JPS6093440A - Ｘ線露光用マスク - Google Patents
Ｘ線露光用マスクInfo
- Publication number
- JPS6093440A JPS6093440A JP58203066A JP20306683A JPS6093440A JP S6093440 A JPS6093440 A JP S6093440A JP 58203066 A JP58203066 A JP 58203066A JP 20306683 A JP20306683 A JP 20306683A JP S6093440 A JPS6093440 A JP S6093440A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ray
- rays
- hard
- mask
- materials
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/88—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof prepared by photographic processes for production of originals simulating relief
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（発明の技術分野）
この発明は、例えば１μｍ前後のきわめて微細なパター
ンを形成する場合に使用することができるＸ線露光用マ
スクに関するものである。
ンを形成する場合に使用することができるＸ線露光用マ
スクに関するものである。
通常、Ｘ線露光に用いられるＸ線露光用マスクは第１図
に示すようにＸ線吸収Ｎ３とＸ線透過基板２及びＳｔフ
レーム１から成っている。そしてＸ線透過基板２の材料
としては窒化シリコン（ＳｉＮ ）炭化シリコン（’５
ｉＣ） 、窒化ボロン（ＢＮ）等の無機材料やポリイミ
ド等の有機材料が用いられている。またＸ線吸収層３に
は軟Ｘ線に対して高い吸収係数をもつ金を用いるのが一
般的である。
に示すようにＸ線吸収Ｎ３とＸ線透過基板２及びＳｔフ
レーム１から成っている。そしてＸ線透過基板２の材料
としては窒化シリコン（ＳｉＮ ）炭化シリコン（’５
ｉＣ） 、窒化ボロン（ＢＮ）等の無機材料やポリイミ
ド等の有機材料が用いられている。またＸ線吸収層３に
は軟Ｘ線に対して高い吸収係数をもつ金を用いるのが一
般的である。
上記構成による従来のＸ線露光用マスクについてより詳
しく説明する。
しく説明する。
一般に、Ｘ＃ｌＡ？！光用マスクでは透過基板２の吸収
損失を減らすためにできるだけ吸収係数の小さな材料を
用いて薄膜化を実施している。透過基板２は、薄膜化を
実施することによって基板強度が低下してはならないし
、また軟Ｘ線吸収材料でパターン３を基板２上面に形成
するときに実施するエツチングに対する耐薬品性や耐熱
性をも有していなければならない。そしてこの透過基板
２上に形成される軟Ｘ線露光の吸収体３には軟Ｘ線に対
し吸収係数の大きな金（＾Ｕ）が用いられるが、この篩
は耐薬品性に優れているために、パターン形成にあたっ
て通常のリソグラフィ一工程で用いられるドライエツチ
ング技術を適用することは困難であり、そのためにリフ
トオフプロセスが一般に用いられている。
損失を減らすためにできるだけ吸収係数の小さな材料を
用いて薄膜化を実施している。透過基板２は、薄膜化を
実施することによって基板強度が低下してはならないし
、また軟Ｘ線吸収材料でパターン３を基板２上面に形成
するときに実施するエツチングに対する耐薬品性や耐熱
性をも有していなければならない。そしてこの透過基板
２上に形成される軟Ｘ線露光の吸収体３には軟Ｘ線に対
し吸収係数の大きな金（＾Ｕ）が用いられるが、この篩
は耐薬品性に優れているために、パターン形成にあたっ
て通常のリソグラフィ一工程で用いられるドライエツチ
ング技術を適用することは困難であり、そのためにリフ
トオフプロセスが一般に用いられている。
現在のＸ線リソグラフィーは軟Ｘ線の領域においてのみ
実用化に近い状態にある。しかしＸ線を利用したパター
ン形成技術をより高精度、超微細化の方向に発展させよ
うとする場合、軟Ｘ線では波長の制約から５０人程度の
描画しか得られず、しかも回折効果も多少残っているた
めに、軟Ｘ線では不十分であり、そのため回折効果の問
題にならない波長領域、すなわち硬Ｘ線を用いることが
重要である。
実用化に近い状態にある。しかしＸ線を利用したパター
ン形成技術をより高精度、超微細化の方向に発展させよ
うとする場合、軟Ｘ線では波長の制約から５０人程度の
描画しか得られず、しかも回折効果も多少残っているた
めに、軟Ｘ線では不十分であり、そのため回折効果の問
題にならない波長領域、すなわち硬Ｘ線を用いることが
重要である。
ところで、軟Ｘ線から硬Ｘ線へ移行すると材Ｕは透過性
が強くなってくるために、硬Ｘ線露光用マスクの透過基
板は従来の材料で十分であるが、吸収体はさらにその吸
収係数を大きくしなければ安定なコントラストが得られ
ない、という問題がある。
が強くなってくるために、硬Ｘ線露光用マスクの透過基
板は従来の材料で十分であるが、吸収体はさらにその吸
収係数を大きくしなければ安定なコントラストが得られ
ない、という問題がある。
この発明は上記のような従来のものの問題点に鑑みてな
されたもので、Ｘ線吸収層を、硬Ｘ線を吸収しやすい材
料を用いて形成することにより、安定したコントラスト
の微細パターンを得ることができるＸ線露光用マスクを
提供することを目的としている。
されたもので、Ｘ線吸収層を、硬Ｘ線を吸収しやすい材
料を用いて形成することにより、安定したコントラスト
の微細パターンを得ることができるＸ線露光用マスクを
提供することを目的としている。
以下、本発明の一実施例を図について説明する。
第２図は、本発明の一実施例によるＸ線露光用マスクを
示し、図において、第１図と同一符号は同一のものを示
す。３゛は本実施例におけるＸ線吸収層であり、０．５
人の波長で＾Ｕよりも吸収係数の大きなイリジウム（ｌ
ｒ）又は白金（ＰＬ）でパターン形成されている。
示し、図において、第１図と同一符号は同一のものを示
す。３゛は本実施例におけるＸ線吸収層であり、０．５
人の波長で＾Ｕよりも吸収係数の大きなイリジウム（ｌ
ｒ）又は白金（ＰＬ）でパターン形成されている。
次に作用効果について説明する。
硬Ｘ線領域ではほとんどの材料が透過性を強く有するた
めに透過基板２材料は従来のようなＳｉＮ 。
めに透過基板２材料は従来のようなＳｉＮ 。
ＳｉＣＪＮ等の無機材料やポリイミド等の有機材料を用
いることができる。また吸収層３°材料であるｌｒは＾
Ｕと同様に化学的に安定しており、耐薬品性が強いので
、リフトオフプロセスを用いなければならないが、硬Ｘ
線に対して＾Ｕよりも大きな吸収係数をもっている。即
ち、０．５人のＸ線に対して＾Ｕの吸収係数は９１５
ｃｍ であるのに対し、Ｉｒは１００３０ 、 ｐｔは
１０１Ｇ値 であり、該Ｘ線を５０％吸収するのに要す
る厚さはそれぞれ７．５７μｍ、６゜優れていることが
わかる。そしてこの１ｒを用いた結果、本Ｘ線露光用マ
スクは、硬Ｘ線を利用したＸ線リソグラフィーによりｌ
ｐｍ程度の微細パターン形成を行なう際に使用でき、安
定したコントラストを得ることができる。
いることができる。また吸収層３°材料であるｌｒは＾
Ｕと同様に化学的に安定しており、耐薬品性が強いので
、リフトオフプロセスを用いなければならないが、硬Ｘ
線に対して＾Ｕよりも大きな吸収係数をもっている。即
ち、０．５人のＸ線に対して＾Ｕの吸収係数は９１５
ｃｍ であるのに対し、Ｉｒは１００３０ 、 ｐｔは
１０１Ｇ値 であり、該Ｘ線を５０％吸収するのに要す
る厚さはそれぞれ７．５７μｍ、６゜優れていることが
わかる。そしてこの１ｒを用いた結果、本Ｘ線露光用マ
スクは、硬Ｘ線を利用したＸ線リソグラフィーによりｌ
ｐｍ程度の微細パターン形成を行なう際に使用でき、安
定したコントラストを得ることができる。
このように、本実施例では波長０．５人位の硬Ｘ線に対
し、Ａｎよりも大きい吸収係数を持つＩｒ、 ｐｔ等を
用いてＸ線吸収層を形成するようにしたので、硬Ｘ線に
より、安定したコントラストで高精度のパターン描画が
できる。
し、Ａｎよりも大きい吸収係数を持つＩｒ、 ｐｔ等を
用いてＸ線吸収層を形成するようにしたので、硬Ｘ線に
より、安定したコントラストで高精度のパターン描画が
できる。
なお、上記実施例ではＸ線透過基板として単層のシリコ
ン窒化膜を用いたが、多屓股構造のものを用いてもよく
、上記実施例と同様の効果を奏する。
ン窒化膜を用いたが、多屓股構造のものを用いてもよく
、上記実施例と同様の効果を奏する。
以上のように、この発明に係るＸ線露光用マスクによれ
ば、硬Ｘ線を吸収しやすい材料、即ちイリジウム又は白
金を用いてＸ線吸収層をパターン形成するようにしたの
で、コントラストが安定し、高精度の微細パターンが得
られる効果がある。
ば、硬Ｘ線を吸収しやすい材料、即ちイリジウム又は白
金を用いてＸ線吸収層をパターン形成するようにしたの
で、コントラストが安定し、高精度の微細パターンが得
られる効果がある。
第１図は従来のＸ線露光用マスクの断面図、第２図は本
発明の一実施例によるＸ線露光用マスク収攬である。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。 代理人 大 暑 増 雄 第１図 第２図 手続補正書（自発） ２、発明の名称 ＸＩｖｉｌ露光用マスク ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号名 称
（６０１）三菱電機株式会社 代表者片山仁八部 ４、ｆ（埋入 ５、？ｆｉ正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄、及び図面の簡単な説明
の掴 ６、補正の内容 （１１明細書第２頁第３〜４行の「Ｘ線透過基板２」を
「Ｘ線透過薄膜基板２」に訂正する。 （２） 同第６頁第１５行の「２はＸ線透過基板」を「
２はＸ線透過薄膜基板」に訂正する。 以 上
発明の一実施例によるＸ線露光用マスク収攬である。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。 代理人 大 暑 増 雄 第１図 第２図 手続補正書（自発） ２、発明の名称 ＸＩｖｉｌ露光用マスク ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号名 称
（６０１）三菱電機株式会社 代表者片山仁八部 ４、ｆ（埋入 ５、？ｆｉ正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄、及び図面の簡単な説明
の掴 ６、補正の内容 （１１明細書第２頁第３〜４行の「Ｘ線透過基板２」を
「Ｘ線透過薄膜基板２」に訂正する。 （２） 同第６頁第１５行の「２はＸ線透過基板」を「
２はＸ線透過薄膜基板」に訂正する。 以 上
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１１Ｘ線を透過しやすい材料からなる薄膜基板と、該
薄膜基板上にパターン形成された硬Ｘ線を吸収しやすい
材料からなるＸ線吸収層とを備えたことを特徴とするＸ
線露光用マスク。 （２）上記薄膜基板が、窒化シリコン、炭化シリコン、
Ｗ化ボロン、またはポリイミドのいずれかからなるもの
であることを特徴とする特許請求のらなるもので゛ある
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のＸ線露光
用マスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58203066A JPS6093440A (ja) | 1983-10-27 | 1983-10-27 | Ｘ線露光用マスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58203066A JPS6093440A (ja) | 1983-10-27 | 1983-10-27 | Ｘ線露光用マスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6093440A true JPS6093440A (ja) | 1985-05-25 |
Family
ID=16467770
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58203066A Pending JPS6093440A (ja) | 1983-10-27 | 1983-10-27 | Ｘ線露光用マスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6093440A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0356660A (ja) * | 1989-07-26 | 1991-03-12 | Shin Etsu Chem Co Ltd | ＳｉＣとＳｉ↓３Ｎ↓４よりなる薄膜、その製造方法およびＸ線リソグラフィー用マスク |
| US5082695A (en) * | 1988-03-08 | 1992-01-21 | 501 Fujitsu Limited | Method of fabricating an x-ray exposure mask |
| JPH04269832A (ja) * | 1991-02-26 | 1992-09-25 | Shin Etsu Chem Co Ltd | Ｘ線リソグラフィ−用マスクの製造方法 |
-
1983
- 1983-10-27 JP JP58203066A patent/JPS6093440A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5082695A (en) * | 1988-03-08 | 1992-01-21 | 501 Fujitsu Limited | Method of fabricating an x-ray exposure mask |
| JPH0356660A (ja) * | 1989-07-26 | 1991-03-12 | Shin Etsu Chem Co Ltd | ＳｉＣとＳｉ↓３Ｎ↓４よりなる薄膜、その製造方法およびＸ線リソグラフィー用マスク |
| JPH04269832A (ja) * | 1991-02-26 | 1992-09-25 | Shin Etsu Chem Co Ltd | Ｘ線リソグラフィ−用マスクの製造方法 |
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