JP2790900B2 - ＳｉＣとＳｉ▲下３▼Ｎ▲下４▼よりなる複合膜の製造方法およびＸ線リソグラフィー用マスクの製造方法 - Google Patents
ＳｉＣとＳｉ▲下３▼Ｎ▲下４▼よりなる複合膜の製造方法およびＸ線リソグラフィー用マスクの製造方法Info
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Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は優れた可視光透過率を有し、耐高エネルギー
ビーム照射性、耐薬品性、耐湿性および平滑で、傷、ピ
ンホールのないSiC/Si3N4複合膜の製造方法およびこれ
をＸ線透過膜とするＸ線リソグラフィー用マスクの製造
方法に関するものである。
ビーム照射性、耐薬品性、耐湿性および平滑で、傷、ピ
ンホールのないSiC/Si3N4複合膜の製造方法およびこれ
をＸ線透過膜とするＸ線リソグラフィー用マスクの製造
方法に関するものである。
（従来の技術） Ｘ線リソグラフィー用マスクのＸ線透過膜（メンブレ
ン）に要求される重要な性能としては （１）高エネルギー電子線やシンクロトロン放射光の様
な高エネルギービームの照射に耐える材料であること。
ン）に要求される重要な性能としては （１）高エネルギー電子線やシンクロトロン放射光の様
な高エネルギービームの照射に耐える材料であること。
（２）50％以上の高い可視光透過率を有し、高精度なア
ライメント（位置合せ）ができること。
ライメント（位置合せ）ができること。
（３）良好な耐薬品性や耐湿性を有し、エッチング工程
や洗浄工程で損傷されにくいこと。
や洗浄工程で損傷されにくいこと。
（４）メンブレンの表面が平滑で、傷やピンホールが無
いこと。等が挙げられる。
いこと。等が挙げられる。
従来、Ｘ線リソグラフィー用マスクのＸ線透過膜の素
材としては、BN、Si3N4、SiC等の材料が提案されている
が、いずれも一長一短があり、前記した様な性能を全て
満足するものは得られていない。例えば、BNは良好な可
視光透過率を有するが、耐高エネルギービーム性及び耐
薬品性が不充分であり、Si3N4は耐薬品性及び耐湿性が
充分でなく、SiCの場合は可視光透過率が不充分である
等の欠点を有していた。
材としては、BN、Si3N4、SiC等の材料が提案されている
が、いずれも一長一短があり、前記した様な性能を全て
満足するものは得られていない。例えば、BNは良好な可
視光透過率を有するが、耐高エネルギービーム性及び耐
薬品性が不充分であり、Si3N4は耐薬品性及び耐湿性が
充分でなく、SiCの場合は可視光透過率が不充分である
等の欠点を有していた。
（発明が解決しようとする課題） 本発明者等は先に特願平１−19277号および特願平１
−339094号において、これらの欠点を解決するものとし
て、SiCとSi3N4よりなる２成分系複合膜が優れた諸特性
を有しており、SiCとSi3N4よりなるターゲットを用いて
スパッター法により成膜する方法を提案したが、耐高エ
ネルギービーム性の点では充分満足できるものではなか
った。また、この方法では任意のSiCとSi3N4の組成比の
複合膜を得るためにはそれぞれの組成比のターゲットを
準備する必要があった。一方、他の方法として、シリコ
ンよりなるターゲットを用いて、CH4、C2H6、C3H8、CH2
＝CH2、CH3−CH＝CH2等の炭素源となるガスと、N2、N
2O、NH3等の窒素源となるガスの同伴気流下でスパッタ
ーを行なう反応性スパッター法がある。しかしこの方法
では水素およびN2Oを用いた場合は酸素が成膜後の膜中
に不純物として含有される。水素や酸素が膜中に存在す
ると高エネルギービームの照射によりこれらの水素や酸
素が膜中により離脱し、その結果ピンホール、歪みの発
生、透明性の低下等の不利、欠陥を引き起こすことがあ
った。
−339094号において、これらの欠点を解決するものとし
て、SiCとSi3N4よりなる２成分系複合膜が優れた諸特性
を有しており、SiCとSi3N4よりなるターゲットを用いて
スパッター法により成膜する方法を提案したが、耐高エ
ネルギービーム性の点では充分満足できるものではなか
った。また、この方法では任意のSiCとSi3N4の組成比の
複合膜を得るためにはそれぞれの組成比のターゲットを
準備する必要があった。一方、他の方法として、シリコ
ンよりなるターゲットを用いて、CH4、C2H6、C3H8、CH2
＝CH2、CH3−CH＝CH2等の炭素源となるガスと、N2、N
2O、NH3等の窒素源となるガスの同伴気流下でスパッタ
ーを行なう反応性スパッター法がある。しかしこの方法
では水素およびN2Oを用いた場合は酸素が成膜後の膜中
に不純物として含有される。水素や酸素が膜中に存在す
ると高エネルギービームの照射によりこれらの水素や酸
素が膜中により離脱し、その結果ピンホール、歪みの発
生、透明性の低下等の不利、欠陥を引き起こすことがあ
った。
従って、本発明が解決しようとする課題は、このよう
な不利、欠陥を解決したSiCとSi3N4よりなる複合膜を基
板上に成膜する方法およびこの薄膜をＸ線透過膜とした
優れた耐高エネルギービーム性を有するＸ線リソグラフ
ィー用マスクを得ることにある。
な不利、欠陥を解決したSiCとSi3N4よりなる複合膜を基
板上に成膜する方法およびこの薄膜をＸ線透過膜とした
優れた耐高エネルギービーム性を有するＸ線リソグラフ
ィー用マスクを得ることにある。
（課題を解決するための手段） 本発明者等はかヽる課題を解決するためにSi基板上に
成膜するＸ線透過膜の材料の選択、適性な各種物性を有
するメンブレンの成膜条件の探索に鋭意検討を重ねた結
果、本発明に到達したもので、その要旨は次の通りであ
る。
成膜するＸ線透過膜の材料の選択、適性な各種物性を有
するメンブレンの成膜条件の探索に鋭意検討を重ねた結
果、本発明に到達したもので、その要旨は次の通りであ
る。
グラファイト（Ｃ）とシリコン（Si）の２成分からな
るターゲットを用い、N2ガス気流下でスパッター法にて
基板上にSiCとSi3N4よりなる複合膜を成膜することを特
徴とするSiCとSi3N4よりなる複合膜の製造方法を第１の
発明とし、得られる複合膜のSiCとSi3N4の組成比がモル
比で95:5〜30:70であることを特徴とする複合膜の製造
方法を第２の発明とし、次いで両製造方法で得られたSi
C/Si3N4複合膜をＸ線透過膜として用いることを特徴と
するＸ線リソグラフィー用マスクの製造方法を第３の発
明とするものである。
るターゲットを用い、N2ガス気流下でスパッター法にて
基板上にSiCとSi3N4よりなる複合膜を成膜することを特
徴とするSiCとSi3N4よりなる複合膜の製造方法を第１の
発明とし、得られる複合膜のSiCとSi3N4の組成比がモル
比で95:5〜30:70であることを特徴とする複合膜の製造
方法を第２の発明とし、次いで両製造方法で得られたSi
C/Si3N4複合膜をＸ線透過膜として用いることを特徴と
するＸ線リソグラフィー用マスクの製造方法を第３の発
明とするものである。
以下、本発明を詳細に説明する。
先ず、Ｘ線透過膜の薄膜材料としてはSiCとSi3N4より
なる２成分系複合膜が１成分系よりも各物性において優
れた性能を持つことが判り、その成分割合はモル比で9
5:5〜30:70の範囲が良い。SiCが95より多くなると、可
視光透過率がSiC単独と同等の低い値を示し、逆に、SiC
が30より少くなると、耐薬品性がSi3N4単独との同等の
不充分な性能を示すので好ましくない。従って、好適な
モル比としては、80:20〜40:60である。生成した薄膜の
引張応力は１×108〜１×1010dyne/cm2であることが必
要で、１×108dyne/cm2以下であるとメンブレン化した
時にしわが発生し易く、また、１×1010dyne/cm2以上と
なるとメンブレンが破壊しやすい。好適な引張応力とし
ては５×108〜５×109dyne/cm2である。
なる２成分系複合膜が１成分系よりも各物性において優
れた性能を持つことが判り、その成分割合はモル比で9
5:5〜30:70の範囲が良い。SiCが95より多くなると、可
視光透過率がSiC単独と同等の低い値を示し、逆に、SiC
が30より少くなると、耐薬品性がSi3N4単独との同等の
不充分な性能を示すので好ましくない。従って、好適な
モル比としては、80:20〜40:60である。生成した薄膜の
引張応力は１×108〜１×1010dyne/cm2であることが必
要で、１×108dyne/cm2以下であるとメンブレン化した
時にしわが発生し易く、また、１×1010dyne/cm2以上と
なるとメンブレンが破壊しやすい。好適な引張応力とし
ては５×108〜５×109dyne/cm2である。
次に、SiC/Si3N4複合膜の製造方法について述べる。
本発明の反応性スパッター法で成膜を行なうと、N2ガ
スの流量を制御することによりSiCとSi3N4の成分比を大
巾に変えることが可能であり、しかも膜中に水素や酸素
を有しない為に高エネルギービームを照射しても、ピン
ホール、歪み等の発生や透明性の低下等のトラブルがな
い。
スの流量を制御することによりSiCとSi3N4の成分比を大
巾に変えることが可能であり、しかも膜中に水素や酸素
を有しない為に高エネルギービームを照射しても、ピン
ホール、歪み等の発生や透明性の低下等のトラブルがな
い。
本発明で採用した反応性スパッター法としては、一般
に使用されているコンベンショナルスパッター法で行な
うが、好ましくは量産性の観点より成膜速度の速いマグ
ネトロンスパッター法を用いるのが良い。
に使用されているコンベンショナルスパッター法で行な
うが、好ましくは量産性の観点より成膜速度の速いマグ
ネトロンスパッター法を用いるのが良い。
本発明の必須要件であるターゲットはグラファイト
（Ｃ）とシリコン（Si）の２成分からなり、この組成比
については、ターゲット原料グラファイトと生成する複
合膜中のSiCとのモル比が5:95〜70:30になる様に予備試
験を行なって決定する。これはスパッターの成膜条件で
あるN2ガスの流量、スパッター温度、スパッター印加電
力等により、同一組成比のターゲットを用いても得られ
る複合膜のSiCとSi3N4の組成比が全く同一にならないか
らである。しかし予め設定する値としてはグラファイト
とシリコンを重量比で27:73〜5:95とするのが良い。
（Ｃ）とシリコン（Si）の２成分からなり、この組成比
については、ターゲット原料グラファイトと生成する複
合膜中のSiCとのモル比が5:95〜70:30になる様に予備試
験を行なって決定する。これはスパッターの成膜条件で
あるN2ガスの流量、スパッター温度、スパッター印加電
力等により、同一組成比のターゲットを用いても得られ
る複合膜のSiCとSi3N4の組成比が全く同一にならないか
らである。しかし予め設定する値としてはグラファイト
とシリコンを重量比で27:73〜5:95とするのが良い。
ターゲットの原料であるシリコンは、シリコン単結
晶、ポリシリコン、アモルファスシリコン等が挙げられ
るが、SiH等を含まず、しかも容易に入手可能なシリコ
ン単結晶が好ましい。
晶、ポリシリコン、アモルファスシリコン等が挙げられ
るが、SiH等を含まず、しかも容易に入手可能なシリコ
ン単結晶が好ましい。
グラファイトは一般に市販されている高純度粉末が用
いられる。各成分の原料の純度は99％以上、好ましくは
99.9％以上のものが高純度複合薄膜を得る上からは望ま
しい。この２成分の他に微量のＢやSi3N4を複合膜の性
能を損なわない程度含有していても良い。
いられる。各成分の原料の純度は99％以上、好ましくは
99.9％以上のものが高純度複合薄膜を得る上からは望ま
しい。この２成分の他に微量のＢやSi3N4を複合膜の性
能を損なわない程度含有していても良い。
この２成分系ターゲットはグラファイトとシリコンを
所定量均一に混合してホットプレスにより成形し、焼結
して製造すれば良く、また各成分単独のターゲットを組
合せて通常ピンホール型、分割型等と呼ばれている１つ
の複合ターゲットとしても良い。
所定量均一に混合してホットプレスにより成形し、焼結
して製造すれば良く、また各成分単独のターゲットを組
合せて通常ピンホール型、分割型等と呼ばれている１つ
の複合ターゲットとしても良い。
基板は通常はシリコンウェハを用いる。Si基板の温度
については特に制限はないご、100〜1,000℃の範囲が生
成した膜の欠陥やピンホールが少ないので好ましい。タ
ーゲットに印加する電力は、5W/cm2以上ならば、得られ
る膜の応力が引張応力となるので好ましい。印加電力が
高い程、成膜速度は増加するので有利である。
については特に制限はないご、100〜1,000℃の範囲が生
成した膜の欠陥やピンホールが少ないので好ましい。タ
ーゲットに印加する電力は、5W/cm2以上ならば、得られ
る膜の応力が引張応力となるので好ましい。印加電力が
高い程、成膜速度は増加するので有利である。
スパッター時に使用するガスは純度99％以上、好まし
くは99.9％のN2ガスが望ましく、安定なプラズマ状態を
保つ目的でアルゴンやキセノンなどの不活性ガスを同伴
することが望ましい。スパッター圧力は、特に制限はな
いが、１×10-2〜１×10-1トールが好ましい。なお、ス
パッター圧力は成膜後の膜の応力値に大きな影響を及ぼ
すため、ターゲットの組成も含めたスパッターの条件下
で、所定の引張応力となるようなスパッター圧力を設定
することが必要である。以下、実施例と比較例によって
本発明の具体的態様を説明するが、本発明はこれらによ
って限定されるものではない。尚、得られた複合薄膜の
物性測定、評価方法は次の通りである。
くは99.9％のN2ガスが望ましく、安定なプラズマ状態を
保つ目的でアルゴンやキセノンなどの不活性ガスを同伴
することが望ましい。スパッター圧力は、特に制限はな
いが、１×10-2〜１×10-1トールが好ましい。なお、ス
パッター圧力は成膜後の膜の応力値に大きな影響を及ぼ
すため、ターゲットの組成も含めたスパッターの条件下
で、所定の引張応力となるようなスパッター圧力を設定
することが必要である。以下、実施例と比較例によって
本発明の具体的態様を説明するが、本発明はこれらによ
って限定されるものではない。尚、得られた複合薄膜の
物性測定、評価方法は次の通りである。
（複合薄膜物性測定、評価方法） 成膜速度：シリコン基板の表面の１部をステンレス板
でマスクして、一定時間スパッターを行なって成膜後、
該ステンレスマスクを取り除き、未成膜面と成膜面の境
界の段差をサーフコーダSE−30C（小坂研究所製商品
名）にて測定して膜厚を求め、成膜速度を算出した。
でマスクして、一定時間スパッターを行なって成膜後、
該ステンレスマスクを取り除き、未成膜面と成膜面の境
界の段差をサーフコーダSE−30C（小坂研究所製商品
名）にて測定して膜厚を求め、成膜速度を算出した。
引張応力：シリコンウェハの成膜前と成膜後のそりの
変化量より応力値を算出した。
変化量より応力値を算出した。
可視光透過率：フォトマスク用石英基板3WAF525（信
越化学製商品名）に前述の方法で成膜後、この石英基板
をマルチフォトスペクトルメ−ターMPS−5000（島津製
作所製商品名）で波長633nm位置の透過率を測定した。
この時、ディファレンス側の試料として成膜をしていな
い石英基板を用いた。
越化学製商品名）に前述の方法で成膜後、この石英基板
をマルチフォトスペクトルメ−ターMPS−5000（島津製
作所製商品名）で波長633nm位置の透過率を測定した。
この時、ディファレンス側の試料として成膜をしていな
い石英基板を用いた。
耐高エネルギービーム性：高エネルギーとして10KeV
の高エネルギー電子線を500MJ/cm3照射し、照射による
膜の応力変化率を求めて、耐高エネルギービーム性の目
安とした。
の高エネルギー電子線を500MJ/cm3照射し、照射による
膜の応力変化率を求めて、耐高エネルギービーム性の目
安とした。
耐薬品性;90℃の30％KOH熱水中に24時間浸漬し、浸漬
後の応力変化率を求めて耐薬品性の目安とした。
後の応力変化率を求めて耐薬品性の目安とした。
耐湿性;90℃の熱水に７日間浸漬し、浸漬後の応力変
化率を求めて耐湿性の目安とした。
化率を求めて耐湿性の目安とした。
メンブレン化適性：成膜後の基板の裏面にプラズマCV
D法でアモルファスBN膜（以下、ａ−BN膜とする）を1.0
μｍ成膜し、この膜をKOHエッチング液の保護膜とし
た。ａ−BN膜の上にステンレス製ドーナツ状マスク板を
セットし、CF4ガスにてドライエッチングして露出して
いるａ−BN膜を除去後、30％KOHにて露出したシリコン
面をウェットエッチングで溶出し、メンブレン化した。
メンブレン化適性として、仕上げたメンブレンが、傷や
ピンホールが無く平滑と認められる場合を良好、その他
を不良と判定した。
D法でアモルファスBN膜（以下、ａ−BN膜とする）を1.0
μｍ成膜し、この膜をKOHエッチング液の保護膜とし
た。ａ−BN膜の上にステンレス製ドーナツ状マスク板を
セットし、CF4ガスにてドライエッチングして露出して
いるａ−BN膜を除去後、30％KOHにて露出したシリコン
面をウェットエッチングで溶出し、メンブレン化した。
メンブレン化適性として、仕上げたメンブレンが、傷や
ピンホールが無く平滑と認められる場合を良好、その他
を不良と判定した。
（実施例１） 高周波マグネトロンスパッター装置SPF−332H型（日
電アネルバ社製商品名）を用いて、カソード側に純度が
99.0％のグラファイト粉末42重量部と、シリコン単結晶
の粉末644重量部を均一に混合してホットプレスにて焼
結して得られた直径３インチで厚みが5mmのターゲット
をセットした。
電アネルバ社製商品名）を用いて、カソード側に純度が
99.0％のグラファイト粉末42重量部と、シリコン単結晶
の粉末644重量部を均一に混合してホットプレスにて焼
結して得られた直径３インチで厚みが5mmのターゲット
をセットした。
基板として、直径３インチで厚みが600μｍの両面研
磨シリコンウェハを用いて250℃に加熱した状態でN2ガ
スとアルゴンガスを各々15cc/分と5cc/分の流量で流し
つつ、パワー密度を12W/cm2、反応圧力を4.0×10-2Torr
下で所定時間スパッターを行ない、SiCとSi3N4よりなる
膜厚1.0μｍの複合薄膜を作製した。
磨シリコンウェハを用いて250℃に加熱した状態でN2ガ
スとアルゴンガスを各々15cc/分と5cc/分の流量で流し
つつ、パワー密度を12W/cm2、反応圧力を4.0×10-2Torr
下で所定時間スパッターを行ない、SiCとSi3N4よりなる
膜厚1.0μｍの複合薄膜を作製した。
得られた複合薄膜をESCA法による元素分析を行なった
結果、Si50.0％、N24.9％、C24.6％となり、SiCとSi3N4
のモル比がおよそ1:1であることが判明した。
結果、Si50.0％、N24.9％、C24.6％となり、SiCとSi3N4
のモル比がおよそ1:1であることが判明した。
次にこの複合薄膜の主な物性について前述の方法で測
定したところ、成膜速度は0.09μm/分、引張応力は1.3
×109dyne/cm2、可視光透過率は69％、耐高エネルギー
ビーム性、耐薬品性及び耐湿性はいずれも１％以下であ
り、メンブレン化適性は良好であった。
定したところ、成膜速度は0.09μm/分、引張応力は1.3
×109dyne/cm2、可視光透過率は69％、耐高エネルギー
ビーム性、耐薬品性及び耐湿性はいずれも１％以下であ
り、メンブレン化適性は良好であった。
（実施例２、３および比較例１、２） グラファイト粉末とシリコン単結晶の粉末の混合比を
種々変えて、各種組成のターゲットを作製し、実施例１
と同様の方法でSiCとSi3N4の複合膜を作製し、ESCAにて
組成比を求め、各物性について測定した（実施例２、
３）。
種々変えて、各種組成のターゲットを作製し、実施例１
と同様の方法でSiCとSi3N4の複合膜を作製し、ESCAにて
組成比を求め、各物性について測定した（実施例２、
３）。
また、比較例として、SiCとSi3N4のモル比が本発明の
組成範囲外のものについても同様にターゲットを作製
し、実施例１と同様の方法でSiCとSi3N4の複合膜を作製
しESCAにて組成比を求め各物性について測定した（比較
例１、２）。
組成範囲外のものについても同様にターゲットを作製
し、実施例１と同様の方法でSiCとSi3N4の複合膜を作製
しESCAにて組成比を求め各物性について測定した（比較
例１、２）。
これらの成膜条件と結果を第１表に示した。
（発明の効果） 第１表の結果より、本発明の方法により成膜した薄膜
は、可視光透過率が50％以上を有し、耐高エネルギービ
ーム性、耐薬品性、耐湿性、メンブレン化適正の各性能
も優れていることが判る。一 方、比較例の結果より、ターゲットの組成において、Si
CとSi3N4のモル比が95:5よりSiCが多くなると、可視光
透過率30％以下となり実用に適さない（比較例１）。ま
た、SiCとSi3N4のモル比が30:70よりSi3N4が多くなって
も、耐薬品性及び耐湿性が悪化して実用上使用出来ない
（比較例２）。
は、可視光透過率が50％以上を有し、耐高エネルギービ
ーム性、耐薬品性、耐湿性、メンブレン化適正の各性能
も優れていることが判る。一 方、比較例の結果より、ターゲットの組成において、Si
CとSi3N4のモル比が95:5よりSiCが多くなると、可視光
透過率30％以下となり実用に適さない（比較例１）。ま
た、SiCとSi3N4のモル比が30:70よりSi3N4が多くなって
も、耐薬品性及び耐湿性が悪化して実用上使用出来ない
（比較例２）。
以上の様に本発明の製造方法によれば、Ｘ線リソグラ
フィー用マスクとしての性能は極めて高く、工業上有用
である。
フィー用マスクとしての性能は極めて高く、工業上有用
である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭57−11813（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−173763（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−196149（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−17661（ＪＰ，Ａ) 特開 昭56−140629（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−56660（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) C23C 14/06 H01L 21/027 G03F 1/08
Claims (4)
- 【請求項１】グラファイト（Ｃ）とシリコン（Si）の２
成分からなるターゲットを用い、N2ガス気流下でスパッ
ター法にて基板上にSiCとSi3N4よりなる複合膜を成膜す
ることを特徴とするSiCとSi3N4よりなる複合膜の製造方
法。 - 【請求項２】SiCとSi3N4の組成比がモル比で95:5〜30:7
0であることを特徴とする請求項１に記載のSiCとSi3N4
よりなる複合膜の製造方法。 - 【請求項３】請求項１または２に記載の製造方法で得ら
れたSiCとSi3N4よりなる複合膜をＸ線透過膜として用い
ることを特徴とするＸ線リソグラフィー用マスクの製造
方法。 - 【請求項４】請求項３に記載のＸ線透過膜の引張応力が
１×108〜１×1010dyne/cm2であることを特徴とするＸ
線リソグラフィー用マスクの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11765690A JP2790900B2 (ja) | 1990-05-09 | 1990-05-09 | ＳｉＣとＳｉ▲下３▼Ｎ▲下４▼よりなる複合膜の製造方法およびＸ線リソグラフィー用マスクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11765690A JP2790900B2 (ja) | 1990-05-09 | 1990-05-09 | ＳｉＣとＳｉ▲下３▼Ｎ▲下４▼よりなる複合膜の製造方法およびＸ線リソグラフィー用マスクの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0415908A JPH0415908A (ja) | 1992-01-21 |
| JP2790900B2 true JP2790900B2 (ja) | 1998-08-27 |
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ID=14717056
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|---|---|---|---|
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Country Status (1)
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|---|---|
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103560172A (zh) * | 2013-11-05 | 2014-02-05 | 华北电力大学 | 一种制备高导电率多晶硅薄膜的方法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JP2817287B2 (ja) * | 1989-11-30 | 1998-10-30 | 日本板硝子株式会社 | 透明物品 |
-
1990
- 1990-05-09 JP JP11765690A patent/JP2790900B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| CN103560172B (zh) * | 2013-11-05 | 2015-10-21 | 华北电力大学 | 一种制备高导电率多晶硅薄膜的方法 |
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|---|---|
| JPH0415908A (ja) | 1992-01-21 |
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