DE69233449T2 - Musterbelichtungsverfahren mit Phasenverschiebung und Maske dafür - Google Patents

Musterbelichtungsverfahren mit Phasenverschiebung und Maske dafür Download PDF

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Description

  • Die vorliegende Erfindung betrifft allgemein Musterbelichtungsverfahren und dafür verwendete Masken, und insbesondere ein Musterbelichtungsverfahren, welches ein Abdeckmuster für den Zweck der Herstellung einer Halbleitervorrichtung bildet, und eine Maske, welche für ein solches Musterbelichtungsverfahren benutzt wird.
  • Zuletzt stiegen die Arbeitsgeschwindigkeit und die Integrationsdichte von Halbleitervorrichtungen deutlich an, und die Größe der Halbleitervorrichtungen wurde demgemäß reduziert. Aus diesem Grund gibt es Bedarf, ein feines Muster zu bilden, das eine Auflösungsgrenze der ein optisches System verwendenden herkömmlichen Musterungsvorrichtung, d.h. die Auflösungsgrenze eines optischen Abbildungssystems zum Beispiel eines Wafer-Schrittschalters übersteigt.
  • Die EP-A-0 395 425 offenbart eine Maske mit einer transparenten Schicht, die bezüglich eines Lichts transparent ist, welches für eine Belichtung verwendet wird, und einer Maskenmusterschicht, welche auf der transparenten Schicht gebildet ist. Wenigstens ein Teil der Maskenmusterschicht ist allein aus einer Phasenverschiebungsschicht zum Durchlassen des Lichts aufgebaut, sodass eine Phasenverschiebung zwischen einer Phase des durch die Phasenverschiebungsschicht durchgelassenen Lichts und einer Phase des durch einen Teil der Maske ohne Phasenverschiebungsschicht durchgelassenen Lichts stattfindet. Ein Maskenherstellungsverfahren sowie ein Musterbildungsverfahren mit der Maske sind ebenso offenbart.
  • Zunächst wird die allgemeine Funktionsweise einer herkömmlichen Verkleinerungsprojektionsbelichtungsvorrichtung unter Bezugnahme auf 1 beschrieben.
  • Ein Licht von einer Lichtquelle wie beispielsweise einer Quecksilberlampe wird auf eine Zwischenmaske 1 gerichtet. Die Zwischenmaske 1 weist ein Zwischenmaskenmuster auf, in welchem eine Lichtsperrschicht 3 aus Chrom (Cr) auf einem Glas substrat 2 gebildet ist, um so ein Loch mit einer rechtwinkligen Form entsprechend der rechtwinkligen Form der Lichtsperrschicht 3 zu belichten. Das Zwischenmaskenmuster wird durch eine Verkleinerungsprojektionslinse 4 reduziert und auf einen Wafer 5 abgebildet, um so einen Positiv-Resist auf dem Wafer 5 zu belichten.
  • 2 ist eine Darstellung zur Erläuterung der Lichtstärke des Belichtungslichts an dem Positiv-Resist. 2(a) zeigt einen Teilquerschnitt der Zwischenmaske 1. 2(b) zeigt die Lichtamplitudenverteilung an dem Positiv-Resist des Wafers 5 für den Fall, dass die Belichtung mittels der Zwischenmaske 1 gemacht wird. 2(c) zeigt die Lichtstärkenverteilung an dem Positiv-Resist des Wafers 5 für den Fall, dass die Belichtung mit der Zwischenmaske 1 gemacht wird.
  • Wenn die Belichtung durch das durch die Zwischenmaske 1 mit der rechtwinkligen Lichtsperrschicht 3 übertragene Licht gemacht wird, hat die Lichtstärkenverteilung an dem Positiv-Resist des Wafers 5 einen negativen Spitzenwert mit einer relativ allmählichen Steigung. Daher ist es mit einer solchen Lichtstärkenverteilung unmöglich, ein feines Muster zu bilden, das eine enge Breite aufweist. Um ein feines Muster zu bilden, das eine enge Breite aufweist, ist es notwendig, die Steigung des negativen Spitzenwertes schärfer als jene der in 2(c) dargestellten Lichtstärkenverteilung zu machen.
  • Falls zum Beispiel das Belichtungslicht eine i-Linie mit einer Wellenlänge von 0,365 μm ist und die numerische Apertur des optischen Systems 0,50 beträgt, beträgt die Auflösungsgrenze etwa 0,4 μm.
  • Die Steigung des negativen Spitzenwertes der in 2(c) dargestellten Lichtstärkenverteilung ist von der Auflösung des optischen Abbildungssystems abhängig. Die Auflösung des optischen Abbildungssystems wird durch die Belichtungswellenlänge, die numerische Apertur, das inkonsistente Leistungsvermögen jeder Person selbst und dergleichen bestimmt.
  • Wenn die herkömmliche Verkleinerungsprojektionsbelichtungsvorrichtung verwendet wird, ist es demgemäß unmöglich, ein feines Loch zu bilden, das die Auflösungsgrenze des optischen Abbildungssystems übersteigt, und es gibt ein Problem dahingehend, dass die herkömmliche Verkleinerungsprojektionsbelichtungsvorrichtung nicht die Mustern der Halbleitervorrichtungen, welche mit verbesserter Integrationsdichte feiner werden, handhaben kann.
  • Um das oben beschriebene Problem zu beseitigen, wurde das so genannte Phasenverschiebungsverfahren vorgeschlagen. Gemäß dem Phasenverschiebungsverfahren , wird die Phase des durch die Zwischenmaske übertragenen Lichts durch eine Phasenverschiebungsschicht verschoben, um so die Auflösung und den Kontrast des belichteten Bildes auf dem Resist zu verbessern.
  • 3 zeigt das optische Abbildungssystem der Verkleinerungsprojektionsbelichtungsvorrichtung und der benutzen Zwischenmaske beim Ausführen des Phasenverschiebungsverfahrens. In 3 sind jene Teile, welche gleich den entsprechenden Teilen in 1 sind, durch die gleichen Bezugsziffern gekennzeichnet und auf eine Beschreibung davon wird verzichtet.
  • In 3 ist statt der in 1 dargestellten Zwischenmaske 1 eine Phasenverschiebungs-Zwischenmaske 6 verwendet. Die Phasenverschiebungs-Zwischenmaske 6 ist aus dem Glassubstrat 2 und einer Phasenverschiebungsschicht 7, welche auf dem Glassubstrat gebildet ist, aufgebaut.
  • 4 ist eine Darstellung zur Erläuterung der Lichtstärke des Belichtungslichts an dem Positiv-Resist, wenn die Phasenverschiebungs-Zwischenmaske 6 verwendet wird. 4(a) zeigt einen Teilquerschnitt der Phasenverschiebungs-Zwischenmaske 6. Das Muster, welches belichtet werden soll, wird durch eine Kante der Phasenverschiebungsschichten 7 gebildet, welche auf dem Glassubstrat 2 der Phasenverschiebungs-Zwischenmaske 6 gebildet ist. Ein durchgelassenes Licht 8', welches durch das Glassubstrat 2 und die Phasenverschiebungsschicht gelaufen ist, besitzt eine Phase, welche um 180° (π) bezüglich eines durchgelassenen Lichts 8, welches nur durch das Substrat 2 gelaufen ist, verschoben ist.
  • 4(b) zeigt die Lichtamplitudenverteilung an dem Resist des Wafers 5, wenn die Belichtung mit der Phasenverschiebungs-Zwischenmaske 6 gemacht wird. Wie dargestellt, wird die Lichtamplitude an einer Stelle des Resists entsprechend der Kante der Phasenverschiebungsschicht 7 zu Null, und die Lichtamplitude ist zu beiden Seiten der Kante stark entgegengerichtet.
  • 4(c) zeigt die Lichtstärkenverteilung an dem Resist des Wafers 5, wenn die Belichtung mit der Phasenverschiebungs-Zwischenmaske 6 gemacht wird. Weil die Lichtstärke proportional zu dem Quadrat der Lichtamplitude ist, wird die Lichtstärke an einer Stelle des Resists entsprechend der Kante der Phasenverschiebungsschicht 7 steil zu Null. Demgemäß ist es möglich, auf dem Resist ein feines Linien- und Raummuster zu bilden, das eine(n) zufriedenstellende(n) Auflösung und Kontrast besitzt.
  • Ein Beispiel eines durch das Phasenverschiebungsverfahren gebildeten feinen Musters wird Bezug nehmend auf 5 beschrieben. 5(a) zeigt eine Draufsicht der Phasenverschiebungs-Zwischenmaske 6, welche eine quadratische Phasenverschiebungsschicht 7 aufweist. 5(b) zeigt ein feines Abdeckmuster 10, welches durch die Kante der Phasenverschiebungsschicht 7 der in 5(a) dargestellten Phasenverschiebungs-Zwischenmaske 6 gebildet ist. Wie in 5(b) dargestellt, ist das feine Abdeckmuster 10 an der Seite des Quadrats, d.h. entlang eines Teils an dem Resist entsprechend der Kante der Phasenverschiebungsschicht 7 ausgebildet.
  • Andererseits kann die Phasenverschiebungsschicht 7 auch in einem Mosaikspeichermuster in Draufsicht angeordnet sein, wie in 6(a) dargestellt. Wenn die Phasenverschiebungs-Zwischenmaske 6 mit der in 6(a) gezeigten Phasenverschiebungsschicht 7 für die Belichtung verwendet wird, ist es möglich, ein Abdeckmuster 10 zu bilden, welches über einen relativ großen Bereich Kanten mit einem feinen Kontrast aufweist, wie in 6(b) dargestellt.
  • Wenn jedoch die oben beschriebene Phasenverschiebungs-Zwischenmaske 6 für die Belichtung verwendet wird, ist es unmöglich, einen durch eine gestrichelte Linie in 5(b) angedeuteten Ausschnitt zu mustern. Mit anderen Worten nimmt die Kante der Phasenverschiebungsschicht 7 unvermeidbar eine geschlossene Kontur (oder Schleife) an und es existiert ein Problem dahingehend, dass die tatsächlichen Muster von integrierten Schaltungen (ICs) mit der Phasenverschiebungs-Zwischenmaske 6 nicht gebildet werden können.
  • Demgemäß wurde, um dieses Problem des Phasenverschiebungsverfahrens zu überwinden, früher ein modifiziertes Verfahren vorgeschlagen, um das Abdeckmuster mit einer Phasenverschiebungs-Zwischenmaske zu bilden, welche zwei Arten von Phasenverschiebungsschichten aufweist, wie in 7 dargestellt. 7(a) zeigt eine Draufsicht des Abdeckmusters, welches auszubilden ist.
  • 7(b) zeigt eine Draufsicht der früher vorgeschlagenen Phasenverschiebungs-Zwischenmaske 6. Diese Phasenverschiebungs-Zwischenmaske 6 besitzt die Phasenverschiebungsschicht 7 zum Verschieben der Phase des Belichtungslichts um 180° (π) an der Kante, welche zur Musterbildung verwendet wird, und eine Phasenverschiebungsschicht 12 zum Verschieben der Phase des Belichtungslichts um 90° (π/2). Diese Phasenverschiebungsschicht 12 ist an einem Teil, wo keine Musterformung gemacht wird, d.h. an einem Teil, wo das Muster nicht auszuschneiden ist, angrenzend an die Phasenverschiebungsschicht 7 vorgesehen. Ein durch Schraffur in 7(b) angegebener Bereich ist der Bereich der Phasenverschiebungsschicht 7, welcher die Phase des Belichtungslichts um 180° verschiebt. Andererseits ist ein durch Punkte in 7(b) angegebener Bereich der Bereich der Phasenverschiebungsschicht 12, welcher die Phase des Belichtungslichts um 90° verschiebt. Nicht markierte Bereiche außer den schraffierten und gepunkteten Bereichen sind die Bereiche des Glassubstrats 2.
  • Durch richtiges Einstellen der Belichtungsbedingungen oder der Entwicklungsbedingung des Resists wird nur die Kante gemustert, die durch die Phasenverschiebungsschicht und das Glassubstrat 2 gebildet ist, wie in 7(c) dargestellt. Andere Teile, d.h. die durch die Phasenverschiebungsschichten 7 und 12 gebildeten Kanten und die durch die Phasenverschiebungsschicht 12 und das Glassubstrat 2 gebildeten Kanten, werden nicht gemustert. Die durch die Phasenverschiebungsschicht 12 und das Glassubstrat 2 gebildete Kante ist durch eine gestrichelte Linie in 7(c) angedeutet.
  • Dieses früher vorgeschlagene modifizierte Phasenverschiebungsverfahren hat jedoch ein Problem dahingehend, dass es in der aktuellen Praxis äußerst schwierig ist, die Phasenverschiebungs-Zwischenmaske 6 mit den Phasenverschiebungsschichten 7 und 12, welche wie oben beschrieben fein geformt sind, zu realisieren. Demgemäß gibt es Bedarf, ein besser durchführbares Phasenverschiebungsverfahren zu reali sieren, welches feine Abdeckmuster bilden kann, und eine zum Ausführen eines solchen Phasenverschiebungsverfahrens geeignete Maske zu realisieren.
  • Diese Aufgabe wird durch die vorliegende Erfindung (Ansprüche 1, 3) gelöst, indem ein Musterbelichtungsverfahren zum Bilden eines vorbestimmten Abdeckmusters auf einem Substrat vorgesehen ist, mit den Schritten (a) des Belichtens einer Abdeckschicht, welche auf dem Substrat gebildet ist, unter Verwendung einer Zwischenmaske, welche ein Muster zum Belichten eines entsprechenden Musters auf der Abdeckschicht mittels einer Phasenverschiebung des durch die Zwischenmaske durchgelassenen Lichts enthält, wobei das Muster der Zwischenmaske durch eine auf einem transparenten Zwischenmaskensubstrat gebildeten Phasenverschiebungsschicht mit einem ersten und einem zweiten Phasenverschiebungsteil definiert ist, und (b) des Entwickelns der Abdeckschicht, sodass das vorbestimmte Abdeckmuster auf dem Substrat gebildet wird, wobei der Schritt (a) das entsprechende Muster auf der Abdeckschicht mittels Kanten des ersten und des zweiten Phasenverschiebungsteils belichtet, der erste Phasenverschiebungsteil eine solche Breite besitzt, dass ein Muster eines geschlossenen Rings durch dessen Kanten belichtet wird, und der zweiten Phasenverschiebungsteil eine engere Breite als jene des ersten Phasenverschiebungsteils besitzt, sodass durch die Kanten davon belichtete Muster in der Form eines Musters einer einzelnen Linie überlappen. Gemäß dem Musterbelichtungsverfahren der vorliegenden Erfindung ist es möglich, extrem feine Abdeckmuster mit verschiedenen Formen zu bilden.
  • Es ist eine weitere Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Maske zur Verwendung bei der Belichtung eines vorbestimmten Musters auf eine Abdeckschicht vorzusehen, welche auf einem Substrat mittels einer Phasenverschiebung des durch die Maske durchgelassenen Lichts gebildet wird, mit einem transparenten Zwischenmaskensubstrat; und einer auf dem transparenten Zwischenmaskensubstrat gebildeten Phasenverschiebungsschicht mit einem ersten und einem zweiten Phasenverschiebungsteil, wobei der erste und der zweite Phasenverschiebungsteil das vorbestimmte Muster, das auf der Abdeckschicht belichtet wird, definierende Kanten aufweisen, der erste Phasenverschiebungsteil eine solche Breite besitzt, dass ein Muster eines geschlossenen Rings durch die Kanten davon belichtet wird, und der zweite Phasenverschiebungsteil eine engere Breite als jene des ersten Phasenverschiebungsteils besitzt, sodass durch die Kanten davon belichtete Muster in der Form eines Musters einer einzelnen Linie überlappen. Gemäß der Maske der vorliegenden Erfindung ist es möglich, extrem feine Abdeckmuster mit verschiedenen Formen zu belichten.
  • Die Aufgabe wird durch die Merkmale von Anspruch 1 bezüglich des Verfahrens und durch die Merkmale von Anspruch 3 bezüglich der Maske gelöst. Anspruch 2 betrifft ein weiteres Ausführungsbeispiel des Verfahrens, während die Ansprüche 4 und 5 Verbesserungen weiterer Ausführungsbeispiele der Maske betreffen.
  • Die Merkmale der vorliegenden Erfindung werden aus der folgenden detaillierten Beschreibung in Zusammenhang mit den beiliegenden Zeichnungen offensichtlich. Darin zeigen:
  • 1 allgemein ein optisches Abbildungssystem einer herkömmlichen Verkleinerungsprojektionsbelichtungsvorrichtung und eine herkömmliche Zwischenmaske;
  • 2 eine Darstellung zur Erläuterung einer Belichtungslichtstärke an einem Resist mit der herkömmlichen Zwischenmaske;
  • 3 allgemein ein optisches Abbildungssystem einer herkömmlichen Verkleinerungsprojektionsbelichtungsvorrichtung mit einem Phasenverschiebungsverfahren und eine herkömmliche Phasenverschiebungs-Zwischenmaske;
  • 4 eine Darstellung zur Erläuterung einer Belichtungslichtstärke an einem Resist der herkömmlichen Phasenverschiebungs-Zwischenmaske;
  • 5 eine Darstellung zur Erläuterung eines durch die herkömmliche Phasenverschiebungs-Zwischenmaske gebildeten Abdeckmusters;
  • 6 eine Darstellung zur Erläuterung eines weiteren durch die herkömmliche Phasenverschiebungs-Zwischenmaske gebildeten Abdeckmusters;
  • 7 eine Darstellung zur Erläuterung eines früher vorgeschlagenen modifizierten Phasenverschiebungsverfahrens mit einer Phasenverschiebungs-Zwischenmaske mit zwei Arten von Phasenverschiebungsschichten;
  • 8 eine Darstellung zur Erläuterung eines ersten Ausführungsbeispiels des Musterbelichtungsverfahrens gemäß der vorliegenden Erfindung;
  • 9 eine Darstellung zur Erläuterung eines zweiten Ausführungsbeispiels des Musterbelichtungsverfahrens gemäß der vorliegenden Erfindung; und
  • 10 eine Darstellung zur Erläuterung eines dritten Ausführungsbeispiels des Musterbelichtungsverfahrens gemäß der vorliegenden Erfindung.
  • Es wird nun ein erstes Ausführungsbeispiel eines Musterbelichtungsverfahrens gemäß der vorliegenden Erfindung Bezug nehmend auf 8 beschrieben.
  • In diesem Ausführungsbeispiel und in den anschließend beschriebenen Ausführungsbeispielen sind Elemente wie beispielsweise der Wafer nicht dargestellt, aber es werden die gleichen Bezugsziffern wie in den zuvor beschriebenen Figuren verwendet.
  • Dieses Ausführungsbeispiel bildet ein T-förmiges Muster auf dem Wafer 5. Zuerst wird ein Positiv-Resist auf dem Wafer 5 gebildet, und eine Phasenverschiebungs-Zwischenmaske 6 mit einer Phasenverschiebungsschicht (Phasenverschiebungsmuster) 7, wie in einer Draufsicht von 8(a) dargestellt, wird für die erste Belichtung verwendet. Die Phasenverschiebungsschicht der Phasenverschiebungs-Zwischenmaske 6 enthält ein enges Teil 7A. Dieses enge Teil 7A besitzt eine solche Breite, dass die durch die Kante des engen Teils 7A erzeugten Muster überlappen und ein Muster einer einzigen Linie bilden.
  • Das Positiv-Resist an anderen Teilen als dem Umfang der Phasenverschiebungsschicht 7 wird durch die erste Belichtung belichtet, und ein in 8(b) dargestelltes Abdeckmuster 42 wird auf dem Wafer 5 gebildet.
  • Dann wird eine Zwischenmaske 14 mit einer Öffnung 16 in einer Lichtsperrschicht 18 davon, wie sie in 8(c) dargestellt ist, für die zweite Belichtung verwendet.
  • Nach der zweiten Belichtung wird das Positiv-Resist entwickelt, wodurch ein T-förmiges Abdeckmuster 42A auf dem Wafer 5 gebildet wird, wie in 8(d) dargestellt. Ein Abdeckmuster 42b, welches durch eine gestrichelte Linie in 8(d) angegeben ist und welches mit der ersten Belichtung belichtet wird, wird nach der zweiten Belichtung und dem Entwicklungsprozess vollständig entfernt.
  • Die in diesem Ausführungsbeispiel verwendete Zwischenmaske 6 bildet ein Ausführungsbeispiel einer Maske gemäß der vorliegenden Erfindung. Diese Zwischenmaske 6 enthält das Phasenverschiebungsmuster 7, welches verwendet wird, um ein enges Linienmuster durch die Kante davon zu bilden, und das enge Teil 7A, welches zum Bilden eines Linienmusters verwendet wird, welches breiter als das durch das Phasenverschiebungsmuster 7 gebildete Linienmuster ist. Mit anderen Worten existieren das Phasenverschiebungsmuster, welches das oben unter Bezugnahme auf 2 beschriebene Konzept verwendet, und das Phasenverschiebungsmuster, welches das oben unter Bezugnahme auf 4 beschriebene Konzept verwendet, nebeneinander auf der Zwischenmaske 6.
  • Falls die Linienbreite des Phasenverschiebungsmusters 7, welches eine relativ große Fläche in 8(a) besitzt, enger als im Fall des engen Teils 7A gemacht würde, würde es unnötig werden, das T-förmige Abdeckmuster durch zwei unabhängige Belichtungen zu bilden. Jedoch verbessert sich die Auflösung des Musters, welches durch die Kante der Phasenverschiebungsmuster gebildet wird, nicht, falls die Breite des Phasenverschiebungsmusters eng ist. Dies ist der Grund, warum in diesem Ausführungsbeispiel die erste und die zweite Belichtung gemacht werden. Falls zum Beispiel die i-Linie als Belichtungslicht verwendet wird und die numerische Apertur NA des optischen Systems zum Beispiel 0,5 beträgt, beträgt die Auflösung des durch die Kante des Phasenverschiebungsmuster gebildeten Musters 0,2 μm. Jedoch beträgt die Auflösung des Phasenverschiebungsmusters, welches nur 0,15 μm ist und eng ist, zum Beispiel nur 0,35 μm. Selbst wenn die Breite des Phasenverschiebungsmusters weiter reduziert wird, würde sich nur der Kontrast verschlechtern und das Muster, welches schwarz sein sollte, würde grau werden. Deshalb ist die Verwendung dieses Ausführungsbeispiels der Maske, d.h. der in 8(a) dargestellten Zwischenmaske 6 bei der Bildung von feinen Abdeckmustern extrem nützlich.
  • Als nächstes wird ein zweites Ausführungsbeispiel des Musterbelichtungsverfahrens gemäß der vorliegenden Erfindung unter Bezugnahme auf 9 beschrieben.
  • Dieses Ausführungsbeispiel bildet ein Muster gestapelter Ziegel auf dem Wafer 5. Zuerst wird ein Negativ-Resist auf dem Wafer 5 gebildet, und eine Phasenverschiebungs-Zwischenmaske 6 mit Phasenverschiebungsschichten (Phasenverschiebungsmustern) 7, wie sie in einer Draufsicht von 9(a) dargestellt sind, wird für die Belichtung verwendet. Die Phasenverschiebungsschicht 7 der Phasenverschiebungs-Zwischenmaske 6 enthält ein enges Teil 7A. Dieses enge Teil 7A besitzt eine solche Breite, dass die durch die Kante des engen Teils 7A erzeugten Muster überlappen und ein Muster einer einzigen Linie bilden. Zusätzlich ist ein Abstand 7B zwischen benachbarten Phasenverschiebungsmustern 7 vorgesehen, sodass die durch die Kanten der benachbarten Phasenverschiebungsmuster 7 erzeugten Muster überlappen und ein Muster einer einzigen Linie bilden.
  • Das Resist an anderen Teilen als dem Umfang der Phasenverschiebungsschicht 7 wird durch die Belichtung belichtet, und ein in 9(b) dargestelltes Abdeckmuster wird auf dem Wafer 5 gebildet, nachdem ein Entwicklungsprozess ausgeführt wird, weil das Negativ-Resist in diesem Ausführungsbeispiel verwendet wird.
  • Die in diesem Ausführungsbeispiel verwendete Zwischenmaske 6 enthält auch das Phasenverschiebungsmuster 7, welches zum Bilden eines Musters einer engen Linie durch die Kante davon verwendet wird, und das enge Teil 7A, welches zum Bilden eines Linienmusters, welches breiter als jenes durch das Phasenverschiebungsmuster 7 gebildete Linienmuster ist, verwendet wird. Mit anderen Worten existieren das Phasenverschiebungsmuster, welches das in 9 der EP 0 395 425 A2 dargestellte Konzept verwendet, und das Phasenverschiebungsmuster, welches das oben unter Bezugnahme auf 4 beschriebene Konzept verwendet, nebeneinander auf der Zwischenmaske 6.
  • Als nächstes wird ein drittes Ausführungsbeispiel des Musterbelichtungsverfahrens gemäß der vorliegenden Erfindung unter Bezugnahme auf 10 beschrieben.
  • Dieses Ausführungsbeispiel bildet auf dem Wafer 5 ein Kurvenmuster gestapelter Ziegel. Zuerst wird ein Negativ-Resist auf dem Wafer 5 gebildet, und eine Phasenverschiebungs-Zwischenmaske 6 mit Phasenverschiebungsschichten (Phasenverschiebungsmustern) 7, wie sie in einer Draufsicht von 10(a) dargestellt ist, wird für die Belichtung verwendet. Die Phasenverschiebungsschicht 7 der Phasenverschiebungs-Zwischenmaske 6 enthält ein enges Teil 7A. Dieses enge Teil 7A besitzt eine solche Breite, dass die durch die Kante des engen Teils 7A erzeugte Muster überlappen und ein Muster einer einzigen Linie bilden. Zusätzlich ist zwischen benachbarten Phasenverschiebungsmustern 7 ein Abstand 7B vorgesehen, sodass die durch die Kanten der benachbarten Phasenverschiebungsmuster 7 erzeugten Muster überlappen und ein Muster einer einzigen Linie bilden.
  • Das Resist an anderen Teilen als dem Umfang der Phasenverschiebungsschicht 7 wird durch die Belichtung belichtet, und ein in 10(b) dargestelltes Abdeckmuster 42 wird auf dem Wafer 5 gebildet, nachdem ein Entwicklungsprozess ausgeführt wird, weil in diesem Ausführungsbeispiel das Negativ-Resist verwendet wird.
  • Die in diesem Ausführungsbeispiel verwendete Zwischenmaske 6 enthält auch das Phasenverschiebungsmuster 7, welches zum Bilden eines engen Linienmusters durch die Kante davon verwendet wird, und das enge Teil 7A, welches zum Bilden eines Linienmusters, welches breiter als das durch das Phasenverschiebungsmuster 7 gebildete Linienmuster ist, verwendet wird. Mit anderen Worten existieren das Phasenverschiebungsmuster, welches das in 9 der EP 0 395 425 A2 gezeigte Konzept verwendet, und das Phasenverschiebungsmuster, welches das oben unter Bezugnahme auf 4 beschriebene Konzept verwendet, nebeneinander auf der Zwischenmaske 6.
  • Die durch das zweite und das dritte Ausführungsbeispiel gebildeten Abdeckmuster sind besonders zur Verwendung während des Herstellungsprozesses zum Beispiel eines dynamischen Direktzugriffsspeichers (DRAM) geeignet, weil der DRAM aktive Bereiche mit den in 10(b) gezeigten Mustern besitzt.
  • In dem zweiten und dem dritten Ausführungsbeispiel wird, falls die Breite der engen Teile 7A und des Abstands 7B zwischen den benachbarten Phasenverschiebungs mustern 7 jeweils 0,15 μm beträgt, die i-Linie als Belichtungslicht verwendet wird und die numerische Apertur NA des optischen Systems 0,5 beträgt, die Breite des Abdeckmusters 42 zu 0,35 μm. Die Obergrenze der Breite des engen Teils 7A und des Abstands 7B sind in diesem Fall 0,3 μm, und die Breite des Abdeckmusters 42 für diesen Obergrenzwert beträgt 0,5 μm. Falls die Breite des engen Teils 7A und des Abstands 7B größer als 0,3 μm sind, würden zwei Spitzen in der entsprechenden Lichtstärkenverteilung existieren und das beabsichtigte Muster kann durch die Phasenverschiebung nicht erhalten werden.
  • Gemäß den ersten bis dritten Ausführungsbeispielen des Musterbelichtungsverfahrens der vorliegenden Erfindung und dem Ausführungsbeispiel der Maske gemäß der vorliegenden Erfindung ist es möglich, Abdeckmuster mit verschiedenen Arten von Formen durch Verwendung der Zwischenmaske 6 zu bilden, auf welcher das Phasenverschiebungsmuster, welches das oben unter Bezugnahme auf 2 beschriebene Konzept verwendet, und das Phasenverschiebungsmuster, welches das oben unter Bezugnahme auf 4 beschriebene Konzept verwendet, nebeneinander existieren.
  • Natürlich ist es in jedem der oben beschriebenen Ausführungsbeispiele möglich, in Abhängigkeit von dem gewünschten Abdeckmuster, welches auf dem Wafer gebildet werden soll, wahlweise Positiv- und Negativ-Resists zu verwenden. Zusätzlich können die erste und die zweite Belichtung in Abhängigkeit von dem Abdeckmuster, welches zu bilden ist, entgegengesetzte Arten von Resists verwenden.

Claims (5)

  1. Musterbelichtungsverfahren zum Bilden eines vorbestimmten Abdeckmusters (42) auf einem Substrat (5), mit den Schritten: (a) Belichten einer Abdeckschicht, welche auf dem Substrat (5) gebildet ist, mit einer Zwischenmaske (61, welche ein Muster zum Belichten eines entsprechenden Musters auf der Abdeckschicht durch Verwendung einer Phasenverschiebung des durch die Zwischenmaske durchgelassenen Lichts enthält, wobei das Muster der Zwischenmaske durch eine auf einer transparenten Zwischenmaskenfläche (2) gebildete Phasenverschiebungsschicht (7) definiert ist und ein erstes und ein zweites Phasenverschiebungsteil (7, 7A) aufweist; und (b) Entwickeln der Abdeckschicht, sodass das vorbestimmte Abdeckmuster (42) auf dem Substrat (5) gebildet wird, dadurch gekennzeichnet, dass der Schritt (a) das entsprechende Muster auf der Abdeckschicht mittels Kanten des ersten und des zweiten Phasenverschiebungsteils (7, 7A) belichtet, wobei der erste Phasenverschiebungsteil (7) eine solche Breite besitzt, dass ein Muster eines geschlossenen Rings durch die Kanten davon belichtet wird, und der zweite Phasenverschiebungsteil (7A) eine engere Breite als der erste Phasenverschiebungsteil (7) besitzt, sodass durch die Kanten davon belichtete Muster in der Form eines Musters einer einzigen Linie (42) überlappen.
  2. Musterbelichtungsverfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass Schritt (a) ein Negativ-Resist als Abdeckschicht verwendet.
  3. Maske (6) zur Verwendung beim Belichten eines vorbestimmten Musters (42) auf einer Abdeckschicht, welche auf einem Substrat (5) unter Verwendung einer Phasenverschiebung des durch die Maske durchgelassenen Lichts gebildet wird, wobei die Maske aufweist: ein transparentes Zwischenmaskensubstrat (2); und eine auf dem transparenten Zwischenmaskensubstrat (2) gebildete Phasenverschiebungsschicht (7), die ein erstes und ein zweites Phasenverschiebungsteil (7, 7A) aufweist, dadurch gekennzeichnet, dass der erste und der zweite Phasenverschiebungsteil (7, 7A) das vorbestimmte Muster (42), welches auf der Abdeckschicht belichtet wird, definierende Kanten aufweisen, wobei der erste Phasenverschiebungsteil (7) eine solche Breite aufweist, dass ein Muster eines geschlossenen Rings durch die Kanten davon belichtet wird, und der zweite Phasenverschiebungsteil (7A) eine engere Breite als der erste Phasenverschiebungsteil (7) aufweist, sodass durch die Kante davon belichtete Muster in der Form eines Musters einer einzigen Linie überlappen.
  4. Maske nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass die Breite des zweiten Phasenverschiebungsteils (7A) maximal 0,3 μm beträgt, wenn ein Belichtungslicht eine i-Linie ist und ein numerisch Apertur eines für die Belichtung verwendeten optischen Systems 0,5 beträgt.
  5. Maske nach Anspruch 3 oder 4, dadurch gekennzeichnet, dass ein Abstand (7B) von zwei einander benachbarten ersten Phasenverschiebungsteilen (7) maximal 0,3 μm beträgt, wenn ein Belichtungslicht eine i-Linie ist und eine numerische Apertur eines für die Belichtung benutzten optischen Systems 0,5 beträgt.
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Families Citing this family (74)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6007324A (en) * 1977-10-23 1999-12-28 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Double layer method for fabricating a rim type attenuating phase shifting mask
US5298365A (en) * 1990-03-20 1994-03-29 Hitachi, Ltd. Process for fabricating semiconductor integrated circuit device, and exposing system and mask inspecting method to be used in the process
JP2864915B2 (ja) * 1992-12-07 1999-03-08 株式会社日立製作所 半導体装置の製造方法
US5362584A (en) * 1993-04-02 1994-11-08 International Business Machines Corporation Phase-shifting transparent lithographic mask for writing contiguous structures from noncontiguous mask areas
JPH0764273A (ja) * 1993-08-27 1995-03-10 Sony Corp 位相シフトマスク
KR970005682B1 (ko) * 1994-02-07 1997-04-18 현대전자산업 주식회사 반도체 소자의 미세패턴 형성방법
JPH08152716A (ja) * 1994-11-28 1996-06-11 Mitsubishi Electric Corp ネガ型レジスト及びレジストパターンの形成方法
KR0158904B1 (ko) * 1994-12-02 1999-02-01 김주용 콘택마스크
KR100211535B1 (ko) * 1995-10-04 1999-08-02 김영환 공정결함 검사 방법을 이용한 반도체소자의 제조방법
KR100223329B1 (ko) * 1995-12-29 1999-10-15 김영환 반도체 소자의 미세 패턴 제조방법
KR100422955B1 (ko) * 1996-08-21 2004-06-12 주식회사 하이닉스반도체 위상시프트마스크
JPH1064788A (ja) * 1996-08-22 1998-03-06 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法と露光用マスク
US6228539B1 (en) 1996-09-18 2001-05-08 Numerical Technologies, Inc. Phase shifting circuit manufacture method and apparatus
US5858580A (en) * 1997-09-17 1999-01-12 Numerical Technologies, Inc. Phase shifting circuit manufacture method and apparatus
DK0927381T3 (da) * 1996-09-18 2004-09-20 Numerical Tech Inc Fremgangsmåde ved fremstilling af et kredslöb ved faseforskydning og indretning til udövelse af fremgangsmåden
US5795685A (en) * 1997-01-14 1998-08-18 International Business Machines Corporation Simple repair method for phase shifting masks
JP3466852B2 (ja) * 1997-02-18 2003-11-17 株式会社東芝 半導体装置の製造方法
US6534242B2 (en) 1997-11-06 2003-03-18 Canon Kabushiki Kaisha Multiple exposure device formation
US6027859A (en) * 1997-12-17 2000-02-22 Advanced Micro Devices, Inc. Semiconductor substrate having extended scribe line test structure and method of fabrication thereof
EP0939343A1 (de) * 1998-02-26 1999-09-01 Canon Kabushiki Kaisha Belichtungsverfahren und Belichtungsgerät
JP3352405B2 (ja) 1998-09-10 2002-12-03 キヤノン株式会社 露光方法及びそれを用いたデバイス製造方法並びに半導体デバイス
WO2000039638A1 (fr) * 1998-12-25 2000-07-06 Nikon Corporation Procede et dispositif de preparation d'un masque
JP3501688B2 (ja) * 1999-07-01 2004-03-02 キヤノン株式会社 露光方法、露光装置、およびデバイス製造方法
US6335128B1 (en) 1999-09-28 2002-01-01 Nicolas Bailey Cobb Method and apparatus for determining phase shifts and trim masks for an integrated circuit
US6466373B1 (en) 1999-10-07 2002-10-15 Siemens Aktiengesellschaft Trimming mask with semitransparent phase-shifting regions
DE10006952C2 (de) * 2000-02-16 2002-05-16 Infineon Technologies Ag Doppelbelichtung für Negativlacksysteme unter Anwendung von chromlosen Phasenmasken
US7323143B2 (en) * 2000-05-25 2008-01-29 President And Fellows Of Harvard College Microfluidic systems including three-dimensionally arrayed channel networks
US6524752B1 (en) 2000-07-05 2003-02-25 Numerical Technologies, Inc. Phase shift masking for intersecting lines
US6681379B2 (en) 2000-07-05 2004-01-20 Numerical Technologies, Inc. Phase shifting design and layout for static random access memory
US7028285B2 (en) 2000-07-05 2006-04-11 Synopsys, Inc. Standard cell design incorporating phase information
US6733929B2 (en) * 2000-07-05 2004-05-11 Numerical Technologies, Inc. Phase shift masking for complex patterns with proximity adjustments
US7083879B2 (en) 2001-06-08 2006-08-01 Synopsys, Inc. Phase conflict resolution for photolithographic masks
US6811935B2 (en) * 2000-07-05 2004-11-02 Numerical Technologies, Inc. Phase shift mask layout process for patterns including intersecting line segments
US6787271B2 (en) * 2000-07-05 2004-09-07 Numerical Technologies, Inc. Design and layout of phase shifting photolithographic masks
US6777141B2 (en) 2000-07-05 2004-08-17 Numerical Technologies, Inc. Phase shift mask including sub-resolution assist features for isolated spaces
US6978436B2 (en) * 2000-07-05 2005-12-20 Synopsys, Inc. Design data format and hierarchy management for phase processing
US6503666B1 (en) 2000-07-05 2003-01-07 Numerical Technologies, Inc. Phase shift masking for complex patterns
US6541165B1 (en) 2000-07-05 2003-04-01 Numerical Technologies, Inc. Phase shift mask sub-resolution assist features
US6866971B2 (en) * 2000-09-26 2005-03-15 Synopsys, Inc. Full phase shifting mask in damascene process
DE10048151B4 (de) 2000-09-28 2009-04-09 Qimonda Ag Verfahren zum lithographischen Strukturieren einer Photoresistschicht
US6539521B1 (en) 2000-09-29 2003-03-25 Numerical Technologies, Inc. Dissection of corners in a fabrication layout for correcting proximity effects
US6901575B2 (en) 2000-10-25 2005-05-31 Numerical Technologies, Inc. Resolving phase-shift conflicts in layouts using weighted links between phase shifters
US6584610B1 (en) 2000-10-25 2003-06-24 Numerical Technologies, Inc. Incrementally resolved phase-shift conflicts in layouts for phase-shifted features
US6622288B1 (en) 2000-10-25 2003-09-16 Numerical Technologies, Inc. Conflict sensitive compaction for resolving phase-shift conflicts in layouts for phase-shifted features
US6728946B1 (en) 2000-10-31 2004-04-27 Franklin M. Schellenberg Method and apparatus for creating photolithographic masks
US6653026B2 (en) 2000-12-20 2003-11-25 Numerical Technologies, Inc. Structure and method of correcting proximity effects in a tri-tone attenuated phase-shifting mask
US6551750B2 (en) 2001-03-16 2003-04-22 Numerical Technologies, Inc. Self-aligned fabrication technique for tri-tone attenuated phase-shifting masks
US6635393B2 (en) 2001-03-23 2003-10-21 Numerical Technologies, Inc. Blank for alternating PSM photomask with charge dissipation layer
US6566019B2 (en) 2001-04-03 2003-05-20 Numerical Technologies, Inc. Using double exposure effects during phase shifting to control line end shortening
US6553560B2 (en) * 2001-04-03 2003-04-22 Numerical Technologies, Inc. Alleviating line end shortening in transistor endcaps by extending phase shifters
US6569583B2 (en) 2001-05-04 2003-05-27 Numerical Technologies, Inc. Method and apparatus for using phase shifter cutbacks to resolve phase shifter conflicts
US6593038B2 (en) 2001-05-04 2003-07-15 Numerical Technologies, Inc. Method and apparatus for reducing color conflicts during trim generation for phase shifters
DE60239401D1 (de) 2001-05-18 2011-04-21 Koninkl Philips Electronics Nv Lithographische methode zur erzeugung eines elements
US6721938B2 (en) 2001-06-08 2004-04-13 Numerical Technologies, Inc. Optical proximity correction for phase shifting photolithographic masks
US6852471B2 (en) * 2001-06-08 2005-02-08 Numerical Technologies, Inc. Exposure control for phase shifting photolithographic masks
US7178128B2 (en) * 2001-07-13 2007-02-13 Synopsys Inc. Alternating phase shift mask design conflict resolution
US6523165B2 (en) 2001-07-13 2003-02-18 Numerical Technologies, Inc. Alternating phase shift mask design conflict resolution
US6664009B2 (en) 2001-07-27 2003-12-16 Numerical Technologies, Inc. Method and apparatus for allowing phase conflicts in phase shifting mask and chromeless phase edges
US20030039893A1 (en) * 2001-08-22 2003-02-27 Jeff Farnsworth Exposed phase edge mask method for generating periodic structures with subwavelength feature
US6684382B2 (en) 2001-08-31 2004-01-27 Numerical Technologies, Inc. Microloading effect correction
US6735752B2 (en) 2001-09-10 2004-05-11 Numerical Technologies, Inc. Modifying a hierarchical representation of a circuit to process features created by interactions between cells
US6738958B2 (en) 2001-09-10 2004-05-18 Numerical Technologies, Inc. Modifying a hierarchical representation of a circuit to process composite gates
US6698007B2 (en) 2001-10-09 2004-02-24 Numerical Technologies, Inc. Method and apparatus for resolving coloring conflicts between phase shifters
US6757886B2 (en) 2001-11-13 2004-06-29 International Business Machines Corporation Alternating phase shift mask design with optimized phase shapes
US6981240B2 (en) 2001-11-15 2005-12-27 Synopsys, Inc. Cutting patterns for full phase shifting masks
US7122281B2 (en) * 2002-02-26 2006-10-17 Synopsys, Inc. Critical dimension control using full phase and trim masks
US6605481B1 (en) 2002-03-08 2003-08-12 Numerical Technologies, Inc. Facilitating an adjustable level of phase shifting during an optical lithography process for manufacturing an integrated circuit
US6704921B2 (en) 2002-04-03 2004-03-09 Numerical Technologies, Inc. Automated flow in PSM phase assignment
US6785879B2 (en) * 2002-06-11 2004-08-31 Numerical Technologies, Inc. Model-based data conversion
US6821689B2 (en) 2002-09-16 2004-11-23 Numerical Technologies Using second exposure to assist a PSM exposure in printing a tight space adjacent to large feature
US7172838B2 (en) * 2002-09-27 2007-02-06 Wilhelm Maurer Chromeless phase mask layout generation
JP4040515B2 (ja) * 2003-03-26 2008-01-30 株式会社東芝 マスクのセット、マスクデータ作成方法及びパターン形成方法
JP4974049B2 (ja) * 2004-02-20 2012-07-11 株式会社ニコン 露光方法、露光装置、並びにデバイス製造方法
JP2006221078A (ja) * 2005-02-14 2006-08-24 Renesas Technology Corp フォトマスク、マスクパターンの生成方法、および、半導体装置のパターンの形成方法

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5656632A (en) * 1979-10-15 1981-05-18 Fujitsu Ltd Manufacture of semiconductor element
JPS5914888B2 (ja) * 1981-04-09 1984-04-06 財団法人半導体研究振興会 パタ−ン形成方法
JPS6015928A (ja) * 1983-07-06 1985-01-26 Mitsubishi Electric Corp パタ−ン形成方法
US4869999A (en) * 1986-08-08 1989-09-26 Hitachi, Ltd. Method of forming pattern and projection aligner for carrying out the same
JPH01248150A (ja) * 1988-03-30 1989-10-03 Hoya Corp 潜像の形成方法
GB8825106D0 (en) * 1988-10-26 1988-11-30 Marconi Co Ltd Radar navigation system
EP0653679B1 (de) * 1989-04-28 2002-08-21 Fujitsu Limited Maske, Verfahren zur Herstellung der Maske und Verfahren zur Musterherstellung mit einer Maske
EP0433467B1 (de) * 1989-12-18 1995-08-16 International Business Machines Corporation Verfahren zur Herstellung von komplementären Mustern zur Exposition von Halbleiterkörpern mit selbsttragenden Masken
EP0464492B1 (de) * 1990-06-21 1999-08-04 Matsushita Electronics Corporation Photomaske, die in der Photolithographie benutzt wird und ein Herstellungsverfahren derselben
KR930008139B1 (en) * 1990-08-30 1993-08-26 Samsung Electronics Co Ltd Method for preparation of pattern

Also Published As

Publication number Publication date
EP0810474B1 (de) 2004-11-24
EP0810475A2 (de) 1997-12-03
EP0534463A3 (de) 1994-03-02
US5364716A (en) 1994-11-15
EP0810474A3 (de) 1998-12-16
EP0534463B1 (de) 2000-09-06
US5472813A (en) 1995-12-05
DE69233449D1 (de) 2004-12-30
KR960010026B1 (ko) 1996-07-25
EP0534463A2 (de) 1993-03-31
DE69231412T2 (de) 2001-04-05
EP0810475A3 (de) 1998-12-16
EP0810474A2 (de) 1997-12-03
DE69231412D1 (de) 2000-10-12

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