DE10352740B4

DE10352740B4 - Hilfsstrukturmerkmale mit einer unter der Auflösung liegenden Größe

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Publication number: DE10352740B4
Application number: DE10352740A
Authority: DE
Inventors: Linda X. Chen; Lawrence Varnerin; Bernhard Liegl
Original assignee: Qimonda AG
Current assignee: Qimonda AG
Priority date: 2002-11-12
Filing date: 2003-11-12
Publication date: 2008-09-25
Anticipated expiration: 2023-11-13
Also published as: US20040091790A1; US7141338B2; DE10352740A1

Abstract

Verfahren zum Reduzieren der Eckenrundung und Bildverkürzung in einem Bild, das auf ein Substrat durch Beleuchten einer photolithographischen Maske und Projizieren von Licht, das durch die photolithographische Maske auf das Substrat hindurchtritt, unter Verwendung eines, optischen Projektionssystems abgebildet wird, wobei die photolithographische Maske eine Maskenstruktur aufweist, die eine Vielzahl von rechteckig geformten Öffnungen (504) zur Bildung von dichten Arraystrukturen als abbildbare Strukturmerkmale (502) mit mindestens einer Ecke und linienförmige Strukturmerkmale (510) umfasst, die in die Maskenstruktur für jede der Öffnungen (504) derart eingefügt werden, dass
– die linienförmigen Strukturmerkmale (510) senkrecht zu den abbildbaren Strukturmerkmalen (502) verlaufen,
– jedes linienförmige Strukturmerkmal (510) benachbarte abbildbare Strukturmerkmale (502) verbindet,
– die Enden der linienförmigen Strukturmerkmale (510) sich von den Ecken der Öffnungen (504) in der dichten Arraystruktur aus erstrecken und
– die linienförmigen Strukturmerkmale (510) eine Linienbreite aufweisen, die geringer ist als eine kleinste Auflösung des optischen...

Description

ALLGEMEINER STAND DER TECHNIK
Die vorliegende Erfindung betrifft photolithographische Prozesse und Masken, wie sie für die Herstellung von Halbleiterbauelementen verwendet werden, und insbesondere photolithographische Prozesse und Masken zum Belichten von submikrometergroßen Strukturmerkmalen auf ein Substrat.
Bei existierenden optisch-photolithographischen Prozessen wird eine photolithographische Maske mit verschiedenen Strukturen, die auf ein Substrat abgebildet werden, von einer Lichtquelle beleuchtet. Das Licht tritt durch die Öffnungen in der Maske hindurch und wird von einer Projektionslinse gesammelt, die die Strukturen der Maske auf einen Wafer oder ein anderes Substrat abbildet, das sich in der Bildprojektionsebene befindet, und zwar in der Regel mit einem vorbestimmten Verkleinerungsverhältnis. Das fokussierte Bild belichtet eine oder mehrere Photoresistschichten, die zuvor auf den Wafer aufgetragen wurden, und der belichtete Resist wird dann mit einer Entwicklerlösung entwickelt. Der Entwickler entfernt, wenn ein positiver Resist verwendet wird, die belichteten Teile der Resistschicht und, wenn ein negativer Resist verwendet wird, die nichtbelichteten Teile des Resist. Dadurch wird die Struktur der Maske im wesentlichen auf den Resist übertragen und kann zum Maskieren nachfolgender Ätz- oder Dotierschritte verwendet werden.
Mit der Einführung neuerer Generationen von dichteren und/oder schnelleren Bauelementen müssen kleinere Strukturmerkmale auf die Oberfläche des Wafers abgebildet werden, was die Grenzen der optischen Photolithographie hinausschiebt. Die optisch-photolithographischen Systeme und die Photoresists müssen in Bereichen mit einem nichtlinearen Verhalten arbeiten, wodurch sich oftmals die Steuerung kriti scher Abmessungen der abgebildeten Strukturmerkmale verschlechtert. Wenn sich die Größen der Strukturmerkmale der Wellenlänge der zum Beleuchten der Maske verwendeten Lichtquelle annähern oder kleiner als diese werden, entstehen außerdem optische Verzerrungen in den abgebildeten Strukturen. Die optischen Verzerrungen verursachen Abweichungen der abgebildeten Strukturkante, die von der Dichte, Größe und Position benachbarter Strukturmerkmale abhängig sind. Die Abweichung der Strukturkante führen oftmals zu einer Kontraktion der Länge einer Linie, die als Linienverkürzung bekannt ist und sowohl einen erhöhten Kontaktwiderstand als auch unterbrochene Verbindungen bewirken kann. Die Abweichungen der Strukturkanten können auch bewirken, daß die Ecken abgebildeter Strukturmerkmale abgerundet werden, was als Eckenrundung bekannt ist und zu unkontrollierten Änderungen des Widerstands entlang kritischer Schaltungswege führen kann.
Ein bekannter Ansatz zur Lösung dieser Probleme besteht darin, die beim Belichten der Maske verwendeten Beleuchtungsbedingungen nachzuführen, wie etwa Nachführen der räumlichen Kohärenz, des Beleuchtungswinkels, des Defokussierungsgrads und der Belichtungszeit. Die optischen Beleuchtungsbedingungen zum Reduzieren der Linienverkürzung und der Eckenrundung sind oftmals nicht die besten Bedingungen für die Auflösung der abgebildeten Strukturmerkmale.
Ein weiterer existierender Ansatz besteht darin, die Maskenvoreinstellung nachzuführen. Die Kanten der Strukturmerkmale auf der Maske werden hinausgeschoben, um die Linienverkürzung oder Eckenrundung in der abgebildeten Struktur auf dem Wafer zu kompensieren. Mit wachsender Dichte von Bauelementen und weiterem Schrumpfen der Größe der Strukturmerkmale existiert jedoch oftmals nicht genügend Raum zwischen benachbarten Strukturmerkmalen auf der Maske, daß die Kanten so erweitert werden können, daß diese Abweichungen ausreichend kompensiert werden.
Ein weiterer bekannter Ansatz besteht darin, zu der Maskenstruktur als Serifen bekannte Formen hinzuzufügen, damit in den Bereichen, in denen eine Linienverkürzung oder Eckenrundung auftritt, Licht hinzugefügt oder subtrahiert wird, was die Verkürzung oder Rundung kompensiert. Diese Technik ist jedoch mit dem Nachteil verbunden, daß die Serifen sehr klein sind und die Untersuchung und das Beschreiben der Maske dadurch sehr schwierig wird. Außerdem erfordert jedes Strukturmerkmal möglicherweise mehrere Serifen, wodurch die Daten, die in einem System zum Beschreiben der Masken beim Vorbereiten einer derartigen Maske gespeichert werden müssen, stark zunehmen. Außerdem verliert die Verwendung von Serifen an Effektivität, wenn die Größen der Strukturmerkmale abnehmen.
Eine weitere bekannte Alternative wird in dem US 16,451,490 B1 mit dem Titel „Method To Overcome Image Shortening By Use Of Sub-Resolution Reticle Features" von W. H. Advocate et al. beschrieben, dessen Offenbarung durch Bezugnahme hier aufgenommen ist. Um das Problem der Bildverkürzung von dichten Arraystrukturen zu lösen, werden Strukturmerkmale zur Maskenstruktur hinzugefügt, die kleiner sind als die Auflösungsfähigkeit des photolithographischen Systems und die als Strukturmerkmale mit einer unter der Auflösung liegenden Größe („sub-resolution features”) bekannt sind, und senkrecht zu mindestens einem Strukturmerkmal der dichten Arraystruktur orientiert sind. Die Strukturmerkmale mit einer unter der Auflösung liegenden Größe weisen eine Breite auf, die geringer ist als die des Strukturmerkmals der Arraystruktur und lassen sich nicht auf den Wafer belichten. Die gezeigten Strukturmerkmale mit einer unter der Auflösung liegenden Größe liegen jedoch entweder in den Räumen, zwischen den Strukturmerkmalen der dichten Arraystruktur oder halbieren diese Strukturmerkmale und reduzieren deshalb die Eckenrundung nicht wesentlich und sind nicht optimal angeordnet, um die Linienverkürzung zu minimieren.
Aus der US 5,707,765 A sowie aus der US 5,827,623 A sind jeweils Verfahren zum Reduzieren der Eckenrundungen und Bildverkürzungen in einem Bild bekannt, das auf ein Substrat durch Beleuchten einer photolithographischen Maske und durch Projizieren von Licht, dass durch die photolithographische Maske auf das Substrat hindurchtritt, unter Verwendung eines optischen Projektionssystems abgebildet wird. Zusätzlich zu abbildbaren Strukturelementen sind in den Maskenzusätzliche Serifen vorgesehen, die eine bessere Abbildungstreue gewährleisten. Diese Serifen erfordern jedoch innerhalb eines Arraymusters zusätzlichen Platz zwischen abbildbaren Strukturen.
Aus der US 5,725,973 A sind eine Photomaske und ein Verfahren zum Herstellen einer Photomaske bekannt, welche eine bessere Abbildung durch Unterdrückung des Annäherungseffektes ermöglichen. Es werden optische Durchlässigkeitssteuermuster in Durchlassbereichen zwischen einzelnen Abschnitten einer undurchlässigen Maskenstruktur angeordnet, um eine verbesserte Übertragung der Maskenstruktur auf ein Substrat zu ermöglichen.
Es ist deshalb wünschenswert, auch bei dichten Arraystrukturen die Linienverkürzung oder Eckenrundung in einem abgebildeten, Strukturmerkmal zu reduzieren.
Erfindungsgemäß werden die Probleme der Linienverkürzung und Eckenrundung bei dichten Arraystrukturen durch ein Verfahren nach den Ansprüchen 1, 5 und 9 sowie durch eine photolithographische Maske gemäß Anspruch 13 gelöst.
KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
1A ist ein Diagramm, das eine Draufsicht auf eine bekannte photolithographische Maskenstruktur zeigt.
1B ist ein Diagramm, das einen Teil der Maskenstruktur von 1A ausführlicher zeigt.
2 ist ein Diagramm, das eine mit der Maskenstruktur von 1A auf ein Substrat abgebildete Struktur unter Bezugnahme auf die Maskenstruktur veranschaulicht.
3A ist ein Diagramm, das eine Draufsicht auf eine Maskenstruktur zeigt, die Strukturmerkmale mit einer unter der Auflösung liegenden Größe umfaßt.
3B ist ein Diagramm, das einen Teil der Maskenstruktur von 3A ausführlicher zeigt.
4 ist ein Diagramm, das unter Verwendung der Maskenstruktur von 3A eine auf ein Substrat abgebildete Struktur unter Bezugnahme auf die Maskenstruktur veranschaulicht.
5A ist ein Diagramm, das eine Draufsicht auf eine photolithographische Maskenstruktur zeigt, bei der Strukturmerkmale mit einer unter der Auflösung liegenden Größe gemäß eines Aspekts der Erfindung aufgenommen sind.
5B ist ein Diagramm, das einen Teil der Maskenstruktur von 5A ausführlicher zeigt.
6 ist ein Diagramm, das eine mit der Maskenstruktur von 5A auf ein Substrat abgebildete Struktur unter Bezugnahme auf die Maskenstruktur veranschaulicht.
AUSFÜHRLICHE BESCHREIBUNG
1A zeigt ein Beispiel für einen Teil einer photolithographischen Maske zum Belichten einer dichten Arraystruktur 100, wie etwa einer Struktur tiefer Gräben (DT). Die Maskenstruktur enthält mehrere klare, rechteckig geformte Öffnungen 102, die in einem undurchsichtigen oder teildurchlässigen Material so ausgebildet sind, daß jede der Öffnungen von einem undurchsichtigen oder teildurchlässigen Rand 104 umgeben ist. 1B veranschaulicht ausführlicher das eine der Öffnungen 102 umgebende Maskengebiet.
Wenn die Strukturen auf der Maske Abmessungen aufweisen, die sich zum Belichten von Strukturmerkmalen mit Submikrometer-Größe eignen, sind die auf das Substrat abgebildeten Strukturmerkmale oftmals anfällig für Linienverkürzung oder Ekkenrundung. Um derartige optische Verzerrungen zu kompensieren, muß die Struktur der tiefen Gräben verlängert werden. Um beispielsweise Strukturen tiefer Gräben mit einer gewünschten Länge von 240 nm und einer gewünschten Breite von 120 nm zu belichten, muß die Maskenstruktur auf eine Länge von 384 nm verlängert werden.
2 stellt ein Beispiel für unter Verwendung einer derartigen kompensierten Maske abgebildete Strukturmerkmale dar. Zur Veranschaulichung ist ein abgebildetes Strukturmerkmal 202 mit der ihm überlagerten tatsächlichen Maskenstruktur 200 gezeigt.
Die Länge des abgebildeten Strukturmerkmals 202 ist wesentlich geringer als die Länge der zum Belichten des Strukturmerkmals verwendeten Maskenstruktur. Wenn beispielsweise ein tiefer Graben mit 120 nm Breite und 240 nm Länge gewünscht wird und die Struktur unter Verwendung einer Maske mit einer kompensierten Länge von 384 nm belichtet wird, ist das tatsächlich abgebildete Strukturmerkmal 70 nm kürzer als die Sollänge. Weiterhin sind die Ecken des abgebildeten Strukturmerkmals 202, wie bei den Ecken 204 gezeigt, gerundet. Das Ausmaß der Linienverkürzung und der Eckenrundung läßt sich ebenfalls nicht leicht steuern.
Obwohl zur Reduzierung der Linienverkürzung und Eckenrundung möglicherweise eine zusätzliche Kompensation der Länge und Breite gewünscht wird, liegen die Muster der tiefen Gräben oftmals zu nahe beieinander, als daß eine zusätzliche Verbreiterung oder Verlängerung der Maskenöffnungen möglich wäre.
Um diese Probleme anzusprechen, umfaßt die Maskenstruktur Strukturmerkmale mit einer unter der Auflösung liegenden Größe, die schmaler sind als die Auflösungsgrenze des Belichtungssystems, in dem die Maske verwendet wird. 3A zeigt ein Beispiel für ein Gebiet einer Maskenstruktur, in die derartige linienförmige Strukturmerkmale mit einer unter der Auflösung liegenden Größe integriert sind. Die Maskenstruktur enthält eine dichte Arraystruktur 300, die Öffnungen 302 umfasst, die mit einem undurchsichtigen Material oder einem teildurchlässigen Material gebildet sind, wie sie bei AttPSM (attenuated Phase shift masks) oder AltPSM (alternating Phase shift masks) verwendet werden, so daß die Öffnungen 302 von einem Rand 304 umgeben. sind, wie etwa zur Ausbildung von Strukturen mit tiefen Gräben. Um die oben beschriebenen Effekte der Linienverkürzung und Eckenrundung zu kompensieren, werden in der Nähe der Ekken der Öffnungen 302 linienförmige Strukturmerkmale mit einer unter der Auflösung liegenden Größe aufgenommen. Die linienförmigen Strukturmerkmale mit einer unter der Auflösung liegenden Größe gestatten das Durchtreten von Licht durch die Maske in der Nähe der Ecken, und das Licht wird auf das Substrat projiziert, um die Effekte der Linienverkürzung und Eckenrundung zu reduzieren. 3B zeigt vergrößert das Gebiet, das eine der in 3A gezeigten Öffnungen umgibt.
4 stellt ein Beispiel für ein Strukturmerkmal 402 dar, das unter Verwendung eines optischen Projektionssystems auf ein Substrat belichtet worden ist, und zeigt einen Teil einer Maskenstruktur 400, der zu Bezugszwecken diesem überlagert ist. Die abgebildete Struktur 402 ist eine genauere Reproduktion der Form der in den 3A bis 3B gezeigten Maskenöffnung 302 als die in 2 gezeigte abgebildete Struktur 202. Auch sind die Effekte der Linienverkürzung und der Eckenrundung wesentlich reduziert. Beispielsweise beträgt, wenn eine Maskenstruktur verwendet wird, die so dimensioniert ist, daß Strukturmerkmale mit tiefen Gräben mit einer Länge von 240 nm und einer Breite von 120 nm belichtet werden, die Linienverkürzung des tatsächlichen abgebildeten Strukturmerkmals 44 nm, während die Linienverkürzung in dem in 2 gezeigten abgebildeten Strukturmerkmal 202 70 nm beträgt.
5A und 5B zeigen eine Ausführungsform der Erfindung, bei der Strukturmerkmale mit einer unter der Auflösung liegenden Größe derart in einer Maskenstruktur 500 angeordnet sind, daß sich die Enden der linienförmigen Strukturmerkmale von den Ecken der Öffnungen in der dichten Arraystruktur aus erstrecken und somit die Ecken eliminieren.
Die Maskenstruktur 500 enthält Öffnungen 504 und einen undurchlässigen oder teildurchlässigen Rand 502, wie etwa zum Ausbilden von Strukturen mit tiefen Gräben. Die linienförmigen Strukturmerkmale 510 mit einer unter der Auflösung liegenden Größe können sich von einer Öffnung zu einer benachbarten Öffnung erstrecken. Wenn zum Beispiel Strukturen eines tiefen Grabens mit einer Länge von 240 nm und einer Breite von 120 nm gewünscht werden, können 50 nm breite Hilfsstrukturmerkmale mit einer unter der Auflösung liegenden Größe integriert werden.
6 veranschaulicht ein Beispiel für ein Strukturmerkmal 602, das mit der in den 5A und 5B gezeigten Maskenstruktur unter Verwendung eines optischen Projektionssystems auf ein Substrat belichtet wurde. Ein Teil der Maskenstruktur 600 ist zur Bezugnahme diesem überlagert dargestellt. Das abgebildete Strukturmerkmal 602 weist im Vergleich zu den in 2 und 4 gezeigten abgebildeten Strukturen eine wesentlich geringere Linienverkürzung auf. Wenn zum Beispiel Strukturen eines tiefen Grabens mit einer Breite von 120 nm und einer Länge von 240 nm gewünscht werden, wird die Linienverkürzung auf etwa 25 nm reduziert. Dadurch können solche Strukturmerkmale unter Verwendung geringerer Maskenkompensationen, abgebildet werden, wie etwa durch Verwendung einer Maske mit nur 290 nm langen Öffnungen. Zudem wird auch die Eckenrundung erheblich reduziert.
Die Strukturmerkmale der Erfindung mit einer unter der Auflösung liegenden Größe reduzieren die Linienverkürzung und die Eckenrundung und dienen auch als Hilfsstrukturmerkmale. Die Strukturmerkmale mit einer unter der Auflösung liegenden Größe verbessern außerdem die Wiederholbarkeit des Belichtungsprozesses und gestatten eine stärkere Einhaltung der kritischen Größen.
Wenn die Strukturmerkmale mit einer unter der Auflösung liegenden Größe die Ecken des abbildbaren Strukturmerkmals ersetzen, kann zudem auch die Eckenrundung der eigentlichen Maske reduziert werden. Dadurch wird auch die Wiederholbarkeit von Maske zu Maske bei der Maskenherstellung stark verbessert.
Wenn die Struktur auf die Maske geschrieben wird, dann können auch in die Maskenstrukturdaten ohne weiteres Daten aufgenommen werden, die das Strukturmerkmal mit einer unter der Auflösung liegenden Größe darstellen, ohne daß die insgesamt benötigten Daten wesentlich zunehmen. Weiterhin werden die linienförmigen Strukturmerkmale dargestellt, indem Linien und Räume hinzugefügt werden, anstatt daß Darstellungen neuer Arten von Strukturmerkmalen aufgenommen werden, wie etwa, wenn Serifen aufgenommen werden. Weiterhin kann die Maske leichter auf Fehler hin untersucht werden, als dies möglich ist, wenn Serifen aufgenommen werden.
Wenngleich die obigen Ausführungsformen der Erfindung als Beispiel eine Struktur eines tiefen Grabensverwenden, läßt sich die Erfindung auch auf andere sich wiederholende Strukturen anwenden. Zum Beispiel läßt sich die Erfindung auch auf Maskenstrukturen für Kontaktfenster sowie auf Maskenstrukturen für Linien-Spalten-Strukturmerkmale anwenden.

Claims

Verfahren zum Reduzieren der Eckenrundung und Bildverkürzung in einem Bild, das auf ein Substrat durch Beleuchten einer photolithographischen Maske und Projizieren von Licht, das durch die photolithographische Maske auf das Substrat hindurchtritt, unter Verwendung eines, optischen Projektionssystems abgebildet wird, wobei die photolithographische Maske eine Maskenstruktur aufweist, die eine Vielzahl von rechteckig geformten Öffnungen (504) zur Bildung von dichten Arraystrukturen als abbildbare Strukturmerkmale (502) mit mindestens einer Ecke und linienförmige Strukturmerkmale (510) umfasst, die in die Maskenstruktur für jede der Öffnungen (504) derart eingefügt werden, dass – die linienförmigen Strukturmerkmale (510) senkrecht zu den abbildbaren Strukturmerkmalen (502) verlaufen, – jedes linienförmige Strukturmerkmal (510) benachbarte abbildbare Strukturmerkmale (502) verbindet, – die Enden der linienförmigen Strukturmerkmale (510) sich von den Ecken der Öffnungen (504) in der dichten Arraystruktur aus erstrecken und – die linienförmigen Strukturmerkmale (510) eine Linienbreite aufweisen, die geringer ist als eine kleinste Auflösung des optischen Projektionssystems.
Verfahren nach Anspruch 1, bei dem die linienförmigen Strukturmerkmale (510) und die abbildbaren Strukturmerkmale (502) Öffnungen sind, die mindestens in einem undurchlässigen Bereich oder einem teildurchlässigen Bereich oder einem Bereich zur Phasenverschiebung der Maske ausgebildet sind.
Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 2, bei dem der Schritt des Einfügens das Einfügen mehrerer der linienförmigen Strukturmerkmale umfasst, die jeweils an einer entsprechenden Ecke eines abbildbaren Strukturmerkmals angeordnet sind.
Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 2, bei dem jedes linienförmige Strukturmerkmal und jedes abbildbare Strukturmerkmal Teil einer in der Maske ausgebildeten dichten Arraystruktur sind.
Verfahren zum Abbilden eines Strukturmerkmals auf ein Substrat unter Verwendung eines optischen Projektionssystems, wobei das Verfahren Folgendes umfasst: Bestrahlen einer photolithographischen Maske unter Verwendung einer Lichtquelle, wobei die photolithographische Maske eine Maskenstruktur aufweist, die eine Vielzahl von rechteckig geformten Öffnungen (504) zur Bildung von dichten Arraystrukturen als abbildbare Strukturmerkmale (502) mit mindestens einer Ecke und linienförmige Strukturmerkmale (510) umfasst, die in die Maskenstruktur für jede der Öffnungen derart eingefügt werden, dass – die linienförmigen Strukturmerkmale (510) senkrecht zu den abbildbaren Strukturmerkmalen (502) verlaufen, – jedes linienförmige Strukturmerkmal, (510) benachbarte abbildbare Strukturmerkmale (502) verbindet, – die Enden der linienförmigen Strukturmerkmale (510) sich von den Ecken der Öffnungen in der dichten Arraystruktur aus erstrecken und – die linienförmigen Strukturmerkmale (510) eine Linienbreite aufweisen, die geringer ist als eine kleinste Auflösung des optischen Projektionssystems; und – Projizieren von Licht, das durch die photolithographische Maske hindurchtritt, auf das Substrat unter Verwendung des optischen Projektionssystems.
Verfahren nach Anspruch 5, bei den die linienförmigen Strukturmerkmale (510) und die abbildbaren Strukturmerkmale (502) Öffnungen sind, die mindestens in einem undurchlässigen Bereich oder einem teildurchlässigen Bereich oder einem Bereich zur Phasenverschiebung der Maske gebildet sind.
Verfahren nach einem der Ansprüche 5 bis 6, bei dem die Maske mehrere der linienförmigen Strukturmerkmale (510) umfasst, die jeweils an einer entsprechenden Ecke eines abbildbaren Strukturmerkmals (502) angeordnet sind.
Verfahren nach einem der Ansprüche 5 bis 7, wobei jedes linienförmige Strukturmerkmal (510) und jedes abbildbare Strukturmerkmal (502) Teil einer dichten Arraystruktur sind, die in der Maske gebildet wird.
Verfahren zum Ausbilden einer photolithographischen Maske zur Verwendung in einem optischen Projektionssystem, wobei das Verfahren Folgendes umfasst: Bereitstellen einer Maskenstruktur, die eine Vielzahl von rechteckig geformten Öffnungen (504) zur Bildung von dichten Arraystrukturen als abbildbare Strukturmerkmale mit mindestens einer Ecke umfasst; und Einfügen linienförmiger Strukturmerkmale (510) in die Maskenstruktur für jede der Öffnungen (504) derart, dass – die linienförmigen Strukturmerkmale (510) senkrecht zu den abbildbaren Strukturmerkmalen (502) verlaufen, – die linienförmigen Strukturmerkmale benachbarte abbildbare Strukturmerkmale verbinden, – die Enden der linienförmigen Strukturmerkmale (510) sich von den Ecken der Öffnungen (504) in der dichten Arraystruktur aus erstrecken und – die linienförmigen Strukturmerkmale (510) eine Linienbreite aufweisen, die geringer ist als eine kleinste Auflösung des optischen Projektionssystems.
Verfahren nach Anspruch 9, bei dem die linienförmigen Strukturmerkmale (510) und die abbildbaren Strukturmerkmale (502) Öffnungen (504) sind, die mindestens in einem undurchlässigen Bereich oder einem teildurchlässigen Bereich oder einem Bereich zur Phasenverschiebung der Maske ausgebildet sind.
Verfahren nach einem der Ansprüche 9 bis 10, bei dem der Schritt des Einfügens das Einfügen mehrerer der linienförmigen Strukturmerkmale (510) umfasst, die jeweils an einer entsprechenden Ecke eines abbildbaren Strukturmerkmals (502) angeordnet sind.
Verfahren nach einem der Ansprüche 9 bis 11, bei dem jedes linienförmige Strukturmerkmal (510) und jedes abbildbare Strukturmerkmal (502) Teil einer dichten Arraystruktur sind, die in der Maske gebildet wird.
Photolithographische Maske zur Verwendung in einem optischen Projektionssystem, wobei die photolithographische Maske eine Maskenstruktur aufweist, die eine Vielzahl von rechteckig geformten Öffnungen zur Bildung von dichten Arraystrukturen als abbildbare Strukturmerkmale mit mindestens einer Ecke und linienförmige Strukturmerkmale umfasst, die in die Maskenstruktur für jede der Öffnungen (504) derart eingefügt sind, dass – die linienförmigen Strukturmerkmale (510) senkrecht zu den abbildbaren Strukturmerkmalen (502) verlaufen, – jedes linienförmige Strukturmerkmal (510) benachbarte abbildbare Strukturmerkmale (502) verbindet, – die Enden der linienförmigen Strukturmerkmale (510) sich von den Ecken der Öffnungen (504) in der dichten Arraystruktur aus erstrecken und – die linienförmigen Strukturmerkmale (510) eine Linienbreite aufweisen, die geringer ist als eine kleinste Auflösung des optischen Projektionssystems.
Photolithographische Maske nach Anspruch 13, bei der die linienförmigen Strukturmerkmale (510) und die abbildbaren Strukturmerkmale (502) Öffnungen (504) sind, die mindestens in einem undurchlässigen Bereich oder einem teildurchlässigen Bereich oder einem Bereich zur Phasenverschiebung der Maske ausgebildet sind.
Photolithographische Maske nach einem der Ansprüche 13 bis 14, bei der die Maske mehrere der linienförmigen Strukturmerkmale (510) umfasst, die jeweils an einer entsprechenden Ecke eines abbildbaren Strukturmerkmals (502) angeordnet sind.
Photolithographische Maske nach einem der Ansprüche 13 bis 15, bei der jedes linienförmige Strukturmerkmal (510) und jedes abbildbare Strukturmerkmal (502) Teil einer in der Maske ausgebildeten dichten Arraystruktur sind.