DE2719902A1 - Verfahren zum entfernen isolierter materialbereiche von einer unterlage - Google Patents
Verfahren zum entfernen isolierter materialbereiche von einer unterlageInfo
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Description
Dn.-Ing. Reimar König · Dipl.-lncj. Klaus
3. Mai 1977 31 452 B
RCA Corporation, 30 Rockefeller Plaza, New York, N.Y. 10020 (V.St.A.)
"Verfahren zum Entfernen isolierter Materialbereiche von einer Unterlage"
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Entfernen abgegrenzter, isolierter Materialbereiche von einer Unterlage mit unerwünschten,
zu entfernenden Bereichen und erwünschten, nicht zu entfernenden Bereichen desselben Materials. Vorzugsweise betrifft
die Erfindung Fotomasken, wie sie bei der Herstellung von Halbleiterbauelementen benutzt werden, und befaßt sich
mit einem Verfahren zum Ausbessern schadhafter Fotomasken und Fadennetzmuster durch Entfernen von im Überschuß vorhandenem
Chrom- oder Chromoxid. Außerdem ist das Verfahren zum Herstellen von Fotomasken aus mit Chrom oder Chromoxid bedeckten
Unterlagen vorgesehen.
Bei der Herstellung von Halbleiterbauelementen werden Fotomasken benutzt, um Bereiche von lichtempfindlichem Material,
zum Beispiel sogenanntes Photoresist-Material, abzugrenzen. Diese Bereiche werden dann belichtet, um darunterliegende Bereiche
des Halbleitermaterials zum Zwecke des Ätzens, Diffundierens, der Ionen-Implantation oder ähnliches freizulegen.
Derzeit hierbei verwendete Fotomasken werden ausgehend von einer Matrize (Kopierschablone) fotografisch hergestellt.
Diese Vorlage wird im folgenden auch als "Fadennetz" bezeichnet. Dieses wird benutzt, um die eigentliche Fotomaske, die
bei der Herstellung der Halbleiterbauelemente verwendet wird, zu belichten. Die Abbildung auf dem Fadennetz ist im allgemeinen
wesentlich größer als das Bild auf der Fotomaske. Auf dieser sind im allgemeinen hunderte von Bildern zusammengefaßt,
die durch Vervielfältigung des Fadennetzbildes mit Hilfe einer Kopierkamera erzeugt werden. Es ist wichtig, daß
die Fadennetze fotografisch exakt sind und sauber gehalten werden, damit durch das Fadennetz keine Fehler auf die Fotomasken
übertragen werden. Fadennetze werden im allgemeinen aus hartem Material, wie Chrom (Cr), mit einer Dicke von ungefähr
800 Ä auf einer durchsichtigen Glasunterlage hergestellt. Die Chromschicht kann mit einer Schicht Chromoxid
(Cr2O,) bedeckt sein, welche eine Dicke von ungefähr 200 8
haben kann. Fadennetze oder Fotomasken, die nur aus auf einer Unterlage aufgebrachtem Chrom bestehen, werden im folgenden
als Chrommasken bezeichnet, während Fadennetze oder Fotomasken, die eine Chromoxidschicht auf der Chromschicht aufweisen, im
folgenden ohne Rücksicht auf eventuell darunterliegendes Chrom als Chromoxid-Masken bezeichnet werden.
Die zum Herstellen von Fotomasken verwendeten Fadennetze sollen möglichst frei von Defekten sein, damit letztere auf den damit
hergestellten Fotomasken nicht wiedergegeben werden. Einen solchen zu beseitigenden Defekt stellt ein unerwünscht mit
Chrom oder Chromoxid bedeckter Bereich im Fadennetz dar. Die Überschußmenge an Chrom oder Chromoxid führt nämlich zu einem
lichtundurchlässigen Bereich auf dem Fadennetz an einer Stelle, an der ein durchsichtiger Bereich erwünscht ist.
Bisher werden zum Beseitigen von unerwünscht mit Chrom oder Chromoxid bedeckten Bereichen in Fadennetzen Laserstrahlen benutzt.
Dabei richtet man den Laserstrahl auf einen zu entfernenden bzw. unerwünschten Bereich und schaltet ihn ein, um das
Material zu entfernen. Letzteres wird dabei geschmolzen und
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durch die Oberflächenspannung des angrenzenden Materials von diesem aufgesogen. Ein Nachteil dieses Verfahrens ist es, daß
dabei die darunterliegende Unterlage etwas geschmolzen und verletzt werden kann. Eine solche Beschädigung der Unterlage
kann nämlich fotolithografisch wiedergegeben werden. Ein weiterer Nachteil des Laser-Verfahrens ist in dem erheblichen
Zeitaufwand begründet, der erforderlich ist, um den Laserstrahl über ausgedehnte Flächen zu führen.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren der eingangs genannten Art zum Reparieren schadhafter Fadennetze
bzw. Fotomasken und zum Herstellen solcher Fadennetze oder Fotomasken zu schaffen, wobei die Nachteile bisheriger Verfahren
vermieden werden sollen. Insbesondere soll das erfindungsgemäße Verfahren bei einfachster Ausführbarkeit geeignet
sein, ein Fadennetz bzw. eine Fotomaske zu reparieren oder herzustellen, ohne daß beim Entfernen unerwünschter
Bereiche die erwünschten Bereiche oder die Unterlage in einer den späteren Gebrauch störenden Weise verletzt werden. Beim
Herstellen neuer Masken soll insbesondere das Verfahren dahingehend vereinfacht werden, daß die Anfertigung groß dimensionierter
und anschließend fotografisch zu verkleinernder Muster entfallen kann.
Die erfindungsgemäße Lösung besteht darin, daß von der Unterlage
zu entfernende Bereiche aus lichtundurchlässigem, zur Gruppe Chrom und Chromoxid gehörendem Material mit Hilfe
einer nach Berührung des letzteren mit einer Sonde gegenüber dem Material ätzend wirkenden Säure weggeätzt werden, daß
eine aus einem die Ätzreaktion der Säure gegenüber dem Material erst auslösenden Metall bestehende Sonde verwendet wird und
daß die Säure zumindest in die Nähe der aus zu entfernendem Material bestehenden Bereiche gebracht wird.
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Bei dem erfindungsgemäßen Verfahren zum Entfernen abgegrenzter
isolierter Materialbereiche von einer Unterlage mit unerwünschten, zu entfernenden und erwünschten, nicht zu entfernenden,
also verbleibenden Bereichen des gleichen Materials wird zunächst eine Unterlage mit darauf aufgebrachtem,
lichtundurchlässigem Chrom und/oder Chromoxid ausgewählt. Alsdann wird zumindest in die Nähe des zu beseitigenden Materials
eine Säure gebracht, die als Ätzmittel gegenüber dem Material wirkt, wenn das Material gleichzeitig mit einer metallischen
Sonde berührt wird, deren Metall die Ätzreaktion der Säure erst auslöst. Da die Ätzreaktion nur gegenüber den
Materialbereichen ausgelöst wird, die mit dem Metall der Sonde berührt werden, schadet es nichts, wenn außerdem auch erwünschte,
also nicht zu entfernende Materialbereiche mit der Säure in Berührung kommen. Im übrigen muß die Säure auch nicht unmittelbar
auf die zu entfernenden Materialbereiche aufgebracht werden,es genügt vielmehr, wenn die Säure in die unmittelbare
Nähe eines von der Sonde bereits berührten Materialbereichs gelangt. Die Ätzreaktion wird dann dadurch eingeleitet, daß die
Säure zu der Sonde fließt.
Durch die Erfindung wird erreicht, daß bei Berührung nur der unerwünschten Bereiche mit der metallischen Sonde das
Ätzen genau dieser Bereiche durch die von der Sonde ausgelöste Ätzwirkung der Säure in Gang gesetzt wird und diese
Bereiche dadurch von der Unterlage durch Ätzen entfernt werden. Beim Auftragen der Säure braucht dabei keine besondere
Vorsichtsmaßnahme ergriffen zu werden, insbesondere können auch die erwünschten, also nicht zu entfernenden Materialbereiche
mit der Säure in Berührung kommen, wenn nur Sorge getragen wird, daß nicht auch die Sonde mit diesen Bereichen kontaktiert
wird. Eine Ätzung der erwünschten Bereiche oder eine sonstige Verletzung dieser Bereiche ist dann nicht zu befürchten.
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Erfindungsgemäß können bereits isolierte, unerwünschte Bereiche ohne weiteres entfernt werden. Hängen die Bereiche jedoch
mit erwünschten Bereichen zusammen, so ist vorher eine Trennung der beiden Bereiche vorzunehmen. Eine solche kann
beispielsweise mit Hilfe eines Laserstrahls erzielt werden, in-dem dieser auf die vorgesehene Trennungslinie gerichtet
und längs dieser geführt wird. Das geschmolzene, zu entfernende Material wird dabei von den benachbarten Bereichen aufgrund
der Oberflächenspannung angezogen, so daß eine saubere Abgrenzung bzw. Isolierung zwischen den beiden benachbarten
Bereichen entsteht. Auf diese Weise können erfindungsgemäß
auch auf einer gleichmäßig mit dem fraglichen lichtundurchlässigen Material beschichteten Unterlage neue Muster hergestellt
werden, in-dem man den Laserstrahl auf die gewünschte Umrißlinie richtet und diese Linie entlang fahren läßt. Der
Laserstrahl kann dabei von einem programmierten Digitalrechner gesteuert werden.
In weiterer Ausgestaltung der Erfindung kann Salzsäure, Schwefelsäure
und/oder Phosphorsäure verwendet werden. Als Material der metallischen Sonde haben sich Metalle der Gruppe Zink, Eisen,
Aluminium und Kupfer bewährt, insbesondere dann, wenn eine Säure der vorgenannten Gruppe zum Wegätzen von Chrom und/oder
Chromoxid benutzt werden soll. Um eine Schädigung der Unterlage bzw. des darauf aufgebrachten Musters zu vermeiden, ist
es günstig, die Säure nach dem erfolgten Wegätzen der unerwünschten Bereiche abzuspülen.
Anhand der schematischen Zeichnung von Ausführungsbeispielen werden weitere Einzelheiten der Erfindung erläutert. Es
zeigen:
Fig. 1 eine Draufsicht auf eine Fotomaske mit einem isolierten
Defekt;
7098A7/08Aß
Fig. 2 eine Draufsicht auf die Fotomaske gemäß Fig. 1, aus
der der Defekt entfernt worden ist;
Fig. 3 eine Draufsicht auf eine Fotomaske mit nicht isolierten
Defekten, die also mit erwünschten Bereichen zusammenhängen;
eine Draufsicht auf die Fotomaske gemäß Fig. 3 nach der Abtrennung der unerwünschten Bereiche;
eine Draufsicht auf die Fotomaske gemäß Fig. 3 und nach Beseitigung der unerwünschten Bereiche;
eine Draufsicht auf eine ein mit Hilfe eines Laserstrahls hergestelltes Muster aufweisende Unterlage;
Fig. 7 eine Draufsicht auf die Unterlage gemäß Fig. 6 nach Entfernung der die erwünschten Bereiche umgebenden
lichtundurchlässigen Bereiche; und
Fig. 8 eine Draufsicht auf die Unterlage gemäß Fig. 6 und 7
nach dem Entfernen der von den erwünschten Bereichen umgebenden lichtundurchlässigen Bereiche.
In Fig. 1 ist eine Draufsicht auf eine Fotomaske 10 dargestellt. Die Bezeichnung "Fotomaske" wird im folgenden auch verwendet,
wenn die eingangs genannte Matrize oder Schablone , das sog. Fadennetz (reticle), gemeint ist. Die Fotomaske 10 besteht aus
einer Unterlage aus lichtdurchlässigem Material, zum Beispiel aus Glas, auf der sich verschiedene erwünschte Bereiche 14 und
ein schadhafter, unerwünschter Bereich 16 befinden. Die erwünschten und unerwünschten Bereiche 14 und 16 bestehen aus
lichtundurchlässigem Material. Solche Materialien werden beim Belichten von Fotoresisten (durch die Fotomaske 10 hindurch)
709867/084I.
benutzt. Es können zwar viele Stoffe zur Bildung lichtundurchlässiger
Bereiche auf der Fotomaske 10 verwendet werden, das erfindungsgemäße Verfahren bezieht sich jedoch speziell auf
die Ausbesserung von Defekten auf Fotomasken mit aus Chrom oder Chromoxid bestehenden lichtundurchlässigen Bereichen.
Mit dem Ausdruck "Defekt" werden hier Überschußmengen an lichtundurchlässigem Material auf einer Fotomaske bezeichnet. Der
Ausdruck wird immer benutzt unabhängig davon, ob es sich um Uberschußmengen handelt, die Folge eines Fehlers der ursprünglichen
Zeichnung bzw. unzureichender Beseitigung des Materials sind oder aus Material bestehen, das bei der Herstellung einer
Fotomaske noch zu entfernen ist.
Im Ausführungsbeispiel gemäß Fig. 1 soll der bereits von den erwünschten
Bereichen 14 des Musters isolierte defekte Bereich von der Fotomaske 10 entfernt werden. Wenn der defekte Bereich
16 aus Chrom oder Chromoxid besteht, kann dieser isolierte Defekt ohne Einwirkung auf die angrenzenden erwünschten Bereiche
14 durch Anwendung des erfindungsgemäßen Verfahrens beseitigt werden.
Erfindungsgemäß wird dabei eine der in Tabelle I genannten Säuren auf die Oberfläche der Fotomaske 10 so aufgebracht,
daß die Säure wenigstens den defekten Bereich 16 bedeckt. Die Säure kann sich außerdem auf den erwünschten Bereichen
befinden. Solange nur die Säure allein die Böreiche 14 und
berührt, tritt keine Reaktion ein. Als nächstes wird eine Metallsonde mit dem defekten Bereich 16 in Berührung gebracht.
Es muß dabei dafür Sorge getragen werden, daß die Metallsonde nur den unerwünschten Bereich 16 nicht aber die
benachbarten erwünschten, ebenfalls mit Säure bedeckten Bereiche 14, die verbleiben sollen, berührt. Die Sonde soll
aus einem aus Tabelle I in Abhängigkeit von dem jeweils zu
■' 0 ci R /, 7 / ι) Β 4 .
entfernenden Material und der benutzten Säure ausgewählten Metall bestehen. Sofort, nachdem die Sonde mit dem unerwünschten
Bereich 16 in Kontakt gekommen ist, wird eine Reaktion ausgelöst bzw„ in Gang gesetzt, die bewirkt, daß nur die unerwünschten
Bereiche 16 - und zwar vollständig - weggeätzt werden. Unerwarteter Weise setzt sich der Ätzvorgang auch fort,
wenn die Metallsonde sofort nach dem Kontakt mit dem unerwünschten Bereich wieder zurückgezogen wird. Demgegenüber bleiben die
erwünschten Bereiche 14 unbeeinflußt durch die sie gegebenenfalls bedeckende Säure, wenn nur diese Bereiche nicht mit der
Metallsonde in Kontakt kommen.
zu beseitigendes Material |
Saure | Sonden-Metall |
Cr | HCl | Zn, Fe, Al, Cu |
Cr | H2SO4 | Zn, Fe, Al |
Cr | H3PO4 | Zn |
Cr+Cr20, | HCl | Zn, Fe, Al |
Cr+C^O-x | H2SO4 | Zn |
Bisweilen kann es schwierig sein, eine Metallsonde auf einen sehr kleinen unerwünschten, bereits mit der Säure bedeckten
Bereich 16 abzusenken, weil die Oberflächenspannung der Säure die Metallsonde manchmal ablenkt. Dadurch kann die Sonde einen
benachbarten erwünschten Bereich 14 berühren, so daß dieser Bereich entfeint wird. Um derartige Schwierigkeiten zu vermeiden,
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kann das vorbeschriebene Verfahren dahingehend etwas abgeändert werden, daß die Metallsonde auf einen unerwünschten Bereich
16 gesetzt wird, ohne vorher Säure auf diesen Bereich zu geben. Danach kann ein Tropfen der Säure in unmittelbare
Nähe der Metallsonde gebracht werden, ohne jedoch gegebenenfalls den unerwünschten Bereich 16 oder die Sonde zu berühren.
Die Säure schlägt sich dann an der Metallsonde nieder und fließt längs der Sonde auf den kleinen unerwünschten Bereich
16. Nur dieser Bereich wird daraufhin (vollständig) weggeätzt. Im Anschluß an die Beseitigung des unerwünschten
Bereichs 16 sollte die Fotomaske 10 gespült werden, um Säurerückstände vollständig abzuwaschen. In Fig. 2 ist eine
Fotomaske 10 gezeigt, bei der der unerwünschte Bereich 16 entfernt worden ist.
Falls ein Defekt der Fotomaske nicht von einem erwünschten Bereich getrennt bzw. isoliert ist, wird der Defekt zunächst
als solcher isoliert, das heißt zum angrenzenden erwünschten Bereich hin räumlich abgegrenzt. Fig. 3 zeigt
eine Fotomaske mit einer Unterlage 22, auf der voneinander getrennte lichtundurchlässige Bereiche 24, 26 und 28
aus Chrom oder Chromoxid angeordnet sind. Jeder dieser Bereiche besteht sowohl aus erwünschten als auch aus unerwünschten
Flächenteilen. Es ist daher nötig, jeden der unerwünschten Bereiche vor seiner eigentlichen Beseitigung
zu isolieren.
Diese Isolierung oder Abtrennung der unerwünschten Bereiche kann mit Hilfe eines enggebündelten Laserstrahls bewirkt werden.
Eine hierzu geeignete Laseranordnung wird von der Florod
Corporation unter der Bezeichnung Modell MT hergestellt. Der Laserstrahl hat bei dem Modell MT einen Durchmesser von etwa
2 Mikrometern. Mit Hilfe des Laserstrahls wird das überschüssige
7098*7/084.>
ΛΧ
Chrom oder Chromoxid an der Grenze zwischen den erwünschten und den unerwünschten Bereichen geschmolzen,, Das geschmolzene
Material wird durch die Oberflächenspannung des benachbarten Materials sofort weggesaugt.
In Figg 4 ist angenommen, daß der Bereich 24 aus einem erwünschten
Bereich 30 und einem unerwünschten Bereich 32 besteht. Der lichtundurchlässige Bereich 26 soll aus zwei erwünschten
Bereichen 34 und 36 und einem unerwünschten Bereich 38 zusammengesetzt sein. Zu dem Bereich 28 gehört ein erwünschter
Bereich 40 und ein unerwünschter Bereich 42. Die freien Streifen zwischen den jeweiligen erwünschten Bereichen
einerseits und den unerwünschten Bereichen andererseits sind mit Hilfe des Laserstrahls erzeugt worden.
Im Anschluß an die räumliche und elektrische Trennung der Defekte 32, 38 und 42 auf der Oberfläche der Fotomaske 20 wird
diese mit einer aus Tabelle I ausgewählten Säure behandelt, so daß wenigstens die unerwünschten Bereiche 32, 38 und 42 bedeckt
sind. Es wird dann eine Sonde ausgewählt, die aus einem der in Tabelle I genannten und dem zu entfernenden Material
sowie der benutzten Säure entsprechenden Metalle besteht und einen so kleinen Durchmesser aufweist, daß sie die erwünschten
Bereiche 30, 34, 36 und 40 nicht berührt, wenn sie mit den mit der Säure bedeckten Defekten 32, 38 und 42 in Kontakt
gebracht wird. Nachdem die Sonde jeden der Defekte berührt hat, beginnt - jeweils sofort nach dem Kontakt - der
Ätzvorgang an den Defekten und hält so lange an, bis der jeweilige unerwünschte Bereich ganz beseitigt worden ist. Es
entsteht dabei eine Fotomaske, die nur erwünschte Musterteile gemäß Fig. 5 aufweist.
Das erfindungsgemäße Verfahren kann auch zum Beseitigen uner-
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wünschter Bereiche angewendet werden, die wesentlich größer
als die erwünschten Bereiche sind. Letztere können sogar von unerwünschten Bereichen umgeben sein. Das erfindungsgemäße
Verfahren kann daher zum Herstellen von Fotomasken benutzt werden.
In Fig. 6 ist eine Fotomaske 50 bei der erfindungsgemäßen Herstellung dargestellt. Die Fotomaske 50 besteht aus einer
Unterlage 52 aus durchsichtigem Material, zum Beispiel aus
Glas, welche auf einer Fläche entweder mit Chrom oder mit Chromoxid beschichtet ist.
Auf der beschichteten Oberfläche der Unterlage 52 wird ein Muster aus erwünschten Bereichen 54 mit Hilfe eines Laser
erzeugt. Mit dem Laserstrahl werden die die erwünschten Bereiche 54 umgebende Streifen aus lichtundurchlässigem Material
zum Zwecke des Entfernens behandelt. Dadurch wird jeder erwünschte Bereich 54 von dem ihn umgebenden unerwünschten
Bereich 56 abgegrenzt bzw. von diesem isoliert. Außerdem kann umgekehrt jeder von einem erwünschten Bereich 54 umgebene
unerwünschte Bereich 58 unter Zuhilfenahme eines Laserstrahls von diesem isoliert bzw. getrennt werden.
Nach dieser elektrischen Isolierung aller erwünschten Bereiche 54 von allen unerwünschten Bereichen 56 und 58 wird die Fotomaske
50 in eine Lösung einer aus Tabelle I ausgewählten Säure gesetzt, und die unerwünschten Bereiche 56 und 58 werden mit
einer Sonde, die aus einem aus Tabelle I ausgewählten Metall besteht, berührt. Durch das Kontaktieren irgendeines Teiles
des lichtundurchlässigen, mit der Säure bedeckten Bereiches werden alle mit der Säure bedeckten Teile dieses Bereiches
weggeätzt. Die Bereiche 54 und 58 bleiben bei diesem Beseitigen des Bereiches 56 unbeeinflußt, obwohl auch die Bereiche
und 58 in die Säure eingetaucht sind. Nach diesem Verfahrens-
7O Π H /; 7 / 0 B
schritt sind gemäß Fig. 7 nur noch die Bereiche 54 und 58
auf der Unterlage 52 vorhanden. Die metallische Sonde wird
dann auf den Bereich 58 aufgesetzt, so daß auch dieser Bereich vollständig weggeätzt wird und das gewünschte Muster
der Fotomaske gemäß Fig. 8 übrig bleibt.
Bei der Herstellung von Fotomasken verwendet man derzeit durch programmierte Digitalrechner gesteuerte Kurvenschreiber
(plotter), die das als Fotomaske zu verwendende Muster in sehr großem Maßstab zeichnen. Das stark vergrößerte Muster wird
dann fotografisch auf eine Größe verkleinert, die zum Herstellen der Fotomasken geeignet ist. Unter Anwendung des erfindungsgemäßen
Verfahrens jedoch ist es möglich, bzw. beabsichtigt, einen programmierten Digitalrechner, wie er früher
zur Betätigung des Kurvenschreibers benutzt worden ist, zum Steuern der Bewegung eines auf eine mit Chrom oder Chromoxid
bedeckte Unterlage gerichteten Laserstrahls zu verwenden. Mit Hilfe des erfindungsgemäßen Verfahrens ist es dann entsprechend
Fig. 6 bis 8 und Tabelle I möglich, eine Fotomaske in einem einzigen Schritt herzustellen und dabei die Schritte der fotografischen
Reproduktion bzw. Verkleinerung zu sparen.
709847/0846
Claims (7)
- RCA Corporation, 30 Rockefeller Plaza,New York, N.Y., 10020 (V.St.A.)Patentansprüche;C I.jverfahren zum Entfernen abgegrenzter, isolierter Materialbereiche von einer Unterlage mit unerwünschten, zu entfernenden Bereichen und erwünschten, nicht zu entfernenden Bereichen des gleichen Materials, dadurch gekennzeichnet , daß von der Unterlage (12) zu entfernende Bereiche (16) aus lichtundurchlässigem, zur Gruppe Chrom und Chromoxid gehörendem Material mit Hilfe einer nach Berührung des letzteren mit einer Sonde gegenüber dem Material ätzend wirkenden Säure weggeätzt werden, daß eine aus einem die Ätzreaktion der Säure gegenüber dem Material erst auslösendem Metall bestehende Sonde verwendet wird und daß die Säure zumindest in die Nähe der aus zu entfernendem Material bestehenden Bereiche (16) gebracht wird.
- 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß Salzsäure, Schwefelsäure und/oder Phosphorsäure verwendet wird.
- 3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , daß eine aus Zink, Eisen, Aluminium und/oder Kupfer bestehende Sonde verwendet wird.
- 4. Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Säure nach dem Wegätzen der unerwünschten Bereiche abgespült wird.709847/0?UORIGINAL INSPECTED
- 5. Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß die erwünschten Eereiche (14) und die unerwünschten Bereiche (16) vor dem In-Berührung-Bringen mit der Sonde elektrisch gegeneinander isoliert werden.
- 6. Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet , daß das Trennen oder gegenseitige Isolieren der Bereiche mit Hilfe eines Laserstrahls durch Schmelzen des dabei zu entfernenden Materials bewirkt wird.Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Säure direkt auf die unerwünschten Bereiche (16) aufgebracht wird.
- 7 09847/084 »
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---|---|---|---|
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Publication Number | Publication Date |
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---|---|---|---|
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Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4105468A (de) |
JP (1) | JPS5310975A (de) |
DE (1) | DE2719902A1 (de) |
GB (1) | GB1530978A (de) |
PL (1) | PL112654B1 (de) |
SE (1) | SE7705053L (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2536549A1 (fr) * | 1982-11-24 | 1984-05-25 | Western Electric Co | Procede pour former un motif dans une matiere sur un substrat |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4350564A (en) * | 1980-10-27 | 1982-09-21 | General Electric Company | Method of etching metallic materials including a major percentage of chromium |
JPS57104141A (en) * | 1980-12-22 | 1982-06-29 | Dainippon Printing Co Ltd | Photomask and photomask substrate |
NL8220264A (nl) * | 1982-07-02 | 1984-05-01 | Gravure Res Inst | Werkwijze en inrichting voor gravuredruk. |
US4569695A (en) * | 1983-04-21 | 1986-02-11 | Nec Corporation | Method of cleaning a photo-mask |
US4911761A (en) * | 1984-05-21 | 1990-03-27 | Cfm Technologies Research Associates | Process and apparatus for drying surfaces |
US4778532A (en) * | 1985-06-24 | 1988-10-18 | Cfm Technologies Limited Partnership | Process and apparatus for treating wafers with process fluids |
US4984597B1 (en) * | 1984-05-21 | 1999-10-26 | Cfmt Inc | Apparatus for rinsing and drying surfaces |
US4713518A (en) * | 1984-06-08 | 1987-12-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electronic device manufacturing methods |
US5090432A (en) * | 1990-10-16 | 1992-02-25 | Verteq, Inc. | Single wafer megasonic semiconductor wafer processing system |
JP3209426B2 (ja) | 1991-10-04 | 2001-09-17 | シーエフエムティ インコーポレイテッド | 複雑な形状を有するマイクロパーツの洗浄 |
US6039059A (en) | 1996-09-30 | 2000-03-21 | Verteq, Inc. | Wafer cleaning system |
US6165649A (en) * | 1997-01-21 | 2000-12-26 | International Business Machines Corporation | Methods for repair of photomasks |
US6843929B1 (en) * | 2000-02-28 | 2005-01-18 | International Business Machines Corporation | Accelerated etching of chromium |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3539408A (en) * | 1967-08-11 | 1970-11-10 | Western Electric Co | Methods of etching chromium patterns and photolithographic masks so produced |
US3673018A (en) * | 1969-05-08 | 1972-06-27 | Rca Corp | Method of fabrication of photomasks |
US3947801A (en) * | 1975-01-23 | 1976-03-30 | Rca Corporation | Laser-trimmed resistor |
-
1977
- 1977-04-28 GB GB17777/77A patent/GB1530978A/en not_active Expired
- 1977-05-02 SE SE7705053A patent/SE7705053L/xx unknown
- 1977-05-04 DE DE19772719902 patent/DE2719902A1/de not_active Withdrawn
- 1977-05-07 PL PL1977197962A patent/PL112654B1/pl unknown
- 1977-05-09 JP JP5302277A patent/JPS5310975A/ja active Granted
- 1977-06-09 US US05/805,153 patent/US4105468A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2536549A1 (fr) * | 1982-11-24 | 1984-05-25 | Western Electric Co | Procede pour former un motif dans une matiere sur un substrat |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS5310975A (en) | 1978-01-31 |
GB1530978A (en) | 1978-11-01 |
JPS5337707B2 (de) | 1978-10-11 |
SE7705053L (sv) | 1977-11-11 |
PL112654B1 (en) | 1980-10-31 |
PL197962A1 (pl) | 1978-01-02 |
US4105468A (en) | 1978-08-08 |
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