DE2555299A1 - Verfahren zur herstellung von vielschichtchips fuer mikroelektrische anordnungen - Google Patents

Verfahren zur herstellung von vielschichtchips fuer mikroelektrische anordnungen

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DE2555299A1
DE2555299A1 DE19752555299 DE2555299A DE2555299A1 DE 2555299 A1 DE2555299 A1 DE 2555299A1 DE 19752555299 DE19752555299 DE 19752555299 DE 2555299 A DE2555299 A DE 2555299A DE 2555299 A1 DE2555299 A1 DE 2555299A1
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Michael Hatzakis
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    • H05K3/388—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal by the use of a metallic or inorganic thin film adhesion layer

Description

Böblingen, den 5. Dezember 1975
bu/se
Anmelderin: International Business Machines
Corporation, Armonk, N.Y. 10504
Amtliches Aktenzeichen: Neuanmeldung
Aktenzeichen der Anmelderin: YO 973 101
Verfahren zur Herstellung von Vielschichtchips für mikroelektris ehe Anordnungen
Die Erfindung betrifft ein Verfahren, wie es im Oberbegriff des ; Patentanspruchs 1 angegeben ist.
Bei Herstellung mikroelektronischer Anordnungen sowie monolithisch;
integrierter Halbleiterschaltungen und magnetischer Einzelwand- |
domänensysteme ist es häufig erforderlich, Vielschichtanordnungen ■
zu erstellen, die eine exakte Ausrichtung der einzelnen Schichten '
zueinander aufweisen müssen. So ist z.B. bei Herstellung magnet!- (
scher Einzelwanddomänensysteme die Erfordernis darin zu sehen, j daß die Leiterschichten sehr genau mit den Weiterleitungsschichteni
zur Bewegung magnetischer zylindrischer Einzelwanddomänen im '■
magnetischen Material ausgerichtet sein müssen. In dieser Bezie- j hung wird bezug genommen auf die Veröffentlichung: IBM Technical
Disclosure Bulletin, Band 15, Nr. 6, November 1972, Seite 1826.
In diesem Artikel wird gezeigt, daß eine Vielzahl von Maskenschritten und Ausrichtungsmaßnahmen erforderlich sind, um die
endgültige Struktur zu erhalten. j
i j Bei Herstellung magnetischer Einzelwanddomänensysteme z.B. sind :.
Versuche angestellt worden, um verbesserte Herstellungsverfahren i zu erhalten, bei denen die Anwendung hoher-Auflösungs-Masken nur
in geringem Maße erforderlich ist und wobei vielfach Maskenschritte
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mit kritischen Ausrichtungserfordernissen nicht notwendigerweise
fit
beibehalten werden müssen. Ein solcher Prozeß in "IEEE Transactions on Magnetics", Band MAG-9, Nr. 3, September 1973, Seite 474 beschrieben. In dieser Literaturstelle ist Einzelniveaumetallurgie zur Herstellung von magnetischen Einzelwanddomanensy steinen beschrieben. Speziell wird eine Schattenmaske verwendet, um den Abfühlbereich des magnetischen Einzelwanddomänenchips während des Nieder-* Schlags der die Leitungszüge enthaltenden Schichten abzudecken, die für die verschiedenen Systemfunktionen und zur Bereitstellung der Ströme für die Domänenabfühleinrichtung erforderlich sind. Jedoch bietet die Anwendung einer Schattenmaske einen Nachteil, wenn die Gesamtherstellung der Scheibe und kleine magnetische Einzelwanddomänen-Abfühleinrichtungen vorgesehen sind.
Dementsprechend geht die Erfindung aus von einem verbesserten !Verfahren zur Herstellung eines magnetischen Einzelwanddomänenjchips, das alle Funktionen auszuführen vermag« Diese verschiede-
inen Funktionen eines fertiggestellten magnetischen Einzelwanddomänenchips sind im USA-Patent 3 701 125 beschrieben. Im einzelnen wird hierunter verstanden, Lesen, Schreiben, Domänen- ; weiterleitung bzw« Speicherung, übertragung und/oder Vernichtung, j Wie aus dieser Patentschrift hervorgeht, lassen sich Leitungs- J züge verwenden, um bei einzelnen magnetischen Einzelwanddomänensystemen diese Funktionen durchführen zu können. So dient z.B. i ein Leitungszug dazu, einen Strom auf das magnetoresistive Abfühlelement zu übertragen, das im allgemeinen aus dem gleichen Material besteht, welches für Weiterleitungsmuster zur Bewegung der magnetischen zylindrischen Einzelwanddomänen im Magnetmedium Verwendung findet. Ein geeignetes Material hierfür ist Ni-Fe, wobei Permalloy ein besonders gutes Beispiel darstellt.
Bei der vorliegenden Methode werden die Domänen-Weiterleitungsmuster und die elektrischen Leitungsmuster zu verschiedenen Zeiten, unter Anwendung der gleichen Maskierungsschicht niedergeschlagen.
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(Unter Niederschlag wird hier jeder Herstellungsverfahrensschritt zur Bildung einer Materialschicht verstanden, wobei hierunter Elektroplattieren, Aufdasqsfen, Zerstäuben usw. fallen.
!Dementsprechend besteht die Aufgabe vorliegender Erfindung darin, !ein Herstellungsverfahren aufzuzeigen, mit Hilfe dessen mehrere Metallschichten unter Anwendung der gleichen Maskenschicht zur
Bildung eines magnetischen Einzelwanddomanensystems aufgebracht werden, so daß sich ein verbessertes und vereinfachtes Verfahren zur Herstellung solcher Systeme ergibt.
Erfindungsgemäß wird die Aufgabe gelöst wie im Kennzeichen des Patentanspruchs 1 angegeben. Die Erfindung stellt ein Herstellungsverfahren bereit, das speziell zur Herstellung kleiner magnetischer EinzelwanddoHianenyorrichtungen und anderer mikroelektronischer Anordnungen bei geringem Aufwand geeignet ist. Eine genaue Positionierung der vielfach aufzubringenden metalli-■ sehen Schichten läßt sich erzielen, ohne daß genaue Ausrichtung !zahlreicher Masken und ohne daß Vielfachmasken hoher Auflösung !erforderlich sind.
[Ba einzelnen ist eine selektive Metallisierung eines Substrats Jmit zumindest zwei metallischen Filmen bzw. Schichten vorgesehen. Ein erster metallischer Film wird niedergeschlagen und anschließend mit einer ersten Photolackschicht überzogen, die dann durch entsprechende Belichtung mit nachträglicher Entwicklung mit einem bestimmten Muster versehen wird, um die erste metallische Schicht in verschiedenen Gebieten freizulegen, Hiernach wird eine zweite Photolackschicht über das gesamte Substrat niedergeschlagen, welches dann seinerseits durch selektive Belichtung mit nachträglicher Entwicklung ein entsprechendes Muster enthält. Die zweite Photolackschicht stellt eine Maske dar, die ausgewählte Gebiete des Chips, wie z.B. Bereiche für die Domänen-Abfühleinrichtungen vor der darauffolgenden Metallisierung wirksam schützt. Hiernach wird die zweite Metallisierungsschicht auf das Chip aufgetragen und die Reste der Photolackschichten werden entfernt. Damit er-
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Damit ergibt sich, daß die zweite Metallisierungsschicht lediglich auf der ersten metallischen Schicht verbleibt und von andern Bereichen des Chips seinerseits entfernt ist.
j In einem bevorzugten Ausführungsbeispiel der Erfindung ist eine 1 der Metallisierungsschichten aus weichmagnetischem Material vorge-! sehen, um für Zwecke der Weiterleitung magnetischer Einzelwand- ; domänen zu dienen, wohingegen die andere metallische Schicht aus j einem nichtmagnetischen, elektrisch leitenden Material besteht, ; um verschiedene magnetische Einzelwandsystemfunktionen, wie z.B. die Stromzufuhr zu Einzelwanddomänenabfühlern bereitzustellen. In diesem Falle schützt die zweite Photolackschicht den Domänenabfühler gegen einen Überzug durch eine elektrisch lei- j tende Schicht. Zur Durchführung der Erfindung bestehen die Photolackschichten aus Materialien, die sich selektiv exponieren lassen, so daß bei nachträglicher Entwicklung gemusterte Schichten vorliegen, ohne daß vorher aufgetragene gemusterte Schichten schädlich beeinflußt sind. Die Photolackschiten können auch anstelle von Licht durch Elektronenstrahlen oder Röntgenstrahlen zur Herbeiführung des gleichen Zwecks belichtet werden; nur müssen die Photolackschichten für die betreffenden Strahlungsarten entsprechend empfindlich sein. Photolackschichten hierfür sind aber an sich bekannt und brauchen im einzelnen nicht angeführt zu werden.
Es soll hervorgehoben werden, daß die zweite Photolackschicht dazu dient, eine Schutzschicht über Bereiche der darunterliegenden metallischen Schicht bereitzustellen, die nicht durch nachfolgende Herstellungsverfahrensschritte beeinflußt werden sollen. Es hat sich gezeigt, daß sich die zweite Photolackschicht exponieren und entwickeln läßt, ohne daß die darunterliegende Photolackschicht oder die zuerst aufgebrachte metallische Schicht angegriffen werden können. Dementsprechend werden Auflösungsmuster und Integrität der ersten Photolackschicht beibehalten, so daß sie noch als Maskenschicht zum Niederschlag der zweiten metallischen Schicht verwendet werden kann. Es ist also keine kritische
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Ausrichtung zur Bildung der zweiten metallischen Schicht erforderlich.
Während der Bildung der die Leitungszüge enthaltenden Schicht wird der Domänenabfühlbereich durch eine roh ausgerichtete Maskenschicht abgedeckt. Diese roh ausgerichtete Maskenschicht läßt sich später entfernen und ihre Ausrichtung ist wie gesagt nicht kritisch. Weiterhin ergibt sich durch die Verwendung einer solchen Maskenschicht der Vorteil, daß bei der Herstellung die Anwendung einer Schattenmaske entfällt und damit ein aufwendiger Verfahrensschritt. Zusätzlich halten Schattenmasken mehrere Niederschlagsverfahrensschritte überhaupt nicht aus, da sich ja auf der Maske jeweils in nachteiliger Weise ebenfalls Material niederschlägt.
Weiterhin können Verfahrenstechniken unter Anwendung von Schattenmasken nicht zur Herstellung von großen Scheiben und speziell solchen für relativ kleine magnetische Einzelwanddomänen geeignet sein und herangezogen werden. Bei solchen großen Scheiben können viele hunderte von Domänenabfühleinrichtungen über die gesamte Scheibe verstreut sein, anstatt nur an der Kante einer derartigen Einzelwanddomänenscheibe angeordnet zu sein. Für ein solches Magnetchip ist eine dichte Bauelementpackung anstrebenswert, die sich dank der vorliegenden Erfindung verwirklichen läßt, jedoch nicht mit Verfahren unter Anwendung von Schattenmasken.
Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung sind den Unteransprüchen zu entnehmen.
Die Erfindung wird nachstehend anhand einer Ausführungsbeispielsbeschreibung mit Hilfe der unten aufgeführten Zeichnungen näher erläutert.
Es zeigen:
Fig. 1 einen Schnitt durch eine teilweise fertiggestellte
magnetische Einzelwanddomänen-Struktur als Beispiel zur Anwendung der Erfindung,
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Fign. 2 bis 4 die unter Anwendung verschiedener Verfahrensschritte jeweils erzielte Vervollständigung der erfindungsgemäß hergestellten magnetischen Einzelwanddomänen-Struktur,
Fig. 5 die unter Anwendung der erfindungsgemäßen Ver- '. fahrensschritte fertiggestellte magnetische
: Einzelwanddomänen-Struktur,
[Fig. 6 die Draufsicht auf eine Domänenabfülleinrichtung
■ auf einer erfindungsgemäß hergestellten magneti-
' sehen Einzelwanddomänen-Struktur, gesehen
zwischen den Pfeilen 6-6 in Fig. 5,
!Der in Fig, 1 gezeigte Schnitt durch eine Einzelwanddomänen-Struktur 9 besteht aus einer, wie üblich, durchgehenden Schicht zum Aufbewahren der magnetischen zylindrischen Einzelwanddomänen, z.B. aus Granat oder amorphem magnetischem Material, das auf einem hier nicht gezeigten Substrat niedergeschlagen ist. über der Schicht 10 kann eine übliche Abstandsschicht 11, bestehend z.B. aus SiO2 aufgetragen sein. Als nächstes befindet sich ein Dünnfilm 12, bestehend aus metallischem Material, wie z.B. Ni-Fe oder Au, über dem gesamten Oberflächenbereich der Schicht 11. j Der Dünnfilm 12 wirkt als metallischer Leiter für das anschließende Plattieren der ersten Metallisierungsschicht. Seine Dicke braucht lediglich auszureichen, um eine zureichende elektrische Leitfähigkeit für diesen Zweck zu gewährleisten. Andererseits sollte sie jedoch nicht so dick sein, daß bei einem Ätz vor gang zur Entfernung freizulegender Bereiche dieser Schicht ungewollt auch wesentliche Anteile anschließend aufgetragener Filme zwangsläufig mit entfernt werden. Eine ausreichende Dicke für den Dünnfilm 12 ist in der Größenordnung von 30 nm, was für die Zwecke vorliegender Erfindung durchaus genügt.
Eine Schicht 13 aus positivem Photolack wird dann auf den Dünnfilm 12 aufgebracht. Viele Arten solcher Photolacke
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sind handelsüblich; so läßt sich z.B. Polymethylmethacrylat für Elektronenstrahlbelichtung anwenden. Die Schicht 13 wird mit Hilfe üblicher Verfahren, wie z.B. mittels UV-Licht, Elektronenstrahlen oder Röntgenstrahlen, belichtet, um Domänenabfühlbereiche 14 und Domänenweiterleitungsbereiche 15 zu definieren. Eine hier nicht gezeigte Hochauflösungsmaske läßt sich für diesen Zweck anwenden. Genaue Ausrichtung dieser Maske ist jnicht erforderlich. Obgleich nur ein Bereich für jeden Typ [dargestellt ist, versteht es sich von selbst, daß ein einziges !magnetisches Einzelwanddomänenchip normalerweise, je nach Bedarf, für viel mehr Domänenabfühlbereiche 14 ausgelegt sein kann und darüberhinaus noch sehr viel mehr Domänenweiterleitungsbereiche !aufweisen kann.
i
!in Fig, 2 ist die Schicht 13 vollständig entwickelt, wobei die !der Strahlung ausgesetzten Gebiete 14 und 15 während des angewendeten Verfahrensschrittes fortgespült worden sind. Ein zusätzlicher Film 16, bestehend aus weichmagnetischem Material, wie z.B. Ni-Fe, wird mit Hilfe bekannter Verfahrenstechniken auf den Film 12 aufplattiert und zwar in den freigelegten Bereichen 14 und 15. Der Film 16 ist zweckmäßigerweise weniger als 300 nm dick oder andererseits bis zu.10 mal so dick wie der erste Dünnfilm 12. Im allgemeinen wird die Dicke des Films 16 so gewählt, daß die Bauelements-Wirksamkeit optimalisiert ist und gemäß dem Entwurf auch zu erreichen ist.
Fig. 3 zeigt eine zweite Schicht 17 des Photolackmaterials, welches sich über die gesamte Oberfläche der Struktur nach Fig. erstreckt. Die Schicht 17 besteht im allgemeinen aus üblichem negativem Photolack, wie z.B. Kodak-KTFR, um die Abfühlbereiche^14 während darauffolgender Metallisierung abzudecken. Diese Schicht wird alt UV-Licht, Elektronenstrahlen oder Röntgenstrahlen lediglich in den Abfühlbereichen 14 bestrahlt. Eine hier nicht gezeigte Maske niedriger Auflösung läßt sich hierzu verwenden; auch hier wiederum ist eine exakte Ausrichtung nicht erforderlich.
Es genügt, wenn die Abfühlbereiche hinreichend für nachfolgen-
Ide Verfahrensschritte abgedeckt sind.
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In Fig. 4 sind die unbelichteten Gebiete der Photolackschicht
17 nach dem Entwickeln fortgespült. Ein metallischer Konstaktfilm 18 wird dann auf die so freigelegten Bereiche des metallischen Films 16 elektroplattiert. Da der Film 16 in den nicht für Abfühlvorrichtungen vorgesehenen Bereichen vollständig unbedeckt ist, werden diese Bereiche auch vollständig mit dem Film
18 überzogen.
In den für Abfühleinrichtungen vorgesehenen Bereichen 14 wird ein elektrischer Kontakt leicht durch den Film 18 außerhalb fler tatsächlichen Abfühleinrichtungen sichergestellt. Unter Bejzugnahme auf Fig. 6 ergibt sich, daß die metallische Schicht 18 fLn elektrischem Kontakt mit der Abfühleinrichtung 14 steht, die jäurch die Photolackschicht 16 während der Metallisierung geschützt War, Die Kontatkschicht 18 besteht aus einem Material hoher elektrischer Leitfähigkeit, wie z.B. Gold. Ihre Dicke kann zweckmäßigerweise angenähert 300 nm betragen. Das bedeutet, daß sie angenähert die gleiche Dicke besitzen kann wie der Film 16, aber eine sehr viel größere Dicke als der Film 12 aufweist. Im allgemeinen oesitzt die Kontaktschicht 18 eine Dicke, um gute elektrische Leitfähigkeit zu gewährleisten, ohne aber schädliche Wirkungen auszuüben, wie durch Elektromigration usw. Die Schicht 18 besteht aus siner leitenden Substanz und dient zur Bereitstellung von Strömen zu den Abfühleinrichtungen 14, zu den Domanenübertragungs leitungen, zu den Domänengeneratoren und zu den Domänen vernichtern. Die Schicht 18 wird niedergeschlagen, indem die gleiche Photolackschicht Verwendung findet, wie sie für den Niederschlag der ersten Metallisierungsschicht, nämlich der magnetischen Schicht, angewendet worden ist.
Bei Durchführung der Erfindung hat sich gezeigt, daß die zweite Photolackschicht sich niederschlagen läßt, exponiert und entwickelt werden kann, um eine Abfühleinrichtungs-Schutzschicht oereitzustellen, ohne daß die darunterliegende Photolackschicht 13 beschädigt wird, welche ja für die zweite Metallisierung zu dienen hat.
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— Q —
In Pig. 5 sind die verbliebenen Bereiche der Photolackschichten 13 und 17 mit Hilfe einer geeigneten Lösung entfernt. Ein Ätzverfahrensschritt mit Hilfe eines chemischen Ätzmittels wird dann auf die gesamte Struktur für eine ausreichende Zeitdauer angewendet, um den Film 12 von den nun freigelegten Bereichen rund um den Gebieten 14 und 15 zu entfernen. Obgleich dieses Ätzmittel auch einiges Material von den Oberflächen der Filme 16 und 18 beseitigen kann, bleibt doch dank ihrer relativ größeren Dicke diese im wesentlichen unbeschädigt. Als Alternative läßt sich der Film 18 während des Ätzverfahrensschrittes abdecken.
Die vervollständigte Struktur der Fig. 5 weist die Schicht 18 hoher elektrischer Leitfähigkeit in den Gebieten 15 auf; wohingegen der Goldfilm 18 vollständig die Ni-Fe Bereiche 16 in diesen Gebieten überdeckt. Andere Teile des Films 18 stellen hochleitende Kontakte zu den Abfühlbereichen 14 (siehe Fig. 6) ohne schädliche Beeinflussung der zu erzielenden hohen magnetischen Suszeptibilität des Ni-Fe-Films in letzteren Gebieten und ohne Kurzschließen der Abfülleinrichtung bereit. Die Bereiche 14 und 15 besitzen relativ zueinander exakt definierte Lagen, ohne daß die Notwendigkeit einer sehr genauen Ausrichtung mit Hilfe einer Hochauflösungsmaske besteht. Die genaue Ausrichtung und hohe Auflösung sind für die verwendete Maske nicht erforderlich, um die zweite Photolackschicht 17 aufzubringen, da diese lediglich zur Abfühleinrichtungsabdeckung und nicht zur Definition der Bereiche 14 und 15 dient. Obgleich die Schichten 13 und 17 als aus entgegengesetzten Typen bestehend beschrieben sind, nämlich aus positivem und negativem Photolack, ist es selbstverständlich möglich, auch eine umgekehrte Kombination der Schichttypen oder andere Kombinationen bei entsprechenden Änderungen in den einzustrahlenden Gebieten anzuwenden. So könnten z.B. die Photolackschichten 13 und 17 vom gleichen Typ sein, nämlich beide positiv oder beide negativ; wobei dann natürlich dafür Sorge getragen werden müßte, daß der verwendete Entwickler für die zweite Photolackschicht, um nicht unerwünschte Bereiche der ersten metallischen Schicht 16
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freizulegen, die erste Photolackschicht nicht anzugreifen vermag. Ein Beispiel für die Anwendung von zwei positiven Photolackschichtem ist der Gebrauch von positivem AZ-1350-Photolack von Shipley & Co oder Äquivalente für den Photolack der Schicht 17, zusammen mit Polymethylmethacrylat für die erste Photolackschicht 13.
Anstatt die Filme 16 und 18 durch Elektroplattieren aufzubringen, könnte ebensogut ein Verdampfungsverfahren Anwendung finden, falls erforderlich. Jedoch dürfte dies nicht so vorteilhaft sein, wie Elektroplattieren, da eine QualitätsVerschlechterung hiermit verbunden ist und auch hohe Anforderungen an die Maskenschichten und 17 zu stellen wären. Darüberhinaus brauchte der Dünnfilm 12 nicht aus einem magnetischen Material zu bestehen; er könnte, falls zweckmäßig, auch aus Gold oder anderen Materialien bestehen, da seine Wirkung im Ausführungsbeispiel nur darin besteht, eine Plattierungsbasis für die erste Metallschicht 16 bereitzustellen.
Obgleich die erste metallische Schicht als Magnetschicht dargestellt ist, die zur Aufbewahrung magnetischer zylindrischer Einzelwanddomänen und zur Durchführung der Funktionen, wie Domänenerzeugung, Domänenweiterleitung und Domänenvernichtung vorgesehen ist und die zweite metallische Schicht 18 als elektrisch leitende Schicht dargestellt ist, ließen sich diese Schichten 16 und 18 auch in umgekehrter Reihenfolge zur hier gezeigten auf das Substrat aufbringen.
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Claims (1)

  1. - 11 -
    PATENTANSPRÜCHE
    Verfahren zur selektiven Metallisierung in vorgegebenen Oberflächenbereichen eines mikroelektronischen Bauelements , gekennzeichnet durch die folgenden Verfahrensschritte:
    a) Aufbringen eines ersten metallischen Films auf ein Substrat,
    b) überziehen der Metallschichtoberfläche mit einer ersten Photolackschicht,
    σ) Exponieren und Entwickeln der ersten Photolackschicht, so daß der erste Metallfilm in vorherbestimmten Oberflächenbereichen freigelegt wird,
    d) Aufbringen eines zweiten Metallfilms in den durch den Photoprozeß freigelegten Bereichen des ersten Metallfilms,
    e) Niederschlagen einer zweiten Photolackschicht über die gesamte Oberfläche,
    f) Exponieren und Entwickeln der zweiten Photolackschicht, so daß mindestens einer der mit dem zweiten Metallfilm überzogenen Bereiche freigelegt und mindestens ein anderer, der mit dem zweiten Metallfilm überzogenen Oberflächenbereiche gegen einen nachfolgenden Schichtniederschlag abgedeckt wird,
    g) Niederschlagen eines dritten Metallfilms auf den freigelegten Bereich des zweiten Metallfilms,
    h) Entfernen der verbliebenen Photolackschichtbereiche, so daß diejenigen Bereiche des ersten Metallfilms freigelegt werden, die nicht mit dem zweiten Metallfilm bedeckt sind,
    i) Entfernen dieser freigelegten Schichtbereiche des ersten Metallfilms.
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    !&S5299
    2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
    daß der zweite und der dritte Metallfilm durch Elektroplattieren aufgebracht werden.
    3. Verfahren nach Anspruch 1 und/oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Photolackschicht über eine Maske hoher Auflösung exponiert wird und daß die zweite Photolackschicht zur Abdeckung der vorgegebenen Oberflächenbereiche über eine Maske niedrigerer Auflösung exponiert wird.
    4. Verfahren nach Anspruch 3f dadurch gekennzeichnet, daß die erste und die zweite Photolackschicht so gewählt sind, daß sie zueinander entgegengesetzten Typs sind,
    5. Verfahren nach den Ansprüchen 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß die freizulegenden Bereiche des ersten Metallfilms einem Ätzvorgang ausgesetzt werden.
    6. Verfahren nach den Ansprüchen 1 bis 5, dadurch gekenn-, zeichnet, daß der zweite und der dritte Metallfilm mit größerer Dicke niedergeschlagen werden als der erste Metallfilm.
    Verfahren nach den Ansprüchen 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß der zweite Metallfilm aus einer magnetischen Substanz hergestellt wird.
    Verfahren nach den Ansprüchen 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß der dritte Metallfilm aus einem im wesentlichen nichtmagnetischen Material hergestellt wird.
    Verfahren nach dem Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß der erste und der zweite Metallfilm im wesentlichen aus dem gleichen Material niedergeschlagen werden.
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    ORIGINAL INSPECTED
    10. Verfahren nach den Ansprüchen 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, daß zur Herstellung eines magnetischen Einzelwanddomänensystems mit einem Domänenabfühlbereich und einem Domänenweiterleitungsbereich der dritte Metallfilm auf
    einen Bereich des zweiten Metallfilms zur Bildung dieses Domänenweiterleitungsbereichs niedergeschlagen wird, indem der Domänenabfühlbereich vor einem Niederschlag des dritten Metallfilms geschützt wird.
    11. Verfahren nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß der erste und der zweite Metallfilm aus magnetischem
    Material gebildet werden, und daß der dritte Metallfilm aus einer Substanz hoher elektrischer Leitfähigkeit
    hergestellt wird.
    12. Verfahren nach Anspruch 10 und/oder 11, dadurch gekennzeichnet, daß der erste Metallfilm mit einer geringeren Dicke als etwa 30 nm aufgetragen wird und daß der zweite und der dritte Metallfilm jeweils mit einer Dicke niedergeschlagen werden, die 10 mal so groß ist wie die des ersten Films.
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    JN-
    Leerseite
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