JPH0762231B2 - ＳｉＣとＳｉ▲下３▼Ｎ▲下４▼よりなる薄膜、その製造方法およびＸ線リソグラフィー用マスク - Google Patents
ＳｉＣとＳｉ▲下３▼Ｎ▲下４▼よりなる薄膜、その製造方法およびＸ線リソグラフィー用マスクInfo
- Publication number
- JPH0762231B2 JPH0762231B2 JP19297789A JP19297789A JPH0762231B2 JP H0762231 B2 JPH0762231 B2 JP H0762231B2 JP 19297789 A JP19297789 A JP 19297789A JP 19297789 A JP19297789 A JP 19297789A JP H0762231 B2 JPH0762231 B2 JP H0762231B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sic
- film
- thin film
- mask
- ray lithography
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims description 18
- 238000001015 X-ray lithography Methods 0.000 title claims description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 7
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 38
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 11
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 7
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 12
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 12
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 description 10
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 9
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 5
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 2
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004833 X-ray photoelectron spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000000921 elemental analysis Methods 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007731 hot pressing Methods 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 230000005469 synchrotron radiation Effects 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
- 230000037303 wrinkles Effects 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/22—Masks or mask blanks for imaging by radiation of 100nm or shorter wavelength, e.g. X-ray masks, extreme ultraviolet [EUV] masks; Preparation thereof
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は優れた可視光透過率を有し、耐高エネルギービ
ーム照射性、耐薬品性、耐湿性および平滑で、傷、ピン
ホールのないＸ線透過膜を持つＸ線リソグラフィー用マ
スクおよびその製造方法に関するものである。
ーム照射性、耐薬品性、耐湿性および平滑で、傷、ピン
ホールのないＸ線透過膜を持つＸ線リソグラフィー用マ
スクおよびその製造方法に関するものである。
（従来の技術） Ｘ線リソグラフィー用マスクのＸ線透過膜（メンブレ
ン）に要求される重要な性能としては （１）高エネルギー電子線やシンクロトロン放射光の様
な高エネルギービームの照射に耐える材料であること。
ン）に要求される重要な性能としては （１）高エネルギー電子線やシンクロトロン放射光の様
な高エネルギービームの照射に耐える材料であること。
（２）50％以上の高い可視光透過率を有し、高精度なア
ライメント（位置合せ）ができること。
ライメント（位置合せ）ができること。
（３）良好な耐薬品性や耐湿性を有し、エッチング工程
や洗浄工程で損傷されにくいこと。
や洗浄工程で損傷されにくいこと。
（４）メンブレンの表面が平滑で、傷やピンホールが無
いこと。
いこと。
等が挙げられる。
従来、Ｘ線リソグラフィー用マスクのＸ線透過膜の素材
としては、BN、Si3N4、SiC等の材料が提案されている
が、いずれも一長一短があり、前記した様な性能を全て
満足するものは得られていない。例えば、BNは良好な可
視光透過率を有するが、耐高エネルギービーム性及び耐
薬品性が不充分であり、Si3N4は耐薬品性及び耐湿性が
充分でなく、SiCの場合は可視光透過率が不充分である
等の欠点を有していた。
としては、BN、Si3N4、SiC等の材料が提案されている
が、いずれも一長一短があり、前記した様な性能を全て
満足するものは得られていない。例えば、BNは良好な可
視光透過率を有するが、耐高エネルギービーム性及び耐
薬品性が不充分であり、Si3N4は耐薬品性及び耐湿性が
充分でなく、SiCの場合は可視光透過率が不充分である
等の欠点を有していた。
（発明が解決しようとする課題） 本発明は前述した様な従来の技術では未解決の優れた可
視光透過率、耐高エネルギービーム性および耐薬品性を
有するＸ線リソグラフィー用マスク用材料とその製造方
法を提供しようとするものである。
視光透過率、耐高エネルギービーム性および耐薬品性を
有するＸ線リソグラフィー用マスク用材料とその製造方
法を提供しようとするものである。
（課題を解決するための手段） 本発明者等はかゝる課題を解決するためにSi基板上に成
膜するＸ線透過膜の材料の選択、適正な各種物性を有す
るメンブレンの成膜条件の探索に鋭意検討を重ねた結
果、本発明に到達したものでその要旨は次の通りであ
る。
膜するＸ線透過膜の材料の選択、適正な各種物性を有す
るメンブレンの成膜条件の探索に鋭意検討を重ねた結
果、本発明に到達したものでその要旨は次の通りであ
る。
SiCとSi3N4よりなる薄膜を第１の発明とし、SiCとSi3N4
のモル比が95:5〜30:70であるターゲットを用いてスパ
ッター法にてSi基板上に成膜することを特徴とする薄膜
の製造方法を第２の発明とし、次いでこの薄膜を用いて
なるＸ線リソグラフィー用マスクを第３の発明とする。
のモル比が95:5〜30:70であるターゲットを用いてスパ
ッター法にてSi基板上に成膜することを特徴とする薄膜
の製造方法を第２の発明とし、次いでこの薄膜を用いて
なるＸ線リソグラフィー用マスクを第３の発明とする。
以下、本発明を詳細に説明する。
まず、Ｘ線透過膜の薄膜材料としてはSiCとSi3N4よりな
る２成分系が１成分系よりも各物性において優れた性能
を持つことが判り、その成分割合はモル比で、95:5〜3
0:70が良い。SiCが95より多くなると、可視光透過率がS
iC単独と同等の低い値を示し、逆に、SiCが30より少く
なると、耐薬品性がSi3N4単独と同等の不充分な性能を
示すので好ましくない。従って、好適なモル比として
は、80:20〜40:60である。
る２成分系が１成分系よりも各物性において優れた性能
を持つことが判り、その成分割合はモル比で、95:5〜3
0:70が良い。SiCが95より多くなると、可視光透過率がS
iC単独と同等の低い値を示し、逆に、SiCが30より少く
なると、耐薬品性がSi3N4単独と同等の不充分な性能を
示すので好ましくない。従って、好適なモル比として
は、80:20〜40:60である。
生成した薄膜の引張応力は１×108〜１×1010dyne/cm2
であることが必要で、１×108dyne/cm2以下であるとメ
ンブレン化した時にしわが発生し易く、また、１×1010
dyne/cm2以上になるとメンブレンが破壊しやすい。好適
な引張応力としては５×108〜５×109dyne/cm2である。
であることが必要で、１×108dyne/cm2以下であるとメ
ンブレン化した時にしわが発生し易く、また、１×1010
dyne/cm2以上になるとメンブレンが破壊しやすい。好適
な引張応力としては５×108〜５×109dyne/cm2である。
次に、製造方法について述べる。
本発明で採用したスパッター法としては、一般に使用さ
れているコンベンショナルスパッター法で行なうが、好
ましくは量産性の観点より成膜速度の速いマグネトロン
スパッター法を用いるのが良い。スパッターに使用され
るガスとしては、アルゴン、キセノンなどの不活性ガス
を用いるが、他にヘリウム、窒素等のガスを混入しても
よい。スパッター圧力は、特に制限はないが、１×10-2
〜１×10-1トールが好ましい。なお、スパッター圧力は
成膜後の膜の応力値に大きな影響を及ぼすため、ターゲ
ットの組成も含めたスパッターの条件下で、所定の引張
応力となるようなスパッター圧力を設定することが必要
である。
れているコンベンショナルスパッター法で行なうが、好
ましくは量産性の観点より成膜速度の速いマグネトロン
スパッター法を用いるのが良い。スパッターに使用され
るガスとしては、アルゴン、キセノンなどの不活性ガス
を用いるが、他にヘリウム、窒素等のガスを混入しても
よい。スパッター圧力は、特に制限はないが、１×10-2
〜１×10-1トールが好ましい。なお、スパッター圧力は
成膜後の膜の応力値に大きな影響を及ぼすため、ターゲ
ットの組成も含めたスパッターの条件下で、所定の引張
応力となるようなスパッター圧力を設定することが必要
である。
基板は通常はシリコンウェハを用いる。Si基板の温度に
ついては特に制限はないが、100〜1,000℃の範囲が生成
した膜の欠陥やピンホールが少ないので好ましい。ター
ゲットに印加する電力は、5W/cm2以上ならば、得られる
膜の応力が引張応力となるので好ましい。印加電力が高
い程、成膜速度は増加するので有利である。
ついては特に制限はないが、100〜1,000℃の範囲が生成
した膜の欠陥やピンホールが少ないので好ましい。ター
ゲットに印加する電力は、5W/cm2以上ならば、得られる
膜の応力が引張応力となるので好ましい。印加電力が高
い程、成膜速度は増加するので有利である。
本発明の必須要件であるターゲットは、生成薄膜と同組
成のSiCとSi3N4の２成分から成り、SiCとSi3N4のモル比
が95:5〜30:70が好ましい。SiCとSi3N4のモル比が95:5
よりSiCが多くなると、可視光透過率がSiC単独と同等の
低い値を示し、逆に、SiCとSi3N4のモル比が30:70よりS
iCが少くなると、耐薬品性がSi3N4単独と同等の不充分
な性能を示すので好ましくない。SiCとSi3N4の好適なモ
ル比としては、80:20〜40:60である。特に50:50の場合
は成膜速度が大きく、SiC単独の場合の約２倍となり、
生産性の向上に役立つ。この２成分系ターゲットはSiC
とSi3N4を所定量、均一に混合して、ホットプレス等に
より焼結して製造する。原料SiC及びSi3N4の純度は99％
以上、好ましくは99.％以上のものが高純度薄膜を得る
上から望ましい。
成のSiCとSi3N4の２成分から成り、SiCとSi3N4のモル比
が95:5〜30:70が好ましい。SiCとSi3N4のモル比が95:5
よりSiCが多くなると、可視光透過率がSiC単独と同等の
低い値を示し、逆に、SiCとSi3N4のモル比が30:70よりS
iCが少くなると、耐薬品性がSi3N4単独と同等の不充分
な性能を示すので好ましくない。SiCとSi3N4の好適なモ
ル比としては、80:20〜40:60である。特に50:50の場合
は成膜速度が大きく、SiC単独の場合の約２倍となり、
生産性の向上に役立つ。この２成分系ターゲットはSiC
とSi3N4を所定量、均一に混合して、ホットプレス等に
より焼結して製造する。原料SiC及びSi3N4の純度は99％
以上、好ましくは99.％以上のものが高純度薄膜を得る
上から望ましい。
以下、実施例と比較例によって本発明の具体的態様を説
明するが、本発明はこれらによって限定されるものでは
ない。尚、得られた薄膜の物性測定、評価方法は次の通
りである。
明するが、本発明はこれらによって限定されるものでは
ない。尚、得られた薄膜の物性測定、評価方法は次の通
りである。
（薄膜物性測定、評価方法） 成膜速度：シリコン基板の表面の１部をステンレス板
でマスクして、一定時間スパッターを行なって成膜後、
該ステンレスマスクを取り除き、未成膜面と成膜面の境
界の段差をサーフコーダSE−30C（小坂研究所製商品
名）にて測定して膜厚を求め、成膜速度を算出した。
でマスクして、一定時間スパッターを行なって成膜後、
該ステンレスマスクを取り除き、未成膜面と成膜面の境
界の段差をサーフコーダSE−30C（小坂研究所製商品
名）にて測定して膜厚を求め、成膜速度を算出した。
引張応力：シリコンウェハの成膜前と成膜後のそりの
変化量より応力値を算出した。
変化量より応力値を算出した。
可視光透過率：フォトマスク用石英基板3WAF525（信
越化学製商品名）に前述の方法で成膜後、この石英基板
をマルチフォトスペクトルメータ−MPS−5000（島津製
作所商品名）で波長633nm位置の透過率を測定した。こ
の時、ディファレンス側の試料として成膜をしていない
石英基板を用いた。
越化学製商品名）に前述の方法で成膜後、この石英基板
をマルチフォトスペクトルメータ−MPS−5000（島津製
作所商品名）で波長633nm位置の透過率を測定した。こ
の時、ディファレンス側の試料として成膜をしていない
石英基板を用いた。
耐高エネルギービーム性：高エネルギーとして10KeV
の高エネルギー電子線を500MJ/cm3照射し、照射による
膜の応力変化率を求めて、耐高エネルギービーム性の目
安とした。
の高エネルギー電子線を500MJ/cm3照射し、照射による
膜の応力変化率を求めて、耐高エネルギービーム性の目
安とした。
耐薬品性;90℃の30％KOH熱水中に24時間浸漬し、浸漬
後の応力変化率を求めて耐薬品性の目安とした。
後の応力変化率を求めて耐薬品性の目安とした。
耐湿性;90℃の熱水に７日間浸漬し、浸漬後の応力変
化率を求めて耐湿性の目安とした。
化率を求めて耐湿性の目安とした。
メンブレン可適性：成膜後の基板の裏面にPECVD法で
アモルファスBN膜（以下、ａ−BN膜とする）を1.0μｍ
成膜し、この膜をKOHエッチング液の保護膜とした。ａ
−BN膜の上にステンレス製ドーナツ状マスク板をセツト
し、CF4ガスにてドライエッチングして露出しているａ
−BN膜を除去後、30％KOHにて露出したシリコン面をウ
ェットエッチングで溶出し、メンブレン化した。メンブ
レン化適性として、仕上げたメンブレンが、傷やピンホ
ールが無く平滑と認められる場合を良好、その他を不良
と判定した。
アモルファスBN膜（以下、ａ−BN膜とする）を1.0μｍ
成膜し、この膜をKOHエッチング液の保護膜とした。ａ
−BN膜の上にステンレス製ドーナツ状マスク板をセツト
し、CF4ガスにてドライエッチングして露出しているａ
−BN膜を除去後、30％KOHにて露出したシリコン面をウ
ェットエッチングで溶出し、メンブレン化した。メンブ
レン化適性として、仕上げたメンブレンが、傷やピンホ
ールが無く平滑と認められる場合を良好、その他を不良
と判定した。
（実施例１） 高周波マグネトロンスパッター装置SPF−332H型（日電
アネルバ社製商品名）を用いて、カソード側にSiCとSi3
N4のモル比が95:5からなる直径３インチで厚みが5mmの
ターゲットをセットした。基板として、直径３インチで
厚みが600μｍの両面研磨シリコンウェハを用いて200℃
に加熱した状態でアルゴンガスを7cc/分の流量で流しつ
つ、パワー密度を10W/cm2、反応圧力を6.0×10-2トル下
で所定時間スパッターを行ない、SiCとSi3N4よりなる膜
厚1.0μｍの薄膜を作製した。
アネルバ社製商品名）を用いて、カソード側にSiCとSi3
N4のモル比が95:5からなる直径３インチで厚みが5mmの
ターゲットをセットした。基板として、直径３インチで
厚みが600μｍの両面研磨シリコンウェハを用いて200℃
に加熱した状態でアルゴンガスを7cc/分の流量で流しつ
つ、パワー密度を10W/cm2、反応圧力を6.0×10-2トル下
で所定時間スパッターを行ない、SiCとSi3N4よりなる膜
厚1.0μｍの薄膜を作製した。
得られた薄膜をESCA法による元素分析の結果、Si68.1
％、N6.2％、C25.7％となり、SiCとSi3N4のモル比は95:
5であることが判明した。
％、N6.2％、C25.7％となり、SiCとSi3N4のモル比は95:
5であることが判明した。
次にこの膜の成膜速度引張応力可視光透過率耐
高エネルギービーム性８耐薬品性耐湿性メンブレ
ン化適性の各性能について前述の方法で測定し、得られ
た結果を第１表に示した。
高エネルギービーム性８耐薬品性耐湿性メンブレ
ン化適性の各性能について前述の方法で測定し、得られ
た結果を第１表に示した。
（実施例２〜18） 成膜条件を第１表に示した様に変化させた以外は、実施
例１と同条件で成膜し、生成薄膜の物性を測定して第１
表に示した。
例１と同条件で成膜し、生成薄膜の物性を測定して第１
表に示した。
（比較例１〜７） 比較例として、本発明の特許請求の範囲外の組成のター
ゲットを用いて、実施例１〜18と同様の方法で成膜して
その性能を評価した。成膜条件と物性評価の結果を第２
表に示した。
ゲットを用いて、実施例１〜18と同様の方法で成膜して
その性能を評価した。成膜条件と物性評価の結果を第２
表に示した。
（発明の効果） 第１表の結果より、本発明の方法により成膜した薄膜
は、可視光透過率が50％以上を有し、耐高エネルギービ
ーム性、耐薬品性、耐湿性、メンブレン化適性の各性能
も優れていることが判る。一方、第２表の比較例の結果
より、ターゲットの組成において、SiCとSi3N4のモル比
が95:5よりSiCが多くなると、可視光透過率が30％以下
となり 実用に適さない（比較例１〜２）。また、SiCとSi3N4の
モル比が30:70よりSi3N4が多くなっても、耐薬品性及び
耐湿性が悪化して実用上使用出来ない（比較例３〜
５）。さらに、SiCとSi3N4のモル比が95:5〜30:70のタ
ーゲットを用いても、スパッター圧力等のスパッター条
件が適切でないと、成膜した膜の引張応力が１×108〜
１×1010dyne/cm2の範囲外となり、この場合はメンブレ
ン化適性が不良となる（比較例６〜７）。以上の様に本
発明品の性能は極めて高く、工業上有用である。
は、可視光透過率が50％以上を有し、耐高エネルギービ
ーム性、耐薬品性、耐湿性、メンブレン化適性の各性能
も優れていることが判る。一方、第２表の比較例の結果
より、ターゲットの組成において、SiCとSi3N4のモル比
が95:5よりSiCが多くなると、可視光透過率が30％以下
となり 実用に適さない（比較例１〜２）。また、SiCとSi3N4の
モル比が30:70よりSi3N4が多くなっても、耐薬品性及び
耐湿性が悪化して実用上使用出来ない（比較例３〜
５）。さらに、SiCとSi3N4のモル比が95:5〜30:70のタ
ーゲットを用いても、スパッター圧力等のスパッター条
件が適切でないと、成膜した膜の引張応力が１×108〜
１×1010dyne/cm2の範囲外となり、この場合はメンブレ
ン化適性が不良となる（比較例６〜７）。以上の様に本
発明品の性能は極めて高く、工業上有用である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/027
Claims (5)
- 【請求項１】SiCとSi3N4よりなる薄膜。
- 【請求項２】SiCとSi3N4のモル比が95:5〜30:70である
請求項１に記載の薄膜。 - 【請求項３】SiCとSi3N4よりなるターゲットを用い、ス
パッター法にて基板上に成膜することよりなる請求項１
または２に記載の薄膜の製造方法。 - 【請求項４】請求項１または２に記載の薄膜をＸ線透過
膜として用いるＸ線リソグラフィー用マスク。 - 【請求項５】請求項４に記載のＸ線透過膜の引張応力が
１×108〜１×1010dyne/cm2であるＸ線リソグラフィー
用マスク。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19297789A JPH0762231B2 (ja) | 1989-07-26 | 1989-07-26 | ＳｉＣとＳｉ▲下３▼Ｎ▲下４▼よりなる薄膜、その製造方法およびＸ線リソグラフィー用マスク |
| DE69008450T DE69008450T2 (de) | 1989-07-26 | 1990-07-17 | Membran aus Siliziumkarbid und Siliziumnitrid, Verfahren zu ihrer Herstellung und Maske für die Röntgen-Lithographie unter Verwendung einer solchen Membran. |
| EP90113646A EP0410269B1 (en) | 1989-07-26 | 1990-07-17 | Membrane consisting of silicon carbide and silicon nitride, method for the preparation thereof and mask for X-ray lithography utilizing the same |
| US07/850,691 US5209996A (en) | 1989-07-26 | 1992-03-11 | Membrane consisting of silicon carbide and silicon nitride, method for the preparation thereof and mask for X-ray lithography utilizing the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19297789A JPH0762231B2 (ja) | 1989-07-26 | 1989-07-26 | ＳｉＣとＳｉ▲下３▼Ｎ▲下４▼よりなる薄膜、その製造方法およびＸ線リソグラフィー用マスク |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0356660A JPH0356660A (ja) | 1991-03-12 |
| JPH0762231B2 true JPH0762231B2 (ja) | 1995-07-05 |
Family
ID=16300186
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19297789A Expired - Fee Related JPH0762231B2 (ja) | 1989-07-26 | 1989-07-26 | ＳｉＣとＳｉ▲下３▼Ｎ▲下４▼よりなる薄膜、その製造方法およびＸ線リソグラフィー用マスク |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0410269B1 (ja) |
| JP (1) | JPH0762231B2 (ja) |
| DE (1) | DE69008450T2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0712017B2 (ja) * | 1989-12-26 | 1995-02-08 | 信越化学工業株式会社 | Ｘ線リソグラフィー用ＳｉＣ／Ｓｉ▲下３▼Ｎ▲下４▼膜の成膜方法 |
| JP4681159B2 (ja) * | 2001-07-10 | 2011-05-11 | ホーユー株式会社 | 毛髪化粧料用塗布具 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6093440A (ja) * | 1983-10-27 | 1985-05-25 | Mitsubishi Electric Corp | Ｘ線露光用マスク |
| JPS60221311A (ja) * | 1984-04-18 | 1985-11-06 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | 非晶質複合粉末組成物 |
| JPS6278819A (ja) * | 1985-10-01 | 1987-04-11 | Hitachi Metals Ltd | Ｘ線露光用のマスク基板 |
-
1989
- 1989-07-26 JP JP19297789A patent/JPH0762231B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1990
- 1990-07-17 EP EP90113646A patent/EP0410269B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1990-07-17 DE DE69008450T patent/DE69008450T2/de not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE69008450D1 (de) | 1994-06-01 |
| DE69008450T2 (de) | 1994-12-01 |
| JPH0356660A (ja) | 1991-03-12 |
| EP0410269A1 (en) | 1991-01-30 |
| EP0410269B1 (en) | 1994-04-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100424853B1 (ko) | 포토마스크 블랭크, 포토마스크, 이들의 제조방법 및미세패턴의 형성방법 | |
| CA1092255A (en) | Mask structures for x-ray lithography | |
| IE60072B1 (en) | Etched glass process of manufacturing same | |
| JPS6345092B2 (ja) | ||
| US4286049A (en) | Method of forming a negative resist pattern | |
| EP0020455B1 (en) | Arrangement with radiation window or mask structure | |
| Dauksher et al. | Characterization of and imprint results using indium tin oxide-based step and flash imprint lithography templates | |
| JP3594659B2 (ja) | 位相シフトフォトマスクブランクス製造方法、位相シフトフォトマスクブランクス、及び位相シフトフォトマスク | |
| JPH07116588B2 (ja) | Ｘ線リソグラフィ用マスクの透過体の製造方法 | |
| JPS5949536A (ja) | 微細パタ−ン形成方法 | |
| US5209996A (en) | Membrane consisting of silicon carbide and silicon nitride, method for the preparation thereof and mask for X-ray lithography utilizing the same | |
| JPH0762231B2 (ja) | ＳｉＣとＳｉ▲下３▼Ｎ▲下４▼よりなる薄膜、その製造方法およびＸ線リソグラフィー用マスク | |
| JPH0712017B2 (ja) | Ｘ線リソグラフィー用ＳｉＣ／Ｓｉ▲下３▼Ｎ▲下４▼膜の成膜方法 | |
| JPH07103460B2 (ja) | ＳｉＣとＳｉ▲下３▼Ｎ▲下４▼よりなる複合膜の製造方法およびＸ線リソグラフィー用マスクの製造方法 | |
| JP2790900B2 (ja) | ＳｉＣとＳｉ▲下３▼Ｎ▲下４▼よりなる複合膜の製造方法およびＸ線リソグラフィー用マスクの製造方法 | |
| JPS6033557A (ja) | 電子線露光用マスク素材の製造方法 | |
| JPS60184672A (ja) | クロム化合物層の製造方法 | |
| JPS58113933A (ja) | レジスト材料およびそれを用いる微細レジストパタ−ンの形成方法 | |
| JP2001343227A (ja) | 薄膜の膜厚測定方法 | |
| JPH03196147A (ja) | Ｘ線リソグラフィー用ＳｉＣ膜、その製造方法およびＸ線リソグラフィー用マスク | |
| Flood | Thin film thickness measurements | |
| JPS62127737A (ja) | 現像液 | |
| JPS62183463A (ja) | フオトマスクブランクの製造法 | |
| JPH0381143B2 (ja) | ||
| JPH0712016B2 (ja) | Ｘ線リソグラフィー用ＳｉＣ膜の成膜方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080705 Year of fee payment: 13 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |