JP3341403B2 - 反射型マスクおよびその製造方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、反射型マスクに関し、
特に反射型マスクに設けられた所望形状のパターンを、
レジスト等の感光部材に高精度に、高いコントラストを
有するように、かつシャープに転写することのできる反
射型マスクに関する。

【０００２】

【従来の技術】Ｘ線リソグラフィは、半導体装置、マイ
クロマシン、光学素子、センサまたはアクチュエータな
どの微細構造体を製造するプロセスにおいて幅広く利用
されている。

【０００３】Ｘ線リソグラフィの中でも、光源として軟
Ｘ線（波長領域約５ｎｍ〜約１３ｎｍ）を用い、ウェハ
等の表面上に形成したレジスト等の感光部材に、Ｘ線マ
スクに設けられた所望形状のパターンを縮小された形状
のパターンとして転写する軟Ｘ線を用いる縮小投影露光
Ｘ線リソグラフィは、マイクロメータ（μｍ）のオー
ダ、または、サブマイクロメータ（１０^-1μｍ）のオー
ダの微細なパターンを有することのある微細構造体を形
成する際のプロセスとして注目されている。

【０００４】図２３は、応用物理第６２巻第７号（１９
９３）、ｐａｇｅ６９１〜ｐａｇｅ６９４に記載される
従来のＸ線縮小露光装置の一例を概略的に示す構成図で
ある。

【０００５】図２３を参照して、このＸ線縮小露光装置
２００は、反射型マスク２０１と、複数のミラー２０
３、２０４とを含む。

【０００６】複数のミラー２０３、２０４のそれぞれ
は、所定の曲率を有する鏡面を備えている。

【０００７】次に、このＸ線縮小露光装置２００の動作
について、以下に説明する。まず、反射型マスク２０１
を、Ｘ線縮小露光装置２００内の所定の位置に設けられ
た反射型マスク取付台２０６上に配置する。

【０００８】ウェハ２０５を準備して、ウェハ２０５の
表面上にレジスト等の感光部材（図示せず）を形成す
る。

【０００９】次に、レジスト等の感光部材（図示せず）
が表面に形成されたウェハ２０５を、Ｘ線縮小露光装置
２００内の所定の位置に設けられたウェハ取付部材２０
７上に配置する。

【００１０】次に、光源（図示せず）から、たとえば、
軟Ｘ線等の紫外線領域の光を、反射型マスク２０１に照
射する。

【００１１】反射型マスク２０１は、軟Ｘ線等の紫外線
領域の光２０８が照射されると、反射型マスク２０１に
設けられた所望形状のパターンの軟Ｘ線等の紫外線領域
の光２０９を反射する。

【００１２】反射型マスク２０１により反射された軟Ｘ
線等の紫外線領域の光２０９は、複数のミラー２０３、
２０４により順次反射を繰り返して、ウェハ２０５の表
面上に形成されたレジスト等の感光部材（図示せず）に
到達する。

【００１３】反射型マスク２０１に設けられた所望形状
のパターンは、複数のミラー２０３、２０４により、順
次縮小されたりする。

【００１４】そして、反射型マスク２０１に設けられた
所望形状のパターンが、ウェハ２０５の表面上に形成さ
れたレジスト等の感光部材（図示せず）に、縮小された
パターンとして転写される。

【００１５】図２４は、上記したＸ線縮小露光装置２０
０等のＸ線露光装置に用いられる、従来の反射型マスク
を概略的に示す断面図である。

【００１６】図２４を参照して、この反射型マスク３０
１は、Ｘ線等の紫外線領域の光を吸収する光吸収性特性
を有する基板３０２と、基板３０２の表面３０２ａ上に
形成され、Ｘ線等の紫外線領域の光を反射する光反射性
特性を有する光反射性部材３０３とを含む。

【００１７】基板３０２としては、Ｘ線等の紫外線領域
の光を吸収する光吸収性特性を有する部材として、たと
えば、シリコン（Ｓｉ）基板が用いられている。

【００１８】また、光反射性部材３０３としては、露光
に用いる光の波長領域によっても異なるが、露光に用い
る光の波長領域として、１２．５ｎｍを超える長波長側
の紫外線領域の光を用いる場合は、モリブデン（Ｍｏ）
とシリコン（Ｓｉ）とが交互に積層されたＭｏ／Ｓｉ多
層膜が用いられ、露光に用いる光の波長領域として、１
２．５ｎｍ以下の短波長側の紫外線領域の光を用いる場
合には、ルテニウム（Ｒｕ）と炭化ホウ素（一般には、
Ｂ₄ Ｃと記載される）とが交互に積層されたＲｕ／Ｂ₄
Ｃ多層膜やニッケル（Ｎｉ）とクロム（Ｃｒ）との合金
（ＮｉＣｒ）と炭素（Ｃ）とが交互に積層されたＮｉＣ
ｒ／Ｃ多層膜などの多層膜が用いられる。

【００１９】ところで、この反射型マスク３０１では、
光反射性部材３０３により、所望形状のパターンが形成
されている。所望形状のパターンに対応する部分は、凸
部３０４を形成している。凸部３０４は、光反射性部材
３０３により構成される。

【００２０】光反射性部材３０３が設けられた部分以外
の残りの部分は、凹部３０５を形成している。

【００２１】凹部３０５は、光反射性部材３０３で形成
される側壁３０３Ｓと、基板３０２で形成される底面３
０７とを備える。底面３０７は、光吸収性特性を有す
る。

【００２２】次に、この反射型マスク３０１の動作原理
について説明する。反射型マスク３０１に照射されたＸ
線等の紫外線領域の光Ｒ_i1，Ｒ_i2のうち、光反射性部材
３０３の頂部表面３０３ａに入射した光Ｒ_i1は、光反射
性部材３０３の頂部表面３０３ａで反射され、レジスト
等の感光部材（図示せず）に到達する。

【００２３】他方、反射型マスク３０１に照射されたＸ
線等の紫外線領域の光のうち、凹部３０５に入射した光
Ｒ_i2は、凹部３０５の底面３０７で吸収されたり、凹部
３０５の底面３０７の表面粗さにより散乱されたりし
て、減衰する。

【００２４】そして、レジスト等の感光部材（図示せ
ず）には、光反射性部材３０３の頂部表面３０３ａで反
射された光Ｒ_e1の光量と、凹部３０５で減衰された光Ｒ
_e2の光量との差により、反射型マスク３０１に設けられ
た所望形状のパターンが転写される。

【００２５】次に、従来の反射型マスクの製造方法につ
いて、図を参照しながら、以下に説明する。

【００２６】図２５〜図２６は、従来の反射型マスクの
製造プロセスを概略的に示す断面図である。

【００２７】図２５を参照して、まず、図２５（ａ）に
示す工程において、Ｘ線等の紫外線領域の光を吸収する
光吸収性特性を有する光吸収性部材として、シリコン
（Ｓｉ）基板３０２を準備する。

【００２８】次に、図２５（ｂ）に示す工程において、
シリコン（Ｓｉ）基板３０２の表面３０２ａ上に、一様
に、Ｍｏ／Ｓｉ多層膜層、Ｒｕ／Ｂ₄ Ｃ多層膜層または
ＮｉＣｒ／Ｃ多層膜層等の多層膜層３０３Ｌを形成す
る。なお、このような多層膜層３０３Ｌの形成には、電
子ビーム蒸着法、イオンビームスパッタ法、ＲＦマグネ
トロンスパッタ法等が用いられている。

【００２９】次に、図２５（ｃ）に示す工程において、
多層膜層３０３Ｌの表面３０３Ｌａ上に、レジスト層３
１０を均一の膜厚で形成する。

【００３０】次に、図２５（ｄ）に示す工程において、
所望の吸収体パターン３１１ａを有するＸ線マスク３１
１を用い、Ｘ線等の紫外線領域の光で、レジスト層３１
０を露光する。なお、この露光工程は、電子ビーム描画
法によっても行なわれる。

【００３１】次に、図２６（ａ）に示す工程において、
図２５（ｄ）に示す工程において露光したレジスト層３
１０を現像し、所望形状の開口部３１２ｈを有するレジ
ストパターン３１２を形成する。

【００３２】次に、図２６（ｂ）に示す工程において、
レジストパターン３１２をマスクとして、レジストパタ
ーン３１２の開口部３１２ｈを通じて露出している多層
膜層３０３Ｌを、シリコン（Ｓｉ）基板３０２の表面３
０２ａが露出するまでエッチングする。

【００３３】なお、この多層膜層３０３Ｌをエッチング
する工程は、通常は、加工精度の点から、異方性エッチ
ングが用いられる。

【００３４】次に、図２６（ｃ）に示す工程において、
レジストを除去することにより、反射型マスク３０１を
得る。

【００３５】以上の工程により製造される反射型マスク
３０１は、所望形状のパターンを有する光反射性部材３
０３の頂部表面３０３ａと、光吸収性特性を有する基板
３０２により形成される凹部３０５の底面３０７が、実
質的に平行になるように形成される。この反射型マスク
３０１では、光反射性部材３０３の頂部表面３０３ａ、
すなわち、受けた光を感光部材（図示せず）に反射する
光反射面３０３ａと、凹部３０５の底面３０７、すなわ
ち、受けた光を感光部材（図示せず）に対し遮光する光
遮光面３０７とが、実質的に平行になるように形成され
る。

【００３６】また、凹部３０５を形成する光反射性部材
３０３の側壁３０３Ｓは、光反射性部材３０３の頂部表
面３０３ａに対し、おおむね直交するように形成され
る。

【００３７】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
反射型マスクでは、反射型マスクに設けられた所望形状
のパターンを、レジスト等の感光部材に、充分高いコン
トラストを有するように転写するのが困難であるという
問題があった。

【００３８】すなわち、反射型マスクの凹部においても
若干の反射があり、凹部で反射した光が、レジスト等の
感光部材に到達し、遮光部材の本来遮光されるべき部分
が露光され、その結果、レジスト等の感光部材に転写さ
れるパターンのコントラストが低くなるという問題があ
った。

【００３９】より詳しくは、図２４を再び参照して、上
記したように、従来の反射型マスク３０１では、光反射
性部材３０３の頂部表面３０３ａと、光吸収性特性を有
する基板３０２により形成される、凹部３０５の底面３
０７が、実質的に平行になるように形成される。

【００４０】また、凹部３０５を形成する光反射性部材
３０３の側壁３０３Ｓは、光反射性部材３０３の表面に
対し、おおむね直交するように形成される。

【００４１】したがって、反射型マスク３０１に照射さ
れる、Ｘ線等の紫外線領域の平行光が、光反射性部材３
０３の表面３０３ａに、入射角θで入射した場合、凹部
３０５を形成する、底面３０７に対しては、入射角θで
入射したり、光反射性部材３０３で構成される側壁３０
３Ｓに対しては、入射角９０°−θで入射したりする。
凹部３０５の形状によっても異なるが、凹部３０５に入
射した光は、凹部３０５を形成する底面３０７および側
壁３０３Ｓ等で反射を繰り返した後、ある一定の光量の
光が、光反射性部材３０３の表面３０３ａにおいて反射
した光線の出射方向と平行な出射方向の光Ｒ_e2として、
出射される。

【００４２】そして、光反射性部材３０３の表面３０３
ａにおいて反射した光の出射方向と平行な出射方向に出
射された、ある一定の光量の光Ｒ_e2は、レジスト等の感
光部材に到達し、遮光部材の本来遮光されるべき部分を
露光して、レジスト等の感光部材に転写されるパターン
のコントラストを低下させる原因になる。

【００４３】また、従来の反射型マスク３０１では、光
吸収性特性を有する基板３０２で形成される、凹部３０
５を形成する底面３０７が、実質的に、凹部３０５に入
射したＸ線等の紫外線領域の光を吸収しているにすぎな
いため、凹部３０５における光の減衰が充分とはいえ
ず、その結果、レジスト等の感光部材に転写されるパタ
ーンのコントラストが低いという問題があった。

【００４４】また、従来の反射型マスク３０１では、光
反射性部材３０３と、光吸収性特性を有する基板３０２
という２つの構成を備えている。このため、凹部３０５
を形成する、光吸収性特性を有する基板３０２で形成さ
れる底面３０７が、Ｘ線等の紫外線領域の光を吸収し
て、熱を帯びる。

【００４５】このため、光吸収性特性を有する基材３０
２の熱膨張等が原因して、反射型マスク３０１に歪が生
じ、反射型マスク３０１の歪により、反射型マスクに設
けられた所望形状のパターンが歪んだりする。その結
果、反射型マスク３０１に設けられた所望形状のパター
ンを、レジスト等の感光部材に高精度に転写するのが難
しいという問題があった。

【００４６】本発明は、以上のような問題を解決するた
めになされたものであって、反射型マスクに設けられた
所望形状のパターンを充分高いコントラストで、シャー
プに、レジスト等の感光部材に転写することのできる反
射型マスクを提供することを目的とする。

【００４７】また、本発明は、反射型マスクに設けられ
た所望形状のパターンを高精度にレジスト等の感光部材
に転写することのできる反射型マスクを提供することを
目的とする。

【００４８】

【課題を解決するための手段】本発明者は、上記した目
的を達成するために鋭意努力した結果、反射型マスクの
凹部の側壁および底面を、少なくとも光吸収性特性を有
する基板で形成すれば、反射型マスクに設けられた所望
形状のパターンを、レジスト等の感光部材に、充分高い
コントラストを有するように転写することができること
を知見して、本発明を完成するに至った。

【００４９】また、反射型マスクの所望形状のパターン
に対応する部分は凸部を形成し、残りの部分は凹部を形
成し、凸部の頂部表面を、光反射性特性を有するように
構成し、かつ、凸部の頂部表面と凹部の底面とを平行で
ないようにするという構成により、反射型マスクに設け
られた所望形状のパターンを、レジスト等の感光部材
に、充分高いコントラストを有するように転写すること
ができることを知見して、本発明を完成するに至った。

【００５０】すなわち、第１の発明に従う反射型マスク
は、所望形状のパターンを有する反射型マスクであっ
て、所望形状のパターンが形成された基板を含み、所望
形状のパターンに対応する部分は凸部を形成し、残りの
部分は凹部を形成し、凸部の頂部表面は、光反射性特性
を有し、凹部の側壁および底面は、少なくとも光吸収性
特性を有する。

【００５１】第１の発明に従う反射型マスクは、凹部の
底面は、凸部の頂部表面と平行でないことが好ましい。

【００５２】また、第２の発明に従う反射型マスクは、
所望形状のパターンを有する反射型マスクであって、所
望形状のパターンが形成された基板を含み、所望形状の
パターンに対応する部分は凸部を形成し、残りの部分は
凹部を形成し、凸部の頂部表面は、光反射性特性を有
し、凹部の表面は、前記凸部の頂部表面と平行でない。

【００５３】また、本発明者は、反射型マスクの凸部の
頂部表面と凹部を形成する面とをともに、Ｘ線等の紫外
線領域の光に対して高い反射率を有する部材で構成して
も、凸部の頂部表面と、凹部を形成する面とを平行でな
い構成とすれば、上記した反射型マスクの歪の問題が解
決され、その結果、反射型マスクに設けられた所望形状
のパターンを、レジスト等の感光部材に、高精度に、か
つ充分強いコントラストを有するように転写することが
できることを知見して、本発明を完成するに至った。

【００５４】すなわち、第３の発明に従う反射型マスク
は、所望形状のパターンを有する反射型マスクであっ
て、所望形状のパターンが形成された基板を含み、所望
形状のパターンに対応する部分は凸部を形成し、残りの
部分は凹部を形成し、凹部を形成する面は、凸部の頂部
表面と平行でない面を有し、凸部および凹部の表面は、
ともに光反射性特性を有する。

【００５５】また、第４の発明に従う反射型マスクは、
所望形状のパターンを感光部材に転写する反射型マスク
であって、感光部材に転写する所望形状のパターンを形
成するために設けられた、受けた光を感光部材に反射す
る光反射面と、受けた光を感光部材に対し遮光する光遮
光面とを備え、光反射面と光遮光面とは平行でない。

【００５６】なお、光遮光面は、光反射性部材で形成さ
れていても、また、光吸収性部材で形成されていてもよ
い。

【００５７】

【作用】第１の発明に従う反射型マスクは、凹部の側壁
および底面が、少なくとも光吸収性特性を有する。

【００５８】したがって、凹部の底面のみが、少なくと
も光吸収性特性を実質的に有する従来の反射型マスクに
比べ、凹部の側壁においても、受けた光を吸収すること
ができる分だけ、凹部における光の吸収が向上する。

【００５９】その結果、第１の発明に従う反射型マスク
は、反射型マスクに設けられた所望形状のパターンを、
レジスト等の感光部材に、従来の反射型マスクに比べ
て、充分高いコントラストを有するように転写すること
ができる。

【００６０】さらに、第１の発明において、凹部の底面
を、凸部の頂部表面と平行でない構成とすれば、凸部の
頂部表面および凹部の底面に平行に入射した光を、凹部
の底面において、凸部の頂部表面において反射した光線
の出射方向と、異なる出射方向に変えることができる。

【００６１】したがって、凹部において、反射した光の
レジスト等の感光部材に到達する光量を減らすことがで
きる。

【００６２】その結果、反射型マスクに設けられた所望
形状のパターンを、レジスト等の感光部材に、従来の反
射型マスクに比べ、さらに、充分高いコントラストを有
するように転写することができる。

【００６３】また、第２の発明に従う反射型マスクは、
凹部の表面が、凸部の頂部表面と平行でない。

【００６４】第２の発明では、凸部の頂部表面および凹
部の表面に平行に入射した光を、凹部の表面において、
凸部の頂部表面で反射した光の出射方向と、異なる出射
方向に変えることができる。

【００６５】したがって、凹部において反射した光の、
レジスト等の感光部材に到達する光量を減らすことがで
きる。

【００６６】その結果、第２の発明に従う反射型マスク
は、反射型マスクに設けらた所望形状のパターンを、レ
ジスト等の感光部材に、従来の反射型マスクに比べて、
充分高いコントラストを有するように転写することがで
きる。

【００６７】第３の発明に従う反射型マスクは、凹部を
形成する面は、凸部の頂部表面と平行でない面を有し、
凸部および凹部の表面は、ともに光反射性特性を有す
る。

【００６８】第３の発明では、凹部を形成する面が、凸
部の頂部表面と平行でない面を有している結果、凸部の
頂部表面および凹部を形成する面の表面に平行に入射し
た光を、凹部を形成する面において、凸部の頂部表面で
反射した光の出射方向と、異なる出射方向に変えること
ができる。

【００６９】凹部を形成する面の、凸部の頂部表面との
なす角度を適宜選択すれば、凹部を形成する面の表面で
反射した光が、レジスト等の感光部材に到達しないよう
に調整したり、また、凹部を形成する面の表面で反射し
た光を、レジスト等の感光部材に転写されるパターンに
影響を及ぼさない部分へ導いたりすることができる。

【００７０】このように、凹部を形成する面の、凸部の
頂部表面となす角度を調整することにより、凹部を形成
する面の表面が光反射性特性を有していても、凹部の表
面で反射した光は、レジスト等の感光部材に到達しなか
ったり、転写されるパターンに影響を及ぼさない部分へ
導かれたりするため、凹部の表面は、レジスト等の感光
部材に対し、見かけ上の非反射部（遮光部）を形成す
る。

【００７１】そして、この見かけ上の非反射部（遮光
部）となる、凹部の表面は、Ｘ線等の紫外線領域の光を
高い反射率で反射する光反射性特性を有しているため、
凹部を形成する面は、Ｘ線等の紫外線領域の光を吸収し
にくく、反射するため、この部分には、熱が蓄えられな
い。

【００７２】このため、従来の反射型マスクに見られる
ような光吸収性特性を有する基材の熱膨張等が原因し
て、反射型マスクに歪が生じ、反射型マスクの歪によ
り、反射型マスクに設けられた所望形状のパターンの歪
が生じるという問題が減少する。

【００７３】したがって、第３の発明に従う反射型マス
クは、反射型マスクに設けられた所望形状のパターン
を、レジスト等の感光部材に、従来の反射型マスクに比
べて、高精度に、かつ充分高いコントラストを有するよ
うに転写することができる。

【００７４】第４の発明に従う反射型マスクは、光反射
面と、光遮光面とが平行でない。第４の発明に従う反射
型マスクでは、光反射面と光遮光面とが平行でないとい
う構成を有する結果、光反射面および光遮光面に平行に
入射した光を、光遮光面において、光反射面で反射した
光の出射方向と、異なる出射方向に変えることができ
る。

【００７５】したがって、光遮光面において反射した光
の、レジスト等の感光部材に到達する光量を減らした
り、光遮光面で反射した光を、レジスト等の感光部材に
転写されるパターンに影響を及ぼさない部分へ導いたり
することができる。

【００７６】

【実施例】以下に、実施例を示すが、以下の実施例は、
単に本発明を説明するためにのみ用いるものであって、
本発明は、以下の実施例によっては、何ら限定されると
はない。

【００７７】実施例１ 図１は、本発明に従う反射型マスクの一実施例を概略的
に示す断面図である。

【００７８】図１を参照して、この反射型マスク１は、
たとえば、Ｘ線露光装置等に用いられる反射型マスクを
示しており、Ｘ線等の紫外線領域の光を吸収する光吸収
性特性を有する基板２と、基板２の凸部の頂部表面２ａ
上に形成され、Ｘ線等の紫外線領域の光を反射する光反
射性特性を有する光反射性部材３とを含む。

【００７９】基板２の材質としては、Ｘ線等の紫外線領
域の光を吸収する光吸収性特性を有するものであれば、
特に限定されることはないが、たとえば、Ａｌ₃ Ｎ₄ 、
Ｐｂ（Ｔｉ_0.5 Ｚｒ_0.5 ）Ｏ₃ 等のセラミックス材料を
挙げることができる。

【００８０】また、光反射性部材３としては、たとえ
ば、Ｍｏ／Ｓｉ多層膜、Ｒｕ／Ｂ₄ Ｃ多層膜、ＮｉＣｒ
／Ｃ多層膜等の多層膜を挙げることができる。

【００８１】ところで、この反射型マスク１では、基板
２に、所望形状のパターンが形成されている。所望形状
のパターンに対応する部分は、凸部４を形成している。
本実施例では、凸部４は、基板２と、光吸収性部材３に
より構成される。

【００８２】そして、残りの部分は、凹部５を形成して
いる。凸部４の頂部表面３ａ、すなわち、光吸収性部材
の頂部表面３ａは、光反射性特性を有する。

【００８３】凹部５は、側壁５Ｓと、基板２で形成され
る底面７とを備える。底面７は、光吸収性特性を有す
る。

【００８４】また、凹部５の側壁５Ｓは、光吸収性特性
を有する基板２により形成される側壁２Ｓと、光反射性
特性を有する光反射性部材３により形成される側壁３Ｓ
とを含む。

【００８５】図１および図２４を参照して、この反射型
マスク１は、凹部５の側壁５Ｓとして、光吸収性特性を
有する基板２により形成される側壁２Ｓを含んでいる点
において、図２４に示す従来の反射型マスク３０１と特
に異なっている。

【００８６】したがって、凹部３０５の底面３０７のみ
が、少なくとも光吸収性特性を実質的に有する従来の反
射型マスク３０１に比べ、凹部５の側壁５Ｓを形成する
光吸収性特性を有する基板２により形成される側壁２Ｓ
においても、受けたＸ線等の紫外線領域の光を吸収する
ことができる分だけ、凹部５における光の吸収が向上す
る。

【００８７】したがって、実施例１に示す反射型マスク
１は、反射型マスク１に設けられた所望形状のパターン
を、レジスト等の感光部材（図示せず）に、従来の反射
型マスク３０１に比べて、充分高いコントラストを有す
るように転写することができる。

【００８８】次に、この反射型マスク１の動作原理につ
いて説明する。反射型マスク１に照射されたＸ線等の紫
外線領域の光Ｒ_i1，Ｒ_i2のうち、光反射性部材３の頂部
表面３ａ、すなわち、凸部４の頂部表面３ａに入射した
光Ｒ_i1は、光反射性部材３の頂部表面３ａ、すなわち、
凸部４の光反射性特性を有する頂部表面３ａで反射さ
れ、レジスト等の感光部材に到達する。

【００８９】他方、反射型マスク１に照射されたＸ線等
の紫外線領域の光Ｒ_i1，Ｒ_i2のうち、凹部５に入射した
光Ｒ_i2は、凹部５の底面７で吸収されたり、凹部５の側
壁５Ｓ、より詳しくは、主として、凹部５の側壁５Ｓを
構成する光吸収性特性を有する基板２により構成される
側壁２Ｓで吸収されたり、凹部５の底面７の表面粗さに
より散乱されたりして減衰する。

【００９０】そして、レジスト等の感光部材（図示せ
ず）には、光反射性部材３の表面３ａ、すなわち凸部４
の光反射性特性を有する頂部表面３ａで反射された光Ｒ
_e1の光量と、凹部５で減衰された光Ｒ_e2の光量との差に
より、反射型マスクに設けられた所望形状のパターンが
転写される。

【００９１】次に、反射型マスク１の製造方法につい
て、図を参照しながら、以下に説明する。

【００９２】図２〜図３は、本発明に従う反射型マスク
の製造プロセスを概略的に示す断面図である。

【００９３】図２を参照して、まず、図２（ａ）に示す
工程において、支持部材８の表面８ａ上に、基板９を設
ける。基板９としては、特に以下の場合に限定されるこ
とはないが、シリコン（Ｓｉ）基板や、シリコン（Ｓ
ｉ）基板の表面上に、３００Å程度の膜厚で、チタン
（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、アルミニウム（Ａｌ）また
は金（Ａｕ）等をコートした基板を好適に用いることが
できる。なお、基板９としては、その表面９ａが鏡面加
工されているものを用いるのが好ましい。なお、支持部
材８は、特に必須の部材ではないことを付記する（以下
の実施例についても、同様である）。

【００９４】次に、図２（ｂ）に示す工程において、基
板９の表面９ａ上に、たとえば、典型的には、ポリメチ
ルメタクリレート（ＰＭＭＡ）を材料とするレジスト層
１０を所望の厚さ（数１０μｍ〜数１００μｍ）で形成
する。

【００９５】次に、図２（ｃ）に示す工程において、所
望の吸収体パターン１１ａを有するＸ線マスク１１を用
い、たとえば、シンクロトロン放射光（ＳＲ光）のＸ線
領域の波長の光（波長約０．３ｎｍ〜１．０ｎｍ）で、
レジスト層１０を露光する。

【００９６】次に、図２（ｄ）に示す工程において、図
２（ｃ）に示す工程において露光したレジスト層１０を
現像し、所望形状の開口部１２ｈを有するレジストパタ
ーン１２を形成する。

【００９７】次に、図３（ａ）に示す工程において、レ
ジストパターン１２を有する基板９を、たとえば、Ａｌ
₂ Ｎ₄ 、Ｐｂ（Ｔｉ_0.5 Ｚｒ_0.5 ）Ｏ₃ 等のセラミック
ス材料を微細に粉砕して分散させた電解液（ゾル液）１
３中に浸漬する。

【００９８】そして、レジストパターン１２を有する基
板９を陰極とし、電解液１３中にもう１つの電極１４を
設けて、これを陽極として、この陽極と陰極との間に所
定の電圧を印加する。

【００９９】図３（ｂ）を参照して、工程において、レ
ジストパターン１２の開口部１２ｈを埋め込むように、
Ａｌ₂ Ｎ₄ 、Ｐｂ（Ｔｉ_0.5 Ｚｒ_0.5 ）Ｏ₃ 等のセラミ
ックス材料１５が堆積する。

【０１００】次に、図３（ｃ）に示す工程において、支
持体８、基板９およびレジストを除去し、しかる後に、
堆積したセラミックス材料１５を焼成することにより、
所望形状のパターンを有するセラミックス構造体２が得
られる。

【０１０１】なお、図３（ａ）〜図３（ｃ）に示す工程
の代わりに、レジストパターン１２を鋳型として用い、
この鋳型１２に、Ａｌ₃ Ｎ₄ 、Ｐｂ（Ｔｉ_0.5 Ｚ
ｒ_0.5 ）Ｏ ₃ 等のセラミックス材料を微細に粉砕して、
溶媒中に分散させたスラリー等のマスク母材を流し込
み、しかる後に固化させて、セラミックス構造体を得て
もよい。

【０１０２】次に、図３（ｄ）に示す工程において、セ
ラミックス構造体２の凸部の頂部表面２ａ上に、上記し
た、たとえば、Ｍｏ／Ｓｉ多層膜、Ｒｕ／Ｂ₄ Ｃ多層膜
またはＮｉＣｒ／Ｃ多層膜等の多層膜からなる光反射性
特性を有する光反射性部材３を堆積させることにより、
反射型マスク１を得る。

【０１０３】なお、セラミックス構造体（基板）２の凸
部の頂部表面２ａ上に、選択的に上記した多層膜を形成
するには、公知の選択性エピタキシャル成長法を用いる
ことができる。

【０１０４】また、セラミックス構造体（基板）２の凸
部の頂部表面２ａ上に、多層膜を形成する方法として
は、以下の方法を挙げることができる。

【０１０５】すなわち、後述するように、まず、基板２
の表面２ｃの全面、すなわち、基板２の頂部表面２ａ、
側壁２Ｓおよび底面７をともに一様に覆うように、上記
した多層膜を堆積させる。しかる後に、凸部４の頂部表
面３ａ上に、レジストパターンを形成し、このレジスト
パターンをマスクとして、基板２の側壁２Ｓおよび底面
７上に堆積した多層膜を、たとえば、プラズマエッチン
グ法等の公知のエッチング技術を用いて、エッチング除
去する。この工程によれば、基板２の凸部の頂部表面２
ａ上に堆積した多層膜の表面の反射率を損うことなく、
基板２の凸部の頂部表面２ａ上に、選択的に多層膜を形
成することができ、しかも、基板２の側壁２Ｓおよび底
面７が、たとえば、プラズマ等にさらされるため、適度
に表面荒れを生じ、その結果、側壁３Ｓおよび底面７に
おける光の散乱により、レジスト等の感光部材に転写さ
れるパターンのコントラスト向上を図ることができる。

【０１０６】以上の工程により製造される反射型マスク
１では、反射型マスク１の凸部４の頂部表面３ａ、すな
わち、光反射性部材３の頂部表面３ａは、基板９の表面
９ａと同程度の高い平滑度を有する。

【０１０７】また、以上の工程により製造される反射型
マスク１は、図２（ｃ）を再び参照して、基板９の表面
９ａ上に、レジスト層１０を均一の膜厚で形成し、か
つ、基板９の表面９ａに対し、直交する方向にシンクロ
トロン放射光（ＳＲ光）を照射している。

【０１０８】その結果、基板９の表面９ａ上に形成され
るレジストパターン１２は、図２（ｄ）を再び参照し
て、レジストパターン１２の表面１２ａが、基板９の表
面９ａと実質的に平行になるように形成され、レジスト
パターン１２の側壁１２Ｓは、基板９の表面９ａにおお
むね直交するように形成される。

【０１０９】したがって、このレジストパターン１２に
従って形成される反射型マスク１では、図１を再び参照
して、反射型マスク１の凸部４の頂部表面３ａ、すなわ
ち、光反射性部材３の頂部表面３ａと、凹部５を形成す
る底面７とが、実質的に平行に形成される。

【０１１０】実施例２ 図４は、本発明に従う反射型マスクの一実施例を概略的
に示す断面図である。

【０１１１】図４を参照して、この反射型マスク２１
は、たとえば、Ｘ線露光装置等に用いられる反射型マス
クを示しており、Ｘ線等の紫外線領域の光を吸収する光
吸収性特性を有する基板２２と、基板２２の凸部の頂部
表面２２ａ上に形成され、Ｘ線等の紫外線領域の光を反
射する光反射性特性を有する光反射性部材２３とを含
む。

【０１１２】なお、基板２２の材質としては、実施例１
に示す反射型マスク１の基板２の材質と同様のものを用
いることができるので、ここでの説明は省略する。

【０１１３】また、光反射性部材２３の材質としては、
実施例１に示す反射型マスク１の光吸収性部材３と同様
のものを用いることができるので、ここでの説明は省略
する。

【０１１４】ところで、図４および図１を参照して、こ
の反射型マスク２１は、以下の点を除いて、図１に示す
反射型マスク１と同様の構成である。

【０１１５】すなわち、反射型マスク２１において、図
１に示す反射型マスク１の基板２が基板２２に、光反射
性部材３が光反射性部材２３に、所望形状のパターンを
有する凸部４が所望形状のパターンを有する凸部２４
に、凹部５が凹部２５にそれぞれ対応する。

【０１１６】凸部２４の頂部表面２３ａ、すなわち、光
反射性部材２３の頂部表面２３ａは、光反射性特性を有
する。

【０１１７】また、凹部２５は、側壁２５Ｓと、基板２
２で形成される底面２７とを備える。

【０１１８】底面２７は、光吸収性特性を有する。ま
た、凹部２５の側壁２５Ｓは、光吸収性特性を有する基
板２２により形成される側壁２２Ｓと、光反射性特性を
有する光反射性部材２３により形成される側壁２３Ｓと
を備える。

【０１１９】したがって、図４に示す反射型マスク２１
は、凹部２５の側壁２５Ｓとして、光吸収性特性を有す
る基板２２により形成される側壁２２Ｓを含む構成を有
しているので、図１に示す反射型マスク１と同様の効果
を奏する。

【０１２０】図４および図１を参照して、この反射型マ
スク２１は、凹部２５を形成する底面２７と、反射型マ
スク２１の凸部２４の頂部表面、すなわち、光反射性部
材２３の表面２３ａとが平行でないように、すなわち、
傾斜するように構成されている点において、図１に示す
反射型マスク１と特に異なっている。

【０１２１】図４に示す反射型マスク２１は、上記した
ように、反射型マスク２１の凸部２４の頂部表面２３
ａ、すなわち、光反射性部材２３の頂部表面２３ａと、
凹部２５を形成する底面２７とが平行でないように構成
されている。その結果、凸部２４の頂部表面２３ａ、す
なわち、光反射性部材２３の表面２３ａおよび凹部２５
の底面２７表面に平行に入射した光を、凹部２５の底面
２７において、凸部２４の頂部表面２３ａ、すなわち、
光反射性部材２３の頂部表面２３ａにおいて反射した光
の出射方向と、異なる出射方向に変えることができる。

【０１２２】したがって、凹部２５の形状によっても異
なるが、凹部２５の底面２７において反射した光の、レ
ジスト等の感光部材（図示せず）に到達する光量を減ら
すことができる。

【０１２３】したがって、実施例２に示す反射型マスク
２１は、反射型マスク２１に設けられた所望形状のパタ
ーンを、レジスト等の感光部材（図示せず）に、従来の
図２４に示す反射型マスク３０１や、実施例１に示す反
射型マスク１に比べ、さらに充分高いコントラストを有
するように転写することができる。

【０１２４】次に、この反射型マスク２１の動作原理に
ついて説明する。反射型マスク２１に照射されたＸ線等
の紫外線領域の光Ｒ_i1，Ｒ_i2のうち、光反射性部材２３
の表面２３ａ、すなわち、凸部２４の頂部表面２３ａに
入射した光Ｒ_i1は、光反射性部材２３の表面２３ａ、す
なわち、凸部２４の光反射性特性を有する頂部表面２３
ａで反射され、レジスト等の感光部材に到達する。

【０１２５】他方、反射型マスク２１に照射されたＸ線
等の紫外線領域の光Ｒ_i1，Ｒ_i2のうち、凹部２５に入射
した光Ｒ_i2は、凹部２５の底面２７で吸収されたり、凹
部２５の側壁２５Ｓ、より詳しくは、主として、凹部２
５の側壁２５Ｓを構成する、光吸収性特性を有する基板
２２により形成される側壁２２Ｓで吸収されたり、凹部
２５の底面２７の表面粗さにより散乱されたり、さらに
は、凹部２５の底面２７で、凸部２４の頂部表面、すな
わち、光反射性部材２３の表面２３ａにおいて反射した
光の出射方向と、異なる出射方向の光Ｒ_e2に変えられた
りして、減衰する。

【０１２６】そして、レジスト等の感光部材（図示せ
ず）には、光反射性部材２３の表面２３ａ、すなわち、
凸部２４の、光反射性特性を有する頂部表面２３ａで反
射された光Ｒ_e1の光量と、凹部２５で減衰された光の光
量との差により、反射型マスク２１に設けられた所望形
状のパターンが転写される。

【０１２７】次に、この反射型マスク２１の製造方法に
ついて、図を参照しながら、以下に説明する。

【０１２８】図５〜図６は、反射型マスク２１の製造プ
ロセスを概略的に示す断面図である。

【０１２９】図５を参照して、まず、図５（ａ）に示す
工程において、支持体２８の表面２８ａ上に、基板２９
を設ける。なお、基板２９としては、その表面２９ａが
鏡面加工されているものを用いるのが好ましい。

【０１３０】次に、図５（ｂ）に示す工程において、基
板２９の表面２９ａ上に、たとえば、典型的には、ポリ
メチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）を材料とするレジス
ト層３０を所望の厚さ（数１０μｍ〜数１００μｍ）
で、均一に形成する。

【０１３１】次に、図５（ｃ）に示す工程において、基
板２９の表面２９ａ上に形成されたレジスト層３０を、
図５（ｃ）に示すように、レジスト層３０の表面３０ａ
が、基板２９の表面２９ａに対し、傾斜するように研磨
して、基板２９の表面２９ａ上に、基板２９の表面２９
ａに対し、傾斜した表面３０ｉを有するレジスト層３０
ｂを形成する。

【０１３２】次に、所望の吸収体パターン３１ａを有す
るＸ線マスク３１を用い、たとえば、シンクロトロン放
射光（ＳＲ光）のＸ線等の紫外線領域の光、より好まし
くは、０．３ｎｍ〜１．０ｎｍ程度の波長の光で、レジ
スト層３０ｂを露光する。

【０１３３】次に、図５（ｄ）に示す工程において、図
５（ｃ）に示す工程において露光したレジスト層３０ｂ
を現像し、所望形状の開口部３２ｈを有するレジストパ
ターン３２を形成する。

【０１３４】次に、図６（ａ）に示す工程において、レ
ジストパターン３２を有する基板２９を、たとえば、Ａ
ｌ₃ Ｎ₄ 、Ｐｂ（Ｔｉ_0.5 Ｚｒ_0.5 ）Ｏ₃ 等のセラミッ
クス材料を微細に粉砕して分散させた電解液（ゾル液）
３３中に浸漬する。

【０１３５】そして、レジストパターン３２を有する基
板２９を陰極とし、電解液３３中にもう１の電極３４を
設けて、これを陽極として、この陽極と陰極との間に所
定の電圧を印加する。

【０１３６】図６（ｂ）を参照して、この工程におい
て、レジストパターン３２の開口部３２ｈを埋め込むよ
うに、たとえば、Ａｌ₃ Ｎ₄ 、Ｐｂ（Ｔｉ_0.5 Ｚ
ｒ_0.5 ）Ｏ₃等のセラミックス材料３５が堆積する。

【０１３７】次に、図６（ｃ）に示す工程において、支
持体２８、基板２９およびレジストを除去し、しかる後
に、堆積したセラミックス材料３５を焼成することによ
り、所望形状のパターンを有するセラミックス構造体
（セラミックス焼結体、すなわち基板）２２が得られ
る。

【０１３８】次に、図６（ｄ）に示す工程において、セ
ラミックス構造体（基板）２２の凸部の頂部表面２２ａ
上に、上記した、Ｍｏ／Ｓｉ多層膜、Ｒｕ／Ｂ₄ Ｃ多層
膜またはＮｉＣｒ／Ｃ多層膜等の多層膜からなる光吸収
性部材２３を堆積させることにより、反射型マスク２１
を得る。

【０１３９】なお、セラミックス構造体（基板）２２の
凸部の表面２２ａ上に、選択的に上記した多層膜を形成
する工程は、実施例１と同様であるので、その説明を省
略する。

【０１４０】以上の工程により製造される反射型マスク
２１では、反射型マスク２１の凸部２４の頂部表面、す
なわち。光反射性部材２３の表面２３ａは、基板２９の
表面２９ａと同程度の高い平滑度を有する。また、図５
（ｃ）を再び参照して、以上の工程により製造される反
射型マスク２１は、基板２９の表面２９ａ上に、レジス
ト層３０を均一の膜厚で形成した後、レジスト３０の表
面３０ａを、基板２９の表面２９ａに対し、傾斜するよ
うに研磨し、しかるのちに、基板２９の表面２９ａに対
し傾斜した表面３０ｉを有するレジスト層３０ｂについ
て、基板２９の表面２９ａに対し、直交する方向にシン
クロトロン放射光（ＳＲ光）を照射している。

【０１４１】その結果、基板２９の表面２９ａ上に形成
されるレジストパターン３２は、図５（ｄ）を再び参照
して、レジストパターン３２の表面３２ａが、基板２９
の表面２９ａと実質的に平行でないように形成される。
本実施例では、レジストパターン３２の表面３２ａが傾
斜するように形成される。

【０１４２】また、レジストパターン３２の側壁３２Ｓ
は、基板２９の表面２９ａにおおむね直交するように形
成される。

【０１４３】したがって、このレジストパターン３２に
従って形成される反射型マスク２１では、図４を再び参
照して、反射型マスク２１の凸部２４の頂部表面、すな
わち、反射性部材２３の頂部表面２３ａと、凹部２５を
構成する底面２７とが、実質的に平行でないように形成
される。

【０１４４】この反射型マスク２１では、凸部２４の頂
部表面２３ａ、すなわち、受けた光をレジスト等の感光
部材（図示せず）に反射する光反射面２３ａと、受けた
光をレジスト等の感光部材に対して遮光する光遮光面で
ある、凹部２５を形成する側壁２５Ｓや、底面２７と
が、実質的に平行でない。

【０１４５】より詳しくは、この反射型マスク２１で
は、反射型マスク２１の凹部２５を形成する底面２７
が、基板２２の底面２２ｂに対して、実質的に、平行で
ないように形成され、凸部２４の頂部表面２３ａ、すな
わち、光吸収性部材２３の頂部表面２３ａが、基板２２
の底面２２ｂに対し、実質的に平行になるように形成さ
れる。

【０１４６】実施例３ 図７は、本発明に従う反射型マスクの一実施例を概略的
に示す断面図である。

【０１４７】図７を参照して、この反射型マスク４１
は、たとえば、Ｘ線露光装置等に用いられる反射型マス
クを示しており、Ｘ線等の紫外線領域の光を吸収する光
吸収性特性を有する基板４２と、基板４２の凸部の頂部
表面４２ａ上に形成され、Ｘ線等の紫外線領域の光を反
射する光反射性特性を有する光反射性部材４３とを含
む。

【０１４８】なお、基板４２の材質としては、実施例１
に示す反射型マスク１の基板２の材質と同様のものを用
いることができるので、ここでの説明は省略する。

【０１４９】また、光反射性部材４３の材質としては、
実施例１に示す反射型マスク１の光吸収性部材３と同様
のものを用いることができるので、ここでの説明は省略
する。

【０１５０】ところで、図７および図４を参照して、こ
の反射型マスク４１は、以下の点を除いて、図４に示す
反射型マスク２１と同様の構成である。

【０１５１】すなわち、反射型マスク４１において、図
４に示す反射型マスク２１の基板２２が基板４２に、光
反射性部材２３が光反射性部材４３に、所望形状のパタ
ーンを有する凸部２４が所望形状のパターンを有する凸
部４４に、凹部２５が凹部４５にそれぞれ対応する。

【０１５２】凸部４４の頂部表面４３ａ、すなわち、光
反射性部材４３の頂部表面４３ａは、光反射性特性を有
する。

【０１５３】また、凹部４５は、側壁４５ｓと、基板４
２で形成される底面４７とを備える。

【０１５４】底面４７は、光吸収性特性を有する。ま
た、凹部４５の側壁４５Ｓは、光吸収性特性を有する基
板４２により形成される側壁４２Ｓと、光反射性特性を
有する光反射性部材４３により形成される側壁４３Ｓと
を備える。

【０１５５】また、この反射型マスク４１は、凹部４５
を構成する底面４７と、反射型マスク４１の凸部４４の
頂部表面４３ａ、すなわち、光反射性部材４３の頂部表
面４３ａとが平行でないように構成されている。

【０１５６】この反射型マスク４１では、凸部４４の頂
部表面４３ａ、すなわち、受けた光をレジスト等の感光
部材（図示せず）に反射する光反射面４３ａと、受けた
光をレジスト等の感光部材に対して遮光する光遮光面で
ある、凹部４５を形成する側壁４５Ｓや、底面４７と
が、実質的に平行でない。

【０１５７】したがって、図７に示す反射型マスク４１
は、凹部４５の側壁４５Ｓとして、光吸収性特性を有す
る基板４２により構成される側壁４２Ｓを含む構成と、
反射型マスク４１の凸部４４の頂部表面、すなわち、光
反射性部材４３の表面４３ａとが平行でないという構成
を有しているので、図４に示す反射型マスク２１と同様
の効果を奏する。

【０１５８】ところで、図７および図４を参照して、こ
の反射型マスク４１では、反射型マスク４１の凹部４５
を構成する底面４７が、基板４２の底面４２ｂに対し
て、平行になるように形成され、凸部４４の頂部表面、
すなわち、光吸収性部材４３の表面が、基板４２の底面
４２ｂに対し、実質的に、平行でないように形成される
点において、図４に示す反射型マスク２１と特に異なっ
ている。

【０１５９】反射型マスク２１と反射型マスク４１と
は、たとえば、Ｘ線露光装置の構成によって、使い分け
ることができる。

【０１６０】なお、この反射型マスク４１の動作原理に
ついては、図４に示す反射型マスク２１の動作原理と同
様であるのでその説明を省略する。

【０１６１】次に、この反射型マスク４１の製造方法に
ついて、図を参照しながら、以下に説明する。

【０１６２】図８〜図１０は、反射型マスク４１の製造
プロセスを概略的に示す断面図である。

【０１６３】図８を参照して、まず、図８（ａ）に示す
工程において、支持体４８の表面４８ａ上に、たとえ
ば、基板４９を設ける。

【０１６４】次に、図８（ｂ）に示す工程において、基
板４９の表面４９ａ上に、たとえば、典型的には、ポリ
メチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）を材料とするレジス
ト層５０を所望の厚さ（数１０μｍ〜数１００μｍ）で
形成する。

【０１６５】次に、図８（ｃ）に示す工程において、基
板４９の表面４９ａ上に形成したレジスト層５０を、図
８（ｃ）に示すように、レジスト層５０の表面５０ａ
が、基板４９の表面４９ａに対し、傾斜するように研磨
して、基板４９の表面４９ａ上に、基板４９の表面４９
ａに対して、傾斜した表面５０ｉを有するレジスト層５
０ｂを形成する。

【０１６６】次に、所望の吸収体パターン５１ａを有す
るＸ線マスク５１を用い、たとえば、シンクロトロン放
射光（ＳＲ光）のＸ線等の紫外線領域の光、より好まし
くは、０．３ｎｍ〜１．０ｎｍ、程度の波長の光で、レ
ジスト層５０ｂを露光する。

【０１６７】次に、図８（ｄ）に示す工程において、図
８（ｃ）に示す工程において露光したレジスト層５０ｂ
を現像し、所望形状の開口部５２ｈを有するレジストパ
ターン５２を形成する。

【０１６８】次に、図９（ａ）に示す工程において、レ
ジストパターン５２を有する基板４９を、たとえば、Ａ
ｌ₃ Ｎ₄ 、Ｐｂ（Ｔｉ_0.5 Ｚｒ_0.5 ）Ｏ₃ 等のセラミッ
クス材料を微細に粉砕して分散させた電解液（ゾル液）
５３中に浸漬する。

【０１６９】そして、レジストパターン５２を有する基
板４９を陰極として、電解液５３中にもう１つの電極５
４を設け、これを陽極として、この陽極と陰極との間に
所定の電圧を印加する。

【０１７０】図９（ｂ）を参照して、この工程におい
て、レジストパターン５２の開口部５２ｈを埋込むよう
に、たとえば、Ａｌ₃ Ｎ₄ 、Ｐｂ（Ｔｉ_0.5 Ｚｒ_0.5 ）
Ｏ₃ 等のセラミックス材料５５が堆積する。

【０１７１】次に、図９（ｃ）に示す工程において、支
持体４８、基板４９およびレジストを除去し、しかるの
ちに、堆積したセラミックス材料５５を焼成することに
より、所望形状のパターンを有するセラミックス構造体
（セラミックス焼結体）５６を得る。

【０１７２】次に、図１０（ａ）に示す工程において、
セラミックス構造体（セラミックス焼結体）５６を鋳型
として、鋳型５６に、Ａｌ₃ Ｎ₄ 、Ｐｂ（Ｔｉ_0.5 Ｚｒ
_0.5）Ｏ₃ 等のセラミックス材料を微細に粉砕して、溶
媒中に分散させたスラリー等のマスク母材５７を流し込
み、固化させる。

【０１７３】次に、図１０（ｂ）に示す工程において、
鋳型５６を除去することにより、所望形状のパターンを
有するセラミックス構造体（基板）４２が得られる。

【０１７４】次に、図１０（ｃ）に示す工程において、
セラミックス構造体（基板）４２の凸部の頂部表面２ａ
上に、上記した、Ｍｏ／Ｓｉ多層膜、Ｒｕ／Ｂ₄ Ｃ多層
膜またはＮｉＣｒ／Ｃ多層膜等の多層膜からなる光吸収
性部材４３を堆積させることにより、反射型マスク４１
を得る。

【０１７５】なお、セラミックス構造体（基板）４２の
凸部の頂部表面４２ａ上に、選択的に上記した多層膜を
形成する工程は、実施例１と同様であるので、その説明
を省略する。

【０１７６】なお、本実施例では、図９（ａ）〜図１０
（ｃ）に示す工程において、セラミックス構造体５６を
形成し、このセラミックス構造体５６を鋳型として用
い、鋳型５６にマスク母材５７を流し込み、固化させた
後、鋳型５６を除去して、セラミックス構造体（基板）
４２を得る工程を示したが、反射型マスク４１の製造方
法は、上記した製造方法に限定されることはない。

【０１７７】たとえば、図９（ａ）に示す工程におい
て、電鋳、電気メッキまたは無電解メッキなどにより、
Ｎｉ、Ｎｉ／Ｃｏ合金等からなる金属構造体を形成し、
この金属構造体を鋳型として用い、セラミックス構造体
（基板）４２を得てもよい。

【０１７８】また、セラミックス構造体（基板）４２を
得る工程として、金属構造体からなる鋳型を陰極として
用いる以外は、図６（ａ）〜図６（ｃ）に示す工程と同
様の工程を用いてもよい。

【０１７９】実施例４ 図１１は、本発明に従う反射型マスクの一実施例を概略
的に示す断面図である。

【０１８０】図１１を参照して、この反射型マスク６１
は、たとえば、Ｘ線露光装置等に用いられる反射型マス
クを示しており、所望形状のパターンが形成された基板
６２と、基板６２の表面の全面６２ｃを一様に覆うよう
に形成され、Ｘ線等の紫外線領域の光を反射する光反射
性特性を有する光反射性部材６３とを含む。

【０１８１】基材の材質としては、一定の機械的強度を
有するものであれば、特に限定されることはないが、た
とえば、光反射性部材６３との密着性、熱膨張率等を考
慮して選択することができる。そのような基材の材質と
しては、たとえば、Ａｌ₃ Ｎ ₄ 、Ｐｂ（Ｔｉ_0.5 Ｚｒ
_0.5 ）Ｏ₃ 等のセラミックス材料や、Ｎｉ、Ｎｉ／Ｃｏ
合金等の金属材料などを挙げることができる。

【０１８２】また、光反射性部材６３としては、たとえ
ば、Ｍｏ／Ｓｉ多層膜、Ｒｕ／Ｂ₄Ｃ多層膜ＮｉＣｒ／
Ｃ多層膜等の多層膜を挙げることができる。

【０１８３】ところで、この反射型マスク６１では、基
板６２に、所望形状のパターンが形成されている。

【０１８４】所望形状のパターンに対応する部分は、凸
部６４を形成している。そして、残りの部分は、凹部６
５を形成している。

【０１８５】凹部６５を形成する面、すなわち、本実施
例で示される側壁６５Ｓおよび底面６７は、凸部６４の
頂部表面６３ａ、すなわち、光反射性部材６３の頂部表
面６３ａと平行でない。

【０１８６】この反射型マスク６１では、凸部６４の頂
部表面６３ａ、すなわち、受けた光をレジスト等の感光
部材（図示せず）に反射する光反射面６３ａと、受けた
光をレジスト等の感光部材（図示せず）に対し遮光する
光遮光面である、凹部６５を形成する側壁６５Ｓや、底
面６７とが平行でない。

【０１８７】より詳しくは、凹部６５の側壁６５Ｓは、
凸部６４の頂部表面、すなわち、光反射性部材６３の頂
部表面６３ａと、直交またはおおむね直交するように形
成される。また、凹部６５の底面６７は、凸部６４の頂
部表面６３ａ、すなわち、光反射性部材６３の頂部表面
６３ａに対し、傾斜するように形成される。

【０１８８】この反射型マスク６１では、凹部６５を形
成する面が、凸部６４の頂部表面６３ａと平行でない面
を有し、凸部６４および凹部６５の表面は、ともにＸ線
等の紫外線領域の光を反射する光反射性特性を有する。

【０１８９】より詳しくは、この反射型マスク６１で
は、凹部６５を形成する側壁６５Ｓおよび底面６７が、
凸部６４の頂部表面６３ａ、すなわち、光反射性部材６
３の頂部表面６３ａと平行でないように構成され、凸部
６４の頂部表面６３ａと、凹部６５の側壁６５Ｓおよび
底面６７とが、ともに、Ｘ線等の紫外線領域の光を反射
する光反射性特性を有する光反射性部材６３により構成
される。

【０１９０】したがって、この反射型マスク６１では、
凹部６５を形成する面が、凸部６４の頂部表面６３ａと
平行でない面を有している結果、凸部６４の頂部表面６
３ａおよび凹部６５を形成する面の表面に平行に入射し
た光を、凹部６５を形成する面において、凸部６４の頂
部表面６３ａで反射した光の出射方向と、異なる出射方
向に変えることができる。

【０１９１】より詳しくは、この反射型マスク６１で
は、凹部６５を形成する、側壁６５Ｓと、底面６７と
が、凸部６４の頂部表面６３ａ、すなわち、光反射性部
材６３の頂部表面６３ａと平行でないように構成されて
いる結果、凸部６４の頂部表面６３ａ、すなわち、光反
射性部材６３の頂部表面６３ａ、および、凹部６５を形
成する側壁６５Ｓおよび／または底面６７に平行に入射
した光を、凹部６５を形成する側壁６５Ｓおよび／また
は底面６７により、凸部６４の頂部表面６３ａ、すなわ
ち、光反射性部材６３の頂部表面６３ａで反射した光の
出射方向と、異なる出射方向に変えることができる。

【０１９２】したがって、凹部６５を形成する面の、凸
部６４の頂部表面６３ａとなす角度を適宜選択すれば、
凹部６５を形成する面の表面で反射した光が、レジスト
等の感光部材（図示せず）に到達しないように調整する
ことができる。

【０１９３】また、凹部６５を形成する面の、凸部６４
の頂部表面６３ａとなす角度を適宜選択することによ
り、凹部６５を形成する面の表面で反射した光を、レジ
スト等の感光部材（図示せず）に転写されるパターン以
外の部分へ導くように調整することができる。

【０１９４】より詳しくは、凹部６５を形成する側壁６
５Ｓと凸部６４の頂部表面６３ａとのなす角度γ、およ
び／または、凹部６５を形成する底面６７と凸部６４の
頂部表面６３ａとのなす角度δを適宜選択することによ
り、凹部６５を形成する側壁６５Ｓおよび／または底面
６７で反射した光が、レジスト等の感光部材（図示せ
ず）に到達しないように調整したり、レジスト等の感光
部材（図示せず）に転写されるパターンに影響を与えな
い部分へ導くように調整したりすることができる。

【０１９５】また、凹部６５の表面が、Ｘ線等の紫外線
領域の光に対して光反射性特性を有していても、凹部６
５の表面で反射した光は、レジスト等の感光部材（図示
せず）に到達しないように調整されたり、レジスト等の
感光部材（図示せず）に転写されるパターンに影響を与
えない部分へ導くように調整されたりしているため、凹
部６５の表面は、レジスト等の感光部材（図示せず）に
対し、見かけ上の非反射部（遮光部）を形成する。

【０１９６】そして、この見かけ上の非反射部（遮光
部）は、その表面がＸ線等の紫外線領域の光を反射する
光反射性特性を有しているため、光を吸収せず、Ｘ線等
の紫外線領域の光を高い反射率で反射するため、この部
分には、熱が蓄えられない。

【０１９７】このため、従来の反射型マスク３０１に見
られるような、光吸収性特性を有する基材３０２の熱膨
張などが原因して起こる反射型マスクの歪が著しく減少
し、結果として、反射型マスク６１に設けられた所望形
状のパターンを、レジスト等の感光部材（図示せず）に
高精度に転写することができる。

【０１９８】次に、この反射型マスク６１の動作原理に
ついて説明する。反射型マスク６１に照射されたＸ線等
の紫外線領域の光Ｒ_i1，Ｒ_i2のうち、光反射性部材６３
の頂部表面６３ａ、すなわち、凸部６４の頂部表面６３
ａに入射した光Ｒ_i1は、光反射性部材６３の頂部表面６
３ａ、すなわち、凸部６４の光反射性特性を有する頂部
表面６３ａで反射され、レジスト等の感光部材（図示せ
ず）に到達する。

【０１９９】他方、反射型マスク６１に照射されたＸ線
等の紫外線領域の光のうち、凹部６５に入射したり光
は、凹部６５を形成する面、すなわち、側壁６５Ｓや底
面６７により、凸部６４の頂部表面６３ａに入射した光
の反射した光の出射方向と、異なる方向の光Ｒ_e2に変え
らることにより、凹部６５を形成する面の表面、すなわ
ち、側壁６５Ｓや底面６７で反射した光がレジスト等の
感光部材（図示せず）に到達しないように調整された
り、レジスト等の感光部材（図示せず）に転写されるパ
ターンに影響を与えない部分に導かれる。

【０２００】そして、レジスト等の感光部材（図示せ
ず）には、光反射性部材６３の頂部表面６３ａ、すなわ
ち、凸部６４の、光反射性特性を有する頂部表面６３ａ
で反射された光Ｒ_e1の光量と、凹部６５を形成する面、
すなわち、側壁６５Ｓや底面６７により、レジスト等の
感光部材以外へ反射されたり、レジスト等の感光部材に
転写されるパターンに影響を与えない部分へ反射された
りすることにより、減衰された光の光量の差により、反
射型マスク６１に設けられた所望のパターンが、レジス
ト等の感光部材に転写される。

【０２０１】次に、この反射型マスクの製造方法につい
て、図を参照しながら以下に説明する。

【０２０２】図１２〜図１３は、反射型マスク６１の製
造プロセスを概略的に示す断面図である。

【０２０３】図１２〜図１３および図５〜図６を参照し
て、この反射型マスク６１の製造方法は、以下の点を除
けば、図５〜図６に示す反射型マスク２１の製造方法と
同様のあるので、相当する部材については、相当する参
照符号を付して、その説明を省略する。

【０２０４】反射型マスク６１の製造方法では、図１３
（ａ）〜図１３（ｃ）に示す工程において、基板６２と
して、反射型マスク２１の製造方法と同様にして、セラ
ミックス構造体３２を形成しても、また、電鋳または電
気メッキ等により、Ｎｉ、Ｎｉ／Ｃｏ合金等の金属構造
体を形成してもよいという点において、反射型マスク２
１の製造方法と異なっている。

【０２０５】基板６２として、金属構造体を形成する場
合は、図１３（ａ）に示す工程において、電解液（ゾル
液）３３の代わりに、ニッケル（Ｎｉ）イオン、また
は、ニッケル（Ｎｉ）イオンとコバルト（Ｃｏ）イオン
等の金属イオンを含む溶液を用いればよい。そして、図
１３（ａ）に示す工程と同様の工程により、レジストパ
ターン３２の開口部３２ｈを埋込むように、Ｎｉ、Ｎｉ
／Ｃｏ合金等の金属を堆積させた後、支持体２８、基板
２９およびレジストを除去することにより、所望形状の
パターンを有する金属構造体（基板）６２を得る。

【０２０６】また、図１３（ｄ）に示す工程において、
セラミックス構造体または金属構造体からなる基板６２
の表面の全面６２ｃを一様に覆うように、上記した、Ｍ
ｏ／Ｓｉ多層膜、Ｒｕ／Ｂ₄ Ｃ多層膜、ＮｉＣｒ／Ｃ多
層膜等の多層膜からなる光反射性部材６３を形成するこ
とにより、反射型６１を得るという点において、反射型
マスク２１の製造方法と異なっている。

【０２０７】なお、このような多層膜の形成には、電子
ビーム蒸着法、イオンビームスパッタ法、ＲＦマグネト
ロンスパッタ法等を用いることができる。

【０２０８】図１１を再び参照して、以上の工程により
製造される反射型マスク６１は、反射型マスク６１の凹
部６５を形成する底面６７が、基板６２の底面６２ｂに
対して、実質的に、平行でないように形成され、凸部６
４の頂部表面６３ａ、すなわち、光反射性部材６３の頂
部表面６３ａが、基板６２の底面６２ｂに対し、実質的
に、平行になるように形成される。

【０２０９】実施例５ 図１４は、本発明に従う反射型マスクの一実施例を概略
的に示す断面図である。

【０２１０】図１４を参照して、この反射型マスク８１
は、たとえば、Ｘ線露光装置等に用いられる反射型マス
クを示しており、所望形状のパターンが形成された基板
８２と、基板８２の表面の全面８２ｃを一様に覆うよう
に形成され、Ｘ線等の紫外線領域の光を反射する光反射
性特性を有する光反射性部材８３とを含む。

【０２１１】なお、基板８２の材質としては、実施例４
に示す反射型マスク６１の基板６２の材質と同様のもの
を用いることができるので、ここでの説明は省略する。

【０２１２】また、光反射性部材８３の材質としては、
実施例４に示す反射型マスク６１の光反射性部材６３と
同様のものを用いることができるので、ここでの説明は
省略する。

【０２１３】ところで、図１４および図１１を参照し
て、この反射型マスク８１は、以下の点を除いて、図１
１に示す反射型マスク６１と同様の構成である。

【０２１４】すなわち、反射型マスク８１において、図
１１に示す反射型マスク６１の基板６２が基板８２に、
光反射性部材６３が光反射性部材８３に、所望形状のパ
ターンを有する凸部６４が所望形状のパターンを有する
凸部８４に、凹部６５が凹部８５にそれぞれ対応する。

【０２１５】そして、凹部６５を形成する面、すなわ
ち、本実施例で示される側壁８５Ｓおよび底面８７は、
ともに、図１１に示す反射型マスク６１と同様、光反射
性特性を有する。

【０２１６】また、凹部８５を形成する面、すなわち、
本実施例で示される側壁８５Ｓおよび底面８７は、凸部
８４の頂部表面８３ａ、すなわち、光反射性部材８３の
頂部表面８３ａと平行でないように構成されている。

【０２１７】この反射型マスク８１では、凸部８４の頂
部表面８３ａ、すなわち、受けた光をレジスト等の感光
部材（図示せず）に反射する光反射面８３ａと、受けた
光をレジスト等の感光部材（図示せず）に対して遮光す
る光遮光面である、凹部８５を形成する側壁８５Ｓや、
底面８７とが平行でない。

【０２１８】したがって、図１４に示す反射型マスク８
１は、凸部８４および凹部８５の表面が、ともに光反射
性特性を有するという構成と、凹部８５を形成する面、
すなわち、側壁８５Ｓおよび底面８７が、凸部８４の頂
部表面８３ａ、すなわち、光反射性部材８３の頂部表面
８３ａと平行でないという構成を有しているので、図１
１に示す反射型マスク６１と同様の効果を奏する。

【０２１９】ところで、図１４および図１１を参照し
て、この反射型マスク８１では、反射型マスク８１の凹
部８５を形成する底面８７が、基板８２の底面８２ｂに
対して、平行になるように形成され、凸部８４の頂部表
面８３ａ、すなわち、光反射性部材８３の頂部表面８３
ａが、基板８２の底面８２ｂに対し、平行でないように
形成されている点において、図１１に示す反射型マスク
６１と特に異なっている。

【０２２０】反射型マスク６１と反射型マスク８１と
は、たとえば、Ｘ線露光装置の構成によって、使い分け
ることができる。

【０２２１】なお、この反射型マスク８１の動作原理に
ついては、図１１に示す反射型マスク６１の動作原理と
同様であるので、その説明を省略する。

【０２２２】次に、この反射型マスク８１の製造方法に
ついて、図を参照しながら、以下に説明する。

【０２２３】図１５〜図１７は、反射型マスク８１の製
造プロセスを概略的に示す断面図である。

【０２２４】図１５〜図１７および図８〜図１０を参照
して、この反射型マスク８１の製造方法は、以下の点を
除けば、図８〜図１０に示す反射型マスク４１の製造方
法と同様であるので、相当する部材については、相当す
る参照符号を付して、その説明を省略する。

【０２２５】反射型マスク８１の製造方法では、図１７
（ｂ）に示す工程において、反射型マスク４１の製造方
法と同様にして、セラミックス構造体（セラミックス焼
結体）５６を鋳型として、Ａｌ₃ Ｎ₄ 、Ｐｂ（Ｔｉ_0.5
Ｚｒ_0.5 ）Ｏ₃ 等のセラミックス材料を微細に粉砕し
て、溶媒中に分散させたスラリー等のマスク母材を流し
込み、固化させても、また、電鋳または電気メッキ等に
より、Ｎｉ、Ｎｉ／Ｃｏ合金等の金属構造体を形成して
もよいという点において、反射型マスク４１の製造方法
と異なっている。

【０２２６】また、図１７（ｃ）に示す工程において、
セラミックス構造体または金属構造体からなる基板８２
の表面の全面８２ｃを一様に覆うように、上記した、Ｍ
ｏ／Ｓｉ多層膜、Ｒｕ／Ｂ₄ Ｃ多層膜、ＮｉＣｒ／Ｃ多
層膜等の多層膜からなる光反射性部材８３を形成するこ
とにより、反射型マスク８１を得るという点において、
反射型マスク４１の製造方法と異なっている。

【０２２７】なお、このような多層膜の形成には、電子
ビーム蒸着法、イオンビームスパッタ法、ＲＦマグネト
ロンスパッタ法等を用いることができる。

【０２２８】実施例６ 図１８は、本発明に従う反射型マスクの一実施例を概略
的に示す図である。

【０２２９】図１８を参照して、図１８（ａ）は、たと
えば、Ｘ線露光装置等に用いられる反射型マスクの全体
構成を概略的に示す斜視図であり、図１８（ｂ）は、図
１８（ａ）に示す反射型マスクのＸＶＩＩＩ−ＸＶＩＩ
Ｉ線に従う概略的な断面図である。

【０２３０】図１８（ａ）および図１８（ｂ）を参照し
て、この反射型マスク１０１は、所望形状のパターンが
形成された基板１０２と、基板１０２の表面の全面１０
２ｃを一様に覆うように形成され、Ｘ線等の紫外線領域
の光を反射する光反射性特性を有する光反射性部材１０
３とを含む。

【０２３１】なお、基板１０２の材質としては、実施例
４に示す反射型マスク６１の基板６２の材質と同様のも
のを用いることができるので、ここでの説明は省略す
る。

【０２３２】また、光反射性部材１０３の材質として
は、実施例４に示す反射型マスク６１の光反射性部材６
２と同様のものを用いることができるので、ここでの説
明は省略する。

【０２３３】ところで、図１８（ｂ）および図１１を参
照して、この反射型マスク１０１は、以下の点を除い
て、図１１に示す反射型マスク６１と同様の構成であ
る。

【０２３４】すなわち、反射型マスク１０１において、
図１１に示す反射型マスク６１の基板６２が基板１０２
に、光反射性部材６３が光反射性部材１０３に、所望形
状のパターンを有する凸部６４が所望形状のパターンを
有する凸部１０４に、凹部６５が凹部１０５にそれぞれ
対応する。

【０２３５】そして、凹部１０５を形成する面、すなわ
ち、本実施例で示される側壁１０５Ｓは、図１１に示す
反射型マスク６１と同様、光反射性特性を有する。

【０２３６】また、凹部１０５を形成する面、すなわ
ち、本実施例で示される側壁１０５Ｓは、凸部１０４の
頂部表面１０３ａ、すなわち、光反射性部材１０３の頂
部表面１０３ａと平行でないように構成されている。

【０２３７】この反射型マスク１０１では、凸部１０４
の頂部表面１０３ａ、すなわち、受けた光をレジスト等
の感光部材（図示せず）に反射する光反射面１０３ａ
と、受けた光をレジスト等の感光部材（図示せず）に対
し遮光する光遮光面である、凹部１０５を形成する側壁
１０５Ｓとが平行でない。

【０２３８】したがって、図１８に示す反射型マスク１
０１は、凸部１０４および凹部１０５の表面が、とも
に、光反射性特性を有するという構成と、凹部１０５を
形成する面、すなわち、側壁１０５Ｓが凸部１０４の頂
部表面１０３ａ、すなわち、光反射性部材１０３の頂部
表面１０３ａと平行でないという構成を有しているの
で、図１１に示す反射型マスク６１と同様の効果を奏す
る。

【０２３９】ところで、図１８および図１１を参照し
て、この反射型マスク１０１では、反射型マスク１０１
を構成する所望形状のパターンを有する凸部１０４の断
面が、平らに形成された頂部表面１０３ａと傾斜した側
壁１０５Ｓで構成され、凹部１０５の断面が、側壁１０
５Ｓ，１０５ＳによりＶ溝形状またはおおむねＶ溝形状
に構成されている点において、図１１に示す反射型マス
クと異なっている。

【０２４０】次に、この反射型マスク１０１の製造方法
について、図を参照しながら、以下に説明する。

【０２４１】図１９〜図２１は、反射型マスク１０１の
製造プロセスを概略的に示す断面図である。

【０２４２】図１９を参照して、まず、図１９（ａ）に
示す工程において、支持体１０８の表面１０８ａ上に、
基板１０９を設ける。なお、基板１０９としては、その
表面１０９ａが鏡面加工されているものを用いるのが好
ましい。

【０２４３】次に、図１９（ｂ）に示す工程において、
基板１０９の表面１０９ａ上に、たとえば、典型的に
は、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）を材料とす
るレジスト層１１０を所望の厚さ（数１０μｍ〜数１０
０μｍ）で形成する。

【０２４４】次に、図１９（ｃ）に示す工程において、
所望形状の吸収体１１１ａを有するＸ線マスク１１１を
用い、たとえば、シンクロトロン放射光（ＳＲ光）のＸ
線等の紫外線領域の光、より好ましくは、０．３ｎｍ〜
１．０ｎｍ程度の波長の光で、レジスト層１１０を露光
する。

【０２４５】この工程において、まず、レジスト層１１
０を有する基板１０９および／または支持体１０８と、
Ｘ線マスク１１１とを、ホルダ（図示せず）を用い、Ｘ
線マスク１１１とレジスト層１１０との間の距離Ｌ₁₀₀
を一定の距離、たとえば、数１０μｍ程度に保って、固
定する。

【０２４６】なお、図１９（ｃ）を参照して、Ｘ線マス
ク１１１の吸収体１１１ａは、スリット状の開口部１１
１ｈを有し、かつ吸収体１１０ａの端部のそれぞれに
は、たとえば、金（Ａｕ）等からなる全吸収体層１１１
ｃが設けられる。

【０２４７】吸収体１１１ａの端部のそれぞれに、全吸
収体層１１１ｃを設けるのは、Ｘ線マスク１１１を、シ
ンクロトロン放射光（ＳＲ光）に対して、垂直な面１２
０に対して、レジスト層１１１が形成された基板１０９
および／または支持体１０８とともに、ある方向にある
角度傾斜させることにより生じる吸収体パターン１１０
ａの端部における、シンクロトロン放射光（ＳＲ光）に
対する見かけ上の吸収体パターン１１０ａの端部の減肉
を避けるためである。

【０２４８】次に、シンクロトロン放射光（ＳＲ光）に
対して垂直な面１２０に対して、αの角度だけ、Ｘ線マ
スク１１１およびレジスト層１１０が形成された基板１
０９および／または支持体１０８を傾斜させて、Ｘ線マ
スク１１１を用いて、レジスト層１１０について、シン
クロトロン放射光（ＳＲ光）を用いて、選択的に露光す
る第１の露光工程を行なう。

【０２４９】次に、図２０（ａ）に示す工程において、
図１９（ｃ）に示す第１の露光工程により露光したレジ
スト層１１０を有する基板１０９および／または支持体
１０８をシンクロトロン放射光（ＳＲ光）に対し垂直な
面１２０に対して、βの角度だけ、Ｘ線マスク１１１お
よびレジスト層１１０が形成された基板１０９および／
または支持体１０８を傾斜させて、Ｘ線マスク１１０を
用いて、レジスト層１１０について、シンクロトロン放
射光（ＳＲ光）を用いて選択的に露光する第２の露光工
程を行なう。

【０２５０】次に、図２０（ｂ）に示す工程において、
第１および第２の露光工程により露光したレジスト層１
１０を現像すると、基板１０９上に、開口部１１２ｈを
有するレジストパターン１１２が形成される。なお、本
実施例によれば、レジストパターン１１２の開口部１１
２ｈは、傾斜した側壁１１２Ｓを有し、レジストパター
ン１１２の開口部１１２ｈを通じて、基板の表面１０９
ａが、Ｘ線マスク１１１の吸収体パターンにより、露出
するように形成される。

【０２５１】次に、図２１（ａ）に示す工程において、
レジストパターン１１２を有する基板１０９を、たとえ
ば、Ａｌ₃ Ｎ₄ 、Ｐｂ（Ｔｉ_0.5 Ｚｒ_0.5 ）Ｏ₃ 等のセ
ラミックス材料を微細に粉砕して分散させた電解液（ゾ
ル液）１１３中に浸漬する。

【０２５２】そして、レジストパターン１１２を有する
基板１０９を陰極とし、電解液１１３中にもう１つの電
極１１４を設けて、これを陽極とし、この陽極と陰極と
の間に電圧を印加する。

【０２５３】図２１（ｂ）を参照して、この工程におい
て、レジストパターン１１２の開口部１１２ｈを埋め込
むように、たとえば、Ａｌ₃ Ｎ₄ 、Ｐｂ（Ｔｉ_0.5 Ｚｒ
_0.5）Ｏ₃ 等のセラミックス材料１１５が堆積する。

【０２５４】次に、図２１（ｃ）に示す工程において、
基板１０９、レジストおよび／または支持体１０８を除
去し、しかる後に、堆積したセラミックス材料１１５を
焼成することにより、所望形状のパターンを有するセラ
ミックス構造体（セラミックス焼結体、すなわち、基
板）１０２が得られる。

【０２５５】次に、図２１（ｄ）に示す工程において、
セラミックス構造体からなる基板１０２の表面の全面１
０２ｃを一様に覆うように、上記した、Ｍｏ／Ｓｉ多層
膜、Ｒｕ／Ｂ₄ Ｃ多層膜、ＮｉＣｒ／Ｃ多層膜等の多層
膜からなる光反射性部材１０３を形成することにより、
反射型マスク１０１を得る。

【０２５６】なお、本実施例では、図２０（ｂ）を再び
参照して、傾斜した側壁１１２Ｓを有する開口部１１２
ｈを有するレジストパターン１１２を形成する工程にお
いて、基板１０９上にレジスト層１１０を形成した後、
レジスト層１１０が形成された基板１０９を、シンクロ
トロン放射光（ＳＲ光）に垂直な面１２０に対して、あ
る方向にある角度α傾斜させて、レジスト層１１０に開
口部１１２ｈの一方側の側壁に相当する部分を選択的に
露光する第１の露光工程を行ない、しかる後に第１の露
光工程により露光したレジスト層１１０を有する基板１
０９を、シンクロトロン放射光（ＳＲ光）に垂直な面１
２０に対し、ある方向にある角度β傾斜させて、第１の
露光工程により露光したレジスト層１１０について、開
口部１２１ｈの他方側の側壁に相当する部分を選択的に
露光する第２の露光工程を行ない、しかる後に第１およ
び第２の露光工程により露光したレジスト層１１０を現
像する工程を示したが、このような、傾斜した側壁１１
２Ｓを有する開口部１１２ｈを有するレジストパターン
１１２を形成する工程は、以上のような工程に限定され
ることはない。

【０２５７】たとえば、そのような方法として、基板１
０９上にレジスト層１１０を形成した後、傾斜した側面
を有する吸収体を備えたＸ線マスクを介して、シンクロ
トロン放射光（ＳＲ光）を用いて、レジスト層１１０を
露光し、しかる後に、露光したレジスト層１１０を現像
して、Ｘ線マスクの吸収体の傾斜側面に対応する傾斜側
面を有する開口部を含むレジストパターンを形成しても
よい。

【０２５８】なお、以上の実施例１〜６に関する開示
は、本発明の単なる具体例にすぎず、本発明の技術的範
囲を何ら制限するものではない。

【０２５９】本発明においては、他にいろいろな変形例
が可能なことは言うまでもない。図２２は、本発明に従
うそのような変形例としての反射型マスクの実施例を概
略的に示す断面図である。

【０２６０】図２２を参照して、図２２（ａ）に示す反
射型マスク１２１は、所望形状のパターンが形成された
基板１２２と、基板１２２の表面の全面１２２ｃを一様
に覆うように形成され、Ｘ線等の紫外線領域の光を反射
する光反射性特性を有する光反射性部材１２３とを含
む。

【０２６１】所望形状のパターンに対応する部分は凸部
１２４を形成し、残りの部分は凹部１２５を形成する。

【０２６２】凹部１２５を形成する面、すなわち、凹部
１２５を形成する側壁１２５Ｓ₁ 、１２５Ｓ₂ のそれぞ
れは、凸部１２４の頂部表面１２３ａと平行でない。

【０２６３】そして、凸部１２４および凹部１２５の表
面は、ともに光反射性特性を有する。

【０２６４】この反射型マスク１２１では、凸部１２４
の頂部表面１２３ａが、受けた光をレジスト等の感光部
材（図示せず）に反射する光反射面を形成する。

【０２６５】また凹部１２５を形成する側壁１２５
Ｓ₁ 、１２５Ｓ₂ が、受けた光をレジスト等の感光部材
（図示せず）に対して遮光する光遮光面を形成する。

【０２６６】この反射型マスク１２１では、凹部１２５
を形成する一方側の側壁１２５Ｓ₂が、凸部１２４の頂
部表面１２３ａと、実質的に直交している点において、
図１８に示す反射型マスク１０１と異なっている。

【０２６７】このような反射型マスク１２１は、図１９
（ｃ）に示す工程において、α＝０°として第１の露光
工程を行ない、図２０（ａ）に示す工程において、０＜
β＜９０°として第２の露光工程を行なうか、または、
図１９（ｃ）に示す工程において、０＜α＜９０°とし
て第１の露光工程を行ない、図２０（ａ）に示す工程に
おいて、β＝０°として第２の露光工程を行なうかのい
ずれかの工程を用いる以外は、実施例６と同様の工程に
より製造することができる。

【０２６８】また、図２２（ｂ）を参照して、この反射
型マスク１４１は、所望形状のパターンが形成された基
板１４２と、基板１４２の表面の全面１４２ｃを一様に
覆うように形成され、Ｘ線等の紫外線領域の光を反射す
る光反射性特性を有する光反射性部材１４３とを含む。

【０２６９】この反射型マスク１４１は、レジスト等の
感光部材（図示せず）に転写する所望形状のパターンを
形成するために設けれらた、受けた光をレジスト等の感
光部材（図示せず）に反射する光反射面１４３ａと、受
けた光をレジスト等の感光部材（図示せず）に対し遮光
する光遮光面１４３ｂとを備える。

【０２７０】そして、光反射面１４３ａと光遮光面１４
３ｂとは、図２２（ｂ）より明らかなように、平行でな
い。

【０２７１】なお、この反射型マスク１４１は、実施例
６と同様の方法により製造することができるので、その
説明を省略する。

【０２７２】

【発明の効果】以上詳細に説明したとおり、第１の発明
に従う反射型マスクは、凹部の側壁および底面が、少な
くとも光吸収性特性を有する結果、凹部の底面のみが、
少なくとも光吸収性特性を有する従来の反射型マスクに
比べ、反射型マスクに設けられた所望形状のパターンを
レジスト等の感光部材に高いコントラストを有するよう
に、かつシャープに転写することができる。

【０２７３】第２の発明に従う反射型マスクは、凹部の
表面が、凸部の頂部表面と平行でないという構成を有す
る結果、第２の発明に従う反射型マスクでは、第２の発
明に従う反射型マスクに平行に入射した光を、凹部の表
面において、凸部の頂部表面で反射した光の出射方向と
異なる出射方向に変えることができる。その結果、従来
の凹部の底面と凸部の光反射性特性を有する頂部表面と
が平行に構成される反射型マスクに比べ、所望形状のパ
ターンをレジスト等の感光部材に、高精度に、高いコン
トラストを有するように、かつシャープなパターンとし
て転写することができる。

【０２７４】また、第３の発明に従う反射型マスクは、
凹部を形成する面は、凸部の頂部表面と平行でない面を
有し、凸部および凹部の表面は、ともに光反射性特性を
有する。第３の発明に従う反射型マスクは、凹部を形成
する面が、凸部の頂部表面と平行でないという構成を有
するので、第２の発明と同様の効果を奏する。

【０２７５】さらに、従来の受けた光を吸収する非反射
面（光吸収面）を有する反射型マスクに比べ、第３の発
明に従う反射型マスクは、反射型マスクの歪が著しく減
少する。

【０２７６】その結果、第３の発明に従う反射型マスク
は、反射型マスクに設けられた所望形状のパターンを、
レジスト等の感光部材に高精度に転写することができ
る。

【０２７７】また、第４の発明に従う反射型マスクは、
光反射面と光遮光面とが平行でないという構成を有する
結果、第２または第３の発明と同様の効果を奏する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に従う反射型マスクの一実施例を概略的
に示す断面図である。

【図２】本発明に従う反射型マスクの製造プロセスを概
略的に示す断面図である。

【図３】本発明に従う反射型マスクの製造プロセスを概
略的に示す断面図である。

【図４】本発明に従う反射型マスクの一実施例を概略的
に示す断面図である。

【図５】本発明に従う反射型マスクの製造プロセスを概
略的に示す断面図である。

【図６】本発明に従う反射型マスクの製造プロセスを概
略的に示す断面図である。

【図７】本発明に従う反射型マスクの一実施例を概略的
に示す断面図である。

【図８】本発明に従う反射型マスクの製造プロセスを概
略的に示す断面図である。

【図９】本発明に従う反射型マスクの製造プロセスを概
略的に示す断面図である。

【図１０】本発明に従う反射型マスクの製造プロセスを
概略的に示す断面図である。

【図１１】本発明に従う反射型マスクの一実施例を概略
的に示す断面図である。

【図１２】本発明に従う反射型マスクの製造プロセスを
概略的に示す断面図である。

【図１３】本発明に従う反射型マスクの製造プロセスを
概略的に示す断面図である。

【図１４】本発明に従う反射型マスクの一実施例を概略
的に示す断面図である。

【図１５】本発明に従う反射型マスクの製造プロセスを
概略的に示す断面図である。

【図１６】本発明に従う反射型マスクの製造プロセスを
概略的に示す断面図である。

【図１７】本発明に従う反射型マスクの製造プロセスを
概略的に示す断面図である。

【図１８】本発明に従う反射型マスクの一実施例を概略
的に示す図である。

【図１９】本発明に従う反射型マスクの製造プロセスを
概略的に示す断面図である。

【図２０】本発明に従う反射型マスクの製造プロセスを
概略的に示す断面図である。

【図２１】本発明に従う反射型マスクの製造プロセスを
概略的に示す断面図である。

【図２２】本発明に従う反射型マスクの他の実施例を概
略的に示す断面図である。

【図２３】従来のＸ線縮小露光装置の一例を概略的に示
す構成図である。

【図２４】従来の反射型マスクを概略的に示す断面図で
ある。

【図２５】従来の反射型マスクの製造プロセスを概略的
に示す断面図である。

【図２６】従来の反射型マスクの製造プロセスを概略的
に示す断面図である。

【符号の説明】

１ 反射型マスク ２ 基板 ２Ｓ、３Ｓ、５Ｓ 側壁 ３ 光反射性部材 ３ａ 凸部の頂部表面（光反射性部材の頂部表面） ４ 凸部 ５ 凹部 ７ 底面

フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H01L 21/027

Claims (6)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 所望形状のパターンを有する反射型マス
   クであって、前記所望形状のパターンが形成された基板
   を含み、前記所望形状のパターンに対応する部分は凸部
   を形成し、残りの部分は凹部を形成し、前記凸部の頂部
   表面は、光反射性特性を有し、前記凹部の側壁および底
   面は、少なくとも光吸収性特性を有する、反射型マス
   ク。
2. 【請求項２】 前記凹部の底面は、前記凸部の頂部表面
   と平行でない、請求項１に記載の反射型マスク。
3. 【請求項３】 開口部を有するレジストパターンを基板
   上に形成する工程と、 前記レジストパターンの前記開口部を埋め込むように、
   紫外線領域の光を吸収する光吸収特性を有する材料を堆
   積する工程と、 前記基板と前記レジストパターンとを除去することによ
   り、所望形状のパターンを有する、紫外線領域の光を吸
   収する光吸収特性を有する構造体を得る工程と、 前記構造体の凸部の頂部表面上に、光反射特性を有する
   光反射性部材を堆積する工程とを備えた、反射型マスク
   の製造方法。
4. 【請求項４】 開口部を有するレジストパターンを基板
   上に形成する工程と、 前記レジストパターンの前記開口部を埋め込むように、
   紫外線領域の光を吸収する光吸収特性を有する材料を堆
   積する工程と、 前記基板と前記レジストパターンとを除去することによ
   り、所望形状のパターンを有する、紫外線領域の光を吸
   収する光吸収特性を有する構造体を得る工程と、 前記構造体の凸部および凹部の表面に光反射特性を有す
   る光反射性部材を堆積する工程とを備え、 前記構造体を得る工程は、前記凸部の頂部表面と平行で
   ない表面を有する凹部を含む前記構造体を得る工程を含
   む、 反射型マスクの製造方法。
5. 【請求項５】 基板上に開口部を有するレジストパター
   ンを形成する工程と、 前記レジストパターンの前記開口部を埋め込むように、
   紫外線領域の光を吸収する光吸収特性を有する材料を堆
   積する工程と、 前記基板と前記レジストパターンとを除去することによ
   り、受けた光を感光部材に対し遮光する光遮光面を含
   む、所望形状のパターンを有する構造体を得る工程と、 感光部材に転写する所望形状のパターンを形成するため
   に設けられた光反射面であって、前記光遮光面に対して
   平行でなく、受けた光を前記感光部材に反射する光反射
   面を前記構造体の表面上に形成する工程とを備えた、反
   射型マスクの製造方法。
6. 【請求項６】 前記レジストパターンを形成する工程
   は、レジストに紫外線領域の波長の光を露光した後現像
   して前記レジストパターンを形成する工程を含む、請求
   項３から５のいずれか１項に記載の反射型マスクの製造
   方法。