JPH06338444A - マスクの製造方法 - Google Patents
マスクの製造方法Info
- Publication number
- JPH06338444A JPH06338444A JP12736593A JP12736593A JPH06338444A JP H06338444 A JPH06338444 A JP H06338444A JP 12736593 A JP12736593 A JP 12736593A JP 12736593 A JP12736593 A JP 12736593A JP H06338444 A JPH06338444 A JP H06338444A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- multilayer film
- ray
- soft
- substance
- pattern
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 軟Ｘ線や真空紫外線の反射特性が良好なマス
クを提供すること。 【構成】 基板１上に、軟Ｘ線に対して例えばＭｏとＳ
ｉを交互に積層した多層膜２を形成する工程と、この多
層膜２の上にレジストパターン３を形成する工程と、こ
のパターン３をマスクとして多層膜２を異方性エッチン
グ処理する工程と、エッチング除去した部分に軟Ｘ線を
吸収する物質４を多層膜２の膜厚とほぼ同じだけ堆積す
る工程と、パターン３を除去する工程とを行うものであ
る。即ち、異方性エッチングにより、多層膜２に、入射
光の吸収部分を形成する個所を予め形成しておき、そこ
に吸収物質４を堆積させる。吸収物質４を堆積した後に
パターン３を除去してしまうので、反射部分（多層膜
２）の上に吸収物質４が残ることはない。
クを提供すること。 【構成】 基板１上に、軟Ｘ線に対して例えばＭｏとＳ
ｉを交互に積層した多層膜２を形成する工程と、この多
層膜２の上にレジストパターン３を形成する工程と、こ
のパターン３をマスクとして多層膜２を異方性エッチン
グ処理する工程と、エッチング除去した部分に軟Ｘ線を
吸収する物質４を多層膜２の膜厚とほぼ同じだけ堆積す
る工程と、パターン３を除去する工程とを行うものであ
る。即ち、異方性エッチングにより、多層膜２に、入射
光の吸収部分を形成する個所を予め形成しておき、そこ
に吸収物質４を堆積させる。吸収物質４を堆積した後に
パターン３を除去してしまうので、反射部分（多層膜
２）の上に吸収物質４が残ることはない。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体製造プロセスに
使用されるマスクの製造方法に関する。
使用されるマスクの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、半導体装置において配線の形成
には光リソグラフィ技術が用いられているが、近年、要
求される素子の最小線幅が、転写に用いられている光の
波長と同等になってきたために、その寸法に限界が生じ
てきた。例えば、現在開発が進められている６４ＭＤＲ
ＡＭでは、ｉ線（波長：０．３６５μｍ）が光源として
用いられる可能性が高いが、このｉ線を用いた場合、最
小線幅は０．３５μｍ〜０．４μｍが限度である。
には光リソグラフィ技術が用いられているが、近年、要
求される素子の最小線幅が、転写に用いられている光の
波長と同等になってきたために、その寸法に限界が生じ
てきた。例えば、現在開発が進められている６４ＭＤＲ
ＡＭでは、ｉ線（波長：０．３６５μｍ）が光源として
用いられる可能性が高いが、このｉ線を用いた場合、最
小線幅は０．３５μｍ〜０．４μｍが限度である。
【０００３】そこで、波長が０．４ｎｍ〜４ｎｍと非常
に短い軟Ｘ線を用いる転写法が提案され、例えば、特開
昭６３−２３７５２３号公報（Ｈ０１Ｌ２１／３０）で
は、次の方法が提案されている。即ち、まず、所定の厚
さの重元素を主とする薄膜と所定の厚さの軽元素を主と
する薄膜とを交互に重ねた多層反射膜をＸ線の反射部分
とする。
に短い軟Ｘ線を用いる転写法が提案され、例えば、特開
昭６３−２３７５２３号公報（Ｈ０１Ｌ２１／３０）で
は、次の方法が提案されている。即ち、まず、所定の厚
さの重元素を主とする薄膜と所定の厚さの軽元素を主と
する薄膜とを交互に重ねた多層反射膜をＸ線の反射部分
とする。
【０００４】次に、この反射膜の上に集束イオンビーム
で所望のパターンを描くことにより、イオンの照射され
た部分の多層反射膜界面で、２種の材料が混合するイオ
ンミキシング現象がおこり、２種の材料の境界面が破壊
され、多層膜間の界面又は多層構造が不明瞭となり、そ
の結果、イオンの照射された領域ではＸ線を反射する機
能が失われ、いわゆるＸ線を吸収する部分となる。
で所望のパターンを描くことにより、イオンの照射され
た部分の多層反射膜界面で、２種の材料が混合するイオ
ンミキシング現象がおこり、２種の材料の境界面が破壊
され、多層膜間の界面又は多層構造が不明瞭となり、そ
の結果、イオンの照射された領域ではＸ線を反射する機
能が失われ、いわゆるＸ線を吸収する部分となる。
【０００５】このように作成されたマスクにＸ線束を照
射し、反射部分からの反射光を、Ｘ線縮小光学系を用い
てウェハ上に塗布したレジストの上に結像してレジスト
を露光することにより、マスクパターンをウェハ上に縮
小転写する。
射し、反射部分からの反射光を、Ｘ線縮小光学系を用い
てウェハ上に塗布したレジストの上に結像してレジスト
を露光することにより、マスクパターンをウェハ上に縮
小転写する。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】従来例にあっては、イ
オンビームを照射することにより反射膜の反射機能を損
なわせ、Ｘ線の吸収部分を作成しているが、この方法で
は、照射されたイオンが横方向にも散乱してしまって、
反射部分と吸収部分との境界線が不明瞭となり、反射膜
のこの境界部分に影響を与え、反射部分の反射特性を劣
化させる問題がある。
オンビームを照射することにより反射膜の反射機能を損
なわせ、Ｘ線の吸収部分を作成しているが、この方法で
は、照射されたイオンが横方向にも散乱してしまって、
反射部分と吸収部分との境界線が不明瞭となり、反射膜
のこの境界部分に影響を与え、反射部分の反射特性を劣
化させる問題がある。
【０００７】本発明はマスクの製造方法に関し、斯かる
問題点を解消するものである。
問題点を解消するものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明におけるマスクの
製造方法は、基板上に、軟Ｘ線又は真空紫外線に対して
光学定数の異なる少なくとも２種類の物質を交互に積層
した多層膜を形成する工程と、この多層膜の上にパター
ンを形成する工程と、このパターンをマスクとして前記
多層膜を異方性エッチング処理する工程と、エッチング
除去した部分に前記軟Ｘ線又は真空紫外線を吸収する物
質を前記多層膜の膜厚とほぼ同じだけ堆積する工程と、
前記パターンを除去する工程とを行うものである。
製造方法は、基板上に、軟Ｘ線又は真空紫外線に対して
光学定数の異なる少なくとも２種類の物質を交互に積層
した多層膜を形成する工程と、この多層膜の上にパター
ンを形成する工程と、このパターンをマスクとして前記
多層膜を異方性エッチング処理する工程と、エッチング
除去した部分に前記軟Ｘ線又は真空紫外線を吸収する物
質を前記多層膜の膜厚とほぼ同じだけ堆積する工程と、
前記パターンを除去する工程とを行うものである。
【０００９】
【作用】即ち、異方性エッチングにより、多層膜に、入
射光の吸収部分を形成する個所を予め形成しておき、そ
こに吸収物質を堆積させる。吸収物質を堆積した後にパ
ターンを除去してしまうので、反射部分（多層膜）の上
に吸収物質が残ることはない。
射光の吸収部分を形成する個所を予め形成しておき、そ
こに吸収物質を堆積させる。吸収物質を堆積した後にパ
ターンを除去してしまうので、反射部分（多層膜）の上
に吸収物質が残ることはない。
【００１０】
【実施例】本発明の実施例を図面に基づいて説明する。
図は本発明による軟Ｘ線反射型マスクの製造プロセスを
示す断面図である。まず、表面が研摩されたＳｉ（シリ
コン）又はＳｉＣ（炭化シリコン）基板１上に、Ｍｏ
（モリブデン），Ｔａ（タンタル），Ｗ（タングステ
ン），Ａｕ（金）などの重元素を主とする物質と、Ｂｅ
（ベリリウム），Ｃ（カーボン），Ｓｉなどの軽元素を
主とする物質とを、通常の蒸着法やスパッタ法により交
互に積層させ、多層膜２を形成する（ａ）。
図は本発明による軟Ｘ線反射型マスクの製造プロセスを
示す断面図である。まず、表面が研摩されたＳｉ（シリ
コン）又はＳｉＣ（炭化シリコン）基板１上に、Ｍｏ
（モリブデン），Ｔａ（タンタル），Ｗ（タングステ
ン），Ａｕ（金）などの重元素を主とする物質と、Ｂｅ
（ベリリウム），Ｃ（カーボン），Ｓｉなどの軽元素を
主とする物質とを、通常の蒸着法やスパッタ法により交
互に積層させ、多層膜２を形成する（ａ）。
【００１１】多層膜の物質は、光学定数を基にして使用
波長に最も適した物質を選択し、その周期長は使用波長
および入射角度によってブラッグ条件を満たすように設
定する。例えば、波長１３０ÅであればＭｏとＳｉの組
み合わせを選択する場合が多く、入射角を１５度（法線
方向からの角度）とすると、ブラッグ条件から周期長は
６７Åに設定することになる。この例では３０層で約５
０％の反射率が得られるが、多層膜の層数は多いほど反
射率が高くなる。
波長に最も適した物質を選択し、その周期長は使用波長
および入射角度によってブラッグ条件を満たすように設
定する。例えば、波長１３０ÅであればＭｏとＳｉの組
み合わせを選択する場合が多く、入射角を１５度（法線
方向からの角度）とすると、ブラッグ条件から周期長は
６７Åに設定することになる。この例では３０層で約５
０％の反射率が得られるが、多層膜の層数は多いほど反
射率が高くなる。
【００１２】次に、通常のリソグラフィ技術や電子ビー
ム技術により、前記多層膜２の上にレジストパターン３
を形成する（ｂ）。レジストパターン３をマスクとして
ＲＩＥ法（反応性イオンエッチング法）により前記多層
膜２を異方性エッチングする（ｃ）。例えば、ＭｏとＳ
ｉの多層膜であれば、フレオン系のエッチングガス（Ｃ
Ｆ3Ｂｒ等）を使用する。
ム技術により、前記多層膜２の上にレジストパターン３
を形成する（ｂ）。レジストパターン３をマスクとして
ＲＩＥ法（反応性イオンエッチング法）により前記多層
膜２を異方性エッチングする（ｃ）。例えば、ＭｏとＳ
ｉの多層膜であれば、フレオン系のエッチングガス（Ｃ
Ｆ3Ｂｒ等）を使用する。
【００１３】更に、軟Ｘ線（入射光）を吸収するため
に、蒸着法やスパッタ法により、前記重元素からなる物
質４を堆積させる。この吸収物質４は前記多層膜２のエ
ッチング除去した部分にも堆積され、多層膜２の上面と
面一になった時点で堆積作業を終了する（ｄ）。尚、こ
の吸収物質４は軽元素でもよいが、適正からいえば重元
素の方が好ましい。
に、蒸着法やスパッタ法により、前記重元素からなる物
質４を堆積させる。この吸収物質４は前記多層膜２のエ
ッチング除去した部分にも堆積され、多層膜２の上面と
面一になった時点で堆積作業を終了する（ｄ）。尚、こ
の吸収物質４は軽元素でもよいが、適正からいえば重元
素の方が好ましい。
【００１４】最後に、有機溶剤を用いたウェット処理に
よりレジストパターン３を除去すると、レジスト上に堆
積されていた吸収物質も同時に除去され、前記基板１上
には軟Ｘ線の反射領域である多層膜２の部分と非反射領
域である吸収物質４の部分とが面一に形成される
（ｅ）。尚、真空紫外線を使用する場合も同様である
が、この場合は、もちろん前記多層膜の組み合わせと周
期長とを適宜選択する必要がある。
よりレジストパターン３を除去すると、レジスト上に堆
積されていた吸収物質も同時に除去され、前記基板１上
には軟Ｘ線の反射領域である多層膜２の部分と非反射領
域である吸収物質４の部分とが面一に形成される
（ｅ）。尚、真空紫外線を使用する場合も同様である
が、この場合は、もちろん前記多層膜の組み合わせと周
期長とを適宜選択する必要がある。
【００１５】
【発明の効果】本発明のマスクの製造方法にあっては、
軟Ｘ線や真空紫外線の反射特性が良好なマスクを提供で
きる。
軟Ｘ線や真空紫外線の反射特性が良好なマスクを提供で
きる。
【図１】本発明の実施例における軟Ｘ線マスクの製造プ
ロセスを示す断面図である。
ロセスを示す断面図である。
１ 基板 ２ 多層膜 ３ レジストパターン ４ 吸収物質
Claims (1)
- 【請求項１】 基板上に、軟Ｘ線又は真空紫外線に対し
て光学定数の異なる少なくとも２種類の物質を交互に積
層した多層膜を形成する工程と、この多層膜の上にパタ
ーンを形成する工程と、このパターンをマスクとして前
記多層膜を異方性エッチング処理する工程と、エッチン
グ除去した部分に前記軟Ｘ線又は真空紫外線を吸収する
物質を前記多層膜の膜厚とほぼ同じだけ堆積する工程
と、前記パターンを除去する工程とを行うことを特徴と
するマスクの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12736593A JPH06338444A (ja) | 1993-05-28 | 1993-05-28 | マスクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12736593A JPH06338444A (ja) | 1993-05-28 | 1993-05-28 | マスクの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06338444A true JPH06338444A (ja) | 1994-12-06 |
Family
ID=14958165
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12736593A Pending JPH06338444A (ja) | 1993-05-28 | 1993-05-28 | マスクの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06338444A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030000119A (ko) * | 2001-06-22 | 2003-01-06 | 주식회사 하이닉스반도체 | 이유브이(ｅｕｖ) 마스크 및 그의 형성 방법 |
| JP2011222612A (ja) * | 2010-04-06 | 2011-11-04 | Toppan Printing Co Ltd | Ｅｕｖ用反射型マスク及びｅｕｖ用反射型マスク製造方法 |
| JP2014096483A (ja) * | 2012-11-09 | 2014-05-22 | Toppan Printing Co Ltd | 反射型マスクおよびその製造方法 |
| US9977323B2 (en) | 2015-09-14 | 2018-05-22 | Toshiba Memory Corporation | Reflective mask and method for manufacturing reflective mask |
-
1993
- 1993-05-28 JP JP12736593A patent/JPH06338444A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030000119A (ko) * | 2001-06-22 | 2003-01-06 | 주식회사 하이닉스반도체 | 이유브이(ｅｕｖ) 마스크 및 그의 형성 방법 |
| JP2011222612A (ja) * | 2010-04-06 | 2011-11-04 | Toppan Printing Co Ltd | Ｅｕｖ用反射型マスク及びｅｕｖ用反射型マスク製造方法 |
| JP2014096483A (ja) * | 2012-11-09 | 2014-05-22 | Toppan Printing Co Ltd | 反射型マスクおよびその製造方法 |
| US9977323B2 (en) | 2015-09-14 | 2018-05-22 | Toshiba Memory Corporation | Reflective mask and method for manufacturing reflective mask |
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