대, 유기봉지층(320)의 단부는 제4 댐부(650)의 일측에 위치할 수 있다.
유기봉지층(320)의 단부가 제4 댐부(650)의 일측에 위치하는 바, 제1 무기봉지층(310)과 제2 무기봉지층(330)은 제4 댐부(650)의 상면에서 직접 접촉할 수 있다.
봉지층(300)은 중간층(222)에 정의된 적어도 하나의 개구(OP)와 중첩될 수 있다. 봉지층(300)의 제1 무기봉지층(310), 유기봉지층(320), 및 제2 무기봉지층(330)은 중간층(222)에 정의된 제1 개구(OP1)와 중첩될 수 있다.
도 12 내지 도 22는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법을 개략적으로 도시한 단면도들이다.
이하, 도 12 내지 도 22를 참조하여 표시 장치의 제조 방법을 순차적으로 살펴보기로 한다.
도 4, 도 7 및 도 12 내지 도 22를 참조하면, 표시 장치의 제조 방법은 표시영역(DA) 및 접합영역(AA) 상에 제1 패턴용 물질(1200M)을 형성하는 동작, 표시영역(DA) 상의 제1 패턴용 물질(1200M)을 식각하여 제1 연결패턴(160) 및 접합영역(AA) 상의 제1 패턴용 물질(1200M)을 식각하여 도전패턴(110)을 형성하는 동작, 제1 연결패턴(160) 상에 제1 유기절연층(211)을 형성하는 동작, 제1 유기절연층(211) 및 도전패턴(110) 상에 제2 패턴용 물질(1300M)을 형성하는 동작, 제1 유기절연층(211) 상의 제2 패턴용 물질(1300M)을 식각하여 제2 연결패턴(170) 및 도전패턴(110) 상의 제2 패턴용 물질(1300M)을 식각하여 보호층(120)을 형성하는 동작, 및 보호층(120)의 일부를 식각하는 동작을 포함할 수 있다.
먼저, 도 12를 참조하면, 표시영역(DA) 및 접합영역(AA) 상에 제1 패턴용 물질(1200M)을 형성하는 동작이 수행될 수 있다.
일 실시예에서, 기판(100)은 표시영역(DA) 및 접합영역(AA)을 포함할 수 있다. 표시영역(DA)의 기판(100) 및 접합영역(AA)의 기판(100) 상에는 버퍼층(201)이 형성될 수 있다.
표시영역(DA)의 버퍼층(201) 상에는 구동 트랜지스터(T1)의 구동 반도체층(A1)이 형성될 수 있다. 구동 반도체층(A1)은 채널영역(C1)과 채널영역(C1)의 양측에 배치된 제1 영역(B1) 및 제2 영역(D1)을 포함할 수 있다.
표시영역(DA)의 구동 반도체층(A1) 및 접합영역(AA)의 버퍼층(201) 상에는 제1 게이트절연층(203)이 형성될 수 있다. 표시영역(DA)의 제1 게이트절연층(203) 상에는 구동 게이트전극(GE1)이 형성될 수 있다. 표시영역(DA)의 구동 게이트전극(GE1) 및 접합영역(AA)의 제1 게이트절연층(203) 상에는 제1 층간절연층(205)이 형성될 수 있다.
표시영역(DA)의 제1 층간절연층(205) 상에는 제2 커패시터 전극(CE2)이 형성될 수 있다. 표시영역(DA)의 제2 커패시터 전극(CE2) 및 접합영역(AA)의 제1 층간절연층(205) 상에는 제2 층간절연층(207)이 형성될 수 있다.
표시영역(DA)의 제2 층간절연층(207) 상에는 보상 트랜지스터(T3)의 보상 반도체층(A3)이 형성될 수 있다. 표시영역(DA)의 보상 반도체층(A3) 및 접합영역(AA)의 제2 층간절연층(207) 상에는 제2 게이트절연층(209)이 형성될 수 있다.
표시영역(DA)의 제2 게이트절연층(209) 상에는 상부 게이트전극(G3B)이 형성될 수 있다. 표시영역(DA)의 상부 게이트전극(G3B) 및 접합영역(AA)의 제2 게이트절연층(209) 상에는 제3 층간절연층(210)이 형성될 수 있다.
일 실시예에서, 표시영역(DA) 및 접합영역(AA) 상에는 제1 패턴용 물질(1200M)이 형성될 수 있다. 구체적으로, 표시영역(DA) 및 접합영역(AA)의 제3 층간절연층(210) 상에는 제1 패턴용 물질(1200M)이 형성될 수 있다. 제1 패턴용 물질(1200M)은 표시영역(DA)과 접합영역(AA) 상에 전체적으로 형성될 수 있다.
일 실시예에서, 제1 패턴용 물질(1200M)은 제1 물질(1200M1), 제2 물질(1200M2), 및 제3 물질(1200M3)을 포함할 수 있다. 다만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 제1 패턴용 물질(1200M)은 1개의 물질만을 포함할 수도 있다. 또는, 제1 패턴용 물질(1200M)은 2개의 물질을 포함할 수 있는 등 다양한 변형이 가능하다.
제1 물질(1200M1), 제2 물질(1200M2), 및 제3 물질(1200M3)은 순차적으로 제3 층간절연층(210) 상에 형성될 수 있다. 제1 물질(1200M1), 제2 물질(1200M2), 및 제3 물질(1200M3)은 각각 알루미늄(Al), 구리(Cu), 및 티타늄(Ti) 중 하나를 포함할 수 있다. 예컨대, 제1 물질(1200M1) 및 제3 물질(1200M3)은 티타늄(Ti)을 포함할 수 있고, 제2 물질(1200M2)은 알루미늄(Al)을 포함할 수 있다. 다만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.
도 13을 참조하면, 표시영역(DA) 상의 제1 패턴용 물질(1200M)을 식각하여 제1 연결패턴(160) 및 접합영역(AA) 상의 제1 패턴용 물질(1200M)을 식각하여 도전패턴(110)을 형성하는 동작이 수행될 수 있다.
일 실시예에서, 표시영역(DA) 상의 제1 패턴용 물질(1200M)을 식각하여 제1 연결패턴(160)을 형성할 수 있다. 이때, 제1 패턴용 물질(1200M)은 건식 식각(DRY Etching)에 의해 식각될 수 있다. 다만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 제1 패턴용 물질(1200M)은 습식 식각(WET Etching)에 의해 식각될 수도 있다.
또한, 표시영역(DA) 상의 제1 패턴용 물질(1200M)이 식각되는 동안 동시에 접합영역(AA)의 제1 패턴용 물질(1200M)도 함께 식각될 수 있다. 따라서, 표시영역(DA) 상의 제1 패턴용 물질(1200M)이 식각되어 제1 연결패턴(160)이 형성될 수 있고, 접합영역(AA) 상의 제1 패턴용 물질(1200M)이 식각되어 도전패턴(110)이 형성될 수 있다.
제1 패턴용 물질(1200M)이 제1 물질(1200M1), 제2 물질(1200M2), 및 제3 물질(1200M3)을 포함하므로, 제1 패턴용 물질(1200M)을 식각하여 제조된 제1 연결패턴(160)은 제1 층(161), 제2 층(163), 및 제3 층(165)을 포함할 수 있다. 제1 층(161) 및 제3 층(165)은 티타늄(Ti)을 포함할 수 있고, 제2 층(163)은 알루미늄(Al)을 포함할 수 있다. 다만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.
제1 패턴용 물질(1200M)이 제1 물질(1200M1), 제2 물질(1200M2), 및 제3 물질(1200M3)을 포함하므로, 제1 패턴용 물질(1200M)을 식각하여 제조된 도전패턴(110)은 제1 도전층(111), 제2 도전층(113), 및 제3 도전층(115)을 포함할 수 있다. 제1 도전층(111) 및 제3 도전층(115)은 티타늄(Ti)을 포함할 수 있고, 제2 도전층(113)은 알루미늄(Al)을 포함할 수 있다. 다만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.
제1 물질(1200M1)을 식각하여 제1 층(161) 및 제1 도전층(111)이 형성되므로, 제1 층(161) 및 제1 도전층(111)은 동일한 물질을 포함할 수 있다. 또한, 제2 물질(1200M2)을 식각하여 제2 층(163) 및 제2 도전층(113)이 형성되므로, 제2 층(163) 및 제2 도전층(113)은 동일한 물질을 포함할 수 있다. 제3 물질(1200M3)을 식각하여 제3 층(165) 및 제3 도전층(115)이 형성되므로, 제3 층(165) 및 제3 도전층(115)은 동일한 물질을 포함할 수 있다.
도 14를 참조하면, 제1 연결패턴(160) 상에 제1 유기절연층(211)을 형성하는 동작이 수행될 수 있다. 구체적으로, 표시영역(DA)의 제1 연결패턴(160) 상에 제1 유기절연층(211)이 형성될 수 있다.
도 15를 참조하면, 제1 유기절연층(211) 및 도전패턴(110) 상에 제2 패턴용 물질(1300M)을 형성하는 동작이 수행될 수 있다. 일 실시예에서, 표시영역(DA) 및 접합영역(AA) 상에는 제2 패턴용 물질(1300M)이 형성될 수 있다. 구체적으로, 표시영역(DA)의 제1 유기절연층(211) 및 접합영역(AA)의 도전패턴(110) 상에는 제2 패턴용 물질(1300M)이 형성될 수 있다. 제2 패턴용 물질(1300M)은 표시영역(DA)과 접합영역(AA) 상에 전체적으로 형성될 수 있다.
일 실시예에서, 제2 패턴용 물질(1300M)은 제4 물질(1300M1), 제5 물질(1300M2), 및 제6 물질(1300M3)을 포함할 수 있다. 다만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 제2 패턴용 물질(1300M)은 1개의 물질만을 포함할 수도 있다. 또는, 제2 패턴용 물질(1300M)은 2개의 물질을 포함할 수 있는 등 다양한 변형이 가능하다.
제4 물질(1300M1), 제5 물질(1300M2), 및 제6 물질(1300M3)은 순차적으로 제1 유기절연층(211) 및 도전패턴(110) 상에 각각 형성될 수 있다. 제4 물질(1300M1), 제5 물질(1300M2), 및 제6 물질(1300M3)은 각각 알루미늄(Al), 구리(Cu), 및 티타늄(Ti) 중 하나를 포함할 수 있다. 예컨대, 제4 물질(1300M1) 및 제6 물질(1300M3)은 티타늄(Ti)을 포함할 수 있고, 제5 물질(1300M2)은 알루미늄(Al)을 포함할 수 있다. 다만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.
도 16을 참조하면, 제1 유기절연층(211) 상의 제2 패턴용 물질(1300M)을 식각하여 제2 연결패턴(170) 및 도전패턴(110) 상의 제2 패턴용 물질(1300M)을 식각하여 보호층(120)을 형성하는 동작이 수행될 수 있다.
일 실시예에서, 표시영역(DA)의 제2 패턴용 물질(1300M)을 식각하여 제2 연결패턴(170)을 형성할 수 있다. 이때, 제2 패턴용 물질(1300M)은 건식 식각에 의해 식각될 수 있다. 다만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 제2 패턴용 물질(1300M)은 습식 식각에 의해 식각될 수도 있다.
또한, 표시영역(DA) 상의 제2 패턴용 물질(1300M)이 식각되는 동안 동시에 접합영역(AA)의 제2 패턴용 물질(1300M)도 함께 식각될 수 있다. 따라서, 표시영역(DA) 상의 제2 패턴용 물질(1300M)이 식각되어 제2 연결패턴(170)이 형성될 수 있고, 접합영역(AA) 상의 제2 패턴용 물질(1300M)이 식각되어 보호층(120)이 형성될 수 있다.
제2 패턴용 물질(1300M)이 제4 물질(1300M1), 제5 물질(1300M2), 및 제6 물질(1300M3)을 포함하므로, 제2 패턴용 물질(1300M)을 식각하여 제조된 제2 연결패턴(170)은 제4 층(171), 제5 층(173), 및 제6 층(175)을 포함할 수 있다. 제4 층(171) 및 제6 층(175)은 티타늄(Ti)을 포함할 수 있고, 제5 층(173)은 알루미늄(Al)을 포함할 수 있다. 다만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.
제2 패턴용 물질(1300M)이 제4 물질(1300M1), 제5 물질(1300M2), 및 제6 물질(1300M3)을 포함하므로, 제2 패턴용 물질(1300M)을 식각하여 제조된 보호층(120)은 커버층(121), 제1 보호층(123), 및 제2 보호층(125)을 포함할 수 있다. 보호층(120)의 커버층(121), 제1 보호층(123), 및 제2 보호층(125)은 기판(100)의 두께 방향(예컨대, z 방향)으로 순차적으로 적층될 수 있다. 커버층(121) 및 제2 보호층(125)은 티타늄(Ti)을 포함할 수 있고, 제1 보호층(123)은 알루미늄(Al)을 포함할 수 있다. 다만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.
일 실시예에서, 보호층(120)은 도전패턴(110)의 측면(110s) 및 상면(110u)의 적어도 일부를 덮을 수 있다. 보호층(120)의 커버층(121)은 도전패턴(110)의 측면(110s) 및 도전패턴(110)의 상면(110u)의 적어도 일부를 덮을 수 있다. 구체적으로, 커버층(121)은 제1 도전층(111)의 측면(111s), 제2 도전층(113)의 측면(113s), 제3 도전층(115)의 측면(115s) 및 제3 도전층(115)의 상면(115u)의 적어도 일부를 덮을 수 있다.
보호층(120)의 커버층(121)이 도전패턴(110)의 측면(110s) 및 상면(110u)의 적어도 일부를 덮음으로써, 후속 공정에서 도전패턴(110) 예컨대, 제2 도전층(113)의 측면(113s)에 언더컷이 발생하는 것을 방지 또는 최소화할 수 있고, 이를 통해 외부의 수분 및 산소로부터 표시영역(DA) 상에 배치된 유기발광다이오드(OLED, 도 4)를 보호할 수 있다.
도 17을 참조하면, 제2 연결패턴(170) 상에 제2 유기절연층(212)을 형성하는 동작이 수행될 수 있다. 구체적으로, 표시영역(DA)의 제2 연결패턴(170) 상에 제2 유기절연층(212)이 형성될 수 있다.
도 18을 참조하면, 제2 유기절연층(212) 및 보호층(120) 상에 제3 패턴용 물질(1400M)을 형성하는 동작이 수행될 수 있다. 일 실시예에서, 표시영역(DA) 및 접합영역(AA) 상에는 제3 패턴용 물질(1400M)이 형성될 수 있다. 구체적으로, 표시영역(DA)의 제2 유기절연층(212) 및 접합영역(AA)의 보호층(120) 상에는 제3 패턴용 물질(1400M)이 형성될 수 있다. 제3 패턴용 물질(1400M)은 표시영역(DA)과 접합영역(AA) 상에 전체적으로 형성될 수 있다.
일 실시예에서, 제3 패턴용 물질(1400M)은 제7 물질(1400M1), 제8 물질(1400M2), 및 제9 물질(1400M3)을 포함할 수 있다. 다만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 제3 패턴용 물질(1400M)은 1개의 물질만을 포함할 수도 있다. 또는, 제3 패턴용 물질(1400M)은 2개의 물질을 포함할 수 있는 등 다양한 변형이 가능하다.
제7 물질(1400M1), 제8 물질(1400M2), 및 제9 물질(1400M3)은 순차적으로 제2 유기절연층(212) 및 보호층(120) 상에 각각 형성될 수 있다. 제7 물질(1400M1), 제8 물질(1400M2), 및 제9 물질(1400M3)은 각각 알루미늄(Al), 구리(Cu), 및 티타늄(Ti) 중 하나를 포함할 수 있다. 예컨대, 제7 물질(1400M1) 및 제9 물질(1400M3)은 티타늄(Ti)을 포함할 수 있고, 제8 물질(1400M2)은 알루미늄(Al)을 포함할 수 있다. 다만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.
도 19를 참조하면, 제2 유기절연층(212) 상의 제3 패턴용 물질(1400M)을 식각하여 제3 연결패턴(180)을 형성하고, 보호층(120) 상의 제3 패턴용 물질(1400M), 제2 보호층(125) 및 제1 보호층(123)의 일부분을 제거하는 동작이 수행될 수 있다.
일 실시예에서, 표시영역(DA)의 제3 패턴용 물질(1400M)을 식각하여 제3 연결패턴(180)을 형성할 수 있다. 이때, 제3 패턴용 물질(1400M)은 건식 식각에 의해 식각될 수 있다. 다만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 제3 패턴용 물질(1400M)은 습식 식각에 의해 식각될 수도 있다.
또한, 표시영역(DA) 상의 제3 패턴용 물질(1400M)이 식각되는 동안 동시에 접합영역(AA)의 제3 패턴용 물질(1400M), 제2 보호층(125), 및 제1 보호층(123)의 일부분이 제거될 수 있다. 따라서, 표시영역(DA) 상의 제3 패턴용 물질(1400M)이 식각되어 제3 연결패턴(180)이 형성될 수 있고, 접합영역(AA) 상의 제3 패턴용 물질(1400M), 제2 보호층(125), 및 제1 보호층(123)의 일부분이 제거될 수 있다.
제3 패턴용 물질(1400M)이 제7 물질(1400M1), 제8 물질(1400M2), 및 제9 물질(1400M3)을 포함하므로, 제3 패턴용 물질(1400M)을 식각하여 제조된 제3 연결패턴(180)은 제7 층(181), 제8 층(183), 및 제9 층(185)을 포함할 수 있다. 제7 층(181) 및 제9 층(185)은 티타늄(Ti)을 포함할 수 있고, 제8 층(183)은 알루미늄(Al)을 포함할 수 있다. 다만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.
일 실시예에서, 접합영역(AA)의 제3 패턴용 물질(1400M)은 완전히 제거될 수 있다. 또한, 제3 패턴용 물질(1400M)의 하부에 위치하는 제2 보호층(125) 역시 완전히 제거될 수 있다. 다만, 제2 보호층(125)의 하부에 위치하는 제1 보호층(123)은 일부분만 제거될 수 있다. 따라서, 도전패턴(110) 상에는 커버층(121) 및 제1 보호층(123)의 나머지 부분이 배치될 수 있다.
도 20을 참조하면, 제3 연결패턴(180) 상에 제3 유기절연층(213)을 형성하는 동작이 수행될 수 있다. 구체적으로, 표시영역(DA)의 제3 연결패턴(180) 상에 제3 유기절연층(213)이 형성될 수 있다.
도 21을 참조하면, 제3 유기절연층(213) 및 제1 보호층(123) 상에 제4 패턴용 물질(1500M)을 형성하는 동작이 수행될 수 있다. 일 실시예에서, 표시영역(DA) 및 접합영역(AA) 상에는 제4 패턴용 물질(1500M)이 형성될 수 있다. 구체적으로, 표시영역(DA)의 제3 유기절연층(213) 및 접합영역(AA)의 제1 보호층(123) 상에는 제4 패턴용 물질(1500M)이 형성될 수 있다. 이때, 제4 패턴용 물질(1500M)은 일부분이 제거된 제1 보호층(123) 상에 형성될 수 있다.
제4 패턴용 물질(1500M)은 표시영역(DA)과 접합영역(AA) 상에 전체적으로 형성될 수 있다.
일 실시예에서, 제4 패턴용 물질(1500M)은 은(Ag), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크로뮴(Cr) 또는 이들의 화합물을 포함하는 반사막을 포함할 수 있다. 또는, 제4 패턴용 물질(1500M)은 전술한 반사막의 위 및/또는 아래에 도전성 산화물층을 더 포함할 수 있다. 도전성 산화물층은 인듐틴옥사이드(ITO; indium tin oxide), 인듐징크옥사이드(IZO; indium zinc oxide), 징크옥사이드(ZnO; zinc oxide), 인듐옥사이드(In2O3: indium oxide), 인듐갈륨옥사이드(IGO; indium gallium oxide) 및/또는 알루미늄징크옥사이드(AZO; aluminum zinc oxide)를 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 제4 패턴용 물질(1500M)은 도전성 산화물층, 반사막, 및 도전성 산화물층이 적층된 구조로 구비될 수 있다. 예컨대, 제4 패턴용 물질(1500M)은 ITO층/Ag층/ITO층의 3층 구조를 가질 수 있다. 다만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.
도 22를 참조하면, 제3 유기절연층(213) 상의 제4 패턴용 물질(1500M)을 식각하여 화소전극(221)을 형성하고, 제1 보호층(123) 상의 제4 패턴용 물질(1500M) 및 제1 보호층(123)의 나머지 부분을 제거하는 동작이 수행될 수 있다.
일 실시예에서, 표시영역(DA)의 제4 패턴용 물질(1500M)을 식각하여 화소전극(221)을 형성할 수 있다. 이때, 제4 패턴용 물질(1500M)은 습식 식각에 의해 식각될 수 있다. 다만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 제4 패턴용 물질(1500M)은 건식 식각에 의해 식각될 수 있다.
또한, 표시영역(DA) 상의 제4 패턴용 물질(1500M)이 식각되는 동안 동시에 접합영역(AA)의 제4 패턴용 물질(1500M) 및 제1 보호층(123)의 나머지 부분이 제거될 수 있다. 따라서, 표시영역(DA) 상의 제4 패턴용 물질(1500M)이 식각되어 화소전극(221)이 형성될 수 있고, 접합영역(AA) 상의 제4 패턴용 물질(1500M) 및 제1 보호층(123)의 나머지 부분이 제거될 수 있다.
일 실시예에서, 제1 보호층(123)의 나머지 부분이 제거됨으로써, 도전패턴(110) 상에는 보호층(120)의 커버층(121) 만이 배치될 수 있다. 커버층(121)은 도전패턴(110)의 측면(110s) 및 도전패턴(110)의 상면(110u)의 적어도 일부를 덮을 수 있다. 구체적으로, 커버층(121)은 제1 도전층(111)의 측면(111s), 제2 도전층(113)의 측면(113s), 제3 도전층(115)의 측면(115s) 및 제3 도전층(115)의 상면(115u)의 적어도 일부를 덮을 수 있다.
도 7에 도시된 바와 같이, 보호층(120)의 일부를 제거하는 동작 이후에 커버층(121) 상에 제1 무기봉지층(310, 도 7 참조) 및 제2 무기봉지층(330, 도 7 참조)을 형성하는 동작이 더 수행될 수 있다.
구체적으로, 보호층(120)의 일부를 제거하는 동작 이후에 표시영역(DA)의 화소전극(221) 상에 화소정의막(215, 도 4 참조)이 형성될 수 있다. 또한, 표시영역(DA)의 화소정의막(215) 및 화소전극(221) 상에 순차적으로 중간층(222, 도 4 참조) 및 대향전극(223, 도 4 참조)이 형성될 수 있다.
이후에, 표시영역(DA)의 대향전극(223) 및 접합영역(AA)의 커버층(121) 상에 봉지층(300, 도 4 및 도 7 참조)이 형성될 수 있다. 구체적으로, 표시영역(DA)의 대향전극(223) 및 접합영역(AA)의 커버층(121) 상에 제1 무기봉지층(310)이 형성될 수 있다. 이후, 표시영역(DA)의 제1 무기봉지층(310) 상에 유기봉지층(320)이 형성될 수 있다. 이후, 표시영역(DA)의 유기봉지층(320) 및 접합영역(AA)의 제1 무기봉지층(310) 상에 제2 무기봉지층(330)이 형성될 수 있다.
따라서, 접합영역(AA)의 커버층(121) 상에는 제1 무기봉지층(310) 및 제2 무기봉지층(330)이 형성될 수 있다. 접합영역(AA)의 제1 무기봉지층(310)은 커버층(121) 및 제2 무기봉지층(330)과 직접 접할 수 있다.
본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.
1: 표시 패널
100: 기판
110: 도전패턴
121: 커버층
160, 170, 180: 제1 연결패턴, 제2 연결패턴, 제3 연결패턴

Claims (20)

  1. 표시영역 및 상기 표시영역의 외측에 위치하고 접합영역을 포함하는 주변영역을 포함하는 기판;
    상기 접합영역 상에 배치되는 도전패턴;
    상기 도전패턴의 상면의 적어도 일부 및 측면을 덮는 커버층; 및
    상기 표시영역 및 상기 주변영역 상에 배치되고 제1 무기봉지층, 유기봉지층 및 제2 무기봉지층을 포함하는 봉지층;을 구비하고,
    상기 접합영역에서 상기 제1 무기봉지층은 상기 커버층 및 상기 제2 무기봉지층과 직접 접하는, 표시 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 도전패턴은 제1 방향으로 연장되고,
    상기 도전패턴은 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 돌출된 돌기패턴들을 포함하는, 표시 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 주변영역에 위치하는 댐부 및 뱅크를 더 포함하고,
    상기 접합영역은 상기 댐부와 상기 뱅크 사이에 위치하는, 표시 장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 표시영역 상에 배치되는 제1 연결패턴;
    상기 제1 연결패턴 상에 배치되는 제1 유기절연층;
    상기 제1 유기절연층 상에 배치되는 제2 연결패턴;
    상기 제2 연결패턴 상에 배치되는 제2 유기절연층;
    상기 제2 유기절연층 상에 배치되는 제3 연결패턴; 및
    상기 제3 연결패턴 상에 배치되는 제3 유기절연층;
    을 더 포함하는, 표시 장치.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 도전패턴은 상기 제1 연결패턴, 상기 제2 연결패턴, 및 상기 제3 연결패턴 중 하나와 동일한 층에 배치되는, 표시 장치.
  6. 제4항에 있어서,
    상기 도전패턴은 상기 제1 연결패턴과 동일한 층에 배치되는, 표시 장치.
  7. 제4항에 있어서,
    상기 도전패턴은 순차적으로 적층된 제1 도전층, 제2 도전층 및 제3 도전층을 포함하고,
    상기 제1 연결패턴은 순차적으로 적층된 제1 층, 제2 층, 및 제3 층을 포함하며,
    상기 제1 도전층, 상기 제2 도전층, 상기 제3 도전층은 각각 상기 제1 층 상기 제2 층 및 상기 제3 층과 동일한 층에 동일한 물질로 구비되는, 표시 장치.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 커버층은 상기 제1 도전층의 측면, 상기 제2 도전층의 측면, 상기 제3 도전층의 측면 및 상기 제3 도전층의 상면의 적어도 일부를 덮는, 표시 장치.
  9. 제7항에 있어서,
    상기 제3 도전층과 상기 커버층은 동일한 물질을 포함하는, 표시 장치.
  10. 제7항에 있어서,
    상기 제2 연결패턴은 순차적으로 적층된 제4 층, 제5 층 및 제6 층을 포함하고,
    상기 커버층은 상기 제4 층과 동일한 물질을 포함하는, 표시 장치.
  11. 표시영역과 상기 표시영역의 외측에 위치하고 접합영역을 포함하는 주변영역을 포함하는 표시 장치의 제조 방법에 있어서,
    상기 표시영역 및 상기 접합영역 상에 제1 패턴용 물질을 형성하는 동작;
    상기 표시영역 상의 상기 제1 패턴용 물질을 식각하여 제1 연결패턴 및 상기 접합영역 상의 상기 제1 패턴용 물질을 식각하여 도전패턴을 형성하는 동작;
    상기 제1 연결패턴 상에 제1 유기절연층을 형성하는 동작;
    상기 제1 유기절연층 및 상기 도전패턴 상에 제2 패턴용 물질을 형성하는 동작;
    상기 제1 유기절연층 상의 상기 제2 패턴용 물질을 식각하여 제2 연결패턴 및 상기 도전패턴 상의 상기 제2 패턴용 물질을 식각하여 보호층을 형성하는 동작; 및
    상기 보호층의 일부를 제거하는 동작;
    을 포함하는, 표시 장치의 제조 방법.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 보호층은 기판의 두께 방향으로 순차적으로 적층된 커버층, 제1 보호층, 및 제2 보호층을 포함하는, 표시 장치의 제조 방법.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 보호층의 일부를 제거하는 동작은,
    상기 제2 연결패턴 상에 제2 유기절연층을 형성하는 동작;
    상기 제2 유기절연층 및 상기 보호층 상에 제3 패턴용 물질을 형성하는 동작;
    상기 제2 유기절연층 상의 상기 제3 패턴용 물질을 식각하여 제3 연결패턴을 형성하고, 상기 보호층 상의 상기 제3 패턴용 물질, 상기 보호층의 상기 제2 보호층 및 상기 보호층의 상기 제1 보호층의 일부분을 제거하는 동작;
    상기 제3 연결패턴 상에 제3 유기절연층을 형성하는 동작;
    상기 제3 유기절연층 및 상기 제1 보호층 상에 제4 패턴용 물질을 형성하는 동작; 및
    상기 제3 유기절연층 상의 상기 제4 패턴용 물질을 식각하여 화소전극을 형성하고, 상기 제1 보호층 상의 상기 제4 패턴용 물질 및 상기 제1 보호층의 나머지 부분을 제거하는 동작;
    을 포함하는, 표시 장치의 제조 방법.
  14. 제12항에 있어서,
    상기 커버층과 상기 제2 보호층은 동일한 물질로 구비되고, 상기 커버층과 상기 제1 보호층은 상이한 물질로 구비되는, 표시 장치의 제조 방법.
  15. 제12항에 있어서,
    상기 보호층의 일부를 제거하는 동작 이후에,
    상기 커버층 상에 제1 무기봉지층 및 제2 무기봉지층을 형성하는 동작을 더 포함하는, 표시 장치의 제조 방법.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 접합영역에서 상기 제1 무기봉지층은, 상기 커버층 및 상기 제2 무기봉지층과 직접 접하는, 표시 장치의 제조 방법.
  17. 제11항에 있어서,
    상기 도전패턴은 제1 방향으로 연장되고, 상기 도전패턴은 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 돌출된 돌기패턴들을 포함하는, 표시 장치의 제조 방법.
  18. 제12항에 있어서,
    상기 도전패턴은 순차적으로 적층된 제1 도전층, 제2 도전층 및 제3 도전층을 포함하고,
    상기 커버층은 상기 제1 도전층의 측면, 상기 제2 도전층의 측면, 상기 제3 도전층의 측면 및 상기 제3 도전층의 상면의 적어도 일부를 덮는, 표시 장치의 제조 방법.
  19. 제18항에 있어서,
    상기 커버층과 상기 제3 도전층은 동일한 물질로 구비되는, 표시 장치의 제조 방법.
  20. 제11항에 있어서,
    상기 주변영역에 위치하는 댐부 및 뱅크를 더 포함하고,
    상기 접합영역은 상기 댐부와 상기 뱅크 사이에 위치하는, 표시 장치의 제조 방법.
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