JP5537443B2 - Euvマスク用ブランクの良否判定方法及びeuvマスクの製造方法 - Google Patents
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Description
本実施形態は、EUVマスク用ブランクの良否判定方法及びEUVマスクの製造方法の実施形態である。
図1は、本実施形態に係る良否判定方法の対象となるEUVマスク用ブランクを例示する平面図であり、
図2は、本実施形態に係る良否判定方法の対象となるEUVマスク用ブランクを例示する断面図である。
欠陥110aにおいては、石英基板101と多層膜102との間にパーティクル111aが介在している。これにより、多層膜102の下部に積層されたモリブデン層103及びシリコン層104のうち、パーティクル111aの直上域及びその周辺に位置する部分が盛り上がっている。このため、多層膜102の下部におけるパーティクル111aの直上域及びその周辺の部分は、多層膜102におけるその他の部分に対して、モリブデン層103及びシリコン層104の積層膜厚が変動している。但し、モリブデン層103及びシリコン層104の盛り上がりの程度は、多層膜102の上面102aに近づくほど小さくなっており、上面102aは実質的に盛り上がっていない。
本実施形態に係るEUVマスク用ブランクの良否判定方法は、あるブランク100が、「良品」であるか「不良品」であるかを判定する方法である。
図3は、本実施形態に係るEUVマスク用ブランクの良否判定方法を例示するフローチャート図であり、
図4(a)及び(b)は、ブランクの位相欠陥が集積回路装置の良否に及ぼす影響を例示する図であり、
図5(a)及び(b)は、ブランクのパターン阻害欠陥が集積回路装置の良否に及ぼす影響を例示する図であり、
図6(a)及び(b)は、ブランクのパターン阻害欠陥が集積回路装置の良否に及ぼす影響を例示する図であり、
図7は、リダンダンシー回路を持つ集積回路装置を例示する平面図であり、
図8は、集積回路装置のリダンダンシー回路を例示する平面図であり、
図9は、リダンダンシー回路による救済が可能か否かの判断方法を例示するフローチャート図である。
次に、ステップS2に示すように、取得した欠陥情報を参照して、このブランク100に欠陥が存在するか否かを確認する。そして、欠陥が存在しない場合は、ステップS9に進み、このブランク100は「良品」であると判定する。一方、欠陥が存在する場合は、ステップS3に進み、欠陥についてのより詳細な評価を行う。
図7に示すように、集積回路装置300は、例えば半導体記憶装置である。集積回路装置300においては、半導体基板310が設けられている。また、半導体基板310の上面に平行な方向であって、相互に直交する2方向として、ワード線方向及びビット線方向が設定されている。集積回路装置300のビット線方向における一端部にはパッド領域311が設けられており、その隣には周辺回路領域312が設けられている。また、周辺回路領域312の更に隣には、複数のセンスアンプ領域313が設けられており、各センスアンプ領域313の更に隣には、メモリセル領域314が設けられている。すなわち、パッド領域311、周辺回路領域312、センスアンプ領域313及びメモリセル領域314は、ビット線方向に沿ってこの順に配列されている。更に、各メモリセル領域314のワード線方向両側には、ロウデコーダ領域315が設けられている。すなわち、メモリセル領域314及びロウデコーダ領域315は、ワード線方向に沿って配列されている。
先ず、図7及び図9のステップS21に示すように、集積回路装置300において、ブランク100の欠陥が転写される位置がR/D領域内にあるか否かを判断する。図7に示す例では、欠陥の位置がメモリセル領域314内又はロウデコーダ領域315内であるか、それ以外であるかを判断する。そして、ブランク100の欠陥に由来する全ての欠陥がR/D領域内、すなわち、メモリセル領域314内又はロウデコーダ領域315内にあれば、ステップS22に進む。一方、ブランク100の欠陥に由来する欠陥が1つでもR/D領域外、例えば、周辺回路領域312内又はセンスアンプ領域313内におけるキラー欠陥であると判断されれば、ステップS24に進み、集積回路装置300はリダンダンシー回路による救済が不可能であると判断する。
図10は、本実施形態に係るEUVマスクの製造方法を例示する工程断面図であり、
図11は、本実施形態によって製造されたEUVマスクを例示する断面図である。
図10に示すように、先ず、上述の本実施形態に係るEUVマスク用ブランクの良否判定方法によって「良品」と判定されたブランク100を用意する。次に、このブランク100の多層膜102上の全面に、EUV光を吸収する材料、例えば、タンタル(Ta)を含む材料を堆積させて、吸収膜151を形成する。次に、吸収膜151上に電子ビームによって感光するレジスト膜152を形成する。次に、電子ビーム描画によってレジスト膜152を選択的に露光し、現像することにより、レジストパターンを形成する。次に、レジストパターンをマスクとして異方性エッチングを施すことにより、吸収膜151を選択的に除去する。その後、レジストパターンを除去する。
先ず、ウェーハ(図示せず)上にレジスト膜(図示せず)を形成し、被加工材とする。このとき、レジスト膜はウェーハに接していてもよく、ウェーハ上に設けられた絶縁膜上に設けられていてもよく、ウェーハ上に設けられた導電膜上に設けられていてもよい。次に、この被加工材及びEUVマスク200をEUV露光機(図示せず)にセットする。そして、EUV露光機のEUV光源にEUV光を出射させ、EUVマスク200の上面におけるマスクパターン形成領域106(図1参照)を照射する。このとき、マスクパターン210に到達したEUV光はマスクパターン210によって吸収され、マスクパターン210の側方を通過して多層膜102に到達したEUV光は多層膜102によって反射される。これにより、EUVマスク200に照射されたEUV光は選択的に反射され、ウェーハ上のレジスト膜に到達し、露光像を形成する。この結果、レジスト膜が局所的に感光される。
本実施形態においては、図3のステップS2に示す工程において、欠陥の存在が確認されたブランクについて、ステップS3及びS4に示す工程において、この欠陥がキラー欠陥であるか否かを判断し、キラー欠陥でない場合は、ステップS9に示すように、このブランクを「良品」と判定している。また、ブランク中の欠陥がキラー欠陥である場合であっても、ステップS5及びS6に示す工程において、マスクパターンの形成位置をずらすことによって救済が可能であるか否かを判断し、救済が可能である場合には、このブランクを「良品」と判定している。更に、ステップS7及びS8に示す工程において、リダンダンシー回路を用いることによって集積回路装置の救済が可能であるか否かを判断し、救済が可能である場合には、このブランクを「良品」と判定している。なお、「良品」と判定されたブランクを用いてEUVマスクを作製し、このEUVマスクを用いて集積回路装置を製造した場合は、ブランク中の欠陥に起因して集積回路装置が不良品となることはない。
Claims (5)
- EUVマスク用ブランク上にマスクパターンを形成して作製されるEUVマスクを用いて集積回路装置を製造したと仮定し、前記ブランクに含まれる欠陥の情報及び前記マスクパターンのデザイン情報に基づいてシミュレーションを行うことにより、前記集積回路装置が不良品となるか否かを評価する工程を備え、
前記集積回路装置が不良品とならない場合に、前記ブランクを良品と判定することを特徴とするEUVマスク用ブランクの良否判定方法。 - 前記評価する工程は、前記集積回路装置のリダンダンシー回路を用いることにより、前記集積回路装置を救済可能か否かを判断する工程を有し、
前記集積回路装置が救済可能である場合に、前記ブランクを良品と判定することを特徴とする請求項1記載のEUVマスク用ブランクの良否判定方法。 - 前記判断する工程は、
前記集積回路装置における前記欠陥が転写される位置が、前記リダンダンシー回路によって救済可能な領域内にあるか否かを判断する工程と、
前記領域内に転写される前記欠陥の数が、前記リダンダンシー回路によって救済可能な数以下であるか否かを判断する工程と、
を有し、
前記欠陥が転写される位置が前記領域内にあり、且つ、前記欠陥の数が前記救済可能な数以下である場合に、前記装置が救済可能であると判断することを特徴とする請求項2記載のEUVマスク用ブランクの良否判定方法。 - 前記評価する工程は、前記ブランクに対する前記マスクパターンの形成位置をずらすことによって、前記集積回路装置が良品となるか否かを判断する工程を有し、
前記形成位置をずらすことによって前記集積回路装置が良品となる場合に、前記ブランクを良品と判定することを特徴とする請求項1〜3のいずれか1つに記載のEUVマスク用ブランクの良否判定方法。 - 請求項1〜4のいずれか1つに記載のEUVマスク用ブランクの良否判定方法によって良品と判定されたEUVマスク用ブランク上にマスクパターンを形成する工程を備えたことを特徴とするEUVマスクの製造方法。
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