JPS63208727A - 赤外線検出器 - Google Patents
赤外線検出器Info
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- JPS63208727A JPS63208727A JP62041657A JP4165787A JPS63208727A JP S63208727 A JPS63208727 A JP S63208727A JP 62041657 A JP62041657 A JP 62041657A JP 4165787 A JP4165787 A JP 4165787A JP S63208727 A JPS63208727 A JP S63208727A
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- 239000003507 refrigerant Substances 0.000 abstract description 14
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 abstract description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 28
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
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- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 4
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
- G01J5/02—Constructional details
- G01J5/06—Arrangements for eliminating effects of disturbing radiation; Arrangements for compensating changes in sensitivity
- G01J5/061—Arrangements for eliminating effects of disturbing radiation; Arrangements for compensating changes in sensitivity by controlling the temperature of the apparatus or parts thereof, e.g. using cooling means or thermostats
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
- Radiation Pyrometers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は例えば赤外線撮像装置などに用いられる赤外
線検出器に関するものである。
線検出器に関するものである。
第３図は例えばジョン・ウィリーアンドサンズ（Ｊｏｈ
ｎ ＷｉＬｔｔｙ ＆ ５ｏｎｓ ）から１９６９年発
行のハドソン著（Ｒ，Ｄ、 ＨＵＤＳＯＮ、 ＪＲ”）
ｒ赤外線システム・エンジニアリングＪ（１ｎｆｒａ
ｒａｄ Ｓｙｓｔｅｍ Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ）のＰ
２Ｓ５に示された従来の赤外線検出器の断面図である。
ｎ ＷｉＬｔｔｙ ＆ ５ｏｎｓ ）から１９６９年発
行のハドソン著（Ｒ，Ｄ、 ＨＵＤＳＯＮ、 ＪＲ”）
ｒ赤外線システム・エンジニアリングＪ（１ｎｆｒａ
ｒａｄ Ｓｙｓｔｅｍ Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ）のＰ
２Ｓ５に示された従来の赤外線検出器の断面図である。
図において＋１１は二重壁でできた容器で、以下これを
デユワ−（Ｄｅｗａｒ ）という。（２）はデユワ−窓
、（３）は量子形赤外線検出累子（以下これを検出素子
という） 、＋４１はコールドシールド、（５）はコー
ルドフィルタ、（６）は冷媒容器、（７）は被測定赤外
線、＋８１ 、１９１は不要赤外線（被測定赤外線（７
）以外の赤外線）、（１２）は検出素子（３）の取り付
は基板である。なお冷媒容器（６）には冷媒が注入され
ており、これにより検出素子（３）を冷却してその検出
感度を増大している。また、コールドフィルタ（５）は
コールドシールド（４）に固着され、そしてこのコール
ドシールド（４）は冷媒容器（６）の壁部に接着されて
いるのでコールドシールド＋４１．コールドフィルタ＋
５１Ｕ共に冷却されている。さらに検出素子（３）、コ
ールドシールド１４）、コールドフィルタ（５）の冷却
を効率良く行うために、デユワ−（１）とデユワ−窓（
２）Ｋよって囲まれた空間は真空状態にされている。
デユワ−（Ｄｅｗａｒ ）という。（２）はデユワ−窓
、（３）は量子形赤外線検出累子（以下これを検出素子
という） 、＋４１はコールドシールド、（５）はコー
ルドフィルタ、（６）は冷媒容器、（７）は被測定赤外
線、＋８１ 、１９１は不要赤外線（被測定赤外線（７
）以外の赤外線）、（１２）は検出素子（３）の取り付
は基板である。なお冷媒容器（６）には冷媒が注入され
ており、これにより検出素子（３）を冷却してその検出
感度を増大している。また、コールドフィルタ（５）は
コールドシールド（４）に固着され、そしてこのコール
ドシールド（４）は冷媒容器（６）の壁部に接着されて
いるのでコールドシールド＋４１．コールドフィルタ＋
５１Ｕ共に冷却されている。さらに検出素子（３）、コ
ールドシールド１４）、コールドフィルタ（５）の冷却
を効率良く行うために、デユワ−（１）とデユワ−窓（
２）Ｋよって囲まれた空間は真空状態にされている。
従来の赤外線検出器は上記のように構成され、そして被
測定赤外線（７）はデユワ−窓（２）、コールドシール
ド（４）の開口部及びコールドフィルタ（５）を通して
検出素子（３）に入射されて、検出される。ここで、コ
ールドシールド（４）はコールドフィルタ１５１ｉ保持
するとともに、常温の周囲背景から放射される不要赤外
線が検出素子（３）に入射するのを防止し、これによっ
て検出素子（３）の雑音を低減するために設けられてい
る。したがって、コールドシールド（４）は表面の放射
率を高くするとともに低温に冷却されているので、コー
ルドシールド（４）の表面から放射される不要赤外線の
量は被測定赤外線（７）に比して無視できるほどに低減
される。また、コールドフィルタ（５）はコールドシー
ルド（４）の開口部を通して検出素子（３）に入射する
被測定赤外線（７）の波長域（以下これを所要波長域と
いう）を透過し、これにより所望しない波長域の赤外線
透過を抑えて、雑音を更に低減する。このためコールド
フィルタ（５）は前記所要波長域において吸収の小さい
基板の表面に前記所要波長域を選択的に透過する誘電体
材料を蒸着して構成する。また、コールドフィルタ（５
）自体から放射する不要赤外線量を抑制するためにコー
ルドフィルタ（５）が低温に冷却されていることは前述
のとおりである。さらに誘電体材料を蒸着して構成され
たコールドフィルタ（５）は赤外線の不要な波長域に対
しては反射率が高いように構成されているので、コール
ドシールド（４）、取り付は基板（１２）、検出素子（
３）から放射される赤外線のうち、たとえば第２図に不
要赤外線（８）として示す赤外線のうち不要な波長域部
分はコールドフィルタ＋５１で反射して、検出素子（３
）に入射する。しかし、前述のようにコールドシールド
（４）、取抄付は基板（１２）、赤外線検出素子１３）
は低温に冷却されているので、その不要赤外線の放射量
は無視できるほど小さい。したがって、このような径路
を経て入射される赤外線による検出器雑音は無視できる
。
測定赤外線（７）はデユワ−窓（２）、コールドシール
ド（４）の開口部及びコールドフィルタ（５）を通して
検出素子（３）に入射されて、検出される。ここで、コ
ールドシールド（４）はコールドフィルタ１５１ｉ保持
するとともに、常温の周囲背景から放射される不要赤外
線が検出素子（３）に入射するのを防止し、これによっ
て検出素子（３）の雑音を低減するために設けられてい
る。したがって、コールドシールド（４）は表面の放射
率を高くするとともに低温に冷却されているので、コー
ルドシールド（４）の表面から放射される不要赤外線の
量は被測定赤外線（７）に比して無視できるほどに低減
される。また、コールドフィルタ（５）はコールドシー
ルド（４）の開口部を通して検出素子（３）に入射する
被測定赤外線（７）の波長域（以下これを所要波長域と
いう）を透過し、これにより所望しない波長域の赤外線
透過を抑えて、雑音を更に低減する。このためコールド
フィルタ（５）は前記所要波長域において吸収の小さい
基板の表面に前記所要波長域を選択的に透過する誘電体
材料を蒸着して構成する。また、コールドフィルタ（５
）自体から放射する不要赤外線量を抑制するためにコー
ルドフィルタ（５）が低温に冷却されていることは前述
のとおりである。さらに誘電体材料を蒸着して構成され
たコールドフィルタ（５）は赤外線の不要な波長域に対
しては反射率が高いように構成されているので、コール
ドシールド（４）、取り付は基板（１２）、検出素子（
３）から放射される赤外線のうち、たとえば第２図に不
要赤外線（８）として示す赤外線のうち不要な波長域部
分はコールドフィルタ＋５１で反射して、検出素子（３
）に入射する。しかし、前述のようにコールドシールド
（４）、取抄付は基板（１２）、赤外線検出素子１３）
は低温に冷却されているので、その不要赤外線の放射量
は無視できるほど小さい。したがって、このような径路
を経て入射される赤外線による検出器雑音は無視できる
。
また、コールドシールド（５）を省略し、そのかわりに
デユワ−窓（２）に前記誘電体材料のフィルタを構成し
ても、デユワ−（１）の外部から入射する赤外線のうち
被測定赤外線（７）の波長域以外のものを除去するとい
う目的を達することはできるが、このような構造にする
と、デユワ−１１）の外筒内面から放射された不要赤外
線（９）の不要波長域部分はデユワ−窓（２）に形成さ
れた誘電体フィルタで反射されて検出素子（３）に入射
して雑音となる。デユワ−（１）の外筒内面は冷媒容器
（６）に接する部分以外は冷却されないので、この雑音
は無視できない大きさになる。
デユワ−窓（２）に前記誘電体材料のフィルタを構成し
ても、デユワ−（１）の外部から入射する赤外線のうち
被測定赤外線（７）の波長域以外のものを除去するとい
う目的を達することはできるが、このような構造にする
と、デユワ−１１）の外筒内面から放射された不要赤外
線（９）の不要波長域部分はデユワ−窓（２）に形成さ
れた誘電体フィルタで反射されて検出素子（３）に入射
して雑音となる。デユワ−（１）の外筒内面は冷媒容器
（６）に接する部分以外は冷却されないので、この雑音
は無視できない大きさになる。
上記のような従来の赤外線検出器では、雑音の低減を図
るために検出素子、コールドシールド及びコールドフィ
ルタを冷却する必要があった。このため冷媒に対する熱
負荷が大きくなるので、検出素子、コールドシールド及
びコールドフィルタを所定の温度まで冷却する時間が長
くなるという問題点があ〜た。特に赤外線誘導ミサイル
に用いられる赤外線検出器では数秒で所定の温度まで冷
却する必要が、１）、そのため冷却に要する時間が長い
ということは致命的な問題点であった。
るために検出素子、コールドシールド及びコールドフィ
ルタを冷却する必要があった。このため冷媒に対する熱
負荷が大きくなるので、検出素子、コールドシールド及
びコールドフィルタを所定の温度まで冷却する時間が長
くなるという問題点があ〜た。特に赤外線誘導ミサイル
に用いられる赤外線検出器では数秒で所定の温度まで冷
却する必要が、１）、そのため冷却に要する時間が長い
ということは致命的な問題点であった。
この発明は上記のような問題点を解決するためになされ
たもので、雑音低減作用を従来と同様に保ったまま、冷
媒に対する熱負荷を大幅に減少して所定の温度まで冷却
するに要する時間を大幅に短縮することができる赤外線
検出器を得ることを目的とする。
たもので、雑音低減作用を従来と同様に保ったまま、冷
媒に対する熱負荷を大幅に減少して所定の温度まで冷却
するに要する時間を大幅に短縮することができる赤外線
検出器を得ることを目的とする。
この発明の赤外線検出器ではコールドフィルタを省略し
て冷媒に対する熱負荷を大幅に減少すると同時にデユワ
−窓の形状を楕円をその短軸を軸として回転して得られ
る回転楕円面の形状としてこの部分に誘電体材料を蒸着
して不要波長域を透溝させないフィルタを構成した。従
ってデユワ−（１）の外部からの赤外線はデユワ−窓に
形成されているフィルタによって所要波長域のものだけ
が赤外線検出素子には入射され、また デユワ−の内部
表面から放射される赤外線のうち前記楕円の焦点より外
側の部分から放射される赤外線は回転楕円状表面によっ
て前記楕円の焦点よね外側の部分へ反射され赤外線検出
素子には入射されぬようにした。
て冷媒に対する熱負荷を大幅に減少すると同時にデユワ
−窓の形状を楕円をその短軸を軸として回転して得られ
る回転楕円面の形状としてこの部分に誘電体材料を蒸着
して不要波長域を透溝させないフィルタを構成した。従
ってデユワ−（１）の外部からの赤外線はデユワ−窓に
形成されているフィルタによって所要波長域のものだけ
が赤外線検出素子には入射され、また デユワ−の内部
表面から放射される赤外線のうち前記楕円の焦点より外
側の部分から放射される赤外線は回転楕円状表面によっ
て前記楕円の焦点よね外側の部分へ反射され赤外線検出
素子には入射されぬようにした。
この発明にかかる赤外線検出器の構造では、デユワ−窓
に構成された誘電体フィルタによって反射されて赤外線
検出素子に入射する赤外線は、赤外線検出素子及びその
近傍から放射される微小な量の赤外線だけであり、他の
部分からの不要赤外線は検出素子に入射しないので、誘
電体フィルタをコールドフィルタとしてコールドシール
ド内に取り付ける必要がなくなり熱負荷が低減される。
に構成された誘電体フィルタによって反射されて赤外線
検出素子に入射する赤外線は、赤外線検出素子及びその
近傍から放射される微小な量の赤外線だけであり、他の
部分からの不要赤外線は検出素子に入射しないので、誘
電体フィルタをコールドフィルタとしてコールドシール
ド内に取り付ける必要がなくなり熱負荷が低減される。
以下この発明の実施例を図面について説明する。
第１図はこの発明の一実施例を示す断面図であって、第
１図において第２図と同一符号は同−又は相等部分を示
し、（１０）はこの発明のデユワ−窓、（１１）はデユ
ワ−窓（１０）の内面及び外面の少なくとも一方の面に
形成された誘電体フィルタ、（１３α）、（１３ｂ）は
楕円の焦点、（１４）は楕円の短軸である。
１図において第２図と同一符号は同−又は相等部分を示
し、（１０）はこの発明のデユワ−窓、（１１）はデユ
ワ−窓（１０）の内面及び外面の少なくとも一方の面に
形成された誘電体フィルタ、（１３α）、（１３ｂ）は
楕円の焦点、（１４）は楕円の短軸である。
デユワ−窓（１０）は（１３α）、（１３６）に焦点を
持つ楕円をその短軸（１４）のまわりに回転させた時に
得られる回転楕円面の形状に形成されている。この楕円
を回転したとき焦点（１３α）、（１３６）の軌跡は円
となり、この円を仮に無口と言うことにすると検出素子
（３）は無口の内部（第１図に示す例では無口の中心位
置）に置かれる。また、デユワ−窓（１０）は常温の雰
囲気内に置かれている。
持つ楕円をその短軸（１４）のまわりに回転させた時に
得られる回転楕円面の形状に形成されている。この楕円
を回転したとき焦点（１３α）、（１３６）の軌跡は円
となり、この円を仮に無口と言うことにすると検出素子
（３）は無口の内部（第１図に示す例では無口の中心位
置）に置かれる。また、デユワ−窓（１０）は常温の雰
囲気内に置かれている。
上記のように構成された赤外線検出器においては、デユ
ワ−窓（１０）を通過し、そして検出素子（３）Ｋ入射
する被測定赤外線（７）は、誘電体フィルタ（１１）に
よってその不要な波長域が遮断されるので、雑音の増加
が抑制される。
ワ−窓（１０）を通過し、そして検出素子（３）Ｋ入射
する被測定赤外線（７）は、誘電体フィルタ（１１）に
よってその不要な波長域が遮断されるので、雑音の増加
が抑制される。
次にデユワ−（１１内から放射された不要赤外線の影響
について説明する。デユワ−窓（１０）の形状は回転楕
円面になっているので、焦円内の部分から放射され誘電
体フィルタ（１１）で反射される赤外線は焦円内に入射
され、焦円外の部分から放射され誘電体フィルタ（１１
）で反射される赤外線は焦円外に入射される。ところで
、焦円内の部分は検出素子（３）と同時に冷媒容器（５
）の冷媒で冷却されるので、焦円内の部分、すなわち検
出素子（３１内体及び取り付は基板（１２）からの赤外
線放射量は充分に小さく、雑音の増加が抑制できる。
について説明する。デユワ−窓（１０）の形状は回転楕
円面になっているので、焦円内の部分から放射され誘電
体フィルタ（１１）で反射される赤外線は焦円内に入射
され、焦円外の部分から放射され誘電体フィルタ（１１
）で反射される赤外線は焦円外に入射される。ところで
、焦円内の部分は検出素子（３）と同時に冷媒容器（５
）の冷媒で冷却されるので、焦円内の部分、すなわち検
出素子（３１内体及び取り付は基板（１２）からの赤外
線放射量は充分に小さく、雑音の増加が抑制できる。
なお、検出素子（３）の近傍の取り付は基板（１２）上
に電極等の高反射率部分が設けられた場合、デユワ−（
１）内外の常温部分から放射された不要赤外線のデユワ
−（１）内におけ２．多重反射により、前記高反射部分
の電極等に人身し、これが反射された後、誘電体フィル
タ（１１）で再反射されて、検出素子（３）に入射する
可能性がある。これに対しては、前記高反射率部分の電
極等をたとえばペンキ等の絶縁性赤外線吸収層で被覆し
てその影響を除去することができる。
に電極等の高反射率部分が設けられた場合、デユワ−（
１）内外の常温部分から放射された不要赤外線のデユワ
−（１）内におけ２．多重反射により、前記高反射部分
の電極等に人身し、これが反射された後、誘電体フィル
タ（１１）で再反射されて、検出素子（３）に入射する
可能性がある。これに対しては、前記高反射率部分の電
極等をたとえばペンキ等の絶縁性赤外線吸収層で被覆し
てその影響を除去することができる。
ところで、デユワ−窓（１０）及び誘電体フィルタ（１
１）は常温状態であるから、その不要赤外線の放射１：
は従来のコールドフィルタ（５１による不要赤外線の放
射量に比して大きい。しかし、デユワ−窓（１０）及び
誘電体フィルタ（１１）は吸収率の小さな材料で構成さ
れ、しかも放射率の値は吸収率の値と等しいので、これ
らの材料による不要赤外線の放射率は小さいといえる。
１）は常温状態であるから、その不要赤外線の放射１：
は従来のコールドフィルタ（５１による不要赤外線の放
射量に比して大きい。しかし、デユワ−窓（１０）及び
誘電体フィルタ（１１）は吸収率の小さな材料で構成さ
れ、しかも放射率の値は吸収率の値と等しいので、これ
らの材料による不要赤外線の放射率は小さいといえる。
したがって、デユワ−窓（１０） 、誘電体フィルタ（
１１）は常温であっても、赤外線放射量は小さく、これ
によって生じる雑音も小さい。
１１）は常温であっても、赤外線放射量は小さく、これ
によって生じる雑音も小さい。
なお上記実施例ではコールドシールドを用いた場合につ
いて述べたが、この発明はコールドシールドを用いない
場合にも利用できることは明らかである。
いて述べたが、この発明はコールドシールドを用いない
場合にも利用できることは明らかである。
なお、第１図に示す実施例では検出素子（３）が１個の
場合を示したが、この発明はこれに限らず、複数の検出
素子を基板（１２）に取り付けた場合にも同様の効果を
もつことは明らかである。
場合を示したが、この発明はこれに限らず、複数の検出
素子を基板（１２）に取り付けた場合にも同様の効果を
もつことは明らかである。
この発明は以上説明したとおり、デユワ−窓を回転楕円
面状にし、そしてデユワ−窓の表面に蒸着により誘電体
フィルタを構成し、回転楕円面の焦円内に赤外線検出素
子が位置するように取り付けるという構造により、冷却
の必要なコールドフィルタを省略してこれと同等の雑音
低減を行うので、冷媒の熱負荷を低減し、冷却に喪する
時間を大幅に短縮できるという効果がある。
面状にし、そしてデユワ−窓の表面に蒸着により誘電体
フィルタを構成し、回転楕円面の焦円内に赤外線検出素
子が位置するように取り付けるという構造により、冷却
の必要なコールドフィルタを省略してこれと同等の雑音
低減を行うので、冷媒の熱負荷を低減し、冷却に喪する
時間を大幅に短縮できるという効果がある。
第１図はこの発明の一実施例を示す断面図、第２図は従
来の赤外線検知器を示す断面図。 （１）はデユワ−１（３）は量子形赤外線検出素子、（
４１はコールドシールド、（６）は冷媒容器、（７）は
被測定赤外線、１８１ 、１９１は不要赤外線、（ｌＯ
）はデユワ−窓、（１１）は誘電体フィルタ、（１２）
は取ね付は基板、（１３α） 、 （１３ｂ）は楕円の
焦点、（１４）は楕円の短軸。 尚、各図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
来の赤外線検知器を示す断面図。 （１）はデユワ−１（３）は量子形赤外線検出素子、（
４１はコールドシールド、（６）は冷媒容器、（７）は
被測定赤外線、１８１ 、１９１は不要赤外線、（ｌＯ
）はデユワ−窓、（１１）は誘電体フィルタ、（１２）
は取ね付は基板、（１３α） 、 （１３ｂ）は楕円の
焦点、（１４）は楕円の短軸。 尚、各図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
Claims (2)
- （１）内部が真空状態にされたデュワーと、このデュワ
ーの一部として設けられ被測定赤外線を通過させる開口
部を有するデュワー窓と、上記デュワー内の上記デュワ
ー窓開口部から入射する被測定赤外線を検出する位置に
設けられた赤外線検出素子と、この赤外線検出素子を冷
却する冷却手段とを有する赤外線検出器において、 上記デュワー窓を、楕円をその短軸のまわりに回転させ
て得られる回転楕円面状に形成し、上記デュワー窓の内
面及び外面のうちの少なくとも一方の面に所要波長域を
選択的に透過する誘電体フィルタを構成し、 上記楕円の二つの焦点が上記楕円の短軸のまわりに回転
した軌跡により表わされる焦円の範囲内に上記赤外線検
出素子を位置させることを特徴とする赤外線検出器。 - （２）赤外線検出素子の位置する焦円の範囲内における
高反射率部分を、絶縁性赤外線吸収層で被覆したことを
特徴とする特許請求の範囲第１項記載の赤外線検出器。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62041657A JPH071199B2 (ja) | 1987-02-25 | 1987-02-25 | 赤外線検出器 |
| CA000559704A CA1308283C (en) | 1987-02-25 | 1988-02-24 | Infrared detector |
| US07/160,430 US4937450A (en) | 1987-02-25 | 1988-02-25 | Infrared detector comprising an evacuated and cooled Dewar having an elliptical spheroid end window |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62041657A JPH071199B2 (ja) | 1987-02-25 | 1987-02-25 | 赤外線検出器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63208727A true JPS63208727A (ja) | 1988-08-30 |
| JPH071199B2 JPH071199B2 (ja) | 1995-01-11 |
Family
ID=12614440
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62041657A Expired - Fee Related JPH071199B2 (ja) | 1987-02-25 | 1987-02-25 | 赤外線検出器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH071199B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008241617A (ja) * | 2007-03-28 | 2008-10-09 | Osaka Gas Co Ltd | 加熱調理器用の赤外線強度検出装置 |
| RU192540U1 (ru) * | 2019-07-23 | 2019-09-23 | Акционерное общество "Московский завод "САПФИР" | Охлаждаемый планарный фотодиод на основе кристаллов антимонида индия |
-
1987
- 1987-02-25 JP JP62041657A patent/JPH071199B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008241617A (ja) * | 2007-03-28 | 2008-10-09 | Osaka Gas Co Ltd | 加熱調理器用の赤外線強度検出装置 |
| RU192540U1 (ru) * | 2019-07-23 | 2019-09-23 | Акционерное общество "Московский завод "САПФИР" | Охлаждаемый планарный фотодиод на основе кристаллов антимонида индия |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH071199B2 (ja) | 1995-01-11 |
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