TW202013343A - 有機發光顯示裝置 - Google Patents

有機發光顯示裝置 Download PDF

Info

Publication number
TW202013343A
TW202013343A TW108123450A TW108123450A TW202013343A TW 202013343 A TW202013343 A TW 202013343A TW 108123450 A TW108123450 A TW 108123450A TW 108123450 A TW108123450 A TW 108123450A TW 202013343 A TW202013343 A TW 202013343A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
sub
area
pixel
organic light
pixel circuit
Prior art date
Application number
TW108123450A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI845522B (zh
Inventor
鄭鎭九
金聖哲
崔凡洛
高健祐
趙成民
崔埈厚
Original Assignee
南韓商三星顯示器有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 南韓商三星顯示器有限公司 filed Critical 南韓商三星顯示器有限公司
Publication of TW202013343A publication Critical patent/TW202013343A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI845522B publication Critical patent/TWI845522B/zh

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
    • H10K59/351—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels comprising more than three subpixels, e.g. red-green-blue-white [RGBW]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06V—IMAGE OR VIDEO RECOGNITION OR UNDERSTANDING
    • G06V20/00—Scenes; Scene-specific elements
    • G06V20/10—Terrestrial scenes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/124—Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/60—OLEDs integrated with inorganic light-sensitive elements, e.g. with inorganic solar cells or inorganic photodiodes
    • H10K59/65—OLEDs integrated with inorganic image sensors

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Control Of El Displays (AREA)

Abstract

有機發光顯示裝置可以包括：顯示面板，其包括第一顯示區域及第二顯示區域，利用第一面顯示影像，所述第一顯示區域包括第一子像素區域，具有第一分辨率，所述第二顯示區域包括第二子像素區域及第一穿透區域，具有低於所述第一分辨率的第二分辨率；及第一光學模組，其同顯示面板的與所述第一面相反的第二面上的所述第二顯示區域重疊配置。因此，在第一光學模組配置的部分也可以顯示影像。

Description

有機發光顯示裝置
本發明涉及有機發光顯示裝置。更詳細而言，本發明涉及包括光學模組的有機發光顯示裝置。
平板顯示裝置由於輕量及薄型等特性，正在被用作替代陰極射線管顯示裝置的顯示裝置。作為這種平板顯示裝置的代表性示例，有液晶顯示裝置和有機發光顯示裝置。
有機發光顯示裝置可以包括能夠顯示影像的顯示區域和非顯示區域，在所述非顯示區域可以配置有光學模組。例如，所述光學模組可以包括位於有機發光顯示裝置的前面S1上的能夠拍攝事物影像的照相機模組、用於感知使用者的臉部的臉部識別感測器模組、用於感知使用者的瞳孔的瞳孔識別感測器模組、判斷有機發光顯示裝置的移動的加速度感測器模組及地磁感測器模組、用於感知是否接近有機發光顯示裝置前方的接近感測器模組及紅外線感測器模組、用於在放置於口袋或包內時測量亮度程度的照度感測器模組等。所述光學模組配置於有機發光顯示裝置的非顯示區域，因而所述光學模組配置的部分可不顯示影像。
解決的技術問題
本發明目的是提供一種包括光學模組的有機發光顯示裝置。
但是，並非本發明限定於上述目的，可以在不超出本發明概念及所屬技術領域的範圍內多樣地擴張。
技術手段
為了達成前述本發明的目的，本發明的示例性實施例的有機發光顯示裝置可以包括：顯示面板，其包括第一顯示區域及第二顯示區域，利用第一面顯示影像，所述第一顯示區域包括第一子像素區域，具有第一分辨率，所述第二顯示區域包括第二子像素區域及第一穿透區域，具有低於所述第一分辨率的第二分辨率；及第一光學模組，其同所述顯示面板的與所述第一面相反的第二面上的所述第二顯示區域重疊配置。
在示例性實施例中，所述顯示面板可以還包括：第一子像素電路，其配置於所述第一顯示區域；及第二子像素電路，其配置於所述第二顯示區域，不同於所述第一子像素電路。
在示例性實施例中，構成所述第一子像素電路的電晶體的個數，可以多於構成所述第二子像素電路的電晶體的個數。
在示例性實施例中，所述顯示面板可以還包括：第一子像素結構物，其配置於所述第一子像素電路上的所述第一子像素區域，與所述第一子像素電路電性連接；第二子像素結構物，其配置於所述第二子像素電路上的所述第二子像素區域，與所述第二子像素電路電性連接；及第一穿透窗，其配置於與所述第二子像素區域鄰接的所述第一穿透區域。
在示例性實施例中，所述第一光學模組可以包括照相機模組，所述第一光學模組可以藉由所述第一穿透窗，識別位於所述顯示面板的所述第一面上的事物。
在示例性實施例中，所述第二子像素電路可以不配置於所述第一穿透區域。
在示例性實施例中，所述顯示面板可以還包括：第三顯示區域，其與所述第二顯示區域鄰接配置，包括第三子像素區域及第二穿透區域，具有所述第一分辨率與所述第二分辨率之間的第三分辨率；第三子像素電路，其配置於所述第三顯示區域，不同於所述第一及第二子像素電路。
在示例性實施例中，構成所述第三子像素電路的電晶體的個數可以少於構成所述第一子像素電路的電晶體的個數，多於構成所述第二子像素電路的電晶體的個數。
在示例性實施例中，可以還包括第二光學模組，其與所述顯示面板的所述第二面上的所述第三顯示區域重疊配置。
在示例性實施例中，所述顯示面板可以還包括：第三子像素結構物，其配置於所述第三子像素電路上的所述第三子像素區域，與所述第三子像素電路電性連接；及第二穿透窗，其配置於與所述第三子像素區域鄰接的所述第二穿透區域。
在示例性實施例中，所述第三子像素電路可以不配置於所述第二穿透區域。
在示例性實施例中，所述第二光學模組可以包括臉部識別感測器模組、瞳孔識別感測器模組、加速度感測器模組、接近感測器模組、紅外線感測器模組、照度感測器模組等。
在示例性實施例中，所述第一光學模組的大小可以與所述第二顯示區域的大小相同，所述第二光學模組的大小可以與所述第三顯示區域的大小相同。
在示例性實施例中，所述第一顯示區域的面積可以大於所述第二顯示區域的面積。
在示例性實施例中，所述第二顯示區域可以位於所述顯示面板的所述第二面上的一側，所述第一顯示區域可以環繞所述第二顯示區域。
在示例性實施例中，所述顯示面板可以還包括：第一子像素電路，其配置於所述第一顯示區域；及第二子像素電路，其配置於所述第二顯示區域；所述第一及第二子像素電路可以具有相同的構成。
為了達成前述本發明的目的，本發明示例性實施例的有機發光顯示裝置可以包括：基板，其具有第一顯示區域及第二顯示區域，所述第一顯示區域包括第一子像素區域，以第一分辨率顯示影像，所述第二顯示區域包括第二子像素區域及第一穿透區域，以低於所述第一分辨率的第二分辨率顯示影像；第一子像素電路，其配置於所述基板上的第一顯示區域；第二子像素電路，其配置於所述基板上的第二顯示區域，使所述第一穿透區域露出；子像素結構物，其配置於所述基板上的所述第一子像素區域及第二子像素區域；及顯示面板，其包括在所述基板上的所述第一穿透區域形成的第一穿透窗，利用第一面顯示影像；及第一光學模組，其在所述顯示面板的與第一面相反的第二面，與所述第二顯示區域重疊配置。
在示例性實施例中，所述基板可以包括在所述第二面中與所述第二顯示區域重疊的部分形成的第一溝槽，在所述第一溝槽中可以埋設有所述第一光學模組。
在示例性實施例中，可以還包括：絕緣層結構物，其配置於所述基板上；平坦化層，其配置於所述絕緣層結構物上；及像素定義膜，其配置於所述平坦化層上。
在示例性實施例中，在所述第一穿透區域中，所述絕緣層結構物、所述平坦化層及所述像素定義膜可以包括使基板露出的第一開口，所述第一開口可以定義為所述第一穿透窗。
在示例性實施例中，可以還包括配置於所述像素定義膜上的封蓋層，所述封蓋層在所述第一及第二子像素區域可以具有第一厚度，在所述第一穿透區域可以具有小於所述第一厚度的第二厚度。
在示例性實施例中，所述基板可以還包括：第三顯示區域，其與所述第二顯示區域鄰接配置，包括第三子像素區域及第二穿透區域，以所述第二分辨率顯示影像；第三子像素電路，其配置於所述第三顯示區域，具有與所述第二子像素電路相同的構成。
在示例性實施例中，構成所述第三子像素電路的電晶體的個數，可以與構成所述第二子像素電路的電晶體的個數相同。
在示例性實施例中，可以還包括第二光學模組，其在所述顯示面板的所述第二面，與所述第三顯示區域重疊配置。
在示例性實施例中，所述基板可以包括在所述第二面中與所述第三顯示區域重疊的部分形成的第二溝槽，在所述第二溝槽中可以埋設有所述第二光學模組。
在示例性實施例中，所述基板可以還包括：第三子像素結構物，其配置於所述第三子像素電路上的所述第三子像素區域，與所述第三子像素電路電性連接；及第二穿透窗，其配置於與所述第三子像素區域鄰接的所述第二穿透區域。
在示例性實施例中，所述第三子像素電路可以不配置於所述第二穿透區域。
在示例性實施例中，在所述第二穿透區域中，所述絕緣層結構物、所述平坦化層及所述像素定義膜可以包括使基板露出的第二開口，所述第二開口可以定義為所述第二穿透窗。
在示例性實施例中，所述第一子像素電路的構成可以與所述第二及第三子像素電路各個的構成相同，所述第一穿透窗的大小可以與所述第二穿透窗的大小相同。
在示例性實施例中，所述第二子像素電路的構成可以不同於所述第三子像素電路的構成，所述第一穿透窗的大小與所述第二穿透窗的大小可以不同。
在示例性實施例中，構成所述第三子像素電路的電晶體的個數，可以多於構成所述第二子像素電路的電晶體的個數。
在示例性實施例中，所述第二穿透窗的大小可以小於所述第一穿透窗的大小。
在示例性實施例中，所述第一及第二子像素電路可以分別包括至少一個半導體元件及至少一個電容器。
在示例性實施例中，所述子像素結構物可以分別包括：下部電極，其配置於所述第一及第二子像素電路上；發光層，其配置於所述下部電極上；及上部電極，其配置於所述發光層上。
在示例性實施例中，所述上部電極可以不配置於所述第一穿透區域。
為了達成前述本發明的目的，本發明示例性實施例的有機發光顯示裝置可以包括：顯示面板，其包括第一顯示區域、第二顯示區域及非顯示區域，利用第一面顯示影像，其中，所述第一顯示區域包括第一子像素區域，具有第一分辨率，所述第二顯示區域包括第二子像素區域及第一穿透區域，具有低於所述第一分辨率的第二分辨率，所述非顯示區域包括第二穿透區域，不顯示影像；第一光學模組，其同所述顯示面板的與所述第一面相反的第二面上的所述非顯示區域重疊配置；及第二光學模組，其與所述顯示面板的所述第二面上的所述第二子像素區域重疊配置。
在示例性實施例中，所述第一光學模組可以包括照相機模組，所述第一光學模組可以藉由所述第二穿透區域，識別位於所述顯示面板的所述第一面上的事物。
在示例性實施例中，所述第二光學模組可以包括臉部識別感測器模組、瞳孔識別感測器模組、加速度感測器模組、接近感測器模組、紅外線感測器模組、照度感測器模組等。
發明效果
本發明示例性實施例的有機發光顯示裝置包括具有第一分辨率的第一顯示區域及具有低於第一分辨率的第二分辨率的第二及第三顯示區域，藉以在第一光學模組及第二光學模組配置的部分也可以顯示影像。另外，有機發光顯示裝置包括第一穿透窗及第二穿透窗，藉以第一光學模組及第二光學模組藉由第一穿透窗及第二穿透窗，可以感知位於顯示面板的第一面的周邊情況或拍攝事物的影像。
不過，並非本發明效果限定於上述效果，可以在不超出本發明的概念及所屬技術領域的範圍內多樣地擴張。
下面參照圖式，對本發明示例性實施例的有機發光顯示裝置進行詳細說明。在圖式中，針對相同或類似的構成要素，使用相同或類似的參照符號。
圖1是顯示本發明示例性實施例的有機發光顯示裝置的立體圖，圖2是顯示在圖1的有機發光顯示裝置的背面配置的光學模組的立體圖，圖3是用於說明圖1的有機發光顯示裝置的第一顯示區域、第二顯示區域及第三顯示區域的俯視圖。
如果參照圖1至3，有機發光顯示裝置100可以包括顯示面板200、第一光學模組410、第二光學模組420等。顯示面板200可以具有顯示影像的第一面S1及與第一面S1相反的第二面S2。第一光學模組410及第二光學模組420可以配置於顯示面板200的第二面S2上的一側，第一光學模組410與第二光學模組420可以相互鄰接配置。
顯示面板200可以包括第一顯示區域10、第二顯示區域20及第三顯示區域30。其中，第二及第三顯示區域20、30分別可以位於顯示面板200的第一面S1上的一側，第二顯示區域20與第三顯示區域30可以相互鄰接配置。另外，第一顯示區域10可以環繞第二顯示區域20及第三顯示區域30，第一顯示區域10的面積可以大於第二及第三顯示區域20、30各個的面積。
第一顯示區域10可以包括多個第一子像素區域（例如，與圖4的第一子像素區域11對應），第二顯示區域20可以包括多個第二子像素區域及多個第一穿透區域（例如，與圖7的第二子像素區域12及第一穿透區域21對應），第三顯示區域30可以包括多個第三子像素區域及第二穿透區域（例如，與圖11的第三子像素區域13及第二穿透區域22對應）。在示例性實施例中，顯示面板200可以在第一顯示區域10和第二及第三顯示區域20、30中，以互不相同的解析度顯示所述影像。例如，在第一顯示區域10中，可以以第一解析度顯示影像，在第二及第三顯示區域20、30中，可以以低於所述第一解析度的第二解析度顯示影像。換句話說，第一顯示區域10可以具有所述第一解析度，第二及第三顯示區域20、30分別可以具有所述第二解析度。
第一光學模組410可以與顯示面板200的第二面S2上的第二顯示區域20重疊配置。換句話說，第二顯示區域20的大小可以與第一光學模組410的大小實質上相同。即，第二顯示區域20的形狀可以根據第一光學模組410的形狀而定義。第一光學模組410可以包括照相機模組，所述照相機模組能夠拍攝（或識別）位於顯示面板200的第一面S1上的事物的影像。
第二光學模組420可以與顯示面板200的第二面S2上的第三顯示區域30重疊配置。換句話說，第三顯示區域30的大小可以與第二光學模組420的大小實質上相同。即，第三顯示區域30的形狀可以根據第二光學模組420的形狀而定義。第二光學模組420可以包括用於感知使用者臉部的臉部識別感測器模組、用於感知使用者瞳孔的瞳孔識別感測器模組、用於判斷有機發光顯示裝置100的移動的加速度感測器模組及地磁感測器模組、用於感知是否接近有機發光顯示裝置100前方的接近感測器模組及紅外線感測器模組、用於在放置於口袋或包內時測量亮度程度的照度感測器模組等。
圖4是放大圖示圖3的第一顯示區域的一部分的部分放大俯視圖，圖5是顯示在圖4的第一顯示區域配置的第一子像素電路及第一有機發光二極體的電路圖。
如果參照圖3、圖4及圖5，顯示面板200可以還包括第一子像素電路（first sub-pixel circuit：SPC1）及第一有機發光二極體（first organic light emitting diode：OLED1）。另外，顯示面板200可以具有第一顯示區域10，第一顯示區域10可以包括多個第一子像素區域11。例如，第一子像素區域11可以在第一顯示區域10內，沿與顯示面板200的第一面S1平行的第一方向D1及與第一方向D1垂直交叉的第二方向D2排列。即，第一子像素區域11可以在第一顯示區域10內全體地排列。
第一子像素電路SPC1可以分別與第一子像素區域11重疊配置，在第一子像素電路SPC1（例如，與圖11的第一半導體元件250及第二半導體元件255對應）上，可以配置有第一有機發光二極體OLED1（例如，與圖11的第一子像素結構物300對應）。藉由第一子像素電路SPC1及第一有機發光二極體OLED1，可以在第一子像素區域11顯示影像。選擇性地，第一子像素電路SPC1也可以與第一子像素區域11的一部分及不同於所述第一子像素區域11的第一子像素區域11的一部分（例如，與第一子像素區域11鄰接配置的第一子像素區域11的一部分）重疊配置。另外，第一有機發光二極體OLED1也可以利用相同大小的矩形依次排列的RGB條紋（RGB stripe）方式、包括具有相對較寬面積的藍色有機發光二極體的S-條紋（S-stripe）方式、還包括白色有機發光二極體的WRGB方式、以RG-GB反復形態羅列的PenTile方式等進行排列。
不過，雖然說明的是本發明第一顯示區域10及第一子像素區域11各個的形狀具有四邊形的平面形狀的情形，但並非所述形狀限定於此。例如，第一顯示區域10及第一子像素區域11各個的形狀也可以具有三角形的平面形狀、菱形的平面形狀、多邊形的平面形狀、圓形的平面形狀、跑道形的平面形狀或橢圓形的平面形狀。
如圖5所示，第一子像素電路SPC1可以包括第一至第七電晶體TR1、TR2、TR3、TR4、TR5、TR6、TR7及儲存電容器CST、高電源電壓ELVDD配線、低電源電壓ELVSS配線、初始化電壓VINT配線、資料訊號DATA配線、閘極訊號GW配線、閘極初始化訊號GI配線、發光控制訊號EM配線、二極體初始化訊號GB配線等。另外，第一子像素電路SPC1與第一有機發光二極體OLED1可以電性連接。
第一有機發光二極體OLED1（例如，與圖11的第一子像素結構物300對應）可以基於驅動電流ID而輸出光。第一有機發光二極體OLED1可以包括第一端子及第二端子。第一有機發光二極體OLED1的第二端子可以接受供應低電源電壓ELVSS。例如，第一有機發光二極體OLED1的第一端子為陽極端子，第一有機發光二極體OLED1的第二端子可以為陰極端子。選擇性地，第一有機發光二極體OLED1的第一端子也可以為陰極端子，第一有機發光二極體OLED1的第二端子也可以為陽極端子。在示例性實施例中，第一有機發光二極體OLED1的所述陽極端子可以與圖11的第一下部電極290相應，第一有機發光二極體OLED1的所述陰極端子可以與圖11的第一上部電極340相應。
第一電晶體TR1（例如，與圖11的第一半導體元件250對應）可以包括閘極端子、第一端子及第二端子。在示例性實施例中，第一電晶體TR1的第一端子可以為源極端子，第一電晶體TR1的第二端子可以汲極端子。選擇性地，第一電晶體TR1的第一端子可以為汲極端子，第一電晶體TR1的第二端子可以為源極端子。
第一電晶體TR1可以生成驅動電流ID。在示例性實施例中，第一電晶體TR1可以在飽和區域運轉。此時，第一電晶體TR1可以基於閘極端子與源極端子之間的電壓差而生成驅動電流ID。另外，可以基於向第一有機發光二極體OLED1供應的驅動電流ID大小而表現色階。選擇性地，第一電晶體TR1也可以在線性區域運轉。此時，可以在一幅內，基於驅動電流向有機發光二極體供應的時間之和來表現色階。
第二電晶體TR2可以包括閘極端子、第一端子、第二端子。第二電晶體TR2的閘極端子可以接受供應閘極訊號GW。第二電晶體TR2的第一端子可以接受供應資料訊號DATA。第二電晶體TR2的第二端子可以連接於第一電晶體TR1的第一端子。在示例性實施例中，第二電晶體TR2的第一端子可以為源極端子，第二電晶體TR2的第二端子可以為汲極端子。選擇性地，第二電晶體TR2的第一端子可以為汲極端子，第二電晶體TR2的第二端子可以為源極端子。
第二電晶體TR2可以在閘極訊號GW的啟用區間期間，將資料訊號DATA供應到第一電晶體TR1的第一端子。此時，第二電晶體TR2可以在線性區域運轉。
第三電晶體TR3可以包括閘極端子、第一端子及第二端子。第三電晶體TR3的閘極端子可以接受供應閘極訊號GW。第三電晶體TR3的第一端子可以連接於第一電晶體TR1的閘極端子。第三電晶體TR3的第二端子可以連接於第一電晶體TR1的第二端子。在示例性實施例中，第三電晶體TR3的第一端子可以為源極端子，第三電晶體TR3的第二端子可以為汲極端子。選擇性地，第三電晶體TR3的第一端子可以為汲極端子，第三電晶體TR3的第二端子可以為源極端子。
第三電晶體TR3可以在閘極訊號GW的啟用區間期間，連接第一電晶體TR1的閘極端子與第一電晶體TR1的第二端子。此時，第三電晶體TR3可以在線性區域運轉。即，第三電晶體TR3可以在閘極訊號GW的啟用區間期間，使第一電晶體TR1實現二極體連接。由於第一電晶體TR1實現二極體連接，因而在第一電晶體TR1的第一端子與第一電晶體TR1的閘極端子之間，會發生與第一電晶體TR1的臨界電壓相應的電壓差。結果，在閘極訊號GW的啟用區間期間，在供應到第一電晶體TR1第一端子的資料訊號DATA的電壓基礎上加上了所述電壓差（即，臨界電壓）的電壓，可以供應給第一電晶體TR1的閘極端子。即，資料訊號DATA可以與第一電晶體TR1的臨界電壓相應地獲得補償，經補償的資料訊號DATA可以供應給第一電晶體TR1的閘極端子。隨著執行所述臨界電壓補償，可以解決因第一電晶體TR1的臨界電壓偏差而發生的驅動電流不均一問題。
提供初始化電壓VINT的初始化電壓配線的輸入端，可以與第四電晶體TR4的第一端子及第七電晶體TR7的第一端子連接，所述初始化電壓配線的輸出端可以與第四電晶體TR4的第二端子及儲存器電容器CST的第一端子連接。
第四電晶體TR4可以包括閘極端子、第一端子及第二端子。第四電晶體TR4的閘極端子可以接受供應閘極初始化訊號GI。第四電晶體TR4的第一端子可以接受供應初始化電壓VINT。第四電晶體TR4的第二端子可以連接於第一電晶體TR1的閘極端子。在示例性實施例中，第四電晶體TR4的第一端子可以為源極端子，第四電晶體TR4的第二端子可以為汲極端子。選擇性地，第四電晶體TR4的第一端子可以為汲極端子，第四電晶體TR4的第二端子可以為源極端子。
第四電晶體TR4可以在閘極初始化訊號GI的啟用區間期間，將初始化電壓VINT供應給第一電晶體TR1的閘極端子。此時，第四電晶體TR4可以在線性區域運轉。即，第四電晶體TR4可以在閘極初始化訊號GI的啟用區間期間，使第一電晶體TR1的閘極端子初始化為初始化電壓VINT。在示例性實施例中，初始化電壓VINT的電位可以具有比之前幅中借助於儲存電容器CST而保持的資料訊號DATA的電位充分低的電位，所述初始化電壓VINT可以供應給作為PMOS（P-channel Metal Oxide Semiconductor，p型金屬氧化物半導體）電晶體的第一電晶體TR1的閘極端子。在另一示例性實施例中，初始化電壓的電位可以具有比之前幅中借助於儲存電容器而保持的資料訊號的電位充分高的電位，所述初始化電壓可以供應給作為NMOS（N-channel Metal Oxide Semiconductor，N型金屬氧化物半導體）電晶體的第一電晶體的閘極端子。
在示例性實施例中，閘極初始化訊號GI可以是與一個水平時間前的閘極訊號GW實質上相同的訊號。例如，向有機發光顯示裝置100包括的多個子像素電路中第n（不過，n為2以上的整數）行的子像素電路供應的閘極初始化訊號GI，可以是與向所述子像素電路中（n-1）行子像素電路供應的閘極訊號GW實質上相同的訊號。即，向第一子像素電路SPC1中（n-1）行的第一子像素電路，供應被啟用的閘極訊號GW，藉以可以向第一子像素電路SPC1中n行的第一子像素電路供應被啟用的閘極初始化訊號GI。結果，在向子像素電路中（n-1）行的子像素電路供應資料訊號DATA的同時，可以使第一子像素電路SPC1中n行的子像素電路包括的第一電晶體TR1的閘極端子初始化成初始化電壓VINT。
第五電晶體TR5可以包括閘極端子、第一端子、第二端子。閘極端子可以接受供應發光控制訊號EM。第一端子可以連接於高電源電壓ELVDD配線。第二端子可以連接於第一電晶體TR1的第一端子。在示例性實施例中，第五電晶體TR5的第一端子可以為源極端子，第五電晶體TR5的第二端子可以為汲極端子。選擇性地，第五電晶體TR5的第一端子可以為汲極端子，第五電晶體TR5的第二端子可以為源極端子。
第五電晶體TR5可以在發光控制訊號EM的啟用區間期間，向第一電晶體TR1的第一端子供應高電源電壓ELVDD。與此相反，第五電晶體TR5可以在發光控制訊號EM的非啟用區間期間，切斷高電源電壓ELVDD的供應。此時，第五電晶體TR5可以在線性區域運轉。第五電晶體TR5在發光控制訊號EM的啟用區間期間，向第一電晶體TR1的第一端子供應高電源電壓ELVDD，藉以第一電晶體TR1可以生成驅動電流ID。另外，第五電晶體TR5在發光控制訊號EM的非啟用區間期間，切斷高電源電壓ELVDD的供應，藉以向第一電晶體TR1的第一端子供應的資料訊號DATA可以供應到第一電晶體TR1的閘極端子。
第六電晶體TR6（例如，與圖11的第二半導體元件255對應）可以包括閘極端子、第一端子、第二端子。閘極端子可以接受供應發光控制訊號EM。第一端子可以連接於第一電晶體TR1的第二端子。第二端子可以連接於第一有機發光二極體OLED1的第一端子。在示例性實施例中，第六電晶體TR6的第一端子可以為源極端子，第六電晶體TR6的第二端子可以為汲極端子。選擇性地，第六電晶體TR6的第一端子可以為汲極端子，第六電晶體TR6的第二端子可以為源極端子。
第六電晶體TR6可以在發光控制訊號EM的啟用區間期間，將第一電晶體TR1生成的驅動電流ID供應給第一有機發光二極體OLED1。此時，第六電晶體TR6可以在線性區域運轉。即，第六電晶體TR6在發光控制訊號EM的啟用區間期間，將第一電晶體TR1生成的驅動電流ID供應給第一有機發光二極體OLED1，藉以第一有機發光二極體OLED1可以輸出光。另外，第六電晶體TR6在發光控制訊號EM的非啟用區間期間，使第一電晶體TR1與第一有機發光二極體OLED1相互電性分離，藉以供應到第一電晶體TR1的第二端子的資料訊號DATA（準確而言，經臨界電壓補償的資料訊號）可以供應到第一電晶體TR1的閘極端子。
第七電晶體TR7可以包括閘極端子、第一端子、第二端子。閘極端子可以接受供應二極體初始化訊號GB。第一端子可以接受供應初始化電壓VINT。第二端子可以連接於第一有機發光二極體OLED1的第一端子。在示例性實施例中，第七電晶體TR7的第一端子可以為源極端子，第七電晶體TR7的第二端子可以為汲極端子。選擇性地，第七電晶體TR7的第一端子可以為汲極端子，第七電晶體TR7的第二端子可以為源極端子。
第七電晶體TR7可以在二極體初始化訊號GB的啟用區間期間，將初始化電壓VINT供應給第一有機發光二極體OLED1的第一端子。此時，第七電晶體TR7可以在線性區域運轉。即，第七電晶體TR7可以在二極體初始化訊號GB的啟用區間期間，使第一有機發光二極體OLED1的第一端子初始化成初始化電壓VINT。
選擇性地，閘極初始化訊號GI與二極體初始化訊號GB可以是實質上相同的訊號。使第一電晶體TR1的閘極端子初始化的運轉與使第一有機發光二極體OLED1的第一端子初始化的運轉可以互不影響。即，使第一電晶體TR1的閘極端子初始化的運轉與第一有機發光二極體OLED1的第一端子初始化的運轉可以相互獨立。因此，不另行生成二極體初始化訊號GB，藉以可以提高步驟的經濟性。
儲存電容器CST可以包括第一端子及第二端子。儲存電容器CST可以連接於高電源電壓ELVDD配線與第一電晶體TR1的閘極端子之間。例如，儲存電容器CST的第一端子可以連接於第一電晶體TR1的閘極端子，儲存電容器CST的第二端子可以連接於高電源電壓ELVDD配線。儲存電容器CST可以在掃描訊號GW的非啟用區間期間，保持第一電晶體TR1的閘極端子的電位。掃描訊號GW的非啟用區間可以包括發光控制訊號EM的啟用區間，在發光控制訊號EM的啟用區間期間，第一電晶體TR1生成的驅動電流ID可以供應給第一有機發光二極體OLED1。因此，基於儲存電容器CST所保持的電位，第一電晶體TR1生成的驅動電流ID可以供應給第一有機發光二極體OLED1。
不過，雖然說明了本發明的第一子像素電路SPC1包括7個電晶體及一個儲存電容器的情形，但並非本發明的構成限定於此。例如，第一子像素電路SPC1也可以具有包括至少一個電晶體及至少一個儲存電容器的構成。
圖6是放大圖示圖3的第二顯示區域的一部分的部分放大俯視圖，圖7是顯示圖3的第二顯示區域的一個示例的部分放大俯視圖，圖8是顯示在圖6的第二顯示區域配置的第二子像素電路及第二有機發光二極體的電路圖。圖8所示的第二子像素電路SPC2及第二有機發光二極體OLED2可以具有與參照圖5說明的第一子像素電路SPC1及第一有機發光二極體OLED1實質上相同或類似的構成。在圖8中，針對與參照圖5說明的構成要素實質上相同或類似的構成要素，省略重複的說明。
如果參照圖3、6及8，顯示面板200可以還包括第二子像素電路（Second sub-pixel circuit：SPC2）及第二有機發光二極體（Second organic light emitting diode：OLED2）。另外，顯示面板200可以具有第二顯示區域20，第二顯示區域20可以包括多個第二子像素區域12及多個第一穿透區域21。例如，第二子像素區域12可以在第二顯示區域20內沿第一方向D1排列，第一穿透區域21可以在與第二子像素區域12排列的行不同的行，沿第一方向D1排列。即，第二子像素區域12及第一穿透區域21可以在第二顯示區域20內全體地排列。在示例性實施例中，當與在圖4的第一顯示區域10配置的第一子像素區域11比較時，在第二顯示區域20，可以包括因第一穿透區域21而每單位面積相對較少個數的子像素區域。換句話說，第二顯示區域20的第二解析度可以低於第一顯示區域10的第一解析度。
第二子像素電路SPC2可以分別與第二子像素區域12重疊配置，在第二子像素電路SPC2（例如，與圖12的第三半導體元件550及第四半導體元件555對應）上配置有第二有機發光二極體OLED2（例如，與圖12的第二子像素結構物600對應）。藉由第二子像素電路SPC2及第二有機發光二極體OLED2，可以在第二子像素區域12顯示影像。
選擇性地，第二子像素電路SPC2也可以與第二子像素區域12的一部分及不同於所述第二子像素區域12的第二子像素區域12的一部分（例如，與第二子像素區域12鄰接配置的第二子像素區域12的一部分）重疊配置。另外，第二有機發光二極體OLED2也可以利用相同大小的矩形依次排列的RGB條紋方式、包括具有相對較寬面積的藍色有機發光二極體的S-條紋方式、還包括白色有機發光二極體的WRGB方式、以RG-GB反復形態羅列的PenTile方式等進行排列。
另外，藉由第一穿透區域21，在顯示面板200的第二面S2上配置的第一光學模組410，可以拍攝位於顯示面板200的第一面S1上的事物的影像。換句話說，第一穿透區域21可以實質上透明。
在另一示例性實施例中，如圖7所示，第二顯示區域20也可以包括具有相對較寬面積的第一穿透區域31。換句話說，在第二顯示區域20，可以包括因具有相對較寬面積的第一穿透區域31而每單位面積相對較少個數的子像素區域。此時，即使第二顯示區域20的解析度相對降低，由於具有相對較寬面積的第一穿透區域31，第一光學模組410也可以相對容易地識別位於顯示面板200的第一面S1上的事物的影像。
不過，雖然說明了本發明的第二顯示區域20、第二子像素區域12及第一穿透區域21各個的形狀具有四邊形平面形狀的情形，但並非所述形狀限定於此。例如，第二顯示區域20、第二子像素區域12及第一穿透區域21各個的形狀，也可以具有三角形的平面形狀、菱形的平面形狀、多邊形的平面形狀、圓形的平面形狀、跑道形的平面形狀或橢圓形的平面形狀。
如圖8所示，第二子像素電路SPC2可以包括第一至第七電晶體TR1、TR2、TR3、TR4、TR5、TR6、TR7及儲存電容器CST、高電源電壓ELVDD配線、低電源電壓ELVSS配線、初始化電壓VINT配線、資料訊號DATA配線、閘極訊號GW配線、閘極初始化訊號GI配線、發光控制訊號EM配線、二極體初始化訊號GB配線等。另外，第二子像素電路SPC2與第二有機發光二極體OLED2可以電性連接。其中，第二子像素電路SPC2的第一電晶體TR1可以與圖12的第三半導體元件550相應，第二子像素電路SPC2的第六電晶體TR6可以與圖12的第四半導體元件555相應。另外，第二有機發光二極體OLED2可以與圖12的第二子像素結構物600對應，第二有機發光二極體OLED2的陽極端子可以與圖12的第二下部電極690對應，第二有機發光二極體OLED2的陰極端子可以與圖12的第二上部電極640對應。
在示例性實施例中，第二子像素電路SPC2可以不配置於第一穿透區域21。換句話說，第二子像素電路SPC2可以使第一穿透區域21露出。
另外，第一顯示區域10中的第一子像素電路SPC1及第一有機發光二極體OLED1的構成與第二顯示區域20中的第二子像素電路SPC2及第二有機發光二極體OLED2的構成可以實質上相同。換句話說，第一子像素區域11中的第一子像素電路SPC1包括的電晶體個數，可以與第二子像素區域12中的第二子像素電路SPC2包括的電晶體個數相同。
圖9是放大圖示圖3的第三顯示區域的一部分的部分放大俯視圖，圖10是顯示在圖9的第三顯示區域配置的第三子像素電路及第三有機發光二極體的電路圖。圖10所示的第三子像素電路SPC3及第三有機發光二極體OLED3可以具有與參照圖5說明的第一子像素電路SPC1及第一有機發光二極體OLED1實質上相同或類似的構成。在圖10中，針對與參照圖5說明的構成要素實質上相同或類似的構成要素，省略重複的說明。
如果參照圖3、圖9及圖10，顯示面板200可以還包括第三子像素電路（Third sub-pixel circuit：SPC3）及第三有機發光二極體（Third organic light emitting diode：OLED2）。另外，顯示面板200可以具有第三顯示區域30，第三顯示區域30可以包括多個第三子像素區域13及多個第二穿透區域22。例如，第三子像素區域13可以在第三顯示區域30內沿第一方向D1排列，第二穿透區域22可以在與第三子像素區域13排列的行不同的行，沿第一方向D1排列。即，第三子像素區域13及第二穿透區域22可以在第三顯示區域30內全體地排列。在示例性實施例中，當與在圖4的第一顯示區域10配置的第一子像素區域11比較時，在第三顯示區域30，可以包括因第二穿透區域22而每單位面積相對較少個數的子像素區域。換句話說，第三顯示區域30的第二解析度可以低於第一顯示區域10的第一解析度。
第三子像素電路SPC3可以分別與第三子像素區域13重疊配置，在第三子像素電路SPC3（例如，與圖13的第五半導體元件850及第六半導體元件855對應）上配置有第三有機發光二極體OLED3（例如，與圖13的第三子像素結構物900對應）。藉由第三子像素電路SPC3及第三有機發光二極體OLED3，可以在第三子像素區域13顯示影像。
選擇性地，第三子像素電路SPC3也可以與第三子像素區域13的一部分及不同於所述第三子像素區域13的第三子像素區域13的一部分（例如，與第三子像素區域13鄰接配置的第三子像素區域13的一部分）重疊配置。另外，第三有機發光二極體OLED3也可以利用相同大小的矩形依次排列的RGB條紋方式、包括具有相對較寬面積的藍色有機發光二極體的S-條紋方式、還包括白色有機發光二極體的WRGB方式、以RG-GB反復形態羅列的PenTile方式等進行排列。
另外，藉由第二穿透區域22，在顯示面板200的第二面S2上的第三顯示區域30配置的第二光學模組420，可以感知位於顯示面板200的第一面S1上的周邊情況或拍攝事物的影像。換句話說，第一穿透區域21可以實質上透明。
不過，雖然說明了本發明的第三顯示區域30、第三子像素區域13及第二穿透區域22各個的形狀具有四邊形的平面形狀的情形，但並非所述形狀限定地此。例如，第三顯示區域30、第三子像素區域13及第二穿透區域22各個的形狀也可以具有三角形的平面形狀、菱形的平面形狀、多邊形的平面形狀、圓形的平面形狀、跑道形的平面形狀或橢圓形的平面形狀。
如圖10所示，第三子像素電路SPC3可以包括第一至第七電晶體TR1、TR2、TR3、TR4、TR5、TR6、TR7及儲存電容器CST、高電源電壓ELVDD配線、低電源電壓ELVSS配線、初始化電壓VINT配線、資料訊號DATA配線、閘極訊號GW配線、閘極初始化訊號GI配線、發光控制訊號EM配線、二極體初始化訊號GB配線等。另外，第三子像素電路SPC3與第三有機發光二極體OLED3可以電性連接。其中，第三子像素電路SPC3的第一電晶體TR1可以與圖13的第五半導體元件850相應，第三子像素電路SPC3的第六電晶體TR6可以與圖13的第六半導體元件855相應。另外，第三有機發光二極體OLED3可以與圖13的第三子像素結構物900對應，第三有機發光二極體OLED3的陽極端子可以與圖13的第三下部電極890對應，第三有機發光二極體OLED3的陰極端子可以與圖13的第三上部電極940對應。
在示例性實施例中，第三子像素電路SPC3可以不配置於第二穿透區域22。換句話說，第三子像素電路SPC3可以使第二穿透區域22露出。
另外，第一顯示區域10中的第一子像素電路SPC1及第一有機發光二極體OLED1的構成與第三顯示區域30中的第三子像素電路SPC3及第三有機發光二極體OLED3的構成可以實質上相同。換句話說，第一子像素區域11中第一子像素電路SPC1包括的電晶體個數，可以與第三子像素區域13中第三子像素電路SPC3包括的電晶體個數相同。
圖11是沿圖4的有機發光顯示裝置的I-I'線截斷的剖面圖，圖12是沿圖6的有機發光顯示裝置的II-II'線截斷的剖面圖，圖13是沿圖9的有機發光顯示裝置的III-III'線截斷的剖面圖。
如果參照圖11、圖12及圖13，有機發光顯示裝置100可以包括顯示面板200、第一光學模組410及第二光學模組420等。其中，顯示面板200可以包括基板110、第一半導體元件250、第二半導體元件255、第三半導體元件550、第四半導體元件555、第五半導體元件850、第六半導體元件855、絕緣層結構物260、平坦化層270、像素定義膜310、第一子像素結構物300、第二子像素結構物600、第三子像素結構物900、封蓋層345、封裝基板450等。
另外，第一半導體元件250可以包括第一主動層130、第一閘極電極170、第一源極電極210及第一汲極電極230，第二半導體元件255可以包括第二主動層135、第二閘極電極175、第二源極電極215及第二汲極電極235。第三半導體元件550可以包括第三主動層430、第三閘極電極470、第三源極電極510及第三汲極電極530，第四半導體元件555可以包括第四主動層435、第四閘極電極475、第四源極電極515及第四汲極電極535。第五半導體元件850可以包括第五主動層730、第五閘極電極770、第五源極電極810及第五汲極電極830，第六半導體元件855可以包括第六主動層735、第六閘極電極775、第六源極電極815及第六汲極電極835。絕緣層結構物260可以包括閘極絕緣層150及層間絕緣層190。
進一步地，第一子像素結構物300可以包括第一下部電極290、第一發光層330及第一上部電極340，第二子像素結構物600可以包括第二下部電極690、第二發光層630及第二上部電極640，第三子像素結構物900可以包括第三下部電極890、第三發光層930及第三上部電極940。顯示面板200具有包括第一子像素區域11的第一顯示區域10、包括第二子像素區域12 及第一穿透區域21的第二顯示區域20以及包括第三子像素區域13及第二穿透區域22的第三顯示區域30，因而基板110也可以分為包括第一子像素區域11的第一顯示區域10、包括第二子像素區域12及第一穿透區域21的第二顯示區域20以及第三子像素區域13及第二穿透區域22。
可以提供包含透明或不透明材料的基板110。基板110可以包括石英（quartz）基板、合成石英（synthetic quartz）基板、氟化鈣（calcium fluoride）基板、氟摻雜石英（F-doped quartz）基板、鈉鈣（soda-lime）玻璃基板、無堿（non-alkali）玻璃基板等。
選擇性地，基板110也可以由具有可撓性的透明樹脂基板構成。作為可用作基板110的透明樹脂基板的示例，可以為聚醯亞胺基板。此時，所述聚醯亞胺基板可以由第一聚醯亞胺層、阻擋膜層、第二聚醯亞胺層等構成。例如，所述聚醯亞胺基板可以具有在硬質玻璃基板上依次層疊第一聚醯亞胺層、阻擋膜層及第二聚醯亞胺層的構成。在有機發光顯示裝置100的製造方法中，可以在所述聚醯亞胺基板的第二聚醯亞胺層上配置絕緣層（例如，緩衝層115）後，在所述絕緣層上配置上部結構物（例如，第一至第六半導體元件250、255、550、555、850、855、第一至第三子像素結構物300、600、900等）。在這種上部結構物形成後，所述硬質的玻璃基板可以去除。即，所述聚醯亞胺基板由於薄且柔軟，因而會難以在所述聚醯亞胺基板上直接形成所述上部結構物。考慮到這點，利用所述硬質的玻璃基板形成上部結構物後，去除所述玻璃基板，藉以所述聚醯亞胺基板可以用作基板110。
在基板110上可以配置有緩衝層（圖上未示出）。所述緩衝層可以在基板110上全體地配置。所述緩衝層可以防止金屬原子或雜質從基板110擴散到所述上部結構物的現象。另外，所述緩衝層在基板110表面不均一的情況下，可以執行提高基板110表面平坦度的作用。根據基板110的類型，可以在基板110上提供兩個以上的緩衝層，或可以不配置緩衝層。例如，所述緩衝層可以包括有機物質或無機物質。
第一主動層130、第二主動層135、第三主動層430、第四主動層435、第五主動層730及第六主動層735可以配置於基板110上。例如，第一主動層130及第二主動層135可以在基板110上的第一顯示區域10中相互隔開配置，第三主動層430及第四主動層435可以在基板110上的除第一穿透區域21的第二顯示區域20相互隔開配置。第五半導體元件850及第六半導體元件855可以在基板110上的除第二穿透區域22的第三顯示區域30相互隔開配置。第一至第六主動圖案130、135、430、435、730、735可以分別包括氧化物半導體、無機物半導體（例如，非晶矽（amorphous silicon）、多晶矽（poly silicon））或有機物半導體等。
在第一至第六主動圖案130、135、430、435、730、735及基板110上可以配置閘極絕緣層150。在示例性實施例中，閘極絕緣層150可以不配置於第一穿透區域21及第二穿透區域22。換句話說，閘極絕緣層150可以具有使位於第一穿透區域21及第二穿透區域22的基板110的上面露出的開口。例如，閘極絕緣層150可以在基板110上充分覆蓋第一至第六主動圖案130、135、430、435、730、735，可以在第一至第六主動圖案130、135、430、435、730、735周圍不生成錯層而具有實質上平坦的上面。選擇性地，閘極絕緣層150可以在基板110上，覆蓋第一至第六主動圖案130、135、430、435、730、735，以均一厚度，沿第一至第六主動圖案130、135、430、435、730、735的輪廓配置。閘極絕緣層150可以包括矽化合物、金屬氧化物等。例如，閘極絕緣層150可以包括矽氧化物（SiOx）、矽氮化物（SiNx）、矽氮氧化物（SiOxNy）、矽碳氧化物（SiOxCy）、矽碳氮化物（SiCxNy）、鋁氧化物（AlOx）、鋁氮化物（AlNx）、鉭氧化物（TaOx）、鉿氧化物（HfOx）、鋯氧化物（ZrOx）、鈦氧化物（TiOx）等。
第一閘極電極170、第二閘極電極175、第三閘極電極470、第四閘極電極475、第五閘極電極770及第六閘極電極775可以在閘極絕緣層150上相互隔開配置。例如，第一閘極電極170可以配置於閘極絕緣層150中在下部配置有第一主動層130的部分上，第二閘極電極175可以配置於閘極絕緣層150中第二主動層135所在的部分上，第三閘極電極470可以配置於閘極絕緣層150中在下部配置有第三主動層430的部分上，第四閘極電極475可以配置於閘極絕緣層150中第四主動層435所在的部分上，第五閘極電極770可以配置於閘極絕緣層150中在下部配置有第五主動層730的部分上，第六閘極電極775可以配置於閘極絕緣層150中的第六主動層735所在的部分上。
第一至第六閘極電極170、175、470、475、770、775分別可以包括金屬、合金、金屬氮化物、導電性金屬氧化物、透明導電性物質等。例如，第一至第六閘極電極170、175、470、475、770、775分別可以包括金（Au）、銀（Ag）、鋁（Al）、鎢（W）、鉑（Pt）、鎳（Ni）、鈦（Ti）、鈀（Pd）、鎂（Mg）、鈣（Ca）、鋰（Li）、鉻（Cr）、鉭（Ta）、鉬（Mo）、鈧（Sc）、釹（Nd）、銥（Ir）、含有鋁的合金、鋁氮化物（AlNx）、含有銀的合金、鎢氮化物（WNx）、含有銅的合金、含有鉬的合金、鈦氮化物（TiNx）、鉭氮化物（TaNx）、鍶釕氧化物（SrRuxOy）、鋅氧化物（ZnOx）、銦錫氧化物（ITO）、錫氧化物（SnOx）、銦氧化物（InOx）、鎵氧化物（GaOx）、銦鋅氧化物（IZO）等。他們可以單獨或相互組合使用。選擇性地，第一至第六閘極電極170、175、470、475、770、775可以分別包括具有多個層的多層結構。
在第一至第六閘極電極170、175、470、475、770、775及閘極絕緣層150上可以配置有層間絕緣層190。在示例性實施例中，層間絕緣層190可以不配置於第一穿透區域21及第二穿透區域22。換句話說，層間絕緣層190可以具有使位於第一穿透區域21及第二穿透區域22的基板110的上面露出的開口。層間絕緣層190的所述開口可以與閘極絕緣層150的所述開口重疊。
例如，層間絕緣層190可以在閘極絕緣層150上充分覆蓋第一至第六閘極電極170、175、470、475、770、775，可以在第一至第六閘極電極170、175、470、475、770、775的周圍不生成錯層而具有實質上平坦的上面。選擇性地，層間絕緣層190可以在閘極絕緣層150上覆蓋第一至第六閘極電極170、175、470、475、770、775，以均一厚度，沿第一至第六閘極電極170、175、470、475、770、775的輪廓配置。層間絕緣層190可以包括矽化合物、金屬氧化物等。因此，可以構成包括閘極絕緣層150及層間絕緣層190的絕緣層結構物260。
在層間絕緣層190上，可以配置有第一源極電極210、第一汲極電極230、第二源極電極215、第二汲極電極235、第三源極電極510、第三汲極電極530、第四源極電極515、第四汲極電極535、第五源極電極810、第五汲極電極830、第六源極電極815及第六汲極電極835。第一源極電極210可以藉由去除閘極絕緣層150及層間絕緣層190的第一部分而形成的接觸孔，連接於第一主動層130的源極區域，第一汲極電極230可以藉由去除閘極絕緣層150及層間絕緣層190的第二部分而形成的接觸孔，連接於第一主動層130的汲極區域。另外，第二源極電極215可以藉由去除閘極絕緣層150及層間絕緣層190的第三部分而形成的接觸孔，連接於第二主動層135的源極區域，第二汲極電極235可以藉由去除閘極絕緣層150及層間絕緣層190的第四部分而形成的接觸孔，連接於第二主動層135的汲極區域。
第三源極電極510可以藉由去除閘極絕緣層150及層間絕緣層190的第五部分而形成的接觸孔，連接於第三主動層430的源極區域，第三汲極電極530可以藉由去除閘極絕緣層150及層間絕緣層190的第六部分而形成的接觸孔，連接於第三主動層430的汲極區域。另外，第四源極電極515可以藉由去除閘極絕緣層150及層間絕緣層190的第七部分而形成的接觸孔，連接於第四主動層435的源極區域，第四汲極電極535可以藉由去除閘極絕緣層150及層間絕緣層190的第八部分而形成的接觸孔，連接於第四主動層435的汲極區域。
第五源極電極810可以藉由去除閘極絕緣層150及層間絕緣層190的第九部分而形成的接觸孔，連接於第五主動層730的源極區域，第五汲極電極830可以藉由去除閘極絕緣層150及層間絕緣層190的第十部分而形成的接觸孔，連接於第五主動層730的汲極區域。另外，第六源極電極815可以藉由去除閘極絕緣層150及層間絕緣層190的第十一部分而形成的接觸孔，連接於第六主動層735的源極區域，第六汲極電極835可以藉由去除閘極絕緣層150及層間絕緣層190的第十二部分而形成的接觸孔，連接於第六主動層735的汲極區域。
第一、第二、第三及第四源極電極210、215、510、515、810、815以及第一、第二、第三及第四汲極電極230、235、530、535、830、835各自可以包括金屬、合金、金屬氮化物、導電性金屬氧化物、透明導電性物質等。他們可以單獨或相互組合使用。選擇性地，第一、第二、第三及第四源極電極210、215、510、515、810、815以及第一、第二、第三及第四汲極電極230、235、530、535、830、835也可以分別具有包括多個層的多層結構。
因此，可以構成包括第一主動層130、第一閘極電極170、第一源極電極210及第一汲極電極230的第一半導體元件250，可以構成包括第二主動層135、第二閘極電極175、第二源極電極215及第二汲極電極235的第二半導體元件255。不過，在圖11中，只圖示了第一半導體元件250（與圖5的第一電晶體TR1相應）及第二半導體元件255（與圖5的第六電晶體TR6相應），但在圖4的第一子像素區域11的另一剖面圖中，也可以圖示圖5的第二至第五及第七電晶體TR2、TR3、TR4、TR5、TR7及儲存電容器CST。
另外，可以構成包括第三主動層430、第三閘極電極470、第三源極電極510及第三汲極電極530的第三半導體元件550，可以構成包括第四主動層435、第四閘極電極475、第四源極電極515及第四汲極電極535的第四半導體元件555。不過，在圖12中，只圖示了第三半導體元件550（與圖8的第一電晶體TR1相應）及第四半導體元件555（與圖8的第六電晶體TR6相應），但在圖6的第二子像素區域12的另一剖面圖中，也可以圖示圖8的第二至第五及第七電晶體TR2、TR3、TR4、TR5、TR7及儲存電容器CST。
進一步地，可以構成包括第五主動層730、第五閘極電極770、第五源極電極810及第五汲極電極830的第五半導體元件850，可以構成包括第六主動層735、第六閘極電極775、第六源極電極815及第六汲極電極835的第六半導體元件855。不過，在圖13中，只圖示了第五半導體元件850（與圖10的第一電晶體TR1的相應）及第六半導體元件855（與圖10的第六電晶體TR6相應），但在圖9的第三子像素區域13的另一剖面圖中，也可以圖示圖10的第二至第五及第七電晶體TR2、TR3、TR4、TR5、TR7及儲存電容器CST。
在示例性實施例中，說明了第一至第六半導體元件250、255、550、555、850、855分別具有上部閘極結構的情形，但並非本發明的構成限定於此。例如，第一至第六半導體元件250、255、550、555、850、855也可以分別具有下部閘極結構及/或雙閘極結構。
在層間絕緣層190及第一至第六半導體元件250、255、550、555、850、855上可以配置有平坦化層270，在平坦化層270，可以形成有使第二汲極電極235的一部分、第四汲極電極535的一部分及第六汲極電極835的一部分分別露出的接觸孔。在示例性實施例中，平坦化層270可以具有使位於第一穿透區域21及第二穿透區域22的基板110的上面露出的開口，平坦化層270的所述開口可以與閘極絕緣層150的所述開口及層間絕緣層190的所述開口重疊。
平坦化層270可以以相對較厚的厚度配置，以便充分覆蓋第一至第六半導體元件250、255、550、555、850、855，此時，平坦化層270可以具有實質上平坦的上面，為了實現這種平坦化層270的平坦的上面，可以針對平坦化層270添加平坦化步驟。平坦化層270可以包括有機物質或無機物質等。在示例性實施例中，平坦化層270可以包括有機物質。例如，平坦化層270可以包括光刻膠、聚丙烯酸類樹脂、聚醯亞胺類樹脂、聚醯胺類樹脂、矽氧烷類樹脂、丙烯酸類樹脂、環氧類樹脂等。
第一下部電極290、第二下部電極690及第三下部電極890可以配置於平坦化層270上。例如，第一下部電極290可以配置於平坦化層270上的第一子像素區域11，可以藉由平坦化層270的所述接觸孔而與第二汲極電極235直接接觸，第一下部電極290可以與第二半導體元件255電性連接。另外，第二下部電極690可以配置於平坦化層270上的第二子像素區域12，可以藉由平坦化層270的所述接觸孔而與第四汲極電極535直接接觸，第二下部電極690可以與第四半導體元件555電性連接。進一步地，第三下部電極890可以配置於平坦化層270上的第三子像素區域13，可以藉由平坦化層270的所述接觸孔而與第六汲極電極835直接接觸，第三下部電極890可以與第六半導體元件855電性連接。
第一、第二及第三下部電極290、690、890可以分別包括金屬、合金、金屬氮化物、導電性金屬氧化物、透明導電性物質等。他們可以單獨可相互組合使用。選擇性地，第一、第二及第三下部電極290、690、890也可以分別具有包括多個層的多層結構。
像素定義膜310可以配置於第一、第二及第三下部電極290、690、890各個的一部分及平坦化層270上。像素定義膜310可以覆蓋第一、第二及第三下部電極290、690、890各個的兩側部，可以具有使第一、第二及第三下部電極290、690、890各個上面的一部分露出的開口。
在示例性實施例中，像素定義膜310可以具有使位於第一穿透區域21及第二穿透區域22的基板110的上面露出的開口，像素定義膜310的所述開口可以與平坦化層270的所述開口、層間絕緣層190的所述開口及閘極絕緣層150的所述開口重疊。其中，位於第一穿透區域21的所述開口（例如，第一開口）可以定義為第一穿透窗385，位於第二穿透區域22的所述開口（例如，第二開口）可以定義為第二穿透窗395。在第一穿透區域21及第二穿透區域22中不配置絕緣層結構物260，因而第一穿透窗385及第二穿透窗395各個的穿透率可以相對地增加。像素定義膜310可以由有機物質或無機物質構成。在示例性實施例中，像素定義膜310可以包括有機物質。
第一發光層330可以配置於借助像素定義膜310而露出的第一下部電極290上，第二發光層630可以配置於借助像素定義膜310而露出的第二下部電極690上，第三發光層930可以配置於借助像素定義膜310而露出的第三下部電極890上。第一、第二及第三發光層330、630、930可以分別使用能夠根據子像素而釋放不同色光（即，紅色光、綠色光、藍色光等）的發光物質中至少一種形成。不同於此，第一、第二及第三發光層330、630、930可以分別層疊能夠發生紅色光、綠色光、藍色光等不同顏色光的多種發光物質，整體上釋放白色光。此時，也可以在發光層330上配置濾色片（例如，在封裝基板450上面，與第一、第二及第三發光層330、630、930分別重疊地配置）。所述濾色片可以包括紅色濾色片、綠色濾色片、藍色濾色片中至少一個。選擇性地，所述濾色片也可以包括黃色（Yellow）濾色片、藍綠（Cyan）色濾色片及洋紅（Magenta）色濾色片。所述濾色片可以包括感光性樹脂或彩色光刻膠。
第一上部電極340、第二上部電極640及第三上部電極940可以配置於像素定義膜310及第一、第二及第三發光層330、630、930上。在示例性實施例中，第二及第三上部電極640、940可以使位於第一穿透區域21及第二穿透區域22的基板110的上面露出。不過，在圖11、12及13中，雖然圖示了第一、第二及第三上部電極340、640、940相互分離的情形，但第一、第二及第三上部電極340、640、940可以相互電性連接，實質上可以由一層形成。例如，第一、第二及第三上部電極340、640、940可以在除第一穿透區域21及第二穿透區域22之外的第一顯示區域10、第二顯示區域20及第三顯示區域30中一體形成。選擇性地，第一、第二及第三上部電極340、640、940也可以在第一顯示區域10、第二顯示區域20及第三顯示區域30全體地形成。
第一、第二及第三上部電極340、640、940可以分別包括金屬、合金、金屬氮化物、導電性金屬氧化物、透明導電性物質等。他們可以單獨或相互組合使用。選擇性地，第一、第二及第三上部電極340、640、940也可以分別具有包括多個層的多層結構。因此，可以構成包括第一下部電極290、第一發光層330及第一上部電極340的第一子像素結構物300，包括第二下部電極690、第二發光層630及第二上部電極640的第二子像素結構物600，以及包括第三下部電極890、第三發光層930及第三上部電極940的第三子像素結構物900。
在第一、第二及第三上部電極340、640、940上可以配置有封蓋層345。在示例性實施例中，封蓋層345可以在基板110上全體地配置。另外，封蓋層345可以在第一顯示區域10配置成第一厚度T1，可以在第二顯示區域20及第三顯示區域30配置成小於第一厚度T1的第二厚度T2。例如，封蓋層345可以在第一穿透區域21及第二穿透區域22配置成相對較薄的厚度（例如，第二厚度T2），可以使第一穿透窗385及第二穿透窗395的穿透率相對減少得較小。選擇性地，封蓋層345也可以不配置於第一穿透區域21及第二穿透區域22。
封蓋層345可以保護第一、第二及第三子像素結構物300、600、900，可以包括有機物質或無機物質。例如，封蓋層345可以包括三胺（triamine）衍生物、亞芳基二胺（arylenediamine）衍生物、CBP（4,4'-雙（N-哢唑基）-1,1'-聯苯）、Alq3（三（8-羥基喹啉）鋁）等。
在封蓋層345上可以配置封裝基板450。封裝基板450可以包括實質上與基板110相同的材料。例如，封裝基板450可以包括石英基板、合成石英基板、氟化鈣基板、氟摻雜石英基板、鈉鈣玻璃基板、無堿玻璃基板等。在另一示例性實施例中，封裝基板450也可以包括透明無機物質或可撓性塑料。例如，封裝基板450可以包括具有可撓性的透明樹脂基板。此時，為了提高有機發光顯示裝置100的柔韌性，可以具有至少一個無機層及至少一個有機層交替層疊的結構，也可以不配置封蓋層345。所述層疊結構可以由第一無機層、有機層及第二無機層構成。例如，可以沿著上部電極340的輪廓，配置具有柔韌性的第一無機層，在所述第一無機層上可以配置有具有柔韌性的有機層，在所述有機層上可以配置有具有柔韌性的第二無機層。即，所述層疊結構可以同與所述上部電極340直接接觸的薄膜封裝結構物相應。因此，可以構成包括基板110、第一半導體元件250、第二半導體元件255、第三半導體元件550、第四半導體元件555、第五半導體元件850、第六半導體元件855、絕緣層結構物260、平坦化層270、像素定義膜310、第一子像素結構物300、第二子像素結構物600、第三子像素結構物900、封蓋層345、封裝基板450的顯示面板200。
第一光學模組410可以與基板110的底面（例如，顯示面板200的第二面S2）上的第二顯示區域20重疊配置。第一光學模組410可以藉由第一穿透區域21，拍攝位於顯示面板200的第一面S1上的事物的影像。在示例性實施例中，第一光學模組410可以包括照相機模組。
第二光學模組420可以與基板110的底面上的第三顯示區域30重疊配置。第一光學模組410可以藉由第二穿透區域22，感知顯示面板200的第一面S1上的周邊情況或感知事物的影像。在示例性實施例中，第二光學模組420可以包括臉部識別感測器模組、瞳孔識別感測器模組、加速度感測器模組、地磁感測器模組、接近感測器模組、紅外線感測器模組、照度感測器模組等。因此，可以構成包括顯示面板200、第一光學模組410及第二光學模組420的有機發光顯示裝置100。
本發明示例性實施例的有機發光顯示裝置100包括具有第一解析度的第一顯示區域10及具有低於所述第一解析度的第二解析度的第二及第三顯示區域20、30，藉以可以在第一光學模組410及第二光學模組420配置的部分也顯示影像。另外，有機發光顯示裝置100包括第一穿透窗385及第二穿透窗395，藉以第一光學模組410及第二光學模組420可以藉由第一穿透窗385及第二穿透窗395，感知位於顯示面板200的第一面S1的周邊情況或拍攝事物的影像。
圖14是顯示本發明示例性實施例的有機發光顯示裝置的俯視圖，圖15是放大圖示圖14的第二顯示區域的一部分的部分放大俯視圖，圖16是顯示在圖15的第二顯示區域配置的第二子像素電路及顯示第二有機發光二極體的電路圖，圖17是放大圖示圖14的第三顯示區域的一部分的部分放大俯視圖，圖18是顯示在圖15的第三顯示區域配置的第三子像素電路及第三有機發光二極體的電路圖。圖14至圖18例示的有機發光顯示裝置1000可以具有與參照圖1至圖13說明的有機發光顯示裝置100實質上相同或類似的構成。在圖14至圖18中，針對與參照圖1至13說明的構成要素實質上相同或類似的構成要素，省略重複的說明。
如果參照圖1、圖2及圖14，有機發光顯示裝置1000可以包括顯示面板200、第一光學模組410、第二光學模組420等。顯示面板200可以具有顯示影像的第一面S1及與第一面S1相反的第二面S2。第一光學模組410及第二光學模組420可以配置於顯示面板200的第二面S2上的一側，第一光學模組410與第二光學模組420可以相互鄰接配置。
第一顯示區域10可以包括多個第一子像素區域（例如，與圖4的第一子像素區域11對應），第二顯示區域20可以包括多個第二子像素區域及多個第一穿透區域（例如，與圖15的第二子像素區域12及第一穿透區域21對應），第三顯示區域30可以包括多個第三子像素區域及第二穿透區域（例如，與圖17的第三子像素區域13及第二穿透區域22對應）。在示例性實施例中，顯示面板200可以在第一顯示區域10和第二及第三顯示區域20、30，以互不相同的解析度顯示所述影像。例如，在第一顯示區域10，可以以第一解析度顯示影像，在第二及第三顯示區域20、30，可以以低於所述第一解析度的第二解析度顯示影像。換句話說，第一顯示區域10可以具有所述第一解析度，第二及第三顯示區域20、30可以分別具有所述第二解析度。
如果參照圖4及圖5，顯示面板200可以還包括第一子像素電路SPC1及第一有機發光二極體OLED1。另外，顯示面板200可以具有第一顯示區域10，第一顯示區域10可以包括多個第一子像素區域11。
第一子像素電路SPC1可以分別與第一子像素區域11重疊配置，在第一子像素電路SPC1上可以配置有第一有機發光二極體OLED1。可以藉由第一子像素電路SPC1及第一有機發光二極體OLED1，在第一子像素區域11顯示影像。
如圖5所示，第一子像素電路SPC1可以包括第一至第七電晶體TR1、TR2、TR3、TR4、TR5、TR6、TR7及儲存電容器CST、高電源電壓ELVDD配線、低電源電壓ELVSS配線、初始化電壓VINT配線、資料訊號DATA配線、閘極訊號GW配線、閘極初始化訊號GI配線、發光控制訊號EM配線、二極體初始化訊號GB配線等。另外，第一子像素電路SPC1與第一有機發光二極體OLED1可以電性連接。
如果參照圖15及圖16，顯示面板200可以還包括第二子像素電路SPC2及第二有機發光二極體OLED2。另外，顯示面板200可以具有第二顯示區域20，第二顯示區域20可以包括多個第二子像素區域12及多個第一穿透區域21。在示例性實施例中，當與在圖4的第一顯示區域10配置的第一子像素區域11比較時，在第二顯示區域20，可以包括因第一穿透區域21而每單位面積相對較少個數的子像素區域。換句話說，第二顯示區域20的第二解析度可以低於第一顯示區域10的第一解析度。
第二子像素電路SPC2可以分別與第二子像素區域12重疊配置，可以在第二子像素電路SPC2上配置有第二有機發光二極體OLED2。可以藉由第二子像素電路SPC2及第二有機發光二極體OLED2，在第二子像素區域12顯示影像。另外，藉由第一穿透區域21，在顯示面板200的第二面S2上配置的第一光學模組410可以拍攝位於顯示面板200的第一面S1上的事物的影像。換句話說，第一穿透區域21實質上可以透明。
如圖16所示，第二子像素電路SPC2可以包括第一及第二電晶體TR1、TR2及儲存電容器CST、高電源電壓ELVDD配線、低電源電壓ELVSS配線、資料訊號DATA配線、閘極訊號GW配線等。另外，第二子像素電路SPC2與第二有機發光二極體OLED2可以電性連接。
在示例性實施例中，第二子像素電路SPC2可以不配置於第一穿透區域21。換句話說，第二子像素電路SPC2可以使第一穿透區域21露出。
另外，第一顯示區域10中的第一子像素電路SPC1及第一有機發光二極體OLED1的構成與第二顯示區域20中的第二子像素電路SPC2及第二有機發光二極體OLED2的構成可以不同。換句話說，第一子像素區域11中的第一子像素電路SPC1包括的電晶體個數可以多於第二子像素區域12中的第二子像素電路SPC2包括的電晶體個數。
進一步地，當與圖6的第一穿透區域21比較時，圖16的第二子像素電路SPC2不包括第三、第四、第五、第六及第七電晶體TR3、TR4、TR5、TR6、TR7、初始化電壓VINT配線、閘極初始化訊號GI配線、發光控制訊號EM配線、二極體初始化訊號GB配線等，因而圖15的第一穿透區域21可以相對較寬地形成。此時，由於具有相對較寬面積的第一穿透區域21，第一光學模組410可以相對容易地拍攝位於顯示面板200的第一面S1上的事物的影像。
如果參照圖17及圖18，顯示面板200可以還包括第三子像素電路SPC3及第三有機發光二極體OLED3。另外，顯示面板200可以具有第三顯示區域30，第三顯示區域30可以包括多個第三子像素區域13及多個第二穿透區域22。在示例性實施例中，當與在圖4的第一顯示區域10配置的第一子像素區域11比較時，在第三顯示區域30，可以包括因第二穿透區域22而每單位面積相對較少個數的子像素區域。換句話說，第三顯示區域30的第二解析度可以低於第一顯示區域10的第一解析度。
第三子像素電路SPC3可以分別與第三子像素區域13重疊配置，可以在第三子像素電路SPC3上配置第三有機發光二極體OLED3。藉由第三子像素電路SPC3及第三有機發光二極體OLED3，可以在第三子像素區域13顯示影像。另外，藉由第二穿透區域22，在顯示面板200的第二面S2上配置的第二光學模組420可以感知顯示面板200的第一面S1上的周邊情況或拍攝事物的影像。換句話說，第一穿透區域21實質上可以透明。
如圖18所示，第三子像素電路SPC3可以包括第一及第二電晶體TR1、TR2及儲存電容器CST、高電源電壓ELVDD配線、低電源電壓ELVSS配線、資料訊號DATA配線、閘極訊號GW配線等。另外，第三子像素電路SPC3與第三有機發光二極體OLED3可以電性連接。
在示例性實施例中，第三子像素電路SPC3可以不配置於第二穿透區域22。換句話說，第三子像素電路SPC3可以使第二穿透區域22露出。
另外，第一顯示區域10中的第一子像素電路SPC1及第一有機發光二極體OLED1的構成與第三顯示區域30中的第三子像素電路SPC3及第三有機發光二極體OLED3的構成可以不同。換句話說，第一子像素區域11中的第一子像素電路SPC1包括的電晶體個數可以多於第三子像素區域13中的第三子像素電路SPC3包括的電晶體個數。另一方面，第二子像素電路SPC2及第二有機發光二極體OLED2的構成與第三子像素電路SPC3及第三有機發光二極體OLED3的構成可以相同，第二子像素區域12中的第二子像素電路SPC2包括的電晶體個數，可以與第三子像素區域13中的第三子像素電路SPC3包括的電晶體個數相同。
進一步地，當與圖9的第二穿透區域22比較時，圖17的第三子像素電路SPC3由於不包括第三、第四、第五、第六及第七電晶體TR3、TR4、TR5、TR6、TR7、初始化電壓VINT配線、閘極初始化訊號GI配線、發光控制訊號EM配線、二極體初始化訊號GB配線等，因而圖17的第二穿透區域22可以相對較寬地形成。此時，由於具有相對較寬面積的第二穿透區域22，第二光學模組420可以容易地感知顯示面板200的第一面S1上的周邊情況，或容易地拍攝事物的影像。
圖19是顯示本發明示例性實施例的有機發光顯示裝置的俯視圖，圖20是放大圖示圖19的第三顯示區域的一部分的部分放大俯視圖，圖21是顯示在圖20的第三顯示區域配置的第三子像素電路及第三有機發光二極體的電路圖。圖19至圖21所示的有機發光顯示裝置1100可以具有與參照圖14至圖18說明的有機發光顯示裝置1000實質上相同或類似的構成。在圖19至圖21中，針對與參照圖14至圖18說明的構成要素實質上相同或類似的構成要素，省略重複的說明。
如果參照圖4、圖5、圖15、圖16、圖19、圖20及圖21，有機發光顯示裝置1100可以包括顯示面板200、第一光學模組410、第二光學模組420等。其中，顯示面板200可以包括第一子像素電路SPC1、第一有機發光二極體OLED1、第二子像素電路SPC2、第二有機發光二極體OLED2、第三子像素電路SPC3、第三有機發光二極體OLED3等。
在示例性實施例中，顯示面板200可以在第一顯示區域10、第二顯示區域20及第三顯示區域30，以互不相同的解析度顯示影像。例如，在第一顯示區域10，可以以第一解析度顯示影像，在第二顯示區域20，可以以低於所述第一解析度的第二解析度顯示影像，在第三顯示區域30，可以以所述第一解析度與所述第二解析度之間第三解析度顯示影像。換句話說，第一顯示區域10可以具有所述第一解析度，第二顯示區域20可以具有所述第二解析度，第三顯示區域30可以具有所述第三解析度。
如圖4及圖5所示，第一子像素電路SPC1可以與第一顯示區域10的第一子像素區域11重疊配置，第一子像素電路SPC1可以包括第一至第七電晶體TR1、TR2、TR3、TR4、TR5、TR6、TR7及儲存電容器CST、高電源電壓ELVDD配線、低電源電壓ELVSS配線、初始化電壓VINT配線、資料訊號DATA配線、閘極訊號GW配線、閘極初始化訊號GI配線、發光控制訊號EM配線、二極體初始化訊號GB配線等。
如圖15及圖16所示，第二子像素電路SPC2可以與第二顯示區域20的第二子像素區域12重疊配置，第二子像素電路SPC2可以包括第一及第二電晶體TR1、TR2及儲存電容器CST、高電源電壓ELVDD配線、低電源電壓ELVSS配線、資料訊號DATA配線、閘極訊號GW配線等。
在示例性實施例中，在與圖4的第一顯示區域10配置的第一子像素區域11比較時，在第二顯示區域20，可以包括因第一穿透區域21而每單位面積相對較少個數的子像素區域。換句話說，第二顯示區域20的第二解析度可以低於第一顯示區域10的第一解析度。
在示例性實施例中，第二子像素電路SPC2可以不配置於第一穿透區域21。換句話說，第二子像素電路SPC2可以使第一穿透區域21露出。
另外，第一顯示區域10中的第一子像素電路SPC1及第一有機發光二極體OLED1的構成與第二顯示區域20中的第二子像素電路SPC2及第二有機發光二極體OLED2的構成可以不同。換句話說，第一子像素區域11中的第一子像素電路SPC1包括的電晶體個數，可以多於第二子像素區域12中的第二子像素電路SPC2包括的電晶體個數。
進一步地，當與圖6的第一穿透區域21比較時，圖16的第二子像素電路SPC2由於不包括第三、第四、第五、第六及第七電晶體TR3、TR4、TR5、TR6、TR7、初始化電壓VINT配線、閘極初始化訊號GI配線、發光控制訊號EM配線、二極體初始化訊號GB配線等，因而圖15的第一穿透區域21可以相對較寬地形成。此時，由於具有相對較寬面積的第一穿透區域21，第一光學模組410可以相對容易地拍攝位於顯示面板200的第一面S1上的事物的影像。
如圖20及圖21所示，第三子像素電路SPC3可以與第三顯示區域30的第三子像素區域13重疊配置，第三子像素電路SPC3可以包括第一至第六電晶體TR1、TR2、TR3、TR4、TR5、TR6及儲存電容器CST、高電源電壓ELVDD配線、低電源電壓ELVSS配線、初始化電壓VINT配線、資料訊號DATA配線、閘極訊號GW配線、閘極初始化訊號GI配線、發光控制訊號EM配線等。選擇性地，第三子像素電路SPC3包括的電晶體個數，也可以大於第二子像素電路SPC2包括的電晶體個數，小於第一子像素電路SPC1包括的電晶體個數。
在示例性實施例中，第三子像素電路SPC3可以不配置於第二穿透區域22。換句話說，第三子像素電路SPC3可以使第二穿透區域22露出。
另外，第一顯示區域10中的第一子像素電路SPC1及第一有機發光二極體OLED1的構成以及第二顯示區域20中的第二子像素電路SPC2及第二有機發光二極體OLED2的構成，與第三顯示區域30中的第三子像素電路SPC3及第三有機發光二極體OLED3的構成可以不同。換句話說，第三子像素區域13包括的電晶體個數可以小於第一子像素區域11中的第一子像素電路SPC1包括的電晶體個數，多於第二子像素區域12中的第二子像素電路SPC2包括的電晶體個數。
進一步地，當與圖15的第一穿透區域21比較時，圖20的第三子像素電路SPC3由於包括第三、第四、第五及第六電晶體TR3、TR4、TR5、TR6、初始化電壓VINT配線、閘極初始化訊號GI配線、發光控制訊號EM配線等，因而圖20的第二穿透區域22可以相對較小地形成。
換句話說，當與在圖15的第二顯示區域20配置的第二子像素區域12比較時，在第三顯示區域30，可以包括因具有相對較小面積的第二穿透區域22而每單位面積相對較多個數的子像素區域。即，第三顯示區域30的第三解析度可以低於第一顯示區域10的第一解析度，高於第二顯示區域20的第二解析度。
圖22是顯示本發明示例性實施例的有機發光顯示裝置的立體圖，圖23是顯示埋設於圖22的有機發光顯示裝置的光學模組的立體圖，圖24是用於說明在圖23的有機發光顯示裝置中形成的溝槽的立體圖。圖22至圖24所示的有機發光顯示裝置1200可以具有與參照圖1至圖13說明的有機發光顯示裝置100實質上相同或類似的構成。在圖22至圖24中，針對與參照圖1至圖13說明的構成要素實質上相同或類似的構成要素，省略重複的說明。
如果參照圖3、圖22、圖23及圖24，有機發光顯示裝置1200可以包括顯示面板200、第一光學模組410、第二光學模組420等。顯示面板200可以具有顯示影像的第一面S1及與第一面S1相反的第二面S2。顯示面板200可以包括第一顯示區域10、第二顯示區域20及第三顯示區域30。另外，可以在顯示面板200（或基板110）的第二面S2中與第二顯示區域20重疊的部分形成有第一溝槽910，可以在顯示面板200的第二面S2中與第三顯示區域30重疊的部分形成有第二溝槽920。因此，第一光學模組410可以埋設於第一溝槽910，第二光學模組420可以埋設於第二溝槽920。此時，顯示面板200與第一光學模組410及第二光學模組420可以製造成一體型。
圖25是顯示本發明示例性實施例的有機發光顯示裝置的俯視圖，圖26是放大圖示圖25的非顯示區域的放大俯視圖，圖27是沿圖26的II-II'線截斷的剖面圖。圖25至圖27所示的有機發光顯示裝置1300可以具有與參照圖1至圖13說明的有機發光顯示裝置100實質上相同或類似的構成。在圖25至圖27中，針對與參照圖1至圖13說明的構成要素實質上相同或類似的構成要素，省略重複的說明。
如果參照圖25、圖26及圖27，有機發光顯示裝置1300可以包括顯示面板200、第一光學模組410、第二光學模組420等。顯示面板200可以包括第一顯示區域10、第二顯示區域20及非顯示區域40。
第一顯示區域10可以包括多個第一子像素區域（例如，與圖4的第一子像素區域11對應），第二顯示區域20可以包括多個第二子像素區域及多個第一穿透區域（例如，與圖11的第三子像素區域13及第二穿透區域22對應），非顯示區域40可以包括第二穿透區域（例如，與圖26的第二穿透區域41對應）。在示例性實施例中，顯示面板200可以在第一顯示區域10和第二顯示區域20，以互不相同的解析度顯示影像。例如，在第一顯示區域10，可以以第一解析度顯示影像，在第二顯示區域20，可以以低於所述第一解析度的第二解析度顯示影像。換句話說，第一顯示區域10可以具有所述第一解析度，第二顯示區域20可以具有所述第二解析度。另外，非顯示區域40可以不顯示影像。換句話說，在非顯示區域40可以只顯示第二穿透窗395。
第一光學模組410可以與顯示面板200的第二面S2上的非顯示區域40重疊配置。第一光學模組410可以包括照相機模組，所述照相機模組可以拍攝位於顯示面板200的第一面S1上的事物的影像。
此時，由於具有相對較寬面積的第二穿透區域41，第一光學模組410可以相對容易地拍攝位於顯示面板200的第一面S1上的事物的影像。
如上所述，參照本發明示例性實施例進行了說明，但所屬技術領域具有通常知識者可以理解，在不超出本發明的申請專利範圍記載的本發明概念及所屬技術領域的範圍內，可以多樣地修訂及變更本發明。
工業實用性
本發明可以應用於可配備有機發光顯示裝置的多樣顯示設備。例如，本發明可以應用於諸如車輛用、船舶用及航空器用顯示裝置、攜帶用通訊裝置、展示用或訊息傳遞用顯示裝置、醫療用顯示裝置的眾多顯示設備。
10:第一顯示區域 11:第一子像素區域 12:第二子像素區域 13:第三子像素區域 20:第二顯示區域 21、31:第一穿透區域 22、41:第二穿透區域 30:第三顯示區域 40:非顯示區域 100、1000、1100、1200、1300:有機發光顯示裝置 110:基板 130:第一主動層 135:第二主動層 150:閘極絕緣層 170:第一閘極電極 175:第二閘極電極 190:層間絕緣層 200:顯示面板 210:第一源極電極 215:第二源極電極 230:第一汲極電極 235:第二汲極電極 250:第一半導體元件 255:第二半導體元件 260:絕緣層結構物 270:平坦化層 290:第一下部電極 300:第一子像素結構物 310:像素定義膜 330:第一發光層 340:第一上部電極 345:封蓋層 385:第一穿透窗 395:第二穿透窗 410:第一光學模組 420:第二光學模組 430:第三主動層 435:第四主動層 450:封裝基板 470:第三閘極電極 475:第四閘極電極 510:第三源極電極 515:第四源極電極 530:第三汲極電極 535:第四汲極電極 550:第三半導體元件 555:第四半導體元件 600:第二子像素結構物 630:第二發光層 640:第二上部電極 690:第二下部電極 730:第五主動層 735:第六主動層 770:第五閘極電極 775:第六閘極電極 810:第五源極電極 815:第六源極電極 830:第五汲極電極 835:第六汲極電極 850:第五半導體元件 855:第六半導體元件 890:第三下部電極 900:第三子像素結構物 910:第一溝槽 920:第二溝槽 930:第三發光層 940:第三上部電極 CST:儲存電容器 D1:第一方向 D2:第二方向 DATA:資料訊號 ELVDD:高電源電壓 ELVSS:低電源電壓 EM:發光控制訊號 GB:二極體初始化訊號 GI:閘極初始化訊號 GW:閘極訊號 ID:驅動電流 OLED1:第一有機發光二極體 OLED2:第二有機發光二極體 OLED3:第三有機發光二極體 S1:第一面 S2:第二面 T1:第一厚度 T2:第二厚度 TR1:第一電晶體 TR2:第二電晶體 TR3:第三電晶體 TR4:第四電晶體 TR5:第五電晶體 TR6:第六電晶體 TR7:第七電晶體 VINT:初始化電壓
圖1是顯示本發明示例性實施例的有機發光顯示裝置的立體圖。
圖2是顯示在圖1的有機發光顯示裝置的背面配置的光學模組的立體圖。
圖3是用於說明圖1的有機發光顯示裝置的第一顯示區域、第二顯示區域及第三顯示區域的俯視圖。
圖4是放大圖示圖3的第一顯示區域的一部分的部分放大俯視圖。
圖5是顯示在圖4的第一顯示區域配置的第一子像素電路及第一有機發光二極體的電路圖。
圖6是放大圖示圖3的第二顯示區域的一部分的部分放大俯視圖。
圖7是顯示圖3的第二顯示區域的一個示例的部分放大俯視圖。
圖8是顯示在圖6的第二顯示區域配置的第二子像素電路及第二有機發光二極體的電路圖。
圖9是放大圖示圖3的第三顯示區域的一部分的部分放大俯視圖。
圖10是顯示在圖9的第三顯示區域配置的第三子像素電路及第三有機發光二極體的電路圖。
圖11是沿圖4的I-I'線截斷的剖面圖。
圖12是沿圖6的II-II'線截斷的剖面圖。
圖13是沿圖9的III-III'線截斷的剖面圖。
圖14是顯示本發明示例性實施例的有機發光顯示裝置的俯視圖。
圖15是放大圖示圖14的第二顯示區域的一部分的部分放大俯視圖。
圖16是顯示在圖15的第二顯示區域配置的第二子像素電路及第二有機發光二極體的電路圖。
圖17是放大圖示圖14的第三顯示區域的一部分的部分放大俯視圖。
圖18是顯示在圖15的第三顯示區域配置的第三子像素電路及第三有機發光二極體的電路圖。
圖19是顯示本發明示例性實施例的有機發光顯示裝置的俯視圖。
圖20是放大圖示圖19的第三顯示區域的一部分的部分放大俯視圖。
圖21是顯示在圖20的第三顯示區域配置的第三子像素電路及第三有機發光二極體的電路圖。
圖22是顯示本發明示例性實施例的有機發光顯示裝置的立體圖。
圖23是顯示埋設於圖22的有機發光顯示裝置的光學模組的立體圖。
圖24是用於說明在圖23的有機發光顯示裝置中形成的溝槽的立體圖。
圖25是顯示本發明示例性實施例的有機發光顯示裝置的俯視圖。
圖26是放大圖示圖25的非顯示區域的放大俯視圖。
圖27是沿圖26的II-II'線截斷的剖面圖。
12:第二子像素區域
20:第二顯示區域
21:第一穿透區域
110:基板
150:閘極絕緣層
190:層間絕緣層
260:絕緣層結構物
270:平坦化層
310:像素定義膜
385:第一穿透窗
410:第一光學模組
430:第三主動層
435:第四主動層
450:封裝基板
470:第三閘極電極
475:第四閘極電極
510:第三源極電極
515:第四源極電極
530:第三汲極電極
535:第四汲極電極
550:第三半導體元件
555:第四半導體元件
600:第二子像素結構物
630:第二發光層
640:第二上部電極
690:第二下部電極
T2:第二厚度

Claims (38)

  1. 一種有機發光顯示裝置，其中包含： 一顯示面板，其包括一第一顯示區域及一第二顯示區域，利用一第一面顯示影像，該第一顯示區域包括一第一子像素區域，具有一第一解析度，該第二顯示區域包括一第二子像素區域及一第一穿透區域，具有低於該第一解析度的一第二解析度；以及 一第一光學模組，其同該顯示面板的與該第一面相反的一第二面上的該第二顯示區域重疊配置。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的有機發光顯示裝置，其中該顯示面板進一步包含： 一第一子像素電路，其配置於該第一顯示區域；以及 一第二子像素電路，其配置於該第二顯示區域，不同於該第一子像素電路。
  3. 如申請專利範圍第2項所述的有機發光顯示裝置，其中，構成該第一子像素電路的電晶體的個數，多於構成該第二子像素電路的電晶體的個數。
  4. 如申請專利範圍第2項所述的有機發光顯示裝置，其中該顯示面板進一步包含： 一第一子像素結構物，其配置於該第一子像素電路上的該第一子像素區域，與該第一子像素電路電性連接； 一第二子像素結構物，其配置於該第二子像素電路上的該第二子像素區域，與該第二子像素電路電性連接；以及 一第一穿透窗，其配置於與該第二子像素區域鄰接的該第一穿透區域。
  5. 如申請專利範圍第4項所述的有機發光顯示裝置，其中該第一光學模組包括照相機模組，該第一光學模組藉由該第一穿透窗，識別位於該顯示面板的該第一面上的事物。
  6. 如申請專利範圍第4項所述的有機發光顯示裝置，其中該第二子像素電路不配置於該第一穿透區域。
  7. 如申請專利範圍第2項所述的有機發光顯示裝置，其中該顯示面板進一步包含： 一第三顯示區域，其與該第二顯示區域鄰接配置，包括一第三子像素區域及一第二穿透區域，具有該第一解析度與該第二解析度之間的一第三解析度；以及 一第三子像素電路，其配置於該第三顯示區域，不同於該第一子像素電路及該第二子像素電路。
  8. 如申請專利範圍第7項所述的有機發光顯示裝置，其中，構成該第三子像素電路的電晶體的個數少於構成該第一子像素電路的電晶體的個數，多於構成該第二子像素電路的電晶體的個數。
  9. 如申請專利範圍第7項所述的有機發光顯示裝置，其進一步包含一第二光學模組，其與該顯示面板的該第二面上的該第三顯示區域重疊配置。
  10. 如申請專利範圍第9項所述的有機發光顯示裝置，其中該顯示面板進一步包含： 一第三子像素結構物，其配置於該第三子像素電路上的該第三子像素區域，與該第三子像素電路電性連接；以及 一第二穿透窗，其配置於與該第三子像素區域鄰接的該第二穿透區域。
  11. 如申請專利範圍第10項所述的有機發光顯示裝置，其中該第三子像素電路不配置於該第二穿透區域。
  12. 如申請專利範圍第10項所述的有機發光顯示裝置，其中該第二光學模組包括一臉部識別感測器模組、一瞳孔識別感測器模組、一加速度感測器模組、一接近感測器模組、一紅外線感測器模組、一照度感測器模組等。
  13. 如申請專利範圍第9項所述的有機發光顯示裝置，其中該第一光學模組的大小與該第二顯示區域的大小相同，該第二光學模組的大小與該第三顯示區域的大小相同。
  14. 如申請專利範圍第1項所述的有機發光顯示裝置，其中該第一顯示區域的面積大於該第二顯示區域的面積。
  15. 如申請專利範圍第1項所述的有機發光顯示裝置，其中該第二顯示區域位於該顯示面板的該第二面上的一側，該第一顯示區域環繞該第二顯示區域。
  16. 如申請專利範圍第1項所述的有機發光顯示裝置，其中該顯示面板進一步包含： 一第一子像素電路，其配置於該第一顯示區域；以及 一第二子像素電路，其配置於該第二顯示區域； 該第一子像素電路及該第二子像素電路具有相同的構成。
  17. 一種有機發光顯示裝置，其包含： 一基板，其具有一第一顯示區域及一第二顯示區域，該第一顯示區域包括一第一子像素區域，以一第一解析度顯示影像，該第二顯示區域包括一第二子像素區域及一第一穿透區域，以低於該第一解析度的一第二解析度顯示影像； 一第一子像素電路，其配置於該基板上的該第一顯示區域； 一第二子像素電路，其配置於該基板上的該第二顯示區域，使該第一穿透區域露出； 一子像素結構物，其配置於該基板上的該第一子像素區域及該第二子像素區域； 一顯示面板，其包括在該基板上的該第一穿透區域形成的一第一穿透窗，利用一第一面顯示影像；以及 一第一光學模組，其在該顯示面板的與該第一面相反的一第二面，與該第二顯示區域重疊配置。
  18. 如申請專利範圍第17項所述的有機發光顯示裝置，其中該基板包括在該第二面中與該第二顯示區域重疊的部分形成的一第一溝槽，在該第一溝槽中埋設有該第一光學模組。
  19. 如申請專利範圍第17項所述的有機發光顯示裝置，其進一步包含： 一絕緣層結構物，其配置於該基板上； 一平坦化層，其配置於該絕緣層結構物上；以及 一像素定義膜，其配置於該平坦化層上。
  20. 如申請專利範圍第19項所述的有機發光顯示裝置，其中，在該第一穿透區域中，該絕緣層結構物、該平坦化層及該像素定義膜包括使該基板露出的一第一開口，該第一開口定義為該第一穿透窗。
  21. 如申請專利範圍第19項所述的有機發光顯示裝置，其進一步包含配置於該像素定義膜上的一封蓋層，該封蓋層在該第一子像素區域及該第二子像素區域具有一第一厚度，在該第一穿透區域具有小於該第一厚度的一第二厚度。
  22. 如申請專利範圍第19項所述的有機發光顯示裝置，其中該基板進一步包含： 一第三顯示區域，其與該第二顯示區域鄰接配置，包括一第三子像素區域及一第二穿透區域，以該第二解析度顯示影像； 一第三子像素電路，其配置於該第三顯示區域，具有與該第二子像素電路相同的構成。
  23. 如申請專利範圍第22項所述的有機發光顯示裝置，其中，構成該第三子像素電路的電晶體的個數，與構成該第二子像素電路的電晶體的個數相同。
  24. 如申請專利範圍第22項所述的有機發光顯示裝置，其進一步包含一第二光學模組，其在該顯示面板的該第二面，與該第三顯示區域重疊配置。
  25. 如申請專利範圍第24項所述的有機發光顯示裝置，其中該基板包括在該第二面中與該第三顯示區域重疊的部分形成的一第二溝槽，在該第二溝槽中埋設有該第二光學模組。
  26. 如申請專利範圍第24項所述的有機發光顯示裝置，其中該基板進一步包含： 一第三子像素結構物，其配置於該第三子像素電路上的該第三子像素區域，與該第三子像素電路電性連接；以及 一第二穿透窗，其配置於與該第三子像素區域鄰接的該第二穿透區域。
  27. 如申請專利範圍第26項所述的有機發光顯示裝置，其中該第三子像素電路不配置於該第二穿透區域。
  28. 如申請專利範圍第26項所述的有機發光顯示裝置，其中，在該第二穿透區域中，該絕緣層結構物、該平坦化層及該像素定義膜包括使該基板露出的一第二開口，該第二開口定義為該第二穿透窗。
  29. 如申請專利範圍第28項所述的有機發光顯示裝置，其中該第一子像素電路的構成與該第二子像素電路及該第三子像素電路之每一個的構成相同，該第一穿透窗的大小與該第二穿透窗的大小相同。
  30. 如申請專利範圍第28項所述的有機發光顯示裝置，其中該第二子像素電路的構成不同於該第三子像素電路的構成，該第一穿透窗的大小與該第二穿透窗的大小不同。
  31. 如申請專利範圍第30項所述的有機發光顯示裝置，其中，構成該第三子像素電路的電晶體的個數，多於構成該第二子像素電路的電晶體的個數。
  32. 如申請專利範圍第31項所述的有機發光顯示裝置，其中該第二穿透窗的大小小於該第一穿透窗的大小。
  33. 如申請專利範圍第17項所述的有機發光顯示裝置，其中該第一子像素電路及該第二子像素電路分別包括至少一半導體元件及至少一電容器。
  34. 如申請專利範圍第17項所述的有機發光顯示裝置，其中該子像素結構物分別包括： 一下部電極，其配置於該第一子像素電路及該第二子像素電路上； 一發光層，其配置於該下部電極上；以及 一上部電極，其配置於該發光層上。
  35. 如申請專利範圍第34項所述的有機發光顯示裝置，其中該上部電極不配置於該第一穿透區域。
  36. 一種有機發光顯示裝置，其包含： 一顯示面板，其包括一第一顯示區域、一第二顯示區域及一非顯示區域，利用一第一面顯示影像，該第一顯示區域包括一第一子像素區域，具有一第一解析度，該第二顯示區域包括一第二子像素區域及一第一穿透區域，具有低於該第一解析度的一第二解析度，該非顯示區域包括一第二穿透區域，不顯示影像； 一第一光學模組，其同該顯示面板的與該第一面相反的一第二面上的該非顯示區域重疊配置；以及 一第二光學模組，其與該顯示面板的該第二面上的該第二子像素區域重疊配置。
  37. 如申請專利範圍第36項所述的有機發光顯示裝置，其中該第一光學模組包括一照相機模組，該第一光學模組藉由該第二穿透區域，識別位於該顯示面板的該第一面上的事物。
  38. 如申請專利範圍第36項所述的有機發光顯示裝置，其中該第二光學模組包括一臉部識別感測器模組、一瞳孔識別感測器模組、一加速度感測器模組、一接近感測器模組、一紅外線感測器模組、一照度感測器模組等。
TW108123450A 2018-09-28 2019-07-03 有機發光顯示裝置 TWI845522B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020180116624A KR20200037029A (ko) 2018-09-28 2018-09-28 유기 발광 표시 장치
KR10-2018-0116624 2018-09-28

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW202013343A true TW202013343A (zh) 2020-04-01
TWI845522B TWI845522B (zh) 2024-06-21

Family

ID=69952226

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW108123450A TWI845522B (zh) 2018-09-28 2019-07-03 有機發光顯示裝置

Country Status (7)

Country Link
US (1) US20210408182A1 (zh)
EP (1) EP3859786A4 (zh)
JP (1) JP7333390B2 (zh)
KR (1) KR20200037029A (zh)
CN (1) CN112805836A (zh)
TW (1) TWI845522B (zh)
WO (1) WO2020067611A1 (zh)

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110783487A (zh) * 2019-10-31 2020-02-11 Oppo广东移动通信有限公司 显示装置及电子设备
KR20210095771A (ko) * 2020-01-23 2021-08-03 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN111292617B (zh) * 2020-02-27 2021-06-29 昆山国显光电有限公司 一种显示面板及显示装置
KR20210150903A (ko) * 2020-06-04 2021-12-13 삼성전자주식회사 디스플레이를 포함하는 전자 장치
KR20220011841A (ko) * 2020-07-21 2022-02-03 삼성디스플레이 주식회사 표시장치
KR20220019160A (ko) 2020-08-06 2022-02-16 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널 및 이를 구비하는 표시 장치
KR20220021081A (ko) 2020-08-12 2022-02-22 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널 및 이를 구비하는 표시 장치
KR20220026002A (ko) 2020-08-24 2022-03-04 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널 및 이를 구비하는 표시 장치
KR20220046054A (ko) 2020-10-06 2022-04-14 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 패널 및 이를 구비하는 디스플레이 장치
KR20220047460A (ko) 2020-10-08 2022-04-18 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널 및 이를 구비하는 표시 장치
KR102682607B1 (ko) * 2020-10-19 2024-07-09 엘지디스플레이 주식회사 표시패널과 이를 이용한 표시장치
KR20220051683A (ko) 2020-10-19 2022-04-26 엘지디스플레이 주식회사 표시패널과 이를 이용한 표시장치
KR20220060022A (ko) 2020-11-02 2022-05-11 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이를 구비한 전자 기기
WO2022134038A1 (zh) * 2020-12-25 2022-06-30 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及显示装置
US20240155883A1 (en) * 2021-03-26 2024-05-09 Sharp Display Technology Corporation Display device
KR20230018023A (ko) 2021-07-29 2023-02-07 엘지디스플레이 주식회사 표시장치와 그 구동 방법
KR20230068546A (ko) 2021-11-11 2023-05-18 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010230797A (ja) * 2009-03-26 2010-10-14 Seiko Epson Corp 表示装置、および電子機器
KR20150064337A (ko) * 2013-12-03 2015-06-11 엘지디스플레이 주식회사 휘어진 디스플레이 장치
KR102465080B1 (ko) * 2015-08-24 2022-11-10 엘지디스플레이 주식회사 표시장치 및 표시패널
KR102418520B1 (ko) 2015-09-04 2022-07-08 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR102465379B1 (ko) * 2015-12-02 2022-11-10 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
KR102419624B1 (ko) 2016-01-21 2022-07-11 삼성전자 주식회사 전자 장치의 센서 배치 구조
KR102446875B1 (ko) * 2016-01-22 2022-09-26 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR102324830B1 (ko) * 2016-01-26 2021-11-12 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102534107B1 (ko) * 2016-03-24 2023-05-19 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20170111827A (ko) 2016-03-29 2017-10-12 삼성전자주식회사 디스플레이 및 카메라를 포함하는 전자 장치
KR102568924B1 (ko) * 2016-06-14 2023-08-22 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이를 포함하는 룸미러 모듈
KR20180083459A (ko) * 2017-01-12 2018-07-23 삼성디스플레이 주식회사 증착용 마스크 어셈블리
CN107194321B (zh) * 2017-04-27 2020-04-21 Oppo广东移动通信有限公司 显示屏、显示装置及移动终端
CN108269840B (zh) * 2017-09-30 2021-08-13 昆山国显光电有限公司 显示屏及显示装置
CN207264695U (zh) 2017-09-30 2018-04-20 云谷（固安）科技有限公司 终端及显示屏
CN108376696B (zh) * 2017-09-30 2020-08-25 云谷（固安）科技有限公司 终端及显示屏
CN108461521A (zh) * 2017-09-30 2018-08-28 昆山国显光电有限公司 显示屏及显示装置
CN108257514A (zh) * 2017-09-30 2018-07-06 昆山国显光电有限公司 显示屏、显示屏驱动方法及其显示装置
CN108520888B (zh) * 2018-04-02 2022-02-22 云谷（固安）科技有限公司 显示屏及其显示装置
CN109001934A (zh) * 2018-09-21 2018-12-14 北京小米移动软件有限公司 电子设备

Also Published As

Publication number Publication date
WO2020067611A1 (ko) 2020-04-02
EP3859786A4 (en) 2022-06-22
EP3859786A1 (en) 2021-08-04
CN112805836A (zh) 2021-05-14
JP7333390B2 (ja) 2023-08-24
JP2022502702A (ja) 2022-01-11
KR20200037029A (ko) 2020-04-08
TWI845522B (zh) 2024-06-21
US20210408182A1 (en) 2021-12-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW202013343A (zh) 有機發光顯示裝置
KR102662898B1 (ko) 유기 발광 표시 장치
KR20240099118A (ko) 유기 발광 표시 장치
JP5769227B2 (ja) 有機発光表示装置
US9887252B2 (en) Transparent display apparatus
KR102500161B1 (ko) 유기 발광 표시 장치
CN108470842A (zh) 显示装置及其制造方法
US11195898B2 (en) Organic light emitting diode display device
JP2011175962A (ja) 有機発光表示装置
KR102562837B1 (ko) 유기 발광 표시 장치
KR102607376B1 (ko) 유기 발광 표시 장치
KR20190126963A (ko) 유기 발광 표시 장치
US20210328002A1 (en) Display device
CN111326673B (zh) 显示装置
CN113013196B (zh) 显示面板和包括该显示面板的显示设备
KR102569723B1 (ko) 마이크로 캐비티 구조를 적용한 백색 유기전계발광 표시장치
CN113053950A (zh) 显示装置及其像素阵列基板
US11610960B2 (en) Organic light emitting diode display device
US20220415992A1 (en) Display device
KR102621005B1 (ko) 유기 발광 표시 장치
US11532689B2 (en) Organic light emitting diode display device and method of manufacturing the same
KR102606567B1 (ko) 유기 발광 표시 장치
US20230006175A1 (en) Display device
KR20200145929A (ko) 표시 장치