CN111755483A - 有机发光显示设备 - Google Patents

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罗志洙
曹永振
金阳完
文重守
李根洙
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Samsung Display Co Ltd
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Abstract

本公开涉及一种有机发光显示设备，所述有机发光显示设备包括基底、像素、像素限定层、第一通孔层、第二通孔层、第一线和第二线。所述像素在彼此相交的第一方向和第二方向上布置在基底上，并包括有机发光二极管(OLED)。OLED包括像素电极。像素限定层覆盖像素电极的边缘，并经由部分地暴露像素电极的开口限定发光区域。第一通孔层和第二通孔层介于像素电极和基底之间。第一线在第一通孔层和基底之间在第二方向上延伸。第二线介于第二通孔层和第一通孔层之间。第二线至少部分地围绕发光区域延伸。第二线通过通孔接触第一线。对于在第二方向上布置的每两个像素设置每个通孔。

Description

有机发光显示设备
相关申请的交叉引用
本申请要求于2019年3月29日提交的第10-2019-0037313号韩国专利申请的优先权和权益，出于所有目的，通过引用将该韩国专利申请并入本文，如同在本文中充分地阐述一样。
技术领域
一个或多个示例性实施例一般地涉及有机发光显示设备。
背景技术
有机发光显示设备通常包括两个电极以及在两个电极之间的有机发光层。在常规的有机发光显示设备中，通过阴极(例如，一个电极或第一电极)注入的电子和通过阳极(例如，另一电极或第二电极)注入的空穴在有机发光层中结合以形成激子。激子在释放能量的同时发光。
有机发光显示设备可以包括多个像素，所述多个像素各自包括有机发光二极管(OLED)，在有机发光二极管(OLED)中包括阴极、阳极和有机发光层，并且每个像素还可以包括用于驱动OLED的多个晶体管和电容器。多个晶体管可以包括开关晶体管和驱动晶体管。这样的有机发光显示设备可以具有相对快的响应速度，并且可以以相对低的功耗来驱动。然而，注意的是，随着分辨率提高，OLED、驱动OLED的多个晶体管、电容器和传输信号的布线可能彼此重叠，因此，可能发生各种问题。
在该部分中公开的以上信息仅用于理解本发明构思的背景，因此，以上信息可能包含不构成现有技术的信息。
发明内容
一个或多个示例性实施例提供了一种有机发光显示设备，该有机发光显示设备能够减小不对称的色移效应并确保优异的可视性，同时还减小了像素的特性的变化。
将在随后的详细描述中阐述附加方面，并且附加方面根据该描述将部分地是明显的，或者可以通过实施本发明构思来获知附加方面。
根据一些示例性实施例，有机发光显示设备包括基底、像素、像素限定层、第一通孔层、第二通孔层、第一线和第二线。所述像素在第一方向和与所述第一方向相交的第二方向上布置在所述基底上。所述像素包括有机发光二极管。所述有机发光二极管包括像素电极。所述像素限定层覆盖所述像素电极的边缘。所述像素限定层经由部分地暴露所述像素电极的开口限定发光区域。所述第一通孔层和所述第二通孔层介于所述像素电极和所述基底之间。所述第一线在所述第一通孔层和所述基底之间在所述第二方向上延伸。所述第二线介于所述第二通孔层和所述第一通孔层之间。所述第二线至少部分地围绕所述发光区域延伸。所述第二线通过通孔接触所述第一线。对于所述像素中的在所述第二方向上布置的每两个像素设置所述通孔中的每个通孔。
根据一些示例性实施例，所述第二线具有网格结构，所述网格结构包括与所述像素的所述发光区域对应的开口。
根据一些示例性实施例，所述第一线和所述第二线向所述像素传送驱动电压。
根据一些示例性实施例，所述像素包括第一像素、第二像素和第三像素，
根据一些示例性实施例，所述第一像素、所述第二像素和所述第三像素被配置为发射彼此不同的颜色的光；每个所述第三像素中的发光区域的面积小于每个所述第一像素中的发光区域的面积和每个所述第二像素中的发光区域的面积；并且所述通孔布置为使得所述第一像素的所述发光区域和所述第二像素的所述发光区域比所述第三像素的所述发光区域更靠近所述通孔。
根据一些示例性实施例，所述像素包括在所述第一方向上交替地布置的第一绿色像素和第二绿色像素；并且所述通孔布置为使得所述第一绿色像素比所述第二绿色像素更靠近所述通孔。
根据一些示例性实施例，所述通孔不与所述像素的所述发光区域重叠。
根据一些示例性实施例，所述像素以PenTile矩阵结构布置。
根据一些示例性实施例，所述第一线与所述像素中的一些像素的所述发光区域重叠。
根据一些示例性实施例，所述第二线与所述像素电极中的一些像素电极至少部分地重叠。
根据一些示例性实施例，所述像素中的每个像素还包括薄膜晶体管；所述有机发光显示设备还包括与所述第二线位于同一层的连接电极，所述连接电极将所述像素电极中的像素电极连接到所述薄膜晶体管中的薄膜晶体管；所述像素中的第一像素的发光区域的端部与所述连接电极重叠；并且所述第一像素的所述发光区域的相对端部与从所述第二线延伸的延伸件重叠。
根据一些示例性实施例，所述连接电极与所述第一像素的所述发光区域之间的重叠面积等于所述延伸件与所述第一像素的所述发光区域之间的重叠面积。
根据一些示例性实施例，所述有机发光显示设备还包括：节点电极，与所述第一线位于同一层；以及屏蔽部分，从所述第二线延伸，其中，所述屏蔽部分与所述节点电极完全重叠。
根据一些示例性实施例，所述节点电极与所述像素中的一些像素的所述发光区域重叠；并且所述屏蔽部分对应于所述像素中的一些像素的所述发光区域的中心部分。
根据一些示例性实施例，有机发光显示设备包括基底、像素、像素限定层、第一通孔层、第二通孔层、第一线和第二线。所述像素在第一方向和与所述第一方向相交的第二方向上布置在所述基底上。所述像素包括有机发光二极管。所述有机发光二极管包括像素电极。所述像素限定层覆盖所述像素电极的边缘。所述像素限定层经由部分地暴露所述像素电极的开口限定发光区域。所述第一通孔层和所述第二通孔层介于所述像素电极和所述基底之间。所述第一线在所述第一通孔层和所述基底之间在所述第二方向上延伸。所述第二线介于所述第二通孔层和所述第一通孔层之间。所述第二线至少部分地围绕所述发光区域延伸。所述第二线通过通孔接触所述第一线。所述像素包括第一像素、第二像素和第三像素，所述第一像素、所述第二像素和所述第三像素中的每个像素被配置为发射不同颜色的光。所述通孔布置为使得所述第一像素的发光区域和所述第二像素的发光区域比所述第三像素的发光区域更靠近所述通孔。
根据一些示例性实施例，所述第三像素的所述发光区域大于所述第一像素的所述发光区域和所述第二像素的所述发光区域。
根据一些示例性实施例，所述像素以PenTile矩阵结构布置。
根据一些示例性实施例，所述第二像素是绿色像素，所述绿色像素包括彼此交替地布置的第一绿色像素和第二绿色像素；并且所述通孔设置为使得所述第一绿色像素比所述第二绿色像素更靠近所述通孔。
根据一些示例性实施例，所述第一线与所述发光区域中的一些发光区域重叠。
根据一些示例性实施例，所述有机发光显示设备还包括：连接电极，与所述第二线位于同一层，所述连接电极经由接触孔连接到所述像素电极中的一些像素电极，其中：所述第一像素的所述发光区域的端部与所述连接电极重叠；并且所述第一像素的所述发光区域的相对端部与从所述第二线延伸的延伸件重叠。
根据一些示例性实施例，所述有机发光显示设备还包括：节点电极，与所述第一线位于同一层；以及屏蔽部分，从所述第二线延伸，其中，所述屏蔽部分与所述节点电极完全重叠。
前面的一般性描述和下面的详细描述均是示例性的和说明性的，并且旨在提供对所要求保护的主题的进一步说明。
附图说明
包括附图以提供对本发明构思的进一步理解，将附图并入本说明书中并构成本说明书的一部分，附图示出了本发明构思的示例性实施例，并与描述一起用于解释本发明构思的原理。在附图中：
图1是根据一些示例性实施例的显示设备的平面图；
图2A和图2B是根据各种示例性实施例的显示设备中的像素的等效电路图；
图3是示出了根据一些示例性实施例的有机发光显示设备中的多个像素的发光区域的示意图；
图4是示出了根据一些示例性实施例的多个像素的发光区域和布线之间的关系的布局；
图5是根据一些示例性实施例的沿着图4中的截面线I-I'截取的截面图；
图6是根据用于与至少一个示例性实施例进行比较的比较示例的截面图；
图7A是根据一些示例性实施例的有机发光显示设备的布局；
图7B是根据一些示例性实施例的除图7A以外的像素电极的布局；
图7C是根据一些示例性实施例的沿着图7A中的截面线II-II'截取的截面图；以及
图8是根据一些示例性实施例的有机发光显示设备的布局。
具体实施方式
在下面的描述中，出于说明的目的，阐述了许多具体细节以提供对各种示例性实施例的透彻理解。如这里所使用的，“实施例”和“实施方式”是可互换使用的，并且是采用这里公开的一个或多个本发明构思的非限制性示例。然而，显然的是，可以在没有这些具体细节的情况下或者利用一个或多个等同布置来实践各种示例性实施例。在其他情况下，以框图形式示出了公知的结构和装置，以避免不必要地模糊各种示例性实施例。此外，各种示例性实施例可以是不同的，但不必是排他性的。例如，在不脱离本发明构思的情况下，示例性实施例的具体形状、配置和特性可以在另一示例性实施例中使用或实现。
除非另有说明，否则示出的示例性实施例将被理解为提供一些示例性实施例的不同细节的示例性特征。因此，除非另有说明，否则在不脱离本发明构思的情况下，各种示例的特征、组件、模块、层、膜、面板、区域、方面等(在下文中，单独地称为或统称为“元件”或“多个元件”)可以另外组合、分离、互换和/或重新布置。
通常提供在附图中使用交叉影线和/或阴影来阐明相邻元件之间的边界。因此，除非说明，否则交叉影线或阴影的存在与否都不传达或表明对特定材料、材料性质、尺寸、比例、示出的元件之间的共性和/或元件的任何其他特性、属性、性质等的任何偏好或要求。此外，在附图中，为了清楚和/或描述的目的，可能夸大了元件的尺寸和相对尺寸。这样，各个元件的尺寸和相对尺寸不必限于附图中所示的尺寸和相对尺寸。当示例性实施例可以不同地实现时，可以与所描述的顺序不同地执行特定工艺顺序。例如，两个连续描述的工艺可以基本上同时执行或者以与所描述的顺序相反的顺序执行。另外，同样的附图标记表示同样的元件。
当诸如层的元件被称作“在”另一元件“上”、“连接到”或“结合到”另一元件时，该元件可以直接在另一元件上、直接连接到或直接结合到另一元件，或者可以存在中间元件。然而，当元件被称作“直接在”另一元件“上”、“直接连接到”或“直接结合到”另一元件时，不存在中间元件。应当以类似的方式解释用于描述元件之间的关系的其他术语和/或短语，例如，“在……之间”与“直接在……之间”、“与……相邻”与“与……直接相邻”、“在……上”与“直接在……上”、“电连接”与“直接电连接”、“形成在……上”与“直接形成在……上”等。此外，术语“连接”可以指物理连接、电连接和/或流体连接。另外，第一方向轴、第二方向轴和第三方向轴不限于直角坐标系的三个轴，并且可以以更广泛的含义来解释。例如，第一方向轴、第二方向轴和第三方向轴可以彼此垂直，或者可以表示彼此不垂直的不同方向。出于本公开的目的，“X、Y和Z中的至少一个”和“从由X、Y和Z组成的组中选择的至少一个”可以解释为仅X、仅Y、仅Z，或者X、Y和Z中的两个或更多个的任意组合，诸如以XYZ、XYY、YZ和ZZ为例。如这里使用的，术语“和/或”包括一个或多个相关所列项的任意组合和所有组合。
尽管在这里可使用术语“第一”、“第二”等来描述各种元件，但是这些元件不应受这些术语的限制。这些术语用于将一个元件与另一元件区分开。因此，在不脱离本公开的教导的情况下，下面讨论的第一元件可被命名为第二元件。
为了描述的目的，在这里可以使用诸如“在……下面”、“在……下方”、“在……之下”、“下”、“在……上方”、“上”、“在……之上”、“较高的”和“侧”(例如，如在“侧壁”中)等空间相对术语，从而描述如附图中所示的一个元件与其他元件的关系。除了在附图中描绘的方位之外，空间相对术语还旨在涵盖设备在使用、操作和/或制造中的不同方位。例如，如果在附图中设备被翻转，则描述为“在”其他元件或特征“下方”或“下面”的元件随后将被定位为“在”其他元件或特征“上方”。因此，示例性术语“在……下方”可涵盖“在……上方”和“在……下方”两种方位。此外，设备可以被另外定位(例如，旋转90度或者在其他方位处)，因此，相应地解释这里使用的空间相对描述语。
这里使用的术语是为了描述特定实施例的目的，而不意图是限制性的。如这里所使用的，除非上下文另外明确指出，否则单数形式“一个”、“一种”和“所述(该)”也意图包括复数形式。此外，当在本说明书中使用术语“包含”、“包括”、“具有”和/或“含有”时，说明存在陈述的特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组，但不排除存在或附加一个或多个其他特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。还注意的是，如这里使用的，术语“基本上”、“大约”和其他类似术语用作近似术语而不是程度术语，这样，用于解释本领域普通技术人员将认识到的测量值、计算值和/或提供值的固有偏差。
这里参照作为理想化的示例性实施例和/或中间结构的示意图的截面图、等轴图、透视图、平面图和/或分解图来描述各种示例性实施例。这样，预计到例如由于制造技术和/或公差引起的示图的形状的变化。因此，这里公开的示例性实施例不应被解释为局限于具体示出的区域的形状，而是将包括例如由制造导致的形状的偏差。为此目的，附图中示出的区域实质上可以是示意性的，并且这些区域的形状可以不反映装置的区域的实际形状，因此，不旨在进行限制。
除非另有定义，否则这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开所属领域的普通技术人员所通常理解的相同的含义。除非在这里明确地如此定义，否则术语(诸如在通用词典中定义的术语)应当被解释为具有与它们在相关领域的背景中的含义相一致的含义，而将不以理想化的或过于形式化的含义来解释所述术语。
在本领域中作为惯例，在附图中根据功能块、单元和/或模块描述并示出了一些示例性实施例。本领域技术人员将理解，这些块、单元和/或模块通过诸如逻辑电路、分立组件、微处理器、硬连线电路、存储元件和布线连接等电子(或光学)电路在物理上实现，所述电子(或光学)电路可以使用基于半导体的制造技术或其他制造技术形成。在块、单元和/或模块由微处理器或其他类似的硬件实现的情况下，可以使用软件(例如，微代码)对所述块、单元和/或模块进行编程和控制，以执行这里讨论的各种功能，并且可以可选地由固件和/或软件来驱动。还预期的是，每个块、单元和/或模块可以由专用硬件实现，或者可以实现为执行某些功能的专用硬件和执行其他功能的处理器(例如，一个或多个编程的微处理器和相关电路)的组合。另外，在不脱离本发明构思的情况下，一些示例性实施例的每个块、单元和/或模块可以在物理上分成两个或更多个交互的和离散的块、单元和/或模块。此外，在不脱离本发明构思的情况下，一些示例性实施例的块、单元和/或模块可以物理地组合成更复杂的块、单元和/或模块。
在下文中，将参照附图详细地说明各种示例性实施例。
图1是根据一些示例性实施例的显示设备的平面图。
参照图1，有机发光显示设备包括用于实现(例如，显示)图像的显示区域DA和作为位于显示区域DA外部(例如，周围)的非显示区域的外围区域PA。多个像素PX布置在显示区域DA中以提供图像，例如，预定图像。
每个像素PX可以发射诸如以红光、绿光、蓝光和/或白光为例的至少一种颜色的光，并且例如可以包括有机发光二极管OLED。另外，每个像素PX还可以包括诸如薄膜晶体管(TFT)、电容器等器件。在本说明书中，像素PX可以表示发射如前所述的红光、绿光、蓝光和白光之一的子像素。
外围区域PA不提供图像，尽管未示出，但是外围区域PA可以包括用于向显示区域DA的像素PX提供电信号的扫描驱动器、数据驱动器等以及用于提供诸如驱动电压和公共电压的电力的电源线。另外，外围区域PA可以包括印刷电路板等可以连接到的端子部分。
图2A和图2B是根据各种示例性实施例的显示设备中的像素的等效电路图。
参照图2A，每个像素PX可以包括连接到扫描线SL和数据线DL的像素电路PC以及连接到像素电路PC的有机发光二极管OLED。
像素电路PC包括驱动TFT T1、开关TFT T2和存储电容器Cst。开关TFT T2连接到扫描线SL和数据线DL，并根据通过扫描线SL输入的扫描信号Sn将通过数据线DL输入的数据信号Dm传送到驱动TFT T1。
存储电容器Cst连接到开关TFT T2和驱动电压线PL，并且存储与从开关TFT T2传送的电压和供应到驱动电压线PL的第一电源电压ELVDD(或驱动电压)之间的差对应的电压。
驱动TFT T1连接到驱动电压线PL和存储电容器Cst，并且可以响应于存储在存储电容器Cst中的电压值来控制从驱动电压线PL流到有机发光二极管OLED的驱动电流。有机发光二极管OLED可以连接在驱动TFT T1和第二电源电压ELVSS(或公共电压)之间。有机发光二极管OLED可以根据驱动电流发射具有预定亮度的光。
图2A示出了其中像素电路PC包括两个薄膜晶体管和一个存储电容器的示例，但是一个或多个示例性实施例不限于此。像素电路PC可以进行各种修改。例如，像素电路PC可以包括三个或更多个薄膜晶体管和/或两个或更多个存储电容器。例如，诸如在图2B中所示，像素电路PC可以包括七个薄膜晶体管和一个存储电容器。
参照图2B，每个像素PX包括像素电路PC和连接到像素电路PC的有机发光二极管OLED。像素电路PC可以包括多个薄膜晶体管和存储电容器。薄膜晶体管和存储电容器可以连接到信号线SL、SL-1、EL和DL、初始化电压线VL以及驱动电压线PL。
在图2B中，每个像素PX连接到信号线SL、SL-1、EL和DL、初始化电压线VL以及驱动电压线PL，但是一个或多个示例性实施例不限于此。作为另一示例性实施例，信号线SL、SL-1、EL和DL、初始化电压线VL以及驱动电压线PL中的至少一个可以由至少一个相邻的像素PX共用。
多个薄膜晶体管可以包括驱动TFT T1、开关TFT T2、补偿TFT T3、第一初始化TFTT4、操作控制TFT T5、发射控制TFT T6和第二初始化TFT T7。
信号线包括传送扫描信号Sn的扫描线SL、将前一扫描信号Sn-1传送到第一初始化TFT T4和第二初始化TFT T7的前一扫描线SL-1、将发射控制信号En传送到操作控制TFT T5和发射控制TFT T6的发射控制线EL以及与扫描线SL相交并传送数据信号Dm的数据线DL。驱动电压线PL将驱动电压ELVDD传送到驱动TFT T1，并且初始化电压线VL传送用于使驱动TFTT1和有机发光二极管OLED的像素电极初始化的初始化电压Vint。
驱动TFT T1的驱动栅电极GE1连接到存储电容器Cst的第一电极Cst1，驱动TFT T1的驱动源电极S1经由操作控制TFT T5连接到驱动电压线PL，并且驱动TFT T1的驱动漏电极D1经由发射控制TFT T6电连接到有机发光二极管OLED的像素电极。驱动TFT T1根据开关TFT T2的开关操作接收数据信号Dm，以将驱动电流IOLED供应到有机发光二极管OLED。
开关TFT T2的开关栅电极GE2连接到扫描线SL，开关TFT T2的开关源电极S2连接到数据线DL，并且开关TFT T2的开关漏电极D2连接到驱动TFT T1的驱动源电极S1，同时经由操作控制TFT T5连接到驱动电压线PL。开关TFT T2根据通过扫描线SL接收的扫描信号Sn而导通，并执行将通过数据线DL传送的数据信号Dm传送到驱动TFT T1的驱动源电极S1的开关操作。
补偿TFT T3的补偿栅电极G3连接到扫描线SL，补偿TFT T3的补偿源电极S3连接到驱动TFT T1的驱动漏电极D1，同时经由发射控制TFT T6连接到有机发光二极管OLED的一个电极(例如，像素电极)，并且补偿TFT T3的补偿漏电极D3连接到存储电容器Cst的第一电极Cst1、第一初始化TFT T4的第一初始化漏电极D4和驱动TFT T1的驱动栅电极GE1。补偿TFTT3根据通过扫描线SL接收的扫描信号Sn而导通，以将驱动TFT T1的驱动栅电极GE1和驱动漏电极D1彼此电连接，并以二极管方式连接驱动TFT T1。
第一初始化TFT T4的第一初始化栅电极G4连接到前一扫描线SL-1，第一初始化TFT T4的第一初始化源电极S4连接到第二初始化TFT T7的第二初始化漏电极D7和初始化电压线VL，并且第一初始化TFT T4的第一初始化漏电极D4连接到存储电容器Cst的第一电极Cst1、补偿TFT T3的补偿漏电极D3和驱动TFT T1的驱动栅电极GE1。第一初始化TFT T4根据通过前一扫描线SL-1传送的前一扫描信号Sn-1而导通，以将初始化电压Vint传送到驱动TFT T1的驱动栅电极GE1，并执行用于使驱动TFT T1的驱动栅电极GE1处的电压初始化的初始化操作。
操作控制TFT T5的操作控制栅电极G5连接到发射控制线EL，操作控制TFT T5的操作控制源电极S5连接到驱动电压线PL，并且操作控制TFT T5的操作控制漏电极D5连接到驱动TFT T1的驱动源电极S1和开关TFT T2的开关漏电极D2。
发射控制TFT T6的发射控制栅电极G6连接到发射控制线EL，发射控制TFT T6的发射控制源电极S6连接到驱动TFT T1的驱动漏电极D1和补偿TFT T3的补偿源电极S3，并且发射控制TFT T6的发射控制漏电极D6电连接到第二初始化TFT T7的第二初始化源电极S7和有机发光二极管OLED的一个电极(例如，像素电极)。
操作控制TFT T5和发射控制TFT T6根据通过发射控制线EL传送的发射控制信号En同时导通，以将驱动电压ELVDD传送到有机发光二极管OLED并使驱动电流IOLED在有机发光二极管OLED中流动。
第二初始化TFT T7的第二初始化栅电极G7连接到前一扫描线SL-1，第二初始化TFT T7的第二初始化源电极S7连接到发射控制TFT T6的发射控制漏电极D6和有机发光二极管OLED的一个电极(例如，像素电极)，并且第二初始化TFT T7的第二初始化漏电极D7连接到第一初始化TFT T4的第一初始化源电极S4和初始化电压线VL。第二初始化TFT T7根据通过前一扫描线SL-1传送的前一扫描信号Sn-1而导通，以使有机发光二极管OLED初始化。
图2B示出了其中第一初始化TFT T4和第二初始化TFT T7连接到前一扫描线SL-1的情况，但是一个或多个示例性实施例不限于此。作为另一示例性实施例，第一初始化TFTT4可以连接到前一扫描线SL-1以根据前一扫描信号Sn-1而操作，并且第二初始化TFT T7可以连接到单独的信号线(例如，后一扫描线)以根据传送到单独的信号线的信号而操作。
存储电容器Cst的第二电极Cst2连接到驱动电压线PL，并且有机发光二极管OLED的相对电极(例如，阴极)连接到公共电压ELVSS。因此，有机发光二极管OLED通过从驱动TFTT1接收驱动电流IOLED来发光，以显示图像。
在图2B中，补偿TFT T3和第一初始化TFT T4具有双栅电极结构，但是补偿TFT T3和第一初始化TFT T4可以各自具有一个栅电极。
图3是示出了根据一些示例性实施例的有机发光显示设备中的多个像素的发光区域的示意图。例如，图3是示出了有机发光显示设备中的多个像素R、G和B的发光区域的示意图。在一些示例性实施例中，红色像素R、绿色像素G和蓝色像素B分别指示每个像素PX的发光区域，并且发光区域可以由像素限定层的开口(或像素限定层中的开口)限定，这将在下面变得更明显。
参照图3，在第一行1N上，红色像素R和蓝色像素B沿第一方向交替地布置，并且绿色像素G可以在相邻于第一行1N的第二行2N中沿第一方向以预定的间隔布置。同样地，红色像素R和蓝色像素B在第三行3N中交替地布置，并且绿色像素G可以在相邻于第三行3N的第四行4N中以预定的间隔布置。可以对预先设定的预定行重复地执行像素PX的前述布置。
第二行2N的绿色像素G可以与第一行1N的红色像素R和蓝色像素B交错。因此，红色像素R和蓝色像素B在第一列1M中沿第二方向交替地布置，并且绿色像素G可以在第二列2M中沿第二方向以预定的间隔布置。可以对预先设定的预定列重复地执行像素PX的前述布置。这里，蓝色像素B和红色像素R可以各自具有比绿色像素G的面积大的面积。另外，蓝色像素B的面积可以大于红色像素R的面积和绿色像素G的面积。
根据一些示例性实施例，在以绿色像素G作为其中心的虚拟正方形VS的顶点中，红色像素R布置在彼此面对的第一顶点和第三顶点处，并且蓝色像素B可以布置在其余顶点处，例如，布置在虚拟正方形VS的第二顶点和第四顶点处。这里，虚拟正方形VS可以不同地修改为例如矩形、菱形、正方形等。
根据各种示例性实施例的像素PX的布置不限于此。例如，替代绿色像素G的蓝色像素B可以布置在图3中的虚拟正方形VS的中心处，并且在虚拟正方形VS的顶点中，红色像素R可以布置在彼此面对的第一顶点和第三顶点处，且绿色像素G可以布置在其余的第二顶点和第四顶点处。
以上像素排列结构称为PenTile矩阵结构，并且应用用于通过共用相邻的像素PX来呈现颜色的渲染操作以使用少量的像素PX实现高分辨率。
根据各种示例性实施例的像素排列结构不限于PenTile矩阵结构。例如，一个或多个示例性实施例可以应用于条带排列(stripe arrangement)、马赛克排列(mosaicarrangement)和/或三角排列(delta arrangement)结构。另外，一个或多个示例性实施例可以应用于进一步包括发射白光的白色像素的像素排列结构。
在一些示例性实施例中，像素PX可以分为第一像素至第三像素。在一些示例性实施例中，第一像素至第三像素可以分别对应于红色像素R、绿色像素G和蓝色像素B。
图4是示出了根据一些示例性实施例的多个像素的发光区域和布线之间的关系的布局。图5是根据一些示例性实施例的沿着图4中的截面线I-I'截取的截面图。图6是根据用于与至少一个示例性实施例进行比较的比较示例的截面图。
参照图4，有机发光显示设备包括多个像素PX，并且多个像素PX可以连接到各种布线或线。
多个像素PX可以包括多个红色像素R、多个绿色像素G和多个蓝色像素B。如上所述，多个像素PX可以以PenTile矩阵结构布置。
在图4中，在各种布线中，示出了与多个像素PX的发光区域OP1、OP2和OP3重叠的多条第一线PL1以及布置为至少部分地围绕发光区域OP1、OP2和OP3拱起的第二线PL2。在一些示例性实施例中，发光区域OP1、OP2和OP3可以限定为稍后将描述的像素限定层中的开口。
每条第一线PL1沿第二方向延伸，并可以连接到在一列中布置的多个像素PX。例如，沿着第一列1M延伸的第一线PL1可以连接到交替布置的蓝色像素B和红色像素R。沿着第二列2M延伸的第一线PL1可以连接到绿色像素G1和G2。在平面上，第一线PL1可以与像素PX的发光区域OP1、OP2和OP3重叠。第一线PL1可以将驱动电压ELVDD(参见图2A和图2B)传送到多个像素PX。第一线PL1可以在第一方向上以预定的间隔布置。
第二线PL2可以与第一线PL1布置在不同的层中，并可以布置为至少部分地围绕多个像素PX的发光区域OP1、OP2和OP3拱起。第二线PL2可以具有网格结构。第二线PL2可以包括至少部分地暴露发光区域OP1、OP2和OP3的开口。另外，可以理解的是，第二线PL2包括与发光区域OP1、OP2和OP3的边缘对应的边界图案以及用于连接边界图案的连接图案。这里，可以一体地提供第二线PL2的边界图案和连接图案。第二线PL2大部分不与发光区域OP1、OP2和OP3重叠，而是可以与发光区域OP1、OP2和OP3部分地重叠。例如，在蓝色像素B具有最大发光区域OP3的情况下，发光区域OP3的端部可以与第二线PL2部分地重叠。
第二线PL2可以经由多个通孔VH接触第一线PL1。因为第二线PL2与第一线PL1接触，所以第二线PL2可以提供与第一线PL1的电压相同的电压。例如，第一线PL1和第二线PL2可以传输驱动电压ELVDD。因为第二线PL2具有网格结构，所以驱动电压ELVDD可以在整个显示区域DA(参见图1)上均匀地供应。
因为多个通孔VH与第一线PL1重叠，所以多个通孔VH可以沿着第一线PL1在第二方向上布置。
在一些示例性实施例中，在第二方向上布置的多个通孔VH可以布置为使得对于在第二方向上布置的每两个像素PX布置一个通孔VH。例如，对于每个蓝色像素B和每个红色像素R(例如，每两个像素PX)布置沿着第一列1M布置的每个通孔VH。对于每两个绿色像素G1和G2各自设置位于第二列2M中的通孔VH。
从另一角度看，绿色像素G(例如，第一绿色像素G1和第二绿色像素G2)在第一方向上交替地布置，两个通孔VH布置为相邻于第一绿色像素G1，且没有通孔布置为相邻于第二绿色像素G2。例如，通孔VH可以设置为在两个相邻的第一绿色像素G1和第二绿色像素G2之间更靠近第一绿色像素G1。在一些示例性实施例中，两个通孔VH可以布置为相邻于第一绿色像素G1。
第一绿色像素G1和第二绿色像素G2可以在第二方向上交替地布置，并且通孔VH还可以布置为在第二方向上相邻于第一绿色像素G1。
在一些示例性实施例中，蓝色像素B的发光区域OP3大于红色像素R的发光区域OP1和绿色像素G的发光区域OP2。从这个观点看，通孔VH布置为更靠近绿色像素G或红色像素R，绿色像素G或红色像素R具有比蓝色像素B的发光区域小的发光区域。例如，蓝色像素B和绿色像素G之间的通孔VH布置为相邻于绿色像素G，绿色像素G具有比蓝色像素B的发光区域小的发光区域，使得距离d2小于距离d1。另外，蓝色像素B和红色像素R之间的第二通孔VH2布置为相邻于红色像素R，使得距离d4小于距离d3。
在一些示例性实施例中，为了减小根据侧面视角的不对称色移，可以引入通孔VH的以上布置。例如，因为发光区域OP1、OP2和OP3和通孔VH布置为彼此不重叠，所以可以减小通孔VH的影响。
在下文中，将参照图5描述根据一些示例性实施例的有机发光显示设备的堆叠结构，并且还将描述通孔VH的影响。
基底110可以包括例如玻璃或聚合物树脂。聚合物树脂可以包括聚醚砜(PES)、聚丙烯酸酯(PAR)、聚醚酰亚胺(PEI)、聚萘二甲酸乙二酯(PEN)、聚对苯二甲酸乙二酯(PET)、聚苯硫醚(PPS)、多芳基化合物、聚酰亚胺(PI)、聚碳酸酯(PC)和醋酸丙酸纤维素(CAP)等中的至少一种。包括聚合物树脂的基底110可以是柔性的、可卷曲的和/或可弯曲的。基底110可以具有多层结构，多层结构包括包含聚合物树脂和无机层(未示出)的层。
缓冲层111位于基底110上，以减少或阻挡杂质、湿气和/或外部空气从基底110的下部的渗透，并在基底110上提供平坦的表面。缓冲层111可以包括诸如氧化物材料或氮化物材料的无机材料、有机材料或者无机-有机复合材料，并可以具有包括无机材料和有机材料的单层或多层结构。用于防止外部空气的渗透的阻挡层(未示出)可以进一步设置在基底110和缓冲层111之间。在一些示例性实施例中，缓冲层111可以包括氧化硅(SiO2)或氮化硅(SiNx)，但是示例性实施例不限于此。
用于像素R、G和B中的每个像素的至少一个薄膜晶体管TFT可以位于缓冲层111上。图5的薄膜晶体管TFT可以是包括在图2A或图2B的像素电路PC中的薄膜晶体管TFT之一。薄膜晶体管TFT可以包括半导体层Act、栅电极GE、源电极SE和漏电极DE。如果需要，则可以省略源电极SE和漏电极DE。另外，源电极SE或漏电极DE可以连接到传输数据信号的数据线。栅电极GE可以连接到传输扫描信号的扫描线。
半导体层Act位于缓冲层111上，并可以包括多晶硅。在一些示例性实施例中，半导体层Act可以包括非晶硅。在一些示例性实施例中，半导体层Act可以包括从由铟(In)、镓(Ga)、锡(Sn)、锆(Zr)、钒(V)、铪(Hf)、镉(Cd)、锗(Ge)、铬(Cr)、钛(Ti)和锌(Zn)组成的组中选择的至少一种的氧化物。半导体层Act可以包括沟道区以及位于沟道区的相对侧的具有较高的载流子浓度的源极区和漏极区。源极区和漏极区可以掺杂有杂质。
第一栅极绝缘层112可以覆盖半导体层Act。第一栅极绝缘层112可以包括无机绝缘材料，例如氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)和氧化锌(ZnO2)中的至少一种。第一栅极绝缘层112可以具有包括无机绝缘材料的单层或多层结构。
栅电极GE位于第一栅极绝缘层112上，以与半导体层Act重叠。栅电极GE可以包括钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)、钛(Ti)等中的至少一种，并可以具有单层或多层结构。作为示例，栅电极GE可以包括包含Mo的单层。
第二栅极绝缘层113可以覆盖栅电极GE。第二栅极绝缘层113可以包括无机绝缘材料，例如氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)和氧化锌(ZnO2)中的至少一种。第二栅极绝缘层113可以具有包括无机绝缘材料的单层或多层结构。
存储电容器Cst的上电极Cst2可以位于第二栅极绝缘层113上。上电极Cst2可以与其下方的栅电极GE重叠。这里，其间具有第二栅极绝缘层113的彼此重叠的栅电极GE和上电极Cst2可以构成存储电容器Cst。这样，栅电极GE可以用作存储电容器Cst的下电极Cst1。从这个观点看，存储电容器Cst可以与薄膜晶体管TFT重叠。然而，一个或多个示例性实施例不限于此。例如，存储电容器Cst可以不与薄膜晶体管TFT重叠。
上电极Cst2可以以单层或多层结构包括铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)和/或铜(Cu)中的至少一种。
层间绝缘层115可以覆盖上电极Cst2。层间绝缘层115可以包括绝缘材料，例如氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)和氧化锌(ZnO2)中的至少一种。层间绝缘层115可以具有包括无机绝缘材料的单层或多层结构。
源电极SE和漏电极DE可以位于层间绝缘层115上。源电极SE和漏电极DE可以包括包含Mo、Al、Cu、Ti等中的至少一种的导电材料，并可以具有包括上述材料的单层或多层结构。例如，源电极SE和漏电极DE可以各自具有包括Ti/Al/Ti的多层结构。
第一线PL1可以布置在层间绝缘层115上。例如，第一线PL1可以包括与源电极SE和漏电极DE的材料相同的材料，并且可以与源电极SE和漏电极DE位于同一层。第一线PL1可以包括包含钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)、钛(Ti)等中的至少一种的导电材料，并且可以具有单层或多层结构。第一线PL1传输驱动电压ELVDD，并且对于蓝色像素B和绿色像素G中的每个像素可以布置第一线PL1。第一线PL1可以与像素限定层119的作为像素G和B的发光区域的发光开口(即，发光区域)OP2和OP3重叠。因为第一通孔层(via layer)117和第二通孔层118位于第一线PL1与像素电极221G和221B之间，所以即使当第一线PL1与蓝色像素B的发光区域OP3和红色像素R的发光区域OP1重叠时，第一线PL1也不影响蓝色像素B的发光区域OP3和红色像素R的发光区域OP1。
第一通孔层117可以覆盖源电极SE、漏电极DE和第一线PL1。第一通孔层117可以具有平坦的上表面，使得可以使其上将布置的第二线PL2平坦化。
第一通孔层117可以包括单层或多层结构，单层或多层结构包括有机材料和无机材料中的至少一种。第一通孔层117可以包括通用聚合物(例如，苯并环丁烯(BCB)、聚酰亚胺、六甲基二硅醚(HMDSO)、聚(甲基丙烯酸甲酯)(PMMA)或聚苯乙烯(PS))、具有酚基的聚合物衍生物、丙烯酸类聚合物、酰亚胺类聚合物、芳基醚类聚合物、酰胺类聚合物、氟化物类聚合物、对二甲苯类聚合物、乙烯醇类聚合物和它们的共混物中的至少一种。第一通孔层117可以包括无机绝缘材料，例如氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)和氧化锌(ZnO2)中的至少一种。
第二线PL2布置在第一通孔层117上。第二线PL2可以经由贯穿第一通孔层117的通孔VH接触第一线PL1。蓝色像素B和绿色像素G之间的通孔VH可以布置为更相邻于绿色像素G，使得距离d1大于距离d2。
第二线PL2可以以单层或多层结构包括铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)和/或铜(Cu)中的至少一种。
第二通孔层118可以覆盖第二线PL2。第二通孔层118可以包括单层或多层结构，单层或多层结构包括有机材料和无机材料中的至少一种。第二通孔层118可以包括通用聚合物(例如，苯并环丁烯(BCB)、聚酰亚胺、六甲基二硅醚(HMDSO)、聚(甲基丙烯酸甲酯)(PMMA)或聚苯乙烯(PS))、具有酚基的聚合物衍生物、丙烯酸类聚合物、酰亚胺类聚合物、芳基醚类聚合物、酰胺类聚合物、氟化物类聚合物、对二甲苯类聚合物、乙烯醇类聚合物和它们的共混物中的至少一种。第二通孔层118可以包括无机绝缘材料，例如氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)和氧化锌(ZnO2)中的至少一种。
像素电极221B和221G布置在第二通孔层118上。像素电极221B和221G可以包括导电氧化物，例如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、氧化铟镓或氧化铝锌(AZO)。在一些示例性实施例中，像素电极221B和221G可以包括反射层，反射层包括银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)和铬(Cr)和它们的化合物中的至少一种。在一些示例性实施例中，像素电极221B和221G还可以包括位于反射层上和/或位于反射层下方的包含ITO、IZO、ZnO或In2O3的层。在一些示例性实施例中，像素电极221B和221G可以包括堆叠结构，例如包括ITO/Ag/ITO的堆叠结构。
像素限定层119可以覆盖像素电极221B和221G中的每个像素电极的边界。像素限定层119包括分别对应于像素G和B的发光开口OP2和OP3。例如，发光开口OP2和OP3可以至少部分地暴露像素电极221B和221G，以限定像素G和B的发光区域。即，发光开口OP2和OP3可以称为绿色像素G的发光区域OP2和蓝色像素B的发光区域OP3。
像素限定层119在像素电极221B和221G上增加介于像素电极221B和221G中的每个像素电极的边缘与相对电极223之间的距离，以防止在像素电极221B和221G的边缘处产生电弧。像素限定层119可以包括有机绝缘材料，例如聚酰亚胺、聚酰胺、丙烯酸树脂、BCB、HMDSO和酚醛树脂中的至少一种，并可以通过旋涂方法等来获得。
各自包括有机发光层的中间层222B和222G布置在由像素限定层119中的发光开口OP2和OP3暴露的像素电极221B和221G上。中间层222G和222B可以各自包括低分子量有机材料或聚合物材料。当中间层222B和222G包括低分子量材料时，中间层222B和222G可以以单层或多层结构包括空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、发射层(EML)、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)。低分子量材料的示例可以包括铜酞菁(CuPc)、N,N'-二(萘-1-基)-N,N'-二苯基-联苯胺(NPB)和三-8-羟基喹啉铝(Alq3)。可以通过真空沉积方法制造上述层。
当中间层222G和222B包括聚合物材料时，中间层222G和222B可以包括HTL和EML。这里，HTL可以包括聚(3,4-乙撑二氧噻吩)(PEDOT)，并且EML可以包括聚(对苯撑乙烯)(PPV)类或聚芴类聚合物材料。中间层222G和222B可以使用丝网印刷方法、喷墨印刷方法、激光诱导热成像(LITI)方法等来布置。
然而，中间层222G和222B不限于上述示例性实施例，而是可以具有各种结构。另外，中间层222G和222B可以包括在全部多个像素电极221G和221B上一体地设置的层，或者可以包括被图案化成与多个像素电极221G和221B中的每个像素电极对应的层。
相对电极223布置在中间层222G和222B上。相对电极223可以包括具有低功函数的导电材料。例如，相对电极223可以包括(半)透明层，(半)透明层包括Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、锂(Li)和钙(Ca)以及它们的合金中的至少一种。在一些示例性实施例中，相对电极223还可以包括位于包括上述材料中的至少一种的(半)透明层上的包括ITO、IZO、ZnO或In2O3的层。
相对电极223可以一体地设置在全部多个有机发光二极管OLED(G)和OLED(B)上，以对应于多个像素电极221G和221B。
尽管在附图中未示出，但是覆盖层可以设置在相对电极223上，以改善光提取效率，同时保护相对电极223。覆盖层可以包括例如氟化锂(LiF)。在一些示例性实施例中，覆盖层可以包括例如氮化硅的无机绝缘材料和/或有机绝缘材料。在一些示例性实施例中，可以省略覆盖层。
另外，根据一些示例性实施例的有机发光显示设备还可以包括用于保护多个有机发光二极管OLED的封装构件。
封装构件可以包括薄膜封装层，薄膜封装层包括至少一个无机封装层和至少一个有机封装层。这里，无机封装层可以包括一种或多种无机绝缘材料，例如氧化铝、氧化钛、氧化钽、氧化铪、氧化锌、氧化硅、氮化硅和氮氧化硅中的至少一种。有机封装层可以包括聚合物类材料。聚合物类材料可以包括丙烯酸类树脂、环氧类树脂、聚酰亚胺、聚乙烯等中的至少一种。薄膜封装层可以具有其中堆叠有第一无机封装层、有机封装层和第二无机封装层的结构。
可选地，可以使用经由密封剂或玻璃料接合到基底110的密封基底作为封装构件。
诸如用于感测触摸输入的输入感测构件、包括偏振器和延迟器的防反射构件、滤色器、黑矩阵和/或透明窗口等的组件可以进一步布置在封装构件上。
在一些示例性实施例中，通孔VH布置为不与像素限定层119的发光开口OP2和OP3重叠。因为提供了通孔VH，所以根据诸如在图5的区域R1中描绘的通孔VH和布置在通孔VH中的第二线PL2的形状，在第二通孔层118的上表面中可能竖直地形成曲线。然而，因为通孔VH不与发光区域OP1、OP2和OP3重叠，所以通孔VH不影响发光区域OP1、OP2和OP3。
当穿过蓝色像素B的第一线PL1和第二线PL2经由如图6中所示的另外的通孔VH'彼此接触时，因为蓝色像素B的发光区域OP3大于绿色像素G的发光区域OP2，所以另外的通孔VH'可以布置为与例如第三开口OP3(即，蓝色像素B的发光区域)重叠。因此，可能在第二通孔层118的上表面(例如，图6中的区域R2)中形成曲线，并且曲线会影响蓝色像素B的像素电极221B和/或中间层222B以及相对电极223。
形成在发光区域OP3中的曲线或台阶会导致从中间层222B产生的光的漫反射和/或两侧不对称反射，因此，颜色可视性会根据左侧视角或右侧视角而改变。这样，色移在左侧视图和右侧视图之间会不对称。
为了减小以上影响，在各种示例性实施例中，连接第一线PL1和第二线PL2的通孔VH布置为不与像素PX的发光区域重叠。例如，对于每两个像素布置在第二方向上布置的每一个通孔VH。可选地，通孔VH布置为与具有较小的发光区域的像素相邻，而不是与具有较大的发光区域的像素相邻。可选地，通孔VH可以布置为在沿着一个方向交替地布置的第一绿色像素G1和第二绿色像素G2之间更靠近第一绿色像素G1。
图7A是根据一些示例性实施例的有机发光显示设备的布局。图7B是根据一些示例性实施例的除图7A以外的像素电极的布局。图7C是根据一些示例性实施例的沿着图7A中的截面线II-II'截取的截面图。在图7A至图7C中，与图4和图5中的附图标记同样的附图标记指示相同的元件，并且主要省略其详细描述。
参照图7A至图7C，根据一些示例性实施例的有机发光显示设备还可以包括位于第一通孔层117上的连接电极CM。
连接电极CM可以将有机发光二极管OLED连接到薄膜晶体管TFT。例如，连接电极CM可以将有机发光二极管OLED的像素电极221B和221G连接到薄膜晶体管TFT的源电极SE或漏电极DE。参照图7C，连接电极CM可以经由贯穿第一通孔层117的第一接触孔CNT1连接到薄膜晶体管TFT的源电极或漏电极，并且像素电极221G可以经由贯穿第二通孔层118的第二接触孔CNT2连接到连接电极CM。
连接电极CM与第二线PL2布置在同一层，并可以包括与第二线PL2的材料相同的材料。例如，连接电极CM可以以单层或多层结构包括铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)和/或铜(Cu)中的至少一种。
在平面上，连接电极CM可以与像素限定层119的发光开口OP2和OP3(例如，发光区域)部分地重叠。在一些示例性实施例中，基于发光开口OP2和OP3中的每个发光开口中的中心点CP，从第二线PL2延伸的延伸件EP布置为与连接电极CM相对。从中心点CP至延伸件EP的距离可以与从中心点CP至连接电极CM的距离基本相同。另外，延伸件EP与发光开口OP2和OP3之间的重叠面积可以等于连接电极CM与发光开口OP2和OP3之间的重叠面积。
当不提供延伸件EP时，由于布置在第一通孔层117上的连接电极CM，可能在发光开口OP2和OP3的底表面上形成不对称的曲线或台阶。因此，关于侧面可视性，会发生不对称的色移。然而，根据各种示例性实施例，因为基于中心点CP提供与连接电极CM相对的延伸件EP，所以可以减小侧面可视性的不对称的色移。
另外，如图7B中所示，根据各种示例性实施例的像素电极221R、221G和221B中的每个像素电极的边缘可以与第二线PL2部分地重叠。然而，因为像素电极221R、221G和221B的重叠边缘不是发光区域，所以即使当像素电极221R、221G和221B与第二线PL2部分地重叠时，发光区域的光学特性也不会受到影响。
图8是根据一些示例性实施例的有机发光显示设备的布局。在图8中，与图4中的附图标记同样的附图标记指示相同的组件，并且主要省略其详细描述。
参照图8，有机发光显示设备还可以包括节点电极BM和与节点电极BM重叠的屏蔽部分SP。
节点电极BM可以与第一线PL1位于同一层，以与第一线PL1间隔开。节点电极BM可以包括与第一线PL1的材料相同的材料。例如，节点电极BM可以以单层或多层结构包括铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)和/或铜(Cu)中的至少一种。
节点电极BM可以是用于连接像素电路PC(参见图2A和图2B)的薄膜晶体管的桥接电极。节点电极BM可以与发光开口OP3的中心点CP重叠。节点电极BM可以传输信号，且由于信号，可能在相邻的薄膜晶体管之间或相邻的像素电路PC之间发生串扰。然而，根据各种示例性实施例，提供从第二线PL2延伸的屏蔽部分SP以与节点电极BM重叠，以便减小由于信号导致的串扰的发生。
可以存在多个屏蔽部分SP。一些屏蔽部分SP与发光开口OP3重叠，并且一些其他屏蔽部分SP可以不与发光开口OP2和OP3重叠。
与发光开口OP3重叠的屏蔽部分SP可以与节点电极BM重叠，并可以对应于发光开口OP3的中心点CP。考虑到不对称的色移以及串扰而提供了上述布置。在各种示例性实施例中，从第二线PL2延伸的屏蔽部分SP布置在发光开口OP3的中心点CP处，因此，可以在左侧和右侧处均等地显示出色移效应。
根据一个或多个示例性实施例，可以在保持像素的一致的特性的同时减小有机发光显示设备的不对称的色移，并且可以获得右侧宽区域显示(WAD)和左侧WAD的一致性。然而，本公开的范围不限于上述效果。
尽管这里已经描述了某些示例性实施例和实施方式，但是根据该描述，其他实施例和修改将是明显的。因此，本发明构思不限于这样的实施例，而是限于如将对于本领域普通技术人员显而易见的本公开和各种明显的修改和等同布置的较宽的范围。

Claims (20)

1.一种有机发光显示设备，其中，所述有机发光显示设备包括：
基底；
像素，在第一方向和与所述第一方向相交的第二方向上布置在所述基底上，所述像素包括有机发光二极管，所述有机发光二极管包括像素电极；
像素限定层，覆盖所述像素电极的边缘，所述像素限定层经由部分地暴露所述像素电极的开口限定发光区域；
第一通孔层和第二通孔层，介于所述像素电极和所述基底之间；
第一线，在所述第一通孔层和所述基底之间在所述第二方向上延伸；以及
第二线，介于所述第二通孔层和所述第一通孔层之间，所述第二线至少部分地围绕所述发光区域延伸，
其中：
所述第二线通过通孔接触所述第一线；并且
对于所述像素中的在所述第二方向上布置的每两个像素设置所述通孔中的每个通孔。
2.根据权利要求1所述的有机发光显示设备，其中，所述第二线具有网格结构，所述网格结构包括与所述像素的所述发光区域对应的开口。
3.根据权利要求1所述的有机发光显示设备，其中，所述第一线和所述第二线向所述像素传送驱动电压。
4.根据权利要求1所述的有机发光显示设备，其中：
所述像素包括第一像素、第二像素和第三像素，
所述第一像素、所述第二像素和所述第三像素被配置为发射彼此不同的颜色的光；
每个所述第三像素中的发光区域的面积小于每个所述第一像素中的发光区域的面积和每个所述第二像素中的发光区域的面积；并且
所述通孔布置为使得所述第一像素的所述发光区域和所述第二像素的所述发光区域比所述第三像素的所述发光区域更靠近所述通孔。
5.根据权利要求1所述的有机发光显示设备，其中：
所述像素包括在所述第一方向上交替地布置的第一绿色像素和第二绿色像素；并且
所述通孔布置为使得所述第一绿色像素比所述第二绿色像素更靠近所述通孔。
6.根据权利要求1所述的有机发光显示设备，其中，所述通孔不与所述像素的所述发光区域重叠。
7.根据权利要求1所述的有机发光显示设备，其中，所述像素以PenTile矩阵结构布置。
8.根据权利要求1所述的有机发光显示设备，其中，所述第一线与所述像素中的一些像素的所述发光区域重叠。
9.根据权利要求1所述的有机发光显示设备，其中，所述第二线与所述像素电极中的一些像素电极至少部分地重叠。
10.根据权利要求1所述的有机发光显示设备，其中：
所述像素中的每个像素还包括薄膜晶体管；
所述有机发光显示设备还包括与所述第二线位于同一层的连接电极，所述连接电极将所述像素电极中的像素电极连接到所述薄膜晶体管中的薄膜晶体管；
所述像素中的第一像素的发光区域的端部与所述连接电极重叠；并且
所述第一像素的所述发光区域的相对端部与从所述第二线延伸的延伸件重叠。
11.根据权利要求10所述的有机发光显示设备，其中，所述连接电极与所述第一像素的所述发光区域之间的重叠面积等于所述延伸件与所述第一像素的所述发光区域之间的重叠面积。
12.根据权利要求1所述的有机发光显示设备，其中，所述有机发光显示设备还包括：
节点电极，与所述第一线位于同一层；以及
屏蔽部分，从所述第二线延伸，
其中，所述屏蔽部分与所述节点电极完全重叠。
13.根据权利要求12所述的有机发光显示设备，其中：
所述节点电极与所述像素中的一些像素的所述发光区域重叠；并且
所述屏蔽部分对应于所述像素中的一些像素的所述发光区域的中心部分。
14.一种有机发光显示设备，其中，所述有机发光显示设备包括：
基底；
像素，在第一方向和与所述第一方向相交的第二方向上布置在所述基底上，所述像素包括有机发光二极管，所述有机发光二极管包括像素电极；
像素限定层，覆盖所述像素电极的边缘，所述像素限定层经由部分地暴露所述像素电极的开口限定发光区域；
第一通孔层和第二通孔层，介于所述像素电极和所述基底之间；
第一线，在所述第一通孔层和所述基底之间在所述第二方向上延伸；以及
第二线，介于所述第二通孔层和所述第一通孔层之间，所述第二线至少部分地围绕所述发光区域延伸，
其中：
所述第二线通过通孔接触所述第一线；
所述像素包括第一像素、第二像素和第三像素，所述第一像素、所述第二像素和所述第三像素中的每个被配置为发射不同颜色的光；并且
所述通孔布置为使得所述第一像素的发光区域和所述第二像素的发光区域比所述第三像素的发光区域更靠近所述通孔。
15.根据权利要求14所述的有机发光显示设备，其中，所述第三像素的所述发光区域大于所述第一像素的所述发光区域和所述第二像素的所述发光区域。
16.根据权利要求14所述的有机发光显示设备，其中，所述像素以PenTile矩阵结构布置。
17.根据权利要求16所述的有机发光显示设备，其中：
所述第二像素是绿色像素，所述绿色像素包括彼此交替地布置的第一绿色像素和第二绿色像素；并且
所述通孔设置为使得所述第一绿色像素比所述第二绿色像素更靠近所述通孔。
18.根据权利要求14所述的有机发光显示设备，其中，所述第一线与所述发光区域中的一些发光区域重叠。
19.根据权利要求14所述的有机发光显示设备，其中，所述有机发光显示设备还包括：
连接电极，与所述第二线位于同一层，所述连接电极经由接触孔连接到所述像素电极中的一些像素电极，
其中：
所述第一像素的所述发光区域的端部与所述连接电极重叠；并且
所述第一像素的所述发光区域的相对端部与从所述第二线延伸的延伸件重叠。
20.根据权利要求14所述的有机发光显示设备，其中，所述有机发光显示设备还包括：
节点电极，与所述第一线位于同一层；以及
屏蔽部分，从所述第二线延伸，
其中，所述屏蔽部分与所述节点电极完全重叠。
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