JP5082681B2 - 反射型フォトマスクブランク及び反射型フォトマスクの製造方法 - Google Patents
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Description
光吸収層11の上の最上層をハードマスク層8として、その下には上から順に光吸収層上層7、光吸収層下層6、緩衝層5、保護層4、多層反射層3、低熱膨脹基板2および静電チャックに対する保持用としてのCrN層1が形成されている。
|(Rb−Rh)/(Rb+Rh)|×100 ≧ 50であると、検査光波長を用いて欠陥を検出することが容易になる。
|(Rb−Rh)/(Rb+Rh)|×100の式より算出することができる。
|(Rb−Rh)/(Rb+Rh)|×100の式より算出することができる。
2・・・低熱膨張基板
3・・・多層反射層
4・・・保護層
5・・・緩衝層
6・・・光吸収層下層
7・・・光吸収層上層
8・・・ハードマスク層
9・・・検査光波長に対するハードマスク層表面での反射率
10・・検査光波長に対する緩層表面での反射率
11・・光吸収層
100・反射型フォトマスクブランクス
Claims (2)
- 基板と、
前記基板上に形成された多層反射層と、
前記多層反射層上に形成された保護層と、
前記保護層上に形成された光吸収層と、
前記保護層と前記光吸収層との間に形成された緩衝層と、
前記光吸収層上に形成されたハードマスク層と、を有する波長10nm−15nmのEUV光を光源とするリソグラフィ技術の反射型フォトマスクブランクにおいて、
前記ハードマスク層及び前記緩衝層は、クロム(Cr)、ジルコニウム(Zr)又はインジウム(In)を主成分とする、前記光吸収層のエッチング条件に対して耐性を有する材料からなり、
前記ハードマスク層及び前記緩衝層は、同種のガスプラズマにより、同等のエッチングレートを有しており、
波長190nm−260nmのDUV光による欠陥検査光波長に対して、前記ハードマスク表面の反射率(Rh)と前記緩衝層表面の反射率(Rb)が
|(Rb−Rh)/(Rb+Rh)|×100≧50
を満たす反射コントラスト値を示し、
前記光吸収層表面と前記保護層表面との前記反射コントラスト値が50以上であることを特徴とする反射型フォトマスクブランク。 - ハードマスク層及び緩衝層が、クロム(Cr)、ジルコニウム(Zr)又はインジウム(In)を主成分とする反射型フォトマスクブランクを準備し、
前記反射型フォトマスクブランクに電子線露光用レジストを塗布し、電子線リソグラフィにより前記レジストのパターンを形成し、
前記レジストをマスクとして、ハードマスク層をエッチングし、
前記レジストもしくは前記ハードマスク層をマスクとして、光吸収層をエッチングし、
露出した前記ハードマスク層表面と前記緩衝層表面との間で、波長190nm−260nmのDUV光を欠陥検査光として用いた欠陥検査を行い、検出した欠陥箇所について集束イオンビームによる修正を実施した後、
前記ハードマスク層及び前記緩衝層を同種のガスプラズマで、同等のエッチングレートにより同時にエッチングし、
前記光吸収層表面と前記保護層表面との間で、前記波長190nm−260nmのDUV光を前記欠陥検査光として用いた欠陥検査を行ない、検出した欠陥箇所について修正を実施することを特徴とする反射型フォトマスクの製造方法。
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