DE10227211A1 - Kontrastreiche Lithographiejustiermarken zur Halbleiterherstellung - Google Patents

Kontrastreiche Lithographiejustiermarken zur Halbleiterherstellung

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DE10227211A1
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Abstract

Es wird ein Verfahren zum Bereitstellen von Kontrast für Justiermarken nach einer unstrukturierten Metallabscheidung offenbart. Ein Graben wird in dem ersten Gebiet bereitgestellt, und ein Graben wird in einem Justiermarkengebiet eines Halbleiterwafers bereitgestellt. Ein erstes Metall wird auf dem Wafer abgeschieden, und das erste Metall wird daran gehindert, den Graben im Justiermarkengebiet zu füllen, damit der Graben im Justiermarkengebiet in einem nicht gefüllten Zustand gehalten wird. Der Wafer wird planarisiert, um das erste Metall von einer oberen Oberfläche zu entfernen. Eine unstrukturierte Abscheidung einer zweiten Metallschicht wird auf dem ersten Gebiet und dem Justiermarkengebiet durchgeführt, so daß sich der Graben im Justiermarkengebiet zur Verwendung als Streuungsjustiermarke eignet.

Description

    1. Erfindungsgebiet
  • Die vorliegende Offenbarung betrifft die Halbleiterherstellung und insbesondere Verfahren und Einrichtungen zum Bereitstellen von kontrastreichen Justiermarken für LSA-Systeme (laserlight scattering alignment = Laserlichtstreuungsjustierung).
  • 2. Beschreibung des verwandten Stands der Technik
  • Bei der Halbleiterherstellung werden Justiermarken zur Bereitstellung einer Justierung zwischen Prozeßschritten verwendet. Typische Justiermarken enthalten einen Graben oder ein Plateau, der oder das auf einer ersten Schicht ausgebildet ist und zum Justieren einer Maske oder eines anderen Verarbeitungswerkzeugs verwendet wird, um für eine Justierung zwischen auf einem Halbleiterwafer ausgebildeten Schichten zu sorgen.
  • Gegenwärtige Justiermarken, die mit einem Damascene- Integrationsverfahren hergestellt werden, oder insbesondere einem Integrationsverfahren, bei dem eine Metallschicht glattpoliert werden muß, leiden im allgemeinen unter schlechtem Kontrast, wenn die LSA-Systeme verwendet werden. Zu diesen Systemen können beispielsweise SVG MICRASCAN, kommerziell erhältlich von ASM Lithography, NIKON LSA, Modelle S103, S203, S204 usw., kommerziell erhältlich von NIKON, zählen. Diese Arten von Justiersystemen basieren auf Topographiedifferenzen oder, was weniger wünschenswert ist, Reflexionsgraddifferenzen zwischen einer Grenzflächenjustiermarkenstruktur und ihrem umgebenden Bereich.
  • Unter Bezugnahme auf Fig. 1 wird Laserlicht 10 auf eine Oberfläche einer Halbleiterstruktur 12 gerichtet. Die Struktur 12 enthält Justiermarken 14. Zu Justiermarken 14 können Gräben 16, Plateaus 18 oder beide zählen. Das Laserlicht 10 trifft auf der Oberfläche der Struktur 12 auf und wird gestreut. Das gestreute Licht 20 wird, wenn das Laserlicht 10 über die Oberfläche geführt wird, gemessen. Topographiedifferenzen oder Reflexionsgraddifferenzen werden als Funktion der Position gemessen, um die Grenzflächen zwischen Justiermarken 14 und dem umgebenden Bereich zu bestimmen.
  • Unter Bezugnahme auf Fig. 2 beinhaltet ein Damascene- Integrationsverfahren geätzte Gräben 16, die mit Metall 22 gefüllt und dann glattpoliert werden. Danach wird eine unstrukturierte Metallschicht 24 abgeschieden, die wegen der zuvor polierten Schicht 22 sehr wenig Topographie (oder Reflexionsgraddifferenzen) aufweist. Die geringe verbleibende Topographie reicht im allgemeinen nicht aus, eine LSA-Justierung zu gestatten, da Laserlicht 10 nicht länger gestreut wird. Außerdem variiert die Qualität des Justiersignals zwischen Wafern und Chargen, was zu großen Differenzen in einer Charge und bei der Überdeckungsvariabilität zwischen Chargen führt. Dies reduziert das Überdeckungsvertrauen und wirkt sich auf die Ausbeute aus.
  • In diesem Fall können keine optischen Justierverfahren verwendet werden, da sogar eine sehr dünne Metallschicht das ganze reflektierte Licht von den vorausgegangenen Schichten absorbiert.
  • Es besteht somit ein Bedarf zur Bereitstellung von Kontrast von Justiermarken, um eine Laserlichtstreuungsjustierung zu gestatten. Es besteht ein weiterer Bedarf daran, Laserlichtstreuungsjustierungs-Metall- Damascene-Schritte mit nachfolgenden unstrukturierten Metallabscheidungsschritten zu gestatten.
  • KURZE DARSTELLUNG DER ERFINDUNG
  • Es wird ein Verfahren zum Bereitstellen von Kontrast für Justiermarken nach einer unstrukturierten Metallabscheidung offenbart. Ein Graben wird in einem ersten Gebiet bereitgestellt, und ein Graben wird in einem Justiermarkengebiet eines Halbleiterwafers bereitgestellt. Ein erstes Metall wird auf einem Wafer abgeschieden, und das erste Metall wird daran gehindert, den Graben im Justiermarkengebiet zu füllen, damit der Graben im Justiermarkengebiet in einem nicht gefüllten Zustand gehalten wird. Der Wafer wird planarisiert, um das erste Metall von einer oberen Oberfläche zu entfernen. Eine unstrukturierte Abscheidung einer zweiten Metallschicht wird auf dem ersten Gebiet und dem Justiermarkengebiet durchgeführt, so daß sich der Graben im Justiermarkengebiet zur Verwendung als Streuungsjustiermarke eignet.
  • Diese und weitere Aufgaben, Merkmale und Vorteile der vorliegenden Erfindung ergeben sich aus der folgenden ausführlichen Beschreibung ihrer Ausführungsbeispiele, die in Verbindung mit den beiliegenden Zeichnungen zu lesen ist.
    • KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
  • Die vorliegende Offenbarung präsentiert ausführlich die folgende Beschreibung bevorzugter Ausführungsformen unter Bezugnahme auf die folgenden Figuren. Es zeigen
  • Fig. 1 ein Schemadiagramm, das ein Laserlichtstreuungsjustiersystem gemäß dem Stand der Technik zeigt;
  • Fig. 2 ein Schemadiagramm, das ein Laserlichtstreuungsjustiersystem nach einer unstrukturierten Abscheidung eines Metalls gemäß dem Stand der Technik zeigt;
  • Fig. 3 eine Querschnitts-Teilansicht von zwei Gebieten eines Halbleiterwafers, die in einer Schicht oder einem Substrat des Wafers ausgebildete Gräben zeigt, gemäß der vorliegenden Erfindung;
  • Fig. 4 eine Querschnitts-Teilansicht der beiden Gebiete von Fig. 3, die eine von einem Justiermarkengraben entfernte Keimschicht zeigt, gemäß der vorliegenden Erfindung;
  • Fig. 5 eine Querschnitts-Teilansicht der beiden Gebiete von Fig. 4, nachdem ein Resist entfernt worden ist, gemäß der vorliegenden Erfindung;
  • Fig. 6 eine Querschnitts-Teilansicht der beiden Gebiete von Fig. 5, die eine abgeschiedene Metallschicht zeigt, ohne daß der Graben in dem Justiermarkengebiet gefüllt worden ist, gemäß der vorliegenden Erfindung;
  • Fig. 7 eine Querschnitts-Teilansicht der beiden Gebiete von Fig. 6, die die Keimschicht und die planarisierte Metallschicht zeigt, gemäß der vorliegenden Erfindung;
  • Fig. 8 eine Querschnitts-Teilansicht der beiden Gebiete von Fig. 7, die eine unstrukturierte Metallabscheidung zeigt, gemäß der vorliegenden Erfindung;
  • Fig. 9 eine Querschnitts-Teilansicht der beiden Gebiete von Fig. 8, die einen abtastenden Laser zeigt, der nach einer unstrukturierten Abscheidung zum Erfassen der Topographie einer Justiermarke verwendet wird, gemäß der vorliegenden Erfindung;
  • Fig. 10 eine Querschnitts-Teilansicht der beiden Gebiete von Fig. 3, die ein abgeschiedenes blockierendes Material zeigt, für eine andere Ausführungsform gemäß der vorliegenden Erfindung;
  • Fig. 11 eine Querschnitts-Teilansicht der beiden Gebiete von Fig. 10, die das Blockiermaterial zeigt, das zum Füllen einer Justiermarke strukturiert ist, gemäß der vorliegenden Erfindung;
  • Fig. 12 eine Querschnitts-Teilansicht der beiden Gebiete von Fig. 11, die eine fakultative Keimschicht zeigt, die auf dem Blockiermaterial ausgebildet ist, gemäß der vorliegenden Erfindung;
  • Fig. 13 eine Querschnitts-Teilansicht der beiden Gebiete von Fig. 12, die eine abgeschiedene Metallschicht zeigt, gemäß der vorliegenden Erfindung;
  • Fig. 14 eine Querschnitts-Teilansicht der beiden Gebiete von Fig. 13, die die Metallschicht und das planarisierte Blockiermaterial zeigt, gemäß der vorliegenden Erfindung;
  • Fig. 15 eine Querschnitts-Teilansicht der beiden Gebiete von Fig. 14, die das von der Justiermarke entfernte Blockiermaterial zeigt, gemäß der vorliegenden Erfindung; und
  • Fig. 16 eine Querschnitts-Teilansicht der beiden Gebiete von Fig. 15, die eine unstrukturierte Metallabscheidung zeigt, gemäß der vorliegenden Erfindung.
    • AUSFÜHRLICHE BESCHREIBUNG BEVORZUGTER AUSFÜHRUNGSFORMEN
  • Die vorliegende Erfindung stellt Justiermarkenstrukturen bereit, die die Metallabscheidung auf den Justiermarken vermeiden. Dies kann auf mehrere Weisen geschehen. Bei einer Ausführungsform wird während den Metallabscheidungsschritten in dem Justiermarkengebiet eine Blockierschicht ausgebildet. Bei einer anderen Ausführungsform wird eine Keimschicht zum Ausbilden des Metalls blockiert, so daß von Oberflächen der Justiermarken aus kein Metallwachstum eingeleitet wird. Bei einer anderen Ausführungsform kann die Keimschicht nach der Abscheidung entfernt werden, um Metallwachstum zu verhindern. Diese und andere Verfahren werden unter Bezugnahme auf die Zeichnungen ausführlich beschrieben.
  • Der Einfachheit halber zeigen die Figuren zwei Gebiete eines Halbleiterspeicherchips 100. Diese beiden Gebiete beinhalten bei diesem Beispiel ein Speicherarraygebiet 102 und ein Justiermarkengebiet 104. Diese Gebiete können an jeder Position auf einem Halbleiterwafer angeordnet sein und sind schematisch dargestellt, um eine Implementierung der vorliegenden Erfindung zu demonstrieren. Das Speicherarraygebiet 102 ist nur zu Veranschaulichungszwecken gezeigt, und andere Gebiete können ebenfalls verwendet werden. Der Chip 100 kann Speicherbauelemente, anwendungsspezifische Chips oder ein beliebiges anderes Halbleiterbauelement beinhalten.
  • Nunmehr unter näherer Bezugnahme auf die Zeichnungen, in denen gleiche Bezugszahlen in den verschiedenen Ansichten ähnliche oder identische Elemente identifizieren, und anfänglich auf Fig. 3 wird als Veranschaulichung eine Querschnittsansicht eines Halbleiterwafers 100 gezeigt. Der Wafer 100 enthält wie oben beschrieben ein Speicherarraygebiet 102, das ein auf dem Halbleiterwafer 100 herzustellendes Speicherarraybauelement veranschaulicht. Gemäß der vorliegenden Erfindung werden auch andere Halbleiterbauelemente in Betracht gezogen. Das Justiermarkengebiet 104 kann in jeder geeigneten Position auf dem Wafer 100 bereitgestellt werden. Das Justiermarkengebiet 104 kann beispielsweise Gräben 106, Plateaus und/oder beliebige andere topographische Merkmale als Justiermarke oder Justiermarken enthalten.
  • Bei dem gezeigten Ausführungsbeispiel wird ein Substrat 110 durch bekannte Lithographie- und Ätzprozesse strukturiert. Das Substrat 110 kann ein Halbleitersubstrat wie etwa einkristallines Silizium, eine Dielektrikumsschicht oder -schichten oder jede beliebige andere Schicht enthalten, die auf eine spätere Halbleiterbauelementschicht oder Maske justiert werden soll. Die Gräben 106 werden bevorzugt gleichzeitig in den Gebieten 102 und 104 ausgebildet.
  • Unter Bezugnahme auf Fig. 4 benötigt bei einer Ausführungsform eine abzuscheidende Metallschicht eine Keimschicht, damit die Abscheidung eingeleitet wird. Die Keimschicht kann beispielsweise Kupfer oder andere geeignete Metalle für die Metallschichtabscheidung enthalten. Eine Keimschicht 112 kann über der Oberfläche des Wafers 100 ausgebildet werden. Die Keimschicht 112 wird vom Graben 106 im Gebiet 104 entfernt, indem eine Resistschicht 114 über dem Graben 106 in den Gebieten 102 und 104 strukturiert und die Keimschicht 112 im Graben 106 durch einen Naß- oder Trockenätzprozeß weggeätzt wird. Dann wird der Resist 114 wie in Fig. 5 gezeigt entfernt.
  • Bei einer alternativen Ausführungsform wird verhindert, daß sich die Keimschicht 112 im Graben 106 des Gebiets 104 ausbildet, indem während der Keimschichtausbildung im Graben ein Blockiermaterial oder eine Blockierschicht bereitgestellt wird. Dadurch erhält man die gleiche Struktur, wie sie in Fig. 5 gezeigt ist.
  • Unter Bezugnahme auf Fig. 6 wird eine Metallschicht 120 auf dem Wafer 100 abgeschieden. Bei diesem Beispiel enthält die Metallschicht 120 Kupfer oder andere Metalle, die üblicherweise zum Einleiten einer Abscheidung eine Keimschicht benötigen. Da die Keimschicht 112 aus dem Graben 106 im Gebiet 104 entfernt worden ist, bildet sich die Metallschicht 120 nicht im Graben 106 im Gebiet 104 aus, sondern bildet sich stattdessen in Bereichen aus, die die Keimschicht 112 enthalten.
  • Unter Bezugnahme auf Fig. 7 wird die Metallschicht 120 bevorzugt durch einen chemisch-mechanischen Polierprozeß (CMP-Prozeß) planarisiert. Dadurch werden die Metallschicht 120 und die Keimschicht 112 von einer oberen Oberfläche 122 in Gebieten einschließlich den Gebieten 102 und 104 entfernt.
  • Unter Bezugnahme auf Fig. 8 kann über dem Wafer 100 ein unstrukturiertes Metall 124 abgeschieden werden. Die unstrukturierte Metallabscheidung ist so dünn, daß sie den Graben 106 im Gebiet 104 nicht füllt. Da der Graben 106 im Gebiet 104 nicht mit Metall gefüllt ist, stellt der Graben 106 im Gebiet 104 vorteilhafterweise eine Justiermarke bereit, die sich für Streuungsjustiersysteme eignet, wie etwa LSA-Systeme (laserlight scattering alignment = Laserlichtstreuungsjustierung). Wie in Fig. 9 gezeigt, wird Laserlicht 107 auf den Wafer 100 gelenkt und über ihn hinweggeführt, um die Position des Grabens 106 im Gebiet 104 zu bestimmen.
  • Der Graben 106 im Gebiet 104 behält seine topographischen Merkmale bei, um ausgeprägte Grenzflächen bereitzustellen, gegenüber denen eine Fotomaske oder später verarbeitete Schichten justiert werden können. Das unstrukturierte Metall 124, das beispielsweise Kupfer, Wolfram, Titan, Aluminium usw. enthalten kann, wird unter Verwendung eines herkömmlichen Lithographieprozesses strukturiert, bei dem eine nicht gezeigte Fotomaske auf die Justiermarke (Graben 106 im Gebiet 104) justiert wird, um eine Justierung zwischen der darunterliegenden Metallschicht 120 und der im unstrukturierten Metall 124 auszubildenden Struktur bereitzustellen.
  • Es versteht sich, daß die Ausbildung der Metallschicht 120 im Graben 106 im Gebiet 104 ohne die Keimschicht 112 eingeleitet werden kann. Diese Schicht würde jedoch mit einer viel langsameren Rate ausgebildet werden, und die Grenzflächen (Grabenwände) des Grabens reichen weiterhin für die Streuungsjustierung gemäß der vorliegenden Erfindung aus.
  • Unter Bezugnahme auf Fig. 10 kann bei einer alternativen Ausführungsform, ausgehend von der Struktur in Fig. 3, ein Blockiermaterial 118 im Gebiet 104 ausgebildet werden, um den Graben 106 im Gebiet 104 zu füllen. Das Blockiermaterial 118 kann ausgebildet werden, indem es über dem Wafer 100 abgeschieden und dann strukturiert wird, indem über ihm ein Fotoresist 130 mit Ausnahme des Gebiets 104 ausgebildet wird, wie in Fig. 11 gezeigt. Der Fotoresist 130 wird belichtet und entwickelt. Der Resist 130 wird aus dem Gebiet 102 und anderen Bereichen als über dem Graben 106 im Gebiet 104 entfernt. Das Blockiermaterial 118 kann beispielsweise Siliziumnitrid oder eine Fotomaske enthalten, mit der eine Justiermarke blockiert und/oder freigelegt wird. Der Fotoresist 130 kann beispielsweise einen Mittelultraviolett-(MUV)-Resist enthalten. Das Blockiermaterial kann vorteilhafterweise strukturiert werden, indem beispielsweise Mittelultraviolett-(MDV)-Lithographie verwendet wird, die keine hohen Anforderungen hinsichtlich der Steuerung der Überdeckung und der kritischen Abmessung (CD) aufweist.
  • Unter Bezugnahme auf Fig. 12 wird Blockiermaterial 118 aus dem Gebiet 102 und Fotoresist 130 aus dem Gebiet 104 entfernt. Nun bleibt Blockiermaterial 118 im Graben 106 im Gebiet 104 zurück, um darin in nachfolgenden Schritten die Ausbildung von Metall zu verhindern.
  • Eine Keimschicht 112 und eine Metallschicht 122 werden über dem Wafer 100 abgeschieden. Die Keimschicht 112 ist fakultativ, da einige Metalle zum Einsatz kommen können, die keine Keimschicht benötigen. Die Keimschicht 122 kann beispielsweise Tantal oder Tantalnitrid enthalten, falls eine Kupfermetallabscheidung verwendet wird. Um überschüssiges Blockiermaterial 118 (Material 118 außerhalb des Grabens 106 im Gebiet 104) vor der Ausbildung der Keimschicht 112 oder der Metallabscheidung zu entfernen, kann ein CMP-Prozeß durchgeführt werden.
  • Unter Bezugnahme auf Fig. 13 wird die Metallschicht 120 abgeschieden, die beispielsweise Kupfer, Wolfram, Aluminium, Titan usw. enthalten kann. Die Schicht 120 kann durch einen chemischen Dampfabscheidungsprozeß oder einen beliebigen anderen geeigneten Abscheidungsprozeß abgeschieden werden.
  • Unter Bezugnahme auf Fig. 14 wird die Metallschicht 120 (und Blockiermaterial außerhalb des Grabens 106 im Gebiet 104, falls es vorliegt) planarisiert, bevorzugt durch einen chemisch-mechanischen Polierprozeß (CMP- Prozeß). Dadurch werden die Metallschicht 120 und gegebenenfalls die Keimschicht 112 von einer oberen Oberfläche 122 in Gebieten einschließlich den Gebieten 102 und 104 entfernt.
  • Unter Bezugnahme auf die Fig. 15 und 16 wird Blockiermaterial 118 aus dem Graben 106 im Justiergebiet 104 entfernt. Über dem Wafer 100 kann ein unstrukturiertes Metall 124 (Fig. 16) abgeschieden werden. Die unstrukturierte Metallabscheidung ist so dünn, daß der Graben 106 im Gebiet 104 nicht gefüllt wird. Da der Graben 106 im Gebiet 104 nicht mit Metall gefüllt ist, stellt der Graben 106 im Gebiet 104 vorteilhafterweise eine Justiermarke bereit, die sich für Streuungsjustiersysteme eignet, wie beispielsweise LSA-Systeme. (Siehe Fig. 9). Graben 106 im Gebiet 104 behält seine topographischen Merkmale bei, um ausgeprägte Grenzflächen bereitzustellen, gegenüber denen eine Fotomaske oder später verarbeitete Schichten justiert werden können.
  • Das unstrukturierte Metall 124, das beispielsweise Kupfer, Wolfram, Titan, Aluminium usw. enthalten kann, wird unter Verwendung eines herkömmlichen Lithographieprozesses strukturiert, bei dem eine nicht gezeigte Fotomaske auf die Justiermaske (Graben 106 im Gebiet 104) justiert wird, um eine Justierung zwischen der darunterliegenden Metallschicht 120 und der im unstrukturierten Metall 124 auszubildenden Struktur bereitzustellen.
  • Die vorliegende Erfindung löst das Problem des unzureichenden Kontrasts zwischen Justiermerkmalen, indem sie verhindert, daß Metall in den geätzten Gräben von Justiermarken abgeschieden wird. Durch Bereitstellen einer Blockiermaske, die im Graben ausgebildet wird und nach der Metallabscheidung geöffnet wird, wird die Metallabscheidung effektiv blockiert. Das Blockiermaterial oder die Maske kann das Entfernen einer Keimschicht (durch ein Naßätz- oder Trockenätzverfahren), wie sie für die Kupferabscheidung verwendet wird, oder das Abscheiden einer zusätzlichen Schicht, beispielsweise Siliziumnitrid, die verhindert, daß das Metall abgeschieden wird, beinhalten.
  • Die Blockiermaske kann vorteilhafterweise belichtet werden, indem beispielsweise Mittelultraviolett-(MUV)- Lithographie verwendet wird, die keine hohen Anforderungen hinsichtlich der Steuerung der Überdeckung und der kritischen Abmessung (CD) aufweist. Die Naßätzung oder Trockenätzung der Keimschicht kann durch Einsatz standardmäßiger Ätzverfahren durchgeführt werden.
  • Da die vorliegende Erfindung eine ausgeprägte und betontere Topographie bereitstellt, erhält man eine verbesserte Justiersignalqualität. Dies bedeutet, daß LSA-Techniken nach einer unstrukturierten Metallabscheidung eingesetzt werden können und eine verbesserte Justierung und Überdeckung bereitstellen. Die vorliegende Erfindung kann auf andere Justiermarkenstrukturen und auch andere Halbleiterbauelementjustierungen ausgeweitet werden. So kann die vorliegende Erfindung beispielsweise mit der Dünnfilmtransistortechnologie für Flüssigkristalldisplays oder ein anderes Bauelement, das eine Justierung zwischen Schichten oder Prozessen erfordert, verwendet werden.
  • Nachdem bevorzugte Ausführungsformen für kontraststarke Lithographiejustiermarken für die Halbleiterherstellung beschrieben worden sind (die veranschaulichend und nicht einschränkend sein sollen), wird angemerkt, daß angesichts der obigen Lehren vom Fachmann Modifikationen und Abweichungen vorgenommen werden können. Es ist deshalb zu verstehen, daß Änderungen an den bestimmten offenbarten Ausführungsformen der Erfindung vorgenommen werden können, die innerhalb des Schutzbereichs und Gedankens der Erfindung liegen, wie durch die beigefügten Ansprüche umrissen. Nachdem die Erfindung mit den Einzelheiten und mit der Ausführlichkeit beschrieben worden ist, die von den Patentgesetzen gefordert wird, wird das, was beansprucht und durch Patenturkunde geschützt werden soll, in den beigefügten Ansprüchen dargelegt.

Claims (18)

1. Verfahren zur Bereitstellung von Kontrast für Justiermarken nach einer unstrukturierten Metallabscheidung, mit den folgenden Schritten:
Bereitstellen mindestens eines Grabens in einem ersten Gebiet und mindestens eines Grabens in einem Justiermarkengebiet eines Halbleiterwafers;
Abscheiden eines ersten Metalls auf dem Wafer; Verhindern, daß das erste Metall den mindestens einen Graben in dem Justiermarkengebiet füllt,
damit der mindestens eine Graben im Justiermarkengebiet in einem nicht gefüllten Zustand gehalten wird;
Planarisieren des Wafers, um das erste Metall von einer oberen Oberfläche zu entfernen; und
unstrukturiertes Abscheiden einer zweiten Metallschicht auf dem ersten Gebiet und dem Justiermarkengebiet, so daß der mindestens eine Graben im Justiermarkengebiet sich zur Verwendung als Streuungsjustiermarke eignet.
2. Verfahren nach Anspruch 1, wobei der Schritt des Verhinderns der ersten Metallabscheidung die folgenden Schritte beinhaltet:
Ausbilden einer Keimschicht über dem Wafer;
Strukturieren einer Resistschicht über der Keimschicht, so daß die Keimschicht in dem mindestens einen Graben in dem Justiermarkengebiet freigelegt ist; und
Ätzen der Keimschicht von dem mindestens einen Graben in dem Justiermarkengebiet, so daß die erste Metallschicht den mindestens einen Graben im Justiermarkengebiet nach dem Abscheiden der ersten Metallschicht ungefüllt läßt.
3. Verfahren nach Anspruch 1, weiterhin mit dem Schritt des Abtastens des Wafers mit Laserlicht, um die Position des mindestens einen Grabens im Justiermarkengebiet zu bestimmen.
4. Verfahren nach Anspruch 3, wobei der Schritt des Abtastens des Wafers mit Laserlicht das Durchführen einer Laserlichtstreuungsjustierung beinhaltet.
5. Verfahren nach Anspruch 1, wobei der Schritt des unstrukturierten Abscheidens der zweiten Metallschicht das unstrukturierte Abscheiden der zweiten Metallschicht mit einer Dicke beinhaltet, die unter einer Menge liegt, die benötigt wird, um den mindestens einen Graben in dem Justiermarkengebiet vollständig zu füllen.
6. Verfahren nach Anspruch 1, wobei der Schritt des Verhinderns der ersten Metallabscheidung die folgenden Schritte beinhaltet:
Ausbilden einer Blockierschicht im ersten Gebiet und im Justiermarkengebiet, um den mindestens einen Graben zu füllen; und
Strukturieren der Blockierschicht, um die Blockierschicht aus Teilen des Wafers zu entfernen, bei denen es sich nicht um den mindestens einen Graben im Justiermarkengebiet handelt.
7. Verfahren zum Bereitstellen von Kontrast für Justiermarken nach einer unstrukturierten Metallabscheidung, mit den folgenden Schritten:
Ätzen mindestens eines Grabens in einem ersten Gebiet und mindestens eines Grabens in einem Justiermarkengebiet eines Halbleiterwafers;
Ausbilden einer Keimschicht im ersten Gebiet und dem Justiermarkengebiet;
Entfernen der Keimschicht aus dem mindestens einen Graben im Justiermarkengebiet;
Abscheiden einer Metallschicht auf dem Halbleiterwafer, um den mindestens einen Graben in den ersten Gebieten zu füllen, ohne den mindestens einen Graben in dem Justiermarkengebiet zu füllen;
Planarisieren der Metallschicht und der Keimschicht; und
unstrukturiertes Abscheiden einer zweiten Metallschicht auf dem ersten Gebiet und dem Justiermarkengebiet, so daß sich der mindestens eine Graben im Justiermarkengebiet zur Verwendung als Streuungsjustiermarke eignet.
8. Verfahren nach Anspruch 7, wobei der Schritt des Entfernens der Keimschicht die folgenden Schritte beinhaltet:
Strukturieren einer Resistschicht, so daß der mindestens eine Graben im Justiermarkengebiet freiliegt; und
Ätzen der Keimschicht von dem mindestens einen Graben im Justiermarkengebiet.
9. Verfahren nach Anspruch 7, weiterhin mit dem Schritt des Abtastens des Wafers mit Laserlicht, um die Position des mindestens einen Grabens im Justiermarkengebiet zu bestimmen.
10. Verfahren nach Anspruch 9, wobei der Schritt des Abtastens des Wafers mit Laserlicht das Durchführen einer Laserlichtstreuungsjustierung beinhaltet.
11. Verfahren nach Anspruch 7, wobei der Schritt des unstrukturierten Abscheidens der zweiten Metallschicht das unstrukturierte Abscheiden der zweiten Metallschicht mit einer Dicke beinhaltet, die unter einer Menge liegt, die benötigt wird, um den mindestens einen Graben in dem Justiermarkengebiet vollständig zu füllen.
12. Verfahren zum Bereitstellen von Kontrast für Justiermarken nach einer unstrukturierten Metallabscheidung, mit den folgenden Schritten:
Ätzen mindestens eines Grabens in einem ersten Gebiet und mindestens eines Grabens in einem Justiermarkengebiet eines Halbleiterwafers;
Ausbilden einer Blockierschicht im ersten Gebiet und im Justiermarkengebiet, um den mindestens einen Graben zu füllen;
Strukturieren der Blockierschicht, um die Blockierschicht aus Teilen des Wafers zu entfernen, bei denen es sich nicht um den mindestens einen Graben in dem Justiermarkengebiet handelt;
Abscheiden einer Metallschicht auf dem Halbleiterwafer, um den mindestens einen Graben in den ersten Gebieten zu füllen, wobei die Metallschicht durch die Blockierschicht von dem mindestens einen Graben im Justiermarkengebiet ausgeschlossen wird;
Planarisieren der Metallschicht;
Entfernen der Blockierschicht aus dem mindestens einen Graben im Justiermarkengebiet; und
unstrukturiertes Abscheiden einer zweiten Metallschicht auf dem ersten Gebiet und dem Justiermarkengebiet, so daß sich der mindestens eine Graben im Justiermarkengebiet zur Verwendung als Streuungsjustiermarke eignet.
13. Verfahren nach Anspruch 12, wobei der Schritt des Abscheidens der Metallschicht die folgenden Schritte beinhaltet:
Ausbilden einer Keimschicht im ersten Gebiet und der Blockierschicht in dem mindestens einen Graben im Justiermarkengebiet.
14. Verfahren nach Anspruch 12, weiterhin mit dem Schritt des Abtastens des Wafers mit Laserlicht, um die Position des mindestens einen Grabens im Justiermarkengebiet zu bestimmen.
15. Verfahren nach Anspruch 14, wobei der Schritt des Abtastens des Wafers mit Laserlicht das Durchführen einer Laserlichtstreuungsjustierung beinhaltet.
16. Verfahren nach Anspruch 12, wobei die Blockierschicht Siliziumnitrid enthält.
17. Verfahren nach Anspruch 12, wobei der Schritt des Strukturierens der Blockierschicht die folgenden Schritte beinhaltet:
Ausbilden einer Blockiermaske durch Abscheiden eines Fotoresist auf der Blockierschicht;
Strukturieren des Fotoresist, damit er über dem mindestens einen Graben im Justiermarkengebiet zurückbleibt; und
Entfernen der Blockierschicht von Teilen des Wafers, bei denen es sich nicht um den mindestens einen Graben im Justiermarkengebiet handelt.
18. Verfahren nach Anspruch 17, wobei der Fotoresist einen Mittelultraviolett-(MDV)-Fotoresist enthält.
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