JPH03155119A - 反射型ｘ線露光マスク - Google Patents
反射型ｘ線露光マスクInfo
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- JPH03155119A JPH03155119A JP1294624A JP29462489A JPH03155119A JP H03155119 A JPH03155119 A JP H03155119A JP 1294624 A JP1294624 A JP 1294624A JP 29462489 A JP29462489 A JP 29462489A JP H03155119 A JPH03155119 A JP H03155119A
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- Japan
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- ray
- film
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- mirror
- exposure mask
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- Pending
Links
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims abstract description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims abstract description 3
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims abstract 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims abstract 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 5
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 abstract description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 abstract description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 abstract description 3
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 229920000106 Liquid crystal polymer Polymers 0.000 abstract description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 abstract description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 abstract description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 abstract description 2
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 abstract description 2
- 238000000560 X-ray reflectometry Methods 0.000 abstract 2
- 229910001069 Ti alloy Inorganic materials 0.000 abstract 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004977 Liquid-crystal polymers (LCPs) Substances 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は新しいＸ線露光マスクに関する。
従来、Ｘ線露光マスクは、シリコン膜やポリイミド膜あ
るいはチタン膜等から成る厚工数μｍの極めて薄いメン
プラン膜上にタングステン膜や金膜を図形状に形成して
成るのが通例であり、該従来技術によるＸ線露光マクス
は、メンプラン膜部をＸ線を透過させ、Ｘ線阻止能を有
する膜を図形状に形成して成るＸ線透過型の露光マスク
として用いられているものである。
るいはチタン膜等から成る厚工数μｍの極めて薄いメン
プラン膜上にタングステン膜や金膜を図形状に形成して
成るのが通例であり、該従来技術によるＸ線露光マクス
は、メンプラン膜部をＸ線を透過させ、Ｘ線阻止能を有
する膜を図形状に形成して成るＸ線透過型の露光マスク
として用いられているものである。
しかし、上記従来技術によると、メンプラン膜が破損し
易く、図形歪が出来易い等の課題があった。
易く、図形歪が出来易い等の課題があった。
本発明は、かかる従来技術の課題を解決し、マスク基材
の破損の無い、且つ、図形歪も発生しない新しいＸ線露
光マスクを提供する事を目的とする。
の破損の無い、且つ、図形歪も発生しない新しいＸ線露
光マスクを提供する事を目的とする。
上記課題を解決する為に本発明はＸ線露光マスクに関し
、反射型Ｘ線露光用として、Ｘ線透過材から成る基板の
鏡面加工した表面に、Ｘ線反射能を有する膜を図形状に
形成する手段をとる事を基本とする。
、反射型Ｘ線露光用として、Ｘ線透過材から成る基板の
鏡面加工した表面に、Ｘ線反射能を有する膜を図形状に
形成する手段をとる事を基本とする。
以下、実施例により本発明を詳述する。
第１図及び第２図は、本発明の実施例を示す反射型Ｘ線
露光マスクの断面図である。すなわち、第１図では、角
形あるいは丸形の厚さ１ｍｍ程度から１ｃｍ程度かそれ
以上から成るＸ線透過能を有するシリコン、石英あるい
はチタンあるいはアルミ合金、あるいは、液晶ポリマー
合成樹脂等やＧａＡｓやＳｉＣ等の半導体等から成る基
板１１の一主面を鏡面研摩により鏡面となし、該鏡面表
面上に、モリブデン膜やタングステン膜、金膜あるいは
多層膜等から成るＸ線反１・Ｊ能を有するＸ線反射膜１
２をスパッタ法等により厚さ１μｍ〜数μｍに形成し、
ホトエツチングにより図形状となしたもので、Ｘ線は、
基板１１の表面に角度をもって照射され、Ｘ線反射膜１
２から図形状の反射Ｘ線を用いて露光するものである。
露光マスクの断面図である。すなわち、第１図では、角
形あるいは丸形の厚さ１ｍｍ程度から１ｃｍ程度かそれ
以上から成るＸ線透過能を有するシリコン、石英あるい
はチタンあるいはアルミ合金、あるいは、液晶ポリマー
合成樹脂等やＧａＡｓやＳｉＣ等の半導体等から成る基
板１１の一主面を鏡面研摩により鏡面となし、該鏡面表
面上に、モリブデン膜やタングステン膜、金膜あるいは
多層膜等から成るＸ線反１・Ｊ能を有するＸ線反射膜１
２をスパッタ法等により厚さ１μｍ〜数μｍに形成し、
ホトエツチングにより図形状となしたもので、Ｘ線は、
基板１１の表面に角度をもって照射され、Ｘ線反射膜１
２から図形状の反射Ｘ線を用いて露光するものである。
尚、基板１１の表面を凹又は、凸としてレンズ効果をも
たせる事ができることは言うまでもない。
たせる事ができることは言うまでもない。
第２図では、基板２１の表面にＸ線反射膜２２を埋め込
んで形成したもので、基板２１及びＸ線反射゛膜２２の
材料は、前記第１の例に示したものと同じものであり、
又、応用法も同じである。ただ、Ｘ線反射膜２２の基板
２１への埋め込みは、例えば、基板２１の一主面をホト
、エツチングにより溝を図形状に形成した後、Ｘ線反射
膜２２の材料膜をスパッタ法等により形成後、全面鏡面
研摩を行ない、Ｘ線反射膜２２を溝部に残す方法等の方
法により行なうことができる。
んで形成したもので、基板２１及びＸ線反射゛膜２２の
材料は、前記第１の例に示したものと同じものであり、
又、応用法も同じである。ただ、Ｘ線反射膜２２の基板
２１への埋め込みは、例えば、基板２１の一主面をホト
、エツチングにより溝を図形状に形成した後、Ｘ線反射
膜２２の材料膜をスパッタ法等により形成後、全面鏡面
研摩を行ない、Ｘ線反射膜２２を溝部に残す方法等の方
法により行なうことができる。
本発明により破損や図形歪の無い反射型のＸ線露光用マ
スクが容易に作成できる効果がある。
スクが容易に作成できる効果がある。
第１図及び第２図は、本発明の実施例を示す。
反射型Ｘ線露光マスクの断面図である。
１１．２１・・・基板
１２．２２・・・Ｘ線反射膜
以上
Claims (1)
- シリコン、石英あるいはチタンあるいはアルミ合金等の
Ｘ線透過材から成る基板鏡面表面には、モリブデン膜、
タングステン膜、金膜あるいは多層膜等から成るＸ線反
射能を有する膜が図形状に形成されて成る事を特徴とす
る反射型Ｘ線露光マスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1294624A JPH03155119A (ja) | 1989-11-13 | 1989-11-13 | 反射型ｘ線露光マスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1294624A JPH03155119A (ja) | 1989-11-13 | 1989-11-13 | 反射型ｘ線露光マスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03155119A true JPH03155119A (ja) | 1991-07-03 |
Family
ID=17810166
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1294624A Pending JPH03155119A (ja) | 1989-11-13 | 1989-11-13 | 反射型ｘ線露光マスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03155119A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012517620A (ja) * | 2009-09-02 | 2012-08-02 | ダブリュアイ−エー・コーポレーション | レーザ反射型マスク及びその製造方法 |
| JP2014068019A (ja) * | 2008-09-24 | 2014-04-17 | Wi-A Corp | レーザ反射型マスクの製造方法 |
| JP2014096483A (ja) * | 2012-11-09 | 2014-05-22 | Toppan Printing Co Ltd | 反射型マスクおよびその製造方法 |
-
1989
- 1989-11-13 JP JP1294624A patent/JPH03155119A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014068019A (ja) * | 2008-09-24 | 2014-04-17 | Wi-A Corp | レーザ反射型マスクの製造方法 |
| JP2012517620A (ja) * | 2009-09-02 | 2012-08-02 | ダブリュアイ−エー・コーポレーション | レーザ反射型マスク及びその製造方法 |
| JP2014096483A (ja) * | 2012-11-09 | 2014-05-22 | Toppan Printing Co Ltd | 反射型マスクおよびその製造方法 |
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