DE69221775T2

DE69221775T2 - Verfahren zur Erzeugung eines Fotolackmusters auf einem Halbleitersubstrat durch Lichtbestrahlung

Info

Publication number: DE69221775T2
Application number: DE69221775T
Authority: DE
Inventors: Katsuji Iguchi; Hiroki Tabuchi; Makoto Tanigawa
Original assignee: Sharp Corp
Current assignee: Sharp Corp
Priority date: 1991-06-07
Filing date: 1992-05-14
Publication date: 1998-03-12
Anticipated expiration: 2012-05-15
Also published as: EP0517382B1; US5330862A; DE69221775D1; EP0517382A1

Description

HINTERGRUND DER ERFINDUNG

1. Gebiet der Erfindung

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen eines Resistmusters durch Lichtbestrahlung, das zum Herstellen eines Halbleiter-Bauteus oder dergleichen zu verwenden ist.

2. Beschreibung des Stands der Technik

Betreffend VLSI-Halbleiterbauteile, wie sie in jüngerer Zeit hergestellt wurden, werden viele Transistoren und Drähte in der Größenordnung unter einem Mikrometer auf einem Siliziumsubstrat integriert. Es wurde eine Lichtbestrahlungstechnik verwendet, bei der ein Maskenmuster verkleinert wird (im allgemeinen auf ein Fünftel) und auf einen photoempfindlichen Harz(Resist)film übertragen wird, der auf dem Siliziumsubstrat vorhanden ist, um ein Muster in Submikrometer-Größenordnung herzustellen.
Die minimalen Leitungsbreiten bei DRAMS von 1 MBit und 4MBit, wie sie in Massen hergestellt werden, sind auf 1,2 µm bzw. 0,8 µm eingestellt. Die meisten Belichtungsvorrichtungen (schrittweise arbeitende Belichtungsvorrichtungen) zum Herstellen von DRAMs von 1 Mbit und 4 Mbit verwenden eine helle Linie mit einer wellenlänge von 436 nm, die als g-Linie bezeichnet wird und die von einer Extrahochdruck-Quecksilberdampflampe emittiert wird.
In einigen Fällen wurde eine helle Linie mit einer Wellenlänge von 365 nm verwendet, die als i-Linie bezeichnet wird und von der eine Extrahochdruck- Quecksilberdampflampe emittiert wird.
Betreffend DRAMs von 16 MBit und 64 MBit, wie sie zukünftig hergestellt werden, wird erwartet, dass die minimalen Leitungsbreiten auf 0,6 bis 0,5 µm und 0,4 bis 0,3 µm eingestellt werden. Es ist erforderlich, Resistmasken mit der minimalen Leitungsbreite herzustellen, um die oben genannten Halbleiter-Bauteile in Massen herzustellen. Demgemäß ist es erforderlich, eine Lichtbestrahlungstechnik mit hsherer Auflösung zu entwickeln. Es wurde untersucht, ob die i-Linie und ein Krypton und Fluor verwendender Excimerlaser mit einer Wellenlänge von 248 nm anstelle der g-Linie verwendet werden können, um die Auflösung dadurch zu verbessern, dass dafür gesorgt wird, dass das Belichtungslicht kleinere Wellenlänge hat.
Gemäß der Belichtungstechnik, bei der Belichtungsvorrichtungen verwendet werden, ist jedoch der Kontrast eines optischen Bilds auf dem Siliziumsubstrat durch Lichtbeugung an Musterenden beeinträchtigt, wenn die Mustergröße an die Abmessung der Wellenlänge angenähert ist. Die Auflösung ist viel niedriger als die schwellenauflösung, wie sie durch die Belichtungswellenlänge und die numerische Apertur NA einer in der Belichtungsvorrichtung vorhandenen Linse bestimmt ist.
Um die oben genannten Nachteile zu überwinden, wurde ein Phasenschiebeverfahren zum Invertieren der Phase von Belichtungslicht vorgeschlagen, um den Kontrast eines optischen Bilds zu verbessern. Das Phasenschiebeverfahren wurde ausschließlich für eine Maskentechnik verwendet.
Mittels des Phasenschiebeverfahrens kann eine Musterstruktur auf einer Maske verbessert werden, um den Kontrast des optischen Bilds und die in der Praxis erzielbare Auflösung zu erhöhen. Für diese Technik wird eine als Phasenschiebemaske bezeichnete Maske verwendet.
Ein Beispiel einer Phasenschiebemaske ist in Fig. 24 dargestellt. Die Bezugszahl 41 bezeichnet ein Quarzsubstrat, das bei der Belichtungswellenlänge transparent ist. Die Bezugszahl 43 bezeichnet einen dünnen Chromfilm, der Belichtungslicht ausblendet. Die Bezugszahl 42 bezeichnet einen Dünnfilm (Phasenschiebefilm), der für das Belichtungslicht transparent ist und die Dicke Ts aufweist. Diese Dicke Ts hat die folgende Beziehung zum Brechungsindex n und der Wellenlänge X des Belichtungslichts:
Ts = λ / {2 (n - 1)} (1).
Die oben angegebene Bedingung wird so eingestellt, dass die Phase des durch den Dünnfilm 42 hindurchgestrahlten Belichtungslichts um eine halbe Wellenlänge (180 Grad) verschoben wird. Eine Öffnung 49 entspricht immer der Öffnung der Maske. Auf der Phasenschiebemaske sind schmale Öffnungen 40 entlang den Phasenschiebefilmen 42 vorhanden. Eine Öffnung 40 wird um sie herum nicht einzeln aufgelöst.
Gemäß der in Fig. 24 dargestellten Phasenschiebemaske unterscheidet sich die Phase des durch die Öffnung 49 hindurchgestrahlten Lichts von der von Licht, das durch die Öffnungen 40 hindurchgestrahlt wird, um 180 Grad. Demgemäß löschen eine an der Öffnung 49 zu ihrem Randabschnitt gebeugte Lichtwelle und eine Lichtquelle von den Öffnungen 40 einander. Im Ergebnis kann eine Lichtübermenge von der Öffnung 49 in ihren Randabschnitt auf einer Bildebene so eingestellt werden, dass der Kontrast eines projizierten Bilds verbessert werden kann. So ist der Kontrast eines auf einen Resist projizierten Bilds verbessert, so dass die in der Praxis erzielte Auflösung erhöht werden kann. Jedoch ist es erforderlich, ein erstes Resistbilds zum Herstellen eines Chrommusters zu zeichnen und dann ein zweites Resistbild zum Spezifizieren eines Phasenschiebefilms mittels einer Belichtungsvorrichtung unter Verwendung von Elektronen zu zeichnen, um die in Fig. 24 dargestellte Phasenschiebemaske herzustellen. Es ist erforderlich, dass das Zeichnen mit dem Elektronenstrahl, das viel Zeit benötigt, doppelt ausgeführt wird. Außerdem ist es erforderlich, das zweite Muster mit hoher Genauigkeit dem ersten Muster zu überlagern. Demgemäß ist es hinsichtlich der technischen Grundlage schwieriger, die Maske herzustellen, und die Kosten sind erhöht.
Um die oben angegebenen Probleme zu überwinden, wurde eine Phasenschiebemaske vorgeschlagen, wie sie in Fig. 25 dargestellt ist. Die Bezugszahl 51 bezeichnet ein Quarzsubstrat, das bei der Belichtungswellenlänge durchsichtig ist. Die Bezugszahl 53 bezeichnet einen dünnen Chromfilm, der Belichtungslicht ausblendet. Die Bezugszahl 52 bezeichnet einen Resistfilm als Phasenschiebefilm, dessen Filmdicke TS der oben angegebenen Formel (1) genügt. Die Phasenschiebemaske wird wie folgt hergestellt. Als erstes wird eine Öffnung 59 durch einen Resist (nicht dargestellt) mittels einer Belichtungsvorrichtung unter Verwendung von Elektronenstrahlen hergestellt. Dann wird der Chromfilm 53 auf der Öffnung 59 durch Ätzen entfernt. Danach wird der Resistfilm 52 als Phasenschiebefilm aufgebracht und durch Strahlung im fernen Ultraviolett von der Seite des transparenten Substrats 51 her unter Verwendung des Chromfilms 53 als Maske belichtet. Demgemäß wird die Öffnung 59 auf dem Phasenschiebefilm 52 ausgebildet. Anschließend wird der unter dem Phasenschiebefilm 52 vorhandene Chromfilm 53 so abgeätzt, dass eine Öffnung 54 des Chromfilms 53 größer als die Öffnung 59 des Phasenschiebefilms 52 ist. Demgemäß ist ein Gebiet 50 ausgebildet, das um den Chromfilm 53 herum vom Resistfilm 52 bedeckt ist. Die Phase des durch die Öffnung 59 hindurchgestrahlten Lichts unterscheidet sich von der des durch das Gebiet 50 hindurchgestrahlten Lichts um 180 Grad. Wenn die durchgestrahlten Lichtbündel überlagert werden, heben sie einander auf. Demgemäß kann eine Lichtübermenge von der Öffnung 59 in deren Randabschnitt eingestellt werden. Demgemäß ist die Verteilung von Lichtintensitäten in einer Bilderzeugungsebene sehr scharf, so dass die Auflösung in der Praxis erhöht werden kann. Gemäß diesem Verfahren ist die Häufigkeit des von der Belichtungsvorrichtung unter Verwendung von Elektronenstrahlen ausgeführten Zeichnungsvorgangs nicht erhöht, und der Herstellprozess der Maske ist kompliziert. Der Resistfilm, der als Phasenschiebefilm verbleibt, ist leicht zerstörbar, so dass es schwierig ist, Reinigungsvorgänge zum Entfernen von Rückständen auf der Maske auszuführen. Demgemäß ist das oben genannte Verfahren in der Praxis nicht verwendbar.
Wie oben beschrieben, können die vorgeschlagenen Phasenschiebeverfahren nur zur Maskentechnik verwendet werden. Der Herstellprozess für eine Maske ist kompliziert. Außerdem existiert ein großes Problem hinsichtlich der praktischen Ausführbarkeit. Demgemäß ist es erwünscht, dass die Technik zum Anwenden und Nutzen des Phasenschiebeverfahrens wirkungsvoller und einfacher wird.

ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG

Die Erfindung schafft das durch Anspruch 1, 10 oder 11 definierte Verfahren zum Herstellen eines Resistmusters.

KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN

Fig. 1 ist eine Ansicht, die einen ersten Schritt eines Herstellprozesses gemäß einem ersten Ausführungsbeispiel der Erfindung zeigt;
Fig. 2 ist eine Ansicht, die einen zweiten Schritt des Herstellprozesses gemäß dem ersten Ausführungsbeispiel der Erfindung zeigt;
Fig. 3 ist eine Ansicht, die einen dritten Schritt des Herstellprozesses gemäß dem ersten Ausführungsbeispiel der Erfindung zeigt;
Fig. 4 ist eine Ansicht, die einen ersten Schritt eines Herstellprozesses gemäß einem zweiten Ausführungsbeispiel der Erfindung zeigt;
Fig. 5 ist eine Ansicht, die einen zweiten Schritt des Herstellprozesses gemäß detn zweiten Ausführungsbeispiel der Erfindung zeigt;
Fig. 6 ist eine Ansicht, die einen dritten Schritt des Herstellprozesses gemäß dem zweiten Ausführungsbeispiel der Erfindung zeigt;
Fig. 7 ist eine Ansicht, die einen ersten Schritt eines Herstellprozesses gemäß einem dritten Ausführungsbeispiel der Erfindung zeigt;
Fig. 8 ist eine Ansicht, die einen zweiten Schritt des Herstellprozesses gemäß dem dritten Ausführungsbeispiel der Erfindung zeigt;
Fig. 9 ist eine Ansicht, die einen dritten Schritt des Herstellprozesses gemäß dem dritten Ausführungsbeispiel der Erfindung zeigt;
Fig. 10 ist eine Ansicht, die einen ersten Schritt eines Herstellprozesses gemäß einem vierten Ausführungsbeispiel der Erfindung zeigt;
Fig. 11 ist eine Ansicht, die einen zweiten Schritt des Herstellprozesses gemäß dem vierten Ausführungsbeispiel der Erfindung zeigt;
Fig. 12 ist eine Ansicht, die einen dritten Schritt des Herstellprozesses gemäß dem vierten Ausführungsbeispiel der Erfindung zeigt;
Fig. 13 ist eine Ansicht, die einen vierten Schritt des Herstellprozesses gemäß dem vierten Ausführungsbeispiel der Erfindung zeigt;
Fig. 14 ist eine Ansicht, die einen ersten Schritt eines Herstellprozesses gemäß einem fünften Ausführungsbeispiel der Erfindung zeigt;
Fig. 15 ist eine Ansicht, die einen zweiten Schritt des Herstellprozesses gemäß dem fünften Ausführungsbeispiel der Erfindung zeigt;
Fig. 16 ist eine Ansicht, die einen dritten Schritt des Herstellprozesses gemäß dem fünften Ausführungsbeispiel der Erfindung zeigt;
Fig. 17 ist eine Ansicht, die einen vierten Schritt des Herstellprozesses gemäß dem fünften Ausführungsbeispiel der Erfindung zeigt;
Fig. 18 ist eine Ansicht zum Erläutern von Phasenschiebeeffekten, wie sie im zweiten Schritt gemäß dem ersten Ausführungsbeispiel der Erfindung erhalten werden;
Fig. 19 ist eine Ansicht zum Erläutern der Phase von Licht in einer in Fig. 18 dargestellte Ebene α, gemäß dem ersten Ausführungsbeispiel der Erfindung;
Fig. 20 ist eine Ansicht zum Erläutern der Intensität von Licht in der in Fig. 18 dargestellten Ebene α, gemäß dem ersten Ausführungsbeispiel der Erfindung;
Fig. 21 ist eine Ansicht zum Erläutern der idealen Phase von Licht in einer in Fig. 18 dargestellten Ebene β, gemäß dem ersten Ausführungsbeispiel der Erfindung;
Fig. 22 ist eine Ansicht zum Erläutern der tatsächlichen Phase von Licht in der in Fig. 18 dargestellten Ebene β, gemäß dem ersten Ausführungsbeispiel der Erfindung;
Fig. 23 ist eine Ansicht zum Erläutern der Intensität von Licht an einer Kante E der in Fig. 18 dargestellten Ebene β, gemäß dem ersten Ausführungsbeispiel der Erfindung;
Fig. 24 ist eine Ansicht, die die Struktur einer Phasenschiebemaske gemäß dem Stand der Technik zeigt; und
Fig. 25 ist eine Ansicht, die die Struktur einer anderen Phasenschiebemaske gemäß dem Stand der Technik zeigt.

BEVORZUGTES AUSFÜHRUNGSBEISPIEL

Die Erfindung schafft ein Verfahren zum Herstellen eines Resistmusters durch Lichtbestrahlung, mit den Schritten des Herstellens eines Resistmusters auf einem Halbleitersubstrat, dem Herstellen eines Phasenschiebermusters zum Invertieren der Phase von Belichtungslicht im oberen Abschnitt der Resistschicht selbst oder über der Oberfläche der Resistschicht, des Belichtens der Oberfläche des Halbleitersubstrats einschließlich des Phasenschiebermusters und des Herstellens einen feinen Resistmusters unter den Kanten des Phasenschiebermusters. Die Dicke des Phasenschiebermusters sollte der oben genannten Gleichung (1) genügen.
Gemäß der Erfindung umfasst das Verfahren zum Herstellen des Phasenschiebermusters das folgende:
(a) ein Phasenschiebermuster 14a wird in den oberen Abschnitten von Resistschichten 12 und 14 hergestellt, wie in den Fig. 1 und 2 dargestellt;
(b) ein Phasenschiebermuster 25 wird auf der Oberseite einer Resistschicht 22 ausgebildet, wie in den Fig. 5, 12 und 16 dargestellt; und
(c) das Phasenschiebermuster 25 wird über der Resistschicht 22 mittels einer Zwischenschicht 31 hergestellt, wie in Fig. 8 dargestellt.
In den Fällen, in denen (i) ein Phasenschiebermuster hergestellt wird und (ii) auf einem Halbleitersubstrat mit dem Phasenschiebermuster unter Verwendung von Phasenschiebeeffekten ein feines Resistmuster hergestellt wird, wird eine Belichtung ausgeführt. Gemäß dem in den Fig. 1 bis 3 dargestellten ersten Ausführungsbeispiel der Erfindung, hat, wenn die Resistschicht 12 mit einer Dicke von 1,2 ijm hergestellt wird, eine Belichtung im Fall (i) vorzugsweise 60 bis 80 % einer Schwellenbelichtung (Belichtungszeit: 200 ms), bevorzugter 70 % der Schwellenbelichtung (Belichtungszeit: 140 ms).
Es ist zweckdienlich, wenn die Belichtungszeit im Fall (ii) ungefähr 140 ms beträgt.
Auch dann, wenn ein KrF-Laser verwendet wird, ist es bevorzugt, dass die Belichtung im Fall (i) 70 % der Schwellenbelichtung beträgt.
Gemäß Ausführungsbeispielen 2 bis 5 der Erfindung wird eine Belichtung mit einer Menge ausgeführt, die der Dicke einer Resistschicht oder eines dünnen Films entspricht, der als andere Resistschicht für Belichtungslicht transparent ist. Die Resistschichten bestehen aus verschiedenen Materialien.
Wenn spezielle Bedingungen eingestellt werden, sind die oben genannten Belichtungen bevorzugt. Gemäß dem in den Fig. 1 bis 3 dargestellten ersten Ausführungsbeispiel hängt die Belichtung im Fall (i) stark von der Dicke eines konvexen Abschnitts 14a (siehe Fig. 2) ab, der durch die Belichtungswellenlänge λ und den Brechungsindex n der Resistschicht 14 bestimmt ist, von der Resistempfindlichkeit und von den Entwicklungsbedingungen. Wenn im Fall (ii) eine gesamte Belichtung ausgeführt wird, wird schließlich das feine Resistmuster abhängig von der Belichtung erhalten. In diesem Fall kann das Intervall D zwischen den feinen Resistbereichen (siehe Fig. 3) entsprechend der Belichtung eingestellt werden, und es hängt stark von der Resistempfindlichkeit und den Entwicklungsbedingungen ab.
Nun wird unter Bezugnahme auf die Fig. 1 bis 3 der Herstellprozess für ein feines Resistmuster gemäß dem ersten Ausführungsbeispiel zusammengefasst.
Wie es in Fig. 2 dargestellt ist, wird zunächst eine stufenförmige Differenz 5 eines konvexen Abschnitts 14a hergestellt, die der Gleichung (1) genügt. Dann wird eine gesamte Belichtung ausgeführt. In diesem Fall wird die Phase des durch den konvexen Abschnitt 14a hindurchgestrahlten Lichts invertiert, um umgekehrt zu derjenigen von Licht sein, das durch einen konkaven Abschnitt 14b hindurchgestrahlt wird.# Demgemäß heben die Amplitude des durch den konvexen Abschnitt 14a hindurchgestrahlten Lichts und diejenige des durch den konkaven Abschnitt 14b hindurchgestrahlten Lichts einander im Abschnitt mit der Stufendifferenz 5 (Kantenabschnitt E des konvexen Abschnitts 14a) auf. Im Ergebnis wird die Lichtintensität null (siehe Fig. 23). Demgemäß wird der Resist nicht in einem Gebiet L im unteren Teil des Kantenabschnitts E belichtet. Im Fall eines Positivresists wird ein Muster 15 ausgebildet (siehe Fig. 3). Das Muster 15 ist ein feines Resistmuster.
Wie es in Fig. 18 dargestellt ist, bezeichnen die Bezugskennzeichen X1 und X2 Oberflächengebiete der konvexen Abschnitte 14a, und die Bezugsbezeichnungen Y1, Y2 und Y3 bezeichnen Oberflächengebiete der konkaven Abschnitte 14b. Die Fig. 19 bis 23 zeigen die Intensität und die Phase des von den Oberflächengebieten X1, X2, Y1, Y2 und Y3 beim Belichtungsprozess gemäß dem ersten Ausführungsbeispiel empfangenen Lichts. Wie es aus Fig. 22 erkennbar ist, ist die Phase des durch den konvexen Abschnitt 14a hindurchgestrahlten Lichts invertiert, so dass sie umgekehrt zu derjenigen des durch den konkaven Abschnitt 14b hindurchgestrahlten Lichts ist. Fig. 23 zeigt die Lichtintensität in einer Ebene β in Fig. 18. Wie es aus Fig. 23 erkennbar ist, ist die Lichtamplitude im Abschnitt mit der Stufendifferenz 5 null, so dass die Lichtintensität, die durch das Quadrat der Amplitude definiert ist, null wird.
Gemäß der Erfindung wird als photoempfindliches Harz ein Positivphotoresist verwendet. Ein Beispiel für die Resistschicht eine Novolakharz-Null-Chinondiazid-Verbindung. In diesem Fall wird eine Lösung mit einer Novolakharz- Null-Chinondiazid-Verbindung als Basis durch ein Aufschleuderverfahren aufgetragen. Es erfolgt ein Vorbrennvorgang, um die Resistschicht auszubilden. Andere Beispiele für die Resistschicht sind PMMA (Polymethylmethacrylat) und Novolakresist vom Negativtyp. Selbst wenn PMMA oder ein Novolakresist vom Negativtyp verwendet wird, reicht es aus, dass ein Vorbrennen ähnlich wie im Fall ausgeführt wird, in dem die Novolakharz-Null-Chinondiazid-Verbindung verwendet wird.
Gemäß der Erfindung ist ein Phasenschiebermuster zum Umkehren der Phase von Belichtungslicht im oberen Abschnitt der Resistschicht vorhanden, und es erfolgt eine Gesamtbelichtung zum Ausbilden eines feinen Resistmusters.
Gemäß einem ersten Ausführungsbeispiel der Erfindung wird nur der obere Abschnitt der Resistschicht teilweise strukturiert. Ein so hergestellter konvexer Abschnitt ist ein Phasenschiebermuster zum Invertieren der Phase von Belichtungslicht. Dann erfolgt eine Gesamtbelichtung, so dass ein feines Resistmuster im unteren Teil der Kante des konvexen Abschnitts durch Ausnutzen von Selbst-Phasenschiebeeffekten der Resistschicht mit dem konvexen Abschnitt ausgebildet wird.
In diesem Fall wird das aus den konkaven und konvexen Abschnitten bestehende Phasenschiebermuster durch Lichtbestrahlung unter Verwendung einer Maske hergestellt.
Gemäß einem zweiten Ausführungsbeispiel der Erfindung wird ein Dünnfilmmuster auf eine Resistschicht auflaminiert. Das Dünnfilmmuster ist eine andere Resistschicht, die für Belichtungslicht transparent ist. Dann wird ein transparentes Dünnfilmmuster als Phasenschiebermuster zum Invertieren der Phase des Belichtungslichts hergestellt. Danach erfolgt eine Gesamtbelichtung zum Ausbilden eines feinen Resistmusters auf dem unteren Teil der Kante des Phasenschiebermusters unter Verwendung von Phasenschiebeeffekten.
In diesem Fall wird das Dünnfilmmuster durch Lichtbestrahlung unter Verwendung einer Maske hergestellt. Das Dünnfilmmuster ist ein Phasenschiebermuster zum Invertieren der Phase des Belichtungslichts, und es ist für das Belichtungslicht transparent.
Gemäß einem dritten Ausführungsbeispiel der Erfindung wird ein Dünnfilmmuster vermittels einer Zwischenschicht, die in einem Entwickler für die Resistschicht löslich ist und für das Belichtungslicht transparent ist, über einer Resistschicht hergestellt. Das so hergestellte Dünnfilmmuster ist eine andere Resistschicht, die für das Belichtungslicht transparent ist.
Danach erfolgt eine Gesamtbelichtung unter Verwendung des transparenten Dünnfilmmusters als Phasenschiebermuster zum Invertieren der Phase des Belichtungslichts. Demgemäß wird ein feines Resistmuster unter Verwendung von Phasenschiebeeffekten auf dem unteren Teil der Kante des transparenten Dünnfilmmusters hergestellt.
Gemäß einem vierten Ausführungsbeispiel der Erfindung wird eine Resistschicht so entwickelt, dass eine Resistschichtfläche in einem Entwickler unlöslich gemacht ist. Demgemäß wird eine in Entwickler unlösliche Schicht ausgebildet. Dann wird ein Dünnfilmmuster als Phasenschiebermuster auf der in Entwickler unlöslichen Schicht hergestellt. Das Dünnfilmmuster ist für Belichtungslicht transparent.
Gemäß einem fünften Ausführungsbeispiel der Erfindung werden Ultraviolettstrahlen auf eine Resistschicht gestrahlt, damit eine Resistschichtfläche in einem Entwickler unlöslich wird. Demgemäß wird in eine in einem Entwickler unlösliche Schicht ausgebildet. Dann wird ein Dünnfilmmuster als Phasenschiebermuster auf der im Entwickler unlöslichen Schicht hergestellt. Das Dünnfilmmuster ist für Belichtungslicht transparent.

Erstes Ausführungsbeispiel

Nun wird unter Bezugnahme auf die Fig. 1 bis 3 ein erstes Ausführungsbeispiel der Erfindung beschrieben, bei dem nur der obere Abschnitt eines Resistmusters 12 teilweise entfernt wird, dann eine restliche Resistschichtfläche so ausgebildet wird, dass sie konkave und konvexe Abschnitte aufweist, und ein konvexer Abschnitt 14a als Phasenschiebermuster zum Invertieren der Phase von Belichtungslicht dient.
Wie es in Fig. 1 dargestellt ist, wird ein Si-Halbleitersubstrat 11 einer Behandlung zum Verbessern der Anhaftung unter Verwendung von Hexamethyldisilazan, d.h. einer HMDS-Behandlung unterzogen. Unter Verwendung eines Aufschleuderverfahrens wird dann eine Positivphotoresist-Lösung (auf Basis einer Novolakharz-Null-Chinondiazin-Verbindung) auf das so behandelte Si- Halbleitersubstrat 11 aufgetragen. Es wird ein Vorbrennen ausgeführt, um eine Resistschicht 12 auszubilden.
In diesem Fall wird das Vorbrennen für 60 5 bei einer Temperatur von 90 ºC so ausgeführt, dass eine Resistschicht 12 mit einer Dicke A von 1,2 µm ausgebildet wird.
Anschließend wird das Si-Halbleitersubstrat 11 für 140 ms (70 mJ/cm²), was nicht größer als eine Schwellenbelichtung (Eth = 200 ms) ist, mittels der i-Linie (λ = 365 nm) einer Schrittbelichtungseinrichtung mit einer NA von 0,45 unter Verwendung einer Maske 13 belichtet, die an einer vorbestimmten Position über der Resistschicht 12 angeordnet wird (siehe Fig. 1).
Nach dem Vorbrennen erfolgt ein Entwicklungsvorgang unter Verwendung einer verdünnten Lösung, die Tetramethylammoniumhydroxid , d.h. TMAH, mit einer Menge von 2,38 % enthält, als Entwickler ausgeführt. Dann wird der obere Abschnitt der Resistschicht 12 teilweise strukturiert, um ein Phasenschiebermuster 14 mit konkaven und konvexen Abschnitten auszubilden (siehe Fig. 2).
In diesem Fall wird auf dem Teilmuster 14 eine Stufendifferenz 5 ausgebildet. Die Stufendifferenz S hat in der Richtung rechtwinklig zum konvexen Abschnitt 14a (in der Richtung eines Pfeils H) eine Höhe Ts. Die Höhe Ts der Stufendifferenz 5 ist durch die folgende Formel bestimmt:
Ts = λ/ {2 (n-1)},
wobei λ die Belichtungswellenlänge ist und n der Brechungsindex der Resistschicht ist. Da beim vorliegenden Ausführungsbeispiel λ auf 3,65 nm eingestellt ist und n auf 1,68 eingestellt ist, beträgt Ts 0,268 µm.
Dann wird das gesamte Si-Substrat 11 für 140 ms (70 mJ/cm²) mittels der Schrittbelichtungseinrichtung mit i-Linie und einer NA von 0,45 unter Verwendung des konvexen Abschnitts 14a des Teilmusters 14 als Phasenschieber belichtet (siehe Fig. 2).
In diesem Fall wird die Phase des durch den konvexen Abschnitt 14a hindurchgestrahlten Belichtungslichts invertiert, um umgekehrt zu der des Belichtungslichts zu sein, das durch einen konkaven Abschnitt 14b hindurchgestrahlt wurde. Demgemäß heben die Amplitude des durch den konvexen Abschnitt 14a hindurchgestrahlten Belichtungslichts und diejenige des durch den konkaven Abschnitt 14b hindurchgestrahlten Belichtungslichts einander an der Kante E des konvexen Abschnitts 14a auf, so dass die Intensität des Belichtungslichts an dieser Kante E null wird (siehe Fig. 23). Demgemäß wird ein Resistschichtabschnitt im unteren Gebiet L der Kante E des konvexen Abschnitts 14a, wo die Lichtintensität null ist, nicht belichtet. Die nichtbelichtete Resistschicht verbleibt im nächsten Schritt als feines Resistmuster.
Nach dem Vorbrennen wird für 60 s ein Entwicklungsvorgang dadurch ausgeführt, dass als Entwickler eine verdünnte Lösung verwendet wird, die TMAH mit einer Menge von 2,38 % enthält, ähnlich wie bei der Herstellung des Teilmusters 14. Dann erfolgt ein Nachbrennen zum Herstellen eines feinen Resistmusters 15 auf dem Si-Halbleitersubstrat 11 (siehe Fig. 3). Das feine Resistmuster 15 hat ein Intervall D zwischen feinen Resistlinien mit einer Breite W von 0,15 µm und einer Höhe K von 0,20 µm.
Gemäß dem Stand der Technik beträgt die Breite einer herstellbaren Leitung höchstens 0,35 µm. Gemäß der Erfindung kann ein feineres Resistmuster 15 mit einer Leitung hergestellt werden, deren Breite 0,15 µm beträgt. Demgemäß kann die Auflösung verdoppelt oder noch mehr erhöht werden.
Es ist erwünscht, dass die Stufendifferenz des durch die erste Belichtung erzeugten Musters mit konkaven und konvexen Abschnitten der Gleichung (1) genügt. Die Phase kann von (1/2) x π bis (3/2) x 11 variieren. Es ist erwünscht, dass die Stufendifferenz steil ist. Selbst wenn die Stufendifferenz eine Schräge aufweist, kann das Muster ausgebildet werden. Während beim vorliegenden Ausführungsbeispiel der obere Teil des aus einer Monoschicht bestehenden Resistabschnitts als Phasenschiebermuster verwendet wird, kann das Phasenschiebermuster unter Verwendung eines transparenten Dünnfilms auf dem oberen Teil eines Resistabschnitts mit Zweischichtstruktur, der aus zwei verschiedenen Materialien besteht, wie dies beim zweiten Ausführungsbeispiel beschrieben wird, hergestellt werden. Die Wellelängen des ersteren und des letzteren Belichtungslichts können voneinander verschieden sein.

Zweites Ausführungsbeispiel

Die Fig. 4 bis 6 zeigen ein zweites Ausführungsbeispiel der Erfindung, bei dem ein Dünnfilmmuster 25 auf einer Resistschicht 22 hergestellt wird, die auf einem Si-Halbleitersubstrat 21 vorhanden ist, wobei das Dünnfilmmuster für Belichtungslicht transparent ist und es als Phasenschiebermuster zum Invertieren der Phase des Belichtungslichts dient.
Wie es in Fig. 4 dargestellt ist, wird das Si-Halbleitersubstrat 21 einer HMDS-Behandlung unterzogen. Unter Verwendung eines Aufschleuderverfahrens wird eine Positivphotoresistschicht als photoempfindliches Harz auf dem so behandelten Si-Halbleitersubstrat 21 hergestellt. Dann wird ein Vorbrennen ausgeführt, um eine Resistschicht 22 herzustellen.
In diesem Fall wird der Positivphotoresist als photoempfindliches Harz verwendet, ähnlich wie beim ersten Ausführungsbeispiel Es wird eine Lösung des Positivphotoresists ECA (auf Basis einer Novolakharz-Null-Chinondiazin- Verbindung) durch das Aufschleuderverfahren aufgetragen. Dann erfolgt das Vorbrennen für 60 5 bei einer Temperatur von 90 ºC. Demgemäß wird die Resistschicht 22 hergestellt.
Anschließend wird das Aufschleuderverfahren verwendet und es wird dann ein Vorbrennen ausgeführt, um eine Positivphotoresistschicht als photoempfindliches Harz über der Resistschicht 22 auszubilden. Die so hergestellte Positivphotoresistschicht ist ein transparenter Dünnfilm 23, dessen Material sich von dem der Resistschicht 22 unterscheidet (siehe Fig. 4).
In diesem Fall wird eine Ethyllactatlösung durch das Aufschleuderverfahren aufgetragen, und dann erfolgt das Vorbrennen für 90 s bei einer Temperatur von 60 ºC. Demgemäß wird der transparente Dünnfilm 23 als photoempfindliches Harz ausgebildet.
Anschließend wird das Si-Halbleitersubstrat 21 für 140 ms (70 mJ/cm²), was nicht größer als eine Schwellenbelichtung (Eth = 200 ms) ist, mittels der i-Linie einer Schrittbelichtungseinrichtung mit einer NA von 0,45 unter Verwendung einer Maske 24 belichtet, die an einer vorbestimmten Position über dem transparenten Dünnfilm 23 vorhanden ist (siehe Fig. 4).
Nach dem Vorbrennen wird unter Verwendung einer verdünnten Lösung, die TMAH mit einer Menge von 2,38 % enthält, ein Entwicklungsvorgang ausgeführt. Der transparente Dünnfilm 23 wird strukturiert, um ein transparentes Dünnfilmmuster (Phasenschiebermuster) 25 auszubilden (siehe Fig. 5).
In diesem Fall wird auf dem transparenten Dünnfilmmuster 25 eine Stufendifferenz S ausgebildet. Diese Stufendifferenz S hat in der Richtung rechtwinklig zum transparenten Dünnfilmmuster 25 (in der Richtung eines Pfeils H) eine Höhe Ts. Diese Höhe Ts der Stufendifferenz 5 ist durch die folgende Gleichung bestimmt:
Ts =λ / {2 (n - 1}, wobei X die Belichtungswellenlänge ist und n des Brechungsindex des transparenten Dünnfilms ist. Da beim vorliegenden Ausführungsbeispiel λ auf 365 nm eingestellt ist und n auf 1,68 eingestellt ist&sub1; hat Ts den Wert 0,268 µm.
Dann wird das gesamte Si-Halbleitersubstrat 21 für 140 ms (70 mJ/cm²) mittels der i-Linie der Schrittbelichtungseinrichtung mit einer NA von 0,45 unter Verwendung des transparenten Dünnfilmmusters 25 als Phasenschiebermuster belichtet (siehe Fig. 5).
In diesem Fall wird die Phase des durch das transparente Dünnfilmmuster 25 hindurchgestrahlten Belichtungslichts invertiert, so dass sie umgekehrt zu der des durch ein Abstandsgebiet 26 zwischen den transparenten Dünnfilmmustern 25 hindurchgestrahlten Belichtungslichts ist. Demgemäß heben die Amplitude des durch das Muster 25 hindurchgestrahlten Belichtungslichts und diejenige des durch das Gebiet 26 hindurchgestrahlten Belichtungslichts einander an der Kante E des Musters 25 auf, so dass die Intensität des Belichtungslichts an dieser Kante E null wird. Demgemäß wird die Resistschicht 22 im unteren Gebiet L der Kante E des Musters 25, wo die Lichtintensität null ist, nicht belichtet. Ein nicht belichteter Resistschichtabschnitt 27 (siehe Fig. 6) verbleibt im nächsten Schritt als feines Resistmuster.
Nach dem Vorbrennen wird ein Entwicklungsvorgang für 60 5 ausgeführt, wobei als Entwickler eine verdünnte, TMAH enthaltende Lösung verwendet wird, ähnlich wie bei der Herstellung des transparenten Dünnfilmmusters 25. Dann wird ein Nachbrennen ausgeführt. Demgemäß wird auf dem Si-Halbleitersubstrat 21 ein feines Resistmaskenmuster 27, ähnlich dem in Fig. 3 dargestellten Resistmuster 15 gemäß dem ersten Ausführungsbeispiel ausgebildet (siehe Fig. 6). Das feine Resistmuster 27 hat zwischen feinen Resistlinien ein Intervall D mit einer Breite von ungefähr 0,15 µm.
Gemäß dem vorliegenden Ausführungsbeispiel wird eine Zweischichtstruktur aus der Resistschicht 22 und dem transparenten Dünnfilm 23 ausgebildet, und das transparente Dünnfilmmuster wird als Phasenschiebermuster verwendet. Demgemäß kann ein feines Resistmuster 27 ausgebildet werden, das zwischen Resistlinien ein Intervall D der Breite 0,15 µm aufweist. Im Ergebnis kann die Auflösung auf das Doppelte oder mehr verbessert werden.

Drittes Ausführungsbeispiel

Die Fig. 7 bis 9 zeigen ein drittes Ausführungsbeispiel der Erfindung, bei dem eine Zwischenschicht (Zwischenpufferschicht) 31 zwischen einer Resistschicht 22 und einem Phasenschiebermuster, d.h. einem für Belichtungslicht transparenten Dünnfilmmuster 25, vorhanden ist, wobei die Zwischenschicht 31 für das Belichtungslicht transparent ist und im Entwickler der Resistschicht 22 löslich ist.
Wenn ein transparenter Dünnfilm 23 unter Verwendung einer Maske 24 belichtet wird, um das Phasenschiebermuster 25 auszubilden, ist die Zwischenschicht 31 vorhanden, damit eine Wechselwirkung zwischen der Resistschicht 22 und dem transparenten Dünnfilm 23 vermieden werden kann.
Wie es in Fig. 7 dargestellt ist, wird ein Si-Halbleitersubstrat 21 einer HMDS-Behandlung unterzogen. Es wird ein Aufschleuderverfahren verwendet und dann wird ein Verbrennen ausgeführt. Demgemäß wird eine Resistschicht 22 als photeempfindlicher Bereich ausgebildet.
In diesem Fall wird das Verbrennen für 60 s bei einer Temperatur von 90 ºC ausgeführt, damit eine Resistschicht 22 mit einer Dicke A von 1,2 µm ausgebildet wird.
Dann wird ein wasserlösliches Sperrbeschichtungsmaterial, z. B. Polyvinylalkohol, durch das Aufschleuderverfahren auf die gesamte Resistschicht 22 aufgetragen, um eine Zwischenschicht 31 auszubilden.
In diesem Fall wird eine Zwischenschicht 31 mit einer Dicke C von 0,08 µm ausgebildet
Anschließend wird das Aufsehleuderverfahren verwendet und dann wird ein Verbrennen ausgeführt. Demgemäß wird ein transparenter Dünnfilm 23 als photeempfindliches Harz über der Zwischenschicht 31 ausgebildet (siehe Fig. 7).
Das Verbrennen wird für 60 5 bei einer Temperatur von 90 ºC ausgeführt, damit ein transparenter Dünnfilm 23 mit einer Dicke D von 0,268 µm ausgebildet wird.
Anschließend wird das Si-Halbleitersubstrat 21 für 140 ms (70 mJ/cm²) mittels der i-Linie einer Schrittbelichtungseinrichtung mit einer NA von 0,45 unter Verwendung einer Maske 24, die an einer vorbestimmten Position über dem transparenten Dünnfilm 23 vorhanden ist, belichtet (siehe Fig. 7).
Nach dem Verbrennen wird ein Entwicklungsvorgang unter Verwendung einer TMAH enthaltenden verdünnten Lösung ausgeführt. Dann wird ein Nachbrennen ausgeführt. Der transparente Dünnfilm 23 wird strukturiert, um ein transparentes Dünnfilmmuster (Phasenschiebermuster) 25 auszubilden (siehe Fig. 8).
In diesem Fall wird das Nachbrennen für 90 5 bei einer Temperatur von 90 ºC ausgeführt. Auf dem transparenten Dünnfilmmuster 25 wird eine Stufendifferenz S ausgebildet. Diese Stufendifferenz S hat in der Richtung rechtwinklig zum transparenten Dünnfilmmuster 25 (in der Richtung eines Pfeils H) eine Höhe Ts. Die Höhe Ts der Stufendifferenz S ist durch die folgende Gleichung bestimmt:
Ts = λ/ {2 (n-1},
wobei λ die Belichtungswellenlänge ist und n der Brechungsindex des transparenten Dünnfilms ist. Da bei diesem Ausführungsbeispiel λ auf 365 nm eingestellt ist und n auf 1,68 eingestellt ist, hat Ts den Wert 0,268 µm.
Dann wird das gesamte Si-Halbleitersubstrat 21 für 140 ms (70 mJ/cm²), was nicht größer als eine Schwellenbelichtung (Eth = 200 ms) ist, mittels der i-Linie der Schrittbelichtungseinrichtung mit der NA von 0,45 unter Verwendung des transparenten Dünnfilmmusters 25 eines Phasenschiebermusters belichtet (siehe Fig. 8).
In diesem Fall wird die Phase des durch das transparente Dünnfilmmuster 25 hindurchgestrahlten Belichtungslichts invertiert, um umgekehrt zu derjenigen des durch ein Abstandsgebiet 26 zwischen den transparenten Dünnfilmmustern 25 hindurchgestrahlten Belichtungslichts zu sein. Demgemäß heben sich die Amplitude des durch das Muster 25 hindurchgestrahlten Belichtungslichts und diejenige des durch das Gebiet 26 hindurchgestrahlten Belichtungslichts gegeneinander an der Kante E des Musters 25 auf, so dass die Intensität des Belichtungslichts an der Kante E null wird. Demgemäß wird ein Resistschichtabsehnitt im unteren Gebiet L der Kante E des Musters 25, wo die Lichtintensität null ist, nicht belichtet. Der nicht belichtete Resistschichtabschnitt verbleibt im nächsten Schritt als feines Resistmuster.
Nach dem Vorbrennen wird ein Entwicklungsvorgang für 60 d unter Verwendung einer verdünnten, TMAH enthaltenden Lösung als Entwickler ausgeführt, ähnlich wie beim Herstellen des transparenten Dünnfilmmusters 25. Dann wird ein Nachbrennen ausgeführt, um ein feines Resistmuster 27 auf dem Si-Halbleitersubstrat 21 auszubilden (siehe Fig. 9). Das feine Resistmuster 27 hat zwischen den feinen Resistlinien ein Intervall D mit einer Breite von ungefähr 0,15 µm.
Gemäß dem vorliegenden Ausführungsbeispiel wird die im Entwickler lösliche Zwischenschicht 31 ausgebildet, um eine Wechselwirkung zwischen der Resistschicht 22 und dem transparenten Dünnfilm 23 zu vermeiden, auf dem das Phasenschiebermuster 25 ausgebildet wird.

Viertes Ausführungsbeispiel

Die Fig. 10 bis 13 zeigen ein viertes Ausführungsbeispiel der Erfindung, bei dem die Oberfläche einer vorgebrannten Resistschicht 22 einer Alkalilösung ausgesetzt wird, um darauf eine für Entwickler unlösliche Schicht (nicht dargestellt) auszubilden, wobei dann ein transparentes Dünnfilmmuster 25 hergestellt wird.
Wenn die vorgebrannte Novolak-Resistschicht 22 vor der Lichtbestrahlung der Alkalilösung, d.h. einer verdünnten Lösung ausgesetzt wird, die TMAH mit einer Menge von 2,38 % als Entwickler enthält, erfolgt eine schwache Kopplungsreaktion zwischen einer PAC (photoaktive Verbindung) und einem Harz in der Resistschicht 22. Demgemäß wird die für Entwickler unlösliche Schicht (nicht dargestellt) ausgebildet. Diese für Entwickler unlösliche Schicht wirkt als Sperrschicht für einen transparenten Dünnfilm 23, der auf die Resistschicht 22 auflaminiert ist (siehe Fig. 11).

Fünftes Ausführungsbeispiel

Die Fig. 14 bis 17 zeigen ein fünftes Ausführungsbeispiel der Erfindung, bei dem Ultraviolettstrahlung auf die Oberfläche einer vorgebrannten Resistschicht 22 gestrahlt wird, damit darauf eine für Entwickler unlösliche Schicht (nicht dargestellt) ausgebildet wird, wobei dann ein transparenter Dünnfilm 23 auf der für Entwickler unlöslichen Schicht strukturiert wird, um ein transparentes Dünnfilmmuster 25 auszubilden.
Wenn die Ultraviolettstrahlung vor der Belichtung auf die vorgebrannte Novolak-Harzschicht 22 aufgestrahlt wird, erfolgt eine schwache Kopplungsreaktion zwischen der PAC und einem Harz in der Resistschicht 22. Demgemäß wird die für Entwickler unlösliche Schicht (nicht dargestellt) ausgebildet. Diese für Entwickler unlösliche Schicht wirkt als Sperrschicht für den transparenten Dünnfilm 23, der auf die Resistschicht 22 auflaminiert wird (siehe Fig. 15).
Gemäß der Erfindung wird das Phasenschiebermuster im oberen Teil der Resistschicht mittels einer Maske, einer Belichtungsvorrichtung und eines Resistmaterial entsprechend dem Stand der Technik ausgebildet. Demgemäß kann durch Phasenschiebeeffekte ein feines Resistmuster auf dem Halbleitersubstrat ausgebildet werden. Demgemäß kann die tatsächliche Auflösung verbessert werden. Die Zeit und die Kosten, wie sie zum Ausbilden des Musters erforderlich sind, können verringert werden. Ferner ist die Erfindung praxisgerechter für einen Herstellprozess.
Die Erfindung kann auf andere spezielle Arten realisiert werden, ohne vom Schutzumfang derselben abzuweichen, wie er durch die Ansprüche definiert ist.

Claims

1. Verfahren zum Herstellen eines Resistmusters auf einem Halbleitersubstrat durch Belichten, wobei das Verfahren folgendes umfasst:

- Herstellen eines Resistmusters (12; 22) auf dem Halbleitersubstrat (11, 21);

- Herstellen eines Phasenschiebermusters (14a; 25) zum Invertieren der Phase von Belichtungslicht, entweder in einem oberen Teil der Resistschicht (12) oder über der Oberfläche der Resistschicht (22);

- Belichten der Oberfläche des Halbleitersubstrats (11; 21) einschließlich dem Phasenschiebermuster (14a; 25); und

- Herstellen eines feinen Resistmusters (15; 27) aus Abschnitten der Resistschicht (12; 22) unter den Kanten des Phasenschiebermusters (14a; 25).

2. Verfahren nach Anspruch 1, bei dem das Phasenschiebermuster ein konvexer Abschnitt ist, der im oberen Teil der Resistschicht (12) durch teilweises Entfernen dieses oberen Teils ausgebildet wird.

3. Verfahren nach Anspruch 2, bei dem das teilweise Entfernen des oberen Teils der Resistschicht (12) durch Belichten unter Verwendung einer Maske (13) ausgeführt wird, die über der Resistschicht angeordnet wird.

4. Verfahren nach Anspruch 1, bei dem das Phasenschiebermuster (25) ein Dünnfilmmuster ist, das für Belichtungslicht durchlässig ist und das über der Oberfläche der Resistschicht (22) hergestellt wird.

5. Verfahren nach Anspruch 4, bei dem das Phasenschiebermuster (25) ein Dünnfilmmuster ist, das für Belichtungslicht durchlässig ist und das hergestellt wird, nachdem eine für das Belichtungslicht durchlässige Dünnfilmschicht (23) auf die Oberfläche der Resistschicht (22) auflaminiert wurde.

6. Verfahren nach Anspruch 4, bei dem zwischen der Resistschicht (22) und dem Dünnfilmmuster (25) eine Zwischenschicht (31), die für das Belichtungslicht durchlässig ist und in einem Entwickler für die Resistschicht löslich ist, zusätzlich hergestellt wird.

7. Verfahren nach Anspruch 4, bei dem die Resistschicht (22) aus Novolakharz hergestellt wird, ihre Oberfläche mit einer verdünnten Entwicklungslösung behandelt wird und ein Film, der für die Entwicklungslösung unlöslich ist, dann auf der Oberfläche der Resistschicht hergestellt wird und das Phasenschiebermuster (25) auf dem Film ausgebildet wird, der für die Entwicklungslösung unlöslich ist.

8. Verfahren nach Anspruch 4, bei dem die Resistschicht (22) aus einem Novolakharz hergestellt wird, seine Oberfläche mit Ultraviolettstrahlung bestrahlt wird und dann auf der Oberfläche eine Resistschicht hergestellt wird, die für die Entwicklungslösung unlöslich ist, und das Phasenschiebermuster (25) auf dem für die Entwicklungslösung unlöslichen Film hergestellt wird.

9. Verfahren nach einem der Ansprüche 4 bis 8, bei dem die Herstellung des Phasenschiebermusters (25) durch Belichtung unter Verwendung einer Maske (24) ausgeführt wird, die über der Resistschicht (22) angebracht wird.

10. Verfahren zum Herstellen eines Resistmusters (15; 27) auf einer Oberfläche (11; 21), das folgendes umfasst:

- Herstellen einer Resistschicht (22; 22) auf der Oberfläche (11; 21);

- Herstellen eines für Licht durchlässigen, vorbestimmten Musters (14; 25) in oder über der Resistschicht, wobei Abschnitte (14a; 25) des Musters so ausgebildet sind, dass sie die Phase des darauf einfallenden Lichts hinsichtlich der in benachbarten Abschnitten (14b; 26) wesentlich ändern; und

- Beleuchten des lichtdurchlässigen Musters (14; 25), um dadurch das Resistmuster (15; 27) als Teile der Resistschicht (22; 22) auszubilden, die unter den Kanten des vorbestimmten Musters liegen.

11. Verfahren zum Herstellen eines Resistmusters (15; 27) auf einer Oberfläche (11; 21), das folgendes umfasst:

- Herstellen einer Resistschicht (12; 22) auf der Oberfläche (11; 21);

- Herstellen eines optischen Musters (14; 25) in oder über der Resistschicht; und

- Beleuchten des optischen Musters;

- wobei die Amplitude des Lichts von einer Seite einer diskontinuierlichen Stelle des optischen Musters (14; 25), das auf die Resistschicht (12; 22) fällt, eine wesentlich andere Phase als die Amplitude des Lichts von der anderen Seite der genannten diskontinuierlichen Stelle aufweist, um dadurch ein wesentliches Ausmaß gegenseitiger Löschung des auf die Resistschicht fallenden Lichts im Bereich der diskontinuierlichen Stelle zu erzeugen, um das Resistmuster (15; 27) auszubilden.

12. Vorrichtung mit mindestens einem Bereich, der durch ein Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche hergestellt wurde.