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ALLGEMEINER
STAND DER TECHNIK
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Die vorliegende Erfindung betrifft
photolithographische Prozesse und Masken, wie sie für die Herstellung
von Halbleiterbauelementen verwendet werden, und insbesondere photolithographische
Prozesse und Masken zum Belichten von submikrometergroßen Strukturmerkmalen
auf ein Substrat.
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Bei existierenden optisch-photolithographischen
Prozessen wird eine photolithographische Maske mit verschiedenen
Strukturen, die auf ein Substrat abgebildet werden, von einer Lichtquelle
beleuchtet. Das Licht tritt durch die Öffnungen in der Maske hindurch
und wird von einer Projektionslinse gesammelt, die die Strukturen
der Maske auf einen Wafer oder ein anderes Substrat abbildet, das
sich in der Bildprojektionsebene befindet, und zwar in der Regel
mit einem vorbestimmten Verkleinerungsverhältnis. Das fokussierte Bild
belichtet eine oder mehrere Photoresistschichten, die zuvor auf
den Wafer aufgetragen wurden, und der belichtete Resist wird dann
mit einer Entwicklerlösung
entwickelt. Der Entwickler entfernt, wenn ein positiver Resist verwendet wird,
die belichteten Teile der Resistschicht und, wenn ein negativer
Resist verwendet wird, die nichtbelichteten Teile des Resist. Dadurch
wird die Struktur der Maske im wesentlichen auf den Resist übertragen
und kann zum Maskieren nachfolgender Ätz- oder Dotierschritte verwendet
werden.
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Mit der Einführung neuerer Generationen von
dichteren und/oder schnelleren Bauelementen müssen kleinere Strukturmerkmale
auf die Oberfläche
des Wafers abgebildet werden, was die Grenzen der optischen Photolithographie
hinausschiebt. Die optisch-photolithographischen Systeme und die
Photoresist müssen
in Bereichen mit einem nichtlinearen Verhalten arbeiten, wodurch
sich oftmals die Steuerung kriti scher Abmessungen der abgebildeten Strukturmerkmale
verschlechtert. Wenn sich die Größen der
Strukturmerkmale der Wellenlänge
der zum Beleuchten der Maske verwendeten Lichtquelle annähern oder
kleiner als diese werden, entstehen außerdem optische Verzerrungen
in den abgebildeten Strukturen. Die optischen Verzerrungen verursachen Abweichungen
der abgebildeten Strukturkante, die von der Dichte, Größe und Position
benachbarter Strukturmerkmale abhängig sind. Die Abweichung der
Strukturkante führen
oftmals zu einer Kontraktion der Länge einer Linie, die als Linienverkürzung bekannt
ist und sowohl einen erhöhten
Kontaktwiderstand als auch unterbrochene Verbindungen bewirken kann.
Die Abweichungen der Strukturkanten können auch bewirken, daß die Ecken
abgebildeter Strukturmerkmale abgerundet werden, was als Eckenrundung
bekannt ist und zu unkontrollierten Änderungen des Widerstands entlang
kritischer Schaltungswege führen
kann.
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Ein bekannter Ansatz zur Lösung dieser
Probleme besteht darin, die beim Belichten der Maske verwendeten
Beleuchtungsbedingungen nachzuführen,
wie etwa Nachführen
der räumlichen
Kohärenz, des
Beleuchtungswinkels, des Defokussierungsgrads und der Belichtungszeit.
Die optischen Beleuchtungsbedingungen zum Reduzieren der Linienverkürzung und
der Eckenrundung sind oftmals nicht die besten Bedingungen für die Auflösung der
abgebildeten Strukturmerkmale.
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Ein weiterer existierender Ansatz
besteht darin, die Maskenvoreinstellung nachzuführen. Die Kanten der Strukturmerkmale
auf der Maske werden hinausgeschoben, um die Linienverkürzung oder Eckenrundung
in der abgebildeten Struktur auf dem Wafer zu kompensieren. Mit
wachsender Dichte von Bauelementen und weiterem Schrumpfen der Größe der Strukturmerkmale
existiert jedoch oftmals nicht genügend Raum zwischen benachbarten
Strukturmerkmalen auf der Maske, daß die Kanten so erweitert werden
können,
daß diese
Abweichungen ausreichend kompensiert werden.
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Ein weiterer bekannter Ansatz besteht
darin, zu der Maskenstruktur als Serifen bekannte Formen hinzuzufügen, damit
in den Bereichen, in denen eine Linienverkürzung oder Eckenrundung auftritt,
Licht hinzugefügt
oder subtrahiert wird, was die Verkürzung oder Rundung kompensiert.
Diese Technik ist jedoch mit dem Nachteil verbunden, daß die Serifen sehr
klein sind und die Untersuchung und das Beschreiben der Maske dadurch
sehr schwierig wird. Außerdem
erfordert jedes Strukturmerkmal möglicherweise mehrere Serifen,
wodurch die Daten, die in einem System zum Beschreiben der Masken
beim Vorbereiten einer derartigen Maske gespeichert werden müssen, stark
zunehmen. Außerdem
verliert die Verwendung von Serifen an Effektivität, wenn
die Größen der
Strukturmerkmale abnehmen.
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Eine weitere bekannte Alternative
wird in dem US-Patent Nr. 6,451,490 B1 mit dem Titel „Method
To Overcome Image Shortening By Use Of Sub-Resolution Reticle Features" von W. H. Advocate
et al. beschrieben, dessen Offenbarung durch Bezugnahme hier aufgenommen
ist. Um das Problem der Bildverkürzung
von dichten Arraystrukturen zu lösen,
werden Strukturmerkmale zur Maskenstruktur hinzugefügt, die
kleiner sind als die Auflösungsfähigkeit
des photolithographischen Systems und die als Strukturmerkmale mit
einer unter der Auflösung
liegenden Größe („sub-resolution
features") bekannt sind,
und senkrecht zu mindestens einem Strukturmerkmal der dichten Arraystruktur
orientiert sind. Die Strukturmerkmale mit einer unter der Auflösung liegenden
Größe weisen
eine Breite auf, die geringer ist als die des Strukturmerkmals der
Arraystruktur und lassen sich nicht auf den Wafer belichten. Die
gezeigten Strukturmerkmale mit einer unter der Auflösung liegenden
Größe liegen
jedoch entweder in den Räumen
zwischen den Strukturmerkmalen der dichten Arraystruktur oder halbieren
diese Strukturmerkmale und reduzieren deshalb die Eckenrundung nicht
wesentlich und sind nicht optimal angeordnet, um die Linienverkürzung zu
minimieren.
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Es ist deshalb wünschenswert, die Linienverkürzung oder
Eckenrundung in einem abgebildeten Strukturmerkmal so zu reduzieren,
daß die
obigen Nachteile vermieden werden.
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KURZE BESCHREIBUNG
DER ERFINDUNG
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Die vorliegende Erfindung löst die Probleme der
Linienverkürzung
und Eckenrundung, indem sie Strukturmerkmale mit einer unter der
Auflösung
liegenden Größe anstelle
der Ecken oder in unmittelbarer Nähe zu den Ecken des Strukturmerkmals
einfügt.
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Gemäß eines Aspekts der Erfindung
wird die Eckenrundung und die Bildverkürzung bei einem Bild erheblich
reduziert, das auf ein Substrat belichtet wird, indem eine photolithographische
Maske beleuchtet und durch diese hindurchtretendes Licht unter Verwendung
eines optischen Projektionssystems auf das Substrat projiziert wird.
Die photolithographische Maske weist eine Maskenstruktur auf, die
mindestens ein abbildbares Strukturmerkmal mit mindestens einer
Ecke enthält.
Mindestens ein der Ecke des abbildbaren Strukturmerkmals entsprechendes linienförmiges Strukturmerkmal
wird in die Maskenstruktur aufgenommen. Das linienförmige Strukturmerkmal
befindet sich mindestens in unmittelbarer Nähe zu der entsprechenden Ecke
des abbildbaren Strukturmerkmals und weist eine Linienbreite auf,
die geringer ist als eine kleinste Auflösung des optischen Projektionssystems.
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Gemäß eines weiteren Aspekts der
Erfindung wird mit einem optischen Projektionssystem ein Strukturmerkmal
auf ein Substrat belichtet. Eine photolithographische Maske wird
mit einer Lichtquelle bestrahlt. Die photolithographische Maske
weist eine Maskenstruktur auf, die mindestens ein abbildbares Strukturmerkmal
mit mindestens einer Ecke und mindestens ein linienförmiges Strukturmerkmal,
das der Ecke des abbildbaren Strukturmerkmals entspricht, enthält. Das
linienförmige
Strukturmerkmal befindet sich mindestens in unmittelbarer Nähe zur entsprechenden
Ecke des abbildbaren Strukturmerkmals und weist eine Linienbreite
auf, die geringer ist als eine kleinste Auflösung des optischen Projektionssystems.
Durch die photolithographische Maske hindurchtretendes Licht wird
mit dem optischen Projektionssystem auf das Substrat projiziert.
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Gemäß eines weiteren Aspekts der
Erfindung wird eine photolithographische Maske zur Verwendung in
einem optischen Projektionssystem gebildet. Es wird eine Maskenstruktur
bereitgestellt, die mindestens ein abbildbares Strukturmerkmal mit mindestens
einer Ecke enthält.
In die Maskenstruktur ist mindestens ein der Ecke des abbildbaren
Strukturmerkmals entsprechendes linienförmiges Strukturmerkmal integriert.
Das linienförmige
Strukturmerkmal befindet sich mindestens in unmittelbarer Nähe zu dem
entsprechenden Eckstrukturmerkmal des abbildbaren Strukturmerkmals
und weist eine Linienbreite auf, die geringer ist als eine kleinste
Auflösung des
optischen Systems.
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Gemäß eines zusätzlichen Aspekts der Erfindung
enthält
eine photolithographische Maske zur Verwendung in einem optischen
Projektionssystem eine Maskenstruktur, die mindestens ein abbildbares Strukturmerkmal
mit mindestens einer Ecke enthält. Mindestens
ein in der Maskenstruktur ausgebildetes linienförmiges Strukturmerkmal entspricht
der Ecke des abbildbaren Strukturmerkmals. Das linienförmige Strukturmerkmal
befindet sich mindestens in unmittelbarer Nähe zum entsprechenden Strukturmerkmal des
abbildbaren Strukturmerkmals und weist eine Linienbreite auf, die
geringer ist als eine kleinste Auflösung des optischen Projektionssystems.
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Gemäß noch eines weiteren Aspekts
der Erfindung wird die Eckenrundung und die Bildverkürzung in
einem Bild erheblich reduziert, das auf ein Substrat belichtet wird,
indem eine photolithographische Maske beleuchtet und durch die photolithographische
Maske hindurchtretendes Licht mit einem opti schen Projektionssystem
auf das Substrat projiziert wird. Die photolithographische Maske
weist eine Maskenstruktur auf, die mindestens ein rechteckiges Strukturmerkmal
enthält.
In die Maskenstruktur sind mehrere linienförmige Strukturmerkmale integriert, die
jeweils mit einer entsprechenden Ecke des rechteckigen Strukturmerkmals
korrespondieren. Ein Ende jedes der linienförmigen Strukturmerkmale ist anstelle
der entsprechenden Ecke des rechteckigen Strukturmerkmals angeordnet.
Jedes der linienförmigen
Strukturmerkmale weist eine Linienbreite auf, die geringer ist als
eine kleinste Auflösung
des optischen Projektionssystems.
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Gemäß noch eines weiteren Aspekts
der Erfindung wird mit einem optischen Projektionssystem ein Strukturmerkmal
auf ein Substrat belichtet. Eine photolithographische Maske wird
mit einer Lichtquelle bestrahlt. Die photolithographische Maske
weist eine Maskenstruktur auf, die mindestens ein rechteckiges Strukturmerkmal
und mehrere linienförmige Strukturmerkmale
enthält,
die jeweils mit einer entsprechenden Ecke des rechteckigen Strukturmerkmals
korrespondieren. Ein Ende jedes der mehreren linienförmigen Strukturmerkmale
ist anstelle der entsprechenden Ecke des rechteckigen Strukturmerkmals
angeordnet. Jedes der linienförmigen
Strukturmerkmale weist eine Linienbreite auf, die geringer ist als
eine kleinste Auflösung
des optischen Projektionssystems. Durch die photolithographische
Maske hindurchtretendes Licht wird mit dem optischen Projektionssystem
auf das Substrat projiziert.
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Gemäß noch eines weiteren Aspekts
der Erfindung wird eine photolithographische Maske zur Verwendung
in einem optischen Projektionssystem hergestellt. Eine Maskenstruktur
wird bereitgestellt, die mindestens ein rechteckiges Strukturmerkmal enthält. In die
Maskenstruktur sind mehrere linienförmige Strukturmerkmale integriert,
die jeweils mit einer entsprechenden Ecke des rechteckigen Strukturmerkmals
korrespondieren. Ein Ende jedes der mehreren linienförmigen Strukturmerkmale
ist anstelle der entsprechenden Ecke des rechteckigen Strukturmerkmals
angeordnet. Jedes der linienförmigen Strukturmerkmale
weist eine Linienbreite auf, die geringer ist als eine kleinste
Auflösung
des optischen Projektionssystems. Durch die photolithographische Maske
hindurchtretendes Licht wird mit dem optischen Projektionssystem
auf das Substrat projiziert.
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Gemäß noch eines weiteren Aspekts
der Erfindung enthält
eine photolithographische Maske zur Verwendung in einem optischen
Projektionssystem eine Maskenstruktur, die mindestens ein rechteckiges
Strukturmerkmal enthält.
Mehrere in der Maskenstruktur ausgebildete linienförmige Strukturmerkmale
korrespondieren jeweils mit einer entsprechenden Ecke des rechteckigen
Strukturmerkmals. Ein Ende jedes der mehreren linienförmigen Strukturmerkmale
ist anstelle der entsprechenden Ecke des rechteckigen Strukturmerkmals
angeordnet. Jedes der mehreren linienförmigen Strukturmerkmale weist eine
Linienbreite auf, die geringer ist, als eine kleinste Auflösung des
optischen Projektionssystems.
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Die obigen Aspekte, Merkmale und
Vorteile der vorliegenden Erfindung werden besser verstanden, wenn
sie unter Bezugnahme auf die folgende Beschreibung der bevorzugten
Ausführungsformen und
beiliegenden Zeichnungen betrachtet werden.
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KURZE BESCHREIBUNG
DER ZEICHNUNGEN
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1A ist
ein Diagramm, das eine Draufsicht auf eine bekannte photolithographische
Maskenstruktur zeigt.
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1B ist
ein Diagramm, das einen Teil der Maskenstruktur von 1A ausführlicher zeigt.
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2 ist
ein Diagramm, das eine mit der Maskenstruktur von 1A auf ein Substrat abgebildete Struktur
unter Bezugnahme auf die Maskenstruktur veranschaulicht.
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3A ist
ein Diagramm, das eine Draufsicht auf eine Maskenstruktur zeigt,
die Strukturmerkmale mit einer unter der Auflösung liegenden Größe gemäß eines
Aspekts der Erfindung umfaßt.
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3B ist
ein Diagramm, das einen Teil der Maskenstruktur von 3A ausführlicher zeigt.
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4 ist
ein Diagramm, das unter Verwendung der Maskenstruktur von 3A eine auf ein Substrat
abgebildete Struktur unter Bezugnahme auf die Maskenstruktur veranschaulicht.
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5A ist
ein Diagramm, das eine Draufsicht auf eine photolithographische
Maskenstruktur zeigt, bei der Strukturmerkmale mit einer unter der Auflösung liegenden
Größe gemäß eines
weiteren Aspekts der Erfindung aufgenommen sind.
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5B ist
ein Diagramm, das einen Teil der Maskenstruktur von 5A ausführlicher zeigt.
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6 ist
ein Diagramm, das eine mit der Maskenstruktur von 5A auf ein Substrat abgebildete Struktur
unter Bezugnahme auf die Maskenstruktur veranschaulicht.
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AUSFÜHRLICHE
BESCHREIBUNG
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1A zeigt
ein Beispiel für
einen Teil einer photolithographischen Maske zum Belichten einer dichten
Arraystruktur 100, wie etwa einer Struktur tiefer Gräben (DT).
Die Maskenstruktur enthält
mehrere klare, rechteckig geformte Öffnungen 102, die
in einem undurchsichtigen oder teildurchlässigen Material so ausgebildet
sind, daß jede
der Öffnungen
von einem undurchsichtigen oder teildurchlässigen Rand 104 umgeben
ist. 1B veranschaulicht
ausführlicher
das eine der Öffnungen 102 umgebende
Maskengebiet.
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Wenn die Strukturen auf der Maske
Abmessungen aufweisen, die sich zum Belichten von Strukturmerkmalen
mit Submikrometer-Größe eignen, sind
die auf das Substrat abgebildeten Strukturmerkmale oftmals anfällig für Linienverkürzung oder Eckenrundung.
Um derartige optische Verzerrungen zu kompensieren, muß die Struktur
der tiefen Gräben verlängert werden.
Um beispielsweise Strukturen tiefer Gräben mit einer gewünschten
Länge von
240 nm und einer gewünschten
Breite von 120 nm zu belichten, muß die Maskenstruktur auf eine
Länge von
384 nm verlängert
werden.
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2 stellt
ein Beispiel für
unter Verwendung einer derartigen kompensierten Maske abgebildete
Strukturmerkmale dar. Zur Veranschaulichung ist ein abgebildetes
Strukturmerkmal 202 mit der ihm überlagerten tatsächlichen
Maskenstruktur 200 gezeigt.
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Die Länge des abgebildeten Strukturmerkmals 202 ist
wesentlich geringer als die Länge
der zum Belichten des Strukturmerkmals verwendeten Maskenstruktur.
Wenn beispielsweise ein tiefer Graben mit 120 nm Breite und 240
nm Länge
gewünscht wird
und die Struktur unter Verwendung einer Maske mit einer kompensierten
Länge von
384 nm belichtet wird, ist das tatsächlich abgebildete Strukturmerkmal 70
nm kürzer
als die Sollänge.
Weiterhin sind die Ecken des abgebildeten Strukturmerkmals 202,
wie bei den Ecken 204 gezeigt, gerundet. Das Ausmaß der Linienverkürzung und
der Eckenrundung läßt sich
ebenfalls nicht leicht steuern.
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Obwohl zur Reduzierung der Linienverkürzung und
Eckenrundung möglicherweise
eine zusätzliche
Kompensation der Länge
und Breite gewünscht
wird, liegen die Muster der tiefen Gräben oftmals zu nahe beieinander,
als daß eine
zusätzliche Verbreiterung
oder Verlängerung
der Maskenöffnungen
möglich
wäre.
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Um diese Probleme anzusprechen, umfaßt die Erfindung
in der Maskenstruktur Strukturmerkmale mit einer unter der Auflösung liegenden
Größe, die schmaler
sind als die Auflösungsgrenze
des Belichtungssystems, in dem die Maske verwendet wird. 3A zeigt ein Beispiel für ein Gebiet
einer Maskenstruktur, in die derartige linienförmige Strukturmerkmale mit
einer unter der Auflösung
liegenden Größe integriert
sind. Die Maskenstruktur enthält eine
dichte Arraystruktur 300, die Öffnungen 302 umfassen,
die mit einem undurchsichtigen Material oder einem teildurchlässigen Material
gebildet sind, wie sie bei AttPSM (attenuated phase shift masks)
oder AltPSM (alternating phase shift masks) verwendet werden, so
daß die Öffnungen 302 von
einem Rand 304 umgeben sind, wie etwa zur Ausbildung von Strukturen
mit tiefen Gräben.
Um die oben beschriebenen Effekte der Linienverkürzung und Eckenrundung zu kompensieren,
werden in der Nähe
der Ecken der Öffnungen 302 linienförmige Strukturmerkmale
mit einer unter der Auflösung
liegenden Größe aufgenommen.
Die linienförmigen
Strukturmerkmale mit einer unter der Auflösung liegenden Größe gestatten
das Durchtreten von Licht durch die Maske in der Nähe der Ecken,
und das Licht wird auf das Substrat projiziert, um die Effekte der
Linienverkürzung
und Eckenrundung zu reduzieren. 3B zeigt
vergrößert das
Gebiet, das eine der in 3A gezeigten Öffnungen
umgibt.
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4 stellt
ein Beispiel für
ein Strukturmerkmal 402 dar, das unter Verwendung eines
optischen Projektionssystems auf ein Substrat belichtet worden ist,
und zeigt einen Teil einer Maskenstruktur 400, der zu Bezugszwecken
diesem überlagert
ist. Die abgebildete Struktur 402 ist eine genauere Reproduktion der
Form der in den 3A bis 3B gezeigten Maskenöffnung 302 als
die in 2 gezeigte abgebildete Struktur 202.
Auch sind die Effekte der Linienverkürzung und der Eckenrundung
wesentlich reduziert. Beispielsweise beträgt, wenn eine Maskenstruktur verwendet
wird, die so dimensioniert ist, daß Strukturmerkmale mit tiefen
Gräben
mit einer Länge
von 240 nm und einer Breite von 120 nm belichtet werden, die Linienverkürzung des
tatsächlichen
abgebildeten Strukturmerkmals 44 nm, während die Linienverkürzung in
dem in 2 gezeigten abgebildeten Strukturmerkmal 202 70
nm beträgt.
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5A und 5B zeigen eine weitere Ausführungsform
der Erfindung, bei der Strukturmerkmale mit einer unter der Auflösung liegenden
Größe derart in
einer Maskenstruktur 500 angeordnet sind, daß sich die
Enden der linienförmigen
Strukturmerkmale von den Ecken der Öffnungen in der dichten Arraystruktur
aus erstrecken und somit die Ecken eliminieren.
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Die Maskenstruktur 500 enthält Öffnungen 504 und
einen undurchlässigen
oder teildurchlässigen
Rand 502, wie etwa zum Ausbilden von Strukturen mit tiefen
Gräben.
Die linienförmigen
Strukturmerkmale 510 mit einer unter der Auflösung liegenden
Größe können sich
von einer Öffnung
zu einer benachbarten Öffnung
erstrecken. Wenn zum Beispiel Strukturen eines tiefen Grabens mit
einer Länge von
240 nm und einer Breite von 120 nm gewünscht werden, können 50
nm breite Hilfsstrukturmerkmale mit einer unter der Auflösung liegenden
Größe integriert
werden.
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6 veranschaulicht
ein Beispiel für
ein Strukturmerkmal 602, das mit der in den 5A und 5B gezeigten Maskenstruktur unter Verwendung
eines optischen Projektionssystems auf ein Substrat belichtet wurde.
Ein Teil der Maskenstruktur 600 ist zur Bezugnahme diesem überlagert
dargestellt. Das abgebildete Strukturmerkmal 602 weist
im Vergleich zu den in 2 und 4 gezeigten abgebildeten
Strukturen eine wesentlich geringere Linienverkürzung auf. Wenn zum Beispiel
Strukturen eines tiefen Grabens mit einer Breite von 120 nm und
einer Länge von
240 nm gewünscht
werden, wird die Linienverkürzung
auf etwa 25 nm reduziert. Dadurch können solche Strukturmerkmale
unter Verwendung geringerer Maskenkompensationen abgebildet werden,
wie etwa durch Verwendung einer Maske mit nur 290 nm langen Öffnungen.
Zudem wird auch die Eckenrundung erheblich reduziert.
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Die Strukturmerkmale der Erfindung
mit einer unter der Auflösung
liegenden Größe reduzieren die
Linienverkürzung
und die Eckenrundung und dienen auch als Hilfsstrukturmerkmale.
Die Strukturmerkmale mit einer unter der Auflösung liegenden Größe verbessern
außerdem
die Wiederholbarkeit des Belichtungsprozesses und gestatten eine
stärkere
Einhaltung der kritischen Größen.
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Wenn die Strukturmerkmale mit einer
unter der Auflösung
liegenden Größe die Ecken
des abbildbaren Strukturmerkmals ersetzen, kann zudem auch die Eckenrundung
der eigentlichen Maske reduziert werden. Dadurch wird auch die Wiederholbarkeit
von Maske zu Maske bei der Maskenherstellung stark verbessert.
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Wenn die Struktur auf die Maske geschrieben
wird, dann können
auch in die Maskenstrukturdaten ohne weiteres Daten aufgenommen
werden, die das Strukturmerkmal mit einer unter der Auflösung liegenden
Größe darstellen,
ohne daß die
insgesamt benötigten
Daten wesentlich zunehmen. Weiterhin werden die linienförmigen Strukturmerkmale
dargestellt, indem Linien und Räume
hinzugefügt
werden, anstatt daß Darstellungen
neuer Arten von Strukturmerkmalen aufgenommen werden, wie etwa,
wenn Serifen aufgenommen werden. Weiterhin kann die Maske leichter
auf Fehler hin untersucht werden, als dies möglich ist, wenn Serifen aufgenommen
werden.
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Wenngleich die obigen Ausführungsformen der
Erfindung als Beispiel eine Struktur eines tiefen Grabens verwenden,
läßt sich
die Erfindung auch auf andere sich wiederholende Strukturen anwenden. Zum
Beispiel läßt sich
die Erfindung auch auf Maskenstrukturen für Kontaktfenster sowie auf
Maskenstrukturen für
Linien-Spalten-Strukturmerkmale anwenden.
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Obwohl die Erfindung hier unter Bezugnahme
auf besondere Ausführungsformen
beschrieben ist, versteht sich, daß diese Ausführungsformen
die Prinzipien und Anwendungen der vorliegenden Erfindung lediglich
veranschaulichen. Es versteht sich deshalb, daß an den veranschaulichenden
Ausführungsformen
zahlreiche Modifikationen vorgenommen werden können und daß man sich andere Anordnungen
ausdenken kann, ohne vom Geist und Umfang der vorliegenden Erfindung,
wie er durch die beigefügten
Ansprüche
definiert ist, abzuweichen.