JP4613499B2 - 極限紫外線露光用マスク、ブランク、およびマスクの製造方法、並びにパターン転写方法 - Google Patents
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小川「EUVリソグラフィの反射型マスク用多層膜」(光技術コンタクト、 Vol.39,No.5、2001、日本オプトメカトロニクス協会)p.292。
本願の極限紫外線露光用マスクは、極限紫外線を露光したとき、中間膜は、膜の厚さが、膜厚に対する反射の特性を利用して、±10Å以内の膜厚の変化に対し反射の変動率±1%以下となる膜厚に特定されているから、中間膜の膜厚が変動していても反射率が±1%以下の変動となり、さらに他の材料を混合することによって導電性の高い中間膜となる極限紫外線露光用マスクである。
1)中間膜厚の特定
いろいろな中間膜材料に対して、中間膜膜厚を変えてRを計算した膜厚に対する反射の特性の結果を図4〜6に示す。図4では、Si、Zr、Ru、SiO2、CVD−D(ダイヤモンド)、図5では、Zr、SiC、a−C:H、Si、Zrの特性を示した。図6では、金属とSiの合金薄膜からなる中間膜について、Si組成比を変えて計算した特性を示した。その材料の例は、RuSi2、RuSi9、RuSi49である。なお、図4〜6の計算において波長は13.5nm、多層膜はMoとSiの40対膜を用いている。
2)中間膜の材料と光学定数
反射率Rは中間膜の光吸収によって低下するが、光吸収は中間膜の光学定数、すなわち
屈折率(1−δ)と消衰係数(β)のうち、βによって左右されるので、βの小さい材料ほど望ましい。
ングレジスト層のパターンを形成させたのち、このエッチングレジスト層のパターンをマスクとして被加工層をエッチング処理し、次いで、エッチングレジスト層のパターンを除去することにより、フォトマスクパターンに忠実なパターンを基板上に転写する方法である。
12・・・・高反射多層膜13・・・・吸収膜
14・・・・中間膜
15・・・・緩衝膜
16・・・・キャッピング層
Claims (4)
- 基板と、
前記基板上に形成された露光光の反射領域となる多層膜と、
前記多層膜上に露光光の吸収用となるパターン形成された吸収用薄膜と、
前記多層膜と前記吸収用薄膜の間に中間膜と、を備え、
前記中間膜は、膜の厚さが、膜厚に対する反射の特性から、±10Å以内の膜厚の変化に対し反射の変動率±1%以下となる膜厚であり、
前記中間膜は、RuとSiを含む材料よりなること
を特徴とする極限紫外線露光用マスク。 - 基板上に、露光光の反射領域となる多層膜が形成され、前記多層膜上に中間膜が形成された、請求項1に記載の極限紫外線露光用マスクを作製するために用いられることを特徴とする極限紫外線露光用マスクブランク。
- 請求項1に記載の極限紫外線露光用マスクを露光装置に設置し、前記マスクを用いたリソグラフィ法による露光転写を行ない、パターン形成を行なうことを特徴とするパターン転写方法。
- 基板上に、露光光の反射領域となる多層膜を設け、前記多層膜上に中間膜を設け、前記中間膜上に吸収膜を設けた極限紫外線露光用マスクブランクを用いて、該吸収膜に露光光の吸収用パターンを形成する極限紫外線露光用マスクの製造方法において、
前記中間膜は、RuとSiを含む材料よりなり、
吸収膜にパターニング後に、表面に露出する中間膜を、±10Å以内の膜厚の変化に対し反射の変動率±1%以下となる膜厚に調整すること
を特徴とする極限紫外線露光用マスクの製造方法。
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