JP4780847B2 - Ｅｕｖ露光用反射型マスクブランクおよびｅｕｖ露光用反射型マスク - Google Patents
Ｅｕｖ露光用反射型マスクブランクおよびｅｕｖ露光用反射型マスク Download PDFInfo
- Publication number
- JP4780847B2 JP4780847B2 JP2001081161A JP2001081161A JP4780847B2 JP 4780847 B2 JP4780847 B2 JP 4780847B2 JP 2001081161 A JP2001081161 A JP 2001081161A JP 2001081161 A JP2001081161 A JP 2001081161A JP 4780847 B2 JP4780847 B2 JP 4780847B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- euv light
- euv
- absorber layer
- film
- reflective mask
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Images
Landscapes
- Optical Filters (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体製造等の際に使用される、ＥＵＶ露光用反射型マスクの主要な構成要素である、ＥＵＶ光を反射する多層膜（本明細書においては「ＥＵＶ光反射多層膜」と記載する。）上に成膜されるＥＵＶ光を吸収する吸収体層（本明細書においては「ＥＵＶ光吸収体層」と記載する。）、およびその製造方法、並びに前記ＥＵＶ光吸収体層を用いたＥＵＶ露光用反射型マスク、等に関する。
尚、本発明に記載するＥＵＶ（Ｅｘｔｒｅｍｅ Ｕｌｔｒａ Ｖｉｏｌｅｔ）光とは、軟Ｘ線領域または真空紫外領域の波長帯の光を指し、具体的には波長が０．２〜１００ｎｍ程度の光のことである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、半導体産業において、Ｓｉ基板等に微細なパターンからなる集積回路等の半導体装置を形成する上で必要な微細パターンの転写技術として、可視光や紫外光を用いたフォトリソグラフィ法が用いられていきた。しかし、半導体デバイスの微細化が加速している一方で、従来の光露光の短波長化は露光限界に近づいてきた。
そして光露光の場合、パターンの解像限界は露光波長の１／２と言われ、Ｆ2レーザー（１５７ｎｍ）を用いても７０ｎｍ程度が限界と予想される。そこで７０ｎｍ以降の露光技術として、Ｆ2レーザーよりさらに短波長のＥＵＶ光（１３ｎｍ）を用いた露光技術であるＥＵＶリソグラフィ（以下、「ＥＵＶＬ」と記載する。）が有望視されている。
【０００３】
ＥＵＶＬの像形成原理は、フォトリソグラフィと同じであるが、ＥＵＶ光に対する、あらゆる物質の吸収は大きく、また屈折率が１に近いため、光露光のような屈折光学系は使用できず、すべて反射光学系を用いる。
また、その際用いられるマスクとしては、メンブレンを用いた透過型マスクが提案されてきているが、ＥＵＶ光に対するメンブレンの吸収が大きいため露光時間が長くなり、スループットが確保できないという問題がある。その為、現状では露光用反射型マスクが一般的に使用されている。
【０００４】
ここで、ＥＵＶＬについて、図１７〜１９を用いて説明する。
尚、図１７、１８および後述する図１において、対応する部分については同一の符号を付して示した。
図１７はＥＵＶＬに用いられるＥＵＶ露光用反射型マスク、図１８はＥＵＶ露光用反射型マスクブランクを模式的に表現した図であり、図１９は製造されたＥＵＶマスクを用いて例えばＳｉウエハ上にパターンを露光転写を行っている概念図である。
図１７に示すように、ＥＵＶ光用の露光用反射型マスクの主要な構成要素は、基板Ｓ、ＥＵＶ光反射多層膜Ｍ2、リソグラフィのパターンニングがされたＥＵＶ吸収体パターンＭ1Pである。
因みに、露光用反射型マスクブランクとは図１８に示すように、前記ＥＵＶ光吸収体パターンＭ1Pにおけるリソグラフィのパターンニング実施前で、ＥＵＶ光吸収体層Ｍ1の形態のものをいう。
【０００５】
次に図１９を用いてＥＵＶ露光用反射型マスクによる半導体基板上へのパターン転写について説明する。
図１９に示すように、レーザープラズマＸ線源１１からえられたＥＵＶ光（軟Ｘ線）を前記ＥＵＶマスク１２に入射し、ここで反射された光を縮小光学系１３を通して例えばＳｉウエハ基板１４上に転写する。
ここで、縮小光学系１３としてはＸ線反射ミラーを用いることができる、縮小光学系によりＥＵＶマスク１２で反射されたパターンは通常１／４程度に縮小される。
例えばＳｉウエハ１４へのパターンの転写は、Ｓｉウエハ１４上に形成させたレジスト層にパターンを露光しこれを現像することによって行うことができる。
露光波長として１３〜１４ｎｍの波長帯を使用する場合には、通常光路が真空中になるように転写が行われる。
このようにしてＥＵＶＬにより、例えばＳｉウエハ上にパターンを形成することにより、例えば集積度の高いＬＳＩ、等の半導体装置を製造することができる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
さて、前述した光露光パターンの解像限界を上げるため、前記パターンニング後のパターンのコントラストを上げることが重要視されるようになった。
このコントラストを上げるために、前記ＥＵＶ光反射多層膜Ｍ2の反射率が高いことと同時に、前記ＥＵＶ光吸収体層Ｍ1の吸収率が高いことが求められている。
ここで前記ＥＵＶ光吸収体層Ｍ1は、例えばＴａＢのようなＥＵＶ光に対して高い吸収係数を持つ元素の薄膜であるので、当然のことながらＥＵＶ光吸収体層Ｍ1に入射してきたＥＵＶ光の大部分は反射されることなくＥＵＶ光吸収体層Ｍ1に吸収される。
しかし前記ＥＵＶ光吸収体層Ｍ1は薄膜であるため、前記吸収されたＥＵＶ光の一部が下層の前記ＥＵＶ光反射多層膜Ｍ2にまで達し、そこで反射されたＥＵＶ光のさらに一部が再び前記ＥＵＶ光吸収体層Ｍ1の薄膜を通過して外部へもどり、この結果、前記パターンのコントラストが低下するという問題点が判明した。
この問題点に対する最も直接的な解決策として、ＥＵＶ光吸収体層Ｍ1の膜厚を厚くすることが考えられる。
【０００７】
ところがＥＵＶ光吸収体層Ｍ1の膜厚を厚くすると、次のような問題点が新たに発生する。
１．ＥＵＶ光吸収体層Ｍ1自体が有する膜応力も膜厚に伴って増大するためマスクの変形が起き、この結果、光露光パターンの解像限界が上がらなくなる。
２．ＥＵＶ光吸収体層Ｍ1は、例えばＴａ、Ｂ、等のコストの高い原料を用いて成膜されているので、膜厚を厚くすることはすぐに製造コストの上昇につながる。
３．ＥＵＶ光はある一定の入射角度、出射角度をもってＥＵＶ光吸収体層Ｍ1を通過するため、ＥＵＶ光吸収体層Ｍ1の膜厚が厚くなると、そのエッジの部分ではＥＵＶ光がＥＵＶ光吸収体層Ｍ1を通過する距離が大きく変化するため、光露光パターンがぼやけるという問題が顕著になる。
本発明は、以上の背景のもとでなされたものであり、ＥＵＶ光吸収体層Ｍ1において、膜厚を厚くすることなくＥＵＶ光反射率を下げることで、パターンのコントラストを上げることを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上述の課題を解決するために、本願発明者らがなした第１の発明は、ＥＵＶ光反射多層膜上に成膜されたＥＵＶ光吸収体層を有するＥＵＶ露光用反射型マスクブランクであって、
前記ＥＵＶ吸収体層の表面にて反射されるＥＵＶ光と、前記ＥＵＶ吸収体層を通過して前記ＥＵＶ吸収体層の下にある前記ＥＵＶ光反射多層膜で反射され、再び前記ＥＵＶ吸収体層を通過したＥＵＶ光と、の干渉効果を利用して、前記ＥＵＶ吸収体層におけるＥＵＶ光の反射率が低くなるように、前記ＥＵＶ吸収体層の膜厚を設定したことを特徴とするＥＵＶ露光用反射型マスクブランクである。
【０００９】
第２の発明は、ＥＵＶ光反射多層膜上に成膜されたＥＵＶ光吸収体層を有するＥＵＶ露光用反射型マスクブランクであって、
前記ＥＵＶ光吸収体層の表面にて反射されるＥＵＶ光と、前記ＥＵＶ光吸収体層を通過し前記ＥＵＶ光吸収体層の下にある前記ＥＵＶ光反射多層膜で反射され再び前記ＥＵＶ光吸収体層を通過したＥＵＶ光との、干渉効果を加算した反射率をシュミレーションし、
前記反射率のシュミレーションの結果を、膜厚を横軸、反射率を縦軸としたグラフに表し、
前記グラフにおいて、膜厚に対し反射率の極大値を与える点を結んだ曲線を求め、
その膜厚が膜応力の観点から使用不適と判断される膜厚値を限界膜厚としたとき、前記限界膜厚に対応する反射率を前記曲線から求め、限界反射率と定義したとき、
前記反射率のシュミレーション結果より、膜厚に対し反射率の極小値を与える膜厚を求め、その膜厚を極小値膜厚と定義し、前記ＥＵＶ光吸収体層の成膜において、前記極小値膜厚をねらう際に発生する不可避的な膜厚変動を見込んでも、前記限界反射率より低い反射率を得ることができる膜厚を用いることを特徴とするＥＵＶ露光用反射型マスクブランクである。
【００１０】
第３の発明は、ＥＵＶ光反射多層膜上に成膜されたＥＵＶ光吸収体層を有するＥＵＶ露光用反射型マスクブランクであって、
前記ＥＵＶ光吸収体層の表面にて反射されるＥＵＶ光と、
前記ＥＵＶ光吸収体層を通過し前記ＥＵＶ光吸収体層の下にある前記ＥＵＶ光反射多層膜で反射され再び前記ＥＵＶ光吸収体層を通過したＥＵＶ光との、干渉効果をもちいて、前記ＥＵＶ光吸収体層におけるＥＵＶ光の反射率を低減させる構造において、
前記干渉効果の起きる条件を前記ＥＵＶ光吸収体層の膜厚の関数として定式化し、
さらに前記ＥＵＶ光反射多層膜での多層反射を表面の反射とする近似を行うことで、前記干渉効果の起きる条件を前記ＥＵＶ光吸収体層の膜厚の関数として表す式の近似式を求め、
この近似式により算出した膜厚を有するＥＵＶ光吸収体層を有することを特徴とするＥＵＶ露光用反射型マスクブランクである。
【００１１】
第４の発明は、第３の発明に記載のＥＵＶ露光用反射型マスクブランクであって、
前記近似式により算出した膜厚ｄの値が、
【数３】
および
【数４】
の両式を満足する範囲内にあることで、前記干渉効果を用いて、ＥＵＶ光の反射率を下げることを特徴とするＥＵＶ露光用反射型マスクブランクである。
但し、λ0は真空中でのＥＵＶ光の波長、ｎ0は真空中に屈折率、ｎ1は吸収体層の屈折率、θ0はＥＵＶ光のＥＵＶ光吸収体層への入射角、ｋ1は正の実数、Ｔ01は真空中とＥＵＶ光吸収体層との界面の透過率、Ｒ01は真空中とＥＵＶ光吸収体層との界面の反射率、Ｒ12はＥＵＶ光吸収体層とＥＵＶ光反射多層膜との界面の反射率、ｍは正の整数、φは位相のずれ、である。
【００１２】
第５の発明は、第１から第４の発明のいずれかに記載のＥＵＶ露光用反射型マスクブランクであって、
前記ＥＵＶ光反射多層膜は交互に積層した第１の膜と第２の膜とを有し、
前記第１の膜は、遷移金属、遷移金属の炭化物、遷移金属の窒化物、遷移金属の珪化物、および遷移金属の硼化物、より選ばれる少なくとも１つ以上の成分を含み、
前記第２の膜は、Ｂおよび／またはＢｅおよび／またはＣおよび／またはＳｉ、Ｂおよび／またはＢｅおよび／またはＣおよび／またはＳｉの酸化物、
Ｂおよび／またはＢｅおよび／またはＣおよび／またはＳｉの窒化物、
より選ばれる少なくとも１つ以上の成分を含み、
前記ＥＵＶ吸収体層は、Ｃｒ、Ｃｒの炭化物、Ｃｒの窒化物、Ｃｒの珪化物およびＣｒの硼化物より選ばれる少なくとも１つ以上の成分を含み
このＥＵＶ吸収体層の膜厚は７０ｎｍ〜１００ｎｍであることを特徴とするＥＵＶ露光用反射型マスクブランクである。
【００１３】
第６の発明は、第１から第４の発明のいずれかに記載のＥＵＶ露光用反射型マスクブランクであって、
前記ＥＵＶ光反射多層膜は交互に積層した第１の膜と第２の膜とを有し、
前記第１の膜は、遷移金属、遷移金属の炭化物、遷移金属の窒化物、遷移金属の珪化物、および遷移金属の硼化物、より選ばれる少なくとも１つ以上の成分を含み、
前記第２の膜は、Ｂおよび／またはＢｅおよび／またはＣおよび／またはＳｉ、Ｂおよび／またはＢｅおよび／またはＣおよび／またはＳｉの酸化物、
Ｂおよび／またはＢｅおよび／またはＣおよび／またはＳｉの窒化物、
より選ばれる少なくとも１つ以上の成分を含み、
前記ＥＵＶ吸収体層は、Ｔａ、Ｔａの炭化物、Ｔａの窒化物、Ｔａの珪化物およびＴａの硼化物より選ばれる少なくとも１つ以上の成分を含み、このＥＵＶ吸収体層の膜厚は７０ｎｍ〜１１０ｎｍであることを特徴とするＥＵＶ露光用反射型マスクブランクである。
【００１４】
第７の発明は、第５または第６の発明に記載のＥＵＶ露光用反射型マスクブランクであって、前記遷移金属は、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ａｕ、Ｈｆ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｒｅより選ばれる少なくとも１つ以上の金属であることを特徴とするＥＵＶ露光用反射型マスクブランクである。
【００１５】
第８の発明は、第１から第７の発明のいずれかに記載のＥＵＶ露光用反射型マスクブランクを用いたことを特徴とするＥＵＶ露光用反射型マスクである。
【００１６】
第９の発明は、第８の発明に記載のＥＵＶ露光用反射型マスクを用いて、半導体ウエハ上にＥＵＶ光によりパターンを転写することを特徴とする半導体の製造方法である。
【００１７】
【発明の実施の形態】
以下、ＥＵＶ光吸収体層Ｍ1の表面にて反射されるＥＵＶ光と、ＥＵＶ光吸収体層Ｍ1を通過しＥＵＶ光吸収体層Ｍ1の下にあるＥＵＶ光反射多層膜Ｍ2で反射され再びＥＵＶ光吸収体層Ｍ1を通過したＥＵＶ光とが、特定の条件を満たすときに起こる干渉効果を用いて、ＥＵＶＬに十分なコントラストを得ることができる条件について詳述する。
【００１８】
図１はＥＵＶ光反射多層膜Ｍ2とその上に成膜されたＥＵＶ光吸収体層Ｍ1および真空中Ｍ0をそれぞれ模式的に表現し、そこへを有し角度θ0を以てＥＵＶ光が真空中Ｍ0から、強度Ｉ0を有して入射してきた際の光路を表した図である。
入射してきたＥＵＶ光のうち、ＥＵＶ光吸収体層Ｍ1の表面で反射されるものをＥＵＶ光▲１▼、ＥＵＶ光吸収体層Ｍ1を通過しＥＵＶ光吸収体層Ｍ1の下にあるＥＵＶ光反射多層膜Ｍ2で反射され再びＥＵＶ光吸収体層Ｍ1を通過したＥＵＶ光をＥＵＶ光▲２▼とした。
ここで、干渉効果を起こすために満たすべき条件とは、１）ＥＵＶ光▲１▼と▲２▼との位相差がほぼπずれていること、２）ＥＵＶ光▲１▼と▲２▼との強度がほぼ等しいことである。
すなわちＥＵＶ光吸収体層Ｍ1の制御によりＥＵＶ光▲１▼と▲２▼とが上記１）、２）の条件を満たせば、ＥＵＶ光吸収体層Ｍ1の厚膜化によることなくＥＵＶＬに十分なコントラストを得ることができる。
【００１９】
ＥＵＶ光▲１▼と▲２▼とが上記１）、２）を満たす条件を図１を用いて説明する。
但し、Ｒ01は真空中Ｍ0とＥＵＶ光吸収体層Ｍ1との界面の反射率である。
Ｒ12はＥＵＶ光吸収体層Ｍ1とＥＵＶ光反射多層膜Ｍ2との界面の反射率である。
Ｔ01は真空中Ｍ0とＥＵＶ光吸収体層Ｍ1との界面の透過率である。
αは入射してきたＥＵＶ光に対するＥＵＶ光吸収体層Ｍ1の吸収係数である。
２Ｚは入射してきたＥＵＶ光がＥＵＶ光吸収体層Ｍ1中を進行する距離である。
すると、ＥＵＶ光吸収体層Ｍ1の表面で反射されたＥＵＶ光▲１▼の強度Ｉ1は式（１）
Ｉ1＝Ｉ0Ｒ01………（１）
となる。
【００２０】
一方、ＥＵＶ光▲２▼の強度Ｉ2は式（２）
Ｉ2＝Ｉ0Ｔ01exp［−αＺ］・Ｒ12exp［−αＺ］Ｔ01＝Ｉ0Ｔ01 2Ｒ12exp［−２αＺ］………（２）
となる。
但し、αは式（３）
α＝２ω0ｋ1／ｃ………（３）
である。ここでω0は真空中Ｍ0での光の角速度であり、ｋ1はＥＵＶ光吸収体層Ｍ1のＥＵＶ光の消衰係数、ｃは光速である。
すると、ω0は式（４）
ω0＝２πν0＝２πｃ／λ0………（４）
となる。ここでν0は真空中での光の振動数、λ0は真空中での波長である。
そして式（３）と式（４）より式（５）が導かれる。
α＝4πk1／λ0 ………（５）
また、ＥＵＶ光吸収体層Ｍ1における光路長zと膜厚dの関係を式（６）に示す。
z = d／cosθ1………（６）
ここで、θ1に関しては、入射角θ0と式（７）の関係にある。
但し、n0 は真空中の屈折率、n1 は吸収体層の屈折率である。
n0 sinθ0 = n1 sinθ1………（７）
そして式（６）と式（７）式より式（８）が導かれる。
【数５】
・・・・・（８）
【００２１】
最後に、 I1=I2、すなわち式（１）＝式（２）の条件に式（５）および式（８）を代入すると、条件１）を満たす最適膜厚ｄを示す式（９）が導出される。
I0R01＝ I0(T01)2R12exp[-2αz]-2αz = ln[R01／(T01)2R12]
【数６】
・・・・・（９）
次に条件２）を満足する膜厚ｄについて検討する。
ＥＵＶ光▲１▼と▲２▼の光路差は2zである。これが波長の（整数+0.5）倍のとき、ＥＵＶ光▲１▼と▲２▼の位相がπずれることになる。
そこでこの光路差を求めようとすると、ＥＵＶ光反射多層膜Ｍ2が数十層の多層膜で構成されているため、干渉条件を求めるためにる光学シュミレーション計算をおこない、この結果よりＥＵＶＬにおいて十分なコントラストを得ることのできるＥＵＶ光吸収体層Ｍ1の膜厚を求めることができる。
【００２２】
上述の方法にてＥＵＶ光吸収体層Ｍ1の膜厚を求めるには、例えば、以下のような操作を行う。
まず、前記ＥＵＶ光吸収体層の表面にて反射されるＥＵＶ光と、前記ＥＵＶ光吸収体層を通過し前記ＥＵＶ光吸収体層の下にある前記ＥＵＶ光反射多層膜で反射され再び前記ＥＵＶ光吸収体層を通過したＥＵＶ光との、干渉効果を加算した反射率をシュミレーションする。但しシュミレーションの方法については後述する。
前記反射率のシュミレーションの結果を、図３、６、１０、１３に示すような膜厚を横軸、反射率を縦軸としたグラフに表し、膜厚に対し反射率の極大値を与える点を結んだ曲線を求める。
一方、その膜厚があまりに厚くなると自身の膜応力も大きくなり、膜の歪みの原因となる。そこで膜応力の観点から、これ以上の膜厚値は使用不適と判断される膜厚値を限界膜厚としたとき、前記限界膜厚に対応する反射率を前記曲線から求め、これを限界反射率と定義する。
ここで、前記反射率のシュミレーション結果より、ＥＵＶ光吸収体層の表面にて反射されるＥＵＶ光と、ＥＵＶ光吸収体層を通過しＥＵＶ光吸収体層の下にある前記ＥＵＶ光反射多層膜で反射され、再び前記ＥＵＶ光吸収体層を通過したＥＵＶ光と、の干渉効果により反射率が極小となる点が周期的に現れる。
この膜厚に対し反射率の極小値を与える膜厚を求め、その膜厚を極小値膜厚と定義する。
ここで、前記ＥＵＶ光吸収体層の膜厚を反射率が極小となる膜厚近傍の値に設定すれば、ＥＵＶ光吸収体層での反射率を低くすることができる。また前記反射率の極小値の中でも最小の極小値を与える膜厚近傍の値に設定すれば、さらに好ましい。
一方、ここで前記ＥＵＶ光吸収体層の成膜において、前記極小値膜厚をねらって成膜を実施しても、実際の成膜工程においては膜厚の変動は不可避である。しかし発生する不可避的な膜厚変動を見込んでも、前記限界反射率より低い反射率を得ることができる膜厚を用いるならば、この膜厚をねらって成膜を実施することで薄い膜厚でありながら高いコントラストを得ることができる。
【００２３】
しかし、この光路差を求めようとすると、大型計算機による光学シュミレーション計算が必要となりコストと時間を必要とするため、膜厚算定の毎に光学シュミレーション計算を実施せずに済めば、それはさらに好ましい構成である。
ここで本発明者らは、ＥＵＶ光反射多層膜Ｍ2を均一な媒体と仮定し、整数mを用い、且つＥＵＶ光▲２▼の反射はＭ1Ｍ2の界面でのみ起こると近似すると、ＥＵＶ光▲１▼と▲２▼の光路差である2zが満たすべき条件式（１０）が導出できることに想達した。
2z =（m+0.5）λ1／n1 =（m+0.5）λ0／n1………（１０）
【００２４】
一方、この近似による精度の低下については後述するが、ＥＵＶ光反射多層膜Ｍ2から反射する波に対し位相のずれφを導入することで、実用上問題ない程度とすることができることが確認できた。
この位相のずれφを導入すると、式（１０）は式（１０’）のように修正される（位相のずれφの単位はラジアンとする）。尚、位相のずれφの算出方法は後述する。
2z =（m+0.5+φ／2π）λ0／n1………（１０’）
以上のことより式（７）、式（１０’）より膜厚dを求める式（１１）が導出される。
【数７】
・・・・・（１１） 従って、ＥＵＶ光吸収体層Ｍ1の膜厚を、式（９）から得られる膜厚ｄと、式（１１）から得られる膜厚ｄとの両者が一致する値とすれば、ＥＵＶ光▲１▼と▲２▼の干渉により、ＥＵＶＬにおけるパターンの高いコントラストが実現できる。
【００２５】
上述した数式を基に算出したＥＵＶ光吸収体層Ｍ1の膜厚と、実際に成膜したしたＥＵＶ光反射多層膜Ｍ2のデータを基に光学シュミレーションして得られたＥＵＶ光吸収体層Ｍ1の膜厚とを比較した。
但し、ここで用いた光学シュミレーションは、藤原史郎編「光学薄膜」（光学技術シリーズ１１）第１章２〜６２頁、共立出版に記載されている一般的な多層膜の光学計算手法に拠っている。またＢ．Ｌ．Ｈｅｎｋｅｎらの、「ＬＯＷ ＥＮＥＲＧＹ Ｘ−ＲＡＹ ＩＮＴＥＲＡＣＴＩＯＮ ＣＯＥＦＦＩＳＩＥＮＴＳＰＨＯＴＯＡＢＳＯＲＰＴＩＯＮ，ＳＣＡＴＴＥＲＩＮＧ ＡＮＤ ＲＥＦＬＥＣＴＩＯＮ ＡＴ Ｅ＝５０〜３０，０００ｅＶ，Ｚ＝１〜９２」（ＡＴＯＭＩＣ ＤＡＴＡ ＡＮＤ ＮＵＣＬＥＡＲ ＤＡＴＡ ＴＡＢＬＥ ５４，１８１〜３４２（１９９３））に記載された方法を用いて、屈折率や消衰係数を求めた。
【００２６】
さらにここで、位相のずれφの算出方法について説明する。
位相のずれφは、ＥＵＶ光反射多層膜Ｍ2を真空中に設置した場合において、多層膜表面で反射する光の位相と、多層膜中で多重散乱を生じて真空中に戻ってきた光と、の位相差として得られる。
従って、計算方法は、前述の光学シュミレーションと同様の計算を実施する。
【００２７】
この結果、式（９）から得られる膜厚ｄは、前記光学シュミレーションして得られた最適膜厚よりやや厚めになることが判明した。
これはＥＵＶ光反射多層膜Ｍ2とＥＵＶ光吸収体層Ｍ1で起こる多重散乱の影響によるものと考えられる。
ここで、ＥＵＶ露光用反射型マスクのコントラストは１０００以上あることが望まれている。したがって反射率は０．００１であることが好ましいが、これまでのシュミレーション結果より、最適膜厚前後の−２０％および＋１０％程度の膜厚値において十分なコントラストが得られることが判明したことから、前記条件１）を満足する膜厚ｄの範囲は次のようになる。
【数８】
………（１２）
【００２８】
一方、式（１１）から得られる膜厚ｄは、前記光学シュミレーションして得られた最適膜厚とほぼ一致することが判明した。
また、膜厚が最適膜厚からわずかにずれ、その結果ＥＵＶ光▲１▼と▲２▼の位相差がπからずれても干渉効果が起きることも判明し、π／２〜３π／２の範囲にて干渉効果を利用できることが判明した。
以上のことより前記条件２）を満足する膜厚ｄの範囲は次のようになる。
【数９】
………（１３）
【００２９】
ここで、ＥＵＶ露光用反射型マスクブランクやＥＵＶ露光用反射型マスクにおいて、図１８に示すＥＵＶ光吸収体層Ｍ1とＥＵＶ光反射多層膜Ｍ2との間へ、ＥＵＶ光吸収体層Ｍ1加工時の影響がＥＵＶ光反射多層膜Ｍ2におよぶのを抑止するために、エッチンクストッパー層が導入される場合がある。
このような場合には、ＥＵＶ光反射多層膜Ｍ2とエッチンクストッパー層とを一体のＥＵＶ光反射多層膜と仮定することで、前記最適膜厚ｄを求める式を導出することができる。
すなわち、図１におけるＲ12をＥＵＶ光吸収体層Ｍ1と、ＥＵＶ光反射多層膜Ｍ2およびエッチンクストッパー層の一体膜と、の界面の反射率とする。さらに、位相のずれφはＥＵＶ光反射多層膜Ｍ2およびエッチンクストッパー層の一体膜を真空中に設置した場合において、エッチングストッパー層表面で反射する光の位相と、多層膜中で多重散乱を生じて真空中に戻ってきた光と、の位相差として求めることができる。
【００３０】
さらにここで、前記ＥＵＶ光反射多層膜Ｍ2とＥＵＶ光吸収体層Ｍ1との、各々の膜に含まれる成分として、好ましいものについて以下に記載する。
まず前記ＥＵＶ光反射多層膜Ｍ2は交互に積層した第１の膜と第２の膜とを有しているが、膜成分の好ましい例として以下のものがある。
すなわち、前記第１の膜としては、遷移金属、遷移金属の炭化物、遷移金属の窒化物、遷移金属の珪化物、および遷移金属の硼化物、より選ばれる少なくとも１つ以上の成分を含むものが好ましく、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ａｕ、Ｈｆ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｒｅ、等およびその合金はさらに好ましい。
前記第２の膜としては、Ｂ、Ｂｅ、Ｃ、Ｓｉ、等またはその化合物、およびそれらの酸化物、窒化物が好ましい。
一方、前記ＥＵＶ光吸収層Ｍ1としては、Ｃｒ、Ｃｒの炭化物、Ｃｒの窒化物、Ｃｒの珪化物およびＣｒの硼化物より選ばれる少なくとも１つ以上の成分、またはＴａ、Ｔａの炭化物、Ｔａの窒化物、Ｔａの珪化物およびＴａの硼化物より選ばれる少なくとも１つ以上の成分が好ましい。
そして、このＥＵＶ吸収体層の膜厚は７０ｎｍ〜１００ｎｍの範囲であって、式（１２）と式（１３）との両方を満足することが好ましい。
【００３１】
以上のことより、ＥＵＶ光吸収体層Ｍ1の膜厚ｄが式（１２）および式（１３）の両方を満足する範囲にあるとき、ＥＵＶ光吸収体層Ｍ1は干渉効果による十分なコントラストを発揮でき、同時に膜厚を薄くすることも可能になった。
この結果、ＥＵＶ光吸収体層Ｍ1の発生する膜応力を減らすことが可能になり、この膜応力に由来する基板およびＥＵＶ光反射多層膜Ｍ2の歪みも削減できるので、歪みの少ないＥＵＶマスクやＥＵＶマスクブランクを得ることができた。
さらに、ＥＵＶ光吸収体層Ｍ1の膜厚が薄くなったことにより、そのエッジの部分で光露光パターンがぼやけるという問題も解決した。
このＥＵＶマスクを用いて図１９に示すように、Ｓｉ等の半導体ウエハ上に、超ＬＳＩ等の半導体装置のパターンの露光転写を行ったところ、従来のＥＵＶマスクを用いた場合に較べ、光露光の解像限界を大きく上げることが出来た。
【００３２】
（実施例１）
厚さ６００ｎｍのＳｉＯ2−ＴｉＯ2ガラス基板上にＥＵＶ光反射多層膜Ｍ2として、Ｍｏ／Ｓｉ多層膜を４０周期積層した。Ｍｏ／Ｓｉ多層膜はＳｉが４．２ｎｍ、Ｍｏが２．８ｎｍで1周期を構成し、これが４０周期積層されている。
一方、ＥＵＶ光吸収体層Ｍ1はＣｒとした。
そしてＥＵＶ光の波長は１３．５ｎｍ、入射角度は２．０５ｄｅｇとし、各材料の屈折率、吸収係数を図２の値として、式（９）、式（１１）により最適膜厚の計算を行った。
Ｃｒ層がない場合のＥＵＶ光反射多層膜Ｍ2の理論反射率は７１．７％であった。
また、Ｍ2で反射された波の位相差は入射波に対して０．１９８０８ｒａｄであった。
Ｍ2における多重散乱を考慮に入れた光学シミュレーションによる計算結果を図３に示す。これに基づいて、式（１１）より得られた干渉の強まる膜厚と、光学シミュレーションの計算で得られた干渉の強まる膜厚との比較を図４に示す。
一方、式（９）から得られた最適膜厚は８９．８６ｎｍであった。
以上の結果を綜合して図５に示す。これよると式（９）で得られた最適膜厚値は光学シミュレーションによる計算結果によるピーク位置より若干厚い位置にあるが、ほぼ正確に予想できることが判明した。
【００３３】
（実施例２）
実施例１と同様のＳｉＯ2−ＴｉＯ2ガラス基板を用い、ＥＵＶ光反射多層膜Ｍ2として、Ｓｉ／Ｍｏ多層膜を４０周期積層した。他の条件は実施例１と同様である。
Ｃｒ層がない場合のＥＵＶ光反射多層膜Ｍ2の理論反射率は７０．８％であった。
また、Ｍ2で反射された波の位相差は入射波に対して２．５７３６ｒａｄであった。
実施例１と同様の光学シミュレーションによる計算結果を図６に示す。これに基づいて、式（１１）より得られた干渉の強まる膜厚と、光学シミュレーションの計算で得られた干渉の強まる膜厚との比較を図７に示す。
ここで、式（９）から得られた最適膜厚は８９．６９ｎｍであった。
以上の結果を綜合して図８に示す。これよると式（９）で得られた最適膜厚値は実施例１と同様に、光学シミュレーションによる計算結果によるピーク位置より若干厚い位置にあるが、ほぼ正確に予想できることが判明した。
【００３４】
（実施例３）
実施例１と同様のＳｉＯ2−ＴｉＯ2ガラス基板、およびＥＵＶ光反射多層膜Ｍ2を用い、ＥＵＶ光吸収体層Ｍ1はＴａＢとした。
そしてＥＵＶ光は実施例１と同様とし、各材料の屈折率、吸収係数を図９の値として、式（９）、式（１１）により最適膜厚の計算を行った。
ＴａＢ層がない場合のＥＵＶ光反射多層膜Ｍ2の理論反射率は７１．７％であった。
また、Ｍ2で反射された波の位相差は入射波に対して０．１９８０８ｒａｄであった。
実施例１と同様の光学シミュレーションによる計算結果を図１０に示す。これに基づいて、式（１１）より得られた干渉の強まる膜厚と、光学シミュレーションの計算で得られた干渉の強まる膜厚との比較を図１１に示す。
ここで、式（９）から得られた最適膜厚は９５．７３ｎｍであった。
以上の結果を綜合して図１２に示す。これよると式（９）で得られた最適膜厚値は実施例１と同様に、光学シミュレーションによる計算結果によるピーク位置より若干厚い位置にあるが、ほぼ正確に予想できることが判明した。
【００３５】
また実施例３においては、ＥＵＶ光吸収体層の膜厚が条件１）を満たす場合と条件２）とを図１２に記入した図１６を作成した。図１７において条件１）を満たす部分のグラフを実線で、条件２）を満たす部分をハンチングで示した。
そして図１６より、ＥＵＶ光吸収体層の膜厚が条件１）２）同時に満たす場合には、前記干渉効果により、干渉効果を用いない場合より少なくとも１６０ｎｍの膜厚の削減を実現していることが判明した。
【００３６】
（実施例４）
実施例１と同様のＳｉＯ2−ＴｉＯ2ガラス基板を用い、ＥＵＶ光反射多層膜Ｍ2として、Ｓｉ／Ｍｏ多層膜を４０周期積層した。他の条件は実施例３と同様である。
ＴａＢ層がない場合のＥＵＶ光反射多層膜Ｍ2の理論反射率は７０．８％であった。
また、Ｍ2で反射された波の位相差は入射波に対して２．５７３６ｒａｄであった。
実施例１と同様の光学シミュレーションによる計算結果を図１３に示す。これに基づいて、式（１１）より得られた干渉の強まる膜厚と、光学シミュレーションの計算で得られた干渉の強まる膜厚との比較を図１４に示す。
ここで、式（９）から得られた最適膜厚は９５．７１ｎｍであった。
以上の結果を綜合して図１５に示す。これよると式（９）で得られた最適膜厚値は実施例１と同様に、光学シミュレーションによる計算結果によるピーク位置より若干厚い位置にあるが、ほぼ正確に予想できることが判明した。
【００３７】
（実施例５）
ガラス基板として外形６インチ角、厚さ６ｍｍの低膨張ＳｉＯ2−ＴｉＯ2ガラス基板を準備し、機械研磨により、表面の平滑度０．２ｎｍ以下、平坦度１００ｎｍ以下とした。
このガラス基板上に、ＥＵＶ光反射多層膜としてＭｏとＳｉとを積層した。
その積層方法は、ＤＣマグネトロンスパッタ法により、まずＳｉターゲットを用いてＡｒガス０．１Ｐａ中でＳｉ膜を４．２ｎｍ成膜し、次にＭｏターゲットを用いてＡｒガス０．１Ｐａ中でＭｏ膜を２．８ｎｍ成膜し、これを１周期として４０周期積層した後、最後にＳｉ膜を４．２ｎｍ成膜した。
次に、図１３のグラフおよび図１４の表の結果より、極小の反射率を期待できる膜厚を求め、前記ＥＵＶ光反射多層膜上にＥＵＶ光吸収体層としてスパッタ法によりＴａＢを８５ｎｍの厚さに成膜し、ＥＵＶ露光用反射型マスクブランクを得た。
得られたＥＵＶ露光用反射型マスクブランク上にＥＢレジストをコ−トし、ＥＢ描画によりパターンを形成し、次にこのレジストパターンをマスクとして、前記ＥＵＶ光吸収体層をＣｌ2を用いてドライエッチングし、ＥＵＶ光吸収パターンを形成して、デザインルールが７０ｎｍの１６ＧＢｉｔ−ＤＲＡＭのパターンを有するＥＵＶ露光用反射型マスクを作製した。
作製されたＥＵＶ露光用反射型マスクについて、マスクへの入射角を２．０５ｄｅｇとし波長１３．５ｎｍのＥＵＶ光を用いて露光転写をおこなったところ、要求された線幅５０ｎｍに対して、高精度な転写特性を得ることができた。
【００３８】
【発明の効果】
以上、詳述したように本発明は、ＥＵＶ吸収体層の表面にて反射されるＥＵＶ光と、ＥＵＶ吸収体層を通過して前記ＥＵＶ吸収体層の下にあるＥＵＶ光反射多層膜で反射され、再び前記ＥＵＶ吸収体層を通過したＥＵＶ光と、の干渉効果を利用して、前記ＥＵＶ吸収体層におけるＥＵＶ光の反射率が低くなるように、前記ＥＵＶ吸収体層の膜厚を設定したことを特徴とするＥＵＶ露光用反射型マスクブランクであり、これを用いることで、ＥＵＶ光吸収体層の膜厚を厚くすることなくＥＵＶ光吸収体層のＥＵＶ光反射率を下げ、パターンのコントラストを上げることができた。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施の形態にかかる、真空中Ｍ0、ＥＵＶ光吸収体層Ｍ1とＥＵＶ光反射多層膜Ｍ2との配置、並びにそこへ入射してきたＥＵＶ光の光路を模式的に表した図である。
【図２】Ｃｒ、Ｓｉ、Ｍｏの各部材の屈折率を示す表である。
【図３】本発明の実施例１にかかる、ＥＵＶ光吸収体層の反射率とＣｒ膜厚との関係について、ＥＵＶ光反射多層膜における多重散乱を考慮に入れた光学シミュレーターにより計算した結果を示す図である。
【図４】本発明の実施例１にかかる、式（１１）より得られた干渉の強まる膜厚と、光学シミュレーションの計算で得られた干渉の強まる膜厚との比較を示す表である。
【図５】本発明の実施例１にかかる、（図４）の表の値および式（９）から得られた最適膜厚値を（図３）に記入した図である。
【図６】本発明の実施例２にかかる、ＥＵＶ光吸収体層の反射率とＣｒ膜厚との関係について、ＥＵＶ光反射多層膜における多重散乱を考慮に入れた光学シミュレーターにより計算した結果を示す図である。
【図７】本発明の実施例２にかかる、式（１１）より得られた干渉の強まる膜厚と、光学シミュレーションの計算で得られた干渉の強まる膜厚との比較を示す表である。
【図８】本発明の実施例２にかかる、（図７）の表の値および式（９）から得られた最適膜厚値を（図６）に記入した図である。
【図９】ＴａＢ、Ｓｉ、Ｍｏの各部材の屈折率を示す表である。
【図１０】本発明の実施例３にかかる、ＥＵＶ光吸収体層の反射率とＣｒ膜厚との関係について、ＥＵＶ光反射多層膜における多重散乱を考慮に入れた光学シミュレーターにより計算した結果を示す図である。
【図１１】本発明の実施例３にかかる、式（１１）より得られた干渉の強まる膜厚と、光学シミュレーションの計算で得られた干渉の強まる膜厚との比較を示す表である。
【図１２】本発明の実施例３にかかる、（図１１）の表の値および式（９）から得られた最適膜厚値を（図１０）に記入した図である。
【図１３】本発明の実施例４にかかる、ＥＵＶ光吸収体層の反射率とＴａＢ膜厚との関係について、ＥＵＶ光反射多層膜における多重散乱を考慮に入れた光学シミュレーターにより計算した結果を示す図である。
【図１４】本発明の実施例４にかかる、式（１１）より得られた干渉の強まる膜厚と、光学シミュレーションの計算で得られた干渉の強まる膜厚との比較を示す表である。
【図１５】本発明の実施例４にかかる、（図１４）の表の値および式（９）から得られた最適膜厚値を（図１３）に記入した図である。
【図１６】本発明の実施例３にかかる、ＥＵＶ光吸収体層の膜厚が、条件１）を満たす場合と、条件２）を満たす場合とを（図１０）に記入した図である。
【図１７】ＥＵＶＬに用いられるＥＵＶ露光用反射型マスクを模式的に表現した図である。
【図１８】ＥＵＶ露光用反射型マスク、等を製造するために用いられるＥＵＶ露光用反射型マスクブランクを模式的に表現した図である。
【図１９】ＥＵＶ露光用反射型マスクを用いて、例えばＳｉウエハ上にパターンの露光転写を行っている概念図である。
【符号の説明】
ＥＵＶ．入射してきたＥＵＶ光
ＥＵＶ▲１▼．ＥＵＶ光吸収体層の表面で反射されるＥＵＶ光
ＥＵＶ▲２▼．ＥＵＶ光吸収体層を通過しＥＵＶ光反射多層膜で反射され再びＥＵＶ光吸収体層を通過したＥＵＶ光
Ｍ0．真空
Ｍ1．ＥＵＶ光吸収体層
Ｍ2．ＥＵＶ光反射多層膜
θ0．ＥＵＶ光のＥＵＶ光吸収体層への入射角
θ1．ＥＵＶ光のＥＵＶ光反射層への入射角
Ｉ0．ＥＵＶ光の強度
Ｒ01．真空中Ｍ0とＥＵＶ光吸収体層Ｍ1との界面の反射率
Ｒ12．ＥＵＶ光吸収体層Ｍ1とＥＵＶ光反射多層膜Ｍ2との界面の反射率
Ｔ01．真空中Ｍ0とＥＵＶ光吸収体層Ｍ1との界面の透過率
ｄ．ＥＵＶ光吸収体層Ｍ1の膜厚
ｚ．ＥＵＶ光吸収体層Ｍ1における光路長
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体製造等の際に使用される、ＥＵＶ露光用反射型マスクの主要な構成要素である、ＥＵＶ光を反射する多層膜（本明細書においては「ＥＵＶ光反射多層膜」と記載する。）上に成膜されるＥＵＶ光を吸収する吸収体層（本明細書においては「ＥＵＶ光吸収体層」と記載する。）、およびその製造方法、並びに前記ＥＵＶ光吸収体層を用いたＥＵＶ露光用反射型マスク、等に関する。
尚、本発明に記載するＥＵＶ（Ｅｘｔｒｅｍｅ Ｕｌｔｒａ Ｖｉｏｌｅｔ）光とは、軟Ｘ線領域または真空紫外領域の波長帯の光を指し、具体的には波長が０．２〜１００ｎｍ程度の光のことである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、半導体産業において、Ｓｉ基板等に微細なパターンからなる集積回路等の半導体装置を形成する上で必要な微細パターンの転写技術として、可視光や紫外光を用いたフォトリソグラフィ法が用いられていきた。しかし、半導体デバイスの微細化が加速している一方で、従来の光露光の短波長化は露光限界に近づいてきた。
そして光露光の場合、パターンの解像限界は露光波長の１／２と言われ、Ｆ2レーザー（１５７ｎｍ）を用いても７０ｎｍ程度が限界と予想される。そこで７０ｎｍ以降の露光技術として、Ｆ2レーザーよりさらに短波長のＥＵＶ光（１３ｎｍ）を用いた露光技術であるＥＵＶリソグラフィ（以下、「ＥＵＶＬ」と記載する。）が有望視されている。
【０００３】
ＥＵＶＬの像形成原理は、フォトリソグラフィと同じであるが、ＥＵＶ光に対する、あらゆる物質の吸収は大きく、また屈折率が１に近いため、光露光のような屈折光学系は使用できず、すべて反射光学系を用いる。
また、その際用いられるマスクとしては、メンブレンを用いた透過型マスクが提案されてきているが、ＥＵＶ光に対するメンブレンの吸収が大きいため露光時間が長くなり、スループットが確保できないという問題がある。その為、現状では露光用反射型マスクが一般的に使用されている。
【０００４】
ここで、ＥＵＶＬについて、図１７〜１９を用いて説明する。
尚、図１７、１８および後述する図１において、対応する部分については同一の符号を付して示した。
図１７はＥＵＶＬに用いられるＥＵＶ露光用反射型マスク、図１８はＥＵＶ露光用反射型マスクブランクを模式的に表現した図であり、図１９は製造されたＥＵＶマスクを用いて例えばＳｉウエハ上にパターンを露光転写を行っている概念図である。
図１７に示すように、ＥＵＶ光用の露光用反射型マスクの主要な構成要素は、基板Ｓ、ＥＵＶ光反射多層膜Ｍ2、リソグラフィのパターンニングがされたＥＵＶ吸収体パターンＭ1Pである。
因みに、露光用反射型マスクブランクとは図１８に示すように、前記ＥＵＶ光吸収体パターンＭ1Pにおけるリソグラフィのパターンニング実施前で、ＥＵＶ光吸収体層Ｍ1の形態のものをいう。
【０００５】
次に図１９を用いてＥＵＶ露光用反射型マスクによる半導体基板上へのパターン転写について説明する。
図１９に示すように、レーザープラズマＸ線源１１からえられたＥＵＶ光（軟Ｘ線）を前記ＥＵＶマスク１２に入射し、ここで反射された光を縮小光学系１３を通して例えばＳｉウエハ基板１４上に転写する。
ここで、縮小光学系１３としてはＸ線反射ミラーを用いることができる、縮小光学系によりＥＵＶマスク１２で反射されたパターンは通常１／４程度に縮小される。
例えばＳｉウエハ１４へのパターンの転写は、Ｓｉウエハ１４上に形成させたレジスト層にパターンを露光しこれを現像することによって行うことができる。
露光波長として１３〜１４ｎｍの波長帯を使用する場合には、通常光路が真空中になるように転写が行われる。
このようにしてＥＵＶＬにより、例えばＳｉウエハ上にパターンを形成することにより、例えば集積度の高いＬＳＩ、等の半導体装置を製造することができる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
さて、前述した光露光パターンの解像限界を上げるため、前記パターンニング後のパターンのコントラストを上げることが重要視されるようになった。
このコントラストを上げるために、前記ＥＵＶ光反射多層膜Ｍ2の反射率が高いことと同時に、前記ＥＵＶ光吸収体層Ｍ1の吸収率が高いことが求められている。
ここで前記ＥＵＶ光吸収体層Ｍ1は、例えばＴａＢのようなＥＵＶ光に対して高い吸収係数を持つ元素の薄膜であるので、当然のことながらＥＵＶ光吸収体層Ｍ1に入射してきたＥＵＶ光の大部分は反射されることなくＥＵＶ光吸収体層Ｍ1に吸収される。
しかし前記ＥＵＶ光吸収体層Ｍ1は薄膜であるため、前記吸収されたＥＵＶ光の一部が下層の前記ＥＵＶ光反射多層膜Ｍ2にまで達し、そこで反射されたＥＵＶ光のさらに一部が再び前記ＥＵＶ光吸収体層Ｍ1の薄膜を通過して外部へもどり、この結果、前記パターンのコントラストが低下するという問題点が判明した。
この問題点に対する最も直接的な解決策として、ＥＵＶ光吸収体層Ｍ1の膜厚を厚くすることが考えられる。
【０００７】
ところがＥＵＶ光吸収体層Ｍ1の膜厚を厚くすると、次のような問題点が新たに発生する。
１．ＥＵＶ光吸収体層Ｍ1自体が有する膜応力も膜厚に伴って増大するためマスクの変形が起き、この結果、光露光パターンの解像限界が上がらなくなる。
２．ＥＵＶ光吸収体層Ｍ1は、例えばＴａ、Ｂ、等のコストの高い原料を用いて成膜されているので、膜厚を厚くすることはすぐに製造コストの上昇につながる。
３．ＥＵＶ光はある一定の入射角度、出射角度をもってＥＵＶ光吸収体層Ｍ1を通過するため、ＥＵＶ光吸収体層Ｍ1の膜厚が厚くなると、そのエッジの部分ではＥＵＶ光がＥＵＶ光吸収体層Ｍ1を通過する距離が大きく変化するため、光露光パターンがぼやけるという問題が顕著になる。
本発明は、以上の背景のもとでなされたものであり、ＥＵＶ光吸収体層Ｍ1において、膜厚を厚くすることなくＥＵＶ光反射率を下げることで、パターンのコントラストを上げることを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上述の課題を解決するために、本願発明者らがなした第１の発明は、ＥＵＶ光反射多層膜上に成膜されたＥＵＶ光吸収体層を有するＥＵＶ露光用反射型マスクブランクであって、
前記ＥＵＶ吸収体層の表面にて反射されるＥＵＶ光と、前記ＥＵＶ吸収体層を通過して前記ＥＵＶ吸収体層の下にある前記ＥＵＶ光反射多層膜で反射され、再び前記ＥＵＶ吸収体層を通過したＥＵＶ光と、の干渉効果を利用して、前記ＥＵＶ吸収体層におけるＥＵＶ光の反射率が低くなるように、前記ＥＵＶ吸収体層の膜厚を設定したことを特徴とするＥＵＶ露光用反射型マスクブランクである。
【０００９】
第２の発明は、ＥＵＶ光反射多層膜上に成膜されたＥＵＶ光吸収体層を有するＥＵＶ露光用反射型マスクブランクであって、
前記ＥＵＶ光吸収体層の表面にて反射されるＥＵＶ光と、前記ＥＵＶ光吸収体層を通過し前記ＥＵＶ光吸収体層の下にある前記ＥＵＶ光反射多層膜で反射され再び前記ＥＵＶ光吸収体層を通過したＥＵＶ光との、干渉効果を加算した反射率をシュミレーションし、
前記反射率のシュミレーションの結果を、膜厚を横軸、反射率を縦軸としたグラフに表し、
前記グラフにおいて、膜厚に対し反射率の極大値を与える点を結んだ曲線を求め、
その膜厚が膜応力の観点から使用不適と判断される膜厚値を限界膜厚としたとき、前記限界膜厚に対応する反射率を前記曲線から求め、限界反射率と定義したとき、
前記反射率のシュミレーション結果より、膜厚に対し反射率の極小値を与える膜厚を求め、その膜厚を極小値膜厚と定義し、前記ＥＵＶ光吸収体層の成膜において、前記極小値膜厚をねらう際に発生する不可避的な膜厚変動を見込んでも、前記限界反射率より低い反射率を得ることができる膜厚を用いることを特徴とするＥＵＶ露光用反射型マスクブランクである。
【００１０】
第３の発明は、ＥＵＶ光反射多層膜上に成膜されたＥＵＶ光吸収体層を有するＥＵＶ露光用反射型マスクブランクであって、
前記ＥＵＶ光吸収体層の表面にて反射されるＥＵＶ光と、
前記ＥＵＶ光吸収体層を通過し前記ＥＵＶ光吸収体層の下にある前記ＥＵＶ光反射多層膜で反射され再び前記ＥＵＶ光吸収体層を通過したＥＵＶ光との、干渉効果をもちいて、前記ＥＵＶ光吸収体層におけるＥＵＶ光の反射率を低減させる構造において、
前記干渉効果の起きる条件を前記ＥＵＶ光吸収体層の膜厚の関数として定式化し、
さらに前記ＥＵＶ光反射多層膜での多層反射を表面の反射とする近似を行うことで、前記干渉効果の起きる条件を前記ＥＵＶ光吸収体層の膜厚の関数として表す式の近似式を求め、
この近似式により算出した膜厚を有するＥＵＶ光吸収体層を有することを特徴とするＥＵＶ露光用反射型マスクブランクである。
【００１１】
第４の発明は、第３の発明に記載のＥＵＶ露光用反射型マスクブランクであって、
前記近似式により算出した膜厚ｄの値が、
【数３】
【数４】
但し、λ0は真空中でのＥＵＶ光の波長、ｎ0は真空中に屈折率、ｎ1は吸収体層の屈折率、θ0はＥＵＶ光のＥＵＶ光吸収体層への入射角、ｋ1は正の実数、Ｔ01は真空中とＥＵＶ光吸収体層との界面の透過率、Ｒ01は真空中とＥＵＶ光吸収体層との界面の反射率、Ｒ12はＥＵＶ光吸収体層とＥＵＶ光反射多層膜との界面の反射率、ｍは正の整数、φは位相のずれ、である。
【００１２】
第５の発明は、第１から第４の発明のいずれかに記載のＥＵＶ露光用反射型マスクブランクであって、
前記ＥＵＶ光反射多層膜は交互に積層した第１の膜と第２の膜とを有し、
前記第１の膜は、遷移金属、遷移金属の炭化物、遷移金属の窒化物、遷移金属の珪化物、および遷移金属の硼化物、より選ばれる少なくとも１つ以上の成分を含み、
前記第２の膜は、Ｂおよび／またはＢｅおよび／またはＣおよび／またはＳｉ、Ｂおよび／またはＢｅおよび／またはＣおよび／またはＳｉの酸化物、
Ｂおよび／またはＢｅおよび／またはＣおよび／またはＳｉの窒化物、
より選ばれる少なくとも１つ以上の成分を含み、
前記ＥＵＶ吸収体層は、Ｃｒ、Ｃｒの炭化物、Ｃｒの窒化物、Ｃｒの珪化物およびＣｒの硼化物より選ばれる少なくとも１つ以上の成分を含み
このＥＵＶ吸収体層の膜厚は７０ｎｍ〜１００ｎｍであることを特徴とするＥＵＶ露光用反射型マスクブランクである。
【００１３】
第６の発明は、第１から第４の発明のいずれかに記載のＥＵＶ露光用反射型マスクブランクであって、
前記ＥＵＶ光反射多層膜は交互に積層した第１の膜と第２の膜とを有し、
前記第１の膜は、遷移金属、遷移金属の炭化物、遷移金属の窒化物、遷移金属の珪化物、および遷移金属の硼化物、より選ばれる少なくとも１つ以上の成分を含み、
前記第２の膜は、Ｂおよび／またはＢｅおよび／またはＣおよび／またはＳｉ、Ｂおよび／またはＢｅおよび／またはＣおよび／またはＳｉの酸化物、
Ｂおよび／またはＢｅおよび／またはＣおよび／またはＳｉの窒化物、
より選ばれる少なくとも１つ以上の成分を含み、
前記ＥＵＶ吸収体層は、Ｔａ、Ｔａの炭化物、Ｔａの窒化物、Ｔａの珪化物およびＴａの硼化物より選ばれる少なくとも１つ以上の成分を含み、このＥＵＶ吸収体層の膜厚は７０ｎｍ〜１１０ｎｍであることを特徴とするＥＵＶ露光用反射型マスクブランクである。
【００１４】
第７の発明は、第５または第６の発明に記載のＥＵＶ露光用反射型マスクブランクであって、前記遷移金属は、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ａｕ、Ｈｆ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｒｅより選ばれる少なくとも１つ以上の金属であることを特徴とするＥＵＶ露光用反射型マスクブランクである。
【００１５】
第８の発明は、第１から第７の発明のいずれかに記載のＥＵＶ露光用反射型マスクブランクを用いたことを特徴とするＥＵＶ露光用反射型マスクである。
【００１６】
第９の発明は、第８の発明に記載のＥＵＶ露光用反射型マスクを用いて、半導体ウエハ上にＥＵＶ光によりパターンを転写することを特徴とする半導体の製造方法である。
【００１７】
【発明の実施の形態】
以下、ＥＵＶ光吸収体層Ｍ1の表面にて反射されるＥＵＶ光と、ＥＵＶ光吸収体層Ｍ1を通過しＥＵＶ光吸収体層Ｍ1の下にあるＥＵＶ光反射多層膜Ｍ2で反射され再びＥＵＶ光吸収体層Ｍ1を通過したＥＵＶ光とが、特定の条件を満たすときに起こる干渉効果を用いて、ＥＵＶＬに十分なコントラストを得ることができる条件について詳述する。
【００１８】
図１はＥＵＶ光反射多層膜Ｍ2とその上に成膜されたＥＵＶ光吸収体層Ｍ1および真空中Ｍ0をそれぞれ模式的に表現し、そこへを有し角度θ0を以てＥＵＶ光が真空中Ｍ0から、強度Ｉ0を有して入射してきた際の光路を表した図である。
入射してきたＥＵＶ光のうち、ＥＵＶ光吸収体層Ｍ1の表面で反射されるものをＥＵＶ光▲１▼、ＥＵＶ光吸収体層Ｍ1を通過しＥＵＶ光吸収体層Ｍ1の下にあるＥＵＶ光反射多層膜Ｍ2で反射され再びＥＵＶ光吸収体層Ｍ1を通過したＥＵＶ光をＥＵＶ光▲２▼とした。
ここで、干渉効果を起こすために満たすべき条件とは、１）ＥＵＶ光▲１▼と▲２▼との位相差がほぼπずれていること、２）ＥＵＶ光▲１▼と▲２▼との強度がほぼ等しいことである。
すなわちＥＵＶ光吸収体層Ｍ1の制御によりＥＵＶ光▲１▼と▲２▼とが上記１）、２）の条件を満たせば、ＥＵＶ光吸収体層Ｍ1の厚膜化によることなくＥＵＶＬに十分なコントラストを得ることができる。
【００１９】
ＥＵＶ光▲１▼と▲２▼とが上記１）、２）を満たす条件を図１を用いて説明する。
但し、Ｒ01は真空中Ｍ0とＥＵＶ光吸収体層Ｍ1との界面の反射率である。
Ｒ12はＥＵＶ光吸収体層Ｍ1とＥＵＶ光反射多層膜Ｍ2との界面の反射率である。
Ｔ01は真空中Ｍ0とＥＵＶ光吸収体層Ｍ1との界面の透過率である。
αは入射してきたＥＵＶ光に対するＥＵＶ光吸収体層Ｍ1の吸収係数である。
２Ｚは入射してきたＥＵＶ光がＥＵＶ光吸収体層Ｍ1中を進行する距離である。
すると、ＥＵＶ光吸収体層Ｍ1の表面で反射されたＥＵＶ光▲１▼の強度Ｉ1は式（１）
Ｉ1＝Ｉ0Ｒ01………（１）
となる。
【００２０】
一方、ＥＵＶ光▲２▼の強度Ｉ2は式（２）
Ｉ2＝Ｉ0Ｔ01exp［−αＺ］・Ｒ12exp［−αＺ］Ｔ01＝Ｉ0Ｔ01 2Ｒ12exp［−２αＺ］………（２）
となる。
但し、αは式（３）
α＝２ω0ｋ1／ｃ………（３）
である。ここでω0は真空中Ｍ0での光の角速度であり、ｋ1はＥＵＶ光吸収体層Ｍ1のＥＵＶ光の消衰係数、ｃは光速である。
すると、ω0は式（４）
ω0＝２πν0＝２πｃ／λ0………（４）
となる。ここでν0は真空中での光の振動数、λ0は真空中での波長である。
そして式（３）と式（４）より式（５）が導かれる。
α＝4πk1／λ0 ………（５）
また、ＥＵＶ光吸収体層Ｍ1における光路長zと膜厚dの関係を式（６）に示す。
z = d／cosθ1………（６）
ここで、θ1に関しては、入射角θ0と式（７）の関係にある。
但し、n0 は真空中の屈折率、n1 は吸収体層の屈折率である。
n0 sinθ0 = n1 sinθ1………（７）
そして式（６）と式（７）式より式（８）が導かれる。
【数５】
【００２１】
最後に、 I1=I2、すなわち式（１）＝式（２）の条件に式（５）および式（８）を代入すると、条件１）を満たす最適膜厚ｄを示す式（９）が導出される。
I0R01＝ I0(T01)2R12exp[-2αz]-2αz = ln[R01／(T01)2R12]
【数６】
次に条件２）を満足する膜厚ｄについて検討する。
ＥＵＶ光▲１▼と▲２▼の光路差は2zである。これが波長の（整数+0.5）倍のとき、ＥＵＶ光▲１▼と▲２▼の位相がπずれることになる。
そこでこの光路差を求めようとすると、ＥＵＶ光反射多層膜Ｍ2が数十層の多層膜で構成されているため、干渉条件を求めるためにる光学シュミレーション計算をおこない、この結果よりＥＵＶＬにおいて十分なコントラストを得ることのできるＥＵＶ光吸収体層Ｍ1の膜厚を求めることができる。
【００２２】
上述の方法にてＥＵＶ光吸収体層Ｍ1の膜厚を求めるには、例えば、以下のような操作を行う。
まず、前記ＥＵＶ光吸収体層の表面にて反射されるＥＵＶ光と、前記ＥＵＶ光吸収体層を通過し前記ＥＵＶ光吸収体層の下にある前記ＥＵＶ光反射多層膜で反射され再び前記ＥＵＶ光吸収体層を通過したＥＵＶ光との、干渉効果を加算した反射率をシュミレーションする。但しシュミレーションの方法については後述する。
前記反射率のシュミレーションの結果を、図３、６、１０、１３に示すような膜厚を横軸、反射率を縦軸としたグラフに表し、膜厚に対し反射率の極大値を与える点を結んだ曲線を求める。
一方、その膜厚があまりに厚くなると自身の膜応力も大きくなり、膜の歪みの原因となる。そこで膜応力の観点から、これ以上の膜厚値は使用不適と判断される膜厚値を限界膜厚としたとき、前記限界膜厚に対応する反射率を前記曲線から求め、これを限界反射率と定義する。
ここで、前記反射率のシュミレーション結果より、ＥＵＶ光吸収体層の表面にて反射されるＥＵＶ光と、ＥＵＶ光吸収体層を通過しＥＵＶ光吸収体層の下にある前記ＥＵＶ光反射多層膜で反射され、再び前記ＥＵＶ光吸収体層を通過したＥＵＶ光と、の干渉効果により反射率が極小となる点が周期的に現れる。
この膜厚に対し反射率の極小値を与える膜厚を求め、その膜厚を極小値膜厚と定義する。
ここで、前記ＥＵＶ光吸収体層の膜厚を反射率が極小となる膜厚近傍の値に設定すれば、ＥＵＶ光吸収体層での反射率を低くすることができる。また前記反射率の極小値の中でも最小の極小値を与える膜厚近傍の値に設定すれば、さらに好ましい。
一方、ここで前記ＥＵＶ光吸収体層の成膜において、前記極小値膜厚をねらって成膜を実施しても、実際の成膜工程においては膜厚の変動は不可避である。しかし発生する不可避的な膜厚変動を見込んでも、前記限界反射率より低い反射率を得ることができる膜厚を用いるならば、この膜厚をねらって成膜を実施することで薄い膜厚でありながら高いコントラストを得ることができる。
【００２３】
しかし、この光路差を求めようとすると、大型計算機による光学シュミレーション計算が必要となりコストと時間を必要とするため、膜厚算定の毎に光学シュミレーション計算を実施せずに済めば、それはさらに好ましい構成である。
ここで本発明者らは、ＥＵＶ光反射多層膜Ｍ2を均一な媒体と仮定し、整数mを用い、且つＥＵＶ光▲２▼の反射はＭ1Ｍ2の界面でのみ起こると近似すると、ＥＵＶ光▲１▼と▲２▼の光路差である2zが満たすべき条件式（１０）が導出できることに想達した。
2z =（m+0.5）λ1／n1 =（m+0.5）λ0／n1………（１０）
【００２４】
一方、この近似による精度の低下については後述するが、ＥＵＶ光反射多層膜Ｍ2から反射する波に対し位相のずれφを導入することで、実用上問題ない程度とすることができることが確認できた。
この位相のずれφを導入すると、式（１０）は式（１０’）のように修正される（位相のずれφの単位はラジアンとする）。尚、位相のずれφの算出方法は後述する。
2z =（m+0.5+φ／2π）λ0／n1………（１０’）
以上のことより式（７）、式（１０’）より膜厚dを求める式（１１）が導出される。
【数７】
【００２５】
上述した数式を基に算出したＥＵＶ光吸収体層Ｍ1の膜厚と、実際に成膜したしたＥＵＶ光反射多層膜Ｍ2のデータを基に光学シュミレーションして得られたＥＵＶ光吸収体層Ｍ1の膜厚とを比較した。
但し、ここで用いた光学シュミレーションは、藤原史郎編「光学薄膜」（光学技術シリーズ１１）第１章２〜６２頁、共立出版に記載されている一般的な多層膜の光学計算手法に拠っている。またＢ．Ｌ．Ｈｅｎｋｅｎらの、「ＬＯＷ ＥＮＥＲＧＹ Ｘ−ＲＡＹ ＩＮＴＥＲＡＣＴＩＯＮ ＣＯＥＦＦＩＳＩＥＮＴＳＰＨＯＴＯＡＢＳＯＲＰＴＩＯＮ，ＳＣＡＴＴＥＲＩＮＧ ＡＮＤ ＲＥＦＬＥＣＴＩＯＮ ＡＴ Ｅ＝５０〜３０，０００ｅＶ，Ｚ＝１〜９２」（ＡＴＯＭＩＣ ＤＡＴＡ ＡＮＤ ＮＵＣＬＥＡＲ ＤＡＴＡ ＴＡＢＬＥ ５４，１８１〜３４２（１９９３））に記載された方法を用いて、屈折率や消衰係数を求めた。
【００２６】
さらにここで、位相のずれφの算出方法について説明する。
位相のずれφは、ＥＵＶ光反射多層膜Ｍ2を真空中に設置した場合において、多層膜表面で反射する光の位相と、多層膜中で多重散乱を生じて真空中に戻ってきた光と、の位相差として得られる。
従って、計算方法は、前述の光学シュミレーションと同様の計算を実施する。
【００２７】
この結果、式（９）から得られる膜厚ｄは、前記光学シュミレーションして得られた最適膜厚よりやや厚めになることが判明した。
これはＥＵＶ光反射多層膜Ｍ2とＥＵＶ光吸収体層Ｍ1で起こる多重散乱の影響によるものと考えられる。
ここで、ＥＵＶ露光用反射型マスクのコントラストは１０００以上あることが望まれている。したがって反射率は０．００１であることが好ましいが、これまでのシュミレーション結果より、最適膜厚前後の−２０％および＋１０％程度の膜厚値において十分なコントラストが得られることが判明したことから、前記条件１）を満足する膜厚ｄの範囲は次のようになる。
【数８】
【００２８】
一方、式（１１）から得られる膜厚ｄは、前記光学シュミレーションして得られた最適膜厚とほぼ一致することが判明した。
また、膜厚が最適膜厚からわずかにずれ、その結果ＥＵＶ光▲１▼と▲２▼の位相差がπからずれても干渉効果が起きることも判明し、π／２〜３π／２の範囲にて干渉効果を利用できることが判明した。
以上のことより前記条件２）を満足する膜厚ｄの範囲は次のようになる。
【数９】
【００２９】
ここで、ＥＵＶ露光用反射型マスクブランクやＥＵＶ露光用反射型マスクにおいて、図１８に示すＥＵＶ光吸収体層Ｍ1とＥＵＶ光反射多層膜Ｍ2との間へ、ＥＵＶ光吸収体層Ｍ1加工時の影響がＥＵＶ光反射多層膜Ｍ2におよぶのを抑止するために、エッチンクストッパー層が導入される場合がある。
このような場合には、ＥＵＶ光反射多層膜Ｍ2とエッチンクストッパー層とを一体のＥＵＶ光反射多層膜と仮定することで、前記最適膜厚ｄを求める式を導出することができる。
すなわち、図１におけるＲ12をＥＵＶ光吸収体層Ｍ1と、ＥＵＶ光反射多層膜Ｍ2およびエッチンクストッパー層の一体膜と、の界面の反射率とする。さらに、位相のずれφはＥＵＶ光反射多層膜Ｍ2およびエッチンクストッパー層の一体膜を真空中に設置した場合において、エッチングストッパー層表面で反射する光の位相と、多層膜中で多重散乱を生じて真空中に戻ってきた光と、の位相差として求めることができる。
【００３０】
さらにここで、前記ＥＵＶ光反射多層膜Ｍ2とＥＵＶ光吸収体層Ｍ1との、各々の膜に含まれる成分として、好ましいものについて以下に記載する。
まず前記ＥＵＶ光反射多層膜Ｍ2は交互に積層した第１の膜と第２の膜とを有しているが、膜成分の好ましい例として以下のものがある。
すなわち、前記第１の膜としては、遷移金属、遷移金属の炭化物、遷移金属の窒化物、遷移金属の珪化物、および遷移金属の硼化物、より選ばれる少なくとも１つ以上の成分を含むものが好ましく、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ａｕ、Ｈｆ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｒｅ、等およびその合金はさらに好ましい。
前記第２の膜としては、Ｂ、Ｂｅ、Ｃ、Ｓｉ、等またはその化合物、およびそれらの酸化物、窒化物が好ましい。
一方、前記ＥＵＶ光吸収層Ｍ1としては、Ｃｒ、Ｃｒの炭化物、Ｃｒの窒化物、Ｃｒの珪化物およびＣｒの硼化物より選ばれる少なくとも１つ以上の成分、またはＴａ、Ｔａの炭化物、Ｔａの窒化物、Ｔａの珪化物およびＴａの硼化物より選ばれる少なくとも１つ以上の成分が好ましい。
そして、このＥＵＶ吸収体層の膜厚は７０ｎｍ〜１００ｎｍの範囲であって、式（１２）と式（１３）との両方を満足することが好ましい。
【００３１】
以上のことより、ＥＵＶ光吸収体層Ｍ1の膜厚ｄが式（１２）および式（１３）の両方を満足する範囲にあるとき、ＥＵＶ光吸収体層Ｍ1は干渉効果による十分なコントラストを発揮でき、同時に膜厚を薄くすることも可能になった。
この結果、ＥＵＶ光吸収体層Ｍ1の発生する膜応力を減らすことが可能になり、この膜応力に由来する基板およびＥＵＶ光反射多層膜Ｍ2の歪みも削減できるので、歪みの少ないＥＵＶマスクやＥＵＶマスクブランクを得ることができた。
さらに、ＥＵＶ光吸収体層Ｍ1の膜厚が薄くなったことにより、そのエッジの部分で光露光パターンがぼやけるという問題も解決した。
このＥＵＶマスクを用いて図１９に示すように、Ｓｉ等の半導体ウエハ上に、超ＬＳＩ等の半導体装置のパターンの露光転写を行ったところ、従来のＥＵＶマスクを用いた場合に較べ、光露光の解像限界を大きく上げることが出来た。
【００３２】
（実施例１）
厚さ６００ｎｍのＳｉＯ2−ＴｉＯ2ガラス基板上にＥＵＶ光反射多層膜Ｍ2として、Ｍｏ／Ｓｉ多層膜を４０周期積層した。Ｍｏ／Ｓｉ多層膜はＳｉが４．２ｎｍ、Ｍｏが２．８ｎｍで1周期を構成し、これが４０周期積層されている。
一方、ＥＵＶ光吸収体層Ｍ1はＣｒとした。
そしてＥＵＶ光の波長は１３．５ｎｍ、入射角度は２．０５ｄｅｇとし、各材料の屈折率、吸収係数を図２の値として、式（９）、式（１１）により最適膜厚の計算を行った。
Ｃｒ層がない場合のＥＵＶ光反射多層膜Ｍ2の理論反射率は７１．７％であった。
また、Ｍ2で反射された波の位相差は入射波に対して０．１９８０８ｒａｄであった。
Ｍ2における多重散乱を考慮に入れた光学シミュレーションによる計算結果を図３に示す。これに基づいて、式（１１）より得られた干渉の強まる膜厚と、光学シミュレーションの計算で得られた干渉の強まる膜厚との比較を図４に示す。
一方、式（９）から得られた最適膜厚は８９．８６ｎｍであった。
以上の結果を綜合して図５に示す。これよると式（９）で得られた最適膜厚値は光学シミュレーションによる計算結果によるピーク位置より若干厚い位置にあるが、ほぼ正確に予想できることが判明した。
【００３３】
（実施例２）
実施例１と同様のＳｉＯ2−ＴｉＯ2ガラス基板を用い、ＥＵＶ光反射多層膜Ｍ2として、Ｓｉ／Ｍｏ多層膜を４０周期積層した。他の条件は実施例１と同様である。
Ｃｒ層がない場合のＥＵＶ光反射多層膜Ｍ2の理論反射率は７０．８％であった。
また、Ｍ2で反射された波の位相差は入射波に対して２．５７３６ｒａｄであった。
実施例１と同様の光学シミュレーションによる計算結果を図６に示す。これに基づいて、式（１１）より得られた干渉の強まる膜厚と、光学シミュレーションの計算で得られた干渉の強まる膜厚との比較を図７に示す。
ここで、式（９）から得られた最適膜厚は８９．６９ｎｍであった。
以上の結果を綜合して図８に示す。これよると式（９）で得られた最適膜厚値は実施例１と同様に、光学シミュレーションによる計算結果によるピーク位置より若干厚い位置にあるが、ほぼ正確に予想できることが判明した。
【００３４】
（実施例３）
実施例１と同様のＳｉＯ2−ＴｉＯ2ガラス基板、およびＥＵＶ光反射多層膜Ｍ2を用い、ＥＵＶ光吸収体層Ｍ1はＴａＢとした。
そしてＥＵＶ光は実施例１と同様とし、各材料の屈折率、吸収係数を図９の値として、式（９）、式（１１）により最適膜厚の計算を行った。
ＴａＢ層がない場合のＥＵＶ光反射多層膜Ｍ2の理論反射率は７１．７％であった。
また、Ｍ2で反射された波の位相差は入射波に対して０．１９８０８ｒａｄであった。
実施例１と同様の光学シミュレーションによる計算結果を図１０に示す。これに基づいて、式（１１）より得られた干渉の強まる膜厚と、光学シミュレーションの計算で得られた干渉の強まる膜厚との比較を図１１に示す。
ここで、式（９）から得られた最適膜厚は９５．７３ｎｍであった。
以上の結果を綜合して図１２に示す。これよると式（９）で得られた最適膜厚値は実施例１と同様に、光学シミュレーションによる計算結果によるピーク位置より若干厚い位置にあるが、ほぼ正確に予想できることが判明した。
【００３５】
また実施例３においては、ＥＵＶ光吸収体層の膜厚が条件１）を満たす場合と条件２）とを図１２に記入した図１６を作成した。図１７において条件１）を満たす部分のグラフを実線で、条件２）を満たす部分をハンチングで示した。
そして図１６より、ＥＵＶ光吸収体層の膜厚が条件１）２）同時に満たす場合には、前記干渉効果により、干渉効果を用いない場合より少なくとも１６０ｎｍの膜厚の削減を実現していることが判明した。
【００３６】
（実施例４）
実施例１と同様のＳｉＯ2−ＴｉＯ2ガラス基板を用い、ＥＵＶ光反射多層膜Ｍ2として、Ｓｉ／Ｍｏ多層膜を４０周期積層した。他の条件は実施例３と同様である。
ＴａＢ層がない場合のＥＵＶ光反射多層膜Ｍ2の理論反射率は７０．８％であった。
また、Ｍ2で反射された波の位相差は入射波に対して２．５７３６ｒａｄであった。
実施例１と同様の光学シミュレーションによる計算結果を図１３に示す。これに基づいて、式（１１）より得られた干渉の強まる膜厚と、光学シミュレーションの計算で得られた干渉の強まる膜厚との比較を図１４に示す。
ここで、式（９）から得られた最適膜厚は９５．７１ｎｍであった。
以上の結果を綜合して図１５に示す。これよると式（９）で得られた最適膜厚値は実施例１と同様に、光学シミュレーションによる計算結果によるピーク位置より若干厚い位置にあるが、ほぼ正確に予想できることが判明した。
【００３７】
（実施例５）
ガラス基板として外形６インチ角、厚さ６ｍｍの低膨張ＳｉＯ2−ＴｉＯ2ガラス基板を準備し、機械研磨により、表面の平滑度０．２ｎｍ以下、平坦度１００ｎｍ以下とした。
このガラス基板上に、ＥＵＶ光反射多層膜としてＭｏとＳｉとを積層した。
その積層方法は、ＤＣマグネトロンスパッタ法により、まずＳｉターゲットを用いてＡｒガス０．１Ｐａ中でＳｉ膜を４．２ｎｍ成膜し、次にＭｏターゲットを用いてＡｒガス０．１Ｐａ中でＭｏ膜を２．８ｎｍ成膜し、これを１周期として４０周期積層した後、最後にＳｉ膜を４．２ｎｍ成膜した。
次に、図１３のグラフおよび図１４の表の結果より、極小の反射率を期待できる膜厚を求め、前記ＥＵＶ光反射多層膜上にＥＵＶ光吸収体層としてスパッタ法によりＴａＢを８５ｎｍの厚さに成膜し、ＥＵＶ露光用反射型マスクブランクを得た。
得られたＥＵＶ露光用反射型マスクブランク上にＥＢレジストをコ−トし、ＥＢ描画によりパターンを形成し、次にこのレジストパターンをマスクとして、前記ＥＵＶ光吸収体層をＣｌ2を用いてドライエッチングし、ＥＵＶ光吸収パターンを形成して、デザインルールが７０ｎｍの１６ＧＢｉｔ−ＤＲＡＭのパターンを有するＥＵＶ露光用反射型マスクを作製した。
作製されたＥＵＶ露光用反射型マスクについて、マスクへの入射角を２．０５ｄｅｇとし波長１３．５ｎｍのＥＵＶ光を用いて露光転写をおこなったところ、要求された線幅５０ｎｍに対して、高精度な転写特性を得ることができた。
【００３８】
【発明の効果】
以上、詳述したように本発明は、ＥＵＶ吸収体層の表面にて反射されるＥＵＶ光と、ＥＵＶ吸収体層を通過して前記ＥＵＶ吸収体層の下にあるＥＵＶ光反射多層膜で反射され、再び前記ＥＵＶ吸収体層を通過したＥＵＶ光と、の干渉効果を利用して、前記ＥＵＶ吸収体層におけるＥＵＶ光の反射率が低くなるように、前記ＥＵＶ吸収体層の膜厚を設定したことを特徴とするＥＵＶ露光用反射型マスクブランクであり、これを用いることで、ＥＵＶ光吸収体層の膜厚を厚くすることなくＥＵＶ光吸収体層のＥＵＶ光反射率を下げ、パターンのコントラストを上げることができた。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施の形態にかかる、真空中Ｍ0、ＥＵＶ光吸収体層Ｍ1とＥＵＶ光反射多層膜Ｍ2との配置、並びにそこへ入射してきたＥＵＶ光の光路を模式的に表した図である。
【図２】Ｃｒ、Ｓｉ、Ｍｏの各部材の屈折率を示す表である。
【図３】本発明の実施例１にかかる、ＥＵＶ光吸収体層の反射率とＣｒ膜厚との関係について、ＥＵＶ光反射多層膜における多重散乱を考慮に入れた光学シミュレーターにより計算した結果を示す図である。
【図４】本発明の実施例１にかかる、式（１１）より得られた干渉の強まる膜厚と、光学シミュレーションの計算で得られた干渉の強まる膜厚との比較を示す表である。
【図５】本発明の実施例１にかかる、（図４）の表の値および式（９）から得られた最適膜厚値を（図３）に記入した図である。
【図６】本発明の実施例２にかかる、ＥＵＶ光吸収体層の反射率とＣｒ膜厚との関係について、ＥＵＶ光反射多層膜における多重散乱を考慮に入れた光学シミュレーターにより計算した結果を示す図である。
【図７】本発明の実施例２にかかる、式（１１）より得られた干渉の強まる膜厚と、光学シミュレーションの計算で得られた干渉の強まる膜厚との比較を示す表である。
【図８】本発明の実施例２にかかる、（図７）の表の値および式（９）から得られた最適膜厚値を（図６）に記入した図である。
【図９】ＴａＢ、Ｓｉ、Ｍｏの各部材の屈折率を示す表である。
【図１０】本発明の実施例３にかかる、ＥＵＶ光吸収体層の反射率とＣｒ膜厚との関係について、ＥＵＶ光反射多層膜における多重散乱を考慮に入れた光学シミュレーターにより計算した結果を示す図である。
【図１１】本発明の実施例３にかかる、式（１１）より得られた干渉の強まる膜厚と、光学シミュレーションの計算で得られた干渉の強まる膜厚との比較を示す表である。
【図１２】本発明の実施例３にかかる、（図１１）の表の値および式（９）から得られた最適膜厚値を（図１０）に記入した図である。
【図１３】本発明の実施例４にかかる、ＥＵＶ光吸収体層の反射率とＴａＢ膜厚との関係について、ＥＵＶ光反射多層膜における多重散乱を考慮に入れた光学シミュレーターにより計算した結果を示す図である。
【図１４】本発明の実施例４にかかる、式（１１）より得られた干渉の強まる膜厚と、光学シミュレーションの計算で得られた干渉の強まる膜厚との比較を示す表である。
【図１５】本発明の実施例４にかかる、（図１４）の表の値および式（９）から得られた最適膜厚値を（図１３）に記入した図である。
【図１６】本発明の実施例３にかかる、ＥＵＶ光吸収体層の膜厚が、条件１）を満たす場合と、条件２）を満たす場合とを（図１０）に記入した図である。
【図１７】ＥＵＶＬに用いられるＥＵＶ露光用反射型マスクを模式的に表現した図である。
【図１８】ＥＵＶ露光用反射型マスク、等を製造するために用いられるＥＵＶ露光用反射型マスクブランクを模式的に表現した図である。
【図１９】ＥＵＶ露光用反射型マスクを用いて、例えばＳｉウエハ上にパターンの露光転写を行っている概念図である。
【符号の説明】
ＥＵＶ．入射してきたＥＵＶ光
ＥＵＶ▲１▼．ＥＵＶ光吸収体層の表面で反射されるＥＵＶ光
ＥＵＶ▲２▼．ＥＵＶ光吸収体層を通過しＥＵＶ光反射多層膜で反射され再びＥＵＶ光吸収体層を通過したＥＵＶ光
Ｍ0．真空
Ｍ1．ＥＵＶ光吸収体層
Ｍ2．ＥＵＶ光反射多層膜
θ0．ＥＵＶ光のＥＵＶ光吸収体層への入射角
θ1．ＥＵＶ光のＥＵＶ光反射層への入射角
Ｉ0．ＥＵＶ光の強度
Ｒ01．真空中Ｍ0とＥＵＶ光吸収体層Ｍ1との界面の反射率
Ｒ12．ＥＵＶ光吸収体層Ｍ1とＥＵＶ光反射多層膜Ｍ2との界面の反射率
Ｔ01．真空中Ｍ0とＥＵＶ光吸収体層Ｍ1との界面の透過率
ｄ．ＥＵＶ光吸収体層Ｍ1の膜厚
ｚ．ＥＵＶ光吸収体層Ｍ1における光路長
Claims (9)
- ＥＵＶ光反射多層膜上に成膜されたＥＵＶ光吸収体層を有するＥＵＶ露光用反射型マスクブランクであって、
前記ＥＵＶ光吸収体層は単層であり、
前記ＥＵＶ吸収体層の表面にて反射されるＥＵＶ光と、前記ＥＵＶ吸収体層を通過して前記ＥＵＶ吸収体層の下にある前記ＥＵＶ光反射多層膜で反射され、再び前記ＥＵＶ吸収体層を通過したＥＵＶ光と、の干渉効果を利用して、前記ＥＵＶ吸収体層におけるＥＵＶ光の反射率が０．０１未満になるように、前記ＥＵＶ吸収体層の膜厚を設定したことを特徴とするＥＵＶ露光用反射型マスクブランク。 - ＥＵＶ光反射多層膜上に成膜されたＥＵＶ光吸収体層を有するＥＵＶ露光用反射型マスクブランクであって、
前記ＥＵＶ光吸収体層は単層であり、
前記ＥＵＶ光吸収体層の表面にて反射されるＥＵＶ光と、前記ＥＵＶ光吸収体層を通過し前記ＥＵＶ光吸収体層の下にある前記ＥＵＶ光反射多層膜で反射され再び前記ＥＵＶ光吸収体層を通過したＥＵＶ光との、干渉効果を加算した反射率をシュミレーションし、前記反射率のシュミレーションの結果を、前記ＥＵＶ光吸収体層の膜厚を横軸、反射率を縦軸としたグラフに表し、前記グラフにおいて、前記膜厚に対し反射率の極大値を与える点を結んだ曲線を求め、その膜厚が膜応力の観点から使用不適と判断される膜厚値を限界膜厚としたとき、前記限界膜厚に対応する反射率を前記曲線から求め、限界反射率と定義したとき、前記反射率のシュミレーション結果より、膜厚に対し反射率の極小値を与える膜厚を求め、その膜厚を極小値膜厚と定義し、前記ＥＵＶ光吸収体層の成膜において、前記極小値膜厚をねらう際に発生する不可避的な膜厚変動を見込んでも、前記限界反射率より低い０．０１未満の反射率を得ることができる膜厚を用いることを特徴とするＥＵＶ露光用反射型マスクブランク。 - ＥＵＶ光反射多層膜上に成膜されたＥＵＶ光吸収体層を有するＥＵＶ露光用反射型マスクブランクであって、
前記ＥＵＶ光吸収体層は単層であり、
前記ＥＵＶ光吸収体層の表面にて反射されるＥＵＶ光と、前記ＥＵＶ光吸収体層を通過し前記ＥＵＶ光吸収体層の下にある前記ＥＵＶ光反射多層膜で反射され再び前記ＥＵＶ光吸収体層を通過したＥＵＶ光との、干渉効果をもちいて、前記ＥＵＶ光吸収体層におけるＥＵＶ光の反射率を０．０１未満に低減させる構造において、前記干渉効果の起きる条件を前記ＥＵＶ光吸収体層の膜厚の関数として定式化し、さらに前記ＥＵＶ光反射多層膜での多層反射を表面の反射とする近似を行うことで、前記干渉効果の起きる条件を前記ＥＵＶ光吸収体層の膜厚の関数として表す式の近似式を求め、この近似式により算出した膜厚を有するＥＵＶ光吸収体層を有することを特徴とするＥＵＶ露光用反射型マスクブランク。 - 請求項３に記載のＥＵＶ露光用反射型マスクブランクであって、
前記近似式により算出した膜厚ｄの値が、
但し、λ0は真空中でのＥＵＶ光の波長、ｎ0は真空中に屈折率、ｎ1は吸収体層の屈折率、θ0はＥＵＶ光のＥＵＶ光吸収体層への入射角、ｋ1は正の実数、Ｔ01は真空中とＥＵＶ光吸収体層との界面の透過率、Ｒ01は真空中とＥＵＶ光吸収体層との界面の反射率、Ｒ12はＥＵＶ光吸収体層とＥＵＶ光反射多層膜との界面の反射率、ｍは正の整数、φは位相のずれ、である。 - 請求項１から４のいずれかに記載のＥＵＶ露光用反射型マスクブランクであって、
前記ＥＵＶ光反射多層膜は交互に積層した第１の膜と第２の膜とを有し、
前記第１の膜は、遷移金属、遷移金属の炭化物、遷移金属の窒化物、遷移金属の珪化物、および遷移金属の硼化物、より選ばれる少なくとも１つ以上の成分を含み、
前記第２の膜は、Ｂおよび／またはＢｅおよび／またはＣおよび／またはＳｉ、Ｂおよび／またはＢｅおよび／またはＣおよび／またはＳｉの酸化物、
Ｂおよび／またはＢｅおよび／またはＣおよび／またはＳｉの窒化物、
より選ばれる少なくとも１つ以上の成分を含み、
前記ＥＵＶ吸収体層は、Ｃｒ、Ｃｒの炭化物、Ｃｒの窒化物、Ｃｒの珪化物およびＣｒの硼化物より選ばれる少なくとも１つ以上の成分を含み
このＥＵＶ吸収体層の膜厚は７０ｎｍ〜１００ｎｍであることを特徴とするＥＵＶ露光用反射型マスクブランク。 - 請求項１から４のいずれかに記載のＥＵＶ露光用反射型マスクブランクであって、
前記ＥＵＶ光反射多層膜は交互に積層した第１の膜と第２の膜とを有し、
前記第１の膜は、遷移金属、遷移金属の炭化物、遷移金属の窒化物、遷移金属の珪化物、および遷移金属の硼化物、より選ばれる少なくとも１つ以上の成分を含み、
前記第２の膜は、Ｂおよび／またはＢｅおよび／またはＣおよび／またはＳｉ、Ｂおよび／またはＢｅおよび／またはＣおよび／またはＳｉの酸化物、
Ｂおよび／またはＢｅおよび／またはＣおよび／またはＳｉの窒化物、
より選ばれる少なくとも１つ以上の成分を含み、
前記ＥＵＶ吸収体層は、Ｔａ、Ｔａの炭化物、Ｔａの窒化物、Ｔａの珪化物およびＴａの硼化物より選ばれる少なくとも１つ以上の成分を含み、このＥＵＶ吸収体層の膜厚は７０ｎｍ〜１１０ｎｍであることを特徴とするＥＵＶ露光用反射型マスクブランク。 - 請求項５または請求項６に記載のＥＵＶ露光用反射型マスクブランクであって、前記遷移金属は、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ａｕ、Ｈｆ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｒｅより選ばれる少なくとも１つ以上の金属であることを特徴とするＥＵＶ露光用反射型マスクブランク。
- 請求項１から７のいずれかに記載のＥＵＶ露光用反射型マスクブランクを用いたことを特徴とするＥＵＶ露光用反射型マスク。
- 請求項８に記載のＥＵＶ露光用反射型マスクを用いて、半導体ウエハ上にＥＵＶ光によりパターンを転写することを特徴とする半導体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001081161A JP4780847B2 (ja) | 2001-03-21 | 2001-03-21 | Ｅｕｖ露光用反射型マスクブランクおよびｅｕｖ露光用反射型マスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001081161A JP4780847B2 (ja) | 2001-03-21 | 2001-03-21 | Ｅｕｖ露光用反射型マスクブランクおよびｅｕｖ露光用反射型マスク |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002280291A JP2002280291A (ja) | 2002-09-27 |
| JP4780847B2 true JP4780847B2 (ja) | 2011-09-28 |
Family
ID=18937312
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001081161A Expired - Lifetime JP4780847B2 (ja) | 2001-03-21 | 2001-03-21 | Ｅｕｖ露光用反射型マスクブランクおよびｅｕｖ露光用反射型マスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4780847B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20180116758A (ko) | 2017-04-17 | 2018-10-25 | 에이지씨 가부시키가이샤 | Euv 노광용 반사형 마스크 블랭크 및 반사형 마스크 |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4540267B2 (ja) * | 2001-07-30 | 2010-09-08 | Ｈｏｙａ株式会社 | Ｅｕｖ光露光用反射型マスクブランクおよびｅｕｖ光露光用反射型マスク |
| JP3674591B2 (ja) | 2002-02-25 | 2005-07-20 | ソニー株式会社 | 露光用マスクの製造方法および露光用マスク |
| JP4483355B2 (ja) * | 2004-03-16 | 2010-06-16 | 凸版印刷株式会社 | 極限紫外線露光用マスクブランク及びマスク並びに転写方法 |
| JP4976346B2 (ja) * | 2008-07-16 | 2012-07-18 | 日本航空電子工業株式会社 | 可視光ミラー、可視光発振ガスレーザ、及びＨｅ−Ｎｅリングレーザジャイロ |
| JP5766393B2 (ja) | 2009-07-23 | 2015-08-19 | 株式会社東芝 | 反射型露光用マスクおよび半導体装置の製造方法 |
| JP6408790B2 (ja) * | 2013-05-31 | 2018-10-17 | Hoya株式会社 | 反射型マスクブランク、反射型マスク及びその製造方法、並びに半導体装置の製造方法 |
| JP7250511B2 (ja) | 2018-12-27 | 2023-04-03 | Hoya株式会社 | 反射型マスクブランク、反射型マスク、及び半導体装置の製造方法 |
| KR20240033148A (ko) | 2019-10-29 | 2024-03-12 | 에이지씨 가부시키가이샤 | 반사형 마스크 블랭크 및 반사형 마스크 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62290182A (ja) * | 1986-05-19 | 1987-12-17 | Fujitsu Ltd | 赤外線検知器 |
| JP2545905B2 (ja) * | 1987-12-29 | 1996-10-23 | キヤノン株式会社 | 反射型マスクならびにこれを用いた露光方法 |
| JPH01293699A (ja) * | 1988-05-23 | 1989-11-27 | Mitsubishi Electric Corp | 電波吸収体 |
| JPH0697052A (ja) * | 1992-09-14 | 1994-04-08 | Hoya Corp | Ｘ線マスク材料及びそれを用いたｘ線マスク |
| JP3078163B2 (ja) * | 1993-10-15 | 2000-08-21 | キヤノン株式会社 | リソグラフィ用反射型マスクおよび縮小投影露光装置 |
| JPH0817716A (ja) * | 1994-06-29 | 1996-01-19 | Nikon Corp | 反射型マスクの製造方法 |
| JPH11307442A (ja) * | 1998-04-24 | 1999-11-05 | Hoya Corp | Ｘ線マスク及びｘ線マスクブランク並びにそれらの製造方法 |
-
2001
- 2001-03-21 JP JP2001081161A patent/JP4780847B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20180116758A (ko) | 2017-04-17 | 2018-10-25 | 에이지씨 가부시키가이샤 | Euv 노광용 반사형 마스크 블랭크 및 반사형 마스크 |
| KR20190017842A (ko) | 2017-04-17 | 2019-02-20 | 에이지씨 가부시키가이샤 | Euv 노광용 반사형 마스크 블랭크 및 반사형 마스크 |
| US11281088B2 (en) | 2017-04-17 | 2022-03-22 | AGC Inc. | Reflective mask blank for EUV exposure, and reflective mask |
| US11835852B2 (en) | 2017-04-17 | 2023-12-05 | AGC Inc. | Reflective mask blank for EUV exposure, and reflective mask |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2002280291A (ja) | 2002-09-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US9134604B2 (en) | Extreme ultraviolet (EUV) mask and method of fabricating the EUV mask | |
| JP3939132B2 (ja) | 多層膜付き基板、露光用反射型マスクブランク、露光用反射型マスクおよびその製造方法、並びに半導体の製造方法 | |
| US20060222961A1 (en) | Leaky absorber for extreme ultraviolet mask | |
| WO2020236889A1 (en) | Extreme ultraviolet mask absorber materials | |
| US11609490B2 (en) | Extreme ultraviolet mask absorber materials | |
| JP2003014893A (ja) | 多層膜反射鏡及び露光装置 | |
| JP4356696B2 (ja) | 多層膜反射鏡及びｘ線露光装置 | |
| JP2007109964A (ja) | 多層反射膜付き基板、その製造方法、反射型マスクブランクおよび反射型マスク | |
| JP2022519040A (ja) | 極紫外線マスク吸収体材料 | |
| JP7478842B2 (ja) | 極端紫外線マスク吸収体材料 | |
| JP2012518270A (ja) | 多層ミラーおよびリソグラフィ装置 | |
| WO2002084671A1 (fr) | Procede de fabrication d'un reflecteur a film multicouche | |
| JP4780847B2 (ja) | Ｅｕｖ露光用反射型マスクブランクおよびｅｕｖ露光用反射型マスク | |
| JP4144301B2 (ja) | 多層膜反射鏡、反射型マスク、露光装置及び反射型マスクの製造方法 | |
| JP2018120009A (ja) | 反射型フォトマスク及び反射型フォトマスクブランク | |
| CN115427888A (zh) | 极紫外掩模吸收体材料 | |
| JP4540267B2 (ja) | Ｅｕｖ光露光用反射型マスクブランクおよびｅｕｖ光露光用反射型マスク | |
| WO2020236888A1 (en) | Extreme ultraviolet mask absorber materials | |
| CN115485616A (zh) | 远紫外掩模吸收材料 | |
| JP2005099571A (ja) | 多層膜反射鏡、反射多層膜の成膜方法、成膜装置及び露光装置 | |
| TW202111419A (zh) | Euv掩模胚及製造方法 | |
| US11592738B2 (en) | Extreme ultraviolet mask absorber materials | |
| US11513437B2 (en) | Extreme ultraviolet mask absorber materials | |
| US11675263B2 (en) | Extreme ultraviolet mask absorber materials | |
| US20220350233A1 (en) | Extreme ultraviolet mask absorber materials |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080318 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100712 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100721 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20101013 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101210 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110705 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110705 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140715 Year of fee payment: 3 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4780847 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |