DE102004007105B4 - Verfahren zum Unterdrücken eines Lithographievorgangs am Rand einer Halbleiterscheibe - Google Patents

Verfahren zum Unterdrücken eines Lithographievorgangs am Rand einer Halbleiterscheibe Download PDF

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Abstract

Verfahren zum Herstellen einer Anzahl von integrierten Schaltungen auf einer Halbleiterscheibe, umfassend
(a) Aufbringen einer lichtempfindlichen Materialschicht auf der Halbleiterscheibe,
(b) Belichten des lichtempfindlichen Materials in einem Blockierbereich an der Aussenkante der Halbleiterscheibe,
(c) Entwickeln des lichtempfindlichen Materials, so dass in dem im Schritt (b) belichteten Blockierbereich eine Materialschicht zur Blockierung einer Ätzung zurückbleibt,
(d) Aufbringen einer Photoresistschicht auf der Halbleiterscheibe,
(e) Belichten der Photoresistschicht im inneren Bereich der Halbleiterscheibe, außerhalb des Blockierbereichs aus Schritt (c), mit einer Anzahl von Bildern einer Bauelementstruktur eines Bauelements der integrierten Schaltung, und
(f) Ätzen der Halbleiterscheibe unter Verwendung der Bauelementstruktur als Maske,
dadurch gekennzeichnet, dass
die lichtempfindliche Materialschicht im Blockierbereich eine Dicke besitzt, die bewirkt, dass die Bilder der Bauelementstruktur auf dem Blockierbereich aus Schritt (c) unscharf sind, wenn entsprechende Bilder der Bauelementstruktur im inneren Bereich der Halbleiterscheibe scharf sind, so dass die Bilder der...

Description

  • Die vorliegende Erfindung betrifft Lithographieverfahren bei der Bearbeitung integrierter Schaltungen und insbesondere bei der Strukturierung von Halbleiterscheiben vor einem Ätzschritt.
  • Bei der Bearbeitung integrierter Schaltungen besteht eine Standardabfolge von Arbeitsschritten darin, eine Materialschicht und anschließend eine Photoresistschicht aufzubringen, den Photoresist durch Projizieren einer Struktur und Entwickeln des Resists zu strukturieren, so dass sich eine Struktur mit offenen Bereichen ergibt, die das Material freilegen, während die anderen Bereiche noch von dem Photoresist abgedeckt sind.
  • Beim Ätzvorgang wird Wärme erzeugt, so dass die Struktur vorzugsweise bis an die Ränder der Halbleiterscheibe ausgedehnt wird, obwohl nur ein Teil der integrierten Schaltung am Rand der Halbleiterscheibe vorhanden ist und daher nicht funktionsfähig sein wird. Grund dafür ist, dass die Ätzung des Teilchips am Rand der Halbleiterscheibe in der Regel dazu führt, dass sich die durch das Ätzen verursachte Wärme gleichmäßiger ausdehnt, als dies ansonsten der Fall wäre, was zu einer geringeren Beanspruchung der Halbleiterscheibe, sowie zu einem geringeren Auftreten von Verzerrungen führt.
  • Obwohl dieser Ansatz mit der Verminderung der Beanspruchung seinen Hauptzweck erfüllt, hat er dennoch den Nachteil, dass er während der Grabenkondensatorätzung bisweilen die Bildung von dicht aneinander liegenden schmalen Rissen in der Silizium-Halbleiterscheibe, dem sogenannten „black silicon", zulässt oder gar verstärkt. Der Begriff „black silicon" bezieht sich auf das dunkle Erscheinungsbild bei Lichteinfall, was darauf beruht, dass die schmalen splitterartigen Siliziumstrukturen in hohem Maße Licht absorbieren. Die schmalen Siliziumsplitter zwischen den Rissen neigen bei nachfolgender Bearbeitung zum Abbrechen, wodurch Partikel entstehen, die Schäden an der integrierten Schaltung und andere Probleme verursachen.
  • Ein bekanntes Verfahren zum Vermeiden von „black silicon" ist die Verwendung von „Schattenringen" in manchen Ätzwerkzeugen. Schattenringe sind kreisrunde Stücke aus ätzresistentem Material, die den Ätzvorgang am Rand der Halbleiterscheibe, wie in 8 gezeigt und nachfolgend erläutert, blockieren. Ein Problem tritt bei diesen Werkzeugen möglicherweise dann auf, wenn der Schattenring in physischen Kontakt mit dem Photoresist tritt, wodurch das Werkzeug verunreinigt wird und Partikel entstehen können.
  • Da die Ringe mechanische Gegenstände sind, können sie darüber hinaus nicht so exakt positioniert werden, wie das bei lithografischen Strukturen der Fall ist. Daher ist es erforderlich, dass zwischen der Ringposition und dem am nächsten liegenden Speicherchip auf der Halbleiterscheibe ein Abstand als Puffer verbleibt. Dieser Puffer ist notwendig, damit alle potentiell funktionsfähigen Speicherchip korrekt geätzt werden.
  • Das „black silicon"-Phänomen ist ein Problem, das nur in unmittelbarer Nähe der Halbleiterscheibenkante auftritt (in aktuellen Technologien 3 bis 5 mm von der Halbleiterscheibenkante entfernt).
  • Aus der EP 0 942 461 A2 sind ein gattungsgemäßes Verfahren und eine gattungsgemäße Halbleiterscheibe bekannt.
    •
  • Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, ein Verfahren und eine Halbleiterscheibe bereitzustellen, bei dem Ätzvorgänge mit hoher Genauigkeit blockiert werden können. Diese Aufgabe wird bei einem gattungsgemäßen Verfahren durch die kennzeich nenden Merkmale des Anspruchs 1 und bei einer gattungsgemäßen Halbleiterscheibe durch die kennzeichnenden Merkmale des Anspruchs 7 gelöst. Bevorzugte Weiterbildungen sind in den abhängigen Ansprüchen angegeben.
  • Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zum Blockieren einer Ätzung am Rand einer Halbleiterscheibe durch Ausbilden einer blockierenden Materialschicht, die dick genug ist, dass das Abbild einer auf die Halbleiterscheibe projizierten Struktur unscharf ist.
  • Gemäß einer ersten Ausführungsform der Erfindung wird ein Negativ-Photoresist verwendet, der dicker ist als der Bildbereich der optischen Belichtungseinheit, die die Struktur auf die Halbleiterscheibe projiziert.
  • Gemäß einer weiteren Ausführungsform der Erfindung wird eine ätzresistente Blockierschicht verwendet.
  • Gemäß einer weiteren Ausführungsform der Erfindung wird eine Blockierschicht mit rechtwinkligen Abstufungen ausgebildet, wobei der naheliegendste Abstand zur Halbleiterscheibenkante oberhalb eines Mindestwerts liegt.
  • Die Erfindung wird nun anhand der beigefügten Zeichnungen näher erläutert. Es zeigen:
  • 1 eine Querschnittsdarstellung einer erfindungsgemäß präparierten Halbleiterscheibe nach der Beschichtung mit der Blockierschicht aus Negativ-Photoresist;
  • 2 den gleichen Bereich nach dem Belichten der Blockierschicht;
  • 3 den Bereich nach dem Entwickeln des Resistmaterials auf der Blockierschicht;
  • 4 den Bereich nach dem Aufbringen eines Struktur-Photoresists;
  • 5 den Bereich nach dem Strukturieren der Strukturschicht;
  • 6 den Bereich nach dem Ätzen von Gräben;
  • 7 eine Draufsicht auf zwei Ausführungsformen der erfindungsgemäßen Halbleiterscheibe;
  • 8 eine Querschnittsdarstellung eines Verfahrens aus dem Stand der Technik zum Lösen des Problems; und
  • 9 eine Draufsicht auf das Stand-der-Technik-Verfahren von 8.
    •
  • Im folgenden wird beispielhaft ein erfindungsgemäßes Verfahren beschrieben. Eine Halbleiterscheibe, z.B. aus Silizium, Gallium-Arsenid, Silizium-Germanium-Legierung, SOI-Substrat o.a. wird entsprechend den Anforderungen der herzustellenden Schaltung und der verwendeten Technologie präpariert.
  • 1 zeigt ein Substrat oder eine Halbleiterscheibe 10 für die integrierte Schaltung, auf der Schicht 11 schematisch die Nitridkontaktschicht, die Oxidkontaktschicht und andere vorläufig aufgebrachte Schichten repräsentiert. Die Abmessungen in den Zeichnungen sind nicht maßstabsgetreu. Bei einer Halbleiterscheibe mit einem Durchmesser von dreihundert Millimeter entsprechen der relative Anteil des Blockiermaterials, das an dem noch zu bestimmenden Rand ausgebildet werden soll, die Dicke des Materials und der Durchmesser der Halbleiterscheibe den nachfolgenden Ausführungen. Die in den Zeichnungen dargestellten Abmessungen wurden im Sinne einer klareren Darstellung und Erläuterung ausgewählt.
  • Eine dicke Schicht Negativ-Photoresist 110 wird durch Aufschleudern aufgebracht und nach herkömmlichen Verfahren zur Belichtung und Entwicklung vorbereitet. Die Belichtungszeit und -menge entspricht den Standardwerten für den betreffenden Photoresist.
  • Wie in 2 dargestellt ist, wird anschließend der Photoresist 110 am Rand über einen radial verlaufenden Bereich 114 belichtet, um so einen Rand 112 zu definieren, der den äußeren Rand der Halbleiterscheibe 10 umgibt. Der Bereich 114 ist, wie unten erläutert, im allgemeinen nicht gleichmäßig.
  • 3 zeigt den entwickelten Photoresist, bei dem der mittlere Teil entfernt wurde und der belichtete Teil als eine blockierende Materialschicht in einem Blockierbereich verbleibt und so einen in der Mitte des Blockierbereichs liegenden Innenbereich für die Herstellung der integrierten Schaltung festlegt.
  • In 4 ist derselbe Bereich nach dem Aufbringen einer Schicht 115 gezeigt, die schematisch sowohl einen Struktur-Photoresist, der im nächsten Ätzschritt durch Belichten mit einem Muster aus opaken und durchsichtigen Bereichen strukturiert wird, als auch eine optionale Hartmaskensicht darstellt, z.B. aus Nitrid, die über die Öffnungen der Photoresistschicht geätzt werden kann. Es sollte darauf geachtet werden, dass verschiedene Schichten 112 und 115 verwendet werden, wenn die Gefahr einer unerwünschten Vermischung besteht. Die im Photoresist 115 auszubildende Struktur wird als Bauelementestruktur bezeichnet. Eine Hartmaske ist nicht immer erforderlich und wird dann verwendet, wenn der Ätzvorgang aggressiver ist oder lange Zeit andauert, so dass der Photoresist allein nicht ausreicht, um der Wirkung des Ätzmittels zu widerstehen.
  • In 4 zeigt der Pfeil auf der rechten Seite der Zeichnung den Höhenunterschied zwischen dem Photoresist 115 auf dem Blockiermaterial 112 und dem Photoresist im mittleren Bereich der Halbleiterscheibe an. Bei heutigen Technologien ist die Tiefenschärfe der in optischen Belichtungseinheiten verwendeten hochnumerischen Blenden sehr gering. Aus diesem Grund ist kein großer Höhenunterschied 113 erforderlich, um den Bereich des Photoresists 115 auf eine Höhe zu bringen, bei der das Abbild eines Grabens ausreichend unscharf wird, so dass die Lichtstärke unterhalb des Mindestwerts für den Photoresist liegt, d.h. dass das Abbild auf dem erhöhten Resistanteil 115 nicht entwickelt wird. Dabei wird vorausgesetzt, dass die Fokussierung der Belichtungseinheit so ausgerichtet wurde, dass die automatische Fokussieranpassung im Randbereich der Photoresiststruktur unterdrückt wird.
  • Da der Photoresist 115 im erhöhten Bereich nicht entwickelt wird, werden in diesem Bereich keine Strukturen ausgebildet und die Maske (entweder die in der Schicht 115 enthaltene Photoresist- oder Hartmaske) schützt das Silizium in diesem Bereich vor der Ätzung.
  • Die Dicke der Schicht 112 ist vorzugsweise so ausgebildet, dass die Dicke des Blockiermaterials nach dem Entwickeln mehr als etwa 1 μm beträgt. Die typische Tiefenschärfe einer Grabenstrukturierung nach dem Stand der Technik liegt im Bereich von 0,5 μm, weshalb der Struktur-Photoresist 115 außerhalb des Fokussierbereichs für das Bild liegt; d.h. wenn ein Bild auf dem mittig aufgebrachten Photoresist scharf ist, wird das entsprechende Bild am Rand unscharf sein. Es wird darauf hingewiesen, dass die oben angegebenen Daten derzeitige (vom Datum der vorliegenden Erfindung ausgehende) Parameter für die Strukturierung von Gräben wiedergeben und in Abhängigkeit vom jeweils eingesetzten Verfahren variieren können.
  • In 5 ist derselbe Bereich nach dem Entwickeln des Photoresists 115 gezeigt, wobei der entwickelte Photoresist 120 Öffnungen 122 umfasst, die einzelne Grabenstrukturen in dem Photoresist darstellen. Die Halbleiterscheibe kann nun dem Ätzverfahren unterzogen werden.
  • 6 zeigt den Bereich nach vollendeter Grabenätzung. Die Gräben 20 wurden in den gewünschten Stellen ausgebildet, wobei die Bereiche zwischen den Gräben, und auch der erhöhte Bereich der Halbleiterscheibe am Rand, durch die Schutzschicht 120 bedeckt sind.
  • Während des Ätzvorgangs wird die Schicht 120 im mittleren Bereich der Halbleiterscheibe (als Schicht 120' dargestellt) teilweise, an der Kante jedoch vollständig entfernt. Die zusätzliche Schicht 112 verhindert eine Ätzerosion in diesem Bereich der Halbleiterscheibe.
  • Die Schichten 120 und 112 werden entfernt, wenn sie nicht mehr notwendig sind, oder wenn ein chemisch-mechanischer Polierschritt oder ein anderes Planarisierungsverfahren durchgeführt werden soll.
  • Neue Schichten 112 können, wie erforderlich, ausgebildet werden, obwohl der Graben für die Halbleiterscheibe die größte Belastung darstellt, da er den längsten Ätzvorgang erfordert.
  • Die Blockierschicht kann in einem einzelnen Beschichtungsvorgang aufgetragen werden und Beschichtungsmodule, Kühlplatten, Heizplatten und, in einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung, ein handelsübliches Modul zum Belichten von Rändern (das üblicherweise als WEE bezeichnet wird) zusammen mit Heizplatten und Entwicklungsmodulen zum Einsatz nach der Belichtung umfassen. Für die in 7 gezeigten Ausführungsformen ist eine zusätzliche Belichtungseinheit erforderlich. Die auf der linken Seite der 7 gezeigte Ausführungsform kann in einem maskenlosen Verfahren auf einer standardmäßigen Belichtungseinheit, die die Randstruktur 706 belichtet, eingesetzt werden. Die auf der rechten Seite der 7 gezeig te Ausführungsform erfordert ein Verfahren, bei dem eine Maske eingesetzt wird.
  • Die Beschichtung mit der Schicht 115 erfolgt standardmäßig unter Verwendung von Beschichtungsmodulen, Heizplatten und Entwicklungsmodulen. Durch sorgfältige Auswahl der Materialien 115 und 111 kann ein unerwünschtes Mischen derselben verhindert werden. Die Strukturierung der Schicht 115 wird gemäß dem für diese Schicht eingesetzten Standardverfahren durchgeführt (Stepper oder Scanner, 248 nm, 193 nm usw., abhängig von der verwendeten Technologie).
  • Vorzugsweise wird zum Vervollständigen von Schritt 3 (3) ein eigener Vorgang angewandt, da die Halbleiterscheiben durch ein Einwicklungsmodul geschickt werden müssen, so dass der Vorgang vor der Durchführung von Schritt 4 vollständig abgeschlossen werden kann.
  • In 8 ist im Querschnitt ein Verfahren aus dem Stand der Technik zum Schutz der Halbleiterscheibenkante während des Ätzens dargestellt. Ein mechanischer Ring 820 aus Edelstahl und einem anderen, Ätzgas-resistenten Material wird auf dem Rand der Halbleiterscheibe 10 positioniert, so dass er einen radialen Abstand 114' abdeckt und durch einen Zwischenraum vom Photoresist 115 getrennt ist. Der Ring 820 wird nach dem Präparieren der Halbleiterscheibe mit Photoresist positioniert und bleibt während des Ätzens in Position, so dass die Ätzgase den Photoresist 115 nicht angreifen. Der Photoresist 115 unterhalb des Rings wurde (mit einer nicht gezeigten Struktur) entwickelt, weil der Bereich am Rand der Halbleiterscheibe belichtet wurde, um die Gleichmäßigkeit der Hitzebelastung während der Ätzung zu verbessern. Aus diesem Grund beinhaltet der Photoresist an der Halbleiterscheibenkante Grabenöffnungen, wie angegriffen und geätzt würden, wenn der Ring nicht vorhanden wäre. Das Material des Rings beeinträchtigt das elektrische Feld während des Ätzens, was unerwünsch te Auswirkungen auf die Ätzgleichmäßigkeit in der Nähe des Rings hat.
  • 9 zeigt eine Draufsicht auf die Anordnung von 8. Hier ist deutlich zu erkennen, dass der Ring ein einheitliches Materialstück ist, dass einen Teil der Speicherchip-Strukturen 922 am Rand der Halbleiterscheibe abdeckt (bei der derzeitigen Technologie 3 bis 5 mm vom Halbleiterscheibenrand).
  • 7 zeigt eine entsprechende Draufsicht auf eine erfindungsgemäß bearbeitete Halbleiterscheibe. Die Halbleiterscheibe wird durch die gestrichelte senkrechte Linie 750 in zwei Hälften geteilt, um zwei Ausführungsformen der Erfindung zu beschreiben. Auf der rechten Seite ist die das Material 115 belichtende Einheit nicht in der Lage, einen Bereich zu belichten, der als Kante eine 45°-Linie (oder andere diagonale Linien) aufweist; d.h. die Einheit kann nur senkrechte Linien 708 und waagrechte Linien 704 erkennen. Folglich erreicht der Blockierbereich 706 die Kante der Speicherchips 726. Wenn es wünschenswert ist, so kann der Bereich 706 so definiert werden, dass er der Halbleiterscheibenkante bis auf einen Mindestabstand 712 nahe kommt, wie auf der rechten Seite der Halbleiterscheibe gezeigt ist, wobei ein Teilchip 726' die Lücke zwischen dem nächsten vollständigen Speicherchip 726 und der Blockierschicht ausfüllt, was den zu strukturierenden Bereich bis auf einen Maximalwert erhöhen würde und auf gleichmäßigere Weise zur Halbleiterscheibenkante vordringen würde, als wenn keine teilweise belichteten Speicherchipstrukturen eingesetzt werden würden.
  • Im unteren Teil der Figur ist eine Linie 714 als Alternative zu einer Linie 714' gezeigt. Die Linie 714' würde zu nahe an die Halbleiterscheibenkante herankommen, d.h. der Abstand zwischen der Halbleiterscheibenkante und dem nächsten, mit 712' bezeichneten Speicherchip wäre zu klein, wenn ein vollständiger Speicherchip entlang der Linie 714' strukturiert würde. Bei Verwendung eines Teilchips hätte diese Position eine gleichmäßigere Hitzebelastung, ähnlich der auf der rechten Seite der Figur dargestellten Situation.
  • Auf der linken Seite der Figur ist die Belichtungseinheit in der Lage, 45°-Winkel zu erkennen, so dass diagonale Linien 710 gezogen werden können und die Einheit in der Lage ist, eine erste Anzahl von Kanten im rechten Winkeln und eine zweite Anzahl in spitzen Winkeln (z.B. 45°) in Bezug auf die erste Anzahl von Kanten zu ziehen. Andere Einheiten können in der Lage sein, Linien mit anderen Winkeln zu ziehen. Diese Funktion ermöglicht an verschiedenen Stellen eine bessere Annäherung an die Halbleiterscheibenkante, sowie in manchen Fällen die Belichtung eines vollständigen Speicherchips, sowie in anderen Fällen die gleichmäßigere Belichtung von Teilchips (und dadurch eine gleichmäßigere Temperaturbelastung). Ein solcher Teilchip 728 ist auf der linken Seite der Figur neben den vollständigen Speicherchips 722 und 724 dargestellt. Die Teilbelichtung ist darauf zurückzuführen, dass der auf dem Rand 712 liegende Teil des Speicherchips unscharf ist. Im Interesse einer klareren Darstellung sind zwei verschiedene Speicherchipgrößen gezeigt.
  • Als alternative Belichtungseinheit können anstelle eines Steppers Strahler unter Verwendung einer Näherungsmaske eingesetzt werden, welche den mittleren Bereich der Halbleiterscheibe bedeckt und so eine Struktur wie in 9 gezeigt aufbringt (wenn ein Negativ-Photoresist verwendet wird). Wird Positiv-Photoresist verwendet, kann eine invertierte Maske eingesetzt werden. Ein mechanisches Handhabungsgerät zum Platzieren einer Maske in die Mitte der Halbleiterscheibe und Belichten des Photoresists am Rand wäre sehr viel kostengünstiger als ein Stepper, würde aber dennoch für eine angemessene Ausrichtung sorgen.
  • Eine weitere Alternative besteht darin, einen Laser mit geeigneter Wellenlänge zum Belichten des Photoresists 115 so zu positionieren, dass die Halbleiterscheibenkante belichtet wird, während die Halbleiterscheibe unter dem Laser gedreht wird (oder der Laser kann in einem Kreis auf dem Rand der feststehenden Halbleiterscheibe herum geführt werden). Handelsübliche Einheiten, die anderen Zwecken dienen, können mit einer solchen Ausführungsform der Erfindung verwendet werden.
  • Geeignete Kandidaten für das Blockiermaterial 115 umfassen handelsübliche Negativ-Photoresists und verwandte Materialien oder Positiv-Photoresists. Wird ein Positiv-Photoresist verwendet, wird der mittlere Bereich belichtet, wodurch der unentwickelte Photoresist auf dem Kantenbereich verbleibt.
  • In der aktuellen Technologie beträgt die Belichtungstoleranz für das Material 112 (d.h. eine zulässige Schwankung des inneren Radius des Materials 112) 0,1 mm. Der Hauptgesichtspunkt ist nicht die genaue Position, da die Ausrichtung nicht der kritische Faktor ist. Ausschlaggebend ist jedoch die Menge an Fläche, die nicht mit vollständigen Speicherchips ausgefüllt werden kann, da ein Sicherheitsspielraum erforderlich ist, damit ein Herstellungschip nicht durch Projizieren auf die Kante des Blockiermaterials 112 beschädigt wird.

Claims (12)

  1. Verfahren zum Herstellen einer Anzahl von integrierten Schaltungen auf einer Halbleiterscheibe, umfassend (a) Aufbringen einer lichtempfindlichen Materialschicht auf der Halbleiterscheibe, (b) Belichten des lichtempfindlichen Materials in einem Blockierbereich an der Aussenkante der Halbleiterscheibe, (c) Entwickeln des lichtempfindlichen Materials, so dass in dem im Schritt (b) belichteten Blockierbereich eine Materialschicht zur Blockierung einer Ätzung zurückbleibt, (d) Aufbringen einer Photoresistschicht auf der Halbleiterscheibe, (e) Belichten der Photoresistschicht im inneren Bereich der Halbleiterscheibe, außerhalb des Blockierbereichs aus Schritt (c), mit einer Anzahl von Bildern einer Bauelementstruktur eines Bauelements der integrierten Schaltung, und (f) Ätzen der Halbleiterscheibe unter Verwendung der Bauelementstruktur als Maske, dadurch gekennzeichnet, dass die lichtempfindliche Materialschicht im Blockierbereich eine Dicke besitzt, die bewirkt, dass die Bilder der Bauelementstruktur auf dem Blockierbereich aus Schritt (c) unscharf sind, wenn entsprechende Bilder der Bauelementstruktur im inneren Bereich der Halbleiterscheibe scharf sind, so dass die Bilder der Bauelementstruktur auf dem Blockierbereich nicht entwickelt werden.
  2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Bilder der Bauelementstruktur Bilder der Grabenöffnungen in DRAM-Speicherzellen sind.
  3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass das lichtempfindliche Material auf einer Schicht ätzresistenten Materials aufgetragen wird.
  4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass das lichtempfindliche Material ein Negativ-Photoresist ist.
  5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass die innere Grenzlinie zwischen dem Blockierbereich und dem inneren Bereich der Halbleiterscheibe nur rechtwinklige Kanten umfasst.
  6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass die innere Grenzlinie zwischen dem Blockierbereich und dem inneren Bereich der Halbleiterscheibe eine erste Anzahl rechtwinkliger Kanten und eine zweite Anzahl von Kanten umfasst, die im 45°-Winkel in Bezug zu der ersten Anzahl von Kanten angeordnet sind.
  7. Halbleiterscheibe umfassend einen inneren Bereich für die Herstellung integrierter Schaltungen und einen äußeren Blockierbereich (112) an der Aussenkante der Halbleiterscheibe, dadurch gekennzeichnet, dass der Blockierbereich (112) einen Höhenunterschied (113) zum inneren Bereich aufweist, der bewirkt, dass im Blockierbereich die Lichtstärke einer optischen Belichtungseinheit unterhalb des Mindestwerts für eine auf der Halbleiterscheibe aufgebrachte Photoresistschicht (115) bleibt, wodurch ein auf die Photoresistschicht (115) projiziertes Bild auf dem inneren Bereich scharf und auf den Blockierbereich unscharf ist.
  8. Halbleiterscheibe nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, dass der Blockierbereich (112) eine lichtempfindlichen Materialschicht aufweist.
  9. Halbleiterscheibe nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass das lichtempfindliche Material (112) auf einer Schicht ätzresistenten Materials (11) aufgetragen ist.
  10. Halbleiterscheibe nach Anspruch 8 oder 9, dadurch gekennzeichnet, dass das lichtempfindliche Material ein Negativ-Photoresist ist.
  11. Halbleiterscheibe nach einem der Ansprüche 7 bis 10, dadurch gekennzeichnet, dass die innere Grenzlinie zwischen dem Blockierbereich und dem inneren Bereich der Halbleiterscheibe nur rechtwinklige Kanten umfasst.
  12. Halbleiterscheibe nach einem der Ansprüche 7 bis 10, dadurch gekennzeichnet, dass die innere Grenzlinie zwischen dem Blockierbereich und dem inneren Bereich der Halbleiterscheibe eine erste Anzahl rechtwinkliger Kanten und eine zweite Anzahl von Kanten umfasst, die im 45°-Winkel in Bezug zu der ersten Anzahl von Kanten angeordnet sind.
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