DE3046856C2 - - Google Patents

Description

Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Her­ stellung einer Mikrominiaturfeststoffanordnung ent­ sprechend dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1. Ein derartiges Verfahren ist aus der GB-PS 15 20 925 be­ kannt.

Bekannte Mikrominiaturfeststoffanordnungen sind Halblei­ teranordnungen, z. B. integrierte Schaltungen mit Transi­ storen. Andere Beispiele enthalten magnetische Blasen­ anordnungen ("Magnetic bubble devices").

Die Herstellung einer integrierten Schaltung mit einem Bipolartransistor unter Verwendung eines Elektronenbild­ projektionssystems ist in der GB-PS 15 20 925 beschrieben und dargestellt. Ein Bezugsmarkierungsmuster ist auf einem Gebiet eines Halbleitersubstrats angebracht und eine Schicht aus einem elektronenempfindlichen Material wird mit einem von einer Maske stammenden, einem bestimmten Muster folgenden Elektronenstrahl belichtet, wobei diese Maske eine Photokathodenschicht enthält, um außerhalb des Gebiets des Bezugsmarkierungsmusters Gebiete des Sub­ strats, in denen ein Verfahrensschritt durchgeführt werden muß, relativ zu ersterem zu definieren. Der einem be­ stimmten Muster folgende Elektronenstrahl, der eine gleichmäßige Intensität aufweist, enthält ein Teilmuster, das von einem Ausrichtmarkierungsmuster auf der Maske stammt und nahezu die gleiche Konfiguration wie das Be­ zugsmarkierungsmuster auf dem Halbleitersubstrat auf­ weist. Ein Röntgenstrahlungssignal, das erhalten wird, wenn das Teilmuster auf das Bezugsmarkierungsmuster fällt, wird dazu benutzt, den einem bestimmten Muster folgenden Elektronenstrahl automatisch relativ zu dem Substrat aus­ zurichten. Die für die Ausrichtung benötigte Zeit ist so kurz, daß die Gebiete außerhalb des Bezugsmarkierungs­ musters noch nicht die für eine Entwicklung des strah­ lungsempfindlichen Materials notwendige Dosis erhalten; dies erfolgt erst durch das Fortsetzen der Belichtung.

In einem bestimmten Schritt der Herstellung dieser inte­ grierten Schaltung wird eine Schutzschicht aus Siliciumni­ trid auf dem ganzen von dem Bezugsmarkierungsmuster einge­ nommenen Gebiet definiert, in einem späteren Schritt wird ein auf dem Siliciumnitrid gebildeter Schichtteil aus polykristallinem Silicium von dem ganzen von dem Bezugs­ markierungsmuster eingenommenen Gebiet entfernt, wohinge­ gen das das Gebiet umgebende einkristalline Silicium er­ halten bleibt.

In diesen beiden Stufen wird das Gebiet des zu entfernen­ den Materials unter Verwendung eines einem bestimmten Muster folgenden von einer Maske stammenden Strahlungsbün­ dels definiert, wobei diese Maske eine Öffnung in dem Ge­ biet aufweist, das normalerweise von einem Ausrichtmar­ kierungsmuster eingenommen wird. Die Öffnung und demzufol­ ge das einem bestimmten Muster folgende von der Maske stammende Strahlungsbündel entsprechen dem ganzen Gebiet der aufrechtzuerhaltenden Siliciumnitridschicht oder dem zu entfernenden polykristallinen Siliciumteil. Eine auto­ matische Ausrichtung ist nicht möglich. Da eine mechani­ sche Ausrichtung nur grob, z. B. mit einer Genauigkeit innerhalb von 50 µm, vorgenommen werden kann, muß ein großer Spielraum zwischen dem Rand der Öffnung in der Maske und dem Rand des Bezugsmarkierungsmusters auf dem Substrat und auch zwischen dem Rand der Öffnung und dem Rand einer Ritzbahn auf dem Substrat eingehalten werden.

Diese Spielräume, die typisch 60 µm bzw. 40 µm betragen, beschränken die Größe der Fläche des Halbleitersubstrats, die von dem Bezugsmarkierungsmuster eingenommen werden kann. Dies hat den Nachteil, daß die Genauigkeit, mit der eine automatische Ausrichtung in anderen Schritten durch­ geführt werden kann, beschränkt ist, weil diese von der Höhe des von dem Bezugsmarkierungsmuster abgeleiteten Röntgenstrahlungs­ signals abhängig ist. Die Höhe dieses Signals hängt von dem von dem Bezugsmarkierungsmuster eingenommenen Fläche ab.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, das Verfahren der eingangs genannten Art so auszubilden, daß eine schnellere Ausrichtung der Maske erreicht wird, bei dem das genannte Gebiet des Bezugsmarkierungsmusters hin­ reichend lange belichtet wird, ohne daß jedoch die die Fläche des Bezugsmarkierungsmusters umgebende Umrandung überbelichtet wird.

Diese Aufgabe wird durch die im kennzeichnenden Teil des Patentanspruchs 1 genannten Merkmale gelöst.

Weitere Ausgestaltungen der Erfindung ergeben sich aus den Unteransprüchen.

Der Unterschied zwischen den Intensitäten der zwei Teil­ muster ermöglicht es, daß das erste Teilmuster für Aus­ richtungszwecke verwendet wird, während das erste sowie das zweite Teilmuster das strahlungsempfindliche Material im ganzen Gebiet des Bezugsmarkierungsmusters belichten.

Das einem bestimmten Muster folgende Strahlungsbündel kann ein Elektronenstrahlbündel oder ein elektromagnetisches Strahlungsbündel, z. B. ein Bündel sichtbaren Lichtes oder ein Röntgenstrahlungsbündel, sein und kann sich über das ganze Gebiet der Maske erstrecken.

Die Schicht aus strahlungsempfindlichem Material kann aus einem negativen oder einem positiven strahlungsempfind­ lichen Material bestehen.

Nach Entwicklung wird ein positives strahlungsempfind­ liches Material völlig von dem ganzen Gebiet des Bezugs­ markierungsmusters entfernt. Der verbleibende Teil der Schicht kann das ganze Gebiet außerhalb des Gebietes des Bezugsmarkierungsmusters bedecken. Andererseits wird ein strahlungsempfindliches Material völlig von einem Gebiet außerhalb des Gebietes des Bezugsmarkierungsmusters ent­ fernt. Der verbleibende Teil der Schicht kann derart be­ schränkt werden, daß er nur das Gebiet des Bezugsmarkie­ rungsmusters bedeckt.

Bei Anwendung jeder der beiden Arten von strahlungs­ empfindlichen Materialien kann der außerhalb des Gebietes des Bezugsmarkierungsmusters verbleibende Teil der Schicht aus strahlungsempfindlichem Material relativ zu dem Be­ zugsmarkierungsmuster eine Öffnung definieren, die einem Gebiet des Substrats entspricht, in dem ein Verfahrens­ schritt durchgeführt werden muß.

Unter Verwendung nur einer einzigen Maske können sowohl Gebiete des Substrats, in denen ein Verfahrensschritt durchgeführt werden soll, als auch zugleich das Gebiet eines Materials definiert werden, das auf dem Gebiet des Bezugsmarkierungsmusters entfernt oder aufrechterhalten werden muß.

Wenn das Verfahren unter Verwendung eines einem bestimmten Muster folgenden Elektronenstrahls durchgeführt wird, der von einer eine Photokathodenschicht enthaltenden Maske stammt, wird das Röntgenstrahlungssignal, das erhalten wird, wenn das erste Teilmuster auf das Bezugsmarkierungs­ muster fällt, zur automatischen Ausrichtung des ersten von der Maske stammenden Teilmusters relativ zum Substrat ver­ wendet.

Die automatische Ausrichtung findet während des ersten Teiles der Belichtungszeit statt, so daß die Definition freizulegender Gebiete von dem Teil der Gesamtbelichtungs­ zeit abhängt, den die Ausrichtung in Anspruch nimmt. In­ folge der niedrigeren Intensität des zweiten Teilmusters sind die Belichtungszeiten länger als diejenigen, die bei dem bekannten Verfahren erforderlich sind. Der für die Ausrichtung benötigte Teil der Belichtungszeit wird herabgesetzt, wodurch eine bessere Definition belichteter Gebiete erhalten wird.

Die automatische Ausrichtung kann genau durchgeführt wer­ den. Dies hat den Vorteil, daß die Spielräume zwischen dem Rand der Ritzbahn und dem Bezugsmarkierungsmuster herab­ gesetzt werden können. Die Fläche, die von dem Bezugsmar­ kierungsmuster eingenommen werden kann, wird daher ver­ größert, so daß ein stärkeres Röntgenstrahlungssignal für eine genauere Ausrichtung erhalten werden kann.

Einige Ausführungsformen der Erfindung sind in den Zeich­ nungen dargestellt und werden im folgenden näher beschrie­ ben. Es zeigen:

Fig. 1 eine Draufsicht auf eine Halbleiterscheibe mit zwei Gebieten, deren Oberfläche mit einem Bezugs­ makierungsmuster versehen ist,

Fig. 2 eine Draufsicht auf eines der Bezugsmarkierungs­ muster nach Fig. 1,

Fig. 3 einen Querschnitt durch das Bezugsmarkierungsmuster nach Fig. 2,

Fig. 4 und 5 Querschnitte durch einen Teil einer Maske und einer Halbleiterscheibe in verschiedenen Stufen eines Verfahrens nach der Erfindung,

Fig. 6 einen Querschnitt durch einen Teil einer Maske und einer Halbleiterscheibe in einer besonderen Stufe eines Verfahrens nach der Erfindung, und

Fig. 7 und 8 Querschnitte durch einen Teil einer Maske und einer Halbleiterscheibe in verschiedenen Stufen eines weiteren Verfahrens nach der Erfindung.

Das Substrat nach Fig. 1 weist die Form einer einkri­ stallinen Halbleiterscheibe 1 aus z. B. Silicium auf.

Die Scheibe 1, die einen kreisförmigen Umfang mit einer üblichen Ausrichtfläche 2 aufweist, besteht aus zwei Be­ zugsmarkierungsgebieten 6 und einem Gebiet 3 außerhalb der Gebiete 6. Wie in Fig. 2 dargestellt ist, wird jedes Be­ zugsmarkierungsgebiet 6 von einem Bezugsmarkierungsmuster in Form grober und feiner Stäbe 7a und 7b eines Materials auf Metallbasis, z. B. Tantaloxid, eingenommen. Jeder Stab­ typ ist in zwei orthogonalen Gruppen angeordnet. Wie in Fig. 3 dargestellt ist, ist das Bezugsmarkierungsmuster 7 auf einer Oxidschicht 9 angebracht, die verhindert, daß Verunreinigungen in das Substrat von dem Bezugsmarkie­ rungsmuster während der weiteren Bearbeitung eindiffun­ dieren.

Das Verfahren nach der Erfindung kann zum Definieren einer Schutzschicht über dem Bezugsmarkierungsmuster verwendet werden, wie nachstehend unter Bezugnahme auf Fig. 4 beschrieben wird.

Eine Schicht 10 aus einem Material, wie Siliciumnitrid, wird auf bekannte Weise bis zu einer Dicke von z. B. 0,15 µm auf dem Tantaloxidbezugsmarkierungsmuster 7 und der Oxidschicht 9 abgelagert. Eine Schicht 11 aus einem nega­ tiven elektronenempfindlichen Material, im folgenden Foto­ lack genannt, wie Polystyrol, wird dann auf der Oberfläche der Nitridschicht 10 angebracht. Die Halbleiterscheibe 1 wird anschließend in einem bekannten Elektronenbildprojektor mit der Maske 13 angeordnet. Nach Belichtung der Maske 13 mit Ultraviolettstrahlung 20 wird der Fotolack 11 mit ei­ nem einem bestimmten Muster folgenden Elektronenstrahl 22a, 22b belichtet. Das erste Teilmuster 22a des Elektro­ nenstrahls wird von den Gebieten der Maske abgegeben, in denen eine leitende Schicht 18 direkt auf der Oberfläche eines Substrats 19 liegt, während ein zweites Teilmuster 22b von den Gebieten abgegeben wird, in denen das zweite Schichtmuster 16a direkt auf der Oberfläche des Substrats 19 liegt. Das erste Teilmuster 22a ist in dem zweiten Teilmuster 22b enthalten. Der einem bestimmten Muster fol­ gende Elektronenstrahl 22a, 22b fällt auf den Fotolack ein, derart, daß er dieses Material über das ganze Gebiet 11a belichtet, wodurch der Teil des Fotolacks bestimmt wird, der entfernt werden muß und der durch den Umfang des einem bestimmten Muster folgenden Elektronenstrahls defi­ niert wird. Der Unterschied zwischen den Intensitäten der zwei Teilmuster ist genügend, damit das erste Teilmuster 22a dazu benutzt werden kann ein Röntgenstrahlungssignal für das Bezugsmarkierungsmuster 7 zu erzeugen und so auto­ matisch den einem bestimmten Muster folgenden von der Mas­ ke stammenden Elektronenstrahl relativ zu der Scheibe 1 auszurichten.

Nach der Ausrichtung wird die Belichtung der Schicht 11 aus Fotolack mit dem einem bestimmten Muster folgenden Elektronenstrahl fortgesetzt, so daß, wenn der Fotolack entwickelt worden ist, der das ganze Gebiet des Bezugsmar­ kierungsmusters bedeckende Teil 11a erhalten bleibt, wäh­ rend die anderen Teile entfernt werden.

Unter Verwendung bekannter Ätztechniken beim Vorhandensein der aus Fotolack bestehenden Maskierungsschicht 11a werden die Nitridschicht 10 und die Oxidschicht 9 geätzt, derart, daß nur die Teile 9a und 10a der Schutzschichten zurück­ bleiben (Fig. 5).

Tatsächlich werden die Teile des Fotolacks, auf die das erste Teilmuster 22a einfällt, überbelichtet. Da jedoch das erste Teilmuster 22a in dem zweiten Teilmuster 22b enthalten ist, beeinträchtigt die zusätzliche Belichtung die Definition des belichteten Gebietes nicht.

Wie in Fig. 5 dargestellt ist, ist das Bezugsmarkierungs­ muster 7 zwischen den zwei Schutzschichten 9a und 10a ein­ geschlossen. Die Nitridschicht 10a kann z. B. dazu ange­ bracht sein, das Tantalbezugsmarkierungsmuster während ei­ ner späteren Stufe in der Herstellung der Halbleiteranord­ nung, z. B. während der Entfernung eines etwaigen Tantal­ überschusses von der Oberfläche der Scheibe, zu schützen. Auch kann die Schicht 10a derart angebracht sein, daß Silicium epitaktisch in seiner einkristallinen Form auf den Gebieten 3 der Scheibe und in seiner polykristallinen Form auf der Schutzschicht 10a aufwachsen gelassen werden kann, wie in der eingangs genannten GB-PS 15 20 925 be­ schrieben ist. Um das Bezugsmarkierungsmuster wieder zu belichten, derart, daß es für die Ausrichtung in späteren Stufen der Herstellung von Halbleiteranordnungen verwendet werden kann, kann das polykristalline Silicium dann unter Verwendung eines Ätzmittels entfernt werden, das das Material angreift, wie in der genannten GB-PS 15 20 925 beschrieben ist.

Fig. 6 zeigt den polykristallinen Siliciumteil 27, der auf der Siliciumnitridschicht 10a aufgewachsen ist, und den einkristallinen Siliciumteil 26, der auf dem Gebiet 3 der Scheibe außerhalb des Gebietes des Bezugsmarkierungs­ musters aufgewachsen ist. Wie in der genannten GB-PS 15 20 925 beschrieben ist, kann die Oberfläche des einkri­ stallinen Materials vor dem Ätzmittel durch eine Schutz­ schicht 25a aus Oxid geschützt werden.

Bei einer zweiten Ausführungsform der Erfindung wird eine Schicht 28 aus positivem elektronenempfindlichen Material, wie PMMA, auf der Oberfläche einer Oxidschicht 25 abgelagert. Die Oxidschicht 25 wird auf der Oberfläche des polykristallinen Siliciumteiles 27 sowie des einkri­ stallinen Teiles 26 z. B. durch Oxidation der Oberfläche erzeugt. Die Oxidschicht kann eine Dicke von 0,6 µm auf­ weisen. Die Maske 13 und die Scheibe 1 werden dann in ei­ nem bekannten Elektronenbildprojektor angeordnet und die Fotolackschicht 28 wird mit dem einem bestimmten Muster folgenden Elektronenstrahl 22a, 22b belichtet, der von der Maske 13 abgegeben wird, wenn sie mit Ultraviolettstrah­ lung 20 belichtet wird. Der einem bestimmten Muster fol­ gende Elektronenstrahl 22a, 22b fällt auf den Fotolack 28 und belichtet dieses Material über das ganze Gebiet 28b, wodurch das Gebiet des Fotolacks bestimmt wird, das entfernt werden muß und durch den Umfang des Elektronenstrahlmusters definiert wird. Der Unterschied zwischen den Intensitäten der zwei Teilmuster ist jedoch genügend, damit das erste Teilmuster 22a dazu benutzt werden kann, ein Röntgenstrahlungssignal für das Bezugs­ markierungsmuster 7 zu erzeugen und so automatisch die Maske 13 und die Halblei­ terscheibe gegenseitig auszurichten. Die Belichtung wird während einer Zeit fortgesetzt, die genügend lang ist, da­ mit in einer späteren Entwicklungsstufe der Fotolack 28b, auf den der Elektronenstrahl 22a, 22b einfiel, entfernt wird. Die verbleibenden Teile 28a des Fotolacks maskieren dann die einkristallinen Siliciumteile 26 wäh­ rend der Ätzung des polykristallinen Siliciumteiles 27. Durch Anwendung dieses Verfahrens entspricht der entfernte Teil 28b des Fotolacks genau dem Gebiet des zu entfernen­ den polykristallinen Siliciumteiles 27.

Die Maske 13 (siehe Fig. 4) kann auf folgende Weise her­ gestellt werden. Eine Chromschicht wird auf bekannte Weise durch Zerstäubung bis zu einer Dicke von 100 nm auf einem Quarzsubstrat 19 abgelagert. Eine Fotolackschicht wird auf der Chromschicht abgelagert und wird selektiv mit einem von einem Mustergenerator stammenden Elektronen­ strahl auf bekannte Weise derart belichtet, daß nach Ent­ wicklung des Fotolacks Öffnungen gebildet werden, durch die das Chrom belichtet wird, so daß es selektiv durch z. B. Plasmaätzen entfernt werden kann, um die Öffnungen 15 und das Schichtmuster 14 zu bilden. Eine Chromschicht wird dann bis zu einer Dicke von 20 nm durch Zerstäubung auf der Oberfläche des belichteten Substrats 19 und auf der Oberfläche des Schichtmusters 14 abgelagert. Ein negativer Fotolack, wie Polystyrol, wird auf der Chromschicht ange­ bracht und wird mit einem von einem Elektronenmustergene­ rator stammenden Elektronenstrahl derart belichtet, daß nach Entwicklung des Fotolacks die verbleibenden Teile als eine Ätzmaske während der Ätzung des Chroms verwendet werden, wobei das Chromschichtmuster 16a und der Teil 16b zurück­ bleiben. Die ganze Oberfläche wird danach mit einer lei­ tenden Schicht 18 versehen, dadurch, daß durch Zerstäubung Chrom bis zu einer Dicke von z. B. 8 nm abgelagert wird, wonach die Photokathodenschicht 17 aus Cäsiumjodid durch Verdampfung auf bekannte Weise abgelagert wird.

Bei den bisher beschriebenen Ausführungsformen ist der zu entfernende oder beizubehaltende Fotolack auf das Gebiet des Bezugsmarkierungsmusters beschränkt. Bei einer wei­ teren Ausführungsform der Erfindung wird jedoch eine Maske verwendet, um Gebiete außerhalb des Gebietes des Bezugs­ markierungsmusters, in denen weitere Verfahrensschritte durchgeführt werden müssen, relativ zu diesem Muster zu definieren.

Wie in Fig. 7 dargestellt ist, weist die Halbleiterscheibe 1 ein Tantaloxidbezugsmarkierungsmuster 7 auf, das auf ei­ ner Oxidschicht 9 gebildet ist. Das Bezugsmarkierungs­ muster 7 und die Oxidschicht 9 werden mit einer Schutz­ schicht 10 aus z. B. Siliciumnitrid bedeckt. Die beiden Schutzschichten 9 und 10 erstrecken sich bis zu dem Gebiet 3 außerhalb des Gebietes 6 des Bezugsmarkierungsmusters 7. Die Siliciumnitridschicht 10 wird mit einer Schicht 31 aus einem negativen Fotolack überzogen. Die Scheibe 1 wird dann in einem bekannten Elektronenbildprojektor mit einer Maske 33 angeordnet. Die Maske kann auf die oben beschrie­ bene Weise hergestellt werden. Die Konfiguration des er­ sten und des zweiten Chromschichtmusters 34, 36b und 36a, ist aber verschieden. Das erste Schichtmuster 34, 36b ent­ spricht den Gebieten der Scheibe 1, in denen ein Fenster in den Schutzschichten 9 und 10 für einen zweiten darin durchzuführenden Verfahrensschritt geöffnet werden muß.

Die Gebiete der Maske, in denen das Schichtmuster 34, 36b nicht vorhanden ist, entsprechen den Gebieten der Schutz­ schichten 9 und 10 auf der Scheibe 1, die entfernt werden müssen. Nach Belichtung der Maske auf die oben beschrie­ bene Weise wird ein Elektronenstrahl 52a, 52b erzeugt. Das Teilmuster 52a mit der höheren Intensität gestattet wieder eine automatische Ausrichtung. Das ganze Gebiet 31c des Fotolacks, auf das das Elektronenstrahlmuster 52a, 52b einfällt, wird in einem derartigen Maße belichtet, daß während eines anschließenden Entwicklungsschrittes nur der Teil des Fotolacks 31d, auf den keine Elektronen ein­ fielen, entfernt wird. Die verbleibenden Teile 31c des Fotolacks können dann als eine Maske beim Ätzen der Schutzschichten 9 und 10 verwendet werden. Nach diesem Ätzschritt wird eine Öffnung 35 in den Schichten 9 und 10 gebildet, wie in Fig. 8 dargestellt ist. An der über die Öffnung belichteten Siliciumoberfläche kann ein weiterer Verfahrensschritt durchgeführt werden. Dieser Schritt kann z. B. die Diffusion einer Verunreinigung oder die lokali­ sierte Bildung einer teilweise vergrabenen Oxidschicht sein.

Bei einer Abwandlung dieser Ausführungsform kann der Fotolack ein positiver Fotolack sein. Die Schutzschicht 10 kann dann von dem Gebiet des Bezugsmarkierungsmusters ent­ fernt werden, während zu gleicher Zeit Öffnungen in den Schutzschichten 9 und 10 an Gebieten außerhalb des Gebie­ tes des Bezugsmarkierungsmusters gebildet werden, in denen weitere Verfahrensschritte durchgeführt werden müssen.

Weitere Abwandlungen sind möglich. So kann z. B. eine Maske mit mehr als zwei Schichtmustern verwendet werden, um ein einem bestimmten Muster folgendes Strahlungsbündel mit mehr als zwei Teilmustern mit verschiedenen Intensitäten zu erzeugen.

Außerdem können statt der einem bestimmten Muster folgen­ den Elektronenstrahlen andere einem bestimmten Muster fol­ gende Strahlungsbündel, z. B. Bündel sichtbaren Lichtes oder Röntgenstrahlungsbündel, zum Belichten des strah­ lungsempfindlichen Materials verwendet werden.

In diesen Fällen enthält die Maske keine Photokathoden­ schicht und wird die Strahlung nicht von einem Typ auf ei­ ner Seite der Maske in einen anderen Typ auf der anderen Seite umgewandelt. Statt ein Projektionssystem anzuwenden, in dem das strahlungsempfindliche Material auf der Ober­ fläche des Substrats über eine Maske belichtet wird, das in einiger Entfernung von dem Substrat liegt, kann ein Sy­ stem verwendet werden, in dem das Substrat und die Maske während der Belichtung miteinander in Kontakt sind.

Claims (7)

1. Verfahren zur Herstellung einer Mikrominiatur­ feststoffanordnung, bei dem in einem Belichtungsschritt eine Schicht aus einem strahlungsempfindlichen Material auf einer Hauptfläche eines Halbleitersubstrats mit einem einem bestimmten Muster folgenden, von einer Maske stammenden Strahlungsbündel belichtet wird, welches Strah­ lungsbündel ein Bündel mit einem ersten Teilmuster und ein Bündel mit einem zweiten Teilmuster enthält, wobei das Strahlungsbündel mit dem ersten Teilmuster die gleiche Konfiguration wie ein Bezugsmarkierungsmuster aufweist, das auf der Oberfläche des Halbleitersubstrats angebracht ist, wobei erst das Strahlungsbündel derart in bezug auf das Halbleitersubstrat ausgerichtet wird, daß das Bündel mit dem ersten Teilmuster auf das Bezugsmarkierungsmuster fällt, und daß die Belichtung dann fortgesetzt wird, um einen Teil der Schicht aus dem strahlungsempfindlichen Material zu bestimmen, der entfernt werden muß, welcher Teil durch den Umfang des Strahlungsbündels definiert wird, dadurch gekennzeichnet, daß das Strahlungsbündel mit dem ersten Teilmuster eine größere Intensität aufweist als das Strahlungsbündel mit dem zweiten Teilmuster und daß das Strahlungsbündel mit dem ersten Teilmuster in einem Teil des Strahlungsbündels mit dem zweiten Teilmuster enthalten ist und bei fort­ gesetzter Belichtung der zu entfernenden Teile der Schicht aus dem strahlungsempfindlichen Material durch den Umfang des Strahlungsbündels mit dem zweiten Teilmuster bestimmt wird.

2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Schicht aus einem positiven strahlungsempfindlichen Material besteht, so daß die genannte Schicht von dem ganzen Gebiet des Bezugsmarkierungsmusters durch Entwicklung völlig entfernt wird.

3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der das Bezugsmarkierungsmuster bedeckende Teil der genannten Schicht erhalten bleibt, während die anderen Teile entfernt werden.

4. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Schicht aus einem negativen strahlungsempfindlichen Material besteht und die genannte Schicht von Gebieten außerhalb des Gebietes des Bezugsmarkierungsmusters durch Entwicklung völlig entfernt wird.

5. Verfahren nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß der verbleibende Teil der Schicht außerhalb des Gebietes des Bezugsmarkierungsmusters und in bezug auf dieses Muster eine Öffnung definiert, die einem Gebiet des Substrats entspricht, in dem ein Verfahrensschritt durchzuführen ist.

6. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Maske einen Träger enthält der für auf die Maske einfallende elektromagnetische Strahlung durchlässig ist, daß der Träger mit einem ersten Schichtmuster aus Chrom versehen ist, welches Schichtmuster genügend dick ist, um für die einfallende Strahlung undurchlässig zu sein, und daß der Träger mit einem zweiten Schichtmuster aus Chrom versehen ist, das für die einfallende Strahlung durchlässig ist, wobei das Strahlungsbündel mit dem zweiten Teilmuster von den Teilen der Maske abgegeben wird, auf denen das zweite Schichtmuster vorhanden ist, und das Strahlungsbündel mit dem ersten Teilmuster von den Teilen der Maske abgegeben wird, die nicht mit dem ersten und zweiten Schichtmuster versehen sind.

7. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Maske des weiteren eine leitende Schicht enthält, die für die genannte einfallende Strahlung durchlässig ist und sich über wenigstens das durchlässige Substrat und das zweite Schichtmuster erstreckt, und daß direkt auf der genannten leitenden Schicht eine Photokathodenschicht aus Cäsiumjodid liegt, von der das von der Maske abgegebene Strahlungsbündel stammt.