JP4483355B2 - 極限紫外線露光用マスクブランク及びマスク並びに転写方法 - Google Patents
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
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Description
ここで Ra:低反射領域の反射率 Rm:高反射領域の反射率
ODは転写特性上2〜3位が好適である。
小川「EUVリソグラフィの反射型マスク用多層膜」(光技術コンタクト、 Vol.39,No.5、2001、日本オプトメカトロニクス協会)p.292
この影響を低減する第一の方法は、吸収膜膜厚を図でOD値が極値になるような膜厚付近に設定することである。その際、OD値は大きい方が膜厚を薄くできるので、OD値の極大値に合わせることになる。OD値が極大ということは、OD値の定義式より、吸収膜を含む低反射領域の反射率を極小値になるよう、膜厚を設定することである。OD値は極値から1割程度の低下までは、パターン転写精度に影響が出ない。従って吸収膜の膜厚は、それぞれOD極値から1割程度減少したOD値に対応する膜厚の範囲内になるようにすればよい。
膜の下層膜はTaNの800Å厚、緩衝膜はSiO2の300Å厚としている。なお、
吸収膜の下層膜を使わず、すべてSiのみで吸収膜とすることは、Siのβが小さいた
めにOD値が上がらず、吸収膜に大きな膜厚を要することとなるので不可である。
ある。このようにSi組成比の増加とともにSiの光学定数に近づいていく。
に形成した基板上にフォトレジスト層を設けたのち、本発明によるフォトマスクを介して反射した極限紫外線を選択的に照射する。
2・・・・高反射多層膜
3・・・・キャッピング層
4・・・・緩衝膜
5・・・・吸収膜
6・・・・吸収膜上層膜
7・・・・吸収膜下層膜
11・・・・基板
12・・・・高反射多層膜
13・・・・キャッピング層
14・・・・緩衝膜
15・・・・吸収膜
Claims (4)
- 基板上に、露光光の高反射部となる多層膜が形成され、前記多層膜上に露光光の低反射部となる吸収膜が形成された極限紫外線露光用マスクブランクにおいて、
前記吸収膜は、膜厚とコントラストの特性から、前記吸収膜の露光光に対する反射率が極小値付近となるよう、前記吸収膜の膜厚が設定されており、
前記吸収膜が2層以上の薄膜からなり、吸収膜の最上層を構成する薄膜が、Siであるか、若しくはSiを主たる構成元素とする材料であること
を特徴とする極限紫外線露光用マスクブランク。 - 前記吸収膜の最上層を構成する薄膜のうちのSiを主たる構成元素とする材料において、全原子数に対するSiの原子数比が90%以上であること
を特徴とする請求項1に記載の極限紫外線露光用マスクブランク。 - 請求項1または2のいずれか1項に記載の極限紫外線露光用マスクブランクを用い、前記多層膜上の露光光の低反射部となる吸収膜にパターンが形成されたこと
を特徴とする極限紫外線露光用マスク。 - 請求項3に記載の極限紫外線露光用マスクを露光装置に設置し、前記マスクを用いたリソグラフィ法による露光転写を行ない、パターン形成を行なうこと
を特徴とするパターン転写方法。
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