JPH05281752A - 集束イオンビームによる加工方法 - Google Patents

集束イオンビームによる加工方法

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JPH05281752A
JPH05281752A JP7802792A JP7802792A JPH05281752A JP H05281752 A JPH05281752 A JP H05281752A JP 7802792 A JP7802792 A JP 7802792A JP 7802792 A JP7802792 A JP 7802792A JP H05281752 A JPH05281752 A JP H05281752A
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JP
Japan
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substrate
ion beam
sample
pattern parts
exposed
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Pending
Application number
JP7802792A
Other languages
English (en)
Inventor
Kazuo Aida
和男 相田
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Seiko Instruments Inc
Original Assignee
Seiko Instruments Inc
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Publication date
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Pending legal-status Critical Current

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    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
    • G03F1/72—Repair or correction of mask defects
    • G03F1/74—Repair or correction of mask defects by charged particle beam [CPB], e.g. focused ion beam
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136259—Repairing; Defects
    • G02F1/136263—Line defects

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  • Physics & Mathematics (AREA)
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  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 集束イオンビームによる平坦基板上にパター
ンニングされたパターン部のパターン部エッジ部の基板
上に、不用な溝加工痕が残らないようにする。 【構成】 パターンニングされていない基板上にのみマ
スキング物質を塗布し、この状態で集束イオンビームに
よりエッチング除去加工を行う。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、集束イオンビームを用
いて、半導体製造に関わるマスク、レチクル、Ｘ線マス
ク等の試料をエッチング除去加工する加工方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来、図２（ａ）に示すように平坦な基
板上にパターンニングされた試料のパターン部２２をエ
ッチング除去加工する時には、集束イオンビームにてパ
ターン部２２周辺をスキャニングし、イメージングし、
このイメージによりエッチング除去したいパターン部２
２のみに集束イオンビーム２１を照射し、パターン部２
２下地から放出される二次粒子をモニターしながら、加
工の各点を検出し、エッチング除去加工を行っていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来の方法では、図２
に示すように集束イオンビーム２１により基板２３の上
にパターンニングされたパターン部２２をエッチング除
去加工を行う時、パターン部２２のエッジ部分ではエッ
ジ効果のためにエッジ部分から離れたパターン部より早
く削れ、しかも小角散乱したイオンビームがパターン部
エッジ周辺の基板にあたり、パターン部エッジ周辺の基
板をエッチング加工してしまうことになる。これにより
不必要、あるいは有害な加工が行われることになり、パ
ターン部エッジ部周辺に溝２４を作ってしまう。試料が
半導体製造に用いるフォトマスクやレチクルの場合、こ
の溝２２は光を散乱、屈折させ、試料の新たな欠陥とし
て認識される課題があった。本発明は、基板２３上への
不要なエッチング加工を防ぐことを目的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は、前記目的を達
成するため、平坦な基板上にパターンニングされた試料
のパターンニングされていない基板上にマスキングのた
めの物質を塗布し、この状態でパターン部の加工したい
所に集束イオンビームを照射し、スパッタエッチング加
工することを要旨とする。
【０００５】
【作用】前記手段によれば、パターン部エッジの加工時
において、パターン部エッジ周辺での基板上へのイオン
ビーム照射がないため、パターン部エッジ周辺での基板
上への不必要なあるいは有害なエッチング加工を防げる
こととなる。
【０００６】
【実施例】以下に、本発明の実施例を図に基づいて説明
する。図３において、エッチングしようとする試料表面
上にネガ型レジスト３１を塗布し、試料のパターン部３
２の反対側から光３６をあてて露光する。すると、パタ
ーンニングされていない基板上のネガ型レジストのみ露
光され露光されたネガ型レジスト３５として残る。 次
に、パターン部３２上にある露光されていないネガ型レ
ジスト３４を洗い流せば、露光されたネガ型レジスト３
５により、試料のパターンニングされていない基板部分
をマスキングできる。
【０００７】この状態で図７に示すように集束イオンビ
ーム７をエッチング除去加工しようとするパターン部２
に照射することにより、パターン部２のエッジ周辺での
不必要あるいは有害な基板上への加工を行うことなく、
エッチング除去加工を行うことができる。その後、露光
されたレジスト（マスキング物質３）を溶剤によって洗
い流すことにより、目的とするエッチング除去加工は終
了する。
【０００８】
【発明の効果】この発明は以上説明したように、パター
ンニングされていない基板上のみにマスキング物質を塗
り、この状態でエッチング除去加工を行うために、パタ
ーン部エッジを加工する時、パターン部エッジ部周辺で
の基板上への不必要あるいは有害な加工が行われずにエ
ッチング除去加工が行われる効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明における加工方法の手順を示した図であ
る。
【図２】従来の方法の説明図である。
【図３】マスキング物質をパターンニングされていない
基板上のみに塗布する方法を示す図である。
【符号の説明】
１ 集束イオンビーム ２ パターン部 ３ マスキング物質 ４ 基板 ２１ 集束イオンビーム ２２ パターン部 ２３ 基板 ２４ 溝 ３１ ネガ型レジスト ３２ パターン部 ３３ 基板 ３４ 露光されていないネガ型レジスト ３５ 露光されたネガ型レジスト ３６ 光

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 イオン源により放出されるイオンビーム
    を、レンズ系により１ミクロンメートル以下に集束さ
    せ、集束された該イオンビームを用いて、平坦な基板上
    にパターンニングされた試料のパターン部をエッチング
    除去加工する方法において、該試料のパターンニングさ
    れていない基板部分のみに、基板をマスキングするため
    の物質を塗布し、この状態で該試料のパターン部をエッ
    チング除去加工することを特徴とする集束イオンビーム
    による加工方法。
JP7802792A 1992-03-31 1992-03-31 集束イオンビームによる加工方法 Pending JPH05281752A (ja)

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US08/036,449 US5405734A (en) 1992-03-31 1993-03-24 Method for correcting a patterned film using an ion beam

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