JPH02106756A - 微細パターンの形成方法 - Google Patents
微細パターンの形成方法Info
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- JPH02106756A JPH02106756A JP63260151A JP26015188A JPH02106756A JP H02106756 A JPH02106756 A JP H02106756A JP 63260151 A JP63260151 A JP 63260151A JP 26015188 A JP26015188 A JP 26015188A JP H02106756 A JPH02106756 A JP H02106756A
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Landscapes
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
半導体被処理基板上への微細パターンの形成方法に関し
、 微細パターンを精度よく、また量産工程的に形成するこ
とを目的とし、 パターン形成を行う半導体被処理基板の上に、二次電子
の影響を受ける高さまで、Ｘ線に低感度のレジスト層と
中感度のレジスト層を積層して形成し、更に、この上に
高感度のレジスト層を形成して三層構成とした後、Ｘ線
吸収体からなるマスクを通じてＸ線の露光を行い、同時
に同一の溶剤を用いて三層のレジスト層を現像すること
により微細パターンの形成方法を構成する。
、 微細パターンを精度よく、また量産工程的に形成するこ
とを目的とし、 パターン形成を行う半導体被処理基板の上に、二次電子
の影響を受ける高さまで、Ｘ線に低感度のレジスト層と
中感度のレジスト層を積層して形成し、更に、この上に
高感度のレジスト層を形成して三層構成とした後、Ｘ線
吸収体からなるマスクを通じてＸ線の露光を行い、同時
に同一の溶剤を用いて三層のレジスト層を現像すること
により微細パターンの形成方法を構成する。
本発明はＸ線を使用した微細バクーンの形成方法に関す
る。
る。
大量の情報を高速に処理する必要性から情報処理装置の
主体を占める半導体装置は集積化が進んでいる。
主体を占める半導体装置は集積化が進んでいる。
すなわち、半導体チップの最大面積は殆ど変わらないに
も拘らず、構成素子数は増加し、ＬＳＩよりＶＬＳＩへ
と高集積化が行われている。
も拘らず、構成素子数は増加し、ＬＳＩよりＶＬＳＩへ
と高集積化が行われている。
こ＼で、集積化は単位素子の小形化により行われている
が、この小形化は半導体層形成技術や薄膜形成技術と共
に写真蝕刻技術（フォトリソグラフィ）の進歩に負うと
ころが大きい。
が、この小形化は半導体層形成技術や薄膜形成技術と共
に写真蝕刻技術（フォトリソグラフィ）の進歩に負うと
ころが大きい。
すなわち、半導体集積回路の形成に当たってはパターン
幅が１μｍ以下の所謂るサブミクロンパターンの形成が
必要であるが、光源として紫外線を使用する従来のパタ
ーン形成法では波長の点からか＼る微細パターンの形成
は不可能であり、これに代わって電子線やＸ線のように
短波長の電離放射線が使用されるようになってきている
。
幅が１μｍ以下の所謂るサブミクロンパターンの形成が
必要であるが、光源として紫外線を使用する従来のパタ
ーン形成法では波長の点からか＼る微細パターンの形成
は不可能であり、これに代わって電子線やＸ線のように
短波長の電離放射線が使用されるようになってきている
。
こ＼で、Ｘ線を使用する写真蝕刻技術（以下Ｘ線リソグ
ラフィ）は波長が数人の軟ＸｖＡを紫外線の代わりに使
用し、マスクを通じてレジストを露光する方式であり、
電子ビーム露光に較べて一度に全面積の露光を行うこと
ができ、露光時間が短く、切れの良い微細パターンを作
ることができまた特別な真空を必要としない。
ラフィ）は波長が数人の軟ＸｖＡを紫外線の代わりに使
用し、マスクを通じてレジストを露光する方式であり、
電子ビーム露光に較べて一度に全面積の露光を行うこと
ができ、露光時間が短く、切れの良い微細パターンを作
ることができまた特別な真空を必要としない。
これらの利点からパターン幅が０．２〜０．３ μｍの
レジストパターンの形成法としてＸ線リソグラフィの実
用化が進められている。
レジストパターンの形成法としてＸ線リソグラフィの実
用化が進められている。
〔従来の技術〕
先に記したようにＸ線露光は電子線に較べて各種の長所
はあるもの＼、マスクと基板との隙間による回折と、基
板から発生ずる二次電子の問題がある。
はあるもの＼、マスクと基板との隙間による回折と、基
板から発生ずる二次電子の問題がある。
こ−で、回折の問題はマスクと基板間の距離を適正化す
ることによって最少限度に抑制することができる。
ることによって最少限度に抑制することができる。
然し、二次電子の影響を避けることは困難である。
第３図（Ａ、） 、 （Ｂ）はこの状態を示すもので
、同図（Ａ）はポジ型のレジストｌがスピンコード法な
どにより被覆されている被処理基板２にクルクル（Ｔａ
）やタングステン（Ｗ）などのＸ線の吸収体を用いて形
成されているＸ線マスク３を通じてＸ線４を照射して露
光をさせた状態を、また同図（Ｂ）は現像液に浸して現
像した後の状態を示すもので、Ｘ線の被処理基＋Ｆ１．
２との衝突により発生し、等方向に飛散する二次電子に
より、レジストパターン５で被処理基板２と接する部分
は過度の露光を受ける結果、アンダーカット６を生ずる
。
、同図（Ａ）はポジ型のレジストｌがスピンコード法な
どにより被覆されている被処理基板２にクルクル（Ｔａ
）やタングステン（Ｗ）などのＸ線の吸収体を用いて形
成されているＸ線マスク３を通じてＸ線４を照射して露
光をさせた状態を、また同図（Ｂ）は現像液に浸して現
像した後の状態を示すもので、Ｘ線の被処理基＋Ｆ１．
２との衝突により発生し、等方向に飛散する二次電子に
より、レジストパターン５で被処理基板２と接する部分
は過度の露光を受ける結果、アンダーカット６を生ずる
。
そして、アンダーカット６の程度は被処理基板２と露光
強度のピーク波長に依存するが、実用的な条件では片側
で０．１〜０．１５μｍ程度となる。
強度のピーク波長に依存するが、実用的な条件では片側
で０．１〜０．１５μｍ程度となる。
そのため、超微細なレジストパターンを形成することは
非常に困難である。
非常に困難である。
第４図はこの問題を解決するために開発された方法であ
って、レジスト層を下層７．中間層８」二層９の三層で
構成する。
って、レジスト層を下層７．中間層８」二層９の三層で
構成する。
そして、上層９はＸ線に対して感度が高く、且つドライ
エツチング性の優れた材料で形成し、中間層８はトライ
エ、チングを行って下層７にレジストパターンを形成す
る際にマスクとして働くもので、アルミ＜ ｉ）の蒸
着膜や有機硅素化合物などで形成し、また下層７は二次
電子線を吸収する材料で構成する。
エツチング性の優れた材料で形成し、中間層８はトライ
エ、チングを行って下層７にレジストパターンを形成す
る際にマスクとして働くもので、アルミ＜ ｉ）の蒸
着膜や有機硅素化合物などで形成し、また下層７は二次
電子線を吸収する材料で構成する。
そして、形成プロセスとしでは、第４図（Ａ）に示すよ
うにＸ線マスク３を通じて上層９のレジストを感光させ
、現像によって同図（Ｂ）に示すように上層パターン１
０を形成した後、この上層パクーンｌＯをマスクとして
反応性イオンエツチング（略称ＲＩＥ）を行い、同図（
Ｃ）に示すように上層パターン１０を中間層８と下層７
に転写するものである。
うにＸ線マスク３を通じて上層９のレジストを感光させ
、現像によって同図（Ｂ）に示すように上層パターン１
０を形成した後、この上層パクーンｌＯをマスクとして
反応性イオンエツチング（略称ＲＩＥ）を行い、同図（
Ｃ）に示すように上層パターン１０を中間層８と下層７
に転写するものである。
然し、この方法は工程が複雑であって製造コストが上昇
すると云う問題がある。
すると云う問題がある。
また、第５図は別のパターン形成法を示す断面図であっ
て、同図（Ａ）に示すように被処理基板２の上のレジス
ト層をＸ線に関して低感度の下層レジスト１１と高感度
の上層レジス目２とで構成する。
て、同図（Ａ）に示すように被処理基板２の上のレジス
ト層をＸ線に関して低感度の下層レジスト１１と高感度
の上層レジス目２とで構成する。
そして、Ｘ線マスク３を用いてＸ線４の選択露光を行い
、被処理基板２の表面から飛程する二次電子を下層レジ
ス目１で吸収させるものである。
、被処理基板２の表面から飛程する二次電子を下層レジ
ス目１で吸収させるものである。
この方法はＸ線露光条件と現像条件とを適正化するとア
ンダーカットは抑制されるが、パターン断面が垂直にな
るように条件を適正化することが非常に困難であって、
同図（Ｂ）に示すように一ド層パターン１３が丸みを帯
びた膨らみを生し易（、パターン精度が低下し易い。
ンダーカットは抑制されるが、パターン断面が垂直にな
るように条件を適正化することが非常に困難であって、
同図（Ｂ）に示すように一ド層パターン１３が丸みを帯
びた膨らみを生し易（、パターン精度が低下し易い。
これらのことから、工程が簡単で、アンダーカットや膨
らみを生しないパターン形成法の実用化が望まれていた
。
らみを生しないパターン形成法の実用化が望まれていた
。
以上記したようにＸ線リソグラフィとして三層構造レジ
スト法や二層構造レジスト法が提案されているが、前者
は工程が複雑であって製造コストが高くつき、また後者
はパターン断面が垂直になるように現像条件を適正化す
ることが難しいと云う問題がある。
スト法や二層構造レジスト法が提案されているが、前者
は工程が複雑であって製造コストが高くつき、また後者
はパターン断面が垂直になるように現像条件を適正化す
ることが難しいと云う問題がある。
そごで、工程が簡単で、アンダーカットや膨らみを生し
ないパターン形成法を実用化することが課題である。
ないパターン形成法を実用化することが課題である。
土、記の課題はパターン形成を行う半導体被処理法板の
上に、二次電子の影響を受ける高さまで、Ｘ線に低感度
のレジスト層と中感度のレジスト層を積層して形成し、
更に、この上に高感度のレジスト層を形成して三層構成
とした後、Ｘ線吸収体からなるマスクを通じてＸ線の露
光を行い、同時に同一の溶剤を用いて三層のレジスト層
を現像することにより解決することができる。
上に、二次電子の影響を受ける高さまで、Ｘ線に低感度
のレジスト層と中感度のレジスト層を積層して形成し、
更に、この上に高感度のレジスト層を形成して三層構成
とした後、Ｘ線吸収体からなるマスクを通じてＸ線の露
光を行い、同時に同一の溶剤を用いて三層のレジスト層
を現像することにより解決することができる。
本発明は露光量を規定し、また二次電子の影響を受ける
高さまで下層レジストと中間層レジストを層形成するこ
とによって高精度のレジストパターンを形成するもので
ある。
高さまで下層レジストと中間層レジストを層形成するこ
とによって高精度のレジストパターンを形成するもので
ある。
第１図は本発明に係るパターン形成法を示す断面図、ま
た第２図は本発明に係るレジスト層の露光量と残膜率と
の関係図である。
た第２図は本発明に係るレジスト層の露光量と残膜率と
の関係図である。
すなわち、本発明はレジスト層をＸＷＡに感度の高い通
常のポジ型レジストを用いて上層レジスト１５とし、こ
の下に、中感度のポジ型レジストを用いて中間層レジス
トを構成し、またその下に低感度の低いポジ型レジスト
を下層レジス目７として二層構造レジストを構成する。
常のポジ型レジストを用いて上層レジスト１５とし、こ
の下に、中感度のポジ型レジストを用いて中間層レジス
トを構成し、またその下に低感度の低いポジ型レジスト
を下層レジス目７として二層構造レジストを構成する。
そして、下層レジスト１７と中間層レジスト１６の厚さ
の和を二次電子線の影響づる高さ（０，１−０，２μｍ
）とし、下層レジス目７で二次電子線を主として吸収す
るようにするものである。
の和を二次電子線の影響づる高さ（０，１−０，２μｍ
）とし、下層レジス目７で二次電子線を主として吸収す
るようにするものである。
第２図において、縦軸は残膜率を、また横軸は露光量（
ｍＪ／ ｃｍ２）を示しており、Ｄｏは上層レジストの
残膜率がＯとなる露光量、Ｄ２は中間層レジストの残膜
率が０となる露光量、Ｄ３は下層レジストの残膜率がＯ
となる露光量である。
ｍＪ／ ｃｍ２）を示しており、Ｄｏは上層レジストの
残膜率がＯとなる露光量、Ｄ２は中間層レジストの残膜
率が０となる露光量、Ｄ３は下層レジストの残膜率がＯ
となる露光量である。
また、ＤｌはＦ層しジストの解像パターン幅がＸ線マス
ク幅と１：１の関係を示す露光量である。
ク幅と１：１の関係を示す露光量である。
そして、Ｄｌの露光量で露光すると、下層レジスト１７
と中間層レジスト１６は二次電子による露光が加わるの
で実質的には残膜率Ｏの状態まで露光することになり、
現像により第１図（Ｂ）に示すように垂直な断面形状を
もつレジストパターンを得ることができる。
と中間層レジスト１６は二次電子による露光が加わるの
で実質的には残膜率Ｏの状態まで露光することになり、
現像により第１図（Ｂ）に示すように垂直な断面形状を
もつレジストパターンを得ることができる。
シリコン（Ｓｉ）単結晶からなる被処理基板２のトにポ
リメチルメタクリレート（略称ＰＭＭＡ）を主構成材と
するポジ型レジスト（品名０ＥＢＲ−１０００，東京応
化製）をスピンコードして厚さが０．１ μｍの下層
レジスト１７を作り、２００℃で５分間ヘーキングした
。
リメチルメタクリレート（略称ＰＭＭＡ）を主構成材と
するポジ型レジスト（品名０ＥＢＲ−１０００，東京応
化製）をスピンコードして厚さが０．１ μｍの下層
レジスト１７を作り、２００℃で５分間ヘーキングした
。
続いて、中程度の感度をもつポジ型レジスト（品名ＣＭ
Ｒ，日本ゼオン製）をスビンコー１〜して厚さが０．０
５μｍの中間層レジス目６を作り、２００℃で５分間ヘ
ーキングを行い、更にこの上に中間層よりも低分子で高
感度のポジ型レジスト（品名ＣＭＲ１００、日本ゼオン
製）をスピンコードして厚さが１μｍの上層レジスト１
５を作り、２００℃で１’０分間（７）ベーキングを行
った。
Ｒ，日本ゼオン製）をスビンコー１〜して厚さが０．０
５μｍの中間層レジス目６を作り、２００℃で５分間ヘ
ーキングを行い、更にこの上に中間層よりも低分子で高
感度のポジ型レジスト（品名ＣＭＲ１００、日本ゼオン
製）をスピンコードして厚さが１μｍの上層レジスト１
５を作り、２００℃で１’０分間（７）ベーキングを行
った。
次に、環状の円形加速器であるシンクロトロン（Ｓｙｎ
ｃｈｒｏｔｒｏｎ）を用い、ＳＲ光（Ｓｙｎｃｈｒｏｔ
ｒｏｎ Ｒａｄｉａｔｉｏｎ）を２０耐／ｃｍ”の条件
で露光さゼた。
ｃｈｒｏｔｒｏｎ）を用い、ＳＲ光（Ｓｙｎｃｈｒｏｔ
ｒｏｎ Ｒａｄｉａｔｉｏｎ）を２０耐／ｃｍ”の条件
で露光さゼた。
次に、メチルイソブチルケトン（略称ＭＩＢＫ）を用い
て現像を４０秒間行い、次に、イソプロピルアルコール
（略称ＩＰＡ）でリンスを行うことにより最少線幅が０
．２ μ「の微細パターンを得ることができた。
て現像を４０秒間行い、次に、イソプロピルアルコール
（略称ＩＰＡ）でリンスを行うことにより最少線幅が０
．２ μ「の微細パターンを得ることができた。
本発明の実施により、比較的簡単な工程で二次電子によ
るアンダーカットを防止することができ、微細パターン
を精度よく形成することが可能になる。
るアンダーカットを防止することができ、微細パターン
を精度よく形成することが可能になる。
第１図は本発明に係るパターン形成法を示す断面図、
第２図は本発明に係るレジスト層の露光量と残膜率の関
係図、 第３図は単層レジストの使用例を示す断面図、第４図は
従来のパターン形成法を示す断面図、第５図は従来の別
のパターン形成法を示す断面図、 である。 図において、 ２は被処理基板、 ３はＸ線マスク、４ Ｌｅ
ｔ： Ｘ線、 ６はアンダーカット、１
５は上層レジスト、 １７は下層レジスト、 である。
係図、 第３図は単層レジストの使用例を示す断面図、第４図は
従来のパターン形成法を示す断面図、第５図は従来の別
のパターン形成法を示す断面図、 である。 図において、 ２は被処理基板、 ３はＸ線マスク、４ Ｌｅ
ｔ： Ｘ線、 ６はアンダーカット、１
５は上層レジスト、 １７は下層レジスト、 である。
Claims (1)
- パターン形成を行う半導体被処理基板の上に、二次電子
の影響を受ける高さまで、Ｘ線に低感度のレジスト層と
中感度のレジスト層を積層して形成し、更に、この上に
高感度のレジスト層を形成して三層構成とした後、Ｘ線
吸収体からなるマスクを通じてＸ線の露光を行い、同時
に同一の溶剤を用いて三層のレジスト層を現像すること
を特徴とする微細パターンの形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63260151A JPH02106756A (ja) | 1988-10-14 | 1988-10-14 | 微細パターンの形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63260151A JPH02106756A (ja) | 1988-10-14 | 1988-10-14 | 微細パターンの形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02106756A true JPH02106756A (ja) | 1990-04-18 |
Family
ID=17344019
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63260151A Pending JPH02106756A (ja) | 1988-10-14 | 1988-10-14 | 微細パターンの形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02106756A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009204674A (ja) * | 2008-02-26 | 2009-09-10 | Toshiba Corp | パターン形成方法 |
-
1988
- 1988-10-14 JP JP63260151A patent/JPH02106756A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009204674A (ja) * | 2008-02-26 | 2009-09-10 | Toshiba Corp | パターン形成方法 |
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