CN116615045A - 显示装置和制造该显示装置的方法 - Google Patents

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金恩惠
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Abstract

本发明涉及显示装置和制造该显示装置的方法。该显示装置包括：基板，包括显示区域和在显示区域外面的外围区域，该外围区域包括粘合区域；在粘合区域中的导电图案；覆盖层，覆盖导电图案的上表面的至少一部分和导电图案的侧表面；以及在显示区域和外围区域中并且包括第一无机封装层、有机封装层和第二无机封装层的封装层，其中，第一无机封装层在粘合区域中直接接触覆盖层和第二无机封装层。

Description

显示装置和制造该显示装置的方法
相关申请的交叉引用
本申请要求于2022年2月17日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2022-0021038号的优先权和权益，其全部公开内容通过引用并入本文。
技术领域
本公开的实施例涉及一种显示装置和一种制造该显示装置的方法。
背景技术
随着信息社会的发展，对用于显示图像的显示装置的各种需求已经增加。此外，显示装置已经变得更薄且更轻，并且因此，其用途已经扩展。
为了增大显示装置中显示区域的尺寸，已经开发了减小外围区域(所谓死区)的技术。
发明内容
根据本公开的一个或者多个实施例，显示装置可以具有减小的死区并且显示高质量图像。然而，本公开的范围不限于如上所述的该效果。
附加方面将在以下描述中部分地阐述，并且部分地将从该描述中显而易见，或者可以通过本公开的实施例的实践来了解。
根据本公开的一个或者多个实施例，一种显示装置，包括：基板，包括显示区域和在显示区域外面的外围区域，该外围区域包括粘合区域；在粘合区域中的导电图案；覆盖层，覆盖导电图案的上表面的至少一部分和导电图案的侧表面；以及在显示区域和外围区域中的封装层，该封装层包括第一无机封装层、有机封装层和第二无机封装层，其中，第一无机封装层在粘合区域中直接接触覆盖层和第二无机封装层。
在一个或者多个实施例中，导电图案可以在第一方向上延伸，并且导电图案可以包括在与第一方向交叉的第二方向上突出的突出图案。
在一个或者多个实施例中，显示装置可以进一步包括在外围区域中的挡坝部分和堤坝，其中，粘合区域在挡坝部分和堤坝之间。
在一个或者多个实施例中，显示装置可以进一步包括：在显示区域中的第一连接图案、在第一连接图案上的第一有机绝缘层、在第一有机绝缘层上的第二连接图案、在第二连接图案上的第二有机绝缘层、在第二有机绝缘层上的第三连接图案以及在第三连接图案上的第三有机绝缘层。
在一个或者多个实施例中，导电图案可以与第一连接图案、第二连接图案或者第三连接图案位于同一层处。
在一个或者多个实施例中，导电图案可以与第一连接图案位于同一层处。
在一个或者多个实施例中，导电图案可以包括顺序堆叠的第一导电层、第二导电层和第三导电层，第一连接图案可以包括顺序堆叠的第一层、第二层和第三层，并且第一导电层、第二导电层和第三导电层可以分别与第一层、第二层和第三层位于同一层处并且可以包括相同的材料。
在一个或者多个实施例中，覆盖层可以覆盖第三导电层的上表面的至少一部分、第一导电层的侧表面、第二导电层的侧表面和第三导电层的侧表面。
在一个或者多个实施例中，第三导电层和覆盖层可以包括彼此相同的材料。
在一个或者多个实施例中，第二连接图案可以包括顺序堆叠的第四层、第五层和第六层，并且覆盖层可以包括与第四层相同的材料。
根据本公开的一个或者多个实施例，一种制造显示装置的方法，该显示装置包括显示区域和在显示区域外面的外围区域，该外围区域包括粘合区域，该方法包括：在显示区域和粘合区域中形成第一图案材料；通过蚀刻显示区域中的第一图案材料来形成第一连接图案，并且通过蚀刻粘合区域中的第一图案材料来形成导电图案；在第一连接图案上形成第一有机绝缘层；在第一有机绝缘层和导电图案上形成第二图案材料；通过蚀刻第一有机绝缘层上的第二图案材料来形成第二连接图案，并且通过蚀刻导电图案上的第二图案材料来形成保护层，以及移除保护层的一部分。
在一个或者多个实施例中，保护层可以包括在显示装置中包括的基板的厚度方向上顺序堆叠的覆盖层、第一保护层和第二保护层。
在一个或者多个实施例中，保护层的该一部分的移除可以包括：在第二连接图案上形成第二有机绝缘层；在第二有机绝缘层和保护层上形成第三图案材料；通过蚀刻第二有机绝缘层上的第三图案材料来形成第三连接图案，并且移除保护层上的第三图案材料、保护层的第一保护层的一部分和保护层的第二保护层；在第三连接图案上形成第三有机绝缘层；在第三有机绝缘层和第一保护层的剩余部分上形成第四图案材料；以及通过蚀刻第三有机绝缘层上的第四图案材料来形成像素电极，并且移除第一保护层的剩余部分上的第四图案材料和第一保护层的剩余部分。
在一个或者多个实施例中，覆盖层和第二保护层可以包括彼此相同的材料，并且覆盖层和第一保护层可以包括彼此不同的材料。
在一个或者多个实施例中，该方法可以进一步包括：在移除保护层的该一部分之后，在覆盖层上形成第一无机封装层和第二无机封装层。
在一个或者多个实施例中，第一无机封装层在粘合区域中可以直接接触覆盖层和第二无机封装层。
在一个或者多个实施例中，导电图案可以在第一方向上延伸，并且导电图案可以包括在与第一方向交叉的第二方向上突出的突出图案。
在一个或者多个实施例中，导电图案可以包括顺序堆叠的第一导电层、第二导电层和第三导电层，并且覆盖层可以覆盖第三导电层的上表面的至少一部分、第一导电层的侧表面、第二导电层的侧表面和第三导电层的侧表面。
在一个或者多个实施例中，覆盖层和第三导电层可以包括彼此相同的材料。
在一个或者多个实施例中，显示装置可以进一步包括在外围区域中的挡坝部分和堤坝，并且其中，粘合区域在挡坝部分和堤坝之间。
附图说明
从以下结合附图的描述中，本公开的各种实施例的上述和其他方面、特征和/或原理将变得更加明显，在附图中：
图1是根据本公开的一个或者多个实施例的显示装置的一部分的示意性平面图；
图2是根据本公开的一个或者多个实施例的显示装置的一部分的示意性平面图；
图3是根据本公开的一个或者多个实施例的电连接到与显示装置的像素相对应的发光二极管的像素电路的示意性等效电路图；
图4是根据本公开的一个或者多个实施例的显示装置的发光二极管和电连接到该发光二极管的像素电路的示意性截面图；
图5A、图5B和图5C分别是根据本公开的一个或者多个实施例的图4的显示装置的区域C、区域D和区域E的示意性截面图；
图6是根据本公开的一个或者多个实施例的图1的显示装置的区域A的示意性平面图；
图7是根据本公开的一个或者多个实施例的沿图6的线I-I’截取的显示装置的一部分的示意性截面图；
图8是根据本公开的一个或者多个实施例的图2的显示装置的区域B的示意性平面图；
图9是根据本公开的一个或者多个实施例的沿图8的线II-II’截取的显示装置的一部分的示意性截面图；
图10是根据本公开的一个或者多个实施例的图2的显示装置的区域B的示意性平面图；
图11是根据本公开的一个或者多个实施例的沿图10的线III-III’截取的显示装置的一部分的示意性截面图；并且
图12至图22是根据本公开的一个或者多个实施例的用于描述制造显示装置的方法的示意性截面图。
具体实施方式
现在将详细地参考实施例，实施例的示例在附图中被图示，在附图中，相同的附图标记始终指代相同的元件。在这一点上，当前实施例可以具有不同的形式，并且不应被解释为限于本文阐述的描述。因此，下面仅通过参考各图来描述实施例，以解释本公开的各方面。如本文所使用的，术语“和/或”包括关联的列出项目中的一个或者多个的任何和所有组合。在整个本公开中，表述“a、b和c中的至少一个”表示仅a、仅b、仅c、a和b两者、a和c两者、b和c两者、a、b和c中的全部或者其变型。
虽然本公开能够允许各种修改和可替代形式，但是其实施例在附图中通过示例的方式示出并且将在本文被详细地描述。通过参考下面详细地描述的附图和实施例，本公开的效果和特性及其实现方法将变得显而易见。因此，对于本领域普通技术人员来说，对于完整理解本公开的方面和特征而言不必要的工艺、元件和技术可能未被描述。然而，本公开不限于在下文中公开的实施例，并且可以以各种形式实现。
将理解，尽管术语“第一”、“第二”等可以在本文用于描述各种部件，但是这些部件不应受这些术语限制。这些术语仅用于区分一个部件与另一部件。
如本文所使用的，单数表述“一”和“该(所述)”也旨在包括复数形式，除非上下文另外清楚地指示。
将进一步理解，本文所使用的术语“包括”和/或“包含”指定了所陈述的特征或者部件的存在，但是不排除一个或者多个其他特征或者部件的存在或者添加。
将理解，当层、区域或者元件被称为形成在另一层、区域或者元件“上”、“连接到”或者“耦接到”另一层、区域或者元件时，它可以直接或者间接形成在另一层、区域或者元件上、连接到或者耦接到另一层、区域或者元件。也就是说，例如，可以存在居间的层、区域或者元件。此外，还将理解，当元件或者层被称为在两个元件或者层“之间”时，它可以是这两个元件或者层之间的唯一元件或者层，或者也可以存在一个或者多个居间的元件或者层。
为了便于解释，附图中元件的尺寸可能被夸大。例如，附图中元件的尺寸和厚度是为了便于解释而指示的，并且因此，本公开不一定限于附图的图示。
在本说明书中，表述“A和/或B”可以指示A、B或者A和B。另外，在本说明书中，表述“A和B中的至少一个”可以指示A、B或者A和B。
在下文中描述的实施例中，“在第一方向或者第二方向上延伸的线”不仅表示以线性形状延伸的线，而且表示在第一方向或者第二方向上以锯齿形状或者圆形形状延伸的线。
在下文中的实施例中，表述“平面的”指示当向下看物体时的形状，并且表述“截面的”指示当从侧面看被垂直截取的物体时的形状。在下面的实施例中，当一部分被称为“重叠”时，该部分可以是“平面地”或者“截面地”重叠。
为了易于解释，诸如“下方”、“下面”、“下部”、“之下”、“上面”和“上部”等的空间相对术语可以在本文用于描述如各图中所图示的一个元件或者特征与另一(些)元件或者特征的关系。将理解，除了各图中描绘的定向之外，空间相对术语旨在涵盖设备在使用或者在操作中的不同定向。例如，如果各图中的设备被翻转，则被描述为在其他元件或者特征“下面”或者“下方”或者“之下”的元件将随之被定向在其他元件或者特征的“上面”。因此，示例术语“下面”和“之下”可以涵盖上面和下面的定向两者。设备可以另外定向(例如，旋转90度或者以其他定向)，并且本文使用的空间相对描述符应被相应地解释。
如本文所使用的，术语“基本上”、“大约”和类似术语用作近似术语，而不用作程度术语，并且旨在考虑将被本领域普通技术人员认识到的测量的或者计算的值的内在偏差。进一步，当描述本公开的实施例时，“可以(可能)”的使用指代“本公开的一个或者多个实施例”。如本文所使用的，术语“使用”、“正在使用”和“被使用”可以被认为分别与术语“利用”、“正在利用”和“被利用”同义。
除非另外定义，否则本文所使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开所属领域的普通技术人员通常理解的含义相同的含义。将进一步理解，诸如那些在常用词典中定义的术语应被解释为具有与其在相关领域和/或本说明书的上下文中的含义一致的含义，并且不应以理想化或者过于正式的意义来解释，除非本文明确地如此定义。
在下文中，将参考附图详细地描述本公开的实施例。另外，当通过参考附图给出描述时，相同的元件或者对应的元件将通过使用相同的附图标记来指代。
图1是根据一个或者多个实施例的显示装置的示意性平面图。如在本说明书中所使用的，平面图可以与设备或者设备的部分在z方向上被观看的状态相对应。
参考图1，显示装置可以包括显示面板1。显示装置可以指代包括下面更详细地描述的显示面板1的所有类型的显示装置。例如，显示装置可以包括诸如智能电话、平板计算机、膝上型计算机、电视或者广告牌的各种产品。
显示面板1可以包括显示区域DA以及在显示区域DA外面的外围区域PA。显示区域DA被配置成显示图像，并且多个像素P可以设置在显示区域DA中。从近似地垂直于显示面板1的方向(例如，在平面图中)，显示区域DA可以具有包括圆形形状、椭圆形形状、多边形形状和/或任何其他合适的形状(例如，预定形状)的各种形状。图1图示了显示区域DA可以近似地具有正方形形状。然而，本公开不限于此。例如，显示区域DA可以近似地具有圆边正方形形状。
外围区域PA可以设置在显示区域DA外面。外围区域PA可以完全围绕显示区域DA(或者可以在显示区域DA周围)。外围区域PA被配置成不显示图像，并且被配置成驱动显示区域DA中的像素P的驱动电路、线等可以设置在外围区域PA中。
根据一个或者多个实施例，外围区域PA的至少一部分(该部分在显示区域DA的下部处)可以弯曲。当显示面板1弯曲时，是非显示区域的外围区域PA可以在观看显示装置时是不可见的，或者即使当外围区域PA是可见的时，其可见区域也可以被最小化。
上述显示面板1的形状可以与基板100(参见例如图4)的形状基本上相同。例如，可以理解，基板100(参见例如图4)可以包括显示区域DA和外围区域PA。在下文中，为了方便起见，描述了基板100(参见例如图4)可以包括显示区域DA和外围区域PA。
像素P可以设置在显示区域DA中，并且可以发射红光、绿光和/或蓝光。例如，像素P可以通过使用被配置成发光的发光二极管来发射期望颜色(例如，预定颜色)的光。发光二极管可以包括有机发光二极管、无机发光二极管或者量子点发光二极管。在下文中，为了便于解释，描述了发光二极管可以与有机发光二极管相对应。
发光二极管可以连接到晶体管，晶体管连接到被配置成控制发光二极管的导通/关断和亮度的信号线或者电压线。关于这方面，图1图示了连接到晶体管的信号线，信号线诸如扫描线SL、发射控制线EL、数据线DL以及诸如驱动电压线PL的电压线。在外围区域PA中，可以设置公共电压供应线10、驱动电压供应线30、第一驱动电路41、第二驱动电路43和数据驱动电路50。
公共电压供应线10可以设置在外围区域PA中。公共电压供应线10可以包括第一公共电压供应线11、第二公共电压供应线13和主体部分15。第一公共电压供应线11和第二公共电压供应线13可以设置成与显示区域DA的第一边缘E1邻近。第一公共电压供应线11和第二公共电压供应线13可以在第一方向(例如，y方向)上延伸。另外，第一公共电压供应线11和第二公共电压供应线13可以在与第一方向(例如，y方向)交叉的第二方向(例如，x方向)上彼此分开设置。第一公共电压供应线11和第二公共电压供应线13可以分别设置在显示区域DA的第一边缘E1的两侧处(例如，第一公共电压供应线11可以在第一边缘E1的一侧处，并且第二公共电压供应线13可以在第一边缘E1的另一侧处)。然而，本公开不限于此。公共电压供应线10可以进一步包括设置在第一公共电压供应线11和第二公共电压供应线13之间的第三公共电压供应线。当公共电压供应线10包括设置在第一公共电压供应线11和第二公共电压供应线13之间的第三公共电压供应线时，与当公共电压供应线10仅包括第一公共电压供应线11和第二公共电压供应线13时相比，公共电压供应线10可以进一步减小当施加电流时的电流密度，并且可以进一步抑制(或者减少)发热。
第一公共电压供应线11和第二公共电压供应线13可以经由沿显示区域DA的第二边缘E2、第三边缘E3和第四边缘E4延伸的主体部分15彼此连接。根据一个或者多个实施例，第一公共电压供应线11、第二公共电压供应线13和主体部分15可以一体形成。
根据一个或者多个实施例，驱动电压供应线30可以包括第一驱动电压供应线31、第二驱动电压供应线33和第三驱动电压供应线35。第一驱动电压供应线31和第二驱动电压供应线33可以在第一方向(例如，y方向)上延伸，并且第三驱动电压供应线35可以在第二方向(例如，x方向)上延伸。例如，第三驱动电压供应线35可以沿显示区域DA的第一边缘E1设置。根据一个或者多个实施例，第一驱动电压供应线31、第二驱动电压供应线33和第三驱动电压供应线35可以一体形成。然而，本公开不限于此。
驱动电压供应线30可以设置在外围区域PA中，并且可以电连接到在第一方向(例如，y方向)上与显示区域DA交叉的驱动电压线PL。也就是说，第三驱动电压供应线35可以电连接到在第一方向(例如，y方向)上与显示区域DA交叉的驱动电压线PL。
第一驱动电路41和第二驱动电路43可以设置在外围区域PA中，并且可以电连接到扫描线SL和/或发射控制线EL。根据一个或者多个实施例，扫描线SL中的一些扫描线SL可以电连接到第一驱动电路41，而其他扫描线SL可以电连接到第二驱动电路43。第一驱动电路41和第二驱动电路43可以被配置成生成扫描信号，并且生成的扫描信号可以通过扫描线SL被传输到电连接到发光二极管的晶体管。根据一个或者多个实施例，第一驱动电路41和第二驱动电路43中的任何一个可以包括发射控制驱动电路。例如，如图1中所图示，第一驱动电路41可以包括发射控制驱动电路，并且可以被配置成通过发射控制线EL将发射控制信号传输到电连接到发光二极管的晶体管。图1图示了发射控制驱动电路设置在显示区域DA的一侧处。然而，发射控制驱动电路可以设置在显示区域DA的两侧处。
数据驱动电路50可以在显示区域DA的下侧处设置在外围区域PA中。数据驱动电路50可以被配置成通过数据线DL将数据信号传输到电连接到发光二极管的晶体管。
第一焊盘部分TD1可以设置在基板100(参见例如图4)的一侧处，例如，在外围区域PA的端部处。印刷电路板60可以耦接在第一焊盘部分TD1上(或者耦接到第一焊盘部分TD1)。印刷电路板60可以包括电连接到第一焊盘部分TD1的第二焊盘部分TD2。控制器70可以设置在印刷电路板60上。控制器70的控制信号可以通过第一焊盘部分TD1和第二焊盘部分TD2被供应到第一驱动电路41和第二驱动电路42、数据驱动电路50、驱动电压供应线30以及公共电压供应线10中的每一个。
图2是根据本公开的一个或者多个实施例的显示装置的一部分的示意性平面图。图2中所图示的实施例与图1中所图示的实施例的不同之处在于，除了显示区域DA和在显示区域DA外面的外围区域PA之外，显示面板1可以进一步包括开口区域OA和中间区域MA。在图2中，与图1中的附图标记相同的附图标记表示图1的相同元件，并且因此，不再重复对它们的描述。
参考图2，显示面板1可以包括显示区域DA以及在显示区域DA外面的外围区域PA。另外，显示面板1可以进一步包括开口区域OA和中间区域MA。
根据一个或者多个实施例，显示区域DA可以至少部分地围绕开口区域OA(或者在开口区域OA周围)。中间区域MA可以在显示区域DA和开口区域OA之间。在平面图中，中间区域MA可以是闭环形状、完全围绕开口区域OA(或者在开口区域OA周围)。
开口区域OA可以在显示区域DA的内侧处。根据一个或者多个实施例，开口区域OA可以如图2中所图示设置在显示区域DA的右上侧处。在一个或者多个实施例中，开口区域OA可以设置在显示区域DA的左上侧或者中上侧处。像这样，开口区域OA可以以各种方式设置。图2图示了设置一个开口区域OA。然而，本公开不限于此。例如，可以设置多个开口区域OA。
另外，在一个或者多个实施例中，部件可以设置在开口区域OA下面。部件可以包括电子元件。例如，部件可以包括使用光或者声音的电子元件。例如，电子元件可以包括被配置成使用光的传感器(诸如红外传感器)、被配置成接收光并且捕获图像的照相机、被配置成通过输出和感测光或者声音来测量距离或者识别指纹等的传感器、被配置成输出光的小灯、被配置成输出声音的扬声器等。使用光的电子元件可以使用各种波长范围的光，诸如可见光、红外线、紫外线等。开口区域OA可以与从部件输出到外面或者从外面朝向电子元件传播的光和/或声音通过其传输的区域相对应。
图3是根据本公开的一个或者多个实施例的电连接到与显示装置的像素相对应的发光二极管的像素电路PC的示意性等效电路图。
像素电路PC可以如图3中所图示包括多个薄膜晶体管T1至T7和存储电容器Cst。多个薄膜晶体管T1至T7和存储电容器Cst可以连接到信号线SL1、SL2、SLp、SLn、EL和DL、第一初始化电压线VL1、第二初始化电压线VL2以及驱动电压线PL。上述这些线中的至少一条(例如，驱动电压线PL)可以被邻近的像素电路PC共享。
根据一个或者多个实施例，多个薄膜晶体管T1至T7可以包括驱动晶体管T1、开关晶体管T2、补偿晶体管T3、第一初始化晶体管T4、操作控制晶体管T5、发射控制晶体管T6和第二初始化晶体管T7。然而，本公开不限于此。
有机发光二极管OLED可以包括像素电极和对电极。通过发射控制晶体管T6，有机发光二极管OLED的像素电极可以连接到驱动晶体管T1并且接收驱动电流，并且有机发光二极管OLED的对电极可以接收公共电压ELVSS。有机发光二极管OLED可以生成具有根据驱动电流的亮度的光。
多个薄膜晶体管T1至T7中的一个或者多个可以被提供为n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)(NMOS)，而其他的薄膜晶体管可以被提供为p沟道MOSFET(PMOS)。例如，多个薄膜晶体管T1至T7当中的补偿晶体管T3和第一初始化晶体管T4可以被提供为NMOS晶体管，而其他的薄膜晶体管可以被提供为PMOS晶体管。在一个或者多个实施例中，多个薄膜晶体管T1至T7当中的补偿晶体管T3、第一初始化晶体管T4和第二初始化晶体管T7可以被提供为NMOS晶体管，而其他的薄膜晶体管可以被提供为PMOS晶体管。在一个或者多个实施例中，多个薄膜晶体管T1至T7中的全部可以被提供为NMOS晶体管或者PMOS晶体管。多个薄膜晶体管T1至T7可以包括非晶硅或者多晶硅。NMOS薄膜晶体管可以包括氧化物半导体。在下文中，为了方便起见，描述了补偿晶体管T3和第一初始化晶体管T4是包括氧化物半导体的NMOS晶体管而其他的薄膜晶体管是PMOS晶体管的情况。
信号线可以包括第一扫描线SL1、第二扫描线SL2、前一扫描线SLp、下一扫描线SLn、发射控制线EL和数据线DL。然而，本公开不限于此。另外，第一扫描线SL1可以被配置成传输第一扫描信号Sn。第二扫描线SL2可以被配置成传输第二扫描信号Sn’。前一扫描线SLp可以被配置成将前一扫描信号Sn-1传输到第一初始化晶体管T4。下一扫描线SLn可以被配置成将下一扫描信号Sn+1传输到第二初始化晶体管T7。发射控制线EL可以被配置成将发射控制信号En传输到操作控制晶体管T5和发射控制晶体管T6。数据线DL可以被配置成传输数据信号Dm。
驱动电压线PL可以被配置成将驱动电压ELVDD传输到驱动晶体管T1，第一初始化电压线VL1可以被配置成传输用于对驱动晶体管T1进行初始化的第一初始化电压Vint1，并且第二初始化电压线VL2可以被配置成传输用于对有机发光二极管OLED的像素电极进行初始化的第二初始化电压Vint2。
驱动晶体管T1的驱动栅电极可以经由第二节点N2连接到存储电容器Cst。另外，驱动晶体管T1的源区和漏区中的任何一个可以经由第一节点N1通过操作控制晶体管T5连接到驱动电压线PL，并且另一个可以经由第三节点N3通过发射控制晶体管T6电连接到有机发光二极管OLED的像素电极。驱动晶体管T1可以被配置成根据开关晶体管T2的开关操作接收数据信号Dm，并且被配置成将驱动电流供应到有机发光二极管OLED。也就是说，根据施加到第二节点N2的电压(该电压根据数据信号Dm而变化)，驱动晶体管T1可以被配置成控制从电连接到驱动电压线PL的第一节点N1流到有机发光二极管OLED的电流量。
开关晶体管T2的开关栅电极可以连接到被配置成传输第一扫描信号Sn的第一扫描线SL1。开关晶体管T2的源区或者漏区可以连接到数据线DL，并且另一个可以经由第一节点N1连接到驱动晶体管T1且可以通过操作控制晶体管T5连接到驱动电压线PL。开关晶体管T2可以被配置成根据施加到第一扫描线SL1的电压而将数据信号Dm从数据线DL传输到第一节点N1。也就是说，开关晶体管T2可以响应于通过第一扫描线SL1接收的第一扫描信号Sn而导通，并且可以被配置成执行将通过数据线DL传输的数据信号Dm经由第一节点N1传输到驱动晶体管T1的开关操作。
补偿晶体管T3的补偿栅电极可以连接到第二扫描线SL2。补偿晶体管T3的源区或者漏区可以经由第三节点N3通过发射控制晶体管T6连接到有机发光二极管OLED的像素电极。补偿晶体管T3的源区和漏区中的另一个可以经由第二节点N2连接到存储电容器Cst的第一电容器电极CE1和驱动晶体管T1的驱动栅电极。补偿晶体管T3可以响应于通过第二扫描线SL2接收的第二扫描信号Sn’而导通，并且可以将驱动晶体管T1二极管连接。
第一初始化晶体管T4的第一初始化栅电极可以连接到前一扫描线SLp。第一初始化晶体管T4的源区或者漏区可以连接到第一初始化电压线VL1。第一初始化晶体管T4的源区和漏区中的另一个可以经由第二节点N2连接到存储电容器Cst的第一电容器电极CE1、驱动晶体管T1的驱动栅电极等。第一初始化晶体管T4可以被配置成根据施加到前一扫描线SLp的电压将来自第一初始化电压线VL1的第一初始化电压Vint1施加到第二节点N2。也就是说，第一初始化晶体管T4可以响应于通过前一扫描线SLp接收的前一扫描信号Sn-1而导通，并且可以被配置成通过将初始化电压Vint1传输到驱动晶体管T1的驱动栅电极来执行对驱动晶体管T1的驱动栅电极的电压进行初始化的初始化操作。
操作控制晶体管T5的操作控制栅电极可以连接到发射控制线EL，并且操作控制晶体管T5的源区或者漏区可以连接到驱动电压线PL，并且另一个可以经由第一节点N1连接到驱动晶体管T1和开关晶体管T2。
发射控制晶体管T6的发射控制栅电极可以连接到发射控制线EL，并且发射控制晶体管T6的源区或者漏区可以经由第三节点N3连接到驱动晶体管T1和补偿晶体管T3，并且另一个可以电连接到有机发光二极管OLED的像素电极。
操作控制晶体管T5和发射控制晶体管T6可以响应于通过发射控制线EL接收的发射控制信号En而同时导通，使得驱动电压ELVDD可以被传输到有机发光二极管OLED，并且驱动电流可以在有机发光二极管OLED中流动。
第二初始化晶体管T7的第二初始化栅电极可以连接到下一扫描线SLn，并且第二初始化晶体管T7的源区或者漏区可以连接到有机发光二极管OLED的像素电极，并且另一个可以连接到第二初始化电压线VL2且可以接收第二初始化电压Vint2。第二初始化晶体管T7可以响应于通过下一扫描线SLn接收的下一扫描信号Sn+1而导通，并且可以被配置成对有机发光二极管OLED的像素电极进行初始化。下一扫描线SLn可以与第一扫描线SL1相同。在这种情况下，通过以电信号之间的时间间隔将同一电信号传输到对应的扫描线SL，对应的扫描线可以被配置成用作第一扫描线SL1和下一扫描线SLn。也就是说，下一扫描线SLn可以是与图3中所图示的像素电路PC邻近的不同像素电路的第一扫描线SL1，并且与像素电路PC连接到同一数据线DL。
存储电容器Cst可以包括第一电容器电极CE1和第二电容器电极CE2。存储电容器Cst的第一电容器电极CE1可以经由第二节点N2连接到驱动晶体管T1的驱动栅电极，并且存储电容器Cst的第二电容器电极CE2可以连接到驱动电压线PL。存储电容器Cst可以被配置成存储与驱动晶体管T1的驱动栅电极电压和驱动电压ELVDD之间的差相对应的电荷。
根据本公开的一个或者多个实施例，下面更详细地描述像素电路PC和有机发光二极管OLED的详细操作。
在初始化时段期间，当通过前一扫描线SLp供应前一扫描信号Sn-1时，第一初始化晶体管T4可以响应于前一扫描信号Sn-1而导通，并且驱动晶体管T1可以经由从第一初始化电压线VL1供应的第一初始化电压Vint1来初始化。
在数据编程时段期间，当通过第一扫描线SL1和第二扫描线SL2供应第一扫描信号Sn和第二扫描信号Sn’时，开关晶体管T2和补偿晶体管T3可以响应于第一扫描信号Sn和第二扫描信号Sn’而导通。这里，驱动晶体管T1可以被导通的补偿晶体管T3二极管连接，并且可以被正向偏置。然后，通过从供应自数据线DL的数据信号Dm中减去驱动晶体管T1的阈值电压Vth而获取的补偿电压Dm+Vth(Vth具有负(-)值)可以被施加到驱动晶体管T1的驱动栅电极。驱动电压ELVDD和补偿电压Dm+Vth可以被施加到存储电容器Cst的两端，并且与存储电容器Cst的两端的电压之间的差相对应的电荷可以被存储在存储电容器Cst中。
在发射时段期间，操作控制晶体管T5和发射控制晶体管T6可以响应于从发射控制线EL供应的发射控制信号En而导通。可以产生根据驱动晶体管T1的驱动栅电极的电压和驱动电压ELVDD之间的电压差的驱动电流，并且驱动电流可以通过发射控制晶体管T6被供应到有机发光二极管OLED。
如上所述，多个薄膜晶体管T1至T7中的一个或者多个可以包括氧化物半导体。例如，补偿晶体管T3和第一初始化晶体管T4可以包括氧化物半导体。然而，本公开不限于此。
多晶硅是高度可靠的，并且因此，可以由多晶硅控制期望精度的电流流动。因此，直接影响显示装置的亮度的驱动晶体管T1可以包括包含高度可靠的多晶硅的半导体层，以实现具有高分辨率的显示装置。氧化物半导体可以具有高载流子迁移率和低漏电流，并且因此，即使当驱动时间增加时，电压降也可以是不显著的。也就是说，在氧化物半导体的情况下，即使在低频驱动期间，由于电压降而引起的图像的颜色变化也可以是不显著的。因此，低频驱动是可能的。因此，补偿晶体管T3和第一初始化晶体管T4可以包括氧化物半导体，以实现防止(或者基本上防止)漏电流并且降低功耗的显示装置。
然而，氧化物半导体对光是敏感的，并且因此，电流量等可能由于外部光而改变。因此，金属层可以设置在氧化物半导体下面，以吸收或者反射来自外面的光。因此，如图3中所图示，栅电极可以设置在包括氧化物半导体的补偿晶体管T3和第一初始化晶体管T4中的每一个的氧化物半导体层的上面和下面两者。也就是说，从垂直于基板100(参见例如图4)的上表面的方向(例如，z方向)，设置在氧化物半导体下面的金属层可以与氧化物半导体重叠。
图4是根据本公开的一个或者多个实施例的显示装置的发光二极管和电连接到该发光二极管的像素电路PC的示意性截面图。
参考图4，有机发光二极管OLED可以设置在显示区域DA中，其中，有机发光二极管OLED可以在垂直于基板100的方向(例如，z方向)上电连接到设置在基板100和有机发光二极管OLED之间的像素电路PC。
基板100可以包括玻璃材料或者聚合物树脂。根据一个或者多个实施例，基板100可以具有堆叠结构，在该堆叠结构中，包括聚合物树脂的基底层和包括诸如硅氧化物或者硅氮化物的无机绝缘材料的阻挡层交替堆叠。例如，基板100可以包括顺序堆叠的第一基底层100a、第一阻挡层100b、第二基底层100c和第二阻挡层100d。第一基底层100a和第二基底层100c可以包括聚合物树脂，并且第一阻挡层100b和第二阻挡层100d可以包括无机绝缘材料。聚合物树脂可以包括聚醚砜、聚芳酯、聚醚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚苯硫醚、聚酰亚胺、聚碳酸酯、三醋酸纤维素和/或醋酸丙酸纤维素。
缓冲层201可以设置在基板100上。缓冲层201可以减少或者防止杂质、湿气和/或外部物质从基板100下面渗透。缓冲层201可以包括诸如硅氧化物(SiOx)、氮氧化硅(SiON)和/或硅氮化物(SiNx)的无机材料，并且可以包括包含上述无机材料的单层或者多层。
如上面参考图3所述，像素电路PC可以包括多个晶体管和存储电容器。关于该配置，图4图示了驱动晶体管T1、补偿晶体管T3和存储电容器Cst。
驱动晶体管T1可以包括缓冲层201上的半导体层(在下文中被称为驱动半导体层A1)和与驱动半导体层A1的沟道区C1重叠的驱动栅电极GE1。驱动半导体层A1可以包括硅类半导体材料，例如，多晶硅。驱动半导体层A1可以包括沟道区C1以及分别设置在沟道区C1的相对侧处的第一区B1和第二区D1。第一区B1和第二区D1可以包括比沟道区C1高浓度的杂质，并且第一区B1和第二区D1中的一个可以与源区相对应且另一个可以与漏区相对应。
第一栅绝缘层203可以设置在驱动半导体层A1和驱动栅电极GE1之间。第一栅绝缘层203可以包括诸如SiOx、SiNx和/或SiON的无机绝缘材料，并且可以包括包含上述无机绝缘材料的单层或者多层。
驱动栅电极GE1可以包括包含Mo、Al、Cu、Ti和/或其他合适的材料的导电材料，并且可以包括包含上述导电材料的单层或者多层。
存储电容器Cst可以包括彼此重叠的第一电容器电极CE1和第二电容器电极CE2。根据一个或者多个实施例，存储电容器Cst的第一电容器电极CE1可以包括驱动栅电极GE1。换句话说，驱动栅电极GE1可以包括存储电容器Cst的第一电容器电极CE1。例如，驱动栅电极GE1和第一电容器电极CE1可以一体形成。
第一层间绝缘层205可以设置在存储电容器Cst的第一电容器电极CE1和第二电容器电极CE2之间。第一层间绝缘层205可以包括诸如SiOx、SiNx和/或SiON的无机绝缘材料，并且可以包括包含上述无机绝缘材料的单层或者多层。
存储电容器Cst的第二电容器电极CE2可以包括诸如Mo、Al、Cu和/或Ti的低电阻导电材料，并且可以包括包含上述材料的单层或者多层。
第二层间绝缘层207可以设置在存储电容器Cst上。第二层间绝缘层207可以包括诸如SiOx、SiNx和/或SiON的无机绝缘材料，并且可以包括包含上述无机绝缘材料的单层或者多层。
补偿晶体管T3的半导体层(在下文中被称为补偿半导体层A3)可以设置在第二层间绝缘层207上。补偿半导体层A3可以包括氧化物类半导体材料。例如，补偿半导体层A3可以包括Zn氧化物类材料，例如，Zn氧化物、In-Zn氧化物、Ga-In-Zn氧化物和/或其他合适的材料。在一个或者多个实施例中，补偿半导体层A3可以包括半导体，该半导体包括其中诸如In、Ga或者Sn的金属被包括在ZnO中的In-Ga-Zn-O(IGZO)、In-Sn-Zn-O(ITZO)和/或In-Ga-Sn-Zn-O(IGTZO)。
补偿半导体层A3可以包括沟道区C3以及设置在沟道区C3的各自侧处的第三区B3和第四区D3。第三区B3和第四区D3中的一个可以与源区相对应，并且另一个可以与漏区相对应。
补偿晶体管T3可以包括与补偿半导体层A3的沟道区C3重叠的补偿栅电极GE3。补偿栅电极GE3可以具有包括设置在补偿半导体层A3下面的下栅电极G3A和设置在沟道区C3上面的上栅电极G3B的双栅结构。
下栅电极G3A可以设置在与存储电容器Cst的第二电容器电极CE2相同的层(例如，在第一层间绝缘层205上)。下栅电极G3A可以包括与存储电容器Cst的第二电容器电极CE2相同的材料。
上栅电极G3B可以设置在补偿半导体层A3上，第二栅绝缘层209在上栅电极G3B和补偿半导体层A3之间。第二栅绝缘层209可以包括诸如SiOx、SiNx和/或SiON的无机绝缘材料，并且可以包括包含上述无机绝缘材料的单层或者多层。
第三层间绝缘层210可以设置在上栅电极G3B上。第三层间绝缘层210可以包括诸如SiOx、SiNx和/或SiON的无机绝缘材料，并且可以包括包含上述无机绝缘材料的单层或者多层。
驱动晶体管T1和补偿晶体管T3可以通过第一连接图案160彼此电连接。第一连接图案160可以设置在第三层间绝缘层210上。第一连接图案160的一侧可以连接到驱动晶体管T1的驱动栅电极GE1，并且第一连接图案160的另一侧可以连接到补偿晶体管T3的补偿半导体层A3。然而，本公开不限于此。第一连接图案160可以表示设置在第三层间绝缘层210上的线或者导电层。
第一连接图案160可以包括Al、Cu和/或Ti，并且可以包括包含上述材料的单层或者多层。例如，第一连接图案160可以具有Ti层/Al层/Ti层的三层结构。参考图5A更详细地描述了这方面。
第一有机绝缘层211可以设置在第一连接图案160上。第一有机绝缘层211可以包括有机绝缘材料。有机绝缘材料可以包括丙烯、苯并环丁烯(BCB)、聚酰亚胺和/或六甲基二硅氧烷(HMDSO)。
第二连接图案170可以设置在第一有机绝缘层211上。第二连接图案170可以包括Al、Cu和/或Ti，并且可以包括包含上述材料的单层或者多层。例如，第二连接图案170可以具有Ti层/Al层/Ti层的三层结构。将参考图5B更详细地描述这方面。
第二有机绝缘层212可以设置在第二连接图案170上。第二有机绝缘层212可以包括诸如丙烯、BCB、聚酰亚胺和/或HMDSO的有机绝缘材料。
第三连接图案180和数据线DL可以设置在第二有机绝缘层212上。然而，本公开不限于此。数据线DL可以设置在第三层间绝缘层210或者第一有机绝缘层211上。第三连接图案180和数据线DL可以包括Al、Cu和/或Ti，并且可以包括包含上述材料的单层或者多层。例如，第三连接图案180和数据线DL可以具有Ti层/Al层/Ti层的三层结构。参考图5C更详细地描述了这方面。
第三有机绝缘层213可以设置在第三连接图案180和数据线DL上。第三有机绝缘层213可以包括诸如丙烯、BCB、聚酰亚胺和/或HMDSO的有机绝缘材料。
图4图示了第一有机绝缘层211、第二有机绝缘层212和第三有机绝缘层213。然而，本公开不限于此。例如，可以省略第一有机绝缘层211至第三有机绝缘层213中的至少一个。
有机发光二极管OLED可以设置在第三有机绝缘层213上。有机发光二极管OLED可以包括像素电极221、中间层222和对电极223。
像素电极221可以设置在第三有机绝缘层213上。像素电极221可以包括包含Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr和/或其化合物的反射层。在一个或者多个实施例中，像素电极221可以进一步包括在上述反射层上面和/或下面的导电氧化物层。导电氧化物层可以包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、氧化铟镓(IGO)和/或氧化铝锌(AZO)。根据一个或者多个实施例，像素电极221可以具有ITO/Ag/ITO层的三层结构。
像素限定层215可以设置在像素电极221上。开口可以限定在像素限定层215中，以暴露像素电极221的至少一部分。像素电极221的中心部分可以被像素限定层215中限定的开口暴露。
像素限定层215可以包括有机绝缘材料。在一个或者多个实施例中，像素限定层215可以包括诸如SiNx、SiON和/或SiOx的无机绝缘材料。在一个或者多个实施例中，像素限定层215可以包括有机绝缘材料和无机绝缘材料。在一个或者多个实施例中，像素限定层215可以包括遮光材料，并且可以被提供为黑色。遮光材料可以包括包含炭黑、碳纳米管和/或黑色染料的树脂或者浆糊、诸如Ni、Al、Mo和/或其合金的金属颗粒、金属氧化物颗粒(例如，氧化铬)、金属氮化物颗粒(例如，氮化铬)和/或其他合适的颗粒。当像素限定层215包括遮光材料时，可以减少由于设置在像素限定层215下面的金属结构引起的外部光的反射。
间隔件217可以设置在像素限定层215上。间隔件217可以包括诸如聚酰亚胺的有机绝缘材料。在一个或者多个实施例中，间隔件217可以包括诸如SiOx、SiNx和/或SiON的无机绝缘材料，或者有机绝缘材料和无机绝缘材料。
根据一个或者多个实施例，间隔件217可以包括与像素限定层215相同的材料。在这种情况下，像素限定层215和间隔件217可以通过使用半色调掩模的掩模工艺和/或其他合适的工艺一起形成。根据一个或者多个实施例，间隔件217和像素限定层215可以包括彼此不同的材料。
中间层222可以设置在像素电极221上。中间层222可以包括顺序堆叠的第一功能层222a、发射层222b和第二功能层222c。第一功能层222a和第二功能层222c可以被统称为功能层。
发射层222b可以设置在像素限定层215中限定的开口中。发射层222b可以包括发射期望或者指定颜色的光的高分子量有机材料或者低分子量有机材料。
第一功能层222a可以设置在像素电极221和发射层222b之间，并且第二功能层222c可以设置在发射层222b和对电极223之间。然而，本公开不限于此。可以省略第一功能层222a和第二功能层222c中的至少一个。
第一功能层222a可以包括例如空穴传输层(HTL)，或者HTL和空穴注入层(HIL)。第二功能层222c可以包括电子传输层(ETL)和/或电子注入层(EIL)。第一功能层222a和/或第二功能层222c可以是形成为完全覆盖基板100的公共层。
对电极223可以包括具有低功函数的导电材料。例如，对电极223可以包括包含Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca和/或其合金的透明(或者透反射)层。在一个或者多个实施例中，在包括上述材料的透明(或者透反射)层上，对电极223可以进一步包括诸如ITO、IZO、ZnO和/或In2O3层的层。
有机发光二极管220可以被封装层300覆盖。封装层300可以包括至少一个有机封装层和至少一个无机封装层。根据一个或者多个实施例，封装层300可以包括第一无机封装层310、第二无机封装层330和有机封装层320。有机封装层320可以设置在第一无机封装层310和第二无机封装层330之间。
第一无机封装层310和第二无机封装层330可以包括氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)、ZnO、SiOx、SiNx和/或SiON当中的一种或者多种无机材料。第一无机封装层310和第二无机封装层330可以包括包含上述材料的单层或者多层。有机封装层320可以包括聚合物类材料。聚合物类材料可以包括丙烯酸类树脂、环氧类树脂、聚酰亚胺、聚乙烯和/或其他合适的材料。根据一个或者多个实施例，有机封装层320可以包括丙烯酸酯。
图5A、图5B和图5C是根据本公开的一个或者多个实施例的显示装置的部分的示意性截面图。详细地，图5A、图5B和图5C分别与图4的区域C、区域D和区域E的放大图相对应。在图5A至图5C中，与图4中的附图标记相同的附图标记表示图4的相同元件，并且因此，不再重复对它们的描述。
参考图5A，第一连接图案160可以设置在第三层间绝缘层210上。第一连接图案160可以包括顺序堆叠的第一层161、第二层163和第三层165。第一层161至第三层165中的每一层可以包括Al、Cu和Ti中的至少一个。例如，第一层161和第三层165可以包括Ti，并且第二层163可以包括Al。然而，本公开不限于此。
参考图5B，第二连接图案170可以设置在第一有机绝缘层211上。第二连接图案170可以包括顺序堆叠的第四层171、第五层173和第六层175。第四层171至第六层175中的每一层可以包括Al、Cu和Ti中的至少一个。例如，第四层171和第六层175可以包括Ti，并且第五层173可以包括Al。然而，本公开不限于此。
参考图5C，第三连接图案180可以设置在第二有机绝缘层212上。第三连接图案180可以包括顺序堆叠的第七层181、第八层183和第九层185。第七层181至第九层185中的每一层可以包括Al、Cu和Ti中的至少一个。例如，第七层181和第九层185可以包括Ti，并且第八层183可以包括Al。然而，本公开不限于此。
图6是根据本公开的一个或者多个实施例的显示装置的一部分的示意性平面图。详细地，图6与图1的区域A的放大图相对应。在图6中，与图1中的附图标记相同的附图标记表示图1的相同元件，并且因此，不再重复对它们的描述。
参考图6，驱动电压供应线30可以设置在显示面板1的外围区域PA中。另外，第一挡坝部分610、第二挡坝部分620和堤坝630可以设置在显示面板1的外围区域PA中。
如上面参考图1所述，驱动电压供应线30可以包括第一驱动电压供应线31、第二驱动电压供应线33(参见例如图1)和第三驱动电压供应线35。
当形成封装层300(参见例如图4)时，详细地，当形成有机封装层320(参见例如图4)时，需要在合适的区域(例如，预定区域)内涂敷用于形成有机封装层的材料。为此，如图6中所图示，第一挡坝部分610可以设置在外围区域PA中。第一挡坝部分610可以设置成围绕显示区域DA(参见例如图1)(或者在显示区域DA(参见例如图1)周围)。也就是说，第一挡坝部分610可以沿显示区域DA的周边设置。
第二挡坝部分620可以进一步设置在第一挡坝部分610外面。第二挡坝部分620可以设置成围绕第一挡坝部分610(或者在第一挡坝部分610周围)。也就是说，第二挡坝部分620可以沿第一挡坝部分610的周边设置。另外，因为第一挡坝部分610可以沿显示区域DA的周边设置，所以可以理解，第二挡坝部分620也可以沿显示区域DA的周边设置。
因为第一挡坝部分610和/或第二挡坝部分620可以沿显示区域DA的周边设置，所以可以防止(或者基本上防止)用于形成有机封装层的材料朝向基板100(参见例如图4)的边缘扩散，可以限定用于形成有机封装层320的位置，并且可以防止(或者基本上防止)形成有机封装层320的边缘尾部。
堤坝630可以进一步设置在第二挡坝部分620外面。堤坝630可以至少部分地围绕第二挡坝部分620(或者在第二挡坝部分620周围)。堤坝630可以支撑在显示面板1的制造工艺中使用的掩模，以形成有机发光二极管OLED(参见例如图4)的中间层222(参见例如图4)和/或对电极223(参见例如图4)，并且通过这样做，可以防止或者最小化对先前形成的部件的损坏(该损坏是由掩模导致的)。
根据一个或者多个实施例，有机封装层320的端部可以设置在显示区域DA和第一挡坝部分610之间。在一个或者多个实施例中，有机封装层320的端部可以设置在第一挡坝部分610上。
根据一个或者多个实施例，封装层300的第一无机封装层310(参见例如图7)和第二无机封装层330(参见例如图7)可以朝向堤坝630延伸。第一无机封装层310的端部和第二无机封装层330的端部可以设置在第二挡坝部分620和堤坝630之间。在一个或者多个实施例中，第一无机封装层310的端部和第二无机封装层330的端部可以设置在堤坝630上。
根据一个或者多个实施例，外围区域PA可以包括粘合区域AA。粘合区域AA可以设置在第二挡坝部分620和堤坝630之间。例如，仅包括无机绝缘材料的粘合区域AA可以限定在第二挡坝部分620和堤坝630之间。这里，粘合区域AA仅包括无机绝缘材料可以表示有机绝缘材料可以不设置在粘合区域AA中。也就是说，无机绝缘层和/或导电图案可以设置在粘合区域AA中。在粘合区域AA中，第一无机封装层310可以直接接触第二无机封装层330，并且另一无机层(例如，第三层间绝缘层210(参见例如图7))可以在第一无机封装层310下面，并且因此，可以提高封装层300的粘合力，以相对更有效地防止或者最小化外部湿气和氧气的渗透。
根据一个或者多个实施例，导电图案110可以设置在粘合区域AA中。这里，导电图案110可以是第一驱动电压供应线31的一部分。例如，第一驱动电压供应线31的至少一部分可以与粘合区域AA重叠，并且第一驱动电压供应线31的部分(该部分与粘合区域AA重叠)可以与导电图案110相对应。
根据一个或者多个实施例，导电图案110可以在第一方向(例如，y方向)上延伸。另外，导电图案110可以包括在与第一方向(例如，y方向)交叉的第二方向(例如，x方向)上突出的突出图案PP。也就是说，第一驱动电压供应线31的部分(该部分与粘合区域AA重叠)可以包括在第二方向(例如，x方向)上突出的突出图案PP。突出图案PP可以形成在导电图案110(例如，第一驱动电压供应线31)的边缘处，并且可以在x-y平面上向外突出。
导电图案110(例如，第一驱动电压供应线31)的边缘可以是外部湿气和氧气的移动路径。当导电图案110(例如，第一驱动电压供应线31)的边缘的长度增加时，外部湿气和氧气的移动路径可以增加。因此，可以保护(或者基本上保护)设置在显示区域DA中的有机发光二极管OLED(图4)免受外部湿气和氧气的影响。
根据一个或者多个实施例，因为突出图案PP可以被提供在导电图案110(例如，第一驱动电压供应线31)的边缘处，所以导电图案110(例如，第一驱动电压供应线31)的边缘的长度可以增加。因此，可以防止或者最小化外部湿气和氧气向显示区域DA的传输，并且结果是，可以防止或者最小化对有机发光二极管OLED的损坏(或者有机发光二极管OLED的污染)。
图7是根据一个或者多个实施例的显示装置的一部分的示意性截面图。详细地，图7是沿线I-I’截取的图6的显示装置的截面图。在图7中，与图4和图6中的附图标记相同的附图标记表示图4和图6的相同元件，并且因此，不再重复对它们的描述。
参考图7，基板100可以设置在粘合区域AA中。如上所述，基板100可以包括第一基底层100a、第一阻挡层100b、第二基底层100c和第二阻挡层100d。
缓冲层201、第一栅绝缘层203、第一层间绝缘层205、第二层间绝缘层207、第二栅绝缘层209和第三层间绝缘层210可以顺序设置在基板100上。缓冲层201、第一栅绝缘层203、第一层间绝缘层205、第二层间绝缘层207、第二栅绝缘层209和第三层间绝缘层210中的全部可以包括无机绝缘材料。
导电图案110可以设置在第三层间绝缘层210上。如上所述，导电图案110可以是第一驱动电压供应线31的一部分。导电图案110可以包括顺序堆叠的第一导电层111、第二导电层113和第三导电层115。第一导电层111至第三导电层115中的每一个可以包括Al、Cu和Ti中的至少一个。例如，第一导电层111和第三导电层115可以包括Ti，并且第二导电层113可以包括Al。然而，本公开不限于此。
根据一个或者多个实施例，导电图案110可以与上面参考图5A至图5C描述的第一连接图案160(参见例如图5A)、第二连接图案170(参见例如图5B)和第三连接图案180(参见例如图5C)中的至少一个设置在同一层(或者在同一层处)。例如，导电图案110可以与第一连接图案160设置在同一层(或者在同一层处)。导电图案110的第一导电层111至第三导电层115可以通过分别包括与第一连接图案160的第一层161、第二层163和第三层165相同的材料而设置在同一层(或者在同一层处)。
根据一个或者多个实施例，覆盖层121可以设置在导电图案110上。覆盖层121可以包括Al、Cu和Ti中的至少一个。例如，覆盖层121可以包括Ti。覆盖层121可以包括与导电图案110的第一导电层111或者第三导电层115相同的材料。在一个或者多个实施例中，覆盖层121可以包括与上面参考图5B描述的第二连接图案170的第四层171相同的材料。
根据一个或者多个实施例，覆盖层121可以覆盖导电图案110的上表面110u的至少一部分和导电图案110的侧表面110s。详细地，覆盖层121可以覆盖第三导电层115的上表面115u的至少一部分、第一导电层111的侧表面111s、第二导电层113的侧表面113s和第三导电层115的侧表面115s。
当在制造显示装置的工艺中暴露第二导电层113的侧表面113s时，底切可能在第二导电层113的侧表面113s中产生，这可能生成开口，并且该开口可能变成外部湿气和氧气的移动路径。
覆盖层121可以覆盖第三导电层115的上表面115u的至少一部分、第一导电层111的侧表面111s、第二导电层113的侧表面113s和第三导电层115的侧表面115s，并且因此，可以防止或者最小化由于暴露而在第二导电层113的侧表面113s中产生底切。因此，可以防止或者最小化由外部湿气和氧气导致的对设置在显示区域DA中的有机发光二极管OLED(图4)的损坏(或者设置在显示区域DA中的有机发光二极管OLED(图4)的污染)。
根据一个或者多个实施例，封装层300可以设置在覆盖层121和第三层间绝缘层210上。详细地，第一无机封装层310可以设置在覆盖层121和第三层间绝缘层210上。第一无机封装层310可以直接设置在覆盖层121和第三层间绝缘层210上。
根据一个或者多个实施例，第二无机封装层330可以设置在第一无机封装层310上。第二无机封装层330可以直接设置在第一无机封装层310上。第一无机封装层310可以直接设置在覆盖层121和第三层间绝缘层210上，并且第二无机封装层330可以直接设置在第一无机封装层310上，并且因此，可以增加封装层300的粘合力，并且因此，可以相对更有效地防止或者最小化外部湿气和氧气的渗透。
参考图6和图7描述了第一驱动电压供应线31。然而，第二驱动电压供应线33、第一公共电压供应线11和第二公共电压供应线13可以具有相同或者基本上相同的结构。例如，突出图案PP可以被包括在与粘合区域AA重叠的第二驱动电压供应线33、第一公共电压供应线11和第二公共电压供应线13中的每一条中，并且覆盖层121可以被包括在与粘合区域AA重叠的第二驱动电压供应线33、第一公共电压供应线11和第二公共电压供应线13中的每一条中。
图8是根据本公开的一个或者多个实施例的显示装置的一部分的示意性平面图。详细地，图8与图2的区域B的放大图相对应。在图8中，与图2中的附图标记相同的附图标记表示图2的相同元件，并且因此，不再重复对它们的描述。
参考图8，显示面板1可以包括显示区域DA、开口区域OA和中间区域MA。这里，显示区域DA可以至少部分地围绕开口区域OA(或者在开口区域OA周围)。中间区域MA可以在显示区域DA和开口区域OA之间。
根据一个或者多个实施例，沟槽GV可以设置(或者限定)在中间区域MA中。沟槽GV可以包括第一沟槽GV1、第二沟槽GV2和第三沟槽GV3。这里，第一沟槽GV1、第二沟槽GV2和第三沟槽GV3中的每一个可以沿开口区域OA的周边设置(或者限定)。
图8图示了三个沟槽GV可以设置(或者限定)在中间区域MA中。然而，本公开不限于此。仅一个沟槽GV、两个沟槽GV或者四个或更多个沟槽GV可以设置(或者限定)在中间区域MA中。像这样，各种数量的沟槽GV可以设置在中间区域MA中。
图9是根据本公开的一个或者多个实施例的显示装置的一部分的示意性截面图。详细地，图9是沿线II-II’截取的图8的显示装置的截面图。在图9中，与图8中的附图标记相同的附图标记表示图8的相同元件，并且因此，不再重复对它们的描述。
参考图9，基板100可以设置在中间区域MA中。如上所述，基板100可以包括第一基底层100a、第一阻挡层100b、第二基底层100c和第二阻挡层100d。
缓冲层201、第一栅绝缘层203、第一层间绝缘层205、第二层间绝缘层207、第二栅绝缘层209和第三层间绝缘层210可以顺序设置在基板100上。开口可以限定在第一栅绝缘层203、第一层间绝缘层205、第二层间绝缘层207、第二栅绝缘层209和第三层间绝缘层210中，以与开口区域OA相对应。
另外，第一有机绝缘层211可以设置在第三层间绝缘层210上，第二有机绝缘层212可以设置在第一有机绝缘层211上，并且第三有机绝缘层213可以设置在第二有机绝缘层212上。像素限定层215可以设置在第三有机绝缘层213上。中间层222和对电极223可以设置在像素限定层215上。例如，第一功能层222a、第二功能层222c和对电极223可以设置在像素限定层215上。
根据一个或者多个实施例，沟槽GV和第三挡坝部分640可以设置在中间区域MA中。沟槽GV可以包括第一沟槽GV1、第二沟槽GV2和第三沟槽GV3。图9图示了三个沟槽GV可以设置在中间区域MA中。然而，本公开不限于此。仅一个沟槽GV可以设置在中间区域MA中。在一个或者多个实施例中，两个沟槽GV或者四个或更多个沟槽GV可以设置在中间区域MA中。像这样，各种修改都是可能的。
根据一个或者多个实施例，第一沟槽GV1可以设置(或者限定)在显示区域DA(参见例如图8)和第三挡坝部分640之间。然而，本公开不限于此。例如，第一沟槽GV1可以设置(或者限定)在第三挡坝部分640和开口区域OA之间。第二沟槽GV2和第三沟槽GV3可以设置(或者限定)在第三挡坝部分640和开口区域OA之间。
包括在中间层222中的有机材料层(例如，第一功能层222a和/或第二功能层222c)可以经由沟槽GV被断开(或者绝缘)。中间区域MA可以被理解为有机材料层的沟槽区域或者断开区域(或者绝缘区域)。
沟槽GV可以形成在基板100中。例如，沟槽GV可以通过移除第二基底层100c的至少一部分、第二阻挡层100d和缓冲层201来形成。因此，沟槽GV的底表面可以与第二基底层100c的上表面共面。然而，本公开不限于此。例如，沟槽GV可以形成在设置在基板100和像素电极221(参见例如图4)之间的层中。这里，层可以包括第一子层和第二子层。
根据一个或者多个实施例，沟槽GV可以具有底切结构(或者底切部分)。在形成沟槽GV之后，可以形成中间层222。因此，中间层222的至少一个有机材料层可以被沟槽GV断开或者绝缘。例如，第一功能层222a和/或第二功能层222c可以被沟槽GV断开或者绝缘。另外，对电极223也可以被沟槽GV断开或者绝缘。对电极223的至少一部分、第一功能层222a和/或第二功能层222c可以设置在沟槽GV中。也就是说，对电极223的至少一部分、第一功能层222a和/或第二功能层222c可以设置在沟槽GV的底表面上。
根据一个或者多个实施例，第三挡坝部分640可以包括堆叠在缓冲层201上的多个子层211a、212a、215a和217a。多个子层211a、212a、215a和217a可以分别与第一有机绝缘层211的一部分、第二有机绝缘层212的一部分、像素限定层215的一部分和间隔件217(参见例如图4)的一部分相对应。在这种情况下，从基板100到第三挡坝部分640的上表面的高度可以小于从基板100到显示区域DA(参见例如图4)中的间隔件217(参见例如图4)的上表面的高度。然而，本公开不限于此。从基板100到第三挡坝部分640的上表面的高度可以等于或者大于从基板100到显示区域DA(参见例如图4)中的间隔件217(参见例如图4)的上表面的高度。
图9图示了一个挡坝部分(例如，第三挡坝部分640)可以设置在中间区域MA中。然而，本公开不限于此。两个或更多个挡坝部分可以设置在中间区域MA中。
根据一个或者多个实施例，封装层300可以设置在对电极223上。封装层300可以包括第一无机封装层310、有机封装层320和第二无机封装层330。第一无机封装层310可以具有相对优秀的台阶覆盖率，并且因此，可以连续形成以覆盖沟槽GV的内表面。第一无机封装层310可以覆盖设置在沟槽GV的底表面上并且彼此绝缘的第一功能层222a、第二功能层222c和/或对电极223。
有机封装层320可以设置在第一无机封装层310和第二无机封装层330之间，并且有机封装层320的端部可以设置成与第三挡坝部分640的一侧邻近。有机封装层320可以设置在沟槽GV当中的与显示区域DA邻近的沟槽GV的内部空间中。也就是说，第一沟槽GV1可以被有机封装层320填充。
与第一无机封装层310类似，第二无机封装层330可以具有相对优秀的台阶覆盖率。因此，第二无机封装层330可以沿沟槽GV当中的未被有机封装层320覆盖的沟槽GV的内表面连续形成。
图10是根据本公开的一个或者多个实施例的显示装置的一部分的示意性平面图。图10的实施例与图8的实施例的不同之处在于，开口OP可以限定在中间区域MA中。在图10中，与图8的附图标记相同的附图标记表示图8的相同元件，并且因此，不再重复对它们的描述。
参考图10，显示面板1可以包括显示区域DA、开口区域OA和中间区域MA。这里，显示区域DA可以至少部分地围绕开口区域OA(或者在开口区域OA周围)。中间区域MA可以在显示区域DA和开口区域OA之间。
根据一个或者多个实施例，开口OP可以设置(或者限定)在中间区域MA中。开口OP可以包括第一开口OP1和第二开口OP2。这里，第一开口OP1和第二开口OP2中的每一个可以沿开口区域OA的周边设置。
图10图示了两个开口OP可以设置(或者限定)在中间区域MA中。然而，本公开不限于此。仅一个开口OP可以设置(或者限定)或者三个或更多个开口OP可以设置(或者限定)在中间区域MA中。像这样，各种数量的开口OP可以设置(或者限定)在中间区域MA中。
图11是根据本公开的一个或者多个实施例的显示装置的一部分的示意性截面图。详细地，图11是沿线III-III’截取的图10的显示装置的截面图。在图11中，与图9中的附图标记相同的附图标记表示图9的相同元件，并且因此，不再重复对它们的描述。
参考图11，根据一个或者多个实施例，中间层222可以设置在中间区域MA中。中间层222可以设置在显示区域DA(参见例如图10)中，并且中间层222的至少一部分可以从显示区域DA延伸到中间区域MA。中间层222可以包括第一功能层222a和第二功能层222c。
根据一个或者多个实施例，中间层222可以在中间区域MA中被断开(或者绝缘)。详细地，第一功能层222a和第二功能层222c可以在中间区域MA中被断开(或者绝缘)。开口OP可以限定在设置在中间区域MA中的第一功能层222a和第二功能层222c中。
根据一个或者多个实施例，开口OP和第四挡坝部分650可以限定(或者设置)在中间区域MA中。开口OP可以包括第一开口OP1和第二开口OP2。图11图示了两个开口OP可以限定(或者设置)在中间区域MA中。然而，本公开不限于此。仅一个开口OP可以限定(或者设置)在中间区域MA中。在一个或者多个实施例中，三个或更多个开口OP可以限定(或者设置)在中间区域MA中。像这样，各种修改都是可能的。
根据一个或者多个实施例，第一开口OP1可以设置(或者限定)在显示区域DA(参见例如图10)和第四挡坝部分650之间。然而，本公开不限于此。例如，第一开口OP1可以限定(或者设置)在第四挡坝部分650和开口区域OA之间。第二开口OP2可以限定(或者设置)在第四挡坝部分650和开口区域OA之间。
根据一个或者多个实施例，第四挡坝部分650可以包括多个子层211a、212a、215a和217a。多个子层211a、212a、215a和217a可以分别与第一有机绝缘层211的一部分、第二有机绝缘层212的一部分、像素限定层215的一部分和间隔件217(参见例如图4)的一部分相对应。图11图示了一个挡坝部分(例如，第四挡坝部分650)可以设置在中间区域MA中。然而，本公开不限于此。两个或更多个挡坝部分可以设置在中间区域MA中。
根据一个或者多个实施例，至少一个开口OP可以限定在第一功能层222a和第二功能层222c中，并且因此，可以防止或者最小化在开口区域OA周围的氧气或者湿气渗透(或者扩散)到显示区域DA的有机发光二极管OLED中。
根据一个或者多个实施例，对电极223可以设置在中间区域MA中。对电极223可以设置在显示区域DA(参见例如图10)中，并且对电极223的至少一部分可以从显示区域DA延伸到中间区域MA。
根据一个或者多个实施例，对电极223可以在中间区域MA中被断开。设置在中间区域MA中的对电极223可以包括与开口区域OA相对应的孔223H。在对电极223中限定的孔223H可以在中间区域MA中。
在对电极223中限定的孔223H的面积可以大于开口区域OA的面积。当在对电极223中限定的孔223H的面积大于开口区域OA的面积时，可以防止或者最小化在开口区域OA周围的氧气或者湿气渗透(或者扩散)到显示区域DA的有机发光二极管OLED(参见例如图4)中。
封装层300可以设置在中间区域MA中。封装层300可以设置在显示区域DA中，并且封装层300的至少一部分可以从显示区域DA延伸到中间区域MA。根据一个或者多个实施例，封装层300可以包括顺序堆叠的第一无机封装层310、有机封装层320和第二无机封装层330。第一无机封装层310、有机封装层320和第二无机封装层330中的每一个可以从显示区域DA延伸到中间区域MA。
有机封装层320可以通过涂敷单体并且固化该单体来形成，并且用于形成有机封装层320的单体的流动可以由第四挡坝部分650控制。也就是说，第四挡坝部分650可以设置在中间区域MA中，以防止或者最小化用于形成有机封装层320的单体朝向开口区域OA流动。例如，有机封装层320的端部可以设置在第四挡坝部分650的一侧处。
因为有机封装层320的端部可以设置在第四挡坝部分650的一侧处，所以第一无机封装层310和第二无机封装层330可以在第四挡坝部分650的上表面上彼此直接接触。
封装层300可以与在中间层222中限定的至少一个开口OP重叠。封装层300的第一无机封装层310、有机封装层320和第二无机封装层330可以与在中间层222中限定的第一开口OP1重叠。
图12至图22是根据本公开的一个或者多个实施例的用于描述制造显示装置的方法的示意性截面图。
在下文中，参考图12至图22顺序描述制造显示装置的方法。
参考图4、图7和图12至图22，制造显示装置的方法可以包括：在显示区域DA和粘合区域AA中形成第一图案材料1200M；通过蚀刻显示区域DA中的第一图案材料1200M来形成第一连接图案160，并且通过蚀刻粘合区域AA中的第一图案材料1200M来形成导电图案110；在第一连接图案160上形成第一有机绝缘层211；在第一有机绝缘层211和导电图案110上形成第二图案材料1300M；通过蚀刻第一有机绝缘层211上的第二图案材料1300M来形成第二连接图案170，并且通过蚀刻导电图案110上的第二图案材料1300M来形成保护层120；以及蚀刻保护层120的一部分。
首先，参考图12，可以执行在显示区域DA和粘合区域AA中形成第一图案材料1200M的操作。
根据一个或者多个实施例，基板100可以包括显示区域DA和粘合区域AA。缓冲层201可以形成在显示区域DA中的基板100上并且形成在粘合区域AA中的基板100上。
驱动晶体管T1的驱动半导体层A1可以形成在显示区域DA中的缓冲层201上。驱动半导体层A1可以包括沟道区C1以及设置在沟道区C1的各自侧处的第一区B1和第二区D1。
第一栅绝缘层203可以形成在显示区域DA中的驱动半导体层A1上并且在粘合区域AA中的缓冲层201上。驱动栅电极GE1可以形成在显示区域DA中的第一栅绝缘层203上。第一层间绝缘层205可以形成在显示区域DA中的驱动栅电极GE1上并且在粘合区域AA中的第一栅绝缘层203上。
第二电容器电极CE2可以形成在显示区域DA中的第一层间绝缘层205上。第二层间绝缘层207可以形成在显示区域DA中的第二电容器电极CE2上并且在粘合区域AA中的第一层间绝缘层205上。
补偿晶体管T3的补偿半导体层A3可以形成在显示区域DA中的第二层间绝缘层207上。第二栅绝缘层209可以形成在显示区域DA中的补偿半导体层A3上并且在粘合区域AA中的第二层间绝缘层207上。
上栅电极G3B可以形成在显示区域DA中的第二栅绝缘层209上。第三层间绝缘层210可以形成在显示区域DA中的上栅电极G3B上并且在粘合区域AA中的第二栅绝缘层209上。
根据一个或者多个实施例，第一图案材料1200M可以形成在显示区域DA和粘合区域AA中。详细地，第一图案材料1200M可以在显示区域DA和粘合区域AA中形成在第三层间绝缘层210上。第一图案材料1200M通常可以形成在显示区域DA和粘合区域AA两者中。
根据一个或者多个实施例，第一图案材料1200M可以包括第一材料1200M1、第二材料1200M2和第三材料1200M3。然而，本公开不限于此。第一图案材料1200M可以仅包括一种材料。在一个或者多个实施例中，第一图案材料1200M可以包括两种材料。像这样，各种修改都是可能的。
第一材料1200M1、第二材料1200M2和第三材料1200M3可以顺序形成在第三层间绝缘层210上。第一材料1200M1至第三材料1200M3中的每一个可以包括Al、Cu和Ti中的至少一个。例如，第一材料1200M1和第三材料1200M3可以包括Ti，并且第二材料1200M2可以包括Al。然而，本公开不限于此。
参考图13，可以执行通过蚀刻显示区域DA中的第一图案材料1200M来形成第一连接图案160以及通过蚀刻粘合区域AA中的第一图案材料1200M来形成导电图案110的操作。
根据一个或者多个实施例，第一连接图案160可以通过蚀刻显示区域DA中的第一图案材料1200M来形成。这里，第一图案材料1200M可以通过使用干法蚀刻来蚀刻。然而，本公开不限于此。第一图案材料1200M可以通过使用湿法蚀刻来蚀刻。
另外，在显示区域DA中的第一图案材料1200M的蚀刻期间，粘合区域AA中的第一图案材料1200M也可以被同时蚀刻。因此，第一连接图案160可以通过蚀刻显示区域DA中的第一图案材料1200M来形成，并且导电图案110可以通过蚀刻粘合区域AA中的第一图案材料1200M来形成。
因为第一图案材料1200M可以包括第一材料1200M1、第二材料1200M2和第三材料1200M3，所以通过蚀刻第一图案材料1200M形成的第一连接图案160可以包括第一层161、第二层163和第三层165。第一层161和第三层165可以包括Ti，并且第二层163可以包括Al。然而，本公开不限于此。
因为第一图案材料1200M可以包括第一材料1200M1、第二材料1200M2和第三材料1200M3，所以通过蚀刻第一图案材料1200M形成的导电图案110可以包括第一导电层111、第二导电层113和第三导电层115。第一导电层111和第三导电层115可以包括Ti，并且第二导电层113可以包括Al。然而，本公开不限于此。
因为第一层161和第一导电层111可以通过蚀刻第一材料1200M1来形成，所以第一层161和第一导电层111可以包括彼此相同的材料。另外，因为第二层163和第二导电层113可以通过蚀刻第二材料1200M2来形成，所以第二层163和第二导电层113可以包括彼此相同的材料。因为第三层165和第三导电层115可以通过蚀刻第三材料1200M3来形成，所以第三层165和第三导电层115可以包括彼此相同的材料。
参考图14，可以执行在第一连接图案160上形成第一有机绝缘层211的操作。详细地，第一有机绝缘层211可以形成在显示区域DA中的第一连接图案160上。
参考图15，可以执行在第一有机绝缘层211和导电图案110上形成第二图案材料1300M的操作。根据一个或者多个实施例，第二图案材料1300M可以形成在显示区域DA和粘合区域AA中。详细地，第二图案材料1300M可以形成在显示区域DA中的第一有机绝缘层211上并且在粘合区域AA中的导电图案110上。第二图案材料1300M通常可以形成在显示区域DA和粘合区域AA两者中。
根据一个或者多个实施例，第二图案材料1300M可以包括第四材料1300M1、第五材料1300M2和第六材料1300M3。然而，本公开不限于此。第二图案材料1300M可以仅包括一种材料。在一个或者多个实施例中，第二图案材料1300M可以包括两种材料。像这样，各种修改都是可能的。
第四材料1300M1、第五材料1300M2和第六材料1300M3可以顺序形成在第一有机绝缘层211和导电图案110中的每一个上。第四材料1300M1、第五材料1300M2和第六材料1300M3中的每一个可以包括Al、Cu和Ti中的一个。例如，第四材料1300M1和第六材料1300M3可以包括Ti，并且第五材料1300M2可以包括Al。然而，本公开不限于此。
参考图16，可以执行通过蚀刻第一有机绝缘层211上的第二图案材料1300M来形成第二连接图案170以及通过蚀刻导电图案110上的第二图案材料1300M来形成保护层120的操作。
根据一个或者多个实施例，第二连接图案170可以通过蚀刻显示区域DA中的第二图案材料1300M来形成。这里，第二图案材料1300M可以通过使用干法蚀刻来蚀刻。然而，本公开不限于此。第二图案材料1300M可以通过使用湿法蚀刻来蚀刻。
另外，在显示区域DA中的第二图案材料1300M被蚀刻的同时，粘合区域AA中的第二图案材料1300M也可以被同时蚀刻。因此，第二连接图案170可以通过蚀刻显示区域DA中的第二图案材料1300M来形成，并且保护层120可以通过蚀刻粘合区域AA中的第二图案材料1300M来形成。
因为第二图案材料1300M可以包括第四材料1300M1至第六材料1300M3，所以通过蚀刻第二图案材料1300M形成的第二连接图案170可以包括第四层171、第五层173和第六层175。第四层171和第六层175可以包括Ti，并且第五层173可以包括Al。然而，本公开不限于此。
因为第二图案材料1300M可以包括第四材料1300M1至第六材料1300M3，所以通过蚀刻第二图案材料1300M形成的保护层120可以包括覆盖层121、第一保护层123和第二保护层125。保护层120的覆盖层121、第一保护层123和第二保护层125可以在基板100的厚度方向(例如，z方向)上顺序堆叠。覆盖层121和第二保护层125可以包括Ti，并且第一保护层123可以包括Al。然而，本公开不限于此。
根据一个或者多个实施例，保护层120可以覆盖导电图案110的上表面110u的至少一部分和侧表面110s。保护层120的覆盖层121可以覆盖导电图案110的上表面110u的至少一部分和导电图案110的侧表面110s。详细地，覆盖层121可以覆盖第三导电层115的上表面115u的至少一部分、第一导电层111的侧表面111s、第二导电层113的侧表面113s和第三导电层115的侧表面115s。
因为保护层120的覆盖层121可以覆盖导电图案110的上表面110u的至少一部分和侧表面110s，所以可以防止或者最小化在后续工艺中在导电图案110(例如，第二导电层113的侧表面113s)中产生底切。因此，可以保护(或者基本上保护)设置在显示区域DA中的有机发光二极管OLED(参见例如图4)免受外部湿气和氧气的影响。
参考图17，可以执行在第二连接图案170上形成第二有机绝缘层212的操作。详细地，第二有机绝缘层212可以形成在显示区域DA中的第二连接图案170上。
参考图18，可以执行在第二有机绝缘层212和保护层120上形成第三图案材料1400M的操作。根据一个或者多个实施例，第三图案材料1400M可以形成在显示区域DA和粘合区域AA中。详细地，第三图案材料1400M可以形成在显示区域DA中的第二有机绝缘层212上并且在粘合区域AA中的保护层120上。第三图案材料1400M通常可以形成在显示区域DA和粘合区域AA两者中。
根据一个或者多个实施例，第三图案材料1400M可以包括第七材料1400M1、第八材料1400M2和第九材料1400M3。然而，本公开不限于此。第三图案材料1400M可以仅包括一种材料。在一个或者多个实施例中，第三图案材料1400M可以包括两种材料。像这样，各种修改都是可能的。
第七材料1400M1、第八材料1400M2和第九材料1400M3可以顺序形成在第二有机绝缘层212和保护层120中的每一个上。第七材料1400M1至第九材料1400M3中的每一个可以包括Al、Cu和Ti中的一个。例如，第七材料1400M1和第九材料1400M3可以包括Ti，并且第八材料1400M2可以包括Al。然而，本公开不限于此。
参考图19，可以执行通过蚀刻第二有机绝缘层212上的第三图案材料1400M来形成第三连接图案180并且移除第二保护层120上的第三图案材料1400M、第一保护层123的一部分和第二保护层125的操作。
根据一个或者多个实施例，第三连接图案180可以通过蚀刻显示区域DA中的第三图案材料1400M来形成。这里，第三图案材料1400M可以通过干法蚀刻来蚀刻。然而，本公开不限于此。第三图案材料1400M也可以通过湿法蚀刻来蚀刻。
另外，在显示区域DA中的第三图案材料1400M被蚀刻的同时，可以一起移除粘合区域AA中的第三图案材料1400M、第一保护层123的一部分和第二保护层125。因此，第三连接图案180可以通过蚀刻显示区域DA中的第三图案材料1400M来形成，并且可以移除粘合区域AA中的第三图案材料1400M、第一保护层123的一部分和第二保护层125。
因为第三图案材料1400M可以包括第七材料1400M1至第九材料1400M3，所以通过蚀刻第三图案材料1400M形成的第三连接图案180可以包括第七层181、第八层183和第九层185。第七层181和第九层185可以包括Ti，并且第八层183可以包括Al。然而，本公开不限于此。
根据一个或者多个实施例，可以完全移除粘合区域AA中的第三图案材料1400M。另外，也可以完全移除设置在第三图案材料1400M下面的第二保护层125。然而，可以仅移除设置在第二保护层125下面的第一保护层123的一部分。因此，第一保护层123的剩余部分和覆盖层121可以设置在导电图案110上。
参考图20，可以执行在第三连接图案180上形成第三有机绝缘层213的操作。详细地，第三有机绝缘层213可以形成在显示区域DA中的第三连接图案180上。
参考图21，可以执行在第三有机绝缘层213和第一保护层123的剩余部分上形成第四图案材料1500M的操作。根据一个或者多个实施例，第四图案材料1500M可以形成在显示区域DA和粘合区域AA中。详细地，第四图案材料1500M可以形成在显示区域DA中的第三有机绝缘层213上并且在粘合区域AA中的第一保护层123的剩余部分上。这里，第四图案材料1500M可以形成在其一部分被移除的第一保护层123上。
第四图案材料1500M通常可以形成在显示区域DA和粘合区域AA两者中。
根据一个或者多个实施例，第四图案材料1500M可以包括包含Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr和/或其化合物的反射层。在一个或者多个实施例中，第四图案材料1500M可以进一步包括在上述反射层上面和/或下面的导电氧化物层。导电氧化物层可以包括ITO、IZO、ZnO、In2O3、IGO和/或AZO。根据一个或者多个实施例，第四图案材料1500M可以具有导电氧化物层、反射层和导电氧化物层堆叠的结构。例如，第四图案材料1500M可以具有ITO/Ag/ITO层的三层结构。然而，本公开不限于此。
参考图22，可以执行通过蚀刻第三有机绝缘层213上的第四图案材料1500M来形成像素电极221并且移除第一保护层123的剩余部分上的第四图案材料1500M和第一保护层123的剩余部分的操作。
根据一个或者多个实施例，像素电极221可以通过蚀刻显示区域DA中的第四图案材料1500M来形成。这里，第四图案材料1500M可以通过湿法蚀刻来蚀刻。然而，本公开不限于此。第四图案材料1500M可以通过干法蚀刻来蚀刻。
另外，在显示区域DA中的第四图案材料1500M被蚀刻的同时，可以一起移除粘合区域AA中的第四图案材料1500M和第一保护层123的剩余部分。因此，像素电极221可以通过蚀刻显示区域DA中的第四图案材料1500M来形成，并且可以移除粘合区域AA中的第四图案材料1500M和第一保护层123的剩余部分。
根据一个或者多个实施例，因为可以移除第一保护层123的剩余部分，所以仅保护层120的覆盖层121可以设置在导电图案110上。覆盖层121可以覆盖导电图案110的上表面110u的至少一部分和导电图案110的侧表面110s。详细地，覆盖层121可以覆盖第三导电层115的上表面115u的至少一部分、第一导电层111的侧表面111s、第二导电层113的侧表面113s和第三导电层115的侧表面115s。
如图7中所图示，在移除保护层120的一部分之后，可以进一步执行在覆盖层121上形成第一无机封装层310(参见例如图7)和第二无机封装层330(参见例如图7)的操作。
详细地，在移除保护层120的一部分之后，像素限定层215(参见例如图4)可以形成在显示区域DA中的像素电极221上。另外，中间层222(参见例如图4)和对电极223(参见例如图4)可以顺序形成在显示区域DA中的像素限定层215和像素电极221上。
此后，封装层300(参见例如图4和图7)可以形成在显示区域DA中的对电极223上并且在粘合区域AA中的覆盖层121上。详细地，第一无机封装层310可以形成在显示区域DA中的对电极223上并且在粘合区域AA中的覆盖层121上。此后，有机封装层320可以形成在显示区域DA中的第一无机封装层310上。此后，第二无机封装层330可以形成在显示区域DA中的有机封装层320上并且在粘合区域AA中的第一无机封装层310上。
因此，第一无机封装层310和第二无机封装层330可以形成在粘合区域AA中的覆盖层121上。第一无机封装层310在粘合区域AA中可以直接接触覆盖层121和第二无机封装层330。
如上所述，根据本公开的一个或者多个实施例，可以实现其中在显示装置的底部处的外围区域可以被最小化的显示装置。然而，本公开的范围不受该效果的限制。
应理解，本文描述的实施例应仅在描述性的意义上考虑，而不是为了限制的目的。每个实施例内的特征或者方面的描述通常应被认为可用于其他实施例中的其他类似特征或者方面。虽然已经参考各图描述了一个或者多个实施例，但是本领域普通技术人员将理解，可以对其进行形式和细节上的各种改变，而不脱离由权利要求书及其等同物限定的精神和范围。

Claims (20)

1.一种显示装置，包括：
基板，包括显示区域和在所述显示区域外面的外围区域，所述外围区域包括粘合区域；
在所述粘合区域中的导电图案；
覆盖层，覆盖所述导电图案的上表面的至少一部分和所述导电图案的侧表面；以及
在所述显示区域和所述外围区域中的封装层，所述封装层包括第一无机封装层、有机封装层和第二无机封装层，
其中，所述第一无机封装层在所述粘合区域中直接接触所述覆盖层和所述第二无机封装层。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述导电图案在第一方向上延伸，并且
所述导电图案包括在与所述第一方向交叉的第二方向上突出的突出图案。
3.根据权利要求1所述的显示装置，进一步包括在所述外围区域中的挡坝部分和堤坝，其中，所述粘合区域在所述挡坝部分和所述堤坝之间。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的显示装置，进一步包括：
在所述显示区域中的第一连接图案；
在所述第一连接图案上的第一有机绝缘层；
在所述第一有机绝缘层上的第二连接图案；
在所述第二连接图案上的第二有机绝缘层；
在所述第二有机绝缘层上的第三连接图案；以及
在所述第三连接图案上的第三有机绝缘层。
5.根据权利要求4所述的显示装置，其中，所述导电图案与所述第一连接图案、所述第二连接图案或者所述第三连接图案位于同一层处。
6.根据权利要求4所述的显示装置，其中，所述导电图案与所述第一连接图案位于同一层处。
7.根据权利要求4所述的显示装置，其中，所述导电图案包括顺序堆叠的第一导电层、第二导电层和第三导电层，
所述第一连接图案包括顺序堆叠的第一层、第二层和第三层，并且
所述第一导电层、所述第二导电层和所述第三导电层分别与所述第一层、所述第二层和所述第三层位于同一层处并且包括相同的材料。
8.根据权利要求7所述的显示装置，其中，所述覆盖层覆盖所述第三导电层的上表面的至少一部分、所述第一导电层的侧表面、所述第二导电层的侧表面和所述第三导电层的侧表面。
9.根据权利要求7所述的显示装置，其中，所述第三导电层和所述覆盖层包括彼此相同的材料。
10.根据权利要求7所述的显示装置，其中，所述第二连接图案包括顺序堆叠的第四层、第五层和第六层，并且
所述覆盖层包括与所述第四层相同的材料。
11.一种制造显示装置的方法，所述显示装置包括显示区域和在所述显示区域外面的外围区域，所述外围区域包括粘合区域，所述方法包括：
在所述显示区域和所述粘合区域中形成第一图案材料；
通过蚀刻所述显示区域中的所述第一图案材料来形成第一连接图案，并且通过蚀刻所述粘合区域中的所述第一图案材料来形成导电图案；
在所述第一连接图案上形成第一有机绝缘层；
在所述第一有机绝缘层和所述导电图案上形成第二图案材料；
通过蚀刻所述第一有机绝缘层上的所述第二图案材料来形成第二连接图案，并且通过蚀刻所述导电图案上的所述第二图案材料来形成保护层；以及
移除所述保护层的一部分。
12.根据权利要求11所述的方法，其中，所述保护层包括在所述显示装置中包括的基板的厚度方向上顺序堆叠的覆盖层、第一保护层和第二保护层。
13.根据权利要求12所述的方法，其中，所述保护层的所述一部分的所述移除包括：
在所述第二连接图案上形成第二有机绝缘层；
在所述第二有机绝缘层和所述保护层上形成第三图案材料；
通过蚀刻所述第二有机绝缘层上的所述第三图案材料来形成第三连接图案，并且移除所述保护层上的所述第三图案材料、所述保护层的所述第一保护层的一部分和所述保护层的所述第二保护层；
在所述第三连接图案上形成第三有机绝缘层；
在所述第三有机绝缘层和所述第一保护层的剩余部分上形成第四图案材料；以及
通过蚀刻所述第三有机绝缘层上的所述第四图案材料来形成像素电极，并且移除所述第一保护层的所述剩余部分上的所述第四图案材料和所述第一保护层的所述剩余部分。
14.根据权利要求12所述的方法，其中，所述覆盖层和所述第二保护层包括彼此相同的材料，并且所述覆盖层和所述第一保护层包括彼此不同的材料。
15.根据权利要求12所述的方法，进一步包括：在移除所述保护层的所述一部分之后，在所述覆盖层上形成第一无机封装层和第二无机封装层。
16.根据权利要求15所述的方法，其中，所述第一无机封装层在所述粘合区域中直接接触所述覆盖层和所述第二无机封装层。
17.根据权利要求12所述的方法，其中，所述导电图案包括顺序堆叠的第一导电层、第二导电层和第三导电层，并且
所述覆盖层覆盖所述第三导电层的上表面的至少一部分、所述第一导电层的侧表面、所述第二导电层的侧表面和所述第三导电层的侧表面。
18.根据权利要求17所述的方法，其中，所述覆盖层和所述第三导电层包括彼此相同的材料。
19.根据权利要求11所述的方法，其中，所述导电图案在第一方向上延伸，并且所述导电图案包括在与所述第一方向交叉的第二方向上突出的突出图案。
20.根据权利要求11至19中任一项所述的方法，其中，所述显示装置进一步包括在所述外围区域中的挡坝部分和堤坝，并且其中，所述粘合区域在所述挡坝部分和所述堤坝之间。
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