DE102014019374B4 - Zuletzt geschnittene selbstadjustierende Litho-Ätz Strukturierung - Google Patents

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Abstract

Ein Verfahren zur Durchführung eines selbstausrichtenden Litho-Ätz (SALE)-Prozesses, umfassend:
Bilden (104) eines Beabstandungsmaterials (702) über einem Substrat umfassend eine Mehrfachschicht-Hartmaske (403) aufweisend eine erste Schicht und eine unterliegende zweite Schicht, um eine erste Schneidschicht (704) umfassend das Beabstandungsmaterial (702) an einer ersten Schneidposition bereitzustellen;
Bilden (110) eines reversen Materials (902) über dem Beabstandungsmaterial (702), um eine zweite Schneidschicht (1002) umfassend das reverse Material (902) an einer zweiten Schneidposition über dem Substrat bereitzustellen;
Bilden (112) einer zweiten Vielzahl von Öffnungen (1104, 1404), geschnitten gemäß der zweiten Schneidschicht (1002), um die zweite Schicht an einer zweiten Vielzahl von Positionen zu exponieren, die zu einer zweiten Vielzahl von Formen einer SALE Designschicht korrespondieren;
Bilden (114) einer ersten Vielzahl von Öffnungen (1304), geschnitten gemäß der ersten Schneidschicht (704), um die zweite Schicht an einer ersten Vielzahl von Positionen zu exponieren, die mit einer ersten Vielzahl von Formen der SALE Designschicht korrespondieren; und
Ätzen (116) der zweiten Schicht gemäß der ersten Vielzahl von Öffnungen (1304) und der zweiten Vielzahl von Öffnungen (1104, 1404).

Description

  • HINTERGRUND
  • Die Halbleiterindustrie hat kontinuierlich die Geschwindigkeit und die Leistung von integrierten Schaltungen (ICs) durch Reduktion der Größe von Komponenten (z.B., Transistorgeräte) innerhalb der ICs verbessert. Zum großen Teil ist die Fähigkeit zur Skalierung der Größe der Komponenten innerhalb eines integrierten Chips beeinflusst durch lithografische Auflösung. Jedoch waren bei jüngsten Technologieknoten Gerätehersteller nicht in der Lage die Wellenlänge von fotolithografischen Expositionsgeräten zu verringern (z.B., um erfolgreich EUV-Lithografie zu implementieren), sodass entwickelnde Technologieknoten oft minimale Merkmalgrößen aufweisen, die kleiner sind als die Wellenlänge der Belichtung wie sie in fotolithografischen Geräten verwendet wird.
  • Doppelstrukturierungslithografie (DPL) ist eine der vielversprechendsten lithografischen Technologien für das Drucken kritischer Designschichten (z.B., Polysilikon, Dünnmetallrouting, usw.) in Sub-22nm Technologieknoten geworden. Jedoch leiden einige Doppelstrukturierungstechnologien (z.B., Litho-Ätz) an Missadjustierung und Überlappproblemen, welche die Leistung des integrierten Chips vermindern. In den letzten Jahren ist die selbstadjustierende Doppelstrukturierung (SADP) als eine Doppelstrukturierungstechnologie aufgekommen, die fähig ist solche Missadjustierungen und Überlappungsprobleme zu vermeiden.
  • J. Finders, M. Dusa, B. Vleeming, H. Megens, B. Hepp, et al.: Double patterning for 32nm and below: an update. In: Proceedings of SPIE, 6924, 2008, 1-12 beschreiben ein Verfahren der Doppelstrukturierungslithographie für 32nm und kleiner gemäß dem Stand der Technik.
  • Figurenliste
    • 1 illustriert einige Ausführungsformen eines Flussdiagramms eines Verfahrens der Durchführung eines selbstadjustierenden Litho-Ätz (SALE) Prozesses.
    • 2 illustriert einige Ausführungsformen eines integrierten Chips gebildet gemäß des Verfahrens der Durchführung eines selbstadjustierenden Litho-Ätz Prozesses.
    • 3 illustriert einige Ausführungsformen eines Flussdiagramms eines Verfahrens der Durchführung eines selbstadjustierenden Litho-Ätz Prozesses.
    • 4-14 illustrieren einige Ausführungsformen von beispielhaften Substraten, die ein Verfahren der Durchführung eines selbstadjustierenden Litho-Ätz Prozesses zeigen.
    • 15 illustriert ein Blockdiagramm einiger Ausführungsformen eines Maskenherstellungswerkzeugs, das konfiguriert ist um einen Litho-Ätz Prozess selbstadjustierend durchzuführen.
  • DETAILLIERTE BESCHREIBUNG
  • Die Beschreibung hierin wird mit Bezug zu den Zeichnungen bereitgestellt, worin gleiche Bezugszeichennummern allgemein verwendet werden, um gleichartige Elemente durchgängig zu bezeichnen, und worin die verschiedenen Strukturen nicht notwendigerweise maßstabsgetreu gezeichnet sind. In der folgenden Beschreibung werden zum Zweck der Erklärung viele spezifische Details festgesetzt, um das Verständnis zu erleichtern. Es kann jedoch für den Fachmann erkennbar sein, das ein oder mehrere Aspekte, die hier beschrieben werden, mit einem geringeren Grad an diesen speziellen Details durchgeführt werden können. In anderen Fällen werden bekannte Strukturen und Geräte in Form von Blockdiagrammen gezeigt, um das Verständnis zu erleichtern.
  • Selbstadjustierende Doppelstrukturierungs(SADP)-Technologien haben sich als nützlich in der Bildung repetitiver Strukturen wie z.B. Speicherarrays (z.B., SRAM Speicherarrays) erwiesen. Zum Beispiel erlaubt die repetitive Struktur von SRAM Speicherarray-Bit-Leitungen und/oder -Kontrol-Leitungen die Bildung einer Beabstandungsschicht an Seitenwänden von Minimum-Pitch Öffnungen in einer strukturierten Fotoresistschicht, die über einem Substrat während eines ersten fotolithografischen Prozesses gebildet wird. Nach der Bildung der Beabstandungsschicht auf den Seitenwänden kann die strukturierte Fotoresistschicht entfernt werden unter Verwendung eines zweiten fotolithografischen Prozesses, der Beabstandungen zurücklässt, die beabstandet sind durch einen Abstand kleiner als der, der durch den ersten fotolithografischen Prozess erreichbar ist (z.B., da innerhalb einer Leitung zwei Beabstandungen sind). Das Substrat kann selektiv strukturiert werden gemäß der Beabstandungsschicht, um einen dichten Array von Leitungen zu bilden.
  • Eine Schneidmaske kann verwendet werden, um Leitungsende zu Leitungsende Abstände in dem dichten Array von Leitungen zu bilden. Jedoch sehen derzeitige SADP Prozesse Ende-zu-Ende Abstände zwischen Formen vor, die unter Verwendung des zweiten fotolithografischen Prozesses gebildet werden, die größer sind als die Ende-zu-Ende Abstände zwischen Formen, die unter Verwendung des ersten fotolithografischen Prozesses gebildet werden. Dies begründet sich darin, dass Schnitte von Formen gebildet durch den ersten fotolithografischen Prozess durchgeführt werden bevor die Formen lithografisch gebildet werden, wodurch ein Abstand vorgesehen wird, der durch ein Beabstandungsmaterial definiert werden kann. Im Gegensatz dazu sind Schnitte, die durch den zweiten fotolithografischen Prozess gebildet werden, bestimmt durch den fotolithografischen Prozess und daher begrenzt durch das Fotoresist-Worse-Top-Loss Profil. Um die Größe eines IC-Layouts, wie zum Beispiel eine SRAM-Zelle, weiter zu verringern, sollte der Ende-zu-Ende-Abstand, der durch den zweiten fotolithografischen Prozess erhalten wird, reduziert werden.
  • Dementsprechend sehen einige Aspekte der vorliegenden Offenbarung ein Verfahren zur Durchführung eines selbstadjustierenden Litho-Ätz Prozesses vor, welches vergleichbare Ende-zu-Ende-Abstände zwischen Formen bereitstellt, die durch verschiedene fotolithografische Prozesse gebildet werden. In einigen Ausführungsformen wird das Verfahren durch Bereitstellung eines Substrats durchgeführt, aufweisend eine Mehrfachschicht-Hartmaske mit einer ersten Schicht und einer unterliegenden zweiten Schicht. Ein Beabstandungsmaterial wird über das Substrat gebildet, um eine erste Schneidschicht bereitzustellen, umfassend das Beabstandungsmaterial an einer ersten Schneidposition und ein reverses Material, welches über dem Beabstandungsmaterial gebildet wird, um eine zweite Schneidschicht bereitzustellen, umfassend das reverse Material an einer zweiten Schneidposition über dem Substrat. Eine zweite Vielzahl von Öffnungen, geschnitten gemäß der zweiten Schneidschicht, wird gebildet, um die zweite Schicht an einer zweiten Vielzahl von Positionen zu exponieren, entsprechend einer zweiten Vielzahl von Formen einer SALE Designschicht. Eine erste Vielzahl von Öffnungen, geschnitten gemäß der ersten Schneidschicht, wird gebildet, um die zweite Schicht an einer ersten Vielzahl von Positionen zu exponieren, entsprechend einer ersten Vielzahl von Formen der SALE Designschicht. Die zweite Schicht wird dann gemäß der ersten und zweiten Vielzahl von Öffnungen geätzt. Durch die Bildung der ersten und zweiten Schneidschicht vor der Durchführung der fotolithografischen Prozesse, die die erste und zweite Vielzahl von Öffnungen bilden, können die Ende-zu-Ende-Abstände der ersten und zweiten Vielzahl von Formen verringert werden, da die Ende-zu-Ende-Abstände nicht durch fotolithografische Auflösung begrenzt sind.
  • 1 illustriert einige Ausführungsformen eines Flussdiagramms des Verfahrens 100 der Durchführung eines selbstadjustierenden Litho-Ätz (SALE) Prozesses. Das Verfahren 100 umfasst ein schneid-zuletzt-Verfahren, da es einen Leitungsendeabstand erhöht, der durch eine zweite Schneidschicht definiert wird, die gebildet wird nach Bildung von Öffnungen in einer Mehrfachschicht-Hartmaske gemäß einer zweiten Vielzahl von Formen einer SALE Designschicht.
  • Bei 102 wird ein Substrat bereitgestellt. In einigen Ausführungsformen kann das Substrat eine oder mehrere dielektrische Schichten umfassen, die über einen Halbleiterkörper angeordnet sind. In einigen Ausführungsformen umfasst das Substrat weiter eine Mehrfachschicht-Hartmaske, angeordnet über der einen oder mehreren dielektrischen Schichten. Die Mehrfachschicht-Hartmaske kann eine erste Schicht und eine unterliegende zweite Schicht umfassen.
  • Bei 104 wird ein Beabstandungsmaterial über dem Substrat gebildet, um eine erste Schneidschicht für eine erste Vielzahl von Formen einer selbstadjustierenden Litho-Ätz (SALE) Designschicht, die unter Verwendung eines ersten fotolithografischen Prozesses gebildet wird, bereitzustellen. Die erste Schneidschicht ist so konfiguriert, um Abstände oder ,Schnitte‛ in der ersten Vielzahl von Formen entlang eines Leitungsendes bereitzustellen, um einen Ende-zu-Ende-Abstand zwischen den Leitungen der ersten Vielzahl von Formen zu bilden. In einigen Ausführungsformen wird die erste Schneidschicht durch Bildung einer ersten Schneidschicht-Öffnung innerhalb einer ersten Schicht (z. B. eine obere Schicht) der Mehrfachschicht-Hartmaske bei 106 gebildet. Ein Beabstandungsmaterial wird dann innerhalb der ersten Schneidschicht-Öffnung gebildet, um die erste Schneidschicht bei 108 zu bilden.
  • Bei 110 wird ein reverses Material selektiv über dem Beabstandungsmaterial gebildet, um eine zweite Schneidschicht für eine zweite Vielzahl von Formen einer SALE Designschicht, die unter Verwendung eines zweiten fotolithografischen Prozesses gebildet wird, bereitzustellen. Die zweite Schneidschicht ist so konfiguriert, um die zweite Vielzahl von Formen entlang eines Leitungsendes zu ,schneiden‛, um einen Ende-zu-Ende-Abstand zwischen Leitungen, definiert durch die zweite Vielzahl von Formen, zu bilden. In einigen Ausführungsformen kann die zweite Vielzahl von Formen an Stellen gebildet werden, die zwischen der ersten Vielzahl von Formen angeordnet sind.
  • Bei 112 wird eine zweite Vielzahl von Öffnungen gebildet, welche geschnitten werden gemäß der zweiten Schneidschicht, um die zweite Schicht der Mehrfachschicht-Hartmaske zu exponieren. Die zweite Vielzahl von Öffnungen entspricht der zweiten Vielzahl von Formen der SALE Designschicht. In einigen Ausführungsformen kann die zweite Vielzahl von Öffnungen durch selektives Öffnen des Beabstandungsmaterials gebildet werden, um die zweite Schicht der Multischicht Hartmaske zu exponieren.
  • Bei 114 wird eine erste Vielzahl von Öffnungen gebildet, welche geschnitten werden gemäß der ersten Schneidschicht, um die zweite Schicht der Mehrfachschicht-Hartmaske zu exponieren. Die erste Vielzahl von Öffnungen entspricht der ersten Vielzahl von Formen der SALE Designschicht. In einigen Ausführungsformen kann die erste Vielzahl von Öffnungen durch selektives Ätzen der zweiten Schicht der Mehrfachschicht-Hartmaske an einer Stelle, die sich mit der ersten Schneidschicht überschneidet, gebildet werden.
  • Bei 116 wird die zweite Schicht der Mehrfachschicht-Hartmaske gemäß der ersten und zweiten Vielzahl von Öffnungen geätzt. In einigen Ausführungsformen können eine oder mehrere der dielektrischen Schichten des Substrats anschließend gemäß der zweiten Schicht der Mehrfachschicht-Hartmaske geätzt werden.
  • Aufgrund der Bildung der ersten und zweiten Schneidschicht vor der Durchführung fotolithografischer Prozesse, welche die erste und zweite Vielzahl von Öffnungen bilden, stellt das Verfahren 100 Ende-zu-Ende Abstände der ersten und zweiten Vielzahl von Formen bereit, die nicht durch fotolithografische Auflösung begrenzt werden.
  • 2 illustriert einige Ausführungsformen eines integrierten Chips 200, der gemäß dem offenbarten Verfahren der Durchführung eines selbstadjustierenden Litho-Ätz-Prozesses gebildet wurde.
  • Der integrierte Chip 200 umfasst eine erste Vielzahl von Formen 204 und eine zweite Vielzahl von Formen 206, die auf einem integrierten Chip-Die 202 angeordnet sind. Die erste Vielzahl von Formen 204 und die zweite Vielzahl von Formen 206 sind innerhalb einer SALE Designschicht umfasst (d. h. eine Designschicht, gebildet durch Verwendung eines SALE lithografischen Prozesses). In einigen Ausführungsformen kann die erste Vielzahl von Formen 204 durch Verwendung eines ersten fotolithografischen Prozesses eines SALE Prozesses gebildet werden, während die zweite Vielzahl von Formen 206 durch Verwendung eines zweiten fotolithografischen Prozesses des SALE-Prozesses gebildet werden kann. In einigen Ausführungsformen kann die SALE-Designschicht zum Beispiel eine Gateschicht oder eine Back-end-of-the-line dünne Metallschicht umfassen.
  • Formen von der ersten Vielzahl von Formen 204 und der zweiten Vielzahl von Formen 206 können in einer ersten Richtung 208 durch einen Abstand S getrennt werden, der weniger ist als ein minimaler Abstand, erzielbar bei Verwendung einer einzelnen Fotomaske (d.h., ein G0-Abstand). Zum Beispiel ist im integrierten Chip 200 eine Form 204a der ersten Vielzahl von Formen entlang einer ersten Leitung 205 positioniert, die sich in eine zweite Richtung 210 erstreckt, und benachbarte Formen, 206a und 206b, der zweiten Vielzahl von Formen 206 sind entlang einer zweiten Leitung 207 positioniert, die sich in die zweite Richtung 210 erstreckt. Formen 206a und 206b sind von der Form 204a in der ersten Richtung 208 durch einen Abstand S weniger als ein G0-Abstand getrennt.
  • Zwei oder mehr der ersten Vielzahl von Formen 204, die in der zweiten Richtung 210 ausgerichtet sind, werden in einer Struktur aufweisend einen ersten Ende-zu-Ende-Abstand von S1 angeordnet. Zwei oder mehr der zweiten Vielzahl von Formen 206, die in der zweiten Richtung 210 ausgerichtet sind, werden in einer Struktur, aufweisend einen zweiten Ende-zu-Ende-Abstand von S2 angeordnet. Das Verhältnis der ersten und zweiten Ende-zu-Ende-Abstände S1 zu S2 ist näherungsweise gleich zu 1:1.
  • In einigen Ausführungsformen kann der integrierte Chip 200 einen SRAM(statischer Random-Access-Memory)-Array umfassen, worin die erste Vielzahl von Formen 204 und die zweite Vielzahl von Formen 206 eine Vielzahl von Bit-Leitungen umfasst. In anderen Ausführungsformen kann der integrierte Chip 200 einen SRAM(statischer Random-Access-Memory)-Array umfassen, worin die erste Vielzahl von Formen 204 und die zweite Vielzahl von Formen 206 eine Vielzahl von Kontrollleitungen umfassen. In wieder anderen Ausführungsformen kann der integrierte Chip 200 eine Back-Ende-der-Leitung Routing-Sektion oder eine Transistor-Gate-Sektion umfassen.
  • 3 illustriert einige Ausführungsformen eines Flussdiagramms des Verfahrens 300 der Durchführung eines selbstadjustierenden Litho-Ätz Prozesses.
  • Obwohl die offenbarten Verfahren (z. B. Verfahren 100 und/oder 300) unten als eine Reihenfolge von Handlungen oder Vorgängen illustriert und beschrieben werden, wird anerkannt werden, dass die illustrierte Ordnung solcher Handlungen oder Vorgänge nicht in einem begrenzenden Sinn interpretiert werden soll. Zum Beispiel können einige Handlungen in anderen Reihenfolgen und/oder gleichzeitig mit anderen Handlungen oder Vorgängen erfolgen, getrennt von denen, die hier illustriert und/oder beschrieben werden. Zusätzlich müssen nicht alle illustrierten Handlungen erforderlich sein, um einen oder mehrere Aspekte oder Ausführungsformen der vorliegenden Beschreibung zu implementieren. Weiterhin können ein oder mehrere der hier dargestellten Handlungen in einen oder mehreren separaten Handlungen und/oder Phasen ausgeführt werden.
  • Bei 302 wird ein Substrat, umfassend eine Mehrfachschicht-Hartmaske, überlagernd einen Halbleiterkörper, bereitgestellt. In einigen Ausführungsformen umfasst die Mehrfachschicht-Hartmaske eine Trischicht-Hartmaske, aufweisend eine obere Schicht, eine zentrale Schicht und eine untere Schicht.
  • Bei 304 wird eine erste Schneidschichtöffnung selektiv innerhalb der Mehrfachschicht-Hartmaske gebildet, um eine erste Schneidposition für eine erste Vielzahl von Formen einer SALE-Designschicht zu definieren gebildet unter Verwendung eines ersten fotolithografischen Prozesses eines SALE Prozesses. Die erste Schneidschichtöffnung definiert eine Position einer ersten Schneidschicht, die so konfiguriert ist, um ein oder mehrere der ersten Vielzahl von Formen entlang eines Leitungsendes zu schneiden, um einen Ende-zu-Ende-Abstand zwischen Leitungen zu formen, die durch die erste Vielzahl von Formen definiert wird. In einigen Ausführungsformen kann die erste Schneidschicht eine Öffnung in der oberen Schicht der Mehrfachschicht-Hartmaske umfassen. In einigen Ausführungsformen kann die SALE Designschicht einen SRAM(statischer Random-Access-Memory)-Array umfassen.
  • Bei 306 wird eine erste Strukturtransferschicht über der ersten Schneidschichtöffnung gebildet.
  • Bei 308 wird die obere Schicht der Mehrfachschicht-Hartmaske selektiv gemäß einer ersten Maskierungsschicht, angeordnet über der ersten Strukturtransferschicht, geätzt. In einigen Ausführungsformen kann die erste Maskierungsschicht eine erste strukturierte Photoresistschicht umfassen. In einigen Ausführungsformen wird die obere Schicht der Mehrfachschicht-Hartmaske selektiv gemäß der ersten Maskierungsschicht und die ersten Schneidschicht via der ersten Strukturtransferschicht geätzt.
  • Bei 310 werden die erste Strukturtransferschicht und die erste Maskierungsschicht entfernt.
  • Bei 312 wird ein Beabstandungsmaterial über dem Substrat gebildet, so dass das Beabstandungsmaterial die erste Schneidschichtöffnung in der Mehrfachschicht-Hartmaske füllt, um eine erste Schneidschicht zu bilden.
  • Bei 314 wird eine zweite Strukturtransferschicht über dem Beabstandungsmaterial gebildet.
  • Bei 316 wird die zweite Strukturtransferschicht selektiv gemäß einer zweiten Maskierungsschicht, die die zweite Strukturtransferschicht überlappt, geätzt, um eine Öffnung in der zweiten Strukturtransferschicht zu bilden. In einigen Ausführungsformen kann die zweite Maskierungsschicht eine zweite strukturierte Photoresistschicht umfassen.
  • Bei 318 wird ein reverses Material selektiv innerhalb der Öffnung in der zweiten Strukturtransferschicht gebildet, um eine Position einer zweiten Schneidposition für eine zweite Vielzahl von Formen einer SALE Designschicht zu definieren, die durch einen zweiten fotolithografischen Prozess gebildet wird.
  • Bei 320 wird ein Ätzprozess durchgeführt um die zweite Strukturtransferschicht zu entfernen und die reverses Materialschicht zurückzuätzen. Zurückätzen des reversen Materials bildet eine zweite Schneidschicht, welche eine zweite Schneidposition für die zweite Vielzahl von Formen der SALE Designschicht definiert. Die zweite Schneidschicht ist derart konfiguriert, um eine oder mehrere der zweiten Vielzahl von Formen entlang eines Leitungsendes zu schneiden, um einen Ende-zu-Ende-Abstand zwischen Leitungen zu bilden, die durch die zweite Vielzahl von Formen definiert sind.
  • Bei 322 wird das Beabstandungsmaterial, das nicht durch das reverse Material überlagert ist, geätzt, um eine zweite Vielzahl von Öffnungen zu bilden, geschnitten durch die zweite Schneidschicht, welche die zentrale Schicht der Mehrfachschicht-Hartmaske exponieren. Die zweite Vielzahl von Öffnungen korrespondieren zu der zweiten Vielzahl von Formen der SALE Designschicht. Ätzen des Beabstandungsmaterials, welches nicht durch das reverse Material überlagert ist bedingt, dass das Beabstandungsmaterial auf horizontalen Oberflächen entfernt wird, was zu Beabstandungsmaterial führt, das auf den Seitenwänden der geätzten Mehrfachschicht-Hartmaske abgelagert wird. Das Beabstandungsmaterial, das durch das reverse Material abgedeckt ist, wird nicht geätzt, was die zweite Schneidschicht zurücklässt.
  • Bei 324 wird eine dritte Strukturtransferschicht über dem Beabstandungsmaterial gebildet.
  • Bei 326 wird die obere Schicht der Mehrfachschicht-Hartmaske selektiv geätzt gemäß einer dritten Maskierungsschicht und dem Beabstandungsmaterial umfassend die erste Schneidschicht, um eine erste Vielzahl von Öffnungen, geschnitten durch die erste Schneidschicht, zu bilden, welche die zentrale Schicht der Mehrfachschicht-Hartmaske exponieren. Die erste Vielzahl von Öffnungen korrespondieren zu der ersten Vielzahl von Formen der SALE Designschicht. In einigen Ausführungsformen kann die dritte Maskierungsschicht eine dritte strukturierte Fotoresistschicht umfassen. In einigen Ausführungsformen wird eine obere Schicht der Mehrfachschicht Hartmaske selektiv gemäß der dritten Maskierungsschicht und der ersten Schneidschicht via der dritten strukturierten Transferschicht, geätzt.
  • Bei 328 wird die zentrale Schicht der Mehrfachschicht-Hartmaske selektiv gemäß der ersten und zweiten Vielzahl von Öffnungen geätzt. Ätzen der zentralen Schicht gemäß der ersten Vielzahl von Öffnungen definiert die erste Vielzahl von Formen geschnitten gemäß der ersten Schneidschicht, während ätzen der zentralen Schicht gemäß der zweiten Vielzahl von Öffnungen die zweite Vielzahl von Formen geschnitten gemäß der zweiten Schneidschicht definiert.
  • In einigen Ausführungsformen kann die untere Schicht der Mehrfachschicht-Hartmaske selektiv gemäß der zentralen Schicht der Mehrfachschicht-Hartmaske geätzt werden, und das unterliegende Substrat (z.B. eine oder mehrere dielektrische Schichten) kann anschließend gemäß der unteren Schicht geätzt werden (z.B. um Öffnung für eine Dünnmetallschicht zu bilden).
  • 4-14 zeigen einige Ausführungsformen von Substraten, welche das Verfahren 300 der Durchführung eines selbstadjustierenden Litho-Ätz-Prozesses illustrieren. Es sollte anerkannt werden, dass obwohl 4-14 mit Hinblick auf das Verfahren 300 beschrieben werden die Erläuterungen nicht für das Verfahren 300 limitierend sind.
  • 4 illustriert einige Ausführungsformen einer Querschnittansicht 400 eines Substrats entsprechend Vorgängen 302-306.
  • Wie in der Querschnittssicht 400 gezeigt, ist eine Trischicht Hartmaske 403 über einem Halbleiterkörper 402 angeordnet. Die Trischicht Hartmaske 403 umfasst eine untere Schicht 404, eine zentrale Schicht 406, und eine obere Schicht 408. In einigen Ausführungsformen kann die untere Schicht 404 eine Titaniumnitrid (TiN) Schicht umfassen, die über dem Halbleiterkörper 402 angeordnet ist. In einigen Ausführungsformen umfasst die zentrale Schicht 406 eine TEOS Schicht, die über der TiN Schicht angeordnet ist. In einigen Ausführungsformen umfasst die obere Schicht 408 eine Silikonschicht, die über der TEOS Schicht angeordnet ist.
  • Eine erste Schneidschichtöffnung 410 wird selektiv innerhalb der Mehrfachschicht-Hartmaske 403 gebildet, um eine erste Schneidposition für eine erste Vielzahl von Formen einer SALE Designschicht zu definieren, die gebildet wird unter Verwendung eines ersten Fotolithografischen Prozesses eines SALE lithografischen Prozesses. In einigen Ausführungsformen wird die erste Schneidschichtöffnung 410 durch selektives Ätzen der oberen Schicht 408 der Trischicht-Hartmaske 403 gebildet um eine Öffnung zu bilden, welche die unterliegende zentralen Schicht 406 exponiert.
  • Eine erste Strukturtransferschicht 411 wird über der ersten Schneidschichtöffnung 410 gebildet. In einigen Ausführungsformen kann die erste Strukturtransferschicht 411 eine Bodenschicht 412 gebildet über der ersten Schneidschichtöffnung 410 und eine Mittelschicht 414 gebildet über der Bodenschicht 412 umfassen. In einigen Ausführungsformen kann die Bodenschicht 412 eine Karbonschicht oder eine Hydrogenschicht umfassen, die abgeschieden werden durch eine Dampfabscheidungstechnik oder eine Spin-on-Technik. In einigen Ausführungsformen kann die mittlere Schicht 414 eine Silikonoxidschicht umfassen.
  • 5 illustriert einige Ausführungsformen einer Querschnittssicht 500 eines Substrats entsprechend Vorgang 308.
  • Wie in der Querschnittssicht 500 gezeigt, wird eine erste strukturierte Fotoresistschicht 502 an einer Position über der ersten Strukturtransferschicht 411 gebildet. In einigen Ausführungsformen kann die erste strukturierte Fotoresistschicht 502 im Wege eines Spin-Beschichtungs-Prozesses abgeschieden werden und nachfolgend im Wege eines fotolithografischen Prozesses strukturiert werden. Der fotolithografische Prozess setzt selektiv die erste strukturierte Fotoresistschicht 502 einer Strahlung aus aufweisend eine Struktur, die zu einer Fotomaske korrespondiert. Selektive Bereiche der ersten strukturierten Fotoresistschicht 502 werden anschließend durch einen Entwickler entfernt, um die Öffnungen 504 zu bilden.
  • 6 illustriert einige Ausführungsformen einer Querschnittssicht 600 (entlang der Querschnittslinie A-A') und eine entsprechende Draufsicht 606 eines Substrats, das den Vorgängen 308-310 entspricht.
  • Wie in der Querschnittssicht 600 gezeigt entfernt das Ätzen der oberen Schicht 602 der Trischicht Hartmaske 403 gemäß der ersten strukturierten Fotoresistschicht 502 Teile der oberen Schicht 602 der Trischicht Hartmaske 403 um Öffnungen 604 zu bilden, die die unterliegende zentrale Schicht 406 exponieren. Da die erste Schneidschichtöffnung 410 eine Öffnung in der oberen Schicht 602 umfasst, ist die zentrale Schicht 406 der Trischicht Hartmaske 403 im Bereich der ersten Schneidschichtöffnung 410 exponiert.
  • Wie in der Draufsicht 606 gezeigt überschneiden sich die Öffnungen 604 gebildet durch ätzen der oberen Schicht 602 der Trischicht Hartmaske 403 gemäß der ersten strukturierten Fotoresistschicht 502 mit ersten Schneidschichtöffnung 410, um eine „H“ geformte Öffnung in der oberen Schicht 602 der Trischicht Hartmaske 403 zu bilden.
  • 7 illustriert einige Ausführungsformen einer Querschnittansicht 700 und eine entsprechende Draufsicht 706 eines Substrats entsprechend dem Vorgang 312.
  • Wie in der Querschnittssicht 700 und Draufsicht 706 gezeigt wird ein Beabstandungsmaterial 702 über dem Substrat als eine Überdeckungsablagerung gebildet, sodass das Beabstandungsmaterial 702 auf den Seitenwänden und den Bodenoberflächen der geätzten oberen Schicht 602 der Trischicht Hartmaske 403 abgelagert wird. Das Beabstandungsmaterial 702 füllt die erste Schneidschichtöffnung 410 in der Mehrfachschicht Hartmaske 403 um eine erste Schneidschicht 704 zu bilden. In einigen Ausführungsformen kann das Beabstandungsmaterial 702 Silikonoxid, Silikonnitrid, Titaniumoxid, oder Aluminiumoxid umfassen. In einigen Ausführungsformen kann das Beabstandungsmaterial 702 im Wege einer Dampfabscheidungstechnik abgelagert werden (z.B. chemische Dampfabscheidung, physikalische Dampfabscheidung, usw.).
  • 8 illustriert einige Ausführungsformen einer Querschnittansicht 800 eines Substrats entsprechend den Vorgängen 314-316.
  • Wie in der Querschnittansicht 800 gezeigt, wird eine zweite Strukturtransferschicht 801 über dem Beabstandungsmaterial 702 gebildet. In einigen Ausführungsformen umfasst die zweite Strukturtransferschicht 801 eine Bodenschicht 802, die über dem Beabstandungsmaterial 702 abgelagert wird und eine Mittelschicht 804, die über der Bodenschicht 802 abgelagert wird. Eine zweite strukturierte Fotoresistschicht 806 wird über der zweiten Strukturtransferschicht 801 gebildet. Die zweite strukturierte Fotoresistschicht 806 umfasst eine oder mehrere Öffnungen, welche die Position von einer zweiten Schneidposition für eine zweite Vielzahl von Formen der SALE Designschicht definiert, zum verwenden eines zweiten SALE lithografischen Prozesses. Die zweite Strukturtransferschicht 801 wird selektiv gemäß der zweiten strukturierten Fotoresistschicht 806 geätzt, um eine Öffnung 808 zu bilden, die sich von einer obersten Oberfläche der zweiten Strukturtransferschicht 801 zu dem Beabstandungsmaterial 702 erstreckt.
  • 9 illustriert einige Ausführungsformen einer Querschnittansicht 900 eines Substrats entsprechend dem Vorgang 318.
  • Wie in der Querschnittansicht 900 gezeigt, wird anschließend ein reverses Material 902 innerhalb der Öffnung 808 gebildet. Das reverse Material 902 erstreckt sich von einem oberen Ende der zweiten Strukturtransferschicht 801 zum Beabstandungsmaterial 702. In einigen Ausführungsformen kann das reverse Material 902 ein Oxid umfassen. In anderen Ausführungsformen kann das reverse Material 902 ein Nitrid umfassen. In wiederum weiteren Ausführungsformen kann das reverse Material 902 ein Silikon umfassen und eine Ätzselektivität von größer als 6 mit Bezug zum Beabstandungsmaterial aufweisen. Z.B. kann das reverse Material 902 Silikon umfassen und eine Ätzselektivität von größer als 6 mit Bezug zu einem Titanoxid (TiO) und einem Titannitrid (TiN) Beabstandungsmaterial aufweisen.
  • 10 illustriert einige Ausführungsformen einer Querschnittansicht 1000 und eine entsprechende Draufsicht 1004 eines Substrats entsprechend des Vorgangs 320.
  • Wie in der Querschnittansicht 1000 gezeigt, wird ein Ätzprozess durchgeführt um die zweite Strukturtransferschicht 801 zu entfernen. Das reverse Material (z.B. 902 von 9) wird auch zurückgeätzt, um einen Rest reverses Materialschicht zurückzulassen, der eine zweite Schneidschicht 1002 der zweiten Vielzahl von Formen der SALE Designschicht definiert.
  • 11 illustriert einige Ausführungsformen einer Querschnittansicht 1100 und einer entsprechenden Draufsicht 1106 eines Substrats entsprechend Vorgang 322.
  • Wie in der Querschnittansicht 1100 gezeigt wird Beabstandungsmaterial (z.B. 702 von 10) das nicht durch die zweite Schneidschicht 1002 bedeckt ist geätzt. Das verbleibende Beabstandungsmaterial 1102, das nicht durch die zweite Schneidschicht 1002 (d.h. reverses Material) bedeckt ist verbleibt auf den Seitenwänden der geätzten oberen Schicht 602 der Multischicht Hartmaske 403 was eine zweite Vielzahl von Öffnungen 1104 zurücklässt, die durch die zweite Schneidschicht 1002 geschnitten werden, und welche die unterliegende zentrale Schicht 406 der Mehrfachschicht-Hartmaske 403 offenlegt. Das verbleibende Beabstandungsmaterial 1102, das überdeckt ist durch die zweite Schneidschicht 1002 wird nicht geätzt, was die zweite Schneidschicht 1002 über der zentralen Schicht 406 der Trischicht Hartmaske 403 zurücklässt.
  • Wie in der Draufsicht 1106 gezeigt bildet das ätzen des Beabstandungsmaterials 1102 die zweite Vielzahl von Öffnung 1104, welche die zentrale Hartmaske 403 offenlegt, um eine kleinere Weite als die Öffnung 604 in der oberen Schicht 602 zu haben. Die zweite Schneidschicht 1002 erstreckt sich zwischen den Öffnungen 1104a und 1104b.
  • 12 illustriert einige Ausführungsformen einer Querschnittansicht 1200 eines Substrats entsprechend Vorgang 324.
  • Wie in der Querschnittansicht 1200 gezeigt wird eine dritte Strukturtransferschicht 1201 über dem Beabstandungsmaterial 1102 gebildet. In einigen Ausführungsformen umfasst die dritte Strukturtransferschicht 1201 eine unterste Schicht 1202, die über dem Beabstandungsmaterial 1102 abgelagert wird und eine mittlere Schicht 1204, die über der untersten Schicht 1202 abgelagert wird. Eine dritte strukturierte Fotoresistschicht 1206 wird über der dritten Strukturtransferschicht 1201 gebildet. Die dritte strukturierte Fotoresistschicht 1206 umfasst Öffnung 1208, die mit Stellen der ersten Vielzahl von Formen der SALE Designschicht korrespondieren.
  • 13 illustriert einige Ausführungsformen einer Querschnittansicht 1300 und eine entsprechende Draufsicht 1306 eines Substrats entsprechend Vorgang 326.
  • Wie in der Querschnittansicht 1300 gezeigt, wird die obere Schicht 1302 der Trischicht Hartmaske 403 selektiv gemäß der dritten strukturierten Fotoresistschicht (z.B. 1206 von 12) und des Beabstandungsmaterials 1102 umfassend die erste Schneidschicht 704 geätzt. Ätzen der oberen Schicht 1302 der Trischicht Hartmaske 403 bildet eine erste Vielzahl von Öffnung 1304, welche durch die erste Schneidschicht 704 geschnitten werden, und welche die unterliegende zentrale Schicht 406 offenlegen. Wie in der Draufsicht 1306 gezeigt, bildet die erste Schneidschicht 704 einen Ende-zu-Ende-Abstand S2 zwischen den Öffnungen 1304a und 1304b.
  • 14 illustriert einige Ausführungsformen einer Querschnittansicht 1400 und eine dazu korrespondierende Draufsicht 1408 eines Substrats entsprechend Vorgang 326.
  • Wie in der Querschnittansicht 1400 gezeigt, wird die zentrale Schicht 1402 der Trischicht Hartmaske 403 selektiv gemäß der zweiten Vielzahl von Öffnung 1104 und der ersten Vielzahl von Öffnungen 1304 geätzt um jeweils Öffnungen 1404 und 1406 in der zentralen Schicht 1402 zu bilden, welche der ersten Vielzahl von Formen und der zweiten Vielzahl von Formen der SALE Designschicht entsprechen.
  • 15 illustriert einige Ausführungsformen eines Maskenherstellungswerkzeugs 1500, welches konfiguriert ist, um eine wiederverwendbare Schneidmaske oder Trimmmaske zu generieren.
  • Das Maskenherstellungswerkzeug 1500 umfasst ein Speicherelement 1502. In verschiedenen Ausführungsformen kann das Speicherelement 1502 einen internen Speicher oder ein computerlesbares Medium umfassen. Das Speicherelement 1502 ist so konfiguriert, dass es ein integrierter-Chip(IC)-Layout 1504 umfassend eine grafische Repräsentation eines integrierten Chips speichern kann. Das IC-Layout 1504 umfasst eine erste Vielzahl von Formen einer selbstadjustierenden Litho-Ätzt (SALE) Designschicht, die mittels eines ersten SALE lithografischen Prozesses gebildet wird und eine zweite Vielzahl von Formen, der Designschicht, welche mittels eines zweiten SALE lithografischen Prozesses gebildet wird. In einigen Ausführungsformen kann die SALE Designschicht eine Designschicht innerhalb einer Static Random Access Memory (SRAM)-Zelle umfassen. In einigen Ausführungsformen kann das IC Layout 1504 ein GDS oder eine GDSII Datei, eine CIF Datei, eine OASIS Datei, oder ähnliche Dateiformate umfassen.
  • Das Speicherelement 1502 ist weiter so konfiguriert, um erste Schneidschichtdaten 1506 und zweite Schneidschichtdaten 1508 zu speichern. Die ersten Schneidschichtdaten 1506 definieren eine erste Schneidschichtposition für die erste Vielzahl von Formen der SALE Designschicht. Die zweiten Schneidschichtdaten 1508 definieren eine zweite Schneidposition für die zweite Vielzahl von Formen der SALE Designschicht. In einigen Ausführungsformen ist das Speicherelement 1502 weiter so konfiguriert, um computerlesbare Instruktionen 1510 zu speichern. Die computerlesbaren Instruktionen 1510 können ein Verfahren vorsehen zur Steuerung einer oder mehrerer Komponenten des Maskenherstellungswerkzeugs gemäß eines offenbarten Verfahrens (z.B. Verfahren 100 oder 300).
  • Ein Maskenschneidplatzierungswerkzeug 1512 ist so konfiguriert, um auf das IC Layout 1504 zuzugreifen und um eine Position der ersten und zweiten Schneidschichten festzustellen. Z.B. ist das Maskenschneidplatzierungswerkzeug 1512 in einigen Ausführungsformen so konfiguriert, um eine Stelle eines ersten Schnittes innerhalb der ersten Vielzahl von Formen von den ersten Schneidschichtdaten 1506 festzustellen und um eine Stelle eines zweiten Schnittes innerhalb der ersten zweiten der Formen von den zweiten Schneidschichtdaten 1508 festzustellen.
  • Ein Maskenschreibwerkzeug 1514 ist so konfiguriert um auf die ersten Schneidschichtdaten 1506 und die zweiten Schneidschichtdaten 1508 zuzugreifen. Basierend auf den ersten Schneidschichtdaten 1506 wird das Maskenschreibwerkzeug 1514 konfiguriert, um eine erste Schneidmaske zu generieren. Basierend auf den zweiten Schneidschichtdaten 1508 wird das Maskenschreibwerkzeug 1014 konfiguriert, um eine zweite Schneidmaske zu generieren. Die erste Schneidmaske ist konfiguriert, um die erste Vielzahl von Formen zu schneiden und die zweite Schneidmaske ist konfiguriert um die zweite Vielzahl von Formen zu schneiden.
  • Es sollte begriffen werden, dass äquivalente Abänderungen und/oder Modifikationen durch den Fachmann erkannt werden können basierend auf der Literatur und/oder des Verständnisses der Beschreibung und den angefügten Zeichnungen. Die Offenbarung hierin beinhaltet alle solche Modifikation und Abänderungen und ist generell nicht beabsichtigt dadurch begrenzt zu werden. Z.B. obwohl die offenbarten IC Layouts dargestellt sind, dass sie eine Vielzahl von Designformen umfassend Rechtecke oder Quadrate umfassen, ist erkennbar, dass solche Formen nicht limitierend sind. Eher kann das offenbarte Verfahren und Vorrichtung bei Designs angewandt werden, aufweisend Designformen jeder Geometrie, die durch Designregeln zulässig sind. Weiterhin können die offenbarten Formen innerhalb jeder MPEL Designschicht umfasst sein, sowie z.B., Metallzwischenverbindungsschichten, Polysilikonschichten, aktive Schichten, usw.
  • Darüberhinaus, obwohl ein bestimmtes Merkmal oder Aspekt mit Hinblick auf nur eine von mehreren Implementierungen offenbart wurde, kann so ein Merkmal oder Aspekt mit einem oder mehreren anderen Merkmalen und/oder Aspekten von anderen Implementierungen, wie es gewünscht sein kann, kombiniert werden. Weiterhin, insoweit dass hier die Begriffe „beinhaltet“, „aufweisend“, „hat“, „mit“ und/oder Varianten davon benutzt werden, sind solche Begriffe dazu gedacht eine integrative Bedeutung zu haben - wie „umfassend“. Auch, „exemplarisch“ ist nur dahingehend zu verstehen, ein Beispiel zu bezeichnen, statt wie das Beste. Es soll auch anerkannt werden, dass Merkmale, Schichten und/oder Elemente, die hier dargestellt sind, zum Zwecke der Einfachheit und Förderung des Verständnisses mit gewissen Dimensionen und/oder Orientierung relativ zueinander abgebildet sind, und dass die tatsächlichen Dimensionen und/oder Orientierungen wesentlich von den hier abgebildeten abweichen können.
  • Daher bezieht sich die vorliegende Offenbarung auf ein Verfahren und Vorrichtung der Durchführung eines selbstadjustierenden Litho-Ätz (SALE) Prozesses, der vergleichbare Ende-zu-Ende Abstände zwischen Formen gewährleistet, die durch verschiedene fotolithografische Prozesse gebildet werden.
  • In einigen Ausführungsformen bezieht dich die vorliegende Offenbarung auf ein Verfahren der Durchführung eines selbstadjustierenden Litho-Ätzt (SALE) Prozesses. Das Verfahren umfasst die Bildung eines Beabstandungsmaterials über einem Substrat umfassend eine Mehrfachschicht Hartmaske aufweisend eine erste Schicht und eine unterliegende zweite Schicht, um eine erste Schneidschicht bereitzustellen, umfassend das Beabstandungsmaterial an einer ersten Schneidposition. Das Verfahren umfasst weiter die Bildung eines reversen Materials über dem Beabstandungsmaterial um eine zweite Schneidschicht zu bilden umfassend das reverse Material an einer zweiten Schneidposition über dem Substrat. Das Verfahren umfasst weiter bilden einer zweiten Vielzahl von Öffnungen, die gemäß der zweiten Schneidschicht geschnitten sind, um die zweite Schicht an einer zweiten Vielzahl von Position entsprechend einer zweiten Vielzahl von Formen einer SALE Designschicht offenzulegen. Das Verfahren umfasst weiter bilden einer ersten Vielzahl von Öffnungen, geschnitten gemäß der ersten Schneidschicht, um eine zweite Schicht an einer ersten Vielzahl von Position entsprechend einer ersten Vielzahl von Formen der SALE Designschicht offenzulegen. Das Verfahren umfasst weiter ätzen der zweiten Schicht gemäß der ersten Vielzahl von Öffnungen und der zweiten Vielzahl von Öffnungen.
  • In anderen Ausführungsformen bezieht sich die vorliegende Offenbarung auf ein Verfahren der Durchführung eines selbstadjustierenden Litho-Ätz (SALE) Prozesses. Das Verfahren umfasst bereitstellen eines Substrats umfassend eine Trischicht Hartmaske aufweisend eine obere Schicht und eine unterliegende zentrale Schicht überdeckend einen Halbleiterkörper. Das Verfahren umfasst weiter bilden einer ersten Schneidschichtöffnung innerhalb der oberen Schicht, und Ablagerung eines Beabstandungsmaterials über dem Substrat, sodass das Beabstandungsmaterial die erste Schneidschichtöffnung füllt, um eine erste Schneidschicht zu bilden. Das Verfahren weiter umfassend bilden einer zweiten Schneidschicht durch Ablagerung eines reversen Materials an einer zweiten Schneidposition über dem Beabstandungsmaterial und durch selektives Ätzen des Beabstandungsmaterials das nicht bedeckt ist durch das reverse Material, um eine zweite Vielzahl von Öffnungen zu bilden, geschnitten gemäß der zweiten Schneidschicht, welche die zentrale Schicht an einer zweiten Vielzahl von Positionen entsprechend einer zweiten Vielzahl von Formen einer SALE Designschicht exponiert. Das Verfahren weiter umfassend bilden einer ersten Vielzahl von Öffnungen, geschnitten gemäß einer ersten Schneidschicht, welche die zentrale Schicht an einer ersten Vielzahl von Positionen entsprechend einer ersten Vielzahl von Formen der SALE Designschicht exponiert. Das Verfahren weiter umfassend ätzen der zentralen Schicht gemäß der ersten Vielzahl von Öffnungen und der zweiten Vielzahl von Öffnungen.

Claims (20)

  1. Was beansprucht wird ist:
  2. Ein Verfahren zur Durchführung eines selbstausrichtenden Litho-Ätz (SALE)-Prozesses, umfassend: Bilden (104) eines Beabstandungsmaterials (702) über einem Substrat umfassend eine Mehrfachschicht-Hartmaske (403) aufweisend eine erste Schicht und eine unterliegende zweite Schicht, um eine erste Schneidschicht (704) umfassend das Beabstandungsmaterial (702) an einer ersten Schneidposition bereitzustellen; Bilden (110) eines reversen Materials (902) über dem Beabstandungsmaterial (702), um eine zweite Schneidschicht (1002) umfassend das reverse Material (902) an einer zweiten Schneidposition über dem Substrat bereitzustellen; Bilden (112) einer zweiten Vielzahl von Öffnungen (1104, 1404), geschnitten gemäß der zweiten Schneidschicht (1002), um die zweite Schicht an einer zweiten Vielzahl von Positionen zu exponieren, die zu einer zweiten Vielzahl von Formen einer SALE Designschicht korrespondieren; Bilden (114) einer ersten Vielzahl von Öffnungen (1304), geschnitten gemäß der ersten Schneidschicht (704), um die zweite Schicht an einer ersten Vielzahl von Positionen zu exponieren, die mit einer ersten Vielzahl von Formen der SALE Designschicht korrespondieren; und Ätzen (116) der zweiten Schicht gemäß der ersten Vielzahl von Öffnungen (1304) und der zweiten Vielzahl von Öffnungen (1104, 1404).
  3. Das Verfahren nach Anspruch 1, worin das Bilden der ersten Schneidschicht (704) umfasst: Bilden (106) einer ersten Schneidschichtöffnung innerhalb der ersten Schicht der Mehrfachschicht Hartmaske (403); und Abscheiden des Beabstandungsmaterials (702) über dem Substrat, sodass das Beabstandungsmaterial (702) die erste Schneidschichtöffnung füllt.
  4. Das Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, worin das Bilden der zweiten Schneidschicht (1002) umfasst: Abscheiden einer zweiten Strukturtransferschicht (801) über dem Beabstandungsmaterial (702); selektives Ätzen der zweiten Strukturtransferschicht (801), um eine Öffnung an der zweiten Schneidposition zu bilden, die sich von einer oberen Oberfläche der zweiten Strukturtransferschicht (801) hin zum Beabstandungsmaterial (702) erstreckt; und Abscheiden des reversen Materials (902) in die Öffnung.
  5. Das Verfahren nach Anspruch 3, weiter umfassend: Ätzen des Beabstandungsmaterials (702) das nicht durch das reverse Material (902) abgedeckt ist, um die zweite Vielzahl von Öffnungen zu bilden.
  6. Das Verfahren nach Anspruch 3 oder 4, weiter umfassend: Ätzen der ersten Schicht der Mehrfachschicht-Hartmaske (403) gemäß einer dritten Maskierungsschicht und des Beabstandungsmaterials (702), um die erste Vielzahl von Öffnungen zu bilden.
  7. Das Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, worin das reverse Material (902) ein Oxid oder ein Nitrid umfasst.
  8. Das Verfahren nach Anspruch 1, worin das reverse Material (902) eine Ätzselektivität von größer als 6 mit Hinblick zum Beabstandungsmaterial (702) aufweist.
  9. Das Verfahren nach Anspruch 1, worin das reverse Material (902) Silikon umfasst und eine Ätzselektivität von größer als 6 mit Hinblick auf ein Titanoxid oder ein Titannitrid des Beabstandungsmaterials aufweist.
  10. Das Verfahren nach Anspruch 1, worin die erste Schicht der Mehrfachschicht-Hartmaske (403) eine Silikonschicht umfasst; und worin die zweite Schicht der Mehrfachschicht-Hartmaske (403) eine TEOS (Tetraethylorthosilikat) Schicht umfasst angrenzend an die Silikonschicht.
  11. Das Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, worin die erste Schneidschicht (704) so konfiguriert ist, um einen ersten Ende-Zu-Ende-Abstand zwischen einer oder mehreren der ersten Vielzahl von Formen vorzusehen; worin die zweite Schneidschicht (1002) so konfiguriert ist, um einen zweiten Ende-Zu-Ende-Abstand zwischen einer oder mehrerer der zweiten Vielzahl von Formen vorzusehen; und worin ein Verhältnis des ersten Ende-Zu-Ende-Abstands zu dem zweiten Ende-Zu-Ende-Abstand näherungsweise 1 zu 1 ist.
  12. Ein Verfahren zur Durchführung eines selbstausrichtenden Litho-Ätz (SALE)-Prozesses, umfassend: Bereitstellen (302) eines Substrats, umfassend eine Tri-Schicht-Hartmaske (403) aufweisend eine obere Schicht und eine darunter liegende zentrale Schicht (406), die einen Halbleiterkörper (402) überdeckt; Bilden (304) einer ersten Schneidschichtöffnung (410) innerhalb der oberen Schicht; Abscheiden (312) eines Beabstandungsmaterials (702) über dem Substrat, so dass das Beabstandungsmaterial (702) die erste Schneidschichtöffnung (410) füllt, um eine erste Schneidschicht (704) zu bilden; Bilden (318) einer zweiten Schneidschicht (1002) durch Abscheidung eines reversen Materials (902) an einer zweiten Schneidposition über dem Beabstandungsmaterial (702) und durch selektives Ätzen des Beabstandungsmaterials (702), das nicht durch das reverse Material (902) überdeckt ist, um eine zweite Vielzahl von Öffnungen (1104, 1404) zu bilden, geschnitten gemäß der zweiten Schneidschicht (1002), welche die zentrale Schicht (406) an einer zweiten Vielzahl von Positionen exponiert, entsprechend einer zweiten Vielzahl von Formen eine SALE-Designschicht; Bilden (326) einer ersten Vielzahl von Öffnungen (1304), geschnitten gemäß der ersten Schneidschicht (1002), die die zentrale Schicht (406) an einer ersten Vielzahl von Positionen exponiert, entsprechend einer ersten Vielzahl von Formen der SALE-Designschicht; und Ätzen (328) der zentralen Schicht (406) gemäß der ersten Vielzahl von Öffnungen (1304) und der zweiten Vielzahl von Öffnungen (1104, 1404).
  13. Das Verfahren nach Anspruch 11, worin das reverse Material (902) ein Oxid oder ein Nitrid umfasst.
  14. Das Verfahren nach Anspruch 11, worin das reverse Material (902) Silikon umfasst und eine Ätz-Selektivität von größer als 6 mit Bezug auf Titaniumoxid oder Titaniumnitrid hat.
  15. Das Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, worin das Bilden der zweiten Schneidschicht (1002) umfasst: Abscheiden einer zweiten Strukturtransferschicht (801) über dem Beabstandungsmaterial (702); Selektives Ätzen der zweiten Strukturtransferschicht (801), um eine Öffnung an der zweiten Schneideposition zu bilden, die sich von einer oberen Oberfläche der zweiten Strukturtransferschicht (801) zum Beabstandungsmaterial (702) erstreckt; und Abscheiden des reversen Materials (902) in die Öffnung.
  16. Das Verfahren nach Anspruch 14, weiter umfassend: Ätzen des Beabstandungsmaterials (702), das nicht durch das reverse Material (902) bedeckt ist, um die zweite Vielzahl von Öffnungen zu bilden.
  17. Das Verfahren nach einem der Ansprüche 11 bis 15, weiter umfassend: Ätzen der oberen Schicht der Tri-Schicht-Hartmaske (403) gemäß einer Maskierungsschicht und des Beabstandungsmaterials (702), um die erste Vielzahl von Öffnungen zu bilden.
  18. Das Verfahren nach einem der Ansprüche 11 bis 16, worin die obere Schicht der Tri-Schicht-Hartmaske (403) eine Silikonschicht umfasst; und worin die zentrale Schicht (406) der Tri-Schicht-Hartmaske (403) eine TEOS (Tetraethylorthosilikat)-Schicht umfasst, die an die Silikonschicht angrenzt.
  19. Das Verfahren nach einem der Ansprüche 11 bis 17, worin die erste Schneidschicht (704) konfiguriert ist, um einen ersten Ende-zu-Ende-Abstand zwischen einer oder mehrerer der ersten Vielzahl von Formen bereitzustellen; worin die zweite Schneidschicht (1002) konfiguriert ist, um einen zweiten Ende-zu-Ende-Abstand zwischen einer oder mehrerer der zweiten Vielzahl von Formen bereitzustellen; und worin ein Verhältnis des ersten Ende-zu-Ende-Abstands zu dem zweiten Ende-zu-Ende-Abstand näherungsweise 1 zu 1 ist.
  20. Verfahren zum Durchführen eines selbstausrichtenden Litho-Ätz-Prozesses, umfassend: Bereitstellen (302) einer Mehrfachschicht-Hartmaske (403) über einem Halbleiterkörper; Bilden (304) einer ersten Schneidschichtöffnung (410) in der Mehrfachschicht-Hartmaske (403), um eine erste Schneidposition für eine erste Vielzahl von Formen einer SALE-Designschicht zu definieren; Bilden (306) einer ersten Strukturtransferschicht (411) über der ersten Schneidschichtöffnung (410); Ätzen (308) einer oberen Schicht der Mehrfachschicht-Hartmaske (403) gemäß einer ersten Maskierungsschicht (502); Entfernen (310) der ersten Strukturtransferschicht (411) und der ersten Maskierungsschicht (502); Bilden (312) eines Beabstandungsmaterials (702) über dem Substrat, so dass das Beabstandungsmaterial (702) die erste Schneidschichtöffnung 410 füllt, um eine erste Schneidschicht (704) zu bilden; Bilden (314) einer zweiten Strukturtransferschicht (801) über dem Beabstandungsmaterial (702); Ätzen (316) der zweiten Strukturtransferschicht (801) gemäß einer zweiten Maskierungsschicht (806); Bilden (318) eines reversen Materials (902) in der zweiten Strukturtransferschicht (801), um eine zweite Schneidposition für eine zweite Vielzahl von Formen der SALE-Designschicht zu definieren; Durchführen (320) eines Ätzprozesses, um die zweite Strukturtransferschicht (801) zu entfernen, und Rückätzen des reversen Materials (902), um eine zweite Schneidschicht (1002) zu bilden; Ätzen (322) des Beabstandungsmaterials (702), das nicht durch das reverse Material (902) abgedeckt ist, um eine zweite Vielzahl von Öffnungen (1104, 1404), geschnitten gemäß der zweiten Schneidschicht (1002), zu bilden; Bilden (324) einer dritten Strukturtransferschicht (1201) über dem Beabstandungsmaterial (702); Ätzen (326) der oberen Schicht der Mehrfachschicht-Hartmaske (403) gemäß einer dritten Maskierungsschicht und des Beabstandungsmaterials (702, 1206); enthaltend die erste Schneidschicht (704), um eine erste Vielzahl von Öffnungen (1304), geschnitten gemäß der ersten Schneidschicht (702) zu bilden; und Ätzen (328) einer zentralen Schicht der Mehrfachschicht-Hartmaske (403) gemäß der ersten und der zweiten Vielzahl von Öffnungen (1104, 1304, 1404), um eine erste und eine zweite Vielzahl von Formen zu definieren.
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