JPS62290182A - 赤外線検知器 - Google Patents
赤外線検知器Info
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- JPS62290182A JPS62290182A JP61115538A JP11553886A JPS62290182A JP S62290182 A JPS62290182 A JP S62290182A JP 61115538 A JP61115538 A JP 61115538A JP 11553886 A JP11553886 A JP 11553886A JP S62290182 A JPS62290182 A JP S62290182A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
３、発明の詳細な説明
〔概要〕
受光すべき赤外線以外の迷光が、赤外線検知器の受光領
域に到達しないようにし、Ｓ／Ｎ比を高めた高感度な、
高信頼度の赤外線検知器であって、赤外線検知素子の周
囲に設けているコールドシールドの素子と対向する面、
および受光窓に対向する面、更に外筒体の内壁、および
内筒体の外壁に赤外線の反射体層、赤外線を透過する誘
電体層、赤外線の吸収体層よりなる多層構造の被膜を設
け、該誘電体層、該吸収体層の材質、並びにその厚さを
制御することで、多層構造の被膜の赤外線の反射率を低
減させ、受光部領域に二次反射による迷光が到達しない
ようにしてＳ／Ｎ比を高めた赤外線の検知器の構造。
域に到達しないようにし、Ｓ／Ｎ比を高めた高感度な、
高信頼度の赤外線検知器であって、赤外線検知素子の周
囲に設けているコールドシールドの素子と対向する面、
および受光窓に対向する面、更に外筒体の内壁、および
内筒体の外壁に赤外線の反射体層、赤外線を透過する誘
電体層、赤外線の吸収体層よりなる多層構造の被膜を設
け、該誘電体層、該吸収体層の材質、並びにその厚さを
制御することで、多層構造の被膜の赤外線の反射率を低
減させ、受光部領域に二次反射による迷光が到達しない
ようにしてＳ／Ｎ比を高めた赤外線の検知器の構造。
本発明は赤外線検知器に係り、特に受光部領域に二次反
射による迷光等が到達しないようにした赤外線検知器に
関する。
射による迷光等が到達しないようにした赤外線検知器に
関する。
検知対象物より放射される赤外線を検知する赤外線検知
器は高感度なものが要求されるように成っており、その
ため検知対象物より放射される赤外線以外の、例えば検
知素子の前面に設けたコールドシールドや、赤外線検知
素子を収容する容器から反射された二次反射光が検知素
子の受光部領域に迷光となって導入されるのを極力防止
する構造が望まれる。
器は高感度なものが要求されるように成っており、その
ため検知対象物より放射される赤外線以外の、例えば検
知素子の前面に設けたコールドシールドや、赤外線検知
素子を収容する容器から反射された二次反射光が検知素
子の受光部領域に迷光となって導入されるのを極力防止
する構造が望まれる。
従来の赤外線検知器の構造を第６図に示す。
第６図に示すように、従来の赤外線検知器は、ガラス管
等を用いて形成された内筒体１と外筒体２とよりなり、
外筒体２と内筒体１の間は真空に排気され、内筒体の内
部の中空の部分には液体窒素等の冷媒３が収容されてい
る。
等を用いて形成された内筒体１と外筒体２とよりなり、
外筒体２と内筒体１の間は真空に排気され、内筒体の内
部の中空の部分には液体窒素等の冷媒３が収容されてい
る。
前記外筒体２に設けられたゲルマラム等より形成された
受光窓４に対向する位置には、サフィイア等のヒートシ
ンクに接着された水銀・カドミウム・テルルのような化
合物半導体結晶を用いて形成された赤外線オ★知素子５
が設置され、その検知素子の周囲には検知素子５の視野
角を規定するためのニッケル等よりなるコールドシール
ド６が設けられている。
受光窓４に対向する位置には、サフィイア等のヒートシ
ンクに接着された水銀・カドミウム・テルルのような化
合物半導体結晶を用いて形成された赤外線オ★知素子５
が設置され、その検知素子の周囲には検知素子５の視野
角を規定するためのニッケル等よりなるコールドシール
ド６が設けられている。
従来、このような赤外線検知器に於いて、受光窓４より
導入された赤外線が、検知素子５の前面に設けたコール
ドシールド６や内筒体１の外壁や、外筒体２品内壁に当
たって反射し、更にその反射光がコールドシールド６や
外筒体２の内壁で更に二次反射して、検知素子５へ導入
されるのを防ぐために、内筒体２の外壁や、外筒体１の
内壁に原体塗料を塗布したり、或いはコールドシールド
６の内面や外面に該コールドシールド６の構成材料の金
属の酸化膜等を被着形成したり、或いは黒体塗料を塗布
したりしていた。
導入された赤外線が、検知素子５の前面に設けたコール
ドシールド６や内筒体１の外壁や、外筒体２品内壁に当
たって反射し、更にその反射光がコールドシールド６や
外筒体２の内壁で更に二次反射して、検知素子５へ導入
されるのを防ぐために、内筒体２の外壁や、外筒体１の
内壁に原体塗料を塗布したり、或いはコールドシールド
６の内面や外面に該コールドシールド６の構成材料の金
属の酸化膜等を被着形成したり、或いは黒体塗料を塗布
したりしていた。
然し、上記した黒体塗料の被膜は被膜よりガスが発生し
やすく、そのため内筒体１と外筒体２との間の真空度が
低下する問題があり、またそのガスによって受光窓４が
曇る恐れが有る。
やすく、そのため内筒体１と外筒体２との間の真空度が
低下する問題があり、またそのガスによって受光窓４が
曇る恐れが有る。
またコールドシールドを構成する金属部材の酸化膜は、
反射率が０でなく、検知素子５の周辺で反射した光を更
に再反射し、この二次反射光が迷光となって検知素子５
に導入され、検知器のＳＺＮ比が低下する問題がある。
反射率が０でなく、検知素子５の周辺で反射した光を更
に再反射し、この二次反射光が迷光となって検知素子５
に導入され、検知器のＳＺＮ比が低下する問題がある。
本発明は上記した問題点を解決し、二次反射光のような
迷光が検知素子の受光領域に導入されないようした新規
な赤外線検知器の提供を目的とする。
迷光が検知素子の受光領域に導入されないようした新規
な赤外線検知器の提供を目的とする。
本発明の赤外線検知器は、外筒体の内壁、内筒体の外壁
、コールドシールドの素子と対向する面、或いは該窓と
対向する面の少なくとも一表面に赤外線の反射体層、赤
外線を透過する誘電体層、並びに赤外線の吸収体層より
なる多層構造の被膜を設ける。
、コールドシールドの素子と対向する面、或いは該窓と
対向する面の少なくとも一表面に赤外線の反射体層、赤
外線を透過する誘電体層、並びに赤外線の吸収体層より
なる多層構造の被膜を設ける。
本発明の赤外線検知器は、外筒体の内壁とコールドシー
ルドの表面に赤外線の反射体層、赤外線を透過する誘電
体層、赤外線を吸収する吸収体層よりなる多層構造の被
膜を設け、前記多層膜の反射率の波長依存性が誘電体層
の厚さで制御され、前記多層膜の反射率が吸収体層での
反射光と反射体での反射光との干渉作用により吸収体の
厚さで制御されるようにすることで、検知素子周辺部で
反射された光が二次反射して、該検知素子へ迷光となっ
て導入されないようにする。
ルドの表面に赤外線の反射体層、赤外線を透過する誘電
体層、赤外線を吸収する吸収体層よりなる多層構造の被
膜を設け、前記多層膜の反射率の波長依存性が誘電体層
の厚さで制御され、前記多層膜の反射率が吸収体層での
反射光と反射体での反射光との干渉作用により吸収体の
厚さで制御されるようにすることで、検知素子周辺部で
反射された光が二次反射して、該検知素子へ迷光となっ
て導入されないようにする。
以下図面を用いて本発明の一実施例につき詳細に説明す
る。
る。
第１図は本発明の赤外線検知器に用いる多層構造の被膜
で、図示するようにアルミニウム（ＡＩＤ）等の赤外線
反射体層１１上には、赤外線を透過する硫化亜鉛（Ｚｎ
Ｓ）のような誘電体層１２が設けられ、該誘電体層１２
上にはクロム（Ｃｒ）等の赤外線吸収体層１３が設けら
れている。
で、図示するようにアルミニウム（ＡＩＤ）等の赤外線
反射体層１１上には、赤外線を透過する硫化亜鉛（Ｚｎ
Ｓ）のような誘電体層１２が設けられ、該誘電体層１２
上にはクロム（Ｃｒ）等の赤外線吸収体層１３が設けら
れている。
このような多層構造の被膜１４の赤外線吸収体層１３の
表面より赤外線が矢印１５の方向より入射される場合に
ついて考える。
表面より赤外線が矢印１５の方向より入射される場合に
ついて考える。
赤外線吸収体層１３より入射された赤外線１５の内のＲ
１％は、矢印１６に示すように吸収体１３の表面で反射
され、残りの赤外線は、矢印１７に示すように吸収体１
３の内部で減衰した後、矢印１８に示すように誘電体層
１２を透過し、反射体１１の表面で反射して再び誘電体
層１２を矢印１９に示すように透過する。
１％は、矢印１６に示すように吸収体１３の表面で反射
され、残りの赤外線は、矢印１７に示すように吸収体１
３の内部で減衰した後、矢印１８に示すように誘電体層
１２を透過し、反射体１１の表面で反射して再び誘電体
層１２を矢印１９に示すように透過する。
更に矢印２０に示すように、吸収体１３の内部で減衰後
、矢印２１に示すように入射光の８２％となって吸収体
層１３の表面より外部へ導出される。
、矢印２１に示すように入射光の８２％となって吸収体
層１３の表面より外部へ導出される。
この吸収体層１３の上の物質の屈折率に対する吸収体層
１３の屈折率の大小関係と、誘電体層１２の屈折率に対
するその下の反射体層１１の屈折率の大小関係が、同じ
である場合、吸収体層１３上での矢印１６に示す反射光
の位相の変化と、反射体層１１の表面での反射光１９の
位相の変化は同じである。
１３の屈折率の大小関係と、誘電体層１２の屈折率に対
するその下の反射体層１１の屈折率の大小関係が、同じ
である場合、吸収体層１３上での矢印１６に示す反射光
の位相の変化と、反射体層１１の表面での反射光１９の
位相の変化は同じである。
従ってこの多層構造の被膜１４より反射される全体的な
反射光２２、即ち吸収体層１３より反射される光１６と
吸収体層１３と誘電体層１２を透過して吸収体層１３の
表面より出射される光２１は、誘電体層１２の厚さをｄ
とし、その屈折率をｎとし、入射される赤外線の波長を
λとした時、 ２ｎｄ＝λ／２・・・・・・・・・・・・（１）の時、
干渉し合って最小値の１ＲＩＲ２１となる。
反射光２２、即ち吸収体層１３より反射される光１６と
吸収体層１３と誘電体層１２を透過して吸収体層１３の
表面より出射される光２１は、誘電体層１２の厚さをｄ
とし、その屈折率をｎとし、入射される赤外線の波長を
λとした時、 ２ｎｄ＝λ／２・・・・・・・・・・・・（１）の時、
干渉し合って最小値の１ＲＩＲ２１となる。
また上記したことと別に、吸収体層１３の厚さが厚くな
ると吸収体層１３の表面で反射する反射光量Ｒ１が増加
し、吸収体層１３、誘電体層１２を透過して吸収体層１
３の表面より出射される光量Ｒ２が減少する。
ると吸収体層１３の表面で反射する反射光量Ｒ１が増加
し、吸収体層１３、誘電体層１２を透過して吸収体層１
３の表面より出射される光量Ｒ２が減少する。
従って前記、および後記した事項を考慮して吸収体層１
３の厚さをＲＩ Ｒ２−０の状態になるように決定す
れば、吸収体層より出射される光ｉＲをＯに抑えること
ができる。
３の厚さをＲＩ Ｒ２−０の状態になるように決定す
れば、吸収体層より出射される光ｉＲをＯに抑えること
ができる。
また吸収体層１３の上の物質の屈折率に対する吸収体層
１３の屈折率の大小関係と、誘電体層１２の屈折率に対
するその下の反射体層１１の屈折率の大小関係が、異な
る場合、吸収体層１３上での矢印１６に示す反射光と、
反射体層１１の表面での反射光１９の一方は、反射によ
って位相が反転する。
１３の屈折率の大小関係と、誘電体層１２の屈折率に対
するその下の反射体層１１の屈折率の大小関係が、異な
る場合、吸収体層１３上での矢印１６に示す反射光と、
反射体層１１の表面での反射光１９の一方は、反射によ
って位相が反転する。
この場合は、この多層構造の被膜１４より反射される反
射光２２、即ち吸収体層１３より反射される光１６と吸
収体層１３と誘電体層１２を透過して吸収体層１３の表
面より出射される光２１は、誘電体層１２の厚さをｄと
し、その屈折率をｎとし、入射される赤外線の波長をλ
とした時、 ２ｎｄ＝λ・・・・・・・・・・・・・・・・・・（２
）の時、干渉し合って最小値のＩＲＩ −Ｒ２１となる
。
射光２２、即ち吸収体層１３より反射される光１６と吸
収体層１３と誘電体層１２を透過して吸収体層１３の表
面より出射される光２１は、誘電体層１２の厚さをｄと
し、その屈折率をｎとし、入射される赤外線の波長をλ
とした時、 ２ｎｄ＝λ・・・・・・・・・・・・・・・・・・（２
）の時、干渉し合って最小値のＩＲＩ −Ｒ２１となる
。
また上記したことと別に、吸収体層１３の厚さが厚くな
ると吸収体層１３の表面で反射する反射光量Ｒ１が増加
し、吸収体層１３、誘電体層１２を透過して吸収体層１
３の表面より出射される光量Ｒ２が減少する。
ると吸収体層１３の表面で反射する反射光量Ｒ１が増加
し、吸収体層１３、誘電体層１２を透過して吸収体層１
３の表面より出射される光量Ｒ２が減少する。
従って前記、および後記した事項を考慮して吸収体層１
３の厚さをＲＩ Ｒ２＝０の状態になるように決定す
れば、吸収体層より出射される光ｉＲをＯに抑えること
ができる。
３の厚さをＲＩ Ｒ２＝０の状態になるように決定す
れば、吸収体層より出射される光ｉＲをＯに抑えること
ができる。
第２図は上記した本発明の多層構造の被膜を赤外線検知
器に通用した一実施例を示す斜視図で、第３図は第２図
のＩ［Ｉ−Ｉ［［’線に沿った断面図である。
器に通用した一実施例を示す斜視図で、第３図は第２図
のＩ［Ｉ−Ｉ［［’線に沿った断面図である。
第２図、および第３図に図示するように、内筒体３１に
サファイアよりなるヒートシンクを介して水銀・カドミ
ウム・テルルの化合物半導体結晶よりなる赤外線検知素
子３２が設置され、その周囲には検知素子３２に対向す
る開口部３３を設けた例えば箱型状のニッケル（Ｎｉ）
等の合圧部材を用いたコールドシールド３４が接着剤等
を用いて内筒体３Ｉに固着されている。
サファイアよりなるヒートシンクを介して水銀・カドミ
ウム・テルルの化合物半導体結晶よりなる赤外線検知素
子３２が設置され、その周囲には検知素子３２に対向す
る開口部３３を設けた例えば箱型状のニッケル（Ｎｉ）
等の合圧部材を用いたコールドシールド３４が接着剤等
を用いて内筒体３Ｉに固着されている。
このコールドシールド３４は第２図に示すように、ニッ
ケル（Ｎｉ）板を前記した反射体層１１として用い、こ
の反射体層１１の上に、例えばＺｎＳよりなる銹電体層
１２が蒸着により形成され、更にその上には例えばＣｒ
よりなる吸収体層１３が蒸着法を用いて形成されている
。
ケル（Ｎｉ）板を前記した反射体層１１として用い、こ
の反射体層１１の上に、例えばＺｎＳよりなる銹電体層
１２が蒸着により形成され、更にその上には例えばＣｒ
よりなる吸収体層１３が蒸着法を用いて形成されている
。
ここで波長λが１０μｍの赤外線を検知するための赤外
線検知器を形成する場合、ＺｎＳの屈折率ｎの値と、λ
＝１０μ票の値を（１）式に代入してＺｎＳ膜の厚さｄ
−１，１μ間の値を得る。
線検知器を形成する場合、ＺｎＳの屈折率ｎの値と、λ
＝１０μ票の値を（１）式に代入してＺｎＳ膜の厚さｄ
−１，１μ間の値を得る。
また吸収体層の厚さもｌＲ＋ Ｒ２１＝ｏの値となる
ようにすると約１１００ｎとすれば良い。
ようにすると約１１００ｎとすれば良い。
また第４図に前記した多層構造の被膜を外筒体の内壁に
形成した場合を示し、第５図に第４図のｖ−ｖ ’線に
沿った断面図を示す。
形成した場合を示し、第５図に第４図のｖ−ｖ ’線に
沿った断面図を示す。
第４図で４１はガラスで形成された外筒体を示し、この
外筒体の内部には真空排気される空間部を有してガラス
で形成された内筒体４２が設けられている。
外筒体の内部には真空排気される空間部を有してガラス
で形成された内筒体４２が設けられている。
外筒体４１にはゲルマニウムよりなる受光窓４３が設置
されており、この受光窓４３に対向する位置にコールド
シールド３４が設置され、この内部に赤外線検知素子３
２が設置されている。
されており、この受光窓４３に対向する位置にコールド
シールド３４が設置され、この内部に赤外線検知素子３
２が設置されている。
このような構造に於いて、外筒体４１の内壁、および内
筒体の外壁に前記した多層構造の被膜を形成する場合、
第５図に示すように、〜よりなる金属膜を蒸着により０
．５μｍ程度の厚さに被着して反射体層１１を形成した
後、ＺｎＳよりなる誘電体層１２を前記した厚さに蒸着
により形成した後、その上クロムよりなる吸収体層１３
を１１００ｎの厚さになるように、蒸着により被着形成
する。
筒体の外壁に前記した多層構造の被膜を形成する場合、
第５図に示すように、〜よりなる金属膜を蒸着により０
．５μｍ程度の厚さに被着して反射体層１１を形成した
後、ＺｎＳよりなる誘電体層１２を前記した厚さに蒸着
により形成した後、その上クロムよりなる吸収体層１３
を１１００ｎの厚さになるように、蒸着により被着形成
する。
このようにすれば、検知素子の周囲で二次反射された赤
外線が迷光となって素子の受光部領域に導入される恐れ
がなくなり、Ｓ／Ｎ比の大きい高信頼度の赤外線検知器
が得られる。
外線が迷光となって素子の受光部領域に導入される恐れ
がなくなり、Ｓ／Ｎ比の大きい高信頼度の赤外線検知器
が得られる。
尚、第１の実施例ではコールドシールド３４の外面に多
層構造の被膜１４を形成したが、この被膜１４をコール
ドシールドの素子と対向する面に被着すると更に効果的
である。
層構造の被膜１４を形成したが、この被膜１４をコール
ドシールドの素子と対向する面に被着すると更に効果的
である。
また第２の実施例では赤外線検知素子３２を収容する外
筒体の内壁面と内筒体の外壁面に被膜１４を形成したが
、どちらか一方に形成しても良い。
筒体の内壁面と内筒体の外壁面に被膜１４を形成したが
、どちらか一方に形成しても良い。
更に第１の実施例と第２の実施例を組み合わせて、コー
ルドシールドの素子と対向する面と、受光窓と対向する
面と、外筒体の内壁と内筒体の外壁の総てに被膜１４を
形成すると更に効果的である。
ルドシールドの素子と対向する面と、受光窓と対向する
面と、外筒体の内壁と内筒体の外壁の総てに被膜１４を
形成すると更に効果的である。
以上述べたように、本発明の赤外線検知器によれば、二
次反射された迷光が赤外線検知素子の受光部領域に導入
されることのない高信頼度の赤外線検知器が得られる効
果がある。
次反射された迷光が赤外線検知素子の受光部領域に導入
されることのない高信頼度の赤外線検知器が得られる効
果がある。
第１図は本発明の赤外線検知器に用いる被膜の断面図、
第２図は本発明の赤外線検知器の第１の実施例の要部を
示す斜視図、 第３図は第２図のＩＩＩ−Ｉ［［“線に沿った断面図、
第４図は本発明の赤外線検知器の第２の実施例の要部を
示す断面図、 第５図は第４図のＶ−Ｖ′線に沿った断面図、第６図は
従来の赤外線検知器の構造を示す断面図である。 図に於いて １１は反射体層、１２は誘電体層、１３は吸収体層、１
４は被膜、１５，１６，１７，１８，１９，２０．２１
．２２は赤外線の移動方向を示す矢印、３１ 、４２は
内筒体、３２は赤外線検知素子、３３は開口部、３４は
コールドシールド、４メト朗−手ｙ’）？Ｊオ灸矢☆１
トド閂可・・ｊ輛禮♂斤ｉじａ第 １ 図 斗桑明、１２ｉ−＋菅艶ダ１のｔｑ軒視国第２図 茅２シｒ−ｒ’ヰ５；；り・ｋ鉾面図 ｍ３図 ／ｇ−壽明づけし例の幹面図 第４図 うヒ４（！Ｉｓ’Ｖ−Ｖ’Ｓ衷ｒ、 玲アｔ＝ｔｆｊ
ｄｂ＠第５ｒＸｉ
示す斜視図、 第３図は第２図のＩＩＩ−Ｉ［［“線に沿った断面図、
第４図は本発明の赤外線検知器の第２の実施例の要部を
示す断面図、 第５図は第４図のＶ−Ｖ′線に沿った断面図、第６図は
従来の赤外線検知器の構造を示す断面図である。 図に於いて １１は反射体層、１２は誘電体層、１３は吸収体層、１
４は被膜、１５，１６，１７，１８，１９，２０．２１
．２２は赤外線の移動方向を示す矢印、３１ 、４２は
内筒体、３２は赤外線検知素子、３３は開口部、３４は
コールドシールド、４メト朗−手ｙ’）？Ｊオ灸矢☆１
トド閂可・・ｊ輛禮♂斤ｉじａ第 １ 図 斗桑明、１２ｉ−＋菅艶ダ１のｔｑ軒視国第２図 茅２シｒ−ｒ’ヰ５；；り・ｋ鉾面図 ｍ３図 ／ｇ−壽明づけし例の幹面図 第４図 うヒ４（！Ｉｓ’Ｖ−Ｖ’Ｓ衷ｒ、 玲アｔ＝ｔｆｊ
ｄｂ＠第５ｒＸｉ
Claims (2)
- （１）赤外線検知素子（３２）を収容して冷却する外筒
体（４１）の内壁面と内筒体（３１、４２）の外壁面、
更に前記赤外線検知素子の視野角を規定するコールドシ
ールド（３４）の素子に対向する面と、該コールドシー
ルド（３４）の受光面と対向する面の四面のうちの少な
くとも一つの面上に、赤外線を反射する反射体層（１１
）、赤外線を透過する誘電体層（１２）、並びに赤外線
を吸収する吸収体層（１３）から成る多層構造の被膜（
１４）を設けたことを特徴とする赤外線検知器。 - （２）前記多層構造の被膜（１４）の反射率の波長依存
性が、誘電体層（１２）の厚さで制御され、前記多層構
造の被膜（１４）の反射率が吸収体層（１３）での反射
光と反射体層（１１）での反射光との干渉によって制御
され、該吸収体層（１３）表面からの反射率と、該反射
体層（１１）表面からの反射率が、前記吸収体層（１３
）の厚さで制御されていることを特徴とする特許請求の
範囲第１項に記載の赤外線検知器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61115538A JPS62290182A (ja) | 1986-05-19 | 1986-05-19 | 赤外線検知器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61115538A JPS62290182A (ja) | 1986-05-19 | 1986-05-19 | 赤外線検知器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62290182A true JPS62290182A (ja) | 1987-12-17 |
| JPH0480547B2 JPH0480547B2 (ja) | 1992-12-18 |
Family
ID=14665009
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61115538A Granted JPS62290182A (ja) | 1986-05-19 | 1986-05-19 | 赤外線検知器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62290182A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002280291A (ja) * | 2001-03-21 | 2002-09-27 | Hoya Corp | Ｅｕｖ露光用反射型マスクブランクおよびｅｕｖ露光用反射型マスク |
-
1986
- 1986-05-19 JP JP61115538A patent/JPS62290182A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002280291A (ja) * | 2001-03-21 | 2002-09-27 | Hoya Corp | Ｅｕｖ露光用反射型マスクブランクおよびｅｕｖ露光用反射型マスク |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0480547B2 (ja) | 1992-12-18 |
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