DE2431960A1 - Verfahren zum herstellen einer teile eines werkstueckes abdeckenden maske mit hilfe einer photomaske und einrichtung zum ausrichten eines werkstueckes mit einer photomaske - Google Patents

Verfahren zum herstellen einer teile eines werkstueckes abdeckenden maske mit hilfe einer photomaske und einrichtung zum ausrichten eines werkstueckes mit einer photomaske

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Description

500 Ellis Street, Mountain View, Kalifornien 94040
Verfahren zum Herstellen einer Teile eines Werkstückes abdeckenden Maske mit Hilfe einer Photomaske und Einrichtung zum Ausrichten eines Werkstückes mit einer Photomaske
Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum Herstellen einer schablonenartig Teile eines Werkstückes, insbesondere einer Halbleiter-Scheibe, abdeckenden und andere Teile des Werkstückes freigebenden Maske auf dem Werkstück mit Hilfe einer entsprechend ausgebildeten Photomaske, bei welchem zunächst ein lichtempfindlicher Film auf dem Werkstück abgelagert wird, sodann zur Ausrichtung des Werkstückes mit der Photomaske mindestens einer Ausrichtmarke auf dem Werkstück mit mindestens einer Ausrichtmarke auf der Photomaske zur Deckung gebracht wird, anschließend durch die Photomaske hindurch ein zur Belichtung des lichtempfindlichen Filmes geeignetes Lichtbündel auf die gesamte unabgedeckte Oberfläche des lichtempfindlichen Filmes gerichtet wird und schließlich zur Bildung der Maske auf dem Werkstück entweder die belichteten oder die unbelichteten Teile des lichtempfindlichen
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Filmes von dem Werkstück entfernt werden. Sie bezieht sich weiterhin auf eine insbesondere zum Durchführen dieses Verfahrens geeignete Einrichtung zum Ausrichten eines Werkstückes mit einer Photomaske.
Bei der Herstellung von integrierten Schaltungen und anderen Halbleitervorrichtungen wird für gewöhnlich eine Halbleiter-Scheibe einer Reihe von Ablagerungs-, Diffusions- und Ätz-Verfahrensschritten unterworfen. Viele dieser Verfahrensschritte erfordern die Bildung einer Teile der Halbleiter-Scheibe abdeckenden und andere Teile der Halbleiter-Scheibe freigebenden Maske hoher Auflösung mit dem gewünschten Muster auf der Halbleiter-Scheibe. Eine solche Maske wird üblicherweise dadurch hergestellt, daß auf der Halbleiter-Scheibe durch Aufwachsen eine Oxydschicht gebildet wird, daß auf diese Oxydschicht ein lichtempfindlicher Film aus einem gegen Ätzmittel beständigen Material aufgetragen wird, daß ein zur Belichtung des lichtempfindlichen Filmes geeignetes Lichtbündel durch eine entsprechende Photomaske mit dem gewünschten Muster auf die gesamte unabgedeckte Oberfläche des lichtempfindlichen Filmes gerichtet wird, daß sodann entweder die belichteten oder die unbelichteten Teile des lichtempfindlichen Filmes beseitigt werden, um eine gegen Ätzmittel beständige Maske mit dem gewünschten Muster auf der Oxydschicht zu bilden, und daß dann die Oxydschicht durch diese gegen Ätzmittel beständige Maske selektiv geätzt wird, um auf der Halbleiter-Scheibe eine Oxydmaske des gewünschten Musters zu erzeugen. Die erste solche Oxydmaske liefert für gewöhnlich entweder ein einzelnes Paar von im Abstand voneinander angeordneten Ausrichtmarken einer ersten Art, beispielsweise ein Paar im Abstand voneinander angeordneter Einzelkreuze, welche in die Halbleiter-Scheibe eingeätzt oder anderweitig in deren Oberfläche eingebracht werden und dazu dienen, die nächste Oxydmaske auszurichten, oder ein getrenntes Paar solcher im Abstand voneinander angeordneter Ausrichtmarken. In dem erstx
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genannten Falle liefert für gewöhnlich jede der folgenden Oxydmasken ein Paar solcher Ausrichtmarken. In beiden Fällen wird jedoch bei der Herstellung der folgenden Oxydmasken das entsprechende Paar von Ausrichtmarken auf der Halbleiter-Scheibe mit einem entsprechenden Paar von Ausrichtmarken einer zweiten Art, beispielsweise einem Paar im Abstand voneinander angeordneter Doppelkreuze, auf der entsprechenden Photomaske ausgerichtet, bevor das die Belichtung bewirkende Lichtbündel durch die entsprechende Photomaske auf den lichtempfindlichen Film gerichtet wird. Dies ermöglicht, jede der folgenden Oxydmasken in präziser Ausrichtung mit der ersten Oxydmaske und damit auch in präziser Ausrichtung untereinander herzustellen. Diese Ausricht- und Belichtungsschritte können mit einem handbetätigten Gerät nach der US-PS 3 490 oder wirtschaftlicher mit einem automatischen Gerät ausgeführt werden, wie es in der gleichlaufenden US-Patentanmeldung 305 861 der gleichen Anmelderin vom 12. Juni 1972 beschrieben worden ist.
Für jede der folgenden Oxydmasken muß für gewöhnlich ein getrenntes Paar von Ausrichtmarken der ersten Art auf der Halbleiter-Scheibe gebildet werden, weil bei der Belichtung der gesamten unabgedeckten Oberfläche des lichtempfindlichen Filmes durch die Photomaske für gewöhnlich diejenigen Teile des lichtempfindlichen Filmes nicht belichtet werden, die durch die beiden Ausrichtmarken der zweiten Art auf der Photomaske abgedeckt werden. Die beiden Ausrichtmarken der zweiten Art werden daher ebenfalls abgebildet und auf der Halbleiter-Scheibe über den entsprechenden Ausrichtmarken der ersten Art gebildet. Dies verhindert nun eine wirkungsvolle Ausnutzung der Ausrichtmarken der ersten Art auf der Halbleiter-Scheibe bei der Bildung mehrerer Oxydschichten und hat zur Folge, daß der von zwei solchen Ausrichtmarken auf der Halbleiter-Scheibe eingenommene Platz nicht auch noch für andere Ausrichtmarken der ersten Art verwendet werden kann. Dies gilt insbesondere
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dann, wenn das Ausrichten von einem automatisch arbeitenden Gerät vorgenommen werden soll. Jede zusätzlich auf der Halbleiter-Scheibe anzubringende Ausrichtmarke nimmt daher wertvollen Platz ein, der besser für die eigentliche integrierte Schaltung oder dergleichen auf der Halbleiter-Scheibe ausgenutzt werden könnte. Da die einzelnen Paare von Ausrichtmarken weiterhin ausreichend weit voneinander getrennt auf der Halbleiter-Scheibe angebracht werden müssen, um Verwechslungen vorzubeugen, wird noch weiterer wertvoller Platz vergeudet.
Der Erfindung liegt nun demgegenüber die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren und eine Einrichtung der eingangs genannten Art zu schaffen, welches eine Abbildung der Ausrichtmarken der Photomaske auf der Halbleiter-Scheibe verhindert und dadurch den für die Ausrichtmarken erforderlichen Platz auf der Halbleiter-Scheibe ganz erheblich verringert.
Dies wird bei einem Verfahren der eingangs genannten Art erfindungsgemäß dadurch erreicht, daß zusätzlich ein zur Belichtung des lichtempfindlichen Filmes geeignetes Lichtbündel derart auf durch Ausrichtmarken der Photomaske abgedeckte Teile des lichtempfindlichen Filmes gerichtet wird, daß diese Teile des lichtempfindlichen Filmes voll belichtet werden und somit verhindert wird, daß die Ausrichtmarken der Photomaske Teil der Maske auf dem Werkstück werden.
Dieses Verfahren hat den Vorteil, daß ein einziges Paar von Ausrichtmarken der ersten Art auf der Halbleiter-Scheibe für die Bildung aller Oxydmasken ausreicht, wodurch der Platrbedarf für die Ausrichtmarken verringert und der für die eigentlichen Schaltungen zur Verfügung stehende Platz vergrößert wird.
Eine Ausgestaltung der Erfindung bezieht sich auf eine insbe-
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sondere zum Durchführen dieses Verfahrens geeignete Einrichtung zum Ausrichten eines Werkstückes, insbesondere einer Halbleiter-Scheibe, mit einer Photoraaske und zum selektiven Belichten eines lichtempfindlichen Filmes auf dem Werkstück in Übereinstimmung mit der Photomaske zur Bildung einer Teile des Werkstückes abdeckenden und andere Teile des Werkstückes freigebenden Maske auf dem Werkstück mit einem Werkstückhalter zum Halten des Werkstückes, mit einem Maskenhalter zum Halten der Photomaske, mit einem Linsensystem zum Anzeigen der Lage mindestens einer Ausrichtmarke erster Art auf dem Werkstück in Bezug auf mindestens eine Ausrichtmarke zweiter Art auf der Photomaske, mit einem auf die angezeigte Lage der Ausrichtmarke erster Art auf dem Werkstück in Bezug auf die Ausrichtmarken zweiter Art auf der Photomaske reagierenden Steuersystem zum Bewegen des Werkstückhalters gegenüber dem Maskenhalter bis zur gegenseitigen Ausrichtung der Ausrichtmarken und damit auch des Werkstückes mit der Photomaske und mit einem Beleuchtungs- und Belichtungssystem, welches während des Ausrichtens des Werkstückes mit der Photomaske ein der Beleuchtung dienendes Lichtbündel durch das Linsensystem und danach zur selektiven Belichtung von Teilen des lichtempfindlichen Filmes gemäß den lichtdurchlässigen Teilen der Photomaske ein der Belichtung dienendes Lichtbündel durch die Photomaske auf die gesamte unabgedeckte überfläche des lichtempfindlichen Filmes zu richten vermag. Diese Ausgestaltung besteht darin, daß das Beleuchtungs- und Belichtungssystem zusätzlich ein der Belichtung dienendes Lichtbündel durch das Linsensystem und die die Ausrichtmarken enthaltenden Teile der Photomaske auf entsprechende Teile des lichtempfindlichen Filmes zu richten vermag, derart, daß durch Ausrichtmarken der Photomaske abgedeckte Teile des lichtempfindlichen Filmes voll belichtet werden und dadurch verhindert wird, daß die Ausrichtmarken der Photomaske beim darauffolgenden Entfernen der belichteten oder der unbelichteten Teile des licht-
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empfindlichen Filmes von dem Werkstück zur Bildung der Maske auf dem Werkstück Teil der Maske auf dem Werkstück werden.
Weitere Ausgestaltungen der Erfindung ergeben sich aus den beigefügten Unteransprüchen.
Im folgenden wird die Erfindung anhand eines in der beigefügten Zeichnung dargestellten Ausführungsbeispieles näher, erläutert, wobei sich weitere Merkmale, Vorteile und Ausgestaltungen der Erfindung ergeben. Es zeigen:
Fig. 1 und 2 schematische Darstellungen eines automatischen Ausricht- und Belichtungsgerätes, das bei der Durchführung des Verfahrens nach der Erfindung Verwendung finden kann,
Fig. 3 eine Draufsicht auf eine Halbleiter-Scheibe,
auf welcher eine Oxydmaske hoher Auflösung gebildet werden soll,
Fig. 4 einen Querschnitt durch die Halbleiter-Scheibe gemäß Fig. 3 entlang der Linie 4-4,
Fig. 5 eine Draufsicht auf die Halbleiter-Scheibe nach den Fig. 3 und 4 nachdem die Oxydmaske hoher Auflösung auf ihr gebildet worden ist, und
Fig. 6 einen Querschnitt durch die Halbleiter-Scheibe nach Fig. 5 entlang der Linie 6-6.
In den Fig. 1 und 2 ist ein automatisches Ausricht- und Belichtungsgerät dargestellt, das weitgehend dem in der erwähnten US Anmeldung beschriebenen Gerät entspricht. Es weist als Werkstuckhalter einen Scheibenhalter IO zum Halten einer Halbleiter-Scheibe 12 auf, auf welcher die ausgerichtete Maske hoher Auf-
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lösung gebildet werden soll, beispielsweise als ein Schritt bei der Herstellung einer Vielzahl von Mikrowellentransistoren auf der Halbleiter-Scheibe 12. Wie aus den Fig. 3 und 4 ersichtlich, besteht die Halbleiter-Scheibe 12 aus einer Siliziumscheibe, in welcher zuvor schon durch Diffusion durch eine - inzwischen entfernte - Oxydmaske Basisgebiete 14 gebildet worden sind. Zur Vorbereitung für die Bildung einer Oxydmaske zur Diffusion der Emittergebiete ist auf der Halbleiter-Scheibe 12 eine Schicht 16 aus Siliziumdioxyd gebildet und mit einem lichtempfindlichen Negativfilm 18 aus einem gegen Ätzmittel beständigen Material bedeckt worden. Die Halbleiter-Scheibe 12 weist weiterhin ein Paar im Abstand voneinander angeordneter Ausrichtmarken 20 einer ersten Art auf, die hier als Einzelkreuze dargestellt sind und zu Beginn in die Halbleiter-Scheibe 12 eingeätzt worden sind, um die präzise Ausrichtung der Oxydmaske für die Emitterdiffusion gegenüber der zuvor verwendeten Oxydmaske für die Basisdiffusion und damit auch gegenüber den Basisgebieten zu erleichtern, die mit Hilfe dieser Oxydmaske für die Basisdiffusion gebildet worden sind.
Oberhalb des Scheibenhalters IO ist ein Maskenhalter 22 (Fig. 1) zum Halten einer transparenten Photomaske 24 angeordnet, welche der Oxydmaske für die Emitterdiffusion entspricht, die auf der Halbleiter-Scheibe 12 gebildet werden soll. Die Photomaske 24 enthält beispielsweise an ihrer Unterseite Hellfeld-Gebiete, in denen das gewünschte Emitterdiffusionsmuster durch dunkle Gebiete dargestellt ist. Die Photomaske 24 besitzt weiterhin zwei im Abstand voneinander angeordneter Ausrichtmarken 26 einer zweiten Art nämlich ein Paar von Doppelkreuzen, die der Ausrichtung mit den entsprechenden Ausrichtmarken 20 der ersten Art auf der Halbleiter-Scheibe 12 dienen und eine genaue Ausrichtung der Oxydmaske für die Emitterdiffusion gegenüber den Basisgebieten 14 auf der Halbleiter-Scheibe 12 erleichtert.
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Eine umkehrbare Antriebsvorrichtung 28 (Fig. 2) dient dazu, den Scheibenhalter 10 entlang einer vertikalen Z-Achse in Richtung auf den Maskenhalter 22 anzuheben und dadurch die mit der Oxydschicht 16 und dem lichtempfindlichen Film 18 bedeckte Oberfläche der Halbleiter-Scheibe 12 mit der Unterseite der Photomaske 24 in Kontakt zu bringen, welche das Muster trägt, um eine parallele Ausrichtung ihrer Ebenen zu bewirken. Im Anschluß daran wird durch die Antriebsvorrichtung 28 der Scheibenhalter 10 wieder um einen geringen Betrag abgesenkt, um die Halbleiter-Scheibe 12 von der Photomaske zu trennen und eine gegenseitige Verschiebung zu ermöglichen.
Wie bei einem handbetätigten Ausrieht- und Belichtungsgerät kann die Bedienungsperson die Halbleiter-Scheibe 12 zunächst grob gegenüber der Photomaske 24 ausrichten, indem er sich eines Teilerplatten-Linsen-Systems 30 bedient, um ein Bild der Teile der Halbleiter-Scheibe 12 und der Photoraaske 24 mit den Ausrichtmarken an Brennpunkten 32 zu betrachten. Mit Hilfe von umkehrbaren Antriebsvorrichtungen 34, 36 und 38 kann der Scheibenhalter 10 erforderlichenfalls entlang einer horizontalen X-Achse, entlang einer horizontalen Y-Achse und entlang der vertikalen Z-Achse bewegt werden. Eine automatische Scheiben-Ausrichtsteuerung 40 reagiert auf die Lage der beiden Ausrichtmarken 20 der ersten Art auf der Halbleiter-Scheibe 12 gegenüber den beiden Ausrichtmarken 26 der zweiten Art auf der Photomaske 24, die durch das Teilerplatten-Linsen-System 30 festgestellt worden.-ist, und steuert die umkehrbaren Antriebsvorrichtungen 34, 36 und 38 derart, daß die Ausrichtmarken und damit auch die Halbleiter-Scheibe und die Photomaske genau gegeneinander ausgerichtet sind.
Mit Hilfe eines Beleuchtungs- und Belichtungssystemes 42 wird durch das Teilerplatten-Linsen-System 30, durch eine Öffnung 44 in dem Maskenhalter 22 und durch die Teile der Photomaske
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24, welche die Ausrichtmarken enthalten, ein lediglich der Beleuchtung dienendes Lichtbündel auf die Halbleiter-Scheibe 12 gerichtet. Das System 42 besitzt eine Lichtquelle 46, beispielsweise eine Quecksilber-Dampflampe, mit welcher Lichtwellenlängen für die Belichtung in einem Bereich von 300 bis 500 nm (vorzugsweise 400 nm) und Lichtwellenlängen für die Beleuchtung oberhalb 500 nm erzeugt werden können. Es weist weiterhin eine Kondensorlinse 48 auf, mit welcher ein der Belichtung bzw. Beleuchtung dienendes Lichtbündel an einen Lichtleiter 50 weitergegeben wird, welcher wiederum das Lichtbündel durch einen schwenkbar gelagerten Lichtfilter 52 zu einem geneigten halb-durchlässigen Spiegel 54 weiterleitet, der! in dem Teilerplatten-üinsen-System 30 angeordnet ist. Das Lichtfilter 52 filtert Lichtwellenlängen unterhalb 500 nm heraus, so daß nur das der Beleuchtung dienende Licht während dieser Ausrichtschritte durch das Linsen-System 30 weitergeleitet wird, bei denen sich die Halbleiter-Scheibe 12 und die Photomaske 24 nicht in Kontakt miteinander befinden.
Nach Beendigung des Ausrichtevorganges hebt die umkehrbare Antriebsvorrichtung 28 den Scheibenhalter 10 wieder an und bringt dadurch die mit der Oxydschicht und dem lichtempfindlichen Film bedeckte Oberfläche der Halbleiter-Scheibe 12 in Kontakt mit der Unterseite der Photomaske 24, welche das gewünschte Muster trägt. Dann wird, beispielsweise mit Hilfe eines Druckluftzylinders, das Lichtfilter 52 aus dem Weg des Lichtbündels von dem Lichtleiter 50 herausgeschwenkt, so daß nunmehr das zur Belichtung geeignete Licht über das Linsen-System 30 und die Teile der Photomaske 24 mit den Ausrichtmarken auf die entsprechenden Teile des lichtempfindlichen Filmes 18 auf der mit der Oxydschicht 16 bedeckten Oberfläche der Halbleiter-Scheibe 12 weitergeleitet wird (Fig. 3 und 4).
Infolge der hohen Intensität dieses der Belichtung dienenden
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Lichtbündels werden die betroffenen Teile des lichtempfindlichen Filmes 18 erheblich überbelichtet, so daß diese Teile wegen der relativ geringen Strichstärke der Ausrichtmarken 26 auf der Photomaske 24 (von etwa 3 Mikron) voll belichtet werden. Hierdurch wird verhindert, daß die Ausrichtmarken 26 der Photomaske 24 abgebildet und ein Teil der Maske werden, die durch den lichtempfindlichen Film 18 oder später durch die Oxydschicht 16 gebildet wird.
Im Anschluß an diesen Belichtungsvorgang wird das Lichtfilter 52 wieder in seine ursprüngliche Lage zurückgeschwenkt und die Ausrichtung der Halbleiter-Scheibe 12 mit der Photomaske 24 noch einmal überprüft. Falls eine weitere Ausrichtung notwendig sein sollte, werden die Halbleiter-Scheibe 12 und die Photomaske 24 noch einmal voneinander getrennt, die erforderlichen Justierungen vorgenommen und die mit der Oxydschicht und dem lichtempfindlichen Film bedeckte Oberfläche der HalÜeiter-Scheibe wieder in Kontakt mit der das Muster tragenden Unterseite der Photomaske gebracht. Das Linsen-System 30 wird dann aus der in Fig. 1 dargestellten Arbeitsstellung herausgeschwenkt und es wird, wie in Fig. 2 dargestellt, ein geneigter Belichtungsspiegel 56 in Stellung gebracht. Das Linsen-System 30 und der Belichtungsspiegel 56 befinden sich dabei, wie in dem erwähnten US Patent dargestellt, auf einer Drehscheibe, um diesen Lagewechsel zu erleichtern. Jetzt wird ein ungefiltertes Lichtbündel von der Lichtquelle 46 über eine weitere Kondensorlinse 58 auf den Belichtungsspiegel 56 gerichtet, wo es durch die Photomaske 24 auf die gesamte unabgedeckte Oberfläche des lichtempfindlichen Filmes 18 auf der mit der Oxydschicht 16 bedeckten Oberfläche der Halbleiter-Scheibe 12 reflektiert wird, so daß der lichtempfindliche Film 18 entsprechend dem Muster der Photomaske 24 selektiv belichtet wird.
Nach Beendigung dieses Belichtungsvorganges werden die unbe-
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lichteten Teile des lichtempfindlichen Filmes 18 entfernt, um eine gegen Ätzmittel beständige Maske zu bilden, durch welche die Oxydschicht 16 wie in den Figuren 5 und 6 dargestellt, selektiv geätzt wird. Hierdurch wird die gewünschte Oxydmaske für die Emitterdiffusion gebildet, durch welche Emittergebiete 60 in die Basisgebiete 14 eindiffundiert werden können, wie ebenfalls in den Figuren 5 und 6 dargestellt ist.
Da die Ausrichtmarken 26 der Photomaske 24 weder in der Ätzmaske noch in der Diffusionsmaske abgebildet und ausgebildet werden, können die anfangs in der Oberfläche der Halbleiter-Scheibe 12 gebildeten Ausrichtmarken 20 wieder dazu verwendet werden, die präzise Ausrichtung weiterer Masken hoher Auflösung zu gewährleisten, die noch auf der Halbleiter-Scheibe 12 gebildet werden sollen. Hierdurch wird der Raumbedarf für die Ausrichtmarken 20 auf der Halbleiter-Scheibe 12 für aufeinanderfolgende, präzise gegeneinander auszurichtende Masken ganz erheblich gesenkt.
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Claims (12)

  1. Patentansprüche :
    1, Verfahren zum Herstellen einer schablonenartig Teile eines Werkstückes, insbesondere einer Halbleiter-Scheibe, abdeckenden und andere Teile des Werkstückes freigebenden Maske auf dem Werkstück mit Hilfe einer entsprechend ausgebildeten Photomaske,
    bei welchem zunächst ein lichtempfindlicher Film auf dem Werkstück abgelagert wird, sodann zur Ausrichtung des Werkstückes mit der Photomaske mindestens eine Ausrichtmarke auf dem Werkstück mit mindestens einer Ausrichtmarke auf der Photomaske zur Deckung gebracht wird, anschließend durch die Photomaske hindurch ein zur Belichtung des lichtempfindlichen Filmes geeignetes Lichtbündel auf die gesamte unabgedeckte Oberfläche des lichtempfindlichen Filmes gerichtet wird und schließlich zur Bildung der Maske auf den Werkstück entweder die belichteten oder die unbelichteten Teile des lichtempfindlichen Filmes von dem Werkstück entfernt werden, dadurch gekennzeichnet , daß zusätzlich ein zur Belichtung des lichtempfindlichen Filmes (18) geeignetes Lichtbündel derart auf durch Ausrichtmarken (26) der Photomaske (24) abgedeckte Teile (bei 20) des lichtempfindlichen Filmes (18) gerichtet wird, daß diese Teile (bei 20) des lichtempfindlichen Filmes (18) voll belichtet werden und somit verhindert wird, daß die Ausrichtmarken (26) der Photomaake (24) Teil der Maske (16, 18) auf dem Werkstück (12) werden.
  2. 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die die Ausriehtraarken (26) enthaltenden Teile der Photomaske (24) Hellfeld-Gebiete mit undurchsichtigen Markierungen (26) auf durchsichtigem Grund sind.
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  3. 3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, date der lichtempfindliche Film (18) ein Positiv- oder Megativfilm eines gegen Ätzmittel beständigen Hateriales ist«
  4. 4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß das Ausrichten des Werkstück·» (12) mit der Photomaske (24) mit Hilfe eines Teilerplatten-Linsen-System·* (30) erfolgt, mit welchem die Lag· zweier im Abstand voneinander angeordneter Ausrichtmarken (20) erster Art auf dem Werkstück (12) in Besag auf zwei entsprechende im Abstand voneinander angeordnet« Ausrichtmarken (26) swelter Art auf der Photomask· (24) anzeigbar ist, während das Werkstück (12) gegenüber der Photomask· (24) derart bewegt wird, daß die Paar· von Ausrichtmarken (20, 26) zur Deckung gelangen.
  5. 5. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daft das Belichten des lichtempfindlichen Film·» (18) mit Hilf« eines Beleuchtung«- und B«lichtungssyst«mes (42) erfolgt, mit welchem einmal über das T*ilerplatten-Linsen-Syetem (30) und die die Ausrichtmarke (26) enthaltenden Teil· der Photomask· (24) ein zur Belichtung des lichtempfindlichen Filmes (18) geeignetes Lichtbündel auf die entsprechenden Teile (b«i 20) des lichtempfindlichen Film·« (18) derart richtbar ist, daß von den Ausrichtmarken (26) der Photomaske (24) abgedeckte Teile (bei 20) des lichtempfindlichen Film·* (18) voll belichtet werden, und mit welchem zum anderen über die Photomask· (24) «in zur Belichtung des lichtempfindlichen Filmes (18) geeignetes Lichtbündel auf di· gesamt· unabgedeckt· Oberfläch· d«s lichtempfindlich·» Filmes (It) derart richtbar ist, da« dl· verbleibenden Teile des lichtempfindlichen Film·· (18) selektiv in Übereinstimmung mit der Photomask· (24) belichtet w«rd«n.
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    -Ml·
  6. 6. Einrichtung zum Ausrichten «in·* Werkstück·«, insbesondere einer Halbleiter-Scheibe, Mit einer Photomask· und su« selektiven Belichten eines lichtempfindlichen Filmes auf dem Werkstück in Übereinstimmung mit der Photomaske zur Bildung einer Teile des Werkstückes abdeckenden und andere Teile des Werkstückes freigebenden Maske auf dem Werkstück
    mit einem Werkstückhalter sum Halten des Werkstückes, mit einem Maskenhalter sum Halten der Photomask·, mit einem Linsensystem sum Anseigen der Lage mindestens einer Ausrichtmarke erster Art auf de* Werkstück in Bezug auf mindestens eine Ausrichtmarke «reiter Art asf der Photomaske, mit einem auf die aageseigt« Lefe der Ausrichtmarken erster Art auf dem Werkstück im Besug auf die Ausrichtmarken swelter Art auf der Photomask· reagierenden Steuersystem sum Bewegen des Werfcsttckfcmlters gegenüber de« Maskenhalter bis ser f«f«jie«itig«a Ausrichtung der Ausrichtmarken und damit auch des Werkstück·· mit der Photomask· und mit einem Beleuchtungs- und Belichtungssyst«*, welches während d·· Ausrichten* des Werkstückes mit der Photomaske ein der Beleuchtung dienendes Lichtbündel durch das Linsensystem und danach sur selektiven Belichtung von Teilen des lichtempfindlichen Filmes gea*· den lichtdurchlässigen Teilen der Photomaske ein der Belichtung dienend·· Lichtbündel durch die Photomaske auf die gesamte unabgedeckte Oberfläche des lichtempfindlichen Filmes su richten vermag, insbesondere zum Durchführen des Verfahrens nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dal das Beleuchtung·- und Belichtttnfscyst«· (42) zusätzlich ein der Belichtung dienend·· Lichtbündel durch da· Linsensystem (30) und dl· dl· Ausrichtmarken (2C) enthaltenden Teil· der Photomask· (24) auf entsprechend· Teil« d·· lichtempfindlich«* Film·· (18) su richten vermag, derart, da· durch Awsrlchtmarken (2€) der Photomask· (24) abgedeckte Teile (bei 20) des lichtempfindlichen Filmes (1·) voll »«lichtet
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    werden und dadurch verhindert wird, daß die Ausrichtmarken (26) der Photomaske (24) beim darauffolgenden Entfernen der belichteten oder der unbelichteten Teile des lichtempfindlichen Filmes (18) von dem Werkstück (12) zur Bildung der Maske (16, 18) auf dem Werkstück (12) Teil der Maske (16,18) auf dem Werkstück (12) werden.
  7. 7. Einrichtung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß das Linsensystem (30) einen halb-durchlässigen Spiegel (54) als optische Teilerplatte aufweist und das Beleuchtungs- und Belichtungssystem (42) einen Spiegel (56) enthält, der das der Belichtung dienende Lichtbündel durch die Photomaske (24) auf die gesamte unabgedeckte Oberfläche des lichtempfindlichen Filmes (18) aur selektiven Belichtung να· Teilen de· lichtempfindlichen Filmes (18) entsprechend den lichtdurchlässigen Teilen der Photomaske (24) au richten vermag.
  8. 8. Einrichtung nach Ansprach 7, dadurch gekennzeichnet , dae das Beleuchtungs- und Belichtvwgssystern (42) eine Lichtquelle (4C) für der Beleuchtung bzw. der Belichtung dienende Lichtbündel optische Vorrichtungen (48 bis 54) zur Weiterleitung der Lichtbündel von der Lichtquelle (46) auf einem ersten optischen Weg zu dem Teilerplatten-Linsen-System (42) sowie ein Filter (52) aufweist, das in den ersten optischen Wef bewegbar ist, um während des Ausrichtens des Werkstückes (12) und der Photomaske
    (24) das der Belichtung dienende Lichtbündel auszufiltern, aber ein der Beleuchtung dienendes Lichtbündel hindurchzulassen, und das aus dem ersten optischen Weg herausbewegbar ist, um während der Belichtung der durch Ausrichtmarken (26) der Photomaske (24) abgedeckten Teile (bei 20) des lichtempfindlichen Filmes (18) ein
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    der Belichtung dienendes Lichtbündel hindurchzulassen.
  9. 9. Einrichtung nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß das Beleuchtungs- und Belichtungssystem (42) weitere optische Vorrichtungen (58, 56) aufweist, welche während der Belichtung der gesamten unabgedeckten Oberfläche des lichtempfindlichen Filmes (18) ein der Belichtung dienendes Lichtbündel von der Lichtquelle (46) auf einem zweiten optischen Wege auf den Spiegel (56) zu richten vermag.
  10. 10. Einrichtung nach einem der Ansprüche 6 bis 9, dadurch gekennzeichnet , daß die die Ausrichtmarken (26) enthaltenden Teile der Photomaske (24) Hellfeld-Gebiete mit undurchsichtigen Markierungen (26) auf durchsichtigem Grund sind.
  11. 11. Einrichtung nach einem der Ansprüche 6 bis 10, dadurch gekennzeichnet , daß der lichtempfindliche Film (18) ein Positiv- oder Negativfilm eines gegen Ätzmittel beständigen Materiales ist.
  12. 12. Einrichtung nach einem der Ansprüche 6 bis 11, dadurch gekennzeichnet , daß die Ausrichtmarken (20) auf dem Werkstück (12) aus einem Paar in einem Abstand voneinander angeordneter Ausrichtmarken der ersten Art und die Ausrichtmarken (26) auf der Photomaske (24) aus einem entsprechenden Paar in einem Abstand voneinander angeordneter Ausrichtmarken der zweiten Art bestehen.
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