JPH03196147A - Ｘ線リソグラフィー用ＳｉＣ膜、その製造方法およびＸ線リソグラフィー用マスク - Google Patents
Ｘ線リソグラフィー用ＳｉＣ膜、その製造方法およびＸ線リソグラフィー用マスクInfo
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- JPH03196147A JPH03196147A JP1339092A JP33909289A JPH03196147A JP H03196147 A JPH03196147 A JP H03196147A JP 1339092 A JP1339092 A JP 1339092A JP 33909289 A JP33909289 A JP 33909289A JP H03196147 A JPH03196147 A JP H03196147A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/22—Masks or mask blanks for imaging by radiation of 100nm or shorter wavelength, e.g. X-ray masks, extreme ultraviolet [EUV] masks; Preparation thereof
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
高エネルギー電子線やシンクロトロン放射光のような高
エネルギービームを照射しても応力の変化が少ないＸ線
リソグラフィー用ＳｉＣ膜、その製造方法およびＸ線リ
ソグラフィー用マスクに関する。
エネルギービームを照射しても応力の変化が少ないＸ線
リソグラフィー用ＳｉＣ膜、その製造方法およびＸ線リ
ソグラフィー用マスクに関する。
（従来の技術）
半導体デバイスにおけるパターン形成の微細化に伴ない
、将来のリソグラフィー技術としてｘ、１リソグラフイ
ー技術が最も有望視されている。Ｘ線リソグラフィーに
用いられるマスクのＸ線透過膜（別の表現をすればＸ線
吸収体の支持膜ともいうが、以下メンブレンまたは膜と
称する。）に要求される重要な性能としては、 ■）表面が平滑で傷やピンホールが無く、実用的な強度
を有すること。
、将来のリソグラフィー技術としてｘ、１リソグラフイ
ー技術が最も有望視されている。Ｘ線リソグラフィーに
用いられるマスクのＸ線透過膜（別の表現をすればＸ線
吸収体の支持膜ともいうが、以下メンブレンまたは膜と
称する。）に要求される重要な性能としては、 ■）表面が平滑で傷やピンホールが無く、実用的な強度
を有すること。
２）高精度なアライメント（位置合せ）に必要な可視光
透過率を有すること。
透過率を有すること。
３）良好な耐薬品性や耐湿性を有し、エッチンググ工程
や洗浄工程で損傷されに（いこと。
や洗浄工程で損傷されに（いこと。
４）高エネルギー電子線やシンクロトロン放射光の様な
高エネルギービームの照射に耐えること。
高エネルギービームの照射に耐えること。
等が挙げられる。
従来、Ｘ線リソグラフィー用マスクの膜の材料としてＢ
Ｎ、ボロンドープＳｉ、 ５ｉｓＮｎ、 ＳｉＣ等が提
案されているが、中でも、ＳｉＣは高いヤング率を有す
るために、耐高エネルギービーム性が最も優れた材料と
考えられている。
Ｎ、ボロンドープＳｉ、 ５ｉｓＮｎ、 ＳｉＣ等が提
案されているが、中でも、ＳｉＣは高いヤング率を有す
るために、耐高エネルギービーム性が最も優れた材料と
考えられている。
通常、このＳｉＣ膜の成膜方法としてはＣＶＤ法が最も
多く用いられているが、しかしながら、ＣＶＤ法は、原
料ガスの反応及び分解を伴いながら成膜するため、膜の
成分以外の元素が膜中に取り込まれ易く、その結果、こ
れらの元素が膜中の不純物として働くために、 １）高エネルギービームの照射により、膜中の不純物が
容易に離脱する。そのため、膜の歪みの発生、膜の応力
の変動、膜の機械的強度の低下、膜の光学的な透明性の
低下等の欠陥を生じる。
多く用いられているが、しかしながら、ＣＶＤ法は、原
料ガスの反応及び分解を伴いながら成膜するため、膜の
成分以外の元素が膜中に取り込まれ易く、その結果、こ
れらの元素が膜中の不純物として働くために、 １）高エネルギービームの照射により、膜中の不純物が
容易に離脱する。そのため、膜の歪みの発生、膜の応力
の変動、膜の機械的強度の低下、膜の光学的な透明性の
低下等の欠陥を生じる。
２）膜の表面に、ピンホールやノジュールが発生し易（
良好な膜が得られにくい。
良好な膜が得られにくい。
等の問題がある。
（発明が解決しようとする課題）
このＳｉＣ膜を成膜する他の方法として特願昭６３−３
１５７６８に記載されているスパッター法がある。
１５７６８に記載されているスパッター法がある。
この方法では、膜中に不純物が少ない、ピンホールやノ
ジュールが少ない等の利点があるが、成膜したＳｉＣ膜
はアモルファス状態であり過度の高エネルギービームを
照射すると応力の変動を起こし易く、その結果歪みが発
生し易いという問題がある。
ジュールが少ない等の利点があるが、成膜したＳｉＣ膜
はアモルファス状態であり過度の高エネルギービームを
照射すると応力の変動を起こし易く、その結果歪みが発
生し易いという問題がある。
従って、本発明が解決しようとする課題は、優れた耐高
エネルギービーム性を有するＸ線リソグラフィー用Ｓｉ
Ｃ膜を得ることにある。
エネルギービーム性を有するＸ線リソグラフィー用Ｓｉ
Ｃ膜を得ることにある。
（課題を解決するための手段）
本発明者等は、かかる課題を解決するためにＳｉＣ膜の
結晶学的解析を進めた結果、特定の物性を有する膜が耐
高エネルギービーム性を有することを確認し、この膜の
最適成膜条件を探索して本発明を完成するに至った。
結晶学的解析を進めた結果、特定の物性を有する膜が耐
高エネルギービーム性を有することを確認し、この膜の
最適成膜条件を探索して本発明を完成するに至った。
本発明の要旨は、
引張り応力が０．１〜８．０Ｘ １０” ｄｙｎｅ／ｃ
ｒｒｆでかつ結晶質ＳｉＣを含有することを特徴とする
Ｘ線リングラフィ用ＳｉＣ膜、ＳｉＣよりなるターゲッ
トを用いスパッター法にてＳｉＣ基板上に５００℃以上
の温度で成膜するＸ線リソグラフィー用ＳｉＣ膜の成膜
方法、およびこのＳｉＣ膜よりなるＸ線リソグラフィー
用マスクである。
ｒｒｆでかつ結晶質ＳｉＣを含有することを特徴とする
Ｘ線リングラフィ用ＳｉＣ膜、ＳｉＣよりなるターゲッ
トを用いスパッター法にてＳｉＣ基板上に５００℃以上
の温度で成膜するＸ線リソグラフィー用ＳｉＣ膜の成膜
方法、およびこのＳｉＣ膜よりなるＸ線リソグラフィー
用マスクである。
以下、本発明の詳細な説明する。
先ず、良好なＳｉＣ膜を得るためにはＳｉＣ膜の引張り
応力が０．１〜ＬＯＸ １０” ｄｙｎｅ／ｃｒｒｒで
あることが必要である。０．１ Ｘ １０” ｄｙｎｅ
／ｃｍ”未満では引張り応力が小さ過ぎるため膜が形成
しにくく、仮に形成したとしてもしわが発生し易い。逆
に、８．ＯＸ １０” ｄｙｎｅ／ｃｒｒｒを越えても
引張り応力が大き過ぎるため膜が形成しに（く、仮に形
成したとしても破裂し易くなる。好ましい範囲は０．３
〜４．０×１０” ｄｙｎｅ／ｃｒｒ？である。
応力が０．１〜ＬＯＸ １０” ｄｙｎｅ／ｃｒｒｒで
あることが必要である。０．１ Ｘ １０” ｄｙｎｅ
／ｃｍ”未満では引張り応力が小さ過ぎるため膜が形成
しにくく、仮に形成したとしてもしわが発生し易い。逆
に、８．ＯＸ １０” ｄｙｎｅ／ｃｒｒｒを越えても
引張り応力が大き過ぎるため膜が形成しに（く、仮に形
成したとしても破裂し易くなる。好ましい範囲は０．３
〜４．０×１０” ｄｙｎｅ／ｃｒｒ？である。
次に、 ＳｉＣ膜が結晶質ＳｉＣを含有することが必要
である。通常のスパッター法で生成するアモルファス状
態のＳｉＣ膜が高エネルギービームを照射されて内部応
力が変動する主な原因は、照射により ＳｉＣ膜が加熱
されて温度が上昇し、その結果ＳｉＣの結晶構造が結晶
性を増加する方向に変化する為、内部応力も変化するも
との思われる。従って、本発明では予めスパッター処理
時に結晶性を付与し成膜することにより、マスクとして
使用する時に高エネルギービーム照射を受けても応力の
変動、歪の発生が極めて少な（なった。更に、この結晶
性の条件として、ＳｉＣ膜のＸ線回折ピークの２θ：３
５．５″″におけるＳｉＣの（１１１）結晶面のピーク
波形のシャープさが挙げられる。高エネルギービーム照
射により ＳｉＣの応力の変動を実用レベルにまで少な
（するには、Ｘ線回折ピークにおいて２θ＝３０＠ と
２θ＝４０°の波形を結ぶ線を基線として２θ＝３５．
５°における基線からのピーク高さＬｌと２θ＝３３°
における基線からのピーク高さし２の比Ｌ ｌ ／ Ｌ
ｌが１．５以上であることが必要であり、更に好まし
くは３．０以上である。１．５未満では応力の変動が大
きく使用に耐えない。
である。通常のスパッター法で生成するアモルファス状
態のＳｉＣ膜が高エネルギービームを照射されて内部応
力が変動する主な原因は、照射により ＳｉＣ膜が加熱
されて温度が上昇し、その結果ＳｉＣの結晶構造が結晶
性を増加する方向に変化する為、内部応力も変化するも
との思われる。従って、本発明では予めスパッター処理
時に結晶性を付与し成膜することにより、マスクとして
使用する時に高エネルギービーム照射を受けても応力の
変動、歪の発生が極めて少な（なった。更に、この結晶
性の条件として、ＳｉＣ膜のＸ線回折ピークの２θ：３
５．５″″におけるＳｉＣの（１１１）結晶面のピーク
波形のシャープさが挙げられる。高エネルギービーム照
射により ＳｉＣの応力の変動を実用レベルにまで少な
（するには、Ｘ線回折ピークにおいて２θ＝３０＠ と
２θ＝４０°の波形を結ぶ線を基線として２θ＝３５．
５°における基線からのピーク高さＬｌと２θ＝３３°
における基線からのピーク高さし２の比Ｌ ｌ ／ Ｌ
ｌが１．５以上であることが必要であり、更に好まし
くは３．０以上である。１．５未満では応力の変動が大
きく使用に耐えない。
次に、上記諸特性を与える成膜条件について述べる。
本発明で採用したスパッター法としては、一般に使用さ
れているコンベンシロナルスパッター法で行なうが、好
ましくは量産性の観点より成膜速度の早いマグネトロン
スパッター法を用いるのが良い。スパッターに使用され
るガスとしては、アルゴン、セキノンなどの不活性ガス
を用いることが望ましいが、他にヘリウム、窒素等のガ
スを混入してもよい。基板は通常はシリコンを用いる。
れているコンベンシロナルスパッター法で行なうが、好
ましくは量産性の観点より成膜速度の早いマグネトロン
スパッター法を用いるのが良い。スパッターに使用され
るガスとしては、アルゴン、セキノンなどの不活性ガス
を用いることが望ましいが、他にヘリウム、窒素等のガ
スを混入してもよい。基板は通常はシリコンを用いる。
ターゲットは、ＳｉＣ粉体を所定の形状に焼結したもの
でよいが、純度は成膜後の膜中に不純物ができるだけ少
ないことが望ましいので、９９％以上、好ましくは９９
．９％以上である。ターゲットに印加する電力は５ Ｗ
／ｃｒｔｆ以上が望ましい。印加電力が高い程、成膜速
度は増加するので有利である。スパッター時の基板温度
は、５００℃以上とすることが必要であり、好ましくは
７００℃以上が良い。
でよいが、純度は成膜後の膜中に不純物ができるだけ少
ないことが望ましいので、９９％以上、好ましくは９９
．９％以上である。ターゲットに印加する電力は５ Ｗ
／ｃｒｔｆ以上が望ましい。印加電力が高い程、成膜速
度は増加するので有利である。スパッター時の基板温度
は、５００℃以上とすることが必要であり、好ましくは
７００℃以上が良い。
５００℃未満の場合は、得られたＳｉＣ膜が、高エネル
ギービーム照射を受けた時、応力の変動が顕著に増大す
るため好ましくない。又、成膜後のＳｉＣ膜を成膜温度
以上の温度の下でアニール処理を行なうことは任意であ
るが、ＳｉＣ膜の応力のばらつきが減少するメリットが
ある。スパッター圧力は、成膜後のＳｉＣ膜の内部応力
が、メンブレン化に必要な０．１〜８．ＯＸ １０”
ｄｙｎｅ／ｃｒｒｆどなるように選ぶ必要がある。スパ
ッター温度により最適なスパッター圧力は異なるが、−
船釣には３０〜７０Ｘ １０−”Ｔｏｒｒである。
ギービーム照射を受けた時、応力の変動が顕著に増大す
るため好ましくない。又、成膜後のＳｉＣ膜を成膜温度
以上の温度の下でアニール処理を行なうことは任意であ
るが、ＳｉＣ膜の応力のばらつきが減少するメリットが
ある。スパッター圧力は、成膜後のＳｉＣ膜の内部応力
が、メンブレン化に必要な０．１〜８．ＯＸ １０”
ｄｙｎｅ／ｃｒｒｆどなるように選ぶ必要がある。スパ
ッター温度により最適なスパッター圧力は異なるが、−
船釣には３０〜７０Ｘ １０−”Ｔｏｒｒである。
以下、実施例と比較例によって本発明の具体的実施態様
を説明するが、本発明はこれらによって限定されるもの
ではない。尚、得られたＳｉＣ膜の物性測定方法および
評価方法は次の通りである。
を説明するが、本発明はこれらによって限定されるもの
ではない。尚、得られたＳｉＣ膜の物性測定方法および
評価方法は次の通りである。
■Ｘ線回折の測定
薄膜用Ｘ線回折測定装置（リガク製ＴＦＤ）を用いて測
定した。入射角（θ）＝２°固定、ターゲットはＣυ、
パワーは４０ｋＶＸ ４０ｍＡである。
定した。入射角（θ）＝２°固定、ターゲットはＣυ、
パワーは４０ｋＶＸ ４０ｍＡである。
■内部応力の測定
基板の成膜前と成膜後及びアニール前とアニール後のそ
りの変化量より応力値を算出した。
りの変化量より応力値を算出した。
■耐高エネルギービーム性
高エネルギーとして１５ｅＶの高エネルギー電子線を１
． ＯＫＪ／Ｃｍ”照射し、照射による膜の応力の変化
量を測定し、耐高エネルギービーム性の目安とした。
． ＯＫＪ／Ｃｍ”照射し、照射による膜の応力の変化
量を測定し、耐高エネルギービーム性の目安とした。
■メンブレン化適性
試料の基板の裏面にプラズマＣＶＤ法でアモルファスＢ
Ｎ膜（以下、ａ−ＢＮ膜と称する）をｉ、ｏμｍ成膜し
、この膜をＫＯＨエツチング液の保護膜とした。ａ−Ｂ
Ｎ膜の上にステンレス製ドーナツ状マスクをセットし、
ＣＦ４ガスにてドライエツチングして露出しているａ−
ＢＮ膜を除去後、３０％ＫＯＨにて露出したシリコン面
をウェットエツチングで溶出し、メンブレン化した。メ
ンブレン化適性として、仕上げたメンブレンが、傷やピ
ンホールが無く平滑と認められる場合を良好、その他を
不良と判定した。
Ｎ膜（以下、ａ−ＢＮ膜と称する）をｉ、ｏμｍ成膜し
、この膜をＫＯＨエツチング液の保護膜とした。ａ−Ｂ
Ｎ膜の上にステンレス製ドーナツ状マスクをセットし、
ＣＦ４ガスにてドライエツチングして露出しているａ−
ＢＮ膜を除去後、３０％ＫＯＨにて露出したシリコン面
をウェットエツチングで溶出し、メンブレン化した。メ
ンブレン化適性として、仕上げたメンブレンが、傷やピ
ンホールが無く平滑と認められる場合を良好、その他を
不良と判定した。
■可視光透過率の測定
メンブレンをマルチフォトスペクトルメーターＭＰＳ−
５０００（島津製作所製商品名）で波長６３３ｎｍ位置
の透過率（％）を測定した。
５０００（島津製作所製商品名）で波長６３３ｎｍ位置
の透過率（％）を測定した。
（実施例１〜６、比較例１．２）
高周波マグネトロンスパッター装置５ＰＦ−３３２Ｈ型
（日型アネルバ社製商品名）を用いて、カソード側に直
径３インチで厚さが５ｍｍの円盤状ＳｉＣターゲット（
純度９９．９％）をセットした。基板として、直径３イ
ンチで厚みが６００μｍの両面研磨シリコンウェハを用
いて所定の温度に加熱した状態でアルゴンガスな７
ｃｃ／分の流量で流した。排気系に通じるバルブでチャ
ンバー内を所定の圧力に調整した後、パワー密度をＬＯ
Ｗ／ｃｍ”として、１５分間のスパッターを行ない、膜
厚１．０μｍのＳｉＣ膜を作製した。次に得られた膜に
ついて、Ｘ線回折の測定、及び耐高エネルギービーム性
、メンブレン化適正、更に得られたメンブレンの可視光
透過率について測定した。成膜条件として温度およびス
パッター圧力をとりζ実施例はＮｏ、１〜６の６水準を
、比較例としてはＮｏ、１．２の２水準を設定してＳｉ
Ｃ膜を作成し、物性測定および評価結果を第１表に示し
た。メンブレン化適性及びメンブレンの可視光透過率の
測定に使用した試料は高エネルギー照射テストをしてい
ないものである。
（日型アネルバ社製商品名）を用いて、カソード側に直
径３インチで厚さが５ｍｍの円盤状ＳｉＣターゲット（
純度９９．９％）をセットした。基板として、直径３イ
ンチで厚みが６００μｍの両面研磨シリコンウェハを用
いて所定の温度に加熱した状態でアルゴンガスな７
ｃｃ／分の流量で流した。排気系に通じるバルブでチャ
ンバー内を所定の圧力に調整した後、パワー密度をＬＯ
Ｗ／ｃｍ”として、１５分間のスパッターを行ない、膜
厚１．０μｍのＳｉＣ膜を作製した。次に得られた膜に
ついて、Ｘ線回折の測定、及び耐高エネルギービーム性
、メンブレン化適正、更に得られたメンブレンの可視光
透過率について測定した。成膜条件として温度およびス
パッター圧力をとりζ実施例はＮｏ、１〜６の６水準を
、比較例としてはＮｏ、１．２の２水準を設定してＳｉ
Ｃ膜を作成し、物性測定および評価結果を第１表に示し
た。メンブレン化適性及びメンブレンの可視光透過率の
測定に使用した試料は高エネルギー照射テストをしてい
ないものである。
結晶性の目安となるＸ線回折の波形を第１図に示した。
この波形より、２θ＝３０°と２θ＝４０゜の波形を結
ぶ線を基線として２θ＝３５．５’における基線からの
ピーク高さＬｌと２θ：３３°における基線からのピー
ク高さし２の比Ｌ １／Ｌ２を求めた。結果を第１表
に併記した。また、比較例として、スパッター時の成膜
温度が５００℃未満についても同様の測定を行なった。
ぶ線を基線として２θ＝３５．５’における基線からの
ピーク高さＬｌと２θ：３３°における基線からのピー
ク高さし２の比Ｌ １／Ｌ２を求めた。結果を第１表
に併記した。また、比較例として、スパッター時の成膜
温度が５００℃未満についても同様の測定を行なった。
結果を第１表および第２図に示した。
第１表より ５００℃以上でスパッター法によりＳｉＣ
膜を成膜することによりＬ 、／Ｌ 、が１．５以上と
なり、このものは高エネルギー電子線の照射を行なって
も内部応力に顕著な変化が認められないことが判かる。
膜を成膜することによりＬ 、／Ｌ 、が１．５以上と
なり、このものは高エネルギー電子線の照射を行なって
も内部応力に顕著な変化が認められないことが判かる。
（発明の効果）
本発明の成膜方法によれば、特定範囲の引張り応力を有
し、Ｘ線回折の波形で規定した結晶性を有するＳｉＣ膜
が得られ、従来得られなかった耐高エネルギービーム性
を有し、応力変化が極めて少なく、ピンホールやノジュ
ールのない優れたＳｉＣ膜がばらつきなく安定して量産
可能となった。更にＸ線リソグラフィー用マスクに加工
することができ、工業上その利用価値は極めて高い。
し、Ｘ線回折の波形で規定した結晶性を有するＳｉＣ膜
が得られ、従来得られなかった耐高エネルギービーム性
を有し、応力変化が極めて少なく、ピンホールやノジュ
ールのない優れたＳｉＣ膜がばらつきなく安定して量産
可能となった。更にＸ線リソグラフィー用マスクに加工
することができ、工業上その利用価値は極めて高い。
第１図は実施例１〜６のＳｉＣ膜の結晶性を規定するた
めのＸ線回折波形を示す。第２図は同じく比較例１．２
のＸ線回折波形である。
めのＸ線回折波形を示す。第２図は同じく比較例１．２
のＸ線回折波形である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、引張り応力が０．１〜８．０×１０＾９ｄｙｎｅ／
ｃｍ＾２でかつ結晶質ＳｉＣを含有することを特徴とす
るＸ線リソグラフィー用ＳｉＣ膜。 ２、ＳｉＣ膜のＸ線回折ピークにおいて２θ＝３０°と
２θ＝４０°の波形を結ぶ線を基線として２θ＝３５．
５°における基線からのピーク高さＬ＿１と２θ：３３
°における基線からのピーク高さＬ＿２との比Ｌ＿１／
Ｌ＿２が１．５以上であることを特徴とする請求項１に
記載のＸ線リソグラフィー用ＳｉＣ膜。 ３、ＳｉＣよりなるターゲットを用いスパッター法にて
ＳｉＣ基板上に５００℃以上の温度で成膜することを特
徴とするＸ線リソグラフィー用ＳｉＣ膜の成膜方法。 ４、請求項１または２に記載のＳｉＣ膜からなるＸ線リ
ソグラフィー用マスク。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33909289A JPH0715880B2 (ja) | 1989-12-26 | 1989-12-26 | Ｘ線リソグラフィー用ＳｉＣ膜、その製造方法およびＸ線リソグラフィー用マスク |
| EP90124520A EP0435128A1 (en) | 1989-12-26 | 1990-12-18 | Silicon carbide membrane for X-ray lithography and method for the preparation thereof |
| US07/633,047 US5089085A (en) | 1989-12-26 | 1990-12-21 | Silicon carbide membrane for x-ray lithography and method for the prepartion thereof |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33909289A JPH0715880B2 (ja) | 1989-12-26 | 1989-12-26 | Ｘ線リソグラフィー用ＳｉＣ膜、その製造方法およびＸ線リソグラフィー用マスク |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03196147A true JPH03196147A (ja) | 1991-08-27 |
| JPH0715880B2 JPH0715880B2 (ja) | 1995-02-22 |
Family
ID=18324185
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33909289A Expired - Lifetime JPH0715880B2 (ja) | 1989-12-26 | 1989-12-26 | Ｘ線リソグラフィー用ＳｉＣ膜、その製造方法およびＸ線リソグラフィー用マスク |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5089085A (ja) |
| EP (1) | EP0435128A1 (ja) |
| JP (1) | JPH0715880B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0828324B2 (ja) * | 1990-11-06 | 1996-03-21 | 信越化学工業株式会社 | Ｘ線リソグラフィー用マスクに用いるｘ線透過膜 |
| JP3073067B2 (ja) * | 1991-10-04 | 2000-08-07 | キヤノン株式会社 | Ｘ線露光用マスク及びその製造方法 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3733311A1 (de) * | 1987-10-02 | 1989-04-13 | Philips Patentverwaltung | Verfahren zur herstellung eines maskentraegers aus sic fuer roentgenstrahllithographie-masken |
| EP0361516B1 (en) * | 1988-09-30 | 1996-05-01 | Canon Kabushiki Kaisha | Method of making X-ray mask structure |
| DE3841352A1 (de) * | 1988-12-08 | 1990-06-21 | Philips Patentverwaltung | Verfahren zur herstellung eines maskentraegers aus sic fuer strahlungslithographie-masken |
-
1989
- 1989-12-26 JP JP33909289A patent/JPH0715880B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1990
- 1990-12-18 EP EP90124520A patent/EP0435128A1/en not_active Withdrawn
- 1990-12-21 US US07/633,047 patent/US5089085A/en not_active Expired - Lifetime
Non-Patent Citations (4)
| Title |
|---|
| ELECTRON-BEAM.X-RAY,AND ION-BEAN TECHNOLOGY:SUBMICROMETER LITHOGRAPHIES 7=1988 * |
| ELECTRON-BEAM.X-RAY.AND ION-BEAN LITHOGRAPHIES 6=1987 * |
| ELECTRON-BEAM.X-RAY.AND LON-BEAM LITHOGRAPHIES 6=1987 * |
| MICROELECTRONIC ENGINEERING=1989 * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0715880B2 (ja) | 1995-02-22 |
| EP0435128A1 (en) | 1991-07-03 |
| US5089085A (en) | 1992-02-18 |
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