JPS58113933A - レジスト材料およびそれを用いる微細レジストパタ−ンの形成方法 - Google Patents
レジスト材料およびそれを用いる微細レジストパタ−ンの形成方法Info
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- JPS58113933A JPS58113933A JP56212730A JP21273081A JPS58113933A JP S58113933 A JPS58113933 A JP S58113933A JP 56212730 A JP56212730 A JP 56212730A JP 21273081 A JP21273081 A JP 21273081A JP S58113933 A JPS58113933 A JP S58113933A
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/039—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
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- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Non-Metallic Protective Coatings For Printed Circuits (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
型レジスト材料およびそれを用いる微細レジストパター
ンの形成方法に関する。
ンの形成方法に関する。
従来、マスキンダ、半導体製造などの技術分計において
パターンの形成材料として可視光線または近紫外線を用
いるフォトレジストが使用されており、数μｍ・オーダ
ーの開口をつるにはそうしたレジストで充分であった。
パターンの形成材料として可視光線または近紫外線を用
いるフォトレジストが使用されており、数μｍ・オーダ
ーの開口をつるにはそうしたレジストで充分であった。
しかし、近年、電子部品の軽量化、大容量化に伴なって
パターンの微細化が進み、数μｍｍオーダニ下、とくに
１μｍ以下の開口をうる必要性が生じてきた。
パターンの微細化が進み、数μｍｍオーダニ下、とくに
１μｍ以下の開口をうる必要性が生じてきた。
そのような数μｍないし サブミクロンオーダーの微細
パターンを形成するためには、従来の７オトレジスト材
料では対応することができず、そこでさらに短波長の遠
紫外線、Ｘ＠，電子線などの高エネルギー線を利用した
レジスト材料が開発され、サブミクロンオーダーの微細
パターンの形成が可能になってきた。
パターンを形成するためには、従来の７オトレジスト材
料では対応することができず、そこでさらに短波長の遠
紫外線、Ｘ＠，電子線などの高エネルギー線を利用した
レジスト材料が開発され、サブミクロンオーダーの微細
パターンの形成が可能になってきた。
そのようなレジスト材料としてもつとも広く用いられて
いるものとしてはぎリメタクリレート（以下、ＰＭＭＡ
という）がある。八μはきわめて高い解像度を有するが
、感度が低く （たとえば、軟Ｘ線であるＭｏのＩ，＄
ｌｉ１では１３００＋ｒ＋Ｊ／ｃｄ，電子線ではＩ Ｘ
１０ Ｑ／ｅｄ） 、Ｌ，たがって、パターンの形成に
長時間を必要とする。
いるものとしてはぎリメタクリレート（以下、ＰＭＭＡ
という）がある。八μはきわめて高い解像度を有するが
、感度が低く （たとえば、軟Ｘ線であるＭｏのＩ，＄
ｌｉ１では１３００＋ｒ＋Ｊ／ｃｄ，電子線ではＩ Ｘ
１０ Ｑ／ｅｄ） 、Ｌ，たがって、パターンの形成に
長時間を必要とする。
そのほかある種のポリフルオロアルキル′メタクリレー
トを高エネルギー線用レジスト材料と・して用いる試み
もなされているが（特公昭５５−２４０８８号公報参照
）、それらのレジスト材料はＰＭＭＡの欠点である感度
は改善されているが、シリコンなどのある種の基板に対
し現像の際、レシストパターンとの間に現像液が浸透し
てレジストパターンが剥離したりパターンが浮き上がっ
たりし、その結果、エツチングなどによってえられる基
板上のパターンの寸法が所定の寸法よりも大きくなるな
ど、精度の低下をきたすという密着性不良が生ずること
がある。そのようす欠点はぎストベーキングによっても
回復することが充分にはできないばあいがある。
トを高エネルギー線用レジスト材料と・して用いる試み
もなされているが（特公昭５５−２４０８８号公報参照
）、それらのレジスト材料はＰＭＭＡの欠点である感度
は改善されているが、シリコンなどのある種の基板に対
し現像の際、レシストパターンとの間に現像液が浸透し
てレジストパターンが剥離したりパターンが浮き上がっ
たりし、その結果、エツチングなどによってえられる基
板上のパターンの寸法が所定の寸法よりも大きくなるな
ど、精度の低下をきたすという密着性不良が生ずること
がある。そのようす欠点はぎストベーキングによっても
回復することが充分にはできないばあいがある。
本発明者らはどれら従来のレジスト材料の欠点を克服す
べく鋭意研究を重ねた結果、一般式（１１： （式中、Ｒよはメチル基、エチル基もしくはそれらの水
素原子の少なくとも１つを□〕−ロゲン原子で置換した
基、ハロゲン原子または水素原子を表わし、Ｒ２は炭素
数１〜６個を有する２価の炭化水’Ｘ＆を表わし、・Ｒ
２は少なくとも１つの水素原子がフッ素原子で置換され
た炭素数１〜１５個を有するアルキル基を表わす）で表
わされるフルオロアルキルアクリレートと一般式（ＩＩ
）：０Ｍ Ｒ３ （式中、Ｒ３は水素原子、メチル基またはエチル基を表
わす）で表わされるα−シアノアクリレートを共重合し
て見られる共重合体が、高い感度と解像度を有し、しか
もすぐれた密着性を有する微細パターン形成用のポジ型
レジスト材料としてきわめてすぐれたものであることを
見出した。
べく鋭意研究を重ねた結果、一般式（１１： （式中、Ｒよはメチル基、エチル基もしくはそれらの水
素原子の少なくとも１つを□〕−ロゲン原子で置換した
基、ハロゲン原子または水素原子を表わし、Ｒ２は炭素
数１〜６個を有する２価の炭化水’Ｘ＆を表わし、・Ｒ
２は少なくとも１つの水素原子がフッ素原子で置換され
た炭素数１〜１５個を有するアルキル基を表わす）で表
わされるフルオロアルキルアクリレートと一般式（ＩＩ
）：０Ｍ Ｒ３ （式中、Ｒ３は水素原子、メチル基またはエチル基を表
わす）で表わされるα−シアノアクリレートを共重合し
て見られる共重合体が、高い感度と解像度を有し、しか
もすぐれた密着性を有する微細パターン形成用のポジ型
レジスト材料としてきわめてすぐれたものであることを
見出した。
前記一般式（夏）で表わされる化合物としては、具体的
にはつぎの化学式で示されるものがあげられる。
にはつぎの化学式で示されるものがあげられる。
０Ｈ２＝ Ｏ（ＯＨ３）ａｏｏｏａ２ｏｒ２ａｙ２０Ｈ
２＝ ０（ＯＨ３）ＯＯＯＯＨ２ＯＮＦ２０Ｆ２０１Ｆ
２０ＨＦ８Ｈ３ ０Ｈ２＝ ０（ＯＨ３）００００（ＩＦ２０）ＩＦ２Ｏ
Ｈ３ ＯＨ３ ０Ｈ２＝ ００１００００Ｈ，ＣＩ？、（Ｊｌｌｌ？。
２＝ ０（ＯＨ３）ＯＯＯＯＨ２ＯＮＦ２０Ｆ２０１Ｆ
２０ＨＦ８Ｈ３ ０Ｈ２＝ ０（ＯＨ３）００００（ＩＦ２０）ＩＦ２Ｏ
Ｈ３ ＯＨ３ ０Ｈ２＝ ００１００００Ｈ，ＣＩ？、（Ｊｌｌｌ？。
０Ｈ２＝ ０（ＯＨ３）ＯＯＯＯＨ２０Ｆ２０劇Ｐ３ａ
Ｈ２＝ ０（ＯＨ３）００００ＨＯＦ、（ＩＨＦＯＩＦ
３ＯＨ３ ０Ｈ２＝ ０（ＯＨ３）ＯＯＯＯＨＯＦ２０１（ＩＦＯ
Ｆ３２Ｈ５ ０Ｈ２＝ ０（ＯＨ３）ＯＯＯＯＨＯＦ２０ＨＦＧＦ３
■ ３Ｈ７ ＯＨ３ ０Ｈ２＝＝ ０（ＯＨ３）０００００７２０ＨＦ）Ｆ３
■ ＯＨ３ ＯＨ３ ０Ｈ２＝ ０（ＯＨ３）ＯＯＯＣＣＦ２０ＨＦＣＦ３２
Ｈ５ ０Ｈ２＝ （］（ＯＨ３）ＯＯＯＯＨ２０Ｈ２０ＦｇＯ
Ｆ２０Ｆ。
Ｈ２＝ ０（ＯＨ３）００００ＨＯＦ、（ＩＨＦＯＩＦ
３ＯＨ３ ０Ｈ２＝ ０（ＯＨ３）ＯＯＯＯＨＯＦ２０１（ＩＦＯ
Ｆ３２Ｈ５ ０Ｈ２＝ ０（ＯＨ３）ＯＯＯＯＨＯＦ２０ＨＦＧＦ３
■ ３Ｈ７ ＯＨ３ ０Ｈ２＝＝ ０（ＯＨ３）０００００７２０ＨＦ）Ｆ３
■ ＯＨ３ ＯＨ３ ０Ｈ２＝ ０（ＯＨ３）ＯＯＯＣＣＦ２０ＨＦＣＦ３２
Ｈ５ ０Ｈ２＝ （］（ＯＨ３）ＯＯＯＯＨ２０Ｈ２０ＦｇＯ
Ｆ２０Ｆ。
０Ｈ２＝ Ｏ（ＯＨ３）００００Ｈ２０Ｈ２（ＯＦ２０
Ｆ２）、ＯＦ３本発明にかかわる共重合体における一般
式（１）で表わされる化合物と一般式（１）で表わされ
る化合物との割合（−モル比）は６０：４０〜９９．９
ｒｏ、 １なかんづ＜８０：２０〜９９．９７０．１と
するのが好ましい。
Ｆ２）、ＯＦ３本発明にかかわる共重合体における一般
式（１）で表わされる化合物と一般式（１）で表わされ
る化合物との割合（−モル比）は６０：４０〜９９．９
ｒｏ、 １なかんづ＜８０：２０〜９９．９７０．１と
するのが好ましい。
該共重合体の密着性は一般式（Ｉで表わされる化合物の
割合を増加させればさせるけど向上するが、感度および
解像度は逆に低下する。前記の割合の範囲では、感度お
よび解像度が実用上問題となるまで低下せず、密着性も
充分な範囲である。また、重量平均分子量は、’１０．
０００〜２０、０００．０００、好ましくはｓｏ、 ｏ
ｏｏ〜１０．０００．０００のものが使用される。分子
量は、高くなればなるほど高エネルギー線の照射部分と
非射照部分とめ溶媒に対する溶解速度差が大となって感
度および解像度が向上する。
割合を増加させればさせるけど向上するが、感度および
解像度は逆に低下する。前記の割合の範囲では、感度お
よび解像度が実用上問題となるまで低下せず、密着性も
充分な範囲である。また、重量平均分子量は、’１０．
０００〜２０、０００．０００、好ましくはｓｏ、 ｏ
ｏｏ〜１０．０００．０００のものが使用される。分子
量は、高くなればなるほど高エネルギー線の照射部分と
非射照部分とめ溶媒に対する溶解速度差が大となって感
度および解像度が向上する。
本発明に用いる共重合体の製造は、一般式（１）で表わ
される化合物と一般式（１）で表わされる化合物を通常
の重合触媒の存在下にバルク重合、溶液重合、乳化重合
、懸濁重合などあらゆる重合法により共重合すること−
によって行なうことができる。
される化合物と一般式（１）で表わされる化合物を通常
の重合触媒の存在下にバルク重合、溶液重合、乳化重合
、懸濁重合などあらゆる重合法により共重合すること−
によって行なうことができる。
重合度は重合触媒の添加量、反応温度′などを変化させ
て調整することができる。
て調整することができる。
基板上に前記共重合体のレジスト被膜を形成せしめる方
法は、一般旨なレジスト被膜形成法によって行ないうる
。すなわち該共重合体を脂肪族ケＹン、脂肪族アルコー
ル、脂肪族エステル、脂肪族エーテル、芳香族炭化水素
、脂環式ケトン、ハロゲン化炭化水素またはそれらの混
合物などの溶剤に溶解させてレジスト溶液とし該レジス
ト溶液をスピンコーターなどを用いて基板上にコーティ
ングせしめ、ついで風乾、加熱乾燥などによって溶媒を
完全に蒸発させることによってレジスト被膜を形成する
ことができる。
法は、一般旨なレジスト被膜形成法によって行ないうる
。すなわち該共重合体を脂肪族ケＹン、脂肪族アルコー
ル、脂肪族エステル、脂肪族エーテル、芳香族炭化水素
、脂環式ケトン、ハロゲン化炭化水素またはそれらの混
合物などの溶剤に溶解させてレジスト溶液とし該レジス
ト溶液をスピンコーターなどを用いて基板上にコーティ
ングせしめ、ついで風乾、加熱乾燥などによって溶媒を
完全に蒸発させることによってレジスト被膜を形成する
ことができる。
使用しうる基板はとくに限定されず、たとえばクロムマ
スク基板、シリコン、酸化ケイ素、シリケートグラスま
たはチツ化ナイ素、アルミニウム、チタン、金など各種
の基板が本発明に使用でき、いずれの基板においても本
発明によって見られるレジスト被膜は高い密着性を示す
。
スク基板、シリコン、酸化ケイ素、シリケートグラスま
たはチツ化ナイ素、アルミニウム、チタン、金など各種
の基板が本発明に使用でき、いずれの基板においても本
発明によって見られるレジスト被膜は高い密着性を示す
。
該レジスト被膜上に高エネルギー線を照射してパターン
を描画し、ついで現像液を用いて現像することにより微
細レジストパターンを形成せしめることができる。
を描画し、ついで現像液を用いて現像することにより微
細レジストパターンを形成せしめることができる。
パターンの描画に用いる高エネルギー線としては、電子
線、ろＱＱｎｍ以下の紫外線、遠紫外燵またはＸ線を用
いることができる。
線、ろＱＱｎｍ以下の紫外線、遠紫外燵またはＸ線を用
いることができる。
現像液としては前記共重合体からなるレジスト被膜にお
いて、高エネルギー線の照射により低分子量化された部
分と高エネルギー線が照射されていない本来の高分子量
部分におけるそれらの溶解速度がいちじるしく異なる溶
剤が用いられる。
いて、高エネルギー線の照射により低分子量化された部
分と高エネルギー線が照射されていない本来の高分子量
部分におけるそれらの溶解速度がいちじるしく異なる溶
剤が用いられる。
そのような溶媒としては、
体）炭素数２〜８個のアルコールの１種もしくは２種以
上、または （Ｂ） （ｉｌメチルエチルケトン、メチルイソブチル
ケトンなどのケＦン類、アルキル基の炭素数が１〜５個
であるアルキルセルソルブおよびアルキル基の炭素数が
１〜５個であり、アルカネート基の炭素数が１〜５個で
あるアルキルアルカネートよりなる群から選ばれた有機
溶媒の１種もしくは２種以上・と（ロ）脚素数６〜８個
のアルコールの１種もしくは２種以上とか、らなる混合
物などがｉげられる。（Ｂ）の中でも好ましいものは、
（ｉｌがメチルイソブチルケトン、メチルセロソルブ、
エチルセブソルプ、メチルセロソルブアセテートまたは
エチルセルソルブアセテートであす、（卸が・イソプロ
ピルアルコールまタハノルマルプｐビルアルコールであ
る。申）の（１）にあげた溶媒と（ロ）にあげた溶媒の
混合比は共重合体の分子量や所望の感度によって適宜選
択して決められる。また、現像温度および時間は現像液
の種類や共重合体の分子量により適宜定めればよい。
上、または （Ｂ） （ｉｌメチルエチルケトン、メチルイソブチル
ケトンなどのケＦン類、アルキル基の炭素数が１〜５個
であるアルキルセルソルブおよびアルキル基の炭素数が
１〜５個であり、アルカネート基の炭素数が１〜５個で
あるアルキルアルカネートよりなる群から選ばれた有機
溶媒の１種もしくは２種以上・と（ロ）脚素数６〜８個
のアルコールの１種もしくは２種以上とか、らなる混合
物などがｉげられる。（Ｂ）の中でも好ましいものは、
（ｉｌがメチルイソブチルケトン、メチルセロソルブ、
エチルセブソルプ、メチルセロソルブアセテートまたは
エチルセルソルブアセテートであす、（卸が・イソプロ
ピルアルコールまタハノルマルプｐビルアルコールであ
る。申）の（１）にあげた溶媒と（ロ）にあげた溶媒の
混合比は共重合体の分子量や所望の感度によって適宜選
択して決められる。また、現像温度および時間は現像液
の種類や共重合体の分子量により適宜定めればよい。
最後に現像後被照射体を乾燥および焼成することにより
所望の微細レジストパターンが形成される。
所望の微細レジストパターンが形成される。
つぎに参考例および実施例をあげて本発明をさらに詳細
に説明するが、本発明はそれらの実施例のみに限定され
るものではない。
に説明するが、本発明はそれらの実施例のみに限定され
るものではない。
参考例１
メタクリル市クロライド１２部（重量部、以Ｆ同様）お
よび２．２．３．４．４．４−へキサフルオロブチルア
ルコール６０部に 重合禁止剤としてハイドロキノンジ
メチルエーテル０．１・部を加え、９０〜１００℃で６
時間加熱した。反応生成混合物を蒸留して、ソ、 ２．
３．４．４．４−ヘキサフルオルブチルメタクリ１−ト
（以下、ＨＦＢＭＡという）１５部をえた（沸点７６０
〜６３ Ｖ２０ｍｍＨｔ ）。
よび２．２．３．４．４．４−へキサフルオロブチルア
ルコール６０部に 重合禁止剤としてハイドロキノンジ
メチルエーテル０．１・部を加え、９０〜１００℃で６
時間加熱した。反応生成混合物を蒸留して、ソ、 ２．
３．４．４．４−ヘキサフルオルブチルメタクリ１−ト
（以下、ＨＦＢＭＡという）１５部をえた（沸点７６０
〜６３ Ｖ２０ｍｍＨｔ ）。
つぎにＨＩＦＢＭＡ ９９部（９７，８モル部）にα−
シアノメチルメタ゛クリレート（以下、ＯＮ−ＭＭＡ
という）１部（２，２モル部）、了ゾビスイソプ千ロ
ニトリル（以下、ＡよりＮという）０．１部を加えて混
合し、脱気したのちこの混合物を７０℃で２４時間共重
合させた。反応生成混合物にア七トンを加えて均一溶液
としたのち、石油エーテルを加えて沈殿させることによ
り共重合体８７部憂えた。
シアノメチルメタ゛クリレート（以下、ＯＮ−ＭＭＡ
という）１部（２，２モル部）、了ゾビスイソプ千ロ
ニトリル（以下、ＡよりＮという）０．１部を加えて混
合し、脱気したのちこの混合物を７０℃で２４時間共重
合させた。反応生成混合物にア七トンを加えて均一溶液
としたのち、石油エーテルを加えて沈殿させることによ
り共重合体８７部憂えた。
この共重合体は、熱分解ガスクロマトグラフィーにより
分析した結果、ＯＮ−ＭＭＡのモノマ一単位を２．１モ
ル％含有し、はぼ仕入比で共重合していることが確認さ
れた。この共重合体をメチルエチルケトン溶液として、
３５℃ で求めた極限粘度〔η〕は１．５９であった。
分析した結果、ＯＮ−ＭＭＡのモノマ一単位を２．１モ
ル％含有し、はぼ仕入比で共重合していることが確認さ
れた。この共重合体をメチルエチルケトン溶液として、
３５℃ で求めた極限粘度〔η〕は１．５９であった。
またゲルバーミエーションクレマトグラフイーにより求
めた重量平均分子量は、約１２０．０００であった。
めた重量平均分子量は、約１２０．０００であった。
実施例１
参考例１でえられた共重合体４部にメチルイソブチルケ
トン４６Ｍ、を加えて均一なレジストｍ液を調製した。
トン４６Ｍ、を加えて均一なレジストｍ液を調製した。
該レジスト溶液なシリコンウェハ上にスピンコニティン
グ法によって被膜の膜厚が０．８μ諺となるようにコー
テインダし、ついで１４０℃で３０分間加熱して溶剤を
蒸発させ、そののち常温にまで冷却してレジスト被膜を
形つぎにｖＲｖ −３０２型電子線描画装置（エリオニ
クス社製）を用いて該レジスト被膜を有するそれぞれの
試料に加ｍ電圧２０Ｋｖ（１１流’：１ｘＩＣｒ９Ａ）
の電子線をそれぞれ０ｏ０８秒間（電子線量１．９Ｘ’
１Ｏ−７０Ａ）〜１２５秒間（電子線量２．９Ｘ１０
’Ｏ／ｃｄ）で数点照射して描画した。これらの試料を
２６℃メチルイソブチルケトン−イソプロパノール混合
溶媒（容量比１．５＋９８．５ ）に９０秒間浸漬して
レジストパターンを現像した。このものはただちに２３
℃のイソプロパツールに６１：１ｆｆ５浸して洗浄した
。
グ法によって被膜の膜厚が０．８μ諺となるようにコー
テインダし、ついで１４０℃で３０分間加熱して溶剤を
蒸発させ、そののち常温にまで冷却してレジスト被膜を
形つぎにｖＲｖ −３０２型電子線描画装置（エリオニ
クス社製）を用いて該レジスト被膜を有するそれぞれの
試料に加ｍ電圧２０Ｋｖ（１１流’：１ｘＩＣｒ９Ａ）
の電子線をそれぞれ０ｏ０８秒間（電子線量１．９Ｘ’
１Ｏ−７０Ａ）〜１２５秒間（電子線量２．９Ｘ１０
’Ｏ／ｃｄ）で数点照射して描画した。これらの試料を
２６℃メチルイソブチルケトン−イソプロパノール混合
溶媒（容量比１．５＋９８．５ ）に９０秒間浸漬して
レジストパターンを現像した。このものはただちに２３
℃のイソプロパツールに６１：１ｆｆ５浸して洗浄した
。
以上によってえられるレジストパターンのレジスト被膜
の残存膜厚は膜厚測定器（タリステップ（英国ボプソン
社製））によって測定した。
の残存膜厚は膜厚測定器（タリステップ（英国ボプソン
社製））によって測定した。
第１図に照射時間（秒）と残存膜厚（μ→の関係を表わ
す特性図を示す。、第１図より該レジストの感度１．２
０ｘ１０ ’ｏ／ｊ、 ｒ値４．ｏ５が読みとれる。
す特性図を示す。、第１図より該レジストの感度１．２
０ｘ１０ ’ｏ／ｊ、 ｒ値４．ｏ５が読みとれる。
ついで、１．２０Ｘ１０６０／ｊの電子線でラインアン
ドスペース２．６および５μｍで描画し、 同様に現像
、洗浄および乾燥してえられたレジストパターンを４０
０倍の光学顕微鏡で観察して密着性を評価した。その結
果、いずれのパターンも完全に密着しているのが観察さ
れた。
ドスペース２．６および５μｍで描画し、 同様に現像
、洗浄および乾燥してえられたレジストパターンを４０
０倍の光学顕微鏡で観察して密着性を評価した。その結
果、いずれのパターンも完全に密着しているのが観察さ
れた。
参考例２
原料モノマーとして２．２．５．５−テトラフルオロ−
１゜１−ジメチルプロピルメタクリレート９５部および
α−シアノエチルメタクリレート５部を用いたほかは実
施例１と同様にして実験を行ない共重合体をえた。
１゜１−ジメチルプロピルメタクリレート９５部および
α−シアノエチルメタクリレート５部を用いたほかは実
施例１と同様にして実験を行ない共重合体をえた。
実施例２
使用共重合体を参考例２でえたものに代え、現像液をメ
チルセロソルブアセテート−イソプロビルアルコール混
合溶媒（容量比１５：８５）に代えたほかは実施例１と
同様にして実験を行なった。その結果感度は１．６Ｘ１
０５０／ｅｌｌであり、ｒ値は２．５であった。また密
着性は非常にすぐれているものであった。
チルセロソルブアセテート−イソプロビルアルコール混
合溶媒（容量比１５：８５）に代えたほかは実施例１と
同様にして実験を行なった。その結果感度は１．６Ｘ１
０５０／ｅｌｌであり、ｒ値は２．５であった。また密
着性は非常にすぐれているものであった。
第１図は電子線照射時間と残存膜厚の関係を表わす特性
図である。 特許出願人 ダイキン工業株式会社 ２１図 照４＝ｔ ｖＦ 間 （秒） 第１頁の続き ０発 明゛者 浅用浩 茨城県那珂郡東海村太字白方字 白根１６２番地日本電信電話公社 茨城電気通信研究所内 ０発 明 者 小暮攻 茨城県那珂郡東海村太字白方字 白根１６２番地日本電信電話公社 茨城電気通信研究所内 ■出 願 人 日本電信電話公社
図である。 特許出願人 ダイキン工業株式会社 ２１図 照４＝ｔ ｖＦ 間 （秒） 第１頁の続き ０発 明゛者 浅用浩 茨城県那珂郡東海村太字白方字 白根１６２番地日本電信電話公社 茨城電気通信研究所内 ０発 明 者 小暮攻 茨城県那珂郡東海村太字白方字 白根１６２番地日本電信電話公社 茨城電気通信研究所内 ■出 願 人 日本電信電話公社
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １一般式（■）： １ 曹 （式中、Ｒ工はメチル基、エチル基もしくはそれらの水
素原子の少なくとも１つをハロゲン原子で置換した基、
ハロゲン原子または水素原子を構わし、Ｒ２は炭素数１
〜６個を有する２価の炭化水素基を表わし、Ｒ２は少な
くとも１つの水素原子がフッ素原子で置換された炭素数
１〜１５個を有するアルキル基を表わす）で表わされる
フルオロアルキルアクリレートと一般式（Ｄ Ｎ ０＝Ｏ ＯＲ３゜ （式中、Ｒ３は水素原子または炭’Ｊｌ数１〜５のアル
キル基を表わす）で表わされるα−シアノアクリレート
との共重合体からなるレジスト材料。 ２ 前記一般式（１）で表わされるフルオロアルキルア
クリレートと前記一般式（Ｉで表わされるα−シアノア
クリレートとのモル比が６０：４０〜９９．９：０．１
である共重合体からなる特許請求の範囲第１項記載のレ
ジスト材料。 ３ 前記一般式（１）で表わされるフルオロアルキルア
クリレートと前記一般式（Ｉで表わされるα−シアノア
クリレートとのモル比が８０ ：２０〜９９．９！０．
１である共重合体からなる特許、ＩｆＩ求の範囲第１項
記載のレジスト材料。 ４一般式（Ｉ）： Ｒ１ （式中、Ｒ工はメチル基、エチル基もしくはそれらの水
素原子の少なくとも１つをハ冨ゲン原子で置換した基、
ハロゲン原子または水素原子を表わし、Ｒ２は炭素１１
１１〜６個を有する２価の炭化水素基を表わし、Ｒ２は
少なくとも１つの水素原子がフッ素原子で置換された炭
素数１〜１５個を有するアルキル基を表わす）で表わさ
れるフルオロアルキルアクリレｉ）と一般式（Ｉ： ｋＪ Ｒ３ （式中、Ｒ３は水素原子、メチル基またはエチル基を表
わす）で表わされるα−シアノアクるレジスト被膜に高
エネルギー線を照射したのち、現像する巳とを特徴とす
る微細レジストパターン形成方法。 ５ 前記現象が炭素数２〜８個のアルコールの１種また
は２種以上の混合物を現像液として用いて行なうもので
ある特許請求の範囲第６項記載の微細レジストパターン
の形成方法。 ６ 前記現像がメチルエチルケトン、メチルイソブチル
ケトンなどのケトン類、アルキル基の炭素数が１〜５個
であるアルキルセロソルブおよびアルキル基の炭素数が
１〜５個であり、アルカネート基の炭素数が１〜５個で
あるアルキルセロソルブよりなる群から遥ばれた有機溶
媒の１稲または２種以上と炭素数６〜８個のアルコール
の１種または２種以上とから成る混合物を現像液として
用いて行なうものである特許請求の範囲第６項記載の微
細レシス）パターンの形成方法。 前記現像がメチルイソブチルケトン、メチルセロソルブ
、エチルセロソルブ、エチルセロソルブアセテートまた
はエチルセロソルブアセテートとイソプロピルアルコー
ルまたはノルマルプロピルアルコールとからなる混合物
を現像液として用いて行なうものである特許請求の範囲
第６項記載の微細レジストパターンの形成方法。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56212730A JPS58113933A (ja) | 1981-12-26 | 1981-12-26 | レジスト材料およびそれを用いる微細レジストパタ−ンの形成方法 |
| EP82111725A EP0090089B1 (en) | 1981-12-19 | 1982-12-17 | Resist material and process for forming fine resist pattern |
| US06/450,726 US4539250A (en) | 1981-12-19 | 1982-12-17 | Resist material and process for forming fine resist pattern |
| DE8282111725T DE3279090D1 (en) | 1981-12-19 | 1982-12-17 | Resist material and process for forming fine resist pattern |
| CA000418004A CA1207099A (en) | 1981-12-19 | 1982-12-17 | Resist material and process for forming fine resist pattern |
| US06/710,190 US4686168A (en) | 1981-12-19 | 1985-03-11 | Fluoroalkyl acrylate resist material and process for forming fine resist pattern |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56212730A JPS58113933A (ja) | 1981-12-26 | 1981-12-26 | レジスト材料およびそれを用いる微細レジストパタ−ンの形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58113933A true JPS58113933A (ja) | 1983-07-07 |
| JPH0358104B2 JPH0358104B2 (ja) | 1991-09-04 |
Family
ID=16627477
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56212730A Granted JPS58113933A (ja) | 1981-12-19 | 1981-12-26 | レジスト材料およびそれを用いる微細レジストパタ−ンの形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58113933A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6026337A (ja) * | 1983-07-22 | 1985-02-09 | Fujitsu Ltd | パタ−ン形成方法 |
| JPS6029745A (ja) * | 1983-07-28 | 1985-02-15 | Fujitsu Ltd | パタ−ン形成方法 |
| JPH02111988A (ja) * | 1988-10-21 | 1990-04-24 | Toppan Printing Co Ltd | ホログラム複製型およびその製造方法並びにホログラムの製造方法 |
| JPH0328851A (ja) * | 1988-05-24 | 1991-02-07 | Toppan Printing Co Ltd | 電子ビームレジストのパターン形成方法 |
| JP2001302726A (ja) * | 2000-02-16 | 2001-10-31 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52132678A (en) * | 1976-04-28 | 1977-11-07 | Fujitsu Ltd | High-sensitive positive type electron beam formation |
| JPS5558243A (en) * | 1978-10-24 | 1980-04-30 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Highly sensitive positive resist composition |
| JPS5560509A (en) * | 1978-10-27 | 1980-05-07 | Chiyou Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai | Highly radiation-sensitive composition and its solution |
| JPS5821739A (ja) * | 1981-07-31 | 1983-02-08 | Toshiba Corp | フオトマスクの製造方法 |
-
1981
- 1981-12-26 JP JP56212730A patent/JPS58113933A/ja active Granted
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| JP2001302726A (ja) * | 2000-02-16 | 2001-10-31 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0358104B2 (ja) | 1991-09-04 |
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