DE102017120849B4 - Layouts für integrierte Schaltkreise mit Leitungsendverlängerungen - Google Patents

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Abstract

Verfahren (100), das Folgendes umfasst:Empfangen eines Layouts (200) für einen integrierten Schaltkreis, das Folgendes enthält:einen ersten Satz Formen (202), die sich parallel in einer ersten Richtung erstrecken,zum Ausbilden eines ersten Satzes Dorne zum Ätzen eines Substrats (902); undeinen zweiten Satz Formen (204), die sich parallel in der ersten Richtung erstrecken,zum Ausbilden eines zweiten Satzes Dorne zum Ätzen des Substrats (200), wobei ein Mittenabstand (214) des ersten Satzes Formen von einem Mittenabstand (222) des zweiten Satzes Formen verschieden ist;Einfügen, in das Layout (200) für einen integrierten Schaltkreis, einer Querelementform (302), die sich quer zu dem ersten Satz Formen (202) und dem zweiten Satz Formen (204) in einer zweiten Richtung senkrecht zu der ersten Richtung erstreckt;Einfügen, in das Layout für einen integrierten Schaltkreis, eines Satzes Leitungsendverlängerungen (502), die sich von jeder Form des ersten Satzes Formen und des zweiten Satzes Formen zu der Querelementform (302) erstrecken; undBereitstellen des Layouts (200) für einen integrierten Schaltkreis, das den ersten Satz Formen (202), den zweiten Satz Formen (204), die Querelementform (302) und den Satz Leitungsendverlängerungen (502) enthält, zum Ausbilden des ersten Satzes Dorne unddes zweiten Satzes Dorne und zum Ätzen des Substrats (902) auf der Basis des ersten und des zweiten Satzes Dorne;Einfügen, in das Layout für einen integrierten Schaltkreis, eines ersten Satzes Füllformen (402) zwischen die Formen (202) des ersten Satzes Formen und eines zweiten Satzes Füllformen (402) zwischen die Formen (204) des zweiten Satzes Formen,wobei:sich jede Form des ersten Satzes Füllformen und des zweiten Satzes Füllformen parallel in der ersten Richtung (208) erstreckt; undsich jede Form des ersten Satzes Füllformen und des zweiten Satzes Füllformen zu der Querelementform (302) erstreckt.

Description

  • HINTERGRUND
  • Die Branche der integrierten Halbleiterschaltkreise (ICs) hat ein rasches Wachstum erfahren. Im Zuge der IC-Entwicklung hat die Funktionsdichte (d. h. die Anzahl der miteinander verbundenen Bauelemente pro Chipfläche) allgemein zugenommen, während die Geometriegröße (d. h. die kleinste Komponente (oder Leitung), die mittels eines Herstellungsprozesses gebildet werden kann) kleiner geworden ist. Dieser Prozess der Abwärtsskalierung realisiert allgemein Vorteile, indem er die Produktionseffizienz steigert und die mit der Produktion verbundenen Kosten senkt. Eine solche Abwärtsskalierung hat jedoch auch die Komplexität beim Design und der Herstellung von Geräten erhöht, in denen sich diese ICs befinden. Parallele Fortschritte bei der Herstellung haben es gestattet, zunehmend komplexere Designs mit Präzision und Zuverlässigkeit herzustellen.
  • Zum Beispiel kompensieren einige Fortschritte optische Effekte und Verarbeitungsdefekte, die nahe den Grenzen der Lithografie auftreten. In vielen Beispielen werden Strukturelemente von ICs auf einem Halbleitersubstrat unter Verwendung eines Satzes von Photolithographiemasken definiert und ausgebildet. Die Masken haben Strukturen, die durch durchlässige oder reflektierende Regionen gebildet werden. Während einer photolithographischen Belichtung wird Strahlung, wie zum Beispiel ultraviolettes Licht, von der Maske durchgelassen oder reflektiert, bevor sie auf eine Photoresistbeschichtung auf dem Substrat trifft. Die Maske überträgt die Struktur auf den Photoresist, der dann selektiv entfernt wird, um die Struktur freizulegen. Das Substrat wird dann Verarbeitungsschritten unterzogen, die die Form des übrigen Photoresists nutzen, um Schaltungsstrukturelemente auf dem Substrat zu bilden. Wenn die Verarbeitungsschritte vollendet sind, wird ein weiterer Photoresist aufgetragen, und das Substrat wird unter Verwendung der nächsten Maske belichtet. Auf diese Weise werden die Strukturelemente geschichtet, um den endgültigen Schaltkreis herzustellen.
  • Die Eigenart von Licht bewirkt, dass die auf dem Substrat ausgebildeten Strukturen von der Struktur der Maske abweichen. Das Verhalten von Licht, wie zum Beispiel Beugung, Unschärfe und Interferenzen, verursachen Varianzen, wie zum Beispiel Eckenrundungen und Randfehler. Gleichermaßen können Verarbeitungsschwankungen, wie zum Beispiel Ätzdefekte und kollabierende Strukturen, weitere Varianzen verursachen, insbesondere an den Ecken und Rändern von Strukturelementen.
  • Die US 2008 / 0 308 880 A1 offenbart eine Halbleitervorrichtung mit einer Rippe, die aus einer Halbleiterschicht gebildet ist, die direkt aus einem Halbleitersubstrat herausragt, wobei die Rippe einen geraden Abschnitt und einen gebogenen Abschnitt umfasst,
  • Die DE 10 2012 205 914 A1 betrifft eine FinFET-Vorrichtung, die unter Bereitstellen eines Hauptmaskenlayouts und eines Abgleichsmaskenlayouts zum Bilden von Finnen hergestellt wird.
  • Die US 2012/ 0 124 528 A1 betrifft ein Halbleiterherstellungsverfahren zum Erzeugen eines Layouts für ein Bauelement mit einem Empfangen eines ersten Layouts, wobei das erste Layout eine Vielzahl von aktiven Regionen enthält, wobei jede aktive Region Seiten hat und mit einem Definieren einer Vielzahl von länglichen Dornen für jede der Vielzahl von aktiven Regionen.
  • Die DE 10 2015 112 271 A1 betrifft ein Verfahren mit einem Empfangen eines Integrierten-Schaltkreis(IC)-Design-Layouts, wobei das IC-Design-Layout einen ersten Layout-Block und einen zweiten Layout-Block umfasst und der erste Layout-Block eine erste Leitungsstruktur umfasst und der zweite Layout-Block eine zweite Leitungsstruktur umfasst.
  • KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
  • Die vorliegende Offenbarung wird am besten anhand der folgenden detaillierten Beschreibung verstanden, wenn sie in Verbindung mit den beiliegenden Figuren gelesen wird. Es wird darauf hingewiesen, dass gemäß der gängigen Praxis in der Industrie verschiedene Strukturelemente nicht maßstabsgetreu gezeichnet sind und allein für Veranschaulichungszwecke verwendet werden. Die Abmessungen der verschiedenen Strukturelemente können im Interesse der Übersichtlichkeit der Besprechung nach Bedarf vergrößert oder verkleinert werden.
    • 1A und 1B sind Flussdiagramme eines Verfahrens zur Herstellung eines integrierten Schaltkreises, gemäß verschiedenen Aspekten der vorliegenden Offenbarung.
    • 2-7 sind Schaubilder eines Abschnitts eines Layouts zum Herstellen eines integrierten Schaltkreises, der dem Verfahren unterzogen wird, gemäß verschiedenen Aspekten der vorliegenden Offenbarung.
    • 8 ist ein Draufsicht-Schaubild einer Photomaske, die gemäß dem Layout hergestellt wird, gemäß verschiedenen Aspekten der vorliegenden Offenbarung.
    • 9A, 10A und 11A sind Draufsichten eines Abschnitts eines Werkstücks entsprechenden dem Layout, gemäß verschiedenen Aspekten der vorliegenden Offenbarung.
    • 9B, 10B, 11B, 13B, 14B, 15B, 16B und 17-22 sind Querschnittenansichten eines Abschnitts des Werkstücks entsprechenden dem Layout, gemäß verschiedenen Aspekten der vorliegenden Offenbarung.
    • 12 ist ein Draufsicht-Schaubild einer geschnittenen Photomaske, die gemäß dem Layout 200 hergestellt wird, gemäß verschiedenen Aspekten der vorliegenden Offenbarung.
    • 13A, 14A, 15A und 16A sind Draufsichten eines Abschnitts des Werkstücks entsprechenden dem Layout, gemäß verschiedenen Aspekten der vorliegenden Offenbarung.
    • 13B, 14B, 15B, 16B und 17-22 sind Querschnittenansichten eines Abschnitts des Werkstücks entsprechenden dem Layout, gemäß verschiedenen Aspekten der vorliegenden Offenbarung.
    • 23 ist ein Flussdiagramm eines Verfahrens zur Herstellung eines integrierten Schaltkreises mit Leitungsendverlängerungen, gemäß verschiedenen Aspekten der vorliegenden Offenbarung.
    • 24-28 sind Draufsichten eines Abschnitts eines Layouts zum Herstellen eines integrierten Schaltkreises, der dem Verfahren unterzogen wird, gemäß verschiedenen Aspekten der vorliegenden Offenbarung.
    • 29 ist ein Flussdiagramm eines Verfahrens zur Herstellung eines integrierten Schaltkreises, das das Hinzufügen von Füllerzellen enthält, gemäß verschiedenen Aspekten der vorliegenden Offenbarung.
    • 30-32 sind Draufsichten eines Abschnitts eines Layouts zum Herstellen eines integrierten Schaltkreises, der dem Herstellungsverfahren mit Füllerzellen unterzogen wird, gemäß verschiedenen Aspekten der vorliegenden Offenbarung.
    • 33 ist eine Draufsicht eines Abschnitts eines Werkstücks, das gemäß dem Layout mit Füllerzellen hergestellt wird, gemäß verschiedenen Aspekten der vorliegenden Offenbarung.
    • 34 ist ein Blockschaubild eines Berechnungssystems, gemäß verschiedenen Aspekten der vorliegenden Offenbarung.
  • DETAILLIERTE BESCHREIBUNG
  • Die Erfindung ergibt sich gemäß den unabhängigen Ansprüchen. Die abhängigen Ansprüche betreffen entsprechende Weiterbildungen. Die folgende Offenbarung stellt viele verschiedene Ausführungsformen oder Beispiele zum Implementieren verschiedener Merkmale der Offenbarung bereit. Im Folgenden werden konkrete Beispiele von Komponenten und Anordnungen beschrieben, um die vorliegende Offenbarung zu vereinfachen. Dies sind natürlich lediglich Beispiele, und sie sollen nicht einschränkend sein. Zum Beispiel kann die Ausbildung eines ersten Strukturelements über oder auf einem zweiten Strukturelement in der folgenden Beschreibung Ausführungsformen enthalten, bei denen die ersten und zweiten Strukturelemente in direktem Kontakt ausgebildet werden, und können auch Ausführungsformen enthalten, bei denen weitere Strukturelemente zwischen den ersten und zweiten Strukturelementen ausgebildet sein können, so dass die ersten und zweiten Strukturelemente möglicherweise nicht in direktem Kontakt stehen. Darüber hinaus kann die vorliegende Offenbarung Bezugszahlen und/oder -buchstaben in den verschiedenen Beispielen wiederholen. Diese Wiederholung dient dem Zweck der Einfachheit und Klarheit und diktiert an sich keine Beziehung zwischen den verschiedenen Ausführungsformen und/oder Konfigurationen über den angemerkten Umfang hinaus.
  • Darüber hinaus kann die Bildung eines Strukturelements auf, verbunden mit und/oder gekoppelt mit einem anderen Strukturelement in der folgenden vorliegenden Offenbarung Ausführungsformen enthalten, in denen die Strukturelemente in direktem Kontakt ausgebildet sind, und kann ebenfalls Ausführungsformen enthalten, in denen zusätzliche Strukturelemente zwischen den Strukturelementen ausgebildet sind, dergestalt, dass die Strukturelemente möglicherweise nicht in direktem Kontakt stehen. Außerdem werden räumlich relative Begriffe, wie zum Beispiel „unterer“, „oberer“, „horizontal“, „vertikal“, „darüber“, „über“, „darunter“, „unter“, „aufwärts“, „abwärts“, „oben“, „unten“ usw. sowie deren Ableitungen (zum Beispiel, „in horizontaler Richtung“, „in Abwärtsrichtung“, „in Aufwärtsrichtung“ usw.) zur Vereinfachung der vorliegenden Offenbarung in Bezug auf die Beziehung eines Strukturelements zu einem anderen Strukturelement verwendet. Die räumlich relativen Begriffe sollen verschiedene Ausrichtungen des Bauelements, das die Strukturelemente enthält, abdecken.
  • In dem Maße, wie Strukturelemente immer kleiner werden, haben Unterschiede zwischen Designformen und den Strukturen, die auf einem Substrat ausgebildet werden, eine größere Aufwirkung auf die Leistung eines Bauelements. In einem Beispiel einer einfachen Leitung können optische Effekte während der Lithografie dazu neigen, die Leitungsenden abzurunden, anstatt eine scharfe Ecke zu erzeugen. Des Weiteren können Ätzen und andere Verarbeitungsschritte ebenfalls das Ende der Leitung abrunden, da dieser Abschnitt von mehreren Seiten Kontakt mit dem Ätzmittel oder anderen Verarbeitungshilfsmitteln hat. Natürlich sind dies nur einige Beispiele von Strukturelementabweichungen, die bei der Herstellung integrierter Schaltkreise auftreten. Andere Dickenvariationen, Platzierungsvariationen und Unregelmäßigkeiten können allein oder in Kombination auftreten. Die Auswirkungen dieser Variationen können verschlimmert werden, je kleiner ein Strukturelement wird, weil die Variationen die gleichen bleiben oder größer werden, weshalb die Defekte relativ zu dem Strukturelementgrößer werden.
  • Wie unten beschrieben, stellt die vorliegende Offenbarung eine Technik zum Bilden von Strukturelementen mit verbesserter Regelmäßigkeit bereit, insbesondere am Ende von Strukturelementleitungen. In einigen Beispielen modifiziert die Technik eine Region eines Layouts, das einen ersten Satz paralleler Leitungen, einen zweiten Satz paralleler Leitungen und einen Spalt dazwischen enthält. Die Sätze paralleler Leitungen können verschiedene Breiten, Mittenabstände und/oder Beabstandungen haben. Zwar können Leitungsenddefekte durch Hinzufügen von Opfer-Leitungsendverlängerungen in dem Spalt kompensiert werden, so dass die Rundung innerhalb der Leitungsendverlängerungen gehalten wird, doch es wurde festgestellt, dass im Fall kleinerer Strukturelementgrößen die Leitungsendrundung ausgeprägter und unregelmäßiger wird. Dies kann es erschweren, die Rundung innerhalb der Leitungsendverlängerungen zu halten, ohne die Verlängerungen und den Spalt deutlich zu vergrößern.
  • Um also die Leitungsendrundung zu steuern, während gleichzeitig noch der Spalt verkleinert wird, wird in einigen Beispielen das Layout so modifiziert, dass es Leitungsendverlängerungen enthält, die den ersten Satz paralleler Leitungen mit dem zweiten Satz paralleler Leitungen verbinden. Weil die Verlängerungen die Leitungen verbinden, können einige Leitungsenden vollständig vermieden werden, während andere lediglich eine Veränderung der Dicke erfahren, wodurch weniger dramatische Rundungseffekte auftreten. In einigen Beispielen wird das Layout so modifiziert, dass es eine Querelementform in dem Spalt enthält, die senkrecht zu dem ersten und dem zweiten Satz paralleler Leitungen verläuft. Die Leitungsendverlängerungen können die Leitungen des ersten und des zweiten Satzes paralleler Leitungen mit der Querelementform verbinden. Weil die Verlängerungen mit der Querelementform verbunden werden, anstatt terminiert zu werden, werden Leitungsenden und die damit einhergehenden Fertigungsprobleme vermieden.
  • In einigen Beispielen werden Füllerformen zu dem Layout hinzugefügt, die parallel zu dem ersten und dem zweiten Satz Leitungen verlaufen, und die Füllerformen können zwischen diesen Leitungen angeordnet werden, um die Integrität der Leitungen zu verbessern. Das Layout mit den Leitungsendverlängerungen, Querelementformen und/oder Füllerformen kann anderen Optical Proximity Correction (OPC)-Prozessen unterzogen werden, um die Strukturelemente und ihre Grenzen hinzuzufügen, zu entfernen oder auf sonstige Weise zu justieren. Anschließend kann das Layout in einem Fertigungsprozess verwendet werden.
  • In einigen Beispielen sind die Leitungsendverlängerungen in Füllerzellen enthalten, die dem Layout hinzugefügt werden. Es können eine Vielzahl verschiedener Füllerzellen definiert werden, die jeweils dafür konfiguriert sind, sich auf ein bestimmtes Gitternetz oder einen bestimmten Satz Gitternetze auszurichten. Auf diese Weise können spezielle Füllerzellen für außerhalb des Gitternetzes liegende Regionen existieren, wobei die lokalen Gitternetze nicht mit dem globalen Gitternetz des Layouts übereinstimmen.
  • In einigen Beispielen verbleiben einige der Strukturelemente, die durch die Leitungsendverlängerungen, Querelementformen und/oder Füllerformen gebildet werden, in dem endgültigen Werkstück, um die Strukturelementdichte in Regionen mit ansonsten niedriger Dichte zu verbessern. Diese Strukturelemente können die Regionen mit ansonsten niedriger Dichte physisch verstärken, um Höcker, Napfbildung und andere Unregelmäßigkeiten während der Fertigung zu reduzieren.
  • In einigen solchen Beispielen wird das Layout dafür verwendet, eine lithographische Maske zu erzeugen. Die lithographische Maske wiederum wird in einem lithographischen Prozess verwendet, um Strukturelemente auf einem Substrat zu definieren. Die Strukturelemente können in jedem zweckmäßigen Material ausgebildet und für jeden geeigneten Fertigungszweck verwendet werden. Die Leitungsendverlängerungen, Querelementformen und/oder Füllerformen erhöhen die Integrität des ersten und des zweiten Satzes Leitungen, insbesondere, ohne darauf beschränkt zu sein, an den Leitungsenden. Die verbesserte Gleichmäßigkeit und Präzision kann es erlauben, den Spalt zwischen dem ersten und dem zweiten Satz zu reduzieren, und kann die Leistung und Zuverlässigkeit von Schaltkreisen erhöhen. Somit bieten einige Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung eine größere Strukturelement-Integrität mit reduzierter Leitungsendrundung. Sofern aber nicht anders angemerkt, braucht keine Ausführungsform irgend einen speziellen Vorteil zu realisieren.
  • Eine Technik zum Herstellen eines integrierten Schaltkreises wird mit Bezug auf die 1A, 1B und 2-22 beschrieben. In dieser Hinsicht sind 1A und 1B Flussdiagramme eines Verfahrens 100 zur Herstellung eines integrierten Schaltkreises, gemäß verschiedenen Aspekten der vorliegenden Offenbarung. Zusätzliche Schritte können vor, während und nach dem Verfahren 100 angeordnet werden, und einige der beschriebenen Schritte können ersetzt oder weggelassen werden, um andere Ausführungsformen des Verfahrens 100 zu erhalten. 2-7 sind Schaubilder eines Abschnitts eines Layouts 200 zum Herstellen eines integrierten Schaltkreises, der dem Verfahren 100 unterzogen wird, gemäß verschiedenen Aspekten der vorliegenden Offenbarung. 8 ist ein Draufsicht-Schaubild einer Photomaske 800, die gemäß dem Layout 200 hergestellt wird, gemäß verschiedenen Aspekten der vorliegenden Offenbarung. 9A, 10A, 11A, 13A, 14A, 15A und 16A sind Draufsichten eines Abschnitts eines Werkstücks 900 entsprechend dem Layout 200, gemäß verschiedenen Aspekten der vorliegenden Offenbarung. 9B, 10B, 11B, 13B, 14B, 15B, 16B und 17-22 sind Querschnittenansichten eines Abschnitts des Werkstücks 900 entsprechend dem Layout 200, gemäß verschiedenen Aspekten der vorliegenden Offenbarung. 12 ist ein Draufsicht-Schaubild einer geschnittenen Photomaske 1200, die gemäß dem Layout 200 hergestellt wird, gemäß verschiedenen Aspekten der vorliegenden Offenbarung.
  • Wir wenden uns zuerst Block 102 von 1A und 2 zu. Hier wird das Layout 200 empfangen und enthält einen ersten Satz Formen 202 und einen zweiten Satz Formen 204, die durch einen Spalt 206 getrennt sind. In verschiedenen Beispielen nimmt das Layout 200 die Form einer Datei an, die auf einem nicht-transitorischen Computer-lesbaren Medium gespeichert wird und in einem Designstandard, wie zum Beispiel GDSII, OASIS und/oder MEBES®, einem eingetragenen Warenzeichen von Applied Materials, repräsentiert ist. Das Layout 200 kann eine digitale Repräsentation eines integrierten Schaltkreises sein, und Formen 202 und 206 des Layouts 200 können physischen Strukturelementen eines integrierten Schaltkreis-Werkstücks entsprechen und diese definieren.
  • Das Layout 200 kann jede Anzahl von Formen auf jeder Anzahl von Schichten enthalten; jedoch sind aus Gründen der besseren Übersichtlichkeit nur ein begrenzte Anzahl von Formen gezeigt. Insbesondere enthält das Layout 200 die Formen 202 des ersten Satzes und die Formen 204 des zweiten Satzes, die ähnliche Strukturelemente in derselben Schicht repräsentieren. Die Formen 202 erstrecken sich in einer ersten Richtung 208 und verlaufen im Wesentlichen parallel zueinander. Die Formen 202 des ersten Satzes können jede zweckmäßige Breite 212 (in einer zweiten Richtung 210 senkrecht zu der ersten Richtung 208), jeden zweckmäßigen Mittenabstand 214 und jede zweckmäßige Mindestbeabstandung 216 (in der zweiten Richtung 210) haben. In einigen Beispielen haben die Formen 202 des ersten Satzes Leitungsenden, die entlang einer gemeinsamen Grenze 218 in der zweiten Richtung 210 terminiert sind.
  • Die Formen 204 des zweiten Satzes erstrecken sich auch in der ersten Richtung 208 und verlaufen im Wesentlichen parallel zueinander. Die Formen 204 des zweiten Satzes können jede zweckmäßige Breite 220 (in der zweiten Richtung 210), jeden zweckmäßigen Mittenabstand 222 und jede zweckmäßige Mindestbeabstandung 224 (in der zweiten Richtung 210) haben, und die Aspekte von Formen 204, wie zum Beispiel die Breite, die Mittenabstand und die Beabstandung können von solchen Formen 202 abweichen. Zum Beispiel können die Formen 202 Schaltkreisbauelementen einer Speicherregion entsprechen, während die Formen 204 Schaltkreisbauelementen in einer Standardzellenregion mit anderen Designregeln entsprechen. In einigen Beispielen entsprechen die Formen 202 Schaltkreisbauelementen in einer Hauptfunktionsregion, während die Formen 204 Schaltkreisbauelementen in einer E/A-Region mit anderen Designregeln entsprechen. In einigen Beispielen entsprechen die Formen 202 Schaltkreisbauelementen in einer Niederfrequenz- und/oder Niedrigleistungsregion, während Formen 204 Schaltkreisbauelementen in einer Hochfrequenz- und/oder Hochleistungsregion mit anderen Designregeln entsprechen.
  • In einigen Beispielen haben die Formen 204 des zweiten Satzes Leitungsenden, die entlang einer gemeinsamer Grenze 226 in der zweiten Richtung 210 terminiert sind. Der Spalt 206 erstreckt sich zwischen der Grenze 218 des ersten Satzes und der Grenze 226 des zweiten Satzes und kann jede zweckmäßige Breite 228 in der ersten Richtung 208 haben. Die Breite 228 des Spalts 206 in der ersten Richtung 208 wird in den anschließenden Figuren ausführlich beschrieben.
  • Wir wenden uns Block 104 von 1A und 3 zu. Hier wird eine Querelementform 302 in das Layout 200 innerhalb des Spalts 206 eingefügt. Die Querelementform 302 ist ein Druckstrukturelement und entspricht einem Strukturelement, das auf dem Werkstück ausgebildet werden soll. In einigen Beispielen kann das durch die Querelementform 302 gebildete Strukturelement anschließend in einem Schneidprozess entweder teilweise oder vollständig entfernt werden, wodurch die durch die Formen 202 und 204 gebildeten Strukturelemente zurückbleiben. Durch Verbinden mit anschließend eingefügten Leitungsenden-Strukturelementen beseitigt die Querelementform 302 Leitungsenden durch Bereitstellen aneinandergrenzender Formen, die sich von den Formen 202 des ersten Satzes zu den Formen 204 des zweiten Satzes erstrecken.
  • In einigen Beispielen wird die Querelementform 302 in der Mitte des Spalts 206 im gleichen Abstand zur Grenze 218 des ersten Satzes Formen 202 und zur Grenze 226 des zweiten Satzes Formen 204 eingefügt. Die Querelementform 302 erstreckt sich in der zweiten Richtung 210 senkrecht zu den Formen 202 des ersten Satzes und den Formen 204 des zweiten Satzes. Die Querelementform 302 kann sich um jeden Betrag über jede Anzahl von Formen 202 und/oder Formen 204 hinaus erstrecken. Des Weiteren kann die Querelementform 302 jede zweckmäßige Breite 304 in der ersten Richtung 208 haben, und in verschiedenen Ausführungsformen basiert die Breite auf einem Vielfachen einer Mindeststrukturelementbreite oder eines Mindestmittenabstands (zum Beispiel mindestens das Zweifache eines Mindestmittenabstands).
  • Wir wenden uns Block 106 von 1A und 4 zu. Hier werden Füllformen 402 in das Layout 200 unter den Formen 202 des ersten Satzes und/oder den Formen 204 des zweiten Satzes eingefügt. Die Füllformen 402 sind Druckstrukturelemente und entsprechen auf dem Werkstück auszubildenden Strukturelementen. In einigen Beispielen werden die durch die Füllformen 402 gebildeten Strukturelemente anschließend in einem Schneidprozess teilweise oder vollständig entfernt, wodurch die durch die Formen 202 und 204 gebildeten Strukturelemente zurückbleiben.
  • Die Füllformen 402 erstrecken sich in der ersten Richtung 208 und können sich zu der Querelementform 302 erstrecken und an diese koppeln. Dies vermeidet Leitungsenden an den Abschlussenden der Füllformen 402 und kann das damit einhergehende Runden vermeiden. In einigen Beispielen werden die Füllformen 402 in Routungsbahnen innerhalb des ersten Satzes und/oder des zweiten Satzes eingefügt, die aufgrund des durch das Layout 200 implementierten speziellen Designs unbelegt sind. In solchen Beispielen können die Füllformen 402 im gleichen Mittenabstand und mit der gleichen Mindestbeabstandung angeordnet werden wie die Formen 202 oder 204, zwischen denen sie angeordnet sind. Die Füllformen 402 können jede zweckmäßige Breite (in der zweiten Richtung 210) haben und können dünner oder dicker sein als, oder im Wesentlichen so dick sein wie, die Formen 202 und/oder 204 sein, zwischen denen sie angeordnet sind. In einigen Beispielen haben die Füllformen 402, die zwischen den Formen 202 angeordnet sind, eine andere Breite, eine andere Beabstandung und/oder einen anderen Mittenabstand als die Füllformen 402, die zwischen den Formen 204 angeordnet sind.
  • Wir wenden uns Block 108 von 1A und 5 zu. Hier werden Leitungsendverlängerungen 502 in das Layout 200 eingefügt. Die Leitungsendverlängerungen 502 sind Druckstrukturelemente und verlängern die durch die Formen 202 und/oder 204 gebildeten Strukturelemente. In einigen Beispielen werden die durch die Leitungsendverlängerungen 502 gebildeten Strukturelemente anschließend in einem Schneidprozess teilweise oder vollständig entfernt, wodurch die durch die Formen 202 und 204 gebildeten Strukturelemente zurückbleiben.
  • Die Leitungsendverlängerungen 502 erstrecken sich jeweils von einer Form 202 des ersten Satzes oder einer Form 204 des zweiten Satzes und koppeln diese mit der Querelementform 302. Dabei können die Leitungsendverlängerungen 502 ein Leitungsende an ihren Abschlussenden vermeiden. Dementsprechend können sich die Leitungsendverlängerungen 502 um jede Länge 504 in der ersten Richtung 208 erstrecken, und in verschiedenen Ausführungsformen basiert die Länge auf einem Vielfachen einer Mindeststrukturelementbreite oder eines Mindestmittenabstands (zum Beispiel mindestens das 1,5-fache eines Mindestmittenabstands). In einem solchen Beispiel, wo die Breite 304 der Querelementform 302 ungefähr das Zweifache des Mindestmittenabstands beträgt, beträgt die Gesamtbreite 228 des Spalts 206 etwa das 5-fache des Mindestmittenabstands. Somit kann durch die Hinzufügung der Querelementform 302 und/oder der Leitungsendverlängerungen 502 der Spalt 206 schmaler sein als andere Beispiele, bei denen eines oder beides fehlt.
  • Die Breite der Leitungsendverlängerungen 502 (in der zweiten Richtung 210) kann auf den Formen 202 oder 204 basieren, von denen sie sich erstrecken. Dementsprechend sind in verschiedenen Beispielen die Leitungsendverlängerungen 502 dünner oder dicker als, oder im Wesentlichen so dick wie, die Formen 202 und/oder 204, von denen sie sich erstrecken. Wenn die Leitungsendverlängerungen 502 im Wesentlichen so dick sind wie ihre angrenzenden Formen 202 oder 204, so kann diese Konfiguration eine Veränderung der Breite und die damit einhergehenden Rundungseffekte vermeiden.
  • Wir wenden uns Block 110 von 1A und 6 zu. Hier werden OPC-Formen 602 in das Layout 200 eingefügt. Die OPC-Formen 602 können Sub-Resolution Assist Features (SRAFs), Serifen, Hammerköpfe, andere Strukturelemente und/oder andere Strukturelementverbesserungen enthalten. In einigen Beispielen enthalten die OPC-Formen 602 Serif-Formen, die an Übergängen hinzugefügt werden, wo Leitungsendverlängerungen 502 oder Füllformen 402 die Querelementform 302 treffen. Diese speziellen OPC-Formen 602 können dafür konfiguriert sein, das gedruckte Strukturelement dicker zu machen, um Einengungen und andere Unregelmäßigkeiten an den Übergängen zu vermeiden.
  • Es kann jede zweckmäßige OPC-Technik verwendet werden, um zu identifizieren, wo die OPC-Formen 602 einzufügen sind. In einigen Ausführungsformen vergleichen regelbasierte OPC-Techniken das Layout mit einem Satz Designregeln (zum Beispiel Beabstandungsregeln, Strukturelementregeln usw.), um Übergänge und andere Positionen mit einer erhöhten Wahrscheinlichkeit von Druckfehlern zu identifizieren. In einigen Ausführungsformen verwenden strukturbasierte OPC-Techniken einen Strukturabgleich, um Positionen mit einer erhöhten Wahrscheinlichkeit von Druckfehlern zu identifizieren. In regelbasierten und strukturbasierten Techniken kann eine OPC-Form 602 überall eingefügt werden, wo eine Wahrscheinlichkeit eines Fehlers eine Schwelle übersteigt. Zusätzlich oder alternativ können simulationsbasierte OPC-Techniken verwendet werden, um ein photolithographisches Belichten unter Verwendung der Strukturelemente des Layouts 200 zu simulieren. Anhand der simulierten lithographischen Ergebnisse identifizieren solche Techniken Übergänge und andere Positionen, wo die resultierenden Strukturelemente nicht den Spezifikationen entsprechen.
  • Wir wenden uns Block 112 von 1A und 7 zu. Hier werden Schneidformen 702 definiert. Die Schneidformen 702 definieren Regionen, wo Strukturelemente entfernt werden sollen, und in verschiedenen Beispielen bedecken sie Strukturelemente, die gebildet werden durch: die Querelementform 302, einige oder alle der Füllformen 402 und/oder einige oder alle der Leitungsendverlängerungen 502. Solche Strukturelemente können teilweise oder vollständig entfernt werden, und einzelne Schneidformen 702 können so verschmolzen werden, dass eine einzelne Schneidform 702 mehr als eines der Strukturelemente entfernt.
  • In einigen Beispielen werden die Schneidformen 702 verwendet, um eine Schneidmaske zu erzeugen, die sich von der Maske unterscheidet, die dafür verwendet wird, die Strukturelemente der Formen 202, der Formen 204, der Querelementform 302, der Füllformen 402 und/oder der Leitungsendverlängerungen 502 zu bilden. Nachdem die letztere Maske dafür verwendet wurde, die Strukturelemente zu bilden, wird die Schneidmaske dafür verwendet, solche externen Strukturelemente zu entfernen, die nicht den Formen 202 und Formen 204 entsprechen. Trotz der zusätzlichen Zeit, Kosten und Komplexität der Schneidmaske kann die verbesserte Wiedergabetreue, die durch die Querelementform 302, die Füllformen 402 und/oder die Leitungsendverlängerungen 502 geboten wird, ihre Verwendung rechtfertigen. Weil die Schneidformen 702 einer anderen Maske entsprechen, können sie dem Layout 200 und/oder einem entsprechenden, aber separaten Layout hinzugefügt werden.
  • Wir wenden uns Block 114 von 1A zu. Hier wird das Layout 200 bereitgestellt, um den integrierten Schaltkreis herzustellen, den es spezifiziert. Die Fertigung kann jede beliebige Anzahl von Prozessschritten enthalten, einschließlich Lithografie, Ätzen, Abscheidung, Epitaxie, Ausheilen, CMP, Reinigen und/oder andere Prozesse zum Herstellen eines physischen integrierten Schaltkreisbauelements. In einigen Beispielen bearbeitet der Fertigungsprozess selektiv Teile eines Werkstücks gemäß den durch die Formen 202, die Formen 204, die Querelementform 302, die Füllformen 402, die Leitungsendverlängerungen 502 und/oder die OPC-Formen 602 gebildeten Strukturelementen. Blöcke 116-146 und 8-22 beschreiben verschiedene Beispiele zweckmäßiger Fertigungsprozesse für integrierte Schaltkreise. Obgleich einige dieser Beispiele eine Materialschicht unter Verwendung dieser Strukturelemente strukturieren, werden andere Beispiele, die die Strukturelemente dafür verwenden, selektiv andere Fertigungsprozesse auszuführen (zum Beispiel Epitaxie, Abscheidung, Implantierung usw.), sowohl in Betracht gezogen als auch bereitgestellt.
  • Wir wenden uns Block 116 von 1A und 8 zu. Hier wird eine Photomaske 800 auf der Basis der Formen 202, der Formen 204, der Querelementform 302, der Füllformen 402, der Leitungsendverlängerungen 502 und der OPC-Formen 602 ausgebildet. Die Photomaske 800 hat Regionen 802 und 804 mit verschiedenen optischen Eigenschaften. Für eine reflektierende Photomaske 800 können die Regionen 802 reflektierende Regionen sein, und die Regionen 804 können absorbierende Regionen sein, oder umgekehrt. Für eine durchlässige Photomaske 800 können die Regionen 802 durchlässige Regionen sein, und die Regionen 804 können absorbierende Regionen sein 802, oder umgekehrt. In anschließenden Prozessen wird Licht, das durch die Photomaske 800 reflektiert oder durchgelassen wird, dafür verwendet, ein Werkstück auf der Basis dieser Regionen selektiv zu belichten.
  • Wir wenden uns Block 118 von 1A und den 9A und 9B zu. Hier wird ein Werkstück 900 empfangen und enthält ein Substrat 902, eine Hartmaske 904, die auf dem Substrat 902 angeordnet ist, und einen Photoresist 906, der auf der Hartmaske 904 angeordnet ist. In verschiedenen Beispielen enthält das Substrat 902 einen elementaren (ein-elementigen) Halbleiter, wie zum Beispiel Silizium oder Germanium in einer kristallinen Struktur; einen Verbundhalbleiter, wie zum Beispiel Silizium-Germanium, Siliziumcarbid, Gallium-Arsen, Galliumphosphid, Indiumphosphid, Indiumarsenid und/oder Indiumantimonid; ein Nicht-Halbleitermaterial, wie zum Beispiel Kalknatronglas, Kieselglas, Quarzglas und/oder Calciumfluorid (CaF2); und/oder Kombinationen davon.
  • Das Substrat 902 kann eine einheitliche Zusammensetzung haben oder verschiedene Schichten enthalten. Die Schichten können ähnliche oder verschiedene Zusammensetzungen haben, und in verschiedenen Ausführungsformen haben einige Substratschichten nichtgleichmäßige Zusammensetzungen, um eine Dehnung des Bauelements herbeizuführen und dadurch die Bauelement-Leistung abzustimmen. Zu Beispielen geschichteter Substrate gehören Silizium-auf-Isolator (SOI)-Substrate 902. In einigen solcher Beispiele kann eine Schicht des Substrats 902 einen Isolator enthalten, wie zum Beispiel ein Halbleiteroxid, ein Halbleiternitrid, ein Halbleiteroxynitrid, ein Halbleitercarbid und/oder anderen zweckmäßige Isolatormaterialien.
  • Auf dem Substrat 902 kann jede zweckmäßige Hartmaske 904 angeordnet sein. In einigen Beispielen enthält die Hartmaske 904 ein Maskierungsmaterial, das dafür verwendet wird, darunterliegende Regionen des Substrats 902 während der Verarbeitung zu schützen. Zu zweckmäßigen Materialien für eine Hartmaske 904 gehören Dielektrika (zum Beispiel Halbleiteroxide, Halbleiternitride, Halbleiteroxynitride, Halbleitercarbide, Metalloxide, andere Metallverbindungen usw.), Metalle, Metalllegierungen, Polysilizium und/oder andere zweckmäßige Materialien. In einem Beispiel enthält die Hartmaske 904 Siliziumnitrid.
  • Wir wenden uns Block 120 von 1A und den 10A und 10B zu. Hier wird ein lithographisches Belichten auf dem Werkstück 900 unter Verwendung der Photomaske 800 ausgeführt, wodurch ausgewählte Regionen des Photoresists 906 einer Strahlung ausgesetzt werden. Das Belichten bewirkt eine chemische Reaktion in den belichteten Regionen des Photoresists 906. Nach dem Belichten wird ein Entwickler auf den Photoresist 906 aufgebracht. Der Entwickler löst oder entfernt auf sonstige Weise entweder die belichteten Regionen im Fall eines positiven Resistentwicklungsprozesses oder die unbelichteten Regionen im Fall eines negativen Resistentwicklungsprozesses. Zu geeigneten positiven Entwicklern gehören TMAH (Tetramethylammoniumhydroxid), KOH und NaOH, und zu geeigneten negativen Entwicklern gehören Lösemittel, wie zum Beispiel n-Butylacetat, Ethanol, Hexan, Benzen und Toluen. In verschiedenen Beispielen legt der entwickelte Photoresist 906 Abschnitte der Hartmaske 904 frei, die nicht den Formen 202, den Formen 204, der Querelementform 302, der Füllformen 402, den Leitungsendverlängerungen 502 und/oder den OPC-Formen 602 des Layouts 200 entsprechen.
  • Wir wenden uns Block 122 von 1A und den 11A und 11B zu. Nachdem der Photoresist 906 entwickelt wurde, kann die Hartmaske 904 mittels eines Ätzprozesses strukturiert werden, der Abschnitte der Hartmaske 904 entfernt, die durch den Photoresist 906 freigelegt wurden. In verschiedenen Beispielen wird das Ätzen durch Nassätzen, Trockenätzen, Reaktives Ionenätzen (RIE), Ashing und/oder andere Ätzverfahren unter Verwendung von Ätzchemikalien wie zum Beispiel Kohlenstofftetrafluorid (CF4), Difluormethan (CH2F2), Trifluormethan (CHF3), andere zweckmäßige Ätzmittel und/oder Kombinationen davon ausgeführt. Der Ätzprozess und/oder die Chemikalien können so gewählt werden, dass die Hartmaske 904 ohne signifikantes Ätzen des Photoresists 906 und/oder des Substrats 902 geätzt wird. Nach dem Ätzen der Hartmaske 904 kann der Photoresist 906 entfernt werden. Die strukturierte Hartmaske 904 kann Strukturelemente entsprechend den Formen 202, den Formen 204, der Querelementform 302, den Füllformen 402, den Leitungsendverlängerungen 502 und/oder den OPC-Formen 602 haben.
  • Wir wenden uns Block 124 von 1A und 12 zu. Hier wird eine Schneidphotomaske 1200 auf der Basis der Schneidformen 702 des Layouts ausgebildet. Ähnlich der Photomaske 800 hat die Schneidphotomaske 1200 Regionen 1202 und 1204 mit verschiedenen optischen Eigenschaften. Für eine reflektierende Schneidphotomaske 1200 können die Regionen 1202 reflektierende Regionen sein, und die Regionen 1204 können absorbierende Regionen sein, oder umgekehrt. Für eine durchlässige Schneidphotomaske 1200 können die Regionen 1202 durchlässige Regionen sein, und die Regionen 1204 können absorbierende Regionen sein, oder umgekehrt. In anschließenden Prozessen wird Licht, das durch die Schneidphotomaske 1200 reflektiert oder durchgelassen wird, dafür verwendet, das Werkstück 900 auf der Basis dieser Regionen selektiv zu belichten.
  • Wir wenden uns Block 126 von 1B und den 13A und 13B zu. Hier wird ein zweiter Photoresist 1302 auf dem Substrat 902 ausgebildet, und ein lithographisches Belichten wird auf dem Werkstück 900 unter Verwendung der Schneidphotomaske 1200 ausgeführt, wodurch ausgewählte Regionen des zweiten Photoresists 1302 einer Strahlung ausgesetzt werden. Das kann im Wesentlichen wie in Block 120 von 1A beschrieben ausgeführt werden. In verschiedenen Beispielen legt der strukturierte zweite Photoresist 1302 Abschnitte der Hartmaske, die der Querelementform 302, den Füllformen 402, den Leitungsendverlängerungen 502 und/oder des OPC-Formen 602 des Layouts 200 entsprechen, auf der Basis der Schneidformen 702 frei, ohne Abschnitte frei zu legen, die den Formen 202 und 204 entsprechen.
  • Wir wenden uns Block 128 von 1B und den 14A und 14B zu. Hier wird ein Ätzprozess ausgeführt, der Abschnitte der Hartmaske 904 entfernt, die durch den zweiten Photoresist 1302 freigelegt wurden. In verschiedenen Beispielen wird das Ätzen durch Nassätzen, Trockenätzen, RIE, Ashing und/oder andere Ätzverfahren unter Verwendung beliebiger zweckmäßiger Ätzchemikalien ausgeführt. Der Ätzprozess und/oder die Ätzmittelchemikalien können so ausgewählt werden, dass die Hartmaske 904 ohne signifikantes Ätzen des zweiten Photoresists 1302 und/oder des Substrats 902 geätzt wird. Nach dem Ätzen der Hartmaske 904 kann der zweite Photoresist 1302 entfernt werden. Das Ätzen definiert Dorne 1402 in dem übrigen Material der Hartmaske 904.
  • Es wird angemerkt, dass zwar die Blöcke 130-144 beschreiben, das Substrat 902 unter Verwendung der Dorne der Hartmaske 1402 zu ätzen, um Rippen für ein FinFET-Bauelement zu definieren, dass aber andere Beispiele die strukturierte Hartmaske 904 in Ätzprozessen verwenden, um Gate-Strukturelemente zu definieren, um Leiterbahnen und/oder Durchkontaktierungen zu definieren und/oder um andere Strukturelemente zu definieren. Weitere Beispiele verwenden die strukturierte Hartmaske 904 in anderen Prozessen als Ätzen (zum Beispiel Epitaxie, Abscheidung, Implantierung usw.). In einigen Beispielen werden die Dorne 1402 in einer Doppelstrukturierung, Vierfachstrukturierung oder anderen Mehrfachstrukturierungsprozessen verwendet, um mehr als eine Form aus jedem Dorn 1402 zu bilden. Die Beispiele der Blöcke 130-140 und der 15A-20 beschreiben einen Vierfachstrukturierungsprozess, obgleich es sich versteht, dass der Prozess so modifiziert werden kann, dass andere Mehrfachstrukturierungsprozesse ausgeführt werden.
  • Wir wenden uns Block 130 von 1B und den 15A und 15B zu. Hier wird eine erste Abstandshalterschicht 1502 auf den Dornen 1402 der Hartmaske 904 ausgebildet. Die erste Abstandshalterschicht 1502 kann beliebiges zweckmäßiges Material (zum Beispiel Halbleiter, Halbleiteroxid, Halbleiternitrid, Halbleiteroxynitrid, Halbleitercarbid usw.) enthalten und kann so ausgewählt werden, dass sie eine andere Ätzselektivität besitzt als die Hartmaske 904. Die erste Abstandshalterschicht 1502 kann durch einen beliebigen zweckmäßigen Prozess gebildet werden, einschließlich CVD, HDP-CVD, ALD, PVD und/oder andere zweckmäßige Abscheidungstechniken. In einigen solchen Ausführungsformen wird die erste Abstandshalterschicht 1502 konform durch CVD oder ALD abgeschieden.
  • Wir wenden uns Block 132 von 1B und den 16A und 16B zu. Hier wird ein Ätzprozess auf der ersten Abstandshalterschicht 1502 ausgeführt, um die erste Abstandshalterschicht 1502 von horizontalen Flächen der Hartmaske 904 und des Substrats 902 zu entfernen. Der Ätzprozess kann unter Verwendung einer anisotropen (gerichteten) Ätztechnik ausgeführt werden, wie zum Beispiel ein anisotropes Plasmaätzen oder eine andere zweckmäßige Ätztechnik. Wie in den 16A und 16B zu sehen, verbleiben Abschnitte der ersten Abstandshalterschicht 1502 auf den vertikalen Flächen der Hartmaske 904.
  • Wir wenden uns Block 134 von 1B und 17 zu. Hier werden die Dorne 1402 der Hartmaske 904 von dem Substrat 902 entfernt. In verschiedenen Beispielen werden die Dorne 1402 durch Nassätzen, Trockenätzen, RIE, Ashing und/oder andere Ätzverfahren unter Verwendung beliebiger zweckmäßiger Ätzchemikalien entfernt. Der Ätzprozess und/oder die Ätzchemikalien können so gewählt werden, dass die Hartmaske 904 ohne signifikantes Ätzen der ersten Abstandshalterschicht 1502 und/oder des Substrats 902 geätzt wird.
  • Die Techniken der Blöcke 130-134 können beliebig oft wiederholt werden, um zusätzliche Abstandshalter-Strukturelemente zu bilden. Wir wenden uns Block 136 von 1B und 18 zu. Hier wird eine zweite Abstandshalterschicht 1802 auf der strukturierten ersten Abstandshalterschicht 1502 ausgebildet. Die zweite Abstandshalterschicht kann ein beliebiges zweckmäßiges Material (zum Beispiel Halbleiter, Halbleiteroxid, Halbleiternitrid, Halbleiteroxynitrid, Halbleitercarbid usw.) enthalten und kann so gewählt werden, dass es eine andere Ätzselektivität besitzt als die erste Abstandshalterschicht 1502. Die zweite Abstandshalterschicht 1802 kann durch einen beliebigen zweckmäßigen Prozess abgeschieden werden, einschließlich CVD, HDP-CVD, ALD, PVD und/oder anderen zweckmäßige Abscheidungstechniken. In einigen solchen Ausführungsformen wird die zweite Abstandshalterschicht 1802 konform durch CVD oder ALD abgeschieden.
  • Wir wenden uns Block 138 von 1B und 19 zu. Hier wird ein Ätzprozess auf der zweiten Abstandshalterschicht 1802 ausgeführt, um die zweite Abstandshalterschicht 1802 von horizontalen Flächen der ersten Abstandshalterschicht 1502 und des Substrats 902 zu entfernen. Der Ätzprozess kann unter Verwendung einer anisotropen Ätztechnik ausgeführt werden, wie zum Beispiel ein anisotropes Plasmaätzen oder eine andere zweckmäßige Ätztechnik. Nach dem Ätzen verbleiben Abschnitte der zweiten Abstandshalterschicht 1802 auf den vertikalen Flächen der ersten Abstandshalterschicht 1502.
  • Wir wenden uns Block 140 von 1B und 20 zu. Hier wird der Rest der ersten Abstandshalterschicht 1502 entfernt. In verschiedenen Beispielen wird die erste Abstandshalterschicht 1502 mittels eines Ätzprozesses wie zum Beispiel Nassätzen, Trockenätzen, RIE, Ashing und/oder anderer Ätzverfahren unter Verwendung beliebiger zweckmäßiger Ätzchemikalien entfernt. Der Ätzprozess und/oder die Ätzchemikalien können so gewählt werden, dass die erste Abstandshalterschicht 1502 ohne signifikantes Ätzen der zweiten Abstandshalterschicht 1802 und/oder des Substrats 902 geätzt wird.
  • Wie oben angemerkt, können die Techniken der Blöcke 130-140 beliebig oft wiederholt werden, um eine Abstandshalterschicht mit einer gewünschten Anzahl von Abstandshalter-Strukturelementen zu bilden. Wenn die gewünschte Abstandshalterschicht ausgebildet wurde, kann sie dafür verwendet werden, das Substrat 902 zu ätzen. Zum Beispiel wird, unter Bezug auf Block 142 von 1B und 21, ein Ätzprozess ausgeführt, um das Substrat 902 zu ätzen und dadurch Rippen 2102 darin zu definieren. In verschiedenen Beispielen wird das Ätzen durch Nassätzen, Trockenätzen, RIE, Ashing und/oder andere Ätzverfahren unter Verwendung beliebiger zweckmäßiger Ätzchemikalien ausgeführt. Der Ätzprozess und/oder die Ätzchemikalien können so gewählt werden, dass das Substrat 902 ohne signifikantes Ätzen der zweiten Abstandshalterschicht 1802 geätzt wird. Die Dauer des Ätzprozesses kann dafür konfiguriert sein, Rippen 2102 von beliebiger zweckmäßiger Abmessung zu erzeugen.
  • Wir wenden uns Block 144 von 1B und 22 zu. Hier wird der Rest der zweiten Abstandshalterschicht 1802 von dem Substrat 902 entfernt. In verschiedenen Beispielen wird die zweite Abstandshalterschicht 1802 durch Ätzen, wie zum Beispiel Nassätzen, Trockenätzen, RIE, Ashing und/oder andere Ätzverfahren unter Verwendung beliebiger zweckmäßiger Ätzchemikalien entfernt. Der Ätzprozess und/oder die Ätzchemikalien können so gewählt werden, dass die zweite Abstandshalterschicht 1802 ohne signifikantes Ätzen des Substrats 902 geätzt wird.
  • Wir wenden uns Block 146 von 1B zu. Hier wird das Werkstück 900 für die weitere Fertigung des integrierten Schaltkreises bereitgestellt. In verschiedenen Beispielen enthält die Fertigung: Ausbilden eines Platzhalter-Poly-Gates über einer Kanalregion der Rippen 2102, Ausbilden von Source/Drain-Strukturelementen auf den Rippen 2102, Ersetzen des Platzhalter-Poly-Gates durch ein Metall-Gate, Ausbilden einer Interconnect-Verbindung, die das Metall-Gate und/oder die Source/Drain-Strukturelemente elektrisch mit dem übrigen Schaltkreis verbindet, und/oder andere zweckmäßige Fertigungsprozesse.
  • In einigen Beispielen kann die Querelementform weggelassen werden, und die Leitungsendverlängerungen können verlängert werden, bis sie sich treffen. Einige solche Beispiele werden mit Bezug auf die 23-27 beschrieben. In dieser Hinsicht ist 23 ein Flussdiagramm eines Verfahrens 2300 zur Herstellung eines integrierten Schaltkreises, gemäß verschiedenen Aspekten der vorliegenden Offenbarung. Weitere Schritte können vor, während und nach dem Verfahren 2300 ausgeführt werden, und einige der beschriebenen Schritte können ersetzt oder weggelassen werden, um andere Ausführungsformen des Verfahrens 2300 zu erhalten. 24-27 sind Draufsichten eines Abschnitts eines Layouts 2400 zum Herstellen eines integrierten Schaltkreises, der dem Verfahren 2300 unterzogen wird, gemäß verschiedenen Aspekten der vorliegenden Offenbarung.
  • Wir wenden uns zuerst Block 2302 von 23 und 24 zu. Hier wird ein Layout 2400 empfangen, das einen ersten Satz Formen 2402 und einen zweiten Satz Formen 2404 enthält, die durch einen Spalt 2406 getrennt sind. In vielerlei Hinsicht kann das Layout 2400 im Wesentlichen dem Layout 200 der 2-7 ähneln. Das Layout 2400 kann eine digitale Repräsentation eines integrierten Schaltkreises sein, und die Formen 2402 und 2404 des Layouts 2400 können physischen Strukturelementen eines Werkstücks entsprechen und diese definieren.
  • Das Layout 2400 kann jede beliebige Anzahl von Formen auf jeder beliebigen Anzahl von Schichten enthalten. Die Formen 2402 des ersten Satzes und die Formen 2404 des zweiten Satzes repräsentieren ähnliche Strukturelemente in derselben Schicht. Die Formen 2402 erstrecken sich in der ersten Richtung 208 und verlaufen im Wesentlichen parallel zueinander. Die Formen 2402 des ersten Satzes können jede zweckmäßige Breite 2412 (in der zweiten Richtung 210), jeden zweckmäßigen Mittenabstand 2414 und jede zweckmäßige Mindestbeabstandung 2416 (in der zweiten Richtung 210) haben. In einigen Beispielen haben die Formen 2402 des ersten Satzes Leitungsenden, die entlang einer gemeinsamen Grenze 2418 in der zweiten Richtung 210 abgeschlossen sind.
  • Die Formen 2404 des zweiten Satzes erstrecken sich auch in der ersten Richtung 208 und verlaufen im Wesentlichen parallel zueinander. Die Formen 2404 des zweiten Satzes können jede zweckmäßige Breite 2420 (in der zweiten Richtung 210), jeden zweckmäßigen Mittenabstand 2422 und jede zweckmäßige Mindestbeabstandung 2424 (in der zweiten Richtung 210) haben, und die Aspekte von Formen 2404, wie zum Beispiel die Breite, die Mittenabstand und die Beabstandung, können von denen der Formen 2402 abweichen. In einigen Beispielen haben die Formen 2404 des zweiten Satzes Leitungsenden, die entlang einer gemeinsamen Grenze 2426 in der zweiten Richtung 210 abgeschlossen sind. Der Spalt 2406 erstreckt sich zwischen der Grenze 2418 des ersten Satzes und der Grenze 2426 des zweiten Satzes und kann jede zweckmäßige Breite 2428 in der ersten Richtung 208 haben.
  • Wir wenden uns Block 2304 von 23 und 25 zu. Hier werden Füllformen 2502 in das Layout 2400 zwischen den Formen 2402 des ersten Satzes und/oder den Formen 2404 des zweiten Satzes eingefügt. Dies kann im Wesentlichen wie in Block 106 von 1A beschrieben ausgeführt werden. Die Füllformen 2502 sind Druckstrukturelemente und entsprechen auf dem Werkstück auszubildenden Strukturelementen. In einigen Beispielen werden die durch die Füllformen 2502 gebildeten Strukturelemente anschließend in einem Schneidprozess teilweise oder vollständig entfernt, wodurch die durch die Formen 2402 und 2404 gebildeten Strukturelemente zurückbleiben.
  • In einigen Beispielen werden die Füllformen 2502 in unbelegte Routungsbahnen innerhalb des ersten Satzes und/oder des zweiten Satzes eingefügt. In solchen Beispielen können die Füllformen 2502 im gleichen Mittenabstand angeordnet werden wie die Formen 2402 und/oder 2404, zwischen denen sie angeordnet sind. Die Füllformen 2502 können jede zweckmäßige Breite (in der zweiten Richtung 210) haben und können dünner oder dicker als, oder im Wesentlichen so dick wie, die Formen 2402 und/oder 2404 sein, zwischen denen sie angeordnet sind. In einigen Beispielen haben die Füllformen 2502, die zwischen den Formen 2402 angeordnet sind, eine andere Breite, eine andere Beabstandung und/oder einen anderen Mittenabstand als die Füllformen 2502, die zwischen den Formen 2404 angeordnet sind.
  • Die Füllformen 2502 können sich in der ersten Richtung 208 bis zu einer Mittellinie des Spaltes 2406 erstrecken. Einige Füllformen 2502, die innerhalb des ersten Satzes Formen 2402 angeordnet sind, erstrecken sich zu den, und sind gekoppelt mit den, Füllformen 2502, die innerhalb des zweiten Satzes Formen 2404 angeordnet sind. In Abhängigkeit von der Breite, dem Mittenabstand und/oder der Beabstandung sind einige Füllformen 2502 mit mehr als einer anderen Füllform 2502 gekoppelt. Zwar kann es sein, dass die Füllformen 2502, die gekoppelt sind, nicht vollständig aufeinander ausgerichtet sind, doch der resultierenden Stoß oder die resultierende Änderung der Breite kann weniger abrupt sein als ein Leitungsende. Dementsprechend kann das Koppeln der Füllformen 2502 den Rundungsgrad reduzieren.
  • Wir wenden uns Block 2306 von 23 und 26 zu. Hier werden Leitungsendverlängerungen 2602 in das Layout 2400 eingefügt. Dies kann im Wesentlichen wie in Block 108 von 1A beschrieben ausgeführt werden. Die Leitungsendverlängerungen 2602 sind Druckstrukturelemente und verlängern die durch die Formen 2402 und/oder 2404 gebildeten Strukturelemente. In einigen Beispielen werden die durch die Leitungsendverlängerungen 2602 gebildeten Strukturelemente anschließend in einem Schneidprozess teilweise oder vollständig entfernt, wodurch die durch die Formen 2402 und 2404 gebildeten Strukturelemente zurückbleiben.
  • Die Leitungsendverlängerungen 2602 erstrecken sich jeweils von einer Form 2402 des ersten Satzes oder einer Form 2404 des zweiten Satzes zur Mittellinie des Spalts 2406. Dementsprechend können sich die Leitungsendverlängerungen 2602 um jede beliebige Länge 2604 in der ersten Richtung 208 erstrecken, und in verschiedenen Ausführungsformen basiert die Länge auf einem Vielfachen einer Mindeststrukturelementbreite oder eines Mindestmittenabstands (zum Beispiel mindestens das 3-fache eines Mindestmittenabstands). Die Leitungsendverlängerungen 2602 können mit anderen Leitungsendverlängerungen 2602 und/oder Füllformen 2502 in dem Spalt 2406 gekoppelt sein. In Abhängigkeit von der Breite, dem Mittenabstand und/oder der Beabstandung sind einige Leitungsendverlängerungen 2602 mit mehr als einer anderen Leitungsendverlängerung 2602 und/oder Füllform 2502 gekoppelt. Wie bei den Füllformen 2502 kann der resultierende Stoß oder die resultierende Veränderung der Breite an dem Übergang weniger abrupt sein als ein Leitungsende.
  • Die Breite der Leitungsendverlängerungen 2602 (in der zweiten Richtung 210) kann auf den Formen 2402 oder 2404 basieren, von denen sie sich erstrecken. Dementsprechend sind in verschiedenen Beispielen die Leitungsendverlängerungen 2602 dünner oder dicker als, oder im Wesentlichen so dick wie, die Formen 2402 und/oder 2404, von denen sie sich erstrecken.
  • Wir wenden uns Block 2308 von 23 und 27 zu. Hier werden OPC-Formen 2702 in das Layout 2400 eingefügt. Dies kann im Wesentlichen wie in Block 110 von 1A beschrieben ausgeführt werden. In einigen Beispielen enthalten die OPC-Formen 2702 Serif-Formen, die an Übergängen hinzugefügt werden, wo Leitungsendverlängerungen 2602 und/oder Füllformen 2502 gekoppelt sind. Diese speziellen OPC-Formen 2702 können dafür konfiguriert sein, die gedruckte Form dicker zu machen, um Einengungen und andere Unregelmäßigkeiten an den Übergängen zu vermeiden. Des Weiteren verbinden einige OPC-Formen 2702 Leitungsendverlängerungen 2602 und/oder Füllformen 2502, die ansonsten nicht gekoppelt wären.
  • Wir wenden uns Block 2310 von 23 und 28 zu. Hier werden Schneidformen 2802 definiert. Dies kann im Wesentlichen wie in Block 112 von 1A beschrieben ausgeführt werden. Die Schneidformen 2802 definieren die Regionen, wo Strukturelemente entfernt werden sollen, und in verschiedenen Beispielen bedecken sie Strukturelemente, die gebildet werden durch: einige oder alle der Füllformen 2502 und/oder einige oder alle der Leitungsendverlängerungen 2602. Einzelne Schneidformen 2802 können so verschmolzen werden, dass eine einzelne Schneidform 2802 mehr als eines der Strukturelemente und/oder mehr als eine der Verlängerungen entfernt.
  • Wir wenden uns Block 2312 von 23 zu. Hier wird das Layout 2400 zum Herstellen der Masken und zum Herstellen des integrierten Schaltkreises, den es spezifiziert, bereitgestellt. Wie durch Block 2314 von 23 angedeutet, kann der Fertigungsprozess im Wesentlichen wie in den Blöcken 116-146 der 1A und 1B beschrieben ausgeführt werden.
  • In einigen Beispielen sind Leitungsendverlängerungen und andere Formen in Füllerzellen enthalten, die dem Layout hinzugefügt werden. Die Füllerzellen können so angeordnet werden, dass die Leitungsendverlängerungen, die sie enthalten, andere Formen miteinander koppeln, um entsprechende Leitungsenden zu vermeiden. Einige solche Beispiele werden mit Bezug auf die 29-33 beschrieben. In dieser Hinsicht ist 29 ein Flussdiagramm eines Verfahrens 2900 zur Herstellung eines integrierten Schaltkreises, das das Hinzufügen von Füllerzellen enthält, gemäß verschiedenen Aspekten der vorliegenden Offenbarung. Weitere Schritte können vor, während und nach dem Verfahren 2900 ausgeführt werden, und einige der beschriebenen Schritte können ersetzt oder weggelassen werden, um andere Ausführungsformen des Verfahrens 2900 zu erhalten. 30-32 sind Draufsichten eines Abschnitts eines Layouts 3000 zum Herstellen eines integrierten Schaltkreises, der dem Verfahren 2900 der Fertigung mit Füllerzellen unterzogen wird, gemäß verschiedenen Aspekten der vorliegenden Offenbarung. 33 ist eine Draufsicht eines Abschnitts eines Werkstücks 3300, das gemäß dem Layout 3000 mit Füllerzellen hergestellt wird, gemäß verschiedenen Aspekten der vorliegenden Offenbarung.
  • Wir wenden uns zuerst Block 2902 von 29 und 30 zu. Hier wird ein Layout 3000 empfangen, das einen ersten Satz Formen 3002 und einen zweiten Satz Formen 3004 enthält, die durch einen Spalt 3006 getrennt sind. In vielerlei Hinsicht kann das Layout 3000 im Wesentlichen dem Layout 200 der 2-7 und/oder dem Layouts 2400 der 24-28 ähneln. Das Layout 3000 kann eine digitale Repräsentation eines integrierten Schaltkreises sein, und die Formen 3002 und 3004 des Layouts 3000 können physischen Strukturelementen eines Werkstücks entsprechen und diese definieren.
  • Das Layout 3000 kann jede beliebige Anzahl von Formen auf jeder beliebigen Anzahl von Schichten enthalten. Die Formen 3002 des ersten Satzes und die Formen 3004 des zweiten Satzes repräsentieren ähnliche Strukturelemente in derselben Schicht. Die Formen 3002 erstrecken sich in der ersten Richtung 208 und verlaufen im Wesentlichen parallel zueinander. Die Formen 3002 des ersten Satzes können jede zweckmäßige Breite (in der zweiten Richtung 210), jeden zweckmäßigen Mittenabstand und jede zweckmäßige Mindestbeabstandung (in der zweiten Richtung 210) haben. Es wird angemerkt, dass die Formen 3002 des ersten Satzes verschiedene Breiten, Mittenabstände und/oder Mindestbeabstandungen haben können. Zum Beispiel haben die Formen 3002 in einer ersten Region 3008 des Layouts 3000 eine erste Breite 3012, einen ersten Mittenabstand 3014 und eine erste Mindestbeabstandung 3016, während die Formen 3002 in einer zweiten Region 3010 des Layouts 3000 eine zweite Breite 3018, einen zweiten Mittenabstand 3020 und eine zweite Mindestbeabstandung 3022 haben, die von denen der Formen 3002 in der ersten Region 3008 verschieden sind.
  • Dementsprechend können die Formen 3002 einem oder mehreren lokalen Gitternetzen entsprechen, die verfügbare Positionen für eine Form 3002 definieren. Das lokale Gitternetz, und durch Verlängerung die Formen 3002, kann als auf dem Gitternetz liegend angesehen werden, wenn es einem globalen Gitternetz des Layouts 3000 entspricht, oder kann als außerhalb des Gitternetzes liegend angesehen werden, wenn es das nicht tut. In verschiedenen Beispielen liegen die Formen 3002 außerhalb des Gitternetzes, um spezialisierte Schaltkreisbauelemente für Speicher-, E/A-, Niederfrequenz-, Niedrigleistungs-, Hochfrequenz-, Hochleistungs- und/oder andere spezialisierte Anwendungen zu definieren und zu bilden.
  • In einigen Beispielen haben die Formen 3002 des ersten Satzes Leitungsenden, die entlang einer gemeinsamen Grenze 3024 in der zweiten Richtung 210 abgeschlossen sind.
  • Die Formen 3004 des zweiten Satzes erstrecken sich auch in der ersten Richtung 208 und verlaufen im Wesentlichen parallel zueinander. Die Formen 3004 des zweiten Satzes können jede zweckmäßige Breite (in der zweiten Richtung 210), jeden zweckmäßigen Mittenabstand und jede zweckmäßige Mindestbeabstandung (in der zweiten Richtung 210) haben, und die Aspekte der Formen 3004, wie zum Beispiel die Breite, die Mittenabstand und die Beabstandung, können von denen der Formen 3002 abweichen. Die Formen 3004 des zweiten Satzes können verschiedene Breiten, Mittenabstände und/oder Mindestbeabstandungen im Vergleich zu den Formen 3002 des ersten Satzes und im Vergleich zueinander haben. Zum Beispiel haben die Formen 3004 in einer dritten Region 3026 des Layouts 3000 eine dritte Breite 3030, einen dritten Mittenabstand 3032 und eine dritte Mindestbeabstandung 3034, während die Formen 3004 in einer vierten Region 3028 des Layouts 3000 eine vierte Breite 3036, einen vierten Mittenabstand 3038 und eine vierte Mindestbeabstandung 3040 haben, die von denen der Formen 3004 in der dritten Region 3026 verschieden sind.
  • Wie die Formen 3002, können auch die Formen 3004 einem oder mehreren lokalen Gitternetzen entsprechen, die verfügbare Positionen für eine Form 3004 definieren. In verschiedenen Beispielen liegen die Formen 3004 außerhalb des Gitternetzes, um spezialisierte Schaltkreisbauelemente für Speicher-, E/A-, Niederfrequenz-, Niedrigleistungs-, Hochfrequenz-, Hochleistungs- und/oder andere spezialisierte Anwendungen zu definieren. In einigen Beispielen sind das oder die lokalen Gitternetze der Formen 3004 auf das oder die lokalen Gitternetze der Formen 3002 ausgerichtet, obgleich die lokalen Gitternetze es in anderen Beispielen nicht sind.
  • In einigen Beispielen haben die Formen 3004 des zweiten Satzes Leitungsenden, die entlang einer gemeinsamen Grenze 3042 in der zweiten Richtung 210 abgeschlossen sind. Der Spalt 3006 erstreckt sich zwischen der Grenze 3024 des ersten Satzes und der Grenze 3042 des zweiten Satzes und kann jede zweckmäßige Breite 3044 in der ersten Richtung 208 haben. Die Breite 3044 des Spalts 3006 wird in anschließenden Figuren ausführlicher beschrieben.
  • Wir wenden uns Block 2904 von 29 und 31 zu. Hier werden die Füllerzellen 3102, die Leitungsendverlängerungen 3104 enthalten, in das Layout 3000 eingefügt. Dies kann im Wesentlichen wie in Block 108 von 1A und/oder Block 2306 von 23 beschrieben ausgeführt werden. Die Leitungsendverlängerungen 3104 der Füllerzellen 3102 sind Druckstrukturelemente und verlängern die durch die Formen 3002 und/oder 3004 gebildeten Strukturelemente. In einigen Beispielen werden die durch die Leitungsendverlängerungen 3104 gebildeten Strukturelemente anschließend in einem Schneidprozess teilweise oder vollständig entfernt, wodurch die gebildeten Strukturelemente durch die Formen 3002 und 3004 zurückbleiben. Ein Vorteil des Zurückbleibens mindestens eines Abschnitts der Leitungsendverlängerungen 3104 ist, dass die auf einem Werkstück angeordneten entsprechenden Strukturelemente dazu dienen können, andere Materialien, wie zum Beispiel ein Zwischenschichtdielektrikum (ILD), zu verstärken. Genauer gesagt, können die Strukturelemente innerhalb einer ILD ausgebildet werden, und aufgrund von Härteunterschieden kann in den Regionen des ILD-Materials, die nicht durch eine bestimmte Dichte von Strukturelementen verstärkt werden, Höckerbildung oder Napfbildung selbst nach einem Chemisch-Mechanischen Polier/Planarisierungs (CMP)-Prozess auftreten. In einigen Beispielen vermeiden die übrigen Abschnitte der Leitungsendverlängerungen 3104 diese Unregelmäßigkeiten durch Verstärken des ILD innerhalb des Spalts 3006.
  • Die Leitungsendverlängerungen 3104 können die Formen 3002 des ersten Satzes mit Formen 3004 des zweiten Satzes koppeln, und dementsprechend können die Füllerzellen 3102 dafür konfiguriert sein, Leitungsendverlängerungen 3104 zu haben, die auf das oder die lokalen Gitternetze der Formen 3002 und der Formen 3004 ausgerichtet sind. In einigen Beispielen werden die Füllerzellen 3102 aus einer Bibliothek auf der Basis der lokale Gitternetze (und - durch Verlängerung - der Breiten, Mittenabstände und/oder Mindestbeabstandungen) der Formen 3002 und der Formen 3004 ausgewählt. Demgemäß entsprechen in einem solchen Beispiel die Formen 3002, die Formen 3004 und die Leitungsendverlängerungen 3104 der Füllerzellen 3102 jeweils demselben außerhalb des Gitternetzes liegenden lokalen Gitternetz.
  • In einigen Beispielen kann, weil die Leitungsendverlängerungen 3104 der Füllerzellen 3102 auf die Formen 3002 und 3004 ausgerichtet sind, selbst dann, wenn die Formen 3002 und 3004 außerhalb des Gitternetzes liegen, der Spaltbreite 3044 reduziert werden, da ein Füllmaterial zwischen den Formen 3002 und 3004 und den Füllerzellen 3102 weggelassen wird. Gleichermaßen können in einigen solcher Beispiele, weil die Leitungsendverlängerungen 3104 der Füllerzellen 3102 auf die Formen 3002 und 3004 ausgerichtet sind, die Breite der Füllerzellen 3102 und - durch Verlängerung - die Spaltbreite 3044 reduziert werden. In einem Beispiel konnte dadurch die Spaltbreite 3044 um mehr als das Dreifache im Vergleich zu einer Referenz mit Füllerzellen 3102, wo die Leitungsendverlängerungen 3104 exakt auf dem Gitternetz lagen, reduziert werden.
  • Aus ähnlichen Gründen können die Attribute, die das Gitternetz (zum Beispiel die Breite, den Mittenabstand, die Beabstandung usw.) der Leitungsendverlängerungen 3104 (in der zweiten Richtung 210) definieren, auf den Formen 3002 und 3004 basieren, von denen sie sich erstrecken. Dementsprechend sind in verschiedenen Beispielen die Leitungsendverlängerungen 3104 im Wesentlichen so dick wie die Formen der Formen 3002 und 3004, zwischen denen sie sich erstrecken und mit denen sie gekoppelt sind, sind im Wesentlichen im gleichen Mittenabstand angeordnet und haben im Wesentlichen die gleiche Mindestbeabstandung.
  • Wir wenden uns Block 2906 von 29 und 32 zu. Hier werden Schneidformen 3202 definiert. Dies kann im Wesentlichen wie in Block 112 von 1A und/oder Block 2310 von 23 beschrieben ausgeführt werden. Die Schneidformen 3202 definieren Regionen, wo Strukturelemente entfernt werden sollen, und in verschiedenen Beispielen bedecken sie einige oder alle der gebildeten Strukturelemente durch einige oder alle der Leitungsendverlängerungen 3104. Wie oben angemerkt, ist ein Vorteil des Zurückbleibens mindestens eines Abschnitts der Leitungsendverlängerungen 3104, dass die auf einem Werkstück angeordneten entsprechenden Strukturelemente andere Materialien, wie zum Beispiel ein Zwischenschichtdielektrikum (ILD), verstärken.
  • In einigen Beispielen enthalten die Füllerzellen 3102 die jeweiligen Schneidformen 3202. In einigen Beispielen werden die Schneidformen 3202 prozedural generiert, nachdem die Füllerzellen 3102 eingefügt wurden. Die prozedural generierten Schneidformen 3202 können Schneidformen 3202 enthalten, wo Leitungsendverlängerungen 3104 funktionale Formen treffen, wie zum Beispiel Formen 3002 und 3004, während Schneidformen 3202 weggelassen werden, wo Leitungsendverlängerungen 3104 andere Leitungsendverlängerungen 3104 treffen (zum Beispiel an Grenzen zwischen Füllerzellen). Einzelne Schneidformen 3202 kann so verschmolzen werden, dass eine einzelne Schneidform 3202 mehr als ein Strukturelement von mehr als einer Leitungsendverlängerung 3104 von mehr als einer Füllerzelle 3102 entfernt. In einigen Beispielen haben die Schneidformen 3202 Breiten, die ausreichen, um genug von den Leitungsendverlängerungs-Strukturelementen 3104 zu entfernen, um zuverlässig zu garantieren, dass die Strukturelemente der Leitungsendverlängerungen 3104 elektrisch von den Strukturelementen der Formen 3002 und 3004 isoliert sind, während genug von den Leitungsendverlängerungen 3104 zurückbleibt, um eine Mindest-Strukturelementdichte.
  • Wir wenden uns Block 2908 von 29 zu. Hier wird das Layout 3000 zum Herstellen der Masken und zum Herstellen des integrierten Schaltkreises, den es spezifiziert, bereitgestellt. Wie durch Block 2910 von 29 angedeutet, kann der Fertigungsprozess im Wesentlichen wie in den Blöcken 116-146 der 1A und 1B beschrieben ausgeführt werden.
  • 33 ist eine Draufsicht auf einen Abschnitt eines beispielhaften Werkstücks 3300, das gemäß dem Layout 3000 mit Füllerzellen 3102 hergestellt wird. Das Werkstück 3300 enthält ein Substrat 3302, das im Wesentlichen dem Substrat 902 der 9-11B und den 13A-22 ähneln kann. Der beispielhafte Fertigungsprozess bildet eine Anzahl von Rippen auf dem Substrat 3302. Diese Rippen enthalten Rippen 3304A, die entstehen, wenn ein Mehrfachstrukturierungsprozess (zum Beispiel Doppelstrukturierung, Vierfachstrukturierung) unter Verwendung der Formen 3002 des Layouts 3000 ausgeführt wird. Gleichermaßen resultieren die Rippen 3304B aus dem Mehrfachstrukturierungsprozess, der unter Verwendung der Formen 3004 des Layouts 3000 ausgeführt wird, und die Rippen 3304C resultieren aus dem Mehrfachstrukturierungsprozess, der unter Verwendung der Abschnitte der Leitungsendverlängerungen 3104 ausgeführt wird, die nicht durch die Schneidformen 3202 bedeckt werden.
  • In verschiedenen Ausführungsformen wird die Technik unter Verwendung von Kombinationen aus dedizierten Festfunktions-Berechnungselementen und programmierbaren Berechnungselementen, die Software-Instruktionen ausführen, durchgeführt. Dementsprechend versteht es sich, dass beliebige der Schritte des Verfahrens 100, des Verfahrens 2300 und/oder des Verfahrens 2900 durch ein Berechnungssystem unter Verwendung entsprechender Instruktionen implementiert werden können, die auf oder in einem nicht-transitorischen maschinenlesbaren Medium, auf das das Verarbeitungssystem zugreifen kann, gespeichert sind. Beispiele eines solchen Systems und eines solchen nicht-transitorischen maschinenlesbaren Mediums werden mit Bezug auf 34 beschrieben. In dieser Hinsicht ist 34 ein Blockschaubild eines Berechnungssystems 3400 gemäß verschiedenen Aspekten der vorliegenden Offenbarung.
  • Das Berechnungssystem 3400 enthält eine Verarbeitungsressource 3402, die wiederum jede beliebige Anzahl und Art von Verarbeitungselementen enthalten kann, wie zum Beispiel zentrale Verarbeitungseinheiten (CPUs), Grafikverarbeitungseinheiten (GPUs), anwendungsspezifische integrierte Schaltkreise (ASICs), Mikrocontroller und/oder andere zweckmäßige Verarbeitungselemente. Die Verarbeitungsressource 3402 ist kommunikativ mit einem greifbaren, nicht-transitorischen maschinenlesbaren Medium 3404 gekoppelt, um Instruktionen auszuführen, die auf dem Medium 3404 gespeichert sind. Für die Zwecke dieser Beschreibung kann das greifbare, nicht-transitorische maschinenlesbare Medium 3404 jede beliebige Vorrichtung sein, die das Programm zur Verwendung durch, oder in Verbindung mit, dem Instruktionsausführungssystem, der Vorrichtung oder dem Gerät speichern kann. Das Medium kann nicht-volatilen Speicher enthalten, wie zum Beispiel magnetischer Speicher, Festkörperspeicher, optischer Speicher, Cache-Speicher und/oder batteriegestützter Direktzugriffsspeicher (RAM).
  • In verschiedenen Beispielen speichert das greifbare, nicht-transitorische maschinenlesbare Medium 3404 Instruktionen, die die Verarbeitungsressource 3402 veranlassen, die Prozesse der Verfahren 100 und/oder 2300 auszuführen. In einigen solchen Beispielen speichert das Medium 3404 Instruktionen, die die Verarbeitungsressource 3402 veranlassen, ein Layout zum Herstellen eines integrierten Schaltkreises zu empfangen, das einen ersten Satz paralleler Formen und einen zweiten Satz paralleler Formen enthält. Dies kann im Wesentlichen wie in Block 102 von 1A beschrieben ausgeführt werden. In einigen solchen Beispielen speichert das Medium 3404 Instruktionen, die die Verarbeitungsressource 3402 veranlassen, eine Querelementform in das Layout zwischen dem ersten und dem zweiten Satz paralleler Formen einzufügen. Dies kann im Wesentlichen wie in Block 104 von 1A beschrieben ausgeführt werden. In einigen solchen Beispielen speichert das Medium 3404 Instruktionen, die die Verarbeitungsressource 3402 veranlassen, Füllformen unter den Formen des ersten und des zweiten Satzes paralleler Formen einzufügen. Dies kann im Wesentlichen wie in Block 106 von 1A beschrieben ausgeführt werden. In einigen solchen Beispielen speichert das Medium 3404 Instruktionen, die die Verarbeitungsressource 3402 veranlassen, Leitungsendformen einzufügen, die sich von den Formen des ersten und des zweiten Satzes paralleler Formen zu der Querelementform erstreckt. Dies kann im Wesentlichen wie in Block 108 von 1A beschrieben ausgeführt werden. In einigen solchen Beispielen speichert das Medium 3404 Instruktionen, die die Verarbeitungsressource 3402 veranlassen, OPC-Formen in das Layout einzufügen. Dies kann im Wesentlichen wie in Block 110 von 1A beschrieben ausgeführt werden. In einigen solchen Beispielen speichert das Medium 3404 Instruktionen, die die Verarbeitungsressource 3402 veranlassen, Schneidformen für die Querelementform, die Füllformen und/oder die Leitungsendformen zu definieren. Dies kann im Wesentlichen wie in Block 112 von 1A beschrieben ausgeführt werden. In einigen solchen Beispielen speichert das Medium 3404 Instruktionen, die die Verarbeitungsressource 3402 veranlassen, das Layout zum Herstellen des integrierten Schaltkreises auszubilden. Dies kann im Wesentlichen wie in Block 114 von 1A beschrieben ausgeführt werden.
  • In weiteren Beispielen speichert das Medium 3404 Instruktionen, die die Verarbeitungsressource 3402 veranlassen, ein Layout zum Herstellen eines integrierten Schaltkreises zu empfangen, das einen ersten Satz paralleler Formen und einen zweiten Satz paralleler Formen enthält. Dies kann im Wesentlichen wie in Block 2302 von 23 beschrieben ausgeführt werden. In einigen solchen Beispielen speichert das Medium 3404 Instruktionen, die die Verarbeitungsressource 3402 veranlassen, Füllformen unter den Formen des ersten und des zweiten Satzes paralleler Formen einzufügen. Dies kann im Wesentlichen wie in Block 2304 von 23 beschrieben ausgeführt werden. In einigen solchen Beispielen speichert das Medium 3404 Instruktionen, die die Verarbeitungsressource 3402 veranlassen, Leitungsendformen einzufügen, die sich von den Formen des ersten und des zweiten Satzes paralleler Formen zu einer Mittellinie eines Spalts zwischen dem ersten und dem zweiten Satz erstrecken. Dies kann im Wesentlichen wie in Block 2306 von 23 beschrieben ausgeführt werden. In einigen solchen Beispielen speichert das Medium 3404 Instruktionen, die die Verarbeitungsressource 3402 veranlassen, OPC-Formen in das Layout einzufügen. Dies kann im Wesentlichen wie in Block 2308 von 23 beschrieben ausgeführt werden. In einigen solchen Beispielen speichert das Medium 3404 Instruktionen, die die Verarbeitungsressource 3402 veranlassen, Schneidformen für die Füllformen und/oder die Leitungsendformen zu definieren. Dies kann im Wesentlichen wie in Block 2310 von 23 beschrieben ausgeführt werden. In einigen solchen Beispielen speichert das Medium 3404 Instruktionen, die die Verarbeitungsressource 3402 veranlassen, das Layout zum Herstellen des integrierten Schaltkreises auszubilden. Dies kann im Wesentlichen wie in Block 2312 von 23 beschrieben ausgeführt werden.
  • In weiteren Beispielen speichert das Medium 3404 Instruktionen, die die Verarbeitungsressource 3402 veranlassen, ein Layout zum Herstellen eines integrierten Schaltkreises zu empfangen, das einen ersten Satz paralleler Formen und einen zweiten Satz paralleler Formen enthält. Dies kann im Wesentlichen wie in Block 2902 von 29 beschrieben ausgeführt werden. In einigen solchen Beispielen speichert das Medium 3404 Instruktionen, die die Verarbeitungsressource 3402 veranlassen, Füllerzellen einzufügen, die Leitungsendverlängerungen enthalten, die sich zwischen den Formen des ersten Satzes und den Formen des zweiten Satzes erstrecken und sie miteinander koppeln. Dies kann im Wesentlichen wie in Block 2904 von 29 beschrieben ausgeführt werden. In einigen solchen Beispielen speichert das Medium 3404 Instruktionen, die die Verarbeitungsressource 3402 veranlassen, Schneidformen für mindestens einen Abschnitt des Strukturelements der Leitungsendverlängerungen zu definieren. Dies kann im Wesentlichen wie in Block 2906 von 29 beschrieben ausgeführt werden. In einigen solchen Beispielen speichert das Medium 3404 Instruktionen, die die Verarbeitungsressource 3402 veranlassen, das Layout zum Herstellen des integrierten Schaltkreises auszubilden. Dies kann im Wesentlichen wie in Block 2908 von 29 beschrieben ausgeführt werden.
  • Somit stellt die vorliegende Offenbarung Beispiele eines Systems und einer Technik zum Bilden von Strukturelementen unter Verwendung von Hilfsstrukturelementen bereit, um die Regelmäßigkeit, insbesondere am Ende von Strukturelementleitungen, zu verbessern. In einigen Beispielen enthält ein Verfahren das Empfangen eines Layouts für einen integrierten Schaltkreis, das Folgendes enthält: einen ersten Satz Formen, die sich parallel in einer ersten Richtung erstrecken, zum Ausbilden eines ersten Satz Dorne zum Ätzen eines Substrats; und einen zweiten Satz Formen, die sich parallel in der ersten Richtung erstrecken, zum Ausbilden eines zweiten Satzes Dorne zum Ätzen des Substrats, wobei ein Mittenabstand des ersten Satzes Formen von einem Mittenabstand des zweiten Satzes Formen verschieden ist. Eine Querelementform wird in das Layout für einen integrierten Schaltkreis eingefügt, die sich über den ersten Satz Formen und den zweiten Satz Formen in einer zweiten Richtung senkrecht zu der ersten Richtung erstreckt, und ein Satz Leitungsendverlängerungen wird in das Layout für einen integrierten Schaltkreis eingefügt, die sich von jeder Form des ersten Satzes Formen und des zweiten Satzes Formen zu der Querelementform erstrecken. Das Layout für einen integrierten Schaltkreis, das den ersten Satz Formen, den zweiten Satz Formen, die Querelementform und den Satz Leitungsendverlängerungen enthält, wird zum Ausbilden des ersten Satzes Dorne und des zweiten Satzes Dorne und zum Ätzen des Substrats auf der Basis des ersten und des zweiten Satzes Dorne bereitgestellt. In einigen solchen Beispielen ist eine Beabstandung des ersten Satzes Formen von einer Beabstandung des zweiten Satzes Formen verschieden. In einigen solchen Beispielen ist eine Breite des ersten Satzes Formen von einer Breite des zweiten Satzes Formen verschieden. In einigen solchen Beispielen enthält das Verfahren des Weiteren das Definieren eines Satzes Schneidformen zum Entfernen von Strukturelementen, die gebildet werden durch: das Querelement und den Satz Leitungsendverlängerungen. In einigen solchen Beispielen enthält das Verfahren des Weiteren das Einfügen, in das Layout für einen integrierten Schaltkreis, eines ersten Satzes Füllformen zwischen die Formen des ersten Satzes Formen und eines zweiten Satzes Füllformen zwischen die Formen des zweiten Satzes Formen. Jede Form des ersten Satzes Füllformen und des zweiten Satzes Füllformen erstreckt sich parallel in der ersten Richtung, und jede Form des ersten Satzes Füllformen und des zweiten Satzes Füllformen erstreckt sich zu der Querelementform. In einigen solchen Beispielen enthält das Verfahren des Weiteren das Definieren eines Satzes Schneidformen zum Entfernen von Strukturelementen, die gebildet werden durch: das Querelement, den Satz Leitungsendverlängerungen, und die Füllformen. In einigen solchen Beispielen enthält das Verfahren des Weiteren das Ausführen eines optischen Näherungskorrekturprozesses an dem Layout für einen integrierten Schaltkreis, um OPC-Formen zu dem Layout für einen integrierten Schaltkreis hinzuzufügen. In einigen solchen Beispielen enthalten die OPC-Formen eine Form an einem Übergang der Querelementform und einer Leitungsendverlängerung des Satzes Leitungsendverlängerungen. In einigen solchen Beispielen hat eine erste Teilmenge des Satzes Leitungsendverlängerungen, die sich von dem ersten Satz Formen erstrecken, eine Breite, die im Wesentlichen die gleiche ist wie eine Breite des ersten Satzes Formen, und eine zweite Teilmenge des Satzes Leitungsendverlängerungen, die sich von dem zweiten Satz Formen erstrecken, hat eine Breite, die im Wesentlichen die gleiche ist wie eine Breite des zweiten Satzes Formen.
  • In weiteren Beispielen enthält ein Verfahren das Empfangen eines Layouts zum Herstellen eines integrierten Schaltkreises, wobei das Layout einen ersten Satz paralleler Leitungen zum Ausbilden eines ersten Satz Dorne für einen Mehrfachstrukturierungsprozess, der ein Substrat ätzt, und einen zweiten Satz paralleler Leitungen zum Ausbilden eines zweiten Satzes Dorne für den Mehrfachstrukturierungsprozess enthält. Ein Querelement wird in das Layout zwischen den ersten Satz paralleler Leitungen und den zweiten Satz paralleler Leitungen eingefügt. Ein Satz Leitungsendverlängerungen wird in das Layout eingefügt, die die Leitungen des ersten Satzes paralleler Leitungen und des zweiten Satzes paralleler Leitungen mit dem Querelement koppeln. Das Layout, das den ersten Satz paralleler Leitungen, den zweiten Satz paralleler Leitungen, das Querelement und den Satz Leitungsendverlängerungen enthält, wird bereitgestellt, um den Mehrfachstrukturierungsprozess auszuführen. In einigen solchen Beispielen ist der erste Satz paralleler Leitungen von dem zweiten Satz paralleler Leitungen in mindestens einem von Folgendem verschieden: Mittenabstand, Breite oder Beabstandung. In einigen solchen Beispielen enthält das Verfahren des Weiteren das Einfügen eines ersten Satzes Füllleitungen in das Layout zwischen Leitungen des ersten Satzes paralleler Leitungen und eines zweiten Satzes Füllleitungen in das Layout zwischen Leitungen des zweiten Satzes paralleler Leitungen. In einigen solchen Beispielen ist jeder des ersten Satzes Füllleitungen im Wesentlichen der gleiche wie der erste Satz paralleler Leitungen in mindestens einem von Folgendem: ein Mittenabstand, eine Beabstandung und eine Breite; und jeder des zweiten Satzes Füllleitungen ist im Wesentlichen der gleiche wie der zweite Satz paralleler Leitungen in mindestens einem von Folgendem: ein Mittenabstand, eine Beabstandung und eine Breite. In einigen solchen Beispielen enthält das Verfahren des Weiteren das Einfügen, in das Layout, eines Satzes Schneidleitungen zum Entfernen von Strukturelementen, die gebildet werden durch: das Querelement, den Satz Leitungsendverlängerungen, den ersten Satz Füllleitungen und den zweiten Satz Füllleitungen, ohne Strukturelemente zu entfernen, die gebildet werden durch: den ersten Satz paralleler Leitungen und den zweiten Satz paralleler Leitungen. In einigen solchen Beispielen enthält das Verfahren des Weiteren das Ausführen eines optischen Näherungskorrekturprozesses an dem Layout, um in das Layout einen Satz optischer Näherungskorrekturleitungen einzufügen, die eine Leitung an einem Übergang des Querelements und einer Leitungsendverlängerung des Satzes Leitungsendverlängerungen enthalten. In einigen solchen Beispielen enthält der Satz optischer Näherungskorrekturleitungen des Weiteren eine weitere Leitung an einem Übergang des Querelements und einer Füllleitung des ersten Satzes Füllleitungen.
  • In weiteren Beispielen enthält ein Verfahren Folgendes: Empfangen eines Layouts zur Herstellung eines integrierten Schaltkreises, wobei das Layout Folgendes enthält: einen ersten Satz paralleler Formen, einen zweiten Satz paralleler Formen, und einen Spalt dazwischen; Einfügen, in den Spalt, eines ersten Satzes Leitungsendverlängerungen, die mit dem ersten Satz paralleler Formen gekoppelt sind; Einfügen, in den Spalt, eines zweiten Satzes Leitungsendverlängerungen, die den zweiten Satz paralleler Formen mit dem ersten Satz Leitungsendverlängerungen koppeln; und Bereitstellen des Layouts zur Herstellung des integrierten Schaltkreises. In einigen solchen Beispielen sind der erste Satz paralleler Formen und der zweite Satz paralleler Formen in mindestens einem von Folgendem verschieden: ein Mittenabstand, eine Breite, und eine Beabstandung. In einigen solchen Beispielen enthält das Verfahren des Weiteren: Einfügen, in das Layout, eines ersten Satzes Füllformen unter dem ersten Satz paralleler Formen und eines zweiten Satzes Füllformen unter dem zweiten Satz paralleler Formen. In einigen solchen Beispielen erstreckt sich der erste Satz Füllformen zu dem zweiten Satz Füllformen und dem zweiten Satz Leitungsendverlängerungen; und der zweite Satz Füllformen erstreckt sich zu dem ersten Satz Füllformen und dem ersten Satz Leitungsendverlängerungen.
  • In weiteren Beispielen umfasst ein Verfahren das Empfangen eines Layouts für einen integrierten Schaltkreis, das Folgendes enthält: einen ersten Satz Leitungen, die sich parallel in einer ersten Richtung erstrecken, und einen zweiten Satz Leitungen, die sich parallel in der ersten Richtung erstrecken. Der erste Satz Leitungen enthält eine erste Leitung, und der zweite Satz Leitungen enthält eine zweite Leitung. Ein Mittenabstand des ersten Satzes Leitungen ist von einem Mittenabstand des zweiten Satzes Leitungen verschieden. Eine erste Leitungsendverlängerung wird in das Layout eingefügt, die mit der ersten Leitung des ersten Satzes Leitungen gekoppelt ist. Eine zweite Leitungsendverlängerung wird in das Layout eingefügt, die mit der zweiten Leitung des zweiten Satzes Leitungen und mit der ersten Leitungsendverlängerung gekoppelt ist. Das Layout für einen integrierten Schaltkreis, das den ersten Satz Leitungen, den zweiten Satz Leitungen, die erste Leitungsendverlängerung und die zweite Leitungsendverlängerung enthält, wird zur Herstellung bereitgestellt.
  • In weiteren Beispielen umfasst ein Verfahren das Empfangen eines Layouts, das einen ersten Satz paralleler Formen und einen zweiten Satz paralleler Formen enthält, dergestalt, dass der erste Satz paralleler Formen und der zweite Satz paralleler Formen außerhalb des Gitternetzes mit Bezug auf ein globales Gitternetz des Layouts liegen. Eine Füllerzelle wird in das Layout eingefügt, das Leitungsendverlängerungen enthält, die sich zwischen Formen des ersten Satzes paralleler Formen und Formen des zweiten Satzes paralleler Formen erstrecken und sie miteinander koppeln. Das Layout, das die Füllerzelle enthält, wird zur Herstellung eines integrierten Schaltkreises gemäß dem Layout bereitgestellt. In einigen solchen Beispielen wird eine Schneidform definiert, um mindestens einen Abschnitt eines Strukturelements zu entfernen, das durch eine Verlängerung der Leitungsendverlängerungen gebildet wird. In einigen solchen Beispielen ist der Abschnitt des durch die Schneidform entfernten Strukturelements ein erster Abschnitt, und die Schneidform ist dafür konfiguriert, einen zweiten Abschnitt des Strukturelements zurückzulassen, das durch die Verlängerung der Leitungsendverlängerungen gebildet wird. In einigen solchen Beispielen hat die Schneidform eine Breite, die dafür konfiguriert ist, den übrigen zweiten Abschnitt des durch die Verlängerung gebildeten Strukturelements elektrisch von einem durch den ersten Satz paralleler Formen gebildeten Strukturelement zu isolieren. In einigen solchen Beispielen wird die Füllerzelle dergestalt ausgewählt, dass die Leitungsendverlängerungen auf den ersten Satz paralleler Formen und den zweiten Satz paralleler Formen ausgerichtet sind. In einigen solchen Beispielen hat der erste Satz paralleler Formen eine erste Teilmenge und eine zweite Teilmenge, und mindestens eines von: einem Mittenabstand, einer Mindestbeabstandung und einer Breite ist zwischen der ersten Teilmenge und der zweiten Teilmenge verschieden. In einigen solchen Beispielen enthalten die Leitungsendverlängerungen der Füllerzelle Verlängerungen, die auf die erste Teilmenge des ersten Satzes paralleler Formen ausgerichtet sind, und Verlängerungen, die auf die zweite Teilmenge des ersten Satzes paralleler Formen ausgerichtet sind.
  • In weiteren Beispielen enthält ein Verfahren das Empfangen eines Layouts zur Herstellung eines integrierten Schaltkreises, wobei das Layout Folgendes enthält: einen ersten Satz paralleler Leitungen, einen zweiten Satz paralleler Leitungen und einen Spalt dazwischen; Einfügen, in den Spalt, einer Füllerzelle, die eine Leitungsendverlängerung enthält, die eine erste Leitung des ersten Satzes paralleler Leitungen mit einer zweiten Leitung des zweiten Satzes paralleler Leitungen koppelt; und Bereitstellen des Layouts zur Herstellung des integrierten Schaltkreises. In einigen solchen Beispielen entspricht jeder des ersten Satzes paralleler Leitungen, des zweiten Satzes paralleler Leitungen und der Füllerzelle einem gemeinsamen lokalen Gitternetz, das außerhalb des Gitternetzes mit Bezug auf ein globales Gitternetz des Layouts liegt.

Claims (17)

  1. Verfahren (100), das Folgendes umfasst: Empfangen eines Layouts (200) für einen integrierten Schaltkreis, das Folgendes enthält: einen ersten Satz Formen (202), die sich parallel in einer ersten Richtung erstrecken, zum Ausbilden eines ersten Satzes Dorne zum Ätzen eines Substrats (902); und einen zweiten Satz Formen (204), die sich parallel in der ersten Richtung erstrecken, zum Ausbilden eines zweiten Satzes Dorne zum Ätzen des Substrats (200), wobei ein Mittenabstand (214) des ersten Satzes Formen von einem Mittenabstand (222) des zweiten Satzes Formen verschieden ist; Einfügen, in das Layout (200) für einen integrierten Schaltkreis, einer Querelementform (302), die sich quer zu dem ersten Satz Formen (202) und dem zweiten Satz Formen (204) in einer zweiten Richtung senkrecht zu der ersten Richtung erstreckt; Einfügen, in das Layout für einen integrierten Schaltkreis, eines Satzes Leitungsendverlängerungen (502), die sich von jeder Form des ersten Satzes Formen und des zweiten Satzes Formen zu der Querelementform (302) erstrecken; und Bereitstellen des Layouts (200) für einen integrierten Schaltkreis, das den ersten Satz Formen (202), den zweiten Satz Formen (204), die Querelementform (302) und den Satz Leitungsendverlängerungen (502) enthält, zum Ausbilden des ersten Satzes Dorne und des zweiten Satzes Dorne und zum Ätzen des Substrats (902) auf der Basis des ersten und des zweiten Satzes Dorne; Einfügen, in das Layout für einen integrierten Schaltkreis, eines ersten Satzes Füllformen (402) zwischen die Formen (202) des ersten Satzes Formen und eines zweiten Satzes Füllformen (402) zwischen die Formen (204) des zweiten Satzes Formen, wobei: sich jede Form des ersten Satzes Füllformen und des zweiten Satzes Füllformen parallel in der ersten Richtung (208) erstreckt; und sich jede Form des ersten Satzes Füllformen und des zweiten Satzes Füllformen zu der Querelementform (302) erstreckt.
  2. Verfahren nach Anspruch 1, wobei eine Beabstandung (216) des ersten Satzes Formen (202) von einer Beabstandung (224) des zweiten Satzes Formen (204) verschieden ist.
  3. Verfahren nach Anspruch 2, wobei eine Breite (212) des ersten Satzes Formen von einer Breite (220) des zweiten Satzes Formen verschieden ist.
  4. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, das des Weiteren Folgendes umfasst: Definieren eines Satzes Schneidformen (702) zum Entfernen von Strukturelementen, die gebildet werden durch: das Querelement (302) und den Satz Leitungsendverlängerungen (502).
  5. Verfahren nach Anspruch 1, das des Weiteren Folgendes umfasst: Definieren eines Satzes Schneidformen (702) zum Entfernen von Strukturelementen, die gebildet werden durch: das Querelement (302), den Satz Leitungsendverlängerungen (502), und die Füllformen (402).
  6. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, das des Weiteren Folgendes umfasst: Ausführen eines optischen Näherungskorrekturprozesses an dem Layout für einen integrierten Schaltkreis, um OPC-Formen (602) zu dem Layout (200) für einen integrierten Schaltkreis hinzuzufügen.
  7. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, wobei die OPC-Formen eine Form an einem Übergang der Querelementsform (302) und einer Leitungsendverlängerung (502) des Satzes Leitungsendverlängerungen enthalten.
  8. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, wobei: eine erste Teilmenge des Satzes Leitungsendverlängerungen, die sich von dem ersten Satz Formen erstrecken, eine Breite hat, die im Wesentlichen die gleiche ist wie eine Breite des ersten Satzes Formen (202); und eine zweite Teilmenge des Satzes Leitungsendverlängerungen, die sich von dem zweiten Satz Formen erstrecken, eine Breite hat, die im Wesentlichen die gleiche ist wie eine Breite des zweiten Satzes Formen (204).
  9. Verfahren, das Folgendes umfasst: Empfangen eines Layouts zum Herstellen eines integrierten Schaltkreises, wobei das Layout einen ersten Satz paralleler Leitungen (202) zum Ausbilden eines ersten Satzes Dorne (1402) für einen Mehrfachstrukturierungsprozess, der ein Substrat ätzt, und einen zweiten Satz paralleler Leitungen (204) zum Ausbilden eines zweiten Satzes Dorne für den Mehrfachstrukturierungsprozess enthält; Einfügen eines Querelements (302) in das Layout (200) zwischen den ersten Satz paralleler Leitungen und den zweiten Satz paralleler Leitungen; Einfügen eines Satzes Leitungsendverlängerungen in das Layout, die die Leitungen des ersten Satzes paralleler Leitungen und des zweiten Satzes paralleler Leitungen mit dem Querelement koppeln; und Bereitstellen des Layouts, das den ersten Satz paralleler Leitungen (202), den zweiten Satz paralleler Leitungen (204), das Querelement (302) und den Satz Leitungsendverlängerungen (502) enthält, um den Mehrfachstrukturierungsprozess auszuführen; Einfügen eines ersten Satzes Füllleitungen (402) in das Layout zwischen Leitungen des ersten Satzes paralleler Leitungen (202) und eines zweiten Satzes Füllleitungen (402) in das Layout zwischen Leitungen des zweiten Satzes paralleler Leitungen (204).
  10. Verfahren nach Anspruch 9, wobei der erste Satz paralleler Leitungen (202) von dem zweiten Satz paralleler Leitungen (204) in mindestens einem von Folgendem verschieden ist: der Mittenabstand, die Breite oder die Beabstandung.
  11. Verfahren nach Anspruch 9, wobei: jeder des ersten Satzes Füllleitungen (402) in mindestens einer der folgenden Eigenschaften im Wesentlichen gleich ist wie der erste Satz paralleler Leitungen: einem Mittenabstand, einer Beabstandung und einer Breite; und jeder des zweiten Satzes Füllleitungen (402) in mindestens einer der folgenden Eigenschaften im Wesentlichen gleich ist wie der zweite Satz paralleler Leitungen: einem Mittenabstand, einer Beabstandung und einer Breite.
  12. Verfahren nach Anspruch 9 oder 11, das des Weiteren Folgendes umfasst: Einfügen, in das Layout, eines Satzes Schneidleitungen (702) zum Entfernen von Strukturelementen, die gebildet werden durch: das Querelement (302), den Satz Leitungsendverlängerungen (502), den ersten Satz Füllleitungen (402) und den zweiten Satz Füllleitungen (402), ohne Strukturelemente zu entfernen, die gebildet werden durch: den ersten Satz paralleler Leitungen (202) und den zweiten Satz paralleler Leitungen (204).
  13. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche 9 bis 12, das des Weiteren das Ausführen eines optischen Näherungskorrekturprozesses an dem Layout umfasst, um in das Layout einen Satz optischer Näherungskorrekturleitungen (602) einzufügen, die eine Leitung an einem Übergang des Querelements (302) und einer Leitungsendverlängerung (502) des Satzes Leitungsendverlängerungen enthalten.
  14. Verfahren nach Anspruch 13, wobei der Satz optischer Näherungskorrekturleitungen des Weiteren eine weitere Leitung an einem Übergang des Querelements (302) und einer Füllleitung (402) des ersten Satzes Füllleitungen enthält.
  15. Verfahren, das Folgendes umfasst: Empfangen eines Layouts (200) zur Herstellung eines integrierten Schaltkreises, wobei das Layout Folgendes enthält: einen ersten Satz paralleler Formen (202), einen zweiten Satz paralleler Formen (204), und einen Spalt (206) dazwischen; Einfügen, in den Spalt, eines ersten Satzes Leitungsendverlängerungen (502), die mit dem ersten Satz paralleler Formen (202) gekoppelt sind; Einfügen, in den Spalt, eines zweiten Satzes Leitungsendverlängerungen (502), die den zweiten Satz paralleler Formen (204) mit dem ersten Satz Leitungsendverlängerungen (502) koppeln; und Bereitstellen des Layouts zur Herstellung des integrierten Schaltkreises; Einfügen, in das Layout (200), eines ersten Satzes Füllformen (402) unter dem ersten Satz paralleler Formen (202) und eines zweiten Satzes Füllformen (402) unter dem zweiten Satz paralleler Formen (204).
  16. Verfahren nach Anspruch 15, wobei der erste Satz paralleler Formen (202) und der zweite Satz paralleler Formen (204) in mindestens einem von Folgendem verschieden sind: ein Mittenabstand (214, 222), eine Breite (212, 220), und eine Beabstandung (216, 224).
  17. Verfahren nach Anspruch 15, wobei: der erste Satz Füllformen (402) sich zu dem zweiten Satz Füllformen (402) und dem zweiten Satz Leitungsendverlängerungen (502) erstreckt; und der zweite Satz Füllformen (402) sich zu dem ersten Satz Füllformen (402) und dem ersten Satz Leitungsendverlängerungen erstreckt (502).
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