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Technisches Gebiet
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Die vorliegende Erfindung betrifft
Lithographieverfahren bei der Bearbeitung integrierter Schaltungen
und insbesondere bei der Strukturierung von Halbleiterscheiben vor
einem Ätzschritt.
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Hintergrund der Erfindung
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Bei der Bearbeitung integrierter
Schaltungen besteht eine Standardabfolge von Arbeitsschritten darin,
eine Materialschicht und anschließend eine Photoresistschicht
aufzubringen, den Photoresist durch Projizieren einer Struktur und
Entwickeln des Resists zu strukturieren, so dass sich eine Struktur mit
offenen Bereichen ergibt, die das Material freilegen, während die
anderen Bereiche noch von dem Photoresist abgedeckt sind.
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Beim Ätzvorgang wird Wärme erzeugt,
weshalb die Struktur vorzugsweise bis an die Ränder der Halbleiterscheibe
ausgedehnt wird, obwohl die am Rand befindliche integrierte Schaltung
nicht auf die Halbleiterscheibe passt und daher nicht funktionsfähig ist.
Grund dafür
ist, dass die Ätzung
am Rand der Halbleiterscheibe in der Regel dazu führt, dass
sich die durch das Ätzen
verursachte Wärme
gleichmäßiger ausdehnt,
als dies ansonsten der Fall wäre,
was zu einer geringeren Beanspruchung der Halbleiterscheibe, sowie
zu einem geringeren Auftreten von Verzerrungen führt.
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Obwohl dieser Ansatz mit der Verminderung der
Beanspruchung seinen Hauptzweck erfüllt, hat er dennoch den Nachteil,
dass er bisweilen die Bildung von dicht beieinander liegenden schmalen
Rissen in der Silizium-Halbleiterscheibe, die aufgrund ihrer starken
Lichtabsorption „black
silicon" genannt werden,
zulässt
oder gar verstärkt.
Die schmalen Siliziumsplitter zwischen den Rissen neigen zum Abbrechen,
wodurch Partikel entstehen, die Schäden an der integrierten Schaltung
und andere Probleme verursachen.
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Manche Ätzwerkzeuge umfassen „Schattenringe", d. h. kreisrunde
Stücke
aus ätzresistentem Material
zum Blockieren des Ätzvorgangs
am Rand der Halbleiterscheibe, wie sie in 8 dargestellt und im folgenden beschrieben
sind. Ein Problem tritt bei diesen Werkzeugen dann auf, wenn der
Schattenring in Kontakt mit dem Photoresist tritt, wodurch das Werkzeug
verunreinigt würde.
Ein weiterer Nachteil bei der Verwendung der Ringe ist die nachlassende
Gleichmäßigkeit
des Ätzverfahrens.
Darüber
hinaus können
die Ringe, da sie mechanische Gegenstände sind, nicht so exakt positioniert
werden, wie das bei lithografischen Strukturen der Fall ist. Daher ist
es erforderlich, dass zwischen der Ringposition und dem nächstliegenden
Speicherchip auf der Halbleiterscheibe ein Abstand als Puffer verbleibt.
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Das „black silicon"-Phänomen ist
ein Problem, das nur in unmittelbarer Nähe der Halbleiterscheibenkante
auftritt (in aktuellen Technologien etwa 5 mm von der Halbleiterscheibenkante
entfernt). Es wäre
wünschenswert,
ein Verfahren bereitzustellen, bei dem das Ätzen bei der Grabenätzung blockiert
werden kann, wie es bei einer steuerbaren Struktur, die mit großer Genauigkeit
ausgerichtet werden kann, erforderlich ist.
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Zusammenfassung der Erfindung
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Die vorliegende Erfindung betrifft
ein Verfahren zum Blockieren einer Ätzung in einem örtlich begrenzten
Bereich einer Halbleiterscheibe durch Beschädigen des zum Strukturieren
der Halbleiterscheibe verwendeten Photoresists.
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Ein Merkmal der vorliegenden Erfindung
ist das Blockieren der Ätzung
an der Kante der Halbleiterscheibe.
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Ein Merkmal der vorliegenden Erfindung
besteht in der Verwendung desselben Photoresists, der auch für die Ätzstruktur
eingesetzt wird.
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Ein weiteres Merkmal der vorliegenden
Erfindung besteht in der Verwendung einer ätzresistenten Blockierschicht.
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Noch ein weiteres Merkmal der vorliegenden Erfindung
ist das Entfernen der Blockierschicht nach einen Ätzschritt
zur Herstellung der Gräben.
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Kurze Figurenbeschreibung
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1 zeigt
einen Querschnitt einer erfindungsgemäß vorbereiteten Halbleiterscheibe.
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2 zeigt
denselben Bereich nach dem Belichten der Blockierschicht.
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3 zeigt
den Bereich nach dem Entwickeln des ebenfalls für die Blockierschicht verwendeten
Photoresist-Materials.
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4 zeigt
die Belichtung einer Halbleiterscheibe.
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5 zeigt
eine perspektivische Darstellung einer Vorrichtung zum Belichten
der Halbleiterscheibe.
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6A zeigt
den Bereich nach der Bearbeitung gemäß einem Verfahren aus dem Stand
der Technik.
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6B zeigt
den Bereich nach der Bearbeitung gemäß dem erfindungsgemäßen Verfahren.
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7 zeigt
eine Draufsicht auf eine Halbleiterscheibe, die gemäß einer
alternativen Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung bearbeitet wurde.
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8 zeigt
einen Querschnitt einer Halbleiterscheibe, die gemäß einem
Verfahren aus dem Stand der Technik bearbeitet wurde.
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9 zeigt
eine Draufsicht auf eine Halbleiterscheibe, die erfindungsgemäß bearbeitet
wurde.
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Detaillierte Figurenbeschreibung
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Im Folgenden wird ein Beispiel des
erfindungsgemäßen Verfahrens
beschrieben. Die Halbleiterscheibe, die z.B. aus Silizium, Galliumarsenid,
einer Silizium-Germanium-Legierung, einem SOI-Material u.s.w. besteht,
wird gemäß den Erfordernissen der
herzustellenden Schaltung und der eingesetzten Technologie präpariert.
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Ein Substrat oder eine Halbleiterscheibe 10 für eine integrierte
Schaltung umfasst eine Schicht 11 auf der Oberfläche, die
schematisch die Nitridkontaktschicht, die Oxidkontaktschicht oder
andere vorläufige
Schichten darstellt und in 1 gezeigt
ist. Die Abmessungen in den Figuren sind nicht maßstabsgetreu.
Im Folgenden wird der relative Anteil Blockiermaterials, das auf
dem noch zu bestimmenden Rand ausgebildet werden soll, die Materialdicke und
der Durchmesser der Halbleiterscheibe für eine Halbleiterscheibe mit
einem Durchmesse von 300 mm erläutert.
Die in der Zeichnung gezeigten Abmessungen wurden im Sinne einer
klaren Darstellung und Erläuterung
ausgewählt.
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Eine dicke Positiv-Photoresistschicht 110 wurde
aufgeschleudert und auf herkömmliche
Weise zum Belichten und Entwickeln vorbereitet. In diesem Fall wird
ein Positiv-Photoresist zur Bestimmung der Grabenstrukturen in DRAM-
oder eingebetteten DRAM-Speicherzellenfeldern verwendet. Die Struktur
kann irgendeine Struktur sein, bei der es zum Auftreten von sogenanntem „black
silicon" kommen kann.
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In einem nächsten Schritt wird, wie in 2 dargestellt, der Photoresist 110 an
der Kante über
einen radialen Abstand 112 am unteren Ende des Belichtungsstrahls 150 belichtet,
um eine Kante 115 zu bestimmen, die den äußeren Rand
der Halbleiterscheibe 10 umgibt. Die Belichtung des Strahls 150 reicht
vorzugsweise zur Karbonisierung des über diesen Bereich verteilten
Photoresists 110 aus. Der Abstand 112 ist vorzugsweise
gleichmäßig, kann
jedoch, wie im Folgenden beschrieben, ungleichmäßig ausgebildet werden.
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3 zeigt
das Ergebnis der Belichtung eines mittleren Bereichs des Photoresists
mit der Regulärstruktur
und einer anschließenden
Entwicklung, wobei der mittlere Teil des Photoresists eine Grabenstruktur
mit Öffnungen 122 umfasst
und der belichtete Bereich als Blockierschicht ein einem Blockierbereich
verbleibt, wodurch innerhalb des Blockierbereichs ein zentraler
Innenbereich für
die Ausbildung der integrierten Schaltung entsteht. Die waagrechte gepunktete
Linie weist auf eine Wiederholung der an den Rändern gezeigten Strukturen über den
gesamten Durchmesser der Halbleiterscheibe hin.
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Die Schicht 11 stellt die
Nitridkontaktschicht, sowie auch die optionale Hartmaskenschicht
dar, die durch die Öffnungen
in dem Photoresist geätzt
werden können
und anschließend
den Ätzvorgang
in dem darunter liegenden Silizium bestimmen. Die im Photoresist 110 gezeigte
Struktur wird als Bauelementestruktur bezeichnet. Eine Hartmaske
ist nicht immer erforderlich und wird eingesetzt, wenn der Ätzvorgang
aggressiver ist oder längere
Zeit andauert, so dass der Photoresist allein nicht ausreicht, um
der Wirkung des Ätzstoffes
zu widerstehen. Die Klammer 114 stellt einen Rand zwischen
dem Blockiermaterial 115 und dem nächstliegendsten Teil eines
Speicherchips dar, der eine durch Fehlausrichtung des Chips auf
dem Material 115 verursachte Beschädigung eines Speicherchip verhindern
soll.
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In 4 zeigt
denselben Bereich nach der Strukturierung des Photoresists 110 mit
der Grabenstruktur, der Entwicklung des Photoresists und der Ätzung des
Siliziums in der Halbleiterscheibe 10, wodurch die Gräben 124 ausgebildet
werden. Die waagrechte gepunktete Linie weist auf eine Wiederholung der
in die Halbleiterscheibe geätzten
und an den Rändern
gezeigten Strukturen über
den gesamten Durchmesser der Halbleiterscheibe hin. Der durch die
Anlage zur Belichtung der Ränder
karbonisierte Rand 115 wird auf beiden Seiten von dem strukturierten
und geätzten
Bereich durch die Pufferzone 114 abgetrennt.
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Die Dicke der Schicht 110 wird
durch die Erfordernisse des ausgebildeten Bildes und der Höhe des notwendigen Ätzwiderstands
festgelegt. Da die Lichtempfindlichkeit des Photoresist durch die
Karbonisierung zerstört
wurde, entwickelt sich die Struktur nicht auf dem Rand. Es verbleibt
kein Photoresist, der die Halbleiterscheibe vor den Ätzgasen
schützt, so
wie dies in der Mitte der Halbleiterscheibe der Fall ist. Der karbonisierte
Photoresist verbleibt und das Material ist ätzbeständiger als der ursprüngliche
Photoresist. Das Ätzverfahren
ist am Rand der Halbleiterscheibe aggressiver als in ihrem Inneren,
so dass die Ätzgase
das karbonisierte Material an manchen Stellen aufzehren können. Es
ist ein vorteilhaftes Merkmal der Erfindung, dass die von dem karbonisierten Photoresist
zur Verfügung
gestellte Schutzschicht nicht perfekt sein muss. Das Problem des „black
silicon" tritt nicht
auf, wenn die Ätzgase
das Silizium zum ersten Mal angreifen, sondern erst, nachdem bereits
eine bestimmte Menge an Material angegriffen wurde. Daher ist das
erfindungsgemäße Verfahren
in Bezug auf Fluktuationen in der Dicke des Blockiermaterials, des Ätzwiderstands,
der Ätzaggressivität u.s.w.
tolerant.
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Die Schicht 115 wird z.B.
in einem Verfahrensschritt unter Verwendung von Sauerstoffplasma abgelöst, wenn
sie nicht mehr gebraucht wird oder wenn ein chemisch-mechanisches
Polieren oder ein anderes Planarisierungsverfahren durchgeführt werden
soll, das durch die Schicht 115 beeinträchtigt würde. Wenn die Schicht vollständig aufgezehrt
wurde, ist ein Ablösen
nicht erforderlich. Allerdings kann sich der Betreiber nicht darauf
verlassen, dass die Schicht vollständig aufgezehrt wird.
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In der heutigen Praxis ist das Ätzen von
Gräben
das einzige Ätzverfahren,
dass unter dem Auftreten von „black
silicon" zu leiden
hat, jedoch besteht die Möglichkeit,
dass neue Verfahren ähnliche Schwierigkeiten
mit einem anderen Schritt haben könnten. Neue Schichten 115 können nach
Bedarf aufgebracht werden, obwohl die Gräben für die Halbleiterscheibe die
größte Belastung
darstellen, da sie das längste Ätzverfahren
erfordern.
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Anwendungsbeispiel Die Blockierschicht kann
in einem einzelnen Beschichtungsvorgang aufgetragen werden und Beschichtungsmodule,
Heizplattenmodule, Kühlplattenmodule,
Entwicklungseinheiten und Raum zum Installieren eines Modul zum Belichten
von Halbleiterscheiben-Rändern
umfassen. Eine geeignete Vorrichtung, die für die vorliegende Erfindung
eingesetzt wurde, ist der ASML PAS5000 Scanner.
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Die Erfindung wird anhand einer Einheit
zum Belichten von Halbleiterscheibenkanten dargestellt, die dazu
dient, Photoresist mit UV-Licht zu belichten (UV 196nm–400nm).
Da der Photoresist karbonisiert werden soll, kann vorzugsweise eine
günstigere
Lasereinheit verwendet, die im Infrarot- oder im sichtbaren Bereich
arbeitet, so lange diese die eingesetzte Belichtungsdosis mit ausreichend
Energie versorgen kann, um den Photoresist 110 zu karbonisieren.
Außerdem
können
Elektronenstrahleinheiten eingesetzt werden, beispielsweise wenn
in dem Verfahren eine Elektronenstrahlanlage zur Strukturierung
des Photoresists für
einen Ätzschritt
eingesetzt wird.
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Die Möglichkeit einer doppelten Verwendung (z.B.
der Einsatz derselben Einheit für
ein herkömmliches
Verfahren zum Belichten der Kanten, als auch für das erfindungsgemäße Verfahren)
sorgt zwar für Flexibilität, jedoch
können
bei der Verwendung einer speziellen Einheit geringere Investitionskosten
anfallen.
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5 zeigt
schematisch den Betrieb einer erfindungsgemäßen Anlage. Der Laser 510 erzeugt einen
Strahl im UV-Bereich, der in den Lichtwellenleiter 540 geleitet
wird, der an der Kante der Halbleiterscheibe 10 angeordnet
ist. Die Halbleiterscheibe wird unter dem Lichtwellenleiter 540 rotiert,
so dass die Strahlung von dem Lichtwellenleiter als Strahl 150 auf
einem Streifen am Rand der Halbleiterscheibe 10 auftrifft.
Die Spiegel 515 und 517 sind Teil einer alternativen
Ausführungsform
der Erfindung, die unten näher
erläutert
wird.
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Bei normalem Gebrauch der Anlage
belichtet, wie in 6A gezeigt,
die zu dem Strahl 150 gebündelte Strahlung den Positiv-Photoresist 110 in
einem Streifen um die Kante herum, so dass der belichtete Photoresist
nach dem Entwickeln von der Kante entfernt wird, wodurch im belichteten
Bereich der Halbleiterscheibe ein entblößter Rand zurückbleibt.
Dadurch verringert sich die Gefahr, dass Photoresist an anderen
Gerätschaften,
mit denen er in Kontakt kommt, kleben bleibt oder sie anderweitig verunreinigt.
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Erfindungsgemäß ist die Belichtungsdauer und/oder
die Intensität
der Strahlung so ausgewählt, dass
die Strahlung den Photoresist in diesem Bereich karbonisiert oder
ansonsten unempfindlich macht. „Karbonisieren" ist ein in Fachkreisen
wohl bekannter Begriff und bedeutet, dass flüchtige Verbindungen aus dem
Material entfernt wurden, wodurch ein robuster, hauptsächlich aus
Kohlenstoff bestehender Rest zurückbleibt.
Wird der Photoresist 110 nun erfindungsgemäß belichtet,
so verbleibt ein karbonisierter Rückstand, der in 6B als Rand 115 dargestellt
ist und in dem Bereich liegt, der in der Regel frei von Photoresist
ist. Wenn der Photoresist im mittleren Bereich der Halbleiterscheibe
mit den Grabenstrukturen belichtet wird, wird der Rand aufgrund
des karbonisierten Photoresists nicht entwickelt. So wird das gewünschte Resultat
erreicht, nämlich
dass im Bereich des karbonisierten Randes keine Gräben eingeätzt werden.
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Das darunter liegende Silizium oder
ein anderes Halbleiterscheibenmaterial wird durch den karbonisierten Überrest
und durch eine eventuell vorhandene optionale Hartmaske vor den Ätzgasen
geschützt.
Wird im Rahmen einer Anwendung ein anderes Ätzverfahren eingesetzt, das
nicht allzu aggressiv ist und/oder keine dicke Schicht ätzt, kann
es ausreichen, den Photoresist in diesem Bereich zu vernetzen, zu
entwickeln oder anderweitig unempfindlich zu machen (beispielsweise
ein Negativ-Photoresist, der durch Belichtung ätzresistent wird).
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In 8 ist
ein Querschnitt einer Vorgehensweise aus dem Stand der Technik zum
Schutz der Halbleiterscheibenkanten während des Ätzens gezeigt. Oberhalb des
Randes der Halbleiterscheibe 10 wird ein mechanischer Ring 820 angeordnet,
der aus Edelstahl oder einem anderen Material besteht, das resistent
gegen Ätzgase
ist. Der Ring bedeckt einen radialen Abstand 112', der zum Schutz
der Kante ausreicht. Dieser radiale Abstand variiert in Abhängigkeit
von den eingesetzten Anlagen und Chemikalien. Der Ring 820 wird
nach der Präparierung
der Halbleiterscheibe mit Photoresist 110 in Position gebracht
und verbleibt dort während
des Ätzschritts,
so dass die Ätzgase
den Photoresist 110 nicht angreifen. Der Photoresist 110 unter
dem Ring wurde entwickelt, da der Kantenbereich der Halbleiterscheibe zur
Verbesserung der gleichmäßigen Hitzebelastung während des Ätzvorgangs
belichtet wurde. Folglich liegen in dem Photoresist an der Halbleiterscheibenkante Öffnungen
vor, die angegriffen und geätzt würden, wenn
der Ring nicht vorhanden wäre.
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9 zeigt
eine Draufsicht auf eine Halbleiterscheibe, die gemäß einer
bevorzugten Ausführungsform
der Erfindung belichtet wurde. Es ist erkennbar, dass der Rand 115 ein
einheitliches Materialstück
ist, das Speicherchipstrukturen 922 am Rand der Halbleiterscheibe
teilweise bedeckt. Da die Belichtung des Rands durch Rotation der
Halbleiterscheibe unterhalb des Lichtwellenleiters mit der karbonisierenden
Strahlung durchgeführt
wurde, weist der Rand 115 einen glatten, kreisrunden Kantenbereich
auf.
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7 zeigt
eine entsprechende Draufsicht auf eine Halbleiterscheibe, die gemäß einer
alternativen Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung bearbeitet wurde. Bezugnehmend auf 5 wird der Lichtwellenleiter
540 zum Leiten der Strahlung auf die Halbleiterscheibe durch das
allgemein durch die Klammer 520 gekennzeichnete optionale
Merkmal ersetzt. Zwei Spiegel 515 und 517. werden
angebracht, um den Strahl 150 in zwei orthogonale Richtungen
abzulenken, beispielsweise entlang der x- und y-Achsen oder entlang
einer radialen Richtung und senkrecht zum Radius. Die Strahlung
wird dann unmittelbar vom zweiten Spiegel aus geleitet, ohne den
Lichtwellenleiter 540 zu durchlaufen. Eine solche Anordnung
ermöglicht
die Abdeckung eines weiteren Belichtungsbereichs, als dies angesichts
des Durchmessers des Lichtwellenleiters 540 der Fall ist.
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In 7 ist
die Halbleiterscheibe durch eine vertikale gestrichelte Linie 750 in
zwei Hälften
eingeteilt, um zwei Ausführungsformen
der Erfindung zu zeigen. Auf der rechten Seite, kann das Werkzeug, welches
das Material 110 belichtet, einen Bereich mit einer Kantenlinie
von 45 Grad (oder anderen diagonalen Linien) nicht belichten; d.h.
es kann nur senkrechte 708 und waagrechte Linien 704 erkennen. Folglich
erreicht der Blockierbereich 706 den Rand der Speicherchips 726.
Falls dies gewünscht
ist, kann der Bereich 706 so definiert werden, dass er
bis auf einen Minimalabstand 712, der auf der rechten Seite
der Halbleiterscheibe gezeigt ist, an die Halbleiterscheibenkante
herankommt, wobei ein Teilchip
726' die Lücke zwischen dem nächstliegendsten
vollständigen
Chip 726 und der Blockierschicht auffüllt, wodurch sich der zu strukturierende
Bereich bis auf ein Maximum erhöht
und eine gleichmäßigere Annäherung an
die Kante der Halbleiterscheibe möglich wäre, als es ohne teilweise belichtete
Chipstrukturen der Fall wäre.
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Im unteren Bereich der Figur ist
eine Linie 714 als Alternative zur Linie 714' gezeigt. Die
Linie 714' würde der
Kante der Halbleiterscheibe zu nahe kommen, d.h. der Abstand zwischen
der Halbleiterscheibenkante und dem nächstliegendsten Speicherchip,
der als 712' gekennzeichnet
ist, wäre
zu klein für
die Strukturierung eines vollständigen
Speicherchips entlang der Linie 714'. Diese Stellung würde eine
gleichmäßigere Hitzebelastung
aufweisen, wenn ein Teilchip ähnlich
dem auf der rechten Seite der Figur gezeigten eingesetzt werden
würde.
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Auf der linken Seite der Figur wird
davon ausgegangen, dass die Belichtungsanlage 45°-Winkel erkennen kann, so dass
diagonale Linien 710 (zu 45°- und anderen Winkeln) gezeichnet
werden können.
Diese Funktion ermöglicht
an verschiedenen Stellen eine bessere Annäherung an den Rand der Halbleiterscheibe
und kann in manchen Fällen
die Belichtung des gesamten Speicherchips, sowie in anderen Fällen eine
gleichmäßigere Belichtung
von Teilchips (und dadurch eine gleichmäßigere Hitzebelastung) ermöglichen.
Ein solcher Teilchip 728 ist auf der linken Seite der Figur
gezeigt.
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Für
eine klarere Darstellung sind zwei verschiedene Chipgrößen gezeigt.
Dem Fachmann ist klar, dass mit einer in 5 gezeigten Einheit 500, die
eine präzise
Positionssteuerung umfasst, die Längen der einzelnen Linien ziemlich
klein ausfallen können
und daher die Abdeckung der Halbleiterscheibe ziemlich nahe an einen
gleichmäßigen Ring aus
Blockiermaterial mit einem Mindestabstand 712 herankommt.
Eine solche Feinsteuerung ist ziemlich teuer, weshalb vorzugsweise
eine weniger präzise Einheit
verwendet werden kann, die eine Struktur nicht so präzise belichtet,
dafür jedoch
wesentlich preiswerter ist. Die Feineinstellung erfordert Zeit,
die den Durchsatz beim Belichtungsvorgang senkt und dadurch die
Kosten zur Durchführung
der Erfindung erhöht.
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Da die Wirksamkeit des Photoresists 110 durch
die Karbonisierung zerstört
wird, spielt es keine Rolle, ob es sich um einen Positiv- oder um
einen Negativ-Photoresist handelt. Das Blockiermaterial 110 kann
aus irgendeinem Positiv- oder Negativ-Photoresist bestehen.
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In der heutigen Technologie beträgt die Belichtungstoleranz
für das
Material 112 (d.h. die tolerierbare Abweichung im inneren
Radius des Material 112, die in 3 als Klammer 114 gezeigt ist)
etwa 0,1 mm. Das Hauptaugenmerk liegt nicht auf der präzisen Positionierung,
da die Ausrichtung kein kritischer Faktor ist. Wesentlich ist der
Bereich, der aufgrund der Tatsache, dass ein Sicherheitsabstand
notwendig ist, um eine Beschädigung
des hergestellten Speicherchips durch Projektion auf die Kante des Blockiermaterials 112 zu
verhindern, nicht mit vollständigen
Speicherchips strukturiert werden kann.
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Es ist ein vorteilhaftes Merkmal
der Erfindung, dass derselbe Photoresist zur Bestimmung des Randes 115 und
zur Bestimmung der Struktur im mittleren Bereich der Halbleiterscheibe
eingesetzt wird. In dem gezeigten Beispiel ist der für die Grabenstruktur
eingesetzte Photoresist ein Positiv-Photoresist, weshalb ein Positiv-Photoresist
zur Bestimmung des Randes 115 eingesetzt wird. In manchen
Fällen kann
es erforderlich sein, einen Photoresist zu verwenden, dem diese
zweifache Funktion fehlt. In so einem Fall wird der Photoresist
im mittleren Bereich abgelöst
und ein geeigneter zweiter Strukturierungs-Photoresist aufgebracht, auf den dann
die Struktur dieser Schaltungsschicht übertragen wird.
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Nach dem Ätzvorgang wird das Herstellungsverfahren
der integrierten Schaltung auf herkömmliche Weise zur Fertigstellung
z.B. einer bipolaren Schaltung, einer CMOS-Schaltung, einer biCMOS-Schaltung
u.s.w. fortgesetzt, beispielsweise durch die Ausbildung von DRAM-Speicherzellen,
planarer Transistoren, eine oder mehrere Ebenen am hinteren Ende
der Produktionslinie und durch Einhäusen. Dem Fachmann ist klar,
dass die Erfindung nicht auf die Herstellung von DRAM-Speichern
oder gar auf integrierte Schaltungen beschränkt ist (beispielsweise kann
die Erfindung bei der Feinstzerspanung mechanischer Gegenstände eingesetzt
werden) und für
jedes Ätzverfahren
eingesetzt werden kann, das eine negative Wirkung auf die darunter
liegenden Materialschichten in einem Bereich der Halbleiterscheibe
hat. Beispielsweise sind Verfahren denkbar, in denen die Erfindung
im inneren der Halbleiterscheibe eingesetzt werden kann, obwohl
das Ätzverfahren
am Rand aggressiver ist.
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Die vorliegende Erfindung wurde anhand
einer einzigen bevorzugten Ausführungsform
dargestellt. Dem Fachmann ist jedoch klar, dass die Erfindung im
Sinne und Umfang der anhängenden
Ansprüche
variiert werden kann.