JPH0356660A - ＳｉＣとＳｉ↓３Ｎ↓４よりなる薄膜、その製造方法およびＸ線リソグラフィー用マスク - Google Patents
ＳｉＣとＳｉ↓３Ｎ↓４よりなる薄膜、その製造方法およびＸ線リソグラフィー用マスクInfo
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- JPH0356660A JPH0356660A JP1192977A JP19297789A JPH0356660A JP H0356660 A JPH0356660 A JP H0356660A JP 1192977 A JP1192977 A JP 1192977A JP 19297789 A JP19297789 A JP 19297789A JP H0356660 A JPH0356660 A JP H0356660A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/22—Masks or mask blanks for imaging by radiation of 100nm or shorter wavelength, e.g. X-ray masks, extreme ultraviolet [EUV] masks; Preparation thereof
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は優れた可視光透過率を有し、耐高エネルギービ
ーム照射性、耐薬品性、耐湿性および平清で、傷、ビン
ホールのないＸ ｌｉ！透過膜を持つＸ線リソグラフィ
ー用マスクおよびその製造方法に関するものである。
ーム照射性、耐薬品性、耐湿性および平清で、傷、ビン
ホールのないＸ ｌｉ！透過膜を持つＸ線リソグラフィ
ー用マスクおよびその製造方法に関するものである。
（従来の技術）
Ｘ！！リソグラフィー用マスクのＸ線透過膜（メンブレ
ン）に要求される重要な性能としては（１）高エネルギ
ー電子線やシンクロトロン放射光の様な高エネルギービ
ームの照射に耐える材料であること。
ン）に要求される重要な性能としては（１）高エネルギ
ー電子線やシンクロトロン放射光の様な高エネルギービ
ームの照射に耐える材料であること。
（２） ５０％以上の高い可視光透過率を有し、高精度
なアライメント（位置合せ）ができること。
なアライメント（位置合せ）ができること。
（３）良好な耐薬品性や耐湿性を有し、エッチング工程
や洗浄工程で損傷されにくいこと。
や洗浄工程で損傷されにくいこと。
（４）メンブレンの表面が平滑で、傷やピンホールが無
いこと． 等が挙げられる． 従来、Ｘ線リソグラフィー用マスクのＸ線透過膜の素材
としては、ＢＮ， ＳｉａＮ，、ＳｉＣ等の材料が提案
されているが、いずれも一長一短があり、前記した様な
性能を全て満足するものは得られていない。例えば、Ｂ
Ｎは良好な可視光透過率を有するが、耐高エネルギービ
ーム性及び耐薬品性が不充分であり、ＳｉＪ４は耐薬品
性及び耐湿性が充分でなく、ＳｉＣの場合は可視光透過
率が不充分である等の欠点を有していた。
いこと． 等が挙げられる． 従来、Ｘ線リソグラフィー用マスクのＸ線透過膜の素材
としては、ＢＮ， ＳｉａＮ，、ＳｉＣ等の材料が提案
されているが、いずれも一長一短があり、前記した様な
性能を全て満足するものは得られていない。例えば、Ｂ
Ｎは良好な可視光透過率を有するが、耐高エネルギービ
ーム性及び耐薬品性が不充分であり、ＳｉＪ４は耐薬品
性及び耐湿性が充分でなく、ＳｉＣの場合は可視光透過
率が不充分である等の欠点を有していた。
（発明が解決しようとする課題）
本発明は前述した様な従来の技術では未解決の優れた可
視光透過率、耐高エネルギービーム性および耐薬品性を
有するＸ線リソグラフィー用マスク用材料とその製造方
法を提供しようとするものである。
視光透過率、耐高エネルギービーム性および耐薬品性を
有するＸ線リソグラフィー用マスク用材料とその製造方
法を提供しようとするものである。
（課題を解決するための手段）
本発明者等はか＼る課題を解決するためにＳｉ基板上に
成膜するＸ線透過膜の材料の選択、適性な各種物性を有
するメンブレンの成膜条件の探索に鋭意検討を重ねた結
果、本発明に到達したものでその要旨は次の通りである
。
成膜するＸ線透過膜の材料の選択、適性な各種物性を有
するメンブレンの成膜条件の探索に鋭意検討を重ねた結
果、本発明に到達したものでその要旨は次の通りである
。
ＳｉＣと ＳｉｓＮ４よりなる薄膜を第１の発明とし、
ＳｉＣと ＳｉｓＮ４のモル比が９５＝５〜３０：７０
であるターゲットを用いてスバッター法にてＳｉ基板上
に成膜することを特徴とする薄膜の製造方法を第２の発
明とし、次いでこの薄膜を用いてなるＸ線リソグラフィ
ー用マスクを第３の発明とする。
ＳｉＣと ＳｉｓＮ４のモル比が９５＝５〜３０：７０
であるターゲットを用いてスバッター法にてＳｉ基板上
に成膜することを特徴とする薄膜の製造方法を第２の発
明とし、次いでこの薄膜を用いてなるＸ線リソグラフィ
ー用マスクを第３の発明とする。
以下、本発明を詳細に説明する。
まず、Ｘ線透過膜の薄膜材料としてはＳｉＣとＳｉａＮ
４よりなる２成分系が１成分系よりも各物性において優
れた性能を持つことが判り、その成分割合はモル比で、
９５：５〜３０：７０が良い。ＳｉＣが９５より多くな
ると、可視光透過率がＳｉＣ単独と同等の低い値を示し
、逆に、ＳｉＣが３０より少くなると、耐薬品性がＳｉ
ｓＮ４単独と同等の不充分な性能を示すので好ましくな
い。従って、好適なモル比としては、８０：２０〜４０
：６０である。
４よりなる２成分系が１成分系よりも各物性において優
れた性能を持つことが判り、その成分割合はモル比で、
９５：５〜３０：７０が良い。ＳｉＣが９５より多くな
ると、可視光透過率がＳｉＣ単独と同等の低い値を示し
、逆に、ＳｉＣが３０より少くなると、耐薬品性がＳｉ
ｓＮ４単独と同等の不充分な性能を示すので好ましくな
い。従って、好適なモル比としては、８０：２０〜４０
：６０である。
生成した薄膜の引張応力はＩＸＩＯ”〜１×ｌＯｌ０ｄ
ｙｎｅ／ｃｒｒ？であることが必要で、Ｉ Ｘ ｔｏ’
ｄｙｎｅ／ｃｒｒ？以下であるとメンブレン化した時
にしわが発生し易く、また、Ｉ Ｘ １０”ｄｙｎｅ／
ｃｒｒ？以上になるとメンブレンが破壊しやすい．好適
な引張応力としては５ Ｘ １０” 〜５ Ｘ １０＠
ｄｙｎｅ／ｃｍである。
ｙｎｅ／ｃｒｒ？であることが必要で、Ｉ Ｘ ｔｏ’
ｄｙｎｅ／ｃｒｒ？以下であるとメンブレン化した時
にしわが発生し易く、また、Ｉ Ｘ １０”ｄｙｎｅ／
ｃｒｒ？以上になるとメンブレンが破壊しやすい．好適
な引張応力としては５ Ｘ １０” 〜５ Ｘ １０＠
ｄｙｎｅ／ｃｍである。
次に、製造方法について述べる。
本発明で採用したスパッター法としては、一般に使用さ
れているコンベンショナルスパッター法で行なうが、好
ましくは量産性の観点より成膜速度の速いマグネトロン
スパッター法を用いるのが良い。スパッターに使用され
るガスとしては、アルゴン、キセノンなどの不活性ガス
を用いるが、他にヘリウム、窒素等のガスを混入しても
よい。
れているコンベンショナルスパッター法で行なうが、好
ましくは量産性の観点より成膜速度の速いマグネトロン
スパッター法を用いるのが良い。スパッターに使用され
るガスとしては、アルゴン、キセノンなどの不活性ガス
を用いるが、他にヘリウム、窒素等のガスを混入しても
よい。
スパッター圧力は、特に制限はないが、Ｉ Ｘ １０−
”〜ＩＸＩＯ−’トールが好ましい。なお、スパッター
圧力は成膜後の膜の応力値に大きな影響を及ぼすため、
ターゲットの組成も含めたスパッターの条件下で、所定
の引張応力となるようなスバッター圧力を設定すること
が必要である。
”〜ＩＸＩＯ−’トールが好ましい。なお、スパッター
圧力は成膜後の膜の応力値に大きな影響を及ぼすため、
ターゲットの組成も含めたスパッターの条件下で、所定
の引張応力となるようなスバッター圧力を設定すること
が必要である。
基板は通常はシリコンウェハを用いる。Ｓｉ基板の温度
については特に制限はないが、１００〜１，０００℃の
範囲が生成した膜の欠陥やビンホールが少ないので好ま
しい。ターゲットに印加する電力は、５Ｗ／ｃｒｒｒ以
上ならば、得られる膜の応力が引張応力となるので好ま
しい．印加電力が高い程、成膜速度は増加するので有利
である。
については特に制限はないが、１００〜１，０００℃の
範囲が生成した膜の欠陥やビンホールが少ないので好ま
しい。ターゲットに印加する電力は、５Ｗ／ｃｒｒｒ以
上ならば、得られる膜の応力が引張応力となるので好ま
しい．印加電力が高い程、成膜速度は増加するので有利
である。
本発明の必須要件であるターゲットは、生成薄膜と同組
成のＳｉＣとＳｉｓＮ＜の２成分から成り、ＳｔＣと
ＳｉｓＮ＋のモル比が９５：５〜３０：７０が好ましい
。ＳｉＣとＳｉｓＮ４のモル比が９５：５よりＳｉＣが
多くなると、可視光透過率がＳｉＣ単独と同等の低い値
を示し、逆に、ＳｉＣとＳｉＪ＜のモル比が３０ ：
７０よりＳｉＣが少くなると、耐薬品性がＳｘｓＮ４単
独と同等の不充分な性能を示すので好ましくない。Ｓｉ
Ｃと ＳｉｓＮ４の好適なモル比としては、８０：２０
〜４０：６０である。特に５０ ： ５０の場合は成膜
速度が大きく． ＳｉＣ単独の場合の約２倍となり、生
産性の向上に役立つ。この２成分系ターゲットはＳｉＣ
と Ｓｉ３Ｎ４を所定量、均一に混合して、ホットプレ
ス等により焼結して製造する。原料ＳｉＣ及びＳｉｓＮ
＜の純度は９９％以上、好ましくは９９．９％以上のも
のが高純度薄膜を得る上から望ましい。
成のＳｉＣとＳｉｓＮ＜の２成分から成り、ＳｔＣと
ＳｉｓＮ＋のモル比が９５：５〜３０：７０が好ましい
。ＳｉＣとＳｉｓＮ４のモル比が９５：５よりＳｉＣが
多くなると、可視光透過率がＳｉＣ単独と同等の低い値
を示し、逆に、ＳｉＣとＳｉＪ＜のモル比が３０ ：
７０よりＳｉＣが少くなると、耐薬品性がＳｘｓＮ４単
独と同等の不充分な性能を示すので好ましくない。Ｓｉ
Ｃと ＳｉｓＮ４の好適なモル比としては、８０：２０
〜４０：６０である。特に５０ ： ５０の場合は成膜
速度が大きく． ＳｉＣ単独の場合の約２倍となり、生
産性の向上に役立つ。この２成分系ターゲットはＳｉＣ
と Ｓｉ３Ｎ４を所定量、均一に混合して、ホットプレ
ス等により焼結して製造する。原料ＳｉＣ及びＳｉｓＮ
＜の純度は９９％以上、好ましくは９９．９％以上のも
のが高純度薄膜を得る上から望ましい。
以下、実施例と比較例によって本発明の具体的態様を説
明するが、本発明はこれらによって限定されるものでは
ない。尚、得られた薄膜の物性測定、評価方法は次の通
りである。
明するが、本発明はこれらによって限定されるものでは
ない。尚、得られた薄膜の物性測定、評価方法は次の通
りである。
（薄膜物性測定、評価方法）
■成膜速度：シリコン基板の表面の１部をステンレス板
でマスクして、一定時間スバ・ソターを行なって成膜後
、該ステンレスマスクを取り除き、未成膜面と成膜面の
境界の段差をサーフコーダＳＥ−３０Ｃ（小坂研究所製
商品名）にて測定して膜厚を求め、成膜速度を算出した
。
でマスクして、一定時間スバ・ソターを行なって成膜後
、該ステンレスマスクを取り除き、未成膜面と成膜面の
境界の段差をサーフコーダＳＥ−３０Ｃ（小坂研究所製
商品名）にて測定して膜厚を求め、成膜速度を算出した
。
■引張応力：シリコンウエハの成膜前と成膜後のそりの
変化量より応力値を算出した。
変化量より応力値を算出した。
■可視光透過率：フオトマスク用石英基板Ｂ ＷＡＦ５
２５（信越化学製商品名）に前述の方法で成膜後この石
英基板をマルチフォトスペクトルメーターＭＰＳ−５０
００ （島津製作所製商品名）で波長６３３ｎｍ位置の
透過率を測定した。この時、デイファレンス側の試料と
して成膜をしていない石英基板を用いた。
２５（信越化学製商品名）に前述の方法で成膜後この石
英基板をマルチフォトスペクトルメーターＭＰＳ−５０
００ （島津製作所製商品名）で波長６３３ｎｍ位置の
透過率を測定した。この時、デイファレンス側の試料と
して成膜をしていない石英基板を用いた。
■耐高エネルギービーム性；高エネルギーとして１ ０
ＫｅＶの高エネルギー電子線を５００ＭＪ／ｃｒｒｆ照
射し、照射による膜の応力変化率を求めて、耐高エネル
ギービーム性の目安とした。
ＫｅＶの高エネルギー電子線を５００ＭＪ／ｃｒｒｆ照
射し、照射による膜の応力変化率を求めて、耐高エネル
ギービーム性の目安とした。
応力変化率
（％）
■耐薬品性；９０℃の３０％ＫＯＨ熱水中に２４時間浸
漬し、浸漬後の応力変化率を求めて耐薬品性の目安とし
た。
漬し、浸漬後の応力変化率を求めて耐薬品性の目安とし
た。
応力変化率（％）：
■耐湿性；９０℃の熱水に７日間浸漬し、浸漬後の応力
変化率を求めて耐湿性の目安とした。
変化率を求めて耐湿性の目安とした。
応力変化率（％）＝
■メンブレン化適性：成膜後の基板の裏面にＰＥＣＶＤ
法でアモルファスＢＮ膜（以下、ａ−ＢＮ膜とする）を
１．０μｍ成膜し、この膜をＫＯＨエッチング液の保
護膜とした。ａ−ＢＮ膜の上にステンレス製ドーナツ状
マスク板をセットし、ＣＦ４ガスにてドライエッチング
して露出しているａ−ＢＮ膜を除去後、３０％ＫＯＨに
て露出したシリコン面をウェットエッチングで溶出し、
メンブレン化した。メンブレン化適性として、仕上げた
メンブレンが、傷やビンホールが無く平滑と認められる
場合を良好、その他を不良と判定した。
法でアモルファスＢＮ膜（以下、ａ−ＢＮ膜とする）を
１．０μｍ成膜し、この膜をＫＯＨエッチング液の保
護膜とした。ａ−ＢＮ膜の上にステンレス製ドーナツ状
マスク板をセットし、ＣＦ４ガスにてドライエッチング
して露出しているａ−ＢＮ膜を除去後、３０％ＫＯＨに
て露出したシリコン面をウェットエッチングで溶出し、
メンブレン化した。メンブレン化適性として、仕上げた
メンブレンが、傷やビンホールが無く平滑と認められる
場合を良好、その他を不良と判定した。
（実施例ｌ）
高周彼マグネトロンスパツター装置ＳＰＦ−３３２Ｈ型
（日電アネルバ社製商品名）を用いて、カソード側にＳ
ｉＣと ＳｉａＮ４のモル比が９５＝５からなる直径３
インチで厚みが５ｍｍのターゲットをセットした。
（日電アネルバ社製商品名）を用いて、カソード側にＳ
ｉＣと ＳｉａＮ４のモル比が９５＝５からなる直径３
インチで厚みが５ｍｍのターゲットをセットした。
基板として、直径３インチで厚みが６００μｍの両面研
磨シリコンウエハを用いて２００℃に加熱した状態でア
ルゴンガスを７ ｃｃ／分の流量で流しつつパワー密度
をＩＯＷ／ ｃボ、反応圧力を６．Ｏ ＸＩＯ−２トル
下で所定時間スパツターを行ない、ＳｉＣとＳｉ３Ｎ＋
よりなる膜厚１．０μｍの薄膜を作製した。
磨シリコンウエハを用いて２００℃に加熱した状態でア
ルゴンガスを７ ｃｃ／分の流量で流しつつパワー密度
をＩＯＷ／ ｃボ、反応圧力を６．Ｏ ＸＩＯ−２トル
下で所定時間スパツターを行ない、ＳｉＣとＳｉ３Ｎ＋
よりなる膜厚１．０μｍの薄膜を作製した。
得られた薄膜をＥ Ｓ Ｃ Ａ ｉＢによる元素分析の
結果、Ｓｉ ６８．１％，８ ６．２％、Ｃ ２５．７
％となり、 ＳｉＣとＳｉＪ４のモル比は９５：５であ
ることが判明した。
結果、Ｓｉ ６８．１％，８ ６．２％、Ｃ ２５．７
％となり、 ＳｉＣとＳｉＪ４のモル比は９５：５であ
ることが判明した。
次にこの膜の■成膜速度■引張応力■可視光透過率■耐
高エネルギービーム性■８耐薬品性■耐温性■メンブレ
ン化適性の各性能について前述の方法で測定し、得られ
た結果を第１表に示した。
高エネルギービーム性■８耐薬品性■耐温性■メンブレ
ン化適性の各性能について前述の方法で測定し、得られ
た結果を第１表に示した。
（実施例２〜１８）
成膜条件を第１表に示した様に変化させた以外は、実施
例ｌと同条件で成膜し、生成薄膜の物性を測定して第１
表に示した。
例ｌと同条件で成膜し、生成薄膜の物性を測定して第１
表に示した。
（比較例１〜７）
比較例として、本発明の特許請求の範囲外の組成のター
ゲットを用いて、実施例１〜１８と同様の方法で成膜し
てその性能を評価した。成膜条件と物性評価の結果を第
２表に示した。
ゲットを用いて、実施例１〜１８と同様の方法で成膜し
てその性能を評価した。成膜条件と物性評価の結果を第
２表に示した。
（発明の効果）
第１表の結果より、本発明の方法により成膜した薄膜は
、可視光透過率が５０％以上を有し、耐高エネルギービ
ーム性、耐薬品性、耐湿性、メンブレン化適正の各性能
も優れていることが判る。
、可視光透過率が５０％以上を有し、耐高エネルギービ
ーム性、耐薬品性、耐湿性、メンブレン化適正の各性能
も優れていることが判る。
方、第２表の比較例の結果より、ターゲットの組成にお
いて、ＳｉＣと ＳｉｓＮ４のモル比が９５：５よりＳ
ｉＣが多くなると、可視光透過率が３０％以下となり実
用に適さない（比較例ｌ〜２）。また、ＳｉＣとＳｉｓ
Ｎ４のモル比が３０：７０より ｓｉ３Ｌが多くなって
も、耐薬品性及び耐湿性が悪化して実用上使用出来ない
（比較例３〜５）。さらに、ＳｉＣとＳｉｓＮ４のモル
比が９５：５〜３０：７０のターゲットを用いてちスパ
ッター圧力等のスパッター条件が適切でないと、成膜し
た膜の引張応力がＩＸＩＯ”〜ＩＸＩＯ” ｄｙｎｅ／
ｃｒｒｆの範囲外となり、この場合はメンブレン化適性
が不良となる（比較例６〜７）。以上の様に本発明品の
性能は極めて高く、工業上有用である。
いて、ＳｉＣと ＳｉｓＮ４のモル比が９５：５よりＳ
ｉＣが多くなると、可視光透過率が３０％以下となり実
用に適さない（比較例ｌ〜２）。また、ＳｉＣとＳｉｓ
Ｎ４のモル比が３０：７０より ｓｉ３Ｌが多くなって
も、耐薬品性及び耐湿性が悪化して実用上使用出来ない
（比較例３〜５）。さらに、ＳｉＣとＳｉｓＮ４のモル
比が９５：５〜３０：７０のターゲットを用いてちスパ
ッター圧力等のスパッター条件が適切でないと、成膜し
た膜の引張応力がＩＸＩＯ”〜ＩＸＩＯ” ｄｙｎｅ／
ｃｒｒｆの範囲外となり、この場合はメンブレン化適性
が不良となる（比較例６〜７）。以上の様に本発明品の
性能は極めて高く、工業上有用である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）ＳｉＣとＳｉ＿３Ｎ＿４よりなる薄膜。 ２）ＳｉＣとＳｉ＿３Ｎ＿４のモル比が９５：５〜３０
：７０である請求項１に記載の薄膜。 ３）ＳｉＣとＳｉ＿３Ｎ＿４よりなるターゲットを用い
、スパッター法にて基板上に成膜することよりなる請求
項１または２に記載の薄膜の製造方法。 ４）請求項１または２に記載の薄膜をＸ線透過膜として
用いるＸ線リソグラフィー用マスク。 ５）請求項４に記載のＸ線透過膜の引張応力が１×１０
＾８〜１×１０＾１＾０ｄｙｎｅ／ｃｍ＾２であるＸ線
リソグラフィー用マスク。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19297789A JPH0762231B2 (ja) | 1989-07-26 | 1989-07-26 | ＳｉＣとＳｉ▲下３▼Ｎ▲下４▼よりなる薄膜、その製造方法およびＸ線リソグラフィー用マスク |
| DE69008450T DE69008450T2 (de) | 1989-07-26 | 1990-07-17 | Membran aus Siliziumkarbid und Siliziumnitrid, Verfahren zu ihrer Herstellung und Maske für die Röntgen-Lithographie unter Verwendung einer solchen Membran. |
| EP90113646A EP0410269B1 (en) | 1989-07-26 | 1990-07-17 | Membrane consisting of silicon carbide and silicon nitride, method for the preparation thereof and mask for X-ray lithography utilizing the same |
| US07/850,691 US5209996A (en) | 1989-07-26 | 1992-03-11 | Membrane consisting of silicon carbide and silicon nitride, method for the preparation thereof and mask for X-ray lithography utilizing the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19297789A JPH0762231B2 (ja) | 1989-07-26 | 1989-07-26 | ＳｉＣとＳｉ▲下３▼Ｎ▲下４▼よりなる薄膜、その製造方法およびＸ線リソグラフィー用マスク |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0356660A true JPH0356660A (ja) | 1991-03-12 |
| JPH0762231B2 JPH0762231B2 (ja) | 1995-07-05 |
Family
ID=16300186
Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP19297789A Expired - Fee Related JPH0762231B2 (ja) | 1989-07-26 | 1989-07-26 | ＳｉＣとＳｉ▲下３▼Ｎ▲下４▼よりなる薄膜、その製造方法およびＸ線リソグラフィー用マスク |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
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| JP (1) | JPH0762231B2 (ja) |
| DE (1) | DE69008450T2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003019023A (ja) * | 2001-07-10 | 2003-01-21 | Hoyu Co Ltd | 毛髪化粧料用塗布具 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0712017B2 (ja) * | 1989-12-26 | 1995-02-08 | 信越化学工業株式会社 | Ｘ線リソグラフィー用ＳｉＣ／Ｓｉ▲下３▼Ｎ▲下４▼膜の成膜方法 |
Citations (3)
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|---|---|---|---|---|
| JPS6093440A (ja) * | 1983-10-27 | 1985-05-25 | Mitsubishi Electric Corp | Ｘ線露光用マスク |
| JPS60221311A (ja) * | 1984-04-18 | 1985-11-06 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | 非晶質複合粉末組成物 |
| JPS6278819A (ja) * | 1985-10-01 | 1987-04-11 | Hitachi Metals Ltd | Ｘ線露光用のマスク基板 |
-
1989
- 1989-07-26 JP JP19297789A patent/JPH0762231B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1990
- 1990-07-17 EP EP90113646A patent/EP0410269B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1990-07-17 DE DE69008450T patent/DE69008450T2/de not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6093440A (ja) * | 1983-10-27 | 1985-05-25 | Mitsubishi Electric Corp | Ｘ線露光用マスク |
| JPS60221311A (ja) * | 1984-04-18 | 1985-11-06 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | 非晶質複合粉末組成物 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003019023A (ja) * | 2001-07-10 | 2003-01-21 | Hoyu Co Ltd | 毛髪化粧料用塗布具 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0410269B1 (en) | 1994-04-27 |
| EP0410269A1 (en) | 1991-01-30 |
| DE69008450D1 (de) | 1994-06-01 |
| JPH0762231B2 (ja) | 1995-07-05 |
| DE69008450T2 (de) | 1994-12-01 |
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