JP5133967B2 - Euv露光方法 - Google Patents
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Description
前記EUVリソグラフィー用マスク基板の前記複数の反射層は、積層方向の膜厚が第1の膜厚d1である第1の領域と、積層方向の膜厚が前記第1の膜厚d1よりも薄い第2の膜厚d2である第2の領域とを含み、
露光に用いるEUV光の露光波長λdが、前記第1の膜厚d1に固有のEUV反射光が最大になるピーク波長λ1と前記第2の膜厚d2に固有のEUV反射光が最大になるピーク波長λ2との間であることを特徴とするEUV露光方法が提供される。
近年、EUVリソグラフィー用マスク基板100の製造工程において、欠陥上に反射層を積層させる際に、成膜条件を設定することにより、欠陥上の層を薄層化し、層表面を平坦化する技術が検討されている。
図1(d)に示すように、EUVリソグラフィー用マスク基板100は、基板102と、その上に形成された所定数の複数の第一の反射層104と、さらにその上に形成された複数の第二の反射層106とを含む。本実施の形態において、第一の反射層104は、基板102上等にある欠陥(突起)の影響をなくすような平坦化効果を有する条件で形成される。一方、第二の反射層106は、このような平坦化効果を有しない条件で形成される。
(1)平坦化効果なし(全層にわたって膜厚が6.95nm)、
(2)平坦化効果弱(下から40層目で欠陥が平坦化される条件)、
(3)平坦化効果中(下から20層目で欠陥が平坦化される条件)、
(4)平坦化効果強(下から10層目で欠陥が平坦化される条件)、
とした。
(1)ガラス基板直上、
(2)Mo/Si層下から10層目上、
(3)Mo/Si層下から20層目上、
(4)Mo/Si層下から30層目上、
に形成されている場合について調べた。
(i)平坦化効果弱(40層目で欠陥が平坦化される条件)、
(ii)平坦化効果中(20層目で欠陥が平坦化される条件)、
(iii)平坦化効果強(10層目で欠陥が平坦化される条件)、
とした。
図7(a)は、本実施の形態におけるEUVリソグラフィー用マスク基板200の構成を示す図である。EUVリソグラフィー用マスク基板200は、基板202と、その上に形成された複数の反射層204とを含む。EUVリソグラフィー用マスク基板200は、所定のピーク露光波長のEUV光を露光するEUV露光装置に用いられる。
図10は、基板202上に高さh1=10nmの欠陥が存在する場合に、反射層204の膜厚d1を6.95nmとして、領域Bにおける反射層204の膜厚d2を6.95nmから0.03nmずつ縮小させた際の光強度シミュレーションの結果を示す図である。ここでは、露光波長を13.5nmとして計算した。
102 基板
104 第一の反射層
106 第二の反射層
110 異物
200 EUVリソグラフィー用マスク基板
202 基板
204 反射層
210 異物
Claims (4)
- 基板と、前記基板上に積層された複数の反射層とを含むEUVリソグラフィー用マスク基板を用いたEUV露光方法であって、
前記EUVリソグラフィー用マスク基板の前記複数の反射層は、積層方向の膜厚が第1の膜厚d1である第1の領域と、積層方向の膜厚が前記第1の膜厚d1よりも薄い第2の膜厚d2である第2の領域とを含み、
露光に用いるEUV光の露光波長λdが、前記第1の膜厚d1に固有のEUV反射光が最大になるピーク波長λ1と前記第2の膜厚d2に固有のEUV反射光が最大になるピーク波長λ2との間であることを特徴とするEUV露光方法。 - 請求項1に記載のEUV露光方法において、
前記基板上または前記複数の反射層中に異物を含み、
前記第2の領域は、前記異物の上または上下に設けられたことを特徴とするEUV露光方法。 - 請求項1または2に記載のEUV露光方法において、
前記反射層が、高融点金属層とシリコン層とからなり、
前記第2の領域において、前記反射層の高融点金属層とシリコン層との境界部分がシリサイド化していることを特徴とするEUV露光方法。 - 請求項1から3いずれか一項に記載のEUV露光方法において、
前記第2の領域は、前記基板上に前記反射層を形成した後に、前記反射層の上部から、部分的に電子ビームを照射して、当該電子ビームの照射領域下方における前記反射層の膜厚を他の領域の膜厚よりも薄くすることにより形成されたことを特徴とするEUV露光方法。
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