JPS589319A - パターン露光装置 - Google Patents
パターン露光装置Info
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- JPS589319A JPS589319A JP56107003A JP10700381A JPS589319A JP S589319 A JPS589319 A JP S589319A JP 56107003 A JP56107003 A JP 56107003A JP 10700381 A JP10700381 A JP 10700381A JP S589319 A JPS589319 A JP S589319A
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- JP
- Japan
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- substrate
- semiconductor
- identification mark
- semiconductor substrate
- exposure
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70491—Information management, e.g. software; Active and passive control, e.g. details of controlling exposure processes or exposure tool monitoring processes
- G03F7/70541—Tagging, i.e. hardware or software tagging of features or components, e.g. using tagging scripts or tagging identifier codes for identification of chips, shots or wafers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、微細パターンを用い九高集積半導体素子等を
製造する半導体製造装置に関するものである。
製造する半導体製造装置に関するものである。
一般に、半導体製造工程においては、基板上に形成され
るＬＳＩ等の高集積半導体素子の特性管理や工程管理を
徹底させるため、基板一枚一枚にそれぞれ固有の識別マ
ークを形成する事が必要である。
るＬＳＩ等の高集積半導体素子の特性管理や工程管理を
徹底させるため、基板一枚一枚にそれぞれ固有の識別マ
ークを形成する事が必要である。
このため、一般罠基板を半導体製造工程に投入する前に
、作業者が基板毎に識別マークの書き込み作業を行なっ
喪９、専用の識別マーク書き込み装置（たとえば、ウェ
ーハアイデンティファイア）を用いて識別マークを形成
させなければならず、作業が煩雑なばか力でなく、これ
らの作業により基板上に汚染を誘発し、半導体素子の歩
留り低下などの問題を生じていた。
、作業者が基板毎に識別マークの書き込み作業を行なっ
喪９、専用の識別マーク書き込み装置（たとえば、ウェ
ーハアイデンティファイア）を用いて識別マークを形成
させなければならず、作業が煩雑なばか力でなく、これ
らの作業により基板上に汚染を誘発し、半導体素子の歩
留り低下などの問題を生じていた。
本発明の目的は、このような基板識別マークを形成する
ための手作業や、専用装置を不要とし、基板を汚染する
ことなく、基板上に識別マークを形成する手段を具備し
た半導体製造装置を提供するものである。
ための手作業や、専用装置を不要とし、基板を汚染する
ことなく、基板上に識別マークを形成する手段を具備し
た半導体製造装置を提供するものである。
上記の目的を達成するため、本発明では、半導体製造工
程の中で、微細パターンを基板上に形成するり？グラフ
ィ装置の機能を利用し、基板一枚毎に識別マークを形成
させる如く構成したものである。
程の中で、微細パターンを基板上に形成するり？グラフ
ィ装置の機能を利用し、基板一枚毎に識別マークを形成
させる如く構成したものである。
以下、本発明を笑施例を参照して詳細に説明する０
第１図は、半導体製造装置の一例としての縮小投影形の
露光装置の概念図でるる。縮小投影露光装置は、感光剤
（ホトレジスト）を塗布した基板１を定寸送ｐするたび
に原画パターン２を照明光源４で照明し縮小レンズ３を
介して縮小し、基板ｌ上に投影露光しながら基板ｌの全
面に牛導体索子パターンを形成する装置である。半導体
素子は、このようなパターンを拡散、酸化等の工程を経
る毎に幾層にも重ねて形成しながら作られる。
露光装置の概念図でるる。縮小投影露光装置は、感光剤
（ホトレジスト）を塗布した基板１を定寸送ｐするたび
に原画パターン２を照明光源４で照明し縮小レンズ３を
介して縮小し、基板ｌ上に投影露光しながら基板ｌの全
面に牛導体索子パターンを形成する装置である。半導体
素子は、このようなパターンを拡散、酸化等の工程を経
る毎に幾層にも重ねて形成しながら作られる。
したがって、幾層にも重ねて形成されるパターンの位置
合わせ精度を確保する必要があるため、第１図に示す縮
小投影形露光装置には、ウェーハプリアライメント系５
が設けられている。
合わせ精度を確保する必要があるため、第１図に示す縮
小投影形露光装置には、ウェーハプリアライメント系５
が設けられている。
縮小投影形電光装置に供給される基板は、矢印６の方向
に搬送され、まず基板上の切シ欠き７を利用し九機械的
位置決めが行なわれ之のち、二本の光学系８．９を用い
て観測しながら矢印１０の如く基板１を微動させ装置に
固定された基準位置に基板上のマークを位置合わせする
作業が行なわわる。その後、基板は、露光ステージ１１
上に正確に搬送固定され、最終的な位置合わせを行なっ
たのち前述のパターン露光形成作業が開始される。
に搬送され、まず基板上の切シ欠き７を利用し九機械的
位置決めが行なわれ之のち、二本の光学系８．９を用い
て観測しながら矢印１０の如く基板１を微動させ装置に
固定された基準位置に基板上のマークを位置合わせする
作業が行なわわる。その後、基板は、露光ステージ１１
上に正確に搬送固定され、最終的な位置合わせを行なっ
たのち前述のパターン露光形成作業が開始される。
このとき、パターン露光形成作業に並行して、次の基板
が再び矢印６の方向に搬送され、同様の位置合わせ作業
が行なわれる。
が再び矢印６の方向に搬送され、同様の位置合わせ作業
が行なわれる。
しかし、基板上に最初にパター７を形成する際には、二
対の光学系８．９を用いた基板の位置合わせ作業は不要
であり、基板の切り欠き７を利用した機械的位曾決め後
、すでに並行してパターン形成中の前基板への露光作業
の終了を待って、露光ステージｌｌ上に基板を搬送し、
パターン形成が行なわれる。
対の光学系８．９を用いた基板の位置合わせ作業は不要
であり、基板の切り欠き７を利用した機械的位曾決め後
、すでに並行してパターン形成中の前基板への露光作業
の終了を待って、露光ステージｌｌ上に基板を搬送し、
パターン形成が行なわれる。
本発明は、この待ち時間を巧みに利用することにより、
基板上に識別マークを露光形成しようとする亀のである
。
基板上に識別マークを露光形成しようとする亀のである
。
第２図は、第１図に示す基板プリアライメント系を詳細
に示したものである。
に示したものである。
第２図において、光源２１からの光は、基板上に塗布さ
れ九感光剤が感光しないようフィルタ２２を経たのち、
プリズム２３．ンラー２４、レンズ８．９等の光学部品
を介して基板ｌを照明し、基板上のパターンを逆にテレ
ビモニタ用の撮像管２７．２８上に結像させている。装
置の運転者は、テレビモニタ２９（第１図参照）上でこ
の儂を観察し、基板を基準位置く位置合わせ−している
０第３図は、本発明を具体化した例でめる０すなわち、
図に示すようにこれまでの基板プリアライメント機構部
に、■ 基板上に塗布された感光剤が感光する波長のみ
を透過するフィルタ３１．およびその移動機構３２と、
■ 装置運転者の指示に連動して識別マーク３３を移動
できる機構３４とをそれぞれ付加したものである〇 基板上に最初のパターンを形成する際には、装置運転者
の指示によシ、これらの付加された識別マーク３３、感
光剤が感光する波長のみを透過するフィルタ３１を光軸
上に設定することによル、基板ごとに固有の識別マーク
を露光形成することができる。
れ九感光剤が感光しないようフィルタ２２を経たのち、
プリズム２３．ンラー２４、レンズ８．９等の光学部品
を介して基板ｌを照明し、基板上のパターンを逆にテレ
ビモニタ用の撮像管２７．２８上に結像させている。装
置の運転者は、テレビモニタ２９（第１図参照）上でこ
の儂を観察し、基板を基準位置く位置合わせ−している
０第３図は、本発明を具体化した例でめる０すなわち、
図に示すようにこれまでの基板プリアライメント機構部
に、■ 基板上に塗布された感光剤が感光する波長のみ
を透過するフィルタ３１．およびその移動機構３２と、
■ 装置運転者の指示に連動して識別マーク３３を移動
できる機構３４とをそれぞれ付加したものである〇 基板上に最初のパターンを形成する際には、装置運転者
の指示によシ、これらの付加された識別マーク３３、感
光剤が感光する波長のみを透過するフィルタ３１を光軸
上に設定することによル、基板ごとに固有の識別マーク
を露光形成することができる。
したがって、これまでのように作業者の手書きによる識
別マークの作製や、職別マーク専用機を使用する必［４
なくなシ、基板の汚染の問題が改善されるとともに、半
導体製造に要する時間を短縮すると七も可能となシ、そ
の効果は大きい。
別マークの作製や、職別マーク専用機を使用する必［４
なくなシ、基板の汚染の問題が改善されるとともに、半
導体製造に要する時間を短縮すると七も可能となシ、そ
の効果は大きい。
第１図は半導体製造装置の一例としての縮小投影形露光
装置の概念図、第２図は第１図に示す基板プリアライメ
ント系を示す図、および第３図は本発明を具体化した一
例を示す図である。図中、ｌ・・・基板、５・・・ウェ
ーハプリアライメント系、８．９・・・光学系、１１・
・・露光ステージ０ 案１癩 ネ ２ 聞 垢 ３ 目 手続補正書 、Ｐ件の表示 昭和 ５６年特許願第１０７００３号 発明の名称 パターン露光装置 ＩＪをする者 ５１つ）（４、式会？ト］］ 立 製 作
所ｊ′： ＩＪ ６ 三 １１１
勝 茂理 人 王の対象発明の名称、口細書全文および［全図創ヨ玉＝
の−内一容 別紙 補正の内容 １、本願の発明の名称を「パターン露光装置」に補正す
る。 ２、本願明細書の全文を別添の補正明細書のとおりｌこ
補正する。 ３、本願図面の全部を別添の補正図面のとおりに補正す
る。 以上 補正明細書 発明の名称 パターン露光装置 特許請求の範囲 ターン露光装置。 ２、上記識別マーク露光手段は上記半導体素子パターン
露光手段とは異なる光学系として設けられていることを
特徴とする特許 項記載のパターン露光装置。 ３、上記装置はさらに次に露光されるべき半導体基板を
プリアライメントするための光学的位置合せ手段を有し
ており、上記識別マーク露光手段は上記光学的位置合せ
手段の光学系の一部を共用して構成されてなることを特
徴とする特許請求の範囲第１項記載のパターン露光装置
。 等を製造する製造工程において使用されるパターン露光
装置の改良番こ関するものである。 一般に、半導体素子の製造工程に詔いては、半導体基板
（半導体ウエーハ）上に形成されるＬＳＩ等の高集積半
導体素子の特性管理や工程管理を徹底させるため、半導
体基板の一枚一枚にそれぞれ固有の識別マークを形成す
ることが必要である。 このため、従来においては、一般に、半導体基板を半導
体素子製造工程，％にパターン露光工程に投入する前に
作業者が手書きによって半導体基板毎に識別マークの書
き込み作業を行なったり、あるいは、例えばウエーハア
イデンイファイアのような専用の識別マーク書き込み装
置を用いて半導体基板毎に識別マークを形成している。 しかしながら、このような識別マーク形成作業は煩雑と
なるばかりでなく、これらの識別マーク形成作業により
半導体基板上に汚染を誘発することがあり、最終的な半
導体体素子の歩留りの低下の原因となるなどの問題をひ
き起していた。 したがって、本発明の目的はこのような半導体基板上に
識別マークを形成するための手作業や、専用の識別マー
ク形成装置を不要とし、かつ、半導体基板を汚染するこ
となく、半導体基板上に識別マークを容易に形成する手
段を具備したパターン無光装置を提供することにある。 上記目的を達成するために本発明においては、に半導体
基板毎に異なる識別マークを露光する手段とによってパ
ターン露光装置を構成したことを特徴としている。 かかる本発明の特徴的な構成によって、従来のように作
呆者の手書きによる識別マークの形成作業や、専用の識
別マーク形成装置を使用する必要もなくなり、その上、
半導体基板の汚染の問題が改善されると共に、半導体素
子の製造に要する時間を短縮することも可能となるなど
の大きな効果が得られる。 以下、本発明を図を用いて詳細１こ述べる。 第１図は本発明によるパターン露光装置の一例としての
縮小投影形露光装置の基本構成を示したものである。こ
の縮小投影形露光装置はホトレジストのような感光剤が
塗布された半導体基板１を載置した露光ステージ１１を
定寸送りするたびに原画パターン２を照明用光源４で照
明し、照明することによって形成される原画パターン２
の像を縮小レンズ３を介して縮小し、半導体基板ｌ上に
投影無光することによって半導体基板ｌの全面に原画パ
ターン２の縮小パターンを形成する装置である。半導体
素子はこのような原画パターンを拡散、酸化等の工程を
経る毎に幾層にも重ねて形成しながら作られる。 したがって、幾層にも重ねて形成されるパターン間の位
置合わせ精度を確保する必要があるため、第１図に示し
た本発明による縮小投影形露光装置にはウェーハプリア
ライメント系５が設けられている。 このような縮小投影形露光装置に供給される半導体基板
１′は供給用カセット（図示せず）から取り出されて矢
印６の方向に搬送され、ウェーハプリアライメント系５
のステージ（図示せず）上にセットされる。そして、ま
ず、半導体基板１′上の切り欠き７を利用した機械的な
粗い位置決めが行なわれた後、２つのレンズ系８，９を
用いてテレビモニタ２９上で半導体基板１′上に形成さ
れてい↑ る。例えば“−”、ホ”などの位置合せマーク３５．３
６を観測しながら矢印１０の如くステージをＸ、Ｙ方向
に移動したり、回転させて半導体基板１′を微動させる
ことによって、ウェーハプリアライメント系５の基準と
なる位置（テレビモニタ２９上にカーソル３７．３８と
して表示されている。）に半導体基板１′上の位置合せ
マーク３５゜３６を位置合せする作業が行なわれる。そ
の後、半導体基板１′は搬送アーム（図示せず）に吸着
させて無光ステージ１１上に正確に搬送し固定される。 そして、無光ステージ１１ではさらに最終的な非常に正
確な位置合わせを行なった後に、上述のパターン霧光形
成作業が開始される。 この時、霧光ステージｌｌ上におけるパターン露光形成
作業に並行して、次の半導体基板１′が供給用カセット
から取り出されて再び矢印６の方向に搬送され、ウェー
ハプリアライメント系５のステージ上（こセットされる
。そして、上述したことと同様の位置合せ作業が行なわ
れる。 ところで、ステージ上にセットされた半導体基板１′上
に最初に原画パターンを形成する際にはウェーハプリア
ライメント系５における２つのレンズ８，９を用いた半
導体基板１′の位置合わせ作業は不要（なぜならば、最
初の原画パターンの形成時に初めて位置合わせマークが
半導体基板１上に形成されるため位置合わせを行なう必
要がないことｔこよる。）であり、半導体基板１′の切
り欠き７を利用した機械的な粗い位置決めが行なわれた
後、しばらく待機している。そして既に並行してパター
ン形成中の露光ステージｌｌ上の半導体基板ｌへの露光
作業の終了を待って、吸着を利用した搬送アームによっ
て露光ステージ１１上に半導体基板１′を搬送し、原画
パターンの形成が行なわれる。 そして、露光工程を終了した半導体基板ｌは吸着を利用
した搬送アームによって露光ステージ１１上から収納カ
セット（図示せず）へ収納される。 その後に、ウェーハプリアライメント系５のステージ上
の半導体基板１′が露光ステージ１１上に搬送されるこ
とになる。 本実施例はこのウェーハプリアライメント系５における
待ち時間を巧みに利用することにより、半導体基板１′
上に識別マークを露光し形成しようとするものである。 第２図は本実施例の説明の都合上、従来のウェーハプリ
アライメント系５′を詳ｍｉこ示したものであって、本
実施例による識別マーク形成機能を付加する以前の構成
を示したものである。第２図において、 Ｘｅランプか
らなる光源２１からの光は半導体基板１′上に塗布され
た例えば、シアプレー社の商品名であるＡＸ１３５０ポ
ジ型ホトレジストの如き感光剤が感光しないようにフィ
ルタ（波長が４５０＄ｍ以下の光をカットする。）２２
を経たのち、笑゛線の矢印で示した如くプリズム２３．
ミラー２４．２４’、レンズ系８，９などの光学部品を
介して半導体基板１′を照明し、半導体基板１′上の位
置合せパターン３５，３６を破線の矢印で示した如く逆
にテレビモニタ２９用の撮像管２７．２８上に結像させ
ている。この装置の操作者はテレビモニタ２９上でこの
位置合せパターン３５．３６の像を観察し、半導体基板
１′を矢印ｌＯの如く移動、回転させて予めテレビモニ
タ２９上に表示されている基準位置（カーソル３７．３
８）に位置合せしている◇ 第３図は第２図に示した従来のウェーハプリアライメン
ト系５′に本実施例による識別マーク形成機能を付加し
たウェーハプリアライメント系５の基本構成を示したも
のである。すなわち、本発明によるウェーハプリアライ
メント系５は第３図に示すように、これまでのウェーハ
プリアライメント系５′の機構に１）半導体基板１′上
に塗布された感光剤が感光する波長の光のみを透過する
フィルタ引 に連動して識別マーク３３．３３’を移動できる回転板
３４ 、３４’とをそれぞれ付加したものである。 半導体基板１′上に最初の原画パターンを形成する際に
は上述の待ち時間中に装置の操作者の指示により、これ
らの付加された識別マーク３ｓ、ａａ；感光剤が感光す
る波長の光のみを透過するフィルタ３１を光軸上に設定
することにより、例えば”Ａ２”の如く半導体基板１′
毎に固有の識別マークを露光し形成することができる。 すなわち、さらに詳述するならば回転板３２゜３４．３
４’は歯車のような適当な回転手段によってそれぞれ矢
印の方向に回転され、露光のためのフィルタ３１．識別
マーク３３のうちの＠２″、識別マーク３３′のうちの
“Ａｏが光軸上にセットされ半導体基板１′上の位置合
せマークを検出する時は回転板３４．３４’は回転され
て識別マーク３３．３３’の存在しない部分を用いて行
なわれる。また、半導体基板１′に識別マークを形成す
る領域は位置合せマークの位置でも良いが、通常は原画
パターンを形成しない領域が用いられる。 その代表的な領域は切り欠き７側か、その反対側の半導
体基板１′の周縁部である。この場合は識別マークが周
縁部に形成されるように半導体基板１′を載置している
ステージが移動され、露光が終了した後に元のセット位
置に戻される０そして、露光ステージ１１への搬送を待
つ。 したがって、これまでのように作業者の手書きによる識
別マークの作製や、専廟の識別マーク形成装置を使用す
る必要もなくなり、半導体基板の汚染の問題が改善され
ると共に、半導体素子の製造に要する時間を短縮するこ
とも可能となり、その効果は大きい。 なお、上述の実施例ではウェーハプリアライメント系に
識別マーク形成手段を具備させた構成例を述べたが、こ
れに限らず主露光光学系中に識別マーク形成手段を具備
させてもよい。さらに、この識別マーク形成手段は電子
線露光装置のウェーハプリアライメント系に具備させて
もよいことはもちろんである。 図面の簡単な説明 第１図は本発明によるパターン露光装置の一例としての
縮小投影形露光装置の基本構成図、第２図は従来の縮小
投影形露光装置におけるウェー７％プリアライメント系
の基本構成図、第３図は第１図に示した装置におけるウ
ェーハプリアライメント系の基本構成図である０ １ 、１’ ：半導体基板、２：原画パターン、３：縮
小レンズ、４：照明用光源、５：ウェーハプリアライメ
ント系、７：切り欠き、８．９：レンズ系、１１：露光
ステージ、２１：光源、２２．３１：フィルタ、２３ニ
ブリズム、２４．２４’：ミラー、２７．２８：撮像管
、２９：テレビモニタ、３２．３４，３４勺こ回転板、
３５．３６：位置合せパターン、３７．３８：カーソル
、３３．３３’−！１１ 図 ８２ 回
装置の概念図、第２図は第１図に示す基板プリアライメ
ント系を示す図、および第３図は本発明を具体化した一
例を示す図である。図中、ｌ・・・基板、５・・・ウェ
ーハプリアライメント系、８．９・・・光学系、１１・
・・露光ステージ０ 案１癩 ネ ２ 聞 垢 ３ 目 手続補正書 、Ｐ件の表示 昭和 ５６年特許願第１０７００３号 発明の名称 パターン露光装置 ＩＪをする者 ５１つ）（４、式会？ト］］ 立 製 作
所ｊ′： ＩＪ ６ 三 １１１
勝 茂理 人 王の対象発明の名称、口細書全文および［全図創ヨ玉＝
の−内一容 別紙 補正の内容 １、本願の発明の名称を「パターン露光装置」に補正す
る。 ２、本願明細書の全文を別添の補正明細書のとおりｌこ
補正する。 ３、本願図面の全部を別添の補正図面のとおりに補正す
る。 以上 補正明細書 発明の名称 パターン露光装置 特許請求の範囲 ターン露光装置。 ２、上記識別マーク露光手段は上記半導体素子パターン
露光手段とは異なる光学系として設けられていることを
特徴とする特許 項記載のパターン露光装置。 ３、上記装置はさらに次に露光されるべき半導体基板を
プリアライメントするための光学的位置合せ手段を有し
ており、上記識別マーク露光手段は上記光学的位置合せ
手段の光学系の一部を共用して構成されてなることを特
徴とする特許請求の範囲第１項記載のパターン露光装置
。 等を製造する製造工程において使用されるパターン露光
装置の改良番こ関するものである。 一般に、半導体素子の製造工程に詔いては、半導体基板
（半導体ウエーハ）上に形成されるＬＳＩ等の高集積半
導体素子の特性管理や工程管理を徹底させるため、半導
体基板の一枚一枚にそれぞれ固有の識別マークを形成す
ることが必要である。 このため、従来においては、一般に、半導体基板を半導
体素子製造工程，％にパターン露光工程に投入する前に
作業者が手書きによって半導体基板毎に識別マークの書
き込み作業を行なったり、あるいは、例えばウエーハア
イデンイファイアのような専用の識別マーク書き込み装
置を用いて半導体基板毎に識別マークを形成している。 しかしながら、このような識別マーク形成作業は煩雑と
なるばかりでなく、これらの識別マーク形成作業により
半導体基板上に汚染を誘発することがあり、最終的な半
導体体素子の歩留りの低下の原因となるなどの問題をひ
き起していた。 したがって、本発明の目的はこのような半導体基板上に
識別マークを形成するための手作業や、専用の識別マー
ク形成装置を不要とし、かつ、半導体基板を汚染するこ
となく、半導体基板上に識別マークを容易に形成する手
段を具備したパターン無光装置を提供することにある。 上記目的を達成するために本発明においては、に半導体
基板毎に異なる識別マークを露光する手段とによってパ
ターン露光装置を構成したことを特徴としている。 かかる本発明の特徴的な構成によって、従来のように作
呆者の手書きによる識別マークの形成作業や、専用の識
別マーク形成装置を使用する必要もなくなり、その上、
半導体基板の汚染の問題が改善されると共に、半導体素
子の製造に要する時間を短縮することも可能となるなど
の大きな効果が得られる。 以下、本発明を図を用いて詳細１こ述べる。 第１図は本発明によるパターン露光装置の一例としての
縮小投影形露光装置の基本構成を示したものである。こ
の縮小投影形露光装置はホトレジストのような感光剤が
塗布された半導体基板１を載置した露光ステージ１１を
定寸送りするたびに原画パターン２を照明用光源４で照
明し、照明することによって形成される原画パターン２
の像を縮小レンズ３を介して縮小し、半導体基板ｌ上に
投影無光することによって半導体基板ｌの全面に原画パ
ターン２の縮小パターンを形成する装置である。半導体
素子はこのような原画パターンを拡散、酸化等の工程を
経る毎に幾層にも重ねて形成しながら作られる。 したがって、幾層にも重ねて形成されるパターン間の位
置合わせ精度を確保する必要があるため、第１図に示し
た本発明による縮小投影形露光装置にはウェーハプリア
ライメント系５が設けられている。 このような縮小投影形露光装置に供給される半導体基板
１′は供給用カセット（図示せず）から取り出されて矢
印６の方向に搬送され、ウェーハプリアライメント系５
のステージ（図示せず）上にセットされる。そして、ま
ず、半導体基板１′上の切り欠き７を利用した機械的な
粗い位置決めが行なわれた後、２つのレンズ系８，９を
用いてテレビモニタ２９上で半導体基板１′上に形成さ
れてい↑ る。例えば“−”、ホ”などの位置合せマーク３５．３
６を観測しながら矢印１０の如くステージをＸ、Ｙ方向
に移動したり、回転させて半導体基板１′を微動させる
ことによって、ウェーハプリアライメント系５の基準と
なる位置（テレビモニタ２９上にカーソル３７．３８と
して表示されている。）に半導体基板１′上の位置合せ
マーク３５゜３６を位置合せする作業が行なわれる。そ
の後、半導体基板１′は搬送アーム（図示せず）に吸着
させて無光ステージ１１上に正確に搬送し固定される。 そして、無光ステージ１１ではさらに最終的な非常に正
確な位置合わせを行なった後に、上述のパターン霧光形
成作業が開始される。 この時、霧光ステージｌｌ上におけるパターン露光形成
作業に並行して、次の半導体基板１′が供給用カセット
から取り出されて再び矢印６の方向に搬送され、ウェー
ハプリアライメント系５のステージ上（こセットされる
。そして、上述したことと同様の位置合せ作業が行なわ
れる。 ところで、ステージ上にセットされた半導体基板１′上
に最初に原画パターンを形成する際にはウェーハプリア
ライメント系５における２つのレンズ８，９を用いた半
導体基板１′の位置合わせ作業は不要（なぜならば、最
初の原画パターンの形成時に初めて位置合わせマークが
半導体基板１上に形成されるため位置合わせを行なう必
要がないことｔこよる。）であり、半導体基板１′の切
り欠き７を利用した機械的な粗い位置決めが行なわれた
後、しばらく待機している。そして既に並行してパター
ン形成中の露光ステージｌｌ上の半導体基板ｌへの露光
作業の終了を待って、吸着を利用した搬送アームによっ
て露光ステージ１１上に半導体基板１′を搬送し、原画
パターンの形成が行なわれる。 そして、露光工程を終了した半導体基板ｌは吸着を利用
した搬送アームによって露光ステージ１１上から収納カ
セット（図示せず）へ収納される。 その後に、ウェーハプリアライメント系５のステージ上
の半導体基板１′が露光ステージ１１上に搬送されるこ
とになる。 本実施例はこのウェーハプリアライメント系５における
待ち時間を巧みに利用することにより、半導体基板１′
上に識別マークを露光し形成しようとするものである。 第２図は本実施例の説明の都合上、従来のウェーハプリ
アライメント系５′を詳ｍｉこ示したものであって、本
実施例による識別マーク形成機能を付加する以前の構成
を示したものである。第２図において、 Ｘｅランプか
らなる光源２１からの光は半導体基板１′上に塗布され
た例えば、シアプレー社の商品名であるＡＸ１３５０ポ
ジ型ホトレジストの如き感光剤が感光しないようにフィ
ルタ（波長が４５０＄ｍ以下の光をカットする。）２２
を経たのち、笑゛線の矢印で示した如くプリズム２３．
ミラー２４．２４’、レンズ系８，９などの光学部品を
介して半導体基板１′を照明し、半導体基板１′上の位
置合せパターン３５，３６を破線の矢印で示した如く逆
にテレビモニタ２９用の撮像管２７．２８上に結像させ
ている。この装置の操作者はテレビモニタ２９上でこの
位置合せパターン３５．３６の像を観察し、半導体基板
１′を矢印ｌＯの如く移動、回転させて予めテレビモニ
タ２９上に表示されている基準位置（カーソル３７．３
８）に位置合せしている◇ 第３図は第２図に示した従来のウェーハプリアライメン
ト系５′に本実施例による識別マーク形成機能を付加し
たウェーハプリアライメント系５の基本構成を示したも
のである。すなわち、本発明によるウェーハプリアライ
メント系５は第３図に示すように、これまでのウェーハ
プリアライメント系５′の機構に１）半導体基板１′上
に塗布された感光剤が感光する波長の光のみを透過する
フィルタ引 に連動して識別マーク３３．３３’を移動できる回転板
３４ 、３４’とをそれぞれ付加したものである。 半導体基板１′上に最初の原画パターンを形成する際に
は上述の待ち時間中に装置の操作者の指示により、これ
らの付加された識別マーク３ｓ、ａａ；感光剤が感光す
る波長の光のみを透過するフィルタ３１を光軸上に設定
することにより、例えば”Ａ２”の如く半導体基板１′
毎に固有の識別マークを露光し形成することができる。 すなわち、さらに詳述するならば回転板３２゜３４．３
４’は歯車のような適当な回転手段によってそれぞれ矢
印の方向に回転され、露光のためのフィルタ３１．識別
マーク３３のうちの＠２″、識別マーク３３′のうちの
“Ａｏが光軸上にセットされ半導体基板１′上の位置合
せマークを検出する時は回転板３４．３４’は回転され
て識別マーク３３．３３’の存在しない部分を用いて行
なわれる。また、半導体基板１′に識別マークを形成す
る領域は位置合せマークの位置でも良いが、通常は原画
パターンを形成しない領域が用いられる。 その代表的な領域は切り欠き７側か、その反対側の半導
体基板１′の周縁部である。この場合は識別マークが周
縁部に形成されるように半導体基板１′を載置している
ステージが移動され、露光が終了した後に元のセット位
置に戻される０そして、露光ステージ１１への搬送を待
つ。 したがって、これまでのように作業者の手書きによる識
別マークの作製や、専廟の識別マーク形成装置を使用す
る必要もなくなり、半導体基板の汚染の問題が改善され
ると共に、半導体素子の製造に要する時間を短縮するこ
とも可能となり、その効果は大きい。 なお、上述の実施例ではウェーハプリアライメント系に
識別マーク形成手段を具備させた構成例を述べたが、こ
れに限らず主露光光学系中に識別マーク形成手段を具備
させてもよい。さらに、この識別マーク形成手段は電子
線露光装置のウェーハプリアライメント系に具備させて
もよいことはもちろんである。 図面の簡単な説明 第１図は本発明によるパターン露光装置の一例としての
縮小投影形露光装置の基本構成図、第２図は従来の縮小
投影形露光装置におけるウェー７％プリアライメント系
の基本構成図、第３図は第１図に示した装置におけるウ
ェーハプリアライメント系の基本構成図である０ １ 、１’ ：半導体基板、２：原画パターン、３：縮
小レンズ、４：照明用光源、５：ウェーハプリアライメ
ント系、７：切り欠き、８．９：レンズ系、１１：露光
ステージ、２１：光源、２２．３１：フィルタ、２３ニ
ブリズム、２４．２４’：ミラー、２７．２８：撮像管
、２９：テレビモニタ、３２．３４，３４勺こ回転板、
３５．３６：位置合せパターン、３７．３８：カーソル
、３３．３３’−！１１ 図 ８２ 回
Claims (1)
- １、基板識別用パターンの形成機能を具備したことを特
徴とする半導体製造装置
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56107003A JPS589319A (ja) | 1981-07-10 | 1981-07-10 | パターン露光装置 |
| US06/396,880 US4477182A (en) | 1981-07-10 | 1982-07-09 | Pattern exposing apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56107003A JPS589319A (ja) | 1981-07-10 | 1981-07-10 | パターン露光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS589319A true JPS589319A (ja) | 1983-01-19 |
| JPH0263285B2 JPH0263285B2 (ja) | 1990-12-27 |
Family
ID=14448018
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56107003A Granted JPS589319A (ja) | 1981-07-10 | 1981-07-10 | パターン露光装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4477182A (ja) |
| JP (1) | JPS589319A (ja) |
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1981
- 1981-07-10 JP JP56107003A patent/JPS589319A/ja active Granted
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1982
- 1982-07-09 US US06/396,880 patent/US4477182A/en not_active Expired - Lifetime
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4477182A (en) | 1984-10-16 |
| JPH0263285B2 (ja) | 1990-12-27 |
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