CN111146137B - 激光剥离方法及激光剥离装置 - Google Patents

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Abstract

一种激光剥离方法及激光剥离装置，该方法包括如下步骤：利用激光干涉，在待剥离试件的牺牲层上形成具有明暗相间条纹的激光干涉区域，通过激光干涉区域内的亮条纹将亮条纹对应的牺牲层分解；移动待剥离试件，将亮条纹照射至原牺牲层上暗条纹所在区域，以使整个激光干涉区域内的牺牲层分解。该方法能够快速实现功能层的快速大面积剥离，可靠性较高，极大提高激光剥离效率。

Description

激光剥离方法及激光剥离装置
技术领域
本发明涉及柔性电子制备领域，尤其是一种激光剥离方法及激光剥离装置。
背景技术
近年来，柔性电子技术快速发展，柔性电子器件具有轻薄，可弯曲变形等特点越来越受到人们的关注，使其在信息、能源、医疗等领域具有广泛的应用前景。然而，很多电子器件的制造过程需要高温环境，而柔性电子器件由于其衬底通常是聚合物高分子之类，耐热性一般，在很多情况下是无法使用传统电子器件的工艺进行制造，往往需要将电子器件通过牺牲层制作在刚性载体(如玻璃、蓝宝石等)上，再进行剥离并转移至柔性衬底上。
激光剥离技术相对于化学剥离、机械剥离和离子束等其他高能束剥离技术，具有能量利用效率高，器件损伤小，操作简单灵活，环境友好无污染等特点，逐渐成为制作柔性电子器件的关键技术之一。目前，激光剥离技术主要是利用点光源的逐点扫描或通过光学元器件将激光器的输出光束整形成线光源后的逐行扫描，使光线透过玻璃基板，入射至聚合物与玻璃的交界处，利用牺牲层材料对激光的高吸收，交界处的聚合物蒸发，从而实现玻璃与电子器件层的剥离。在大规模生产制造中，时间成本是尤为重要的，缩短生产周期可大幅降低成本，目前激光剥离的效率还有待进一步提高。
发明内容
有鉴于此，本发明提供了一种激光剥离方法及激光剥离装置，该方法能够快速实现功能层的快速大面积剥离，可靠性较高，极大提高激光剥离效率。
本发明提供了一种激光剥离方法，该方法包括如下步骤：
利用激光干涉在所述待剥离试件的牺牲层上形成具有明暗相间的条纹的激光干涉区域，通过所述激光干涉区域内的亮条纹将所述亮条纹对应的牺牲层分解；
移动所述待剥离试件使得所述激光干涉区域内的亮条纹照射至原所述牺牲层上的暗条纹处，以使整个所述激光干涉区域内的牺牲层分解。
进一步地，所述待剥离试件的移动距离不小于所述激光干涉区域内两个相邻亮条纹之间的间距。
进一步地，在进行激光干涉时，其包括如下步骤：
对激光进行扩束准直；
将扩束准直后的激光经过分光镜分为两束；
将经过分光镜后的两束激光各自经过一个反射镜后入射至所述牺牲层上，并发生干涉，在所述牺牲层上形成明暗相间的条纹。
进一步地，在进行激光干涉时，其包括如下步骤：
对激光进行扩束准直；
将扩束准直后的激光经过针孔滤波器；
将经过所述针孔滤波器后的一部分激光入射至劳埃镜干涉装置上，另一部分激光直接入射至所述牺牲层上，直接入射至所述牺牲层上的激光与经过所述劳埃镜干涉装置反射后的激光发生干涉，在所述牺牲层上形成明暗相间的条纹。
进一步地，在进行激光干涉时，其包括如下步骤：
对激光进行扩束准直；
将扩束准直后的激光通过相位光栅，经过所述相位光栅后的激光在所述牺牲层上发生干涉。
进一步地，在进行激光干涉时，其包括如下步骤：
提供多束激光，将多束激光在所述牺牲层上发生干涉。
7.根据权利要求3至6中任意一项所述的激光剥离方法，其特征在于：激光的波长小于400nm，所述激光的平均功率为10mW至10W。
进一步地，该方法还包括：
将所述待剥离试件划分为多个分解区域；
将所述激光干涉区域照射至一个所述分解区域上，通过移动所述待剥离试件使得该分解区域内的所述牺牲层完全分解；
移动所述待剥离试件，使得所述激光干涉区域照射至下一所述分解区域上，并对该分解区域内的牺牲层进行分解。
进一步地，激光在穿过所述待剥离试件的透光刚性层后，在所述透光刚性层与所述牺牲层的交界处产生干涉。
本发明还提供了一种激光剥离装置，该装置包括控制器、用于承载待剥离试件的可移动的支撑平台，以及用于产生激光干涉的激光干涉装置，所述控制器与所述支撑平台及所述激光干涉装置电性相连，所述控制器控制所述激光干涉装置产生激光，使所述激光发生干涉，并在所述待剥离试件的牺牲层上产生明暗相间的条纹，所述控制器控制所述支撑平台在激光干涉区域内移动，将所述激光干涉区域内的亮条纹照射至原所述牺牲层上的暗条纹处。
综上所述，在本发明中，通过利用激光干涉的方法，使激光的光线穿过透光刚性层，并在牺牲层上激光干涉区域内形成明暗相间的条纹。由于激光发生干涉后，在亮条纹处，光的强度较强，该区域的光可以将牺牲层分解，而在暗条纹处，光的强度较弱，该区域的牺牲层不会发生分解。也即，在最初阶段，牺牲层上会形成间隔设置的空槽，该空槽的位置与最初阶段整个激光干涉区域内的亮条纹的位置相对应。然后，如再通过移动支撑平台，使得激光发生干涉后的亮条纹照射至最初阶段中牺牲层与暗条纹相对应的位置，激光发生干涉后的亮条纹就可以继续把该位置的牺牲层分解。由于激光发生干涉后的亮条纹有多条，且与暗条纹间隔设置，因此，支撑平台仅需要移动两个相邻亮条纹之间的距离，即可把整个激光照射区域的牺牲层分解掉。相比于现有技术，不需要再进行逐点扫描或逐行扫描，移动距离较小，能够快速实现功能层的快速大面积剥离，可靠性较高，极大提高激光剥离效率。
上述说明仅是本发明技术方案的概述，为了能够更清楚了解本发明的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本发明的上述和其他目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举较佳实施例，并配合附图，详细说明如下。
附图说明
图1所示为本发明实施例提供的激光剥离方法的流程示意图。
图2a至图2c所示为本发明第一实施例提供的激光剥离方法的各步骤的结构示意图。
图3a至图3b所示为本发明第二实施例提供的激光剥离方法的各步骤的结构示意图。
图4所示为本发明第三实施例提供的激光剥离方法的结构示意图。
图5所示为本发明第四实施例提供的激光剥离方法的结构示意图。
图6所示为本发明提供的激光剥离装置的系统框图。
具体实施方式
为更进一步阐述本发明为达成预定发明目的所采取的技术手段及功效，以下结合附图及较佳实施例，详细说明如下。
本发明提供了一种激光剥离方法及激光剥离装置，该方法能够快速实现功能层11的快速大面积剥离，可靠性较高，极大提高激光剥离效率。
图1所示为本发明实施例提供的激光剥离方法的流程示意图，图2a至图2c所示为本发明第一实施例提供的激光剥离方法的各步骤的结构示意图。
在通过激光剥离方法对待剥离试件10进行剥离时，待剥离试件10包括依次设置的功能层11、牺牲层12及透光刚性层13。
如图1、图2a至图2c所示，本发明第一实施例提供的激光剥离方法包括如下步骤：
S1：利用激光干涉在待剥离试件10的牺牲层12上形成具有明暗相间的条纹的激光干涉区域，通过激光干涉区域内的亮条纹将亮条纹对应的牺牲层12分解；
S2：移动待剥离试件10使得激光干涉区域内的亮条纹照射至原牺牲层12上的暗条纹处，以使的整个激光干涉区域的牺牲层12分解。
在本实施例中，通过利用激光干涉的方法，使激光的光线穿过透光刚性层13，并在牺牲层12上激光干涉区域内形成明暗相间的条纹。由于激光发生干涉后，在亮条纹处，光的强度较强，该区域的光可以将牺牲层12分解，而在暗条纹处，光的强度较弱，该区域的牺牲层12不会发生分解。也即，如图2a所示，在最初阶段，牺牲层12上会形成间隔设置的空槽，该空槽的位置与最初阶段整个激光干涉区域内的亮条纹的位置相对应(图2中牺牲层12未填充图案的位置标示空槽)。然后，如图2b所示，再通过移动待剥离试件10，使得激光发生干涉后的亮条纹照射至最初阶段中牺牲层12与暗条纹相对应的位置，激光发生干涉后的亮条纹就可以继续把该位置的牺牲层12分解。由于激光发生干涉后的亮条纹有多条，且与暗条纹间隔设置，因此，待剥离试件10仅需要移动两个相邻亮条纹之间的距离，即可把整个激光照射区域的牺牲层12分解掉(如图2c所示)。相比于现有技术，不需要再进行逐点扫描或逐行扫描，移动距离较小，能够快速实现功能层11的快速大面积剥离，可靠性较高，极大提高激光剥离效率。
在本实施例中，透光刚性层13可以为玻璃、蓝宝石、石英等，而牺牲层12可以为非晶硅(α-Si:H)、氧化硅、光刻胶等。
为了能够更好地实现激光对牺牲层12的分解，激光的波长小于400nm，以保证牺牲层12材料对光能的较好吸收，同时，波长小于400nm时，激光产生的热效应较小，一定程度上降低对柔性材料的损伤。激光平均功率优选范围10mW～10W，当激光功率小于10mW时，激光能量过低，经干涉后，无法有效将牺牲层12分解，剥离不彻底；当激光功率大于10W时，激光能量易损伤柔性材料表面。试件移动速度优选范围0.1mm/s-1000mm/s，试件移动速度小于0.1mm/s时影响加工效率；试件移动速度大于1000mm/s时，激光与牺牲层作用时间太短，影响剥离质量。
为了能够更好地对牺牲层12进行分解，激光在穿过透光刚性层13后，在透光刚性层13及牺牲层12的交界处，即牺牲层12的上表面处发生干涉。
如图2a至图2b所示，在本实施例中，在进行激光干涉时，可以先对激光光源通过扩束准直镜21进行激光扩束准直，继而再通过分光镜22将激光分为两束，然后再各自经过一个反射镜23后入射至牺牲层12上，并发生干涉，在牺牲层12上形成明暗相间的条纹。
图3a至图3b所示为本发明第二实施例提供的激光剥离方法的各步骤的结构示意图。如图3a至图3b所示(图中省去了激光干涉的相关形成部件)，本发明第二实施例提供的激光剥离方法与第一实施例基本相同，其不同之处在于：为了便于更大面积的功能层11的制备，该方法还可以包括如下步骤：
将待剥离试件10划分为多个分解区域；
将激光干涉区域照射至一个分解区域上，通过移动待剥离试件10使得该分解区域内牺牲层12完全分解；
移动待剥离试件10，使得激光干涉区域照射至下一分解区域上，并对该分解区域内的牺牲层12进行分解。
通过将待剥离试件10划分为多个分解区域，该方法可以逐个对每一个分解区域内的牺牲层12进行分解，进一步地提高效率。
图4所示为本发明第三实施例提供的激光剥离方法的结构示意图，如图4所示，本发明第三实施例提供的激光剥离方法与第一实施例基本相同，其不同之处在于，在本实施例中，激光干涉的方法不同，该激光干涉的方法包括：先将激光通过扩束准直镜21进行扩束准直，继而将激光经过针孔滤波器24，然后一部分激光入射至劳埃镜干涉装置25上，另一部分激光直接入射至牺牲层12上，直接入射至牺牲层12上的激光与经过劳埃镜干涉装置25反射后的激光相互干涉，在牺牲层12上形成明暗相间的条纹，在亮条纹处，将牺牲层12进行分解。
图5所示为本发明第四实施例提供的激光剥离方法的结构示意图，如图5所示，本发明第四实施例提供的激光剥离方法与第一实施例基本相同，其不同之处在于，在本实施例中，该激光的干涉方法包括，对激光进行扩束准直(图5中省略了扩束准直镜)，然后将激光经过相位光栅26，通过相位光栅26使激光发生干涉，并在牺牲层12上形成明暗相间的条纹。
在上述实施例中，均是将单一的激光束通过扩束准直后，再形成激光干涉，可以理解地，在其它实施例中，可以提供多个激光束，使多个激光束发出的激光产生干涉，并在牺牲层12上形成明暗相间的条纹。
以下以具体实施例来对该激光剥离方法进行描述：
实施例1：
(1)提供相互贴合的透光刚性层13、牺牲层12和功能层11，透光刚性层13为玻璃，牺牲层12为非晶硅，并将其放置于可移动的支撑平台30上；
(2)将输出波长355nm的激光束通过扩束准直后，经由分束镜分成两束激光，再各自被反射镜23反射，两束相互干涉的激光束透过透光刚性层13辐照在透光刚性层13与牺牲层12交界处，产生干涉现象，形成许多明暗相间的干涉条纹，亮条纹处较强的光能量可使牺牲层12分解，激光输出功率设为10W；
(3)使用控制器40控制支撑平台30带动待剥离试件10移动，使多个干涉条纹同时对牺牲层12进行扫描辐照，仅需扫描两个相邻亮条纹之间的间距这一小段距离，便可将大面积牺牲层12分解，若需要剥离的面积超出干涉条纹的区域，则可通过重复步进的方式，将干涉区域整体移动至下一分解区域，再扫描一小段距离，如此重复，实现大面积可靠剥离，极大地提高激光剥离效率，为大尺寸柔性显示器的制造等领域打下基础。
实施例2：
(1)提供相互贴合的透光刚性层13、牺牲层12和功能层11，透光刚性层13为蓝宝石，牺牲层12为氧化硅，并将该待剥离试件10放置于可移动的支撑平台30上；
(2)将输出波长308nm的激光束通过扩束准直后，通过针孔滤波器24，再入射至劳埃镜干涉装置25上，直接入射至待剥离试件10的激光束与经劳埃镜反射后的激光束透过透光刚性层13辐照在透光刚性层13与牺牲层12交界处，产生干涉现象，形成许多明暗相间的干涉条纹，亮条纹处较强的光能量可使牺牲层12分解，激光输出功率设为10mW；
(3)使用控制器40控制支撑平台30带动待剥离试件10移动，使多个干涉条纹同时对牺牲层12进行扫描辐照，仅需扫描两个相邻亮条纹之间的间距这一小段距离，便可将大面积牺牲层12分解，若需要剥离的面积超出干涉条纹的区域，则可通过重复步进的方式，将干涉区域整体移动至下一分解区域，再扫描一小段距离，如此重复，实现大面积可靠剥离，极大地提高激光剥离效率，为大尺寸柔性显示器的制造等领域打下基础。
实施例3：
(1)提供相互贴合的透光刚性层13、牺牲层12和功能层11，透光刚性层13为石英，牺牲层12为光刻胶，并将该待剥离试件10放置于可移动的支撑平台30上；
(2)将输出波长266nm的激光束通过扩束准直后，通过相位光栅26，透过透光刚性层13辐照在透光刚性层13与牺牲层12交界处，产生干涉现象，形成许多明暗相间的干涉条纹，亮条纹处较强的光能量可使牺牲层12分解，激光输出功率设为1W；
(3)使用控制器40控制支撑平台30带动待剥离试件10移动，使多个干涉条纹同时对牺牲层12进行扫描辐照，仅需扫描两个相邻亮条纹之间的间距这一小段距离，便可将大面积牺牲层12分解，若需要剥离的面积超出干涉条纹的区域，则可通过重复步进的方式，将干涉区域整体移动至下一分解区域，再扫描一小段距离，如此重复，实现大面积可靠剥离，极大地提高激光剥离效率，为大尺寸柔性显示器的制造等领域打下基础。
本发明还提供了一种激光剥离装置，该激光剥离装置包括控制器40、用于承载待剥离试件10的可移动的支撑平台30及用于产生激光干涉的激光干涉装置20，控制器40与支撑平台30及激光干涉装置20电性相连，控制器40控制激光干涉装置20产生激光，使激光发生干涉，并在待剥离试件10的牺牲层12上形成明暗相间的条纹，控制器40控制支撑平台30在激光干涉区域内移动，使得激光干涉区域内的亮条纹照射至原牺牲层12上的暗条纹处，以对整个激光干涉区域内的牺牲层进行蚀刻。
进一步地，控制器40还可以将待剥离试件划分为多个分解区域，并控制激光干涉装置20将激光干涉区域照射至一个分解区域上，当该分解区域内的牺牲层12完全分解后，控制器40控制支撑平台30移动待剥离试件10，使得激光干涉区域照射至下一分解区域上，并对该分解区域内的牺牲层12进行分解。
以上所述，仅是本发明的较佳实施例而已，并非对本发明作任何形式上的限制，虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然而并非用以限定本发明，任何熟悉本专业的技术人员，在不脱离本发明技术方案范围内，当可利用上述揭示的技术内容作出些许更动或修饰为等同变化的等效实施例，但凡是未脱离本发明技术方案内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本发明技术方案的范围内。

Claims (10)

1.一种激光剥离方法，其特征在于：该方法包括如下步骤：
利用激光干涉在待剥离试件的牺牲层上形成具有明暗相间的条纹的激光干涉区域，通过所述激光干涉区域内的亮条纹将所述亮条纹对应的牺牲层分解；
移动所述待剥离试件使得所述激光干涉区域内的亮条纹照射至原所述牺牲层上的暗条纹处，以使整个所述激光干涉区域内的牺牲层分解。
2.根据权利要求1所述的激光剥离方法，其特征在于：所述待剥离试件的移动距离不小于所述激光干涉区域内两个相邻亮条纹之间的间距。
3.根据权利要求1所述的激光剥离方法，其特征在于：在进行激光干涉时，其包括如下步骤：
对激光进行扩束准直；
将扩束准直后的激光经过分光镜分为两束；
将经过分光镜后的两束激光各自经过一个反射镜后入射至所述牺牲层上，并发生干涉，在所述牺牲层上形成明暗相间的条纹。
4.根据权利要求1述的激光剥离方法，其特征在于：在进行激光干涉时，其包括如下步骤：
对激光进行扩束准直；
将扩束准直后的激光经过针孔滤波器；
将经过所述针孔滤波器后的一部分激光入射至劳埃镜干涉装置上，另一部分激光直接入射至所述牺牲层上，直接入射至所述牺牲层上的激光与经过所述劳埃镜干涉装置反射后的激光发生干涉，在所述牺牲层上形成明暗相间的条纹。
5.根据权利要求1所述的激光剥离方法，其特征在于：在进行激光干涉时，其包括如下步骤：
对激光进行扩束准直；
将扩束准直后的激光通过相位光栅，经过所述相位光栅后的激光在所述牺牲层上发生干涉。
6.根据权利要求1所述的激光剥离方法，其特征在于：在进行激光干涉时，其包括如下步骤：
提供多束激光，将多束激光在所述牺牲层上发生干涉。
7.根据权利要求3至6中任意一项所述的激光剥离方法，其特征在于：激光的波长小于400nm，所述激光的平均功率为10mW至10W。
8.根据权利要求1所述的激光剥离方法，其特征在于：该方法还包括：
将所述待剥离试件划分为多个分解区域；
将所述激光干涉区域照射至一个所述分解区域上，通过移动所述待剥离试件使得该分解区域内的所述牺牲层完全分解；
移动所述待剥离试件，使得所述激光干涉区域照射至下一所述分解区域上，并对该分解区域内的牺牲层进行分解。
9.根据权利要求1所述的激光剥离方法，其特征在于：激光在穿过所述待剥离试件的透光刚性层后，在所述透光刚性层与所述牺牲层的交界处产生干涉。
10.一种激光剥离装置，其特征在于：包括控制器、用于承载待剥离试件的可移动的支撑平台、以及用于产生激光干涉的激光干涉装置，所述控制器与所述支撑平台及所述激光干涉装置电性相连，所述控制器控制所述激光干涉装置产生激光，使所述激光发生干涉，并在所述待剥离试件的牺牲层上产生明暗相间的条纹，所述控制器控制所述支撑平台在激光干涉区域内移动，将所述激光干涉区域内的亮条纹照射至原所述牺牲层上的暗条纹处。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102023201553A1 (de) 2023-02-22 2024-08-22 3D-Micromac Ag Verfahren und System zur Herstellung mikroelektronischer Komponenten mit Schichtaufbau

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006049635A (ja) * 2004-08-05 2006-02-16 Sumitomo Heavy Ind Ltd レーザ照射方法及びレーザ照射装置並びにレーザアニール方法
CN102414787A (zh) * 2009-09-02 2012-04-11 Wi-A株式会社 激光反射掩模以及其制造方法
JP2012081478A (ja) * 2010-10-07 2012-04-26 Ushio Inc レーザリフトオフ装置
WO2018074106A1 (ja) * 2016-10-18 2018-04-26 株式会社ブイ・テクノロジー レーザリフトオフ装置及びレーザリフトオフ方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006049635A (ja) * 2004-08-05 2006-02-16 Sumitomo Heavy Ind Ltd レーザ照射方法及びレーザ照射装置並びにレーザアニール方法
CN102414787A (zh) * 2009-09-02 2012-04-11 Wi-A株式会社 激光反射掩模以及其制造方法
JP2012081478A (ja) * 2010-10-07 2012-04-26 Ushio Inc レーザリフトオフ装置
WO2018074106A1 (ja) * 2016-10-18 2018-04-26 株式会社ブイ・テクノロジー レーザリフトオフ装置及びレーザリフトオフ方法

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